JP4841830B2 - 配線基板の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は配線基板の製造方法に関する。更に詳しくは、スルーホールへの充填性に優れ、また、フィラーが配向せず熱膨張率等の偏りがなく熱的に安定であり、更には、他層との接合性に優れた充填材を用いた配線基板の製造方法に関する。
近年、配線基板は高密度化の要求から、いわゆるビルドアップ多層配線基板が注目されている。このビルドアップ多層配線基板では、層間の導通を要する所望の層にスルーホールを設け、その後、このスルーホール内にメッキを施した後、もはや必要のなくなったスルーホール内の空隙は充填材により埋められる。しかし、従来、この充填材により埋められたスルーホール上には導体層等は形成されないのが一般的であった。
しかし、近年、更なる高密度化の要求から、この充填材により埋められたスルーホール上にも導体層を形成し、更にはその導体層上にビアを形成する構造等が、下記特許文献１等において提案されている。
また、樹脂を用いた充填材としては、下記特許文献２が知られており、更に、封止材に適した炭酸カルシウムとしては、下記特許文献３が知られている。
しかし、近年、更なる高密度化の要求から、この充填材により埋められたスルーホール上にも導体層を形成し、更にはその導体層上にビアを形成する構造等が、下記特許文献１等において提案されている。
また、樹脂を用いた充填材としては、下記特許文献２が知られており、更に、封止材に適した炭酸カルシウムとしては、下記特許文献３が知られている。
上記特許文献１には、上記の多層回路基板のスルーホール充填に適した充填材も開示されている。しかし、この充填材は、硬化物自体が導電性を有する金属フィラーを含有するものである。この充填材から得られる金属フィラーを含有する導電性硬化物は、スルーホール内に施されるメッキ層に比べると十分に高い導電性は得られ難い。また、金属フィラーは高価であり、コスト的にも不利である。
更に、上記特許文献２には、所定の平均粒子径の無機フィラーを含有する充填材が開示されている。しかし、スルーホール内の充填物とこの充填物上に形成された他層（特に導体層）との関係については検討されていない。
また、上記特許文献３には、部品や素子を機器に実装する際に用いる封止材に適した炭酸カルシウムが開示されている。しかし、スルーホールへの充填については検討されておらず、更には、スルーホール内の充填物とこの充填物上に形成された他層（特に導体層）との関係についても検討されていない。
更に、上記特許文献２には、所定の平均粒子径の無機フィラーを含有する充填材が開示されている。しかし、スルーホール内の充填物とこの充填物上に形成された他層（特に導体層）との関係については検討されていない。
また、上記特許文献３には、部品や素子を機器に実装する際に用いる封止材に適した炭酸カルシウムが開示されている。しかし、スルーホールへの充填については検討されておらず、更には、スルーホール内の充填物とこの充填物上に形成された他層（特に導体層）との関係についても検討されていない。
本発明は、上記に鑑みてなされたものであり、スルーホールへの充填性に優れ、また、フィラーが配向せず熱膨張率等の偏りがなく熱的に安定であり、更には、他層との接合性に優れた充填材を用いた配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
本発明は、以下に示す通りである。
（１）充填口径が２６０μｍ以下であるスルーホールを備える基体の該スルーホール内に、充填材を充填する充填工程と、充填された該充填材を硬化させて充填物とする硬化工程と、基体表面に表出した該充填物の表面を覆うように該基体上に導体層を形成する導体層形成工程と、を備える配線基板の製造方法であって、
上記充填材は、無機フィラーと熱硬化性樹脂と硬化剤とを含有し、溶剤が含有されず、水分量が上記充填材全体を１００％とした場合に０．５％未満であり、
上記無機フィラーは２種以上含有され、そのうち１種は炭酸カルシウム粉末であり、且つ、該炭酸カルシウム粉末は、破砕物状粒子、球状粒子、立方体状粒子及び紡錘状粒子のうちの少なくとも１種からなり、
上記炭酸カルシウム粉末は、カルサイト結晶からなる粉末を主成分とし、
上記無機フィラーとして、更に、酸化ケイ素粉末を含有し、且つ、該酸化ケイ素粉末は球状粒子からなり、
上記充填材の、剪断速度０．８４ｓ −１ における粘度が３５〜９５Ｐａ・ｓであり、且つ、剪断速度２１ｓ −１ における粘度が２５〜４５Ｐａ・ｓであることを特徴とする配線基板の製造方法。
（２）上記炭酸カルシウム粉末は、表面処理されており、
上記表面処理は、有機系表面処理剤によるコーティング又はカップリング剤によるコーティングである上記（１）に記載の配線基板の製造方法。
（１）充填口径が２６０μｍ以下であるスルーホールを備える基体の該スルーホール内に、充填材を充填する充填工程と、充填された該充填材を硬化させて充填物とする硬化工程と、基体表面に表出した該充填物の表面を覆うように該基体上に導体層を形成する導体層形成工程と、を備える配線基板の製造方法であって、
上記充填材は、無機フィラーと熱硬化性樹脂と硬化剤とを含有し、溶剤が含有されず、水分量が上記充填材全体を１００％とした場合に０．５％未満であり、
上記無機フィラーは２種以上含有され、そのうち１種は炭酸カルシウム粉末であり、且つ、該炭酸カルシウム粉末は、破砕物状粒子、球状粒子、立方体状粒子及び紡錘状粒子のうちの少なくとも１種からなり、
上記炭酸カルシウム粉末は、カルサイト結晶からなる粉末を主成分とし、
上記無機フィラーとして、更に、酸化ケイ素粉末を含有し、且つ、該酸化ケイ素粉末は球状粒子からなり、
上記充填材の、剪断速度０．８４ｓ −１ における粘度が３５〜９５Ｐａ・ｓであり、且つ、剪断速度２１ｓ −１ における粘度が２５〜４５Ｐａ・ｓであることを特徴とする配線基板の製造方法。
（２）上記炭酸カルシウム粉末は、表面処理されており、
上記表面処理は、有機系表面処理剤によるコーティング又はカップリング剤によるコーティングである上記（１）に記載の配線基板の製造方法。
本発明に用いる充填材によれば、スルーホールの充填をスムーズに行うことができる。また、スルーホール内で、特に細径のスルーホール内でも、無機フィラーが配向しないため、硬化後の充填物は熱膨張率等の偏りがなく、熱的に安定である。更に、充填物上に形成された他層との接合性に優れ、特に多層化された配線基板においても高い信頼性を得ることができる。また、無機フィラーとして炭酸カルシウムを使用するため、占有体積の大きい破砕物状粒子を使用でき、炭酸カルシウムの使用量が少なくても充填材としての嵩をかせぐことができる。更に、球状粒子も使用でき、その配合量を変化させることで、充填材の粘度、充填性、接合性及び粗化性等の各種特性を調整できる。即ち、各配線基板及びスルーホールの形態に適した充填材を効率よく得ることができる。また、酸化剤で粗化可能であるため、従来から使用されている工程をそのまま用いて作業できる。
炭酸カルシウム粉末が、カルサイト結晶からなる粉末を主成分とする場合は、得られる充填物の安定性が特に優れ、また、上記各種優れた特性を有する充填物を安価に得ることができる。
無機フィラーとして更に酸化ケイ素粉末を含有し且つ酸化ケイ素粉末が球状粒子からなる場合は、熱膨張係数が小さく充填物の熱膨張率の制御が容易となる。また、流動性がよい充填材を容易に得ることができる。更に、特に高い充填率を得ることができる。また、無溶剤の充填材を調製する場合にも高充填が容易であり、更には、硬化後の充填物上に他層を形成する場合にも接合性を十分に確保できる。
炭酸カルシウム粉末が１００ｇあたり１００〜５００ｍｌの体積である場合は、特に充填性に優れた充填材を得ることができる。
無機フィラーとして更に酸化ケイ素粉末を含有し且つ酸化ケイ素粉末が球状粒子からなる場合は、熱膨張係数が小さく充填物の熱膨張率の制御が容易となる。また、流動性がよい充填材を容易に得ることができる。更に、特に高い充填率を得ることができる。また、無溶剤の充填材を調製する場合にも高充填が容易であり、更には、硬化後の充填物上に他層を形成する場合にも接合性を十分に確保できる。
炭酸カルシウム粉末が１００ｇあたり１００〜５００ｍｌの体積である場合は、特に充填性に優れた充填材を得ることができる。
本発明により得られる配線基板によれば、上記充填材を用いて得られるため、充填物は均質な組成を有する。このためスルーホール開口面に表出された充填物の端面とこの端面を覆う導体層との密着強度に優れる。また、熱膨張率等の物理的性質も充填物内で均質であるため、熱衝撃等の熱耐久性及び熱信頼性において優れる。この結果、充填物上に形成された上部導体層との界面に、間隙（デラミネーション）及びクラック等が発生することが効果的に防止される。
本発明の製造方法によれば、充填材をスルーホール内へ充填性よく充填できる。また、得られる充填物は均質な組成を有するためスルーホール開口面に表出された充填物の端面とこの端面を覆う導体層との密着強度に優れた配線基板を得ることができる。更に、熱膨張率等の物理的性質が均質な充填物が得られるため、熱衝撃等の熱耐久性及び熱信頼性において優れた配線基板を得ることができる。従って、充填物上に形成された上部導体層との界面に、間隙（デラミネーション）及びクラック等が発生することが効果的に防止された配線基板を得ることができる。
