JPH0629524A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0629524A JPH0629524A JP4094264A JP9426492A JPH0629524A JP H0629524 A JPH0629524 A JP H0629524A JP 4094264 A JP4094264 A JP 4094264A JP 9426492 A JP9426492 A JP 9426492A JP H0629524 A JPH0629524 A JP H0629524A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
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Abstract
(57)【要約】
【目的】この発明は、LDD構造トランジスタの側壁材
に高誘電体材料を用いて、LDD領域の寄生抵抗を小さ
くした場合において、ゲート電極とソース/ドレイン領
域との間のゲート寄生容量を小さくできる。 【構成】P型シリコン基板1表面上にゲート酸化膜2を
介して設けられたゲート電極3をマスクにして、前記P
型シリコン基板1にLDD領域のN- 層11、12を設
け、前記ゲート電極3の両側面に高誘電率の側壁材4を
設け、この側壁材4の両側のP型シリコン基板1を掘り
下げ、この掘り下げられたP型シリコン基板1にソース
/ドレイン領域のN+ 層14、15を設けている。した
がって、ゲート電極3とソース/ドレイン領域のN+ 層
14、15との間の寄生容量を小さくでき、トランジス
タの駆動能力を向上し得るとともに、消費電力を減少で
きる。
に高誘電体材料を用いて、LDD領域の寄生抵抗を小さ
くした場合において、ゲート電極とソース/ドレイン領
域との間のゲート寄生容量を小さくできる。 【構成】P型シリコン基板1表面上にゲート酸化膜2を
介して設けられたゲート電極3をマスクにして、前記P
型シリコン基板1にLDD領域のN- 層11、12を設
け、前記ゲート電極3の両側面に高誘電率の側壁材4を
設け、この側壁材4の両側のP型シリコン基板1を掘り
下げ、この掘り下げられたP型シリコン基板1にソース
/ドレイン領域のN+ 層14、15を設けている。した
がって、ゲート電極3とソース/ドレイン領域のN+ 層
14、15との間の寄生容量を小さくでき、トランジス
タの駆動能力を向上し得るとともに、消費電力を減少で
きる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置の製造方
法に係わり、特にMOS FETの製造方法に関する。
法に係わり、特にMOS FETの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】図6は、従来のLDD(lightly doped d
rain) 構造のトランジスタを示す断面図である。P型シ
リコン基板1の表面にはゲート酸化膜2が設けられ、こ
のゲート酸化膜2の上にゲート電極3が設けられてい
る。このゲート電極3の両側面には、SiO2 からなる
側壁材4、4がCVDにより設けられている。前記P型
シリコン基板1には、ゲート電極3をマスクにしてイオ
ン注入されたLDD領域のN- 層5、6および側壁材
4、4をマスクにしてイオン注入されたソース/ドレイ
ン領域のN+ 層7、8が形成されている。前記側壁材
4、4の材料としては、誘電率の高いSiN等を用いる
こともある。
rain) 構造のトランジスタを示す断面図である。P型シ
リコン基板1の表面にはゲート酸化膜2が設けられ、こ
のゲート酸化膜2の上にゲート電極3が設けられてい
る。このゲート電極3の両側面には、SiO2 からなる
側壁材4、4がCVDにより設けられている。前記P型
シリコン基板1には、ゲート電極3をマスクにしてイオ
ン注入されたLDD領域のN- 層5、6および側壁材
4、4をマスクにしてイオン注入されたソース/ドレイ
ン領域のN+ 層7、8が形成されている。前記側壁材
4、4の材料としては、誘電率の高いSiN等を用いる
こともある。
【0003】前記LDD構造のトランジスタは、ドレイ
ン側に高い電圧を加えても、ドレイン側のN- 層6によ
りドレイン電界が緩和される。このため、ドレイン近傍
におけるインパクトイオン化が抑制され、ホットキャリ
アの発生が減少し、トランジスタの高信頼性が達成され
る。
ン側に高い電圧を加えても、ドレイン側のN- 層6によ
りドレイン電界が緩和される。このため、ドレイン近傍
におけるインパクトイオン化が抑制され、ホットキャリ
アの発生が減少し、トランジスタの高信頼性が達成され
る。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、LDD領域
のN- 層5、6のイオン濃度は低いため、通常構造のト
ランジスタに比べて寄生抵抗が大きく、トランジスタの
駆動能力が劣化することがある。この駆動能力の劣化を
改善するものとして、側壁材4、4をSiN等の高誘電
体材料で形成した半導体装置が提案されている。LDD
領域のN- 層5、6表面における電界はこの高誘電率の
側壁材4、4により強くなり、このN- 層5、6の電子
濃度が高くなる。このため、N- 層5、6の寄生抵抗が
小さくなる。しかし、高誘電体材料からなる側壁材4、
4を用いると、N- 層5、6の寄生抵抗は小さくなる
が、ゲートフリンジング電界が増大し、ゲート電極3と
ソース/ドレイン領域のN+ 層7、8との間に大きなゲ
ート寄生容量9、10が生じる。このため、トランジス
タの駆動能力が劣化し、トランジスタの消費電力が増加
する問題がある。
のN- 層5、6のイオン濃度は低いため、通常構造のト
ランジスタに比べて寄生抵抗が大きく、トランジスタの
駆動能力が劣化することがある。この駆動能力の劣化を
改善するものとして、側壁材4、4をSiN等の高誘電
体材料で形成した半導体装置が提案されている。LDD
領域のN- 層5、6表面における電界はこの高誘電率の
側壁材4、4により強くなり、このN- 層5、6の電子
濃度が高くなる。このため、N- 層5、6の寄生抵抗が
小さくなる。しかし、高誘電体材料からなる側壁材4、
4を用いると、N- 層5、6の寄生抵抗は小さくなる
が、ゲートフリンジング電界が増大し、ゲート電極3と
ソース/ドレイン領域のN+ 層7、8との間に大きなゲ
ート寄生容量9、10が生じる。このため、トランジス
タの駆動能力が劣化し、トランジスタの消費電力が増加
する問題がある。
【0005】この発明の目的は、LDD構造トランジス
タの側壁材に高誘電体材料を用いて、LDD領域のN-
層の寄生抵抗を小さくしたものでも、ゲート電極とソー
ス/ドレイン領域との間のゲート寄生容量を小さく抑
え、トランジスタの駆動能力を向上させ、トランジスタ
の消費電力を減少させた半導体装置の製造方法を提供す
ることにある。
タの側壁材に高誘電体材料を用いて、LDD領域のN-
層の寄生抵抗を小さくしたものでも、ゲート電極とソー
ス/ドレイン領域との間のゲート寄生容量を小さく抑
え、トランジスタの駆動能力を向上させ、トランジスタ
の消費電力を減少させた半導体装置の製造方法を提供す
ることにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記課題を
解決するため、半導体基板表面上方に設けられたゲート
電極の両側面に側壁材を設ける工程と、この側壁材の両
側の半導体基板を掘り下げる工程と、この掘り下げられ
た半導体基板にソース/ドレイン領域を設ける工程とか
らなることを特徴としている。また、前記半導体基板に
LDD領域を設ける工程を加えたことを特徴としてい
る。また、前記側壁材は高誘電体材料によって形成され
ていることを特徴としている。
解決するため、半導体基板表面上方に設けられたゲート
電極の両側面に側壁材を設ける工程と、この側壁材の両
側の半導体基板を掘り下げる工程と、この掘り下げられ
た半導体基板にソース/ドレイン領域を設ける工程とか
らなることを特徴としている。また、前記半導体基板に
LDD領域を設ける工程を加えたことを特徴としてい
る。また、前記側壁材は高誘電体材料によって形成され
ていることを特徴としている。
【0007】
【作用】この発明は、側壁材に高誘電体材料を用いた場
合でも、この側壁材の両側の半導体基板を掘り下げるこ
とにより、前記電極とソース/ドレイン領域との間の距
離が従来のものより大きくなる。このため、ゲート電極
とソース/ドレイン領域との間の寄生容量が小さくな
り、半導体装置の信頼性が高まり、半導体装置の駆動能
力が向上される。
合でも、この側壁材の両側の半導体基板を掘り下げるこ
とにより、前記電極とソース/ドレイン領域との間の距
離が従来のものより大きくなる。このため、ゲート電極
とソース/ドレイン領域との間の寄生容量が小さくな
り、半導体装置の信頼性が高まり、半導体装置の駆動能
力が向上される。
【0008】
【実施例】以下、図面を参照してこの発明の一実施例に
ついて説明する。
ついて説明する。
【0009】図2乃至図6は、この発明の半導体装置の
製造方法を示すものである。先ず、P型シリコン基板1
の表面には厚さ100オングストロームのゲート酸化膜
2が熱酸化により形成される。この後、ゲート酸化膜2
の表面にポリシリコン層を堆積させる。このポリシリコ
ン層は写真蝕刻法により加工され、図2に示すようにゲ
ート電極3が形成される。
製造方法を示すものである。先ず、P型シリコン基板1
の表面には厚さ100オングストロームのゲート酸化膜
2が熱酸化により形成される。この後、ゲート酸化膜2
の表面にポリシリコン層を堆積させる。このポリシリコ
ン層は写真蝕刻法により加工され、図2に示すようにゲ
ート電極3が形成される。
【0010】図3に示すように、P型シリコン基板1に
は、ゲート電極3をマスクとしてリンが5×1013cm
-2のドーズ量でイオン注入され、LDD領域のN- 層1
1、12が形成される。この後、高誘電率のSi3 N4
からなる1000オングストロームの厚さの絶縁層を堆
積させる。この絶縁層の誘電率はゲート酸化膜2のそれ
より高い。この絶縁層はRIEによって異方的にエッチ
ングされることにより、前記ゲート電極3の両側面に図
4に示すように高誘電率の側壁材13、13が形成され
る。この後、図5に示すように、この側壁材13、13
およびゲート電極をマスクとして、ゲート酸化膜2およ
びP型シリコン基板1がRIEにより異方的にエッチン
グされ、0.1マイクロメーターの深さとなるように掘
り下げられる。
は、ゲート電極3をマスクとしてリンが5×1013cm
-2のドーズ量でイオン注入され、LDD領域のN- 層1
1、12が形成される。この後、高誘電率のSi3 N4
からなる1000オングストロームの厚さの絶縁層を堆
積させる。この絶縁層の誘電率はゲート酸化膜2のそれ
より高い。この絶縁層はRIEによって異方的にエッチ
ングされることにより、前記ゲート電極3の両側面に図
4に示すように高誘電率の側壁材13、13が形成され
る。この後、図5に示すように、この側壁材13、13
およびゲート電極をマスクとして、ゲート酸化膜2およ
びP型シリコン基板1がRIEにより異方的にエッチン
グされ、0.1マイクロメーターの深さとなるように掘
り下げられる。
【0011】図1に示すように、掘り下げられたP型シ
リコン基板1には、前記側壁材13、13およびゲート
電極3をマスクにしてヒ素が5×1015cm-2のドーズ
量でイオン注入され、ソース/ドレイン領域のN+ 層1
4、15が形成される。
リコン基板1には、前記側壁材13、13およびゲート
電極3をマスクにしてヒ素が5×1015cm-2のドーズ
量でイオン注入され、ソース/ドレイン領域のN+ 層1
4、15が形成される。
【0012】上記実施例によれば、側壁材およびゲート
電極の両側のP型シリコン基板1が掘り下げられてい
る。したがって、ゲート電極とソース/ドレイン領域と
の間の距離が大きくなり、LDD構造トランジスタの側
壁材として高誘電体を用いた場合において、ゲート寄生
容量16、17を小さくすることができる。
電極の両側のP型シリコン基板1が掘り下げられてい
る。したがって、ゲート電極とソース/ドレイン領域と
の間の距離が大きくなり、LDD構造トランジスタの側
壁材として高誘電体を用いた場合において、ゲート寄生
容量16、17を小さくすることができる。
【0013】
【発明の効果】以上説明したようにこの発明によれば、
側壁材の両側の半導体基板を掘り下げることにより、ゲ
ート電極とソース/ドレイン領域との間の距離が大きく
なる。このため、LDD構造トランジスタの側壁材に高
誘電体材料を用いて、LDD領域のN- 層の寄生抵抗を
小さくした場合において、ゲート電極とソース/ドレイ
ン領域との間のゲート寄生容量を小さくできる。この結
果、トランジスタの駆動能力を向上でき、トランジスタ
の消費電力を減少できる。
側壁材の両側の半導体基板を掘り下げることにより、ゲ
ート電極とソース/ドレイン領域との間の距離が大きく
なる。このため、LDD構造トランジスタの側壁材に高
誘電体材料を用いて、LDD領域のN- 層の寄生抵抗を
小さくした場合において、ゲート電極とソース/ドレイ
ン領域との間のゲート寄生容量を小さくできる。この結
果、トランジスタの駆動能力を向上でき、トランジスタ
の消費電力を減少できる。
【図1】この発明の半導体装置の製造方法の一実施例を
示すものであり、P型シリコン基板にソース/ドレイン
領域を設ける工程を示す断面図。
示すものであり、P型シリコン基板にソース/ドレイン
領域を設ける工程を示す断面図。
【図2】この発明の半導体装置の製造方法の一実施例を
示すものであり、P型シリコン基板表面にゲート電極を
設ける工程を示す断面図。
示すものであり、P型シリコン基板表面にゲート電極を
設ける工程を示す断面図。
【図3】この発明の半導体装置の製造方法の一実施例を
示すものであり、P型シリコン基板にLDD領域を設け
る工程を示す断面図。
示すものであり、P型シリコン基板にLDD領域を設け
る工程を示す断面図。
【図4】この発明の半導体装置の製造方法の一実施例を
示すものであり、ゲート電極の両側面に側壁材を設ける
工程を示す断面図。
示すものであり、ゲート電極の両側面に側壁材を設ける
工程を示す断面図。
【図5】この発明の半導体装置の製造方法の一実施例を
示すものであり、ゲート電極および側壁材の両側のP型
シリコン基板を掘り下げる工程を示す断面図。
示すものであり、ゲート電極および側壁材の両側のP型
シリコン基板を掘り下げる工程を示す断面図。
【図6】従来のLDD構造のトランジスタを示す断面
図。
図。
1 …P型シリコン基板、2 …ゲート酸化膜、3 …ゲート
電極、11…ソース側のN- 層、12…ドレイン側のN
- 層、13…側壁材、14…ソース領域のN+ 層、15…ドレ
イン領域のN+ 層、16、17…ゲート寄生容量。
電極、11…ソース側のN- 層、12…ドレイン側のN
- 層、13…側壁材、14…ソース領域のN+ 層、15…ドレ
イン領域のN+ 層、16、17…ゲート寄生容量。
Claims (3)
- 【請求項1】 半導体基板表面上方に設けられたゲート
電極の両側面に側壁材を設ける工程と、 この側壁材の両側の半導体基板を掘り下げる工程と、 この掘り下げられた半導体基板にソース/ドレイン領域
を設ける工程とからなることを特徴とする半導体装置の
製造方法。 - 【請求項2】 前記半導体基板にLDD領域を設ける工
程を加えたことを特徴とする請求項1記載の半導体装置
の製造方法。 - 【請求項3】 前記側壁材は高誘電体材料によって形成
されていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4094264A JPH0629524A (ja) | 1992-04-14 | 1992-04-14 | 半導体装置の製造方法 |
KR1019930006004A KR930022601A (ko) | 1992-04-14 | 1993-04-10 | 반도체 장치의 제조방법 |
US08/555,550 US5640035A (en) | 1992-04-14 | 1995-11-09 | MOSFET having improved driving performance |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4094264A JPH0629524A (ja) | 1992-04-14 | 1992-04-14 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0629524A true JPH0629524A (ja) | 1994-02-04 |
Family
ID=14105428
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4094264A Pending JPH0629524A (ja) | 1992-04-14 | 1992-04-14 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5640035A (ja) |
JP (1) | JPH0629524A (ja) |
KR (1) | KR930022601A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007519255A (ja) * | 2004-01-22 | 2007-07-12 | スパンション エルエルシー | Vss抵抗が低く、ドレイン誘起バリアハイト効果が低減されたフローティングゲートメモリセルの構造およびその製造方法 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3380086B2 (ja) * | 1995-05-26 | 2003-02-24 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US6071825A (en) * | 1995-07-19 | 2000-06-06 | Interuniversitaire Microelektronica Centrum (Imec Vzw) | Fully overlapped nitride-etch defined device and processing sequence |
US5814861A (en) * | 1996-10-17 | 1998-09-29 | Mitsubishi Semiconductor America, Inc. | Symmetrical vertical lightly doped drain transistor and method of forming the same |
US5834810A (en) * | 1996-10-17 | 1998-11-10 | Mitsubishi Semiconductor America, Inc. | Asymmetrical vertical lightly doped drain transistor and method of forming the same |
JPH10284723A (ja) * | 1997-04-01 | 1998-10-23 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
US6812103B2 (en) * | 2002-06-20 | 2004-11-02 | Micron Technology, Inc. | Methods of fabricating a dielectric plug in MOSFETS to suppress short-channel effects |
US8258035B2 (en) * | 2007-05-04 | 2012-09-04 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method to improve source/drain parasitics in vertical devices |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63122174A (ja) * | 1986-11-11 | 1988-05-26 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6390853A (ja) * | 1986-10-06 | 1988-04-21 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
US4906589A (en) * | 1989-02-06 | 1990-03-06 | Industrial Technology Research Institute | Inverse-T LDDFET with self-aligned silicide |
IT1235693B (it) * | 1989-05-02 | 1992-09-21 | Sgs Thomson Microelectronics | Transistore ad effetto di campo superficiale con regione di source e/o di drain scavate per dispositivi ulsi. |
JPH0834313B2 (ja) * | 1989-10-09 | 1996-03-29 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
-
1992
- 1992-04-14 JP JP4094264A patent/JPH0629524A/ja active Pending
-
1993
- 1993-04-10 KR KR1019930006004A patent/KR930022601A/ko not_active Application Discontinuation
-
1995
- 1995-11-09 US US08/555,550 patent/US5640035A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63122174A (ja) * | 1986-11-11 | 1988-05-26 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007519255A (ja) * | 2004-01-22 | 2007-07-12 | スパンション エルエルシー | Vss抵抗が低く、ドレイン誘起バリアハイト効果が低減されたフローティングゲートメモリセルの構造およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5640035A (en) | 1997-06-17 |
KR930022601A (ko) | 1993-11-24 |
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