JPH06223686A - リード接触器およびその製造方法 - Google Patents
リード接触器およびその製造方法Info
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- JPH06223686A JPH06223686A JP5315223A JP31522393A JPH06223686A JP H06223686 A JPH06223686 A JP H06223686A JP 5315223 A JP5315223 A JP 5315223A JP 31522393 A JP31522393 A JP 31522393A JP H06223686 A JPH06223686 A JP H06223686A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H1/00—Contacts
- H01H1/0036—Switches making use of microelectromechanical systems [MEMS]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H36/00—Switches actuated by change of magnetic field or of electric field, e.g. by change of relative position of magnet and switch, by shielding
-
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- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
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- H01H1/64—Protective enclosures, baffle plates, or screens for contacts
- H01H1/66—Contacts sealed in an evacuated or gas-filled envelope, e.g. magnetic dry-reed contacts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H1/00—Contacts
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-
- H—ELECTRICITY
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- H01H2036/0093—Micromechanical switches actuated by a change of the magnetic field
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Manufacture Of Switches (AREA)
- Switches That Are Operated By Magnetic Or Electric Fields (AREA)
- Manufacturing Of Electrical Connectors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明の目的は、少なくとも既存のリード接
触器と同程度の信頼性を有する、非常に小型のリード接
触器を提供することにある。 【構成】 上述の目的を達成するために、本発明による
接触器は、電気的接続手段に各々接続され、少なくとも
一部が磁化可能な材料により構成された２つの導電性の
梁（１９、２１；１１９、１２１）を具備し、該梁の各
々の先端は、第１の開成位置と第２の閉成位置との間で
動作可能に構成されており、充分な強度の誘導磁界を受
けたときに第２の閉成位置に動作し、前記接触器は、更
に、前記梁の先端を第１の開成位置に復帰するための復
帰手段と、２つの異なる導電領域（１２、１３；１１
２、１１３）を備えた基板（２、１０２）とを具備し、
前記梁が導電領域において基板に取着され、かつ、前記
梁の少なくとも一方が、脚部（１５、１７、１１５）に
より基板に支持される構成とした。
触器と同程度の信頼性を有する、非常に小型のリード接
触器を提供することにある。 【構成】 上述の目的を達成するために、本発明による
接触器は、電気的接続手段に各々接続され、少なくとも
一部が磁化可能な材料により構成された２つの導電性の
梁（１９、２１；１１９、１２１）を具備し、該梁の各
々の先端は、第１の開成位置と第２の閉成位置との間で
動作可能に構成されており、充分な強度の誘導磁界を受
けたときに第２の閉成位置に動作し、前記接触器は、更
に、前記梁の先端を第１の開成位置に復帰するための復
帰手段と、２つの異なる導電領域（１２、１３；１１
２、１１３）を備えた基板（２、１０２）とを具備し、
前記梁が導電領域において基板に取着され、かつ、前記
梁の少なくとも一方が、脚部（１５、１７、１１５）に
より基板に支持される構成とした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シャフトまたはリード
式の接触器に関する。この種の接触器は、閉鎖された室
を具備しており、この室内に２つの導電性のシャフトま
たは梁が配置される。前記シャフトまたは梁は電気的接
続手段に各々接続されている。前記接触器は、更に、磁
界が存在しないときに、前記シャフトを休止位置に復帰
させる手段を具備している。上記休止位置において、前
記シャフトの先端部は互いに所定の間隔を以て離反す
る。前記シャフトまたは梁は、更に、少なくとも一部が
高い磁性を有する材料により構成されており、充分な強
度の誘導磁界が存在するときに、前記先端部が互いに接
触して、前記電気的接続手段の間が電気的に接続され
る。本発明は、また、基板の上に支持された金属の三次
元微細構造、特に、上記のリード式接触器を、電気化学
的な方法により製造するプロセスに関する。
式の接触器に関する。この種の接触器は、閉鎖された室
を具備しており、この室内に２つの導電性のシャフトま
たは梁が配置される。前記シャフトまたは梁は電気的接
続手段に各々接続されている。前記接触器は、更に、磁
界が存在しないときに、前記シャフトを休止位置に復帰
させる手段を具備している。上記休止位置において、前
記シャフトの先端部は互いに所定の間隔を以て離反す
る。前記シャフトまたは梁は、更に、少なくとも一部が
高い磁性を有する材料により構成されており、充分な強
度の誘導磁界が存在するときに、前記先端部が互いに接
触して、前記電気的接続手段の間が電気的に接続され
る。本発明は、また、基板の上に支持された金属の三次
元微細構造、特に、上記のリード式接触器を、電気化学
的な方法により製造するプロセスに関する。
【０００２】
【従来の技術】上述した形式の接触器は周知となってお
り、実際上、リード式またはシャフト式の接触器は、近
時、市販される電気部品となっている。上記接触器は、
磁界を形成するコイルと協働するリレーとして使用され
る。こうしたリレーは、リード接触器とコイルから構成
され、リードリレーと呼ばれる。周知の接触器は、２つ
の強い磁性を有する鋼のシャフトにより構成される。こ
のシャフトは、小さな直径を有し、互いに延長線上に配
置され、各々の先端が接触可能な位置関係に配置され、
上記先端が概ね円筒形のガラスバルブに取着されてい
る。
り、実際上、リード式またはシャフト式の接触器は、近
時、市販される電気部品となっている。上記接触器は、
磁界を形成するコイルと協働するリレーとして使用され
る。こうしたリレーは、リード接触器とコイルから構成
され、リードリレーと呼ばれる。周知の接触器は、２つ
の強い磁性を有する鋼のシャフトにより構成される。こ
のシャフトは、小さな直径を有し、互いに延長線上に配
置され、各々の先端が接触可能な位置関係に配置され、
上記先端が概ね円筒形のガラスバルブに取着されてい
る。
【０００３】上記２つの鋼製のシャフトは、２つの壁を
横断して設けられており、各々この２つの壁の一方に取
着されている。上記２つの鋼製のシャフトの先端は、前
記内壁に接触しておらず、前記ガラス室の内部において
重なり合うようにして対設されている。前記鋼製のシャ
フトは、積層されて２つ柔軟なブレードを形成する。こ
のブレードの先端は互いに交差している。休止位置おい
て、つまり外部の磁界が存在しないとき、前記２つのブ
