JP5390230B2 - シリコン系薄膜成膜装置及びその方法 - Google Patents
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Description
被成膜部にシリコン系薄膜を生成するシリコン系薄膜成膜装置であって、
チャンバ内に設けられ前記被成膜部を支持可能な支持電極と、
前記支持電極に隙間をもって対向するように設けられた対向電極と、
前記対向電極と前記支持電極との間に直流パルス電圧を印加する直流パルス電圧印加回路と、
シリコン系薄膜の原料ガスを前記対向電極の表面から前記支持電極に向かって噴射する原料ガス噴射口と、
前記対向電極の表面から前記支持電極に向かって噴射される原料ガスの外側で該原料ガスと同方向に前記原料ガスとは別のバリアガスを噴射するバリアガス噴射口と、
を備えたものである。
チャンバ内に設けられ前記被成膜部を支持可能な支持電極と、前記支持電極に隙間をもって対向するように設けられた対向電極と、前記対向電極と前記支持電極との間に直流パルス電圧を印加する直流パルス電圧印加回路と、シリコン系薄膜の原料ガスを前記対向電極の表面から前記支持電極に向かって噴射する原料ガス噴射口と、前記対向電極の表面から前記支持電極に向かって噴射される原料ガスの外側で該原料ガスと同方向に前記原料ガスとは別のバリアガスを噴射するバリアガス噴射口と、を備えたシリコン系薄膜成膜装置を用いて、前記被成膜部にシリコン系薄膜を生成するシリコン系薄膜成膜方法であって、
(a)前記被成膜部の表面と前記対向電極との間に所定間隔以上の隙間ができるように前記被成膜部を前記支持電極に支持する工程と、
(b)前記チャンバの内圧を1kPaより高い圧力に調整し、前記原料ガス噴射口から前記原料ガスを噴射すると共に前記バリアガス噴射口から前記バリアガスを噴射しながら前記直流パルス電圧印加回路で前記対向電極と前記支持電極との間に直流パルス電圧を印加することにより、プラズマを発生させて前記被成膜部に前記シリコン系薄膜を生成する工程と、
を含むものである。
Oなどを用いることができる。
。続く微結晶シリコン薄膜成膜時には、シラン:水素:ヘリウム=5:100:20(体積比)の原料ガスをガス噴射口14aから噴射すると共にアルゴンのバリアガスを原料ガスに対して500体積%となるようにガス噴射口15aから噴射し、基材温度を200℃、デューティ比を5%、電力密度を300mW/cm2とした以外は、アモルファスシリコン薄膜成膜時と同条件とする。こうすることにより、アモルファスシリコン薄膜及び微結晶シリコン薄膜の成膜速度が数100nm/minとなる。このようにして得られるアモルファスシリコン薄膜と微結晶シリコン薄膜との積層構造を用いて作製されるタンデム型の太陽電池は、従来法により得られるものと同等の変換効率が得られる。
Claims (10)
- 被成膜部にシリコン系薄膜を生成するシリコン系薄膜成膜装置であって、
チャンバ内に設けられ前記被成膜部を支持可能な支持電極と、
前記支持電極に隙間をもって対向するように設けられた対向電極と、
前記対向電極と前記支持電極との間に直流パルス電圧を印加する直流パルス電圧印加回路と、
シリコン系薄膜の原料ガスを前記対向電極の表面から前記支持電極に向かって噴射する原料ガス噴射口と、
前記対向電極の表面から前記支持電極に向かって噴射される原料ガスの外側で該原料ガスと同方向に前記原料ガスとは別のバリアガスを噴射するバリアガス噴射口と、
を備え、
前記チャンバは、該チャンバ内へパージガスを導入するパージガス導入口を備えていない、
シリコン系薄膜成膜装置。 - 前記支持電極は、前記チャンバ内に複数設けられ、
前記対向電極は、各支持電極に対向するように複数設けられている、
請求項1に記載のシリコン系薄膜成膜装置。 - 前記直流パルス電圧印加回路は、互いに対をなす支持電極と対向電極の組ごとに設けられている、
請求項2に記載のシリコン系薄膜成膜装置。 - 前記直流パルス電圧印加回路は、直流電源の両端にインダクタ、第1半導体スイッチ及び第2半導体スイッチが直列接続され、前記インダクタは、一端が前記第1半導体スイッチのアノード端子に接続されると共に他端がダイオードを介して前記第1半導体スイッチのゲート端子に接続され、前記ダイオードは、アノード端子が前記第1半導体スイッチのゲート端子に接続されており、前記第2半導体スイッチがターンオンされると前記第1半導体スイッチの導通に伴って前記インダクタに誘導エネルギが蓄積され、前記第2半導体スイッチがターンオフされると前記第1半導体スイッチのターンオフに伴って前記インダクタでパルス電圧が発生し該インダクタと磁気的に結合された前記コイル素子に前記パルス電圧を昇圧して供給する回路である、
請求項1〜3のいずれか1項に記載のシリコン系薄膜成膜装置。 - 前記直流パルス電圧は、パルス半値幅が3000nsec以下である、
請求項1〜4のいずれか1項に記載のシリコン系薄膜成膜装置。 - チャンバ内に設けられ前記被成膜部を支持可能な支持電極と、前記支持電極に隙間をもって対向するように設けられた対向電極と、前記対向電極と前記支持電極との間に直流パルス電圧を印加する直流パルス電圧印加回路と、シリコン系薄膜の原料ガスを前記対向電極の表面から前記支持電極に向かって噴射する原料ガス噴射口と、前記対向電極の表面から前記支持電極に向かって噴射される原料ガスの外側で該原料ガスと同方向に前記原料ガスとは別のバリアガスを噴射するバリアガス噴射口と、を備えたシリコン系薄膜成膜装置を用いて、前記被成膜部にシリコン系薄膜を生成するシリコン系薄膜成膜方法であって、
(a)前記被成膜部の表面と前記対向電極との間に5mm以上の隙間ができるように前記被成膜部を前記支持電極に支持する工程と、
(b)前記チャンバの内圧を1kPaより高い圧力に調整し、前記チャンバ内へパージガスを導入することなく前記原料ガス噴射口から前記原料ガスを噴射すると共に前記バリアガス噴射口から前記バリアガスを噴射しながら前記直流パルス電圧印加回路で前記対向電極と前記支持電極との間に直流パルス電圧を印加することにより、プラズマを発生させて前記被成膜部に前記シリコン系薄膜を生成する工程と、
を含むシリコン系薄膜成膜方法。 - 前記シリコン系薄膜成膜装置として、前記支持電極が前記チャンバ内に複数設けられ、前記対向電極が各支持電極に対向するように複数設けられたものを使用する、
請求項6に記載のシリコン系薄膜成膜方法。 - 前記シリコン系薄膜成膜装置として、互いに対をなす支持電極と対向電極の組ごとに前記直流パルス電圧印加回路を設けたものを使用する、
