JPH0688934B2 - 光学活性第一菊酸類をラセミ化する方法 - Google Patents
光学活性第一菊酸類をラセミ化する方法Info
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- JPH0688934B2 JPH0688934B2 JP62248281A JP24828187A JPH0688934B2 JP H0688934 B2 JPH0688934 B2 JP H0688934B2 JP 62248281 A JP62248281 A JP 62248281A JP 24828187 A JP24828187 A JP 24828187A JP H0688934 B2 JPH0688934 B2 JP H0688934B2
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C51/00—Preparation of carboxylic acids or their salts, halides or anhydrides
- C07C51/42—Separation; Purification; Stabilisation; Use of additives
- C07C51/487—Separation; Purification; Stabilisation; Use of additives by treatment giving rise to chemical modification
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- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Catalysts (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 <産業上の利用分野> 本発明は一般式(I) (式中、Rは水酸基、炭素数1〜20のアルコキシ基を表
わし、*は不斉炭素を表わす。) で示される光学活性第一菊酸類をラセミ化する方法に関
する。
わし、*は不斉炭素を表わす。) で示される光学活性第一菊酸類をラセミ化する方法に関
する。
<従来の技術,発明が解決しようとする問題点> 第一菊酸は、低毒速効性殺虫剤として有用なピレトリ
ン、アレスリン、フタルスリンなどのいわゆるピレスロ
イド系殺虫剤としてはよく知られているエステル類の酸
成分を構成するものであり、前記一般式(I)で示され
る第一菊酸類は、これらのピレスロイド系殺虫剤の原料
として有用である。
ン、アレスリン、フタルスリンなどのいわゆるピレスロ
イド系殺虫剤としてはよく知られているエステル類の酸
成分を構成するものであり、前記一般式(I)で示され
る第一菊酸類は、これらのピレスロイド系殺虫剤の原料
として有用である。
前記一般式(I)で示される第一菊酸類にはシス、トラ
ンスの幾何異性体があり、またその各々に(+)および
(−)の光学異性体があることから、合計4種の異性体
が存在する。一般に、これらの異性体の中、トランス体
から導びかれるピレスロイド系のエステル類は対応する
シス体から導びかれるピレスロイド系エステル類よりも
強い殺虫活性を示し、さらに(+)体のエステル類が対
応する(−)体のエステル類よりも遥かに高い活性を示
すことが知られている。
ンスの幾何異性体があり、またその各々に(+)および
(−)の光学異性体があることから、合計4種の異性体
が存在する。一般に、これらの異性体の中、トランス体
から導びかれるピレスロイド系のエステル類は対応する
シス体から導びかれるピレスロイド系エステル類よりも
強い殺虫活性を示し、さらに(+)体のエステル類が対
応する(−)体のエステル類よりも遥かに高い活性を示
すことが知られている。
第一菊酸は通常シス体、トランス体の混合したラセミ
体、即ち(±)体として製造され、これを光学活性な有
機塩基を用いて光学分割することにより(+)体が得ら
れ、より高活性な殺虫性化合物の製造に使用されてい
る。ここで光学分割された残りの(−)体はそのピレス