レードは、数１０分の１ミリメートルの間隔を以て互い
に離隔いている。外部に充分な強度で上記２つのシャフ
トに平行な成分を有する磁界が存在すると、上記２つの
シャフトは磁化される。上記２つのシャフトは、互いに
直線上に配置されているので同じ方向に磁化され、２つ
のシャフトの自由端部は一方がＮ極に他方がＳ極とな
る。これにより、上記２つの端部の間には、互いに引き
合う磁力が発生し、その結果、外部に磁界が存在する
間、２つの端部が互いに接触を維持する。
横断して設けられており、各々この２つの壁の一方に取
着されている。上記２つの鋼製のシャフトの先端は、前
記内壁に接触しておらず、前記ガラス室の内部において
重なり合うようにして対設されている。前記鋼製のシャ
フトは、積層されて２つ柔軟なブレードを形成する。こ
のブレードの先端は互いに交差している。休止位置おい
て、つまり外部の磁界が存在しないとき、前記２つのブ
レードは、数１０分の１ミリメートルの間隔を以て互い
に離隔いている。外部に充分な強度で上記２つのシャフ
トに平行な成分を有する磁界が存在すると、上記２つの
シャフトは磁化される。上記２つのシャフトは、互いに
直線上に配置されているので同じ方向に磁化され、２つ
のシャフトの自由端部は一方がＮ極に他方がＳ極とな
る。これにより、上記２つの端部の間には、互いに引き
合う磁力が発生し、その結果、外部に磁界が存在する
間、２つの端部が互いに接触を維持する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】満足のできる適用が多
数有るが、従来の接触器は大き過ぎて適用できない場合
もある。こうした適用困難な場合には、特に、マイクロ
技術のための端位置検知器への適用がある。こうした接
触器は、典型的に１５ｍｍの長さと、２から３ｍｍの直
径を有する円筒形のガラスバルブの外形寸法を有してい
る。前記２つのブレードは磁気合金から成り、積層する
前には典型的に０．５ｍｍの直径を有している。上記寸
法を大きく低減することは不可能である。実際上、接触
器の寸法を低減する場合には、前記２つのシャフトの相
対的な位置決めの精度も高くしなければならない。前記
２つのシャフトの各々の先端が永久的に接触してはなら
ないし、反対に間隔が広すぎて、充分な外部磁界が形成
されたときに接触できなくてもいけない。周知のリード
式接触器では、前記２つのシャフトは、該シャフトを収
納する前記室の壁に取着されて、互いに接触可能な位置
関係に保持される。前記室として作用するガラスバルブ
は、ガラスを加工して形成されるので、製造誤差が大き
く、前記２つのシャフトを数十分の位置よりも正確に位
置決めすることが困難である。
数有るが、従来の接触器は大き過ぎて適用できない場合
もある。こうした適用困難な場合には、特に、マイクロ
技術のための端位置検知器への適用がある。こうした接
触器は、典型的に１５ｍｍの長さと、２から３ｍｍの直
径を有する円筒形のガラスバルブの外形寸法を有してい
る。前記２つのブレードは磁気合金から成り、積層する
前には典型的に０．５ｍｍの直径を有している。上記寸
法を大きく低減することは不可能である。実際上、接触
器の寸法を低減する場合には、前記２つのシャフトの相
対的な位置決めの精度も高くしなければならない。前記
２つのシャフトの各々の先端が永久的に接触してはなら
ないし、反対に間隔が広すぎて、充分な外部磁界が形成
されたときに接触できなくてもいけない。周知のリード
式接触器では、前記２つのシャフトは、該シャフトを収
納する前記室の壁に取着されて、互いに接触可能な位置
関係に保持される。前記室として作用するガラスバルブ
は、ガラスを加工して形成されるので、製造誤差が大き
く、前記２つのシャフトを数十分の位置よりも正確に位
置決めすることが困難である。
【０００５】本発明は既述の問題点を形決することを技
術課題としており、少なくとも既存のリード接触器と同
程度の信頼性を有する、非常に小型のリード接触器を提
供することを目的とする。更に、本発明の他の目的は、
基板の上に支持された金属製の三次元微小構造を製造す
るプロセス、特に、強い磁性を有する材料から成り、基
板の上に支持された薄いシャフトまたは梁の製造プロセ
スを提供することにある。
術課題としており、少なくとも既存のリード接触器と同
程度の信頼性を有する、非常に小型のリード接触器を提
供することを目的とする。更に、本発明の他の目的は、
基板の上に支持された金属製の三次元微小構造を製造す
るプロセス、特に、強い磁性を有する材料から成り、基
板の上に支持された薄いシャフトまたは梁の製造プロセ
スを提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明では、電気的接続手段に各々接続された２
つの導電性の梁を具備する接触器において、前記梁の各
々は遠位の先端を具備しており、前記先端は、互いに隣
接して配置され、かつ、第１の開成位置と第２の閉成位
置との間で動作可能に構成されており、前記第１の開成
位置において前記先端は互いに所定の間隔を以て離反
し、前記第２の閉成位置において前記先端は互いに接触
し、前記接触器は、更に、前記先端を第１の開成位置に
復帰するための復帰手段を具備し、前記梁が、更に、少
なくとも一部が磁化可能な材料により構成されており、
充分な強度の誘導磁界を受けたときに、前記先端が前記
第２の閉成位置に動作し、前記接触器は、更に、２つの
異なる導電領域を備えた基板を具備しており、前記梁が
前記導電領域において前記基板に取着され、かつ、前記
梁の少なくとも一方が、脚部の上に取り付けられること
により前記基板に支持されている。
めに、本発明では、電気的接続手段に各々接続された２
つの導電性の梁を具備する接触器において、前記梁の各
々は遠位の先端を具備しており、前記先端は、互いに隣
接して配置され、かつ、第１の開成位置と第２の閉成位
置との間で動作可能に構成されており、前記第１の開成
位置において前記先端は互いに所定の間隔を以て離反
し、前記第２の閉成位置において前記先端は互いに接触
し、前記接触器は、更に、前記先端を第１の開成位置に
復帰するための復帰手段を具備し、前記梁が、更に、少
なくとも一部が磁化可能な材料により構成されており、
充分な強度の誘導磁界を受けたときに、前記先端が前記
第２の閉成位置に動作し、前記接触器は、更に、２つの
異なる導電領域を備えた基板を具備しており、前記梁が
前記導電領域において前記基板に取着され、かつ、前記
梁の少なくとも一方が、脚部の上に取り付けられること
により前記基板に支持されている。
【０００７】前記２つの接触梁または接触ブレードは、
本発明によれば、基板に取着されており、バルブの壁に
は取着されていないので、相対的な位置決め精度を高く
することができる。更に、本発明による構造は、腐食層
を備えた微細加工、更に詳細には、電着技術により製造
される。
本発明によれば、基板に取着されており、バルブの壁に
は取着されていないので、相対的な位置決め精度を高く
することができる。更に、本発明による構造は、腐食層
を備えた微細加工、更に詳細には、電着技術により製造
される。
【０００８】更に、本発明では、基板上に支持された金
属の三次元微細構造を、電気化学的な方法により製造す
るプロセスにおいて、 ａ）前記基板の一面に、第１のフォトレジスト層を形成
するステップと、 ｂ）前記第１のフォトレジスト層に、この層と同じ厚さ
の少なくとも１つの成長空間を、前記基板を覆うように
形成するステップと、 ｃ）前記成長空間内に金属のピンを、前記フォトレジス
トの表面まで電着して成長させるステップと、 ｄ）前記第１のフォトレジスト層の表面に金属層を形成
するステップと、 ｅ）前記金属層に新たなフォトレジスト層を形成するス
テップと、 ｆ）前記フォトレジスト層に、この層と同じ厚さの少な
くとも１つの成長空間を、前記金属層を覆うように形成
するステップと、 ｇ）前記成長空間内に金属のピンを、前記新たなフォト
レジストの表面まで電着して成長させるステップと、 ｈ）前記フォトレジスト層および不要な金属層を除去す
るステップとを含んでなる方法が提供される。
属の三次元微細構造を、電気化学的な方法により製造す
るプロセスにおいて、 ａ）前記基板の一面に、第１のフォトレジスト層を形成
するステップと、 ｂ）前記第１のフォトレジスト層に、この層と同じ厚さ
の少なくとも１つの成長空間を、前記基板を覆うように
形成するステップと、 ｃ）前記成長空間内に金属のピンを、前記フォトレジス
トの表面まで電着して成長させるステップと、 ｄ）前記第１のフォトレジスト層の表面に金属層を形成
するステップと、 ｅ）前記金属層に新たなフォトレジスト層を形成するス
