JPH07197157A - Ｎｉ基合金とそれを用いた半導体製造装置用部材及び液晶製造装置用部材 - Google Patents
Ｎｉ基合金とそれを用いた半導体製造装置用部材及び液晶製造装置用部材Info
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- JPH07197157A JPH07197157A JP35001093A JP35001093A JPH07197157A JP H07197157 A JPH07197157 A JP H07197157A JP 35001093 A JP35001093 A JP 35001093A JP 35001093 A JP35001093 A JP 35001093A JP H07197157 A JPH07197157 A JP H07197157A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ラジカルなハロゲン系の反応性ガスに対して
高耐食性を有し、しかも、真空雰囲気中でのＯ2，Ｎ2等
のガスの放出が少ないＮｉ基合金とそれを用いた半導体
製造装置用部材及び液晶製造装置用部材を提供する。 【構成】 本願発明のＮｉ基合金は、Ｃｒを１４．５〜
２３．４重量％、Ｍｏを１１．５〜１７．４重量％、Ｗ
を５．０重量％以下、Ｆｅを７．０重量％以下、Ｏを
０．００８重量％以下、Ｎを０．０６重量％以下含有
し、残部がＮｉ及び不可避不純物からなることを特徴と
する。
高耐食性を有し、しかも、真空雰囲気中でのＯ2，Ｎ2等
のガスの放出が少ないＮｉ基合金とそれを用いた半導体
製造装置用部材及び液晶製造装置用部材を提供する。 【構成】 本願発明のＮｉ基合金は、Ｃｒを１４．５〜
２３．４重量％、Ｍｏを１１．５〜１７．４重量％、Ｗ
を５．０重量％以下、Ｆｅを７．０重量％以下、Ｏを
０．００８重量％以下、Ｎを０．０６重量％以下含有
し、残部がＮｉ及び不可避不純物からなることを特徴と
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＨＦ，ＨＣｌ，ＨＢｒ
等のラジカルなハロゲン系の反応性ガスに対して良好な
耐食性を有し、かつ、ガス放出特性が優れたＮｉ基合金
とそれを用いた半導体製造装置用部材及び液晶製造装置
用部材に関するものである。
等のラジカルなハロゲン系の反応性ガスに対して良好な
耐食性を有し、かつ、ガス放出特性が優れたＮｉ基合金
とそれを用いた半導体製造装置用部材及び液晶製造装置
用部材に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＬＳＩ、ＶＬＳＩ等の半導体製造
プロセスにおいては、Ｎ2，Ｈ2，ＳｉＨ4，Ｃｌ2，Ｈ
Ｆ，ＨＣｌ，ＨＢｒ等の各種ガスが様々な目的のために
用いられており、これらのガスの中には、毒性、可燃
性、窒息性、腐食性等の極めて危険な性質を有するもの
も多い。上記半導体製造プロセスにおいては、基板の高
清浄化からはじまって成膜、ドライエッチング等、全て
の工程を極めてクリーン度の高い真空下もしくは減圧下
で行なう必要がある。そこで、スパッタリング装置、Ｃ
ＶＤ（化学蒸着）装置、ドライエッチング装置等の各種
半導体製造装置及びこれらの半導体製造装置に各種ガス
を供給する配管等には、例えば、ＳＵＳ３１６Ｌ等のス
テンレススチールが用いられている。
プロセスにおいては、Ｎ2，Ｈ2，ＳｉＨ4，Ｃｌ2，Ｈ
Ｆ，ＨＣｌ，ＨＢｒ等の各種ガスが様々な目的のために
用いられており、これらのガスの中には、毒性、可燃
性、窒息性、腐食性等の極めて危険な性質を有するもの
も多い。上記半導体製造プロセスにおいては、基板の高
清浄化からはじまって成膜、ドライエッチング等、全て
の工程を極めてクリーン度の高い真空下もしくは減圧下
で行なう必要がある。そこで、スパッタリング装置、Ｃ
ＶＤ（化学蒸着）装置、ドライエッチング装置等の各種
半導体製造装置及びこれらの半導体製造装置に各種ガス
を供給する配管等には、例えば、ＳＵＳ３１６Ｌ等のス
テンレススチールが用いられている。
【０００３】また、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）により
駆動される液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）等の液晶製造プ
ロセスにおいても、上記半導体製造プロセスと同様に、
Ｎ2，Ｈ2，ＳｉＨ4，Ｃｌ2，ＨＦ，ＨＣｌ，ＨＢｒ等の
各種ガスが様々な目的のために用いられている。上記液
晶製造プロセスにおいては、ガラス基板へのＩＴＯ膜の
形成、ＴＦＴの形成等、全ての工程を極めてクリーン度
の高い真空下もしくは減圧下で行なう必要がある。そこ
で、各種液晶製造装置及び各種ガス配管等には、例え
ば、ＳＵＳ３１６Ｌ等のステンレススチールが用いられ
ている。
駆動される液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）等の液晶製造プ
ロセスにおいても、上記半導体製造プロセスと同様に、
Ｎ2，Ｈ2，ＳｉＨ4，Ｃｌ2，ＨＦ，ＨＣｌ，ＨＢｒ等の
各種ガスが様々な目的のために用いられている。上記液
晶製造プロセスにおいては、ガラス基板へのＩＴＯ膜の
形成、ＴＦＴの形成等、全ての工程を極めてクリーン度
の高い真空下もしくは減圧下で行なう必要がある。そこ
で、各種液晶製造装置及び各種ガス配管等には、例え
ば、ＳＵＳ３１６Ｌ等のステンレススチールが用いられ
ている。
【０００４】しかしながら、ステンレススチールは、Ｈ
Ｆ，ＨＣｌ，ＨＢｒ等のラジカルなハロゲン系の反応性
