JPH0629794A - 半導体集積回路装置 - Google Patents

半導体集積回路装置

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JPH0629794A
JPH0629794A JP4181330A JP18133092A JPH0629794A JP H0629794 A JPH0629794 A JP H0629794A JP 4181330 A JP4181330 A JP 4181330A JP 18133092 A JP18133092 A JP 18133092A JP H0629794 A JPH0629794 A JP H0629794A
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stage
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mosfets
pad
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Makoto Miyazawa
誠 宮澤
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NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
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NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 機能選択回路のパッドに電源電位を印加した
場合に、電源端子と接地端子間に貫通電流が流れること
を防止する。 【構成】 機能選択回路の初段ゲートとしてのMOSF
ETQ4,Q5のゲートと接地電位との間に、容量素子C
1を設ける。これにより電源端子と接地端子の電流経路
を無くし、貫通電流が流れることを防止する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路装置に
関し、特に機能選択回路に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の機能選択回路は図3に示すよう
に、N型MOSFETQ31,Q33と、P型MOSFET
32と波形整形回路用MOSFETI31,I32とから構
成されている。ところで、機能選択回路で内部動作を切
換える場合には、図3に示す機能選択回路のパッドPに
電源電位を印加するか、又は、接地電位を印加すること
により行う。
【0003】未使用時は、パッドPをフローティングに
しておく。ただし、従来の機能選択回路は図3に示すよ
うに内部信号を固定するため、機能選択回路の初段ゲー
トとしてのMOSFETQ32,Q33を一定電位に固定す
るためのMOSFETQ31を有している。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】この従来の機能選択回
路は、パッドPのフローティング時、MOSFET
32,Q33のゲートのフローティング防止用として、M
OSFETQ31を使用している。このため、機能切替の
ため、パッドPに電源レベルを印加すると、機能選択回
路のMOSFETQ31を介して、電源端子と接地端子の
間に貫通電流Iが流れるという欠点があった。
【0005】尚、近年、製品の多機能化及び低消費電力
化が行われており、低消費型の回路を使用する必要があ
る。
【0006】本発明の目的は、機能選択回路のパッドに
電源レベルを印加しても、電源端子と接地端子の間に貫
通電流が流れない低消費型機能選択回路をもつ半導体集
積回路装置を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る半導体集積回路装置は、機能選択回路
を有する半導体集積回路装置であって、機能選択回路
は、組立時に機能選択を行うものであり、初段にMOS
FETを有し、初段のMOSFETは、ゲートと接地端
子との間に容量素子を有しており、容量素子は、初段の
MOSFETのゲート電位を設定するものである。
【0008】
【作用】パッドに電源電位を印加した場合に、電源端子
と接地端子間の貫通電流の流れを容量素子により阻止す
る。
【0009】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図により説明す
る。図1は、本発明の一実施例を示す回路図である。
【0010】図1において、機能選択回路の初段ゲート
としてのP型MOSFETQ4とN型MOSFETQ5
は、相補回路を構成している。MOSFETQ4とMO
SFETQ5との後段には、波形整形回路用MOSFE
TI1,I2とを接続している。また、MOSFETQ4
とQ5とのゲートと接地電位との間には、N型MOSF
ETQ3を接続している。また、N型MOSFETQ3
ベースは、MOSFETQ4,Q5との接続点に接続して
いる。
【0011】さらに、MOSFETQ4,Q5のゲートと
接地電位との間には、容量素子C1を接続している。
【0012】実施例において、パッドPがフローティン
グの状態で、電源を投入した場合、図2に示すようにパ
ッドPは容量素子C1があるため、電源投入と同時に
は、電源レベルにならない。それにより、MOSFET
4の電源とパッドPの電位差が、トランジスタQ4のV
T以上になった時点で、MOSFETQ4がONし、a点
が電源電位となり、MOSFETQ2がONし、パッド
Pが接地電位となり安定する。
【0013】また、パッドPに電源レベルを印加して
も、電源端子と接地端子の間に貫通電流が流れる経路は
存在しない。
【0014】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、パッドの
フローティング防止用MOSFETを容量素子に変える
ことにより、パッドに電源電位を印加しても、電源端子
と接地端子の間に貫通電流は流れない。従って、低消費
電力の半導体集積回路を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を示す回路図である。
【図2】図1に示した回路の電源投入時の各接点の電位
変化を示した図である。
【図3】従来の機能選択回路を示す回路図である。
【符号の説明】
1 容量素子 Q3,Q5,Q31,Q33 N型MOSFET Q4,Q32 P型MOSFET I1,I2,I31,I32 波形整形回路用MOSFET

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 機能選択回路を有する半導体集積回路装
    置であって、 機能選択回路は、組立時に機能選択を行うものであり、
    初段にMOSFETを有し、 初段のMOSFETは、ゲートと接地端子との間に容量
    素子を有しており、 容量素子は、初段のMOSFETのゲート電位を設定す
    るものであることを特徴とする半導体集積回路装置。
JP04181330A 1992-07-08 1992-07-08 半導体集積回路装置 Expired - Lifetime JP3105650B2 (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006008217A1 (de) * 2006-02-22 2007-08-23 Audi Ag Fahrzeugtüre

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE102006008217A1 (de) * 2006-02-22 2007-08-23 Audi Ag Fahrzeugtüre

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