JPH065759A - 半導体デバイスの製造方法 - Google Patents
半導体デバイスの製造方法Info
- Publication number
- JPH065759A JPH065759A JP18997992A JP18997992A JPH065759A JP H065759 A JPH065759 A JP H065759A JP 18997992 A JP18997992 A JP 18997992A JP 18997992 A JP18997992 A JP 18997992A JP H065759 A JPH065759 A JP H065759A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- lead
- lead part
- resin
- cutting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Bending Of Plates, Rods, And Pipes (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 リード部が変形することなく、しかも搬送ミ
スが生じないようにする。 【構成】 樹脂封止工程（Ｓ1 ）の後にリードフレーム
を完全には切断することなくリード部の折曲加工等の後
工程（Ｓ5 ）を施し、最終工程（Ｓ9 ）においてリード
部を完全に切断するようにした。
スが生じないようにする。 【構成】 樹脂封止工程（Ｓ1 ）の後にリードフレーム
を完全には切断することなくリード部の折曲加工等の後
工程（Ｓ5 ）を施し、最終工程（Ｓ9 ）においてリード
部を完全に切断するようにした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体デバイスの製造
方法、特に樹脂封止工程より後の工程に関する。
方法、特に樹脂封止工程より後の工程に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体デバイスの製造方法につい
て図８及び図９を参照ししつ説明する。従来の半導体デ
バイスの製造方法では、半導体チップ等をリードフレー
ム100にボンディングするボンド工程（図８のＳ1 参
照）、前記半導体チップ等を樹脂封止する樹脂封止工程
（図８のＳ2 参照）の後にリード部110 のめっき（図８
のＳ3 参照）、リード部110 の折曲加工及び切断加工を
同時に行い（図８のＳ4 参照）、その後個々の製品とな
った半導体デバイスに対して電気特性の検査（図８のＳ
5 参照）、マーク印字（図８のＳ6 参照）や外観検査工
程（図８のＳ7 参照）等を行っている。これらの全工程
を終了したものは製品として出荷用の梱包が施される
（図８のＳ8 参照）。
て図８及び図９を参照ししつ説明する。従来の半導体デ
バイスの製造方法では、半導体チップ等をリードフレー
ム100にボンディングするボンド工程（図８のＳ1 参
照）、前記半導体チップ等を樹脂封止する樹脂封止工程
（図８のＳ2 参照）の後にリード部110 のめっき（図８
のＳ3 参照）、リード部110 の折曲加工及び切断加工を
同時に行い（図８のＳ4 参照）、その後個々の製品とな
った半導体デバイスに対して電気特性の検査（図８のＳ
5 参照）、マーク印字（図８のＳ6 参照）や外観検査工
程（図８のＳ7 参照）等を行っている。これらの全工程
を終了したものは製品として出荷用の梱包が施される
（図８のＳ8 参照）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような従来の半導体デバイスの製造方法には以下のよ
うな問題点がある。すなわち、半導体デバイスが個々の
製品となっているために、リード部110 も独立してお
り、図９（Ａ）に示すように、このため半導体デバイス
の検査工程等においてリード部110 が変形することがあ
る。また、製造装置内では、半導体デバイスの搬送にお
いて樹脂封止部200 を搬送面とすることが多いので、搬
送姿勢が安定せず、リード部110 の変形を招くことがあ
る。特に、小型の半導体デバイスにこの傾向が強い。さ
らに、樹脂封止部200 に樹脂バリが発生していると、搬
送ミスを生じやすい。半導体デバイス、特にフォトカプ
ラでは、複数の製品を１つの樹脂封止部200 で封止した
後、図９（Ｂ）に破線で示す部分において樹脂封止部20
0 を切断して個々の製品とすることが多いので、切断に
よって樹脂封止部200 に角部ができ、これに起因した搬
送ミスが生じやすい。
たような従来の半導体デバイスの製造方法には以下のよ
うな問題点がある。すなわち、半導体デバイスが個々の
製品となっているために、リード部110 も独立してお
り、図９（Ａ）に示すように、このため半導体デバイス
の検査工程等においてリード部110 が変形することがあ
る。また、製造装置内では、半導体デバイスの搬送にお
いて樹脂封止部200 を搬送面とすることが多いので、搬
送姿勢が安定せず、リード部110 の変形を招くことがあ
る。特に、小型の半導体デバイスにこの傾向が強い。さ
らに、樹脂封止部200 に樹脂バリが発生していると、搬
送ミスを生じやすい。半導体デバイス、特にフォトカプ
ラでは、複数の製品を１つの樹脂封止部200 で封止した
後、図９（Ｂ）に破線で示す部分において樹脂封止部20
0 を切断して個々の製品とすることが多いので、切断に
よって樹脂封止部200 に角部ができ、これに起因した搬
送ミスが生じやすい。
【０００４】本発明は上記事情に鑑みて創案されたもの
で、リード部が変形することなく、しかも搬送ミスが生
じにくい半導体デバイスの製造方法を提供することを目
的としている。
で、リード部が変形することなく、しかも搬送ミスが生
じにくい半導体デバイスの製造方法を提供することを目
的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体デバ
イスの製造方法は、樹脂封止工程の後にリードフレーム
を完全には切断することなくリード部の折曲加工等の後
工程を施し、最終工程においてリード部を完全に切断す
るようになっている。
イスの製造方法は、樹脂封止工程の後にリードフレーム
を完全には切断することなくリード部の折曲加工等の後
工程を施し、最終工程においてリード部を完全に切断す
るようになっている。
【０００６】
【実施例】図１は本発明の一実施例に係る半導体デバイ
スの製造方法のフローチャート、図２は樹脂封止工程を
完了した後の半導体デバイスの斜視図、図３は絶縁耐圧
検査の説明図、図４は折曲加工／一部切断加工工程を完
了した後の半導体デバイスの斜視図、図５は電気特性検
査の説明図、図６は樹脂部カット工程を経た半導体デバ
イスの側面図、図７はこの半導体デバイスの製造方法の
途中における半導体デバイスの搬送状態を示す斜視図で
ある。なお、この実施例では半導体デバイスとしてフォ
トカプラを例に挙げる。
スの製造方法のフローチャート、図２は樹脂封止工程を
完了した後の半導体デバイスの斜視図、図３は絶縁耐圧
検査の説明図、図４は折曲加工／一部切断加工工程を完
了した後の半導体デバイスの斜視図、図５は電気特性検
査の説明図、図６は樹脂部カット工程を経た半導体デバ
イスの側面図、図７はこの半導体デバイスの製造方法の
途中における半導体デバイスの搬送状態を示す斜視図で
ある。なお、この実施例では半導体デバイスとしてフォ
トカプラを例に挙げる。
【０００７】まず、リードフレーム100 のアイランド部
にＬＥＤ等の発光素子とフォトトランジスタ等の受光素
子とを対向させるようにボンディングする（図１のＳ1
参照）。そして、当該アイランド部を樹脂で封止する
（図１のＳ2 参照）。この樹脂封止工程後を完了したも
のは、図２に示すようになっている。
にＬＥＤ等の発光素子とフォトトランジスタ等の受光素
子とを対向させるようにボンディングする（図１のＳ1
参照）。そして、当該アイランド部を樹脂で封止する
（図１のＳ2 参照）。この樹脂封止工程後を完了したも
のは、図２に示すようになっている。
【０００８】樹脂封止工程からめっき工程への搬送は、
図７（Ａ）に示すように、溝付きガイドレール300 で行
われる。この際、樹脂封止部200 の両サイドから突出し
たリード部110 とこれを連結するクレードル部120 とが
搬送面として用いられる。めっき工程では、前記リード
部110 に対してめっきが施される（図１のＳ3 参照）。
図７（Ａ）に示すように、溝付きガイドレール300 で行
われる。この際、樹脂封止部200 の両サイドから突出し
たリード部110 とこれを連結するクレードル部120 とが
搬送面として用いられる。めっき工程では、前記リード
部110 に対してめっきが施される（図１のＳ3 参照）。
【０００９】次に、めっきが施された半導体デバイスに
対して絶縁耐圧検査が行われる（図1 のＳ4 参照) 。こ
の絶縁耐圧検査は、図３に示すように、ガイドレール40
0 の両サイドからはみ出したリード部110 を一対のテス
トソケット600 で挟持することによって行われる。な
お、半導体デバイスは、ガイドレール400 から浮かない
ように上面から押圧具610 によって押さえつけられてい
る。
対して絶縁耐圧検査が行われる（図1 のＳ4 参照) 。こ
の絶縁耐圧検査は、図３に示すように、ガイドレール40
0 の両サイドからはみ出したリード部110 を一対のテス
トソケット600 で挟持することによって行われる。な
お、半導体デバイスは、ガイドレール400 から浮かない
ように上面から押圧具610 によって押さえつけられてい
る。
【００１０】絶縁耐圧検査が完了した半導体デバイス
は、リード部110 を折曲する折曲工程と、リード部110
の一部を切断する一部切断工程へと搬送される（図１の
Ｓ5 参照）。この両工程は、同時に施される。ここで、
一部切断工程では、リード部110 のすべてを切断するの
ではなく１つおきに切断する。なぜならば、この半導体
デバイスはフォトカプラであるので、電気特性を検査す
る際にすべてのリード部110 がクレードル部120 に接続
されていると電気特性の検査が行えないためである。
は、リード部110 を折曲する折曲工程と、リード部110
の一部を切断する一部切断工程へと搬送される（図１の
Ｓ5 参照）。この両工程は、同時に施される。ここで、
一部切断工程では、リード部110 のすべてを切断するの
ではなく１つおきに切断する。なぜならば、この半導体
デバイスはフォトカプラであるので、電気特性を検査す
る際にすべてのリード部110 がクレードル部120 に接続
されていると電気特性の検査が行えないためである。
【００１１】この折曲加工／一部切断加工工程を完了し
た半導体デバイスは、図４に示すようになっており、ガ
イドレール400 を跨ぐようにして電気特性検査工程（図
１のＳ6 参照）へと搬送される（図７（Ｂ）参照）。
た半導体デバイスは、図４に示すようになっており、ガ
イドレール400 を跨ぐようにして電気特性検査工程（図
１のＳ6 参照）へと搬送される（図７（Ｂ）参照）。
【００１２】電気特性検査工程では、図５に示すよう
に、ガイドレール400 を跨いだ状態にある半導体デバイ
スの左右両サイドから、テスター520 に接続された複数
のコンタクトプローブ510 がリード部110 に接触して行
われる。なお、コンタクトプローブ510 は、一対のブロ
ック500 に設けられており、当該ブロック500 が半導体
デバイスに対して接近することによってリード部110 に
接触するようになっている。
に、ガイドレール400 を跨いだ状態にある半導体デバイ
スの左右両サイドから、テスター520 に接続された複数
のコンタクトプローブ510 がリード部110 に接触して行
われる。なお、コンタクトプローブ510 は、一対のブロ
ック500 に設けられており、当該ブロック500 が半導体
デバイスに対して接近することによってリード部110 に
接触するようになっている。
【００１３】電気特性の検査が完了した半導体デバイス
は、製品毎のマークを印字するマーク印字工程 (図１の
Ｓ7 参照) を経て樹脂部カット工程へと搬送される。こ
の樹脂部カット工程では、図６に示すように、樹脂封止
部200 をカットする (図１のＳ8 参照) 。しかし、この
樹脂部カット工程では、リード部110 のうち半分はクレ
ードル部120 につながったままであるので、個々の製品
にまではならない。
は、製品毎のマークを印字するマーク印字工程 (図１の
Ｓ7 参照) を経て樹脂部カット工程へと搬送される。こ
の樹脂部カット工程では、図６に示すように、樹脂封止
部200 をカットする (図１のＳ8 参照) 。しかし、この
樹脂部カット工程では、リード部110 のうち半分はクレ
ードル部120 につながったままであるので、個々の製品
にまではならない。
【００１４】次に、半導体デバイスは、最終リードカッ
ト工程へと搬送される。この最終リードカット工程で
は、クレードル部120 に繋がったままのリード部110 を
切断し、各リード部110 を完全に独立させるのである
(図１のＳ9 参照) 。この後、樹脂封止部200 を切断し
て個々の製品たるフォトカプラとし、梱包出荷工程へと
搬送される (図１のＳ10参照) 。
ト工程へと搬送される。この最終リードカット工程で
は、クレードル部120 に繋がったままのリード部110 を
切断し、各リード部110 を完全に独立させるのである
(図１のＳ9 参照) 。この後、樹脂封止部200 を切断し
て個々の製品たるフォトカプラとし、梱包出荷工程へと
搬送される (図１のＳ10参照) 。
【００１５】
【発明の効果】本発明に係る半導体デバイスの製造方法
は、樹脂封止工程の後にリードフレームを完全には切断
することなくリード部の折曲加工等の後工程を施し、最
終工程においてリード部を完全に切断するようにしたの
で、搬送姿勢の不安定に起因するリード部の変形が発生
せず、しかも搬送ミスが生じにくい。さらに、リード部
の変形が発生しないので、半導体デバイスの外観検査工
程を省略することができ、全体として半導体デバイスの
製造装置の稼動状態の向上をもたらすことができる。
は、樹脂封止工程の後にリードフレームを完全には切断
することなくリード部の折曲加工等の後工程を施し、最
終工程においてリード部を完全に切断するようにしたの
で、搬送姿勢の不安定に起因するリード部の変形が発生
せず、しかも搬送ミスが生じにくい。さらに、リード部
の変形が発生しないので、半導体デバイスの外観検査工
程を省略することができ、全体として半導体デバイスの
製造装置の稼動状態の向上をもたらすことができる。
【図１】本発明の一実施例に係る半導体デバイスの製造
方法のフローチャートである。
方法のフローチャートである。
【図２】樹脂封止工程を完了した後の半導体デバイスの
斜視図である。
斜視図である。
【図３】絶縁耐圧検査の説明図である。
【図４】折曲加工／一部切断加工工程を完了した後の半
導体デバイスの斜視図である。
導体デバイスの斜視図である。
【図５】電気特性検査の説明図である。
【図６】樹脂部カット工程を経た半導体デバイスの側面
図である。
図である。
【図７】この半導体デバイスの製造方法の途中における
半導体デバイスの搬送状態を示す斜視図である。
半導体デバイスの搬送状態を示す斜視図である。
【図８】従来の半導体デバイスの製造方法のフローチャ
ートである。
ートである。
【図９】従来の半導体デバイスの製造方法の問題点を示
す斜視図である。
す斜視図である。
100 リードフレーム 110 リード部 120 クレードル部 200 樹脂封止部
Claims (1)
- 【請求項１】 樹脂封止工程の後にリードフレームを完
全には切断することなくリード部の折曲加工等の後工程
を施し、最終工程においてリード部を完全に切断するこ
とを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18997992A JPH065759A (ja) | 1992-06-23 | 1992-06-23 | 半導体デバイスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18997992A JPH065759A (ja) | 1992-06-23 | 1992-06-23 | 半導体デバイスの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH065759A true JPH065759A (ja) | 1994-01-14 |
Family
ID=16250379
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18997992A Pending JPH065759A (ja) | 1992-06-23 | 1992-06-23 | 半導体デバイスの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH065759A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009238958A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 端子切断一体型電気検査装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55103753A (en) * | 1979-02-05 | 1980-08-08 | Hitachi Ltd | Electronic component |
| JPS59145549A (ja) * | 1983-02-09 | 1984-08-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品 |
| JPS59202652A (ja) * | 1983-04-30 | 1984-11-16 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH03293744A (ja) * | 1990-04-11 | 1991-12-25 | Nec Corp | 半導体素子の製造方法 |
-
1992
- 1992-06-23 JP JP18997992A patent/JPH065759A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55103753A (en) * | 1979-02-05 | 1980-08-08 | Hitachi Ltd | Electronic component |
| JPS59145549A (ja) * | 1983-02-09 | 1984-08-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品 |
| JPS59202652A (ja) * | 1983-04-30 | 1984-11-16 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH03293744A (ja) * | 1990-04-11 | 1991-12-25 | Nec Corp | 半導体素子の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009238958A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 端子切断一体型電気検査装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2995264B2 (ja) | 半導体パッケージ用印刷回路基板ストリップ及びこの基板ストリップの不良印刷回路基板ユニット表示方法 | |
| KR101995888B1 (ko) | 리드 프레임 자동 검사 시스템 | |
| JPH065759A (ja) | 半導体デバイスの製造方法 | |
| JP2003031595A (ja) | 半導体パッケージの製造方法および半導体パッケージ | |
| US5585281A (en) | Process and apparatus for forming and testing semiconductor package leads | |
| JPH11111650A (ja) | 半導体装置の製造方法、半導体装置およびその製造方法に用いる治具 | |
| JPH1098060A (ja) | 電子部品の製造方法及びその電子部品の検査方法 | |
| JP2713510B2 (ja) | 電子部品の製造方法 | |
| JP2001196528A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2634286B2 (ja) | 半導体装置の電気特性検査用ハンドラ装置 | |
| JP2002237560A (ja) | 電子部品のリード電極切断装置 | |
| JPH0621299A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP3057390B2 (ja) | 電子部品の製造方法 | |
| JP2795267B2 (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
| JP2937632B2 (ja) | 電子部品の製造方法 | |
| JP2002156411A (ja) | 半導体装置用キャリアテープ及びそれを用いた測定方法 | |
| JPH0497537A (ja) | 半導体装置の実装方法 | |
| KR940006188Y1 (ko) | 반도체 장치용 리드 프레임 | |
| JPH09232352A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0618612A (ja) | 半導体検査方法 | |
| JPH0330345A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH02291159A (ja) | 半導体集積回路装置およびその検査方法 | |
| JPH10256462A (ja) | リードフレームと合紙の積層装置 | |
| JPH05312901A (ja) | Ｉｃのテスト方法 | |
| JPH09113576A (ja) | 小型素子の電気特性検査方法及び装置 |