テップと、 ｆ）前記フォトレジスト層に、この層と同じ厚さの少な
くとも１つの成長空間を、前記金属層を覆うように形成
するステップと、 ｇ）前記成長空間内に金属のピンを、前記新たなフォト
レジストの表面まで電着して成長させるステップと、 ｈ）前記フォトレジスト層および不要な金属層を除去す
るステップとを含んでなる方法が提供される。
【０００９】このプロセスによれば、フォトレジストの
層は、まず、電気化学的な成長のための成形型またはマ
スクとして作用する。次いで、この上に新たなフォトレ
ジスト層が形成される場合には、この層は腐食層として
作用する。上記のフォトレジスト層は、成形型および腐
食層として作用する。このステップを繰り返して多層構
造を形成する。
層は、まず、電気化学的な成長のための成形型またはマ
スクとして作用する。次いで、この上に新たなフォトレ
ジスト層が形成される場合には、この層は腐食層として
作用する。上記のフォトレジスト層は、成形型および腐
食層として作用する。このステップを繰り返して多層構
造を形成する。
【００１０】更に、本発明では、基板の上に支持された
金属の三次元微細構造を、電気化学的な方法により製造
するプロセスにおいて、 ａ）前記基板を含み、少なくとも１つの導電領域を有す
る下部構造の表面に、概ね均一なフォトレジスト層を形
成するステップと、 ｂ）前記フォトレジスト層に、この層と同じ厚さの少な
くとも１つの成長空間を、前記導電領域の少なくとも一
部を覆うように形成するステップと、 ｃ）前記フォトレジスト層および前記導電領域の露出す
る部分を覆うように延設された金属層を形成するステッ
プと、 ｄ）概ね均一な新たなフォトレジスト層を形成するステ
ップと、 ｅ）前記フォトレジスト層に、この層と同じ厚さの少な
くとも１つの成長空間を、前記金属層を露出させるよう
に形成するステップと、 ｆ）前記成長空間内に金属のピンを電着して成長させる
ステップと、 ｇ）前記フォトレジスト層および不要な金属層を除去す
るステップとを含んで成るプロセスが提供される。
金属の三次元微細構造を、電気化学的な方法により製造
するプロセスにおいて、 ａ）前記基板を含み、少なくとも１つの導電領域を有す
る下部構造の表面に、概ね均一なフォトレジスト層を形
成するステップと、 ｂ）前記フォトレジスト層に、この層と同じ厚さの少な
くとも１つの成長空間を、前記導電領域の少なくとも一
部を覆うように形成するステップと、 ｃ）前記フォトレジスト層および前記導電領域の露出す
る部分を覆うように延設された金属層を形成するステッ
プと、 ｄ）概ね均一な新たなフォトレジスト層を形成するステ
ップと、 ｅ）前記フォトレジスト層に、この層と同じ厚さの少な
くとも１つの成長空間を、前記金属層を露出させるよう
に形成するステップと、 ｆ）前記成長空間内に金属のピンを電着して成長させる
ステップと、 ｇ）前記フォトレジスト層および不要な金属層を除去す
るステップとを含んで成るプロセスが提供される。
【００１１】この第２のプロセスにおいて、フォトレジ
スト層は、第１に電気化学的な成長のための成形型また
はマスクとして作用し、第２に腐食層として作用する。
更に、このプロセスにより形成されたフォトレジスト層
を覆う金属層は、基板の導電領域と直接接触されるので
（ステップｃ）、この金属層は下部の導電領域と電気的
に接続される。この特徴により、第１のプロセスにおい
て必要であった電着ステップの少なくとも１つのステッ
プが省略される。本発明の他の特徴利点は、以下に記載
する実施例の説明から明らかとなる。
スト層は、第１に電気化学的な成長のための成形型また
はマスクとして作用し、第２に腐食層として作用する。
更に、このプロセスにより形成されたフォトレジスト層
を覆う金属層は、基板の導電領域と直接接触されるので
（ステップｃ）、この金属層は下部の導電領域と電気的
に接続される。この特徴により、第１のプロセスにおい
て必要であった電着ステップの少なくとも１つのステッ
プが省略される。本発明の他の特徴利点は、以下に記載
する実施例の説明から明らかとなる。
【００１２】
【実施例】図１、２に、本発明による「リード」接触器
１を示す。リード接触器１は基板２を具備している。基
板２の上に２つの梁１９、２１が支持されている。梁１
９、２１は２つの脚部１５、１７により基板２に取着さ
れている。梁１９、２１の各々は、上記脚部と共に電極
構造４、６を構成する。上記２つの電極を覆うようにキ
ャップ８が設けられている。キャップ８は、前記基板と
共に密封室を形成する。本発明の実施例によるリード接
触器は、好ましくは、シリコンのプレートまたはウェハ
ー上の区画またはバッチにより形成され、最終工程にお
いて各々切断、分離される。接触器１の基板２は、こう
して、接触器の区画を形成するために使用したプレート
から矩形に切断される。本発明の他の実施例によれば、
シリコンプレートはガラスプレートにより置換される。
１を示す。リード接触器１は基板２を具備している。基
板２の上に２つの梁１９、２１が支持されている。梁１
９、２１は２つの脚部１５、１７により基板２に取着さ
れている。梁１９、２１の各々は、上記脚部と共に電極
構造４、６を構成する。上記２つの電極を覆うようにキ
ャップ８が設けられている。キャップ８は、前記基板と
共に密封室を形成する。本発明の実施例によるリード接
触器は、好ましくは、シリコンのプレートまたはウェハ
ー上の区画またはバッチにより形成され、最終工程にお
いて各々切断、分離される。接触器１の基板２は、こう
して、接触器の区画を形成するために使用したプレート
から矩形に切断される。本発明の他の実施例によれば、
シリコンプレートはガラスプレートにより置換される。
【００１３】基板２は表層１０（図面中においてハッチ
ングの一部を太書きにして示されている）を有してい
る。表層１０は二酸化珪素から成り、従って電気的に絶
縁される。図１から理解されるように、前記基板は上面
と、２つの異なる導電領域１２、１３とを具備してい
る。以下に詳述するように、本発明の好ましい実施例に
よる導電領域は２つの異なる金属層から構成され、この
２つの異なる金属層は、基板上に連続的に堆積して形成
される。既述のとおり、２つの梁１９、２１の各々は、
脚部１５、１７に取着されている。更に、脚部１５、１
７の各々は、金属領域１２、１３の各々の高さに取着さ
れている。２つの梁１９、２１は、脚部１５、１７の頂
部から水平に、互いに一直線上に並ばないように延びて
おり、各々一体的に形成された電極構造４、６を構成し
ている。
ングの一部を太書きにして示されている）を有してい
る。表層１０は二酸化珪素から成り、従って電気的に絶
縁される。図１から理解されるように、前記基板は上面
と、２つの異なる導電領域１２、１３とを具備してい
る。以下に詳述するように、本発明の好ましい実施例に
よる導電領域は２つの異なる金属層から構成され、この
２つの異なる金属層は、基板上に連続的に堆積して形成
される。既述のとおり、２つの梁１９、２１の各々は、
脚部１５、１７に取着されている。更に、脚部１５、１
７の各々は、金属領域１２、１３の各々の高さに取着さ
れている。２つの梁１９、２１は、脚部１５、１７の頂
部から水平に、互いに一直線上に並ばないように延びて
おり、各々一体的に形成された電極構造４、６を構成し
ている。
【００１４】上記２つの電極は、前記梁の遠位部が共通
のオリエンテーションに延びるように方向付けられてい
る。更に正確には、梁１９、２１の両者は、上記電極の
脚部１５、１７を含む鉛直面内で延びている。電極４、
６は強磁性の合金、好ましくは、鉄とニッケルの合金を
電気化学的に成長させて形成される。本発明によるリー
ド接触器は、従来技術による接触器と比較して著しく小
型に形成される。本発明によるリード接触器の該実施例
において、第１の電極６は、典型的に２０から３５μｍ
の高さを有している。これに対して、第２の電極４は、
４０から７０μｍの高さを有している。上記電極の各々
は、典型的に５００μｍの長さ（典型的には可撓性の部
分）と、５００μｍの幅とを有してもよい。上記２つの
電極の重なり部分は、４０μｍで、その遠位部分の鉛直
方向の間隔は、励磁されていない状態で、つまり、休止
位置において１０から１５μｍである。梁１９、２１が
可撓性を有するように、梁１９、２１の厚さは１０から
１５μｍとなっている。上述した２つの梁は、可撓性の
長く矩形状のブレードを有している。このブレードは、
互いに概ね延長部となるように配置されている。上記ブ
レードに平行な外部磁界が存在すると、これらのブレー
ドは磁化されて、２つのブレードの互いに隣接する先端
に磁気的な引力が生じる。上記ブレードは長さに対して
薄く形成されているので、相対的に可撓性を有している
ので、上記磁力が発生すると上記２つの先端が互いに接
触する。この状態において、２つの金属領域１２、１４
は電気的に接続され、この接触器は閉成される。
のオリエンテーションに延びるように方向付けられてい
る。更に正確には、梁１９、２１の両者は、上記電極の
脚部１５、１７を含む鉛直面内で延びている。電極４、
６は強磁性の合金、好ましくは、鉄とニッケルの合金を
電気化学的に成長させて形成される。本発明によるリー
ド接触器は、従来技術による接触器と比較して著しく小
型に形成される。本発明によるリード接触器の該実施例
において、第１の電極６は、典型的に２０から３５μｍ
の高さを有している。これに対して、第２の電極４は、
４０から７０μｍの高さを有している。上記電極の各々
は、典型的に５００μｍの長さ（典型的には可撓性の部
分）と、５００μｍの幅とを有してもよい。上記２つの
電極の重なり部分は、４０μｍで、その遠位部分の鉛直
方向の間隔は、励磁されていない状態で、つまり、休止
位置において１０から１５μｍである。梁１９、２１が
可撓性を有するように、梁１９、２１の厚さは１０から
１５μｍとなっている。上述した２つの梁は、可撓性の
長く矩形状のブレードを有している。このブレードは、
互いに概ね延長部となるように配置されている。上記ブ
レードに平行な外部磁界が存在すると、これらのブレー
ドは磁化されて、２つのブレードの互いに隣接する先端
に磁気的な引力が生じる。上記ブレードは長さに対して
薄く形成されているので、相対的に可撓性を有している
ので、上記磁力が発生すると上記２つの先端が互いに接
触する。この状態において、２つの金属領域１２、１４
は電気的に接続され、この接触器は閉成される。
【００１５】前記の外部磁界が消滅したときに、２つの
梁１９、２１の磁化もまた消滅し、かつ２つの先端が互
いに引き合うように、前記電極を形成するために使用さ
れる鉄とニッケルの混合物は、好ましくは、弱い磁気ヒ
ステリシスを有している。この状態では、上記金属の弾
性により、前記梁が各々の休止位置に向けて復帰し、２
つの金属領域１２、１３は、もはや電気的に接続されて
いない。
梁１９、２１の磁化もまた消滅し、かつ２つの先端が互
いに引き合うように、前記電極を形成するために使用さ
れる鉄とニッケルの混合物は、好ましくは、弱い磁気ヒ
ステリシスを有している。この状態では、上記金属の弾
性により、前記梁が各々の休止位置に向けて復帰し、２
つの金属領域１２、１３は、もはや電気的に接続されて
いない。
【００１６】本発明によるリード接触器の製造プロセス
について説明する。本発明によるリード接触器は、シリ
コンプレート上の区画またはバッチにより形成され、上
記シリコンプレートは最終工程において切断、分離され
る。図３から図１８に、製造プロセスのステップを示
す。これらの図では、１つの接触器のみ図示されてお
り、これらの図は、接触器が隣接して配置されたプレー
トの一部を示す部分図であることは言うまでもない。
について説明する。本発明によるリード接触器は、シリ
コンプレート上の区画またはバッチにより形成され、上
記シリコンプレートは最終工程において切断、分離され
る。図３から図１８に、製造プロセスのステップを示
す。これらの図では、１つの接触器のみ図示されてお
り、これらの図は、接触器が隣接して配置されたプレー
トの一部を示す部分図であることは言うまでもない。
【００１７】二酸化珪素の表層１０が、先ず、酸素の存
在する炉内においてシリコンプレート２の表面に形成さ
れる。この第１の操作により、絶縁性の基板が形成され
る。この絶縁性の基板上に、第２のステップにおいて、
金属領域１２、１３が形成される。変形実施例では、前
記金属領域が形成される前記絶縁基板は、ガラスにより
形成される。ガラスまたは二酸化珪素上に形成される前
記金属領域は、前記基板上に形成される接点が互いに離
反したときに、互いに絶縁されるように形成される。上
記金属領域は、前記酸化珪素の上に、図３に示すよう
に、金属層１２、１３を形成することにより形成され
る。この実施例では、チタンにより約４０ｎｍの厚さの
第１の層１２ａ、１３ａが、前記プレートの全面に蒸着
される。チタンは酸化シリコンに良好に接着されるの
で、チタンの使用は特に有効である。次いで、前記チタ
ンの上に金が好ましく堆積され、電気溶着の効率を改善
する。この蒸着された最終の金属層は、非常に薄い（約
２００ｎｍ）。このようにして形成された上記２つの金
属層は、従来技術により食刻（エッチング）され、金属
層１２、１３のネットワークが形成される。製造プロセ
スのこの時点における、上記接触器を図３に示す。前記
金属層は、好ましくは、切断前に絶縁プレートに接続さ
れる。実際上、以下のステップにおいて、これらの金属
層の各々を１つの電源に接続して、同一の電圧を印加す
ることにより、上記金属層に電着が実施される。こうし
て、上記金属層は接続されて、同一の電圧が印加され
る。
在する炉内においてシリコンプレート２の表面に形成さ
れる。この第１の操作により、絶縁性の基板が形成され
る。この絶縁性の基板上に、第２のステップにおいて、
金属領域１２、１３が形成される。変形実施例では、前
記金属領域が形成される前記絶縁基板は、ガラスにより
形成される。ガラスまたは二酸化珪素上に形成される前
記金属領域は、前記基板上に形成される接点が互いに離
反したときに、互いに絶縁されるように形成される。上
記金属領域は、前記酸化珪素の上に、図３に示すよう
に、金属層１２、１３を形成することにより形成され
る。この実施例では、チタンにより約４０ｎｍの厚さの
第１の層１２ａ、１３ａが、前記プレートの全面に蒸着
される。チタンは酸化シリコンに良好に接着されるの
で、チタンの使用は特に有効である。次いで、前記チタ
ンの上に金が好ましく堆積され、電気溶着の効率を改善
する。この蒸着された最終の金属層は、非常に薄い（約
２００ｎｍ）。このようにして形成された上記２つの金
属層は、従来技術により食刻（エッチング）され、金属
層１２、１３のネットワークが形成される。製造プロセ
スのこの時点における、上記接触器を図３に示す。前記
金属層は、好ましくは、切断前に絶縁プレートに接続さ
れる。実際上、以下のステップにおいて、これらの金属
層の各々を１つの電源に接続して、同一の電圧を印加す
ることにより、上記金属層に電着が実施される。こうし
て、上記金属層は接続されて、同一の電圧が印加され
る。
【００１８】上述した金属被服のプロセスは、次いで、
必要な場合には前記基板の脱水ステップが実施される。
この実施例では、典型的に２２０°Ｃにおいて３０分脱
水される。基板を脱水したのち、第１のフォトレジスト
層２３が、前記プロセスの表面に被服される。このフォ
トレジストは、好ましくは、遠心力により被服される。
この実施例では、このフォトレジスト層は、特に、形成
される構造、つまり電極６の第１の高さと前記基板との
間の防食層を形成している。第１のフォトレジスト層２
３の厚さは、例えば２μｍとすることができる。次い
で、上記フォトレジスト層が焼成される。この実施例で
は、この焼成は２つのステップにより実施される。第１
のステップは６５°Ｃで３０分、第２のステップは８０
°Ｃで１５分実施される。
必要な場合には前記基板の脱水ステップが実施される。
この実施例では、典型的に２２０°Ｃにおいて３０分脱
水される。基板を脱水したのち、第１のフォトレジスト
層２３が、前記プロセスの表面に被服される。このフォ
トレジストは、好ましくは、遠心力により被服される。
この実施例では、このフォトレジスト層は、特に、形成
される構造、つまり電極６の第１の高さと前記基板との
間の防食層を形成している。第１のフォトレジスト層２
３の厚さは、例えば２μｍとすることができる。次い
で、上記フォトレジスト層が焼成される。この実施例で
は、この焼成は２つのステップにより実施される。第１
のステップは６５°Ｃで３０分、第２のステップは８０
°Ｃで１５分実施される。
【００１９】成形穴２５、２６、２７、２８を清浄に保
つために、前記フォトレジスト層は、次いで、金属層１
２、１３の上に第２のマスク（図示せず）が施される。
次いで、上記成形穴に金属が電気化学的に成長させられ
る。このようにして成形穴２５、２８に形成された金属
ブロックにより、接点ピン５６が構成される。接点ピン
５６により、この接触器は外部の電気回路と接続され
る。これに対して、成形穴２６、２７に形成される２つ
の金属ブロックは、各々脚部１５、１７の基部を構成す
る。
つために、前記フォトレジスト層は、次いで、金属層１
２、１３の上に第２のマスク（図示せず）が施される。
