JPH01250337A - ラセミートランス第一菊酸類の製法 - Google Patents
ラセミートランス第一菊酸類の製法Info
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- JPH01250337A JPH01250337A JP63082040A JP8204088A JPH01250337A JP H01250337 A JPH01250337 A JP H01250337A JP 63082040 A JP63082040 A JP 63082040A JP 8204088 A JP8204088 A JP 8204088A JP H01250337 A JPH01250337 A JP H01250337A
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分針〉
本発明は一般式（Ｉ）
（式中、Ｘは水酸基、炭素数１〜２０のアルコキシ基を
表わす。） で示されるシスまたはシス／トランス混合第−菊酸類を
トランス化することによるトランス第−菊酸類の製法に
関する。
表わす。） で示されるシスまたはシス／トランス混合第−菊酸類を
トランス化することによるトランス第−菊酸類の製法に
関する。
〈従来の技術・発明が解決しようとする問題点〉第−薄
酸は、低毒速効性殺虫剤として有用なピレトリン、アレ
スリン、フタルスリンなどのいわゆるピレスロイド系殺
虫剤としてよ（知られているエステル類の酸成分を構成
するものであり、前記一般式（Ｉ）で示される第−薄酸
類は、これらのピレスロイド系殺虫剤の原料として有用
である。
酸は、低毒速効性殺虫剤として有用なピレトリン、アレ
スリン、フタルスリンなどのいわゆるピレスロイド系殺
虫剤としてよ（知られているエステル類の酸成分を構成
するものであり、前記一般式（Ｉ）で示される第−薄酸
類は、これらのピレスロイド系殺虫剤の原料として有用
である。
第−薄酸にはシス、トランスの幾何異性体があり、殺虫
効果はシス体のエステルよりもトラシス体のエステルの
方が強いことが知られている。よってシス体をトランス
化しトランス体とすることは、シス体、またはシス体を
多く含むエステルを用いるよりも殺虫効力の面から遥か
１こ有利になる。
効果はシス体のエステルよりもトラシス体のエステルの
方が強いことが知られている。よってシス体をトランス
化しトランス体とすることは、シス体、またはシス体を
多く含むエステルを用いるよりも殺虫効力の面から遥か
１こ有利になる。
従来、第−薄酸類のうちの第−菊酸エステルは次式に示
すように、２，５−ジメチル−ヘキサ−２，４−ジエン
とジアゾ酢酸エステルを反応させる方法Ｉこより、また
第−薄酸は該エステルを加水分解することにより工業的
に製造されている。
すように、２，５−ジメチル−ヘキサ−２，４−ジエン
とジアゾ酢酸エステルを反応させる方法Ｉこより、また
第−薄酸は該エステルを加水分解することにより工業的
に製造されている。
しかるに該方法によって得られる第−薄酸類は、目的物
であるトランス体とシス体の混合物として得られるため
シスまたはシス／トランス混合第−菊酸類をトランス体
に変換させる技術は重要な意義を持つ。
であるトランス体とシス体の混合物として得られるため
シスまたはシス／トランス混合第−菊酸類をトランス体
に変換させる技術は重要な意義を持つ。
従来、シスー第−菊酸エステルをトランス−第−菊酸エ
ステルに変換させる方法としては、シスー第−薄酸アル
キルエステルにアルカリ金属の低級アルキル第一アルコ
キシ基を低級アルコールの存在下に約１６０℃〜２００
℃で作用させる方法（特公昭４０−６４５７号公報）、
あるいは特殊な塩基性触媒で処理する方法（特公昭５８
−１８４９５号公報、特公昭５８−１８４９６号公報等
）、およびシスー第−菊酸エステルに、三フフ化ホウ素
エーテラート、塩化鉄、塩化アルミニウムなどを作用さ
せる方法（特開昭５７−１７６９８０号公報）が知られ
ている。
ステルに変換させる方法としては、シスー第−薄酸アル
キルエステルにアルカリ金属の低級アルキル第一アルコ
キシ基を低級アルコールの存在下に約１６０℃〜２００
℃で作用させる方法（特公昭４０−６４５７号公報）、
あるいは特殊な塩基性触媒で処理する方法（特公昭５８
−１８４９５号公報、特公昭５８−１８４９６号公報等
）、およびシスー第−菊酸エステルに、三フフ化ホウ素
エーテラート、塩化鉄、塩化アルミニウムなどを作用さ
せる方法（特開昭５７−１７６９８０号公報）が知られ