ロイド系のエステルとしての活性が殆んどなく、従って
この有用性のない(−)体を効率よくラセミ化し、より
有効な(±)体に変換することは、特に工業的規模での
ピレスロイド系エステルの生産時においては大きな課題
となる。
体、即ち(±)体として製造され、これを光学活性な有
機塩基を用いて光学分割することにより(+)体が得ら
れ、より高活性な殺虫性化合物の製造に使用されてい
る。ここで光学分割された残りの(−)体はそのピレス
ロイド系のエステルとしての活性が殆んどなく、従って
この有用性のない(−)体を効率よくラセミ化し、より
有効な(±)体に変換することは、特に工業的規模での
ピレスロイド系エステルの生産時においては大きな課題
となる。
しかしながら、前記のように、一般式(I)で示される
シクロプロパンカルボン酸類にはC1位とC3位に2個の不
斉炭素を有するため、そのラセミ化には種々の困難を伴
なう。
シクロプロパンカルボン酸類にはC1位とC3位に2個の不
斉炭素を有するため、そのラセミ化には種々の困難を伴
なう。
これ迄、第一菊酸類をラセミ化する方法としては、
(−)トランス−第一菊酸のC3位のイソブテニル基を酸
化してケトアルコール基に導いた後、C1位のカルボン酸
をエステル化し、これをアルカリ金属アルコレートと溶
媒の存在下に加熱反応させる方法(特公昭39−15977号
公報)、あるいは(−)−トランス−第一菊酸を光増感
剤の存在下に紫外線を照射する方法(特公昭47−30697
号公報)が知られているが、前者は多くの反応工程を要
すること、また後者は反応率が劣るため、反応に長時間
を要するうえ光源の電力消費量が大きいことなど工業的
に実施するには種々の問題点を有する。
(−)トランス−第一菊酸のC3位のイソブテニル基を酸
化してケトアルコール基に導いた後、C1位のカルボン酸
をエステル化し、これをアルカリ金属アルコレートと溶
媒の存在下に加熱反応させる方法(特公昭39−15977号
公報)、あるいは(−)−トランス−第一菊酸を光増感
剤の存在下に紫外線を照射する方法(特公昭47−30697
号公報)が知られているが、前者は多くの反応工程を要
すること、また後者は反応率が劣るため、反応に長時間
を要するうえ光源の電力消費量が大きいことなど工業的
に実施するには種々の問題点を有する。
本発明者らは、先に光学活性第一菊酸を酸ハライドとし
て、これにルイス酸を触媒として作用させることによる
ラセミ化方法(特公昭53−37858号公報、特開昭52−144
651号公報)、光学活性なシクロプロパンカルボン酸の
無水物にヨウ素を作用させることによるラセミ化方法
(特開昭57−168341号公報)、および第一菊酸に臭化ホ
ウ素や臭化アルミニウムを触媒として作用させることに
よるラセミ化方法(特開昭60−174744号公報、特開昭61
−5045号公報)を提案している。
て、これにルイス酸を触媒として作用させることによる
ラセミ化方法(特公昭53−37858号公報、特開昭52−144
651号公報)、光学活性なシクロプロパンカルボン酸の
無水物にヨウ素を作用させることによるラセミ化方法
(特開昭57−168341号公報)、および第一菊酸に臭化ホ
ウ素や臭化アルミニウムを触媒として作用させることに
よるラセミ化方法(特開昭60−174744号公報、特開昭61
−5045号公報)を提案している。
本発明者らはその後さらに種々検討を重ねた結果、一般
式(I)で示される光学活性第一菊酸類に光照射下、臭
化ホウ素または臭化アルミを作用させることにより、よ
り高い効率でラセミ化が進行することを見出し、これに
種々の検討を加えて本発明を完成した。
式(I)で示される光学活性第一菊酸類に光照射下、臭
化ホウ素または臭化アルミを作用させることにより、よ
り高い効率でラセミ化が進行することを見出し、これに
種々の検討を加えて本発明を完成した。
<問題を解決するための手段> すなわち本発明は一般式(I) (式中、Rは水酸基、炭素数1〜20のアルコキシ基を表
わし、*は不斉炭素を表わす。) で示される光学活性第一菊酸類に光照射下、臭化ホウ
素、または臭化アルミニウムを作用させることを特徴と
