JPH06120783A - パルス電源 - Google Patents
パルス電源Info
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- JPH06120783A JPH06120783A JP4271253A JP27125392A JPH06120783A JP H06120783 A JPH06120783 A JP H06120783A JP 4271253 A JP4271253 A JP 4271253A JP 27125392 A JP27125392 A JP 27125392A JP H06120783 A JPH06120783 A JP H06120783A
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- Japan
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- transformer
- pulse
- saturable
- semiconductor switch
- current
- Prior art date
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
- H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
- H03K3/53—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use of an energy-accumulating element discharged through the load by a switching device controlled by an external signal and not incorporating positive feedback
- H03K3/57—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use of an energy-accumulating element discharged through the load by a switching device controlled by an external signal and not incorporating positive feedback the switching device being a semiconductor device
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/80—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using non-linear magnetic devices; using non-linear dielectric devices
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K2217/00—Indexing scheme related to electronic switching or gating, i.e. not by contact-making or -breaking covered by H03K17/00
- H03K2217/0036—Means reducing energy consumption
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Generation Of Surge Voltage And Current (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体スイッチと可飽和トランス等から高電
圧・大電流パルスを得るパルス電源において、半導体ス
イッチの制御電圧を低くし、また装置の小形化を図る。 【構成】 初期充電されるコンデンサＣ0から半導体ス
イッチＳＷのオンで昇圧トランスＴにパルス電流を流
し、この昇圧トランスで昇圧したパルス電流を可飽和ト
ランスＳＴ1の昇圧動作でコンデンサＣ1を高圧充電し、
可飽和トランスの飽和動作によりコンデンサＣ1から放
電管ＤＴへの高電圧大電流のパルスを得る。半導体スイ
ッチＳＷは昇圧トランスＴの昇圧によって制御電圧を低
くし、可飽和トランスＳＴ1は昇圧比を小さくして飽和
後のパルス圧縮比を高める。
圧・大電流パルスを得るパルス電源において、半導体ス
イッチの制御電圧を低くし、また装置の小形化を図る。 【構成】 初期充電されるコンデンサＣ0から半導体ス
イッチＳＷのオンで昇圧トランスＴにパルス電流を流
し、この昇圧トランスで昇圧したパルス電流を可飽和ト
ランスＳＴ1の昇圧動作でコンデンサＣ1を高圧充電し、
可飽和トランスの飽和動作によりコンデンサＣ1から放
電管ＤＴへの高電圧大電流のパルスを得る。半導体スイ
ッチＳＷは昇圧トランスＴの昇圧によって制御電圧を低
くし、可飽和トランスＳＴ1は昇圧比を小さくして飽和
後のパルス圧縮比を高める。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体スイッチと可飽
和トランスを用いて高電圧・大電流の短パルスを発生す
るためのパルス電源に関する。
和トランスを用いて高電圧・大電流の短パルスを発生す
るためのパルス電源に関する。
【０００２】
【従来の技術】パルスレーザ励起やパルスプラズマ発
生，パルス脱硝装置等のパルス電源には、サイラトロン
スイッチやトリガトロンスイッチ等の放電スイッチを用
いて直接に高電圧・大電流をスイッチングすることでパ
ルスを発生するものと、半導体スイッチと磁気スイッチ
になる可飽和リアクトルを組合せたものがある。また、
１つの可飽和トランスで昇圧とパルス圧縮を行い、スイ
ッチング素子の負担を軽減するものもある。
生，パルス脱硝装置等のパルス電源には、サイラトロン
スイッチやトリガトロンスイッチ等の放電スイッチを用
いて直接に高電圧・大電流をスイッチングすることでパ
ルスを発生するものと、半導体スイッチと磁気スイッチ
になる可飽和リアクトルを組合せたものがある。また、
１つの可飽和トランスで昇圧とパルス圧縮を行い、スイ
ッチング素子の負担を軽減するものもある。
【０００３】図２は可飽和リアクトルを用いた従来回路
をその波形図と共に示す。同図中、複数個直列接続され
るサイリスタＴＨは高電圧の半導体スイッチとされ、高
電圧充電されたコンデンサＣ12とリアクトルＬの直列回
路を短絡することで発生させる電流Ｉ1によりＣ12の極
性が反転し、Ｃ11とＣ12の直列結合を通してＬＣ反転の
倍電圧を発生させる。
をその波形図と共に示す。同図中、複数個直列接続され
るサイリスタＴＨは高電圧の半導体スイッチとされ、高
電圧充電されたコンデンサＣ12とリアクトルＬの直列回
路を短絡することで発生させる電流Ｉ1によりＣ12の極
性が反転し、Ｃ11とＣ12の直列結合を通してＬＣ反転の
倍電圧を発生させる。
【０００４】この電圧発生により可飽和リアクトルＳＲ
1とコンデンサＣ′11，Ｃ′12，Ｃ2の直列回路にパルス
圧縮した電流Ｉ2を得、さらにコンデンサＣ2の電圧によ
り可飽和リアクトルＳＲ2とコンデンサＣ3，Ｃ2の直列
回路にパルス圧縮した電流Ｉ3を得、最終段の可飽和リ
アクトルＳＲ3と放電管ＤＴにパルス圧縮した高電圧・
大電流パルスＩ4を得る。
1とコンデンサＣ′11，Ｃ′12，Ｃ2の直列回路にパルス
圧縮した電流Ｉ2を得、さらにコンデンサＣ2の電圧によ
り可飽和リアクトルＳＲ2とコンデンサＣ3，Ｃ2の直列
回路にパルス圧縮した電流Ｉ3を得、最終段の可飽和リ
アクトルＳＲ3と放電管ＤＴにパルス圧縮した高電圧・
大電流パルスＩ4を得る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の放電ギャップ型
のスイッチを用いたパルス電源においては、これらスイ
ッチング素子の寿命が１０7〜１０8パルスと短く、高い
繰返し動作を行う場合にはスイッチ素子の寿命が問題と
なる。
のスイッチを用いたパルス電源においては、これらスイ
ッチング素子の寿命が１０7〜１０8パルスと短く、高い
繰返し動作を行う場合にはスイッチ素子の寿命が問題と
なる。
【０００６】一方、半導体スイッチと可飽和リアクトル
を組合せたパルス電源においては、スイッチ素子自体の
耐電圧が放電スイッチに比べて小さい（数ＫＶ）ため、
高電圧を発生させるためには半導体スイッチ素子を多数
個直列接続した構成を必要とし、各素子のドライブ回路
やスナバ回路も含めてスイッチ回路が大形のものにな
る。
を組合せたパルス電源においては、スイッチ素子自体の