ている。
また、シス第−薄酸を直接トランス第−薄酸に変換させ
る方法としては、シス第−薄酸を１８０℃以上の温度に
て加熱する方法（特開昭４９−１２６６５０号公報）、
あるいはシス第−薄酸に二塩化パラジウムのニトリル錯
体触媒を作用させることによってトランス化できるとさ
れている（Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔｅｒｓ、
２２ 、８８５（１９８１））が、前者は高温に加熱
する必要がある上に収率が低く、後者は高価な試剤を比
較的多量に必要とするなどの難点を有する。
る方法としては、シス第−薄酸を１８０℃以上の温度に
て加熱する方法（特開昭４９−１２６６５０号公報）、
あるいはシス第−薄酸に二塩化パラジウムのニトリル錯
体触媒を作用させることによってトランス化できるとさ
れている（Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔｅｒｓ、
２２ 、８８５（１９８１））が、前者は高温に加熱
する必要がある上に収率が低く、後者は高価な試剤を比
較的多量に必要とするなどの難点を有する。
かかる問題点を解決する方法として、本発明者らは先憂
こ臭化ホウ素や臭化アルミニウムを作用させることによ
るトランス第−薄酸の製法を提案している（特開昭６０
−１０１８８０号公報、同６０−９９８００号公報、同
６〇−１０１８７９号公報）。
こ臭化ホウ素や臭化アルミニウムを作用させることによ
るトランス第−薄酸の製法を提案している（特開昭６０
−１０１８８０号公報、同６０−９９８００号公報、同
６〇−１０１８７９号公報）。
本発明者らはその後さらに種々検討を重ねた結果、一般
式（Ｉ）で示される第−薄酸類に臭化ホウ素または臭化
アルミニウムの存在下、光照射することにより、より高
い効率でトランス化が進行することを見出し、これに皿
々の検討を加えて本発明を完成した。
式（Ｉ）で示される第−薄酸類に臭化ホウ素または臭化
アルミニウムの存在下、光照射することにより、より高
い効率でトランス化が進行することを見出し、これに皿
々の検討を加えて本発明を完成した。
く問題点を解決するための手段〉
すなわち本発明は一般式（Ｉ）
（式中、Ｒは水酸基、炭素数１〜２０のアルコキシ基を
表わす。） で示されるシスまたはシス／トランス混合第−菊酸類に
臭化ホウ素または臭化アルミニウムの存在下、光照射す
ることを特徴とする工業的に優れたトランス第−菊酸類
の製法を提供するものである。
表わす。） で示されるシスまたはシス／トランス混合第−菊酸類に
臭化ホウ素または臭化アルミニウムの存在下、光照射す
ることを特徴とする工業的に優れたトランス第−菊酸類
の製法を提供するものである。
本発明によれば、第−薄酸そのもの、あるいはそのエス
テルいずれであっても、他の誘導体に導びくことなしに
対応するトランスリッチ体に効率良く変換することがで
きるので工業的に極めて有利である。
テルいずれであっても、他の誘導体に導びくことなしに
対応するトランスリッチ体に効率良く変換することがで
きるので工業的に極めて有利である。
以下に本発明方法について詳細番こ説明する。
本発明の原料である一般式（Ｉ）で示される第−薄酸類
としては、例えば第−薄酸、第−薄酸メチル、第−薄酸
エチル、第−薄酸ブロビル、第−薄酸ブチル、第−薄酸
シクロヘキシル、第−薄酸シクロヘキシルメチル、第−
薄酸ベンジル等が挙げられる。
としては、例えば第−薄酸、第−薄酸メチル、第−薄酸
エチル、第−薄酸ブロビル、第−薄酸ブチル、第−薄酸
シクロヘキシル、第−薄酸シクロヘキシルメチル、第−
薄酸ベンジル等が挙げられる。
また第−薄酸類は、シス体単独あるいはトランス体との
任意の割合の混合物であフてもよいが、本発明の目的か
ら考えて、シス体単独またはシス体に富む第−薄酸類を
用いる場合に、その意義を発揮することは言うまでもな
い。
任意の割合の混合物であフてもよいが、本発明の目的か
ら考えて、シス体単独またはシス体に富む第−薄酸類を
用いる場合に、その意義を発揮することは言うまでもな
い。
臭化ホウ素、臭化アルミニウムとしては代表的：こは三
臭化ホウ素、三臭化アルミニウムカ挙げられるが、これ
らは少量の水、酸、アルコール、エーテル等との錯体を
形成していても良い。
臭化ホウ素、三臭化アルミニウムカ挙げられるが、これ
らは少量の水、酸、アルコール、エーテル等との錯体を
形成していても良い。
臭化ホウ素、臭化アルミの使用量は、被処理第−菊酸類
１モルに対して、通常１／１０００〜１７６モル、好ま