する光学活性第一菊酸類をラセミ化する方法を提供する
ものである。
わし、*は不斉炭素を表わす。) で示される光学活性第一菊酸類に光照射下、臭化ホウ
素、または臭化アルミニウムを作用させることを特徴と
する光学活性第一菊酸類をラセミ化する方法を提供する
ものである。
本発明方法によれば、光学活性菊酸そのもの、あるいは
そのエステルいずれであつても、他の誘導体に導びくこ
となしにそのままで対応するラセミ体に変換することが
できるので工業的に極めて有利である。すなわち種々の
光学分割法によって分離除去される(−)−菊酸や
(−)−第一菊酸エステルを効率良く有効利用できる。
そのエステルいずれであつても、他の誘導体に導びくこ
となしにそのままで対応するラセミ体に変換することが
できるので工業的に極めて有利である。すなわち種々の
光学分割法によって分離除去される(−)−菊酸や
(−)−第一菊酸エステルを効率良く有効利用できる。
以下に本発明方法について詳細に説明する。
本発明の原料である一般式(I)で示される光学活性第
一菊酸類としては、例えば第一菊酸、第一菊酸メチル、
第一菊酸エチル、第一菊酸プロピル、第一菊酸ブチル、
第一菊酸シクロヘキシル、第一菊酸シクロヘキシルメチ
ル、第一菊酸ベンジル等の光学活性体が挙げられる。
一菊酸類としては、例えば第一菊酸、第一菊酸メチル、
第一菊酸エチル、第一菊酸プロピル、第一菊酸ブチル、
第一菊酸シクロヘキシル、第一菊酸シクロヘキシルメチ
ル、第一菊酸ベンジル等の光学活性体が挙げられる。
第一菊酸類にはそれぞれ4種の異性体が存在するが、そ
の中の1種単独、またはこれらの任意の割合の混合物を
用いることができ、また光学純度はどの程度のものでも
差しつかえないが、本発明の目的から考えて(−)体ま
たは(−)体に富むカルボン酸類を用いる時に、その意
義を発揮することは言うまでもない。
の中の1種単独、またはこれらの任意の割合の混合物を
用いることができ、また光学純度はどの程度のものでも
差しつかえないが、本発明の目的から考えて(−)体ま
たは(−)体に富むカルボン酸類を用いる時に、その意
義を発揮することは言うまでもない。
臭化ホウ素、臭化アルミニウムとしては代表的には三臭
化ホウ素、三臭化アルミニウムが挙げられるが、これら
は少量の水、酸、アルコール、エーテル等との錯体を形
成していても良い。臭化ホウ素、臭化アルミの使用量
は、被処理第一菊酸類1モルに対して、通常1/1000〜1/
6モル、好ましくは1/100〜1/13モルである。
化ホウ素、三臭化アルミニウムが挙げられるが、これら
は少量の水、酸、アルコール、エーテル等との錯体を形
成していても良い。臭化ホウ素、臭化アルミの使用量
は、被処理第一菊酸類1モルに対して、通常1/1000〜1/
6モル、好ましくは1/100〜1/13モルである。
本発明は光照射下に前記臭化物を作用させることを特徴
とするものであるが、光源としては200nm〜400nmの紫外
線を放出する光源、例えば高圧水銀ランプ、キセノンラ
ンプ、低圧水銀ランプ、太陽光等が挙げられる。
とするものであるが、光源としては200nm〜400nmの紫外
線を放出する光源、例えば高圧水銀ランプ、キセノンラ
ンプ、低圧水銀ランプ、太陽光等が挙げられる。
反応を行うに際し、通常溶媒が使用される。溶媒として
はラセミ化反応を阻害しないものであれば良く、例えば
n−ペンタン、イソペンタン、n−ヘキサン、2−メチ
ルペンタン、3−メチルペンタン、n−ヘプタン、シク
ロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタンなどの飽
和炭化水素、ベンゼン、トルエン、キシレン、クメン、
トリメチルベンゼン、ニトロベンゼン等の芳香族系溶
媒、塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素、ジクロ
ルエタン、クロルベンゼン、O−ジクロルベンゼン、ブ
ロムベンゼン等のハロゲン化炭化水素、ジエチルエーテ
ル、テトラヒドロフラン、1,4−ジオキサン、1,3−ジオ
キサン、テトラヒドロピラン、2−メチルテトラヒドロ