次いで、上記成形穴に金属が電気化学的に成長させられ
る。このようにして成形穴２５、２８に形成された金属
ブロックにより、接点ピン５６が構成される。接点ピン
５６により、この接触器は外部の電気回路と接続され
る。これに対して、成形穴２６、２７に形成される２つ
の金属ブロックは、各々脚部１５、１７の基部を構成す
る。
【００２０】フォトレジスト層が形成された状態を図４
に示す。次いで、鉄とニッケルの合金または金等より成
る金属ブロック３１、３２、３３、３４を、厚いフォト
レジスト層の成形穴２５、２６、２７、２８に電着によ
り成長させる。電気化学的な成長プロセスの終端の状態
を図５に示す。新たな二重の金属層３６ａ、３６ｂが、
チタン層の上に金の層を蒸着法により堆積させて形成さ
れる。この金属層は、図６に示すように、前記プレート
の全面に渡って形成される。前記金属層の上に、第２の
フォトレジスト層３８が形成される。第２のフォトレジ
スト層は第２の電着を受ける型を形成する。第２のフォ
トレジスト層を図７に示す。フォトレジスト層３８に成
形穴４０、４１が形成される。成形穴４０、４１は、第
１のフォトレジスト層２３に形成された金属ブロック３
２、３３から正確に鉛直方向には延設されていない。成
形穴４１は、金属ブロック３３から第１のフォトレジス
ト層２３の上に延び、梁構造を形成する型として作用す
る。
に示す。次いで、鉄とニッケルの合金または金等より成
る金属ブロック３１、３２、３３、３４を、厚いフォト
レジスト層の成形穴２５、２６、２７、２８に電着によ
り成長させる。電気化学的な成長プロセスの終端の状態
を図５に示す。新たな二重の金属層３６ａ、３６ｂが、
チタン層の上に金の層を蒸着法により堆積させて形成さ
れる。この金属層は、図６に示すように、前記プレート
の全面に渡って形成される。前記金属層の上に、第２の
フォトレジスト層３８が形成される。第２のフォトレジ
スト層は第２の電着を受ける型を形成する。第２のフォ
トレジスト層を図７に示す。フォトレジスト層３８に成
形穴４０、４１が形成される。成形穴４０、４１は、第
１のフォトレジスト層２３に形成された金属ブロック３
２、３３から正確に鉛直方向には延設されていない。成
形穴４１は、金属ブロック３３から第１のフォトレジス
ト層２３の上に延び、梁構造を形成する型として作用す
る。
【００２１】次いで、鉄／ニッケルから成る強磁性の材
料が、第２のフォトレジスト層３８の成形穴４０、４１
に電着され、先ず、第２の電極４の脚部１５の第１層が
形成され、そして、第１の電極６の梁２１が形成され
る。フォトレジスト層３８の面の高さまで、鉄／ニッケ
ル合金が到達する前に、電気化学的成長を停止する。プ
ロセスのこの段階を図８に示す。本発明のプロセスによ
る一般的な方法において、上記フォトレジスト層に電気
化学的に成長させた金属ブロックと、次の層に形成され
る金属ブロックとの間の重ね合わせは、部分的にも必要
ではない。上層に形成される金属構造は、全体的に釣り
下げられ或いは自由に支持される。
料が、第２のフォトレジスト層３８の成形穴４０、４１
に電着され、先ず、第２の電極４の脚部１５の第１層が
形成され、そして、第１の電極６の梁２１が形成され
る。フォトレジスト層３８の面の高さまで、鉄／ニッケ
ル合金が到達する前に、電気化学的成長を停止する。プ
ロセスのこの段階を図８に示す。本発明のプロセスによ
る一般的な方法において、上記フォトレジスト層に電気
化学的に成長させた金属ブロックと、次の層に形成され
る金属ブロックとの間の重ね合わせは、部分的にも必要
ではない。上層に形成される金属構造は、全体的に釣り
下げられ或いは自由に支持される。
【００２２】次いで、鉄／ニッケル層の上に第１の金の
層４５を電気化学的に成長させる。この層は、梁１９、
２１が互いに接触したときに、電極４、６の間の電気的
接続を良好にする。第１の金の層４５を堆積させた後の
状態を図９に示す。次いで、第３のフォトレジスト層４
７が、前記プレートの全面に渡って形成される。このス
テップにおいて堆積されるフォトレジスト層は、制作さ
れた接触器１の梁１９、２１の間隔に等しい。第３のフ
ォトレジスト層４７には、同様に、第２の電極４の脚部
１５の第３層を形成するための成形穴４８が形成され
る。第３のフォトレジスト層４７を図１０に示す。次い
で、鉄／ニッケルまたは金より成る第３層が、第３のフ
ォトレジスト層の上記成形穴に電着される。この状態を
図１１に示す。
層４５を電気化学的に成長させる。この層は、梁１９、
２１が互いに接触したときに、電極４、６の間の電気的
接続を良好にする。第１の金の層４５を堆積させた後の
状態を図９に示す。次いで、第３のフォトレジスト層４
７が、前記プレートの全面に渡って形成される。このス
テップにおいて堆積されるフォトレジスト層は、制作さ
れた接触器１の梁１９、２１の間隔に等しい。第３のフ
ォトレジスト層４７には、同様に、第２の電極４の脚部
１５の第３層を形成するための成形穴４８が形成され
る。第３のフォトレジスト層４７を図１０に示す。次い
で、鉄／ニッケルまたは金より成る第３層が、第３のフ
ォトレジスト層の上記成形穴に電着される。この状態を
図１１に示す。
【００２３】次に、プレートの全面に渡って、チタンの
層５０ａと、金の層５０ｂとを形成する。フォトレジス
ト層に、第２の電極４を構成する梁１９のための成形穴
５４を形成する。梁１９が次工程において電着される。
第４のフォトレジスト層５２を図１３に示す。第４のフ
ォトレジスト層５２に形成された成形穴５４の底部に、
第２の金の層５３が電着される。この第２の金の層５３
は、第２の電極４を構成する梁１９の厚さに形成され
る。第２の金の層５３は、第１の電極６の梁２１に形成
された第１の金の層４５と同様に、両者間の電気的接触
を良好にする。この第２の金の層を形成した状態を図１
４に示す。次いで、第２の電極４を構成する梁１９の鉄
／ニッケルよりなる芯部が電着される。図１５に全ての
電着ステップを終了した後の、本発明による接触器１を
示す。この実施例において、電極４、６の間の分離は、
第３のフォトレジスト層の厚さにより達成される。これ
により、非常に小さな許容範囲で位置決めされた電極を
備えた接触器が提供される。
層５０ａと、金の層５０ｂとを形成する。フォトレジス
ト層に、第２の電極４を構成する梁１９のための成形穴
５４を形成する。梁１９が次工程において電着される。
第４のフォトレジスト層５２を図１３に示す。第４のフ
ォトレジスト層５２に形成された成形穴５４の底部に、
第２の金の層５３が電着される。この第２の金の層５３
は、第２の電極４を構成する梁１９の厚さに形成され
る。第２の金の層５３は、第１の電極６の梁２１に形成
された第１の金の層４５と同様に、両者間の電気的接触
を良好にする。この第２の金の層を形成した状態を図１
４に示す。次いで、第２の電極４を構成する梁１９の鉄
／ニッケルよりなる芯部が電着される。図１５に全ての
電着ステップを終了した後の、本発明による接触器１を
示す。この実施例において、電極４、６の間の分離は、
第３のフォトレジスト層の厚さにより達成される。これ
により、非常に小さな許容範囲で位置決めされた電極を
備えた接触器が提供される。
【００２４】上記接触器は、次いで、１つの工程または
複数の段階を有する工程において、フォトレジスト層２
３、３８、４７、５２および金とチタンの金属層３６、
５０を腐食により除去して電極４、６を形成する。図１
６にこの状態を示す。電極４、６は、実質的に鉄／ニッ
ケル合金から形成されているので、強い磁性を有してお
り強く磁化される。梁１９、２１は、既述の積層プロセ
スにより形成されているので、厚さが厳格に管理でき
る。この厚さは、上記２つの梁が可撓性を有し、比較的
に弱い磁界により先端において接触可能となるように選
定される。鉄／ニッケル合金が酸化しないように、次い
で、上記電極は不活性ガスが満たされた密封室に収納さ
れる。このために、ハニカム構造のキャップ８が前記プ
レートに取着される。このキャップは、例えば、前記プ
レートに取着されたときに、ガラスを微細加工して形成
される。そして、このキャップは個々のセルの各一対の
電極４、６を取り囲む。（前記キャップを前記基板に取
着する接着剤を、図１７において６０で参照する）。ハ
ニカム構造のキャップ８を取着した前記プレートの一部
を図１７に示す。
複数の段階を有する工程において、フォトレジスト層２
３、３８、４７、５２および金とチタンの金属層３６、
５０を腐食により除去して電極４、６を形成する。図１
６にこの状態を示す。電極４、６は、実質的に鉄／ニッ
ケル合金から形成されているので、強い磁性を有してお
り強く磁化される。梁１９、２１は、既述の積層プロセ
