JPH0613495A - 電子回路パッケージのためのレーザー加工性で、低熱膨張率、低誘電率のコア材料、そのコア材料および電子回路パッケージの製造方法 - Google Patents
電子回路パッケージのためのレーザー加工性で、低熱膨張率、低誘電率のコア材料、そのコア材料および電子回路パッケージの製造方法Info
- Publication number
- JPH0613495A JPH0613495A JP25563591A JP25563591A JPH0613495A JP H0613495 A JPH0613495 A JP H0613495A JP 25563591 A JP25563591 A JP 25563591A JP 25563591 A JP25563591 A JP 25563591A JP H0613495 A JPH0613495 A JP H0613495A
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- polymer
- polyimide
- laser
- polymer composition
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ３０８ナノメータでのレーザー加工性および
印刷回路板製造で遭遇する温度で熱安定性を有する重合
体のペルフルオロカーボン組成物を提供する。 【構成】 この重合体組成物は、紫外線に対し実質的に
透明なペルフルオロカーボン重合体の主要量と、紫外レ
ーザー加工性を付与するための、熱的に安定な紫外線吸
収性の第二の重合体例えばポリイミドとを有する。重合
体組成物の調製方法および重合体組成物に対する貫通孔
およびバイアのレーザー切除を含む印刷回路板を製造す
る方法についても記述している。
印刷回路板製造で遭遇する温度で熱安定性を有する重合
体のペルフルオロカーボン組成物を提供する。 【構成】 この重合体組成物は、紫外線に対し実質的に
透明なペルフルオロカーボン重合体の主要量と、紫外レ
ーザー加工性を付与するための、熱的に安定な紫外線吸
収性の第二の重合体例えばポリイミドとを有する。重合
体組成物の調製方法および重合体組成物に対する貫通孔
およびバイアのレーザー切除を含む印刷回路板を製造す
る方法についても記述している。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は熱的に安定な重合体の有
機フルオロカーボン誘電体構造を有するマイクロエレク
トロニック回路パッケージ、特に高いＩ／Ｏ密度のパッ
ケージに関する。回路パッケージは、ぎっしりと詰めて
間隔を置いた個々の回路ラインおよび小さい直径のバイ
ア（vias）および貫通孔を持つ、高い配線密度によって
特徴づけられる。より詳しくは、本発明はエキシマレー
ザー機械加工性を付与するためのフルオロカーボン重合
体に対する改質に関する。
機フルオロカーボン誘電体構造を有するマイクロエレク
トロニック回路パッケージ、特に高いＩ／Ｏ密度のパッ
ケージに関する。回路パッケージは、ぎっしりと詰めて
間隔を置いた個々の回路ラインおよび小さい直径のバイ
ア（vias）および貫通孔を持つ、高い配線密度によって
特徴づけられる。より詳しくは、本発明はエキシマレー
ザー機械加工性を付与するためのフルオロカーボン重合
体に対する改質に関する。
【０００２】
【発明の背景】エレクトロニックパッケージに対する一
般的な構造および製造方法は、例えばDonald P. Seraph
im, Ronald LaskyおよびChe-Yo Li, Principles of Ele
ctronic Packaging, McGraw-Hill Book Company, New Y
ork, New York，(１９８８)、およびRao R. Tummalaお
よびEugene J. Rymaszewski, Microelectronic Packagi
ng Handbook, Van Nostrand Reinhold, New York, New
York（１９８８）に記述されており、この両者は参照文
献として本明細書へ取入れる。
般的な構造および製造方法は、例えばDonald P. Seraph
im, Ronald LaskyおよびChe-Yo Li, Principles of Ele
ctronic Packaging, McGraw-Hill Book Company, New Y
ork, New York，(１９８８)、およびRao R. Tummalaお
よびEugene J. Rymaszewski, Microelectronic Packagi
ng Handbook, Van Nostrand Reinhold, New York, New
York（１９８８）に記述されており、この両者は参照文
献として本明細書へ取入れる。
【０００３】Seraphim等およびTummala等によって記述
されているように、電子回路は多くの個々の電子回路構
成要素、例えば数千かそれどころか数百万の個々の抵抗
器、コンデンサー、インダクター、ダイオードおよびト
ランジスターを含有する。これらの個々の回路構成要素
は相互連結されて回路を形成し、そして個々の回路は相
互連絡されて機能ユニットを形成する。出力および信号
分布はこれらの相互連絡を通してなされる。個々の機能
ユニットは機械的支持および構造的保護を必要とする。
電気回路は機能するために電気エネルギーを、そして機
能を残すために熱エネルギーの除去を必要とする。マイ
クロエレクトロニックパッケージ、たとえばチップ、モ
ジュール、回路カードおよび回路盤は回路構成要素およ
び回路を保護し、収容し、冷却し、そして相互連絡する
ために使用される。
されているように、電子回路は多くの個々の電子回路構
成要素、例えば数千かそれどころか数百万の個々の抵抗
器、コンデンサー、インダクター、ダイオードおよびト
ランジスターを含有する。これらの個々の回路構成要素
は相互連結されて回路を形成し、そして個々の回路は相
互連絡されて機能ユニットを形成する。出力および信号
分布はこれらの相互連絡を通してなされる。個々の機能
ユニットは機械的支持および構造的保護を必要とする。
電気回路は機能するために電気エネルギーを、そして機
能を残すために熱エネルギーの除去を必要とする。マイ
クロエレクトロニックパッケージ、たとえばチップ、モ
ジュール、回路カードおよび回路盤は回路構成要素およ
び回路を保護し、収容し、冷却し、そして相互連絡する
ために使用される。
【０００４】単一の集積回路内において、回路構成要素
と回路構成要素間および回路と回路間の相互連結、熱発
散および機械的保護が集積回路チップにより与えられ
る。チップはゼロ次パッケージとしてその技術分野にお
いて特徴づけられており、一方そのモジュール内に封入
されたチップは一次レベルのパッケージングと呼ばれ
る。
と回路構成要素間および回路と回路間の相互連結、熱発
散および機械的保護が集積回路チップにより与えられ
る。チップはゼロ次パッケージとしてその技術分野にお
いて特徴づけられており、一方そのモジュール内に封入
されたチップは一次レベルのパッケージングと呼ばれ
る。
【０００５】少なくとも一つのそれよりも高レベルのパ
ッケージングが存在する。第二のレベルのパッケージン
グは回路カードである。回路カードは少なくとも四つの
機能を果たす。第１に、所望の機能を果たすために必要
とされる全回路またはビット数は第一レベルのパッケー
ジ、すなわちカプセルに包まれたチップのビット数を越
えるから回路カードが使用され、それゆえ同じパッケー
ジに多重チップをパッケージすることが必要である。第
２に、回路パッケージは、チップ間のような、他の回路
要素との信号の相互連絡を提供する。第３に、第二レベ
ルのパッケージ、すなわち回路カードは、第一レベルの
パッケージ、すなわちカプセルに包まれたチップまたは
モジュール中に容易には集積されない構成要素に対する
場所を提供する。これらの構成要素は、例えばコンデン
サー、精密抵抗器、誘導子、電気機械式スイッチ、光カ
プラーなどを包含する。第４に、第二レベルのパッケー
ジは熱管理、すなわち熱の発散を与える。
ッケージングが存在する。第二のレベルのパッケージン
グは回路カードである。回路カードは少なくとも四つの
機能を果たす。第１に、所望の機能を果たすために必要
とされる全回路またはビット数は第一レベルのパッケー
ジ、すなわちカプセルに包まれたチップのビット数を越
えるから回路カードが使用され、それゆえ同じパッケー
ジに多重チップをパッケージすることが必要である。第
２に、回路パッケージは、チップ間のような、他の回路
要素との信号の相互連絡を提供する。第３に、第二レベ
ルのパッケージ、すなわち回路カードは、第一レベルの
パッケージ、すなわちカプセルに包まれたチップまたは
モジュール中に容易には集積されない構成要素に対する
場所を提供する。これらの構成要素は、例えばコンデン
サー、精密抵抗器、誘導子、電気機械式スイッチ、光カ
プラーなどを包含する。第４に、第二レベルのパッケー
ジは熱管理、すなわち熱の発散を与える。
【０００６】ほとんどの応用および特にパーソナルコン
ピューター、高性能ワークステーション、中間領域コン
ピューターおよびメインフレームコンピューターにおい
て、第三レベルのパッケージングがある。これはボード
レベルのパッケージである。ボードは複数のカードを受
け入れるためのコネクター、カード間に情報を提供する
ための回路形成、外部の情報を提供するためのＩ／Ｏデ
バイスおよびしばしば複雑化された熱管理システムを包
含する。
ピューター、高性能ワークステーション、中間領域コン
ピューターおよびメインフレームコンピューターにおい
て、第三レベルのパッケージングがある。これはボード
レベルのパッケージである。ボードは複数のカードを受
け入れるためのコネクター、カード間に情報を提供する
ための回路形成、外部の情報を提供するためのＩ／Ｏデ
バイスおよびしばしば複雑化された熱管理システムを包
含する。
【０００７】パッケージは誘電体として、すなわちセラ
ミックパッケージとしてまたは重合体パッケージとして
使用された材料によって特徴づけることができる。重合
体系複合パッケージ製造のための基本的な方法は、先に
参照文献として本明細書へ取入れられている、Seraphi
m, LaskyおよびLi, Principles of Electronic Packagi
ng, ３３４〜３７１頁のGeorge P. Schmitt, Bernd K.
AppeltおよびJeffrey T. Gotro,“Polymers and Polyme
r Based Composites for Electronic Applications”に
より、そしてまた先に参照文献として本明細書へ取入れ
られている、TummalaおよびRymaszewski, Microelectro
nics Packaging Handbook, ８５３〜９２２頁のDonald
P. Seraphim, Donald E. Barr, William T. Chen, Geor
ge P. SchmittおよびRao R. Tummala,“Printed Circui
t Board Packaging”により記述されている。
ミックパッケージとしてまたは重合体パッケージとして
使用された材料によって特徴づけることができる。重合
体系複合パッケージ製造のための基本的な方法は、先に
参照文献として本明細書へ取入れられている、Seraphi
m, LaskyおよびLi, Principles of Electronic Packagi
ng, ３３４〜３７１頁のGeorge P. Schmitt, Bernd K.
