JP2008004814A - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】少なくとも2のプラズマ処理工程を同一のプラズマ反応室内で行う場合に、各工程においてプラズマ処理用の電力としてCW交流電力またはパルス変調された交流電力を適宜選択する。これにより、装置構成によりプラズマ処理の条件が制限される工程においてもより多様なプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理装置。
【選択図】なし
Description
本実施形態に係るプラズマ処理装置は、pin構造を有する薄膜非晶質シリコン光電変換素子の半導体層を同一プラズマ反応室101内においてプラズマCVD法によりワーク107上に成膜するものである。
同一のプラズマ反応室101内において、少なくとも2のプラズマ処理工程を実施する場合、各工程において装置構成が同一であることから、その処理条件が装置構成によりに制限される場合がある。そこで、本実施形態のように、パルス変調された交流電力とCW交流電力を切換えて各プラズマ処理工程で使用することにより、多様なプラズマ処理が可能となる。
本実施形態に係るプラズマ処理装置は、プラズマCVD法によりワーク107上に薄膜を成膜するプラズマCVD工程(第1のプラズマ処理工程を含む工程)と、別のワーク107をエッチング処理するプラズマエッチング工程(第2のプラズマ処理工程)を同一プラズマ反応室101内において行うものである。
プラズマCVD工程としては、例えば、材料ガスとしてH2ガスで希釈されたSiH4ガス、ドーピングガスとしてB2H6、PH3を用い、pin構造を有するシリコン系薄膜光電変換素子の半導体層成膜工程が挙げられる。本プラズマCVD工程に含まれる第1のプラズマ処理工程においては、プラズマ反応室101内の圧力は圧力調整用バルブ117により一定値(例えば約500Pa)に調節され、カソード電極102には電力供給手段108から出力されたCW交流電力が投入される。ここで、カソード電極102、アノード電極103の電極間距離は数mmから数十mm程度とされる。この電極間距離は、所望の成膜条件により決定される。この工程によって、ワーク107にシリコン系薄膜が成膜される。
本実施形態に係るプラズマ処理装置は、放電開始電圧の異なる少なくとも2のプラズマCVD工程が同一のプラズマ反応室101内で実施されるものであり、一例として、シリコン系薄膜光電変換素子の半導体層を成膜するプラズマ処理装置を以下に記載する。
二重pin構造積層体230は、同一のプラズマ反応室101内においてプラズマCVD法により成膜される。
次に、第二pin構造積層体224の成膜方法について説明する。
本実施形態のプラズマ処理装置は、プラズマ反応室101内のアノード電極103に基板201をセットし、基板201上に二重pin構造積層体230を成膜するプラズマCVD工程を実施した後に、この二重pin構造積層体230が成膜された基板201をプラズマ反応室101から取り出し、プラズマ反応室101内のカソード電極102・アノード電極103およびプラズマ反応室101内面壁の残留膜をエッチングするプラズマエッチング工程をこの順に行うものである。
本実施形態のプラズマ処理装置の構成は、図1と同様である。
本実施形態のプラズマ処理装置について以下に説明する。
本実施形態は、実施形態2のプラズマエッチング工程を実施した後、基板201をセットし、二重pin構造積層体230を成膜する実施形態4のプラズマCVD工程を実施し、基板201を取出す工程を繰り返し行うものである。
本実施形態に係るプラズマ処理装置を図面を参照して説明する。図5は、本実施形態に係るプラズマ処理装置の概略図であり、プラズマ反応室101内に複数のアノード電極103・カソード電極102対を有している。複数のアノード電極103・カソード電極102対は一つのインピーダンス整合回路105を介して電力供給手段108に接続されている。
本実施形態に係るプラズマ処理装置を図面を参照して説明する。図6は、本実施形態に係るプラズマ処理装置の概略図であり、プラズマ反応室101内に複数のアノード電極103・カソード電極102対を有している。それぞれのアノード電極103・カソード電極102対は、インピーダンス整合回路105を介して電力供給手段108に接続されている。
102 カソード電極
103 アノード電極
105 インピーダンス整合回路
107 ワーク
108 電力供給手段
108a 電力出力手段
108b 変調手段
108c CW電力出力手段
108d パルス電力出力手段
108e 切換え手段
201 基板
206 シリコン系薄膜光電変換素子
211 第一p型半導体層
212 i型非晶質シリコン系光電変換層
213 第一n型半導体層
214 第一pin構造積層体
221 第二p型半導体層
222 i型結晶質シリコン系光電変換層
223 第二n型半導体層
224 第二pin構造積層体
Claims (7)
- プラズマ反応室と、
前記プラズマ反応室内に設置されたカソード・アノード電極対と、
CW交流電力およびパルス変調された交流電力を切換えて前記カソード電極に供給する電力供給手段と、
を備えてなることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記プラズマ反応室内のガス圧力可変手段を備えてなることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記電力供給手段は、交流電力を出力する電力出力手段と、前記電力出力手段から出力された電力を変調する変調手段と、からなることを特徴する請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記電力供給手段は、CW交流電力を出力するCW電力出力手段と、パルス変調された交流電力を出力するパルス電力出力手段と、前記CW電力出力手段と前記パルス電力出力手段の出力を切換えて前記電力供給手段の外部に出力する切換え手段と、からなることを特徴する請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記プラズマ反応室内には、複数のカソード・アノード電極対を備えていることを特徴とする請求項1から請求項4の何れか1項に記載のプラズマ処理装置。
- 前記複数のカソード・アノード電極対は、1つのインピーダンス整合回路を介して1つの前記電力供給手段に接続されてなることを特徴とする請求項5に記載のプラズマ処理装置。
- 前記カソード・アノード電極対のそれぞれは、1つのインピーダンス整合回路を介して1つの前記電力供給手段に接続されてなることを特徴とする請求項5に記載のプラズマ処理装置。
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