JP2013258412A - シリコン系薄膜量産装置 - Google Patents

シリコン系薄膜量産装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2013258412A
JP2013258412A JP2013149586A JP2013149586A JP2013258412A JP 2013258412 A JP2013258412 A JP 2013258412A JP 2013149586 A JP2013149586 A JP 2013149586A JP 2013149586 A JP2013149586 A JP 2013149586A JP 2013258412 A JP2013258412 A JP 2013258412A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
silicon
thin film
based thin
semiconductor switch
pulse voltage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2013149586A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5732491B2 (ja
Inventor
Minoru Imaeda
美能留 今枝
Yuichiro Imanishi
雄一郎 今西
Takao Saito
隆雄 齊藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NGK Insulators Ltd
Original Assignee
NGK Insulators Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NGK Insulators Ltd filed Critical NGK Insulators Ltd
Priority to JP2013149586A priority Critical patent/JP5732491B2/ja
Publication of JP2013258412A publication Critical patent/JP2013258412A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5732491B2 publication Critical patent/JP5732491B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32018—Glow discharge
    • H01J37/32027—DC powered
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
    • C23C14/566—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases using a load-lock chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32018—Glow discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32018—Glow discharge
    • H01J37/32045—Circuits specially adapted for controlling the glow discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32568—Relative arrangement or disposition of electrodes; moving means

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

【課題】面内膜厚分布が生じにくく装置の小型化が可能なシリコン系薄膜量産装置を提供する。
【解決手段】シリコン系薄膜量産装置１０では、複数の対向電極１６の各々に隙間をもって平行に対向するように各透明電極６２を配置し、チャンバ１２にシリコン系薄膜の原料ガスを導入すると共に各対向電極１６に順次又は一斉に直流パルス電圧を印加することにより、プラズマを発生させて各透明電極６２にシリコン系薄膜を生成する。このように直流パルス電圧を印加して放電させる方式であるため、高周波を断続的に印加して放電させる方式のように高周波プラズマ密度分布が生じることがなく、面内膜厚分布が生じにくい。また、直流パルス電圧は急峻に立ち上がることからオン期間を短くすることができ、その結果、シースは定常状態に至る前の過渡状態で止まり厚みが薄くなるため、対向電極１６と透明電極６２との間隔を狭くすることができ、装置の小型化が可能となる。
【選択図】図１

