JPH04243302A - 高周波平面回路モジュール - Google Patents
高周波平面回路モジュールInfo
- Publication number
- JPH04243302A JPH04243302A JP3015739A JP1573991A JPH04243302A JP H04243302 A JPH04243302 A JP H04243302A JP 3015739 A JP3015739 A JP 3015739A JP 1573991 A JP1573991 A JP 1573991A JP H04243302 A JPH04243302 A JP H04243302A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- planar circuit
- high frequency
- circuit module
- case
- plane circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 238000005452 bending Methods 0.000 abstract description 14
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 29
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 29
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 10
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Waveguides (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高周波平面回路モジュー
ルに関する。
ルに関する。
【０００２】近年、急速に発展したＩＣ製造技術や印刷
配線板のパターン成形技術を応用することにより、マイ
クロ波、ミリ波帯の高周波回路においても、アルミナセ
ラミックス等の誘電体基板上にストリップパターンを形
成し、半導体部品を実装してなるハイブリッドＭＩＣ、
あるいはシリコンやガリウム・ひ素等の半導体基板上に
能動回路素子を一体的に形成してなるモノリシックＭＩ
Ｃ等が用いられるようになってきた。
配線板のパターン成形技術を応用することにより、マイ
クロ波、ミリ波帯の高周波回路においても、アルミナセ
ラミックス等の誘電体基板上にストリップパターンを形
成し、半導体部品を実装してなるハイブリッドＭＩＣ、
あるいはシリコンやガリウム・ひ素等の半導体基板上に
能動回路素子を一体的に形成してなるモノリシックＭＩ
Ｃ等が用いられるようになってきた。
【０００３】そして、これらのＭＩＣは単独であるいは
他のＭＩＣ等と複合されて金属からなるベース基板上に
配置され、このベース基板の端部にマイクロストリップ
線路からなる接続端子等を配置して高周波平面回路モジ
ュールとされる。この高周波平面回路モジュールは、筐
体等に他の高周波平面回路モジュールとともに、それぞ
れの接続端子が隣接するように実装・配置され、金リボ
ン等で接続されて使用される。このような高周波平面回
路モジュールにおいては、筐体等に実装した際に他の高
周波平面回路モジュールとの接続における整合性が重要
であり、相対する接続端子の位置を厳密に確定する必要
がある。
他のＭＩＣ等と複合されて金属からなるベース基板上に
配置され、このベース基板の端部にマイクロストリップ
線路からなる接続端子等を配置して高周波平面回路モジ
ュールとされる。この高周波平面回路モジュールは、筐
体等に他の高周波平面回路モジュールとともに、それぞ
れの接続端子が隣接するように実装・配置され、金リボ
ン等で接続されて使用される。このような高周波平面回
路モジュールにおいては、筐体等に実装した際に他の高
周波平面回路モジュールとの接続における整合性が重要
であり、相対する接続端子の位置を厳密に確定する必要
がある。
【０００４】
【従来の技術】図４は従来の高周波平面回路モジュール
の構成を示す斜視図、図５は同じく一部破断側面図であ
る。同図において、１は整合回路や能動素子をガリウム