しくは１ ／８００〜ｌ／４０モルである。
１モルに対して、通常１／１０００〜１７６モル、好ま
しくは１ ／８００〜ｌ／４０モルである。
本発明は光照射下に前記臭化物を作用させることを特徴
とするものであるが、光源としては２００ ｎｍ〜４０
０ ｎｍの紫外線を放出する光源、例えば高圧水銀ラン
プ、キセノンランプ、低圧水銀ランプ、太陽光等が挙げ
られる。
とするものであるが、光源としては２００ ｎｍ〜４０
０ ｎｍの紫外線を放出する光源、例えば高圧水銀ラン
プ、キセノンランプ、低圧水銀ランプ、太陽光等が挙げ
られる。
反応を行うに際し、通常溶媒が使用される。
溶媒としてはトランス化反応を阻害しないものであれば
良（、例えばｎ−ペンタン、イソペンタン、ｎ−ヘキサ
ン、２−メチルペンタン、８−メチルペンタン、ｎ−へ
ブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプ
タンなどの飽和炭化水素、ベンゼン、トルエン、キシレ
ン、クメン、トリメチルベンゼン、ニトロベンゼン等の
芳香族系溶媒、塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭
素、ジクロルエタン、クロルベンゼン、０−ジクロルベ
ンゼン、ブロムベンゼン等のハロゲン化炭化水素、ジエ
チルエーテル、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサ
ン、１．８−ジオキサン、テトラヒドロビラン、２−メ
チルテトラヒドロフラン、プロピルエーテル、イソプロ
ピルエーテル、ブチルエーテル、ブチルメチルエーテル
、ｔ−ブチルメチルエーテル等のエーテル類などが挙げ
られるが、好ましくは芳香族系溶媒が用いられる。
良（、例えばｎ−ペンタン、イソペンタン、ｎ−ヘキサ
ン、２−メチルペンタン、８−メチルペンタン、ｎ−へ
ブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプ
タンなどの飽和炭化水素、ベンゼン、トルエン、キシレ
ン、クメン、トリメチルベンゼン、ニトロベンゼン等の
芳香族系溶媒、塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭
素、ジクロルエタン、クロルベンゼン、０−ジクロルベ
ンゼン、ブロムベンゼン等のハロゲン化炭化水素、ジエ
チルエーテル、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサ
ン、１．８−ジオキサン、テトラヒドロビラン、２−メ
チルテトラヒドロフラン、プロピルエーテル、イソプロ
ピルエーテル、ブチルエーテル、ブチルメチルエーテル
、ｔ−ブチルメチルエーテル等のエーテル類などが挙げ
られるが、好ましくは芳香族系溶媒が用いられる。
その使用量は被処理第−薄酸に対し、通常０．５〜１０
０重量倍、好ましくは１〜５０重量倍である。
０重量倍、好ましくは１〜５０重量倍である。
反応温度は一り０℃〜当該第−菊酸類の沸点（溶媒を使
用する場合は溶媒の沸点）の範囲であるが、通常−２０
〜６０℃である。
用する場合は溶媒の沸点）の範囲であるが、通常−２０
〜６０℃である。
本発明を実施するに際しては、通常、溶媒の存在下に被
処理第−薄酸と、前記臭化物とを混合し次いで前記光源
により光照射する操作により行なわれる。また、照射時
間は反応条件によって異なるが、一般的には１分から１
０時間の光照射で充分トランス化を達成できる。
処理第−薄酸と、前記臭化物とを混合し次いで前記光源
により光照射する操作により行なわれる。また、照射時
間は反応条件によって異なるが、一般的には１分から１
０時間の光照射で充分トランス化を達成できる。
尚、反応の進行度は反応液の一部をサンプリングしてガ
スクロマトグラフィー等による分析で求めることができ
る。
スクロマトグラフィー等による分析で求めることができ
る。
〈発明の効果〉
かくして、トランスリッチ菊酸類が製造されるが本発明
によれば、第−薄酸、そのエステル、いずれからも、他
の誘導体に導びくことなしに、そのままで対応するトラ
ンスリッチ体に極めて効率良く変換することができる。
によれば、第−薄酸、そのエステル、いずれからも、他
の誘導体に導びくことなしに、そのままで対応するトラ
ンスリッチ体に極めて効率良く変換することができる。
〈実施例〉
次Ｃζ、実施例によって本発明をさらに詳細に説明する
が、本発明は何らこれらに限定されるものではない。
が、本発明は何らこれらに限定されるものではない。