ガスに対しては腐食され易いという欠点がある。これら
のガスが完全にドライであれば腐食は起らないのである
が、運転停止時等に外部から僅かな水分が混入したりし
た場合、この水分が残留ガスと反応することにより腐食
性酸を生成し、ステンレススチールが腐食されるという
ことがある。この腐食性酸によるステンレススチールの
腐食生成物は、パーティクルとなってＬＳＩやＶＬＳＩ
等の半導体装置、ＴＦＴ−ＬＣＤ等の液晶等、の歩留ま
りを低下させ、ひいては信頼性を低下させる要因となる
ために、極力発生させない必要がある。
Ｆ，ＨＣｌ，ＨＢｒ等のラジカルなハロゲン系の反応性
ガスに対しては腐食され易いという欠点がある。これら
のガスが完全にドライであれば腐食は起らないのである
が、運転停止時等に外部から僅かな水分が混入したりし
た場合、この水分が残留ガスと反応することにより腐食
性酸を生成し、ステンレススチールが腐食されるという
ことがある。この腐食性酸によるステンレススチールの
腐食生成物は、パーティクルとなってＬＳＩやＶＬＳＩ
等の半導体装置、ＴＦＴ−ＬＣＤ等の液晶等、の歩留ま
りを低下させ、ひいては信頼性を低下させる要因となる
ために、極力発生させない必要がある。
【０００５】そこで、例えば、特公平２−８０１７号公
報に示されるようなＮｉ基合金が提案され実用に供され
ている。このＮｉ基合金は、Ｃｒを２１〜２３重量％、
Ｍｏを１２〜１４重量％、Ｗを２．５〜３．５重量％、
Ｆｅを２．５〜５．５重量％含有し、不純物としてＮ
ｂ，Ｔａ，Ｃ，Ｓｉ，Ｍｎ，Ａｌ，Ｔｉ及びＶを含有す
るもので、ＨＦ，ＨＣｌ，ＨＢｒ等のラジカルなハロゲ
ン系の反応性ガスに対して、例えば、ＳＵＳ３１６Ｌの
５０〜３００倍の耐食性を有する。
報に示されるようなＮｉ基合金が提案され実用に供され
ている。このＮｉ基合金は、Ｃｒを２１〜２３重量％、
Ｍｏを１２〜１４重量％、Ｗを２．５〜３．５重量％、
Ｆｅを２．５〜５．５重量％含有し、不純物としてＮ
ｂ，Ｔａ，Ｃ，Ｓｉ，Ｍｎ，Ａｌ，Ｔｉ及びＶを含有す
るもので、ＨＦ，ＨＣｌ，ＨＢｒ等のラジカルなハロゲ
ン系の反応性ガスに対して、例えば、ＳＵＳ３１６Ｌの
５０〜３００倍の耐食性を有する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のＮｉ
基合金においては、最近新たな問題点が発生しており、
早急に対策を立てることが求められている。それは、前
記各種製造装置及び配管等の表面から真空中にＯ2，Ｎ2
等のガスが放出されるという問題であり、特に、高真空
時、ベーキング時、セルフクリーニング時等において顕
著となる。これらＯ2，Ｎ2等の放出ガスは、反応性ガス
に混入した場合、該反応性ガスの特性を低下させ、さら
に、前記表面からＰやＳ等が同時に放出されると、これ
らＰやＳ等の酸化物が前記反応性ガスに混入し該反応性
ガスの特性を著しく低下させる。したがって、Ｏ2，Ｎ2
等の放出を抑制し、さらに、Ｐ，Ｓ等の放出をも抑制す
る必要がある。
基合金においては、最近新たな問題点が発生しており、
早急に対策を立てることが求められている。それは、前
記各種製造装置及び配管等の表面から真空中にＯ2，Ｎ2
等のガスが放出されるという問題であり、特に、高真空
時、ベーキング時、セルフクリーニング時等において顕
著となる。これらＯ2，Ｎ2等の放出ガスは、反応性ガス
に混入した場合、該反応性ガスの特性を低下させ、さら
に、前記表面からＰやＳ等が同時に放出されると、これ
らＰやＳ等の酸化物が前記反応性ガスに混入し該反応性
ガスの特性を著しく低下させる。したがって、Ｏ2，Ｎ2
等の放出を抑制し、さらに、Ｐ，Ｓ等の放出をも抑制す
る必要がある。
【０００７】本発明は上記の事情に鑑みてなされたもの
であって、ＨＦ，ＨＣｌ，ＨＢｒ等のラジカルなハロゲ
ン系の反応性ガスに対して高耐食性を有し、しかも、真
空雰囲気中でのＯ2，Ｎ2等のガスの放出が少ないＮｉ基
合金とそれを用いた半導体製造装置用部材及び液晶製造
装置用部材を提供することにある。
であって、ＨＦ，ＨＣｌ，ＨＢｒ等のラジカルなハロゲ
ン系の反応性ガスに対して高耐食性を有し、しかも、真
空雰囲気中でのＯ2，Ｎ2等のガスの放出が少ないＮｉ基
合金とそれを用いた半導体製造装置用部材及び液晶製造
装置用部材を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は次の様なＮｉ基合金とそれを用いた半導体
製造装置用部材及び液晶製造装置用部材を採用した。す
なわち、請求項１記載のＮｉ基合金は、Ｃｒを１４．５
〜２３．４重量％、Ｍｏを１１．５〜１７．４重量％、
Ｗを５．０重量％以下、Ｆｅを７．０重量％以下、Ｏを
０．００８重量％以下、Ｎを０．０６重量％以下含有
し、残部がＮｉ及び不可避不純物からなることを特徴と
している。
に、本発明は次の様なＮｉ基合金とそれを用いた半導体
製造装置用部材及び液晶製造装置用部材を採用した。す
なわち、請求項１記載のＮｉ基合金は、Ｃｒを１４．５
〜２３．４重量％、Ｍｏを１１．５〜１７．４重量％、
Ｗを５．０重量％以下、Ｆｅを７．０重量％以下、Ｏを
０．００８重量％以下、Ｎを０．０６重量％以下含有
し、残部がＮｉ及び不可避不純物からなることを特徴と
している。
【０００９】また、請求項２記載のＮｉ基合金は、請求
項１記載のＮｉ基合金において、不純物としてＣを０．
０５重量％以下、Ｓｉを０．１重量％以下、Ｍｎを１．
４重量％以下、Ｖを０．５重量％以下含有することを特
徴としている。
項１記載のＮｉ基合金において、不純物としてＣを０．
０５重量％以下、Ｓｉを０．１重量％以下、Ｍｎを１．
４重量％以下、Ｖを０．５重量％以下含有することを特
徴としている。
