JPH07207261A - 液晶相をもつジアセチレン - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 式
【化6】
のジアルケニルジアセチレン化合物とそれを用いた物品
の製造。 【効果】 一般に液晶状態または液晶相を有し、また液
晶状態において重合可能である。場合により、非線型光
学効果を示すことがある。重合しない状態でディスプレ
イなどの用途を有し、重合した状態で光学的、機械的、
熱的、導電的用途などを有する。
の製造。 【効果】 一般に液晶状態または液晶相を有し、また液
晶状態において重合可能である。場合により、非線型光
学効果を示すことがある。重合しない状態でディスプレ
イなどの用途を有し、重合した状態で光学的、機械的、
熱的、導電的用途などを有する。
Description
【0001】本発明は液晶相または液晶状態を示す若干
のジアセチレン類に関する。本発明はまた、このような
液晶ジアセチレンを重合する方法、それらから製造され
る重合した物品、およびこのような重合したまたは重合
可能な材料を光学的、音響的、電子的、電気光学的、電
気音響的、機械的、熱的、導電的、圧電的、焦電的、お
よび他の多くの構成成分および装置として使用する方法
に関する。
のジアセチレン類に関する。本発明はまた、このような
液晶ジアセチレンを重合する方法、それらから製造され
る重合した物品、およびこのような重合したまたは重合
可能な材料を光学的、音響的、電子的、電気光学的、電
気音響的、機械的、熱的、導電的、圧電的、焦電的、お
よび他の多くの構成成分および装置として使用する方法
に関する。
【0002】ジアセチレンはすでに知られており、それ
らの性質も幾分は探求されている。若干のジビニルジア
セチレンは天然生成物の研究に関連してすでに報告され
ている。ガードナーら(Gardner et al.)、の“高級
菌類の化学(Chemistry of the Higher Fungi)、第1
0部、多種の担子菌からのデカンのポリアセチレン誘導
体(Further Polyacetylenic Derivatives of Decane f
rom Various Basidiomycetes)”ジャーナルオブザケミ
カルソサイェティ(Journal of the ChemicalSociet
y)、(1960)691−697頁;およびボールマン
ら(Bohlmann etal.)、の“対称および非対称ポリイ
ン−エンの構造と光吸収性ならびにセンタウレア法によ
るこれら炭化水素の合成(Konstitution und Lichtabso
rption Symmetrisher und unsymmetrischer Polyin-ene
Sowie Synthese Eines Kohlenwasserstoffs aus Centa
urea-Arten)”、ヘミツシエベリヒテ(Chemische Beri
chte)、第91巻、1631−1642頁を見られた
い。液晶相または液晶状態をもつジアセチレンはこれま
でに確認されておらず、また重合可能なジアルケニルジ
アセチレンも知られていない。また、ジアルケニルジア
セチレン類、とくにジビニルジアセチレンを包含するジ
アセチレンの液晶状態のままにおける重合もこれまでに
知られていない。
らの性質も幾分は探求されている。若干のジビニルジア
セチレンは天然生成物の研究に関連してすでに報告され
ている。ガードナーら(Gardner et al.)、の“高級
菌類の化学(Chemistry of the Higher Fungi)、第1
0部、多種の担子菌からのデカンのポリアセチレン誘導
体(Further Polyacetylenic Derivatives of Decane f
rom Various Basidiomycetes)”ジャーナルオブザケミ
カルソサイェティ(Journal of the ChemicalSociet
y)、(1960)691−697頁;およびボールマン
ら(Bohlmann etal.)、の“対称および非対称ポリイ
ン−エンの構造と光吸収性ならびにセンタウレア法によ
るこれら炭化水素の合成(Konstitution und Lichtabso
rption Symmetrisher und unsymmetrischer Polyin-ene
Sowie Synthese Eines Kohlenwasserstoffs aus Centa
urea-Arten)”、ヘミツシエベリヒテ(Chemische Beri
chte)、第91巻、1631−1642頁を見られた
い。液晶相または液晶状態をもつジアセチレンはこれま
でに確認されておらず、また重合可能なジアルケニルジ
アセチレンも知られていない。また、ジアルケニルジア
セチレン類、とくにジビニルジアセチレンを包含するジ
アセチレンの液晶状態のままにおける重合もこれまでに
知られていない。
【0003】液晶状態または液晶相を示す若干のジアセ
チレンを調製できることを発見した。このような液晶相
を有するジアセチレンは、バルクで有用であり、またバ
ルクで重合可能であり、有用な機械的、導電的、熱的、
およびその他の重合した材料を製造できることを見出し
た。また液晶相を示す若干のジアセチレンの層を適当な
基板上に作り得ること、液晶状態をとらせること、およ
び液晶状態において重合させて有用な光学的、電気光学
的、電気音響的、機械的、熱安定的、導電的、およびそ
の他の物品を製造できることも見出した。
チレンを調製できることを発見した。このような液晶相
を有するジアセチレンは、バルクで有用であり、またバ
ルクで重合可能であり、有用な機械的、導電的、熱的、
およびその他の重合した材料を製造できることを見出し
た。また液晶相を示す若干のジアセチレンの層を適当な
基板上に作り得ること、液晶状態をとらせること、およ
び液晶状態において重合させて有用な光学的、電気光学
的、電気音響的、機械的、熱安定的、導電的、およびそ
の他の物品を製造できることも見出した。
【0004】別の実施態様にしたがって、液晶ジアセチ
レン層の上へ二枚の基板層が乗せられる。他の好ましい
実施態様にしたがって、この液晶ジアセチレン層に、カ
ップリング剤分子すなわちCAMsを中間に介して基板
または複数基板へ共有結合で結合すること、またはCA
M表面変性による秩序性の非結合的な強制を介して、表
面溝付けを介して、またはその他の方法によって規則的
な配向を帯びさせることができる。カーン(Kahn)の液
晶装置の“分子物理学(The Molecular Phisics of Liq
uid-Crystal Devices)”、フィジクストゥデイ(Physi
cs Today)、1982年5月、66−74頁、を見られ
たい。これは参照としてここに組み入れる。
レン層の上へ二枚の基板層が乗せられる。他の好ましい
実施態様にしたがって、この液晶ジアセチレン層に、カ
ップリング剤分子すなわちCAMsを中間に介して基板
または複数基板へ共有結合で結合すること、またはCA
M表面変性による秩序性の非結合的な強制を介して、表
面溝付けを介して、またはその他の方法によって規則的
な配向を帯びさせることができる。カーン(Kahn)の液
晶装置の“分子物理学(The Molecular Phisics of Liq
uid-Crystal Devices)”、フィジクストゥデイ(Physi
cs Today)、1982年5月、66−74頁、を見られ
たい。これは参照としてここに組み入れる。
【0005】他の実施態様にしたがって、このジアセチ
レン層またはバルクの形態のジアセチレンを含有する材
料に液晶状態をとらせ、この状態において全体的にまた
は画像法(imagewise )方式にて重合させる。液晶ジア
セチレン分子の巧みな選択、またはこの液晶ジアセチレ
ン分子と混和可能な非液晶分子の組み入れによって、多
くの有用な性質をもつ重合した物品を製造することが可
能である。
レン層またはバルクの形態のジアセチレンを含有する材
料に液晶状態をとらせ、この状態において全体的にまた
は画像法(imagewise )方式にて重合させる。液晶ジア
セチレン分子の巧みな選択、またはこの液晶ジアセチレ
ン分子と混和可能な非液晶分子の組み入れによって、多
くの有用な性質をもつ重合した物品を製造することが可
能である。
【0006】本発明のジアセチレン含有組成物はモール