・ひ素（Ｇａ・Ａｓ）等からなる半導体基板に一体形成
してなるＭＭＩＣであり、２は誘電体基板上にストリッ
プパターンが形成されてなるマイクロ波平面回路である
。３はその隅部近傍に４つの取付フランジ部３ａ，３ｂ
を有する金属パッケージ（本願明細書中においては、ベ
ース基板ともいう）であり、この金属パッケージ３は無
酸素銅からなり、その表面は一様に金メッキされている
。
の構成を示す斜視図、図５は同じく一部破断側面図であ
る。同図において、１は整合回路や能動素子をガリウム
・ひ素（Ｇａ・Ａｓ）等からなる半導体基板に一体形成
してなるＭＭＩＣであり、２は誘電体基板上にストリッ
プパターンが形成されてなるマイクロ波平面回路である
。３はその隅部近傍に４つの取付フランジ部３ａ，３ｂ
を有する金属パッケージ（本願明細書中においては、ベ
ース基板ともいう）であり、この金属パッケージ３は無
酸素銅からなり、その表面は一様に金メッキされている
。
【０００５】この取付フランジ部３ａ，３ｂの部分は、
ＭＭＩＣ１等が実装される面と反対側の面において、切
欠かれて段差状に形成されている。
ＭＭＩＣ１等が実装される面と反対側の面において、切
欠かれて段差状に形成されている。
【０００６】ＭＭＩＣ１及びマイクロ波平面回路２の裏
面には、アースパターンが一様に形成されており、ＭＭ
ＩＣ１は銅・タングステン（Ｃｕ・Ｗ）焼結金属からな
る板状部材にそのアース面が、金・錫（Ａｕ・Ｓｎ）等
のロー材により接着されている。これらＭＭＩＣ１及び
マイクロ波平面回路２は金属パッケージ３上に配列され
、接着・固定されている。
面には、アースパターンが一様に形成されており、ＭＭ
ＩＣ１は銅・タングステン（Ｃｕ・Ｗ）焼結金属からな
る板状部材にそのアース面が、金・錫（Ａｕ・Ｓｎ）等
のロー材により接着されている。これらＭＭＩＣ１及び
マイクロ波平面回路２は金属パッケージ３上に配列され
、接着・固定されている。
【０００７】金属パッケージ３の両端縁部近傍には、マ
イクロストリップ線路からなる接続端子５がそれぞれ配
置され、ＭＭＩＣ１、マイクロ波平面回路２及び接続端
子５はそれぞれ順次金リボン等により接続されている。 ６はＭＭＩＣ１等にバイアス電圧を印加する等に使用さ
れる端子である。また、金属パッケージ３のＭＭＩＣ１
等が実装される部分の周囲には、側壁部７がその全周に
渡って形成されており、ＭＭＩＣ１等を実装した後に、
蓋（図示せず）により封止されるようになっている。
イクロストリップ線路からなる接続端子５がそれぞれ配
置され、ＭＭＩＣ１、マイクロ波平面回路２及び接続端
子５はそれぞれ順次金リボン等により接続されている。 ６はＭＭＩＣ１等にバイアス電圧を印加する等に使用さ
れる端子である。また、金属パッケージ３のＭＭＩＣ１
等が実装される部分の周囲には、側壁部７がその全周に
渡って形成されており、ＭＭＩＣ１等を実装した後に、
蓋（図示せず）により封止されるようになっている。
【０００８】このような構成の高周波平面回路モジュー
ルは、他の高周波平面回路モジュールとともに、それぞ
れの接続端子５が隣接するように筐体９に配置され、金
属パッケージ３の取付フランジ部３ａ，３ｂをそれぞれ
ねじ８により筐体９に固定して実装される。それぞれの
高周波平面回路モジュールはその接続端子５が金リボン
等により接続されることにより電気的に接続される。
ルは、他の高周波平面回路モジュールとともに、それぞ
れの接続端子５が隣接するように筐体９に配置され、金
属パッケージ３の取付フランジ部３ａ，３ｂをそれぞれ
ねじ８により筐体９に固定して実装される。それぞれの
高周波平面回路モジュールはその接続端子５が金リボン
等により接続されることにより電気的に接続される。
【０００９】上述したような高周波平面回路モジュール
においては、筐体９に実装された際に、他の高周波平面
回路モジュールとの整合性が重要であり、相対する接続
端子５が厳密な位置関係となるように筐体９に実装され
る必要があり、金属パッケージ３の接続端子５が配置さ
れた部分の裏面側が筐体９に確実に密着するような構成
でなくてはならない。また、金属パッケージ３のＭＭＩ
Ｃ１等が実装される部分（以下ベース部ともいう）は放
熱特性等の観点から同様に筐体９に密着させる必要があ
