KR20020088130A - 프라즈마 발생용 전원 장치 - Google Patents

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KR20020088130A
KR20020088130A KR1020010027044A KR20010027044A KR20020088130A KR 20020088130 A KR20020088130 A KR 20020088130A KR 1020010027044 A KR1020010027044 A KR 1020010027044A KR 20010027044 A KR20010027044 A KR 20010027044A KR 20020088130 A KR20020088130 A KR 20020088130A
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박선순
박기선
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주식회사 다원시스
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Abstract

본 발명은 프라즈마 발생용 전원 장치, 보다 구체적으로는 프라즈마를 사용하는 집진기의 전원 장치에 관한 것이다.
특히 본 발명은 마이크로 펄스 하전 방식의 집진기에 사용하는 전력용 반도체 스위칭 소자에 있어서, 스위치가 온되어 소자의 도통 전류가 0 전류에서 정격전류의 약 10%로 상승될 때까지 또는 스위치가 오프되어 소자의 전류가 정격전류의 약 10% 이하로 되기 시작하여 0 전류가 되기까지의 전류 상승율 또는 전류 하강율을 제한하는 장치를 제공하는 것이다.
이러한 본 발명의 목적을 위해, 본 발명에서는 히스테리시스 특성을 가지는 가포화 공진 리액터를 사용한다. 이렇게 함으로써, 본 발명에서는 종래의 마이크로 펄스 하전 방식 집진 전원 장치에서 펄스폭을 줄일 수 있기 때문에, 하전이 충분하도록 할 수 있어 결국 우수한 집진 성능을 가지는 집진기를 제공하는 것이 가능하게 된다.

Description

프라즈마 발생용 전원 장치{Power Supply for generating Plasma}
본 발명은 프라즈마 발생용 전원 장치, 보다 구체적으로는 프라즈마를 사용하는 집진기의 전원 장치에 관한 것이다.
프라즈마를 발생시켜 이를 이용하는 장치의 한 예인 전기 집진기의 동작은 크게, 분진을 하전(charging)시키는 하전 작용과 이러한 하전 단계에 의해 하전된 분진을 전극에 모으는 집진 작용으로 이루어진다.
그런데, 이러한 전기 집진기의 전원 장치로서는 도 1에서와 같이 한개의 전원으로 동작하는 고전압 직류 방식 집진 전원 장치를 사용하였다.
그러나, 이러한 단일 전원을 사용하는 집진기의 경우, 집진기 전극에 인가되는 전압에 따른 플라즈마 발생 정도와 프라즈마 발생 영역, 그리고 아크 발생 정도와 아크 발생 영역을 나타내는 도 2의 그래프에 나타난 바와 같이, 프라즈마 발생시점으로부터 전압이 상승함에 따라 프라즈마의 강도가 급격히 증가하다가 아크의발생 시점으로부터는 전압이 감소하여도 아크상태가 계속되게 되고, 이에 따라 전극에서의 아크 전류가 급격히 증가하여 집진 시스템이 손상되게 된다.
또한, 집진기 내를 통과하는 가스의 온도, 먼지의 농도 및 구성요소, 집진기 내의 가스의 유속 및 압력에 따라, 프라즈마 발생시점과 아크 발생시점이 크게 변하기 때문에, 어떠한 환경하에서도 전극에서 아크가 발생하지 않는 전압(최소전압)을 인가해야 하고, 이에 따라 도 2에서 나타난 바와 같이 통상적인 플라즈마 발생 강도가 미약하게 된다. 결과적으로 분진에의 전하의 하전량이 적어지고, 집진 능력이 저하되게 된다.
이러한 도 1의 단일 전원에서의 단점을 개선하기 위하여 도 3과 같은 마이크로 펄스 하전 방식 집진기가 사용되어 왔다. 이 방식의 집진기는 도 3에 나타난 바와 같이, 집진 전극(EPS)에 직류 고전압의 바이어스 전압을 인가하기 위한 직류 전원(VDC), 집진 전극에 펄스를 인가하기 위한 펄스용 직류 전원(Vps), 이 직류 전원(VDC)과 펄스용 전원(Vps)으로 고압 펄스가 역류되는 것을 방지하는 차단필터(LDC,LPS), 공진회로를 구성하는 공진 리액터(Ls)와 공진 커패시터(Cs), 이 공진회로에 의해 형성되는 교류에서 펄스 출력을 발생시키기 위한 병렬 반도체 스위칭 블럭(T, D), 이러한 공진회로와 스위칭 블럭에 의해 형성되는 저전압의 펄스를 특고압으로 증폭시키기 위한 펄스 변압기(pulse transformer), 펄스 변압기를 거쳐 나온 고압 펄스는 통과시키지만 직류 전원(VDC)으로 부터의 직류는 차단하며 공진커패시터 역활도 하는 커패시터(Cc)로 구성되어 있다.