Description

本発明は、シリコン系薄膜量産装置及びその方法に関する。
シリコン系薄膜は、シリコン資源の制約などから、将来的に有望な太陽光発電用セルとして利用されることが期待されている。従来から利用されているアモルファスシリコン薄膜では、８％程度の変換効率の太陽光発電セルとして実用化がされている。最近では、アモルファスシリコン薄膜と微結晶薄膜シリコンを積層構造にしたタンデム型セルの開発により、広い波長域の太陽光を利用することで１５％程度の変換効率の太陽光発電が可能となりつつある。このような薄膜構造を作成する方法としてはプラズマＣＶＤ装置によるシラン系ガスを分解成膜することが一般に行われている。アモルファスシリコン薄膜では数１００ｎｍ程度、微結晶シリコン薄膜では数１０００ｎｍ程度の膜厚を必要とするため、成膜速度とその膜厚均一性を両立させるためにプラズマＣＶＤ装置に関してさまざまな提案がなされている。
たとえば、１ｋＰａ以下の減圧プラズマＣＶＤにおいて、高速成膜かつ大面積基板での膜厚分布を改善するため、高周波を断続的に印加して放電させる方式（パルス放電）が近年取り入れられてきた。特許文献１には、こうした高周波パルス放電の例として、チャンバ内にカソード電極とアノード電極の組を２組設け、グランド電位の各カソード電極に被成膜用の基材を設置し、シランと水素との混合ガスをチャンバに導入し、各アノード電極に高周波パルスをオン期間が重ならないように印加することにより、基材上にシリコン系薄膜を成膜している。このときの放電条件は、高周波周波数が２７．１２ＭＨｚ、変調パルスのオン期間が１０μｓｅｃ、デューティ比が２０％、オン期間のずれが２５μｓｅｃである。
特許第３４２０９６０号公報
しかしながら、高周波を断続的に印加して放電させる方式では、高周波パルスのオン期間においては、定常状態で周波数に依存した高周波プラズマ密度分布が生じ、これに伴い面内膜厚分布が生じるという問題が発生する。また、基材の周囲にはシースと呼ばれる電子密度の低い領域が生じるが、定常状態ではこのシースの厚み（幅）が大きくなり、それに応じて対向電極と基材との間隔を大きくする必要があるため、装置の小型化が困難となる。更に、プラズマが基材と対向電極との間から横方向へ拡散するおそれもあり、この点でも装置の小型化が困難となる。
本発明は、このような課題に鑑みなされたものであり、面内膜厚分布が生じにくく装置の小型化が可能なシリコン系薄膜量産装置及びその方法を提供することを主目的とする。
本発明は、上述の目的の少なくとも一つを達成するために以下の手段を採った。
本発明のシリコン系薄膜量産装置は、
複数の被成膜部にシリコン系薄膜を生成するシリコン系薄膜量産装置であって、
シリコン系薄膜の原料ガスを導入するためのガス導入口を有するチャンバと、
該チャンバ内に設けられ前記被成膜部を支持可能な複数の支持電極と、
前記複数の支持電極の各々と隙間をもって対向するように設けられた複数の対向電極と、
互いに対をなす支持電極と対向電極との間に直流パルス電圧を印加する直流パルス電圧印加回路と、
を備えたものである。
このシリコン系薄膜量産装置では、まず、被成膜部の表面と対向電極との間に隙間ができるように被成膜部を支持電極に支持する。続いて、チャンバの内圧を１ｋＰａ以下に調整し、該チャンバに原料ガスを導入しながら互いに対をなす対向電極と支持電極との間に直流パルス電圧印加回路により直流パルス電圧を印加してプラズマを発生させることにより、前記被成膜部に前記シリコン系薄膜を生成する。このように直流パルス電圧を印加して放電させる方式であるため、高周波を断続的に印加して放電させる方式のようにプラズマ密度分布が生じることがなく、面内膜厚分布が生じにくい。また、直流パルス電圧は急峻に立ち上がることからオン期間を短くすることができ、その結果、シースは定常状態に至る前の過渡状態で止まり厚みが薄くなるため、対向電極と被成膜部との間隔を狭くすることができ、装置の小型化が可能となる。更に、直流パルス電圧を利用することで、プラズマが被成膜部と対向電極との間から横方向へ拡散するおそれも少なくなり、この点でも装置の小型化が可能となる。
なお、プラズマ発生時のチャンバの内圧は１ｋＰａ以下が好ましく、１０〜１００Ｐａがより好ましい。１ｋＰａを超えると異常放電が起きやすくなるため好ましくない。
本発明のシリコン系薄膜量産装置において、前記被成膜部は、前記複数の対向電極の隙間を縫うようにジグザグに配置された長尺シート上に形成されていてもよい。こうすれば、シリコン系薄膜を量産しやすくなる。
本発明のシリコン系薄膜量産装置において、前記直流パルス電圧印加回路は、互いに対をなす支持電極と対向電極の組ごとに設けられていてもよい。こうすれば、一つの直流パルス電圧印加回路ですべての対向電極に直流パルス電圧を印加する場合に比べて、プラズマが一様に発生しやすい。また、各被成膜部に均一なシリコン系薄膜が成膜されるように、直流パルス印加回路を個別に制御することも可能となる。