本発明について、以下詳細に説明する。
［１］充填材
本発明に用いる充填材は、無機フィラーと熱硬化性樹脂と硬化剤とを含有する充填材において、無機フィラーは２種以上含有され、そのうち１種は炭酸カルシウム粉末であり、且つ、炭酸カルシウム粉末は、破砕物状粒子、球状粒子、立方体状粒子及び紡錘状粒子のうちの少なくとも１種からなり、上記炭酸カルシウム粉末は、カルサイト結晶からなる粉末を主成分とし、上記無機フィラーとして、更に、酸化ケイ素粉末を含有し、且つ、該酸化ケイ素粉末は球状粒子からなることを特徴とする。
［１］充填材
本発明に用いる充填材は、無機フィラーと熱硬化性樹脂と硬化剤とを含有する充填材において、無機フィラーは２種以上含有され、そのうち１種は炭酸カルシウム粉末であり、且つ、炭酸カルシウム粉末は、破砕物状粒子、球状粒子、立方体状粒子及び紡錘状粒子のうちの少なくとも１種からなり、上記炭酸カルシウム粉末は、カルサイト結晶からなる粉末を主成分とし、上記無機フィラーとして、更に、酸化ケイ素粉末を含有し、且つ、該酸化ケイ素粉末は球状粒子からなることを特徴とする。
上記「無機フィラー」は、無機物からなるフィラーである。この無機フィラーは２種以上含有され、そのうち少なくとも１種として炭酸カルシウム粉末が含有される。
上記「炭酸カルシウム粉末」は、ＣａＣＯ３を主成分とする粉末である。炭酸カルシウムは、酸化剤等により分解又は溶解させて微細な凹凸を形成できる。このため、硬化後の充填物上に形成された層（例えば、導体層、絶縁層及びソルダーレジスト層等）との接合性に優れる。尚、上記ＣａＣＯ３を主成分とする炭酸カルシウム粉末は、この粉末を１０５０±５０℃で恒量になるまで加熱した場合に、加熱前の粉末全体（１００質量％）に対して５４〜５５．５質量％がＣａＯとなり、４３〜４５質量％がＩｇ．Ｌｏｓｓ（焼失分）となり、且つ、Ｉｇ．Ｌｏｓｓ全体（１００質量％）の９９質量％以上がＣＯ２であるものが好ましい。
この炭酸カルシウムの含有量は、特に限定されないが、熱硬化性樹脂全体を１００質量部とした場合に１０〜４０質量部（より好ましくは１５〜３０質量部）であることが好ましい。この範囲であれば、硬化後の充填物上に形成された層との接合性が十分に得られ、また、充填材中に含有される水分量を調整し易く、更には、配線基板を構成する他材との熱膨張率の調整も容易だからである。
上記「炭酸カルシウム粉末」は、ＣａＣＯ３を主成分とする粉末である。炭酸カルシウムは、酸化剤等により分解又は溶解させて微細な凹凸を形成できる。このため、硬化後の充填物上に形成された層（例えば、導体層、絶縁層及びソルダーレジスト層等）との接合性に優れる。尚、上記ＣａＣＯ３を主成分とする炭酸カルシウム粉末は、この粉末を１０５０±５０℃で恒量になるまで加熱した場合に、加熱前の粉末全体（１００質量％）に対して５４〜５５．５質量％がＣａＯとなり、４３〜４５質量％がＩｇ．Ｌｏｓｓ（焼失分）となり、且つ、Ｉｇ．Ｌｏｓｓ全体（１００質量％）の９９質量％以上がＣＯ２であるものが好ましい。
この炭酸カルシウムの含有量は、特に限定されないが、熱硬化性樹脂全体を１００質量部とした場合に１０〜４０質量部（より好ましくは１５〜３０質量部）であることが好ましい。この範囲であれば、硬化後の充填物上に形成された層との接合性が十分に得られ、また、充填材中に含有される水分量を調整し易く、更には、配線基板を構成する他材との熱膨張率の調整も容易だからである。
また、炭酸カルシウム粉末を構成する粉末粒子には、破砕物状粒子、球状粒子、立方体状粒子、紡錘状粒子、針状粒子及び柱状粒子（棒状粒子）等がある。本充填材では、これらのなかでも、破砕物状粒子、球状粒子、立方体状粒子及び紡錘状粒子のうちの少なくともいずれかが含有され、針状粒子及び柱状粒子は実質的に含有されないものである。上記の結晶構造のうち好ましい構造を用いることにより、スルーホールへの充填不良を防止でき、また、特に充填に際してずり応力が負荷される場合（印刷により充填する場合等）にも無機フィラーが配向することを防止できる。このため、熱膨張率等に偏りを生じない。更に、この熱膨張率の偏りがないため、硬化後の充填物上に形成された層との界面に間隙（デラミネーション）及びクラック等が発生することを効果的に防止できる。
上記「破砕物状粒子」は、破砕物状の粒子である。即ち、例えば、破砕（粉砕等であってもよい）により塊状物を小粒化した場合に形成されるような不定形状の粒子である（但し、実際に破砕により得られているか否かは限定されない）。この破砕物状粒子は、どのような手段で得られたものであってもよいが、例えば、蠣殻、海産微生物殻の堆積物及び糖晶石灰石等を破砕し、更には、分級して得ることができる。この破砕物状粒子としては、いわゆる重質炭酸カルシウム等が挙げられる。
また、上記「球状粒子」は、球状及び略球状（例えば、ラグビーボール状等を含む）等の形状の粒子である。この球状粒子は、どのような手段により得られたものであってもよいが、例えば、溶媒中に溶解されたカルシウム化合物と二酸化炭素とを、又は、溶媒中に溶解されたカルシウム化合物と炭酸化合物とを反応させる等して得ることができる。この球状粒子としては、いわゆるコロイド炭酸カルシウム等が挙げられる。
また、上記「球状粒子」は、球状及び略球状（例えば、ラグビーボール状等を含む）等の形状の粒子である。この球状粒子は、どのような手段により得られたものであってもよいが、例えば、溶媒中に溶解されたカルシウム化合物と二酸化炭素とを、又は、溶媒中に溶解されたカルシウム化合物と炭酸化合物とを反応させる等して得ることができる。この球状粒子としては、いわゆるコロイド炭酸カルシウム等が挙げられる。
更に、上記「立方体状粒子」は、立方体形状及び略立方体形状（例えば、面取りされた立方体形状等）の粒子である。この立方体状粒子としては、バテライト結晶粒子及び立方体型カルサイト結晶粒子等が挙げられる。
また、上記「紡錘状粒子」は、紡錘形状及び略紡錘形状からなる粒子である。また、通常、そのアスペクト比は３以下（好ましくは２以下）である。アスペクト比が３以下であれば充填時の配向が特に生じ難いからである。即ち、配向が生じたとしてもその量が少ないためほとんど配向の影響を受けないものである。
尚、これら以外の形状である、針状粒子及び柱状粒子とは、通常、アスペクト比が３を超える形状であるものを意味するものとする。
また、上記「紡錘状粒子」は、紡錘形状及び略紡錘形状からなる粒子である。また、通常、そのアスペクト比は３以下（好ましくは２以下）である。アスペクト比が３以下であれば充填時の配向が特に生じ難いからである。即ち、配向が生じたとしてもその量が少ないためほとんど配向の影響を受けないものである。
尚、これら以外の形状である、針状粒子及び柱状粒子とは、通常、アスペクト比が３を超える形状であるものを意味するものとする。
これら破砕物状粒子、球状粒子、立方体状粒子及び紡錘状粒子の粉末粒子からなる炭酸カルシウム粉末を用いた場合は、流動性に優れるため充填性にも優れ、スルーホール等においては充填不良を防止できる。また、粒子が充填時に配向しないため、熱膨張に異方性を生じない。特に、配向し易いずり応力が負荷される場合にも無機フィラーが配向することを防止できる。硬化後の充填物上に他層（例えば、導体層、絶縁層及びソルダーレジスト層等）が形成されている場合には、他層との界面に間隙（デラミネーション）及びクラック等が発生することを特に良好に防止できる。
これら破砕物状粒子、球状粒子、立方体状粒子及び紡錘状粒子のなかでも、特に破砕物状粒子、球状粒子及び立方体状粒子が好ましい。これらは特にアスペクト比が小さい（例えば、３以下）。このため、更に効果的に、充填不良の防止、熱膨張の異方性防止、ずり応力が負荷される場合の配向防止、及び、充填物上に他層と接合不良防止ができる。
これら破砕物状粒子、球状粒子、立方体状粒子及び紡錘状粒子のなかでも、特に破砕物状粒子、球状粒子及び立方体状粒子が好ましい。これらは特にアスペクト比が小さい（例えば、３以下）。このため、更に効果的に、充填不良の防止、熱膨張の異方性防止、ずり応力が負荷される場合の配向防止、及び、充填物上に他層と接合不良防止ができる。
更に、炭酸カルシウムの結晶構造には、カルサイト結晶構造、バテライト結晶構造及びアラゴナイト結晶構造の同質異像が知られている。これらのなかでも、本充填材に含有される炭酸カルシウム粉末はカルサイト結晶からなる粉末及び／又はバテライト結晶からなる粉末を主成分とすることが好ましい。これらの結晶はアスペクト比が大きくなり難いからである。更に、カルサイト結晶からなる粉末及びバテライト結晶からなる粉末のうちでは、カルサイト結晶からなる粉末が好ましい。カルサイト結晶は最も安定な構造であり、また、バテライト結晶よりも入手し易く、安価に得られるためである。また、上記主成分とするとは、炭酸カルシウム粉末全体の７０質量％以上含有されていることを表す。
