JPH07235631A - 立体集積回路装置の製造方法 - Google Patents

立体集積回路装置の製造方法

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JPH07235631A JP7019582A JP1958295A JPH07235631A JP H07235631 A JPH07235631 A JP H07235631A JP 7019582 A JP7019582 A JP 7019582A JP 1958295 A JP1958295 A JP 1958295A JP H07235631 A JPH07235631 A JP H07235631A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 薄くされた基板の試験を両面から行える立体
集積回路装置の製造方法を提供する。 【構成】 電気化学的エッチングにより貫通細孔12の
形成されたシリコンウェハが、支持プレート24として
基板21に取り付けられる。貫通細孔12はシリコンウ
ェハに対し絶縁されており、それらには導電性充填物1
4が設けられる。基板21は構成素子を有しており、立
体集積回路として集積される。その際、導電性充填物と
導電接続され支持プレート(24)の表面に配置された
接続面25が、支持プレート(24)に隣接する基板
(21)の面上に配置された構成素子と当接し、それら
と固定結合される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、立体集積回路装置の製
造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】立体的な集積の場合、複数の基板が上下
に積み重ねられ、互いに固定結合される。その際、個々
の基板にはそれぞれ集積回路、センサ作動装置および/
または受動プレーナ素子が含まれている。この場合、個
々の基板を様々な技術で製造することができる。上下間
において、それぞれ異なる基板に含まれている構成素子
は垂直方向のコンタクトを介して互いに導電接続されて
いる。
【0003】この種の立体集積回路装置の製造に際し、
まずはじめに各基板が互いに別個に製造される。この場
合、互いに別個に製造されるそれらの基板は、およそ1
0μmになるまで極端に薄くされる。薄くされた基板に
は表/裏面に電気接点が設けられ、回路装置の電気的要
求のほかに機械的および熱的要求も満たされるように、
上下に重なり合って配置される。回路装置は機械的に安
定していなくてはならず、その際、極端な応力が避けら
れるようにすべきである。さらに、集積度が高まるにつ
れて増大する損失熱を逃がさなければならない。
【0004】Y.Hayashi 等による "Symp. on VLSI Tech
nol. (1990)" 第95頁以下から、立体的に集積する場
合に薄板化するステップや後続の処理ステップにおい
て、たとえばシリコンまたは水晶から成る中空でない担
体層を基板の表側にはり付けることで、処理の施された
基板の表側を保護することが知られている。そして基板
は裏側から薄くされ、これにコンタクトが設けられる。
次に、薄くされた基板はさらに別の基板に取り付けら
れ、ボンディング工程でその基板と固定結合される。ボ
ンディング工程の後、基板の構成素子を損傷しないよう
に、あるいは各基板間の接続線が再びはずれてしまわな
いように、担体層をもう1度剥がさなくてはならない。
薄くされた基板における構成素子の試験は、ボンディン
グプロセス前に裏側からしか行えない。それというの
は、表側は担体層により覆われているからであり、ま
た、薄くされた基板は安定化させる担体層がなくては通
常の試験手順に耐えられないからである。しかし、メモ
リスタックの内部平面のためのような非自律的なICの
試験では、両面に接触接続させることが必要である。
【0005】薄くされた基板の裏面にコンタクトや金属
化構造体を製造するためには、多数の処理ステップが必
要である。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】したがって本発明の課
題は、立体集積回路装置の製造方法において、薄くされ
た基板の試験を両面から行えるようにすることである。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明によればこの課題
は、弗化物を含む酸性の電解質における電気化学的エッ
チングにより、ドーピングされた単結晶シリコンウェハ
に貫通細孔が生成され、前記電解質中でシリコンウェハ
はアノードとして配線され、前記貫通細孔には少なくと
も部分的に、前記シリコンウェハに対し絶縁されて導電
