JPH07114323B2 - マイクロ波集積回路パツケ−ジ - Google Patents
マイクロ波集積回路パツケ−ジInfo
- Publication number
- JPH07114323B2 JPH07114323B2 JP61096600A JP9660086A JPH07114323B2 JP H07114323 B2 JPH07114323 B2 JP H07114323B2 JP 61096600 A JP61096600 A JP 61096600A JP 9660086 A JP9660086 A JP 9660086A JP H07114323 B2 JPH07114323 B2 JP H07114323B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transmission line
- substrate
- package
- microwave
- hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/64—Impedance arrangements
- H01L23/66—High-frequency adaptations
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
- H05K1/0237—High frequency adaptations
- H05K1/0243—Printed circuits associated with mounted high frequency components
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
- H01L2223/64—Impedance arrangements
- H01L2223/66—High-frequency adaptations
- H01L2223/6605—High-frequency electrical connections
- H01L2223/6627—Waveguides, e.g. microstrip line, strip line, coplanar line
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1901—Structure
- H01L2924/1903—Structure including wave guides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3011—Impedance
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
- H05K1/0216—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference
- H05K1/0218—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference by printed shielding conductors, ground planes or power plane
- H05K1/0219—Printed shielding conductors for shielding around or between signal conductors, e.g. coplanar or coaxial printed shielding conductors
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K1/111—Pads for surface mounting, e.g. lay-out
- H05K1/112—Pads for surface mounting, e.g. lay-out directly combined with via connections
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/07—Electric details
- H05K2201/0776—Resistance and impedance
- H05K2201/0792—Means against parasitic impedance; Means against eddy currents
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/09—Shape and layout
- H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
- H05K2201/09654—Shape and layout details of conductors covering at least two types of conductors provided for in H05K2201/09218 - H05K2201/095
- H05K2201/09727—Varying width along a single conductor; Conductors or pads having different widths
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/09—Shape and layout
- H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
- H05K2201/09654—Shape and layout details of conductors covering at least two types of conductors provided for in H05K2201/09218 - H05K2201/095
- H05K2201/09781—Dummy conductors, i.e. not used for normal transport of current; Dummy electrodes of components
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
- H05K2201/10621—Components characterised by their electrical contacts
- H05K2201/10689—Leaded Integrated Circuit [IC] package, e.g. dual-in-line [DIL]
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3421—Leaded components
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Waveguides (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、集積回路パツケージ、特に高性能で表面に回
路を搭載可能なマイクロ波集積回路パツケージに関する