実施例１
シス第−薄酸２．Ｏｆをトルエン１８１ｔに溶解したの
ちこれに窒素雰囲気、室温下で三臭化ホウ素１８ｍｇを
トルエン２．２ ｍｌに溶解した溶液を添加した。次い
で攪拌下これに、高圧水銀灯（１♀ＯＷ）を１０分間照
射した。該反応液に１０％塩酸８．Ｏｆを加えて攪拌し
分液した。有機層に１０９６水酸化ナトリウム水溶液７
．１ｆを加え約４０℃に加温しながら攪拌後、分液した
。水層を希硫酸で中和酸析後、トルエンで抽出した。ト
ルエン層を水洗後、濃縮蒸留し、沸点１１０〜１１９℃
／ ２．５ｓ−ＨＰの留出液１．９８ｆを得た。このも
のの赤外線吸収スペクトルは第−薄酸のそれと一致した
。
ちこれに窒素雰囲気、室温下で三臭化ホウ素１８ｍｇを
トルエン２．２ ｍｌに溶解した溶液を添加した。次い
で攪拌下これに、高圧水銀灯（１♀ＯＷ）を１０分間照
射した。該反応液に１０％塩酸８．Ｏｆを加えて攪拌し
分液した。有機層に１０９６水酸化ナトリウム水溶液７
．１ｆを加え約４０℃に加温しながら攪拌後、分液した
。水層を希硫酸で中和酸析後、トルエンで抽出した。ト
ルエン層を水洗後、濃縮蒸留し、沸点１１０〜１１９℃
／ ２．５ｓ−ＨＰの留出液１．９８ｆを得た。このも
のの赤外線吸収スペクトルは第−薄酸のそれと一致した
。
また該留出液の一部を、エチルエステルに導き、ガスク
ロマトグラフィーにて異性体比を求めたところ、シス体
６．８５％、トランス体９８．２％であった。
ロマトグラフィーにて異性体比を求めたところ、シス体
６．８５％、トランス体９８．２％であった。
実施例２
シス体８８．７％、トランス体１１．８％よりなる第−
薄酸エチルエステル２．Ｏｆをジオキサン２０耐に溶解
した後、これに窒素雰囲気室温下で、三臭化ホウ素２６
岬をジオキサン２、８ ｗｌに溶解した溶液を添加した
。次いで攪押下これに高圧水銀灯（１４０Ｗ）を１時間
照射した。照射後、反応液に水を加えて減圧下に濃縮し
た。残留液にヘキサンと希塩酸を加えて振盪し、分液後
、有機層を希水酸化ナトリウム水溶液および飽和食塩水
で洗浄した。
薄酸エチルエステル２．Ｏｆをジオキサン２０耐に溶解
した後、これに窒素雰囲気室温下で、三臭化ホウ素２６
岬をジオキサン２、８ ｗｌに溶解した溶液を添加した
。次いで攪押下これに高圧水銀灯（１４０Ｗ）を１時間
照射した。照射後、反応液に水を加えて減圧下に濃縮し
た。残留液にヘキサンと希塩酸を加えて振盪し、分液後
、有機層を希水酸化ナトリウム水溶液および飽和食塩水
で洗浄した。
有機層を無水硫酸ソーダで乾燥し減圧下に濃縮して油状
物を得た。核部状物をガスクロマトグラフィーにて分析
し、第−薄酸エチルエステルの含量を求めたところ１．
９５Ｆであった。このものの一部をガスクロマトグラフ
ィーにより幾何異性体比率を求めたところ、シス体５．
４％、トランス体９４．６％であった。
物を得た。核部状物をガスクロマトグラフィーにて分析
し、第−薄酸エチルエステルの含量を求めたところ１．
９５Ｆであった。このものの一部をガスクロマトグラフ
ィーにより幾何異性体比率を求めたところ、シス体５．
４％、トランス体９４．６％であった。
実施例８
シス第−薄酸２．Ｏｆをトルエン２０ｇ／ｌこ溶解した
後、これに窒素雰囲気、室温下で、三臭化アルｔ ８２
１ｑをトルエン２．２ｙｉｌに溶解した溶液を添加した
。次いで攪拌下これにキセノンランプ（５００Ｗ）を１
０分間照射した。
後、これに窒素雰囲気、室温下で、三臭化アルｔ ８２
１ｑをトルエン２．２ｙｉｌに溶解した溶液を添加した
。次いで攪拌下これにキセノンランプ（５００Ｗ）を１
０分間照射した。
照射後実施例１と同様に後処理し、１．９７ｆの第−薄
酸を得た。異性体比はシス体６．８９６、トランス体９
８．２％であった。
酸を得た。異性体比はシス体６．８９６、トランス体９
８．２％であった。
実施例４
実施例２で用いたのと同じ第−薄酸エチルエステル２．
Ｏｆをジオキサン２ＣＪｘｌに溶解した後、これに窒素
雰囲気、室温下で三臭化アルｔ５５１’ｆをジオキサン
２．８ ｍｌに溶解した溶液を添加した。次いで、攪拌
下これに高圧水銀打（１ｔＯＷ）を８時間照射した。反
応後、実施例２と同様に後処理し、１．９１Ｆの第−菊
酸エステルを得た。光学異性体比は、シス体１５．４％
、トランス体８４，６９６であった。
Ｏｆをジオキサン２ＣＪｘｌに溶解した後、これに窒素
雰囲気、室温下で三臭化アルｔ５５１’ｆをジオキサン
２．８ ｍｌに溶解した溶液を添加した。次いで、攪拌
下これに高圧水銀打（１ｔＯＷ）を８時間照射した。反