性充填物が設けられ、前記シリコンウェハは支持プレー
トとして基板の第1の主表面に取り付けられ、前記基板
は、少なくとも第1の主表面の領域に構成素子を有し該
構成素子に対するコンタクトを前記第1の主表面上に有
しており、前記基板は他の基板とともに立体集積回路装
置として集積され、少なくとも、前記第1の主表面と隣
接する支持プレートの表面上に、少なくとも1つの導電
性充填物と導電接続された接続面が形成され、該接続面
は前記第1の主表面上の少なくとも1つのコンタクトと
当接し、該接続面は個々のコンタクトと固定結合される
ことにより解決される。
【0008】
【発明の利点】本発明による方法の場合、支持プレート
としてドーピングされた単結晶シリコンウェハが用いら
れ、これには事前に弗化物を含む酸性の電解質−ここに
おいてシリコンウェハはアノードとして接続されている
−における電気化学的エッチングにより、貫通細孔が形
成される。これらの細孔は1〜10μmの範囲の直径を
有する。このような多孔性のシリコン全般を巨大多孔性
シリコンと称する。細孔の少なくとも一部分にはそれら
の表面に絶縁層が設けられており、導電性充填物が充填
挿入される。
【0009】有利にはシリコンウェハ表面全体に、たと
えば熱酸化により絶縁層が設けられる。支持プレートは
基板の第1の主表面に取り付けられる。この基板は少な
くとも第1の主表面の領域に構成素子を有しており、他
の基板といっしょに立体集積回路として集積される。基
板の第1の主表面上には、構成素子に対するコンタクト
が配置されている。少なくとも、基板の第1の主表面に
隣接する支持プレート表面上に接続面が形成され、それ
らは少なくとも1つの導電性充填物とそれぞれ導電接続
されている。これらの接続面はそれぞれ、基板の第1の
主表面上の少なくとも1つのコンタクトと当接する。互
いに当接し合った接続面とコンタクトとは固定的に接続
され、支持プレートと基板との固定結合が形成される。
【0010】導電性充填物は有利には、ドーピングされ
た多結晶シリコン、アルミニウム、銅またはアマルガム
成分から成る。コンタクトは有利にはタングステン、A
u/Inまたはアマルガム成分から成る。接続面とコン
タクトとの接続は、有利にははんだ付けまたはアマルガ
ム化により行われる。
【0011】巨大多孔性シリコンから成る支持プレート
は高度な機械的安定性を有しているので、薄板化ならび
に後続処理中において基板は支持プレートによって安定
化される。支持プレートの細孔中の導電性充填物を介し
て、薄板化後でも基板における構成素子の試験を両側か
ら行える。これに加えて支持プレートの、基板とは反対
側の表面上にも、同様に接続面が形成される。
【0012】巨大多孔性シリコンから成る支持プレート
は、100〜200μmの厚さでも十分な機械的安定性
を有する。
【0013】本発明の枠内には、1つの立体形集積回路
において隣り合う基板間の結合部材として支持プレート
を用いることが含まれる。この目的で、支持プレートに
は対向する各面上に相応の接続面が設けられる。立体集
積回路装置の種々の基板の垂直方向における接触接続
は、支持プレートの導電性充填物を介して行われる。こ
のような接続部の抵抗と容量を設定調整するために、一
方では導電性充填物に関する材料の選択が適しており、
他方では多数の細孔を並列接続することないしはパラレ
ルにクロスすることが適している。
【0014】支持プレートは実質的に対称に構成されて
いるので、熱によるゆがみが十分に回避される。
【0015】本発明の枠内には、損失電力を逃がすのに
適するよう支持プレートを配置することが含まれる。こ
の目的で支持プレートはたとえば、部分的に隣り合う基
板を越えて側方に突出し冷却装置と熱的に結合されるよ
うに配置される。
【0016】支持プレートの側方突出部分に付加的に接
続用コンタクトを設けることができ、それらのコンタク
トは金属化面を介して各基板のうち少なくとも1つの基
板の構成素子と接続される。このような接続用コンタク
トを介して、たとえば給電電圧を印加したり試験測定を
行うことができる。
【0017】次に、図面および実施例を参照して本発明
を詳細に説明する。
【0018】
【実施例の説明】n形にドーピングされた100−配向
の単結晶シリコンから成るシリコンウェハ11におい
て、電気化学的エッチングにより細孔12が生成される
(図1参照)。この目的で、シリコンウェハ1の表面を
弗化物を含む酸性の電解質と接触させる。この電解質は
1〜50%有利には6%の弗化水素酸濃度を有する。シ
リコンウェア11の表面に水素気泡が発生するのを抑え
るために、電解質に湿潤剤(界面活性剤)を添加するこ
とができる。シリコンウェハ11と電解質との間に、た