ものである。
路を搭載可能なマイクロ波集積回路パツケージに関する
ものである。
本発明は、表面搭載可能なマイクロ波ICパツケージにお
いて、プリント回路板上のプリント伝送線を使用し、キ
ヤリア基板のスルーホールにより裏面の共面導波路と表
面のマイクロストリツプ線とを接続し、スルーホール及
び伝送線端により増加するインダクタンスを間隙を調整
して得られる補正容量によつて補正することにより、周
波数特性がよく妥当な価格で提供できるようにしたもの
である。
いて、プリント回路板上のプリント伝送線を使用し、キ
ヤリア基板のスルーホールにより裏面の共面導波路と表
面のマイクロストリツプ線とを接続し、スルーホール及
び伝送線端により増加するインダクタンスを間隙を調整
して得られる補正容量によつて補正することにより、周
波数特性がよく妥当な価格で提供できるようにしたもの
である。
マイクロ波ガリウム砒(ひ)素集積回路(IC)の使用
は、パツケージ性能及び(又は)複雑さによつて制限さ
れる。セラミツク基板と圧延した金属容器を使用した一
般的なパツケージは、高価であり且つ密封が困難であ
る。京セラ或いはエヌ・テイー・ケイ製多層セラミツク
・キヤリアのような密封容器は、妥当な性能では1〜2G
Hzが限度である。1981年3月10日発行のウイリアム・イ
ー・バーグによる米国特許第4,255,003号「電気接続
器」に開示されたハイプコン(Hypcon)のような高性能
キヤリアは、高価で複雑である。
は、パツケージ性能及び(又は)複雑さによつて制限さ
れる。セラミツク基板と圧延した金属容器を使用した一
般的なパツケージは、高価であり且つ密封が困難であ
る。京セラ或いはエヌ・テイー・ケイ製多層セラミツク
・キヤリアのような密封容器は、妥当な性能では1〜2G
Hzが限度である。1981年3月10日発行のウイリアム・イ
ー・バーグによる米国特許第4,255,003号「電気接続
器」に開示されたハイプコン(Hypcon)のような高性能
キヤリアは、高価で複雑である。
したがつて、低価格、密封又は半密封及び高性能で、表
面に回路が搭載可能なガリウム砒素マイクロ波集積回路
パツケージが待望されている。
面に回路が搭載可能なガリウム砒素マイクロ波集積回路
パツケージが待望されている。
本発明は、圧延パツケージ間を配管する代わりにプリン
ト回路板上に形成した伝送線路を用いて、表面搭載可能
なマイクロ波ICパツケージを構成する。1枚の基板(キ
ヤリア基板)において、表面の共面導波路をスルーホー
ルにより表面のマイクロストリツプ線に接続する。スル
ーホールや伝送線の端部により増加するインダクタンス
は、隙間を調整して得られる補正容量によつて補正す
る。スルーホール上にリード・フレームを鑞付けし更に
半田で封止した蓋(ふた)を用いて密封を確実にするこ
とができる。蓋を用いると、密封性と遮蔽性とが得られ
る。
ト回路板上に形成した伝送線路を用いて、表面搭載可能
なマイクロ波ICパツケージを構成する。1枚の基板(キ
ヤリア基板)において、表面の共面導波路をスルーホー
ルにより表面のマイクロストリツプ線に接続する。スル
ーホールや伝送線の端部により増加するインダクタンス
は、隙間を調整して得られる補正容量によつて補正す
る。スルーホール上にリード・フレームを鑞付けし更に
半田で封止した蓋(ふた)を用いて密封を確実にするこ
とができる。蓋を用いると、密封性と遮蔽性とが得られ
る。
本発明の目的、長所及び新規な特徴は、以下の説明より
明らかになるであろう。
明らかになるであろう。
第1図は本発明によるパツケージの第1実施例の分解斜
視図、第3図はこのパツケージに設けるハイブリツド回
路の例を示す平面図、第4図は第3図のハイブリツド回
路用のリード・フレームの平面図である。第1図におい
て、プリント回路板(10)は基板(12)を有し、基板
(12)の底面には接地面(14)があり、基板(12)の上
面にはマイクロ・ストリツプ伝送線(16)がある。接地
パツド(片)(18)は、基板(12)の上面の伝送線(1
6)の端部(20)の付近であり、両パツドは共に、基板
(12)の裏面にある接地面(14)とこれらパツド(18)
を接続するための金属被覆したスルーホール(22)を有
する。伝送線端部(20)のインピーダンス制御テーパー
は、伝送線の幅を表面搭載パツケージ突出ピン(19)と
同じ寸法に狭める。
視図、第3図はこのパツケージに設けるハイブリツド回
路の例を示す平面図、第4図は第3図のハイブリツド回
路用のリード・フレームの平面図である。第1図におい
て、プリント回路板(10)は基板(12)を有し、基板
(12)の底面には接地面(14)があり、基板(12)の上
面にはマイクロ・ストリツプ伝送線(16)がある。接地
パツド(片)(18)は、基板(12)の上面の伝送線(1
6)の端部(20)の付近であり、両パツドは共に、基板
(12)の裏面にある接地面(14)とこれらパツド(18)
を接続するための金属被覆したスルーホール(22)を有
する。伝送線端部(20)のインピーダンス制御テーパー
は、伝送線の幅を表面搭載パツケージ突出ピン(19)と
同じ寸法に狭める。
表面搭載パツケージ(24)は、当業者には周知のセラミ
ツク材料より成り底面の金属被覆層すなわち接地面(2
8)を有するキヤリア基板(26)を具えている。共面伝
送線(30)を形成するために、接地面(28)の一部分を
取り除く。共面伝送線(30)は、リード端部(32)と終
端部(34)を有する。共面伝送線(30)は、エツチング
したリード・フレームを基板と金属化部分に鑞付けして
作つてもよい。マイクロストリツプ伝送線(36)は、終
端部(38)を有し、基板(26)の上面にある。金属被覆
したスルーホール(40)は、伝送線路(30)と(36)の
各終端部(34)と(38)を接続する。IC(42)は、電気
的にマイクロストリツプ伝送線(36)に接続される。突
出ピン(19)は、表面搭載パツケージ(24)の端縁より
突出したリード・フレーム(21)(第4図参照)から形
成される。密封と遮蔽のために、蓋(25)をパツケージ
(24)に半田により封止する。
ツク材料より成り底面の金属被覆層すなわち接地面(2
8)を有するキヤリア基板(26)を具えている。共面伝
送線(30)を形成するために、接地面(28)の一部分を
取り除く。共面伝送線(30)は、リード端部(32)と終
端部(34)を有する。共面伝送線(30)は、エツチング
したリード・フレームを基板と金属化部分に鑞付けして
作つてもよい。マイクロストリツプ伝送線(36)は、終
端部(38)を有し、基板(26)の上面にある。金属被覆
したスルーホール(40)は、伝送線路(30)と(36)の
各終端部(34)と(38)を接続する。IC(42)は、電気
的にマイクロストリツプ伝送線(36)に接続される。突
出ピン(19)は、表面搭載パツケージ(24)の端縁より
突出したリード・フレーム(21)(第4図参照)から形
成される。密封と遮蔽のために、蓋(25)をパツケージ
(24)に半田により封止する。
第2図は、表面搭載パツケージ(24)上のスルーホール
(40)周辺回路の等価回路図である。共面伝送線(30)
は同軸ケーブルで表わしているが、マイクロストリツプ
線(36)も同様である。インダクタンスXLは、接地面
(28)と金属被覆されたスルーホール(40)により接続
される伝送路の端部との間の隙間Gを横切つて終端部
(34)に接続された共面伝送線(30)のLの部分のイン
ダクタンスを表わす。同様に、インダクタンスXUは、隙
間Gを横切つて終端部(38)に接続されたマイクロスト
リツプ伝送線(36)のUの部分のインダクタンスを表わ
す。容量XGは隙間Gの容量を表わし、伝送線(30),
(36)及びスルーホール(40)により導入されるインダ
クタンスを補正するために、この隙間の幅を調整してこ
の容量XGを変更することができる。標準50Ω伝送線の場
合は、共面伝送線(30)は両側の間隙が0.0762mmで幅が
10ミルである。キヤリア基板(26)は、代表的には厚さ
が10ミルのアルミナ(AlO3)等である。直径0.254mmの
スルーホール(40)に対しては、0.318mmの環状隙間G
を経験的に決定した。厚さ0.635mm以上の厚いキヤリア
基板(26)に対しては、マイクロストリツプ伝送線(3
6)を共面伝送線に代えて線の幅を狭くしてもよい。
(40)周辺回路の等価回路図である。共面伝送線(30)
は同軸ケーブルで表わしているが、マイクロストリツプ
線(36)も同様である。インダクタンスXLは、接地面
(28)と金属被覆されたスルーホール(40)により接続
される伝送路の端部との間の隙間Gを横切つて終端部
(34)に接続された共面伝送線(30)のLの部分のイン
ダクタンスを表わす。同様に、インダクタンスXUは、隙
間Gを横切つて終端部(38)に接続されたマイクロスト
リツプ伝送線(36)のUの部分のインダクタンスを表わ
す。容量XGは隙間Gの容量を表わし、伝送線(30),
(36)及びスルーホール(40)により導入されるインダ
クタンスを補正するために、この隙間の幅を調整してこ
の容量XGを変更することができる。標準50Ω伝送線の場
合は、共面伝送線(30)は両側の間隙が0.0762mmで幅が
10ミルである。キヤリア基板(26)は、代表的には厚さ
が10ミルのアルミナ(AlO3)等である。直径0.254mmの
スルーホール(40)に対しては、0.318mmの環状隙間G
を経験的に決定した。厚さ0.635mm以上の厚いキヤリア
基板(26)に対しては、マイクロストリツプ伝送線(3
6)を共面伝送線に代えて線の幅を狭くしてもよい。
第5図は、他の実施例を示す分解斜視図である。この例
では、共面伝送線部分(44)はパツドの形状であり、マ
イクロストリツプ伝送線(46)は「t」字形をしてい
る。第6図は第5図のスルーホール付近の等価回路図で
あり、XGは隙間Gの容量を表わし、XHはスルーホール
(40)のインダクタンスを表わし、XUは隙間Gを横切る
伝送線(46)のUの部分のインダクタンスを表わし、XT
はTで示した突出部分の幅により発生する容量を表わ
す。容量性リアクタンスXG及びXTは、スルーホール(4
0)のインダクタンスを補正する並列容量となる。
では、共面伝送線部分(44)はパツドの形状であり、マ
イクロストリツプ伝送線(46)は「t」字形をしてい
る。第6図は第5図のスルーホール付近の等価回路図で
あり、XGは隙間Gの容量を表わし、XHはスルーホール
(40)のインダクタンスを表わし、XUは隙間Gを横切る
伝送線(46)のUの部分のインダクタンスを表わし、XT
はTで示した突出部分の幅により発生する容量を表わ
す。容量性リアクタンスXG及びXTは、スルーホール(4
0)のインダクタンスを補正する並列容量となる。
上記2つの実施例では共に、接地面(28)が接地パツド
(18)と接触し、共面伝送線(30)の端部(32)又は
(44)がプリント回路板(10)上のマイクロ・ストリツ
プ伝送線(16)の端部(20)と接触するように、表面搭
載パツケージ(24)をプリント回路板(10)上におく。
そして、リフロー半田付けのような従来技術により、パ
ツケージ(24)をプリント回路板(10)に接続する。共
面伝送線(32),(44)及びスルーホール(40)は、密
封性があり且つリフロー半田接続の検査が容易なコバー
ル(Kovar)のような材料のリード・フレーム(21)に
接着するのがよい。エツチングしたリード(19)は、セ
ラミツク製の基板(26)と代表的にはテフロン又はグラ
スフアイバー製のプリント基板(12)との熱膨張係数の
違いを補正するコンプライアンス量を与える。
(18)と接触し、共面伝送線(30)の端部(32)又は
(44)がプリント回路板(10)上のマイクロ・ストリツ
プ伝送線(16)の端部(20)と接触するように、表面搭
載パツケージ(24)をプリント回路板(10)上におく。
そして、リフロー半田付けのような従来技術により、パ
ツケージ(24)をプリント回路板(10)に接続する。共
面伝送線(32),(44)及びスルーホール(40)は、密
封性があり且つリフロー半田接続の検査が容易なコバー
ル(Kovar)のような材料のリード・フレーム(21)に
接着するのがよい。エツチングしたリード(19)は、セ
ラミツク製の基板(26)と代表的にはテフロン又はグラ
スフアイバー製のプリント基板(12)との熱膨張係数の
違いを補正するコンプライアンス量を与える。
上記の各実施例においては、隙間Gにより生ずる色々な
インダクタンス及び補正容量の質を50=XL+XU=XG又は
50=XH+XU=XGとなるように経験的に同時に求める。第
7図は、第1図のパツケージに対する時間領域反射メー
ターの出力(反射係数)を示す曲線図である。第1の実
施例の場合には、第7図に示すように、曲線の正の部分
はインダクタンスを表わし、曲線の負の部分は容量を表
わす。補正のためには、負の部分の面積は正の部分の面
積に等しくなければならない。
インダクタンス及び補正容量の質を50=XL+XU=XG又は
50=XH+XU=XGとなるように経験的に同時に求める。第
7図は、第1図のパツケージに対する時間領域反射メー
ターの出力(反射係数)を示す曲線図である。第1の実
施例の場合には、第7図に示すように、曲線の正の部分
はインダクタンスを表わし、曲線の負の部分は容量を表
わす。補正のためには、負の部分の面積は正の部分の面
積に等しくなければならない。
こうして20GHzの高周波に至るまで動作可能であり且つ
比較的安価な密封された表面搭載マイクロ波用ICパツケ
ージが得られる。
比較的安価な密封された表面搭載マイクロ波用ICパツケ
ージが得られる。
本発明によれば、マイクロ波ICパツケージの信号経路の
一部分を形成する金属被覆スルーホールがもつインダク
タンスを共面伝送路の端部と接地面との隙間に生じる容
量で補正することにより、マイクロ波ICパツケージの周
波数特性を著しく向上させることが可能となる。更に、
本発明は、構造が簡単であるから、比較的安価なマイク
ロ波ICパツケージを提供することができる。
一部分を形成する金属被覆スルーホールがもつインダク
タンスを共面伝送路の端部と接地面との隙間に生じる容
量で補正することにより、マイクロ波ICパツケージの周
波数特性を著しく向上させることが可能となる。更に、
本発明は、構造が簡単であるから、比較的安価なマイク
ロ波ICパツケージを提供することができる。
第1図は本発明の好適な一実施例を示す分解斜視図、第
2図は第1図のパツケージのスルーホール付近の等価回
路図、第3図は表面搭載マイクロ波パツケージのハイブ
リツドICの平面図、第4図は第3図のハイブリツドICの
リード・フレームの平面図、第5図は本発明の他の実施
例を示す分解斜視図、第6図は第5図のパツケージのス
ルーホール付近の等価回路図、第7図は第1図のパツケ
ージに対する時間領域反射率計の出力を示す曲線図であ
る。 (10)……プリント回路板、(16)……第1マイクロ波
伝送線、(20)……その端部、(26)……基板、(3
0),(44)……共面伝送線、(28)……接地面、(3
6),(46)……第2マイクロ波伝送線、(42)……集
積回路、(40)……スルーホール、(24)……マイクロ
波集積回路パツケージ、G……間隔。
2図は第1図のパツケージのスルーホール付近の等価回
路図、第3図は表面搭載マイクロ波パツケージのハイブ
リツドICの平面図、第4図は第3図のハイブリツドICの
リード・フレームの平面図、第5図は本発明の他の実施
例を示す分解斜視図、第6図は第5図のパツケージのス
ルーホール付近の等価回路図、第7図は第1図のパツケ
ージに対する時間領域反射率計の出力を示す曲線図であ
る。 (10)……プリント回路板、(16)……第1マイクロ波
伝送線、(20)……その端部、(26)……基板、(3
0),(44)……共面伝送線、(28)……接地面、(3
6),(46)……第2マイクロ波伝送線、(42)……集
積回路、(40)……スルーホール、(24)……マイクロ
波集積回路パツケージ、G……間隔。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−106202(JP,A) 特開 昭55−128901(JP,A) 実公 昭55−39614(JP,Y2) 米国特許4543544(US,A) 米国特許4276558(US,A)
Claims (1)
- 【請求項1】表面に第1マイクロ波伝送線が設けられた
プリント回路板と、 基板と、 該基板の裏面に設けられ、上記プリント回路板上の第1
マイクロ波伝送線の端部と接触する共面伝送線と、 上記基板の裏面に上記共面伝送線を間隔をおいて包囲す
るように設けられる接地面と、 上記基板の表面に設けられ、該基板上の集積回路に接続
された第2マイクロ波伝送線と、 上記基板に設けられ、上記共面伝送線及び上記第2マイ
クロ波伝送線を接続する金属被覆スルーホールとを具
え、 上記共面伝送線の端部と上記接地面との間隔を、該間隔
により生じる電気容量が上記スルーホール及び上記伝送
線の端部により発生するインダクタンスを補正するよう
に決定することを特徴とするマイクロ波集積回路パッケ
ージ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US06/727,946 US4626805A (en) | 1985-04-26 | 1985-04-26 | Surface mountable microwave IC package |
US727946 | 1991-07-10 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61251059A JPS61251059A (ja) | 1986-11-08 |
JPH07114323B2 true JPH07114323B2 (ja) | 1995-12-06 |
Family
ID=24924763
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61096600A Expired - Lifetime JPH07114323B2 (ja) | 1985-04-26 | 1986-04-25 | マイクロ波集積回路パツケ−ジ |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4626805A (ja) |
EP (1) | EP0200291B1 (ja) |
JP (1) | JPH07114323B2 (ja) |
CA (1) | CA1240373A (ja) |
DE (1) | DE3675975D1 (ja) |
Families Citing this family (77)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4744008A (en) * | 1986-11-18 | 1988-05-10 | International Business Machines Corporation | Flexible film chip carrier with decoupling capacitors |
US5334962A (en) * | 1987-09-18 | 1994-08-02 | Q-Dot Inc. | High-speed data supply pathway systems |
JPH01177201A (ja) * | 1988-01-06 | 1989-07-13 | A T R Koudenpa Tsushin Kenkyusho:Kk | マイクロ波集積回路用受動回路装置 |
US4862120A (en) * | 1988-02-29 | 1989-08-29 | Canadian Patents And Development Limited/Societe Canadienne Des Brevets Et D'exploitation Limitee | Wideband stripline to microstrip transition |
US5182631A (en) * | 1988-04-15 | 1993-01-26 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Film carrier for RF IC |
US4937707A (en) * | 1988-05-26 | 1990-06-26 | International Business Machines Corporation | Flexible carrier for an electronic device |
US4987100A (en) * | 1988-05-26 | 1991-01-22 | International Business Machines Corporation | Flexible carrier for an electronic device |
US5023993A (en) * | 1988-09-30 | 1991-06-18 | Grumman Aerospace Corporation | Method for manufacturing a high-performance package for monolithic microwave integrated circuits |
US4901041A (en) * | 1988-09-30 | 1990-02-13 | Grumman Corporation | High-performance package for monolithic microwave integrated circuits |