ド、毛細管、またはその他の形態のようなバルクにおい
て重合することもできる。得られたポリマーは構造的、
熱的、電気的、導波的、およびその他の用途に対して有
用であると信じられる。これらのポリマーの取扱いには
キャスティング、モールディング、シート形成、押し出
しなどを包含する広汎な加工法を使用できると信じられ
る。“ポリマー状液晶(Polymeric Liquid Crystals
)”、サマルスキー(Samulski)、フィジクストゥデ
イ、1982年5月、40−46頁を本発明のポリマー
の他の用途を説明するため、参照として挙げておく。
ド、毛細管、またはその他の形態のようなバルクにおい
て重合することもできる。得られたポリマーは構造的、
熱的、電気的、導波的、およびその他の用途に対して有
用であると信じられる。これらのポリマーの取扱いには
キャスティング、モールディング、シート形成、押し出
しなどを包含する広汎な加工法を使用できると信じられ
る。“ポリマー状液晶(Polymeric Liquid Crystals
)”、サマルスキー(Samulski)、フィジクストゥデ
イ、1982年5月、40−46頁を本発明のポリマー
の他の用途を説明するため、参照として挙げておく。
【0007】また本発明にかかる液晶ジアセチレンは、
“ゲスト”分子の組み入れに対する“ホスト”として役
立つとも信じられる。すなわち、非中心対称性(non-ce
ntrosymmetry)、異なる吸収スペクトル、良好な機械
的、熱的、加工的、またはその他の物理的性質のような
有用な性質、およびその他の利点をもつ液晶または非液
晶ゲスト分子は、有効量の液晶ジアセチレンとの会合ま
たは混合によって液晶挙動を帯びることができる。ホス
ト−ゲスト現象についてのさらに詳しい説明は、デワー
ら(Dewar et al.)により、ジャーナルオブオルガニッ
クケミストリイ(Journal of Organic Chemistry)、第
35巻2711頁以降(1970)に記されている。
“ゲスト”分子の組み入れに対する“ホスト”として役
立つとも信じられる。すなわち、非中心対称性(non-ce
ntrosymmetry)、異なる吸収スペクトル、良好な機械
的、熱的、加工的、またはその他の物理的性質のような
有用な性質、およびその他の利点をもつ液晶または非液
晶ゲスト分子は、有効量の液晶ジアセチレンとの会合ま
たは混合によって液晶挙動を帯びることができる。ホス
ト−ゲスト現象についてのさらに詳しい説明は、デワー
ら(Dewar et al.)により、ジャーナルオブオルガニッ
クケミストリイ(Journal of Organic Chemistry)、第
35巻2711頁以降(1970)に記されている。
【0008】他の実施態様においては、液晶ジアセチレ
ンは、それを重合することなく、たとえば、ディスプレ
イおよび他の装置において、また当業者には既知のすべ
ての他の多くの用途に対して使用できる。たとえば、こ
こに参照として組み入れたフィジクストゥデイにおける
カーンの記事を見られたい。
ンは、それを重合することなく、たとえば、ディスプレ
イおよび他の装置において、また当業者には既知のすべ
ての他の多くの用途に対して使用できる。たとえば、こ
こに参照として組み入れたフィジクストゥデイにおける
カーンの記事を見られたい。
【0009】本発明の目的は1種またはそれ以上の液晶
相をもつジアセチレンの製造である。
相をもつジアセチレンの製造である。
【0010】本発明の他の目的は、重合可能なジアルケ
ニルジアセチレン、とくに重合可能なジビニルジアセチ
レンの製造である。
ニルジアセチレン、とくに重合可能なジビニルジアセチ
レンの製造である。
【0011】本発明の他の目的は、液晶状態において重
合できる液晶相をもつジアセチレンを含む材料を提供す
ることである。
合できる液晶相をもつジアセチレンを含む材料を提供す
ることである。
【0012】本発明のなお他の目的は、感知できる非線
型光学効果を示す液晶ジアセチレン材料を提供すること
である。
型光学効果を示す液晶ジアセチレン材料を提供すること
である。
【0013】他の目的は、液晶状態を示す若干のジアセ
チレンを重合する方法の提供であり、ジアセチレンに液
晶状態をとらせ、そうしてその状態において重合を行な
うものである。
チレンを重合する方法の提供であり、ジアセチレンに液
晶状態をとらせ、そうしてその状態において重合を行な
うものである。
【0014】他の目的は、プラスチック加工に適するバ
ルク重合可能なジアセチレンの提供である。
ルク重合可能なジアセチレンの提供である。
【0015】他の目的においては、重合した物品は光学
的、電気光学的、電気音響的、機械的、構造的、熱的、
導電的、およびその他の用途に提供される。
的、電気光学的、電気音響的、機械的、構造的、熱的、
導電的、およびその他の用途に提供される。
【0016】なお他の目的は、ディスプレイなどの用途
に適する液晶相をもつジアセチレンを提供することであ
る。
に適する液晶相をもつジアセチレンを提供することであ
る。
【0017】1枚またはそれ以上の基板と重合した状態
または未重合状態のどちらかの液晶ジアセチレンを含む
組成物の1層またはそれ以上の層とを含む物品の製造も
また本発明の目的である。
または未重合状態のどちらかの液晶ジアセチレンを含む
組成物の1層またはそれ以上の層とを含む物品の製造も
また本発明の目的である。
【0018】基板と液晶ジアセチレンとの上記の集合体
は、ジアセチレンそれ自体が1枚またはそれ以上の基板
に関して配向している本発明のさらに他の目的に従って
も提供される。
は、ジアセチレンそれ自体が1枚またはそれ以上の基板
に関して配向している本発明のさらに他の目的に従って
も提供される。
【0019】他の目的は、画像法方式にて重合できる液
晶ジアセチレン材料の提供である。
晶ジアセチレン材料の提供である。
【0020】その他の諸目的は、本明細書を読むことに
よって当業者には明らかとなるであろう。
よって当業者には明らかとなるであろう。
【0021】本発明は、液晶状態または液晶相を有する
ジアルケニルジアセチレン、特にジビニルジアセチレ
ン、および若干のジアセチレンを提供する。本発明にし
たがうジアルケニルジアセチレンは、次式で表わすこと
ができる。
ジアルケニルジアセチレン、特にジビニルジアセチレ
ン、および若干のジアセチレンを提供する。本発明にし
たがうジアルケニルジアセチレンは、次式で表わすこと
ができる。
【化1】
【0022】ジアルケニルジアセチレンの基本構造を変
えるため広汎な種類の“R”置換基を選択できることは
当業者に理解されるであろうが、現在のところある種の
基が本発明に関連して述べられた1つまたはそれ以上の
性質を提供する可能性が最大のものとして見られてい
る。したがって、上記の式に従うジアルケニルジアセチ
レンにおいて、R1 およびR2 は同じかまたは異なるこ
とができ、そうして水素、シアノ、ハロゲン、および1
個乃至約3個の炭素原子をもつアルキルからなる群より
選ばれ、R3 およびR4 は同じかまたは異なることがで
き、水素、シアノ、ハロゲン、アミノ、アリール、およ
び1個乃至6個の炭素原子をもつアルキルからなる群よ
り選ばれ、R5 およびR6 は同じかまたは異なることが
でき、水素、アルキル、アリール、アラールキル、アル
カリール、およびヘテロ置換された1個乃至約30個の
炭素原子をもつアルキルおよびアリールからなる群より
選ばれるのが好ましい。基R1 、R2 、R3 およびR4
の1個またはそれ以上が、示された二重結合およびジア
セチレン構造と共役するかまたは共役しないエチレン状
不飽和をさらに含むことも可能であると現在考えられ
る。
えるため広汎な種類の“R”置換基を選択できることは
当業者に理解されるであろうが、現在のところある種の
基が本発明に関連して述べられた1つまたはそれ以上の
性質を提供する可能性が最大のものとして見られてい
る。したがって、上記の式に従うジアルケニルジアセチ
レンにおいて、R1 およびR2 は同じかまたは異なるこ
とができ、そうして水素、シアノ、ハロゲン、および1
個乃至約3個の炭素原子をもつアルキルからなる群より
選ばれ、R3 およびR4 は同じかまたは異なることがで
き、水素、シアノ、ハロゲン、アミノ、アリール、およ
び1個乃至6個の炭素原子をもつアルキルからなる群よ
り選ばれ、R5 およびR6 は同じかまたは異なることが