更に、この炭酸カルシウム粉末は、上記「平均一次粒子径」が０．０３〜５μｍ（より好ましくは０．０５〜３μｍ、更に好ましくは０．０５〜２．５μｍ）であることが好ましい。平均一次粒子径がこの範囲であれば、充填材が極端に増粘すること等がなく良好な充填性を調整し易い。また、分散不良を生じることがない。更に、配線基板製造工程においては酸化剤による溶出不良を生じることがなく、硬化後の充填物上の他層との接合性も十分に得られる。尚、この平均一次粒子径は、電子顕微鏡観察又は空気透過法によって測定するものとする。
更に、炭酸カルシウム粉末は、１００ｇあたり１００〜５００ｍｌの体積（より好ましくは１００ｇあたり１１５〜４５０ｍｌの体積、更に好ましくは１００ｇあたり１３０〜４００ｍｌの体積）であることが好ましい。また、吸油量は５〜４０ｍｌ／１００ｇ（より好ましくは６〜３５ｍｌ／１００ｇ、更に好ましくは７〜３０ｍｌ／１００ｇ）であることが好ましい。更に、これらの１００ｇあたりの体積（ｍｌ）と吸油量とは各々の組合せとすることが好ましい。即ち、１００ｇあたり１００〜５００ｍｌの体積且つ吸油量は５〜４０ｍｌ／１００ｇとするでき、１００ｇあたり１１５〜４５０ｍｌの体積且つ吸油量が６〜３５ｍｌ／１００ｇとすることが好ましく、１００ｇあたり１３０〜４００ｍｌの体積且つ吸油量が７〜３０ｍｌ／１００ｇとすることがより好ましい。
各々上記範囲であれば、充填材を過度に増粘させることなく前記好ましい炭酸カルシウム粉末の含有量を確保でき、また、炭酸カルシウム粉末の平均一次粒子径が上記好ましい範囲を超えて過度に大きくなることがなく、小径のスルーホールへの充填性を阻害することもない。
尚、この１００ｇあたりの体積（ｍｌ）は、ＪＩＳ Ｋ５１０１における見掛け比容に準じ、見掛け比容を１００で除した値である。また、吸油量とは、ＪＩＳ Ｋ５１０１における吸油量である。
各々上記範囲であれば、充填材を過度に増粘させることなく前記好ましい炭酸カルシウム粉末の含有量を確保でき、また、炭酸カルシウム粉末の平均一次粒子径が上記好ましい範囲を超えて過度に大きくなることがなく、小径のスルーホールへの充填性を阻害することもない。
尚、この１００ｇあたりの体積（ｍｌ）は、ＪＩＳ Ｋ５１０１における見掛け比容に準じ、見掛け比容を１００で除した値である。また、吸油量とは、ＪＩＳ Ｋ５１０１における吸油量である。
本発明に用いる充填材の無機フィラーとしては、上記炭酸カルシウム粉末以外にも他の無機フィラーが併せて用いられる。他の無機フィラーとしては、炭酸カルシウム以外の無機化合物フィラー（セラミックフィラー及び誘電体フィラー等を含む）並びに金属フィラー等が挙げられる。このうち無機化合物フィラーとしては、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、タルク、窒化アルミニウム及び硫酸バリウム等からなるセラミックフィラー（各無機化合物の粉末）が挙げられる。また、誘電体フィラーとしては、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸鉛及びチタン酸ジルコン酸鉛等からなるフィラーが挙げられる。これらの無機フィラーは１種のみが含有されてもよく、２種以上が含有されてもよい。
これらの無機フィラーは目的用途に応じて適宜のフィラーが含有されることが好ましく、上記のうちセラミックフィラーを用いることが好ましい。セラミックフィラーは熱膨張係数が小さいものを得易く、また、形状がより安定した球形のものを得易いからである。更に、セラミックフィラーのなかでも、酸化ケイ素粉末及びアルミナ粉末が好ましく、酸化ケイ素粉末がより好ましい。酸化ケイ素は、熱膨張係数が比較的小さく、これを用いることで得られる充填物の熱膨張率の制御が容易となるからである。
これらの無機フィラーは目的用途に応じて適宜のフィラーが含有されることが好ましく、上記のうちセラミックフィラーを用いることが好ましい。セラミックフィラーは熱膨張係数が小さいものを得易く、また、形状がより安定した球形のものを得易いからである。更に、セラミックフィラーのなかでも、酸化ケイ素粉末及びアルミナ粉末が好ましく、酸化ケイ素粉末がより好ましい。酸化ケイ素は、熱膨張係数が比較的小さく、これを用いることで得られる充填物の熱膨張率の制御が容易となるからである。
更に、酸化ケイ素粉末はどのような形状の粉末粒子からなるものであってもよいが、特に球状粒子からなることが好ましい。球状粒子は上記と同様に球状及び略球状（例えば、ラグビーボール状等を含む）等の形状からなる粒子である。球状粒子からなる酸化ケイ素粉末を使用することで、流動性がよい充填材を容易に得ることができる。また、高充填が可能となる。この酸化ケイ素粉末の平均粒子径（平均一次粒子径）は特に限定されないが、３〜１２μｍであることが好ましい。更に、最大粒径は５０μｍを超えないことが好ましい。平均粒子径及び最大粒径がこの範囲であれば、無溶剤の充填材を調製する場合にも高充填が容易であり、また、硬化後の充填物上に他層を形成する場合にもその接合性を十分に確保できる。
これらの無機フィラー（炭酸カルシウムを含む）は、表面処理されていてもよく、表面処理されていなくてもよい。表面処理の種類は特に限定されないが、例えば、脂肪酸（炭素数１０〜２０が好ましい。例えば、ステアリン酸等が挙げられる。）、スルホン酸系化合物（炭素数１０〜２０が好ましい）及びパラフィン系化合物（炭素数１０〜２０が好ましい）等の有機系表面処理剤によるコーティング、シランカップリング剤等のカップリング剤によるコーティング等が挙げられる。表面処理により、例えば、熱硬化性樹脂と無機フィラーとの密着性を向上させること等ができる。これら表面処理は１種のみが施されていてもよく、２種以上が施されていてもよい。
上記「熱硬化性樹脂」は、加熱により硬化できる未硬化樹脂である（硬化後は硬化樹脂という）。この熱硬化性樹脂の種類は特に限定されないが、少なくともエポキシ樹脂が含有されることが好ましい。エポキシ樹脂は、絶縁性、耐薬品性、耐熱性、及び硬化時の収縮特性等の種々の特性において電子部品材料として特に好適だからである。また、エポキシ樹脂の種類も特に限定さないが、ビスフェノール型（Ａ型、Ｆ型、Ｓ型、ハロゲン化物及び水添物等を含む）、アミノフェノール型、フェノールノボラック型及びクレゾールノボラック型等の芳香環型エポキシ樹脂を含有することが好ましい。これらは耐熱性、耐薬品性及び流動性等に優れるからである。これらのなかでも、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＡ型及びアミノフェノール型が好ましい。これらは特に粘度が低いものが得られるため充填性に優れるからである。これら熱硬化性樹脂は１種のみを用いてもよく、２種以上を用いてもよい。
熱硬化性樹脂の含有量は、特に限定されないが、充填材全体を１００質量％とした場合に、１５〜６０質量％（より好ましくは２０〜５０質量％）であることが好ましい。この範囲であれば、適度な流動性を発現させることができ、且つ、高信頼性が得られるからである。
熱硬化性樹脂の含有量は、特に限定されないが、充填材全体を１００質量％とした場合に、１５〜６０質量％（より好ましくは２０〜５０質量％）であることが好ましい。この範囲であれば、適度な流動性を発現させることができ、且つ、高信頼性が得られるからである。
「硬化剤」は、上記熱硬化性樹脂に対する硬化剤である。その種類は特に限定されず、使用する熱硬化性樹脂の種類及び硬化条件等により適宜選択することが好ましい。例えば、熱硬化性樹脂として、エポキシ樹脂を用いる場合は、イミダゾール系化合物、ジシアンジアミド系化合物、アミン系化合物、酸無水物系化合物及びフェノール系化合物等を硬化剤を用いることができる。これらのなかでも、特に、得られる硬化樹脂の耐熱性、耐溶剤性、耐酸性及び耐水性等が良好であり、更に、充填材においては充填性、作業性及び保存安定性等に優れるためイミダゾール系化合物及びジシアンジアミド系化合物等を用いることが好ましい。これら硬化剤は１種のみを用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
更に、硬化剤の種類により必要に応じて、１種又は２種以上の硬化触媒を用いることができる。
更に、硬化剤の種類により必要に応じて、１種又は２種以上の硬化触媒を用いることができる。
また、本発明に用いる充填材には、溶剤が含有されてもよいが、含有されないことが特に好ましい。溶剤が含有されないことで、スルーホール等に充填した後、硬化させる際に溶剤の揮発に起因する泡の発生、凹みの発生及びクラックの発生等を特に効果的に防止できる。更に、配線基板においては、熱負荷が加えられた場合であっても、硬化後の充填物のフクレの発生、気泡の発生及びクラックの発生等を特に効果的に防止できる。
更に、本発明に用いる充填材には、無機フィラー、熱硬化性樹脂及び硬化剤以外にも、各種光硬化性樹脂、各種光硬化剤、消泡剤、レベリング剤、増粘剤及び分散剤等を含有できる。これらは１種のみを用いてもよく、２種以上を併用してもよい。更に、上記無機フィラーが充填材内で沈降することを防止するために、平均一次粒子径が８０ｎｍ以下の極微粒の酸化ケイ素粉末、酸化チタン粉末及び酸化アルミニウム粉末等を含有できる。