US4891612A (en) * | 1988-11-04 | 1990-01-02 | Cascade Microtech, Inc. | Overlap interfaces between coplanar transmission lines which are tolerant to transverse and longitudinal misalignment |
US5214498A (en) * | 1990-02-26 | 1993-05-25 | Raytheon Company | MMIC package and connector |
US5115245A (en) * | 1990-09-04 | 1992-05-19 | Hughes Aircraft Company | Single substrate microwave radar transceiver including flip-chip integrated circuits |
JP2605502B2 (ja) * | 1991-05-14 | 1997-04-30 | 三菱電機株式会社 | パッケージ |
JPH0637202A (ja) * | 1992-07-20 | 1994-02-10 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波ic用パッケージ |
US5270673A (en) * | 1992-07-24 | 1993-12-14 | Hewlett-Packard Company | Surface mount microcircuit hybrid |
US5389904A (en) * | 1992-09-11 | 1995-02-14 | Industrial Technology Research Institute, Taiwan, R.O.C. | Surface-mountable, frequency selective microwave IC package |
US5469130A (en) * | 1992-11-27 | 1995-11-21 | Murata Mfg. Co., Ltd. | High frequency parallel strip line cable comprising connector part and connector provided on substrate for connecting with connector part thereof |
US5402088A (en) * | 1992-12-03 | 1995-03-28 | Ail Systems, Inc. | Apparatus for the interconnection of radio frequency (RF) monolithic microwave integrated circuits |
US5466892A (en) * | 1993-02-03 | 1995-11-14 | Zycon Corporation | Circuit boards including capacitive coupling for signal transmission and methods of use and manufacture |
DE4417586A1 (de) * | 1993-08-03 | 1995-02-09 | Hewlett Packard Co | Familie von demontierbaren Hybridanordnungen unterschiedlicher Größe mit Mikrowellenbandbreitenverbindern |
SE500982C2 (sv) * | 1993-09-27 | 1994-10-10 | Sivers Ima Ab | Mikrovågskrets med impedansanpassat gränssnittsorgan |
US5942957A (en) * | 1994-09-26 | 1999-08-24 | Endgate Corporation | Flip-mounted impedance |
GB2298957A (en) * | 1995-03-16 | 1996-09-18 | Oxley Dev Co Ltd | Microstrip microwave package |
US5583468A (en) * | 1995-04-03 | 1996-12-10 | Motorola, Inc. | High frequency transition from a microstrip transmission line to an MMIC coplanar waveguide |
US5777528A (en) * | 1995-05-26 | 1998-07-07 | Motorola, Inc. | Mode suppressing coplanar waveguide transition and method |
JP2630311B2 (ja) * | 1995-06-15 | 1997-07-16 | 日本電気株式会社 | 半導体集積回路装置 |
SE9502326D0 (sv) * | 1995-06-27 | 1995-06-27 | Sivers Ima Ab | Mikrovågskrets, sådan krets av kapslat utförande, samt användning av mikrovågskretsen i ett kretsarrangemang |
US5757252A (en) * | 1995-08-31 | 1998-05-26 | Itt Industries, Inc. | Wide frequency band transition between via RF transmission lines and planar transmission lines |
JP2791301B2 (ja) * | 1995-11-10 | 1998-08-27 | 株式会社東芝 | マイクロ波集積回路及びマイクロ波回路装置 |
FR2771890B1 (fr) * | 1997-11-28 | 2000-02-18 | Thomson Csf | Procede de montage en surface d'un boitier hyperfrequence sur un circuit imprime et boitier et circuit imprime pour la mise en oeuvre du procede |
AU1814999A (en) * | 1997-12-15 | 1999-07-19 | Stratedge Corporation | Ceramic microelectronics package with co-planar waveguide feed-through |
DE60035553T2 (de) * | 1999-08-11 | 2008-04-17 | Kyocera Corp. | Hochfrequenzschaltungsplatte und seine Verbindungsstruktur |