AppeltおよびJeffrey T. Gotro,“Polymers and Polyme
r Based Composites for Electronic Applications”に
より、そしてまた先に参照文献として本明細書へ取入れ
られている、TummalaおよびRymaszewski, Microelectro
nics Packaging Handbook, ８５３〜９２２頁のDonald
P. Seraphim, Donald E. Barr, William T. Chen, Geor
ge P. SchmittおよびRao R. Tummala,“Printed Circui
t Board Packaging”により記述されている。
【０００８】重合体パッケージ製造のための一つの方法
において繊維状マットまたはウェブが積層樹脂で含浸さ
れる。この工程は、例えばエポキシ樹脂溶液で繊維状マ
ットまたはウェブをコーティングすること、樹脂と連合
させられた溶媒を蒸発することおよび樹脂を部分的に硬
化することを包含する。部分的に硬化した樹脂はＢ−段
階樹脂と称せられる。繊維状材料とＢ−段階樹脂からな
る物体はプリプレグと称せられる。容易に取扱われて安
定であるプリプレグは次の加工のためにシートに切り取
ることができる。プリプレグを形成するために使用され
る典型的な樹脂としてはエポキシ樹脂、ジシアネート樹
脂、ポリイミドおよびフルオロポリマーが挙げられる。
において繊維状マットまたはウェブが積層樹脂で含浸さ
れる。この工程は、例えばエポキシ樹脂溶液で繊維状マ
ットまたはウェブをコーティングすること、樹脂と連合
させられた溶媒を蒸発することおよび樹脂を部分的に硬
化することを包含する。部分的に硬化した樹脂はＢ−段
階樹脂と称せられる。繊維状材料とＢ−段階樹脂からな
る物体はプリプレグと称せられる。容易に取扱われて安
定であるプリプレグは次の加工のためにシートに切り取
ることができる。プリプレグを形成するために使用され
る典型的な樹脂としてはエポキシ樹脂、ジシアネート樹
脂、ポリイミドおよびフルオロポリマーが挙げられる。
【０００９】しかしながら、エポキシド、ジシアネート
およびポリイミドは比較的高い誘電率を有する。対比さ
れるものとして、フルオロカーボン重合体は低い誘電率
を有する。フルオロカーボン重合体の低い誘電率は、低
い信号ノイズと高い伝達速度が重要である密接に間隔を
置いた回路面を包含する応用には価値がある。
およびポリイミドは比較的高い誘電率を有する。対比さ
れるものとして、フルオロカーボン重合体は低い誘電率
を有する。フルオロカーボン重合体の低い誘電率は、低
い信号ノイズと高い伝達速度が重要である密接に間隔を
置いた回路面を包含する応用には価値がある。
【００１０】フルオロカーボン重合体は対称単量体から
誘導され、それゆえに最小双極子効果を有する。結果と
して、フルオロカーボン重合体は低い誘電率が特徴であ
る。さらに、安定なＣ−Ｆ結合を持ち、かつ強く分極で
きる官能基のない対称オレフィン系単量体から生成され
た対称付加重合体は、結果として熱的にそして化学的に
安定な重合体を生じる。
誘導され、それゆえに最小双極子効果を有する。結果と
して、フルオロカーボン重合体は低い誘電率が特徴であ
る。さらに、安定なＣ−Ｆ結合を持ち、かつ強く分極で
きる官能基のない対称オレフィン系単量体から生成され
た対称付加重合体は、結果として熱的にそして化学的に
安定な重合体を生じる。
【００１１】ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）
は特に安定な、低い誘電率の重合体である。熱可塑性フ
ルオロカーボン重合体、たとえばペルフルオロビニルエ
ーテル重合体（ペルフルオロアルコキシ類すなわちＰＦ
Ａ類）、ポリヘキサフルオロプロピレン、並びにクロロ
トリフルオロプロピレンの重合体および共重合体は高い
融点と高いガラス転移温度を持つ結晶性重合体である。
は特に安定な、低い誘電率の重合体である。熱可塑性フ
ルオロカーボン重合体、たとえばペルフルオロビニルエ
ーテル重合体（ペルフルオロアルコキシ類すなわちＰＦ
Ａ類）、ポリヘキサフルオロプロピレン、並びにクロロ
トリフルオロプロピレンの重合体および共重合体は高い
融点と高いガラス転移温度を持つ結晶性重合体である。
【００１２】フルオロカーボン重合体の対称性と安定性
はフルオロカーボン重合体を印刷回路盤応用に対して望
ましいものにするが、前述の対称性と安定性はフルオロ
カーボン重合体を加工し難いものにする。加工するに
は、たとえばエポキシ類より高い温度を必要とする。同
様に、バイアおよび貫通孔の電気回路形成体と表面の回
路形成体のための付着は重合体の前処理、たとえばプラ
ズマ処理を必要とする。特別に困難な加工工程はポリフ
ルオロカーボンカードおよびボードの至る所の貫通孔お
よびバイアの紫外線レーザー穿孔である。機械的な孔打
ち抜きと穿孔のどちらかが必要であり、または赤外線ガ
スレーザーをレーザー穿孔のために使用しなければなら
ない。
はフルオロカーボン重合体を印刷回路盤応用に対して望
ましいものにするが、前述の対称性と安定性はフルオロ
カーボン重合体を加工し難いものにする。加工するに
は、たとえばエポキシ類より高い温度を必要とする。同
様に、バイアおよび貫通孔の電気回路形成体と表面の回
路形成体のための付着は重合体の前処理、たとえばプラ
ズマ処理を必要とする。特別に困難な加工工程はポリフ
ルオロカーボンカードおよびボードの至る所の貫通孔お
よびバイアの紫外線レーザー穿孔である。機械的な孔打
ち抜きと穿孔のどちらかが必要であり、または赤外線ガ
スレーザーをレーザー穿孔のために使用しなければなら
ない。
【００１３】しかしながら、フルオロカーボン重合体の
この前述の機械的および熱的安定性は続く化学的加工工
程に対してそれらを魅力あるものにする。重合体基体の
引き続く加工は回路形成、すなわちプリプレグ上の銅信
号パターンもしくは出力パターンの形成、または出力コ
アに対するプリプレグの積層を含む。回路形成は加成性
または減成性であってよい。その結果生じる電気回路形
成されたプリプレグはコアと称せられる。接着剤は一般
に回路形成体とプリプレグの間に、特にポリイミドプリ
プレグの場合に必要である。
この前述の機械的および熱的安定性は続く化学的加工工
程に対してそれらを魅力あるものにする。重合体基体の
引き続く加工は回路形成、すなわちプリプレグ上の銅信
号パターンもしくは出力パターンの形成、または出力コ
アに対するプリプレグの積層を含む。回路形成は加成性
または減成性であってよい。その結果生じる電気回路形
成されたプリプレグはコアと称せられる。接着剤は一般
に回路形成体とプリプレグの間に、特にポリイミドプリ
プレグの場合に必要である。
【００１４】複合印刷回路パッケージはプリプレグの追
加のシートを持つインターリーブコア（信号コア、信号
／信号コア、出力コア、出力／出力コアおよび信号／出
力コアを含む）、および表面電気回路形成体により製造
される。
加のシートを持つインターリーブコア（信号コア、信号
／信号コア、出力コア、出力／出力コアおよび信号／出
力コアを含む）、および表面電気回路形成体により製造
される。
【００１５】バイアおよび貫通孔のような孔は個々のコ
ア構造体中にまたは部分的に積層されたモジュール中に
穿孔される。孔、すなわちバイアと貫通孔はパッケージ
の至る所にＺ軸電気信号および出力通路を供給する。
ア構造体中にまたは部分的に積層されたモジュール中に
穿孔される。孔、すなわちバイアと貫通孔はパッケージ
の至る所にＺ軸電気信号および出力通路を供給する。
【００１６】貫通孔およびバイアは電気回路パッケージ
の電気機能を果すことに対し重要である。貫通孔または
バイアの一次機能は２面間に、すなわち異なる信号面上
の信号ライン間におよびコンポーネントリードと信号面
の間に電気的相互連絡を与えることである。孔に関する
要求は、孔が電気回路形成体と誘電体の中間層を通り抜
けて正確に位置を定められること、および孔の中の導体
は誘電体に対して良好な接着を持って孔の壁に接着する
ことおよび相互連絡面の領域に良好な金相学的結合を持
って接着することを要求する。その上、誘電体の誘電的
性質を保って誘電体中へのメタライゼーションの移動を
避けるために、孔形成工程は誘電体を破壊してはならな
い。導体の移動、たとえばそのイオン性移動は重合体の
カードおよびボードにおいて統計的に著しい破壊様式で
あることに気づくべきである。
の電気機能を果すことに対し重要である。貫通孔または
バイアの一次機能は２面間に、すなわち異なる信号面上
の信号ライン間におよびコンポーネントリードと信号面
の間に電気的相互連絡を与えることである。孔に関する
要求は、孔が電気回路形成体と誘電体の中間層を通り抜
けて正確に位置を定められること、および孔の中の導体
は誘電体に対して良好な接着を持って孔の壁に接着する
ことおよび相互連絡面の領域に良好な金相学的結合を持
って接着することを要求する。その上、誘電体の誘電的
性質を保って誘電体中へのメタライゼーションの移動を
避けるために、孔形成工程は誘電体を破壊してはならな
い。導体の移動、たとえばそのイオン性移動は重合体の
カードおよびボードにおいて統計的に著しい破壊様式で
あることに気づくべきである。
【００１７】歴史的に、孔は機械的な穿孔または打ち抜
きにより重合体の誘電体中に作られてきた。５０,００
０rpmを越えるスピンドル速度を有する特殊化したドリ
ルを必要とするこれらの機械的な方法は、直径０.２mm
という細い孔を提供できる。しかしながら、０.２mmは
機械的に穿孔または打ち抜かれたバイアおよび貫通孔で
の実用的な低い寸法限界である。その上、機械的に穿孔
または打ち抜かれたバイアおよび貫通孔は、一つまたは
それ以上のランド上の汚点、ランドの引き裂き、孔侵入
および出口の荒い削り目、ネイルヘッディングなどによ
ってしばしば特徴づけられる。
きにより重合体の誘電体中に作られてきた。５０,００
０rpmを越えるスピンドル速度を有する特殊化したドリ
ルを必要とするこれらの機械的な方法は、直径０.２mm
という細い孔を提供できる。しかしながら、０.２mmは
機械的に穿孔または打ち抜かれたバイアおよび貫通孔で
の実用的な低い寸法限界である。その上、機械的に穿孔
または打ち抜かれたバイアおよび貫通孔は、一つまたは
それ以上のランド上の汚点、ランドの引き裂き、孔侵入
および出口の荒い削り目、ネイルヘッディングなどによ
ってしばしば特徴づけられる。
【００１８】直径が小さくなるとき、打ち抜き穿孔およ
び機械的穿孔は満足なものではなくて、レーザー切除を
利用しなければならない。レーザー切除は低い誘電率材
料の選択に関して多くのトレードオフの考慮を必要とす
る。これはレーザー切除が入射レーザー線の光学的吸収
に依存するからである。
び機械的穿孔は満足なものではなくて、レーザー切除を
利用しなければならない。レーザー切除は低い誘電率材
料の選択に関して多くのトレードオフの考慮を必要とす
る。これはレーザー切除が入射レーザー線の光学的吸収
に依存するからである。
【００１９】特に直径が小さく、長さが長く、アスペク
ト比が高いバイアおよび貫通孔は、レーザー切除性光分
解、すなわちレーザー切除による光吸収性重合体中に形
成できる。典型的には、３０８ナノメータのピーク波
長、同様に１９３、２４８および３５１ナノメータに他
のピークを持つ、エキシマレーザーのような紫外レーザ
ーが使用される。エキシマレーザー切除は平方cm当り１
００ミリジュール以下の流れでパルス当り数百Åの重合
体の切除に関して実質的な溶融および炭化融蝕がないこ
とによって特徴づけられる。紫外線吸収性重合体のレー
ザー光エッチングは、たとえばH.S. Cole, Y.S. Liu,
H.R. PhilippおよびR. Guida,“Laser Photoetching of
Polymers," Mat. Res. Soc. Sym. Proc.,（７２)，２
４１〜２４５頁（１９８６）、Y.S. Liu, H.S. Cole,
H.R. PhilippおよびR. Guida,“Photoetching of Polym
ers with Excimer Lasers,”SPIE ７７４巻，Lasers In
Microlithography, １３３〜１３７頁（１９８７）、
Y.S. Liu, H.S. ColeおよびH.R.Philipp,“Interaction
s of Excimer Laser With Polymers," AIP Conference
Proceedings, １６０巻，６９８〜７０２頁（１９８
７）、およびH.S. Cole, Y.S. Liu, R. GuidaおよびJ.
Rose,“Lasers Processing for Interconnect Technolo
gy," SPIE ８７７巻，Micro-Optoelectronic Material
s, ９２〜９６頁(１９８８）に記述されている。
ト比が高いバイアおよび貫通孔は、レーザー切除性光分
解、すなわちレーザー切除による光吸収性重合体中に形
成できる。典型的には、３０８ナノメータのピーク波
長、同様に１９３、２４８および３５１ナノメータに他
のピークを持つ、エキシマレーザーのような紫外レーザ
ーが使用される。エキシマレーザー切除は平方cm当り１
００ミリジュール以下の流れでパルス当り数百Åの重合
体の切除に関して実質的な溶融および炭化融蝕がないこ
とによって特徴づけられる。紫外線吸収性重合体のレー
ザー光エッチングは、たとえばH.S. Cole, Y.S. Liu,
H.R. PhilippおよびR. Guida,“Laser Photoetching of
Polymers," Mat. Res. Soc. Sym. Proc.,（７２)，２
４１〜２４５頁（１９８６）、Y.S. Liu, H.S. Cole,
H.R. PhilippおよびR. Guida,“Photoetching of Polym
ers with Excimer Lasers,”SPIE ７７４巻，Lasers In
Microlithography, １３３〜１３７頁（１９８７）、
Y.S. Liu, H.S. ColeおよびH.R.Philipp,“Interaction
s of Excimer Laser With Polymers," AIP Conference
Proceedings, １６０巻，６９８〜７０２頁（１９８
７）、およびH.S. Cole, Y.S. Liu, R. GuidaおよびJ.
Rose,“Lasers Processing for Interconnect Technolo
gy," SPIE ８７７巻，Micro-Optoelectronic Material
s, ９２〜９６頁(１９８８）に記述されている。
【００２０】レーザー切除に対する炭化水素重合体の光
吸収を強めるためのドーパントまたは改質剤の使用は、
ポリ（メタクリル酸メチル）中のポリ（α−メチル）ス
チレンおよびブチルビニルエーテルマレイン酸無水物中
のスチレンアリルアルコールのポリマーブレンドに関し
てH.S. Cole, Y.S. Liu, H.R. PhilippおよびR. Guida,
“Laser Photoetching of Polymers," Mat. Res. Soc.
Symp. Proc., (７２)，２４１〜２４５頁（１９８６）
に、ポリ（メタクリル酸メチル−ピレン混合物）に関し
てH. Hiraoka, T.J. ChuangおよびH. Masuhara, “Dopa
nt Induced Ablation of Polymers By a ３０８ NM Exc
imer Laser,” J. Vac. Sci. Technol.Ｂ, ６(１), ４
６３〜４６５頁（１９８８）に、ピレンおよび４−アミ
ノベンゾイルヒドラジドをドープしたポリ（メタクリル
酸メチル）、ポリ（ジメチルグルタルイミド）、並びに
塩素化ポリ（メチルスチレン）に関してT.J. Chuang,
H.HiraokaおよびA. Modl,“Laser-Photoetching Charac
teristics of Polymer With Dopants," Appl. Phys Ａ,
４５巻，２７７〜２８８頁(１９８８)に、ベンゾイル
トリアゾールをドープしたポリメタクリル酸メチルに関
してR. SrinivasanおよびB. Braren,“Ultraviolet Las
er Ablation and Etching of Polymethyl Methacrylate
Sensitized With An Organic Dopant,” Appl. Phys
Ａ，４５巻,２８９〜２９２頁（１９８８）に記述され
ている。
吸収を強めるためのドーパントまたは改質剤の使用は、
ポリ（メタクリル酸メチル）中のポリ（α−メチル）ス
チレンおよびブチルビニルエーテルマレイン酸無水物中
のスチレンアリルアルコールのポリマーブレンドに関し
てH.S. Cole, Y.S. Liu, H.R. PhilippおよびR. Guida,
“Laser Photoetching of Polymers," Mat. Res. Soc.
Symp. Proc., (７２)，２４１〜２４５頁（１９８６）
に、ポリ（メタクリル酸メチル−ピレン混合物）に関し
てH. Hiraoka, T.J. ChuangおよびH. Masuhara, “Dopa
nt Induced Ablation of Polymers By a ３０８ NM Exc
imer Laser,” J. Vac. Sci. Technol.Ｂ, ６(１), ４
６３〜４６５頁（１９８８）に、ピレンおよび４−アミ
ノベンゾイルヒドラジドをドープしたポリ（メタクリル
酸メチル）、ポリ（ジメチルグルタルイミド）、並びに
塩素化ポリ（メチルスチレン）に関してT.J. Chuang,
H.HiraokaおよびA. Modl,“Laser-Photoetching Charac
teristics of Polymer With Dopants," Appl. Phys Ａ,
４５巻，２７７〜２８８頁(１９８８)に、ベンゾイル
トリアゾールをドープしたポリメタクリル酸メチルに関
してR. SrinivasanおよびB. Braren,“Ultraviolet Las
er Ablation and Etching of Polymethyl Methacrylate
Sensitized With An Organic Dopant,” Appl. Phys
Ａ，４５巻,２８９〜２９２頁（１９８８）に記述され
ている。
【００２１】積層後、孔の穿孔、ホトリトグラフィーお
よびメッキ工程が繰返され、多層複合体が得られる。
よびメッキ工程が繰返され、多層複合体が得られる。
【００２２】コアに低い誘電率のフルオロカーボン重合
体を使用することは結果として高い周波数適用に対して
理想的に適する低い信号消散、低い信号ひずみのコアを
生じる。しかしながら、フルオロカーボン重合体コアの
レーザー切除は非常に高い流れを必要とし、そしてバイ
アおよび貫通孔の品質の低下を生じる。
体を使用することは結果として高い周波数適用に対して
理想的に適する低い信号消散、低い信号ひずみのコアを
生じる。しかしながら、フルオロカーボン重合体コアの
レーザー切除は非常に高い流れを必要とし、そしてバイ
アおよび貫通孔の品質の低下を生じる。
【００２３】このように、低い誘電率および紫外レーザ
ー加工性(UV laser machinability)を有する薄い、でこ
ぼこのある熱的に安定なマイクロエレクトロニックパッ
ケージコアに対するはっきりした必要性がある。
ー加工性(UV laser machinability)を有する薄い、でこ
ぼこのある熱的に安定なマイクロエレクトロニックパッ
ケージコアに対するはっきりした必要性がある。
【００２４】
【発明の目的】本発明の第一の目的は高い電気的性能を
持つ薄い複合コア構造体を提供すること、および高い品
質のバイアおよび貫通孔の紫外レーザー切除を含む、製
造の容易さに適合させられたマイクロエレクトロニック
パッケージにこの複合コア構造体を提供することであ
る。
持つ薄い複合コア構造体を提供すること、および高い品
質のバイアおよび貫通孔の紫外レーザー切除を含む、製
造の容易さに適合させられたマイクロエレクトロニック
パッケージにこの複合コア構造体を提供することであ
る。
【００２５】本発明の更に別の目的はバイアおよび貫通
孔のレーザー切除の使用によってのみ経済的に達成可能
な高い電気回路密度および低い誘電率を有する電気回路
パッケージを提供することである。
孔のレーザー切除の使用によってのみ経済的に達成可能
な高い電気回路密度および低い誘電率を有する電気回路
パッケージを提供することである。
【００２６】本発明のなお更に別の目的は、フッ素樹脂
誘電体に関連した誘電率を保持しながら、不活性ガスレ
ーザー、すなわちエキシマレーザーに関連したレーザー
波長にレーザー加工性を有するフッ素樹脂系誘電材料を
提供することである。
誘電体に関連した誘電率を保持しながら、不活性ガスレ
ーザー、すなわちエキシマレーザーに関連したレーザー
波長にレーザー加工性を有するフッ素樹脂系誘電材料を
提供することである。
【００２７】本発明のなお別の目的は、フッ素樹脂の低
い誘電率および不活性ガスレーザー波長、すなわちエキ
シマレーザーに関連した波長に光吸収性を有するフッ素
樹脂系誘電材料を提供することである。
い誘電率および不活性ガスレーザー波長、すなわちエキ
シマレーザーに関連した波長に光吸収性を有するフッ素
樹脂系誘電材料を提供することである。
【００２８】
【発明の概要】従来技術の欠陥が取り除かれ、そして本
発明の目的は本明細書に記述されたフッ素樹脂系誘電材
料、これらのフッ素樹脂系材料の製造方法および本明細
書に記述されたフッ素樹脂系誘電材料を組み入れる電子
パッケージモジュールによって達成される。
発明の目的は本明細書に記述されたフッ素樹脂系誘電材
料、これらのフッ素樹脂系材料の製造方法および本明細
書に記述されたフッ素樹脂系誘電材料を組み入れる電子
パッケージモジュールによって達成される。
【００２９】本発明は、（１）不活性ガス（エキシマ）
レーザー、すなわち３０８および３５１ナノメータ、並
びに１９８および２４３ナノメータのレーザーに関連し
た紫外波長にレーザー加工性を有し、（２）印刷回路板
製造において遭遇する条件下での化学的および機械的安
定性を有しそして（３）印刷回路板製造において遭遇す
る温度での熱安定性をも有する、重合体のペルフルオロ
カーボン組成物に関する。この重合体組成物は、紫外線
に対し実質的に透明であるペルフルオロカーボン重合体
の主要量と、紫外線レーザー加工性を付与するための、
ポリイミドのような、熱的に安定な、紫外線吸収性の第
二の重合体の有効量とを有する。
レーザー、すなわち３０８および３５１ナノメータ、並
びに１９８および２４３ナノメータのレーザーに関連し
た紫外波長にレーザー加工性を有し、（２）印刷回路板
製造において遭遇する条件下での化学的および機械的安
定性を有しそして（３）印刷回路板製造において遭遇す
る温度での熱安定性をも有する、重合体のペルフルオロ
カーボン組成物に関する。この重合体組成物は、紫外線
に対し実質的に透明であるペルフルオロカーボン重合体
の主要量と、紫外線レーザー加工性を付与するための、
ポリイミドのような、熱的に安定な、紫外線吸収性の第
二の重合体の有効量とを有する。
【００３０】本発明の更に別の態様には重合体組成物の
形成方法、重合体組成物内にあるかそれを貫通する貫通
孔およびバイアのレーザー切除を包含する印刷回路板の
製造方法および重合体組成物を組み入れる印刷回路板を
包含する。
形成方法、重合体組成物内にあるかそれを貫通する貫通
孔およびバイアのレーザー切除を包含する印刷回路板の
製造方法および重合体組成物を組み入れる印刷回路板を
包含する。
【００３１】〔発明の詳細な記述〕本発明は、紫外線吸
収性重合体添加剤、特にポリイミドと重合体のフルオロ
カーボンマトリックスとの相乗的な相互作用によって重
合体のペルフルオロカーボン系誘電体に紫外放射線波長
での加工性（machinability）を付与すること、および
それによって製造された紫外放射線加工可能なフルオロ
カーボンをベースとする誘電体樹脂に係るものである。
この相互作用は、重合体ペルフルオロカーボンの誘電体
層を有するコアおよび副複合体（subcomposite）に不活
性ガス（エキシマ）紫外レーザーにより加工されて小さ
い直径、接近したピッチのバイアおよび貫通孔をあける
ことを可能ならしめる。
収性重合体添加剤、特にポリイミドと重合体のフルオロ
カーボンマトリックスとの相乗的な相互作用によって重
合体のペルフルオロカーボン系誘電体に紫外放射線波長
での加工性（machinability）を付与すること、および
それによって製造された紫外放射線加工可能なフルオロ
カーボンをベースとする誘電体樹脂に係るものである。
この相互作用は、重合体ペルフルオロカーボンの誘電体
層を有するコアおよび副複合体（subcomposite）に不活
性ガス（エキシマ）紫外レーザーにより加工されて小さ
い直径、接近したピッチのバイアおよび貫通孔をあける
ことを可能ならしめる。
【００３２】本発明のマイクロエレクトロニック回路パ
ッケージを図に示す。本発明のマイクロエレクトロニッ
クパッケージは電気回路形成面間の非常に狭い間隔によ
って特徴づけられる。このＺ軸間隔は信号面層間、並び
に信号面層と隣接の出力および基礎コア層の間が約１０
ミルより小さいものでありうる。本発明のマイクロエレ
クトロニック回路パッケージは高いスイッチング周波数
（速いクロック速度）での応用を意図するものである。
その上、信号面間の狭い間隔と、各面上における信号ト
レース（signal traces）の接近した間隔の組合せは、
予想される速いクロック速度と一緒になってパッケージ
の主要設計要素に発散性効果をもたらす。
ッケージを図に示す。本発明のマイクロエレクトロニッ
クパッケージは電気回路形成面間の非常に狭い間隔によ
って特徴づけられる。このＺ軸間隔は信号面層間、並び
に信号面層と隣接の出力および基礎コア層の間が約１０
ミルより小さいものでありうる。本発明のマイクロエレ
クトロニック回路パッケージは高いスイッチング周波数
（速いクロック速度）での応用を意図するものである。
その上、信号面間の狭い間隔と、各面上における信号ト
レース（signal traces）の接近した間隔の組合せは、
予想される速いクロック速度と一緒になってパッケージ
の主要設計要素に発散性効果をもたらす。
【００３３】特に、速いクロック速度で信号トレースを
間隔を接近させて置くことは結果として複合インピーダ
ンス、Ｚの効果によって信号の消散およびひずみを生じ
る。インピーダンスは失なわれた電気エネルギーを熱エ
ネルギー、Ｈに変換し、そして信頼性の欠如および構造
的無欠性の欠失（不適当に組み合わせられた熱膨張率に
由来する）を含む熱管理問題の全領域にわたるものが非
常に問題となる。
間隔を接近させて置くことは結果として複合インピーダ
ンス、Ｚの効果によって信号の消散およびひずみを生じ
る。インピーダンスは失なわれた電気エネルギーを熱エ
ネルギー、Ｈに変換し、そして信頼性の欠如および構造
的無欠性の欠失（不適当に組み合わせられた熱膨張率に
由来する）を含む熱管理問題の全領域にわたるものが非
常に問題となる。
【００３４】耐久性の誘導体層に必要とされる回路面の
間の狭い間隔は、製造の問題、特に引き裂きおよび層間
剥離の問題を結果として引き起す。
間の狭い間隔は、製造の問題、特に引き裂きおよび層間
剥離の問題を結果として引き起す。
【００３５】本発明に係る電子パッケージモジュールお
よび電子パッケージモジュールを組み入れる印刷回路板
の一つの実例を図面に示す。電子パッケージモジュール
（１）は、少なくともその一面上に表面回路形成体（２
１）と集積回路チップ（３１）を持つペルフルオロカー
ボン重合体の誘電体コア（１１）を有する。
よび電子パッケージモジュールを組み入れる印刷回路板
の一つの実例を図面に示す。電子パッケージモジュール
（１）は、少なくともその一面上に表面回路形成体（２
１）と集積回路チップ（３１）を持つペルフルオロカー
ボン重合体の誘電体コア（１１）を有する。
【００３６】誘電体コア（１１）はペルフルオロカーボ
ン重合体と下文に更に完全に記述されるような、熱的に
および光学的に有効な量の紫外線増感添加剤のブレンド
または分子レベルの複合体である。
ン重合体と下文に更に完全に記述されるような、熱的に
および光学的に有効な量の紫外線増感添加剤のブレンド
または分子レベルの複合体である。
【００３７】図面について説明すると複合体（１１）は
変性されたペルフルオロカーボン重合体の層（１３）か
ら成る。変性されたペルフルオロ化重合体の層（１３）
の厚さ、電気回路線のピッチおよびバイア並びに貫通孔
の直径は、パッケージの電気的設計によって決定され
る。
変性されたペルフルオロカーボン重合体の層（１３）か
ら成る。変性されたペルフルオロ化重合体の層（１３）
の厚さ、電気回路線のピッチおよびバイア並びに貫通孔
の直径は、パッケージの電気的設計によって決定され
る。
【００３８】高分子ペルフルオロカーボンは、高性能プ
リント回路板すなわち速いクロック速度の適用を意図す
るプリント回路板の製造において利用される。これは高
分子フルオロカーボンが望ましい電気的、化学的および
熱的性質の独特な組み合わせを持っているからである。
高分子フルオロカーボンは低い誘電率を有し、それは信
号面の間に薄い誘電層を持たせて、高いインピーダンス
信号面の回路化およびそれに伴うスイッチングノイズに
付随する免除により特徴付けられるマイクロエレクトロ
ニック回路パッケージの設計を可能にする。その上、高
分子フルオロカーボンはプリント回路板製造において典
型的に遭遇する温度および条件下、例えば鉛／すずはん
だの再流動において遭遇する温度およびそれ以上の温度
での、化学的および熱的安定性を有する。
リント回路板すなわち速いクロック速度の適用を意図す
るプリント回路板の製造において利用される。これは高
分子フルオロカーボンが望ましい電気的、化学的および
熱的性質の独特な組み合わせを持っているからである。
高分子フルオロカーボンは低い誘電率を有し、それは信
号面の間に薄い誘電層を持たせて、高いインピーダンス
信号面の回路化およびそれに伴うスイッチングノイズに
付随する免除により特徴付けられるマイクロエレクトロ
ニック回路パッケージの設計を可能にする。その上、高
分子フルオロカーボンはプリント回路板製造において典
型的に遭遇する温度および条件下、例えば鉛／すずはん
だの再流動において遭遇する温度およびそれ以上の温度
での、化学的および熱的安定性を有する。
【００３９】残念ながら、高分子ペルフルオロカーボン
は微細ピッチプリント回路板製造のための重大な欠陥を
有する。高分子フルオロカーボンは高い紫外レーザー効
率を有するが、一方それらは紫外レーザーが切除したバ
イアおよび貫通孔の特性の不十分さの欠点がある。これ
は重大な欠点である。なぜならば高性能プリント回路板
に必要とされるバイアおよび貫通孔の直径および密度に
関しては、レーザー加工性はプリント回路板誘電材料の
ための絶対的な必要条件であるからである。最上の紫外
レーザーは、３０８ナノメータにエネルギーピークを有
し、３５８ナノメータ、２４８ナノメータおよび１９３
ナノメータに他のピークを持つエキシマレーザーであ
る。高分子ペルフルオロカーボンは紫外線に対して実質
的に透明であり、従って言及されたように十分電磁スペ
クトルの紫外領域内である３５８、３０８、２４８およ
び１９３ナノメータにピークエネルギー出力を持つエキ
シマレーザーにより容易にレーザー加工できるわけでは
ない。
は微細ピッチプリント回路板製造のための重大な欠陥を
有する。高分子フルオロカーボンは高い紫外レーザー効
率を有するが、一方それらは紫外レーザーが切除したバ
イアおよび貫通孔の特性の不十分さの欠点がある。これ
は重大な欠点である。なぜならば高性能プリント回路板
に必要とされるバイアおよび貫通孔の直径および密度に
関しては、レーザー加工性はプリント回路板誘電材料の
ための絶対的な必要条件であるからである。最上の紫外
レーザーは、３０８ナノメータにエネルギーピークを有
し、３５８ナノメータ、２４８ナノメータおよび１９３
ナノメータに他のピークを持つエキシマレーザーであ
る。高分子ペルフルオロカーボンは紫外線に対して実質
的に透明であり、従って言及されたように十分電磁スペ
クトルの紫外領域内である３５８、３０８、２４８およ
び１９３ナノメータにピークエネルギー出力を持つエキ
シマレーザーにより容易にレーザー加工できるわけでは
ない。
【００４０】本発明により、紫外線に対して実質的に透
明なペルフルオロカーボン重合体の主要量と、熱的に安
定な紫外線吸収性の第二の重合体添加物の有効量とから
なる、エキシマレーザーピーク波長（３５８、３０８、
２４８および１９３ナノメータ）にレーザー加工性を持
った変性された高分子ペルフルオロカーボン組成物が提
供される。
明なペルフルオロカーボン重合体の主要量と、熱的に安
定な紫外線吸収性の第二の重合体添加物の有効量とから
なる、エキシマレーザーピーク波長（３５８、３０８、
２４８および１９３ナノメータ）にレーザー加工性を持
った変性された高分子ペルフルオロカーボン組成物が提
供される。
【００４１】ペルフルオロカーボン重合体は−〔Ｆ2Ｃ
−ＣＦＲ〕−型重合体であり、ここでＲはＦ、ｍが０〜
約８である−(ＣＦ2)m−ＣＦ3、−ＣＦ3、−Ｏ−および
吊り下がりペルフルオロアルコキシ基の一つまたはそれ
以上から選ぶことができる。これらのペルフルオロカー
ボン重合体はポリテトラフルオロエチレン、ポリヘキサ
フルオロプロピレン、ポリ（ペルフルオロアルキルビニ
ルエーテル）、およびその共重合体から成る群より選ぶ
ことができる。
−ＣＦＲ〕−型重合体であり、ここでＲはＦ、ｍが０〜
約８である−(ＣＦ2)m−ＣＦ3、−ＣＦ3、−Ｏ−および
吊り下がりペルフルオロアルコキシ基の一つまたはそれ
以上から選ぶことができる。これらのペルフルオロカー
ボン重合体はポリテトラフルオロエチレン、ポリヘキサ
フルオロプロピレン、ポリ（ペルフルオロアルキルビニ
ルエーテル）、およびその共重合体から成る群より選ぶ
ことができる。
【００４２】このペルフルオロカーボン重合体組成物は
有効量の第二の重合体を含有する。この有効な量とは紫
外レーザー加工性を付与するために有効な量のことであ
る。好ましい第二の重合体はポリイミドである。典型的
なポリイミドはアミンと芳香族酸二無水物との重合反応
生成物、最も一般には縮合重合反応生成物、または芳香
族ジアミンとビス−マレイミドの重付加反応生成物より
成る群から選ばれるものである。好ましいポリイミドは
（１）ジアミンと（２）カルボン酸二無水物との反応生
成物に基づくポリイミドのような縮合生成物である。典
型的なジアミドはパラ−フェニレンジアミンまたはオキ
シジアニリンのような芳香族ジアミンである。典型的な
無水カルボン酸はピロメリット酸二無水物またはフェニ
レン酸二無水物およびビフェニル酸二無水物のような芳
香族酸二無水物である。好ましいポリイミドはフェニレ
ン酸二無水物およびフェニレンジアミンである。
有効量の第二の重合体を含有する。この有効な量とは紫
外レーザー加工性を付与するために有効な量のことであ
る。好ましい第二の重合体はポリイミドである。典型的
なポリイミドはアミンと芳香族酸二無水物との重合反応
生成物、最も一般には縮合重合反応生成物、または芳香
族ジアミンとビス−マレイミドの重付加反応生成物より
成る群から選ばれるものである。好ましいポリイミドは
（１）ジアミンと（２）カルボン酸二無水物との反応生
成物に基づくポリイミドのような縮合生成物である。典
型的なジアミドはパラ−フェニレンジアミンまたはオキ
シジアニリンのような芳香族ジアミンである。典型的な
無水カルボン酸はピロメリット酸二無水物またはフェニ
レン酸二無水物およびビフェニル酸二無水物のような芳
香族酸二無水物である。好ましいポリイミドはフェニレ
ン酸二無水物およびフェニレンジアミンである。
【００４３】（ａ） 次の構造：
【化１】 をもつ１,２,４,５−ベンゼンテトラカルボン酸二無水
物とフェニレンジアミン、
物とフェニレンジアミン、
【００４４】（ｂ） 次の構造：
【化２】 をもつ１,２,４,５−ベンゼンテトラカルボン酸二無水
物とパラ−フェニレンジアミン、
物とパラ−フェニレンジアミン、
【００４５】（ｃ） 次の構造：
【化３】 をもつ３,３′,４,４′−ビフェニルテトラカルボン酸
二無水物とフェニレンジアミン、および
二無水物とフェニレンジアミン、および
【００４６】（ｄ） 次の構造：
【化４】 をもつ３,３′,４,４′−ビフェニルテトラカルボン酸
二無水物とパラ−フェニレンジアミンから誘導されるポ
リイミドが特に好ましい。
二無水物とパラ−フェニレンジアミンから誘導されるポ
リイミドが特に好ましい。
【００４７】次の構造：
【化５】 をもつ１,２,４,５−ベンゼンテトラカルボン酸二無水
物とオキシジアニリンの重合反応生成物が特に好まし
い。
物とオキシジアニリンの重合反応生成物が特に好まし
い。
【００４８】高分子組成物は改質材相、例えば実質的に
連続したポリフルオロカーボン相中に分散されたポリイ
ミド相を含有する。ポリイミド光学改質材の場合、分散
されたポリイミド相は、個々のポリイミド粒子が約１０
〜１００ミクロンの質量平均粒径をもつ微粒子のポリイ
ミド相であり得る。代わりになるべきものとして、高分
子組成物はポリフルオロカーボンとポリイミドのポリマ
ーブレンドでありうる。
連続したポリフルオロカーボン相中に分散されたポリイ
ミド相を含有する。ポリイミド光学改質材の場合、分散
されたポリイミド相は、個々のポリイミド粒子が約１０
〜１００ミクロンの質量平均粒径をもつ微粒子のポリイ
ミド相であり得る。代わりになるべきものとして、高分
子組成物はポリフルオロカーボンとポリイミドのポリマ
ーブレンドでありうる。
【００４９】本発明のさらにそれ以上の実施態様によれ
ば、粒子状または繊維状充填材、特にＳｉＯ2、ＴｉＯ2
などのような無機充填材は、例えば高分子組成物の熱膨
張率を改変するために、フッ素樹脂および光学吸収重合
体の高分子誘電組成物に添加することができる。
ば、粒子状または繊維状充填材、特にＳｉＯ2、ＴｉＯ2
などのような無機充填材は、例えば高分子組成物の熱膨
張率を改変するために、フッ素樹脂および光学吸収重合
体の高分子誘電組成物に添加することができる。
【００５０】本発明によれば、マイクロエレクトロニッ
クパッケージは、紫外線波長（３０８ナノメータ）にレ
ーザー加工性を持つ高分子組成物の誘電コアを形成する
ことにより製造できる。このコアは紫外線に対して実質
的に透明であるペルフルオロカーボン重合体の主要量お
よび上述のような熱安定性、紫外線吸収性の第二の重合
体の有効量を有する。誘電コアの表面は次いで回路化さ
れ、そしてその構造は紫外放射レーザーを使用してレー
ザー切除されてバイアおよび貫通孔が形成される。
クパッケージは、紫外線波長（３０８ナノメータ）にレ
ーザー加工性を持つ高分子組成物の誘電コアを形成する
ことにより製造できる。このコアは紫外線に対して実質
的に透明であるペルフルオロカーボン重合体の主要量お
よび上述のような熱安定性、紫外線吸収性の第二の重合
体の有効量を有する。誘電コアの表面は次いで回路化さ
れ、そしてその構造は紫外放射レーザーを使用してレー
ザー切除されてバイアおよび貫通孔が形成される。
【００５１】光学吸収性重合体の量は、紫外線レーザー
切除を可能にするために重合体の紫外吸収を移動させる
ために光学的に有効な量である。これは、実験的に決定
された閾値から約５０重量パーセントまで、ＰＴＦＥ基
準で通常約０.５〜５０重量パーセントまでの有効な量
である。しかしながら、ＴＦＥ基準で０.５Ｐ重量パー
セントは、発明者によってＰＴＦＥ−ポリイミド組成物
中で観測された紫外線レーザーの穴あけ速度および質を
強める最低濃度よりは実際には高い。
切除を可能にするために重合体の紫外吸収を移動させる
ために光学的に有効な量である。これは、実験的に決定
された閾値から約５０重量パーセントまで、ＰＴＦＥ基
準で通常約０.５〜５０重量パーセントまでの有効な量
である。しかしながら、ＴＦＥ基準で０.５Ｐ重量パー
セントは、発明者によってＰＴＦＥ−ポリイミド組成物
中で観測された紫外線レーザーの穴あけ速度および質を
強める最低濃度よりは実際には高い。
【００５２】第二の重合体は、例えばフルオロカーボン
重合体および微粒子の固体重合体または重合体、例えば
分散媒体中の微粒子の固体ポリイミドから成る分散液を
形成することによって高分子ペルフルオロカーボンに添
加される。典型的な分散媒体としては、水および有機分
散剤並びに溶媒、例えばアルコールが挙げられる。分散
媒体はそのあと除去されて乾燥フィルムを生成する。
重合体および微粒子の固体重合体または重合体、例えば
分散媒体中の微粒子の固体ポリイミドから成る分散液を
形成することによって高分子ペルフルオロカーボンに添
加される。典型的な分散媒体としては、水および有機分
散剤並びに溶媒、例えばアルコールが挙げられる。分散
媒体はそのあと除去されて乾燥フィルムを生成する。
【００５３】別法として、紫外線吸収性フルオロカーボ
ン重合体系誘電体は、分散媒体中のフルオロカーボン重
合体およびポリアミド酸または酸類の分散体を形成する
ことによって製造できる。分散媒体のその後の除去によ
り乾燥フィルムが生じ、そのあとで焼結されてペルフル
オロカーボン重合体とポリイミドのポリマーブレンドア
ロイを生成する。
ン重合体系誘電体は、分散媒体中のフルオロカーボン重
合体およびポリアミド酸または酸類の分散体を形成する
ことによって製造できる。分散媒体のその後の除去によ
り乾燥フィルムが生じ、そのあとで焼結されてペルフル
オロカーボン重合体とポリイミドのポリマーブレンドア
ロイを生成する。
【００５４】この別法によれば、水は適当な溶媒中のポ
リイミド酸溶液に加えることができる。この水性組成物
は、それから高分子ペルフルオロカーボンと混合され、
均一なポリアミド酸−ペルフルオロカーボン重合体組成
物を生成する。この組成物は、そのあと適当な基体また
は表面上でフィルムとしてキャストされ、そして加熱さ
れて固体フィルムが形成される。
リイミド酸溶液に加えることができる。この水性組成物
は、それから高分子ペルフルオロカーボンと混合され、
均一なポリアミド酸−ペルフルオロカーボン重合体組成
物を生成する。この組成物は、そのあと適当な基体また
は表面上でフィルムとしてキャストされ、そして加熱さ
れて固体フィルムが形成される。
【００５５】例えば、５０重量部のデュポンＰＩ−２６
１１、Ｎ−メチルピロリドン中のビフェニレン酸二無水
物（ＢＰＤＡ）とパラ−フェニレンジアミン（ＰＤＡ）
のポリアミド酸の１４.５％固溶体を、ステンレス鋼ビ
ーカー中１.３重量部のジエチルアミンと混合した。こ
れより均一混合物が生じた。約５０℃まで温め１００重
量部の脱イオン水をそれに添加する間その温度に維持し
た。これにより低粘性の乳濁液が生じた。デュポンＴＥ
ＦＬＯＮ３０Ｂポリテトラフルオロエチレン乳濁液を、
ポリアミド酸乳濁液と混合した。相分離は全く観測され
なかった。その後、その混合乳濁液は、銅上にフィルム
をキャストするために使用した。そのフィルムを、単純
引き落し技法によってキャストし、次いで１００℃で１
０分、２００℃で１０分および３５０℃で６０分加熱し
て高品質の平滑被着フィルムを得た。
１１、Ｎ−メチルピロリドン中のビフェニレン酸二無水
物（ＢＰＤＡ）とパラ−フェニレンジアミン（ＰＤＡ）
のポリアミド酸の１４.５％固溶体を、ステンレス鋼ビ
ーカー中１.３重量部のジエチルアミンと混合した。こ
れより均一混合物が生じた。約５０℃まで温め１００重
量部の脱イオン水をそれに添加する間その温度に維持し
た。これにより低粘性の乳濁液が生じた。デュポンＴＥ
ＦＬＯＮ３０Ｂポリテトラフルオロエチレン乳濁液を、
ポリアミド酸乳濁液と混合した。相分離は全く観測され
なかった。その後、その混合乳濁液は、銅上にフィルム
をキャストするために使用した。そのフィルムを、単純
引き落し技法によってキャストし、次いで１００℃で１
０分、２００℃で１０分および３５０℃で６０分加熱し
て高品質の平滑被着フィルムを得た。
【００５６】別の試験では、５０重量部のデュポンＰＩ
−２６１１、Ｎ−メチルピロリドン中のビフェニレン酸
二無水物（ＢＰＤＡ）とパラ−フェニレンジアミン（Ｐ
ＤＡ）のポリアミド酸の１４.５％固溶体を５５℃まで
加熱し、そしてステンレス鋼ビーカー中で１.４２重量
部のジエチルアミンの４０％水溶液と混合した。これに
より均一混合物が生じた。約５０℃まで温め３０重量部
の脱イオン水をそれに添加する間、その温度に維持し
た。これにより低粘性の乳濁液が生じた。デュポンＴＥ
ＦＬＯＮ３０Ｂポリテトラフルオロエチレン乳濁液を、
ポリアミド酸乳濁液と混合した。相分離は全く観測され
なかった。その後、その混合乳濁液は、銅上にフィルム
をキャストするために使用した。そのフィルムを、単純
引き落し技法によってキャストし、次いで１００℃で１
０分、２００℃で１０分および３５０℃で６０分加熱し
て高品質の平滑被着フィルムを得た。
−２６１１、Ｎ−メチルピロリドン中のビフェニレン酸
二無水物（ＢＰＤＡ）とパラ−フェニレンジアミン（Ｐ
ＤＡ）のポリアミド酸の１４.５％固溶体を５５℃まで
加熱し、そしてステンレス鋼ビーカー中で１.４２重量
部のジエチルアミンの４０％水溶液と混合した。これに
より均一混合物が生じた。約５０℃まで温め３０重量部
の脱イオン水をそれに添加する間、その温度に維持し
た。これにより低粘性の乳濁液が生じた。デュポンＴＥ
ＦＬＯＮ３０Ｂポリテトラフルオロエチレン乳濁液を、
ポリアミド酸乳濁液と混合した。相分離は全く観測され
なかった。その後、その混合乳濁液は、銅上にフィルム
をキャストするために使用した。そのフィルムを、単純
引き落し技法によってキャストし、次いで１００℃で１
０分、２００℃で１０分および３５０℃で６０分加熱し
て高品質の平滑被着フィルムを得た。
【００５７】なお別の実質的に同様の試験では、デュポ
ンＰＩ−２６１１、Ｎ−メチルピロリドン中のビフェニ
レン酸二無水物（ＢＰＤＡ）とパラ−フェニレンジアミ
ン（ＰＤＡ）のポリアミドの１４.５％固溶体を加熱
し、そしてビーカー中で同重量のジメチルアミン水溶液
と混合する。これよりまた均一混合物が生じる。ほぼ室
温まで温め脱イオン水をそれに添加する間それ以上の温
度に維持する。これにより低粘性のポリアミド酸乳濁液
が生じる。デュポンＴＥＦＬＯＮ３０Ｂポリテトラフル
オロエチレン乳濁液を、相分離なしでポリアミド酸乳濁
液と混合する。その後、その混合乳濁液は、フィルム例
えば銅上のキャストフィルムにキャストすることができ
る。そのフィルムを、上記のように単純引き落し技法に
よってキャストし、次いで加熱してまた上記のように高
品質の平滑被着フィルムを得る。
ンＰＩ−２６１１、Ｎ−メチルピロリドン中のビフェニ
レン酸二無水物（ＢＰＤＡ）とパラ−フェニレンジアミ
ン（ＰＤＡ）のポリアミドの１４.５％固溶体を加熱
し、そしてビーカー中で同重量のジメチルアミン水溶液
と混合する。これよりまた均一混合物が生じる。ほぼ室
温まで温め脱イオン水をそれに添加する間それ以上の温
度に維持する。これにより低粘性のポリアミド酸乳濁液
が生じる。デュポンＴＥＦＬＯＮ３０Ｂポリテトラフル
オロエチレン乳濁液を、相分離なしでポリアミド酸乳濁
液と混合する。その後、その混合乳濁液は、フィルム例
えば銅上のキャストフィルムにキャストすることができ
る。そのフィルムを、上記のように単純引き落し技法に
よってキャストし、次いで加熱してまた上記のように高
品質の平滑被着フィルムを得る。
【００５８】もちろん、水性ポリアミド酸前駆体を包含
するさまざまなポリアミド酸前駆体が、ポリマーブレン
ドアロイを製造するために使用できることは理解でき
る。例えば水溶性溶媒（単に実例としてであり、これに
限定するものではないが、水溶性アルコール、グリコー
ル、ジオールまたはエーテルのような）またはそれら水
溶性溶媒と水の混合溶液のどちらかの中での、テトラカ
ルボン酸（単に実例としてであり、これに限定するもの
ではないが、１,２,３,４−ブタンテトラカルボン酸の
ような）とジアミン（Ｒ′が二価の有機基である一般式
Ｈ2−Ｒ′−ＮＨ2を有する脂肪族ジアミン、芳香族ジア
ミンまたは脂環式ジアミンのような）との反応生成物
は、水溶性ポリイミド前駆体を得るために使用できる。
この水溶性ポリイミド前駆体は、これから水酸化アンモ
ニウムと反応してポリイミド前駆体のアンモニウム塩を
生成することができる。この組成物を、それからペルフ
ルオロカーボン樹脂と混合し加熱してポリマーブレンド
アロイを生成する。
するさまざまなポリアミド酸前駆体が、ポリマーブレン
ドアロイを製造するために使用できることは理解でき
る。例えば水溶性溶媒（単に実例としてであり、これに
限定するものではないが、水溶性アルコール、グリコー
ル、ジオールまたはエーテルのような）またはそれら水
溶性溶媒と水の混合溶液のどちらかの中での、テトラカ
ルボン酸（単に実例としてであり、これに限定するもの
ではないが、１,２,３,４−ブタンテトラカルボン酸の
ような）とジアミン（Ｒ′が二価の有機基である一般式
Ｈ2−Ｒ′−ＮＨ2を有する脂肪族ジアミン、芳香族ジア
ミンまたは脂環式ジアミンのような）との反応生成物
は、水溶性ポリイミド前駆体を得るために使用できる。
この水溶性ポリイミド前駆体は、これから水酸化アンモ
ニウムと反応してポリイミド前駆体のアンモニウム塩を
生成することができる。この組成物を、それからペルフ
ルオロカーボン樹脂と混合し加熱してポリマーブレンド
アロイを生成する。
【００５９】別法として、有機溶媒中のポリアミド酸有
機溶液を調製できる。ポリアミド酸は、それから水をそ
れに添加することにより、または有機溶液を水に添加す
ることにより、有機溶液から沈殿させることができる。
この沈殿物ポリアミド酸粉末は、その粉末粒径が例えば
有機溶媒からの沈殿中の混合パラメーターによって決定
される。沈殿したポリアミド酸を、その後濾過し、洗浄
し、そして乾燥する。ポリアミド酸粉末は、水酸化アン
モニウムまたはＤＭＡＭＰ、ＤＭＡＥ、ＡＭＰ、Ｎ,Ｎ
−ジエチルエタノールアミン、トリエタノールアミン、
トリエチルアミンのようなアミン、またはモルホリンの
助けによっていっそう水に溶解する。この水溶液を、そ
れからフッ素樹脂溶液と混合し、乳濁液、懸濁液または
スラリーを形成し、乾燥する。水性フルオロカーボン樹
脂−ポリアミド酸組成物を加熱すると、ポリマーブレン
ドアロイ中でポリアミド酸は対応するポリイミドに転換
される。
機溶液を調製できる。ポリアミド酸は、それから水をそ
れに添加することにより、または有機溶液を水に添加す
ることにより、有機溶液から沈殿させることができる。
この沈殿物ポリアミド酸粉末は、その粉末粒径が例えば
有機溶媒からの沈殿中の混合パラメーターによって決定
される。沈殿したポリアミド酸を、その後濾過し、洗浄
し、そして乾燥する。ポリアミド酸粉末は、水酸化アン
モニウムまたはＤＭＡＭＰ、ＤＭＡＥ、ＡＭＰ、Ｎ,Ｎ
−ジエチルエタノールアミン、トリエタノールアミン、
トリエチルアミンのようなアミン、またはモルホリンの
助けによっていっそう水に溶解する。この水溶液を、そ
れからフッ素樹脂溶液と混合し、乳濁液、懸濁液または
スラリーを形成し、乾燥する。水性フルオロカーボン樹
脂−ポリアミド酸組成物を加熱すると、ポリマーブレン
ドアロイ中でポリアミド酸は対応するポリイミドに転換
される。
【００６０】その上に、その組成物は、ＳｉＯ2のよう
に粒子状または繊維状無機添加材を含有できる。無機添
加材および充填材の添加は有機組成物の熱膨張率を下
げ、低い誘電率および高い穴あけ速度を与える。添加
材、例えばＳｉＯ2が光学吸光性有機物質、例えばポリ
イミドと共に存在するとき、無機添加材および光学吸収
性有機物質の総量は、全組成物の約５〜約５０重量％で
ある。
に粒子状または繊維状無機添加材を含有できる。無機添
加材および充填材の添加は有機組成物の熱膨張率を下
げ、低い誘電率および高い穴あけ速度を与える。添加
材、例えばＳｉＯ2が光学吸光性有機物質、例えばポリ
イミドと共に存在するとき、無機添加材および光学吸収
性有機物質の総量は、全組成物の約５〜約５０重量％で
ある。
【００６１】ＳｉＯ2の特に望ましい形状の一つは、ミ
クロンオーダーの大きさの粒径を持つ合成不定形ヒュー
ムドシリカ、すなわち約０.１〜１０ミクロン、特に約
０.５〜５ミクロンの粒径をもつ実質的に球状の粒子で
ある。代わりになるべきものとしては、ＳｉＯ2無機添
加材は、ミクロンオーダーの大きさの粒径を持つ沈殿Ｓ
iＯ2、すなわち約０.１〜１０ミクロン、特に約０.５〜
５ミクロンの粒径を持つ実質的に球状の粒子であり得
る。
クロンオーダーの大きさの粒径を持つ合成不定形ヒュー
ムドシリカ、すなわち約０.１〜１０ミクロン、特に約
０.５〜５ミクロンの粒径をもつ実質的に球状の粒子で
ある。代わりになるべきものとしては、ＳｉＯ2無機添
加材は、ミクロンオーダーの大きさの粒径を持つ沈殿Ｓ
iＯ2、すなわち約０.１〜１０ミクロン、特に約０.５〜
５ミクロンの粒径を持つ実質的に球状の粒子であり得
る。
【００６２】シリカを含有する組成物の一つは、６ｇの
水酸化アンモニウムを１５０ｇの脱イオン水に添加する
ことによって調製した。６０ｇのＰＱ社“Ａ１０８”
(ＴＭ)、約３.５ミクロンの平均粒径をもつヒュームド
シリカを、水酸化アンモニウム水溶液に添加した。１２
０ｇの１２.５ミクロン“Upilex Ｒ"(R)ポリイミド粉末
を水酸化アンモニウム−シリカ水溶液に添加しながら、
これを１０００rpmで撹拌した。撹拌を続けながら、１
ｇの“Silane Ａ−１１００”(TM）および５ｇの“Trit
on−Ｘ"(TM）界面活性剤をその組成物に添加した。
水酸化アンモニウムを１５０ｇの脱イオン水に添加する
ことによって調製した。６０ｇのＰＱ社“Ａ１０８”
(ＴＭ)、約３.５ミクロンの平均粒径をもつヒュームド
シリカを、水酸化アンモニウム水溶液に添加した。１２
０ｇの１２.５ミクロン“Upilex Ｒ"(R)ポリイミド粉末
を水酸化アンモニウム−シリカ水溶液に添加しながら、
これを１０００rpmで撹拌した。撹拌を続けながら、１
ｇの“Silane Ａ−１１００”(TM）および５ｇの“Trit
on−Ｘ"(TM）界面活性剤をその組成物に添加した。
【００６３】その後、１０分間５０００rpmで撹拌し続
けた。撹拌速度を１０００rpmに下げ、そして４０２ｇ
のデュポン“３０Ｂ"(TM）ポリテトラフルオロエチレン
分散液をその組成物に添加した。生じた組成物を、それ
から線を巻いた棒によって基体の上に塗布した。２ミル
の厚さの塗膜が得られた。その物質は優れたエキシマレ
ーザー機械加工性を示した。
けた。撹拌速度を１０００rpmに下げ、そして４０２ｇ
のデュポン“３０Ｂ"(TM）ポリテトラフルオロエチレン
分散液をその組成物に添加した。生じた組成物を、それ
から線を巻いた棒によって基体の上に塗布した。２ミル
の厚さの塗膜が得られた。その物質は優れたエキシマレ
ーザー機械加工性を示した。
【００６４】特定の処方および操作段階を説明し記述し
たが、そのような説明および記述は例示のためのもので
ありこれに限定するものではないこと、およびそれらの
すべての同等物が本発明の範囲内に含まれることを理解
すべきである。
たが、そのような説明および記述は例示のためのもので
ありこれに限定するものではないこと、およびそれらの
すべての同等物が本発明の範囲内に含まれることを理解
すべきである。
【００６５】本発明をそれのある特定の好ましい実施態
様および典型的な具体例に関して述べたが、本発明はそ
れによって限定されるものではなく、添付した特許請求
の範囲によってだけ定義されるものである。
様および典型的な具体例に関して述べたが、本発明はそ
れによって限定されるものではなく、添付した特許請求
の範囲によってだけ定義されるものである。
本発明のマイクロエレクトロニックパッケージおよびそ
のコアの具体的な詳細を図に示す。
のコアの具体的な詳細を図に示す。
【図１】多層マイクロエレクトロニック回路パッケージ
の部分切取分解図。
の部分切取分解図。
１ 電子パッケージモジュール １１ 誘電体コア ２１ 表面回路形成体 ３１ 集積回路チップ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｋ 1/03 Ｄ 7011−4Ｅ 3/00 Ｎ 6921−4Ｅ (72)発明者 ステイーブン・レスリー・ブツクウオール ター アメリカ合衆国ニユーヨーク州12590．ウ オツピンガーズフオールズ．キヤデイレイ ン９ (72)発明者 チヤールズ・ロバート・デイビス アメリカ合衆国ニユーヨーク州13760．エ ンデイコツト．ヒルアベニユー940 (72)発明者 リーサ・ジヤニーン・ヒマーレス アメリカ合衆国ニユーヨーク州13827．オ ウイーゴ．アイボリーガーデンアパートメ ント シー−６ (72)発明者 アシト・アービンド・メータ アメリカ合衆国ニユーヨーク州13850．ベ スタル．コルゲイトストリート509 (72)発明者 ユージーン・ローマン・スカルビンコ アメリカ合衆国ニユーヨーク州13905．ビ ンガムトン．ジヤイルズストリート４
Claims (92)
- 【請求項１】 紫外線に対し実質的に透明なペルフルオ
ロカーボン重合体の主要量と熱的に安定な、紫外線吸収
性の第二の重合体の有効量とを含む、紫外レーザー放射
線によるレーザー加工性を有する重合体組成物。 - 【請求項２】 ペルフルオロカーボン重合体がポリテト
ラフルオロエチレン、ポリヘキサフルオロプロピレン、
ポリ（ペルフルオロアルキルビニルエーテル）、並びに
そのインターポリマーおよび共重合体よりなる群から選
ばれる請求項１記載の重合体組成物。 - 【請求項３】 紫外線吸収性の第二の重合体がポリイミ
ドである請求項１記載の重合体組成物。 - 【請求項４】 ポリイミドがジアミンとカルボン酸二無
水物の重合体反応生成物よりなる群から選ばれる請求項
３記載の重合体組成物。 - 【請求項５】 ポリイミドが３,３′,４,４′−ビフェ
ニルテトラカルボン酸無水物とｐ−フェニレンジアミン
の重合体反応生成物である請求項４記載の重合体組成
物。 - 【請求項６】 実質的に連続的なポリフルオロカーボン
相中に分散されたポリイミド相を含む請求項３記載の重
合体組成物。 - 【請求項７】 分散されたポリイミド相が微粒子状のポ
リイミドを含む請求項６記載の重合体組成物。 - 【請求項８】 微粒子状のポリイミドが約１０〜１００
ミクロンの質量平均粒径を有する請求項７記載の重合体