耐電圧が放電スイッチに比べて小さい（数ＫＶ）ため、
高電圧を発生させるためには半導体スイッチ素子を多数
個直列接続した構成を必要とし、各素子のドライブ回路
やスナバ回路も含めてスイッチ回路が大形のものにな
る。
【０００７】また、素子数を減らすためにパルストラン
スを用いて昇圧したり、ＬＣ反転回路を用いて出力電圧
の約１／２のスイッチング電圧にする方式もあるが、ス
イッチング素子の数や磁気パルス圧縮段数はある程度
（２〜３段）必要となり、パルス電源としては放電スイ
ッチ方式に比べて大きなものになる。
スを用いて昇圧したり、ＬＣ反転回路を用いて出力電圧
の約１／２のスイッチング電圧にする方式もあるが、ス
イッチング素子の数や磁気パルス圧縮段数はある程度
（２〜３段）必要となり、パルス電源としては放電スイ
ッチ方式に比べて大きなものになる。
【０００８】他に、１つの可飽和トランスで昇圧と磁気
パルス圧縮を行うことで装置の小形化を図るものもある
が、素子１個で２つの機能を引出しているため昇圧比を
大きくしようとすると可飽和トランスの二次側巻線の巻
数が多くなり、インダクタンスが増加する。この場合、
パルス圧縮時のＬＣ共振時間が長くなり、短パルス発生
には限界がある。逆に、可飽和トランスの二次側のイン
ダクタンスを小さくするためには巻数を少なくするため
昇圧比が小さくなり、スイッチング素子の負担が大きく
なる。
パルス圧縮を行うことで装置の小形化を図るものもある
が、素子１個で２つの機能を引出しているため昇圧比を
大きくしようとすると可飽和トランスの二次側巻線の巻
数が多くなり、インダクタンスが増加する。この場合、
パルス圧縮時のＬＣ共振時間が長くなり、短パルス発生
には限界がある。逆に、可飽和トランスの二次側のイン
ダクタンスを小さくするためには巻数を少なくするため
昇圧比が小さくなり、スイッチング素子の負担が大きく
なる。
【０００９】本発明の目的は、半導体スイッチング素子
の制御電圧を低くし、また装置の小形化を図ったパルス
電源を提供することにある。
の制御電圧を低くし、また装置の小形化を図ったパルス
電源を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題の解
決を図るため、半導体スイッチと、この半導体スイッチ
に直列接続され初期充電される第１のエネルギー蓄積用
コンデンサと、このコンデンサに一次巻線が直列接続さ
れ前記半導体スイッチのオンによって一次電流が供給さ
れて昇圧出力を得る昇圧トランスと、この昇圧トランス
の二次巻線に一次巻線が直列接続され前記昇圧トランス
の二次出力によって一次電流が供給されて磁気スイッチ
動作を得る可飽和トランスと、この可飽和トランスの二
次巻線に直列接続され該トランスの出力で充電される第
２のエネルギー蓄積用コンデンサと、前記可飽和トラン
スの磁気スイッチ動作によって前記第２のエネルギー蓄
積用コンデンサの充電電圧が印加されてパルス放電を得
る放電管とを備えたことを特徴とする。
決を図るため、半導体スイッチと、この半導体スイッチ
に直列接続され初期充電される第１のエネルギー蓄積用
コンデンサと、このコンデンサに一次巻線が直列接続さ
れ前記半導体スイッチのオンによって一次電流が供給さ
れて昇圧出力を得る昇圧トランスと、この昇圧トランス
の二次巻線に一次巻線が直列接続され前記昇圧トランス
の二次出力によって一次電流が供給されて磁気スイッチ
動作を得る可飽和トランスと、この可飽和トランスの二
次巻線に直列接続され該トランスの出力で充電される第
２のエネルギー蓄積用コンデンサと、前記可飽和トラン
スの磁気スイッチ動作によって前記第２のエネルギー蓄
積用コンデンサの充電電圧が印加されてパルス放電を得
る放電管とを備えたことを特徴とする。
【００１１】
【作用】昇圧トランスによる昇圧によって所期の電圧を
得ることで半導体スイッチの制御電圧を低いもので済む
ようにし、また昇圧トランスに縦続の可飽和トランスは
昇圧比を低くして二次巻線の巻数を小さくして飽和後の
インダクタンスを低減し、パルス幅の圧縮率を高める。
得ることで半導体スイッチの制御電圧を低いもので済む
ようにし、また昇圧トランスに縦続の可飽和トランスは
昇圧比を低くして二次巻線の巻数を小さくして飽和後の
インダクタンスを低減し、パルス幅の圧縮率を高める。
【００１２】
【実施例】図１は本発明の一実施例を示す回路図であ
る。半導体スイッチＳＷはＧＴＯサイリスタ，ＳＩサイ