とえば3Vの電圧が印加される。その際、たとえば5Ω
cmの比抵抗を有するシリコンウェハ11はアノードと
して配線される。シリコンウェハ11は裏面側から照射
される。この照射により、シリコンウェハ11において
cm2 あたり約10mAの電流密度が生じるようにな
る。
【0019】電気化学的エッチングにおいて、シリコン
中の少数電荷キャリアは電解質と接触状態にある表面へ
移動する。この表面に空間電荷領域が形成される。各表
面に統計的な分布で存在しているかまたは所期のように
光技術とアルカリエッチングにより生成される凹欠領域
における電界強度は、それ以外の領域よりも大きいの
で、少数電荷キャリアはそれらの個所に優勢的に移動す
る。このことにより表面が構造化されることになる。最
初は小さかった起伏がエッチングにより深くなればなる
ほど、少数電荷キャリアはその部分へいっそう多く移動
するようになり、その個所においてエッチングによる侵
食作用がいっそう高まる。このようにして、殊にエッチ
ング時間により定まる深さまで、細孔は100−方向で
成長する。
【0020】本発明による方法の場合、細孔12はシリ
コンウェハ11全体を貫通して横切っている。シリコン
ウェハ11の厚さが100μmであると、このためには
約2時間のエッチング時間が必要である。この場合、細
孔の直径は1μm〜10μmの値に設定される。
【0021】シリコンウェハ11を貫通して横切ってい
る細孔12は絶縁層13によりシリコンウェハ11に対
し絶縁されており、さらにこの細孔には導電性の充填物
14が挿入されている(図2)。絶縁層13は有利に
は、シリコンウェハ11の表面全体にわたる熱酸化によ
り形成される。
【0022】導電性の充填物14はたとえば、ドーピン
グされた多結晶シリコン、アルミニウム、銅、あるいは
アマルガム成分により形成される。アマルガム成分と
は、それらの成分のうち1つの成分は固体であり他の成
分は液体であるような物質のことであって、その際、固
体成分は液体成分中で溶解し、このことによって混合物
が硬化する。有利には、導電性の充填物14は次のよう
にして細孔12へ挿入される: a)たとえばCVDにより面全体にわたって一様に析出
し、次にたとえばプラズマエッチングまたはCMP(ch
emical-mechanical polishing )により平坦になるよう
逆にエッチングする。
【0023】b)補助基板上において選択的に析出する
(CVD、無電界めっき)。
【0024】シリコンウェハ11に対し絶縁され導電性
の充填物14の挿入された貫通細孔12を有するシリコ
ンウェハ11は、立体集積回路装置の製造に際して支持
プレートとして用いられる。
【0025】立体集積回路装置を製造するにあたって
は、第1の主表面22をもつ第1の基板21を基礎とし
て始められる(図3参照)。第1の基板21は第1の主
表面22の領域に複数の構成素子を有している。第1の
主表面22上には、見やすくするため詳細には図示され
ていないこれら構成素子に対するコンタクト23が配置
されている。第1の支持プレート24は、シリコンウェ
ハに対し絶縁され導電性の充填物14の挿入された貫通
細孔12を有する巨大多孔性のシリコンウェハから成
り、これは第1の基板21に取り付けられる。その前に
少なくとも、第1の主表面22に隣接する支持プレート
24表面に接続面25が形成される。これらの接続面
は、支持プレート24の少なくとも1つの導電性充填物
とそれぞれ導電接続されている。さらにこれらの接続面
25は、第1の支持プレート24と機械的に固定結合さ
れている。接続面25はたとえば、タングステン、アル
ミニウム、アマルガム成分のような金属化部から成る。
支持プレート24を第1の基板21と結合すると、接続
面25が第1の主表面22上のコンタクトに当接する。
これにより、それぞれ当接し合うコンタクト23と接続
面の間で固定的な接続が形成される。これはたとえばは
んだ付けやアマルガム化により行われる。このような固
定接続部を介して、第1の支持プレート24は第1の基
板21と固定的に結合される。
【0026】第1の支持プレート24における導線性充
填物は接続面25およびコンタクト23を介して第1の
基板21の個々の素子と接続されており、これらの充填
物を介して構成素子をテストできる。接触接続を容易に
する目的で、第1の支持プレート24の、第1の基板2
1とは反対側の表面にも、個々の導電性充填物と接続状
態にある接続面25が形成される。
【0027】高多孔性シリコンの高度な機械的安定性ゆ
えに、第1の支持プレート24の、第1の主表面22に
対して垂直方向の厚さは100〜200μmで十分であ
り、このことにより後続処理に際して第1の基板21を
安定化させることができる。支持プレート24の厚さ
