JP4418212B2 - 高電圧パルス発生回路 - Google Patents
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Description
14、46…コンデンサ 16…直流電源部
22…インダクタ 24…第1の半導体スイッチ
26…第2の半導体スイッチ 32、36、45…ダイオード
34…負荷 35…放電ギャップ
42…1次巻線 44…2次巻線
62…抵抗
Claims (8)
- 直流電源部の両端に直列接続されたインダクタ、第1の半導体スイッチ及び第2の半導体スイッチと、
前記第1の半導体スイッチのアノード端子に一端が接続された前記インダクタの他端にカソード端子が接続され、前記第1の半導体スイッチのゲート端子にアノード端子が接続されたダイオードとを有し、
前記インダクタは、1次巻線と2次巻線とを有し、
前記1次巻線に並列にコンデンサが接続されていることを特徴とする高電圧パルス発生回路。 - 直流電源部の両端に直列接続されたインダクタ、第1の半導体スイッチ及び第2の半導体スイッチと、
前記第1の半導体スイッチのアノード端子に一端が接続された前記インダクタの他端と前記第1の半導体スイッチのゲート端子との間に接続された抵抗とを有し、
前記インダクタは、1次巻線と2次巻線とを有し、
前記1次巻線に並列にコンデンサが接続されていることを特徴とする高電圧パルス発生回路。 - 請求項1又は2記載の高電圧パルス発生回路において、
前記第2の半導体スイッチのターンオンによる前記第1の半導体スイッチの導通に伴う前記インダクタへの誘導エネルギの蓄積と、
前記第2の半導体スイッチのターンオフによる前記第1の半導体スイッチのターンオフに伴う前記インダクタでの高電圧パルスの発生とが行われることを特徴とする高電圧パルス発生回路。 - 請求項3記載の高電圧パルス発生回路において、
前記コンデンサは、前記第2の半導体スイッチのターンオフ後に前記第1の半導体スイッチに流れる電流を転流させる経路を形成することを特徴とする高電圧パルス発生回路。 - 請求項1〜4のいずれか1項に記載の高電圧パルス発生回路において、
前記第1の半導体スイッチに対して並列に接続され、かつ、前記第1の半導体スイッチの前記アノード端子にカソード端子が接続されたダイオードを有することを特徴とする高電圧パルス発生回路。 - 請求項1〜4のいずれか1項に記載の高電圧パルス発生回路において、
前記直流電源部と前記第2の半導体スイッチとの間にアノード端子が接続され、かつ、前記第1の半導体スイッチのアノード端子あるいは前記インダクタの前記一端にカソード端子が接続されたダイオードを有することを特徴とする高電圧パルス発生回路。 - 請求項1〜6のいずれか1項に記載の高電圧パルス発生回路において、
前記第1の半導体スイッチは、静電誘導サイリスタを有することを特徴とする高電圧パルス発生回路。 - 請求項1〜7のいずれか1項に記載の高電圧パルス発生回路において、
前記第2の半導体スイッチは、電力用金属酸化半導体電界効果トランジスタを有することを特徴とする高電圧パルス発生回路。
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