JPH03101283A - パルス電源回路 - Google Patents

パルス電源回路

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JPH03101283A
JPH03101283A JP23724589A JP23724589A JPH03101283A JP H03101283 A JPH03101283 A JP H03101283A JP 23724589 A JP23724589 A JP 23724589A JP 23724589 A JP23724589 A JP 23724589A JP H03101283 A JPH03101283 A JP H03101283A
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JP
Japan
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capacitor
charging
voltage
charged
saturable reactor
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JP23724589A
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Hiroyuki Sugawara
宏之 菅原
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Hitachi Ltd
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Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、ガス入りスイッチング素子を用いたパルス電
源回路に係わり、特に早い繰り返しで高電圧を必要とす
るレーザの励起に好適なパルス電源回路に関する。
[従来の技術] 金属蒸気レーザでは、放電中の電子が金属蒸気に衝突し
て金属蒸気を励起し、レーザ発振が生じる。衝突時に電
子の運動エネルギーの一部が金属蒸気に与えられるので
あるが、この励起確率は電子の運動エネルーギーが大き
い程高い、そしてこの運動エネルギーは、放電中に印加
される電圧が高い程大きくなる。
横方向励起のパルスCO,レーザでは1通常1気圧の圧
力が採用されているが、10気圧程度の高気圧にすると
、その発振波長を変えられる。しかし圧力が高くなると
、放電電圧も上昇し、圧力に比例して電圧を高める必要
がある。一方、これらのレーザの励起は、極めて時間幅
の小さい1oon S(1n S 4t、10−’秒)
以下の短いパルスにより繰り返し励起されるもので1本
発明はこのようなレーザの励起用高圧パルスを発生する
回路に関するものである。
このための高圧パルスとしては、金属蒸気レーザの場合
、電流上昇率di/dtが数10k A /μS程度必
要となり、サイリスタ等の電流上昇率の上限100A/
μSの数百倍となる。そのためにスイッチング素子とし
ては、サイリスタなどは用いられず、ガス入り制御スイ
ッチング管が用いられる。
第4図は、従来のガス入り制御スイッチング素子を用い
た容量移行型のパルス電源回路を示す。
同図において、ガス入り制御スイッチング素子2が“開
”の状態で1図示されていないパルス電源回路から、端
子4,5間に高電圧が印加されると、共振充電用リアク
トル18、充電用コンデンサ10、充電用リアクトル1
7を通して充電用コンデンサlOが充電される。充電用
コンデンサ10の充電電圧は。
共振充電により端子4,5間の電源電圧の2倍の電圧ま
で充電される。コンデンサ10の放電は、ダイオード6
により阻止され、充電電圧は保持される。この状態でガ
ス入り制御スイッチング素子2が外部の指令信号により
“閉”になると、充電用コンデンサ10の電荷はスイッ
チング素子2を通して波高電圧調整用コンデンサ12に
転流し、コンデンサ12の電圧が上昇する。この電圧が
ある値まで上昇すると、放電管1が放電を開始し、その
放電によりレーザ発振が行われる。電流が十分減少し、
その後一定時間が経過すると、スイッチング素子2は絶
縁回復する。十分絶縁回復したら再び端子4.5間にパ
ルス電圧が印加され充電用コンデンサが充電される。以
下これを繰り返す。
第5図は、第4図の回路を基にして、ガス入り制御放電
管を直列接続し、より高い電圧のパルスを発生するよう