でき、水素、アルキル、アリール、アラールキル、アル
カリール、およびヘテロ置換された1個乃至約30個の
炭素原子をもつアルキルおよびアリールからなる群より
選ばれるのが好ましい。基R1 、R2 、R3 およびR4
の1個またはそれ以上が、示された二重結合およびジア
セチレン構造と共役するかまたは共役しないエチレン状
不飽和をさらに含むことも可能であると現在考えられ
る。
【0023】一般に、液晶材料は高い横縦比(aspect r
atio)をもつ分子構造をもたなければならないと信じら
れている。このことについては異方性分極率をもつ強直
で棒のような分子が好ましいと信じられる。したがって
現在、次式の分子が好ましいと信じられる。
atio)をもつ分子構造をもたなければならないと信じら
れている。このことについては異方性分極率をもつ強直
で棒のような分子が好ましいと信じられる。したがって
現在、次式の分子が好ましいと信じられる。
【化2】 式中、R5 およびR6 は前記と同じ意味を有する。
【0024】液晶相を示すことが現在知られているこれ
らの分子は、次式で表わされるジアセチレンのクラスに
所属するものである。
らの分子は、次式で表わされるジアセチレンのクラスに
所属するものである。
【化3】 式中、R7 およびR8 は同じかまたは異なることがで
き、水素;シアノ;ハロゲン;アミノ;ニトロ;ヒドロ
キシル;スルホキシル;スルホニル;および約1個乃至
24個の炭素原子をもつアルキル、アリール、アルカリ
ール、またはアラールキルからなる群より選ばれる。前
式では、R5 、R6 、R7 、およびR8 はヒドロキシ
ル、スルフヒドリル、アミノ、酸エステル、アミド、ス
ルファミド、ハロなどのような多数の他の置換基をも同
様に包含できる。
き、水素;シアノ;ハロゲン;アミノ;ニトロ;ヒドロ
キシル;スルホキシル;スルホニル;および約1個乃至
24個の炭素原子をもつアルキル、アリール、アルカリ
ール、またはアラールキルからなる群より選ばれる。前
式では、R5 、R6 、R7 、およびR8 はヒドロキシ
ル、スルフヒドリル、アミノ、酸エステル、アミド、ス
ルファミド、ハロなどのような多数の他の置換基をも同
様に包含できる。
【0025】現在液晶挙動を示すことが分かっているこ
れらの分子は、好ましくは次式で表わすことができる。
れらの分子は、好ましくは次式で表わすことができる。
【化4】 式中、R9 は約1個乃至24個の炭素原子をもつアルキ
ルである。
ルである。
【0026】当業者には明らかなように、本発明にした
がって製造されるジアルケニルジアセチレンは、シス−
トランスおよびシン−アンチ異性をとることができる。
現存では、この可能形態の各々が本発明の1またはそれ
以上の実施態様に関連する用途におそらく適するであろ
うと思われる。異性体の混合物もまた有用でありうる。
異なるジアセチレンの混合物もまた使用できる。
がって製造されるジアルケニルジアセチレンは、シス−
トランスおよびシン−アンチ異性をとることができる。
現存では、この可能形態の各々が本発明の1またはそれ
以上の実施態様に関連する用途におそらく適するであろ
うと思われる。異性体の混合物もまた有用でありうる。
異なるジアセチレンの混合物もまた使用できる。
【0027】ジアルケニルジアセチレンは、本特願が依
存しまたここに参照として組み入れられている出願にお
いて述べられたチヨドコビッチ(Chodkowicz)、グレー
ザー(Glaser)、またはその他の反応などによる如きモ
ノビニルアセチレンのカップリングによって合成でき
る。対応するモノビニルアセチレンは、望みのハロアリ
ールのグリニヤ(Grignard)誘導体へのピリダジン−1
−オキシドの付加によって、または本実施例にて充分に
説明するウィッティヒ(Wittig)反応によって合成でき
る。
存しまたここに参照として組み入れられている出願にお
いて述べられたチヨドコビッチ(Chodkowicz)、グレー
ザー(Glaser)、またはその他の反応などによる如きモ
ノビニルアセチレンのカップリングによって合成でき
る。対応するモノビニルアセチレンは、望みのハロアリ
ールのグリニヤ(Grignard)誘導体へのピリダジン−1
−オキシドの付加によって、または本実施例にて充分に
説明するウィッティヒ(Wittig)反応によって合成でき
る。
【0028】製造された誘導体の若干が液晶挙動を示す
ことが見出された。これらの中に、次式で表わされるp
−アルキルフエニルジビニルジアセチレンがある。
ことが見出された。これらの中に、次式で表わされるp
−アルキルフエニルジビニルジアセチレンがある。
【化5】 式中、R9 は約1個乃至約24個の炭素原子を有するア
ルキルである。今日までに製造され且つ試験されたこの
クラスの特定のメンバーには、メチル、エチル、プロピ
ル、およびブチルなどがある。アルキル−フエニル、お
よびおそらくは置換アルキル−フエニルの誘導体の全域
が同様に液晶挙動を示すであろうと期待される。
ルキルである。今日までに製造され且つ試験されたこの
クラスの特定のメンバーには、メチル、エチル、プロピ
ル、およびブチルなどがある。アルキル−フエニル、お
よびおそらくは置換アルキル−フエニルの誘導体の全域
が同様に液晶挙動を示すであろうと期待される。
【0029】合成されたフエニルジビニルジアセチレン
組成物のいくつかは液晶挙動を示さないことが見出され
た。これらは、ニトロフエニル−、ナフテニル−、およ
びビフエニル−ジビニルジアセチレンを含んでいた。ジ
−p−シアノフエニル−およびクロロフエニル−ジビニ
ルジアセチレンが液晶挙動を示すかどうかについてはま
だ明らかでない。
組成物のいくつかは液晶挙動を示さないことが見出され
た。これらは、ニトロフエニル−、ナフテニル−、およ
びビフエニル−ジビニルジアセチレンを含んでいた。ジ
−p−シアノフエニル−およびクロロフエニル−ジビニ
ルジアセチレンが液晶挙動を示すかどうかについてはま
だ明らかでない。
【0030】若干のモノアルケニルジアセチレンもまた
液晶挙動および重合可能性を示すことができ、またここ
に述べた目的に対して同様に有用でありうると信じられ
る。
液晶挙動および重合可能性を示すことができ、またここ
に述べた目的に対して同様に有用でありうると信じられ
る。
【0031】ある化学種が液晶状態または液晶相を有す
るか否かを測定する方法については、当業者は、慣れて
いる。この点については、一般に、問題材料による熱損
失または熱収得のグラフ表示を温度の関数として示す示
差走査熱量測定(differential scanning calorimetr
y)、すなわちDSC、が使用される。液晶状態をもつ
材料に対して、DSCプロットにおける初期の負ピーク
は浅く、これは固体から液体、ガラス、ガス、または分
解生成物への変化ではなく、固体から液晶への相変化を
表わす。固体−液晶遷移は一般に可逆である。一つの液
晶状態から他の液晶状態へ、液晶から液状へなどの付加
的な転移を含む、その他のDSC現象もまた示すことが
できる。液晶挙動はまた光学顕微鏡によっても示され
る。液晶は、粘稠挙動および光学的複屈折を示す。ポリ
マーおよびそれらの前駆体類における液晶状態のさらに
詳しい議論は、ブラムスタイン(Blumstein )、「ポリ
マー中における液晶配列(Liquid Crystalline Order i
n Polymers)」アカデミックプレス(Academic Pres
s)、ニューヨーク(New York)(1978)に述べら
れている。
るか否かを測定する方法については、当業者は、慣れて
いる。この点については、一般に、問題材料による熱損
失または熱収得のグラフ表示を温度の関数として示す示
差走査熱量測定(differential scanning calorimetr
y)、すなわちDSC、が使用される。液晶状態をもつ
材料に対して、DSCプロットにおける初期の負ピーク
は浅く、これは固体から液体、ガラス、ガス、または分
解生成物への変化ではなく、固体から液晶への相変化を
表わす。固体−液晶遷移は一般に可逆である。一つの液
晶状態から他の液晶状態へ、液晶から液状へなどの付加
的な転移を含む、その他のDSC現象もまた示すことが
できる。液晶挙動はまた光学顕微鏡によっても示され
る。液晶は、粘稠挙動および光学的複屈折を示す。ポリ
マーおよびそれらの前駆体類における液晶状態のさらに
詳しい議論は、ブラムスタイン(Blumstein )、「ポリ