이러한 도 3의 구성에서는 마이크로 펄스 전압은 분진의 하전 작용만을 담당하고, 직류 고전압은 집진 작용을 수행한다. 그리고 도 3에 따라 집진 전극에 인가되는 펄스 전압 및 전류 파형은 도 4와 같은 특성을 가진다.
또한 도 3의 전원 장치에서 전극에 인가되는 전압과, 아크가 되기까지의 시간을 도시한 도 5에 나타난 바와 같이, 전극 사이에 일정 전압을 인가하면 프라즈마가 발생하고, 이 프라즈마 상태를 지나서 시간이 경과함에 따라 아크상태로 발전 한다. 그리고, 이 인가 전압이 클수록 아크로 발전하는 시간이 줄어들고, 이 인가전압이 적을수록 아크로 발전하는 시간이 늘어나는 것을 알 수 있다. 또한, 특정 전압 이상의 전압이 전극에 인가되면 아크로 발전하는 시간이 인가전압의 크기에 무관하게 거의 일정하게 됨을 알 수 있다.
다음으로 도 6에서는 도 3의 회로를 사용하는 경우에, 집진기의 전극에 인가되는 전압의 유지시간(펄스 전압의 폭)과, 집진 전극의 프라즈마 상태가 아크로 발전하지 않는 최대 인가 전압과의 관계를 도시한다. 도 6에 도시된 바와 같이 인가전압의 유지시간(펄스 전압의 폭)이 짧을수록 아크상태로 발전시키지 않는 전압의 크기가 커지며, 극단적으로 짧은 펄스 전압폭의 경우에는 아크상태로 발전하는 인가전압이 급격히 증가함을 알 수 있다. 다시 말하면, 집진기 전극에 인가되는 전압의 펄스폭이 좁을수록 높은 전압을 인가할 수 있고, 이에 따라 보다 강력한 플라즈마 발생이 가능하며, 궁극적으로 분진에의 하전이 더 많이 이루어져 집진 능률이 증대됨을 알 수 있다. 결과적으로 마이크로 펄스 하전 방식의 집진기에서는 펄스폭을 좁힐수록 집진 성능이 개선 됨을 알 수 있다.
그런데, 종래의 마이크로 펄스 하전 방식의 집진기 전원 장치에서 이렇게 펄스폭이 좁은 펄스를 발생시키는 것은, 반도체 스위칭 소자의 특성, 예를 들면 온/오프 시간, di/dt의 한계, dv/dt 때문에 용이한 것이 아니다.
이제 이러한 점에 대하여 구체적으로 살펴 보기로 한다.
도 7는 도 3의 마이크로 펄스 하전 방식 집진기의 전원 장치에서 펄스 전원쪽에서의 등가회로를 도시한 것인데, 전류 변화율과 펄스 폭은 하기의 수학식 1, 2로 표시된다.
di/dt = Vps/Lr (1)
펄스폭 = π(Lr(Ccr//Csp))1/2(2)
여기에, Vps는 펄스측 직류전원 장치의 전압이고, Lr은 공진 인덕턴스이며, Ccr//Csp는 펄스 변압기의 1차측으로 환산한 공진 캐패시터(Ccr)와 집진 전극단 캐패시터(Csp)의 직렬 결합 캐패시턴스이다. 이 수학식 2에서 알 수 있는 바와 같이 펄스폭은 이 수학식 2에 의해 결정되는 펄스폭으로 최소 펄스폭이 제한된다.
이제, 펄스폭을 축소하기 위해, di/dt를 크게 하면 스위칭 소자의 소손이 증대되고 온도가 상승하여 반도체 스위칭 소자의 신뢰도 및 수명의 감소를 초래하고, 특히 소정의 값 이상으로 di/dt를 증대시키면 스위칭 소자가 파괴된다.
특히, 전력용 반도체 스위칭 소자에 있어서 스위치가 온되어 소자의 도통 전류가 0 전류에서 정격전류의 약 10%로 상승될 때까지 또는 스위치가 오프되어 소자의 전류가 정격전류의 10% 이하로 되기 시작하여 0 전류가 되기까지의 전류 상승율또는 전류 하강율(di/dt)은 반도체 스위칭 소자의 수명에 치명적인 영향을 미친다.
