JPH07122979A - パルス電源 - Google Patents
パルス電源Info
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- JPH07122979A JPH07122979A JP26532693A JP26532693A JPH07122979A JP H07122979 A JPH07122979 A JP H07122979A JP 26532693 A JP26532693 A JP 26532693A JP 26532693 A JP26532693 A JP 26532693A JP H07122979 A JPH07122979 A JP H07122979A
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- switch
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体スイッチの直列接続又は並列接続を不
要にして所期の高電圧、大電流のパルスを得る。 【構成】 １つの半導体スイッチＳＷと、この半導体ス
イッチに直列接続されるエネルギー蓄積用コンデンサＣ
0と、このコンデンサと半導体スイッチに一次巻線が直
列接続され該半導体スイッチのオンによって一次電流が
供給されて昇圧出力を得る昇圧トランスＰＴとを有する
２つの初段スイッチ回路Ｓ１、Ｓ２を設け、各昇圧トラ
ンスの出力巻線を直列接続した出力を一次入力として昇
圧と磁気スイッチ動作を得る可飽和トランスＳＴを設
け、この可飽和トランスの昇圧と磁気スイッチ動作によ
って放電管ＤＴにパルス電流を供給する出力回路を設け
る。これにより、各初段スイッチ回路は、１つの半導体
スイッチ構成にしてその直列接続による分担電圧の発生
やタイミングのずれによる絶縁破壊を無くす。
要にして所期の高電圧、大電流のパルスを得る。 【構成】 １つの半導体スイッチＳＷと、この半導体ス
イッチに直列接続されるエネルギー蓄積用コンデンサＣ
0と、このコンデンサと半導体スイッチに一次巻線が直
列接続され該半導体スイッチのオンによって一次電流が
供給されて昇圧出力を得る昇圧トランスＰＴとを有する
２つの初段スイッチ回路Ｓ１、Ｓ２を設け、各昇圧トラ
ンスの出力巻線を直列接続した出力を一次入力として昇
圧と磁気スイッチ動作を得る可飽和トランスＳＴを設
け、この可飽和トランスの昇圧と磁気スイッチ動作によ
って放電管ＤＴにパルス電流を供給する出力回路を設け
る。これにより、各初段スイッチ回路は、１つの半導体
スイッチ構成にしてその直列接続による分担電圧の発生
やタイミングのずれによる絶縁破壊を無くす。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体スイッチと可飽
和トランスを用いて高電圧・大電流の短パルスを発生す
るためのパルス電源に関する。
和トランスを用いて高電圧・大電流の短パルスを発生す
るためのパルス電源に関する。
【０００２】
【従来の技術】パルスレーザ励起やパルスプラズマ発
生，パルス脱硝装置等のパルス電源には、サイラトロン
スイッチやトリガトロンスイッチ等の放電スイッチを用
いて直接に高電圧・大電流をスイッチングすることでパ
ルスを発生するものと、半導体スイッチと磁気スイッチ
になる可飽和リアクトルを組合せたものがある。また、
１つの可飽和トランスで昇圧とパルス圧縮を行い、スイ
ッチング素子の負担を軽減するものもある。
生，パルス脱硝装置等のパルス電源には、サイラトロン
スイッチやトリガトロンスイッチ等の放電スイッチを用
いて直接に高電圧・大電流をスイッチングすることでパ