本発明のシリコン系薄膜量産装置において、前記直流パルス電圧印加回路は、直流電源の両端にインダクタ、第１半導体スイッチ及び第２半導体スイッチが直列接続され、前記インダクタは、一端が前記第１半導体スイッチのアノード端子に接続されると共に他端がダイオードを介して前記第１半導体スイッチのゲート端子に接続され、前記ダイオードは、アノード端子が前記第１半導体スイッチのゲート端子に接続されており、前記第２半導体スイッチがターンオンされると前記第１半導体スイッチの導通に伴って前記インダクタに誘導エネルギが蓄積され、前記第２半導体スイッチがターンオフされると前記第１半導体スイッチのターンオフに伴って前記インダクタでパルス電圧が発生し該インダクタと磁気的に結合された前記コイル素子に前記パルス電圧を昇圧して供給する回路としてもよい。こうすれば、急峻に立ち上がる直流パルス電圧を印加することが可能となる。
本発明のシリコン系薄膜量産方法は、
シリコン系薄膜の原料ガスを導入するためのガス導入口を有するチャンバと、該チャンバ内に設けられ前記被成膜部を支持可能な複数の支持電極と、前記複数の支持電極の各々と隙間をもって対向するように設けられた複数の対向電極と、互いに対をなす支持電極と対向電極との間に直流パルス電圧を印加する直流パルス電圧印加回路と、を備えたシリコ
ン系薄膜量産装置を用いて、前記被成膜部にシリコン系薄膜を生成するシリコン系薄膜量産方法であって、
（ａ）前記被成膜部の表面と前記対向電極との間に隙間ができるように前記被成膜部を前記支持電極に支持する工程と、
（ｂ）前記チャンバの内圧を１ｋＰａ以下に調整し、該チャンバに前記原料ガスを導入しながら互いに対をなす対向電極と支持電極との間に前記直流パルス電圧印加回路により直流パルス電圧を印加してプラズマを発生させることにより、前記被成膜部に前記シリコン系薄膜を生成する工程と、
を含むものである。
このシリコン系薄膜量産方法は、直流パルス電圧を印加して放電させる方式を採用しているため、高周波を断続的に印加して放電させる方式のようにプラズマ密度分布が生じることがなく、面内膜厚分布が生じにくい。また、直流パルス電圧は急峻に立ち上がることからオン期間を短くすることができ、その結果、シースは定常状態に至る前の過渡状態で止まり厚みが薄くなるため、対向電極と被成膜部との間隔を狭くすることができ、装置の小型化が可能となる。更に、直流パルス電圧を利用することで、プラズマが被成膜部と対向電極との間から横方向へ拡散するおそれも少なくなり、この点でも装置の小型化が可能となる。
本発明のシリコン系薄膜量産方法において、前記工程（ａ）では、各被成膜部は、前記複数の対向電極の隙間を縫うようにジグザグに配置された長尺シート上に形成されたものを用いてもよい。こうすれば、シリコン系薄膜を量産しやすくなる。この長尺シートは、可撓性を有していることが好ましい。
本発明のシリコン系薄膜量産方法において、前記シリコン系薄膜量産装置として、互いに対をなす支持電極と対向電極の組ごとに前記直流パルス印加回路を設けたものとしてもよい。こうすれば、一つの直流パルス電圧印加回路ですべての対向電極に直流パルス電圧を印加する場合に比べて、プラズマが一様に発生しやすい。また、各被成膜部に均一なシリコン系薄膜が成膜されるように、直流パルス印加回路を個別に制御することも可能となる。
本発明のシリコン系薄膜量産方法において、前記直流パルス電圧印加回路として、直流電源の両端にインダクタ、第１半導体スイッチ及び第２半導体スイッチが直列接続され、前記インダクタは、一端が前記第１半導体スイッチのアノード端子に接続されると共に他端がダイオードを介して前記第１半導体スイッチのゲート端子に接続され、前記ダイオードは、アノード端子が前記第１半導体スイッチのゲート端子に接続されており、前記第２半導体スイッチがターンオンされると前記第１半導体スイッチの導通に伴って前記インダクタに誘導エネルギが蓄積され、前記第２半導体スイッチがターンオフされると前記第１半導体スイッチのターンオフに伴って前記インダクタでパルス電圧が発生し該インダクタと磁気的に結合された前記コイル素子に前記パルス電圧を昇圧して供給する回路を使用してもよい。こうすれば、急峻に立ち上がる直流パルス電圧を印加することが可能となる。
本発明のシリコン系薄膜量産装置は、被成膜部を温度制御する温度制御機構を備えていてもよく、この温度制御機構は支持電極に組み込まれていてもよい。温度制御機構は、例えばヒータであってもよいし、ヒータと冷却液循環経路であってもよい。また、被成膜部はシート基材上に形成されていてもよい。シート基材は、ガラス基材としてもよいし可撓性基材としてもよい。また、シート基材は、移動機構により、チャンバの外側からチャンバ内に導入しチャンバ内を通過したあとチャンバの外側に導出するようにしてもよい。
本発明のシリコン系薄膜量産装置及びその方法では、直流パルス電圧のパルス半値幅（
最大パルス電圧値の半分の電圧における時間幅）は３０００ｎｓｅｃ以下が好ましく、１００〜１０００ｎｓｅｃがより好ましい。また、直流パルス電圧に関し、立ち上がり時間はパルス半値幅の１／３以下であることが好ましく、最大電圧値は絶対値で２ｋＶ以上の負の電圧であることが好ましく、デューティ比が０．０１％〜１０％であることが好ましく、電力密度が１０〜２００ｍＷ／ｃｍ2であることが好ましい。また、プラズマ発生時