AU2001227912A1 (en) * | 2000-01-13 | 2001-07-24 | Alpha Industries, Inc. | Microwave ic package with dual mode wave guide |
US6545564B1 (en) | 2000-04-25 | 2003-04-08 | Signal Technology Corporation | RF signal divider |
DE20114544U1 (de) | 2000-12-04 | 2002-02-21 | Cascade Microtech Inc | Wafersonde |
US6804099B2 (en) * | 2001-04-04 | 2004-10-12 | Microtune (Texas), L.P. | Cable network interface circuit |
US6617943B1 (en) * | 2001-07-27 | 2003-09-09 | Applied Micro Circuits Corporation | Package substrate interconnect layout for providing bandpass/lowpass filtering |
GB2383199B (en) * | 2001-12-11 | 2005-11-16 | Marconi Optical Components Ltd | Transmission line structures |
US6770822B2 (en) * | 2002-02-22 | 2004-08-03 | Bridgewave Communications, Inc. | High frequency device packages and methods |
US6667549B2 (en) | 2002-05-01 | 2003-12-23 | Bridgewave Communications, Inc. | Micro circuits with a sculpted ground plane |
EP1509776A4 (en) * | 2002-05-23 | 2010-08-18 | Cascade Microtech Inc | TEST PROBE OF A DEVICE SUBMITTED TEST |
JPWO2004075336A1 (ja) * | 2003-02-21 | 2006-06-01 | 松下電器産業株式会社 | 高周波回路 |
US6924714B2 (en) * | 2003-05-14 | 2005-08-02 | Anokiwave, Inc. | High power termination for radio frequency (RF) circuits |
US7057404B2 (en) | 2003-05-23 | 2006-06-06 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Shielded probe for testing a device under test |
KR100960496B1 (ko) * | 2003-10-31 | 2010-06-01 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시소자의 러빙방법 |
DE202004021093U1 (de) | 2003-12-24 | 2006-09-28 | Cascade Microtech, Inc., Beaverton | Aktiver Halbleiterscheibenmessfühler |
US7420381B2 (en) | 2004-09-13 | 2008-09-02 | Cascade Microtech, Inc. | Double sided probing structures |
US7187249B2 (en) * | 2004-09-24 | 2007-03-06 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Interconnecting a port of a microwave circuit package and a microwave component mounted in the microwave circuit package |
JP2006287560A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Tdk Corp | 電子回路 |
US9140724B1 (en) * | 2006-01-06 | 2015-09-22 | Lecroy Corporation | Compensating resistance probing tip optimized adapters for use with specific electrical test probes |
JP4817924B2 (ja) * | 2006-03-29 | 2011-11-16 | 株式会社東芝 | 半導体パッケージ |
US7723999B2 (en) | 2006-06-12 | 2010-05-25 | Cascade Microtech, Inc. | Calibration structures for differential signal probing |
US7403028B2 (en) * | 2006-06-12 | 2008-07-22 | Cascade Microtech, Inc. | Test structure and probe for differential signals |
US7764072B2 (en) | 2006-06-12 | 2010-07-27 | Cascade Microtech, Inc. | Differential signal probing system |
JP4745943B2 (ja) * | 2006-11-30 | 2011-08-10 | 京セラ株式会社 | 電子回路、送信器、受信器、送受信器 |
US7876114B2 (en) | 2007-08-08 | 2011-01-25 | Cascade Microtech, Inc. | Differential waveguide probe |
US7880570B2 (en) * | 2007-10-25 | 2011-02-01 | Finisar Corporation | Feed thru with flipped signal plane using guided vias |
US8581113B2 (en) | 2007-12-19 | 2013-11-12 | Bridgewave Communications, Inc. | Low cost high frequency device package and methods |