は、有利には化学機械的研磨により調整される。立体的
な集積の場合には後続の処理として、第1の主表面22
に対向する第2の主表面26を薄く研磨することと、こ
の第2の主表面26上にコンタクトを設けることが含ま
れる。
【0028】第2の基板31は第1の主表面32の領域
に構成素子を有しており、これらの構成素子に対し第1
の主表面32上にコンタクト33が配置されている(図
3参照)。第2の基板31の上には第2の支持プレート
34が取り付けられる。この支持プレートは、貫通細孔
を備えた高多孔性のシリコンウェハから成り、それらの
細孔はシリコンウェハに対し絶縁されそれらには導電性
の充填物が挿入されている。第1の基板31の第1の主
表面32に隣接する第2の支持プレート34表面上には
接続面35が設けられており、これらの接続面35はそ
れぞれ少なくとも1つの、第2の支持プレート34の導
電性充填物と導電接続されている。組み立てた場合、接
続面35は第2の基板31の第1の主表面32上の1つ
のコンタクト33とそれぞれ当接する。第2の支持プレ
ート34中の導電性充填物の接触接続を改善するため
に、第2の支持プレート34の、第2の基板31とは反
対側の表面にも、相応の導電性充填物に対する接続面が
設けられる。
【0029】第2の基板31は第1の主表面32に対向
する第2の主表面36の側から、この場合には有利には
研磨、湿式化学的回転塗布エッチングまたは化学機械的
研磨により薄くされる。次に、第2の主表面36上にコ
ンタクト33が取り付けられる。
【0030】第1の基板21と第2の基板31を1つの
立体集積回路装置として集積するために、第2の基板3
1は第1の支持プレート24の、第1の基板21とは反
対側の表面上に取り付けられる。この動作は図3中、双
方向矢印37で示されている。その際、第2の基板31
の第2の主表面36上のコンタクト33は、支持プレー
ト24の接続面25に当接する。はんだ付けまたはアマ
ルガム化により、コンタクト33は接続面25と固定接
続される。この固定接続により同時に、第2の基板31
と第1の支持プレート24との結合が形成される。この
ようにして、第1の基板21と第2の基板31は機械的
にも電気的に第1の支持プレート24を介して相互に結
合される。機械的な強度を高める目的で、基板21,3
1上の構成素子とは電気的に絶縁されたダミーコンタク
ト33とダミー接続面25を取り付けることもできる
し、および/または接着接続を用いることもできる。
【0031】より複雑な立体集積回路装置を構成するに
あたっては、2つめの支持プレートに同様に−つまりさ
らに別の支持プレートを伴って−さらに別の基板が取り
付けられ固定結合される。
【0032】図4には、本発明による方法にしたがって
3つの基板41が支持プレート42を介して相互に結合
された立体集積回路装置が示されている。支持プレート
42は図1および図2に示されたようにして構成され
る。これらの支持プレート42は側方で基板41よりも
突出している。このようにして、損失電力により生じる
熱が側方で放熱される。さらに、各支持プレート42の
側方突出部分には接続用コンタクト43が取り付けられ
ており、それらのコンタクトを介してたとえば給電電圧
を印加したり試験測定を行ったりすることができる。
【0033】
【発明の効果】本発明によれば、立体集積回路装置の製
造方法において、薄くされた基板の試験を両面から行え
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】支持プレートを示す図である。
【図2】支持プレートの縦断面図である。
【図3】2つの基板を有する立体集積回路装置の構成図
である。
【図4】立体集積回路装置の縦断面図である。
【符号の説明】
11 シリコンウェハ 12 細孔 13 絶縁層 14 充填物 21,31 基板 24,36 支持プレート 23,33 コンタクト 25,35 接続面

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 立体集積回路装置の製造方法において、 弗化物を含む酸性の電解質における電気化学的エッチン
    グにより、ドーピングされた単結晶シリコンウェハ(1
    1)に貫通細孔(12)が生成され、前記電解質中でシ
    リコンウェハ(11)はアノードとして配線され、前記
    貫通細孔(12)には少なくとも部分的に、前記シリコ
    ンウェハ(11)に対し絶縁されて導電性充填物(1
    4)が設けられ、 前記シリコンウェハ(11)は支持プレート(24)と
    して基板(21)の第1の主表面(22)に取り付けら
    れ、前記基板(21)は、少なくとも第1の主表面(2