【００１０】また、請求項３記載のＮｉ基合金は、請求
項２記載のＮｉ基合金において、前記不純物としてＮｂ
を０．５重量％以下、Ｔａを０．５重量％以下、Ａｌと
Ｔｉを合計０．４重量％以下含有することを特徴として
いる。
項２記載のＮｉ基合金において、前記不純物としてＮｂ
を０．５重量％以下、Ｔａを０．５重量％以下、Ａｌと
Ｔｉを合計０．４重量％以下含有することを特徴として
いる。
【００１１】また、請求項４記載のＮｉ基合金は、請求
項２または３記載のＮｉ基合金において、前記不純物と
してＣｏを２．５重量％以下含有することを特徴として
いる。
項２または３記載のＮｉ基合金において、前記不純物と
してＣｏを２．５重量％以下含有することを特徴として
いる。
【００１２】また、請求項５記載のＮｉ基合金は、請求
項２，３または４記載のＮｉ基合金において、前記不純
物としてＣｕを５．０重量％以下含有することを特徴と
している。
項２，３または４記載のＮｉ基合金において、前記不純
物としてＣｕを５．０重量％以下含有することを特徴と
している。
【００１３】また、請求項６記載の半導体製造装置用部
材は、ＩＣ、ＬＳＩまたはＶＬＳＩを製造する装置に用
いられる金属部材であって、少なくとも、その一方の面
が請求項１，２，３，４または５記載のＮｉ基合金によ
り構成されていることを特徴としている。
材は、ＩＣ、ＬＳＩまたはＶＬＳＩを製造する装置に用
いられる金属部材であって、少なくとも、その一方の面
が請求項１，２，３，４または５記載のＮｉ基合金によ
り構成されていることを特徴としている。
【００１４】また、請求項７記載の液晶製造装置用部材
は、液晶ディスプレイを製造する装置に用いられる金属
部材であって、少なくとも、その一方の面が請求項１，
２，３，４または５記載のＮｉ基合金により構成されて
いることを特徴としている。
は、液晶ディスプレイを製造する装置に用いられる金属
部材であって、少なくとも、その一方の面が請求項１，
２，３，４または５記載のＮｉ基合金により構成されて
いることを特徴としている。
【００１５】ここで、本発明のＮｉ基合金の組成を上記
の様に限定した理由を説明する。まず、請求項１記載の
Ｎｉ基合金において、Ｃｒを１４．５〜２３．４重量％
と限定した理由は、Ｃｒが酸化性の酸に対して耐食性を
向上させるのに効果的であるとともに耐孔食性を付与す
るものであり、この効果はＣｒの含有量が１４．５％未
満では大幅に減少してしまうからであり、また、２３．
４重量％を越えると金属間化合物が本合金内に多量に析
出することとなり熱的安定性が低下するからである。ま
た、還元性の酸に対する耐食性もＣｒの含有量が２３．
４重量％を越えると低下する。
の様に限定した理由を説明する。まず、請求項１記載の
Ｎｉ基合金において、Ｃｒを１４．５〜２３．４重量％
と限定した理由は、Ｃｒが酸化性の酸に対して耐食性を
向上させるのに効果的であるとともに耐孔食性を付与す
るものであり、この効果はＣｒの含有量が１４．５％未
満では大幅に減少してしまうからであり、また、２３．
４重量％を越えると金属間化合物が本合金内に多量に析
出することとなり熱的安定性が低下するからである。ま
た、還元性の酸に対する耐食性もＣｒの含有量が２３．
４重量％を越えると低下する。
【００１６】Ｍｏを１１．５〜１７．４重量％と限定し
た理由は、Ｍｏが還元性の酸に対して耐食性を向上させ
耐孔食性を付与させるのに効果的であり、この効果はＭ
ｏの含有量が１１．５％未満では大幅に減少してしまう
からであり、また、１７．４重量％を越えると酸化性の
酸に対する耐食性が低下し、さらに熱的安定性も同時に
低下するからである。
た理由は、Ｍｏが還元性の酸に対して耐食性を向上させ
耐孔食性を付与させるのに効果的であり、この効果はＭ
ｏの含有量が１１．５％未満では大幅に減少してしまう
からであり、また、１７．４重量％を越えると酸化性の
酸に対する耐食性が低下し、さらに熱的安定性も同時に
低下するからである。
【００１７】Ｗを５．０重量％以下と限定した理由は、
ＷがＭｏと同様の特性を有するものであり、酸化性及び
還元性の酸に対して耐食性を向上させ、熱的安定性を向
上させるのに効果的であるからであり、５．０重量％を
越えると熱間加工性が低下するからである。Ｆｅを７．
０重量％以下と限定した理由は、Ｆｅが本合金に熱間加
工性を付与するのに必要な添加元素であり、７．０重量
％を越えると耐食性が低下してしまうからである。
ＷがＭｏと同様の特性を有するものであり、酸化性及び
還元性の酸に対して耐食性を向上させ、熱的安定性を向
上させるのに効果的であるからであり、５．０重量％を
越えると熱間加工性が低下するからである。Ｆｅを７．
０重量％以下と限定した理由は、Ｆｅが本合金に熱間加
工性を付与するのに必要な添加元素であり、７．０重量
％を越えると耐食性が低下してしまうからである。
【００１８】Ｏを０．００８重量％以下と限定した理由
は、真空中に放出されるＯ2ガスの重量を低減し反応性
ガスの特性を低下させないためであり、Ｏが０．００８
重量％を越えると反応性ガスの特性低下が顕著となるた
めに好ましくない。また、このＯの重量％のより好まし
い範囲は、０．００８重量％以下である。Ｎを０．０６
重量％以下と限定した理由は、真空中に放出されるＮ2
ガスの重量を低減し反応性ガスの特性を低下させないた
めであり、Ｎが０．０６重量％を越えると反応性ガスの
特性低下が顕著となるために好ましくない。また、この
Ｎの重量％のより好ましい範囲は、０．０４重量％以下
である。
は、真空中に放出されるＯ2ガスの重量を低減し反応性
ガスの特性を低下させないためであり、Ｏが０．００８
重量％を越えると反応性ガスの特性低下が顕著となるた