マー中における液晶配列(Liquid Crystalline Order i
n Polymers)」アカデミックプレス(Academic Pres
s)、ニューヨーク(New York)(1978)に述べら
れている。
【0032】パラアルキルフエニルジビニルジアセチレ
ンの示差走査熱量測定は、しかしながら、さらに意外な
現象を説明する。固体−液晶遷移および、場合によって
は、付加的な液晶相内遷移のほかに、この材料は顕著な
発熱DSCピークを示す。これはプロピル類についての
図4に見ることができる。この顕著なピークは、この液
晶状態におけるジアセチレンの熱重合を表わす。本発明
にしたがう重合についてのさらに詳しい理解は、フィジ
クストゥデイにおけるサマルスキイの記事によって得ら
れる。
ンの示差走査熱量測定は、しかしながら、さらに意外な
現象を説明する。固体−液晶遷移および、場合によって
は、付加的な液晶相内遷移のほかに、この材料は顕著な
発熱DSCピークを示す。これはプロピル類についての
図4に見ることができる。この顕著なピークは、この液
晶状態におけるジアセチレンの熱重合を表わす。本発明
にしたがう重合についてのさらに詳しい理解は、フィジ
クストゥデイにおけるサマルスキイの記事によって得ら
れる。
【0033】液晶状態のままで重合する液晶ジビニル−
またはジアルケニル−ジアセチレンの能力は、独特なも
のと信じられる。重合して共役主鎖構造を有するポリマ
ーを生成させることのできる他の液晶材料はこれまでに
まだ知られていない。
またはジアルケニル−ジアセチレンの能力は、独特なも
のと信じられる。重合して共役主鎖構造を有するポリマ
ーを生成させることのできる他の液晶材料はこれまでに
まだ知られていない。
【0034】本発明による液晶ジアセチレン材料の重合
能力は光学的、電気光学的、電気音響的、圧電的、機械
的、熱的、伝導的、イオン伝導的、および他の多くの目
的に対して大きな有用性をもつ多数の物品の製造を可能
にする。より詳細には、導波、電気光学的、電気音響
的、焦電的、および他の多数の現象を示しうる重合した
または重合可能な液晶ジアセチレン類を含む物品の製造
が可能である。非線型光学性、高調波発生性(harmonic
generating)、圧電性、および他の多数の性質がこのよ
うな材料によって実現できる。これに関しては、米国出
願第129,560号および第113,552号に関連
して開示された各用途に対しても同様に、本発明の液晶
ジアセチレンおよび他の材料を有利に使用できる。
能力は光学的、電気光学的、電気音響的、圧電的、機械
的、熱的、伝導的、イオン伝導的、および他の多くの目
的に対して大きな有用性をもつ多数の物品の製造を可能
にする。より詳細には、導波、電気光学的、電気音響
的、焦電的、および他の多数の現象を示しうる重合した
または重合可能な液晶ジアセチレン類を含む物品の製造
が可能である。非線型光学性、高調波発生性(harmonic
generating)、圧電性、および他の多数の性質がこのよ
うな材料によって実現できる。これに関しては、米国出
願第129,560号および第113,552号に関連
して開示された各用途に対しても同様に、本発明の液晶
ジアセチレンおよび他の材料を有利に使用できる。
【0035】本発明の液晶材料は、加熱または重合を開
始する放射への曝露によって液晶状態のまま重合でき
る。このような重合は高い効率、立体規則性、および分
子間配向を伴って行なわれることが見出された。したが
って、液晶状態からの液晶ジアセチレンの重合は、場合
によっては、基板上への重合可能な膜または層の迅速な
作り上げまたは別の方法による重合を可能にする。この
ような材料を画像法方式で重合させることもできると信
じられる。したがって、このような画像法加工の可能性
は、本発明の材料が米国出願第340,471号に開示
された方法に参加することおよびそこに開示された物品
を提供することを可能とする。本発明の材料の画像法重
合を提供する同様な能力は、きわめて簡単なミクロリソ
グラフ技術によって複雑な光学的、電気光学的、電気音
響的などの装置の製作を容易にする。
始する放射への曝露によって液晶状態のまま重合でき
る。このような重合は高い効率、立体規則性、および分
子間配向を伴って行なわれることが見出された。したが
って、液晶状態からの液晶ジアセチレンの重合は、場合
によっては、基板上への重合可能な膜または層の迅速な
作り上げまたは別の方法による重合を可能にする。この
ような材料を画像法方式で重合させることもできると信
じられる。したがって、このような画像法加工の可能性
は、本発明の材料が米国出願第340,471号に開示
された方法に参加することおよびそこに開示された物品
を提供することを可能とする。本発明の材料の画像法重
合を提供する同様な能力は、きわめて簡単なミクロリソ
グラフ技術によって複雑な光学的、電気光学的、電気音
響的などの装置の製作を容易にする。
【0036】本発明の実施例にしたがって、液晶相をも
つジアセチレンの1層またはそれ以上の層が1枚または
それ以上の基板の上に作り上げられる。好ましい本実施
態様にしたがって、ジアセチレンの層は、カーンのフィ
ジクストゥデイの記事に述べられているように、表面溝
付けにより、またはジアセチレンとCAMとの共有結合
のあるまたはなしのどちらかにおけるカップリング剤分
子(CAMs)を介して配向されうる。先願において開
示され、またここに参照として組み入れられた記事にお
いてカーンによって示されたCAMsのほかに、シロキ
サン、シラザン、クロロシラン、およびその他の材料を
包含する置換有機シランおよび関連材料が好適である。
基板が金属、金属酸化物、半導体、半導体酸化物、ガラ
ス、ケイ素、石英、および若干のポリマーを含む場合に
は、このようなシラン材料がジアセチレン材料の基板へ
の結合に対してとくに適している。
つジアセチレンの1層またはそれ以上の層が1枚または
それ以上の基板の上に作り上げられる。好ましい本実施
態様にしたがって、ジアセチレンの層は、カーンのフィ
ジクストゥデイの記事に述べられているように、表面溝
付けにより、またはジアセチレンとCAMとの共有結合
のあるまたはなしのどちらかにおけるカップリング剤分
子(CAMs)を介して配向されうる。先願において開
示され、またここに参照として組み入れられた記事にお
いてカーンによって示されたCAMsのほかに、シロキ
サン、シラザン、クロロシラン、およびその他の材料を
包含する置換有機シランおよび関連材料が好適である。
基板が金属、金属酸化物、半導体、半導体酸化物、ガラ
ス、ケイ素、石英、および若干のポリマーを含む場合に
は、このようなシラン材料がジアセチレン材料の基板へ
の結合に対してとくに適している。
【0037】本発明にしたがってそれ自体においておよ
び/または1枚またはそれ以上の基板との関連におい
て、ジアセチレンを配列するための表面配向の使用は、
後続する重合および/またはその他の加工に対して液晶
ジアセチレンの安定な、配向された、組織化されたマク
ロ集合体への組織化を容易にすると信じられる。若干の
液晶材料を含む固体表面の物理的制御のためのCAMs
の使用は、以前から知られているが、ジアセチレンに関
連する使用はこれまでに報告されていない。すなわち、
多くの有用な物品を提供するため、1枚またはそれ以上
の基板の表面に対してCAMsを介して配向されたジア
セチレンの1層またはそれ以上の層を含む物品の製造が
いまや可能である。このような物品は、なお他の有用な
物品を提供するため引き続いて加工できる。得られた集
合体または物品は、エフ.ジェイ.カーン(F. J. Kah
n)によってアプライドフィジクスレター(Applied Phy
sicsLetteer )、第22巻、386頁(1973)に述
べられた方法にしたがってディスプレイ装置として役立
つことができる。当業者は、これらの技術の他の多くの
利用を認めるであろう。配向ジアセチレンの他の多くの
用途も当業者には明白であろう。要するに、液晶ジアセ
チレンは配向があってもなくとも、また基板上でバルク
としてでも、そうでなくとも、液晶材料の使用につい
て、現在知られているすべての方法において使用でき
る。
び/または1枚またはそれ以上の基板との関連におい
て、ジアセチレンを配列するための表面配向の使用は、
後続する重合および/またはその他の加工に対して液晶
ジアセチレンの安定な、配向された、組織化されたマク
