JPH0688000A - フッ素化ポリマー組成物及びその製造方法 - Google Patents

フッ素化ポリマー組成物及びその製造方法

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JPH0688000A JP3069549A JP6954991A JPH0688000A JP H0688000 A JPH0688000 A JP H0688000A JP 3069549 A JP3069549 A JP 3069549A JP 6954991 A JP6954991 A JP 6954991A JP H0688000 A JPH0688000 A JP H0688000A
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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【構成】フッ素化ポリマー物質並びに７ミクロンより大
きくない平均粒径を有するシリカ及び／または石英充填
剤を含み、低い誘電定数及び低い熱膨張係数を示すフッ
素化ポリマー組成物、並びにその中にビアを有する基体
を生成させるためのその使用。上の組成物の層は、基体
に組成物を適用しそして次に組成物を融解せしめるのに
十分な温度に組成物を加熱することによって得られる。 【効果】印刷回路基板及びカードのための基体として適
当である組成物の層の製造レーザードリリング（ｄｒｉ
ｌｌｉｎｇ）、及び／または機械的ドリリング及び／ま
たはパンチング（ｐｕｎｃｈｉｎｇ）によって得られる
ビア（ｖｉａｓ）をその中に含む基体を供給するのに殊
に適当である。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【技術分野】本発明は、低い誘電定数及び低い熱膨張係
数を示す組成物に、そして殊にバインダとしてフッ素化
ポリマー物質を含む組成物に関する。加えて、本発明
は、印刷回路基板及びカードのための基体として適当で
ある組成物の層を製造するための方法に関する。本発明
の組成物は、レーザードリリング（ｄｒｉｌｌｉｎ
ｇ）、及び／または機械的ドリリング及び／またはパン
チング（ｐｕｎｃｈｉｎｇ）によって得られるビア（ｖ
ｉａｓ）をその中に含む基体を供給するのに殊に適当で
ある。
【０００２】
【背景技術】印刷回路基板及びカードの製造において
は、絶縁シート物質が基体として用いられる。伝導性回
路パターンは、この基体の主な面の片方または両方の上
に付与される。
【０００３】例えば、米国特許３，６８９，９９１及び
Ｔｕｍｍａｌａら、“マイクロ電子工学パッケージング
ハンドブック”、４０９〜４３５頁、Ｖａｎ Ｎｏｓｔ
ｒａｎｄ Ｒｉｎｅｈｏｌｄ中に述べられているよう
に、軟質ポリマーフィルムは、半導体チップのパッケー
ジングにおける例えばいわゆるＴＡＢ（テープ自動ボン
ディング）方法における担体として使用することができ
る。今日まで、このようなもののために用いられる主要
なポリマー物質はポリイミドであった。軟質（ｆｌｅｘ
ｉｂｌｅ）回路のための絶縁及び／または回路担体とし
てポリイミドを用いるために使用される一つの方法は、
金属（例えばステンレススチールまたはアルミニウム）
のシートの上にポリアミド酸をスプレーコーティングま
たはローラーコーティングすることを含む。次にこのフ
ィルムを硬化またはイミド化すると、完全にまたは実質
的に完全に硬化したフィルムが生成する。その上にポリ
イミドがある金属は、像を描く（ｉｍａｇｅｄ）、除去
