JPH07161080A - スタンパーの製造方法 - Google Patents
スタンパーの製造方法Info
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- JPH07161080A JPH07161080A JP5308224A JP30822493A JPH07161080A JP H07161080 A JPH07161080 A JP H07161080A JP 5308224 A JP5308224 A JP 5308224A JP 30822493 A JP30822493 A JP 30822493A JP H07161080 A JPH07161080 A JP H07161080A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】グルーブとランドの境界の側壁表面粗さを低減
して、ノイズレベルが低く、かつ、耐久性に優れた光デ
ィスク用のスタンパーの製造方法を提供する。 【構成】原盤素材として合成石英を用い、ＣＨＦ3 を腐
食ガスとして、ガス圧0.5 Pa未満、自己バイアス電圧 5
00Ｖ以下で反応性イオンエッチングを行う。
して、ノイズレベルが低く、かつ、耐久性に優れた光デ
ィスク用のスタンパーの製造方法を提供する。 【構成】原盤素材として合成石英を用い、ＣＨＦ3 を腐
食ガスとして、ガス圧0.5 Pa未満、自己バイアス電圧 5
00Ｖ以下で反応性イオンエッチングを行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光ディスク複製用スタン
パーの製造方法に関する。
パーの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】高密度に情報を蓄積することができる光
記録媒体は、大容量外部メモリーとしてその普及が期待
されているが、このうち光ディスクは高速に再生するこ
とが可能であるということでコンピュータの外部メモリ
ーとして注目されている。情報の蓄積方法や大きさが異
なる数々の種類の光記録媒体が提案されているが、この
なかで直径5.25インチのサイズでは１回のみ情報の書き
込みが可能であるライトワンスタイプ及び情報の書換え
が可能である光磁気タイプが、また、直径3.5 インチの
サイズでは再生専用であるＲＯＭタイプと光磁気タイプ
及び光磁気とＲＯＭの混在しているパーシャルＲＯＭタ
イプが、ＩＳＯ規格により標準化されており、今後更に
広く市場に普及するものと予想されている。
記録媒体は、大容量外部メモリーとしてその普及が期待
されているが、このうち光ディスクは高速に再生するこ
とが可能であるということでコンピュータの外部メモリ
ーとして注目されている。情報の蓄積方法や大きさが異
なる数々の種類の光記録媒体が提案されているが、この
なかで直径5.25インチのサイズでは１回のみ情報の書き
込みが可能であるライトワンスタイプ及び情報の書換え
が可能である光磁気タイプが、また、直径3.5 インチの
サイズでは再生専用であるＲＯＭタイプと光磁気タイプ
及び光磁気とＲＯＭの混在しているパーシャルＲＯＭタ
イプが、ＩＳＯ規格により標準化されており、今後更に
広く市場に普及するものと予想されている。
【０００３】また、最近ではデジタルオーディオ分野に
おいても、光ディスクが応用され始めている。例えば、
２４〜４８トラックのデジタルマルチトラックレコーデ
ィングにおけるマスターソースとして、ライトワンスタ
イプの光ディスクや光磁気ディスクを使ったプレーヤー
が発売されている。このような専門家向けの製品以外に
一般消費者向け製品でも、ＣＤ−Ｒ（ライトワンスタイ
プのコンパクトディスク）やＭＤ（ミニディスク）が登
場しており、今後の動向が注目されている。
おいても、光ディスクが応用され始めている。例えば、
２４〜４８トラックのデジタルマルチトラックレコーデ
ィングにおけるマスターソースとして、ライトワンスタ
イプの光ディスクや光磁気ディスクを使ったプレーヤー
が発売されている。このような専門家向けの製品以外に
一般消費者向け製品でも、ＣＤ−Ｒ（ライトワンスタイ
プのコンパクトディスク）やＭＤ（ミニディスク）が登
場しており、今後の動向が注目されている。
【０００４】これらの光ディスクには、記録再生装置の
光ピックアップからのレーザービームによる情報マーク
を整然と並べる為の、即ちトラッキングのためのガイド
が、凹または凸の溝の形で、ディスクの内周から外周へ
向けてスパイラル状に形成されている。この溝のことを
ガイド溝と呼ぶ。更にガイド溝について詳しく説明する
ならば、ＩＳＯ規格においても定義されているように、
光ピックアップから見た場合に凹になる部分、つまり遠
方になる部分はランドと呼ばれ、ピックアップから見た
場合に凸になる部分、つまり近くになる部分はグルーブ
と呼ばれる。情報は、ランドまたはグルーブのどちらか
に記録される。ランドに記録される場合はランド記録方
式と呼ばれ、グルーブに記録される場合はグルーブ記録
方式と呼ばれる。情報を記録する経路をトラックとい
う。トラックの中心から隣りのトラックの中心までを、
トラックピッチと呼んでいる。
光ピックアップからのレーザービームによる情報マーク
を整然と並べる為の、即ちトラッキングのためのガイド
が、凹または凸の溝の形で、ディスクの内周から外周へ
向けてスパイラル状に形成されている。この溝のことを
ガイド溝と呼ぶ。更にガイド溝について詳しく説明する
ならば、ＩＳＯ規格においても定義されているように、
光ピックアップから見た場合に凹になる部分、つまり遠
方になる部分はランドと呼ばれ、ピックアップから見た
場合に凸になる部分、つまり近くになる部分はグルーブ
と呼ばれる。情報は、ランドまたはグルーブのどちらか
に記録される。ランドに記録される場合はランド記録方
式と呼ばれ、グルーブに記録される場合はグルーブ記録
方式と呼ばれる。情報を記録する経路をトラックとい
う。トラックの中心から隣りのトラックの中心までを、
トラックピッチと呼んでいる。
【０００５】光ディスクを量産するには、大量に同じ形
状を複製することが要求されることから、ガイド溝、Ｒ
ＯＭ情報、プリフォーマット情報等が反転した形状を表
面に有するスタンパーと呼ばれる型を用いるのが一般的
である。光ディスク用のスタンパーの従来の製造方法を
図５に従って説明する。まず、表面粗度 Ra 1 nm以下に
精密研磨された青板ガラス原盤を精密洗浄した(1) 後、
シランカップリング剤等のプライマーを表面に塗布し、
次いで、レジストを塗布する(2) 。その後、Arレーザー
光、He-Cd レーザー光、Krレーザー光、紫外線、遠紫外
線等によりレジストをガイド溝やＲＯＭ情報、プリフォ
ーマット情報等の所定のパターンに従って露光し(3) 、
次いで、無機アルカリ等の現像液を用いて現像処理し原
盤表面に所定のレジストパターンを形成する(4) 。次
に、レジストパターン表面にNi膜をスパッタリングする
ことで導電化し(5) 、更にNi電鋳を行う(6) 。その後、
Ni電鋳面を研磨してからガラス原盤よりNi層を剥離し
(7) 、プラズマ中でアッシングを行い、パターン表面に
付着した残留レジストを除去してスタンパーが完成する
(8) 。
状を複製することが要求されることから、ガイド溝、Ｒ
ＯＭ情報、プリフォーマット情報等が反転した形状を表
面に有するスタンパーと呼ばれる型を用いるのが一般的
である。光ディスク用のスタンパーの従来の製造方法を
図５に従って説明する。まず、表面粗度 Ra 1 nm以下に
精密研磨された青板ガラス原盤を精密洗浄した(1) 後、
シランカップリング剤等のプライマーを表面に塗布し、
次いで、レジストを塗布する(2) 。その後、Arレーザー
光、He-Cd レーザー光、Krレーザー光、紫外線、遠紫外
線等によりレジストをガイド溝やＲＯＭ情報、プリフォ
ーマット情報等の所定のパターンに従って露光し(3) 、
次いで、無機アルカリ等の現像液を用いて現像処理し原
盤表面に所定のレジストパターンを形成する(4) 。次
に、レジストパターン表面にNi膜をスパッタリングする
ことで導電化し(5) 、更にNi電鋳を行う(6) 。その後、
Ni電鋳面を研磨してからガラス原盤よりNi層を剥離し
(7) 、プラズマ中でアッシングを行い、パターン表面に
付着した残留レジストを除去してスタンパーが完成する
(8) 。
【０００６】このスタンパーにより射出成形法や２Ｐ法
によりプラスティック基板あるいはガラス基板表面にパ
ターンを転写し、更に、基板上に追記型媒体もしくは相
変化媒体あるいは光磁気媒体等の記録膜を成膜し、保護
膜の塗布や保護基板の接着を行い光ディスクが製造され
る。ところで、光ディスクへの記録を更に高密度化する
方法が、種々提案されているが。例えば、狭トラックピ
ッチ化は、従来 1.6μｍピッチであったトラックピッチ
を、より小さくすることで記録密度を上げようとするも
のである。また、別の方法としてランドグルーブ記録方
式が提案されている。これは従来ランドまたはグルーブ
のどちらか一方にしかデータを記録しなかったのに対し
て、ランドとグルーブ両方に記録を行い、記録容量を２
倍にしようとする方式である。この方式の場合、ランド
に書き込まれたデータとグルーブに書き込まれたデータ
とも高Ｃ／Ｎ比で読み取るために、ランド幅とグルーブ
幅をほぼ等しくすることが一般的である。つまりトラッ
クピッチ 1.6μｍの場合、ランド幅もグルーブ幅も共に
0.8 μｍである。
によりプラスティック基板あるいはガラス基板表面にパ
ターンを転写し、更に、基板上に追記型媒体もしくは相
変化媒体あるいは光磁気媒体等の記録膜を成膜し、保護
膜の塗布や保護基板の接着を行い光ディスクが製造され
る。ところで、光ディスクへの記録を更に高密度化する
方法が、種々提案されているが。例えば、狭トラックピ
ッチ化は、従来 1.6μｍピッチであったトラックピッチ
を、より小さくすることで記録密度を上げようとするも
のである。また、別の方法としてランドグルーブ記録方
式が提案されている。これは従来ランドまたはグルーブ
のどちらか一方にしかデータを記録しなかったのに対し
て、ランドとグルーブ両方に記録を行い、記録容量を２
倍にしようとする方式である。この方式の場合、ランド
に書き込まれたデータとグルーブに書き込まれたデータ
とも高Ｃ／Ｎ比で読み取るために、ランド幅とグルーブ
幅をほぼ等しくすることが一般的である。つまりトラッ
クピッチ 1.6μｍの場合、ランド幅もグルーブ幅も共に
0.8 μｍである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
光ディスクの製造方法で、上記のような狭トラックピッ
チ化した光ディスクやランドグルーブ記録タイプの光デ
ィスクを製造すると、再生信号のノイズレベルが高くな
ることにより高Ｃ／Ｎ比が得られず、データ読み誤りを
生じやすいという欠点があった。
光ディスクの製造方法で、上記のような狭トラックピッ
チ化した光ディスクやランドグルーブ記録タイプの光デ
ィスクを製造すると、再生信号のノイズレベルが高くな
ることにより高Ｃ／Ｎ比が得られず、データ読み誤りを
生じやすいという欠点があった。
【０００８】これはランドとグルーブの境界部分である
側壁表面がレジストの感度ばらつきにより荒れてしまう
ために生ずる。つまり、再生光スポットが側壁表面の荒
れにより散乱されて反射光量が変動するために、光ディ
スクのデータ信号中のノイズ成分が大きくなってしまう
というものである。このノイズレベルを低減するため
に、レジスト材料を感度ばらつきの生じにくいものに変
える等の工夫がなされているが、側壁表面を荒れさせな
いような高感度材料は、同時に現像液に対する溶解特性
を向上させてしまうために、露光していない部分の残膜
率が低下してしまい、結果としてレジストが残る部分す
なわちランド表面が荒れてしまい、ランドのノイズレベ
ルが高くなるという問題が生じていた。
側壁表面がレジストの感度ばらつきにより荒れてしまう
ために生ずる。つまり、再生光スポットが側壁表面の荒
れにより散乱されて反射光量が変動するために、光ディ
スクのデータ信号中のノイズ成分が大きくなってしまう
というものである。このノイズレベルを低減するため
に、レジスト材料を感度ばらつきの生じにくいものに変
える等の工夫がなされているが、側壁表面を荒れさせな
いような高感度材料は、同時に現像液に対する溶解特性
を向上させてしまうために、露光していない部分の残膜
率が低下してしまい、結果としてレジストが残る部分す
なわちランド表面が荒れてしまい、ランドのノイズレベ
ルが高くなるという問題が生じていた。
【０００９】そこで、レジストパターンの形成されたガ
ラスあるいは石英等の原盤に反応性イオンエッチングを
施すことにより、直接原盤表面にパターンを形成してス
タンパーを得る、ドライエッチング法が提案された。し
かし、この方法でも側壁表面の荒れは殆ど低減されない
ばかりか、ガラスや石英等をスタンパーとするためプラ
スティックの射出成形あるいは２Ｐ注型時の離型性が悪
くために、複製枚数が数百〜数千枚でスタンパー表面の
パターンに破壊が生じるなど、スタンパーの耐久性が乏
しいという問題があった。
ラスあるいは石英等の原盤に反応性イオンエッチングを
施すことにより、直接原盤表面にパターンを形成してス
タンパーを得る、ドライエッチング法が提案された。し
かし、この方法でも側壁表面の荒れは殆ど低減されない
ばかりか、ガラスや石英等をスタンパーとするためプラ
スティックの射出成形あるいは２Ｐ注型時の離型性が悪
くために、複製枚数が数百〜数千枚でスタンパー表面の
パターンに破壊が生じるなど、スタンパーの耐久性が乏
しいという問題があった。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記問題点
の解決のために鋭意研究の結果、合成石英を原盤材料に
用いて、反応性イオンエッチングにおけるガスをＣＨＦ
3 、ガス圧を 0.5 Pa未満、自己バイアス電圧を 500Ｖ
以下とすることで、側壁表面の荒れが小さく、複製によ
る耐久性の向上したスタンパーが得られることを見出
し、本発明をなすに至った。
の解決のために鋭意研究の結果、合成石英を原盤材料に
用いて、反応性イオンエッチングにおけるガスをＣＨＦ
3 、ガス圧を 0.5 Pa未満、自己バイアス電圧を 500Ｖ
以下とすることで、側壁表面の荒れが小さく、複製によ
る耐久性の向上したスタンパーが得られることを見出
し、本発明をなすに至った。
【００１１】従って、本発明は、「原盤にレジストを塗
布する工程、レーザー光により前記レジストを露光する
工程、現像処理を行う工程、反応性イオンエッチングに
より前記原盤をエッチングする工程、及び残留した前記
レジストを剥離する工程より成るスタンパーの製造方法
において、前記原盤素材を合成石英とし、前記反応性イ
オンエッチングにおける腐食ガスをＣＨＦ3 、ガス圧を
0.5 Pa 未満、及び自己バイアス電圧を 500Ｖ以下とす
ることを特徴とするスタンパーの製造方法」を提供する
ものである。
布する工程、レーザー光により前記レジストを露光する
工程、現像処理を行う工程、反応性イオンエッチングに
より前記原盤をエッチングする工程、及び残留した前記
レジストを剥離する工程より成るスタンパーの製造方法
において、前記原盤素材を合成石英とし、前記反応性イ
オンエッチングにおける腐食ガスをＣＨＦ3 、ガス圧を
0.5 Pa 未満、及び自己バイアス電圧を 500Ｖ以下とす
ることを特徴とするスタンパーの製造方法」を提供する
ものである。
【００１２】
【作用】側壁表面の荒れを発生させないために、本発明
者は合成石英を素材として、これを反応性イオンエッチ
ングにより加工してスタンパーを得る方法を見出した。
合成石英は不純物が非常に少なくほぼ１００％SiＯ2 で
あるため、エッチングする表面（エッチング底面）、即
ち、ランド表面を非常に荒れが少なく加工できるだけで
なく、ランドとグルーブの境界部分である側壁表面も荒
れが少なく加工できるのである。
者は合成石英を素材として、これを反応性イオンエッチ
ングにより加工してスタンパーを得る方法を見出した。
合成石英は不純物が非常に少なくほぼ１００％SiＯ2 で
あるため、エッチングする表面（エッチング底面）、即
ち、ランド表面を非常に荒れが少なく加工できるだけで
なく、ランドとグルーブの境界部分である側壁表面も荒
れが少なく加工できるのである。
【００１３】合成石英を反応性イオンエッチングにより
加工してスタンパーにする際、従来行われていた条件は
ガスをＣＦ4 とし、ガス圧を 0.5 Pa 以上とし、自己バ
イアス電圧は 600Ｖ以上としていた。しかし、この条件
により作製されたスタンパーは、エッチング底面の荒れ
は少ないのであるが、側壁表面の荒れは大きいという問
題があった。
加工してスタンパーにする際、従来行われていた条件は
ガスをＣＦ4 とし、ガス圧を 0.5 Pa 以上とし、自己バ
イアス電圧は 600Ｖ以上としていた。しかし、この条件
により作製されたスタンパーは、エッチング底面の荒れ
は少ないのであるが、側壁表面の荒れは大きいという問
題があった。
【００１４】本発明者は側壁表面の荒れを低減するため
に、マスク材として機能するレジストと、エッチング対
象である合成石英のエッチング速度の比、即ち、「合成
石英のエッチング速度／レジストのエッチング速度」に
着目し、この選択比が大きい反応性イオンエッチング条
件にすることにより、マスク材の側壁を荒らす割合が減
ることになるため、エッチング対象物の側壁表面の荒れ
は、マスク材のそれより更に平滑にできることを見出し
た。
に、マスク材として機能するレジストと、エッチング対
象である合成石英のエッチング速度の比、即ち、「合成
石英のエッチング速度／レジストのエッチング速度」に
着目し、この選択比が大きい反応性イオンエッチング条
件にすることにより、マスク材の側壁を荒らす割合が減
ることになるため、エッチング対象物の側壁表面の荒れ
は、マスク材のそれより更に平滑にできることを見出し
た。
【００１５】更に、本発明者は、ドライエッチング法で
作製されたスタンパーの離型性が悪い原因の１つは、側
壁表面の荒れであり、側壁表面荒れを低減すれば離型性
も同時に改良され、基板複製枚数が向上できることも見
出した。そして、ガスはＣＦ4 よりもＣＨＦ3 が適当で
あること、ガス圧は低いほうがよいこと、自己バイアス
電圧は低いほうが選択比が向上することを見い出した。
自己バイアス電圧と選択比の関係を図２にガス圧と選択
比の関係を図４に示す。また、選択比と側壁表面粗さの
関係を図３に示す。スタンパーのノイズレベルを測定し
た結果、ガス圧は、好ましくは 0.5 Pa 未満、より好ま
しくは 0.3 Pa 未満、自己バイアス電圧は、好ましくは
500Ｖ以下、より好ましくは 300Ｖ以下である。
作製されたスタンパーの離型性が悪い原因の１つは、側
壁表面の荒れであり、側壁表面荒れを低減すれば離型性
も同時に改良され、基板複製枚数が向上できることも見
出した。そして、ガスはＣＦ4 よりもＣＨＦ3 が適当で
あること、ガス圧は低いほうがよいこと、自己バイアス
電圧は低いほうが選択比が向上することを見い出した。
自己バイアス電圧と選択比の関係を図２にガス圧と選択
比の関係を図４に示す。また、選択比と側壁表面粗さの
関係を図３に示す。スタンパーのノイズレベルを測定し
た結果、ガス圧は、好ましくは 0.5 Pa 未満、より好ま
しくは 0.3 Pa 未満、自己バイアス電圧は、好ましくは
500Ｖ以下、より好ましくは 300Ｖ以下である。
【００１６】以下、実施例により本発明をより具体的に
説明するが、本発明はこれに限られるものではない。
説明するが、本発明はこれに限られるものではない。
【００１７】
【実施例】まず、外径 350 mm 、内径 70 mm、厚さ 6 m
m で、表面粗度 1 nm 以下に研磨された合成石英原盤
を、濃硫酸と過酸化水素水を体積比４：１の割合で混合
した液中（液温は 40 ℃）に５分間浸した後、超純水、
フロン系有機溶剤（旭硝子製アサヒクリンAK225AES）で順に超
音波洗浄した(1) 。
m で、表面粗度 1 nm 以下に研磨された合成石英原盤
を、濃硫酸と過酸化水素水を体積比４：１の割合で混合
した液中（液温は 40 ℃）に５分間浸した後、超純水、
フロン系有機溶剤（旭硝子製アサヒクリンAK225AES）で順に超
音波洗浄した(1) 。
【００１８】次に、合成石英原盤表面にプライマー（ト
ランシル社製アンカーコート）をスピンコートした後、
ポジ型レジスト（ヘキスト社製 AZ1350 ）をスピンコー
トした。その後、原盤を 100℃のクリーンオーブン内で
30 分間プリベークした。因みにレジストの膜厚は約 2
20 nm である(2) 。次に、波長 457.9 nm のArイオンレ
ーザーを光源とするカッティングマシンにより、原盤の
半径 72 mmから半径 148 mm までの領域を露光した(3)
。尚、トラックピッチは 1.6μｍとし、現像後にラン
ド（あるいはグルーブ）幅が略 0.8μｍに形成されるよ
うにレーザービーム強度を設定して連続的に露光した。
露光時の合成石英原盤の回転数は 450 rpm、レーザービ
ームスポット直径は約 1.3μｍである。
ランシル社製アンカーコート）をスピンコートした後、
ポジ型レジスト（ヘキスト社製 AZ1350 ）をスピンコー
トした。その後、原盤を 100℃のクリーンオーブン内で
30 分間プリベークした。因みにレジストの膜厚は約 2
20 nm である(2) 。次に、波長 457.9 nm のArイオンレ
ーザーを光源とするカッティングマシンにより、原盤の
半径 72 mmから半径 148 mm までの領域を露光した(3)
。尚、トラックピッチは 1.6μｍとし、現像後にラン
ド（あるいはグルーブ）幅が略 0.8μｍに形成されるよ
うにレーザービーム強度を設定して連続的に露光した。
露光時の合成石英原盤の回転数は 450 rpm、レーザービ
ームスポット直径は約 1.3μｍである。
【００１９】その後、無機アルカリ現像液（ヘキスト製
AZデベロッパー）と超純水とを体積比３：５の割合で混
合し希釈した現像液でスピン現像した(4) 。この時の現
像条件は前処理としての純水塗布時間 54 秒、現像液塗
布時間 98 秒、後処理としての純水シャワー時間 90
秒、スピン乾燥時間 90 秒であった。次いで、120 ℃の
クリーンオーブン内で 30 分間ポストベークした。
AZデベロッパー）と超純水とを体積比３：５の割合で混
合し希釈した現像液でスピン現像した(4) 。この時の現
像条件は前処理としての純水塗布時間 54 秒、現像液塗
布時間 98 秒、後処理としての純水シャワー時間 90
秒、スピン乾燥時間 90 秒であった。次いで、120 ℃の
クリーンオーブン内で 30 分間ポストベークした。
【００２０】その後、反応性イオンエッチング装置（日
電アネルバ製DEA506）のチャンバー内に原盤を入れ、真
空度 1×10-4Paまで排気した後、ＣＨＦ3 ガスを導入し
反応性イオンエッチングを行った(5) 。この時のガス流
量は 6 sccm であり、ガス圧力は 0.3 Pa 、ＲＦ電力は
300Ｗ、自己バイアス電圧は -300 Ｖ、電極間距離は10
0 mm、エッチング時間は９分であった。この時のグルー
ブ深さはおよそ 85 nmであった。
電アネルバ製DEA506）のチャンバー内に原盤を入れ、真
空度 1×10-4Paまで排気した後、ＣＨＦ3 ガスを導入し
反応性イオンエッチングを行った(5) 。この時のガス流
量は 6 sccm であり、ガス圧力は 0.3 Pa 、ＲＦ電力は
300Ｗ、自己バイアス電圧は -300 Ｖ、電極間距離は10
0 mm、エッチング時間は９分であった。この時のグルー
ブ深さはおよそ 85 nmであった。
【００２１】次に、濃硫酸と過酸化水素水を体積比４：
１の割合で混合した液中に原盤を浸し、残留レジストを
剥離した(6) 。この時の液温は 100℃であり処理時間は
５分であった。その後、超純水、フロン系有機溶剤（旭
硝子製アサヒクリンAK225AES）で超音波洗浄した。以上のよう
にして作った石英スタンパーを用いて、２Ｐ法により直
径 304.8mmのガラス基板表面にランド、グルーブパター
ンを複製した。
１の割合で混合した液中に原盤を浸し、残留レジストを
剥離した(6) 。この時の液温は 100℃であり処理時間は
５分であった。その後、超純水、フロン系有機溶剤（旭
硝子製アサヒクリンAK225AES）で超音波洗浄した。以上のよう
にして作った石英スタンパーを用いて、２Ｐ法により直
径 304.8mmのガラス基板表面にランド、グルーブパター
ンを複製した。
【００２２】次に、この基板表面に窒化シリコン(Si3Ｎ
4)誘電体層、TbFeCo光磁気記録層、窒化シリコン(Si3Ｎ
4)保護層の順に成膜した後、紫外線硬化型接着剤により
膜面に保護基板を接着した。このようにして作製した光
ディスクを、波長 830 nm 、ＮＡ 0.55 、ケラレ係数
1.0、波面収差 0.03 λ(rms値) 、偏光状態は直線偏光
でありその方向はガイド溝に対し平行となる方向である
ピックアップにより再生し、反射光量信号出力をスペク
トラムアナライザーに入力し、ランド部及びグルーブ部
のノイズレベルを測定した。この時の再生ビーム強度は
1.0 mW 、回転数は 1800 rpm 、半径位置は 75 mmであ
った。ランドのノイズレベルの測定結果を表１に、グル
ーブのノイズレベルの測定結果を表２に示す。ランドの
ノイズレベル、グルーブのノイズレベルとも良好であ
り、従来のニッケルスタンパーにより作製した光ディス
クのノイズレベルよりも明らかに低くできた。
4)誘電体層、TbFeCo光磁気記録層、窒化シリコン(Si3Ｎ
4)保護層の順に成膜した後、紫外線硬化型接着剤により
膜面に保護基板を接着した。このようにして作製した光
ディスクを、波長 830 nm 、ＮＡ 0.55 、ケラレ係数
1.0、波面収差 0.03 λ(rms値) 、偏光状態は直線偏光
でありその方向はガイド溝に対し平行となる方向である
ピックアップにより再生し、反射光量信号出力をスペク
トラムアナライザーに入力し、ランド部及びグルーブ部
のノイズレベルを測定した。この時の再生ビーム強度は
1.0 mW 、回転数は 1800 rpm 、半径位置は 75 mmであ
った。ランドのノイズレベルの測定結果を表１に、グル
ーブのノイズレベルの測定結果を表２に示す。ランドの
ノイズレベル、グルーブのノイズレベルとも良好であ