応後、実施例２と同様に後処理し、１．９１Ｆの第−菊
酸エステルを得た。光学異性体比は、シス体１５．４％
、トランス体８４，６９６であった。
比較例１
実施例１において、三臭化ホウ素を２４岬用いる以外は
実施例１と同様に三臭化ホウ素のトルエン溶液を添加し
た。添加後１０分攪拌して反応液の一部をサンプリング
した後、更に２時間２０分攪拌しサンプリングした。
実施例１と同様に三臭化ホウ素のトルエン溶液を添加し
た。添加後１０分攪拌して反応液の一部をサンプリング
した後、更に２時間２０分攪拌しサンプリングした。
常法によりエチルエステルとした後、ガスクロマトグラ
フィーより求めたシス／トランス比は添加１０分後の場
合２０．６ ／ ７９．４であり、１．５時間後で、１
０．９／８９．１であった。
フィーより求めたシス／トランス比は添加１０分後の場
合２０．６ ／ ７９．４であり、１．５時間後で、１
０．９／８９．１であった。
比較例２
実施例２において、三臭化ホウ素を４１岬用いる以外は
実施例２と同様に三臭化ホウ素のジオキサン溶液を添加
した。添加後、１時間攪拌して反応液の一部をサンプリ
ングした後、更に１時間攪拌を続けた。常法によりエチ
ルエステルとした後ガスクロマトグラフィーにより求め
たシス／トランス比は添加１時間後で２５．０／７５．
０であり、２時間後で７０、／９８．０であった。
実施例２と同様に三臭化ホウ素のジオキサン溶液を添加
した。添加後、１時間攪拌して反応液の一部をサンプリ
ングした後、更に１時間攪拌を続けた。常法によりエチ
ルエステルとした後ガスクロマトグラフィーにより求め
たシス／トランス比は添加１時間後で２５．０／７５．
０であり、２時間後で７０、／９８．０であった。
比較例８
実施例８において三臭化アルミニウム５２岬用いる以外
は実施例８と同様に三臭化アルミニウムのトルエン溶液
を添加した。添加後１０分間攪拌して反応液の一部をサ
ンプリングした後、更に５０分攪拌を続けた。常法にヨ
ｌ）エチルエステルとした後ガスクロマトグラフィーに
より求めたシス／トランス比は添加１０分後で５１．７
／４８．８であり、１時間後で７．０／９８．０であっ
た。
は実施例８と同様に三臭化アルミニウムのトルエン溶液
を添加した。添加後１０分間攪拌して反応液の一部をサ
ンプリングした後、更に５０分攪拌を続けた。常法にヨ
ｌ）エチルエステルとした後ガスクロマトグラフィーに
より求めたシス／トランス比は添加１０分後で５１．７
／４８．８であり、１時間後で７．０／９８．０であっ
た。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒは水酸基、炭素数１〜２０のアルコキシ基を
表わす。） で示されるシスまたはシス／トランス混合第一菊酸類に
臭化ホウ素または臭化アルミニウムの存在下、光照射す
ることを特徴とするトランス第一菊酸類の製法。
Priority Applications (10)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62179727A JPH0688933B2 (ja) | 1987-07-17 | 1987-07-17 | 光学活性第一菊酸類のラセミ化法 |
| JP62245656A JPH0710790B2 (ja) | 1987-07-17 | 1987-09-28 | ラセミ第一菊酸類をトランス化する方法 |
| JP62248281A JPH0688934B2 (ja) | 1987-07-17 | 1987-09-30 | 光学活性第一菊酸類をラセミ化する方法 |
| JP63082040A JP2503576B2 (ja) | 1987-07-17 | 1988-03-31 | ラセミ―トランス第一菊酸類の製法 |
| JP63089559A JPH085841B2 (ja) | 1987-07-17 | 1988-04-12 | ラセミ第一菊酸類の製法 |
| JP63099962A JP2503584B2 (ja) | 1987-07-17 | 1988-04-21 | ラセミ―トランス第一菊酸類の製法 |
| DE8888306444T DE3869860D1 (de) | 1987-07-17 | 1988-07-14 | Verfahren zur racemisierung von optisch aktiver chrysanthemumsaeure oder deren derivaten. |