のチャンバ内の圧力は１０〜１００Ｐａが好ましい。
シリコン系薄膜量産装置１０の概略構成を示す説明図である。 直流パルス電圧印加回路２２の説明図である。 各部の電流及び電圧の動作波形の説明図である。 シリコン系薄膜量産装置１１０の概略構成を示す説明図である。
次に、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図１はシリコン系薄膜量産装置１０の概略構成を示す説明図、図２は直流パルス電圧印加回路の説明図である。
シリコン系薄膜量産装置１０は、ソーダフロートガラス製のシート基材６０上に蒸着されたＩＴＯからなる透明電極６２（本発明の被成膜部）にシリコン系薄膜を生成する装置である。なお、シート基材６０は、例えば縦１．４ｍ×横１．１ｍ×厚さ４ｍｍの大きさとすることができる。また、透明電極６２は、ＩＴＯの代わりに、例えばＳｎＯ2やＺｎ
Ｏなどを用いることができる。
このシリコン系薄膜量産装置１０は、アースに接続されたステンレス製のチャンバ１２と、チャンバ１２内に設けられた複数の支持電極１８と、複数の支持電極１８の各々と隙間をもって対向するように設けられた複数の対向電極１６と、互いに対をなす支持電極１８と対向電極１６との間に直流パルス電圧を印加する直流パルス電圧印加回路２２とを備えている。
チャンバ１２は、ステンレス製の板材によって箱型に形成されている。このチャンバ１２の内部は圧力調整可能な閉空間となっている。また、チャンバ１２は、チャンバ１２の内圧を負圧に調整するためのガス排出口１３と、内部に各種のガスを導入可能なガス導入管１４とを有している。ガス排出口１３には、図示しないが油回転ポンプ及び油拡散ポンプ又はターボ分子ポンプが接続されており、両ポンプを用いることでチャンバ１２の内圧を１Ｐａ程度に真空引きすることが可能である。また、ガス導入管１４には、対向電極１６と支持電極１８との間にシリコン系薄膜の原料ガスが噴出するようにガス噴出口１４ａが設けられている。ここで、シリコン系薄膜としては、例えばアモルファスシリコン薄膜や微結晶シリコン薄膜などが挙げられる。アモルファスシリコン薄膜や微結晶シリコン薄膜の原料ガスとしては、ＳｉＨ4、Ｓｉ2Ｈ6又はこれらのシラン系ガスにＣＨ4，Ｃ2Ｈ2，ＰＨ3，Ｂ2Ｈ6，ＧｅＨ4のいずれかを添加したものを用いてもよい。これらの原料ガスは、水素、ヘリウム、アルゴン、キセノンなどで希釈して用いてもよい。なお、原料ガスに応じてｐ型、ｎ型、ｉ型のアモルファスシリコン薄膜や微結晶シリコン薄膜が生成されることは周知である。例えば、シラン系ガスにＢ2Ｈ6を添加するとｐ型、ＰＨ3を添加する
とｎ型となる。
支持電極１８は、ステンレス製のブロックであり、対向電極１６同士の間に配置されている。この支持電極１８は、透明電極６２が対向電極１６と所定間隔をもって平行に対向するように、シート基材６０を介して透明電極６２を支持している。また、支持電極１８は、内部にヒータ２０と図示しない冷却液循環経路とが内蔵されている。このヒータ２０による加熱と冷却液循環経路による冷却とが温度制御機構であり、図示しないコントロー
ラで温度制御機構を制御することにより、透明電極６２の温度が所望の温度（例えば２００℃）となるように調節する。各支持電極１８は、アースに接続されており、電位はグランドレベルとなっている。
対向電極１６は、ステンレス製の板材である。この対向電極１６は、表面に透明電極６２が形成されたシート基材６０が支持電極１８に支持されたときに、透明電極６２の表面から所定距離だけ離間するように配置されている。この所定距離は、シリコン系薄膜の成膜時に発生するシースの厚みを超えるように設定されている。
直流パルス電圧印加回路２２は、各対向電極１６ごとに設けられ、各対向電極１６に負の直流パルス電圧を印加可能となっている。この直流パルス電圧印加回路２２は、図２に示すように、直流電源２４と高周波インピーダンスを低くするコンデンサ２６とを有する直流電源部２８の両端にインダクタ３０、第１半導体スイッチ３２及び第２半導体スイッチ３４が直列接続された一次巻線側回路４４と、一端が対向電極１６に電気的に接続され他端がアースに接続されたコイル素子４８を備えた二次巻線側回路５０とで構成されている。一次巻線側回路４４では、インダクタ３０は、一端が第１半導体スイッチ３２のアノード端子３２Ａに接続され、他端がダイオード４２を介して第１半導体スイッチ３２の制御端子であるゲート端子３２Ｇに接続されている。ダイオード４２は、アノード側が第１半導体スイッチ３２のゲート端子３２Ｇに接続されている。第１半導体スイッチ３２は、電流制御形デバイスや自己消弧形デバイス、転流消弧形デバイスを用いることができるが、ここではターンオフ時の電圧上昇率（ｄｖ／ｄｔ）に対する耐量が極めて大きく且つ電圧定格の高いＳＩサイリスタを用いている。第２半導体スイッチ３４は、自己消弧形デバイスや転流消弧形デバイスを用いることができるが、ここでは、アバランシェ形ダイオード３６が逆並列で内蔵されたパワーＭＯＳＦＥＴ３８を使用し、このパワーＭＯＳＦＥＴ３８と、パワーＭＯＳＦＥＴ３８のゲート端子３８Ｇとソース端子３８Ｓに接続されソース端子３８Ｓ−ドレイン端子３８Ｄ間の電流の流れをオンオフ制御するゲート駆動回路４０とから構成されている。ここで、一次巻線側回路４４のインダクタ３０は一次巻線を構成し、二次巻線側回路５０のコイル素子４８は二次巻線を構成し、両者がトランスとして機能する。そして、一次巻線の巻数をＮ１、二次巻線の巻数をＮ２、第１半導体スイッチ３２のアノード−ゲート間電圧をＶAGとすれば、ＶAG×Ｎ２／Ｎ１の電圧をコイル素子４８の両端に印加することができる。