り、従来のニッケルスタンパーにより作製した光ディス
クのノイズレベルよりも明らかに低くできた。
【００２３】また、作製したスタンパーより２Ｐ注型法
により基板複製を行った結果、20万枚複製した後もパタ
ーン表面の破壊は皆無であった。
により基板複製を行った結果、20万枚複製した後もパタ
ーン表面の破壊は皆無であった。
【００２４】
【表１】
【００２５】
【表２】
【００２６】
【発明の効果】以上のように本発明によりグルーブとラ
ンドの境界の側壁表面粗さが低減できることから低ノイ
ズレベル、かつ、高耐久性のスタンパーの製造が可能と
なる。
ンドの境界の側壁表面粗さが低減できることから低ノイ
ズレベル、かつ、高耐久性のスタンパーの製造が可能と
なる。
【図１】 本発明によるスタンパーの製造方法を示す製
造工程図である。
造工程図である。
【図２】 選択比と自己バイアス電圧の相関を示す図で
ある。
ある。
【図３】 側壁表面粗さと選択比の相関を示す図であ
る。
る。
【図４】 ガス圧と選択比の相関を示す図である。
【図５】 従来のスタンパーの製造方法を示す製造工程
図である。
図である。
【図６】 スタンパーの側壁表面を示す図である。
１・・・合成石英原盤 ２・・・レジスト ３・・・カッティングマシンのピックアップ ４・・・露光した部分 ５・・・未露光の部分 ６・・・青板ガラス原盤 ７・・・Niスパッタ膜 ８・・・Niメッキ層 ９・・・残留レジスト 以 上
Claims (1)
- 【請求項１】 原盤にレジストを塗布する工程、レーザ
ー光により前記レジストを露光する工程、現像処理を行
う工程、反応性イオンエッチングにより前記原盤をエッ
チングする工程、及び残留した前記レジストを剥離する
工程より成るスタンパーの製造方法において、 前記原盤素材を合成石英とし、前記反応性イオンエッチ
ングにおける腐食ガスをＣＨＦ3 、ガス圧を 0.5 Pa 未
満、及び自己バイアス電圧を 500Ｖ以下とすることを特
徴とするスタンパーの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30822493A JP3448661B2 (ja) | 1993-12-08 | 1993-12-08 | 光ディスク用合成石英型及び光ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30822493A JP3448661B2 (ja) | 1993-12-08 | 1993-12-08 | 光ディスク用合成石英型及び光ディスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07161080A true JPH07161080A (ja) | 1995-06-23 |
| JP3448661B2 JP3448661B2 (ja) | 2003-09-22 |
Family
ID=17978426
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30822493A Expired - Lifetime JP3448661B2 (ja) | 1993-12-08 | 1993-12-08 | 光ディスク用合成石英型及び光ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3448661B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2009050857A1 (ja) | 2007-10-15 | 2009-04-23 | Fujifilm Corporation | 凹部形成方法、凹凸製品の製造方法、発光素子の製造方法および光学素子の製造方法 |
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-
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- 1993-12-08 JP JP30822493A patent/JP3448661B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3448661B2 (ja) | 2003-09-22 |
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