| EP88306444A EP0299760B1 (en) | 1987-07-17 | 1988-07-14 | Method for racemization of optically active chrysanthemic acid or its derivatives |
| HU883710A HU204745B (en) | 1987-07-17 | 1988-07-15 | Process for racemization of optically active chrysanthemic acid and their derivatives, as well as for turning the racemic cis or cis/trans isomer mixture into a form rich in trans isomer |
| US07/219,761 US4898655A (en) | 1987-07-17 | 1988-07-15 | Method for racemization of optically active chrysanthemic acid or its derivatives |
Applications Claiming Priority (6)
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|---|---|---|---|
| JP62179727A JPH0688933B2 (ja) | 1987-07-17 | 1987-07-17 | 光学活性第一菊酸類のラセミ化法 |
| JP62245656A JPH0710790B2 (ja) | 1987-07-17 | 1987-09-28 | ラセミ第一菊酸類をトランス化する方法 |
| JP62248281A JPH0688934B2 (ja) | 1987-07-17 | 1987-09-30 | 光学活性第一菊酸類をラセミ化する方法 |
| JP63082040A JP2503576B2 (ja) | 1987-07-17 | 1988-03-31 | ラセミ―トランス第一菊酸類の製法 |
| JP63089559A JPH085841B2 (ja) | 1987-07-17 | 1988-04-12 | ラセミ第一菊酸類の製法 |
| JP63099962A JP2503584B2 (ja) | 1987-07-17 | 1988-04-21 | ラセミ―トランス第一菊酸類の製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01250337A true JPH01250337A (ja) | 1989-10-05 |
| JP2503576B2 JP2503576B2 (ja) | 1996-06-05 |
Family
ID=27551549
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|---|---|---|---|
| JP62179727A Expired - Lifetime JPH0688933B2 (ja) | 1987-07-17 | 1987-07-17 | 光学活性第一菊酸類のラセミ化法 |
| JP62245656A Expired - Lifetime JPH0710790B2 (ja) | 1987-07-17 | 1987-09-28 | ラセミ第一菊酸類をトランス化する方法 |
| JP62248281A Expired - Lifetime JPH0688934B2 (ja) | 1987-07-17 | 1987-09-30 | 光学活性第一菊酸類をラセミ化する方法 |
| JP63082040A Expired - Lifetime JP2503576B2 (ja) | 1987-07-17 | 1988-03-31 | ラセミ―トランス第一菊酸類の製法 |
| JP63089559A Expired - Fee Related JPH085841B2 (ja) | 1987-07-17 | 1988-04-12 | ラセミ第一菊酸類の製法 |
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|---|---|---|---|
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|---|---|
| US (1) | US4898655A (ja) |
| EP (1) | EP0299760B1 (ja) |