GB2461882B (en) * | 2008-07-15 | 2012-07-25 | Thales Holdings Uk Plc | Integrated microwave circuit |
JP5287390B2 (ja) | 2009-03-16 | 2013-09-11 | ソニー株式会社 | 半導体装置、伝送システム、半導体装置の製造方法及び伝送システムの製造方法 |
US8169060B2 (en) | 2010-03-29 | 2012-05-01 | Infineon Technologies Ag | Integrated circuit package assembly including wave guide |
JP5682182B2 (ja) * | 2010-08-30 | 2015-03-11 | 富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社 | 光変調器モジュール |
WO2012167466A1 (en) | 2011-07-04 | 2012-12-13 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Module and coupling arrangement |
US8866291B2 (en) | 2012-02-10 | 2014-10-21 | Raytheon Company | Flip-chip mounted microstrip monolithic microwave integrated circuits (MMICs) |
US9625508B2 (en) * | 2014-01-27 | 2017-04-18 | Vayyar Imaging Ltd. | Vector network analyzer |
US10545107B2 (en) | 2015-04-26 | 2020-01-28 | Vayyar Imaging Ltd | System, device and methods for measuring substances' dielectric properties using microwave sensors |
US11016173B2 (en) | 2015-04-27 | 2021-05-25 | Vayyar Imaging Ltd. | System and methods for calibrating an antenna array using targets |
WO2016174680A1 (en) | 2015-04-29 | 2016-11-03 | Vayyar Imaging Ltd | System, device and methods for localization and orientation of a radio frequency antenna array |
US10690760B2 (en) | 2015-05-05 | 2020-06-23 | Vayyar Imaging Ltd | System and methods for three dimensional modeling of an object using a radio frequency device |
WO2016181398A1 (en) | 2015-05-11 | 2016-11-17 | Vayyar Imaging Ltd | System, device and methods for imaging of objects using electromagnetic array |
US9876590B2 (en) | 2015-08-02 | 2018-01-23 | Vayyar Imaging Ltd. | Real-time network analyzer and applications |
US10290948B2 (en) | 2015-08-02 | 2019-05-14 | Vayyar Imaging Ltd | System and method for radio frequency penetration imaging of an object |
US9842813B2 (en) | 2015-09-21 | 2017-12-12 | Altera Corporation | Tranmission line bridge interconnects |
US10436896B2 (en) | 2015-11-29 | 2019-10-08 | Vayyar Imaging Ltd. | System, device and method for imaging of objects using signal clustering |
US11605583B2 (en) | 2019-01-02 | 2023-03-14 | Keysight Technologies, Inc. | High-performance integrated circuit packaging platform compatible with surface mount assembly |
US11257771B2 (en) * | 2019-01-02 | 2022-02-22 | Keysight Technologies, Inc. | High-performance integrated circuit packaging platform compatible with surface mount assembly |
DE102019119118A1 (de) | 2019-07-15 | 2021-01-21 | Infineon Technologies Ag | Halbleitergehäuse, halbleiteranordnung und verfahren zur herstellung eines halbleitergehäuses |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4276558A (en) | 1979-06-15 | 1981-06-30 | Ford Aerospace & Communications Corp. | Hermetically sealed active microwave integrated circuit |
US4543544A (en) | 1984-01-04 | 1985-09-24 | Motorola, Inc. | LCC co-planar lead frame semiconductor IC package |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE202925C (ja) * | 1969-04-30 | 1900-01-01 | ||
GB856889A (en) * | 1958-06-11 | 1960-12-21 | Marconi Wireless Telegraph Co | Improvements in or relating to transmission lines |
US3303439A (en) * | 1965-06-14 | 1967-02-07 | Western Electric Co | Strip transmission line interboard connection |
US3848198A (en) * | 1972-12-14 | 1974-11-12 | Rca Corp | Microwave transmission line and devices using multiple coplanar conductors |
US3842360A (en) * | 1973-11-30 | 1974-10-15 | Westinghouse Electric Corp | Parametric amplifier |
US4110712A (en) * | 1975-05-14 | 1978-08-29 | The Secretary Of State For Defence In Her Britannic Majesty's Government Of The United Kingdom Of Great Britain And Northern Ireland | Microstrip circuit having coplanar waveguide port |
JPS5539614U (ja) * | 1978-09-07 | 1980-03-14 | ||
JPS55128901A (en) * | 1979-03-28 | 1980-10-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | High frequency circuit device |
JPS55140251A (en) * | 1979-04-12 | 1980-11-01 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device |
FR2507409B1 (fr) * | 1981-06-03 | 1985-09-13 | Radiotechnique Compelec | Circuit hyperfrequence, notamment amplificateur a transistor a effet de champ |
JPS59126654A (ja) * | 1983-01-10 | 1984-07-21 | Toshiba Corp | 高周波電力増幅器 |
JPH0763121B2 (ja) * | 1983-11-14 | 1995-07-05 | 日本電信電話株式会社 | モノリシツクマイクロ波集積回路 |
-
1985
- 1985-04-26 US US06/727,946 patent/US4626805A/en not_active Expired - Lifetime
-
1986
- 1986-02-10 EP EP86300873A patent/EP0200291B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-02-10 DE DE8686300873T patent/DE3675975D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1986-02-27 CA CA000502853A patent/CA1240373A/en not_active Expired
- 1986-04-25 JP JP61096600A patent/JPH07114323B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4276558A (en) | 1979-06-15 | 1981-06-30 | Ford Aerospace & Communications Corp. | Hermetically sealed active microwave integrated circuit |
US4543544A (en) | 1984-01-04 | 1985-09-24 | Motorola, Inc. | LCC co-planar lead frame semiconductor IC package |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4626805A (en) | 1986-12-02 |
CA1240373A (en) | 1988-08-09 |
EP0200291A2 (en) | 1986-11-05 |
EP0200291A3 (en) | 1987-05-27 |
JPS61251059A (ja) | 1986-11-08 |
EP0200291B1 (en) | 1990-12-05 |
DE3675975D1 (de) | 1991-01-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH07114323B2 (ja) | マイクロ波集積回路パツケ−ジ | |
JPH10242716A (ja) | 高周波用入出力端子ならびにそれを用いた高周波用半導体素子収納用パッケージ | |
US5218230A (en) | Ic package with electric conductor lines in dielectric package body | |
US6936921B2 (en) | High-frequency package | |
JPS61114562A (ja) | マイクロ波用チツプキヤリヤ | |
JP3439969B2 (ja) | 高周波用入出力端子ならびに高周波用半導体素子収納用パッケージ | |
JP3178452B2 (ja) | 半導体装置用パッケージとその実装構造 | |
JP3048992B2 (ja) | Mmicモジュール | |
JP2000307020A (ja) | 高周波デバイス用パッケージ | |
JP3337016B2 (ja) | 高周波半導体パッケージ | |
JPS6086852A (ja) | 半導体装置 | |
JP2000183230A (ja) | 高周波回路用パッケージの実装構造 | |
JP2002198712A (ja) | 導波管変換基板及び高周波モジュール | |
JPH02135901A (ja) | マイクロ波回路用電子部品の実装構造 | |
JP2002305262A (ja) | 半導体素子実装用パッケージ | |
JPH05183310A (ja) | 半導体装置 | |
JP2775678B2 (ja) | 高周波半導体集積回路装置 | |
JPH0974152A (ja) | 半導体装置 | |
JP2001177012A (ja) | 高周波用配線基板 | |
JPH04243302A (ja) | 高周波平面回路モジュール | |
JP2000183611A (ja) | 接続端子構造 | |
JPH06112337A (ja) | 半導体装置用パッケージ | |
JPH0468701A (ja) | Icパッケージ | |
JP2000278008A (ja) | 高周波用配線基板 | |
JPH08186198A (ja) | 表面取付可能なマイクロ波パッケージ |