次に、シリコン系薄膜量産装置１０の一次巻線側回路４４でパルス電圧が発生するメカニズムを説明する。ゲート駆動回路４０からパワーＭＯＳＦＥＴ３８のゲート−ソース間に制御信号Ｖｃが供給されると、パワーＭＯＳＦＥＴ３８がオフからオンになる。このとき、ダイオード４２の逆極性の極めて大きなインピーダンスにより、第１半導体スイッチ３２は、ゲート端子３２Ｇ及びカソード端子３２Ｋ間に正に印加される電界効果によりターンオンしてアノード端子３２Ａ−カソード端子３２Ｋ間が通流する（Ａ−Ｋ間電流）。このようにして、第１及び第２半導体スイッチ３２，３４が導通すると、インダクタ３０に直流電源２４の電圧Ｅと略同等の電圧が印加され、所望のエネルギが蓄積される。そして、所望のエネルギが得られた後、ゲート駆動回路４０からの制御信号の供給を停止し、パワーＭＯＳＦＥＴ３８をターンオフさせる。すると、パワーＭＯＳＦＥＴ３８がターンオフするのに伴ってインダクタ３０でパルス電圧が発生する。具体的には、第２半導体スイッチ３４がターンオフすると、インダクタ３０の電流ＩＬは、第１半導体スイッチ３２のアノード端子３２Ａ→ゲート端子３２Ｇ→ダイオード４２のアノード→ダイオード４２のカソードの経路に転流するため、アノード端子３２Ａ−ゲート端子３２Ｇ間が通流する（Ａ−Ｇ間電流）。そして、インダクタ３０に蓄積したエネルギによる電流が引き続きアノード端子３２Ａからゲート端子３２Ｇに流れ、第１半導体スイッチ３２がオフ状態に移行するので、第１半導体スイッチ３２のアノード−ゲート間電圧ＶAGとインダクタ端子間電圧ＶＬが急上昇する。そして、電流ＩＬがゼロになると、電圧ＶAGとインダクタ端子間
電圧ＶＬが最大となる。その後、第１半導体スイッチ３２が非通流になると、各電圧ＶAG，ＶＬは急下降する。このときの様子を図３に示す。図３において、電流ＩＬはインダクタ３０を流れる電流であり、電圧ＶAGは第１半導体スイッチ３２のアノード−ゲート間電圧であり、電圧ＶＬはインダクタ３０の端子間電圧である。なお、パルス電圧の詳しいメカニズムについては例えば特許第３８１１６８１号に記載されている。
次に、こうしたシリコン系薄膜量産装置１０を用いてシート基材６０上に形成された透明電極６２にシリコン系薄膜を生成する場合について説明する。まず、図１に示すように、支持電極１８に透明電極６２が形成されたシート基材６０を支持する。このとき、透明電極６２の表面と対向電極１６との間は所定間隔だけ離れている。また、基材温度を１００〜３００℃に設定する。続いて、ガス導入管１４から原料ガスをチャンバ１２内に導入しつつガス排出口１３から一定の割合で排気してチャンバ１２内の圧力を１ｋＰａ以下（例えば１０〜１００Ｐａ）に調節する。次いで、直流パルス電圧印加回路２２を制御して、各対向電極１６に負電位でパルス半値幅が所定時間（３００〜１０００ｎｓｅｃの範囲内で定めた時間）になるように直流パルス電圧を印加し、シリコン系薄膜を成膜する。このとき、直流パルス電圧のピーク電圧が絶対値で２ｋＶ以上、デューティ比が０．０１〜１０％、立ち上がり時間がパルス半値幅の１／３以下、電力密度が１０〜２００ｍＷ／ｃｍ2となるように設定する。なお、各対向電極１６に一斉に直流パルス電圧を印加しても
よいし、順次直流パルス電圧を印加してもよい。
例えば、透明電極６２にアモルファスシリコン薄膜（膜厚コンマ数μｍ）と微結晶シリコン薄膜（膜厚数μｍ）とを積層する場合、チャンバ１２の内圧を１００Ｐａとする。そして、アモルファスシリコン薄膜成膜時には、シラン：水素＝１５：１００（体積比）の原料ガスをガス導入管１４から導入し、基材温度を１５０℃、直流パルス電圧のパルス半値幅を２００ｎｓｅｃ、立ち上がり時間５０ｎｓｅｃ、ピーク電圧５ｋＶ、デューティ比を０．１％、電力密度を２５ｍＷ／ｃｍ2とする。続く微結晶シリコン薄膜成膜時には、
シラン：水素＝５：１００（体積比）の原料ガスをガス導入管１４から導入し、基材温度を２００℃、デューティ比を１％、電力密度を１００ｍＷ／ｃｍ2とした以外は、アモル
ファスシリコン薄膜成膜時と同条件とする。こうすることにより、アモルファスシリコン薄膜及び微結晶シリコン薄膜の成膜速度が数１０〜数１００ｎｍ／ｍｉｎとなる。このようにして得られるアモルファスシリコン薄膜と微結晶シリコン薄膜との積層構造を用いて作製されるタンデム型の太陽電池は、従来法により得られるものと同等の変換効率が得られる。