ロ集合体への組織化を容易にすると信じられる。若干の
液晶材料を含む固体表面の物理的制御のためのCAMs
の使用は、以前から知られているが、ジアセチレンに関
連する使用はこれまでに報告されていない。すなわち、
多くの有用な物品を提供するため、1枚またはそれ以上
の基板の表面に対してCAMsを介して配向されたジア
セチレンの1層またはそれ以上の層を含む物品の製造が
いまや可能である。このような物品は、なお他の有用な
物品を提供するため引き続いて加工できる。得られた集
合体または物品は、エフ.ジェイ.カーン(F. J. Kah
n)によってアプライドフィジクスレター(Applied Phy
sicsLetteer )、第22巻、386頁(1973)に述
べられた方法にしたがってディスプレイ装置として役立
つことができる。当業者は、これらの技術の他の多くの
利用を認めるであろう。配向ジアセチレンの他の多くの
用途も当業者には明白であろう。要するに、液晶ジアセ
チレンは配向があってもなくとも、また基板上でバルク
としてでも、そうでなくとも、液晶材料の使用につい
て、現在知られているすべての方法において使用でき
る。
【0038】基体上に作り上げられ、基体上においてそ
の自身の中で配向され、また液晶状態のまま重合される
本発明にしたがうジアセチレン液晶材料の能力は、高度
な独特性およびジアセチレン材料の有用な電子的性質の
見地からみてとくに有用である。ここに参照として組み
入れられている米国出願第129,560号およびその
他の出願において充分に論議されるこれらの性質は、電
気光学的、電気音響的、機械的、熱的、伝導的、光学的
およびその他多くの装置をジアセチレンからつくること
を可能にする。本発明にしたがって、このような製作は
向上された簡便さおよび高度の効率をともなって行なわ
れうる。
の自身の中で配向され、また液晶状態のまま重合される
本発明にしたがうジアセチレン液晶材料の能力は、高度
な独特性およびジアセチレン材料の有用な電子的性質の
見地からみてとくに有用である。ここに参照として組み
入れられている米国出願第129,560号およびその
他の出願において充分に論議されるこれらの性質は、電
気光学的、電気音響的、機械的、熱的、伝導的、光学的
およびその他多くの装置をジアセチレンからつくること
を可能にする。本発明にしたがって、このような製作は
向上された簡便さおよび高度の効率をともなって行なわ
れうる。
【0039】CAM分子を経由して基体へのジアセチレ
ンの共有結合を提供するために、場合によっては、この
ような結合用の活性位置を提供するためのジアセチレン
分子の変性が必要となる。すなわち、アミノシランを経
由する基体への共有結合には一般に液晶ジアセチレンの
一端にカルボン酸またはその他の適当な基が必要であろ
う。このような共有結合の使用に対して他のCAMsが
望まれる場合には、他の変性法を選択できる。
ンの共有結合を提供するために、場合によっては、この
ような結合用の活性位置を提供するためのジアセチレン
分子の変性が必要となる。すなわち、アミノシランを経
由する基体への共有結合には一般に液晶ジアセチレンの
一端にカルボン酸またはその他の適当な基が必要であろ
う。このような共有結合の使用に対して他のCAMsが
望まれる場合には、他の変性法を選択できる。
【0040】前記に加えて、本発明のジアルケニルジア
セチレンは、このジアセチレンのジアセチレン部分と共
役する不飽和(オレフィン結合)をもつことが見られう
る。さらに、フエニル環のような不飽和が本発明のジア
ルケニルジアセチレンへさらに組み込まれる場合にはこ
のジアセチレン主鎖におけるさらに電子的なカップリン
グが明示されうる。これらの系の理論的な解析から考え
て、ジアセチレンによって一般的に示される電子的性質
は、ここで企画されているような共役を高められたジア
セチレン材料においては、より明らかであろうし、また
高度に存在するであろう。したがって、このような材料
は、追加的なオレフィン共役をもたないジアセチレンに
比べて著しく高い非線型係数をもつと信じられる。これ
らの効果は重合しても保持される。というのは、これは
得られたポリマーがそのポリマー“主鎖”に沿って共役
不飽和をもつためである。
セチレンは、このジアセチレンのジアセチレン部分と共
役する不飽和(オレフィン結合)をもつことが見られう
る。さらに、フエニル環のような不飽和が本発明のジア
ルケニルジアセチレンへさらに組み込まれる場合にはこ
のジアセチレン主鎖におけるさらに電子的なカップリン
グが明示されうる。これらの系の理論的な解析から考え
て、ジアセチレンによって一般的に示される電子的性質
は、ここで企画されているような共役を高められたジア
セチレン材料においては、より明らかであろうし、また
高度に存在するであろう。したがって、このような材料
は、追加的なオレフィン共役をもたないジアセチレンに
比べて著しく高い非線型係数をもつと信じられる。これ
らの効果は重合しても保持される。というのは、これは
得られたポリマーがそのポリマー“主鎖”に沿って共役
不飽和をもつためである。
【0041】液晶材料は“ゲスト”分子の包含に対して
“ホスト”として働く既知の能力をもっており、この
“ゲスト”分子はそれ自体が液晶である必要はない。す
なわち、本発明に関して、液晶ジアセチレン組成物中
に、とくに望みの性質をもつ液晶または非液晶材料のか
なりの量、および可能ならば主要量を包含することがで
きる。得られたホスト−ゲスト混合物は、液晶性をもつ
ように調製される。これらの好ましい“ゲスト”分子に
は、たとえば、実質的な非線型光学係数、異なる光学吸
収スペクトル、電荷移動、エレクトロンドーピングまた
はイオンドーピング、機械的特性などをもつ材料があ
る。この方法によって、非線型光学的性質をもつものの
ような有用な分子を全液晶系またはアレイ(array )に
送り込むように液晶材料を使用すること、および全ポリ
マー系へこのような有用な分子を組み込むことが可能と
なる。ここに参照として組み入れた米国出願第129,
560号に述べられているように、実質的な非線型光学
係数、およびその他の有用な性質をもつ多くのジアセチ
レンが知られており、且つこのような材料は液晶ジアセ
チレンのアレイまたは集合体の中の“ゲスト”分子とし
てうまく受け入れられることが期待されるので、本発明
の系は電気光学的、電気音響的、導波的およびその他の
高度に有用な光学装置の作製に理想的なものであるよう
に見える。また有用な構造的、ディスプレイ、熱安定
的、導波的、圧電的、およびその他の用途にも使用でき
る。液晶ジアセチレン組織物中に“ゲスト”分子として
包含されるより好ましい材料としても、もちろん、液晶
それ自体が有用な材料である。
“ホスト”として働く既知の能力をもっており、この
“ゲスト”分子はそれ自体が液晶である必要はない。す
なわち、本発明に関して、液晶ジアセチレン組成物中
に、とくに望みの性質をもつ液晶または非液晶材料のか
なりの量、および可能ならば主要量を包含することがで
きる。得られたホスト−ゲスト混合物は、液晶性をもつ
ように調製される。これらの好ましい“ゲスト”分子に
は、たとえば、実質的な非線型光学係数、異なる光学吸
収スペクトル、電荷移動、エレクトロンドーピングまた
はイオンドーピング、機械的特性などをもつ材料があ
る。この方法によって、非線型光学的性質をもつものの
ような有用な分子を全液晶系またはアレイ(array )に
送り込むように液晶材料を使用すること、および全ポリ
マー系へこのような有用な分子を組み込むことが可能と
なる。ここに参照として組み入れた米国出願第129,
560号に述べられているように、実質的な非線型光学
係数、およびその他の有用な性質をもつ多くのジアセチ
レンが知られており、且つこのような材料は液晶ジアセ
チレンのアレイまたは集合体の中の“ゲスト”分子とし
てうまく受け入れられることが期待されるので、本発明
の系は電気光学的、電気音響的、導波的およびその他の
高度に有用な光学装置の作製に理想的なものであるよう
に見える。また有用な構造的、ディスプレイ、熱安定
的、導波的、圧電的、およびその他の用途にも使用でき
る。液晶ジアセチレン組織物中に“ゲスト”分子として
包含されるより好ましい材料としても、もちろん、液晶
それ自体が有用な材料である。
【0042】非線型光学的液晶ジアセチレンは、本発明
の重合したまたは重合していないジアセチレンのジアセ