するまたは維持することができる。ポリイミドのトップ
の上に、一般的には金属の三つの層が例えば蒸着または
スパッタリングのどちらかによって堆積される。金属導
体は、クロムまたはニッケル、続いて銅の層、続いてク
ロムまたはニッケルの層である。フォトリソグラフィー
の操作によって、この金属は像を描かれて回路になる。
回路の用途に依存して、硬化されたポリイミドは、回路
の形成前または後のどちらかに像を描かれてもまたは描
かれなくてもよい。
【０００４】加えて、軟質回路はまた、自立構造の（ｆ
ｒｅｅ−ｓｔａｎｄｉｎｇ）ポリマーフィルム例えばポ
リイミドを使用して、その上に金属層が真空蒸着、積層
または接着されて製造されてきた。金属回路パターン
は、プレーティング（ｐｌａｔｉｎｇ）マスクとして働
くかまたは金属層を除去するエッチングのためのマスク
として働くかのどちらかのフォトレジストパターンを使
用することによって規定される。ポリマーフィルムのビ
アホールは、ドリリング、パンチングまたはエッチング
によって作ることができる。 加えて、その中に開口ま
たはビアを供給する絶縁ポリマーフィルム中のホールの
選択的形成は、絶縁ポリマーフィルムの種々の電気的使
用のためには重要である。例えば、半導体チップのパッ
ケージングにおいては、しばしばポリアミド酸のような
ポリマーのフィルムが基体の上にコートされそして次に
化学的にまたは熱的に硬化されてきた。
【０００５】多数のこれらの状況においては、ポリマー
層中にビアを形成して、金属（ｍｅｔａｌｌｕｒｇｙ）
の異なる層の間に電気的接続ができるようにすることが
必要である。この相互接続ができる限り正確であるため
には、ポリマーフィルムが所望のパターンのゆがみに抵
抗しそして他のウェットプロセスの化学品の攻撃に耐え
ることが必要である。
【０００６】例えば、チップを装着するための多層基体
の生成においては、金属化層（ｍｅｔａｌｉｚａｔｉｏ
ｎ）の上層のまたは第二の層中の導体のいくつかを金属
化層の下層のまたは第一の層の上の導体のいくつかと電
気的に接触させることが必要である。そのようにするた
めには、ポリマー物質は、チップ及び／または基板と関
連して金属化層の上層と下層のレベルの間の金属接続を
可能にするために、その中に形成されたビアを持たねば
ならない。
【０００７】フッ素化ポリマー物質例えばポリテトラフ
ルオロエチレン及びポリトリフルオロモノクロロエチレ
ンは、それらの非常に低い誘電定数、優れた安定性、低
い溶媒／水分吸収及び優れた熱安定性のために、進んだ
電子パッケージング用途のための魅力的な候補である。
しかしながら、フッ素化ポリマー物質は、非常に劣る熱
膨張係数を有しそしてそれ故その中に改質剤を含んで、
電子装置のための基体としての使用に適した熱膨張係数
を達成しなければならない。
【０００８】ポリマー物質の低い誘電性質における付随
する損失なしに改良された寸法安定性及び低い熱膨張係
数（ＣＴＥ）を達成するために、ポリテトラフルオロエ
チレン物質とある種の充填剤例えばガラスまたはセラミ
ック微粒子との組成物を供給することが示唆されてき
た。加えて、たいていの場合には、これらの組成物はま
た、それらの中にガラス繊維を含む。これらの方面に関
しては、米国特許４，３３５，１８０及び４，８４９，
２８４を参照せよ。
【０００９】しかしながら、先行技術中に示唆された組
成物は、ポリマー物質を超える量の充填剤、及び／また
は比較的小さな粒径の充填剤に加えて繊維の存在を要求
する。用いられる充填剤は１０〜１５ミクロンの平均粒
径を有しそしてそれから生成されるフィルムは最小でも
