JPH04117722A - プルダウン付入力回路 - Google Patents

プルダウン付入力回路

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JPH04117722A
JPH04117722A JP2236444A JP23644490A JPH04117722A JP H04117722 A JPH04117722 A JP H04117722A JP 2236444 A JP2236444 A JP 2236444A JP 23644490 A JP23644490 A JP 23644490A JP H04117722 A JPH04117722 A JP H04117722A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pull
mosfet
input circuit
power supply
depletion
Prior art date
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Pending
Application number
JP2236444A
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English (en)
Inventor
Masayuki Oshima
大嶋 正幸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、半導体集積回路におけるプルダウン付入力回
路に関する。
[従来の技術] 従来のプルダウン付入力回路のプルダウン用MOSFE
Tは、第2図に示されるようにエンハンスメント型MO
SFETであった。
[発明が解決しようとする課題] 従来のプルダウン付入力回路は前述したようにプルダウ
ン用MOSFETがエンハンスメント型M OS F 
E Tで形成されている為、電源電圧によりプルダウン
用MO3FETを流れる電流が変化するという問題点を
有する。
そこで本発明は従来のプルダウン付入力回路の問題点を
解決するもので、その目的とするところは、プルダウン
MOSFET′+流れる電流が1を源電圧に依存せず定
if流であるプルダウン付入力回路を提供するところに
ある。
1課題を解決するだめの手段] 本発明のプルダウン付入力回路は、 a)MOSFETを用いた半導体集積回路において、 b)入力回路と、 C)前記入力回路内に設けられたプルダウン用λ/l0
SFETとからなり、 d)前記プルダウン用MOS F ETがデプリーショ
ン型MOSFETであることを特徴とする。
[実 施 例] 本発明の第1の実施例として第1図にプルダウン付入力
回路の回路図を示す。
第1図において101は入力回路であり、103は入力
回路101の入力端子であり、104は入力回路101
の出力端子である。
102はデプリーションN型MOSFETであり、ソー
ス電極105とゲート電極106が■SSに接続し、ド
レイン電極107が入力端子103に接続してプルダウ
ン回路を形成している。
ここでデプリーションN型MOSFETのゲート電極1
06がVssに接続している為、ソース電極105とド
レイン電極107の間の電位差が、デプリーションN型
MO5FE7106のスレッショルド電圧以上になると
ソース・トレイン間を流れる電流は電tp電圧に依存せ
ず一定となる。
このように第1図のようなプルダウン用M O5FET
にデプリーションN型M OS F E Tを用いる構
成により、プルタウン用MOSFETを流れる電流が電
源電圧に依存せず一定であるプルダウン付入力回路を作
成することが出来る。
[発明の効果] 以上述べたように、本発明によればプルダウン用M O
S F E Tをデプリーション型MOSFETにする
ことにより、プルダウン用λ40SFETを流れる電流
が電源電圧に依存せず一定であるプルダウン付入力回路
を得られるという効果がある。
また、プルダウン用MOSFETのゲート電極の電位が
ソース電極の電源と同一であるため、パターンのレイア
ウトが容易で配線面積を縮小できるという効果もある。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の第1の実施例を示すプルタウン付入
力回路の回路図である。 第2図は、従来例を示すプルタウン付入力回路の回路図
である。 101 、201 ・ 102 ・ 103. 104. 105. 106. 107. 203  ・ 206  ・ 207  ・ ・・入力回路 ・・デプリーションN型 05FET ・・エンハンスメントN型 05FET ・・入力端子 ・出力端子 ・・ソース電極 ・ ・ゲート電極 ・ ・ドレイン電極 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 鈴 木 喜三部(他]名)茅 ユ 図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 a)絶縁ゲート電界効果トランジスタ(以下、MOSF
    ETと略す)を用いた半導体集積回路において、 b)入力回路と、 c)前記入力回路内に設けられたプルダウン用MOSF
    ETとからなり、 d)前記プルダウン用MOSFETがデプリーション型
    MOSFETであることを特徴とした、プルダウン付入
    力回路。
JP2236444A 1990-09-06 1990-09-06 プルダウン付入力回路 Pending JPH04117722A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6951292B2 (en) 1997-10-15 2005-10-04 Uni-Charm Corporation Container with a hinged lid

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US6951292B2 (en) 1997-10-15 2005-10-04 Uni-Charm Corporation Container with a hinged lid

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