チレン“主鎖”と共役するオレフィン結合の存在によっ
て利点を得るであろう。そうして上記のような分子の非
線型光学効率の向上を得る。同様の論議は他の多くの潜
在的なゲストにもあてはまる。
の重合したまたは重合していないジアセチレンのジアセ
チレン“主鎖”と共役するオレフィン結合の存在によっ
て利点を得るであろう。そうして上記のような分子の非
線型光学効率の向上を得る。同様の論議は他の多くの潜
在的なゲストにもあてはまる。
【0043】無機または有機のドーパント材料もまたゲ
スト種として包含されうる。たとえば、ヨウ素、テトラ
シアノキノジメタン、およびその他のドーパントが同様
に添加されて、液晶材料または得られたポリマーの伝導
率が改変されうる。すなわち、たとえば、電気および/
またはイオン伝導率を良好に改変するために他のドーパ
ントもまた使用できる。
スト種として包含されうる。たとえば、ヨウ素、テトラ
シアノキノジメタン、およびその他のドーパントが同様
に添加されて、液晶材料または得られたポリマーの伝導
率が改変されうる。すなわち、たとえば、電気および/
またはイオン伝導率を良好に改変するために他のドーパ
ントもまた使用できる。
【0044】前記にしたがって、図1について説明す
る。基板2の上に液晶ジアセチレン4の層が載ってい
る。好ましい実施態様においては、CAM層6はジアセ
チレン層4と基板2との間にはさまれており、層4それ
自体の中においておよび/または基板2に関して層4を
配向させる。実施態様にしたがって、層および基板の集
合は、電場および/または磁場8の中へおくことがで
き、重合のような後続する加工に対するジアセチレン分
子の配列を助ける。
る。基板2の上に液晶ジアセチレン4の層が載ってい
る。好ましい実施態様においては、CAM層6はジアセ
チレン層4と基板2との間にはさまれており、層4それ
自体の中においておよび/または基板2に関して層4を
配向させる。実施態様にしたがって、層および基板の集
合は、電場および/または磁場8の中へおくことがで
き、重合のような後続する加工に対するジアセチレン分
子の配列を助ける。
【0045】図2は図1の集合体であり、液晶ジアセチ
レン層4の上に第2基板8が載っている。この実施態様
においては、ジアセチレン層4の配向はCAM層6およ
び10の介在によって助長される。図2の集合体は、デ
ィスプレイ装置としての用途および液晶材料が適すると
知られている多くの他の機能にとくに適する。このジア
セチレン層4の重合は、加熱または、おそらくは、化学
線放射への曝露によって行なうことができる。ここに示
された集合体は、導波管としての用途またはその他の光
学的、電気光学的、電気音響的などの用途に適する。ジ
アセチレンの巧みな選択によって、電気光学的加工、第
2高調波発生、およびその他の多くの有用な機能が、ジ
アセチレン層4によって遂行できる。この材料はまた、
伝導体、絶縁体、構造ラミネートなどとして使用するこ
ともできる。
レン層4の上に第2基板8が載っている。この実施態様
においては、ジアセチレン層4の配向はCAM層6およ
び10の介在によって助長される。図2の集合体は、デ
ィスプレイ装置としての用途および液晶材料が適すると
知られている多くの他の機能にとくに適する。このジア
セチレン層4の重合は、加熱または、おそらくは、化学
線放射への曝露によって行なうことができる。ここに示
された集合体は、導波管としての用途またはその他の光
学的、電気光学的、電気音響的などの用途に適する。ジ
アセチレンの巧みな選択によって、電気光学的加工、第
2高調波発生、およびその他の多くの有用な機能が、ジ
アセチレン層4によって遂行できる。この材料はまた、
伝導体、絶縁体、構造ラミネートなどとして使用するこ
ともできる。
【0046】図3は集積光学回路であり、これは本発明
の実施態様を使用して製造できるものである。すなわ
ち、基板“チップ”16の上に本発明のジアセチレンお
よび加工法から導かれたパターン化されたポリマー導波
管18が載っている。レーザー光源20のような光信号
源も載っており、これも同様に本発明にしたがって製造
できる。電極アレイ22、光学的コンポーネント24、
検出機またはビームカプラー26、およびその他の多く
の光学的、電気光学的、電気音響的などのコンポーネン
ト28もまた発生された光学信号の処理を促進するため
に、この装置へ組み込まれる。当業者には明らかなよう
に、きわめて広汎な光学的、電気光学的、電気音響的、
導波的、およびその他の回路要素、装置、および集合体
が本発明にしたがって製造できる。
の実施態様を使用して製造できるものである。すなわ
ち、基板“チップ”16の上に本発明のジアセチレンお
よび加工法から導かれたパターン化されたポリマー導波
管18が載っている。レーザー光源20のような光信号
源も載っており、これも同様に本発明にしたがって製造
できる。電極アレイ22、光学的コンポーネント24、
検出機またはビームカプラー26、およびその他の多く
の光学的、電気光学的、電気音響的などのコンポーネン
ト28もまた発生された光学信号の処理を促進するため
に、この装置へ組み込まれる。当業者には明らかなよう
に、きわめて広汎な光学的、電気光学的、電気音響的、
導波的、およびその他の回路要素、装置、および集合体
が本発明にしたがって製造できる。
【0047】下記の諸実施例は説明を試みるためだけの
ものであり、制限と解釈されるべきものではない。
ものであり、制限と解釈されるべきものではない。
【0048】モノビニルアセチレンの合成実施例1 1−(p−トルイル)ブト−1−エン−3−イン 5乃至15℃に維持されたテトラヒドロフラン(30m
l)中0.04g原子当量のマグネシウムと0.04モ
ルの4−ブロモトルエンとから作られたグリニヤ試薬の
溶液に、攪拌しながら、テトラヒドロフラン(15m
l)中ピリダジン−1−オキシド(0.036モル)の
溶液を滴下した。この混合物を25℃にて0.5時間攪
拌し、つぎに約40mlの20%塩酸にて稀釈し、50
mlのエーテルにて3回抽出を行なった。エーテル抽出
物を合わせ、重炭酸ナトリウム溶液および水にて洗浄
し、つぎに乾燥した。この材料を濾過し、蒸発し、n−
ヘキサンによってシリカ上でクロマトグラフにかけ、純
粋なエンインを赤色油(60%)として得た。 NMR:7.1−7.2(4H,m)、6.9(d,1
H)、6.0(dd,1H)、3.0(d,1H)、
2.1(3H,s)。
l)中0.04g原子当量のマグネシウムと0.04モ
ルの4−ブロモトルエンとから作られたグリニヤ試薬の
溶液に、攪拌しながら、テトラヒドロフラン(15m
l)中ピリダジン−1−オキシド(0.036モル)の
溶液を滴下した。この混合物を25℃にて0.5時間攪
拌し、つぎに約40mlの20%塩酸にて稀釈し、50
mlのエーテルにて3回抽出を行なった。エーテル抽出
物を合わせ、重炭酸ナトリウム溶液および水にて洗浄
し、つぎに乾燥した。この材料を濾過し、蒸発し、n−
ヘキサンによってシリカ上でクロマトグラフにかけ、純
粋なエンインを赤色油(60%)として得た。 NMR:7.1−7.2(4H,m)、6.9(d,1
H)、6.0(dd,1H)、3.0(d,1H)、
2.1(3H,s)。
【0049】実施例2 1−(p−エチルフエニル)ブト−1−エン−3−イン 5乃至15℃に維持されたテトラヒドロフラン(15m
l)中Mg(0.02g原子当量)と4−エチルブロモ
ベンゼン(0.02モル)とからのグリニヤ試薬の溶液
へ、攪拌しながら、10mlのテトラヒドロフラン中
0.018モルのピリダジン−1−オキシドの溶液を滴
下した。この混合物を25℃にて0.5時間攪拌し、つ
ぎに約20mlの20%塩酸にて稀釈し、25mlのエ
ーテルにて3回抽出した。エーテル抽出物を合わせ、重
炭酸ナトリウム溶液および水にて洗浄し、乾燥した。濾
過および蒸発に続いてこの残渣をヘキサンによってシリ
カ上でクロマトグラフにかけ、純粋なエンインを金黄色
油(58%)として得た。 NMR:7.1−7.3(4H,m)、7.0(1H,
d)、6.1(1H,dd)、3.0(1H,d)、
2.6(2H,q)、1.3(3H,t)。
l)中Mg(0.02g原子当量)と4−エチルブロモ
ベンゼン(0.02モル)とからのグリニヤ試薬の溶液
へ、攪拌しながら、10mlのテトラヒドロフラン中
0.018モルのピリダジン−1−オキシドの溶液を滴
下した。この混合物を25℃にて0.5時間攪拌し、つ