以上詳述した本実施形態のシリコン系薄膜量産装置１０によれば、直流パルス電圧を印加して放電させる方式であるため、高周波を断続的に印加して放電させる方式のように高周波プラズマ密度分布が生じることがなく、面内膜厚分布が生じにくい。また、直流パルス電圧は急峻に立ち上がることからオン期間を短くすることができ、その結果、シースは定常状態に至る前の過渡状態で止まり厚みが薄くなるため、対向電極１６と透明電極６２との間隔を狭くすることができ、装置の小型化が可能となる。更に、直流パルス電圧を利用することで、プラズマが対向電極１６と透明電極６２との間から横方向へ拡散するおそれも少なくなり、この点でも装置の小型化が可能となる。更にまた、プラズマ発生時にチャンバ１２の内圧を１ｋＰａ以下に設定したため、異常放電が起きにくい。そしてまた、直流パルス電圧印加回路２２を各対向電極１６ごとに設けたため、一つの直流パルス電圧印加回路ですべての対向電極に直流パルス電圧を印加する場合に比べて、プラズマが一様に発生しやすい。また、各被成膜部に均一なシリコン系薄膜が成膜されるように、複数の直流パルス印加回路２２を個別に制御することも可能となる。
なお、本発明は上述した実施形態に何ら限定されることはなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の態様で実施し得ることはいうまでもない。
例えば、上述した実施形態では、ソーダフロートガラス製のシート基材６０上に蒸着されたＩＴＯからなる透明電極６２にシリコン系薄膜を生成する場合について説明したが、可撓性のシート基材上に形成された金属電極にシリコン系薄膜を生成してもよい。図４は、可撓性のポリイミド系樹脂のシート基材１６０上にスパッタ成膜された銀電極１６２（本発明の被成膜部）にシリコン系薄膜を生成する場合のシリコン系薄膜量産装置１１０の概略説明図である。シート基材１６０の大きさは、幅１０００ｍｍ、厚さ１００μｍ程度のものを用いる。なお、シリコン系薄膜量産装置１１０のうち、シリコン系薄膜量産装置１０と同じ構成要素については同じ符号を付し、その説明を省略する。シリコン系薄膜量産装置１１０では、支持電極１８の上部と対向電極１６の下部に搬送ローラ１１２が配置されている。また、チャンバ１２の左側にアンワインダ室、右側にワインダ室が設けられている。アンワインダ室には、シリコン系薄膜が成膜される前のシート基材１６０が巻かれたアンワインダロール１１４が配置され、ワインダ室には、シリコン系薄膜が成膜された後のシート基材１６０が巻かれたワインダロール１１６が配置されている。シート基材１６０は、アンワインダロール１１４からチャンバ１２内に導入され、支持電極１８の上部の搬送ローラ１１２と対向電極１６の下部の搬送ローラ１１２とに順次掛け渡されることによりジグザグ状に配置され、ワインダロール１１６に至っている。このとき、シート基材１６０上に形成された各銀電極１６２と各対向電極１６とが互いに向き合うように配置される。この状態で、ガス導入管１４のガス噴出口１４ａから原料ガスをチャンバ１２内に導入し、直流パルス電圧印加回路２２を制御して直流パルス電圧を各対向電極１６に印加し、プラズマを発生させることにより、シート基材１６０の各銀電極１６２上にシリコン系薄膜を生成させる。シリコン系薄膜の生成後、搬送ローラ１１２を図中矢印方向に回転させることにより、ワインダロール１１６にシート基材１６０を巻き取る。なお、プラズマ発生条件は上述した実施形態と同様である。こうすれば、シート基材１６０をジグザグ状に配置するため、直線上に配置する場合に比べてチャンバ１２内により多くの銀電極１６２を配置することができ、シリコン系薄膜を量産しやすくなる。
上述した実施形態において、一枚の対向電極１６を上下方向に複数に分割して分割後の電極の各々に直流パルス電圧印加回路２２を設けてもよい。こうすれば、プラズマが一層一様に発生しやすくなる。
上述した実施形態では、直流パルス電圧印加回路２２を一次巻線側回路４４と二次巻線側回路５０とで構成したが、インダクタ３０の代わりにコイル素子４８を電気的に接続してもよい。この場合、コイル素子４８に発生したパルス電圧がそのまま対向電極１６に印加されることになる。
上述した実施形態では、一次巻線側回路４４として第１及び第２半導体スイッチ３２，３４を開いたときにパルス電圧が発生するオープニング方式の回路を採用したが、スイッチを閉じたときにパルス電圧が発生するクロージング方式の回路を採用してもよい。
１０ シリコン系薄膜量産装置、１２ チャンバ、１３ ガス排出口、１４ ガス導入管、１４ａ ガス噴出口、１６ 対向電極、１８ 支持電極、２０ ヒータ、２２ 直流パルス電圧印加回路、２４ 直流電源、２６ コンデンサ、２８ 直流電源部、３０ インダクタ、３２ 第１半導体スイッチ、３２Ａ アノード端子、３２Ｇ ゲート端子、３２Ｋ カソード端子、３４ 第２半導体スイッチ、３６ アバランシェ形ダイオード、３８Ｄ ドレイン端子、３８Ｇ ゲート端子、３８Ｓ ソース端子、４０ ゲート駆動回路、４２ ダイオード、４４ 一次巻線側回路、４８ コイル素子、５０ 二次巻線側回路、６０ シート基材、６２ 透明電極、１１０ シリコン系薄膜量産装置、１１２ 搬送ローラ、１１４ アンワインダロール、１１６ ワインダロール、１６０ シート基材、１
６２ 銀電極。