リスタ，ＩＧＢＴ等の１つの半導体スイッチング素子と
そのゲート制御回路，スナバ回路を有して構成された初
段スイッチにされる。
る。半導体スイッチＳＷはＧＴＯサイリスタ，ＳＩサイ
リスタ，ＩＧＢＴ等の１つの半導体スイッチング素子と
そのゲート制御回路，スナバ回路を有して構成された初
段スイッチにされる。
【００１３】可飽和リアクトルＳＩ1と初段エネルギー
蓄積用コンデンサＣ0及び昇圧トランスＴの一次巻線は
直列接続されて半導体スイッチＳＷに直列接続される。
蓄積用コンデンサＣ0及び昇圧トランスＴの一次巻線は
直列接続されて半導体スイッチＳＷに直列接続される。
【００１４】昇圧トランスＴの二次巻線には可飽和トラ
ンスＳＴ1の一次巻線が直列接続され、この可飽和トラ
ンスＳＴ1の二次巻線にはエネルギー蓄積用のコンデン
サＣ1とコンデンサＣPの直列回路が並列接続される。ま
た、コンデンサＣPには放電管ＤＴと可飽和リアクトル
ＳＩ2が夫々並列接続される。
ンスＳＴ1の一次巻線が直列接続され、この可飽和トラ
ンスＳＴ1の二次巻線にはエネルギー蓄積用のコンデン
サＣ1とコンデンサＣPの直列回路が並列接続される。ま
た、コンデンサＣPには放電管ＤＴと可飽和リアクトル
ＳＩ2が夫々並列接続される。
【００１５】上述の構成において、可飽和リアクトルＳ
Ｉ1及びＳＩ2は実効動作磁束密度量（△Ｂ）の大きな磁
心材、例えば鉄基非晶質合金磁心材や鉄基超微結晶質合
金磁心材、コバルト基非晶質合金等の磁心材を持ち、リ
アクトルＳＩ1は半導体スイッチＳＷをアシストするた
めの磁気アシストとして使用され、リアクトルＳＩ2は
コンデンサＣ1の充電電流を放電管ＤＴをバイパスさせ
ることで該放電管ＤＴへのプリパルス発生を防止し、ま
たコンデンサＣ1の放電電流は阻止して放電管に流すプ
リパルス低減手段になる。この可飽和リアクトルＳＩ2
は空心コイルや高速ダイオードで置換することもでき
る。
Ｉ1及びＳＩ2は実効動作磁束密度量（△Ｂ）の大きな磁
心材、例えば鉄基非晶質合金磁心材や鉄基超微結晶質合
金磁心材、コバルト基非晶質合金等の磁心材を持ち、リ
アクトルＳＩ1は半導体スイッチＳＷをアシストするた
めの磁気アシストとして使用され、リアクトルＳＩ2は
コンデンサＣ1の充電電流を放電管ＤＴをバイパスさせ
ることで該放電管ＤＴへのプリパルス発生を防止し、ま
たコンデンサＣ1の放電電流は阻止して放電管に流すプ
リパルス低減手段になる。この可飽和リアクトルＳＩ2
は空心コイルや高速ダイオードで置換することもでき
る。
【００１６】可飽和トランスＳＴ1は、高い角形比を持
つ磁心材、例えば鉄基非品質合金磁心材や鉄基超微晶質
合金磁心材，コバルト基非晶質合金等の磁心材を持ち、
一次巻線と二次巻線には低い昇圧又は降圧になる巻線比
にされる。例えば、トランスＳＴ1は１対２の巻線比に
される。
つ磁心材、例えば鉄基非品質合金磁心材や鉄基超微晶質
合金磁心材，コバルト基非晶質合金等の磁心材を持ち、
一次巻線と二次巻線には低い昇圧又は降圧になる巻線比
にされる。例えば、トランスＳＴ1は１対２の巻線比に
される。
【００１７】エネルギー蓄積用コンデンサＣ0，Ｃ1，Ｃ
Pは高電圧・短パルス発生のために低インダクタンス，
高耐電圧のセラミックコンデンサが好適となるが、他に
オイルコンデンサ等を用いることができる。
Pは高電圧・短パルス発生のために低インダクタンス，
高耐電圧のセラミックコンデンサが好適となるが、他に
オイルコンデンサ等を用いることができる。
【００１８】昇圧トランスＴは高い昇圧比を得るよう二
次巻線の巻数が大きくされる。
次巻線の巻数が大きくされる。
【００１９】本実施例の動作を説明する。まず、コンデ
ンサＣ0は直流電源ＤＣによって高圧充電しておく。こ
の後、半導体スイッチＳＷをオンさせることにより、コ
ンデンサＣ0→可飽和リアクトルＳＩ1→半導体スイッチ
ＳＷ→昇圧トランスＴの一次巻線の経路で一次電流Ｉ0
を流す。
ンサＣ0は直流電源ＤＣによって高圧充電しておく。こ
の後、半導体スイッチＳＷをオンさせることにより、コ
ンデンサＣ0→可飽和リアクトルＳＩ1→半導体スイッチ
ＳＷ→昇圧トランスＴの一次巻線の経路で一次電流Ｉ0
を流す。
【００２０】この電流Ｉ0に対し、昇圧トランスＴはそ
の巻数比（例えば１対６）による昇圧した電圧を二次巻
線に得るトランスとして動作させる。また、可飽和リア
クトルＳＩ1が半導体スイッチＳＷの磁気アシストとし