ぎに約20mlの20%塩酸にて稀釈し、25mlのエ
ーテルにて3回抽出した。エーテル抽出物を合わせ、重
炭酸ナトリウム溶液および水にて洗浄し、乾燥した。濾
過および蒸発に続いてこの残渣をヘキサンによってシリ
カ上でクロマトグラフにかけ、純粋なエンインを金黄色
油(58%)として得た。 NMR:7.1−7.3(4H,m)、7.0(1H,
d)、6.1(1H,dd)、3.0(1H,d)、
2.6(2H,q)、1.3(3H,t)。
【0050】実施例3 1−(p−プロピルフエニル)ブト−1−エン−3−イ
ン 約30mlのアセトニトリル中0.13モルのプロパギ
ルトリフエニル−ホスホニウムブロマイドと0.013
モルのp−プロピルベンツアルデヒドとの溶液を、攪拌
しながら約−50℃において無水アンモニア(15−2
0ml)にて処理した。得られた深黄色の乳濁液を約−
50℃にて約4時間、また0℃にてさらに4時間攪拌
し、最終的には室温に一夜放置した。この溶液を、稀釈
リン酸にて酸性化し、エーテルにて3回抽出した。この
エーテル抽出物を水で洗浄し、合わせ、乾燥し、濾過
し、蒸発して明橙色のシロップを得た。これをシリカの
クロマトグラフにかけた。n−ヘキサンによる溶出液か
ら、このエンインを黄色(31%)として得た。 NMR:0.95(3H,t)、1.6(2H,m)、
2.5(2H,t)、3.5(1H,d)、5.65
(1H,dd)、6.5(1H,d)、7.3(4H,
m)。
ン 約30mlのアセトニトリル中0.13モルのプロパギ
ルトリフエニル−ホスホニウムブロマイドと0.013
モルのp−プロピルベンツアルデヒドとの溶液を、攪拌
しながら約−50℃において無水アンモニア(15−2
0ml)にて処理した。得られた深黄色の乳濁液を約−
50℃にて約4時間、また0℃にてさらに4時間攪拌
し、最終的には室温に一夜放置した。この溶液を、稀釈
リン酸にて酸性化し、エーテルにて3回抽出した。この
エーテル抽出物を水で洗浄し、合わせ、乾燥し、濾過
し、蒸発して明橙色のシロップを得た。これをシリカの
クロマトグラフにかけた。n−ヘキサンによる溶出液か
ら、このエンインを黄色(31%)として得た。 NMR:0.95(3H,t)、1.6(2H,m)、
2.5(2H,t)、3.5(1H,d)、5.65
(1H,dd)、6.5(1H,d)、7.3(4H,
m)。
【0051】実施例4 1−(p−ニトロフエニル)ブト−1−エン−3−イン 約33モルのアセトニトリル中0.13モルのプロパギ
ルトリフエニル−ホスホニウムブロマイドと0.011
モルの4−ニトロベンツアルデヒドとの溶液を、攪拌し
ながら約−50℃において無水アンモニア(15−20
ml)にて処理した。深紫色の反応混合物を約−50℃
にて約4時間、また0℃にてさらに4時間攪拌し、つい
で一夜放置した。これを稀釈リン酸にて酸性化し、酢酸
エチルにて多数回抽出した。有機抽出物を合わせ、水に
て洗浄し、乾燥し、濾過し、蒸発して褐色のシロップを
得た。これをシリカ上でクロマトグラフにかけた。ヘキ
サン/酢酸エチルによる溶出液からこのエンインを黄色
に輝く粉末(36%:融点は68−70℃)として得
た。 NMR:8.0−8.18(2H,m)、8.2−8.
35(2H,m)、6.8(1H,d)、5.9(1
H,dd)、3.47(1H,d)。
ルトリフエニル−ホスホニウムブロマイドと0.011
モルの4−ニトロベンツアルデヒドとの溶液を、攪拌し
ながら約−50℃において無水アンモニア(15−20
ml)にて処理した。深紫色の反応混合物を約−50℃
にて約4時間、また0℃にてさらに4時間攪拌し、つい
で一夜放置した。これを稀釈リン酸にて酸性化し、酢酸
エチルにて多数回抽出した。有機抽出物を合わせ、水に
て洗浄し、乾燥し、濾過し、蒸発して褐色のシロップを
得た。これをシリカ上でクロマトグラフにかけた。ヘキ
サン/酢酸エチルによる溶出液からこのエンインを黄色
に輝く粉末(36%:融点は68−70℃)として得
た。 NMR:8.0−8.18(2H,m)、8.2−8.
35(2H,m)、6.8(1H,d)、5.9(1
H,dd)、3.47(1H,d)。
【0052】モノビニルアセチレンのカップリング実施例5−8における一般的な処理法 無水エタノール(5ml)中の実施例1−4から選ばれ
たエンインへ、約1mlの飽和塩化アンモニウム水溶液
を添加した。次に触媒量の無水塩化第1銅を少しずつ添
加した。この反応物を室温にて数時間攪拌し、終了時に
この混合物を過剰の蒸留水の中へ注入し、少量の稀塩酸
にて酸性化した。固形分を濾別した。濾液を無水エーテ
ルにて抽出し、これを乾燥し、濾過し、蒸発して固形残
渣を得た。全固形残渣を合わせ、適当な液剤から再結晶
した。実施例5−7のすべての生成物は、液晶の特質で
ある粘稠挙動と光学複屈折とを示した。
たエンインへ、約1mlの飽和塩化アンモニウム水溶液
を添加した。次に触媒量の無水塩化第1銅を少しずつ添
加した。この反応物を室温にて数時間攪拌し、終了時に
この混合物を過剰の蒸留水の中へ注入し、少量の稀塩酸
にて酸性化した。固形分を濾別した。濾液を無水エーテ
ルにて抽出し、これを乾燥し、濾過し、蒸発して固形残
渣を得た。全固形残渣を合わせ、適当な液剤から再結晶
した。実施例5−7のすべての生成物は、液晶の特質で
ある粘稠挙動と光学複屈折とを示した。
【0053】実施例5 p−トルイル−ジビニルジアセチレン 室温における約16時間の反応ののち、実施例1の1g
(7mモル)のエンインから0.540gの粗ジアセチ
レンを回収した。この粗製物を無水エタノールから再結
晶して、0.330gの美しい黄色針状物(収率は約3
3%)を得た。DSCの結果は出発エンインの形跡を示
さなかった。このサンプルは吸熱につづく中間的な発熱
重合という形態において液晶相遷移を示した。
(7mモル)のエンインから0.540gの粗ジアセチ
レンを回収した。この粗製物を無水エタノールから再結
晶して、0.330gの美しい黄色針状物(収率は約3
3%)を得た。DSCの結果は出発エンインの形跡を示
さなかった。このサンプルは吸熱につづく中間的な発熱
重合という形態において液晶相遷移を示した。
【0054】実施例6 p−エチル−フエニル−ジビニルジアセチレン 約20時間の反応ののち、実施例2からの0.56g
(3.58mモル)のエンインから0.300gの粗ジ
アセチレンを回収した。この粗製物を無水エタノールに
よって再結晶した。0.152gの薄い黄色針状物(収
率は約27.5%)を得た。DSCの結果は、出発物質
の形跡を示さなかった。このサンプルは100℃、11
5℃、および130℃における3種の液晶相遷移を示
す。重合は140℃より高い温度において起こる。
(3.58mモル)のエンインから0.300gの粗ジ
アセチレンを回収した。この粗製物を無水エタノールに
よって再結晶した。0.152gの薄い黄色針状物(収
率は約27.5%)を得た。DSCの結果は、出発物質
の形跡を示さなかった。このサンプルは100℃、11
5℃、および130℃における3種の液晶相遷移を示
す。重合は140℃より高い温度において起こる。
【0055】実施例7 p−プロピル−フエニル−ジビニルジアセチレン 約24時間反応した実施例3の1.18g(7.5mモ
ル)のエンインから、0.480gの粗製物を反応終了
時に回収した。この粗製物を無水エタノールによって再
結晶し、0.225g(収率は約19%)の長く、薄
い、黄色針状物を得た。DSCの結果を図4に示す。こ
れは液晶相遷移に相当する約156℃における比較的小
さい吸熱を示している。このサンプルは約165℃を超
える温度において液晶状態にてゆっくり重合して、橙赤
色のガラス状固形物となった。
ル)のエンインから、0.480gの粗製物を反応終了
時に回収した。この粗製物を無水エタノールによって再
結晶し、0.225g(収率は約19%)の長く、薄
い、黄色針状物を得た。DSCの結果を図4に示す。こ
れは液晶相遷移に相当する約156℃における比較的小
さい吸熱を示している。このサンプルは約165℃を超
える温度において液晶状態にてゆっくり重合して、橙赤
色のガラス状固形物となった。
【0056】実施例8 p−ニトロ−フエニル−ジビニルジアセチレン 約18時間反応した実施例4からの1.2g(6.86
mモル)のエンインから0.280gの粗製固形を得
た。このサンプルをニトロメタンによって再結晶して、
0.174gの黄橙色の小さな針状物(収率は約14.