にしたものである。また、第6図はサイリスタと可飽和
リアクトルを用いた回路例である([放電研究J &1
16. p67〜69参照)。
この回路では、コンデンサC11とC1,の中間に高電
圧を印加して、コンデンサC1,、C,、を充電する。
充電完了後にサイリスタを“閉”にすると、コンデンサ
C1,の充電電荷は電流工、のように流れ反転する。従
ってコンデンサC1!の電圧が反転してコンデンサCユ
、と同方向になるので、コンデンサC1□と可飽和リア
クトル間の部分は、最初充電した電圧の2倍になる。こ
のようにして電圧を高める方法は、ガス入り制御スイッ
チング素子を用いたパルス電源回路でも採用されている
[発明が解決しようとする課題] 従来の、第4図に示した基本的な回路で、レーザ励起の
効率を高めるためには、充電用コンデンサ10をより高
い電圧に充電しなければならない。
この際障害となるのがガス入り制御スイッチング素子2
の耐電圧である。ガス入り制御スイッチング素子は、1
kHz程度以下の繰り返しのときは比較的高電圧で使用
できるが、繰り返し数が増すと耐電圧の低下が著しい、
しかるに、金属蒸気レーザでは5kHz位が最適であり
、十分な効率が得られない。
また、ガス入り制御スイッチング素子を多段に直列接続
する第5図の回路では、スイッチング素子2,3に直列
リアクトル18.19を挿入し、また並列に抵抗器20
.21及びコンデンサ22.23を接続している。これ
はスイッチング素子2,3の11閉”になるタイミング
がずれると、最後に点弧するサイリスタに全電圧が印加
されるのを防止するためである。ところが、金属蒸気レ
ーザ等はパルス長を100n 8程度に短くする必要が
あり、このためには電流の上昇率di/dt=V/L 
(V;電圧、L;インダクタンス)をなるべく大きくす
る必要がある。従ってリアクトル18.19を挿入した
のでは十分な特性が得られない、またリアクトル18.
19がないと並列抵抗器20.21を1Ω以下にしなけ
ればならないが、そうするとスイッチ“閉”時に数10
kAの大電流がコンデンサ22.23から流れ込み、ガ
ス入り制御スイッチング素子の破損を招く危険がある。
さらに、第6図に示したものでは、上記した問題点の他
に、可飽和リアクトルは比較的損失が多く、しかも損失
は繰り返し周波数に比較して増すという問題がある。こ
のため1kHz以上の高い繰り返し周波数になると発熱
が大きくなり、冷却が困難になるという問題もある。
本発明の目的は、繰り返しが早くてかつ高いパルス電圧
を発生でき、また可飽和リアクトルの損失による発熱の
心配もないパルス電源回路を提供するにある。
[課題を解決するための手段] 上記の目的は、充電用電源から充電用コンデンサへの充
電経路に可飽和リアクトルが直列挿入され、かつ充電用
コンデンサの放電時には上記可飽和リアクトルとガス入
り制御スイッチング素子(以下では、とくに断らないで
スイッチング素子というときはこの素子を意味する)の
直列回路を経由して波高電圧調整用コンデンサへ転流す
るように構成されたユニット回路を多段に接続すること
により達成される。
[作用] 前記ユニット回路を多段接続したときの、充電用コンデ
ンサの放電時におけるスイッチング素子の“閉”時刻の
ずれは数nS程度である。そこで例えばリング状の可飽
和鉄心を配線が貫通した構造の可飽和リアクトルを用い
れば、この程度の時間は十分大きなインダクタンスを呈
するから、最後に“閉”となるスイッチング素子の破壊
を防止できる。飽和後は可飽和リアクトルのインダクタ
ンスは無視できる程小さくなるようにその特性を設定し
ておけば、充電用コンデンサから波高電圧調整用コンデ
ンサへの転流時間を十分短い時間(100nS以下)で
行うことができる。同時に、インダクタンスの大きい値
になっている時間が非常に短いから、熱的損失も極めて
小さい。さらに波高電圧調整用コンデンサを各ユニット
回路ごとに設け、これらのコンデンサで電圧を重畳して
出力する構成としたことにより、各ユニット回路内のス
イッチング素子及び可飽和リアクトルには、同一ユニッ
ト回路内の充電用コンデンサに充電された電圧以上の電
圧は印加されない。このことからもスイッチング時間の
ずれによるスイッチング素子破壊が防止される。また、
波高電圧調整用コンデンサを各ユニット回路ごとに設け
ていることから、各スイッチング素子を流れる電流は同
一ユニット内の波高電圧調整用コンデンサのみを所定時