Claims (8)

  1. 複数の被成膜部にシリコン系薄膜を生成するシリコン系薄膜量産装置であって、
    シリコン系薄膜の原料ガスを導入するためのガス導入口を有するチャンバと、
    該チャンバ内に設けられ前記被成膜部を支持可能な複数の支持電極と、
    前記複数の支持電極の各々と隙間をもって対向するように設けられた複数の対向電極と、
    互いに対をなす支持電極と対向電極との間に直流パルス電圧を印加する直流パルス電圧印加回路と、
    を備えたシリコン系薄膜量産装置。
  2. 前記被成膜部は、前記複数の対向電極の隙間を縫うようにジグザグに配置された長尺シート上に形成されている、
    請求項１に記載のシリコン系薄膜量産装置。
  3. 前記直流パルス電圧印加回路は、互いに対をなす支持電極と対向電極の組ごとに設けられている、
    請求項１又は２に記載のシリコン系薄膜量産装置。
  4. 前記直流パルス電圧印加回路は、直流電源の両端にインダクタ、第１半導体スイッチ及び第２半導体スイッチが直列接続され、前記インダクタは、一端が前記第１半導体スイッチのアノード端子に接続されると共に他端がダイオードを介して前記第１半導体スイッチのゲート端子に接続され、前記ダイオードは、アノード端子が前記第１半導体スイッチのゲート端子に接続されており、前記第２半導体スイッチがターンオンされると前記第１半導体スイッチの導通に伴って前記インダクタに誘導エネルギが蓄積され、前記第２半導体スイッチがターンオフされると前記第１半導体スイッチのターンオフに伴って前記インダクタでパルス電圧が発生し該インダクタと磁気的に結合された前記コイル素子に前記パルス電圧を昇圧して供給する回路である、
    請求項１〜３のいずれか１項に記載のシリコン系薄膜量産装置。
  5. シリコン系薄膜の原料ガスを導入するためのガス導入口を有するチャンバと、該チャンバ内に設けられ前記被成膜部を支持可能な複数の支持電極と、前記複数の支持電極の各々と隙間をもって対向するように設けられた複数の対向電極と、互いに対をなす支持電極と対向電極との間に直流パルス電圧を印加する直流パルス電圧印加回路と、を備えたシリコン系薄膜量産装置を用いて、前記被成膜部にシリコン系薄膜を生成するシリコン系薄膜量産方法であって、
    （ａ）前記複数の支持電極の各々に前記被成膜部を支持するにあたり、該被成膜部の表面とそれに対向する対向電極との間に隙間ができるようにする工程と、
    （ｂ）前記チャンバの内圧を１ｋＰａ以下に調整し、該チャンバに前記原料ガスを導入しながら互いに対をなす対向電極と支持電極との間に前記直流パルス電圧印加回路により直流パルス電圧を印加してプラズマを発生させることにより、前記被成膜部に前記シリコン系薄膜を生成する工程と、
    を含むシリコン系薄膜量産方法。
  6. 前記工程（ａ）では、各被成膜部は、前記複数の対向電極の隙間を縫うようにジグザグに配置された長尺シート上に形成されたものを用いる、
    請求項５に記載のシリコン系薄膜量産方法。
  7. 前記シリコン系薄膜量産装置として、互いに対をなす支持電極と対向電極の組ごとに前記直流パルス印加回路を設けたものを使用する、
    請求項５又は６に記載のシリコン系薄膜量産方法。
  8. 前記直流パルス電圧印加回路として、直流電源の両端にインダクタ、第１半導体スイッチ及び第２半導体スイッチが直列接続され、前記インダクタは、一端が前記第１半導体スイッチのアノード端子に接続されると共に他端がダイオードを介して前記第１半導体スイッチのゲート端子に接続され、前記ダイオードは、アノード端子が前記第１半導体スイッチのゲート端子に接続されており、前記第２半導体スイッチがターンオンされると前記第１半導体スイッチの導通に伴って前記インダクタに誘導エネルギが蓄積され、前記第２半導体スイッチがターンオフされると前記第１半導体スイッチのターンオフに伴って前記インダクタでパルス電圧が発生し該インダクタと磁気的に結合された前記コイル素子に前記パルス電圧を昇圧して供給する回路を使用する、
    請求項５〜７のいずれか１項に記載のシリコン系薄膜量産方法。
JP2013149586A 2008-03-31 2013-07-18 シリコン系薄膜量産装置 Expired - Fee Related JP5732491B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013149586A JP5732491B2 (ja) 2008-03-31 2013-07-18 シリコン系薄膜量産装置