ルスを発生するものと、半導体スイッチと磁気スイッチ
になる可飽和リアクトルを組合せたものがある。また、
１つの可飽和トランスで昇圧とパルス圧縮を行い、スイ
ッチング素子の負担を軽減するものもある。
【０００３】図４は可飽和トランスを用いた従来回路を
示す。半導体スイッチＳＷはＧＴＯサイリスタ，ＳＩサ
イリスタ，ＩＧＢＴ等の半導体スイッチング素子とその
ゲート制御回路，スナバ回路を有して構成された初段ス
イッチにされる。
示す。半導体スイッチＳＷはＧＴＯサイリスタ，ＳＩサ
イリスタ，ＩＧＢＴ等の半導体スイッチング素子とその
ゲート制御回路，スナバ回路を有して構成された初段ス
イッチにされる。
【０００４】可飽和リアクトルＳＩ0と初段エネルギー
蓄積用コンデンサＣ0及び昇圧トランスＰＴの一次巻線
は直列接続されて半導体スイッチＳＷに直列接続され、
初段スイッチ回路が構成される。
蓄積用コンデンサＣ0及び昇圧トランスＰＴの一次巻線
は直列接続されて半導体スイッチＳＷに直列接続され、
初段スイッチ回路が構成される。
【０００５】この初段スイッチ回路の出力端になる昇圧
トランスＰＴの二次巻線には可飽和トランスＳＴの一次
巻線が直列接続され、この可飽和トランスＳＴの二次巻
線には出力回路としてのエネルギー蓄積用のコンデンサ
Ｃ1とピーキングコンデンサＣPの直列回路が並列接続さ
れる。また、コンデンサＣPには放電管ＤＴと可飽和リ
アクトルＳＩ1が夫々並列接続される。
トランスＰＴの二次巻線には可飽和トランスＳＴの一次
巻線が直列接続され、この可飽和トランスＳＴの二次巻
線には出力回路としてのエネルギー蓄積用のコンデンサ
Ｃ1とピーキングコンデンサＣPの直列回路が並列接続さ
れる。また、コンデンサＣPには放電管ＤＴと可飽和リ
アクトルＳＩ1が夫々並列接続される。
【０００６】上述の構成において、可飽和リアクトルＳ
Ｉ0は半導体スイッチＳＷをアシストするための磁気ア
シストとして使用され、可飽和リアクトルＳＩ1はコン
デンサＣ1の充電時の電流を放電管ＤＴをバイパスさせ
ることで該放電管ＤＴへのプリパルス発生を防止し、ま
たコンデンサＣ1の放電電流は阻止して放電管に流すプ
リパルス低減手段になる。この可飽和リアクトルＳＩ1
は空心コイルや高速ダイオードで置換することもでき
る。
Ｉ0は半導体スイッチＳＷをアシストするための磁気ア
シストとして使用され、可飽和リアクトルＳＩ1はコン
デンサＣ1の充電時の電流を放電管ＤＴをバイパスさせ
ることで該放電管ＤＴへのプリパルス発生を防止し、ま
たコンデンサＣ1の放電電流は阻止して放電管に流すプ
リパルス低減手段になる。この可飽和リアクトルＳＩ1
は空心コイルや高速ダイオードで置換することもでき
る。
【０００７】可飽和トランスＳＴは、一次巻線と二次巻
線が低い昇圧又は降圧になる巻線比にされる。例えば、
トランスＳＴは１対２の巻線比にされる。昇圧トランス
ＰＴは、高い昇圧比を得るよう二次巻線の巻数が大きく
される。
線が低い昇圧又は降圧になる巻線比にされる。例えば、
トランスＳＴは１対２の巻線比にされる。昇圧トランス
ＰＴは、高い昇圧比を得るよう二次巻線の巻数が大きく
される。
【０００８】このような構成のパルス電源の動作を以下
に説明する。
に説明する。
【０００９】まず、コンデンサＣ0は直流電源ＤＣによ
って高圧充電しておく。この後、半導体スイッチＳＷを
オンさせることにより、コンデンサＣ0→可飽和リアク
トルＳＩ0→昇圧トランスＰＴ→半導体スイッチＳＷの
経路で一次電流Ｉ0を流す。
って高圧充電しておく。この後、半導体スイッチＳＷを
オンさせることにより、コンデンサＣ0→可飽和リアク
トルＳＩ0→昇圧トランスＰＴ→半導体スイッチＳＷの