フラン、プロピルエーテル、イソプロピルエーテル、ブ
チルエーテル、ブチルメチルエーテル、t−ブチルメチ
ルエーテル等のエーテル類などが挙げられるが、好まし
くは芳香族系溶媒が用いられる。
はラセミ化反応を阻害しないものであれば良く、例えば
n−ペンタン、イソペンタン、n−ヘキサン、2−メチ
ルペンタン、3−メチルペンタン、n−ヘプタン、シク
ロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタンなどの飽
和炭化水素、ベンゼン、トルエン、キシレン、クメン、
トリメチルベンゼン、ニトロベンゼン等の芳香族系溶
媒、塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素、ジクロ
ルエタン、クロルベンゼン、O−ジクロルベンゼン、ブ
ロムベンゼン等のハロゲン化炭化水素、ジエチルエーテ
ル、テトラヒドロフラン、1,4−ジオキサン、1,3−ジオ
キサン、テトラヒドロピラン、2−メチルテトラヒドロ
フラン、プロピルエーテル、イソプロピルエーテル、ブ
チルエーテル、ブチルメチルエーテル、t−ブチルメチ
ルエーテル等のエーテル類などが挙げられるが、好まし
くは芳香族系溶媒が用いられる。
その使用量は被処理第一菊酸に対し、通常0.5〜100重量
倍、好ましくは1.5〜50重量倍である。
倍、好ましくは1.5〜50重量倍である。
反応温度は−30℃〜当該第一菊酸類の沸点(溶媒を使用
する場合は溶媒の沸点)の範囲であるが、通常−20〜60
℃である。
する場合は溶媒の沸点)の範囲であるが、通常−20〜60
℃である。
本発明を実施するに際しては、通常、溶媒の存在下に被
処理第一菊酸と、前記臭化物とを混合し次いで前記光源
により光照射する操作により行なわれる。また、照射時
間は反応条件によって異なるが、一般的には1分から10
時間の光照射で充分ラセミ化を達成できる。
処理第一菊酸と、前記臭化物とを混合し次いで前記光源
により光照射する操作により行なわれる。また、照射時
間は反応条件によって異なるが、一般的には1分から10
時間の光照射で充分ラセミ化を達成できる。
尚、反応の進行度は反応液の一部をサンプリングして旋
光度を測定するかガスクロマトグラフィー等による分析
で求めることができる。
光度を測定するかガスクロマトグラフィー等による分析
で求めることができる。
<発明の効果> かくして、ラセミ菊酸類が製造されるが本発明によれ
ば、光学活性なカルボン酸、エステル、いずれからも、
他の誘導体に導びくことなしに、そのままで対応するラ
セミ体に極めて効率良く変換することができる。
ば、光学活性なカルボン酸、エステル、いずれからも、
他の誘導体に導びくことなしに、そのままで対応するラ
セミ体に極めて効率良く変換することができる。
また、本発明方法において得られるラセミ体は、より有
効なトランス体に富み、この点においても本発明方法は
有利である。
効なトランス体に富み、この点においても本発明方法は
有利である。
<実施例> 次に、実施例によって、本発明をさらに詳細に説明する
が、本発明は何らこれらに限定されるものではない。
が、本発明は何らこれらに限定されるものではない。
(実施例1) 左旋性第一菊酸((+)−シス体;3.0%、(−)−シス
体;18.8%、(+)−トランス体;10.2%、(−)−トラ
ンス体;68.0%からなる)10gをトルエン90gに溶解し、
室温で窒素雰囲気下に撹拌しながら、これに三臭化ホウ
素0.85gを滴下した。次いでこれを高圧水銀ランプ(110
W)で30分間光照射した。
体;18.8%、(+)−トランス体;10.2%、(−)−トラ
ンス体;68.0%からなる)10gをトルエン90gに溶解し、
室温で窒素雰囲気下に撹拌しながら、これに三臭化ホウ
素0.85gを滴下した。次いでこれを高圧水銀ランプ(110
W)で30分間光照射した。
反応後、希塩酸を加えて撹拌、分液後、有機層を29gの1
0%カセイソーダ水溶液を加え抽出した。得られた水層
に希硫酸を加え酸性にした後トルエンで2回抽出した。
トルエン層を水洗した後、減圧下に溶媒を留去し、次で
