JP3088202B2 - 半導体集積回路装置 - Google Patents

半導体集積回路装置

Info

Publication number
JP3088202B2
JP3088202B2 JP04202401A JP20240192A JP3088202B2 JP 3088202 B2 JP3088202 B2 JP 3088202B2 JP 04202401 A JP04202401 A JP 04202401A JP 20240192 A JP20240192 A JP 20240192A JP 3088202 B2 JP3088202 B2 JP 3088202B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
power supply
transistor
semiconductor integrated
integrated circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP04202401A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0653426A (ja
Inventor
秀明 上村
Original Assignee
日本電気アイシーマイコンシステム株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日本電気アイシーマイコンシステム株式会社 filed Critical 日本電気アイシーマイコンシステム株式会社
Priority to JP04202401A priority Critical patent/JP3088202B2/ja
Publication of JPH0653426A publication Critical patent/JPH0653426A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3088202B2 publication Critical patent/JP3088202B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路装置に
関し、特に機能選択回路に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の機能選択回路は図2に示すよう
に、N型MOSFET8と9とインバータ回路11と、
入力ゲート回路12とから構成されている。ところで、
機能選択回路で内部動作を切換える場合、図2に示すパ
ッド10に電源、又は接地電位を印加するか、パッド1
0をフローティングにしておくことにより切換えを行
う。ただし、従来の機能選択回路は図2に示すようにP
4,P5点の電位を固定させるためのMOSFET9を有
している。P4点は、MOSFET9により接地電位に
固定され、P5点は、インバータ回路11により電源電
位に固定される。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】従来の機能選択回路
は、パッド10のフローティング時にインバータ回路1
1のゲートフローティングを防止して電位を固定するた
めにMOSFET9を有している。しかし、機能選択の
ためにパッド10に電源電位を印加すると、MOSFE
T9を介して電源端子と接地端子の間に貫通電流Iが流
れるという欠点があった。この貫通電流Iは、低消費電
力化の妨げとなり、接地電位へ悪影響を与える。
【0004】本発明の目的は、機能選択回路のパッドに
電源電位を印加しても、電源端子から接地端子への貫通
電流が流れない低消費型機能選択回路を持つ半導体集積
回路装置を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る半導体集積回路は、入力パッドと入力
ゲート回路との間に、インバータ回路と前記インバータ
回路の入力と第1の電源との間にその電流路が接続され
その制御電極が前記インバータ回路の出力に接続された
第1のトランジスタとを備えた機能選択回路が接続され
ている半導体集積回路において、前記半導体集積回路の
電源投入時に所定期間前記電源を前記機能選択回路に電
気的に接続する手段を有するものである。また前記手段
は、前記電源と前記機能選択回路の出力との間にその電
流路が接続された第2のトランジスタと、前記第2のト
ランジスタの制御電極には前記電源の投入時にそのトラ
ンジスタをオン状態とし所定期間後にそのトランジスタ
をオフ状態とする制御回路とを備えているものである。
また前記第1のトランジスタはN型MOSFETであ
り、前記第2のトランジスタはN型デプレッションMO
SFETであり、前記制御回路は基板電位発生回路とそ
の出力に接続された遅延回路を有するものである。
【0006】
【作用】ディプレション型NMOSFET1により、機
能選択回路の初段インバータ4のゲート電位を固定す
る。1がオフ状態となった後は、入力ゲート回路7に対
して何等影響を与えることがない。この状態では、電源
端子と接地端子との間に貫通電流が流れなくなる。
【0007】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図により説明す
る。図1は、本発明の一実施例を示す回路図である。
【0008】図1において、N型MOSFET2は、パ
ッド3と接地電位との間に接続している。MOSFET
2のゲートには、入力ゲート回路7を接続し、そのゲー
トとパッド3との間にインバータ回路4を接続してい
る。
【0009】ディプレション型NMOSFET1は、ド
レイン電極が電源電位に接続しており、ソース電極が初
段インバータ回路4の出力側に接続しており、そのゲー
トに遅延回路6を介して基板電位発生回路5を接続して
いる。
【0010】ここに、インバータ回路4及び入力ゲート
回路7に対応してディプレション型NMOSFET1に
より形成される電位固定のためのトランジスタを構成し
ている。
【0011】パッド3がフローティング状態で電源を投
入した場合、図3のようにP3点は、半導体集積回路に
所定の電源電位が付与されたばかりの状態0Vから基板
電位発生回路5が動作状態となり、−2.5V〜3.0
Vの電位まで下降する。
【0012】上記の状態の場合、P3点が0Vの状態に
おいて、ディプレション型NMOSFET1は常時オン
の状態にあるため、電源端子からP2点へ電流が流れ、
2点の電位は徐々に上昇する。P2点の電位がMOSF
ET2のスレッショルド電圧を超えると、MOSFET
2がオン状態となり、P1点の電位を接地電位に引き落
す。
【0013】上記の動作を終えてからP3点がディプレ
ション型NMOSFET1のスレッショルド電圧を超え
オフ状態となるように遅延回路6でP3点の電圧がマイ
ナスに引かれだすまでの時間を遅らせる。
【0014】ディプレション型NMOSFET1がオフ
状態となった後は入力ゲート回路7に対して、何等の影
響も与えることがない。
【0015】又、図2の従来の電位固定用MOSFET
9を図1のディプレション型NMOSFET1にするこ
とにより、パッド3に電源電位を印加しても、ディプレ
ション型NMOSFET1がオフ状態となった後は、電
源端子と接地端子の間に貫通電流が流れる経路が存在し
なくなる。
【0016】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、パッドの
電位固定のためのMOSFETをディプレション型NM
OSFETに変えることにより、パッドに電源電位を印
加しても、電源端子と接地端子の間に貫通電流は流れな
い。従って、低消費電力の半導体集積回路を提供するこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を示す回路図である。
【図2】従来の機能選択回路を示す回路図である。
【図3】図1に示した回路の電源投入時の各接点の電位
変化を示した図である。
【符号の説明】 1 ディプレション型NMOSFET 2,8,9 N型MOSFET 3,10 パッド 4,11 インバータ回路 5 基板電位発生回路 6 遅延回路 7,12 入力ゲート回路