이는 반도체 스위칭 소자를 온시켜서 정격전류의 약 10%가 될 때까지 전류 상승율(di/dt)이 한계치를 넘으면 반도체 스위칭 소자의 접합부가 부분 가열(spot heat)되어 소자가 소손되게 되고, 또한 반도체 스위칭 소자가 오프되어 소자의 전류가 정격전류의 10% 이하로 되기 시작하여 0 전류가 되기까지 전류 하강율(di/dt)이 한계치를 넘으면 이 하강율에 비례하여 스위칭 손실이 크게 증대되어 소자의 온도가 급격히 상승하며, 역회생전류가 증가하여 스파이크(spike) 전압이 발생하여 소자의 소손을 초래하기 때문이다. 그리고 10% 영역을 벗어나는 영역에서는 스위칭 소자가 완전히 온 또는 오프되어 있기 때문에, 전류 변동율이 크더라도 반도체 스위칭 소자가 손상되지 않는다.
결국 마이크로 펄스 하전 방식 집진기의 전원 장치에서 펄스폭을 줄여 전류 변동율을 크게 하기 위해서는 이 10% 영역에서의 전류 변동율을 제한해야 반도체 스위칭 소자의 소손을 방지할 수 있다.
그런데, 종래에는 이렇게 이 10% 영역에서 전류 변동율을 제한 하는 장치가 없어 집진 성능을 개선하기 위해 전류 변동율을 크게하여 펄스폭을 적게하면 스위칭 소자가 소손될 가능성이 높다. 또한 이 10% 영역에서 소손되지 않는 스위칭소자를 사용한다고 해도 이 스위칭 소자는 매우 비싸서 마이크로 펄스 하전 방식 집진기의 단가가 높아지게 된다.
본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 이 10% 영역, 즉 전력용 반도체 스위칭 소자에 있어서 스위치가 온되어 소자의 도통 전류가 0 전류에서 정격전류의 약 10%로 상승될 때까지 또는 스위치가 오프되어 소자의 전류가 정격전류의 약 10% 이하로 되기 시작하여 0 전류가 되기까지의 전류 상승율 또는 전류 하강율을 제한하는 장치를 제공하는 것이다.
도 1은 단일전원의 고전압 직류 방식을 사용하는 종래기술에 따른 집진기의 전원 장치.
도 2는 도 1의 전원 장치에서 집진기의 전극에 인가되는 전압에 따른 프라즈마 및 아크 발생 영역을 도시함.
도 3은 마이크로 펄스 하전 방식의 전원 장치를 사용하는 종래기술에 따른 집진기의 전원 장치.
도 4는 도 3의 장치에서 발생하는 펄스 전압과 전류의 파형도.
도 5는 도 3의 장치에서 전극에 인가되는 전압의 크기에 따라 아크로 발전하기 까지의 시간을 도시함.
도 6은 도 3의 장치에서 전극에 인가되는 펄스 전압의 펄스폭에 따라 아크로 발전되기까지의 최대 전압을 도시함.
도 7은 도 3의 펄스 전원쪽에서의 등가회로.
도 8은 본 발명에 따라 가포화 리액터를 사용하는 마이크로 펄스 하전 방식 전원 장치.
도 9는 도 8의 장치에 따른 펄스 전압과 전류의 파형도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
EPS : 집진전극
VDC: 바이어스용 직류 전원
Vps : 펄스용 전원
Ls' : 가포화 리액터
T, D : 반도체 스위칭 블럭
이하에서는 도 8, 9를 통해 위에서 지적한 10% 영역에서의 전류 변화율을 제한하기 위한 본 발명의 전원 장치 및 동작 파형을 구체적으로 설명하도록 한다.
도 8에서의 본 발명의 마이크로 펄스 전원 장치는 도 3에서 공진 리액터(Ls) 대신에 도 8에서와 같이 전류 변동율이 히스테리시스 특성을 가지도록 하는 가포화 공진 리액터(Ls')를 사용하는 것을 제외하고는 전체적으로는 도 3과 동일하다.
이제 본 발명의 가포화 공진 리액터(Ls')를 사용하는 경우에 어떠한 동작 파형을 가지는지 도 9를 참고로 하여 설명하도록 한다.