請求項7に記載のシリコン系薄膜成膜方法。 - 前記直流パルス電圧印加回路として、直流電源の両端にインダクタ、第1半導体スイッチ及び第2半導体スイッチが直列接続され、前記インダクタは、一端が前記第1半導体スイッチのアノード端子に接続されると共に他端がダイオードを介して前記第1半導体スイッチのゲート端子に接続され、前記ダイオードは、アノード端子が前記第1半導体スイッチのゲート端子に接続されており、前記第2半導体スイッチがターンオンされると前記第1半導体スイッチの導通に伴って前記インダクタに誘導エネルギが蓄積され、前記第2半導体スイッチがターンオフされると前記第1半導体スイッチのターンオフに伴って前記インダクタでパルス電圧が発生し該インダクタと磁気的に結合された前記コイル素子に前記パルス電圧を昇圧して供給する回路を使用する、
請求項6〜8のいずれか1項に記載のシリコン系薄膜成膜方法。 - 前記直流パルス電圧は、パルス半値幅が3000nsec以下である、
請求項6〜9のいずれか1項に記載のシリコン系薄膜成膜方法。
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TWI606490B (zh) * | 2010-07-02 | 2017-11-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體膜的製造方法,半導體裝置的製造方法,和光電轉換裝置的製造方法 |
JP5787712B2 (ja) * | 2011-10-20 | 2015-09-30 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理装置 |
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US9117668B2 (en) * | 2012-05-23 | 2015-08-25 | Novellus Systems, Inc. | PECVD deposition of smooth silicon films |
US9388491B2 (en) | 2012-07-23 | 2016-07-12 | Novellus Systems, Inc. | Method for deposition of conformal films with catalysis assisted low temperature CVD |
KR102064914B1 (ko) * | 2013-03-06 | 2020-01-10 | 삼성전자주식회사 | 식각 공정 장치 및 식각 공정 방법 |
US8895415B1 (en) | 2013-05-31 | 2014-11-25 | Novellus Systems, Inc. | Tensile stressed doped amorphous silicon |
US10892140B2 (en) * | 2018-07-27 | 2021-01-12 | Eagle Harbor Technologies, Inc. | Nanosecond pulser bias compensation |
US11004660B2 (en) | 2018-11-30 | 2021-05-11 | Eagle Harbor Technologies, Inc. | Variable output impedance RF generator |
US11430635B2 (en) | 2018-07-27 | 2022-08-30 | Eagle Harbor Technologies, Inc. | Precise plasma control system |
EP3309815B1 (de) * | 2016-10-12 | 2019-03-20 | Meyer Burger (Germany) AG | Plasmabehandlungsvorrichtung mit zwei, miteinander gekoppelten mikrowellenplasmaquellen sowie verfahren zum betreiben einer solchen plasmabehandlungsvorrichtung |
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US11222767B2 (en) | 2018-07-27 | 2022-01-11 | Eagle Harbor Technologies, Inc. | Nanosecond pulser bias compensation |
US11532457B2 (en) | 2018-07-27 | 2022-12-20 | Eagle Harbor Technologies, Inc. | Precise plasma control system |
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JP3811681B2 (ja) * | 2002-06-12 | 2006-08-23 | 日本碍子株式会社 | 高電圧パルス発生回路 |
JP4345284B2 (ja) * | 2002-10-28 | 2009-10-14 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 薄膜製膜装置 |
JP4738724B2 (ja) * | 2003-02-18 | 2011-08-03 | 日本碍子株式会社 | 薄膜の製造方法 |
JP2005116900A (ja) * | 2003-10-09 | 2005-04-28 | Sekisui Chem Co Ltd | 常圧プラズマ処理装置 |
JP4418212B2 (ja) * | 2003-11-21 | 2010-02-17 | 日本碍子株式会社 | 高電圧パルス発生回路 |
JP2006005007A (ja) * | 2004-06-15 | 2006-01-05 | Sekisui Chem Co Ltd | アモルファスシリコン層の形成方法及び形成装置 |
JP4578412B2 (ja) * | 2006-01-20 | 2010-11-10 | 日本碍子株式会社 | 放電プラズマ発生方法 |
JP2008004814A (ja) * | 2006-06-23 | 2008-01-10 | Sharp Corp | プラズマ処理装置 |
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