JP3479937B2 - 感光性レジスト組成物及びパターン形成方法 - Google Patents
感光性レジスト組成物及びパターン形成方法Info
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- JP3479937B2 JP3479937B2 JP2001368472A JP2001368472A JP3479937B2 JP 3479937 B2 JP3479937 B2 JP 3479937B2 JP 2001368472 A JP2001368472 A JP 2001368472A JP 2001368472 A JP2001368472 A JP 2001368472A JP 3479937 B2 JP3479937 B2 JP 3479937B2
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- Japan
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- photosensitive resist
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- acid
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置等の製
造工程、特に、超微細加工工程で用いるのに好適な感光
性レジスト組成物及び該レジスト組成物を用いたパター
ン形成方法に関する。
造工程、特に、超微細加工工程で用いるのに好適な感光
性レジスト組成物及び該レジスト組成物を用いたパター
ン形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、半導体装置の製造工程に於いて
は、感光性レジスト組成物を多用しているが、近年、集
積回路装置は益々高集積化される状況にあり、その為に
超微細加工が必要とされ、それに伴う基板段差の増大に
対処する為、従来の単層レジスト法に代えて、段差の影
響を受け難い複数層の多層レジスト法が採用される傾向
にあり、その為の感光性レジスト組成物の開発が盛んで
ある。
は、感光性レジスト組成物を多用しているが、近年、集
積回路装置は益々高集積化される状況にあり、その為に
超微細加工が必要とされ、それに伴う基板段差の増大に
対処する為、従来の単層レジスト法に代えて、段差の影
響を受け難い複数層の多層レジスト法が採用される傾向
にあり、その為の感光性レジスト組成物の開発が盛んで
ある。
【０００３】２層レジスト法に於ける上層レジスト膜を
構成する感光性レジスト組成物の特性としては、感光
性、解像度など通常の感光性レジスト組成物に要求され
る特性の他、下層レジスト膜を酸素プラズマ・エッチン
グ法を適用してエッチングするのに備えて酸素プラズマ
耐性も必要とされている。
構成する感光性レジスト組成物の特性としては、感光
性、解像度など通常の感光性レジスト組成物に要求され
る特性の他、下層レジスト膜を酸素プラズマ・エッチン
グ法を適用してエッチングするのに備えて酸素プラズマ
耐性も必要とされている。
【０００４】感光性レジスト膜に酸素プラズマ耐性をも
たせるには、従来、主としてＳｉを含有した例えばポリ
シロキサン系、ポリシラン系、ポリアクリレート系など
の樹脂を主成分とする組成物が開発されている。
たせるには、従来、主としてＳｉを含有した例えばポリ
シロキサン系、ポリシラン系、ポリアクリレート系など
の樹脂を主成分とする組成物が開発されている。
【０００５】これ等の感光性レジスト組成物に対する露
光源には、主として紫外線のＧ線及びＩ線、遠紫外線、
電子線などが用いられてきたが、近年、ＫｒＦエキシマ
・レーザを用いるリソグラフィ技術が注目され、それに
用いる感光性レジスト組成物として、酸によって脱離す
る基をもつ樹脂と光酸発生剤とからなる化学倍増型レジ
ストの開発が盛んである。
光源には、主として紫外線のＧ線及びＩ線、遠紫外線、