めに好ましくない。また、このＯの重量％のより好まし
い範囲は、０．００８重量％以下である。Ｎを０．０６
重量％以下と限定した理由は、真空中に放出されるＮ2
ガスの重量を低減し反応性ガスの特性を低下させないた
めであり、Ｎが０．０６重量％を越えると反応性ガスの
特性低下が顕著となるために好ましくない。また、この
Ｎの重量％のより好ましい範囲は、０．０４重量％以下
である。
【００１９】また、請求項２記載のＮｉ基合金におい
て、Ｃを０．０５重量％以下と限定した理由は、Ｃは炭
化物として本合金内に析出するおそれがあるために極力
少ないのが望ましく、０．０５重量％を越えると炭化物
の析出が大量に生じ、加えて金属間化合物の析出も大量
に生じることとなり、熱的安定性が低下するからであ
る。
て、Ｃを０．０５重量％以下と限定した理由は、Ｃは炭
化物として本合金内に析出するおそれがあるために極力
少ないのが望ましく、０．０５重量％を越えると炭化物
の析出が大量に生じ、加えて金属間化合物の析出も大量
に生じることとなり、熱的安定性が低下するからであ
る。
【００２０】Ｓｉを０．１重量％以下と限定した理由
は、Ｓｉが熱的安定性を低下させるものであるから極力
少ないのが望ましく、０．１重量％が許容できる上限で
ある。Ｍｎを１．４重量％以下と限定した理由は、Ｍｎ
は再溶解工程においてフラックスとして必要であるが、
１．４重量％を越えると耐孔食性が劣化するからであ
る。Ｖを０．５重量％以下と限定した理由は、Ｖが通常
の原料中に存在する不純物であり、０．５重量％を越え
ると熱的安定性が低下する。
は、Ｓｉが熱的安定性を低下させるものであるから極力
少ないのが望ましく、０．１重量％が許容できる上限で
ある。Ｍｎを１．４重量％以下と限定した理由は、Ｍｎ
は再溶解工程においてフラックスとして必要であるが、
１．４重量％を越えると耐孔食性が劣化するからであ
る。Ｖを０．５重量％以下と限定した理由は、Ｖが通常
の原料中に存在する不純物であり、０．５重量％を越え
ると熱的安定性が低下する。
【００２１】また、請求項３記載のＮｉ基合金におい
て、Ｎｂを０．５重量％以下、Ｔａを０．５重量％以下
と限定した理由は、Ｎｂ及びＴａが通常の原料中に高濃
度で存在する不純物で、ＨＦ，ＨＣｌ，ＨＢｒ等のラジ
カルなハロゲン系の反応性ガスに対する耐食性が向上す
るからであり、これらが各々０．５重量％を越えると熱
的安定性が劣化し、ハロゲン系の反応性ガスに対する耐
食性が低下してしまい好ましくない。ＡｌとＴｉを合計
０．４重量％以下としたのは、合計０．４重量％以下で
あれば格別悪影響を及ぼすおそれがないからである。
て、Ｎｂを０．５重量％以下、Ｔａを０．５重量％以下
と限定した理由は、Ｎｂ及びＴａが通常の原料中に高濃
度で存在する不純物で、ＨＦ，ＨＣｌ，ＨＢｒ等のラジ
カルなハロゲン系の反応性ガスに対する耐食性が向上す
るからであり、これらが各々０．５重量％を越えると熱
的安定性が劣化し、ハロゲン系の反応性ガスに対する耐
食性が低下してしまい好ましくない。ＡｌとＴｉを合計
０．４重量％以下としたのは、合計０．４重量％以下で
あれば格別悪影響を及ぼすおそれがないからである。
【００２２】また、請求項４記載のＮｉ基合金におい
て、Ｃｏを２．５重量％以下としたのは、Ｃｏが通常の
原料中に存在する不純物であり、ＨＦ，ＨＣｌ，ＨＢｒ
等のラジカルなハロゲン系の反応性ガスに対する耐食性
が向上するからであり、２．５重量％を越えると、ハロ
ゲン系の反応性ガスに対する耐食性が低下してしまい好
ましくない。
て、Ｃｏを２．５重量％以下としたのは、Ｃｏが通常の
原料中に存在する不純物であり、ＨＦ，ＨＣｌ，ＨＢｒ
等のラジカルなハロゲン系の反応性ガスに対する耐食性
が向上するからであり、２．５重量％を越えると、ハロ
ゲン系の反応性ガスに対する耐食性が低下してしまい好
ましくない。
【００２３】また、請求項５記載のＮｉ基合金におい
て、Ｃｕを５．０重量％以下としたのは、Ｃｕが還元性
の酸に対して耐食性を向上させるのに効果的であり、こ
れが５．０重量％を越えると効果が飽和してしまうから
である。
て、Ｃｕを５．０重量％以下としたのは、Ｃｕが還元性
の酸に対して耐食性を向上させるのに効果的であり、こ
れが５．０重量％を越えると効果が飽和してしまうから
である。
【００２４】上述した請求項１，２，３，４または５記
載のＮｉ基合金を用いてスパッタリング装置、ＣＶＤ装
置、ドライエッチング装置等の各種半導体製造装置及び
これらの半導体製造装置に各種ガスを供給する配管等を
作製すれば、これらの半導体製造装置や配管は、ＨＦ，
ＨＣｌ，ＨＢｒ等のラジカルなハロゲン系の反応性ガス
に対して優れた耐食性を有することとなり、しかも、真
空雰囲気中において装置の表面からのＯ2，Ｎ2の放出が
減少する。したがって、ハロゲン系ガスに対する耐食性
及びガス放出特性が向上する。これより、作製されるＬ
ＳＩ、ＶＬＳＩ等の半導体の歩留まり及び信頼性が向上
する。
載のＮｉ基合金を用いてスパッタリング装置、ＣＶＤ装
置、ドライエッチング装置等の各種半導体製造装置及び
これらの半導体製造装置に各種ガスを供給する配管等を
作製すれば、これらの半導体製造装置や配管は、ＨＦ，
ＨＣｌ，ＨＢｒ等のラジカルなハロゲン系の反応性ガス
に対して優れた耐食性を有することとなり、しかも、真
空雰囲気中において装置の表面からのＯ2，Ｎ2の放出が
減少する。したがって、ハロゲン系ガスに対する耐食性
及びガス放出特性が向上する。これより、作製されるＬ
ＳＩ、ＶＬＳＩ等の半導体の歩留まり及び信頼性が向上
する。
【００２５】また、請求項１，２，３，４または５記載
のＮｉ基合金を用いて各種液晶製造装置及び各種ガス配