１．５ミルの厚さである。 先行技術中で示唆された複
合物は、粒子の比較的大きなサイズのためにその中にビ
アを生成させるのが困難でありそしてレーザードリリン
グを容易に用いることができないので、完全に満足では
ない。さらにまた、ガラス繊維が存在するときには、そ
れらはスルーホール中に留まる傾向がある。
【００１０】さらにまた、先行技術の示唆は、硬度が比
較的柔らかくそしてそれ故取り扱うのが全く困難であ
る、フィルム生成前の組成物をもたらす。
【００１１】
【発明の要約】本発明は、低い熱膨張係数と共に低い誘
電定数を示しそして先行技術の示唆と比較して加工する
のが比較的容易である組成物を提供する。さらにまた、
本発明の組成物は、約０．５ミルほど薄い厚さを有する
フィルムまたは層に形成することができる。加えて、本
発明に従うフィルムは、レーザードリリング、及び／ま
たは機械的ドリリング及び／またはパンチングにかける
ことができる。 特に、本発明の組成物は、フッ素化ポ
リマー物質及び充填剤を含み、ここで充填剤は、約７ミ
クロンより大きくない平均粒径を有する。加えて、この
充填剤はシリカ及び／または石英である。フッ素化ポリ
マーの量は約５０〜約９０重量％であり、そして充填剤
の量は約５０〜約１０重量％である。これらの量は組成
物中のフッ素化ポリマー物質及び充填剤の総量を基にし
ている。
【００１２】本発明はまた、フッ素化ポリマー物質を含
む層を製造する方法に関する。特に、本発明の方法は、
上で開示されたフッ素化ポリマー物質及び充填剤を含む
組成物を得ること、そして次にこの組成物を基体に適用
することを含む。この組成物を約３５０℃〜約４００℃
の温度に加熱しかくして組成物を融解させる。
【００１３】本発明のもう一つの面は、低い誘電定数及
び低い熱膨張係数を示しそして上で開示されたようなフ
ッ素化ポリマー物質及び充填剤を含みそしてその少なく
とも一つの主な面の少なくとも一部の上に配設された金
属層を有する基体を含む回路化された（ｃｉｒｃｕｉｔ
ｉｚｅｄ）基体に関する。
【００１４】
【発明を実施するための最善の及び種々の方式】本発明
に従って用いられるフッ素化ポリマー物質は、よく知ら
れていてそして商業的に入手できるポリフルオロアルキ
レン物質例えばポリテトラフルオロエチレン、テトラフ
ルオロエチレン及びヘキサフルオロプロピレンのコポリ
マー、テトラフルオロエチレン及びペルフルオロ−２，
２−ジメチル−１，３−ジオキシドのコポリマー、ポリ
トリフルオロクロロエチレン、テトラフルオロエチレン
と例えばオレフィン例えばエチレンとのコポリマー、ト
リフルオロモノクロロエチレンと例えばオレフィン例え
ばエチレンとのコポリマー、ペルフルオロアルキルビニ
ルエーテルのポリマーを含む。
【００１５】本発明に従って用いられるいくつかの商業
的に入手できるフッ素化ポリマー物質は、商品名、テフ
ロンＰＴＦＥ（テトラフルオロエチレンのポリマー）；
テフロンＦＥＰ（ペルフッ素化エチレン−プロピレンコ
ポリマー）；テフロンＰＦＡ（テトラフルオロエチレン
及びペルフルオロアルコキシのコポリマー）；ＴＥＦＺ
ＥＬ（テトラフルオロエチレン及びエチレンのコポリマ
ー）；ＨＡＬＡＲ（クロロトリフルオロエチレン及びエ
チレンのコポリマー）；ＫＥＬ−Ｆ（クロロトリフルオ
ロエチレンのポリマー）；ＨＢＦ−４３０（クロロトリ
フルオロエチレンのポリマー）；並びにテフロンＡＦ
（テトラフルオロエチレン及び少なくとも６５モル％の
ペルフルオロ−２，２−ジメチル−１，３−ジオキシド
のコポリマー）の下で入手できるものを含む。好ましい