間に充電すればよく、従ってスイッチング素子に流れる
電流の電流上昇率は多段構成としても影響を受けない。
このため、スイッチング素子の電流上昇率の上昇に伴う
損失の増加、従ってスイッチング素子の耐電圧の低下を
防止でき、多段構成による高電圧発生の効果を十分発揮
できる。(複数スイッチング素子を従属接続し、1つの
波高電圧調整用コンデンサを充電するときに各段の充電
用コンデンサからの電流を重畳すると電流上昇率は多段
になるほど大きくなり、そのためのスイッチング素子の
損失が増大する) [実施例コ 以下1本発明を実施例により説明する。第2図は本発明
の一実施例を示すもので、スイッチング素子2,3が開
”の状態で、図示されていないパルス電源回路から端子
4,5間に高電圧が印加されると、充電用コンデンサ1
0は端子4からダイオード6、可飽和リアクトル8、コ
ンデンサ10゜リアクトル13、端子5の経路で充電さ
れる。他方の充電用コンデンサ11は、端子4からダイ
オード7、可飽和リアクトル9、コンデンサ11、端子
5の経路で充電される。充電用コンデンサ10.11の
充電電圧は、共振充電により電源電圧の2倍の電圧まで
充電される。この状態で、スイッチング素子2,3が外
部の指令信号により′閉”になると、充電用コンデンサ
10.11は直列接続となり、その電荷は可飽和リアク
トル8,9、スイッチング素子2,3を通って波高電圧
調整用コンデンサI4に転流される。コンデンサ14の
電圧がある程度の値に達すると、負荷の放電管1が放電
を開始し、コンデンサ14の電荷は放電管を通って放電
される。
電流が完全に減衰し、スイッチング素子2.3が絶縁回
復したら、再び端子4,5間に高電圧パルスが印加され
、以下繰り返される。
以上の動作において、スイッチング素子2,3の1′閉
″となる時刻は一致せず、通常10n S程度のずれは
避けられない。もし可飽和リアクトル8及び9がなく1
例えばスイッチング素子3がスイッチング素子2より先
に″閉〃となると、コンデンサ10と11に充電された
電圧の和がスイッチング素子2に印加され、その電圧に
よりスイッチング素子2が絶縁破壊する恐れがある。本
実施例では、可飽和リアクトル8,9を挿入しているが
、この可飽和リアクトルはコンデンサ10.11がパル
ス電源から充電されるときにダイオード6からコンデン
サ10、ダイオード7からコンデンサ11の方向にそれ
ぞれ飽和しているから、その逆方向には“開”状態、即
ち大きなインダクタンスを呈する状態にある6従ってス
イッチング素子2,3に“閉”となる時間差があっても
可飽和リアクトル8,9が電圧の一部を分担するので、
コンデンサ10.11の和の電圧がそのままスイッチン
グ素子2に印加されることはない、そしてスイッチング
素子2,3がともに“閉”となったときには可飽和リア
クトルが飽和してしまうように飽和特性を定めておけば
、コンデンサ10.11からコンデンサ14への転流時
間には可飽和リアクトルのインダクタンスは殆ど影響し
ない。
しかし、本実施例では、2つのコンデンサ10゜11の
電荷がスイッチング素子2,3を直列に通ってコンデン
サ14へ転流されることによりコンデンサI4を高電圧
とするから、スイッチング素子2゜3を流れる電流の時
間に対する上昇率が大きくなって、スイッチングに伴う
損失を招く。
第1図は、このようなスイッチング損失を増加させずに
高電圧を発生できるようにした実施例を示しており、波
高電圧調整用コンデンサ14.15をそれぞれ充電用コ
ンデンサ10.11対応に別々に設けたものである。本
実施例では、充電用コンデンサ10.11の充電は第2
図の例と同じであるが、スイッチング素子2,3が閉”
になると、充電用コンデンサ10の電荷は、可飽和リア
クトル8、スイッチング素子2を経由して波高電圧調整
用コンデンサ14へ転流され、一方充電用コンデンサ1
1の電荷は、可飽和リアクトル9.スイッチング素子3
を経由して波高電圧調整用コンデンサ15へ転流される
。従ってこの転流時の電流と電流上昇率は多段にしても
一段のときと変わらず、スイッチング損失は増加しない
。しかしコンデンサ14.15が同方向に充電されるの
で、放電管1の両端の電圧は両コンデンサ14.15の
和となり、第2図と同じ高圧のパルスが得られる。また
、第1図の実施例においては、スイッチング素子2,3
の11閉”になる時刻に10nS程度のずれがあっても
、それらの素子に高い電圧が印加されることがない、と
いう特徴がある。例えば、スイッチング素子2がさきに