전력용 반도체 소자가 온되어 펄스 공진전류의 최대치(정격전류)의 약 10%에 이르기까지의 구간(I)에는 가포화 공진 리액터(Ls')가 종래의 공진 리액터와 유사한 높은 인덕턴스 값을 유지하여 전류 상승율을 낮은 상태로 만든다. 이제 정격전류의 약 10% 이상이 되면 가포화 공진 리액터(Ls')가 급격히 최소의 인턱턴스 값으로 되어 전류 상승율이 크게 되고 공진하게 되며, 펄스 공진 전류가 감소하기 시작하여 정격전류의 약 10% 정도가 되기까지는 가포화 공진 리액터(Ls')는 이전의 최소의 인덕턴스 값을 유지하여 전류 하강율이 크게 된다 (구간 II). 다음으로 반도체 스위칭 소자가 오프되어 펄스 공진전류가 정격전류의 약 10% 정도 이하로 감소하면 가포화 공진 리액터(Ls')는 급격히 최대의 인덕턴스 값으로 되어 전류 하강율을 적게 한다 (구간 III의 좌측). 이후에는 캐패시터(Cs)에 충전된 전하가 방전하여 전류가 반도체 스위칭 소자와 역 병렬로 결성된 다이오드(D)를 통해 역 전류가 흐르게 되기 시작하여 10% 이하에서는 가포화 공진 리액터(Ls')가 여전히 최대의 인덕턴스 값을 유지하여 역전류의 증가율이 적게 된다 (구간 III의 우측), 그리고 이 역전류가 10% 이상이 되면 가포화 공진 리액터(Ls')가 급격히 최소의 인덕턴스 값이 되어 역전류의 변동율이 크게 된다 (구간 IV). 마지막으로, 구간 V에서는 펄스출력을 하지 않고 기저전압을 유지하여 집진 작용을 한다. 이렇게 전류 변동율을 도 9와 같이 되도록 한다면, 보다 좁은 펄스가 형성되게 된다.
다시 말하면, 이 가포화 리액터는 반도체 스위칭 소자가 온 또는 오프되는 구간(정격전류의 10% 이하의 구간)에서는 최대의 인덕턴스 값을 가지게 되어 전류 변동율을 낮게 하여 반도체 스위칭 소자의 소손을 방지하고, 10% 이상에서는 최소의 인턱턴스 값을 가지게 되어 전류 변동율이 크게 하여 결과적으로 펄스폭을 축소시킬 수 있게 한다.
이제, 이상에서 언급한 10% 영역에서 전류 변동율을 제한하는 특성을 갖는 가포화 공진 리액터를 어떻게 하여 만들 수 있는지 살펴 보기로 한다.
일반적으로 포화시의 리액턴스 값(Ls')을 결정하는 파라메타는 인턱터의 권선수(N), 인덕터의 코아의 단면적(Ac), 코아의 포화자속밀도(Bsat), 코아가 포화되기 시작하는 전류(본 발명에서는 공진 최대전류의 약 10% 전류)(Isat)이고, 이들간에는 다음과 같은 식이 만족된다.
Ls' = (N*Ac/Isat)*Bsat (3)
만일 특정 코아를 사용하는 경우에는 이 코아의 데이터북에는 사용전압에 따른 이 코아와 관련된 포화시의 리액턴스 값(Ls')이 제시되어 있는데, 이 포화시의 리액턴스 값(Ls')을 상기 식(3)에 대입하면 이 코아를 사용하는 경우에 권선수(N)이 나오고, 이렇게 하여 이 코아에 N번 권선을 하면, 가포화 공진 리액터가 만들어지게 된다.
이렇게 히스테리 특성을 가지는 가포화 공진 리액터(Ls')를 사용함으로써, 도 9에 도시된 바와 같이 종래의 마이크로 펄스 하전 방식 집진 전원 장치에서 펄스폭을 줄일 수 있기 때문에, 하전이 충분하도록 할 수 있어 결국 우수한 집진 성능을 가지는 집진기를 제공할 수 있게 된다.
이상에서는 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명은 이 실시예에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 원리와 개념이 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변형이 가능하다는 점에 유의해야 한다.
예를 들면, 이상의 본 발명의 실시예에서는 마이크로 펄스 하전 방식 집진기의 전원 장치에서 가포화 공진 리액터를 사용하였지만, 이러한 가포화 공진 리액터는 인가 전압의 펄스폭을 적게하여 인가 펄스의 높이를 크게 해야 하는 프라즈마 발생용 전원 장치에도 적용 가능하다는 점에 유의해야 한다.
또한, 이상의 실시예에서는 정격전류의 약 10% 영역에서의 전류 변화율에 대하여 언급을 하였지만, 이 10%는 통상의 반도체 스위칭 소자에 해당하는 수치이고, 특정한 반도체 스위칭 소자의 경우에는 그 범위가 매우 폭 넓은 영역(예를 들면,정격전류의 5% 내지 30%)에서의 전류 변화율을 억제하는 것이 바람직한 경우도 있다.