フッ素化ポリマー物質はポリテトラフルオロエチレン
（例えばテフロン）である。
【００１６】本発明の組成物は、さらに、中身のある粒
子または中空の微小球のどちらかの形でよいシリカ及び
／または石英充填剤を含む。本発明に従って用いられる
充填剤は、約７ミクロンまたはそれ未満の平均粒径を示
さねばならない。本発明の好ましい面によれば、粒径分
布は、約０．１〜約４０ミクロンそしてもっとも好まし
くは約２〜約５ミクロンである。粒径は、好ましくは、
約０．１ミクロンより小さくはない。
【００１７】加えて、もし所望ならば、これらの充填剤
をより親水性にするために、充填剤の約０．２〜約２．
０重量％、典型的には約１重量％の量のシランで充填剤
をコートしてよい。典型的なシランは、ｐ−クロロメチ
ルフェニルトリメトキシシラン、アミノエチルアミノト
リメトキシシラン、アミノエチルアミノプロピルトリメ
トキシシランを含む。本発明の組成物は繊維状充填剤を
含んではならない。
【００１８】本発明に従って用いることができる商業的
に入手できる充填剤は、Ｍａｌｖｅｒｎ Ｍｉｎｅｒａ
ｌ社から入手できるＬ２０７ Ｎｏｖａｃｕｐ（表面処
理されそして３．４５ミクロンの平均粒径を有する結晶
性シリカ）、Ａｅｒｏｓｉｌ２００（デグッサ社から入
手できそして１２ナノメートルの平均粒径または１グラ
ムあたり約１７５〜約２２５平方メートルの表面積を有
しそして９９．８％より大きいＳｉＯ２含量を有するフ
ュームドシリカ）及びＧｒａｃｅ Ｓｙｎｔａｃｔｉｃ
から入手できそして７μｍの平均粒径を有するＳＤＴ−
６０中空微小球を含む。その他の適当な充填剤は、約
１．１ミクロンの平均粒径を有するＵ．Ｓ．Ｓｉｌｉｃ
ａ社からのＭＩＮ−Ｕ−ＳＩＬ及び約２ミクロンの平均
粒径を有するＣｅｒａｃ社からの合成シリカ（ＳｉＯ２
９９．９％）及びデグッサから入手できそして約９８％
のＳｉＯ２、約１８０（ｍ２／ｇの表面積、２ミクロン
の平均集塊サイズを有する沈殿シリカであるＱｕｓｏ
Ｇ１３５を含む。ある種の充填剤例えばＱｕｓｏ Ｇ１
３５はまた沈降防止剤としても作用する。
【００１９】用いられるポリテトラフルオロエチレンの
量が充填剤の量と等しいかまたはそれより多く、即ち好
ましくは本組成物が約５０〜約９０重量％そしてもっと
も好ましくは約５０〜約７０重量％のフッ素化ポリマー
物質を、かつ対応して約５０〜約１０重量％そして好ま
しくは約５０〜約３０重量％の充填剤を含むことが本発
明の成功にとって極めて重要である。これらの量は、組
成物中の充填剤及びフッ素化ポリマー物質の総量を基に
している（乾燥基準）。
【００２０】もし所望ならば、本発明の組成物は、界面
活性剤例えばノニオン界面活性剤及び沈降防止剤を含ん
でよい。これらは、通常は全組成物の約０．１〜約１０
重量％そして好ましくは約０．５〜約６重量％の量で用
いられる。事実、商業的に入手できるフッ素化ポリマー
調合物は界面活性剤を含む。 加えて、本発明の好まし
い面によれば、処理の間、加工を容易にするために組成
物のｐＨは約８〜約１１、そしてもっとも好ましくは約
９〜約９．５でなければならない。このｐＨは適当な塩
基例えば水酸化アンモニウムを添加することによって制
御することができる。
【００２１】本発明の組成物は、約１０〜約１５分間、
高速撹拌例えば約３０００〜約５０００ＲＰＭの高速分
散機の下でフッ素化ポリマー物質の水性分散液を予め製
造された充填剤分散液と混合することによって製造する
ことができる。充填剤分散液を使用の直前に製造すると
きには、約１００ＲＰＭの比較的低い速度の撹拌を用い
ることができる。この場合には、充填剤分散液は、約１
０〜約１５分間、高速撹拌例えば約３０００〜約５００
０ＲＰＭの高速分散の下で得なければならない。この高
速分散機は、シリカ及び／または石英充填剤を分散させ
そして粒子の塊をほぐす。
【００２２】次に本組成物を適当な基体の上にコートす
る。これは、基体の上の単独のシートまたはウェブタイ
プの基体の上の連続コーティングとして実施することが
できる。このコーティングは、約０．２ミルまたはそれ
以上そして通常は約０．２〜約４ミル、そして好ましく
は約０．５〜約３ミルの厚さの所望の厚さまでである。
【００２３】所望の厚さまでの基体上への組成物のコー
ティングの後で、このコーティングを焼いて、約２６０
〜約３２０℃そして好ましくは約３００〜約３２０℃の
温度で、存在するときには界面活性剤を揮発させる。次
にこの層を約３５０〜約４００℃そして好ましくは約３
８０〜約３９０℃の温度で融解させる。もし所望なら
ば、界面活性剤の除去に先立って、約１〜約３０分間、
約１００℃で加熱することによって組成物から水を除去
することができる。界面活性剤を除去するための加熱は
約０．２５時間〜約２時間そして好ましくは約１時間で
ある。組成物の融解または高密度化を引き起こすための
加熱は、通常約３０〜約１２０分の間でありそして一般
に例えば約１０００〜約２０００ＰＳＩそして好ましく
は約１７００〜約２０００ＰＳＩ圧力下で実施される。
【００２４】この時点で、もし所望ならば基体を例えば
エッチングによって除去して、フッ素化ポリマー物質及
び充填剤の自立するフィルムを供給することができる。
本方法において用いられる典型的な基体は銅及び銅／イ
ンバール／銅複合物を含む。このような基体は、通常約
０．７〜約４０ミルの厚さそして好ましくは約０．７〜
約３ミルの厚さである。銅または銅複合物を用いるとき
には、それらは典型的な銅エッチャント例えば塩化第二
銅中でのエッチングによってフッ素化ポリマー複合物か
ら除去することができる。
【００２５】界面活性剤及びｐＨ調節剤を用いる組成物
に関しては、融解及び高密度化ステップに先立って、そ
して水が除去された後で、界面活性剤及びｐＨ調節剤を
除去するために、約０．２５〜約２時間、典型的には約
１時間、約２６０〜約３２０℃、典型的には約３００℃
の温度に組成物を加熱する。用いることができる適当な
界面活性剤は、ノニオン界面活性剤を含む。好ましい界
面活性剤は、ローム・アンド・ハースからＴｒｉｔｏｎ
Ｘ−１００という商品名の下で商業的に入手できるオ
クチルフェノキシエタノールである。
【００２６】加えて、本組成物は、米国特許４，８４
９，２８４中で必要とされるような凝集剤を含んではな
らない。
【００２７】本発明に従って製造される組成物は、基体
中に所望のビアを供給するためにレーザードリリングを
含むドリリングまたはパンチングにかけることができ
る。このレーザードリリングは、レーザーに面するコー
ティングに関してそして、貴ガスハロゲン化物レーザー
例えば塩化キセノンを用いて、ＵＶからＩＲ領域の波長
（３０８ｎｍが好ましい）及び約４〜約２０ジュール／
ｃｍ２（３０８ｎｍで）、典型的には約８ジュール／ｃ
ｍ２のエネルギー（ｆｌｕｅｎｃｅ）を有する種々のレ
ーザーを用いて実施される。このレーザードリリング
は、接触または投影タイプのどちらでもよい。所定の領
域にビアを供給するために、レーザーに耐えるコーティ
ング例えば銅または銅／インバール／銅を、ホールを供
給しない予定の領域を覆って基体の上に供給することが
できる。
【００２８】本発明の物質中にパンチングまたはドリリ