スにより形成されているので、厚さが厳格に管理でき
る。この厚さは、上記２つの梁が可撓性を有し、比較的
に弱い磁界により先端において接触可能となるように選
定される。鉄／ニッケル合金が酸化しないように、次い
で、上記電極は不活性ガスが満たされた密封室に収納さ
れる。このために、ハニカム構造のキャップ８が前記プ
レートに取着される。このキャップは、例えば、前記プ
レートに取着されたときに、ガラスを微細加工して形成
される。そして、このキャップは個々のセルの各一対の
電極４、６を取り囲む。（前記キャップを前記基板に取
着する接着剤を、図１７において６０で参照する）。ハ
ニカム構造のキャップ８を取着した前記プレートの一部
を図１７に示す。
【００２５】キャップ８により覆われ、多数のセルを含
む単一のプレートは、全接触器に再区分される（図１７
では、この集成体の一部のみ示す）。上記プレートの集
成体は、前記一対の電極を覆う部分と、接点ピン５６を
覆う部分とに区分される。前記接触器と接点ピン５６と
の分布は、フォトレジスト層を形成するために使用した
マスクの特定形状に依存している。接触器の集成体の区
画が個々に分離される。この操作は、好ましくは２つの
ステップから成る。第１のステップにおいて、前記キャ
ップが充分な深さに切り欠れる。この操作により、図１
８に示す切り欠き５８が形成される。次いで、第２のス
テップが実施され、個々の接触器が切断、分離される。
個々の接触器が分離されると、接点ピン５６の上のキャ
ップの部分が容易に除去される。と言うのは、第１のス
テップにおいて切り欠きが形成されているからである。
キャップのこの部分が除去された後、接点ピン５６が容
易に組み立てられ、接触器が外部の電気回路に接続され
て完成する。既述の切断ステップにより、１０ｃｍの直
径のプレートから数千の接触器が製造される。
む単一のプレートは、全接触器に再区分される（図１７
では、この集成体の一部のみ示す）。上記プレートの集
成体は、前記一対の電極を覆う部分と、接点ピン５６を
覆う部分とに区分される。前記接触器と接点ピン５６と
の分布は、フォトレジスト層を形成するために使用した
マスクの特定形状に依存している。接触器の集成体の区
画が個々に分離される。この操作は、好ましくは２つの
ステップから成る。第１のステップにおいて、前記キャ
ップが充分な深さに切り欠れる。この操作により、図１
８に示す切り欠き５８が形成される。次いで、第２のス
テップが実施され、個々の接触器が切断、分離される。
個々の接触器が分離されると、接点ピン５６の上のキャ
ップの部分が容易に除去される。と言うのは、第１のス
テップにおいて切り欠きが形成されているからである。
キャップのこの部分が除去された後、接点ピン５６が容
易に組み立てられ、接触器が外部の電気回路に接続され
て完成する。既述の切断ステップにより、１０ｃｍの直
径のプレートから数千の接触器が製造される。
【００２６】本発明の第２の実施例によるリード接触器
を図１９、２０に示す。この実施例では、第２の電極１
０４の反対側において、第１の電極１０３を構成する梁
１２１が、基板１０２の導電層１１３に直接取着されて
いる。従って、第１の電極１０６は脚部を具備していな
い。既述の実施例において４つのフォトレジスト層が使
用されたのに対して、この実施例では３つのフォトレジ
スト層が使用される。この実施例では、第１の電極１０
６は可撓性を有していない。これに対して、第２の電極
１０４の梁１１９は、接触器を閉成する外部磁界が存在
するとき、充分撓むように構成されている。
を図１９、２０に示す。この実施例では、第２の電極１
０４の反対側において、第１の電極１０３を構成する梁
１２１が、基板１０２の導電層１１３に直接取着されて
いる。従って、第１の電極１０６は脚部を具備していな
い。既述の実施例において４つのフォトレジスト層が使
用されたのに対して、この実施例では３つのフォトレジ
スト層が使用される。この実施例では、第１の電極１０
６は可撓性を有していない。これに対して、第２の電極
１０４の梁１１９は、接触器を閉成する外部磁界が存在
するとき、充分撓むように構成されている。
【００２７】本発明の第３の実施例による接触器を図２
１に示す。この実施例では、電極２０４の梁２０９と、
電極２０６の梁２２１は、基板２０２に平行な同一平面
に配置されている。この実施例において接触器を開成、
閉成する前記梁は、横方向の、つまり基板２２０と平行
な可撓性を有している。この変形実施例は、少ない堆積
ステップで済むという利点を有している。
１に示す。この実施例では、電極２０４の梁２０９と、
電極２０６の梁２２１は、基板２０２に平行な同一平面
に配置されている。この実施例において接触器を開成、
閉成する前記梁は、横方向の、つまり基板２２０と平行
な可撓性を有している。この変形実施例は、少ない堆積
ステップで済むという利点を有している。
【００２８】図２２から図３３を参照して、本発明の第
２のプロセスによる、接触器の製造方法を説明する。こ
の製造プロセスは、上述した本発明による第１のプロセ
スよりも少ないステップを必要とする。第１のフォトレ
ジスト層２３（図４参照）を成形マスクを通して紫外線
に露光する。この第２のプロセスは、第１のプロセスに
関連して説明したステップと同様のステップにて実施可
能である。
２のプロセスによる、接触器の製造方法を説明する。こ
の製造プロセスは、上述した本発明による第１のプロセ
スよりも少ないステップを必要とする。第１のフォトレ
ジスト層２３（図４参照）を成形マスクを通して紫外線
に露光する。この第２のプロセスは、第１のプロセスに
関連して説明したステップと同様のステップにて実施可
能である。
【００２９】フォトレジストの成形に適した推奨露光値
は、各々の製造者から与えられる。この推奨値は、フォ
トレジストの落ち込み部（レリーフ）を形成するとき
に、最も強い断面形状比（一種のアスペクト比であっ
て、断面の鉛直部の傾斜の度合いを示す比率）を得るこ
とを目的としている。相対的に弱い断面形状比を得る場
合には、製造者による推奨値に従う必要はない。シップ
リー・マイクロポジト（Shipley Microposit登録商標）
の R-S1400-27 において、第２のプロセスにおいて必要
な、相対的に弱い断面形状比を得るためには、推奨値よ
りも非常に高い値が採用される。
は、各々の製造者から与えられる。この推奨値は、フォ
トレジストの落ち込み部（レリーフ）を形成するとき
に、最も強い断面形状比（一種のアスペクト比であっ
て、断面の鉛直部の傾斜の度合いを示す比率）を得るこ
とを目的としている。相対的に弱い断面形状比を得る場
合には、製造者による推奨値に従う必要はない。シップ
リー・マイクロポジト（Shipley Microposit登録商標）
の R-S1400-27 において、第２のプロセスにおいて必要
な、相対的に弱い断面形状比を得るためには、推奨値よ
りも非常に高い値が採用される。
【００３０】こうして、第１のフォトレジスト層が露光
され、腐食物質、例えばシップリー・マイクロポジト
（Shipley Microposit登録商標）３５１を１：３に希釈
した溶液により現像される。次いで、基板を洗浄、再焼
成して図２２に示すような形状を得る。図２２によれ
ば、第１のフォトレジスト層２３の形状は、相対的に弱
い断面形状比を有している。つまり、４つの成形穴２
５、２６、２７、２８の縁が鉛直ではなく傾斜してい
る。この実施例の既述の説明では、フォトレジストの過
露光により弱い断面形状比を得ているが、他の方法によ
ってもこれを得ることができる（露光不足や、特定のフ
ォトレジストを使用すること等）。
され、腐食物質、例えばシップリー・マイクロポジト
（Shipley Microposit登録商標）３５１を１：３に希釈
した溶液により現像される。次いで、基板を洗浄、再焼
成して図２２に示すような形状を得る。図２２によれ
ば、第１のフォトレジスト層２３の形状は、相対的に弱
い断面形状比を有している。つまり、４つの成形穴２
５、２６、２７、２８の縁が鉛直ではなく傾斜してい
る。この実施例の既述の説明では、フォトレジストの過
露光により弱い断面形状比を得ているが、他の方法によ
ってもこれを得ることができる（露光不足や、特定のフ
ォトレジストを使用すること等）。
【００３１】フォトレジストが成形されたとき、金より
成る新たな金属層３６を、その表面に形成する。成形穴
２５、２６、２７、２８の壁面の弱い断面形状比のため
に、この金属層は図２３に示すように、前記複数の成形
穴の間で途切れることなくフォトレジスト２３の上に延
設される。この形状により金属層３６は、基板上に電着
された金属層１２、１３と電気的に接触することができ
る。この特徴は、金属層３６の上に次の電着を行うため
に必要である。
成る新たな金属層３６を、その表面に形成する。成形穴
２５、２６、２７、２８の壁面の弱い断面形状比のため
に、この金属層は図２３に示すように、前記複数の成形
穴の間で途切れることなくフォトレジスト２３の上に延
設される。この形状により金属層３６は、基板上に電着
された金属層１２、１３と電気的に接触することができ
る。この特徴は、金属層３６の上に次の電着を行うため
に必要である。
【００３２】次に、第１のフォトレジスト層３８が形成
される。第１のフォトレジスト層３８が金属層３６の上
に形成された状態を図２４に示す。次に、成形穴３７、
３８、４０、４１が形成され、この中に電気化学的に成
長させる。上記成形穴の壁は、成形穴２５、２６、２
７、２８とは異なり、強い断面形状比を有している。こ
の状態を図２５に示す。次に、成形穴３６、３７、４
０、４１に第１の金属ブロック２１、４２、４３、４４
を電着する。こうして、上記フォトレジスト層は成形型
として作用する。電気化学的に成長させた状態を図２６
に示す。金属ブロック２１は、第１のフォトレジスト層
２３の上において、所定の長さ延設されている。従っ
て、この実施例では、第１のフォトレジスト層は、接触
器の電極６を形成する作用を有している。
される。第１のフォトレジスト層３８が金属層３６の上
に形成された状態を図２４に示す。次に、成形穴３７、
３８、４０、４１が形成され、この中に電気化学的に成
長させる。上記成形穴の壁は、成形穴２５、２６、２
７、２８とは異なり、強い断面形状比を有している。こ
の状態を図２５に示す。次に、成形穴３６、３７、４
０、４１に第１の金属ブロック２１、４２、４３、４４
を電着する。こうして、上記フォトレジスト層は成形型
として作用する。電気化学的に成長させた状態を図２６
に示す。金属ブロック２１は、第１のフォトレジスト層
２３の上において、所定の長さ延設されている。従っ
て、この実施例では、第１のフォトレジスト層は、接触
器の電極６を形成する作用を有している。
【００３３】次に、鉄／ニッケル層の上に金の層４５を
電気化学的に成長させる。これは、梁１９、２１の先端
が相互に接触する際、２つの電極４、６の間の電気的接
触を改善する。この金の層の厚さは０．５μｍである。
この金の層を堆積した状態を図２７に示す。次に、第３
のフォトレジスト層４７が、前記プレートの全面に形成
される。このステップにおいて形成されたフォトレジス
ト層の厚さは、完成した接触器１の２つの梁１９、２１
の間の間隔に等しい。この第３のフォトレジスト層４７
には、金属ブロック４３の位置に鉛直な成形穴４８が形
成される。金属ブロック４３は、このリード接触器の電
極４の脚部１５の基部を構成する。成形穴４８の壁の断
面形状比は、上述した弱い断面形状比となっている。こ
のフォトレジスト層を形成するステップが終了すると、
その表面に新たな金属層５０が形成される。この状態を
図３０に示す。
電気化学的に成長させる。これは、梁１９、２１の先端
が相互に接触する際、２つの電極４、６の間の電気的接
触を改善する。この金の層の厚さは０．５μｍである。
この金の層を堆積した状態を図２７に示す。次に、第３
のフォトレジスト層４７が、前記プレートの全面に形成
される。このステップにおいて形成されたフォトレジス
ト層の厚さは、完成した接触器１の２つの梁１９、２１
の間の間隔に等しい。この第３のフォトレジスト層４７
には、金属ブロック４３の位置に鉛直な成形穴４８が形
成される。金属ブロック４３は、このリード接触器の電
極４の脚部１５の基部を構成する。成形穴４８の壁の断
面形状比は、上述した弱い断面形状比となっている。こ
のフォトレジスト層を形成するステップが終了すると、
その表面に新たな金属層５０が形成される。この状態を
図３０に示す。
【００３４】次いで、前記プレートの全面に第４のフォ
トレジスト層５２が形成される。このフォトレジスト層
には、接触器の梁１９のための成形穴５４が形成され
る。第４のフォトレジスト層５２を図３１に示す。梁１
９を形成するために、成形穴５４の底に金の層５３を電
着する。鉄／ニッケルより成る梁１９の芯部を最終的な
電着により形成する。全ての電着ステップを終了した接
触器を図３２に示す。鉄／ニッケル層の前に堆積された
金の層５３は、このリード接触器の電極４の下側の接触
層を構成する。この実施例において、２つの電極４、６
の間隔は、第３のフォトレジスト層の厚さにより決定さ
れる。従って、上記電極を小さな許容誤差を以て配置可
能となる。
トレジスト層５２が形成される。このフォトレジスト層
には、接触器の梁１９のための成形穴５４が形成され
る。第４のフォトレジスト層５２を図３１に示す。梁１
９を形成するために、成形穴５４の底に金の層５３を電
着する。鉄／ニッケルより成る梁１９の芯部を最終的な
電着により形成する。全ての電着ステップを終了した接
触器を図３２に示す。鉄／ニッケル層の前に堆積された
金の層５３は、このリード接触器の電極４の下側の接触
層を構成する。この実施例において、２つの電極４、６
の間隔は、第３のフォトレジスト層の厚さにより決定さ
れる。従って、上記電極を小さな許容誤差を以て配置可
能となる。
【００３５】上記接触器は、次いで、１つの工程または
複数の段階を有する工程において、フォトレジスト層２
３、３８、４７、５２および金とチタンの金属層３６、
５０を腐食により除去して、電極４、６を形成する。図
３３にこの状態を示す。最後に、既述の実施例は、単に
本発明を説明するために記載されたものであり、本発明
によるリード接触器は他のプロセスによっても制作可能
であることは言うまでもない。
複数の段階を有する工程において、フォトレジスト層２
３、３８、４７、５２および金とチタンの金属層３６、
５０を腐食により除去して、電極４、６を形成する。図
３３にこの状態を示す。最後に、既述の実施例は、単に
本発明を説明するために記載されたものであり、本発明
によるリード接触器は他のプロセスによっても制作可能
であることは言うまでもない。
【図１】本発明の第１の実施例によるリード接触器の断
面図。
面図。
【図２】図１において矢視線ＩＩ−ＩＩに沿う断面図。
【図３】接点器のための本発明による第１の製造プロセ
スの１つのステップを示す断面図。
スの１つのステップを示す断面図。
【図４】接点器のための本発明による第１の製造プロセ
スの１つのステップを示す断面図。
スの１つのステップを示す断面図。
【図５】接点器のための本発明による第１の製造プロセ
スの１つのステップを示す断面図。
スの１つのステップを示す断面図。
【図６】接点器のための本発明による第１の製造プロセ
スの１つのステップを示す断面図。
スの１つのステップを示す断面図。
【図７】接点器のための本発明による第１の製造プロセ
スの１つのステップを示す断面図。
スの１つのステップを示す断面図。
【図８】接点器のための本発明による第１の製造プロセ
スの１つのステップを示す断面図。
スの１つのステップを示す断面図。
【図９】接点器のための本発明による第１の製造プロセ
スの１つのステップを示す断面図。
スの１つのステップを示す断面図。
【図１０】接点器のための本発明による第１の製造プロ
セスの１つのステップを示す断面図。
セスの１つのステップを示す断面図。
【図１１】接点器のための本発明による第１の製造プロ
セスの１つのステップを示す断面図。
セスの１つのステップを示す断面図。
【図１２】接点器のための本発明による第１の製造プロ
セスの１つのステップを示す断面図。
セスの１つのステップを示す断面図。
【図１３】接点器のための本発明による第１の製造プロ
セスの１つのステップを示す断面図。
セスの１つのステップを示す断面図。
【図１４】接点器のための本発明による第１の製造プロ
セスの１つのステップを示す断面図。
セスの１つのステップを示す断面図。
【図１５】接点器のための本発明による第１の製造プロ
セスの１つのステップを示す断面図。
セスの１つのステップを示す断面図。
【図１６】接点器のための本発明による第１の製造プロ
セスの１つのステップを示す断面図。
セスの１つのステップを示す断面図。
【図１７】接点器のための本発明による第１の製造プロ
セスの１つのステップを示す断面図。
セスの１つのステップを示す断面図。
【図１８】接点器のための本発明による第１の製造プロ
セスの１つのステップを示す断面図。
セスの１つのステップを示す断面図。
【図１９】本発明の第２の実施例によるリード接触器の
断面図。
断面図。
【図２０】図１９において矢視線ＸＸ−ＸＸに沿う断面
図。
図。
【図２１】本発明の第３の実施例によるリード接触器の
斜視図。
斜視図。
【図２２】接点器のための本発明による第２の製造プロ
セスの１つのステップを示す断面図。
セスの１つのステップを示す断面図。
【図２３】接点器のための本発明による第２の製造プロ
セスの１つのステップを示す断面図。
セスの１つのステップを示す断面図。
【図２４】接点器のための本発明による第２の製造プロ
セスの１つのステップを示す断面図。
セスの１つのステップを示す断面図。
【図２５】接点器のための本発明による第２の製造プロ
セスの１つのステップを示す断面図。
セスの１つのステップを示す断面図。
【図２６】接点器のための本発明による第２の製造プロ
セスの１つのステップを示す断面図。
セスの１つのステップを示す断面図。
【図２７】接点器のための本発明による第２の製造プロ
セスの１つのステップを示す断面図。
セスの１つのステップを示す断面図。
【図２８】接点器のための本発明による第２の製造プロ
セスの１つのステップを示す断面図。
セスの１つのステップを示す断面図。
【図２９】接点器のための本発明による第２の製造プロ
セスの１つのステップを示す断面図。
セスの１つのステップを示す断面図。
【図３０】接点器のための本発明による第２の製造プロ
セスの１つのステップを示す断面図。
セスの１つのステップを示す断面図。
【図３１】接点器のための本発明による第２の製造プロ
セスの１つのステップを示す断面図。
セスの１つのステップを示す断面図。
【図３２】接点器のための本発明による第２の製造プロ
セスの１つのステップを示す断面図。
セスの１つのステップを示す断面図。
【図３３】接点器のための本発明による第２の製造プロ
セスの１つのステップを示す断面図。
セスの１つのステップを示す断面図。
２…基板（プレート） １２…導電領域 １３…導電領域 １５…脚部 １７…脚部 １９…梁 ２１…梁 １１２…導電領域 １１３…導電領域 １１５…脚部 １１９…梁 １２１…梁
Claims (8)
- 【請求項１】 電気的接続手段（５６）に各々接続され
た２つの導電性の梁（１９、２１；１１９、１２１）を
具備する接触器において、 前記梁の各々は遠位の先端を具備しており、 前記先端は、互いに近接して配置され、かつ、第１の開
成位置と第２の閉成位置との間で動作可能に構成されて
おり、前記第１の開成位置において前記先端は互いに所
定の間隔を以て離反し、前記第２の閉成位置において前
記先端は互いに接触し、 前記接触器は、更に、前記先端を第１の開成位置に復帰
するための復帰手段を具備し、 前記梁（１９、２１；１１９、１２１）が、更に、少な
くとも一部が磁化可能な材料により構成されており、充
分な強度の誘導磁界を受けたときに、前記先端が前記第
２の閉成位置に動作し、 前記接触器は、更に、２つの異なる導電領域（１２、１
３；１１２、１１３）を備えた基板（２、１０２）を具
備しており、前記梁（１９、２１；１１９、１２１）が
前記導電領域において前記基板に取着され、かつ、前記
梁（１９、２１；１１９、１２１）の少なくとも一方
が、脚部（１５、１７、１１５）の上に取り付けられる
ことにより前記基板に支持されている接触器。 - 【請求項２】 前記接触器が、更に、前記梁（１９、２
１；１１９、１２１）を覆うキャップ（８、１０８）を
具備しており、該キャップは前記基板（２、１０２）に
取着された閉鎖室を形成し、前記接続手段（５６）が、
前記の室の外部に配置される請求項１に記載の接触器。 - 【請求項３】 基板上に支持された金属の三次元微細構
造（４，６；１０４）を、電気化学的な方法により製造
するプロセスにおいて、 ａ）前記基板の一面に、第１のフォトレジスト層（２
３）を形成するステップと、 ｂ）前記第１のフォトレジスト層に、この層と同じ厚さ
の少なくとも１つの成長空間（２５、２６、２７、２
８）を、前記基板を覆うように形成するステップと、 ｃ）前記成長空間内に金属のピン（３１、３２、３３、
３４）を、前記フォトレジストの表面まで電着して成長
させるステップと、 ｄ）前記第１のフォトレジスト層の表面に金属層（３
６）を形成するステップと、 ｅ）前記金属層に新たなフォトレジスト層を形成するス
テップと、 ｆ）前記フォトレジスト層に、この層と同じ厚さの少な
くとも１つの成長空間（４０、４１）を、前記金属層を
覆うように形成するステップと、 ｇ）前記成長空間内に金属のピン（４３、２１）を、前
記新たなフォトレジストの表面まで電着して成長させる
ステップと、 ｈ）前記フォトレジスト層および不要な金属層を除去す
るステップとを含んでなる方法。 - 【請求項４】 更に、前記基板の所定の領域に金属の取
着層（１２ａ、１３ａ；１１２ａ、１１３ａ）を形成す
るステップと、 前記金属の取着層の酸化していない金属に第２の金属の
取着層（１２ｂ、１３ｂ；１１２ｂ、１１３ｂ）を形成
するステップとを含んで成る請求項３に記載のプロセ
ス。 - 【請求項５】 前記ステップ（ｇ）とステップ（ｈ）の
間に、 ｉ）前記新たなフォトレジスト層の表面に、新たな金属
層を形成するステップと、 ｊ）前記ステップ（ｅ）、（ｆ）、（ｇ）を繰り返すス
テップとを含んで成る請求項３または４に記載のプロセ
ス。 - 【請求項６】 基板（２）の上に支持された金属の三次
元微細構造（４、６）を、電気化学的な方法により製造
するプロセスにおいて、 ａ）前記基板を含み、少なくとも１つの導電領域を有す
る下部構造の表面に、概ね均一なフォトレジスト層（２
３）を形成するステップと、 ｂ）前記フォトレジスト層に、この層と同じ厚さの少な
くとも１つの成長空間（２５、２６、２７、２８）を、
前記導電領域の少なくとも一部を覆うように形成するス
テップと、 ｃ）前記フォトレジスト層および前記導電領域の露出す
る部分を覆うように延設された金属層（３６）を形成す
るステップと、 ｄ）概ね均一な新たなフォトレジスト層（３８）を形成
するステップと、 ｅ）前記フォトレジスト層に、この層と同じ厚さの少な
くとも１つの成長空間（４０、４１）を、前記金属層を
露出させるように形成するステップと、 ｆ）前記成長空間内に金属のピン（４３、２１）を電着
して成長させるステップと、 ｇ）前記フォトレジスト層および不要な金属層を除去す
るステップとを含んで成るプロセス。 - 【請求項７】 前記下部構造は、基板の請求項２に記載
のプロセスのステップ（ａ）から（ｆ）を実行すること
により、先行して形成される請求項６に記載のプロセ
ス。 - 【請求項８】 前記下部構造は、基板の請求項２に記載
のプロセスのステップ（ｄ）から（ｆ）を実行すること
により、先行して形成される請求項６に記載のプロセ
ス。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CH9215213 | 1992-12-15 | ||
| FR9215213A FR2699323B1 (fr) | 1992-12-15 | 1992-12-15 | Contacteur "reed" et procédé de fabrication de microstructures métalliques tridimensionnelles suspendues. |
| CH199193 | 1993-07-02 | ||
| CH01991/93-0 | 1993-07-02 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06223686A true JPH06223686A (ja) | 1994-08-12 |
Family
ID=25689202
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5315223A Pending JPH06223686A (ja) | 1992-12-15 | 1993-12-15 | リード接触器およびその製造方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5430421A (ja) |
| EP (1) | EP0602538B1 (ja) |
| JP (1) | JPH06223686A (ja) |
| KR (1) | KR100326129B1 (ja) |
| DE (1) | DE69311277T2 (ja) |
| HK (1) | HK1006604A1 (ja) |
| TW (1) | TW264556B (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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