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 入力パッドと入力ゲート回路との間に
    インバータ回路と前記インバータ回路の入力と第1の電
    源との間にその電流路が接続されその制御電極が前記イ
    ンバータ回路の出力に接続された第1のトランジスタと
    を備えた機能選択回路が接続されている半導体集積回路
    において、 前記半導体集積回路の電源投入時に所定期間前記電源を
    前記機能選択回路に電気的に接続する手段を有すること
    を特徴とする半導体集積回路。
  2. 【請求項2】 前記手段は、前記電源と前記機能選択回
    路の出力との間にその電流路が接続された第2のトラン
    ジスタと、前記第2のトランジスタの制御電極には前記
    電源の投入時にそのトランジスタをオン状態とし所定期
    間後にそのトランジスタをオフ状態とする制御回路とを
    備えている請求項に記載の半導体集積回路。
  3. 【請求項3】 前記第1のトランジスタはN型MOSF
    ETであり、前記第2のトランジスタはN型デプレッシ
    ョンMOSFETであり、前記制御回路は基板電位発生
    回路とその出力に接続された遅延回路を有する請求項
    に記載の半導体集積回路。
JP04202401A 1992-07-29 1992-07-29 半導体集積回路装置 Expired - Fee Related JP3088202B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP04202401A JP3088202B2 (ja) 1992-07-29 1992-07-29 半導体集積回路装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP04202401A JP3088202B2 (ja) 1992-07-29 1992-07-29 半導体集積回路装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0653426A JPH0653426A (ja) 1994-02-25
JP3088202B2 true JP3088202B2 (ja) 2000-09-18

Family

ID=16456895

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP04202401A Expired - Fee Related JP3088202B2 (ja) 1992-07-29 1992-07-29 半導体集積回路装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3088202B2 (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0653426A (ja) 1994-02-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2616142B2 (ja) 出力回路
JPH08107601A (ja) 電動車両用電源装置
JPH10214487A (ja) 電力散逸制御を有する集積回路
US20020140466A1 (en) Output circuit of semiconductor circuit wtih power consumption reduced
JP3737240B2 (ja) 半導体集積回路装置
JP3088202B2 (ja) 半導体集積回路装置
JPH08293744A (ja) 半導体回路
JPH09130996A (ja) 電源切り換え回路
JP2864050B2 (ja) 電源切り換え回路
KR970063900A (ko) 기생 트랜지스터가 포함된 전력 mos 트랜지스터를 갖는 반도체 장치
JP2001345684A (ja) 出力回路
JP3540872B2 (ja) 起動回路
JPH0955470A (ja) 半導体回路及び半導体回路装置
JP2003051548A (ja) 半導体集積回路装置およびそれを用いた携帯端末
JP4048723B2 (ja) 太陽電池の充電回路とそれを搭載した半導体装置
JP3698040B2 (ja) 両極性レベルシフト回路
JP2607304B2 (ja) 半導体集積回路装置
JPH01268311A (ja) 出力回路
US6492721B1 (en) High-voltage signal detecting circuit
JPH0519876A (ja) 半導体集積回路装置
JPS5880564A (ja) 電圧検出回路
JP2594470Y2 (ja) 基準電圧発生回路
JPH0629794A (ja) 半導体集積回路装置
JPH06276699A (ja) 電源回路
JPH118939A (ja) 電源回路およびバッテリ制御装置

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees