JPH0637090A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0637090A JPH0637090A JP19238892A JP19238892A JPH0637090A JP H0637090 A JPH0637090 A JP H0637090A JP 19238892 A JP19238892 A JP 19238892A JP 19238892 A JP19238892 A JP 19238892A JP H0637090 A JPH0637090 A JP H0637090A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ２層以上の金属配線を有する半導体装置の製
造方法に関し、金属配線層の下地となる層間絶縁層の表
面をより完全に平坦化することのできる半導体装置の製
造方法を提供することを目的とする。 【構成】 半導体基板上に金属配線層を形成する工程
と、前記金属配線層上に絶縁層を形成する工程と、前記
絶縁層上にレジストまたは他の有機物の平坦化層を塗布
する工程と、前記平坦化層をキュアリングする工程と、
前記平坦化層上にレジストまたは他の有機物の他の平坦
化層を塗布する工程と、前記他の平坦化層をキュアリン
グする工程と、前記複数の平坦化層と前記絶縁層の一部
をエッチバックする工程とを含む。
造方法に関し、金属配線層の下地となる層間絶縁層の表
面をより完全に平坦化することのできる半導体装置の製
造方法を提供することを目的とする。 【構成】 半導体基板上に金属配線層を形成する工程
と、前記金属配線層上に絶縁層を形成する工程と、前記
絶縁層上にレジストまたは他の有機物の平坦化層を塗布
する工程と、前記平坦化層をキュアリングする工程と、
前記平坦化層上にレジストまたは他の有機物の他の平坦
化層を塗布する工程と、前記他の平坦化層をキュアリン
グする工程と、前記複数の平坦化層と前記絶縁層の一部
をエッチバックする工程とを含む。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に関し、特に２層以上の金属配線層を有する半導体装置
の製造方法に関する。
に関し、特に２層以上の金属配線層を有する半導体装置
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の集積度の向上と共に、多層
配線が採用されている。配線層の材料としては、抵抗の
低いアルミニウム等の金属が好ましいが、層間絶縁層の
形成に高温処理を必要とすると、金属の採用は難しい。
配線が採用されている。配線層の材料としては、抵抗の
低いアルミニウム等の金属が好ましいが、層間絶縁層の
形成に高温処理を必要とすると、金属の採用は難しい。
【０００３】比較的低温で形成できる絶縁層として、Ｔ
ＥＯＳ（テトラエトキシオルソシラン）を用いたシリコ
ン酸化物層が採用されるようになった。このような低温
で形成できる絶縁層を用いることにより、金属配線層を
２層以上形成することも可能となった。
ＥＯＳ（テトラエトキシオルソシラン）を用いたシリコ
ン酸化物層が採用されるようになった。このような低温
で形成できる絶縁層を用いることにより、金属配線層を
２層以上形成することも可能となった。
【０００４】たとえば、下層配線層としては、多結晶シ
リコンやシリサイドを用い、上層配線層としてアルミニ
ウムを用いて多層配線層を形成する。金属配線層を形成
する場合、金属配線層は下地表面の凹凸を強調してしま
う。したがって、１層目の金属配線層を形成した後、層
間絶縁層を形成すると、１層目金属配線層の凹凸が層間
絶縁層にも伝わり、その表面は凹凸を有するものとなっ
てしまう。
リコンやシリサイドを用い、上層配線層としてアルミニ
ウムを用いて多層配線層を形成する。金属配線層を形成
する場合、金属配線層は下地表面の凹凸を強調してしま
う。したがって、１層目の金属配線層を形成した後、層
間絶縁層を形成すると、１層目金属配線層の凹凸が層間
絶縁層にも伝わり、その表面は凹凸を有するものとなっ
てしまう。
【０００５】このような凹凸を有する層間絶縁層上に、
さらに金属配線層を形成すると、２層目以降の金属配線
層の断線等の事故が生じやすい。したがって、１層目金
属配線層を形成した後の層間絶縁層に対しては、平坦化
処理を行なうことが望ましい。
さらに金属配線層を形成すると、２層目以降の金属配線
層の断線等の事故が生じやすい。したがって、１層目金
属配線層を形成した後の層間絶縁層に対しては、平坦化
処理を行なうことが望ましい。
【０００６】図２に従来の技術による多層金属配線層の
製造プロセスを示す。図２（Ａ）に示すように、シリコ
ン（Ｓｉ）基板１の表面部分に、半導体素子を形成す
る。図の構成においては、ｐ型Ｓｉ基板１の表面に、ｎ
+ 型ソース／ドレイン領域２ａ、２ｂが形成されてい
る。
製造プロセスを示す。図２（Ａ）に示すように、シリコ
ン（Ｓｉ）基板１の表面部分に、半導体素子を形成す
る。図の構成においては、ｐ型Ｓｉ基板１の表面に、ｎ
+ 型ソース／ドレイン領域２ａ、２ｂが形成されてい
る。
【０００７】ソース／ドレイン領域２ａ、２ｂに挟まれ
たチャネル領域上にゲート絶縁膜をＳｉＯ2 等で形成
し、その上に多結晶シリコン等で形成されたゲート電極
３を形成する。
たチャネル領域上にゲート絶縁膜をＳｉＯ2 等で形成
し、その上に多結晶シリコン等で形成されたゲート電極
３を形成する。
【０００８】その後、ＰＳＧ（ホスホシリケートガラ
ス）等の層間絶縁層５を形成する。なお、必要に応じて
多結晶シリコン配線層を２層以上形成してもよい。多結
晶シリコン層間の絶縁は、多結晶シリコン層表面の酸化
や、酸化シリコン層の堆積等によって行なう。
ス）等の層間絶縁層５を形成する。なお、必要に応じて
多結晶シリコン配線層を２層以上形成してもよい。多結
晶シリコン層間の絶縁は、多結晶シリコン層表面の酸化
や、酸化シリコン層の堆積等によって行なう。
【０００９】以下、層間絶縁層５の上に、２層の金属配
線層を形成する場合を説明する。まず、ソース／ドレイ
ン領域２ａ、２ｂを露出するように、層間絶縁層５に開
口６ａ、６ｂを形成する。開口６ａ、６ｂを形成した
後、層間絶縁層５上にアルミニウム等の金属配線層７を
形成する。
線層を形成する場合を説明する。まず、ソース／ドレイ
ン領域２ａ、２ｂを露出するように、層間絶縁層５に開
口６ａ、６ｂを形成する。開口６ａ、６ｂを形成した
後、層間絶縁層５上にアルミニウム等の金属配線層７を
形成する。
【００１０】この金属配線層は、たとえば電子ビーム
（ＥＢ）蒸着やスパッタリング等の物理的堆積によって
行なう。このため、金属配線層７表面には、下地の層間
絶縁層５の凹凸をさらに強調したような凹凸が形成され
る。図示の構成においては、開口６ａ、６ｂ上に凹凸８
ａ、８ｂが形成されている。金属配線層７をパターニン
グすると、パターン端部にも凹凸８ｃが形成される。
（ＥＢ）蒸着やスパッタリング等の物理的堆積によって
行なう。このため、金属配線層７表面には、下地の層間
絶縁層５の凹凸をさらに強調したような凹凸が形成され
る。図示の構成においては、開口６ａ、６ｂ上に凹凸８
ａ、８ｂが形成されている。金属配線層７をパターニン
グすると、パターン端部にも凹凸８ｃが形成される。
【００１１】金属配線層７上に、ＴＥＯＳ（テトラエト
キシオルソシラン）のＣＶＤ（化学気相堆積）により、
低温酸化物層１１を堆積する。低温酸化物層１１表面に
は、下地の凹凸を反映した凹凸１２が形成される。
キシオルソシラン）のＣＶＤ（化学気相堆積）により、
低温酸化物層１１を堆積する。低温酸化物層１１表面に
は、下地の凹凸を反映した凹凸１２が形成される。
【００１２】低温酸化物層１１表面の凹凸を平坦化する
ため、低温酸化物層１１表面にレジスト層１３をスピン
塗布する。スピン塗布によってレジスト層１３の表面は
かなり平坦化させるが、下地の凹凸１２部分において
は、若干の凹凸が残る。
ため、低温酸化物層１１表面にレジスト層１３をスピン
塗布する。スピン塗布によってレジスト層１３の表面は
かなり平坦化させるが、下地の凹凸１２部分において
は、若干の凹凸が残る。
【００１３】次に、図２（Ｂ）に示すように、レジスト
層１３と低温酸化物層１１をＣＦ4、ＣＨＦ3 等のフレ
オン系ガスと酸素ガスを混合したエッチングガス等を用
い、プラズマを用いたドライエッチングによりエッチバ