電子線などが用いられてきたが、近年、ＫｒＦエキシマ
・レーザを用いるリソグラフィ技術が注目され、それに
用いる感光性レジスト組成物として、酸によって脱離す
る基をもつ樹脂と光酸発生剤とからなる化学倍増型レジ
ストの開発が盛んである。
【０００６】Ｓｉを含有するＫｒＦエキシマ・レーザ用
化学増倍型感光性レジスト組成物としては、現在、ＮＴ
ＴからＣＳＮＲが発表されているなど、幾つかの発表が
なされているが（「ＳＰＩＥ １９９２、１６７２−０
６」を参照）、未だ開発途上にある。
化学増倍型感光性レジスト組成物としては、現在、ＮＴ
ＴからＣＳＮＲが発表されているなど、幾つかの発表が
なされているが（「ＳＰＩＥ １９９２、１６７２−０
６」を参照）、未だ開発途上にある。
【０００７】前記従来のＫｒＦエキシマ・レーザ用化学
増倍型感光性レジスト組成物は全てシロキサンベースの
ネガ型感光性レジスト組成物であり、ポジ型感光性レジ
スト組成物については未だ発表はないようである。
増倍型感光性レジスト組成物は全てシロキサンベースの
ネガ型感光性レジスト組成物であり、ポジ型感光性レジ
スト組成物については未だ発表はないようである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、ＫｒＦエキ
シマ・レーザで露光するのに適したＳｉ含有ポジ型感光
性レジスト組成物及び該レジスト組成物を用いたパター
ン形成方法を提供しようとする。
シマ・レーザで露光するのに適したＳｉ含有ポジ型感光
性レジスト組成物及び該レジスト組成物を用いたパター
ン形成方法を提供しようとする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明に於ける感光性レ
ジスト組成物及びパターン形成方法に於いては、 ○ 物の発明 （１）
ジスト組成物及びパターン形成方法に於いては、 ○ 物の発明 （１）
【化４】 上記の化学構造を有する樹脂に光酸発生剤を加えてなる
こと（第１の感光性レジスト組成物）を特徴とするか、
或いは、
こと（第１の感光性レジスト組成物）を特徴とするか、
或いは、
【００１０】（２）前記（１）に於いて、酸によって脱
離する基がｔｅｒｔ−ブチル基であることを特徴とする
か、或いは、
離する基がｔｅｒｔ−ブチル基であることを特徴とする
か、或いは、
【００１１】（３）前記（１）に於いて、酸によって脱
離する基がｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基であること
を特徴とするか、或いは、
離する基がｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基であること
を特徴とするか、或いは、
【００１２】（４）前記（１）に於いて、酸によって脱
離する基がテトラヒドロピラニル基であることを特徴と
するか、或いは、
離する基がテトラヒドロピラニル基であることを特徴と
するか、或いは、
【００１３】（５）前記（１）に於いて、酸によって脱
離する基がジメチルベンジル基であることを特徴とする
か、或いは、
離する基がジメチルベンジル基であることを特徴とする
か、或いは、
【００１４】（６）
【化５】
【化６】
上記の何れかの化学構造を有する樹脂に光酸発生剤を加
えてなること（第２の感光性レジスト組成物）を特徴と
するか、或いは、
えてなること（第２の感光性レジスト組成物）を特徴と
するか、或いは、
【００１５】（７）前記（６）に於いて、酸によって脱
離する基がｔｅｒｔ−ブチル基であることを特徴とする
か、或いは、
離する基がｔｅｒｔ−ブチル基であることを特徴とする
か、或いは、
【００１６】（８）前記（６）に於いて、酸によって脱
離する基がテトラヒドロピラニル基であることを特徴と
するか、或いは、
離する基がテトラヒドロピラニル基であることを特徴と
するか、或いは、
【００１７】（９）前記（６）に於いて、酸によって脱
離する基がジメチルベンジル基であることを特徴とする
か、或いは、
離する基がジメチルベンジル基であることを特徴とする
か、或いは、
【００１８】○ 方法の発明
（１０）被加工物の上に前記（１）乃至前記（９）の何
れか１記載の感光性レジスト組成物を塗布してレジスト
膜を形成し、次いで、該レジスト膜のパターン露光を行
い、次いで、アルカリ現像液で現像してポジ型パターン
を形成することを特徴とする。
れか１記載の感光性レジスト組成物を塗布してレジスト
膜を形成し、次いで、該レジスト膜のパターン露光を行
い、次いで、アルカリ現像液で現像してポジ型パターン
を形成することを特徴とする。
【００１９】前記第１の感光性レジスト組成物を用いた
レジスト膜では、露光された部分に於いて、酸で（Ａ）
の脱離基が脱離し、アルカリ現像液に対して可溶性にな
り、また、前記第２の感光性レジスト組成物を用いたレ
ジスト膜では、酸で脱離基が脱離し、アルカリ現像液に
対して可溶性になる。従って、レジスト膜の露光された
部分がアルカリ現像液で溶解除去され、ポジ型パターン
が形成される。
レジスト膜では、露光された部分に於いて、酸で（Ａ）
の脱離基が脱離し、アルカリ現像液に対して可溶性にな
り、また、前記第２の感光性レジスト組成物を用いたレ
ジスト膜では、酸で脱離基が脱離し、アルカリ現像液に
対して可溶性になる。従って、レジスト膜の露光された
部分がアルカリ現像液で溶解除去され、ポジ型パターン
が形成される。
【００２０】
【発明の実施の形態】実施例１
感光性レジスト組成物として下記の化学構造の樹脂に光
酸発生剤を加えてなる組成物を用いる。
酸発生剤を加えてなる組成物を用いる。
【化７】
【００２１】具体的には、アリルトリメチルシランとマ
レイミドをモル比で１．２：１に混合し、５〔モル／リ
ットル〕の１，４−ジオキサン溶液とした。
レイミドをモル比で１．２：１に混合し、５〔モル／リ
ットル〕の１，４−ジオキサン溶液とした。
【００２２】これに樹脂の２〔モル／リットル〕のＡｌ
ＢＮを加え、温度を８０〔℃〕にして攪拌しながら４
〔時間〕維持した。
ＢＮを加え、温度を８０〔℃〕にして攪拌しながら４
〔時間〕維持した。
【００２３】その後、反応物を大量のｎ−ヘキサン中に
加え、沈澱物を漉別、乾燥し、アリルトリメチルシラン
−マレイミド共重合体を得た。
加え、沈澱物を漉別、乾燥し、アリルトリメチルシラン
−マレイミド共重合体を得た。
【００２４】アリルトリメチルシラン−マレイミド共重
合体を乾燥したＴＨＦに溶かし、カリウムｔｅｒｔ−ブ
トキサイドを１．２倍量（モル）を加え、温度を５
〔℃〕にして４０〔分〕間攪拌し、ジ−ｔｅｒｔ−ブチ
ルジカーボネートを加え、温度を３０〔℃〕にして４
〔時間〕攪拌した。
合体を乾燥したＴＨＦに溶かし、カリウムｔｅｒｔ−ブ
トキサイドを１．２倍量（モル）を加え、温度を５
〔℃〕にして４０〔分〕間攪拌し、ジ−ｔｅｒｔ−ブチ
ルジカーボネートを加え、温度を３０〔℃〕にして４
〔時間〕攪拌した。
【００２５】この反応物を大量のメタルールに加え、沈
澱物を漉過し、アリルトリメチルシラン−ｔｅｒｔ−ブ
トキシカルボニルマレイイミド−マレイイミドの５０：
４５：５の下記の共重合体を得た。
澱物を漉過し、アリルトリメチルシラン−ｔｅｒｔ−ブ
トキシカルボニルマレイイミド−マレイイミドの５０：
４５：５の下記の共重合体を得た。
【化８】
【００２６】このようにして得た樹脂に光酸発生剤であ
るトリフェニルスルフォニウムヘキサフルオロアンチモ
ネート（ＴＰＳＳｂＦ6 ）を樹脂に対する１５〔重量
％〕を加えて１０〔重量％〕のシクロヘキサノン溶液と
した。
るトリフェニルスルフォニウムヘキサフルオロアンチモ
ネート（ＴＰＳＳｂＦ6 ）を樹脂に対する１５〔重量
％〕を加えて１０〔重量％〕のシクロヘキサノン溶液と
した。
【００２７】Ｓｉウエハ上にノボラック系レジストを塗
布し、温度を２００〔℃〕にしてハードベークすること
で膜厚を２〔μｍ〕としたものを用意し、その上に前記
した本実施例の溶液をスピン・コートしてからプリベー
クし、その膜厚として０．３〔μｍ〕を得た。