更に、本発明に用いる充填材には、無機フィラー、熱硬化性樹脂及び硬化剤以外にも、各種光硬化性樹脂、各種光硬化剤、消泡剤、レベリング剤、増粘剤及び分散剤等を含有できる。これらは１種のみを用いてもよく、２種以上を併用してもよい。更に、上記無機フィラーが充填材内で沈降することを防止するために、平均一次粒子径が８０ｎｍ以下の極微粒の酸化ケイ素粉末、酸化チタン粉末及び酸化アルミニウム粉末等を含有できる。
また、本発明に用いる充填材の水分量は、充填材全体を１００％とした場合に０．５％未満（より好ましくは０．０〜０．５％、更に好ましくは０〜０．３％、特に好ましくは０．０〜０．１％）である。この範囲であれば含有される材料等によらず極度な増粘を防止できる。また、硬化後の充填物内にボイドが生じることも防止できる。無機フィラーとして用いる炭酸カルシウムは一般に吸水性が高いが、上記水分量の範囲は、その管理方法及び添加時の工夫（添加量及び脱水処理等）などにより上記範囲を達することができる。
更に、本発明に用いる充填材の粘度は特に限定されないが、Ｂ型粘度計により温度２２±１℃で測定した場合の剪断速度０．８４ｓ−１における粘度が３５〜９５Ｐａ・ｓ（より好ましくは４０〜９５Ｐａ・ｓ、更に好ましくは４５〜９２Ｐａ・ｓ）であり、且つ、剪断速度２１ｓ−１における粘度が２５〜４５Ｐａ・ｓ（より好ましくは２５〜４０Ｐａ・ｓ、更に好ましくは２８〜３７Ｐａ・ｓ）である。この範囲であれば充填性に優れるからである。特に後述する充填口径が３２０μｍ以下（更には２６０μｍ以下、特に１６０μｍ以下、通常６０μｍ以上）のスルーホールに対しても十分な充填性を得ることができる。
一般に、充填材は粘度が低いと充填性が良いと考えられているが、剪断速度により粘度が大きく変わる場合がある。このため、剪断速度の影響を充分に把握する必要がある。
剪断速度が小さい時（即ち、例えば、０．８４ｓ−１）の粘度は、静置状態の粘度を表し、印刷時に加える力の伝わりや印刷後の形状保持性に影響を与える。一方、剪断速度が大きい時（即ち、例えば、２１ｓ−１）の粘度は、スルーホールに充填材を充填する際に影響を与える。
従って、充填材をスルーホールへ充填する際の剪断速度が大きい時の粘度は低いことが好ましい。即ち、剪断速度０．８４ｓ−１における粘度は３５〜９５Ｐａ・ｓである。充填の際には十分な流動性を有することで良好な充填性が得られるからである。一方、剪断速度が小さい時の粘度は高い方が好ましい。即ち、剪断速度２１ｓ−１における粘度が２５〜４５Ｐａ・ｓである。剪断速度が小さい時の粘度は過度に低いと、例えば、印刷時に力を加える前に充填材が流れてしまうために十分に充填ができないことがある。また、充填ができた場合であっても、スルーホール内で充填材が垂れてしまい上部が凹む場合がある。この凹みは、その後に研磨を行っても取り除くことができず、後工程で導体層、ビルドアップ層及びビア等を形成することが困難となる等の問題がある。
この様に、剪断速度によって異なる粘度特性が両立されることが好ましい。
剪断速度が小さい時（即ち、例えば、０．８４ｓ−１）の粘度は、静置状態の粘度を表し、印刷時に加える力の伝わりや印刷後の形状保持性に影響を与える。一方、剪断速度が大きい時（即ち、例えば、２１ｓ−１）の粘度は、スルーホールに充填材を充填する際に影響を与える。
従って、充填材をスルーホールへ充填する際の剪断速度が大きい時の粘度は低いことが好ましい。即ち、剪断速度０．８４ｓ−１における粘度は３５〜９５Ｐａ・ｓである。充填の際には十分な流動性を有することで良好な充填性が得られるからである。一方、剪断速度が小さい時の粘度は高い方が好ましい。即ち、剪断速度２１ｓ−１における粘度が２５〜４５Ｐａ・ｓである。剪断速度が小さい時の粘度は過度に低いと、例えば、印刷時に力を加える前に充填材が流れてしまうために十分に充填ができないことがある。また、充填ができた場合であっても、スルーホール内で充填材が垂れてしまい上部が凹む場合がある。この凹みは、その後に研磨を行っても取り除くことができず、後工程で導体層、ビルドアップ層及びビア等を形成することが困難となる等の問題がある。
この様に、剪断速度によって異なる粘度特性が両立されることが好ましい。
本発明に用いる充填材を充填する部位は特に限定されず、配線基板等の充填を要する部位に特に限定されることなく利用できるが、本充填材は特にスルーホールの充填に適する。本発明ではスルーホールの充填に適用される。スルーホールとは、配線基板（多層配線基板等を含む）を構成するコア基板に形成された貫通孔であり、通常、コア基板の表裏の導通を目的とするものである。このスルーホールの形状及び大きさ等は限定されないが、実際に充填する際の口径（以下、単に「充填口径」という）が２６０μｍ以下（更には２１０μｍ以下、特に１６０μｍ以下、通常６０μｍ以上）の小径のスルーホールに用いる。この「充填口径」とは、スルーホール自体の開口径に係わらず、本充填材を充填する際の開口径を意味する。即ち、例えば、スルーホール内に内壁導体層が形成されている場合には、内壁導体層に囲まれた孔の開口径を意味するものである。更に、スルーホールの長さは、１２００μｍ以下であることが好ましい。この範囲であれば作業性よく充填を行うことができるからである。
更に、本充填材は、硬化後の充填物上に他層が積層される場所に用いられる。この他層の種類は特に限定されないが、例えば、導体層及び絶縁層等である。このうち、特に充填物上に導体層が直接積層される場所に用いられることが特に適している。即ち、充填後、硬化させて得られた充填物の表面を覆う導体層（以下、単に「上部導体層」という）が形成されることとなるスルーホールの充填に特に好適である。本発明では、充填物の表面を覆う上部導体層が形成されることとなるスルーホールの充填に用いる。この上部導体層を構成する導体材料等については後述する。更に、この上部導体層上にビア導体が積層されることとなるスルーホールの充填に特に好適である。
［２］配線基板
本発明により得られる配線基板は、充填口径が２６０μｍ以下であるスルーホールを備える基層と、上記充填材の硬化物からなり且つ上記スルーホール内を充填する充填物と、上記スルーホールの開口面に表出した充填物の表面を覆い且つ基層上に形成された導体層と、を備える。
本発明により得られる配線基板は、充填口径が２６０μｍ以下であるスルーホールを備える基層と、上記充填材の硬化物からなり且つ上記スルーホール内を充填する充填物と、上記スルーホールの開口面に表出した充填物の表面を覆い且つ基層上に形成された導体層と、を備える。
上記「スルーホール」は、配線基板を構成する基層に形成された貫通孔である。即ち、例えば、図１において、配線基板(100)を構成する基層(1)に形成された貫通孔(11)である。このスルーホールは、内部導体｛後述する内壁導体層(6)及び／又は導電性充填物(2)等｝が形成されることで基層の表裏を導通できるものである。このスルーホールの形状及び大きさ等は限定されないが、例えば、その開口径（スルーホール自体の開口径）は３５０μｍ以下（更には３００μｍ以下、特に２００μｍ以下、通常１００μｍ以上）の小径のものとすることができる。このスルーホール内には、内壁導体層（通常、常温において３μΩ・ｃｍ以下の層）が形成されていてもよく、形成されていなくてもよい。内壁導体層を備える場合、この内壁導体層を構成する導体材料は特に限定されず、前述の上部導体層の導体材料をそのまま適用できる。また、この内壁導体層の厚さは特に限定されないが、通常、１０μｍ以上（好ましくは１５〜４０μｍ）である。
尚、内壁導体層が形成されている場合、基層に形成されたスルーホールのうち、内壁導体層により占有された領域を除く部分もスルーホールというものとする。
尚、内壁導体層が形成されている場合、基層に形成されたスルーホールのうち、内壁導体層により占有された領域を除く部分もスルーホールというものとする。
上記「スルーホールの開口面」（以下、単に「スルーホール開口面」という）とは、スルーホールの端面である。本配線基板では、図１のように後述する上部導体層(3)との接触面積を大きくする目的で、内壁導体層(6)から連続し基層表面に形成される導体層（以下、単に「基層表面導体層」という）を備える場合がある。この場合、スルーホール開口面は基層表面導体層(6')と同じ平面上に位置することとなる。また、例えば、基層表面導体層(6')を備えない場合、スルーホール開口面は基層(1)と同じ平面上に位置することとなる。
上記「基層」は、スルーホールが形成された層である。この基層は、本配線基板を製造する際の基体である。この基体はコア基板であってもよく、その他の基板（自身を支持し得る機械的強度を備える）又は層（他の基板等による支持を要する）であってもよい。即ち、例えば、シーケンシャル積層法における基層は、通常、コア基板である。また、一括積層法における基層は、コア基板以外にも、その他の既に多層化されたものが挙げられる。