残留液を蒸留して沸点110〜119℃/2.5mmHgの留分8.5gを
得た。このものは赤外線吸収スペクトルより菊酸である
ことを確認した。この一部をサンプリングし(+)−2
−オクタノールとのエステルに導いた後、ガスクロマト
グラフィーによりその光学異性体比率を求めたところ、
(+)−シス体;2.7%、(−)−シス体;2.9%、(+)
−トランス体;45.8%、(−)−トランス体;48.6%であ
った。
0%カセイソーダ水溶液を加え抽出した。得られた水層
に希硫酸を加え酸性にした後トルエンで2回抽出した。
トルエン層を水洗した後、減圧下に溶媒を留去し、次で
残留液を蒸留して沸点110〜119℃/2.5mmHgの留分8.5gを
得た。このものは赤外線吸収スペクトルより菊酸である
ことを確認した。この一部をサンプリングし(+)−2
−オクタノールとのエステルに導いた後、ガスクロマト
グラフィーによりその光学異性体比率を求めたところ、
(+)−シス体;2.7%、(−)−シス体;2.9%、(+)
−トランス体;45.8%、(−)−トランス体;48.6%であ
った。
(実施例2) 左旋性菊酸エチル((+)−シス体;2.5%、(−)−シ
ス体;14.7%、(+)−トランス体;11.9%、(−)−ト
ランス体;70.9%)10gをトルエン90gに溶解し、室温で
窒素雰囲気下撹拌しながらこれに三臭化ホウ素0.18gを
添加した。次いでこれを高圧水銀ランプ(110W)で30分
間光照射した。
ス体;14.7%、(+)−トランス体;11.9%、(−)−ト
ランス体;70.9%)10gをトルエン90gに溶解し、室温で
窒素雰囲気下撹拌しながらこれに三臭化ホウ素0.18gを
添加した。次いでこれを高圧水銀ランプ(110W)で30分
間光照射した。
反応後2%水酸化ナトリウム水溶液を加えて中和した
後、減圧下に溶媒を留去し、次で残留物にヘキサン、2
%水酸化ナトリウム水溶液を加え抽出を行い、有機層を
水洗した。得られた有機層を減圧下に濃縮後蒸留し、沸
点85〜88℃/10mmHgの留出液9.6gを得た。
後、減圧下に溶媒を留去し、次で残留物にヘキサン、2
%水酸化ナトリウム水溶液を加え抽出を行い、有機層を
水洗した。得られた有機層を減圧下に濃縮後蒸留し、沸
点85〜88℃/10mmHgの留出液9.6gを得た。
このものは赤外線吸収スペクトルより第一菊酸のエチル
エステルであることが確認され、その一部を常法により
加水分解し得られたカルボン酸を(+)−2−オクタノ
ールとのエステルに導いた後、ガスクロマトグラフィー
によりその光学異性体比率を求めたところ(+)−シス
体:4.0%、(−)−シス体:2.6%、(+)−トランス
体:42.5%、(−)−トランス体:50.9%であった。
エステルであることが確認され、その一部を常法により
加水分解し得られたカルボン酸を(+)−2−オクタノ
ールとのエステルに導いた後、ガスクロマトグラフィー
によりその光学異性体比率を求めたところ(+)−シス
体:4.0%、(−)−シス体:2.6%、(+)−トランス
体:42.5%、(−)−トランス体:50.9%であった。
(実施例3) 実施例1で用いたのと同じ左旋性第一菊酸10gをトルエ
ン90gに溶解し、室温で窒素雰囲気下これに、三臭化ア
ルミニウム0.2gとジオキサン2.4gよりなる溶液を添加し
た。次いで高圧水銀ランプ(110W)で30分間光照射し
た。
ン90gに溶解し、室温で窒素雰囲気下これに、三臭化ア
ルミニウム0.2gとジオキサン2.4gよりなる溶液を添加し
た。次いで高圧水銀ランプ(110W)で30分間光照射し
た。
照射後、実施例1と同様に処理し、第一菊酸9.4gを得
た。光学異性体比は、(+)−シス体3.9%、(−)−
シス体4.9%、(+)−トランス体30.5%、(−)−ト
ランス体60.7%であった。
た。光学異性体比は、(+)−シス体3.9%、(−)−
シス体4.9%、(+)−トランス体30.5%、(−)−ト
ランス体60.7%であった。
(実施例4) 実施例2で用いたのと同じ左旋性菊酸エチル10gをジオ
キサン90gに溶解し、室温、窒素雰囲気下撹拌しなが
ら、これに三臭化アルミ1.02gを添加し、これを高圧水
銀ランプ(110W)で30分間光照射した。
キサン90gに溶解し、室温、窒素雰囲気下撹拌しなが
ら、これに三臭化アルミ1.02gを添加し、これを高圧水
銀ランプ(110W)で30分間光照射した。
反応後、実施例2と同様に後処理をし、8.6gの菊酸エス
テルを得た。光学異性体比は、(+)−シス体:2.6%、
(−)−シス体:体2.6%、(+)−トランス体:47.1
%、(−)−トランス体:47.7%であった。
テルを得た。光学異性体比は、(+)−シス体:2.6%、
(−)−シス体:体2.6%、(+)−トランス体:47.1
%、(−)−トランス体:47.7%であった。
(比較例1) 実施例1で用いたのと同じ左旋性第一菊酸10.0gをトル
エン90gに溶解し、窒素雰囲気下、これに三臭化ホウ素
1.5gを滴下し70℃で2時間撹拌した。
エン90gに溶解し、窒素雰囲気下、これに三臭化ホウ素
1.5gを滴下し70℃で2時間撹拌した。
反応後、実施例1と同様に処理し6.1gの第一菊酸を得
た。光学異性体比は(+)−シス体:2.5%、(−)−シ
ス体:4.4%、(+)−トランス体:41.7%、(−)−ト
ランス体:51.4%であった。
た。光学異性体比は(+)−シス体:2.5%、(−)−シ
ス体:4.4%、(+)−トランス体:41.7%、(−)−ト
ランス体:51.4%であった。
(比較例2) 実施例2で用いたのと同じ左旋性菊酸エチル10.0gをト
ルエン90gに溶解し、窒素雰囲気下、これに三臭化ホウ
素0.25gを滴下し25℃で30分撹拌した。
ルエン90gに溶解し、窒素雰囲気下、これに三臭化ホウ
素0.25gを滴下し25℃で30分撹拌した。
反応後、実施例2と同様に処理し、光学異性体比を求め
た所、(+)−シス体:2.5%、(−)−シス体:3.5%、
(+)−トランス体:38.0%、(−)−トランス体:56.0
%であった。
た所、(+)−シス体:2.5%、(−)−シス体:3.5%、
(+)−トランス体:38.0%、(−)−トランス体:56.0
%であった。
(比較例3) 左旋性第一菊酸((+)−シス体:3.0%、(−)−シス
体:22.0%、(+)−トランス体:11.8%、(−)−トラ
ンス体:63.2%)5.0gをトルエン11.7gに溶解し、これに
15〜20℃で三臭化アルミニウム0.12gを添加し30分撹拌
した。光学異性体比は、(+)−シス体:2.9%、(−)
−シス体:4.6%、(+)−トランス体:26.5%、(−)
−トランス体:65.9%であった。
体:22.0%、(+)−トランス体:11.8%、(−)−トラ
ンス体:63.2%)5.0gをトルエン11.7gに溶解し、これに
15〜20℃で三臭化アルミニウム0.12gを添加し30分撹拌
した。光学異性体比は、(+)−シス体:2.9%、(−)
−シス体:4.6%、(+)−トランス体:26.5%、(−)
−トランス体:65.9%であった。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 C07B 55/00 A 7419−4H 61/00 300
Claims (1)
- 【請求項1】一般式 (式中、Rは水酸基、炭素数1〜20のアルコキシ基を表
わし、*は不斉炭素を表わす。) で示される光学活性第一菊酸類に光照射下、臭化ホウ素
または臭化アルミニウムを作用させることを特徴とする
光学活性第一菊酸類のラセミ化する方法。
Priority Applications (10)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62179727A JPH0688933B2 (ja) | 1987-07-17 | 1987-07-17 | 光学活性第一菊酸類のラセミ化法 |
JP62245656A JPH0710790B2 (ja) | 1987-07-17 | 1987-09-28 | ラセミ第一菊酸類をトランス化する方法 |
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