布し、温度を２００〔℃〕にしてハードベークすること
で膜厚を２〔μｍ〕としたものを用意し、その上に前記
した本実施例の溶液をスピン・コートしてからプリベー
クし、その膜厚として０．３〔μｍ〕を得た。
【００２８】これをＫｒＦエキシマ・レーザ（ＮＡ＝
０．４５）で露光し、１〔分〕で９０〔℃〕に昇温し、
６０〔秒〕間のベークを行った後、これをアルカリ現像
液で１〔分〕間の現像を行ったところ、０．３〔μｍ〕
のライン・アンド・スペースを解像することができた。
０．４５）で露光し、１〔分〕で９０〔℃〕に昇温し、
６０〔秒〕間のベークを行った後、これをアルカリ現像
液で１〔分〕間の現像を行ったところ、０．３〔μｍ〕
のライン・アンド・スペースを解像することができた。
【００２９】このようにして得られたレジスト・パター
ンをマスクにＯ2 をエッチャント・ガスとしたＲＩＥ
（ｒｅａｃｔｉｖｅ ｉｏｎ ｅｔｃｈｉｎｇ）法で下
層の２〔μｍ〕厚のノボラック系レジストをエッチング
したところ、パターンを良好に転写することができた。
ンをマスクにＯ2 をエッチャント・ガスとしたＲＩＥ
（ｒｅａｃｔｉｖｅ ｉｏｎ ｅｔｃｈｉｎｇ）法で下
層の２〔μｍ〕厚のノボラック系レジストをエッチング
したところ、パターンを良好に転写することができた。
【００３０】また、アリルトリメチルシランとジメチル
ベンジルマレイミドとジメチルｔｅｒｔ−ブチルシリル
マレイミドをモル比で６：４：１に混合し、５〔モル／
リットル〕の１，４−ジオキサン溶液とした。
ベンジルマレイミドとジメチルｔｅｒｔ−ブチルシリル
マレイミドをモル比で６：４：１に混合し、５〔モル／
リットル〕の１，４−ジオキサン溶液とした。
【００３１】これに樹脂の２〔モル／リットル〕のＡｌ
ＢＮを加え、温度を８０〔℃〕にして攪拌しながら２
〔時間〕維持した後、反応物を漉別、乾燥し、アリルト
リメチルシラン−ジメチルベンジルマレイミド−ジメチ
ルｔｅｒｔ−ブチルシリルマレイミドの５０：４０：１
０である下記の共重合体を得た。
ＢＮを加え、温度を８０〔℃〕にして攪拌しながら２
〔時間〕維持した後、反応物を漉別、乾燥し、アリルト
リメチルシラン−ジメチルベンジルマレイミド−ジメチ
ルｔｅｒｔ−ブチルシリルマレイミドの５０：４０：１
０である下記の共重合体を得た。
【化９】
【００３２】このようにして得た樹脂を用いて前記同様
の工程を施したところ、０．３〔μｍ〕のライン・アン
ド・スペースを解像することができた。
の工程を施したところ、０．３〔μｍ〕のライン・アン
ド・スペースを解像することができた。
【００３３】このようにして得られたレジスト・パター
ンをマスクにＯ2 をエッチャント・ガスとしたＲＩＥ法
で下層の２〔μｍ〕厚のノボラック系レジストをエッチ
ングしたところ、パターンを良好に転写することができ
た。
ンをマスクにＯ2 をエッチャント・ガスとしたＲＩＥ法
で下層の２〔μｍ〕厚のノボラック系レジストをエッチ
ングしたところ、パターンを良好に転写することができ
た。
【００３４】この実施例１に於いては、光酸発生剤とし
て以下に挙げるものを用いても同効であった。 トリス（２，３−ジプロモプロピル）イソシアヌレ
ート ジ（３，５−ジプロ−４−ヒドロキシ）スルフォニ
ウム ベンゾイントシレート トリフェニルスルフォニウムトリフレート ピロガロールトリメシレート ２，４，６−トリス（トリクロロメチル）−Ｓ−ト
リアシン Ｐ−トルエンスルフォン酸フェニル トリフェニルスルフォンヘキサフルオロアンチモネ
ート
て以下に挙げるものを用いても同効であった。 トリス（２，３−ジプロモプロピル）イソシアヌレ
ート ジ（３，５−ジプロ−４−ヒドロキシ）スルフォニ
ウム ベンゾイントシレート トリフェニルスルフォニウムトリフレート ピロガロールトリメシレート ２，４，６−トリス（トリクロロメチル）−Ｓ−ト
リアシン Ｐ−トルエンスルフォン酸フェニル トリフェニルスルフォンヘキサフルオロアンチモネ
ート
【００３５】実施例２
感光性レジスト組成物として下記の何れかの化学構造の
樹脂に光酸発生剤を加えてなる組成物を用いる。
樹脂に光酸発生剤を加えてなる組成物を用いる。
【化１０】
【化１１】
【００３６】具体的には、ジトリメチルシリルメチルイ
ンタコネートとジジメチルベンジルイタコネートをモル
比で６：４に混合し、５〔モル／リットル〕のトルエン
溶液とした。
ンタコネートとジジメチルベンジルイタコネートをモル
比で６：４に混合し、５〔モル／リットル〕のトルエン
溶液とした。
【００３７】これに樹脂の２〔モル／リットル〕のＡｌ
ＢＮを加え、温度を８０〔℃〕にして攪拌しながら６
〔時間〕維持した。
ＢＮを加え、温度を８０〔℃〕にして攪拌しながら６
〔時間〕維持した。
【００３８】その後、反応物を大量のメタノール中に加
え、沈澱物を漉別、乾燥し、下記のジトリメチルシリル
メチルイタコネート−ジメチルベンジルイタコネート共
重合体（６：４）を得た。
え、沈澱物を漉別、乾燥し、下記のジトリメチルシリル
メチルイタコネート−ジメチルベンジルイタコネート共
重合体（６：４）を得た。
【化１２】
【００３９】このようにして得た樹脂に光酸発生剤であ
るトリフェニルスルフォニウムヘキサフルオロアンチモ
ネート（ＴＰＳＳｂＦ6 ）をポリマの１５〔重量％〕を
加えて１２〔重量％〕のシクロヘキサノン溶液とした。
るトリフェニルスルフォニウムヘキサフルオロアンチモ
ネート（ＴＰＳＳｂＦ6 ）をポリマの１５〔重量％〕を
加えて１２〔重量％〕のシクロヘキサノン溶液とした。
【００４０】Ｓｉウエハ上にノボラック系レジストを塗
布し、温度を２００〔℃〕にしてハードベークすること
で膜厚を２〔μｍ〕としたものを用意し、その上に前記
した本実施例の溶液をスピン・コートしてからプリベー
クし、その膜厚として０．３〔μｍ〕を得た。
布し、温度を２００〔℃〕にしてハードベークすること
で膜厚を２〔μｍ〕としたものを用意し、その上に前記
した本実施例の溶液をスピン・コートしてからプリベー
クし、その膜厚として０．３〔μｍ〕を得た。
【００４１】これをＫｒＦエキシマ・レーザ（ＮＡ＝
０．４５）で露光し、１〔分〕で９０〔℃〕に昇温し、
６０〔秒〕間のベークを行った後、これをアルカリ現像
液で１〔分〕間の現像を行ったところ、０．３〔μｍ〕
のライン・アンド・スペースを解像することができた。
０．４５）で露光し、１〔分〕で９０〔℃〕に昇温し、
６０〔秒〕間のベークを行った後、これをアルカリ現像
液で１〔分〕間の現像を行ったところ、０．３〔μｍ〕
のライン・アンド・スペースを解像することができた。
【００４２】このようにして得られたレジスト・パター
ンをマスクにＯ2 をエッチャント・ガスとしたＲＩＥ法
で下層の２〔μｍ〕厚のノボラック系レジストをエッチ
ングしたところ、パターンを良好に転写することができ
た。
ンをマスクにＯ2 をエッチャント・ガスとしたＲＩＥ法
で下層の２〔μｍ〕厚のノボラック系レジストをエッチ
ングしたところ、パターンを良好に転写することができ
た。
【００４３】また、ジトリメチルシリルメチルイタコネ
ートとジ−ｔｅｒｔ−ブチルイタコネートとをモル比で
６：４にして混合し、５〔モル／リットル〕のトルエン
溶液とした。
ートとジ−ｔｅｒｔ−ブチルイタコネートとをモル比で
６：４にして混合し、５〔モル／リットル〕のトルエン
溶液とした。
【００４４】これに樹脂の２〔モル／リットル〕のＡｌ
ＢＮを加え、温度を８０〔℃〕にして攪拌しながら５
〔時間〕維持した後、反応物を大量のメタノール中に加
え、沈澱物を漉別、乾燥し、下記のジトリメチルシリル
メチルイタコネート−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルイタコネー
ト共重合体（６：４）を得た。
ＢＮを加え、温度を８０〔℃〕にして攪拌しながら５
〔時間〕維持した後、反応物を大量のメタノール中に加
え、沈澱物を漉別、乾燥し、下記のジトリメチルシリル
メチルイタコネート−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルイタコネー
ト共重合体（６：４）を得た。
【化１３】
【００４５】このようにして得た樹脂を用いて前記同様
の工程を施したところ、０．３〔μｍ〕のライン・アン
ド・スペースを良好に解像することができた。
の工程を施したところ、０．３〔μｍ〕のライン・アン
ド・スペースを良好に解像することができた。
【００４６】前記レジスト・パターンをマスクにＯ2 を
エッチャント・ガスとしたＲＩＥ法で下層の２〔μｍ〕
厚のノボラック系レジストをエッチングしたところ、パ
ターンを良好に転写することができた。
エッチャント・ガスとしたＲＩＥ法で下層の２〔μｍ〕
厚のノボラック系レジストをエッチングしたところ、パ
ターンを良好に転写することができた。
【００４７】この実施例２に於いては、酸に依って脱離
する基をｔｅｒｔ−ブチル基、ジメチルベンジル基、テ
トラヒドロピラニル基などにすることができる。
する基をｔｅｒｔ−ブチル基、ジメチルベンジル基、テ
トラヒドロピラニル基などにすることができる。
【００４８】この実施例２に於いても、実施例１と同
様、光酸発生剤として以下に挙げるものを用いても同効
であった。 トリス（２，３−ジプロモプロピル）イソシアヌレ
ート ジ（３，５−ジプロ−４−ヒドロキシ）スルフォニ
ウム ベンゾイントシレート トリフェニルスルフォニウムトリフレート ピロガロールトリメシレート ２，４，６−トリス（トリクロロメチル）−Ｓ−ト
リアシン Ｐ−トルエンスルフォン酸フェニル トリフェニルスルフォンヘキサフルオロアンチモネ
ート
様、光酸発生剤として以下に挙げるものを用いても同効
であった。 トリス（２，３−ジプロモプロピル）イソシアヌレ
ート ジ（３，５−ジプロ−４−ヒドロキシ）スルフォニ
ウム ベンゾイントシレート トリフェニルスルフォニウムトリフレート ピロガロールトリメシレート ２，４，６−トリス（トリクロロメチル）−Ｓ−ト
リアシン Ｐ−トルエンスルフォン酸フェニル トリフェニルスルフォンヘキサフルオロアンチモネ
ート
【００４９】前記した第１の感光性レジスト組成物、或
いは、第２の感光性レジスト組成物は、既知の技術を適
用し、被加工物上に塗布して感光性レジスト膜とし、こ
れをパターン露光し、アルカリ現像液に依って現像する
ことでポジ型パターンを実現することができる。
いは、第２の感光性レジスト組成物は、既知の技術を適
用し、被加工物上に塗布して感光性レジスト膜とし、こ
れをパターン露光し、アルカリ現像液に依って現像する
ことでポジ型パターンを実現することができる。
【００５０】
【発明の効果】本発明に於いて、前記第１の感光性レジ
スト組成物を用いたレジスト膜では、露光された部分に
於いて、酸で（Ａ）の脱離基が脱離し、アルカリ現像液
に対して可溶性になり、また、前記第２の感光性レジス
ト組成物を用いたレジスト膜では、酸で脱離基が脱離
し、アルカリ現像液に対して可溶性になり、従って、レ
ジスト膜の露光された部分がアルカリ現像液で溶解除去
され、ポジ型パターンが形成される。
スト組成物を用いたレジスト膜では、露光された部分に
於いて、酸で（Ａ）の脱離基が脱離し、アルカリ現像液
に対して可溶性になり、また、前記第２の感光性レジス
ト組成物を用いたレジスト膜では、酸で脱離基が脱離
し、アルカリ現像液に対して可溶性になり、従って、レ
ジスト膜の露光された部分がアルカリ現像液で溶解除去
され、ポジ型パターンが形成される。
【００５１】このように、本発明に依れば、水性アルカ
リで現像することが可能であって、膨潤がないＫｒＦエ
キシマ・レーザ用Ｓｉ含有ポジ型感光性レジスト組成物
及びそのレジスト組成物を用いたパターン形成方法を提
供することができ、近年、開発が進展している超高集積
回路装置に必須である大きな段差を克服して微細パター
ンの形成に寄与することができる。
リで現像することが可能であって、膨潤がないＫｒＦエ
キシマ・レーザ用Ｓｉ含有ポジ型感光性レジスト組成物
及びそのレジスト組成物を用いたパターン形成方法を提
供することができ、近年、開発が進展している超高集積
回路装置に必須である大きな段差を克服して微細パター
ンの形成に寄与することができる。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 昭62−254143（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−239251（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−42229（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G03F 7/00 - 7/42
Claims (10)
- 【請求項１】下記の化学構造を有する樹脂に光酸発生剤
を加えてなることを特徴とする感光性レジスト組成物。【化１】 - 【請求項２】酸によって脱離する基がｔｅｒｔ−ブチル
基であることを特徴とする請求項１記載の感光性レジス
ト組成物。 - 【請求項３】酸によって脱離する基がｔｅｒｔ−ブトキ
シカルボニル基であることを特徴とする請求項１記載の
感光性レジスト組成物。 - 【請求項４】酸によって脱離する基がテトラヒドロピラ
ニル基であることを特徴とする請求項１記載の感光性レ
ジスト組成物。 - 【請求項５】酸によって脱離する基がジメチルベンジル
基であることを特徴とする請求項１記載の感光性レジス
ト組成物。 - 【請求項６】下記の何れかの化学構造を有する樹脂に光
酸発生剤を加えてなることを特徴とする感光性レジスト
組成物。 【化２】 【化３】 - 【請求項７】酸によって脱離する基がｔｅｒｔ−ブチル
基であることを特徴とする請求項６記載の感光性レジス
ト組成物。 - 【請求項８】酸によって脱離する基がテトラヒドロピラ
ニル基であることを特徴とする請求項６記載の感光性レ
ジスト組成物。 - 【請求項９】酸によって脱離する基がジメチルベンジル
基であることを特徴とする請求項６記載の感光性レジス
ト組成物。 - 【請求項１０】被加工物の上に請求項１乃至請求項９の
何れか１記載の感光性レジスト組成物を塗布してレジス
ト膜を形成し、 次いで、該レジスト膜のパターン露光を行い、 次いで、アルカリ現像液で現像してポジ型パターンを形
成することを特徴とするパターン形成方法。
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| JP2001368472A JP3479937B2 (ja) | 2001-12-03 | 2001-12-03 | 感光性レジスト組成物及びパターン形成方法 |
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| JP2001368472A JP3479937B2 (ja) | 2001-12-03 | 2001-12-03 | 感光性レジスト組成物及びパターン形成方法 |
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| JP17890393A Division JP3316601B2 (ja) | 1993-07-20 | 1993-07-20 | ポジ型化学増幅レジスト組成物 |
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| JP2002196498A JP2002196498A (ja) | 2002-07-12 |
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2001
- 2001-12-03 JP JP2001368472A patent/JP3479937B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| JP2002196498A (ja) | 2002-07-12 |
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