5%)を得た。出発エンインの形跡はなかった。このサ
ンプルは約195℃にて溶融して液状となり、液晶挙動
を示すことなく200℃より上の温度にて溶融したまま
分解した。
mモル)のエンインから0.280gの粗製固形を得
た。このサンプルをニトロメタンによって再結晶して、
0.174gの黄橙色の小さな針状物(収率は約14.
5%)を得た。出発エンインの形跡はなかった。このサ
ンプルは約195℃にて溶融して液状となり、液晶挙動
を示すことなく200℃より上の温度にて溶融したまま
分解した。
【0057】液晶ジアセチレンの基板への共有結合的カ
ップリング実施例9 基板の製造 約5000−6000オングストロームの厚みの二酸化
ケイ素表面をもつシリコン基板を、70℃において過酸
化水素と硫酸との50/50混合物の中へ5分間浸して
清浄化し、窒素中で乾燥した。室温にて約4時間、濃硝
酸中においてこのシリコン基板にエッチングを施し、超
純粋蒸留水にて洗浄し、真空中にて乾燥した。還流キシ
レン中に含有されている3−アミノプロピルトリエトキ
シシランの蒸気によって、このシリコンウエハーを処理
することによってアミノプロピルシラン化を行なった。
この反応は、乾燥窒素雰囲気中にて行なった。この方法
にて約16時間このウエハーを処理し、乾燥キシレンで
すすぎ、窒素下で乾燥した。このシラン化された基板の
水接触角(water contact angle )は47°±2°であ
った。10mlの無水ピリジン中に0.075gの1
0,12−ペンタコサジイノン酸(10,12−pentac
osadiynoicacid)(0.20mモル)と0.052gの
N,N−ジシクロヘキシルカルボジイミド(0.25m
モル)とを含有する溶液の中へ、窒素雰囲気下室温にて
約22時間このシラン化された基板を浸した。このウエ
ハーをピリジン中およびエタノール中にすすぎ、つぎに
真空中にて乾燥した。水接触角は90°±2°であっ
た。
ップリング実施例9 基板の製造 約5000−6000オングストロームの厚みの二酸化
ケイ素表面をもつシリコン基板を、70℃において過酸
化水素と硫酸との50/50混合物の中へ5分間浸して
清浄化し、窒素中で乾燥した。室温にて約4時間、濃硝
酸中においてこのシリコン基板にエッチングを施し、超
純粋蒸留水にて洗浄し、真空中にて乾燥した。還流キシ
レン中に含有されている3−アミノプロピルトリエトキ
シシランの蒸気によって、このシリコンウエハーを処理
することによってアミノプロピルシラン化を行なった。
この反応は、乾燥窒素雰囲気中にて行なった。この方法
にて約16時間このウエハーを処理し、乾燥キシレンで
すすぎ、窒素下で乾燥した。このシラン化された基板の
水接触角(water contact angle )は47°±2°であ
った。10mlの無水ピリジン中に0.075gの1
0,12−ペンタコサジイノン酸(10,12−pentac
osadiynoicacid)(0.20mモル)と0.052gの
N,N−ジシクロヘキシルカルボジイミド(0.25m
モル)とを含有する溶液の中へ、窒素雰囲気下室温にて
約22時間このシラン化された基板を浸した。このウエ
ハーをピリジン中およびエタノール中にすすぎ、つぎに
真空中にて乾燥した。水接触角は90°±2°であっ
た。
【0058】実施例10 前記の実施例9の技術は、液晶相をもつジアセチレンに
対して適用できると信じられる。このようなジアセチレ
ンは、アミノシランとの共有結合に対する部位を提供す
るために、一端にカルボン酸または他の適当な基を含有
するように変性されなければならない。または、他のC
AMsをアミノシランに置き換えることもでき、またそ
の他の公知の方法を共有結合用に使用することもでき
る。また表面溝付けおよび非共有結合CAM配向も液晶
ジアセチレンの配向に有用と思われる。
対して適用できると信じられる。このようなジアセチレ
ンは、アミノシランとの共有結合に対する部位を提供す
るために、一端にカルボン酸または他の適当な基を含有
するように変性されなければならない。または、他のC
AMsをアミノシランに置き換えることもでき、またそ
の他の公知の方法を共有結合用に使用することもでき
る。また表面溝付けおよび非共有結合CAM配向も液晶
ジアセチレンの配向に有用と思われる。
【0059】実施例11 DSC評価で確かめられた重合温度に約5乃至30分間
加熱することによって、実施例5−7の液晶ジアセチレ
ンをその液晶状態において重合することができる。
加熱することによって、実施例5−7の液晶ジアセチレ
ンをその液晶状態において重合することができる。
【図1】本発明の実施態様にしたがう物品を示してお
り、これは基板、およびその基板上の重合したまたは重
合可能な液晶ジアセチレン層を含み、このジアセチレン
層はカップリング剤層の介在によってそれ自体の中で配
向されている。
り、これは基板、およびその基板上の重合したまたは重
合可能な液晶ジアセチレン層を含み、このジアセチレン
層はカップリング剤層の介在によってそれ自体の中で配
向されている。
【図2】本発明の他の実施態様にしたがう物品を示して
おり、図1のジアセチレン層の上に第2基板が載り、且
つカップリング剤層が介在している。
おり、図1のジアセチレン層の上に第2基板が載り、且
つカップリング剤層が介在している。
【図3】本発明の1種またはそれ以上の実施態様の使用
によって製作できる多くの有用な装置の中の或るものの
組織図を示す。
によって製作できる多くの有用な装置の中の或るものの
組織図を示す。
【図4】液晶状態をもつジアセチレンの示差走査熱量測
定のプロットである。
定のプロットである。
2,8(図2) 基板 4 液晶ジアセチレン層 6,10 CAM層 8(図1) 電場および/または磁場 14 重合による発熱 16 基板チップ 18 導波管 20 レーザー光源 22 電極アレイ 24 光学コンポーネント 26 ビームカプラー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 C07C 205/06 7537−4H C08F 38/00 MPU
Claims (7)
- 【請求項1】 基板を用意すること、 液晶状態をもつ少なくとも一種のジビニルまたはジアル
ケニルジアセチレンを含む少なくとも一種の組成物の少
なくとも一層を基板上におくこと、および実質的に液晶
状態のままにおいてこの層を画像方式で重合することを
含む重合物品の製造法。 - 【請求項2】 少なくとも該重合工程のまえに、この層
に対して電場および/または磁場をかけることをさらに
含むことを特徴とする請求項1記載の方法。 - 【請求項3】 該重合を化学線照射によって開始するこ
とを特徴とする請求項1記載の方法。 - 【請求項4】 該重合を加熱によって開始する請求項1
記載の方法。 - 【請求項5】 この層の上に第2基板が載る請求項1記
載の方法。 - 【請求項6】 該層が実質的にその自体の中で配向され
る請求項1記載の方法。 - 【請求項7】 該層が基板へ共有結合で結合される請求
項1記載の方法。
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