管等を作製した場合においても、これら装置及び配管等
はＨＦ，ＨＣｌ，ＨＢｒ等のラジカルなハロゲン系の反
応性ガスに対して優れた耐食性を有することとなり、し
かも、真空雰囲気中において装置の表面からのＯ2，Ｎ2
の放出が減少する。したがって、ハロゲン系ガスに対す
る耐食性及びガス放出特性が向上する。これより、作製
されるＴＦＴ−ＬＣＤ等の液晶の歩留まり及び信頼性が
向上する。
のＮｉ基合金を用いて各種液晶製造装置及び各種ガス配
管等を作製した場合においても、これら装置及び配管等
はＨＦ，ＨＣｌ，ＨＢｒ等のラジカルなハロゲン系の反
応性ガスに対して優れた耐食性を有することとなり、し
かも、真空雰囲気中において装置の表面からのＯ2，Ｎ2
の放出が減少する。したがって、ハロゲン系ガスに対す
る耐食性及びガス放出特性が向上する。これより、作製
されるＴＦＴ−ＬＣＤ等の液晶の歩留まり及び信頼性が
向上する。
【００２６】
【実施例】以下、本発明の一実施例のＮｉ基合金につい
て説明する。図１はＣＶＤ装置のハロゲン系反応性ガス
用配管を示す斜視図である。このＥＰチューブ１は、外
径が６．３５ｍｍ、肉厚が０．８９ｍｍのチューブであ
り、Ｃｒを１４．５〜２３．４重量％、Ｍｏを１１．５
〜１７．４重量％、Ｗを５．０重量％以下、Ｆｅを７．
０重量％以下含有するとともに、不純物としてＣを０．
０５重量％以下、Ｓｉを０．１重量％以下、Ｍｎを１．
４重量％以下、Ｖを０．５重量％以下、Ｏを０．００８
重量％以下、Ｎを０．０６重量％以下含有し、残部がＮ
ｉ及び不可避不純物からなるＮｉ基合金である。
て説明する。図１はＣＶＤ装置のハロゲン系反応性ガス
用配管を示す斜視図である。このＥＰチューブ１は、外
径が６．３５ｍｍ、肉厚が０．８９ｍｍのチューブであ
り、Ｃｒを１４．５〜２３．４重量％、Ｍｏを１１．５
〜１７．４重量％、Ｗを５．０重量％以下、Ｆｅを７．
０重量％以下含有するとともに、不純物としてＣを０．
０５重量％以下、Ｓｉを０．１重量％以下、Ｍｎを１．
４重量％以下、Ｖを０．５重量％以下、Ｏを０．００８
重量％以下、Ｎを０．０６重量％以下含有し、残部がＮ
ｉ及び不可避不純物からなるＮｉ基合金である。
【００２７】前記不純物として、さらに、Ｎｂを０．５
重量％以下、Ｔａを０．５重量％以下、ＡｌとＴｉを合
計０．４重量％以下、または、Ｃｏを２．５重量％以下
加えれば、ハロゲン系の反応性ガスに対する耐食性がさ
らに向上する。また、さらに、Ｃｕを５．０重量％以下
加えれば、還元性の酸に対する耐食性がさらに向上す
る。
重量％以下、Ｔａを０．５重量％以下、ＡｌとＴｉを合
計０．４重量％以下、または、Ｃｏを２．５重量％以下
加えれば、ハロゲン系の反応性ガスに対する耐食性がさ
らに向上する。また、さらに、Ｃｕを５．０重量％以下
加えれば、還元性の酸に対する耐食性がさらに向上す
る。
【００２８】このＮｉ基合金を用いた半導体製造装置用
部材及び液晶製造装置用部材としては、前記ＥＰチュー
ブ１の他に、例えば、ベロー、フィルタ、Ｏリング、フ
レキシブルチューブ、継手、圧力調節器やマスフローコ
ントローラーのガス流路部等のガス配管部材、スパッタ
リング装置、ＣＶＤ装置、ドライエッチング装置等のベ
ルジャー及び、該ベルジャー内に配設されるシャッター
等の部材が挙げられる。
部材及び液晶製造装置用部材としては、前記ＥＰチュー
ブ１の他に、例えば、ベロー、フィルタ、Ｏリング、フ
レキシブルチューブ、継手、圧力調節器やマスフローコ
ントローラーのガス流路部等のガス配管部材、スパッタ
リング装置、ＣＶＤ装置、ドライエッチング装置等のベ
ルジャー及び、該ベルジャー内に配設されるシャッター
等の部材が挙げられる。
【００２９】次に、このＥＰチューブ１の製造方法につ
いて説明する。所定の組成比となるように各原料を秤量
し、これらの原料をエルー溶解後、ＡＯＤ（アルゴンー
酸素脱炭）精錬、ＥＳＲ（エレクトロスラブ）精錬を行
ない、得られた溶湯を造塊し、その後、熱間鍛造、ビレ
ット加工、熱間押出を行うことにより素管を製造した。
その後、冷間圧延、冷間引き抜きを行い、チューブ状に
した。この時の中間熱処理は光輝焼鈍（ＢＡ）処理であ
る。その後、該チューブの内面に電解研磨を施し、さら
に、洗浄、乾燥を施し、ＥＰチューブとした。従来と異
なる点は、ＡＯＤ精錬において高純度アルゴンガスを用
いることと、ＥＳＲ精錬を２回以上行うことである。ま
た、真空溶解プロセスを用いても構わない。
いて説明する。所定の組成比となるように各原料を秤量
し、これらの原料をエルー溶解後、ＡＯＤ（アルゴンー
酸素脱炭）精錬、ＥＳＲ（エレクトロスラブ）精錬を行
ない、得られた溶湯を造塊し、その後、熱間鍛造、ビレ
ット加工、熱間押出を行うことにより素管を製造した。
その後、冷間圧延、冷間引き抜きを行い、チューブ状に
した。この時の中間熱処理は光輝焼鈍（ＢＡ）処理であ
る。その後、該チューブの内面に電解研磨を施し、さら
に、洗浄、乾燥を施し、ＥＰチューブとした。従来と異
なる点は、ＡＯＤ精錬において高純度アルゴンガスを用
いることと、ＥＳＲ精錬を２回以上行うことである。ま
た、真空溶解プロセスを用いても構わない。
【００３０】表１は、本実施例のＮｉ基合金（Ｎｏ．１
〜７）各々の組成と、本発明の組成以外のＮｉ基合金
（比較例）（Ｎｏ．１１〜１７）各々の組成とを、重量
百分率で表わしたものである。
〜７）各々の組成と、本発明の組成以外のＮｉ基合金
（比較例）（Ｎｏ．１１〜１７）各々の組成とを、重量
百分率で表わしたものである。
【００３１】
【表１】
【００３２】
【表２】
【００３３】また、表３は、上記実施例及び比較例の各
々のガス放出特性を調べた結果を示したものである。ま