る。このため、従来は、金属パッケージ３の取付フラン
ジ部３ａ，３ｂの部分を切欠いて段差状に形成し、筐体
９に実装したときにこの部分は筐体９に接触しないよう
にすることにより、金属パッケージ３のベース部を筐体
９に密着させるようにしていた。
においては、筐体９に実装された際に、他の高周波平面
回路モジュールとの整合性が重要であり、相対する接続
端子５が厳密な位置関係となるように筐体９に実装され
る必要があり、金属パッケージ３の接続端子５が配置さ
れた部分の裏面側が筐体９に確実に密着するような構成
でなくてはならない。また、金属パッケージ３のＭＭＩ
Ｃ１等が実装される部分（以下ベース部ともいう）は放
熱特性等の観点から同様に筐体９に密着させる必要があ
る。このため、従来は、金属パッケージ３の取付フラン
ジ部３ａ，３ｂの部分を切欠いて段差状に形成し、筐体
９に実装したときにこの部分は筐体９に接触しないよう
にすることにより、金属パッケージ３のベース部を筐体
９に密着させるようにしていた。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来構成
は、適用される周波数が比較的低いものについては有効
であるものの、適用される周波数が高くなってくると、
これに伴い高周波平面回路モジュールも小型化し、その
構成部品である金属パッケージの高周波平面回路部品が
実装される部分の厚さも適用される高周波信号の伝送特
性により制限され、薄型化してきている。
は、適用される周波数が比較的低いものについては有効
であるものの、適用される周波数が高くなってくると、
これに伴い高周波平面回路モジュールも小型化し、その
構成部品である金属パッケージの高周波平面回路部品が
実装される部分の厚さも適用される高周波信号の伝送特
性により制限され、薄型化してきている。
【００１１】このような金属パッケージの薄型化に伴い
、図６に示されているように、金属パッケージ３に円弧
状の反りが生じ、接続端子５の位置が確定しないことか
ら、最も重要な他の高周波平面回路モジュールとの整合
性が悪いという問題が生じた。尚、この場合における曲
げモーメントによる応力分布が図７に示されている。 金属パッケージの薄型化に伴いその構成上当然に生じる
問題であることがわかる。尚、同図において、Ｐはねじ
締結された際に金属パッケージに作用する荷重を示し、
Ｒ１ ，Ｒ２ は支点、即ち、ベース部の両端部の位置
である。支点Ｒ１ ，Ｒ２ から荷重Ｐが作用する位置
までの距離をｌ１ とすると、金属パッケージ３のベー
ス部に生じる曲げモーメントＭは、Ｍ＝Ｐｌ１ となる
。
、図６に示されているように、金属パッケージ３に円弧
状の反りが生じ、接続端子５の位置が確定しないことか
ら、最も重要な他の高周波平面回路モジュールとの整合
性が悪いという問題が生じた。尚、この場合における曲
げモーメントによる応力分布が図７に示されている。 金属パッケージの薄型化に伴いその構成上当然に生じる
問題であることがわかる。尚、同図において、Ｐはねじ
締結された際に金属パッケージに作用する荷重を示し、
Ｒ１ ，Ｒ２ は支点、即ち、ベース部の両端部の位置
である。支点Ｒ１ ，Ｒ２ から荷重Ｐが作用する位置
までの距離をｌ１ とすると、金属パッケージ３のベー
ス部に生じる曲げモーメントＭは、Ｍ＝Ｐｌ１ となる
。
【００１２】本発明はこのような点に鑑みてなされたも
のであり、実装時に変形が少なく、他の高周波平面回路
モジュールとの整合性を向上することができる高周波平
面回路モジュールを提供することである。
のであり、実装時に変形が少なく、他の高周波平面回路
モジュールとの整合性を向上することができる高周波平
面回路モジュールを提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】高周波平面回路が形成さ
れた平面回路部品をベース基板上に固着・配置し、該ベ
ース基板の両端部近傍に入出力端子を配置し、該ベース
基板の隅部近傍に該入出力端子を挟んで一対の取付フラ
ンジ部を、実装時に筐体から離間した状態となるように
形成し、該取付フランジ部をそれぞれねじ締結すること
により、筐体に実装するようにした高周波平面回路モジ
ュールにおいて、前記取付フランジ部の筐体との対向面
側の前記ねじ締結される部分の外側に、実装時に筐体に
当接する突起部を設けて構成する。
れた平面回路部品をベース基板上に固着・配置し、該ベ
ース基板の両端部近傍に入出力端子を配置し、該ベース
基板の隅部近傍に該入出力端子を挟んで一対の取付フラ
ンジ部を、実装時に筐体から離間した状態となるように
形成し、該取付フランジ部をそれぞれねじ締結すること
により、筐体に実装するようにした高周波平面回路モジ
ュールにおいて、前記取付フランジ部の筐体との対向面
側の前記ねじ締結される部分の外側に、実装時に筐体に
当接する突起部を設けて構成する。
【００１４】
【作用】本発明によると、取付フランジ部の筐体との対
向面側のねじ締結される部分の外側に、実装時に筐体に
当接する突起部を設けて構成しているので、ねじ締結し
た際に、ベース基板の平面回路部品が実装される部分（
ベース部）の両端部とそれぞれ対応する突起部との間で
生じる曲げモーメントは、ベース基板の平面回路部品が
実装される部分の両端部間で生じる曲げモーメントと反
対方向となり、ベース基板の平面回路部品が実装される
部分に発生する曲げモーメントが緩和され、ベース基板
の反りの発生が少なくなり、これにより他の高周波平面
回路モジュールとの整合性を向上することができる。
向面側のねじ締結される部分の外側に、実装時に筐体に
当接する突起部を設けて構成しているので、ねじ締結し
た際に、ベース基板の平面回路部品が実装される部分（
ベース部）の両端部とそれぞれ対応する突起部との間で
生じる曲げモーメントは、ベース基板の平面回路部品が
実装される部分の両端部間で生じる曲げモーメントと反
対方向となり、ベース基板の平面回路部品が実装される
部分に発生する曲げモーメントが緩和され、ベース基板
の反りの発生が少なくなり、これにより他の高周波平面
回路モジュールとの整合性を向上することができる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
することにする。図１は本発明実施例に係る高周波平面
回路モジュールの構成を示す斜視図、図２は同じく一部
破断側面図である。同図において、図４及び図５を参照
して説明した従来の高周波平面回路モジュールと同一の
構成部分については同一の番号を付して説明することに
する。
することにする。図１は本発明実施例に係る高周波平面
回路モジュールの構成を示す斜視図、図２は同じく一部
破断側面図である。同図において、図４及び図５を参照
して説明した従来の高周波平面回路モジュールと同一の
構成部分については同一の番号を付して説明することに
する。
【００１６】１は整合回路や能動素子をガリウム・ひ素
（Ｇａ・Ａｓ）等からなる半導体基板に一体成形してな
るＭＭＩＣであり、２は誘電体基板上にストリップパタ
ーンが形成されてなるマイクロ波平面回路である。３は
その隅部近傍に４つの取付フランジ部３ａ，３ｂを有す
る金属パッケージ（ベース基板）であり、この取付フラ
ンジ部３ａ，３ｂにはそれぞれねじ挿入用の貫通孔が形
成されており、これら貫通孔の近傍はその断面が凹とな
るように切欠かれており、その先端部に突起部４が形成
されている。金属パッケージ３は無酸素銅からなり、そ
の表面は一様に金メッキされている。
（Ｇａ・Ａｓ）等からなる半導体基板に一体成形してな
るＭＭＩＣであり、２は誘電体基板上にストリップパタ
ーンが形成されてなるマイクロ波平面回路である。３は
その隅部近傍に４つの取付フランジ部３ａ，３ｂを有す
る金属パッケージ（ベース基板）であり、この取付フラ
ンジ部３ａ，３ｂにはそれぞれねじ挿入用の貫通孔が形
成されており、これら貫通孔の近傍はその断面が凹とな
るように切欠かれており、その先端部に突起部４が形成
されている。金属パッケージ３は無酸素銅からなり、そ
の表面は一様に金メッキされている。
【００１７】ＭＭＩＣ１及びマイクロ波平面回路２の裏
面には、アースパターンが一様に形成されており、ＭＭ
ＩＣ１は銅・タングステン（Ｃｕ・Ｗ）焼結金属からな
る板状部材（図示せず）にそのアース面が、金・錫（Ａ
ｕ・Ｓｎ）等のロー材により接着され、これらＭＭＩＣ
１及びマイクロ波平面回路２は金属パッケージ３上に配
列され、接着・固定されている。
面には、アースパターンが一様に形成されており、ＭＭ
ＩＣ１は銅・タングステン（Ｃｕ・Ｗ）焼結金属からな
る板状部材（図示せず）にそのアース面が、金・錫（Ａ
ｕ・Ｓｎ）等のロー材により接着され、これらＭＭＩＣ
１及びマイクロ波平面回路２は金属パッケージ３上に配
列され、接着・固定されている。
【００１８】金属パッケージ３の両端縁部近傍にはマイ
クロストリップ線路からなる接続端子５がそれぞれ配置
され、ＭＭＩＣ１、マイクロ波平面回路２及び接続端子
５はそれぞれ順次金リボン等により接続されている。６
はＭＭＩＣ１等にバイアス電圧を印加する等に使用され
る端子である。また、金属パッケージ３のＭＭＩＣ１等
が実装される部分の周囲には、側壁部７がその全周に渡
って形成されており、ＭＭＩＣ１等を実装した後に、蓋
（図示せず）により封止されるようになっている。
クロストリップ線路からなる接続端子５がそれぞれ配置
され、ＭＭＩＣ１、マイクロ波平面回路２及び接続端子
５はそれぞれ順次金リボン等により接続されている。６
はＭＭＩＣ１等にバイアス電圧を印加する等に使用され
る端子である。また、金属パッケージ３のＭＭＩＣ１等
が実装される部分の周囲には、側壁部７がその全周に渡
って形成されており、ＭＭＩＣ１等を実装した後に、蓋
（図示せず）により封止されるようになっている。
【００１９】高周波平面回路モジュールは、他の高周波
平面回路モジュールとともに、それぞれの接続端子５が
隣接するように筐体９に配置され、金属パッケージ３の
取付フランジ部３ａ，３ｂをそれぞれねじ８により筐体
９に固定して実装される。それぞれの高周波平面回路モ
ジュールはその接続端子５が金リボン等により接続され
ることにより電気的に接続される。
平面回路モジュールとともに、それぞれの接続端子５が
隣接するように筐体９に配置され、金属パッケージ３の
取付フランジ部３ａ，３ｂをそれぞれねじ８により筐体
９に固定して実装される。それぞれの高周波平面回路モ
ジュールはその接続端子５が金リボン等により接続され
ることにより電気的に接続される。
【００２０】この構成における実装時の曲げモーメント
による応力分布が図３に示されている。同図において、
Ｐはねじ締結された際に金属パッケージ３に作用する荷
重を示し、Ｒ１ ，Ｒ２ ，Ｒ３ ，Ｒ４は支点、即ち
、金属パッケージ３のＭＭＩＣ１等が実装される部分（
ベース部）の両端部（Ｒ１ ，Ｒ２ ）、突起部４（Ｒ
３ ，Ｒ４ ）の位置である。支点Ｒ１ ，Ｒ２ から
荷重Ｐが作用する位置までの距離をｌ１ とし、支点Ｒ
３ ，Ｒ４ から荷重Ｐが作用する位置までの距離をｌ
２ とすると、金属パッケージ３のＭＭＩＣ１等が実装
される部分に生じる曲げモーメントＭは、ｌ１ ＞ｌ２
として、Ｍ＝Ｐ（ｌ１ −ｌ２）となる。従来技術に
おける曲げモーメントによる応力分布を示す図７と比較
すると明らかなように、従来技術においては、Ｍ＝Ｐｌ
１ であるから、発生する曲げモーメントが小さくなる
ことが容易に理解できる。
による応力分布が図３に示されている。同図において、
Ｐはねじ締結された際に金属パッケージ３に作用する荷
重を示し、Ｒ１ ，Ｒ２ ，Ｒ３ ，Ｒ４は支点、即ち
、金属パッケージ３のＭＭＩＣ１等が実装される部分（
ベース部）の両端部（Ｒ１ ，Ｒ２ ）、突起部４（Ｒ
３ ，Ｒ４ ）の位置である。支点Ｒ１ ，Ｒ２ から
荷重Ｐが作用する位置までの距離をｌ１ とし、支点Ｒ
３ ，Ｒ４ から荷重Ｐが作用する位置までの距離をｌ
２ とすると、金属パッケージ３のＭＭＩＣ１等が実装
される部分に生じる曲げモーメントＭは、ｌ１ ＞ｌ２
として、Ｍ＝Ｐ（ｌ１ −ｌ２）となる。従来技術に
おける曲げモーメントによる応力分布を示す図７と比較
すると明らかなように、従来技術においては、Ｍ＝Ｐｌ
１ であるから、発生する曲げモーメントが小さくなる
ことが容易に理解できる。
【００２１】このように、本実施例によれば、金属パッ
ケージ３のＭＭＩＣ１等が実装される部分に生じる曲げ
モーメントが小さいから、高周波平面回路モジュールを
筐体９に実装した際に、反りの発生が少なくなり、接続
端子５の位置が確定され、他の高周波平面回路モジュー
ルとの整合性を大幅に向上することができる。この構成
により、適用される周波数が高くなり、金属パッケージ
３を薄型化する必要がある場合においても、他の高周波
平面回路モジュールとの整合性が良好な高周波平面回路
モジュールを提供することができる。
ケージ３のＭＭＩＣ１等が実装される部分に生じる曲げ
モーメントが小さいから、高周波平面回路モジュールを
筐体９に実装した際に、反りの発生が少なくなり、接続
端子５の位置が確定され、他の高周波平面回路モジュー
ルとの整合性を大幅に向上することができる。この構成
により、適用される周波数が高くなり、金属パッケージ
３を薄型化する必要がある場合においても、他の高周波
平面回路モジュールとの整合性が良好な高周波平面回路
モジュールを提供することができる。
【００２２】
【発明の効果】本発明は以上詳述したように構成したの
で、高周波平面回路モジュールを筐体に実装した際に、
ベース基板の平面回路部品が実装される部分に生じる曲
げモーメントが小さくなり、ベース基板に発生する反り
が減少し、接続端子の位置の確定が容易となり、他の高
周波平面回路モジュールとの整合性を向上することがで
きるという効果を奏する。
で、高周波平面回路モジュールを筐体に実装した際に、
ベース基板の平面回路部品が実装される部分に生じる曲
げモーメントが小さくなり、ベース基板に発生する反り
が減少し、接続端子の位置の確定が容易となり、他の高
周波平面回路モジュールとの整合性を向上することがで
きるという効果を奏する。
【図１】本発明実施例の構成を示す斜視図である。
【図２】本発明実施例の一部破断側面図である。
【図３】本発明実施例における曲げモーメントによる応
力分布を示す図である。
力分布を示す図である。
【図４】従来技術の構成を示す斜視図である。
【図５】従来技術の一部破断側面図である。
【図６】従来技術の問題点を示す図である。
【図７】従来技術における曲げモーメントによる応力分
布を示す図である。
布を示す図である。
１ ＭＭＩＣ
２ マイクロ波平面回路
３ 金属パッケージ（ベース基板）
３ａ，３ｂ 取付フランジ部
４ 突起部
５ 接続端子
９ 筐体
Claims (1)
- 【請求項１】 高周波平面回路が形成された平面回路
部品（１，２） をベース基板（３） 上に固着・配置
し、該ベース基板（３） の両端部近傍に入出力端子（
５） を配置し、該ベース基板（３） の隅部近傍に該
入出力端子（５） を挟んで一対の取付フランジ部（３
ａ，３ｂ） を、実装時に筐体（９） から離間した状
態となるように形成し、該取付フランジ部（３ａ，３ｂ
） をそれぞれねじ締結することにより、筐体（９）
に実装するようにした高周波平面回路モジュールにおい
て、前記取付フランジ部（３ａ，３ｂ） の筐体（９）
との対向面側の前記ねじ締結される部分の外側に、実
装時に筐体（９） に当接する突起部（４） を設けた
ことを特徴とする高周波平面回路モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3015739A JPH04243302A (ja) | 1991-01-17 | 1991-01-17 | 高周波平面回路モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3015739A JPH04243302A (ja) | 1991-01-17 | 1991-01-17 | 高周波平面回路モジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04243302A true JPH04243302A (ja) | 1992-08-31 |
Family
ID=11897132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3015739A Withdrawn JPH04243302A (ja) | 1991-01-17 | 1991-01-17 | 高周波平面回路モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04243302A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001079686A1 (fr) * | 2000-04-18 | 2001-10-25 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Pompe haute pression et sa structure de montage |
| JP2017098458A (ja) * | 2015-11-26 | 2017-06-01 | 京セラ株式会社 | 半導体素子パッケージおよび半導体装置 |
-
1991
- 1991-01-17 JP JP3015739A patent/JPH04243302A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001079686A1 (fr) * | 2000-04-18 | 2001-10-25 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Pompe haute pression et sa structure de montage |
| US7114928B2 (en) | 2000-04-18 | 2006-10-03 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | High-pressure fuel pump and assembly structure of high-pressure pump |
| JP2017098458A (ja) * | 2015-11-26 | 2017-06-01 | 京セラ株式会社 | 半導体素子パッケージおよび半導体装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3230398B2 (ja) | 同一平面ヒ−トシンクおよび電気コンタクトを有する電子デバイス | |
| US5235208A (en) | Package for microwave integrated circuit | |
| JPS61251059A (ja) | マイクロ波集積回路パツケ−ジ | |
| US5376909A (en) | Device packaging | |
| JPH0786460A (ja) | 半導体装置 | |
| US4736273A (en) | Power semiconductor device for surface mounting | |
| KR100262711B1 (ko) | 고주파 증폭기 | |
| EP0835047A2 (en) | RF-driven semiconductor device | |
| US4996588A (en) | Device for interconnection and protection of a bare microwave component chip | |
| JPH04243302A (ja) | 高周波平面回路モジュール | |
| JP3178452B2 (ja) | 半導体装置用パッケージとその実装構造 | |
| JP2000183488A (ja) | ハイブリッドモジュール | |
| JPH04213863A (ja) | Ｉｃ実装用パッケージ／キャリア | |
| JP2758273B2 (ja) | 高周波平面回路モジュールの実装構造 | |
| JPH11204690A (ja) | 表面実装型パッケージ及び半導体装置 | |
| JP2901941B2 (ja) | 高周波電力用半導体装置 | |
| JP4127589B2 (ja) | 高周波半導体装置用パッケージおよび高周波半導体装置 | |
| JPH0121564Y2 (ja) | ||
| JPS6348129Y2 (ja) | ||
| JPH0334911Y2 (ja) | ||
| JPH05166965A (ja) | パッケージ構造体 | |
| JP2002076178A (ja) | 高周波回路装置 | |
| JPH04162751A (ja) | 高周波半導体装置 | |
| JPH0126109Y2 (ja) | ||
| JP2002198712A (ja) | 導波管変換基板及び高周波モジュール |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980514 |