“閉”となっても、スイッチング素子3のコンデンサ1
0側端子の電位は、コンデンサ14が充電されるととも
に上昇するので、スイッチング素子3の極間にはコンデ
ンサ11の充電電圧が印加されるのみであり、コンデン
サ10の電位は加算されない。
第3図は、第1図の実施例を3つ以上の多段構成とした
実施例で、スイッチング素子2A、可飽和リアクトル8
A、充電用コンデンサIOA、波高電圧調整用コンデン
サ14A、リアクトル12Aが1つのユニット回路を形
成し、以下同様にスイッチング素子2Z、可飽和リアク
トル8z、充電用コンデンサIOZ、波高電圧調整用コ
ンデンサ142、リアクトル12Zの形成するユニット
回路までの、多段のユニット回路を直列に接続したもの
である。
各段の動作は第1図の場合と同じであり、スイッチング
素子の“閉”時間のずれによる破壊の心配がなく、電流
上昇率の増加、従って損失の増加がないという効果も変
わらない6そして出力パルスの電圧はコンデンサ14A
〜14Zの電圧の和となり、大きな値が得られる。
なお、以上の説明では、スイッチング素子としてガス入
り制御スイッチング素子を用いるものとしたが、これを
サイリスタ等の半導体スイッチング素子としても同様の
効果が得られる。また、負荷は放電管としたが、必ずし
も放電管に限らず、高電圧化が必要な場合には適用可能
である。
[発明の効果] 本発明によれば、高電圧かつ早い繰り返しのパルスを損
失の心配なしに発生でき、高気圧co!レーザ等を効率
よく励起することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図〜第3図は本発明の実施例を示す回路図、第4図
及び第5図は従来の容量移行型パルス電源回路を示す図
、第6図はサイリスタと可飽和リアクトルを用いた従来
のパルス電源回路を示す図である。 2.3.2A、2B、2Z・・・ガス入り制御スイッチ
ング素子、8,9,8A、8B、8z−・・可飽和リア
クトル、10.11. IOA、 IOB、 10Z・
・・充電用コンデンサ、14.15.14A、 14B
、 142−・・波高電圧調整用コンデンサ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、可飽和リアクトルと該可飽和リアクトルを介して充
    電用電源から周期的に充電される充電用コンデンサと該
    充電用コンデンサが充電されるごとにその充電電荷を上
    記可飽和リアクトルを介して放電させるスイッチ手段と
    を有するところのユニット回路の複数個と、その端子電
    圧が上記各充電用コンデンサの充電電圧の和となるよう
    に上記スイッチ手段により放電された放電電流により放
    電され、かつその充電が終わるごとにパルス電圧を出力
    するところの波高電圧調整用コンデンサとを設けたこと
    を特徴とするパルス電源回路。 2、前記波高電圧調整用コンデンサは前記各ユニット回
    路対応に設けられた複数の単位コンデンサから構成され
    、該単位コンデンサの各々は、同一ユニット内の前記充
    電用コンデンサからの放電電流によりそれぞれ充電され
    、かつ上記単位コンデンサの各端子電圧が同一極性で加
    算されるように直列接続されていることを特徴とする請
    求項1記載のパルス電源回路。 3、前記スイッチ手段は、ガス入り制御スイッチング素
    子であることを特徴とする請求項1または2記載のパル
    ス電源回路。
JP23724589A 1989-09-14 1989-09-14 パルス電源回路 Pending JPH03101283A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05102572A (ja) * 1991-10-07 1993-04-23 Toshiba Corp 金属蒸気レーザー装置
KR20020088130A (ko) * 2001-05-17 2002-11-27 주식회사 다원시스 프라즈마 발생용 전원 장치

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JPH05102572A (ja) * 1991-10-07 1993-04-23 Toshiba Corp 金属蒸気レーザー装置
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