이렇게 히스테리 특성을 가지는 가포화 공진 리액터(Ls')를 사용함으로써, 본 발명에서는 종래의 마이크로 펄스 하전 방식 집진 전원 장치에서 펄스폭을 줄일 수 있기 때문에, 보다 높은 펄스 전압을 인가할 수 있고, 결과적으로 매우 강력한 플라즈마를 발생시킬 수 있음으로 인하여 하전이 충분하도록 할 수 있어 결국 우수한 집진 성능을 가지는 집진기를 제공하는 것이 가능하게 된다.

Claims (11)

  1. 적어도 하나의 전력용 반도체 소자와, 적어도 하나의 인턱터와 적어도 하나의 캐패시터로 구성되는 공진회로를 이용하여 발생되는 펄스 전압과, 바이어스 전압을 위한 직류 전원을 전극에 인가하여 프라즈마를 발생시키는 프라즈마 발생용 전원 장치에 있어서,
    상기 펄스의 전류 변동율을 크게 하여 펄스폭을 축소하는 경우에 상기 전력용 반도체 소자의 수명 단축 및 소손을 방지하기 위하여, 상기 펄스 전압의 전류가 정격전류의 특정값까지 상승시 또는 상기 특정값 이하로 하강시의 전류 변동율을 제한하기 위한 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 프라즈마 발생용 전원 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제한하기 위한 장치는 가포화 리액터로 이루어지는 것을 특징으로 하는 프라즈마 발생용 전원 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 특정값은 정격전류의 약 10%인 것을 특징으로 하는 프라즈마 발생용 전원 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 특정값은 정격전류의 약 5% 내지 약 30%의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 프라즈마 발생용 전원 장치.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 프라즈마 발생용 전원 장치가 집진기의 전원 장치인 것을 특징으로 하는 프라즈마 발생용 전원 장치.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 프라즈마 발생용 전원 장치가 집진기의 전원 장치인 것을 특징으로 하는 프라즈마 발생용 전원 장치.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 프라즈마 발생용 전원 장치가 집진기의 전원 장치인 것을 특징으로 하는 프라즈마 발생용 전원 장치.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 펄스 전압은 분진의 하전 작용을 수행하고, 직류 전원은 집진 작용을 수행하는 것을 특징으로 하는 프라즈마 발생용 전원 장치.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 펄스 전압은 분진의 하전 작용을 수행하고, 직류 전원은 집진 작용을 수행하는 것을 특징으로 하는 프라즈마 발생용 전원 장치.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 펄스 전압은 분진의 하전 작용을 수행하고, 직류 전원은 집진 작용을 수행하는 것을 특징으로 하는 프라즈마 발생용 전원 장치.
  11. 적어도 하나의 전력용 반도체 소자와, 적어도 하나의 인턱터와 적어도 하나의 캐패시터로 구성되는 공진회로를 이용하여 발생되는 펄스 전압과, 바이어스 전압을 위한 직류 전원을 전극에 인가하여 프라즈마를 발생시키는 방법에 있어서,
    상기 펄스의 전류 변동율을 크게 하여 펄스폭을 축소하는 경우에 상기 전력용 반도체 소자의 수명 단축 및 소손을 방지하기 위하여, 상기 펄스 전압의 전류가 정격전류의 특정값까지 상승시 또는 상기 특정값 이하로 하강시의 전류 변동율을 제한하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 프라즈마 발생 방법.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US4435746A (en) * 1982-04-16 1984-03-06 Atari, Inc. Inductive reactive voltage regulator
JPH03101283A (ja) * 1989-09-14 1991-04-26 Hitachi Ltd パルス電源回路
WO1993000742A1 (en) * 1991-06-28 1993-01-07 Hitachi Metals, Ltd. Pulse generator and dust collector using same
US5767592A (en) * 1993-10-22 1998-06-16 Stafix Electric Fencing Limited Pulse generator for electric fences

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4435746A (en) * 1982-04-16 1984-03-06 Atari, Inc. Inductive reactive voltage regulator
JPH03101283A (ja) * 1989-09-14 1991-04-26 Hitachi Ltd パルス電源回路
WO1993000742A1 (en) * 1991-06-28 1993-01-07 Hitachi Metals, Ltd. Pulse generator and dust collector using same
US5767592A (en) * 1993-10-22 1998-06-16 Stafix Electric Fencing Limited Pulse generator for electric fences

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