て動作し、スイッチＳＷのスイッチング損失を低減する
ことで磁気アシストのないスイッチング動作より高い電
流ピーク（二電流上昇率）で使用することが可能とな
る。
の巻数比（例えば１対６）による昇圧した電圧を二次巻
線に得るトランスとして動作させる。また、可飽和リア
クトルＳＩ1が半導体スイッチＳＷの磁気アシストとし
て動作し、スイッチＳＷのスイッチング損失を低減する
ことで磁気アシストのないスイッチング動作より高い電
流ピーク（二電流上昇率）で使用することが可能とな
る。
【００２１】電流Ｉ0 による昇圧トランスＴの二次側で
は電流Ｉ1 がトランスＴの二次巻線→可飽和トランスＳ
Ｔ1 の一時巻線の経路で流れる。
は電流Ｉ1 がトランスＴの二次巻線→可飽和トランスＳ
Ｔ1 の一時巻線の経路で流れる。
【００２２】この電流Ｉ1に対し、可飽和トランスＳＴ1
は非飽和領域で動作させ、その巻線比による昇圧した電
圧を二次巻線に得る。この動作は非飽和領域の動作で電
流Ｉ2によってコンデンサＣ1を充電する。このとき、可
飽和リアクトルＳＩ2は電流Ｉ2が流れ易い方向に磁化さ
れている。
は非飽和領域で動作させ、その巻線比による昇圧した電
圧を二次巻線に得る。この動作は非飽和領域の動作で電
流Ｉ2によってコンデンサＣ1を充電する。このとき、可
飽和リアクトルＳＩ2は電流Ｉ2が流れ易い方向に磁化さ
れている。
【００２３】電流Ｉ2が流れ終わった時点で可飽和トラ
ンスＳＴ1は飽和動作領域に入ることでその一時側と二
次側が非結合状態となり、トランスとしての作用でなく
可飽和リアクトルとして作用する磁気スイッチとなり、
コンデンサＣ1からトランスＳＴ1の二次巻線側にパルス
圧縮した電流Ｉ2′を流す。この電流Ｉ2′により、放電
管ＤＴには短絡電流を供給、すなわち高電圧・大電流の
短パルスを供給する。
ンスＳＴ1は飽和動作領域に入ることでその一時側と二
次側が非結合状態となり、トランスとしての作用でなく
可飽和リアクトルとして作用する磁気スイッチとなり、
コンデンサＣ1からトランスＳＴ1の二次巻線側にパルス
圧縮した電流Ｉ2′を流す。この電流Ｉ2′により、放電
管ＤＴには短絡電流を供給、すなわち高電圧・大電流の
短パルスを供給する。
【００２４】従って、本実施例によれば、昇圧トランス
と可飽和トランスを縦続接続し、トランスＴ1は昇圧比
を大きくした昇圧専用として所期の昇圧を得る。可飽和
トランスＳＴ1は昇圧比を小さくし、二次巻線数を小さ
くして飽和後のインダクタンスを低減し、パルス幅の圧
縮率を高めるパルス圧縮専用にする。
と可飽和トランスを縦続接続し、トランスＴ1は昇圧比
を大きくした昇圧専用として所期の昇圧を得る。可飽和
トランスＳＴ1は昇圧比を小さくし、二次巻線数を小さ
くして飽和後のインダクタンスを低減し、パルス幅の圧
縮率を高めるパルス圧縮専用にする。
【００２５】これにより、半導体スイッチの低電圧化が
可能となり、しかも負荷側には高電圧，パルス幅を圧縮
した電流を供給できる。
可能となり、しかも負荷側には高電圧，パルス幅を圧縮
した電流を供給できる。
【００２６】
【発明の効果】以上のとおり、本発明によれば、半導体
スイッチＳＷと第１のエネルギー蓄積用コンデンサＣ0
により発生するパルス電流を昇圧トランスで昇圧し、そ
の出力を二次巻線数の小さい可飽和トランスによってパ
ルス幅を圧縮した短パルス化を得るようにしたため、以
下の効果がある。
スイッチＳＷと第１のエネルギー蓄積用コンデンサＣ0
により発生するパルス電流を昇圧トランスで昇圧し、そ
の出力を二次巻線数の小さい可飽和トランスによってパ
ルス幅を圧縮した短パルス化を得るようにしたため、以
下の効果がある。
【００２７】（１）昇圧トランスによる昇圧によって初
段スイッチの制御電圧を低くし、半導体スイッチの電圧
負担が低減されて半導体スイッチ素子の接続段数を小さ
くし、その周辺回路も含めてスイッチ回路の簡略化，小
形化を図ることができる。
段スイッチの制御電圧を低くし、半導体スイッチの電圧
負担が低減されて半導体スイッチ素子の接続段数を小さ
くし、その周辺回路も含めてスイッチ回路の簡略化，小
形化を図ることができる。
【００２８】（２）昇圧トランスにより昇圧されたパル
ス電流を可飽和トランスによりパルス圧縮を行うため、
該可飽和トランスは昇圧比を小さくして二次巻線数を小
さくでき、そのコア容積の低減効果等から可飽和トラン
スの小形化を図ることができる。
ス電流を可飽和トランスによりパルス圧縮を行うため、
該可飽和トランスは昇圧比を小さくして二次巻線数を小
さくでき、そのコア容積の低減効果等から可飽和トラン
スの小形化を図ることができる。
【図１】本発明の一実施例を示す回路図。
【図２】従来の回路と波形図。
ＳＷ…半導体スイッチ Ｔ…昇圧トランス ＳＴ1…可飽和トランス ＤＴ…放電管 ＳＩ1，ＳＩ2…可飽和リアクトル
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年９月７日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１５】上述の構成において、可飽和リアクトルＳ
Ｉ１及びＳＩ２は実効動作磁束密度量（△Ｂ）の大きな
磁心材、例えば鉄基非晶質合金磁心材や鉄基超微結晶質
合金磁心材、コバルト基非晶質合金等の磁心材を持ち、
リアクトルＳＩ１は半導体スイッチＳＷをアシストする
ための磁気アシストとして使用され、リアクトルＳＩ２
はコンデンサＣ１の充電電流を放電管ＤＴをバイパスさ
せることで該放電管ＤＴへのプリパルス発生を防止し、
またコンデンサＣ１の放電電流は阻止して放電管に流す
プリパルス低減手段になる。この可飽和リアクトルＳＩ
２は空心コイルで置換することもできる。
Ｉ１及びＳＩ２は実効動作磁束密度量（△Ｂ）の大きな
磁心材、例えば鉄基非晶質合金磁心材や鉄基超微結晶質
合金磁心材、コバルト基非晶質合金等の磁心材を持ち、
リアクトルＳＩ１は半導体スイッチＳＷをアシストする
ための磁気アシストとして使用され、リアクトルＳＩ２
はコンデンサＣ１の充電電流を放電管ＤＴをバイパスさ
せることで該放電管ＤＴへのプリパルス発生を防止し、
またコンデンサＣ１の放電電流は阻止して放電管に流す
プリパルス低減手段になる。この可飽和リアクトルＳＩ
２は空心コイルで置換することもできる。
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体スイッチと、この半導体スイッチ
に直列接続され初期充電される第１のエネルギー蓄積用
コンデンサと、このコンデンサに一次巻線が直列接続さ
れ前記半導体スイッチのオンによって一次電流が供給さ
れて昇圧出力を得る昇圧トランスと、この昇圧トランス
の二次巻線に一次巻線が直列接続され前記昇圧トランス
の二次出力によって一次電流が供給されて磁気スイッチ
動作を得る可飽和トランスと、この可飽和トランスの二
次巻線に直列接続され該トランスの出力で充電される第
２のエネルギー蓄積用コンデンサと、前記可飽和トラン
スの磁気スイッチ動作によって前記第２のエネルギー蓄
積用コンデンサの充電電圧が印加されてパルス放電を得
る放電管とを備えたことを特徴とするパルス電源。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27125392A JP3318981B2 (ja) | 1992-10-09 | 1992-10-09 | パルス電源 |
| DE4334429A DE4334429C2 (de) | 1992-10-09 | 1993-10-08 | Pulsgenerator |
| CA002108080A CA2108080C (en) | 1992-10-09 | 1993-10-08 | Pulse generator |
| US08/133,247 US5514918A (en) | 1992-01-09 | 1993-10-08 | Pulse generator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27125392A JP3318981B2 (ja) | 1992-10-09 | 1992-10-09 | パルス電源 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06120783A true JPH06120783A (ja) | 1994-04-28 |
| JP3318981B2 JP3318981B2 (ja) | 2002-08-26 |
Family
ID=17497498
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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