経路で一次電流Ｉ0を流す。
【００１０】この電流Ｉ0に対し、昇圧トランスＰＴは
その巻数比（例えば１対６）による昇圧した電圧を二次
巻線に得るトランスとして動作させる。また、可飽和リ
アクトルＳＩ0が半導体スイッチＳＷの磁気アシストと
して動作し、スイッチＳＷのスイッチング損失を低減す
ることで磁気アシストのないスイッチング動作より高い
電流ピーク（電流上昇率）で使用することが可能とな
る。
その巻数比（例えば１対６）による昇圧した電圧を二次
巻線に得るトランスとして動作させる。また、可飽和リ
アクトルＳＩ0が半導体スイッチＳＷの磁気アシストと
して動作し、スイッチＳＷのスイッチング損失を低減す
ることで磁気アシストのないスイッチング動作より高い
電流ピーク（電流上昇率）で使用することが可能とな
る。
【００１１】電流Ｉ0 による昇圧トランスＰＴの二次側
では電流Ｉ1 がトランスＰＴの二次巻線→可飽和トラン
スＳＴの一時巻線の経路で流れる。
では電流Ｉ1 がトランスＰＴの二次巻線→可飽和トラン
スＳＴの一時巻線の経路で流れる。
【００１２】この電流Ｉ1に対し、可飽和トランスＳＴ
は非飽和領域で動作させ、その巻線比による昇圧した電
圧を二次巻線に得る。この動作は非飽和領域の動作で電
流Ｉ2によってコンデンサＣ1を充電する。このとき、可
飽和リアクトルＳＩ1は電流Ｉ2が流れ易い方向に磁化さ
れている。
は非飽和領域で動作させ、その巻線比による昇圧した電
圧を二次巻線に得る。この動作は非飽和領域の動作で電
流Ｉ2によってコンデンサＣ1を充電する。このとき、可
飽和リアクトルＳＩ1は電流Ｉ2が流れ易い方向に磁化さ
れている。
【００１３】電流Ｉ2が流れ終わった時点で可飽和トラ
ンスＳＴは飽和動作領域に入ることでその一時側と二次
側が非結合状態となり、トランスとしての作用でなく可
飽和リアクトルとして作用する磁気スイッチとなり、コ
ンデンサＣ1からトランスＳＴの二次巻線側にパルス圧
縮した電流Ｉ2′を流す。この電流Ｉ2′により、放電管
ＤＴには短絡電流を供給、すなわち高電圧・大電流の短
パルスを供給する。
ンスＳＴは飽和動作領域に入ることでその一時側と二次
側が非結合状態となり、トランスとしての作用でなく可
飽和リアクトルとして作用する磁気スイッチとなり、コ
ンデンサＣ1からトランスＳＴの二次巻線側にパルス圧
縮した電流Ｉ2′を流す。この電流Ｉ2′により、放電管
ＤＴには短絡電流を供給、すなわち高電圧・大電流の短
パルスを供給する。
【００１４】可飽和リアクトル及び可飽和トランスにお
ける磁気スイッチ動作は、その初期状態の設定を外部の
電源から各磁気スイッチに設けたリセット巻線に直流電
流を流すことでなされる。
ける磁気スイッチ動作は、その初期状態の設定を外部の
電源から各磁気スイッチに設けたリセット巻線に直流電
流を流すことでなされる。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】従来構成において、出
力パルスの電圧、電流が大きくなると、初段スイッチ回
路の半導体スイッチ素子自体の耐電圧、可制御電流の限
界から、半導体スイッチ素子を多数個直列接続又は並列
接続した構成を必要とする場合がある。
力パルスの電圧、電流が大きくなると、初段スイッチ回
路の半導体スイッチ素子自体の耐電圧、可制御電流の限
界から、半導体スイッチ素子を多数個直列接続又は並列
接続した構成を必要とする場合がある。
【００１６】この半導体スイッチの直列接続の場合、制
御ゲートに分担電圧が生じたり、タイミングのずれから
１つの半導体スイッチがすべての電圧を分担する状態が
生じて半導体スイッチを絶縁破壊することがある。
御ゲートに分担電圧が生じたり、タイミングのずれから
１つの半導体スイッチがすべての電圧を分担する状態が
生じて半導体スイッチを絶縁破壊することがある。
【００１７】また、半導体スイッチの並列接続の場合、
ターンオンのタイミングがずれた場合や１つの半導体ス
イッチが故障した場合に一部の半導体スイッチが電流容
量の限界を越え、全部の半導体スイッチの電流破損する
ことがある。
ターンオンのタイミングがずれた場合や１つの半導体ス
イッチが故障した場合に一部の半導体スイッチが電流容
量の限界を越え、全部の半導体スイッチの電流破損する
ことがある。
【００１８】本発明の目的は、半導体スイッチの直列接
続又は並列接続を不要にして所期の高電圧、大電流のパ
ルスを得るパルス電源を提供することにある。
続又は並列接続を不要にして所期の高電圧、大電流のパ
ルスを得るパルス電源を提供することにある。
【００１９】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題の解
決を図るため、１つの半導体スイッチと、この半導体ス
イッチに直列接続され初期充電されるエネルギー蓄積用
コンデンサと、このコンデンサと前記半導体スイッチに
一次巻線が直列接続され該半導体スイッチのオンによっ
て一次電流が供給されて昇圧出力を得る昇圧トランスと
を有する複数の初段スイッチ回路と、前記各昇圧トラン
スの出力巻線を直列接続した出力を一次入力として昇圧
と磁気スイッチ動作を得る可飽和トランスと、前記可飽
和トランスの昇圧と磁気スイッチ動作によって放電管に
パルス電流を供給する出力回路とを備えたことを特徴と
する。
決を図るため、１つの半導体スイッチと、この半導体ス
イッチに直列接続され初期充電されるエネルギー蓄積用
コンデンサと、このコンデンサと前記半導体スイッチに
一次巻線が直列接続され該半導体スイッチのオンによっ
て一次電流が供給されて昇圧出力を得る昇圧トランスと
を有する複数の初段スイッチ回路と、前記各昇圧トラン
スの出力巻線を直列接続した出力を一次入力として昇圧
と磁気スイッチ動作を得る可飽和トランスと、前記可飽
和トランスの昇圧と磁気スイッチ動作によって放電管に
パルス電流を供給する出力回路とを備えたことを特徴と
する。
【００２０】また、本発明は、１つの半導体スイッチ
と、この半導体スイッチに直列接続され初期充電される
エネルギー蓄積用コンデンサと、このコンデンサと前記
半導体スイッチに一次巻線が直列接続され該半導体スイ
ッチのオンによって一次電流が供給されて昇圧と磁気ス
イッチした出力を得る可飽和トランスとを有する複数の
初段スイッチ回路と、前記各可飽和トランスの出力巻線
を直列接続した出力によって放電管にパルス電流を供給
する出力回路とを備えたことを特徴とする。
と、この半導体スイッチに直列接続され初期充電される
エネルギー蓄積用コンデンサと、このコンデンサと前記
半導体スイッチに一次巻線が直列接続され該半導体スイ
ッチのオンによって一次電流が供給されて昇圧と磁気ス
イッチした出力を得る可飽和トランスとを有する複数の
初段スイッチ回路と、前記各可飽和トランスの出力巻線
を直列接続した出力によって放電管にパルス電流を供給
する出力回路とを備えたことを特徴とする。
【００２１】
【作用】１つの半導体スイッチによりスイッチ動作を得
る初段スイッチ回路を複数組設け、各初段スイッチ回路
の出力を昇圧トランス又は可飽和トランスで直列に加算
した出力を得て所期の昇圧したパルス出力を得る。これ
により、半導体スイッチの直列接続による分担電圧の発
生やタイミングのずれによる絶縁破壊の課題を解消す
る。
る初段スイッチ回路を複数組設け、各初段スイッチ回路
の出力を昇圧トランス又は可飽和トランスで直列に加算
した出力を得て所期の昇圧したパルス出力を得る。これ
により、半導体スイッチの直列接続による分担電圧の発
生やタイミングのずれによる絶縁破壊の課題を解消す
る。
【００２２】
【実施例】図１は本発明の一実施例を示す回路図であ
る。同図が図４と異なる部分は、１つの半導体スイッチ
を持つ２組の初段スイッチ回路Ｓ１、Ｓ２を設け、両初
段スイッチ回路のそれぞれの出力段になる２つの昇圧ト
ランスＰＴ１、ＰＴ２の二次側を直列接続して可飽和ト
ランスＳＴの一次入力とした点にある。
る。同図が図４と異なる部分は、１つの半導体スイッチ
を持つ２組の初段スイッチ回路Ｓ１、Ｓ２を設け、両初
段スイッチ回路のそれぞれの出力段になる２つの昇圧ト
ランスＰＴ１、ＰＴ２の二次側を直列接続して可飽和ト
ランスＳＴの一次入力とした点にある。
【００２３】初段スイッチ回路Ｓ１、Ｓ２の半導体スイ
ッチＳＷは、ＧＴＯサイリスタ，ＳＩサイリスタ，ＩＧ
ＢＴ等の１つの半導体スイッチング素子とそのゲート制
御回路，スナバ回路を有して構成される。
ッチＳＷは、ＧＴＯサイリスタ，ＳＩサイリスタ，ＩＧ
ＢＴ等の１つの半導体スイッチング素子とそのゲート制
御回路，スナバ回路を有して構成される。
【００２４】両初段スイッチ回路Ｓ１、Ｓ２は、それぞ
れ可飽和リアクトルＳＩ0と初段エネルギー蓄積用コン
デンサＣ0及び昇圧トランスＰＴの一次巻線が直列接続
されて半導体スイッチＳＷに直列接続される。
れ可飽和リアクトルＳＩ0と初段エネルギー蓄積用コン
デンサＣ0及び昇圧トランスＰＴの一次巻線が直列接続
されて半導体スイッチＳＷに直列接続される。
【００２５】両初段スイッチ回路Ｓ１、Ｓ２のそれぞれ
の昇圧トランスＰＴの二次巻線は、互いに直列接続され
て可飽和トランスＳＴの一次巻線に直列接続される。両
昇圧トランスＰＴは従来の昇圧比の半分になる巻線比に
される。
の昇圧トランスＰＴの二次巻線は、互いに直列接続され
て可飽和トランスＳＴの一次巻線に直列接続される。両
昇圧トランスＰＴは従来の昇圧比の半分になる巻線比に
される。
【００２６】本実施例の動作を説明する。まず、両初段
スイッチ回路Ｓ１、Ｓ２のそれぞれのコンデンサＣ0は
直流電源ＤＣによって高圧充電しておく。この後、両初
段スイッチ回路Ｓ１、Ｓ２のそれぞれの半導体スイッチ
ＳＷをほぼ同時にオンさせることにより、両昇圧トラン
スＰＴにそれぞれ一次電流Ｉ0を流す。
スイッチ回路Ｓ１、Ｓ２のそれぞれのコンデンサＣ0は
直流電源ＤＣによって高圧充電しておく。この後、両初
段スイッチ回路Ｓ１、Ｓ２のそれぞれの半導体スイッチ
ＳＷをほぼ同時にオンさせることにより、両昇圧トラン
スＰＴにそれぞれ一次電流Ｉ0を流す。
【００２７】この電流Ｉ0に対し、両昇圧トランスＰＴ
はその巻数比（例えば１対３）による昇圧した電圧を二
次巻線に得るトランスとして動作する。このとき、両昇
圧トランスＰＴの二次側は直列接続されることから、そ
の電圧加算で２倍の昇圧（１対６）になる。換言すれ
ば、両初段スイッチ回路Ｓ１、Ｓ２は、従来と同じ昇圧
出力を可飽和リアクトルＳＴに与えるのに、個々には半
分のパルス電圧を発生すれば良い。
はその巻数比（例えば１対３）による昇圧した電圧を二
次巻線に得るトランスとして動作する。このとき、両昇
圧トランスＰＴの二次側は直列接続されることから、そ
の電圧加算で２倍の昇圧（１対６）になる。換言すれ
ば、両初段スイッチ回路Ｓ１、Ｓ２は、従来と同じ昇圧
出力を可飽和リアクトルＳＴに与えるのに、個々には半
分のパルス電圧を発生すれば良い。
【００２８】従って、両初段スイッチ回路Ｓ１、Ｓ２
は、共に１つの半導体スイッチＳＷを使った構成とな
り、両半導体スイッチＳＷでのターンオンの少しのタイ
ミングのずれにも分担電圧が互いに悪影響を及ぼすこと
がなくなり、半導体スイッチを直列接続した従来の構成
でのゲートの分担電圧やタイミングのずれによる絶縁破
壊等の課題は解消される。
は、共に１つの半導体スイッチＳＷを使った構成とな
り、両半導体スイッチＳＷでのターンオンの少しのタイ
ミングのずれにも分担電圧が互いに悪影響を及ぼすこと
がなくなり、半導体スイッチを直列接続した従来の構成
でのゲートの分担電圧やタイミングのずれによる絶縁破
壊等の課題は解消される。
【００２９】図２は、本発明の他の実施例を示す回路図
である。同図が図１と異なる部分は、両初段スイッチ回
路Ｓ１、Ｓ２の出力段になる昇圧トランスＰＴに代え
て、可飽和トランスＳＴ１、ＳＴ２とした初段スイッチ
回路Ｓ３、Ｓ４を設け、この両可飽和トランスＳＴ１、
ＳＴ２の二次巻線を直列接続してコンデンサＣ1側への
パルス出力を得る構成にした点にある。
である。同図が図１と異なる部分は、両初段スイッチ回
路Ｓ１、Ｓ２の出力段になる昇圧トランスＰＴに代え
て、可飽和トランスＳＴ１、ＳＴ２とした初段スイッチ
回路Ｓ３、Ｓ４を設け、この両可飽和トランスＳＴ１、
ＳＴ２の二次巻線を直列接続してコンデンサＣ1側への
パルス出力を得る構成にした点にある。
【００３０】本実施例において、可飽和トランスＳＴ
１、ＳＴ２は、飽和するまではトランスとして動作し、
その昇圧比は図１の昇圧トランスＰＴの昇圧分も含めた
値に設計される。
１、ＳＴ２は、飽和するまではトランスとして動作し、
その昇圧比は図１の昇圧トランスＰＴの昇圧分も含めた
値に設計される。
【００３１】本実施例においても、両初段スイッチ回路
Ｓ３、Ｓ４は、共に１つの半導体スイッチによるスイッ
チ動作になり、前記実施例の場合と同様の作用効果を得
ることができる。
Ｓ３、Ｓ４は、共に１つの半導体スイッチによるスイッ
チ動作になり、前記実施例の場合と同様の作用効果を得
ることができる。
【００３２】以上までの実施例において、初段スイッチ
回路Ｓ１〜Ｓ４は、２回路構成の場合を示すが、これは
３回路など所期の昇圧を得るための回路数増設は同様に
なされる。また、可飽和リアクトルＳＩ0の省略や、可
飽和トランス以降の出力回路の設計変更は適宜なされ
る。例えば、図３に示す実施例では、コンデンサＣ1を
可飽和トランスの二次巻線に並列接続し、可飽和リアク
トルＳＩ1を放電管ＤＴに直列に設けた構成にされる。
回路Ｓ１〜Ｓ４は、２回路構成の場合を示すが、これは
３回路など所期の昇圧を得るための回路数増設は同様に
なされる。また、可飽和リアクトルＳＩ0の省略や、可
飽和トランス以降の出力回路の設計変更は適宜なされ
る。例えば、図３に示す実施例では、コンデンサＣ1を
可飽和トランスの二次巻線に並列接続し、可飽和リアク
トルＳＩ1を放電管ＤＴに直列に設けた構成にされる。
【００３３】
【発明の効果】以上のとおり、本発明によれば、１つの
半導体スイッチによりスイッチ動作を得る初段スイッチ
回路を複数組設け、各初段スイッチ回路の出力を昇圧ト
ランス又は可飽和トランスで直列に加算した出力を得て
所期の昇圧したパルス出力を得るようにしたため、半導
体スイッチの直列接続による分担電圧の発生やタイミン
グのずれによる絶縁破壊を無くすことができる。
半導体スイッチによりスイッチ動作を得る初段スイッチ
回路を複数組設け、各初段スイッチ回路の出力を昇圧ト
ランス又は可飽和トランスで直列に加算した出力を得て
所期の昇圧したパルス出力を得るようにしたため、半導
体スイッチの直列接続による分担電圧の発生やタイミン
グのずれによる絶縁破壊を無くすことができる。
【図１】本発明の一実施例を示す回路図。
【図２】本発明の他の実施例を示す回路図。
【図３】本発明の他の実施例を示す回路図。
【図４】従来の回路図。
ＳＷ…半導体スイッチ ＰＴ…昇圧トランス ＳＴ、ＳＴ１、ＳＴ２…可飽和トランス ＤＴ…放電管 ＳＩ0，ＳＩ1…可飽和リアクトル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小金澤 竹久 東京都品川区大崎２丁目１番17号 株式会 社明電舎内 (72)発明者 原 喜芳 東京都品川区大崎２丁目１番17号 株式会 社明電舎内
Claims (2)
- 【請求項１】 １つの半導体スイッチと、この半導体ス
イッチに直列接続され初期充電されるエネルギー蓄積用
コンデンサと、このコンデンサと前記半導体スイッチに
一次巻線が直列接続され該半導体スイッチのオンによっ
て一次電流が供給されて昇圧出力を得る昇圧トランスと
を有する複数の初段スイッチ回路と、 前記各昇圧トランスの出力巻線を直列接続した出力を一
次入力として昇圧と磁気スイッチ動作を得る可飽和トラ
ンスと、 前記可飽和トランスの昇圧と磁気スイッチ動作によって
放電管にパルス電流を供給する出力回路とを備えたこと
を特徴とするパルス電源。 - 【請求項２】 １つの半導体スイッチと、この半導体ス
イッチに直列接続され初期充電されるエネルギー蓄積用
コンデンサと、このコンデンサと前記半導体スイッチに
一次巻線が直列接続され該半導体スイッチのオンによっ
て一次電流が供給されて昇圧と磁気スイッチした出力を
得る可飽和トランスとを有する複数の初段スイッチ回路
と、 前記各可飽和トランスの出力巻線を直列接続した出力に
よって放電管にパルス電流を供給する出力回路とを備え
たことを特徴とするパルス電源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26532693A JPH07122979A (ja) | 1993-10-25 | 1993-10-25 | パルス電源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26532693A JPH07122979A (ja) | 1993-10-25 | 1993-10-25 | パルス電源 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07122979A true JPH07122979A (ja) | 1995-05-12 |
Family
ID=17415641
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26532693A Pending JPH07122979A (ja) | 1993-10-25 | 1993-10-25 | パルス電源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07122979A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007288466A (ja) * | 2006-04-17 | 2007-11-01 | Meidensha Corp | パルス電源 |
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1993
- 1993-10-25 JP JP26532693A patent/JPH07122979A/ja active Pending
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