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008091403 2008-03-31
JP2008091403 2008-03-31
JP2013149586A JP5732491B2 (ja) 2008-03-31 2013-07-18 シリコン系薄膜量産装置

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009073668A Division JP5455405B2 (ja) 2008-03-31 2009-03-25 シリコン系薄膜量産方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013258412A true JP2013258412A (ja) 2013-12-26
JP5732491B2 JP5732491B2 (ja) 2015-06-10

Family

ID=40873485

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009073668A Expired - Fee Related JP5455405B2 (ja) 2008-03-31 2009-03-25 シリコン系薄膜量産方法
JP2013149586A Expired - Fee Related JP5732491B2 (ja) 2008-03-31 2013-07-18 シリコン系薄膜量産装置

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009073668A Expired - Fee Related JP5455405B2 (ja) 2008-03-31 2009-03-25 シリコン系薄膜量産方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7927982B2 (ja)
EP (1) EP2107592A3 (ja)
JP (2) JP5455405B2 (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5443127B2 (ja) * 2009-10-28 2014-03-19 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
CN101859801B (zh) * 2010-06-11 2013-02-20 深圳市创益科技发展有限公司 薄膜太阳能电池沉积用放电电极板阵列
US10366868B2 (en) * 2012-10-09 2019-07-30 Europlasma Nv Apparatus and method for applying surface coatings
CN105070783B (zh) * 2015-07-16 2018-08-24 奥特斯维能源（太仓）有限公司 一种用于高温扩散炉的喷淋管及其应用
CN109065433A (zh) * 2018-08-16 2018-12-21 东华大学 一种常压脉冲辅助平板射频辉光放电的装置与方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02248037A (ja) * 1989-03-22 1990-10-03 Fuji Electric Co Ltd 非晶質半導体の生成方法
JP2000260715A (ja) * 1999-03-08 2000-09-22 Fuji Electric Co Ltd 薄膜半導体の製造装置
JP2002151508A (ja) * 2000-11-15 2002-05-24 Sekisui Chem Co Ltd 半導体素子の製造方法及びその装置
JP2004072994A (ja) * 2002-06-12 2004-03-04 Ngk Insulators Ltd 高電圧パルス発生回路
JP2008004814A (ja) * 2006-06-23 2008-01-10 Sharp Corp プラズマ処理装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4829189A (en) * 1986-07-18 1989-05-09 Sando Iron Works Co., Ltd. Apparatus for low-temperature plasma treatment of sheet material
JP3420960B2 (ja) 1999-01-29 2003-06-30 シャープ株式会社 電子デバイス製造装置および電子デバイス製造方法
US20020056415A1 (en) 1999-01-29 2002-05-16 Sharp Kabushiki Kaisha Apparatus and method for production of solar cells
JP4738724B2 (ja) * 2003-02-18 2011-08-03 日本碍子株式会社 薄膜の製造方法
JP2004259853A (ja) * 2003-02-25 2004-09-16 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 結晶質シリコン系薄膜光電変換装置の製造装置及び製造方法
JP4578412B2 (ja) * 2006-01-20 2010-11-10 日本碍子株式会社 放電プラズマ発生方法
JP5390230B2 (ja) * 2008-03-31 2014-01-15 日本碍子株式会社 シリコン系薄膜成膜装置及びその方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02248037A (ja) * 1989-03-22 1990-10-03 Fuji Electric Co Ltd 非晶質半導体の生成方法
JP2000260715A (ja) * 1999-03-08 2000-09-22 Fuji Electric Co Ltd 薄膜半導体の製造装置
JP2002151508A (ja) * 2000-11-15 2002-05-24 Sekisui Chem Co Ltd 半導体素子の製造方法及びその装置
JP2004072994A (ja) * 2002-06-12 2004-03-04 Ngk Insulators Ltd 高電圧パルス発生回路
JP2008004814A (ja) * 2006-06-23 2008-01-10 Sharp Corp プラズマ処理装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JPN6014025300; 市川幸美、吉田隆、酒井博: '高電圧パルス放電化学気相成長法によるアモルファスシリコン系薄膜の作製' 応用物理 第６１巻第１０号, 1992, １０３９-１０４３, 応用物理学会 *

Also Published As

Publication number Publication date
US20090246943A1 (en) 2009-10-01
EP2107592A3 (en) 2012-01-25
JP5732491B2 (ja) 2015-06-10
JP2009267383A (ja) 2009-11-12
US7927982B2 (en) 2011-04-19
JP5455405B2 (ja) 2014-03-26
EP2107592A2 (en) 2009-10-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5390230B2 (ja) シリコン系薄膜成膜装置及びその方法
JP5732491B2 (ja) シリコン系薄膜量産装置
US11427913B2 (en) Method and apparatus for generating highly repetitive pulsed plasmas
US10580625B2 (en) Plasma source and methods for depositing thin film coatings using plasma enhanced chemical vapor deposition
CN101611168B (zh) 连续成膜装置
CN101681784B (zh) 通过从等离子体沉积无定形材料形成具有渐变带隙的膜的方法
US8470095B2 (en) Process and installation for surface preparation by dielectric barrier discharge
Jin et al. Novel IPOx architecture for high-voltage microsecond pulse power supply using energy efficiency and stability model design method
JP2011214062A (ja) 透明導電膜の製造方法
CN203260550U (zh) 一种双频离子源
CN102084030A (zh) 在基片两侧同时沉积膜的方法和设备
KR101447162B1 (ko) 박막증착을 위한 플라즈마 공정장치 및 이를 이용한미세결정질 실리콘 박막의 증착방법
JP2008004813A (ja) シリコン系薄膜光電変換素子の製造方法、製造装置およびシリコン系薄膜光電変換素子
JP2011238747A (ja) プラズマｃｖｄ成膜装置および高周波電圧の印加方法
US5334423A (en) Microwave energized process for the preparation of high quality semiconductor material
JP4975577B2 (ja) Ｄｌｃ成膜装置
JP2012222175A (ja) プラズマｃｖｄ装置及びアモルファス膜の形成方法
TWI655315B (zh) 電漿沉積裝置及薄膜沉積方法
JP2009242879A (ja) Ｄｌｃ成膜方法
TWI692538B (zh) 超高頻反應式電漿薄膜製造設備及薄膜沉積方法
CN117440589A (zh) 一种用于石墨舟干法清洗的装置及使用方法
Miyahara et al. Electron temperature control in silane plasma for fabricating highly stabilized hydrogenated amorphous silicon
Gedroyc et al. State of the art fully water cooled plasma DC generator with ultra fast arc quenching circuit for photovoltaic applications
JPS60123021A (ja) アモルフアス半導体膜生成装置
JP2013038090A (ja) 半導体薄膜の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20140523

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140624

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140822

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20141014

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20150331

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20150413

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5732491

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees