JPH07140667A - レジスト材料およびパターン形成方法 - Google Patents
レジスト材料およびパターン形成方法Info
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Abstract
レジスト材料およびそのようなレジスト材料を用いたパ
ターン形成方法を提供する。 【構成】 シリコン(Si)含有アクリレートと酸(プ
ロトン酸)によって脱離する基を有し、この基の脱離後
は極性が変化して水性アルカリ溶液(現像液)に可溶と
なるアクリレートとの共重合体および放射線照射により
酸を発生する光酸発生剤を含む材料をレジストして用い
る。
Description
レジスト材料を用いたパターン形成方法に関する。
細パターンを形成することの可能なレジスト材料が要求
されている。そして、パターンニング工程においても、
被パターンニング材料(被エッチング材料)上に平坦化
のための下層レジスト層を形成した後、上層レジスト層
を形成し、この上層レジスト層を露光し、現像して得ら
れたパターンを下層レジスト層に転写してマスクパター
ンを形成する技術(いわゆる多層レジストプロセス)が
用いられている。そして、この場合、上層レジスト層を
構成するレジスト材料には、少なくとも下層レジスト層
にパターンを転写するためのエッチング(一般にはO2
RIE即ち酸素による反応性イオンエッチング)に耐え
得る性能が要求されている。
ト材料のエステル部にSiを導入することにより耐エッ
チング性を向上させた、ポリアクリレート系レジスト、
ポリシロキサン系レジスト、ポリシラン系レジストなど
が知られている(例えば、特開平2−191957号公
報、特開平2−239251号公報、特開平3−217
845号公報、特開平3−261952号公報および特
開平4−42229号公報参照)。これらは、いずれも
露光時に照射される放射線の照射部と非照射部との分子
量の違いを利用して、現像を行うものである。
ジスト材料(シリコン含有レジスト材料)は、耐エッチ
ング性が高く、多層レジストプロセスに使用するのに好
適な材料である。しかしながら、近年の半導体装置の高
集積化に伴い、上記したレジスト材料では十分な微細パ
ターンが得難いという問題を有している。
を行うというプロセスを採用しているため、シャープな
パターンニングが行えないことや、現像時にレジストパ
ターンの膨潤が生じることによるものである。本発明
は、上記の如き従来技術の問題点を解決し、十分な微細
パターンを形成することが可能なレジスト材料およびそ
のようなレジスト材料を用いたパターン形成方法を提供
することを目的とする。
め、本発明では、下記式Iで表される共重合体および光
酸発生剤を含むレジスト材料が提供される。
に水素、C1-4 アルキル、ハロゲン、ハロゲン化(C
1-4 )アルキル、ニトリルまたはフェニルを表し、R2
は下記式II、
し、R6 、R7 およびR8 はそれぞれ独立にC1-4 アル
キル、ハロゲン化(C1-4 )アルキル、フェニルまたは
トリ(C 1-4 )アルキルシリル(C1-4 )アルキルを表
す)で表される基を表し、R4 は酸によって脱離する基
を表し、mおよびnは正の整数である〕上記式Iの共重
合体において、R4 としての酸によって脱離する基の代
表的な例は、t−ブチル、ジメチルベンジル、テトラヒ
ドロピラニルおよび3−オキソシクロヘキシルである。
な例としては、下記の如き化合物ががある。
レジスト材料を塗布してレジスト層を形成し、このレジ
スト層を放射線で照射し、放射線照射されたレジスト層
を加熱処理し、次いで加熱処理されたレジスト層を現像
することを含むパターン形成方法が提供される。本発明
にかかるレジスト材料は、ベースポリマとして、シリコ
ン(Si)含有アクリレートと、酸(プロトン酸)によ
って脱離する基を有し、この基の脱離後は極性が変化し
て水性アルカリ溶液(現像液)に可溶となるアクリレー
トとの共重合体を含む。さらに、このレジスト材料は、
放射線照射により酸を発生する光酸発生剤を含む。
照射によって光酸発生剤から放たれたプロトン酸が上記
ベースポリマに作用して極性変換を起こし、水性アルカ
リ現像液(あるいは更に炭素数1〜8のアルコールが添
加されたもの)に対して可溶となる。つまり、前述した
如き従来技術における分子量の違いに基づいた現像で
は、分子量の大きい所でも完全に現像液に不溶というわ
けではなく、わずかに溶け出すかあるいは膨潤してしま
うので、露光部と未露光部とで大きな差が作れないので
あるが、本発明のレジスト材料では、露光領域と未露光