    2)の領域に構成素子を有し該構成素子に対するコンタ
    クト(23)を前記第1の主表面(22)上に有してお
    り、前記基板(21)は他の基板(31)とともに立体
    集積回路装置として集積され、 少なくとも、前記第1の主表面(22)と隣接する支持
    プレート(24)の表面上に、少なくとも1つの導電性
    充填物(14)と導電接続された接続面(25)が形成
    され、該接続面(25)は前記第1の主表面(22)上
    の少なくとも1つのコンタクト(23)と当接し、該接
    続面(25)は個々のコンタクト(23)と固定結合さ
    れることを特徴とする、 立体集積回路装置の製造方法。
  2. 【請求項2】 シリコンウェハ(11)は化学機械的研
    磨により薄くされる、請求項1記載の方法。
  3. 【請求項3】 支持プレート(24)は100μm〜3
    00μmの厚さを有し、細孔(12)は1μm〜10μ
    mの直径を有する、請求項1または2記載の方法。
  4. 【請求項4】 細孔(12)の製造後、シリコンウェハ
    (11)の表面全体に絶縁物質(13)が設けられ、 前記導電性充填物(14)はドーピングされた多結晶シ
    リコン、アルミニウム、銅から、またはアマルガム成分
    から成る、請求項1〜3のいずれか1項記載の方法。
  5. 【請求項5】 前記基板(21)は第1の主表面(2
    2)に対向する第2の主表面(26)の側から薄くさ
    れ、 前記基板(21)の第2の主表面(26)上にコンタク
    トが形成され、該コンタクトは前記基板(21)の第1
    の主表面(22)の領域における構成素子と導電接続さ
    れている、請求項1〜4のいずれか1項記載の方法。
  6. 【請求項6】 実質的に前記の第1の支持プレート(2
    4)のように導電性充填物の設けられた細孔を備えた別
    の支持プレート(34)が、別の基板(31)の第1の
    主表面(32)の上に取り付けられ、該別の基板(3
    1)は、前記第1の主表面(32)の領域に構成素子を
    有し該構成素子に対するコンタクト(33)を前記第1
    の主表面(32)上に有し、 少なくとも、前記別の基板(31)の第1の主表面(3
    2)に隣接する前記別の支持プレート(34)表面上に
    接続面(35)が形成され、該接続面は少なくとも1つ
    の導電性充填物と導電接続されており、該接続面はそれ
    ぞれ、前記第1の主表面(32)上の少なくとも1つの
    コンタクト(33)に当接し当該コンタクト(33)と
    固定結合され、 前記別の基板(31)は前記第1の主表面(32)に対
    向する第2の主表面の側から薄くされ、 前記別の基板(31)の第2の主表面(36)上にコン
    タクト(33)が形成され、該コンタクトは前記別の基
    板(31)の第2の主表面(36)の領域における構成
    素子と導電接続されており、 前記別の基板(31)の第2の主表面(36)に第1の
    支持プレート(24)が、第1の基板(21)と別の基
    板(31)とが前記第1の支持プレート(24)の互い
    に対向する面にそれぞれ配置されるように取り付けら
    れ、 前記別の基板(31)の第2の主表面(36)に隣接す
    る前記第1の支持プレート(24)表面上に接続面(2
    5)が形成され、該接続面は少なくとも1つの導電性充
    填物と導電接続され、該接続面は前記別の基板(31)
    の第2の主表面(36)上の少なくとも1つのコンタク
    ト(33)にそれぞれ当接し個々のコンタクト(33)
    と固定結合される、 請求項1〜5のいずれか1項記載の方法。
  7. 【請求項7】 前記支持プレート(24)のうち少なく
    とも1つの支持プレートの接続面(25)の少なくとも
    いくつかの接続面は、隣り合う細孔の導電性充填物と導
    電接続されてそれらが並列接続されるように構成され
    る、請求項6記載の方法。
  8. 【請求項8】 前記支持プレート(42)のうち少なく
    とも1つの支持プレートは隣り合う基板(41)の少な
    くとも1つを側方で突出している、請求項6または7記
    載の方法。
  9. 【請求項9】 側方に突出した前記支持プレート(4
    2)は側方突出部に少なくとも1つの接続用コンタクト
    (43)を有しており、該コンタクトは金属化面を介し
    て前記基板(41)の少なくとも1つにおける構成素子
    と接続されている、請求項8記載の方法。
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