た、これらのうち本実施例Ｎｏ．３については図２に、
また、比較例Ｎｏ．１５については図３に、それぞれＯ
2及びＮ2のガス放出特性を示してある。
々のガス放出特性を調べた結果を示したものである。ま
た、これらのうち本実施例Ｎｏ．３については図２に、
また、比較例Ｎｏ．１５については図３に、それぞれＯ
2及びＮ2のガス放出特性を示してある。
【００３４】
【表３】
【００３５】試験方法は、上記実施例及び比較例各々の
Ｎｉ基合金について、外径が６．３５ｍｍ、肉厚が０．
８９ｍｍのチューブを電解研磨して試験片を作製し、こ
れら各試験片を室温（２５℃）で５時間、１００℃で２
時間、２００℃で５時間各々放置し、全放置時間（１２
時間）後に発生したＯ2及びＮ2のガス分圧を測定した。
Ｎｉ基合金について、外径が６．３５ｍｍ、肉厚が０．
８９ｍｍのチューブを電解研磨して試験片を作製し、こ
れら各試験片を室温（２５℃）で５時間、１００℃で２
時間、２００℃で５時間各々放置し、全放置時間（１２
時間）後に発生したＯ2及びＮ2のガス分圧を測定した。
【００３６】表３から明かなように、本実施例のＮｉ基
合金（Ｎｏ．１〜７）は全てＯ2が８．５×１０-9Torr
以下、Ｎ2が２．９×１０-8Torr以下であり、比較例の
Ｎｉ基合金（Ｎｏ．１１〜１７）のＯ2が７．７×１０
-9〜３．２×１０-8Torr、Ｎ2が１．９×１０-8〜６．
８×１０-8Torrであるのと比べて、ガス放出特性が大幅
に向上していることがわかる。
合金（Ｎｏ．１〜７）は全てＯ2が８．５×１０-9Torr
以下、Ｎ2が２．９×１０-8Torr以下であり、比較例の
Ｎｉ基合金（Ｎｏ．１１〜１７）のＯ2が７．７×１０
-9〜３．２×１０-8Torr、Ｎ2が１．９×１０-8〜６．
８×１０-8Torrであるのと比べて、ガス放出特性が大幅
に向上していることがわかる。
【００３７】また、表４は、上記実施例及び比較例の各
々の「ウエットＨＢｒガスへの耐食性」及び「ウエット
ＨＢｒガスによる腐食後のパーティクル発生特性」を調
べた結果を示したものである。
々の「ウエットＨＢｒガスへの耐食性」及び「ウエット
ＨＢｒガスによる腐食後のパーティクル発生特性」を調
べた結果を示したものである。
【００３８】
【表４】
【００３９】「ウエットＨＢｒガスへの耐食性」は、外
径が６．３５ｍｍ、肉厚が０．８９ｍｍのチューブを電
解研磨して試験片とし、該試験片にウエットＨＢｒガス
を封入し、６時間後に走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用い
て腐食の経時変化を観察し、腐食生成物が生じなかった
ものを「○」、生じたものを「×」とした。なお、封入
条件は 封入ガス：９０％ＨＢｒ＋１００ppmＨ2Ｏ＋Ｎ2 温 度：室温（２５℃） である。
径が６．３５ｍｍ、肉厚が０．８９ｍｍのチューブを電
解研磨して試験片とし、該試験片にウエットＨＢｒガス
を封入し、６時間後に走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用い
て腐食の経時変化を観察し、腐食生成物が生じなかった
ものを「○」、生じたものを「×」とした。なお、封入
条件は 封入ガス：９０％ＨＢｒ＋１００ppmＨ2Ｏ＋Ｎ2 温 度：室温（２５℃） である。
【００４０】また、「ウエットＨＢｒガスによる腐食後
のパーティクル発生特性」は、上記試験片に室温のウエ
ットＨＢｒガスを封入して、２４時間保持後、静置２０
分＋ハンマリング２０分＋静置１０分の計５０分間に発
生するパーティクル数（個／ＣＦ）を測定した。
のパーティクル発生特性」は、上記試験片に室温のウエ
ットＨＢｒガスを封入して、２４時間保持後、静置２０
分＋ハンマリング２０分＋静置１０分の計５０分間に発
生するパーティクル数（個／ＣＦ）を測定した。
【００４１】表４から明かなように、本実施例のＮｉ基
合金（Ｎｏ．１〜７）は全て「ウエットＨＢｒガスへの
耐食性」が良好であり、「ウエットＨＢｒガスによる腐
食後のパーティクル発生特性」のパーティクル数が２
（個／ＣＦ）以下であり、比較例のＮｉ基合金（Ｎｏ．
１１〜１７）と比べて大幅に向上していることがわか
る。
合金（Ｎｏ．１〜７）は全て「ウエットＨＢｒガスへの
耐食性」が良好であり、「ウエットＨＢｒガスによる腐
食後のパーティクル発生特性」のパーティクル数が２
（個／ＣＦ）以下であり、比較例のＮｉ基合金（Ｎｏ．
１１〜１７）と比べて大幅に向上していることがわか
る。
【００４２】以上説明した様に、上記一実施例のＮｉ基
合金によれば、Ｃｒを１４．５〜２３．４重量％、Ｍｏ
を１１．５〜１７．４重量％、Ｗを５．０重量％以下、
Ｆｅを７．０重量％以下含有するとともに、不純物とし
てＣを０．０５重量％以下、Ｓｉを０．１重量％以下、
Ｍｎを１．４重量％以下、Ｖを０．５重量％以下、Ｏを
０．００８重量％以下、Ｎを０．０６重量％以下含有
し、残部がＮｉ及び不可避不純物としたので、ハロゲン
系ガスに対する耐食性及びガス放出特性を向上させるこ
とができる。
合金によれば、Ｃｒを１４．５〜２３．４重量％、Ｍｏ
を１１．５〜１７．４重量％、Ｗを５．０重量％以下、
Ｆｅを７．０重量％以下含有するとともに、不純物とし
てＣを０．０５重量％以下、Ｓｉを０．１重量％以下、
Ｍｎを１．４重量％以下、Ｖを０．５重量％以下、Ｏを
０．００８重量％以下、Ｎを０．０６重量％以下含有
し、残部がＮｉ及び不可避不純物としたので、ハロゲン
系ガスに対する耐食性及びガス放出特性を向上させるこ
とができる。
【００４３】また、前記不純物として、さらに、Ｎｂを
０．５重量％以下、Ｔａを０．５重量％以下、ＡｌとＴ
ｉを合計０．４重量％以下、または、Ｃｏを２．５重量
％以下加えたので、ハロゲン系の反応性ガスに対する耐
食性をさらに向上させることができる。
０．５重量％以下、Ｔａを０．５重量％以下、ＡｌとＴ
ｉを合計０．４重量％以下、または、Ｃｏを２．５重量
％以下加えたので、ハロゲン系の反応性ガスに対する耐
食性をさらに向上させることができる。
【００４４】さらに、上記実施例のＮｉ基合金を用い
て、各種半導体製造装置、各種液晶製造装置及び配管等
を作製すれば、これらの製造装置及び配管のハロゲン系
ガスに対する耐食性及びＯ2，Ｎ2のガス放出特性を向上
させることができ、したがって、ハロゲン系ガスに対す
る耐食性及びＯ2，Ｎ2のガス放出特性を向上させること
ができる。これより、作製されるＬＳＩ、ＶＬＳＩ等の
半導体、ＴＦＴ−ＬＣＤ等の液晶の歩留まり及び信頼性
を向上させることができる。
て、各種半導体製造装置、各種液晶製造装置及び配管等
を作製すれば、これらの製造装置及び配管のハロゲン系
ガスに対する耐食性及びＯ2，Ｎ2のガス放出特性を向上
させることができ、したがって、ハロゲン系ガスに対す
る耐食性及びＯ2，Ｎ2のガス放出特性を向上させること
ができる。これより、作製されるＬＳＩ、ＶＬＳＩ等の
半導体、ＴＦＴ−ＬＣＤ等の液晶の歩留まり及び信頼性
を向上させることができる。
【００４５】なお、この実施例では形状をチューブ状と
したが、この形状はチューブ状に限定されることなく例
えば、板状、円筒状等、装置の形状によって適宜変更可
能である。また、この実施例のＮｉ基合金は、上記一実
施例に限定されることなく様々な形態で使用することが
可能である。例えば、ベルジャーやベローの場合では、
ベルジャー本体やベローの内面に該Ｎｉ基合金をライニ
ングしたり、クラッド鋼として用いてもよい。
したが、この形状はチューブ状に限定されることなく例
えば、板状、円筒状等、装置の形状によって適宜変更可
能である。また、この実施例のＮｉ基合金は、上記一実
施例に限定されることなく様々な形態で使用することが
可能である。例えば、ベルジャーやベローの場合では、
ベルジャー本体やベローの内面に該Ｎｉ基合金をライニ
ングしたり、クラッド鋼として用いてもよい。
【００４６】
【発明の効果】以上説明した様に、本発明の請求項１記
載のＮｉ基合金によれば、Ｃｒを１４．５〜２３．４重
量％、Ｍｏを１１．５〜１７．４重量％、Ｗを５．０重
量％以下、Ｆｅを７．０重量％以下、Ｏを０．００８重
量％以下、Ｎを０．０６重量％以下含有し、残部がＮｉ
及び不可避不純物からなることとしたので、ハロゲン系
ガスに対する耐食性及びＯ2，Ｎ2のガス放出特性を向上
させることができる。
載のＮｉ基合金によれば、Ｃｒを１４．５〜２３．４重
量％、Ｍｏを１１．５〜１７．４重量％、Ｗを５．０重
量％以下、Ｆｅを７．０重量％以下、Ｏを０．００８重
量％以下、Ｎを０．０６重量％以下含有し、残部がＮｉ
及び不可避不純物からなることとしたので、ハロゲン系
ガスに対する耐食性及びＯ2，Ｎ2のガス放出特性を向上
させることができる。
【００４７】また、請求項２記載のＮｉ基合金によれ
ば、不純物としてＣを０．０５重量％以下、Ｓｉを０．
１重量％以下、Ｍｎを１．４重量％以下、Ｖを０．５重
量％以下含有することとしたので、ハロゲン系ガスに対
する耐食性及び熱的安定性を向上させることができる。
ば、不純物としてＣを０．０５重量％以下、Ｓｉを０．
１重量％以下、Ｍｎを１．４重量％以下、Ｖを０．５重
量％以下含有することとしたので、ハロゲン系ガスに対
する耐食性及び熱的安定性を向上させることができる。
【００４８】また、請求項３記載のＮｉ基合金によれ
ば、前記不純物としてＮｂを０．５重量％以下、Ｔａを
０．５重量％以下、ＡｌとＴｉを合計０．４重量％以下
含有することとしたので、ハロゲン系の反応性ガスに対
する耐食性をさらに向上させることができる。
ば、前記不純物としてＮｂを０．５重量％以下、Ｔａを
０．５重量％以下、ＡｌとＴｉを合計０．４重量％以下
含有することとしたので、ハロゲン系の反応性ガスに対
する耐食性をさらに向上させることができる。
【００４９】また、請求項４記載のＮｉ基合金によれ
ば、前記不純物としてＣｏを２．５重量％以下含有する
こととしたので、ハロゲン系の反応性ガスに対する耐食
性をさらに向上させることができる。
ば、前記不純物としてＣｏを２．５重量％以下含有する
こととしたので、ハロゲン系の反応性ガスに対する耐食
性をさらに向上させることができる。
【００５０】また、請求項５記載のＮｉ基合金によれ
ば、前記不純物としてＣｕを５．０重量％以下含有する
こととしたので、還元性の酸に対する耐食性をさらに向
上させることができる。
ば、前記不純物としてＣｕを５．０重量％以下含有する
こととしたので、還元性の酸に対する耐食性をさらに向
上させることができる。
【００５１】また、請求項６記載の半導体製造装置用部
材によれば、ＩＣ、ＬＳＩまたはＶＬＳＩを製造する装
置に用いられる金属部材であって、少なくとも、その一
方の面が請求項１，２，３，４または５記載のＮｉ基合
金により構成することとしたので、ハロゲン系ガスに対
する耐食性及びＯ2，Ｎ2のガス放出特性を向上させるこ
とができる。これより、作製されるＬＳＩ、ＶＬＳＩ等
の半導体の歩留まり及び信頼性を向上させることができ
る。
材によれば、ＩＣ、ＬＳＩまたはＶＬＳＩを製造する装
置に用いられる金属部材であって、少なくとも、その一
方の面が請求項１，２，３，４または５記載のＮｉ基合
金により構成することとしたので、ハロゲン系ガスに対
する耐食性及びＯ2，Ｎ2のガス放出特性を向上させるこ
とができる。これより、作製されるＬＳＩ、ＶＬＳＩ等
の半導体の歩留まり及び信頼性を向上させることができ
る。
【００５２】また、請求項７記載の液晶製造装置用部材
によれば、液晶ディスプレイを製造する装置に用いられ
る金属部材であって、少なくとも、その一方の面が請求
項１，２，３，４または５記載のＮｉ基合金により構成
することとしたので、ハロゲン系ガスに対する耐食性及
びＯ2，Ｎ2のガス放出特性を向上させることができる。
これより、作製されるＴＦＴ−ＬＣＤ等の液晶の歩留ま
り及び信頼性を向上させることができる。
によれば、液晶ディスプレイを製造する装置に用いられ
る金属部材であって、少なくとも、その一方の面が請求
項１，２，３，４または５記載のＮｉ基合金により構成
することとしたので、ハロゲン系ガスに対する耐食性及
びＯ2，Ｎ2のガス放出特性を向上させることができる。
これより、作製されるＴＦＴ−ＬＣＤ等の液晶の歩留ま
り及び信頼性を向上させることができる。
【図１】本発明の一実施例のＮｉ基合金を用いたＣＶＤ
装置のハロゲン系反応性ガス用ＥＰチューブを示す斜視
図である。
装置のハロゲン系反応性ガス用ＥＰチューブを示す斜視
図である。
【図２】本発明の一実施例のＮｉ基合金のＯ2及びＮ2の
ガス放出特性を示す図である。
ガス放出特性を示す図である。
【図３】比較例のＮｉ基合金のＯ2及びＮ2のガス放出特
性を示す図である。
性を示す図である。
１ ＥＰチューブ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０２Ｆ 1/1333 ５００ Ｈ０１Ｌ 21/3205 29/43
Claims (7)
- 【請求項１】 Ｃｒを１４．５〜２３．４重量％、Ｍｏ
を１１．５〜１７．４重量％、Ｗを５．０重量％以下、
Ｆｅを７．０重量％以下、Ｏを０．００８重量％以下、
Ｎを０．０６重量％以下含有し、残部がＮｉ及び不可避
不純物からなることを特徴とするＮｉ基合金。 - 【請求項２】 請求項１記載のＮｉ基合金において、 不純物としてＣを０．０５重量％以下、Ｓｉを０．１重
量％以下、Ｍｎを１．４重量％以下、Ｖを０．５重量％
以下含有することを特徴とするＮｉ基合金。 - 【請求項３】 請求項２記載のＮｉ基合金において、 前記不純物としてＮｂを０．５重量％以下、Ｔａを０．
５重量％以下、ＡｌとＴｉを合計０．４重量％以下含有
することを特徴とするＮｉ基合金。 - 【請求項４】 請求項２または３記載のＮｉ基合金にお
いて、 前記不純物としてＣｏを２．５重量％以下含有すること
を特徴とするＮｉ基合金。 - 【請求項５】 請求項２，３または４記載のＮｉ基合金
において、 前記不純物としてＣｕを５．０重量％以下含有すること
を特徴とするＮｉ基合金。 - 【請求項６】 ＩＣ、ＬＳＩまたはＶＬＳＩを製造する
装置に用いられる金属部材であって、 少なくとも、その一方の面が請求項１，２，３，４また
は５記載のＮｉ基合金により構成されていることを特徴
とする半導体製造装置用部材。 - 【請求項７】 液晶ディスプレイを製造する装置に用い
られる金属部材であって、 少なくとも、その一方の面が請求項１，２，３，４また
は５記載のＮｉ基合金により構成されていることを特徴
とする液晶製造装置用部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35001093A JPH07197157A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | Ｎｉ基合金とそれを用いた半導体製造装置用部材及び液晶製造装置用部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35001093A JPH07197157A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | Ｎｉ基合金とそれを用いた半導体製造装置用部材及び液晶製造装置用部材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07197157A true JPH07197157A (ja) | 1995-08-01 |
Family
ID=18407627
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35001093A Pending JPH07197157A (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | Ｎｉ基合金とそれを用いた半導体製造装置用部材及び液晶製造装置用部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07197157A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011046974A (ja) * | 2009-08-25 | 2011-03-10 | Mitsubishi Materials Corp | Ｎｉ基合金製ハロゲン系ガス用ボンベのバルブ部材 |
-
1993
- 1993-12-28 JP JP35001093A patent/JPH07197157A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011046974A (ja) * | 2009-08-25 | 2011-03-10 | Mitsubishi Materials Corp | Ｎｉ基合金製ハロゲン系ガス用ボンベのバルブ部材 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010821 |