領域との極性の違いに基づいて現像が行われるため、現
像液に可溶な極性の部分と不溶な極性の部分とで、明瞭
な差が生じるのである。また、本発明によると、極性変
換が生じた領域は、膨潤が生じ難い水性アルカリ現像液
によって現像できるので、露光パターンの劣化を抑制す
ることが可能である。
料は、2層もしくそれ以上の多層レジストプロセスの上
層レジスト層の材料として用いることができる。すなわ
ち、基板上にあらかじめ設けられた下層レジスト層上に
上記したレジスト材料を塗布して上層レジスト層を形成
し、この上層レジスト層を放射線照射し、加熱処理し、
現像して上層レジストのパターンを形成し、次いでこの
上層レジストパターンをマスクとして用いて下層レジス
トパターンを形成するのである。この下層レジストパタ
ーンの形成は、例えば、通常のO2 RIE(酸素による
反応性イオンエッチング)により行うことができる。
層レジストプロセスにおいて、本発明のレジスト材料を
上層レジスト材料として用いた場合に、下層レジスト層
が厚い場合でもこの下層レジストのエッチングに際し
て、パターン線幅が細くなるのを防止することができる
ということを見出した。したがって、本発明は、また、
上記の方法にしたがって上層レジストパターンを形成
後、上層レジスト層を放射線で照射し、加熱処理し、次
いで下層レジストをエッチングすることを含むパターン
形成方法を提供する。この上層レジスト層のマスクを介
さないフラッド露光による放射線照射および加熱処理
は、上層レジストパターン部分のみに行えばよい。実際
上、上層のみにこの処理を行うことは困難であるから、
パターンを形成している上層レジスト層と下層レジスト
層とを含むレジスト層の全面に対して放射線照射および
加熱処理を行うのがよい。要すれば、放射線照射と加熱
処理とを同時に行ってもよい。
い解像性を有するので、超微細加工に特に適する。しか
し、この材料を多層レジストの上層レジストとして用い
た場合、形成した上層レジストパターンをマスクとして
下層レジストのエッチングを行う際に、被エッチング物
である下層レジストの膜厚が薄い場合、例えば、1.5
μm以下である場合にしか十分な結果が得られないとい
う問題がある。すなわちち、例えば2μmの厚さの下層
レジストにパターンを転写しようとすると、異方性のエ
ッチング装置でエッチングしたとしても、上層レジスト
パターンに対するサイドからのエッチング量が大きくな
って、この上層レジストパターン自体の線幅が細ってし
まい、その結果得られる下層レジストパターンの線幅が
細ってしまうのである。しかるに、上層レジストパター
ンの形成後、この上層レジスト層を放射線で照射し、加
熱処理し、次いで下層レジストをエッチングしてパター
ンを形成することにより、そのような問題が解消される
のである。これは、上層レジストパターンの形成後、下
層レジストのエッチングの前に、上層レジストパターン
として残存するレジスト層を放射線で照射し、加熱処理
することにより、この上層レジスト中の共重合体から酸
によって脱離する基が除去され、その結果としてレジス
ト層中に存在するSiの含有量が相対的に増加されるこ
とになり、このレジスト層のエッチング耐性が向上する
ことによるものと考えられる。
ト層の放射線による照射とそれに引き続く加熱処理は、
Si含有ポリマーまたはSi含有樹脂組成物および光酸
発生剤を含むレジスト材料からなるレジスト層を剥離す
る場合にも有利に用いることができるということが見出
された。したがって、本発明は、さらに、Si含有ポリ
マーまたはSi含有樹脂組成物および光酸発生剤を含む
レジスト材料からなる層を剥離するに際して、このレジ
スト材料の層を放射線で照射し、加熱処理し、次いで剥
離工程に付すことを含む方法を提供する。
特に酸素プラズマエッチングに対して耐性があるので、
エッチング工程を含むプロセスのためのレジストとして
用いられる。特に、Si含有レジストは、2層レジスト
プロセスにおける上層レジストとして、Siを含有しな
い下層レジストのエッチングのためのマスクの形成に用
いられる。通常、Siを含有しないレジストの剥離は酸
素プラズマでのアッシングにより行われる。しかし、酸
素プラズマでのアッシングによりSi含有レジストを剥
離することは困難であるので、従来酸素とCF4 やCH
F3 の混合ガスによる剥離が提唱されてきた。しかし、
2層レジストを用いて微細加工をするに際して、加工基
板が、例えば、PSGや熱酸化膜である場合、酸素とC
F4 やCHF3 の混合ガスによる剥離工程中に加工基板
もエッチングされてしまい、正確な加工ができず、また
残渣が生じるという問題がある。しかるに、Si含有レ
ジストが放射線照射部において光酸発生剤からの酸の作
用により可溶化されて除去され、未露光部のレジストに
よりパターンが形成されるタイプのものでは、本発明に
したがって上記のように処理することにより、パターン
として残留するレジストが光酸発生剤からの酸の作用に
より可溶化されので、現像液により剥離することが可能
になるのである。一方、レジスト中のSi含有基が露光
部において光酸発生剤からの酸により脱離することによ
ってレジストが除去可能となり、未露光部のレジストに
よりパターンが形成されるタイプのSi含有レジストの
場合、本発明にしたがって上記のように処理することに
より、パターンとして残留するレジスト中のSiがレジ
スト中から脱離し、O2 プラズマ耐性が無くなるから、
通常のレジストの場合と同様に、アッシングにより剥離
することが可能になる。しかして、この場合、上層レジ
ストの剥離工程を特に設けなくても、下層レジストのエ
ッチングの際に上層レジストもこのエッチング処理によ
り同時に剥離されることとなる。しかして、この場合に
も、放射線によるフラッド露光および加熱処理は、パタ
ーンを形成している上層レジスト層と下層レジスト層と
を含むレジスト層の全面に対して行うのがよく、また放
射線照射と加熱処理とを同時に行ってもよい。
る。 実施例1 トリメチルシリルメチルメタクリレート(TMSMM
A)と、ジメチルベンジルメタクリレート(DBMA)
を1:1で混合し、モノマー濃度が5.0モル/リット
ルのトルエン溶液とする。次に、これにアゾビスイソブ
チロニトリル(AIBN)を上記モノマーの2モル%加
えて攪拌しながら80度のオイルバス中で8時間保持す
る。次に、これを室温まで放冷し、トルエンで希釈した
後に大量のメタノール溶媒中に滴下し、沈澱物を濾別
し、乾燥して、レジスト材料のベースポリマとなる、下
記式、
トリメチルシリルメチルメタクリレート−ジメチルベン
ジルメタクリレート共重合体を得る。本例では、60%
の収率で上記共重合体が得られ、分子量は2.7万、分
散は1.61であった。次に、上記ベースポリマに対し
て、光酸発生剤となるトリフェニルスルフォニウムヘキ
サフルオロアンチモネート(TPSSbF6 )を上記ベ
ースポリマの15重量%の量で混合し、メチルイソブチ
ルケトン(MIBK)の7%溶液とする。これにより、
本実施例のレジスト材料が得られた。
A)と、ターシャリブチルメタクリレート(TBMA)
を1:1で混合し、モノマー濃度が5.0モル/リット
ルのトルエン溶液とする。次に、これにAIBNを上記
モノマーの2モル%加えて攪拌しながら80度のオイル
バス中で15分間保持する。次に、これを室温まで放冷
し、トルエンで希釈した後に大量の水:メタノール=
1:20の混合溶媒中に滴下し、沈澱物を濾別し、乾燥
して、レジスト材料のベースポリマとなる、下記式、
トリメチルシリルメチルメタクリレート−ターシャリブ
チルメタクリレート共重合体を得る。本例では、80%
の収率で上記共重合体が得られ、分子量は3.8万、分
散は1.70であった。次に、上記ベースポリマを用
い、実施例1と同様にして、本実施例のレジスト材料を
得た。
A)と、テトラヒドロピラニルメタクリレート(THP
MA)を1:1で混合し、モノマー濃度が5.0モル/
リットルのトルエン溶液とする。次に、これにAIBN
を上記モノマーの2モル%加えて攪拌しながら80度の
オイルバス中で7時間保持する。次に、これを室温まで
放冷し、トルエンで希釈した後に大量の水:メタノール
=1:20の混合溶媒中に滴下し、沈澱物を濾別し、乾
燥して、レジスト材料のベースポリマとなる、下記式、
トリメチルシリルメチルメタクリレート−テトラヒドロ
ピラニルメタクリレート共重合体を得る。本例では、9
0%の収率で上記共重合体が得られ、分子量は2.8
万、分散は1.75であった。次に、上記ベースポリマ
を用い、実施例1と同様にして、本実施例のレジスト材
料を得た。
タメチルジシルメチレンとジメチルベンジルメタクリレ
ートを1:1に混合し、モノマー濃度が5モル/リット
ルのトルエン溶液とした。これにAIBNをモノマーの
2モル%加え、攪拌しながら80℃のオイルバス中で8
時間保持した。その後、室温に放冷し、トルエンで反応
物を薄めて大量の水:メタノール=1:20の混合溶媒
中に滴下し、沈殿物を濾別し、乾燥して、1−メタクリ
ロキシメチル−1,1,3,3,3−ペンタメチルジシ
ルメチレン−ジメチルベンジルメタクリレート共重合体
を65%の収率で得た。分子量は1.4万、分散は1.
65であった。
と同様にして、本実施例のレジスト材料を得た。
ジルメタクリレートを1:1に混合し、モノマー濃度が
5モル/リットルのトルエン溶液とした。これにAIB
Nをモノマーの2モル%加え、攪拌しながら80℃のオ
イルバス中で8時間保った。その後、室温に放冷し、ト
ルエンで反応物を薄めて大量のメタノール中に滴下し、
沈殿物を濾別し、乾燥して、ジフェニルメチルシリルメ
タクリレート−ジメチルベンジルメタクリレート共重合
体を88%の収率で得た。分子量は2.0万、分散は
1.74であった。
と同様にして、本実施例のレジスト材料を得た。
シリルメチルメタクリレートを1:1に混合し、モノマ
ー濃度が5モル/リットルのトルエン溶液とした。これ
にAIBNをモノマーの2モル%加え、攪拌しながら8
0℃のオイルバス中で5時間保持した。その後、室温に
放冷し、トルエンで反応物を薄めて大量のメタノール:
水=20:1中に滴下し、沈殿物を濾別し、乾燥して、
トリメチルシリルメチルメタクリレート−3−オキソシ
クロヘキシルメタクリレート共重合体を57%の収率で
得た。分子量は1.3万、分散は1.81であった。
と同様にして、本実施例のレジスト材料を得た。
クリレートを1:1に混合し、モノマー濃度が5モル/
リットルのトルエン溶液とした。これにAIBNをモノ
マーの2モル%加え、攪拌しながら80℃のオイルバス
中で3時間保持した。その後、室温に放冷し、トルエン
で反応物を薄めて大量のメタノール:水=1:1中に滴
下し、沈殿物を濾別し、乾燥して、トリメチルシリルメ
チルアクリレート−t−ブチルメタクリレート共重合体
を85%の収率で得た。分子量は2.3万、分散は1.
63であった。
と同様にして、本実施例のレジスト材料を得た。
200℃でハードベークして、1.5μm厚の下層レジ
スト層を形成する。この下層レジスト層は、基板上の段
差を平坦化する作用を有している。次に、上記下層レジ
スト層の表面に実施例1〜7で得られた各レジスト材料
を塗布したのち、60℃でベークして、0.3μm厚の
上層レジスト層を形成する。
Fエキシマレーザ(NA=0.45)を光源とする所定
パターンの露光を行う。次に、上記露光の1分後、実施
例1および実施例4〜7のレジスト材料の場合は60
℃、実施例2のレジスト材料の場合は100℃、また実
施例3のレジスト材料の場合は40℃において、60秒
間ベークした後に、これをアルカリ現像液(東京応化工
業社製NMD3)またはこれにさらにイソプロピルアル
コール(IPA)またはイソブチルアルコール(IB
A)を添加したものを使用して1分間現像を行って、上
層レジスト層をパターン化する。これによれば、0.3
μmのラインアンドスペースに相当するパターンを十分
に解像することができた。
スクとして、下層レジスト層をエッチングする。このエ
ッチングには、平行平板型のリアクティブイオンエッチ
ング装置を使用した酸素エッチング(O2 RIE)が好
適であり、このエッチングにより下層レジスト層に上層
レジスト層のパターンが忠実に転写できる。以上の工程
により、基板上には非常に高精度のレジストパターンが
形成され、微細半導体構造を形成することができた。
チルメタクリレートとの共重合体(共重合比1:1)に
光酸発生剤としてトリフェニルスルフォニウムヘキサフ
ルオロアンチモネートを樹脂の15重量%添加したもの
をレジストとして用いた。
ボラック系レジスト(膜厚2.0μm)の上にこのレジ
ストをスピンコートし、60℃で100秒間プリベーク
した(膜厚3500Å)。これをKrFエキシマレーザ
ーステッパー(NA=0.45)で露光し、次いで60
℃で60秒間ベークした。その後、水性アルカリ現像液
(東京応化工業製NMD−3)で1分間現像し、上層パ
ターンを得た。次に、このレジスト全面にKrFエキシ
マレーザー光を照射して、さらにもう一度60℃で60
秒間ベークした。
0μmにO2 RIEで転写したところ、精度よく下層に
転写することができた。
像後の全面照射およびベークの工程を省略した。下層
2.0μmのエッチングが完了した時には、上層レジス
トの残膜はほとんど無く、パターンも細ってシフトが激
しかった。
も、比較例1と同様の結果を得た。
200℃で1時間ベークし、1.5μm厚の下層レジス
ト層を形成した。この上にトリメチルシリルメチルメタ
クリレート−ジメチルベンジルメタクリレートの共重合
体と光酸発生剤としてトリフェニルスルフォニウムヘキ
サフルオロアンチモネートからなるSi含有レジストを
塗布し、60℃で100秒間ベークして0.3μm厚の
上層レジスト層を形成した。このレジストをKrFエキ
シマレーザーステッパー(NA=0.45)で露光し、
60℃で60秒間ベークした。次に、上層レジスト層を
水性アルカリ現像液(東京応化工業製NMD−3)で1
分間現像し、上層レジストパターンを得た。
ッチングし、2層レジストパターンを形成した。次い
で、全面に上記と同じKrFエキシマレーザーステッパ
ーでレーザーを照射し、再び60℃で60秒間ベーク
し、上記と同じ水性アルカリ現像液で1分間現像したと
ころ、上層レジストを剥離することができた。
200℃で1時間ベークし、1.5μm厚の下層レジス
ト層を形成した。この上にトリメチルシリルメチルメタ
クリレート−t−ブチルメタクリレートの共重合体と光
酸発生剤としてトリフェニルスルフォニウムヘキサフル
オロアンチモネートからなるSi含有レジストを塗布
し、60℃で100秒間ベークして0.3μm厚の上層
レジスト層を形成した。このレジストをKrFエキシマ
レーザーステッパー(NA=0.45)で露光し、10
0℃で60秒間ベークした。次に、上層レジスト層を水
性アルカリ現像液(東京応化工業製NMD−3)で1分
間現像し、上層レジストパターンを得た。
ングし、2層レジストパターンを形成した。次いで、全
面に上記と同じKrFエキシマレーザーステッパーでレ
ーザーを照射し、再び60℃で60秒間ベークし、上記
と同じ水性アルカリ現像液で1分間現像したところ、上
層レジストを剥離することができた。
200℃で1時間ベークし、1.5μm厚の下層レジス
ト層を形成した。この上にトリメチルシリルメチルメタ
クリレート−テトラヒドロピラニルメタクリレートの共
重合体と光酸発生剤としてトリフェニルスルフォニウム
ヘキサフルオロアンチモネートからなるSi含有レジス
トを塗布し、60℃で100秒間ベークして0.3μm
厚の上層レジスト層を形成した。このレジストをKrF
エキシマレーザーステッパー(NA=0.45)で露光
し、80℃で60秒間ベークした。次に、上層レジスト
層を水性アルカリ現像液(東京応化工業製NMD−3)
で1分間現像し、上層レジストパターンを得た。
ングし、2層レジストパターンを形成した。次いで、全
面に上記と同じKrFエキシマレーザーステッパーでレ
ーザーを照射し、再び60℃で60秒間ベークし、上記
と同じ水性アルカリ現像液で1分間現像したところ、上
層レジストを剥離することができた。
全面露光およびベークを行うことなく、現像を行った
が、上層レジストを剥離することはできなかった。ま
た、現像液でなく、塗布溶媒に浸漬しても上層レジスト
を剥離することはできなかった。
200℃で1時間ベークし、1.5μm厚の下層レジス
ト層を形成した。この上に、下記式、
チルイソプロピルシリルマレイミドと光酸発生剤として
トリフェニルスルフォニウムヘキサフルオロアンチモネ
ートからなるSi含有レジストを塗布し、90℃で10
0秒間ベークして0.3μm厚の上層レジスト層を形成
した。このレジストをKrFエキシマレーザーステッパ
ー(NA=0.45)で露光し、100℃で60秒間ベ
ークした。次いで、この上層レジスト層を水性アルカリ
現像液(東京応化工業製NMD−3)で1分間現像し、
上層レジストパターンを得た。
ングし、2層レジストパターンを形成した。次いで、全
面に上記と同じKrFエキシマレーザーステッパーでレ
ーザーを照射し、再び100℃で60秒間ベークし、上
記と同じ水性アルカリ現像液で1分間現像したところ、
上層レジストを剥離することができた。
200℃で1時間ベークし、1.5μm厚の下層レジス
ト層を形成した。この上に、下記式、
シリル化ポリヒドロキシスチレンと光酸発生剤としてト
リフェニルスルフォニウムヘキサフルオロアンチモネー
トからなるSi含有レジストを塗布し、90℃で100
秒間ベークして0.3μm厚の上層レジスト層を形成し
た。このレジストをKrFエキシマレーザーステッパー
(NA=0.45)で露光し、100℃で60秒間ベー
クした。次いで、この上層レジスト層を水性アルカリ現
像液(東京応化工業製NMD−3)で1分間現像し、上
層レジストパターンを得た。
ングし、2層レジストパターンを形成した。次いで、全
面に上記と同じKrFエキシマレーザーステッパーでレ
ーザーを照射し、再び100℃で60秒間ベークし、上
記と同じ水性アルカリ現像液で1分間現像したところ、
上層レジストを剥離することができた。
後、全面に上記と同じKrFエキシマレーザーステッパ
ーでレーザーを照射し、再び100℃で60秒間ベーク
したのち、アッシングしたところ、レジスト残渣を生じ
ることなく、2層レジストをアッシングすることができ
た。
後、全面に上記と同じKrFエキシマレーザーステッパ
ーでレーザーを照射し、再び100℃で60秒間ベーク
した後、基板のPSGをエッチングしてからアッシング
したところ、レジスト残渣を生じることなく、2層レジ
ストをアッシングすることができた。
露光とそれに続くベークを行わず、PSGエッチング後
にアッシングしたところ、レジスト残渣を生じ、十分に
アッシングすることができなかった。
解像性が高く、また、水性アルカリ現像が可能なレジス
ト材料が提供されるので、今後の半導体産業における微
細パターンの要求を満足することができる。また、解像
性の高いSi含有メタクリレート樹脂と光酸発生剤から
なる化学増幅型レジストを用いて厚い下層レジストをエ
ッチングすることができ、アスベクト比の高いパターン
が得られる。また、簡単な処理により、Si含有レジス
トを剥離することごできる。
Claims (5)
- 【請求項1】 下記式Iで表される共重合体および光酸
発生剤を含むレジスト材料。 【化1】 〔上式中、R1 およびR3 はそれぞれ独立に水素、C
1-4 アルキル、ハロゲン、ハロゲン化(C1-4 )アルキ
ル、ニトリルまたはフェニルを表し、R2 は下記式I
I、 【化2】 (上式中、R5 はC1-4 アルキレンを表し、R6 、R7
およびR8 はそれぞれ独立にC1-4 アルキル、ハロゲン
化(C1-4 )アルキル、フェニルまたはトリ(C 1-4 )
アルキルシリル(C1-4 )アルキルを表す)で表される
基を表し、R4 は酸によって脱離する基を表し、mおよ
びnは正の整数である〕 - 【請求項2】 基板上に請求項1に記載のレジスト材料
を塗布してレジスト層を形成し、前記レジスト層を放射
線で照射し、前記放射線照射されたレジスト層を加熱処
理し、次いで前記加熱処理されたレジスト層を現像する
ことを含むパターン形成方法。 - 【請求項3】 前記レジスト材料を前記基板上にあらか
じめ設けられた下層レジスト層上に塗布して上層レジス
ト層を形成し、この上層レジスト層を放射線照射し、加
熱処理し、現像して上層レジストのパターンを形成し、
次いでこの上層レジストパターンをマスクとして下層レ
ジストパターンを形成する請求項2記載の方法。 - 【請求項4】 前記上層レジストのパターンを形成後、
前記上層レジスト層を放射線で照射し、加熱処理し、次
いで下層レジストをエッチングすることによりパターン
を形成する請求項3記載の方法。 - 【請求項5】 基板上に設けられたSi含有ポリマーま
たはSi含有樹脂組成物および光酸発生剤を含むレジス
ト材料からなる層を剥離するに際して、前記レジスト材
料の層を放射線で照射し、加熱処理し、次いで剥離工程
に付すことを含む方法。
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