ックする。このエッチバック工程は、レジスト層１３お
よび低温酸化物層１１をほぼ均等にエッチングすること
ができる。
層１３と低温酸化物層１１をＣＦ4、ＣＨＦ3 等のフレ
オン系ガスと酸素ガスを混合したエッチングガス等を用
い、プラズマを用いたドライエッチングによりエッチバ
ックする。このエッチバック工程は、レジスト層１３お
よび低温酸化物層１１をほぼ均等にエッチングすること
ができる。
【００１４】所定厚さの低温酸化物層１１ｐを残してエ
ッチバックを停止した状態が図２（Ｂ）である。下地表
面と比較すると、大幅に平坦化された表面が得られてい
る。しかしながら、レジスト層１３表面に存在した凹凸
１４が若干低温酸化物層１１ｐにも残されている。
ッチバックを停止した状態が図２（Ｂ）である。下地表
面と比較すると、大幅に平坦化された表面が得られてい
る。しかしながら、レジスト層１３表面に存在した凹凸
１４が若干低温酸化物層１１ｐにも残されている。
【００１５】図２（Ｃ）に示すように、平坦化した表面
を有する低温酸化物層１１ｂ表面に、２層目の金属配線
層１５をアルミニウム等によって形成する。低温酸化物
層１１ｐの表面に、凹凸１４が存在するため、２層目の
金属配線層１５表面には強調された凹凸１６が形成され
る。このような金属配線層の凹凸は、金属配線層の断線
の原因となるため、できるだけ防止することが望まれ
る。
を有する低温酸化物層１１ｂ表面に、２層目の金属配線
層１５をアルミニウム等によって形成する。低温酸化物
層１１ｐの表面に、凹凸１４が存在するため、２層目の
金属配線層１５表面には強調された凹凸１６が形成され
る。このような金属配線層の凹凸は、金属配線層の断線
の原因となるため、できるだけ防止することが望まれ
る。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】以上説明したように、
従来の技術による層間絶縁層表面の平坦化によれば、下
地表面の凹凸はかなり緩和されるが、完全に平坦化する
ことは極めて難しい。このため、２層目以降の金属配線
層の断線等の事故の危険性が残る。
従来の技術による層間絶縁層表面の平坦化によれば、下
地表面の凹凸はかなり緩和されるが、完全に平坦化する
ことは極めて難しい。このため、２層目以降の金属配線
層の断線等の事故の危険性が残る。
【００１７】本発明の目的は、金属配線層の下地となる
層間絶縁層の表面をより完全に平坦化することのできる
半導体装置の製造方法を提供することである。
層間絶縁層の表面をより完全に平坦化することのできる
半導体装置の製造方法を提供することである。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造方法は、半導体基板上に金属配線層を形成する工程
と、前記金属配線層上に絶縁層を形成する工程と、前記
絶縁層上にレジストまたは他の有機物の平坦化層を塗布
する工程と、前記平坦化層をキュアリングする工程と、
前記平坦化層上にレジストまたは他の有機物の他の平坦
化層を塗布する工程と、前記他の平坦化層をキュアリン
グする工程と、前記複数の平坦化層と前記絶縁層の一部
をエッチバックする工程とを含む。
造方法は、半導体基板上に金属配線層を形成する工程
と、前記金属配線層上に絶縁層を形成する工程と、前記
絶縁層上にレジストまたは他の有機物の平坦化層を塗布
する工程と、前記平坦化層をキュアリングする工程と、
前記平坦化層上にレジストまたは他の有機物の他の平坦
化層を塗布する工程と、前記他の平坦化層をキュアリン
グする工程と、前記複数の平坦化層と前記絶縁層の一部
をエッチバックする工程とを含む。
【００１９】
【作用】絶縁層上に平坦化層を塗布し、キュアリングし
た後、この平坦化層上にさらに他の平坦化層を塗布し、
キュアリングすることにより、単一の平坦化処理と較
べ、表面はより平坦化される。このように、平坦化層表
面を平坦化した後、エッチバックを行なうことにより、
より完全に平坦化された表面を有する層間絶縁層が得ら
れる。
た後、この平坦化層上にさらに他の平坦化層を塗布し、
キュアリングすることにより、単一の平坦化処理と較
べ、表面はより平坦化される。このように、平坦化層表
面を平坦化した後、エッチバックを行なうことにより、
より完全に平坦化された表面を有する層間絶縁層が得ら
れる。
【００２０】
【実施例】図１に、本発明の実施例による半導体装置の
製造方法の主要工程を示す。ｐ型シリコンで形成された
Ｓｉ基板１表面部分に、ｎ+ 型ソース／ドレイン領域２
ａ、２ｂ等を形成し、ソース／ドレイン領域２ａ、２ｂ
間のチャネル領域上に、ゲート絶縁膜を介して多結晶シ
リコン等のゲート電極３を形成する。
製造方法の主要工程を示す。ｐ型シリコンで形成された
Ｓｉ基板１表面部分に、ｎ+ 型ソース／ドレイン領域２
ａ、２ｂ等を形成し、ソース／ドレイン領域２ａ、２ｂ
間のチャネル領域上に、ゲート絶縁膜を介して多結晶シ
リコン等のゲート電極３を形成する。
【００２１】また、必要に応じてゲート電極３上に熱酸
化、シリコン酸化物堆積等により絶縁層を形成し、多層
多結晶シリコン配線層を形成する。なお、多結晶シリコ
ンに代えてシリサイド等を用いることもできる。
化、シリコン酸化物堆積等により絶縁層を形成し、多層
多結晶シリコン配線層を形成する。なお、多結晶シリコ
ンに代えてシリサイド等を用いることもできる。
【００２２】ゲート電極３を覆って、ＰＳＧ（ホスホシ
リケートガラス）等の層間絶縁層５を形成する。層間絶
縁層５にホトリソグラフィにより開口６ａ、６ｂを形成
し、ソース／ドレイン領域２ａ、２ｂの表面を露出す
る。
リケートガラス）等の層間絶縁層５を形成する。層間絶
縁層５にホトリソグラフィにより開口６ａ、６ｂを形成
し、ソース／ドレイン領域２ａ、２ｂの表面を露出す
る。
【００２３】層間絶縁層５の上に、アルミニウム等の金
属配線層７をスパッタリング、ＥＢ蒸着等によって形成
する。金属配線層７表面には、下地表面の凹凸を反映し
た凹凸８ａ、８ｂが形成される。また、金属配線層７を
パターニングすることにより、金属配線層端部にも凹凸
８ｃが形成される。
属配線層７をスパッタリング、ＥＢ蒸着等によって形成
する。金属配線層７表面には、下地表面の凹凸を反映し
た凹凸８ａ、８ｂが形成される。また、金属配線層７を
パターニングすることにより、金属配線層端部にも凹凸
８ｃが形成される。
【００２４】金属配線層７を覆って、ＴＥＯＳ、ＰＳＧ
等のＣＶＤにより、低温酸化物層１１を形成する。低温
酸化物層１１は、比較的低温で形成されるため、下地で
ある金属配線層７の性能を維持することができる。
等のＣＶＤにより、低温酸化物層１１を形成する。低温
酸化物層１１は、比較的低温で形成されるため、下地で
ある金属配線層７の性能を維持することができる。
【００２５】低温酸化物層１１表面には、下地の凹凸８
ａ、８ｂ、８ｃを反映した凹凸１２ａ、１２ｂ、１２ｃ
が形成される。低温酸化物層１１表面に、ネガレジスト
からなるレジスト層１３をスピン塗布する。
ａ、８ｂ、８ｃを反映した凹凸１２ａ、１２ｂ、１２ｃ
が形成される。低温酸化物層１１表面に、ネガレジスト
からなるレジスト層１３をスピン塗布する。
【００２６】続いて、Ｓｉ基板１を１２０〜１５０℃に
加熱し、レジスト層１３をキュアリングする。このよう
にして形成されたレジスト層１３表面は、下地の表面と
比較すると、かなり平坦化されるが、下地の凹凸を反映
した凹凸１４ａ、１４ｂ、１４ｃが若干形成される。
加熱し、レジスト層１３をキュアリングする。このよう
にして形成されたレジスト層１３表面は、下地の表面と
比較すると、かなり平坦化されるが、下地の凹凸を反映
した凹凸１４ａ、１４ｂ、１４ｃが若干形成される。
【００２７】次に、図１（Ｂ）に示すように、レジスト
層１３表面にネガレジストからなる他のレジスト層１８
をスピン塗布する。続いて、Ｓｉ基板１を１２０〜１５
０℃に加熱し、他のレジスト層１８をキュアリングす
る。初めに形成したレジスト層１３表面の凹凸１４は、
さらに平坦化され、他のレジスト層１８の表面１６はほ
ぼ平坦化される。
層１３表面にネガレジストからなる他のレジスト層１８
をスピン塗布する。続いて、Ｓｉ基板１を１２０〜１５
０℃に加熱し、他のレジスト層１８をキュアリングす
る。初めに形成したレジスト層１３表面の凹凸１４は、
さらに平坦化され、他のレジスト層１８の表面１６はほ
ぼ平坦化される。