この基層を構成する材料は特に限定されず、有機材料及び有機材料を用いた複合材料が挙げられる。有機材料は、特に限定されず、配線基板の絶縁部に用いられるあらゆる有機材料を用いることができる。例えば、エポキシ系樹脂、ＢＴ（ビスマレイミド・トリアジン）系樹脂、フッ素樹脂、ポリイミド系樹脂、フェノール系樹脂、キシレン系樹脂、熱硬化性ＰＰＥ（ポリフェニレンエーテル）系樹脂、ＬＣＰ（液層ポリマー）、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）及びポリノルボルネン等を挙げることができる。これらの有機材料は１種のみからなってもよく、２種以上からなってもよい。また、これらの樹脂に改質のための各種ゴム等を含有することもできる。更に、基体は芯材としてガラスクロス、ガラス不織布、樹脂（ポリアミド等）クロス、樹脂（ポリアミド等）不織布、樹脂（ポリアミド等）フィルム、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）等で形成された３次元網目構造を有するフッ素樹脂系芯材、金属箔及び金属板等を有していてもよい。更に、熱膨張率の調整及び絶縁性向上等の目的で充填材におけると同様に上記セラミックフィラーを含有してもよい。
この基層を構成する材料は特に限定されず、有機材料及び有機材料を用いた複合材料が挙げられる。有機材料は、特に限定されず、配線基板の絶縁部に用いられるあらゆる有機材料を用いることができる。例えば、エポキシ系樹脂、ＢＴ（ビスマレイミド・トリアジン）系樹脂、フッ素樹脂、ポリイミド系樹脂、フェノール系樹脂、キシレン系樹脂、熱硬化性ＰＰＥ（ポリフェニレンエーテル）系樹脂、ＬＣＰ（液層ポリマー）、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）及びポリノルボルネン等を挙げることができる。これらの有機材料は１種のみからなってもよく、２種以上からなってもよい。また、これらの樹脂に改質のための各種ゴム等を含有することもできる。更に、基体は芯材としてガラスクロス、ガラス不織布、樹脂（ポリアミド等）クロス、樹脂（ポリアミド等）不織布、樹脂（ポリアミド等）フィルム、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）等で形成された３次元網目構造を有するフッ素樹脂系芯材、金属箔及び金属板等を有していてもよい。更に、熱膨張率の調整及び絶縁性向上等の目的で充填材におけると同様に上記セラミックフィラーを含有してもよい。
上記「充填物」は、充填口径が２６０μｍ以下であるスルーホール内を充填している前記本発明に用いる充填材の硬化物からなるものである。即ち、破砕物状粒子、球状粒子、立方体状粒子及び紡錘状粒子のうちの少なくとも１種からなる炭酸カルシウム粉末と、その他の無機フィラーと、硬化樹脂とを少なくとも含有するものである。
上記「導体層」は、スルーホール開口面に表出した充填物の表面を覆う基層上に形成された層である。即ち、基層表面に形成された導体層のうち、スルーホール開口面に表出する充填物を覆っている層であり、前述の上部導体層である。例えば、図１では、スルーホール開口面に表出した充填物(2)の表面を覆う基層(1)上に形成された層(3)である。
上部導体層を構成する導体材料の種類は特に限定されないが、例えば、銅、銀、金、白金、ニッケル等、及び、これらのうちの２種以上の合金等が挙げられる。また、この上部導体層の厚さも特に限定されないが、通常、５０μｍ以下（好ましくは５〜４５μｍ、より好ましくは７〜４０μｍ、特に好ましくは１０〜３５μｍ）である。更に、上部導電層の導電性も特に限定されないが、通常、常温において３μΩ・ｃｍ以下である。
上記「導体層」は、スルーホール開口面に表出した充填物の表面を覆う基層上に形成された層である。即ち、基層表面に形成された導体層のうち、スルーホール開口面に表出する充填物を覆っている層であり、前述の上部導体層である。例えば、図１では、スルーホール開口面に表出した充填物(2)の表面を覆う基層(1)上に形成された層(3)である。
上部導体層を構成する導体材料の種類は特に限定されないが、例えば、銅、銀、金、白金、ニッケル等、及び、これらのうちの２種以上の合金等が挙げられる。また、この上部導体層の厚さも特に限定されないが、通常、５０μｍ以下（好ましくは５〜４５μｍ、より好ましくは７〜４０μｍ、特に好ましくは１０〜３５μｍ）である。更に、上部導電層の導電性も特に限定されないが、通常、常温において３μΩ・ｃｍ以下である。
また、本発明により得られる配線基板は、更に、上部導体層を覆う絶縁層と、絶縁層の上部導体層と対向する面に形成された他の導体層と、絶縁層を貫通して上部導体層及び他の導体層を電気的に接続するビア導体と、を備えて多層化されたものとすることができる。
更には、このビア導体は、少なくともスルーホールの開口面上に形成されているものとすることができる。
更には、このビア導体は、少なくともスルーホールの開口面上に形成されているものとすることができる。
このうち絶縁層とは、上部導体層を上記他の導体層以外の導体層等と絶縁するために、上部導体層を覆う絶縁性を有する層である。例えば、図１では、上部導体層(3)を上記他の導体層(5)以外の導体層等と絶縁するために、上部導体層(3)を覆う層(4)である。この絶縁層を構成する絶縁材料の種類は特に限定されないが、通常、有機材料が用いられる。有機材料の種類は特に限定されず上記基層を構成する有機材料をそのまま適用できる。更に、基層を構成する有機材料と同様に、改質等のためにゴム、芯材、セラミックフィラー等を併用できる。
絶縁層の厚さは特に限定されないが、通常、５０μｍ以下（好ましくは１０〜５０μｍ、より好ましくは１２〜４０μｍ、特に好ましくは１５〜４０μｍ）である。更に、絶縁層の絶縁性も特に限定されないが、通常、常温において１０１０Ω・ｍ以上である。
絶縁層の厚さは特に限定されないが、通常、５０μｍ以下（好ましくは１０〜５０μｍ、より好ましくは１２〜４０μｍ、特に好ましくは１５〜４０μｍ）である。更に、絶縁層の絶縁性も特に限定されないが、通常、常温において１０１０Ω・ｍ以上である。
また、上記他の導体層は、絶縁層を介して上部導体層と対向している導体層である。この他の導体層を構成する導体材料は、上部導体層における導体材料をそのまま適用できる。また、厚さ及び導電性についても同様である。
更に、ビア導体は、上部導体層と他の導体層とを絶縁層を貫通して電気的に接続する導体である。即ち、例えば、図１では、上部導体層(3)と他の導体層(51)とを絶縁層(4)を貫通して電気的に接続する導体(52)である。このビア導体を構成する導体材料は、上部導体層における導体材料をそのまま適用できる。また、導電性についても同様である。更に、このビア導体の大きさも特に限定されないが、通常、最大長（最大径）が１５０μｍ以下（好ましくは３０〜１００μｍ）であり、更に、スルーホールの開口径の１分の１以下（好ましくは１０分の１〜１分の１）の大きさである。
ビア導体は、スルーホール開口面上に形成されていなくてもよいが、スルーホール開口面上に形成されているものとすることができる。即ち、スルーホール開口面上の上部導体層と、スルーホール開口面上の他の導体層とを、スルーホール開口面上で電気的に接続する導体である。このビア導体は、スルーホール開口面上に形成され且つスルーホールの開口面上でない部分にも形成されていてもよい。
更に、多層化とは、上部導体層以外に、絶縁層を介して少なくとも１層以上の他の導体層を形成することを意味する。この多層化は繰り返して行うことにより、複数の導体層がビアで接続された多層配線基板が得られる。
更に、ビア導体は、上部導体層と他の導体層とを絶縁層を貫通して電気的に接続する導体である。即ち、例えば、図１では、上部導体層(3)と他の導体層(51)とを絶縁層(4)を貫通して電気的に接続する導体(52)である。このビア導体を構成する導体材料は、上部導体層における導体材料をそのまま適用できる。また、導電性についても同様である。更に、このビア導体の大きさも特に限定されないが、通常、最大長（最大径）が１５０μｍ以下（好ましくは３０〜１００μｍ）であり、更に、スルーホールの開口径の１分の１以下（好ましくは１０分の１〜１分の１）の大きさである。
ビア導体は、スルーホール開口面上に形成されていなくてもよいが、スルーホール開口面上に形成されているものとすることができる。即ち、スルーホール開口面上の上部導体層と、スルーホール開口面上の他の導体層とを、スルーホール開口面上で電気的に接続する導体である。このビア導体は、スルーホール開口面上に形成され且つスルーホールの開口面上でない部分にも形成されていてもよい。
更に、多層化とは、上部導体層以外に、絶縁層を介して少なくとも１層以上の他の導体層を形成することを意味する。この多層化は繰り返して行うことにより、複数の導体層がビアで接続された多層配線基板が得られる。
前述のように本配線基板は、スルーホール開口面に表出された充填物の端面とこの端面を覆う導体層との密着強度に優れる。このため、上部導体層上にビア導体を接続して多層化されても熱衝撃等の熱耐久性及び熱信頼性に優れ、上部導体層、絶縁層、他の導体層及びビア導体の各々の間に、間隙（デラミネーション）及びクラック等が発生することが効果的に防止された配線基板となる。更に、この効果は、スルーホール開口面上にビア導体が形成されて多層化された場合にも十分に得られるものである。
［３］配線基板の製造方法