ングによって生成されたビアは、繊維状物質を含まずそ
して極めて良好な品質のものである。
【００２９】以下の実施例は、本発明をさらに説明する
ために提示される。
【００３０】
【実施例１】約３０００ＲＰＭの高速分散機中で、約４
０重量部の脱イオン水、約４６重量部の結晶性シリカ
（３．４５ミクロンの平均粒径を有するＭａｌｖｅｒｎ
Ｍｉｎｅｒａｌ社から入手できるＬ３３７ Ｎｏｖａ
ｃｕｐ）、約１２．４５重量部のデグッサ社から入手で
きるＡｅｒｓｏｌ２００、約０．５重量部のデグッサ社
から入手できるＱｕｓｏ Ｇ３５、約０．５重量部のロ
ーム・アンド・ハースから入手できるＴｒｉｔｏｎ Ｘ
−１００及び約０．５重量部の水酸化アンモニウムの２
０％溶液を約１０〜約１５分、分散させる。この分散液
に、約１００重量部のポリテトラフルオロエチレン（テ
フロン３０）の６０％固体分散液を添加する。この組成
物をさらに５分間約１００ＲＰＭの低い撹拌下で混合す
る。
【００３１】次に、上の組成物を銅基体の上に約１．３
の厚さにコートする。次に、約１００℃で約３０分間加
熱することによって水を除去し、そして次に、約３００
℃で約２時間加熱することによって界面活性剤及びＮＨ
４ＯＨを除去する。次に、約１７００ＰＳＩの圧力下で
約３５０〜約３８０℃で加熱することによってこの組成
物を融解させる。
【００３２】塩化第二銅エッチング浴中でのエッチング
によって銅を除去して、自立構造のフィルムを生成させ
る。
【００３３】このフィルムは、ポリテトラフルオロエチ
レン母体中のシリカ粒子の均一な分散及び融解を示す。
融解の後の乾いた複合物は、Ｘ及びＹ方向に約３０ＰＰ
Ｍ／℃そしてＺ方向に約３６ＰＰＭ／℃のＣＴＥを有す
る。
【００３４】
【実施例２】約４２０ｇのポリテトラフルオロエチレン
水性分散液テフロン３０、６０％固体を含む組成物を、
約１０〜１５分間約３０００〜約５０００ＲＰＭで高速
分散機中で速い撹拌の下でＭａｌｖｅｒｎ Ｍｉｎｅｒ
ａｌ社からＮＯＶＡＣＩＴＥという商品名の下で入手で
きる３．６５ミクロンの平均粒径を有する約２２５ｇの
シリカのシリカ分散液と混合する。
【００３５】次に、この組成物を、水性分散液として銅
基体の上に約１．３ミルの厚さにコートする。次に、水
を除去するためにこのコーティングを約１００℃〜約１
１０℃の温度で加熱し、引き続いて界面活性剤を揮発さ
せるために３００℃で１時間加熱し、そして約３５０℃
〜約４００℃で約６５分間約１７００ＰＳＩの圧力下で
プレスする。フィルムの厚さは約０．５〜１ミルの厚さ
である。
【００３６】塩化第二銅中でのエッチングによって銅を
除去する。この自立構造のフィルムは、ピンホールを含
まずそして実施例１の結果と類似の結果を有する。
【００３７】
【実施例３】シリカの代わりに、約５ミクロンの平均粒
径を有するＤｅｎｉｍｅｘ社から入手できる約２５２ｇ
の石英を用いる以外は、実施例２を繰り返す。得られた
結果は、実施例１の結果と類似であった。
【００３８】
【実施例４】約３０００ＲＰＭの高速分散機中で、約１
８重量部の脱イオン水、約２５重量部の無定形シリカ
（２ミクロンの平均粒径を有しＣＥＲＡＣ社から入手で
きる）、約０．７５重量部のＧｒａｃｅ Ｓｙｎｔａｃ
ｔｉｃｓから入手できる７ミクロンの平均サイズの中空
微小球、約０．２重量部のＡ１１００シランを約１０〜
約１５分、分散させる。この分散液に、約５２重量部の
ポリテトラフルオロエチレン（テフロン３０）の６０％
分散液を添加する。この組成物をさらに５分間約１００
ＲＰＭの低い撹拌下で混合する。