【００２８】このようにして、レジスト層１８の表面を
平坦化した後、ＣＦ4 、ＣＨＦ3 等のフレオン系ガスと
酸素ガスの混合ガスをエッチングガスとして用い、プラ
ズマエッチングにより、レジスト層１８、１３および低
温酸化物層１１の一部をエッチバックする。
平坦化した後、ＣＦ4 、ＣＨＦ3 等のフレオン系ガスと
酸素ガスの混合ガスをエッチングガスとして用い、プラ
ズマエッチングにより、レジスト層１８、１３および低
温酸化物層１１の一部をエッチバックする。
【００２９】レジスト層１８の表面が平坦化されている
ため、エッチバックされた表面はほぼ平坦な形状とな
る。所望厚さの低温酸化物層１１ａを残してエッチバッ
クを停止すると、低温酸化物層１１ａの表面はほぼ完全
に平坦になる。
ため、エッチバックされた表面はほぼ平坦な形状とな
る。所望厚さの低温酸化物層１１ａを残してエッチバッ
クを停止すると、低温酸化物層１１ａの表面はほぼ完全
に平坦になる。
【００３０】図１（Ｃ）に示すように、平坦な表面を有
する低温酸化物層１１ａ上に、２層目の金属配線層１５
をアルミニウム等のスパッタリング、ＥＢ蒸着等によっ
て形成すると、その表面は平坦になる。
する低温酸化物層１１ａ上に、２層目の金属配線層１５
をアルミニウム等のスパッタリング、ＥＢ蒸着等によっ
て形成すると、その表面は平坦になる。
【００３１】その後、金属配線層１５を所望形状にパタ
ーニングする。下地表面が平坦化されているため、２層
目金属配線層１５の表面も平坦となり、その後の使用に
おいても断線等は生じにくい。
ーニングする。下地表面が平坦化されているため、２層
目金属配線層１５の表面も平坦となり、その後の使用に
おいても断線等は生じにくい。
【００３２】このように、金属配線層の下地絶縁層の表
面を平坦化することにより、金属配線層の断線等の事故
が低減でき、半導体装置の信頼性を向上することができ
る。以上説明した実施例によれば、ネガレジストからな
る２層のレジスト層を形成することによって、表面を平
坦化したが、同一種類のレジストを用いると、後から形
成したレジスト層が先に形成したレジストと混合する可
能性がある。
面を平坦化することにより、金属配線層の断線等の事故
が低減でき、半導体装置の信頼性を向上することができ
る。以上説明した実施例によれば、ネガレジストからな
る２層のレジスト層を形成することによって、表面を平
坦化したが、同一種類のレジストを用いると、後から形
成したレジスト層が先に形成したレジストと混合する可
能性がある。
【００３３】したがって、より好ましくは、１層目のレ
ジスト層１３と２層目のレジスト層１８の種類を変更す
る。たとえば、１層目のレジスト層１３を前述の実施例
同様、ネガレジストで形成し、２層目のレジスト層１８
やポジレジストで形成する。ポジレジストを用いた時
は、超高圧水銀ランプから発する紫外線による紫外線キ
ュアリングを行なうことが好ましい。
ジスト層１３と２層目のレジスト層１８の種類を変更す
る。たとえば、１層目のレジスト層１３を前述の実施例
同様、ネガレジストで形成し、２層目のレジスト層１８
やポジレジストで形成する。ポジレジストを用いた時
は、超高圧水銀ランプから発する紫外線による紫外線キ
ュアリングを行なうことが好ましい。
【００３４】また、第１のレジスト層１３としてポジレ
ジストを用い、第２のレジスト層１８としてネガレジス
トを用いることもできる。また、レジスト以外にもポリ
イミド等の塗布型有機物を用いて平坦化層を形成するこ
ともできる。
ジストを用い、第２のレジスト層１８としてネガレジス
トを用いることもできる。また、レジスト以外にもポリ
イミド等の塗布型有機物を用いて平坦化層を形成するこ
ともできる。
【００３５】２層の平坦化層を積層する場合を説明した
が、３層以上の平坦化層を形成することも可能である。
この場合、隣接する平坦化層が同一種類とならないよう
にすることがより好ましい。
が、３層以上の平坦化層を形成することも可能である。
この場合、隣接する平坦化層が同一種類とならないよう
にすることがより好ましい。
【００３６】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明はこれらに制限されるものではない。たとえば、
金属配線層としてアルミニウム以外の金属を用いること
もできる。
本発明はこれらに制限されるものではない。たとえば、
金属配線層としてアルミニウム以外の金属を用いること
もできる。
【００３７】また、２層以上の金属配線層を有する半導
体装置であれば、上述の実施例の構造に限らず、種々の
構造を有する半導体装置に同様の金属配線層を形成する
ことができる。その他、種々の変更、改良、組み合わせ
等が可能なことは当業者に自明であろう。
体装置であれば、上述の実施例の構造に限らず、種々の
構造を有する半導体装置に同様の金属配線層を形成する
ことができる。その他、種々の変更、改良、組み合わせ
等が可能なことは当業者に自明であろう。
【００３８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
凹凸を有する絶縁層の表面をより完全に平坦化すること
ができるため、その上に形成する金属配線層の信頼性を
向上することができる。
凹凸を有する絶縁層の表面をより完全に平坦化すること
ができるため、その上に形成する金属配線層の信頼性を
向上することができる。
【図１】本発明の実施例による半導体装置の製造方法を
説明するための断面図である。
説明するための断面図である。
【図２】従来の技術による半導体装置の製造方法を説明
するための断面図である。
するための断面図である。
１ Ｓｉ基板 ２ ソース／ドレイン領域 ３ ゲート電極 ５ 層間絶縁層 ６ 開口 ７ （１層目）金属配線層 ８、１２、１４ 凹凸 １１ 低温酸化物層 １３、１８ レジスト層 １５ （２層目）金属配線層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大川 晴 宮城県黒川郡大和町松坂平１丁目６番地 富士フイルムマイクロデバイス株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体基板（１）上に金属配線層（７）
を形成する工程と、 前記金属配線層（７）上に絶縁層（１１）を形成する工
程と、 前記絶縁層（１１）上にレジストまたは他の有機物の平
坦化層（１３）を塗布する工程と、 前記平坦化層（１３）をキュアリングする工程と、 前記平坦化層（１３）上にレジストまたは他の有機物の
他の平坦化層（１８）を塗布する工程と、 前記他の平坦化層（１８）をキュアリングする工程と、 前記複数の平坦化層（１３）と前記絶縁層（１１）の一
部をエッチバックする工程とを含む半導体装置の製造方
法。 - 【請求項２】 前記平坦化層がネガレジストで形成さ
れ、前記キュアリングがベーキングである請求項１記載
の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記平坦化層がポジレジストで形成さ
れ、前記キュアリングが紫外線露光である請求項１記載
の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19238892A JPH0637090A (ja) | 1992-07-20 | 1992-07-20 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19238892A JPH0637090A (ja) | 1992-07-20 | 1992-07-20 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0637090A true JPH0637090A (ja) | 1994-02-10 |
Family
ID=16290475
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19238892A Withdrawn JPH0637090A (ja) | 1992-07-20 | 1992-07-20 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0637090A (ja) |
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