本発明の配線基板の製造方法は、充填口径が２６０μｍ以下であるスルーホールを備える基体の該スルーホール内に、充填材を充填する充填工程と、充填された該充填材を硬化させて充填物とする硬化工程と、基体表面に表出した該充填物の表面を覆うように該基体上に導体層を形成する導体層形成工程と、を備える配線基板の製造方法であって、
上記充填材は、無機フィラーと熱硬化性樹脂と硬化剤とを含有し、溶剤が含有されず、水分量が上記充填材全体を１００％とした場合に０．５％未満であり、
上記無機フィラーは２種以上含有され、そのうち１種は炭酸カルシウム粉末であり、且つ、該炭酸カルシウム粉末は、破砕物状粒子、球状粒子、立方体状粒子及び紡錘状粒子のうちの少なくとも１種からなり、
上記炭酸カルシウム粉末は、カルサイト結晶からなる粉末を主成分とし、
上記無機フィラーとして、更に、酸化ケイ素粉末を含有し、且つ、該酸化ケイ素粉末は球状粒子からなり、
上記充填材の、剪断速度０．８４ｓ −１ における粘度が３５〜９５Ｐａ・ｓであり、且つ、剪断速度２１ｓ −１ における粘度が２５〜４５Ｐａ・ｓであることを特徴とする。
本発明の配線基板の製造方法は、充填口径が２６０μｍ以下であるスルーホールを備える基体の該スルーホール内に、充填材を充填する充填工程と、充填された該充填材を硬化させて充填物とする硬化工程と、基体表面に表出した該充填物の表面を覆うように該基体上に導体層を形成する導体層形成工程と、を備える配線基板の製造方法であって、
上記充填材は、無機フィラーと熱硬化性樹脂と硬化剤とを含有し、溶剤が含有されず、水分量が上記充填材全体を１００％とした場合に０．５％未満であり、
上記無機フィラーは２種以上含有され、そのうち１種は炭酸カルシウム粉末であり、且つ、該炭酸カルシウム粉末は、破砕物状粒子、球状粒子、立方体状粒子及び紡錘状粒子のうちの少なくとも１種からなり、
上記炭酸カルシウム粉末は、カルサイト結晶からなる粉末を主成分とし、
上記無機フィラーとして、更に、酸化ケイ素粉末を含有し、且つ、該酸化ケイ素粉末は球状粒子からなり、
上記充填材の、剪断速度０．８４ｓ −１ における粘度が３５〜９５Ｐａ・ｓであり、且つ、剪断速度２１ｓ −１ における粘度が２５〜４５Ｐａ・ｓであることを特徴とする。
上記「充填工程」は、充填口径が２６０μｍ以下であるスルーホールを備える基体のこのスルーホール内に、本充填材を充填する工程である。充填材の充填方法は特に限定されず、例えば、スクリーン印刷法及び圧入印刷法等を用いることができる。また、この充填工程前に形成されているスルーホールの形成方法は特に限定されず、スルーホール孔設前の基体にドリル及び／又はレーザーを用いて形成できる。更に、充填工程前にこのスルーホールの内壁（スルーホール内壁）には内壁導体層を形成できる。この内壁導体層の形成方法は特に限定されないが、スルーホール内壁面に無電解めっきを施して行うことができる。また、更に内壁導体層の厚みを増すために電解めっきを施すこともできる。
上記「硬化工程」は、充填された充填材を硬化させて充填物とする工程である。この工程では、加熱により完全に硬化（充填材が光硬化樹脂等を含有する場合には光照射を行うことができる）させてもよく、半硬化状態で加熱を一旦停止してもよい。通常、充填物の表面はより正確な積層を行うために平坦化される。平坦化のための研磨は、完全に硬化された充填物に対して行ってもよいが、半硬化された充填物に対する方が行い易い場合があるからである。完全に硬化させた際には、完全に硬化された充填物を備える基体の表面を研磨して平坦化することができる。また、半硬化させた際には、半硬化された充填物を備える基体の表面を研磨して平坦化した後、更に加熱して充填物を完全に硬化させることができる。また、この研磨方法は特に限定されないが、通常、各種の機械的研磨により行う。即ち、例えば、ベルトサンダーによる研磨及びバフによる研磨を挙げることができる。
上記「導体層形成工程」は、基体表面に表出した充填物の表面を覆うように基体上に上部導体層を形成する工程である。
上部導体層の形成方法は特に限定されないが、無電解めっきを用いることができ、更には、無電解めっきと電解めっきとを併用することができる。また、この工程では、充填材表面と上部導体層との密着性を向上させるために粗化処理を施すことができる。粗化方法は特に限定されず、ウェットエッチング及びドライエッチング等で施すことができる。ウェットエッチングでは、エッチング液として、酸化剤を用いることができ、更には、過マンガン酸溶液を用いることができる。更に、ドライエッチングでは、プラズマ処理を用いることができる。更に、形成された上部導体層は、必要に応じてパターンニングを施すことができる。パターンニングの方法は特に限定されないが、フォトリソ工程（レジスト形成工程、露光工程、現像工程、エッチング工程、剥離工程等を含む）を経て行うことができる。
上部導体層の形成方法は特に限定されないが、無電解めっきを用いることができ、更には、無電解めっきと電解めっきとを併用することができる。また、この工程では、充填材表面と上部導体層との密着性を向上させるために粗化処理を施すことができる。粗化方法は特に限定されず、ウェットエッチング及びドライエッチング等で施すことができる。ウェットエッチングでは、エッチング液として、酸化剤を用いることができ、更には、過マンガン酸溶液を用いることができる。更に、ドライエッチングでは、プラズマ処理を用いることができる。更に、形成された上部導体層は、必要に応じてパターンニングを施すことができる。パターンニングの方法は特に限定されないが、フォトリソ工程（レジスト形成工程、露光工程、現像工程、エッチング工程、剥離工程等を含む）を経て行うことができる。
更に、本発明の配線基板の製造方法では、上部導体層を覆うように絶縁層を積層する絶縁層積層工程と、この絶縁層にビアホールを穿設するビアホール穿設工程と、この絶縁層の上部導体層と対向する面に他の導体層を形成し且つビアホール内にビア導体を形成して上部導体層と他の導体層とを電気的に接続する導体層接続工程と、を備えて多層化することができる（以下、この絶縁層形成工程、ビアホール穿設工程及び導体層接続工程をまとめて「多層化工程」という）。
絶縁層積層工程は、上部導体層を覆うように絶縁層を積層する工程である。この絶縁層の形成方法は特に限定されないが、半硬化樹脂フィルムを用いる方法と、液状未硬化樹脂を用いる方法と、これらを併用する方法が挙げられる。半硬化樹脂フィルムを用いる方法とは、半硬化樹脂からなるフィルムを上部導体層を覆うように転着して形成した半硬化樹脂層を、必要に応じてパターンニングしたのち硬化させて絶縁層を形成する方法である。半硬化樹脂フィルムを用いる方法では、半硬化樹脂フィルムの積層時に加熱圧着、真空加熱圧着等を行うことができる。
また、液状未硬化樹脂を用いる方法とは、上部導体層を覆うように絶縁層となる液状未硬化樹脂を用いて未硬化樹脂層を形成し、必要に応じてこの未硬化樹脂層をパターンニングしたのち硬化させて絶縁層を得る方法である。更に、液状未硬化樹脂を用いる方法では、未硬化樹脂層を形成する際の塗布方法は特に限定されず、スクリーン印刷法、ロールコーター印刷法及びカーテンコーター印刷法等を用いることができる。
絶縁層の形成方法のうち、半硬化樹脂フィルムを用いる方法と、液状未硬化樹脂を用いる方法とでは、半硬化樹脂フィルムを用いる方法が工程数削減の観点からは好ましい。
また、液状未硬化樹脂を用いる方法とは、上部導体層を覆うように絶縁層となる液状未硬化樹脂を用いて未硬化樹脂層を形成し、必要に応じてこの未硬化樹脂層をパターンニングしたのち硬化させて絶縁層を得る方法である。更に、液状未硬化樹脂を用いる方法では、未硬化樹脂層を形成する際の塗布方法は特に限定されず、スクリーン印刷法、ロールコーター印刷法及びカーテンコーター印刷法等を用いることができる。
絶縁層の形成方法のうち、半硬化樹脂フィルムを用いる方法と、液状未硬化樹脂を用いる方法とでは、半硬化樹脂フィルムを用いる方法が工程数削減の観点からは好ましい。
ビアホール穿設工程は、絶縁層にビアホールを穿設する工程である。穿設方法は特に限定されず、フォトリソ法及びレーザー穿設法が挙げられる。このビアホールの形成場所は、上部導体層とその他の導体層とを接続できればよく特に限定されないが、前述のように、スルーホール開口面上にビア導体を形成する場合には、スルーホール開口面上に穿設する。
また、導体層接続工程は、絶縁層の上部導体層と対向する面に他の導体層を形成し且つビアホール内にビア導体を形成して上部導体層と他の導体層とを電気的に接続する工程である。この導体層接続工程では、ビア導体と他の導体層とを同工程で形成してもよく、別工程で形成してもよい。
ビア導体及び他の導体層の各々の形成方法は特に限定されず、無電解めっきを用いることができ、更には、無電解めっきと電解めっきとを併用することができる。更に、形成されためっき層には必要に応じてフォトリソ法等によりパターンニングを施し、ビア導体及び他の導体層を得ることができる。
また、導体層接続工程は、絶縁層の上部導体層と対向する面に他の導体層を形成し且つビアホール内にビア導体を形成して上部導体層と他の導体層とを電気的に接続する工程である。この導体層接続工程では、ビア導体と他の導体層とを同工程で形成してもよく、別工程で形成してもよい。