【００３９】次に、上の組成物を銅基体の上に約２ミル
の厚さにコートする。次に、約１００℃で約３０分間加
熱することによって水を除去し、引き続いて約３００℃
で１時間加熱することによって界面活性剤を除去する。
次に、約１７００ＰＳＩの圧力下で約３８０〜約３９０
℃で加熱することによってこの組成物を融解または高密
度化させる。
【００４０】塩化第二銅エッチング浴中でのエッチング
によって銅を除去して、自立構造のフィルムを生成させ
る。
【００４１】このフィルムは、ポリテトラフルオロエチ
レン母体中のシリカ粒子の均一な分散及び融解を示す。
生成するフィルムの誘電定数は約２．７である。
【００４２】
【実施例５】２ｇのＧｒａｃｅ ＳＤＩ−６０中空微小
球を、Ｆｌｕｏｒｏｉｎｅｒｔ ＦＣ−７７溶媒（３Ｍ
から得られる）中のテフロンＡＦ１６００樹脂の約１０
％溶液中に１００〜５００ＲＰＭで約１０〜１５分間分
散させる。次に、この組成物を銅基体の上に約１〜２ミ
ルの厚さにコートする。次に、約１１０℃で約３０〜６
０分間加熱することによって溶媒を除去する。この組成
物を約１０００ＰＳＩの圧力下で約２４０〜２８０℃で
積層させる。塩化第二銅中でのエッチングによって銅を
除去して、自立構造のフィルムを生成させる。このフィ
ルムの誘電定数は１．９未満であった。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０８Ｋ 7/22 ＫＪＮ 7242−4Ｊ Ｈ０１Ｌ 23/14 23/29 23/31 (72)発明者 アシト・メータ アメリカ合衆国ニユーヨーク州（13850) ベスタル．コルゲイトストリート509 (72)発明者 ジエ・エム・パーク アメリカ合衆国ニユーヨーク州（10589) サマーズ．ボニードライブ（番地なし) (72)発明者 ユージーン・スカルビンコ アメリカ合衆国ニユーヨーク州（13905) ビンガムトン．ジヤイルズストリート４ (72)発明者 デイビツド・ダブリユー・ワン アメリカ合衆国ニユーヨーク州（13850) ベスタル．オーバーブルツクドライブ800

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 Ａ．フッ素化ポリマー物質；及び Ｂ． 約７μｍより大きくない平均粒径を有しそしてシ
    リカ、石英粒子、中空微小球及びそれらの混合物の群か
    ら選ばれる充填剤；から成り、そして組成物中のＡ及び
    Ｂの総量を基にして、Ａの量は約５０〜約９０重量％で
    ありそしてＢの量は約５０〜約１０重量％である、低い
    誘電定数及び低い熱膨張係数を有する組成物。
  2. 【請求項２】 少なくとも約０．５ミルの層の形であ
    る、請求項１記載の組成物。
  3. 【請求項３】 約３．２未満の誘電定数を有する、請求
    項１記載の組成物。
  4. 【請求項４】 該層がその中にレーザーでドリルされた
    ビアを有する、請求項２記載の組成物。
  5. 【請求項５】 該フッ素化ポリマー物質が、テトラフル
    オロエチレンのポリマー、テトラフルオロエチレン及び
    ペルフルオロ−２，２−ジメチル−１，３−ジオキシド
    のコポリマー、テトラフルオロエチレン及びヘキサフル
    オロプロピレンのコポリマー、テトラフルオロエチレン
    及びペルフルオロアルコキシのコポリマー、フッ素化エ
    チレン−プロピレンコポリマー並びにこれらの混合物の
    群から選ばれる、請求項１記載の組成物。
  6. 【請求項６】 Ａ．（１）フッ素化ポリマー物質；及び
    （２）約７μｍより大きくない平均粒径を有しそしてシ
    リカ、石英粒子、中空微小球及びそれらの混合物の群か
    ら選ばれる充填剤を含み、そして組成物中の（１）及び
    （２）の総量を基にして、（１）の量は約５０〜約９０
    重量％でありそして（２）の量は約５０〜約１０重量％
    である組成物を得ること； Ｂ．該組成物を基体に適用すること；そして次に Ｃ．該組成物を約３５０〜約４００℃の温度に加熱する
    こと；から成る、低い誘電定数及び低い熱膨張係数を有
    する、フッ素化ポリマー物質を含む層を製造する方法。
  7. 【請求項７】 該加熱が約１０００〜２０００ｐｓｉの
    圧力下で実施される、請求項６記載の方法。
  8. 【請求項８】 ドリリングまたはパンチングによって層
    中にビアを形成することをさらに含む、請求項６記載の
    方法。
  9. 【請求項９】 レーザードリリングによって層中にビア
    を形成することをさらに含む、請求項６記載の方法。
  10. 【請求項１０】 該層が少なくとも約０．５ミルの厚さ
    である、請求項６記載の方法。
  11. 【請求項１１】 該組成物を融解するための加熱に先立
    って、水を除去するための加熱及びそれに続く組成物中
    に存在する界面活性剤を除去するための約１〜２時間の
    約２６０〜約３２０℃での加熱をさらに含む、請求項６
    記載の方法。
  12. 【請求項１２】 該フッ素化ポリマー物質が、テトラフ
    ルオロエチレンのポリマー、テトラフルオロエチレン及
    びペルフルオロ−２，２−ジメチル−１，３−ジオキシ
    ドのコポリマー、テトラフルオロエチレン及びへキサフ
    ルオロプロピレンのコポリマー、テトラフルオロエチレ
    ン及びペルフルオロアルコキシのコポリマー、フッ素化
    エチレン−プロピレンコポリマー並びにこれらの混合物
    の群から選ばれる、請求項６記載の方法。
  13. 【請求項１３】 Ｉ．Ａ．フッ素化ポリマー物質；及び
    Ｂ．約７μｍより大きくない平均粒径を有しそしてシリ
    カ、石英、中空微小球及びそれらの混合物の群から選ば
    れる充填剤；を含み、そして基体中のＡ及びＢの総量を
    基にして、Ａの量は約５０〜約９０重量％でありそして
    Ｂの量は約５０〜約１０重量％である、低い誘電定数及
    び低い熱膨張係数を示す基体；並びに ＩＩ．該基体の少なくとも一つの主な面の少なくとも一
    部の上に配設される金属層を含む回路化された基体。
  14. 【請求項１４】 少なくとも約０．５ミルの厚さであ
    る、請求項１３記載の基体。
  15. 【請求項１５】 その中にビアを有する、請求項１３記
    載の基体。
  16. 【請求項１６】 その中にレーザーでドリルされたビア
    を有する、請求項１３記載の基体。
  17. 【請求項１７】 該フッ素化ポリマー物質が、テトラフ
    ルオロエチレンのポリマー、テトラフルオロエチレン及
    びペルフルオロ−２，２−ジメチル−１，３−ジオキシ
    ドのコポリマー、テトラフルオロエチレン及びヘキサフ
    ルオロプロピレンのコポリマー、テトラフルオロエチレ
    ン及びペルフルオロアルコキシのコポリマー、フッ素化
    エチレン−プロピレンコポリマー並びにこれらの混合物
    の群から選ばれる、請求項１３記載の基体。
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