| JP (6) | JPH0688933B2 (ja) |
| DE (1) | DE3869860D1 (ja) |
| HU (1) | HU204745B (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| JPH0688933B2 (ja) * | 1987-07-17 | 1994-11-09 | 住友化学工業株式会社 | 光学活性第一菊酸類のラセミ化法 |
| JP2640174B2 (ja) * | 1990-10-30 | 1997-08-13 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| US5840958A (en) * | 1996-10-17 | 1998-11-24 | Fmc Corporation | 1S to 1R Epimerizations of pyrethroid intermediates |
| CN1231451C (zh) * | 2001-07-18 | 2005-12-14 | 住友化学工业株式会社 | 使旋光的乙烯基取代的环丙烷羧酸化合物外消旋的方法 |
| ITMI20050231A1 (it) * | 2005-02-17 | 2006-08-18 | Endura Spa | Processo per l'ottenimento di enantiomeri dell'acido crisantemico |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0688934A (ja) * | 1992-09-07 | 1994-03-29 | Canon Inc | 視線検出機能付光学装置 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3282934A (en) * | 1964-05-15 | 1966-11-01 | Schering Corp | Nitrogenous esters of hydroxylalkylamino phenothiazines |
| SE366022B (ja) * | 1969-03-24 | 1974-04-08 | Sumitomo Chemical Co | |
| JPS5337858B2 (ja) * | 1973-11-12 | 1978-10-12 | ||
| JPS52144651A (en) * | 1976-05-24 | 1977-12-02 | Sumitomo Chem Co Ltd | Racemization of optical active 2,2-dimethyl-3-(1-alkenyl)-cyclopropane-1-carboxylic acid |
| DE2928406A1 (de) * | 1979-07-13 | 1981-01-29 | Bayer Ag | Neue menthylester, verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung zur enantiomerentrennung chiraler carbonsaeuren |
| FR2464939A1 (fr) * | 1979-09-10 | 1981-03-20 | Roussel Uclaf | Nouveaux derives substitues du cyclopropene, leur procede de preparation et leur application dans la synthese de precurseurs de l'acide dl cis chrysanthemique |
| JPS57163341A (en) * | 1981-03-30 | 1982-10-07 | Sumitomo Chem Co Ltd | Preparation of racemized cyclopropanecarboxylic acid derivative |
| DE3565397D1 (en) * | 1984-02-22 | 1988-11-10 | Sumitomo Chemical Co | Method for racemization of chrysanthemic acid or its ester |
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