ビア導体及び他の導体層の各々の形成方法は特に限定されず、無電解めっきを用いることができ、更には、無電解めっきと電解めっきとを併用することができる。更に、形成されためっき層には必要に応じてフォトリソ法等によりパターンニングを施し、ビア導体及び他の導体層を得ることができる。
この導体層接続工程を行ったのち、更に多層化工程を繰り返すことにより更なる多層化を行うことができる。即ち、絶縁層と導体層（導体パターン）とが交互に複数積層された多層配線基板を得ることができる。尚、２回目以降の多層化工程では、例えば、絶縁層積層工程は、他の導体層上に他の絶縁層を形成する工程となる。また、ビアホール穿設工程は、他の絶縁層にビアホールを穿設する工程となる。更に、導体層接続工程は、更に他の導体層及びビア導体を形成して他の導体層と更に他の導体層とを電気的に接続する工程となる。
以下、実施例及び図１〜３により本発明を具体的に説明する。
［１］充填材の調製
下記の無機フィラー、熱硬化性樹脂及び硬化剤等の充填材原料を用意し、実施例１及び２として、下記表１に示す調合割合となるように各充填材原料を秤量して調合用容器に投入して撹拌した後、３本ロールで混練をして本発明に用いる充填材を得た。同様にして本実施例との比較のため比較例１〜３の充填材を調製した。尚、下記消泡剤については表１には示していないが、熱硬化性樹脂１００質量部に対して０．５質量部を添加した。
［１］充填材の調製
下記の無機フィラー、熱硬化性樹脂及び硬化剤等の充填材原料を用意し、実施例１及び２として、下記表１に示す調合割合となるように各充填材原料を秤量して調合用容器に投入して撹拌した後、３本ロールで混練をして本発明に用いる充填材を得た。同様にして本実施例との比較のため比較例１〜３の充填材を調製した。尚、下記消泡剤については表１には示していないが、熱硬化性樹脂１００質量部に対して０．５質量部を添加した。
無機フィラー；
炭酸カルシウム粉末；
（ａ１）破砕物状粒子（丸尾カルシウム株式会社製、商品名「ナノコート」、平均粒子径２μｍ、カルサイト結晶、吸油量１０ｍｌ／１００ｇ、１００ｇあたりの体積１５０ｍｌ）
（ａ２）球状粒子粉末（丸尾カルシウム株式会社製、商品名「カルファイン」、平均粒子径０．０５μｍ、カルサイト結晶、吸油量２５ｍｌ／１００ｇ、１００ｇあたりの体積３５０ｍｌ）
（ａ３）針状粒子粉末（丸尾カルシウム株式会社製、商品名「ウィスカル」、平均繊維長２５μｍ且つ平均繊維径０．５μｍ、アラゴナイト結晶構造、吸油量は測定困難（針状粒子が破壊されるため）、１００ｇあたりの体積１１００ｍｌ）。
酸化ケイ素粉末；
（ｂ１）球状粒子粉末（龍森株式会社製、商品名「ＴＳＳ−６」、平均粒子径６ｕｍ且つ最大粒子径２４μｍ、溶融シリカ）
熱硬化性樹脂；
（ｃ１）ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン株式会社製、商品名「エピコート８０７」）
（ｃ２）アミノフェノール型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン株式会社製、商品名「エピコート６３０」）
硬化剤；トリアジン系化合物（四国化成工業株式会社製、商品名「２ＭＺＡ−ＰＷ」、粉末状、２，４ジアミノ−６−［２‘−メチルイミダゾリル−（１）’］−エチル−ｓ−トリアジン）
消泡剤；シリコン系化合物（共栄社化学株式会社製、商品名「グラノール４５０」）
炭酸カルシウム粉末；
（ａ１）破砕物状粒子（丸尾カルシウム株式会社製、商品名「ナノコート」、平均粒子径２μｍ、カルサイト結晶、吸油量１０ｍｌ／１００ｇ、１００ｇあたりの体積１５０ｍｌ）
（ａ２）球状粒子粉末（丸尾カルシウム株式会社製、商品名「カルファイン」、平均粒子径０．０５μｍ、カルサイト結晶、吸油量２５ｍｌ／１００ｇ、１００ｇあたりの体積３５０ｍｌ）
（ａ３）針状粒子粉末（丸尾カルシウム株式会社製、商品名「ウィスカル」、平均繊維長２５μｍ且つ平均繊維径０．５μｍ、アラゴナイト結晶構造、吸油量は測定困難（針状粒子が破壊されるため）、１００ｇあたりの体積１１００ｍｌ）。
酸化ケイ素粉末；
（ｂ１）球状粒子粉末（龍森株式会社製、商品名「ＴＳＳ−６」、平均粒子径６ｕｍ且つ最大粒子径２４μｍ、溶融シリカ）
熱硬化性樹脂；
（ｃ１）ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン株式会社製、商品名「エピコート８０７」）
（ｃ２）アミノフェノール型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン株式会社製、商品名「エピコート６３０」）
硬化剤；トリアジン系化合物（四国化成工業株式会社製、商品名「２ＭＺＡ−ＰＷ」、粉末状、２，４ジアミノ−６−［２‘−メチルイミダゾリル−（１）’］−エチル−ｓ−トリアジン）
消泡剤；シリコン系化合物（共栄社化学株式会社製、商品名「グラノール４５０」）
［２］特性評価
（１）粘度測定
Ｂ型粘度計を用いて温度２２±１℃において、剪断速度０．８４ｓ−１及び２１ｓ−１での各充填材の粘度を測定した。その結果を、表２に示した。
（１）粘度測定
Ｂ型粘度計を用いて温度２２±１℃において、剪断速度０．８４ｓ−１及び２１ｓ−１での各充填材の粘度を測定した。その結果を、表２に示した。
（２）充填性評価
厚みが８００μｍのビスマレイミド−トリアジン樹脂材料からなる基体(1)に２００μｍのスルーホール(11)を形成した。その後、このスルーホール(11)の内壁に銅めっき層を形成し、直径が約１６０μｍの内壁導体層(6)が形成された導体化スルーホールを形成した。次いで、この基体上に厚み１５０μｍの印刷マスクを設置し、上記［１］で得られた各充填材(21)を印刷して導体化スルーホール内に充填した。その後、１００℃〜１５０℃の温度に保持された乾燥機内に充填材(21)が充填された基体(1)を０．５〜２時間放置し、充填材(21)を半硬化させた。
乾燥機内から取り出して室温まで放冷した後、導体化スルーホールの表面を光学顕微鏡で５０倍に拡大して観察し、導体化スルーホール内の半硬化された充填物(23)の上面が配線基板の表面から突出しているか否かを観察した。この結果、突出していた充填材には表２に「○」と示し、突出しなかった充填材には「×」と示した。
厚みが８００μｍのビスマレイミド−トリアジン樹脂材料からなる基体(1)に２００μｍのスルーホール(11)を形成した。その後、このスルーホール(11)の内壁に銅めっき層を形成し、直径が約１６０μｍの内壁導体層(6)が形成された導体化スルーホールを形成した。次いで、この基体上に厚み１５０μｍの印刷マスクを設置し、上記［１］で得られた各充填材(21)を印刷して導体化スルーホール内に充填した。その後、１００℃〜１５０℃の温度に保持された乾燥機内に充填材(21)が充填された基体(1)を０．５〜２時間放置し、充填材(21)を半硬化させた。
乾燥機内から取り出して室温まで放冷した後、導体化スルーホールの表面を光学顕微鏡で５０倍に拡大して観察し、導体化スルーホール内の半硬化された充填物(23)の上面が配線基板の表面から突出しているか否かを観察した。この結果、突出していた充填材には表２に「○」と示し、突出しなかった充填材には「×」と示した。
（３）上層との接合信頼性の評価
上記（２）までに得られた配線基板のうち、基体表面から半硬化された充填物(22)が突出しているもののみについて、以下の工程を更に施した。
充填物が突出していないものに次の工程を施さないのは、充填物が突出している配線基板は表面研磨を行うことで配線基板表面を平坦化できるが、充填物が突出していない配線基板では表面研磨を行うと凹部を生じる。従って、充填物が突出していない配線基板では充填物上の上層と十分な接合が得られ難い可能性が高いことが自明なためである。
上記（２）までに得られた配線基板のうち、基体表面から半硬化された充填物(22)が突出しているもののみについて、以下の工程を更に施した。
充填物が突出していないものに次の工程を施さないのは、充填物が突出している配線基板は表面研磨を行うことで配線基板表面を平坦化できるが、充填物が突出していない配線基板では表面研磨を行うと凹部を生じる。従って、充填物が突出していない配線基板では充填物上の上層と十分な接合が得られ難い可能性が高いことが自明なためである。
ｉ）上部導体層の形成及びパターンニング
上記（２）までに得られた配線基板の表面を研磨し、その後、１５０℃〜１７０℃の温度に保持された乾燥機内に配線基板を５時間放置し、半硬化された充填物(22)を完全に硬化させた。次いで、研磨を行った表面に、デスミア処理及び無電解めっき処理を施して、完全硬化された充填物(2)の表面を覆う銅からなる厚さ２０μｍの上部導体層(3)を形成した。その後、上部導体層(3)をフォトリソ法を用いてパターンニングし、上部導体パターン(3)を形成した。
上記（２）までに得られた配線基板の表面を研磨し、その後、１５０℃〜１７０℃の温度に保持された乾燥機内に配線基板を５時間放置し、半硬化された充填物(22)を完全に硬化させた。次いで、研磨を行った表面に、デスミア処理及び無電解めっき処理を施して、完全硬化された充填物(2)の表面を覆う銅からなる厚さ２０μｍの上部導体層(3)を形成した。その後、上部導体層(3)をフォトリソ法を用いてパターンニングし、上部導体パターン(3)を形成した。
ｉｉ）多層化工程（絶縁層形成工程、ビアホール穿設工程及び導体層接続工程）
上部導体パターン(3)上に、フィルム状の樹脂材料を加熱圧着して絶縁層(4)を形成し、次いで、ＣＯ２レーザーを用いてこの絶縁層(4)を貫通するビアホール(41)を形成した。このビアホール(41)は、後にこの上部導体パターン(3)と接続できる上部導体パターン(3)上に形成した。
その後、先に形成した絶縁層(4)上に他の導体層(51)を形成し、この他の導体層(51)と先に形成した上部導体パターン(3)とが接続されるようにビアホール(41)内にビア導体(52)を形成し、他の導体パターン(5)を形成した。
上部導体パターン(3)上に、フィルム状の樹脂材料を加熱圧着して絶縁層(4)を形成し、次いで、ＣＯ２レーザーを用いてこの絶縁層(4)を貫通するビアホール(41)を形成した。このビアホール(41)は、後にこの上部導体パターン(3)と接続できる上部導体パターン(3)上に形成した。
その後、先に形成した絶縁層(4)上に他の導体層(51)を形成し、この他の導体層(51)と先に形成した上部導体パターン(3)とが接続されるようにビアホール(41)内にビア導体(52)を形成し、他の導体パターン(5)を形成した。
ｉｉｉ）多層化工程の繰り返し
上記ｉｉ）までに得られた配線基板の表面に、更に、上記ｉｉ）と同じ作業を２回繰り返し、複数の導体パターンと絶縁層とが交互に積層された配線基板を得た。
その後、配線基板の最表面にパターンニングしたソルダーレジスト層(7)を形成した後、このソルダーレジスト層(7)下の導体パターン表面にニッケルめっきを行った。更に、このニッケルめっきの表面に金めっきを施して多層配線基板(100)を得た。
この多層配線基板は、各充填材毎に２０枚を作製した。
上記ｉｉ）までに得られた配線基板の表面に、更に、上記ｉｉ）と同じ作業を２回繰り返し、複数の導体パターンと絶縁層とが交互に積層された配線基板を得た。
その後、配線基板の最表面にパターンニングしたソルダーレジスト層(7)を形成した後、このソルダーレジスト層(7)下の導体パターン表面にニッケルめっきを行った。更に、このニッケルめっきの表面に金めっきを施して多層配線基板(100)を得た。
この多層配線基板は、各充填材毎に２０枚を作製した。
ｉｖ）熱衝撃試験
上記ｉｉｉ）までに得られた多層配線基板を、−５５℃まで冷却して５分間保持した後、１２５℃まで加熱し５分間保持する工程を１サイクルとして、５００サイクルを繰り返して熱衝撃を加えた。
その後、多層配線板を乾燥機内から取り出し、上記（２）で充填された充填物の断面を観察できる面で切断した。次いで、その断面を、光学顕微鏡で２００倍に拡大して観察し、充填物と上部導体パターンとの剥離の有無、充填物とスルーホール内導体との剥離の有無、充填物及びその周囲のクラックの有無を確認した。また、同様に上部導体パターン上に積層された絶縁層、他の導体パターン及びソルダーレジスト層等の相互間の剥離及びクラックの有無を確認した。
これらのうちのいずれかの剥離又はクラックが１つでも認められた多層配線基板の枚数を計数し、表２に多層配線基板の総作製枚数２０枚に対する数として示した。
上記ｉｉｉ）までに得られた多層配線基板を、−５５℃まで冷却して５分間保持した後、１２５℃まで加熱し５分間保持する工程を１サイクルとして、５００サイクルを繰り返して熱衝撃を加えた。
その後、多層配線板を乾燥機内から取り出し、上記（２）で充填された充填物の断面を観察できる面で切断した。次いで、その断面を、光学顕微鏡で２００倍に拡大して観察し、充填物と上部導体パターンとの剥離の有無、充填物とスルーホール内導体との剥離の有無、充填物及びその周囲のクラックの有無を確認した。また、同様に上部導体パターン上に積層された絶縁層、他の導体パターン及びソルダーレジスト層等の相互間の剥離及びクラックの有無を確認した。
これらのうちのいずれかの剥離又はクラックが１つでも認められた多層配線基板の枚数を計数し、表２に多層配線基板の総作製枚数２０枚に対する数として示した。
（４）水分量測定
上記［１］で調製した各充填材について、カールフィッシャー水分計（平沼産業社製、形式「ＡＱ−７」）を用いて水分量を測定した。その結果を表２に記した。尚、カールフィッシャー試薬としては、平沼産業社製のＨＹＤＲＡＮＡＬアクアライトを用いた。
上記［１］で調製した各充填材について、カールフィッシャー水分計（平沼産業社製、形式「ＡＱ−７」）を用いて水分量を測定した。その結果を表２に記した。尚、カールフィッシャー試薬としては、平沼産業社製のＨＹＤＲＡＮＡＬアクアライトを用いた。
表１及び表２より、比較例１の充填材は、炭酸カルシウムを含有しないものである。この充填材を用いた場合は、印刷性は良好であり、配線基板の表面から充填材を突出させて印刷を行うことができた。しかし、熱衝撃試験後には、充填物と上部導体層の間、及び、充填物と内壁導体層との間の各々に剥離が認められた。
比較例２及び３は、充填材中の炭酸カルシウム粉末が針状結晶形状のアラゴナイト結晶からなるものである。これらはいずれも印刷性に劣り、充填後に配線基板表面から充填材を突出させることができず、配線基板表面からは充填材は凹んで充填された。このため、硬化後に配線基板表面を研磨してもスルーホール内に凹部が残存し、正常な上部導体層及び絶縁層の形成を行うことができないことが分かる。更に、比較例３は、硬化後の充填物は発泡体様となり、充填物中にポアが多数形成された。これは比較例３の充填材中に水分が多く含まれるためであると考えられる。
比較例２及び３は、充填材中の炭酸カルシウム粉末が針状結晶形状のアラゴナイト結晶からなるものである。これらはいずれも印刷性に劣り、充填後に配線基板表面から充填材を突出させることができず、配線基板表面からは充填材は凹んで充填された。このため、硬化後に配線基板表面を研磨してもスルーホール内に凹部が残存し、正常な上部導体層及び絶縁層の形成を行うことができないことが分かる。更に、比較例３は、硬化後の充填物は発泡体様となり、充填物中にポアが多数形成された。これは比較例３の充填材中に水分が多く含まれるためであると考えられる。
これに対して、実施例１及び実施例２の両充填材は、印刷性に優れ、いずれの充填材においても配線基板表面から充填材を突出させて印刷することができた。また、充填物上に形成された上部導体層との接合性も十分に得られ、熱衝撃試験後にも充填材と上部導体層との間の剥離及びクラックは認められなかった。同様に、充填材とスルーホール内の内壁導体層との剥離及びクラックは認められなかった。更に、上部導体層と絶縁層との間、及び、他の導体層とソルダーレジスト層との間、の各々には剥離及びクラックは認められなかった。
本発明は電子部品関連分野において広く利用できる。また、本発明の配線基板は、マザーボード等の通常の配線基板、フリップチップ用配線基板、ＣＳＰ用配線基板及びＭＣＰ用配線基板等の半導体素子搭載用配線基板、アンテナスイッチモジュール用配線基板、ミキサーモジュール用配線基板、ＰＬＬモジュール用配線基板及びＭＣＭ用配線基板等のモジュール用配線基板等に好適である。
100；配線基板（多層配線基板）、1；基層（基体）、11；スルーホール、2；充填物（硬化物）、21；充填材（未硬化物）、22；半硬化された充填物（半硬化物）、3；上部導体層（上部導体パターン）、4；絶縁層、41；ビアホール、5；他の導体パターン、51；他の導体層、52；ビア導体、6；内壁導体層、6'；基層表面導体層、7；ソルダーレジスト層。
Claims (2)
- 充填口径が２６０μｍ以下であるスルーホールを備える基体の該スルーホール内に、充填材を充填する充填工程と、充填された該充填材を硬化させて充填物とする硬化工程と、基体表面に表出した該充填物の表面を覆うように該基体上に導体層を形成する導体層形成工程と、を備える配線基板の製造方法であって、
上記充填材は、無機フィラーと熱硬化性樹脂と硬化剤とを含有し、溶剤が含有されず、水分量が上記充填材全体を１００％とした場合に０．５％未満であり、
上記無機フィラーは２種以上含有され、そのうち１種は炭酸カルシウム粉末であり、且つ、該炭酸カルシウム粉末は、破砕物状粒子、球状粒子、立方体状粒子及び紡錘状粒子のうちの少なくとも１種からなり、
上記炭酸カルシウム粉末は、カルサイト結晶からなる粉末を主成分とし、
上記無機フィラーとして、更に、酸化ケイ素粉末を含有し、且つ、該酸化ケイ素粉末は球状粒子からなり、
上記充填材の、剪断速度０．８４ｓ −１ における粘度が３５〜９５Ｐａ・ｓであり、且つ、剪断速度２１ｓ −１ における粘度が２５〜４５Ｐａ・ｓであることを特徴とする配線基板の製造方法。 - 上記炭酸カルシウム粉末は表面処理されており、
上記表面処理は、有機系表面処理剤によるコーティング又はカップリング剤によるコーティングである請求項１に記載の配線基板の製造方法。
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