組成物。 - 【請求項９】 ポリフルオロカーボンとポリイミドの重
合体ブレンドを含む請求項３記載の重合体組成物。 - 【請求項１０】 分散された微粒子状充填材を更に含む
請求項１記載の重合体組成物。 - 【請求項１１】 分散された微粒子状充填材がミクロン
スケールの微粒子状充填材である請求項１０記載の重合
体組成物。 - 【請求項１２】 分散された微粒子状充填材がＳｉＯ2
を含む請求項１０記載の重合体組成物。 - 【請求項１３】 ポリテトラフルオロエチレン、ポリヘ
キサフルオロプロピレン、ポリ（ペルフルオロアルキル
ビニルエーテル）、並びにそのインターポリマーおよび
共重合体よりなる群から選ばれる、紫外線に対し実質的
に透明なペルフルオロカーボン重合体の主要量と、ジア
ミンとカルボン酸二無水物の反応生成物よりなる群から
選ばれる熱的に安定な、紫外線吸収性ポリイミドの有効
量とを含む、紫外波長におけるレーザー加工性を有す
る、重合体組成物。 - 【請求項１４】 ポリイミドが３,３′,４,４′−ビフ
ェニルテトラカルボン酸無水物とｐ−フェニレンジアミ
ンの重合体反応生成物である請求項１３記載の重合体組
成物。 - 【請求項１５】 実質的に連続的なポリフルオロカーボ
ン相中に分散されたポリイミド相を含む請求項１３記載
の重合体組成物。 - 【請求項１６】 分散されたポリイミド相が微粒子状ポ
リイミドを含む請求項１５記載の重合体組成物。 - 【請求項１７】 粒子状ポリイミドが約１０〜１００ミ
クロンの質量平均粒径を有する請求項１６記載の重合体
組成物。 - 【請求項１８】 ポリフルオロカーボンとポリイミドの
重合体を含む請求項１３記載の重合体組成物。 - 【請求項１９】 分散された無機微粒子状充填材を更に
含む請求項１３記載の重合体組成物。 - 【請求項２０】 紫外線に常態では実質的に透明で、ポ
リテトラフルオロエチレン、ポリヘキサフルオロプロピ
レン、ポリ（ペルフルオロアルキルビニルエーテル）、
並びにそのインターポリマーおよび共重合体よりなる群
から選ばれる実質的に連続的な相のペルフルオロカーボ
ン重合体の主要量とジアミンとカルボン酸二無水物の反
応生成物よりなる群から選ばれる、分散された微粒子相
の熱的に安定な、紫外線吸収性のポリイミドの有効量と
を含む紫外レーザー波長においてレーザー加工性を有す
る、重合体組成物。 - 【請求項２１】 ポリイミドが３,３′,４,４′−ビフ
ェニルテトラカルボン酸無水物とｐ−フェニレンジアミ
ンの重合体反応生成物である請求項２０記載の重合体組
成物。 - 【請求項２２】 微粒子状ポリイミドが約１０〜１００
ミクロンの質量平均粒径を有する請求項２０記載の重合
体組成物。 - 【請求項２３】 分散された、微粒子状無機充填材を更
に含む請求項２０記載の重合体組成物。 - 【請求項２４】 紫外線に常態では実質的に透明で、ポ
リテトラフルオロエチレン、ポリヘキサフルオロプロピ
レン、ポリ（ペルフルオロアルキルビニルエーテル）、
並びにそのインターポリマーおよび共重合体よりなる群
から選ばれるペルフルオロカーボン重合体の主要量と、
ジアミンとカルボン酸二無水物の反応生成物よりなる群
から選ばれる有効量の熱的に安定な、紫外線吸収性のポ
リイミドの重合体とを含む紫外レーザー波長においてレ
ーザー加工性を有する、重合体組成物。 - 【請求項２５】 ポリイミドが３,３′,４,４′−ビフ
ェニルテトラカルボン酸無水物とｐ−フェニレンジアミ
ンの重合体反応生成物である請求項２４記載の重合体組
成物。 - 【請求項２６】 分散された無機微粒子状充填材を更に
含む請求項２４記載の重合体組成物。 - 【請求項２７】 紫外線に実質的に透明なペルフルオロ
カーボン重合体の主要量と熱的に安定な、紫外線吸収性
の第二の重合体の有効量とを含む紫外放射線波長におい
てレーザー加工性を有する重合体組成物の誘電コアを形
成すること、誘導コアの表面に電気回路を形成すること
および紫外放射レーザーで誘電コアを切除して誘電コア
にバイアまたは貫通孔を形成することからなる工程を含
むマイクロエレクトロニックパッケージを製造する方
法。 - 【請求項２８】 紫外放射レーザーが３０８ナノメータ
の放射線を放射するエキシマレーザーである請求項２７
記載の方法。 - 【請求項２９】 ペルフルオロカーボン重合体がポリテ
トラフルオロエチレン、ポリヘキサフルオロプロピレ
ン、ポリ（ペルフルオロアルキルビニルエーテル）、並
びにそのインターポリマーおよび共重合体よりなる群か
ら選ばれる請求項２７記載の方法。 - 【請求項３０】 第二の重合体がポリイミドである請求
項２７記載の方法。 - 【請求項３１】 ポリイミドがジアミンとカルボン酸二
無水物の重合体反応生成物よりなる群から選ばれる請求
項３０記載の方法。 - 【請求項３２】 ポリイミドが３,３′,４,４′−ビフ
ェニルテトラカルボン酸無水物とｐ−フェニレンジアミ
ンの重合体反応生成物である請求項３１記載の方法。 - 【請求項３３】 重合体組成物が実質的に連続的なポリ
フルオロカーボン相中に分散されたポリイミド相を含む
請求項３０記載の方法。 - 【請求項３４】 分散されたポリイミド相が微粒子状ポ
リイミドを含む請求項３３記載の方法。 - 【請求項３５】 微粒子状ポリイミドが約１０〜１００
ミクロンの質量平均粒径を有する請求項３４記載の方
法。 - 【請求項３６】 重合体組成物がポリフルオロカーボン
とポリイミドの重合体ブレンドを含む請求項３０記載の
方法。 - 【請求項３７】 重合体組成物が分散された微粒子状無
機充填材を更に含む請求項２７記載の方法。 - 【請求項３８】 ポリテトラフルオロエチレン、ポリヘ
キサフルオロプロピレン、ポリ（ペルフルオロアルキル
ビニルエーテル）、並びにそのインターポリマーおよび
共重合体よりなる群から選ばれる、紫外線に実質的に透
明な大部分のペルフルオロカーボン重合体の主要量と、
ジアミンとカルボン酸二無水物の反応生成物よりなる群
から選ばれる熱的に安定な、紫外線吸収性ポリイミドの
有効量を含む、紫外放射線波長においてレーザー加工性
を有する重合体組成物の誘電コアを形成すること、この
誘電コアの表面に電気回路を形成することおよび紫外放
射レーザーでこの誘電コアをレーザー切除して誘電コア
中にバイアまたは貫通孔を形成することからなる工程を
含むマイクロエレクトロニックパッケージを製造する方
法。 - 【請求項３９】 レーザーが３０８ナノメータの放射線
を放射するエキシマレーザーである請求項３８記載の方
法。 - 【請求項４０】 ポリイミドが３,３′,４,４′−ビフ
ェニルテトラカルボン酸二無水物とｐ−フェニレンジア
ミンの重合体反応生成物である請求項３８記載の方法。 - 【請求項４１】 重合体組成物が実質的に連続的なポリ
フルオロカーボン相中に分散されたポリイミド相を含む
請求項３８記載の方法。 - 【請求項４２】 分散されたポリイミド相が微粒子状ポ
リイミドを含む請求項４１記載の方法。 - 【請求項４３】 微粒子状ポリイミドが約１０〜１００
ミクロンの質量平均粒径を有する請求項４２記載の方
法。 - 【請求項４４】 重合体組成物がポリフルオロカーボン
とポリイミドの重合体ブレンドを含む請求項３８記載の
方法。 - 【請求項４５】 重合体組成物が分散された、微粒子状
無機充填材を更に含む請求項３８記載の方法。 - 【請求項４６】 ポリテトラフルオロエチレン、ポリヘ
キサフルオロプロピレン、ポリ（ペルフルオロアルキル
ビニルエーテル）、並びにそのインターポリマーおよび
共重合体よりなる群から選ばれる、実質的に紫外線に対
して透明な、ペルフルオロカーボン重合体の主要量と、
ジアミンとカルボン酸二無水物の反応生成物よりなる群
から選ばれる、分散された微粒子相の熱的に安定な紫外
線吸収性のポリイミドの有効量とを含む、紫外放射線波
長においてレーザー加工性を有する重合体組成物の誘電
コアを形成すること、この誘電コアの表面に電気回路を
形成すること、および紫外放射レーザーでこの誘電コア
をレーザー切除して誘電コアにバイアまたは貫通孔を形
成することからなる工程を含むマイクロエレクトロニッ
クパッケージを製造する方法。 - 【請求項４７】 紫外放射レーザーが３０８ナノメータ
の放射線を放射するエキシマレーザーである請求項４６
記載の方法。 - 【請求項４８】 ポリイミドが３,３′,４,４′−ビフ
ェニルテトラカルボン酸無水物とｐ−フェニレンジアミ
ンの重合体反応生成物である請求項４６記載の方法。 - 【請求項４９】 微粒子状ポリイミドが約１０〜１００
ミクロンの質量平均粒径を有する請求項４６記載の方
法。 - 【請求項５０】 重合体組成物が分散された無機、微粒
子状充填材を更に含む請求項４６記載の方法。 - 【請求項５１】 ポリテトラフルオロエチレン、ポリヘ
キサフルオロプロピレン、ポリ（ペルフルオロアルキル
ビニルエーテル）、並びにそのインターポリマーおよび
共重合体よりなる群から選ばれる、紫外線に実質的に透
明な、ペルフルオロカーボン重合体の主要量と、ジアミ
ンとカルボン酸二無水物の反応生成物よりなる群から選
ばれる、熱的に安定な、紫外線吸収性ポリイミドの有効
量とを含む紫外放射線波長においてレーザー加工性を有
する重合体組成物の誘電コアを形成すること、この誘電
コアの表面に電気回路を形成することおよび紫外放射レ
ーザーでこの誘電コアをレーザー切除して誘電コア中に
バイアまたは貫通孔を形成することからなる工程を含む
マイクロエレクトロニックパッケージを製造する方法。 - 【請求項５２】 紫外放射レーザーが３０８ナノメータ
の放射線を放射するエキシマレーザーである請求項５１
記載の方法。 - 【請求項５３】 ポリイミドが３,３′,４,４′−ビフ
ェニルテトラカルボン酸無水物とｐ−フェニレンジアミ
ンの重合体反応生成物である請求項５２記載の方法。 - 【請求項５４】 重合体組成物中に分散された無機微粒
子状充填材を与えることを含む請求項５１記載の方法。 - 【請求項５５】 分散媒質中にフルオロカーボン重合体
とポリイミドを含むディスパージョンを形成すること、
および分散媒質を除去してフィルムを形成することから
なる工程を含む紫外線吸収性フルオロカーボン重合体系
誘電体を形成する方法。 - 【請求項５６】 フルオロカーボン重合体がポリテトラ
フルオロエチレン、ポリヘキサフルオロプロピレン、ポ
リ（ペルフルオロアルキルビニルエーテル）、並びにそ
のインターポリマーおよび共重合体よりなる群から選ば
れる請求項５５記載の方法。 - 【請求項５７】 ポリイミドが液体ポリアミド酸である
請求項５５記載の方法。 - 【請求項５８】 液体ポリアミド酸がカルボン酸二無水
物とジアミンのポリアミド酸反応生成物よりなる群から
選ばれる請求項５７記載の方法。 - 【請求項５９】 カルボン酸二無水物が３,３′,４,
４′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物である請求
項５８記載の方法。 - 【請求項６０】 ジアミンがｐ−フェニレンジアミン、
オキシジアニリンおよびその組合せよりなる群から選ば
れる請求項５８記載の方法。 - 【請求項６１】 ポリイミドがカルボン酸二無水物とジ
アミンの固体重合体反応生成物よりなる群から選ばれる
請求項５５記載の方法。 - 【請求項６２】 カルボン酸二無水物が３,３′,４,
４′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物である請求
項６１記載の方法。 - 【請求項６３】 ジアミンがｐ−フェニレンジアミン、
オキシジアニリンおよびその組合せよりなる群から選ば
れる請求項６１記載の方法。 - 【請求項６４】 分散媒質が水性分散媒質である請求項
５５記載の方法。 - 【請求項６５】 分散媒質が界面活性剤を更に含む請求
項６４記載の方法。 - 【請求項６６】 フルオロカーボン重合体系誘電体中に
分散された無機、微粒子状充填材を配合することを含む
請求項５５記載の方法。 - 【請求項６７】 分散媒質中にフルオロカーボン重合体
とポリアミド酸を含むディスパージョンを形成するこ
と、および分散媒質から除去して乾燥フィルムを形成す
ることからなる工程を含む紫外線吸収性フルオロカーボ
ン重合体系誘電体を形成する方法。 - 【請求項６８】 フルオロカーボン重合体がポリテトラ
フルオロエチレン、ポリヘキサフルオロプロピレン、ポ
リ（ペルフルオロアルキルビニルエーテル）、並びにそ
のインターポリマーおよび共重合体よりなる群から選ば
れる請求項６７記載の方法。 - 【請求項６９】 ポリアミド酸がカルボン酸二無水物と
ジアミンの反応生成物よりなる群から選ばれる請求項６
７記載の方法。 - 【請求項７０】 カルボン酸二無水物が３,３′,４,
４′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物である請求
項６９記載の方法。 - 【請求項７１】 ジアミンがｐ−フェニレンジアミン、
オキシジアニリンおよびその組合せよりなる群から選ば
れる請求項６７記載の方法。 - 【請求項７２】 分散媒質が水性分散媒質である請求項
６７記載の方法。 - 【請求項７３】 分散媒質が界面活性剤を更に含む請求
項７２記載の方法。 - 【請求項７４】 重合体フッ素樹脂中に分散された無
機、微粒子状充填材を配合することを含む請求項６７記
載の方法。 - 【請求項７５】 分散媒質中にフルオロカーボン重合体
と微粒子状固体ポリイミドを含むディスパージョンを形
成させること、および分散媒質を除去して乾燥フィルム
を形成することからなる工程を含む紫外線吸収性のフル
オロカーボン重合体系誘電体を形成する方法。 - 【請求項７６】 フルオロカーボン重合体がポリテトラ
フルオロエチレン、ポリヘキサフルオロプロピレン、ポ
リ（ペルフルオロアルキルビニルエーテル）、並びにそ
のインターポリマーおよび共重合体よりなる群から選ば
れる請求項７５記載の方法。 - 【請求項７７】 ポリイミドがカルボン酸二無水物とジ
アミンの重合体反応生成物よりなる群から選ばれる請求
項７５記載の方法。 - 【請求項７８】 カルボン酸二無水物が３,３′,４,
４′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物である請求
項７７記載の方法。 - 【請求項７９】 ジアミンがｐ−フェニレンジアミン、
オキシジアニリンおよびその組合せよりなる群から選ば
れる請求項７７記載の方法。 - 【請求項８０】 分散媒質が水性分散媒質である請求項
７５記載の方法。 - 【請求項８１】 分散媒質が界面活性剤を更に含む請求
項８０記載の方法。 - 【請求項８２】 重合体フルオロカーボン中に分散され
た無機、微粒子状充填材を配合することを含む請求項７
５記載の方法。 - 【請求項８３】 その間に誘電体層を持つ少なくとも２
層の電気回路形成層からなり、前記誘電体層が重合体ペ
ルフルオロカーボンの主要量と紫外線吸収量のポリイミ
ドとからなるマイクロエレクトロニック回路パッケー
ジ。 - 【請求項８４】 フルオロカーボン重合体がポリテトラ
フルオロエチレン、ポリヘキサフルオロプロピレン、ポ
リ（ペルフルオロアルキルビニルエーテル）、並びにそ
のインターポリマーおよび狭義および広義の共重合体よ
りなる群から選ばれる請求項８３記載のマイクロエレク
トロニック回路パッケージ。 - 【請求項８５】 ポリイミドがカルボン酸二無水物とジ
アミンの重合体反応生成物よりなる群から選ばれる請求
項８３記載のマイクロエレクトロニック回路パッケー
ジ。 - 【請求項８６】 誘電体層が分散された、ミクロンスケ
ールのＳｉＯ2充填材を更に含む請求項８３記載のマイ
クロエレクトロニック回路パッケージ。 - 【請求項８７】 紫外線に対して実質的に透明で、ポリ
テトラフルオロエチレン、ポリヘキサフルオロプロピレ
ン、ポリ（ペルフルオロアルキルビニルエーテル）、並
びにそのインターポリマーおよび共重合体よりなる群か
ら選ばれるペルフルオロカーボン重合体の主要量と、オ
キシジアニリンとピロメリト酸二無水物の反応生成物で
ある、有効量の熱的に安定な紫外線吸収性ポリイミドと
を含む紫外レーザー放射線によるレーザー加工性を有す
る重合体組成物。 - 【請求項８８】 前記組成物が重合体ブレンドアロイで
ある請求項８７記載の重合体組成物。 - 【請求項８９】 紫外線に対して実質的に透明なペルフ
ルオロカーボン重合体の主要量と、ピロメリット酸二無
水物とオキシジアニリンの重合体反応生成物である、紫
外線吸収に対してのポリイミドの有効量とを含む紫外放
射線波長においてレーザー加工性を有する重合体組成物
の誘電体コアを形成すること、この誘電体コアの表面に
電気回路を形成することおよび紫外放射レーザーでこの
誘電体コアをレーザー切除して誘電体コアにバイアまた
は貫通孔を形成することからなる工程を含むマイクロエ
レクトロニックパッケージを製造する方法。 - 【請求項９０】 ペルフルオロカーボン重合体の全体に
ポリイミドのポリアミド酸前駆体を分散させることを含
む請求項８９記載の方法。 - 【請求項９１】 紫外線に常態で実質的に透明で、ポリ
テトラフルオロエチレン、ポリヘキサフルオロプロピレ
ン、ポリ（ペルフルオロアルキルビニルエーテル）、並
びにそのインターポリマーおよび共重合体よりなる群か
ら選ばれる、実質的に連続的な相のペルフルオロカーボ
ン重合体の主要量と、ピロメリット酸二無水物とオキシ
ジアニリンの反応生成物である、分散された微粒子相の
熱的に安定な紫外線を吸収する量のポリイミドの有効量
を含む紫外レーザー波長においてレーザー加工性を有す
る重合体組成物。 - 【請求項９２】 ポリテトラフルオロエチレン、ポリヘ
キサフルオロプロピレン、ポリ（ペルフルオロアルキル
ビニルエーテル）、並びにそのインターポリマーおよび
共重合体よりなる群から選ばれ、紫外線に対して実質的
に透明なペルフルオロカーボン重合体の主要量と、ピロ
メリット酸二無水物とオキシジアニリンの反応生成物で
ある、熱安定性で紫外線吸収性ポリイミドの有効量とを
含む紫外レーザー波長においてレーザー加工性を有する
重合体組成物の誘電体コアを形成すること、この誘電体
コアの表面に電気回路を形成すること、および紫外放射
レーザーでこの誘電体コアをレーザー切除して誘電体コ
アにバイアまたは貫通孔を形成することからなる工程を
含むマイクロエレクトロニックパッケージを製造する方
法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US62714290A | 1990-12-13 | 1990-12-13 | |
| US627142 | 1990-12-13 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0613495A true JPH0613495A (ja) | 1994-01-21 |
Family
ID=24513363
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25563591A Pending JPH0613495A (ja) | 1990-12-13 | 1991-10-03 | 電子回路パッケージのためのレーザー加工性で、低熱膨張率、低誘電率のコア材料、そのコア材料および電子回路パッケージの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0613495A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004175983A (ja) * | 2002-11-28 | 2004-06-24 | Mitsubishi Plastics Ind Ltd | 剥離性フィルム |
| US7495046B2 (en) | 2001-12-17 | 2009-02-24 | Daikin Industries, Ltd. | Crosslinkable elastomer composition and formed product comprising the same |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61281152A (ja) * | 1985-06-07 | 1986-12-11 | Hitachi Ltd | 樹脂組成物 |
| US4915981A (en) * | 1988-08-12 | 1990-04-10 | Rogers Corporation | Method of laser drilling fluoropolymer materials |
| JPH02286742A (ja) * | 1989-04-04 | 1990-11-26 | Stamicarbon Bv | 耐衝撃性のポリアミド４，６成形品及びその製法 |
| JPH03239389A (ja) * | 1990-02-16 | 1991-10-24 | Japan Gore Tex Inc | プリント回路基板 |
-
1991
- 1991-10-03 JP JP25563591A patent/JPH0613495A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61281152A (ja) * | 1985-06-07 | 1986-12-11 | Hitachi Ltd | 樹脂組成物 |
| US4915981A (en) * | 1988-08-12 | 1990-04-10 | Rogers Corporation | Method of laser drilling fluoropolymer materials |
| JPH02286742A (ja) * | 1989-04-04 | 1990-11-26 | Stamicarbon Bv | 耐衝撃性のポリアミド４，６成形品及びその製法 |
| JPH03239389A (ja) * | 1990-02-16 | 1991-10-24 | Japan Gore Tex Inc | プリント回路基板 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7495046B2 (en) | 2001-12-17 | 2009-02-24 | Daikin Industries, Ltd. | Crosslinkable elastomer composition and formed product comprising the same |
| US8173727B2 (en) | 2001-12-17 | 2012-05-08 | Daikin Industries, Ltd. | Crosslinkable elastomer composition and molded article using the same |
| JP2004175983A (ja) * | 2002-11-28 | 2004-06-24 | Mitsubishi Plastics Ind Ltd | 剥離性フィルム |
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