JP2000158400A - 局部的に補強された金属性のマイクロ構造を製作する製法並びに局部的に補強された金属性のマイクロ構造 - Google Patents

局部的に補強された金属性のマイクロ構造を製作する製法並びに局部的に補強された金属性のマイクロ構造

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JP2000158400A
JP2000158400A JP11336196A JP33619699A JP2000158400A JP 2000158400 A JP2000158400 A JP 2000158400A JP 11336196 A JP11336196 A JP 11336196A JP 33619699 A JP33619699 A JP 33619699A JP 2000158400 A JP2000158400 A JP 2000158400A
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Juergen Graf
グラーフ ユルゲン
Stefan Kesel
ケーセル シュテファン
Joerg Rehder
レーダー イェルク
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 技術的に簡単でしかも経済的な製法を得るこ
とにある。 【解決手段】 本発明は、電気的な接触接続手段又は制
御回路を備えた基板、及び、金属性のマイクロ構造を設
けた後で除去される有機的な構造化された犠牲層に、局
部的に補強された金属性のマイクロ構造を製作する製法
に関する。マイクロ構造の局部的な補強部を製作する場
合、マスクとして成形された有機的な少なくとも１つの
別の層（１６，１９，２０，２６，３０，１１６，１２
０）を設け、該層を金属層（１４，１５，１８，２４，
２８，１１４，１１８）を構造化した後で同様に除去す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、特許請求の範囲第
１項の上位概念に記載の形式の局部的に補強された金属
性のマイクロ構造、特にマイクロミラーの製法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】ミラープレートの変形を回避しかつ旋回
エレメントを懸架するための切欠きの所要の安定性を得
るために、マイクロ構造、例えばミラープレート及び／
又は切欠きの局部的な補強が提案されている。
【０００３】既に、ミクロン範囲の有機的な感光性樹脂
から出発する局部的に厚い層を備えたマイクロミラーの
製法が開発されている。この製法は、”Texas Instrume
ntsDigital Ligth Processing and MEMS: Timely Conve
rgence for a Bright Future,L,J.Hornbeck, Micromach
ining and Microfabrication 95, Plenary SessionPape
r, Texas, USA, 1995”の出版物に記載されている。前
記公知の製法は、二酸化珪素・マスクによって鏡面をマ
スキングするための複雑で不経済なプロセス及び次いで
行われるアルミニウム層のプラズマエッチングが利用さ
れる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、改善
された製法並びにマイクロ構造を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記課題は本発明によれ
ば、特許請求の範囲第１項及び第９項に記載の製法並び
に第１０項及び第１２項に記載のマイクロ構造によって
解決された。
【０００６】
【発明の効果】本発明の製法において適用される写真製
版及びこれに次いで行われる金属層の化学的なウエット
エッチングは、技術的に簡単でしかも経済的である。
【０００７】有利な製法及び別の構成は、その他の請求
項に記載されている。
【０００８】構造化された犠牲層及び製法において必要
な感光性樹脂層を製作するために、ポジ型並びにネガ型
の感光性樹脂を使用できる。ポジ型の感光性樹脂の場
合、露光後及び現像後に露光された領域が除去される。
【０００９】
【発明の実施の形態】次に図示の実施例につき、マイク
ロミラーを支持する切欠き（支柱及び中空支柱）が互い
に隣接する２つのマイクロミラーを担持するマイクロミ
ラーアレーにおいてマイクロミラーとしての局部的に補
強された構造を製作するための実施例を説明する。
【００１０】製法は、プロセスステップの数及び形式、
使用される材料並びにフォト構造化のための所要のマス
クの数に関し異なっている。
【００１１】実施例として、マイクロミラーの製法を記
述する。マイクロミラーは、以下の基本的なプロセスス
テップで実現される。即ち、基板（ウエーハ）１０の浄
化及び不動態化、電極の構造化又はＣＭＯＳ・制御手段
の製作、犠牲層の切欠きの構造化、金属層（Ａｌ、Ｎ
ｉ、Ａｕ）のスッパタリング、場合によっては電気メッ
キ式の金属析出（Ｎｉ）、ミラーの構造化及び犠牲層の
除去。本発明による製法の記述は、犠牲層１２の製作後
に開始される（第１図ａ、製法１）。ポジ型の感光性樹
脂（HOECHST社のAZ4562）から成る犠牲層は、樹脂遠心
機においてスピンコートされる。例えば５０μｍ×５０
μｍの大きさのミラープレートを有するマイクロミラー
は、１０度の切換え角のために４．３５μｍの理論的な
犠牲層厚さを必要とする。犠牲層の厚さは、その都度の
旋回角が得られるように、選択されている。次いで樹脂
が、下面をＵＶ・光に関し透過性のクロム・酸化クロム
・層により構造化されているＵＶ・光を透過するマスク
１７、例えば石英又は生ガラスから成るマスク１７を介
してＨｇ・ＨＤランプで露光されて、現像される。次い
で、アルミニウムから成る第１の金属層１４が、犠牲層
１２にスパッタリングされ、即ち、アルミニウム層がカ
ソードスパッタによって塗布され、この場合例えば、２
０−１００sccmのアルゴン流で３５０−４５０Ｗの出力
及び１０-3 −１０-2 mbarの圧力を有するマグネトロン
・スパッタ装置が使用される。
【００１２】スパッタリングされたアルミニウム層１４
の厚さ（０．１μｍ乃至数μｍ）は、トーションウエブ
の後で得られる厚さに相応する。基板の温度はスパッタ
プロセス中には、樹脂層の褶曲及び発泡を阻止するため
に、犠牲層１２の感光性樹脂の最大硬化温度以下に維持
されねばならない。後で得られるトーションウエブのマ
スキングのために、感光性樹脂（例えば、HOECHST社のA
Z8112）がスピンコートされる。感光性樹脂層１６の厚
さはほぼ１μｍである。感光性樹脂は、クロムマスク１
７によって露光され、露光された領域は、アルカリ性現
像水溶液によって除去される。感光性樹脂の前硬化及び
後硬化時の温度は、犠牲層の硬化温度以下に保たれる。
これにも拘わらず構造化可能な耐酸性のポリマー層を得
るために、調質ステップは、通常の処理の場合よりも長
く継続する。例えば酸素プラズマ内での短時間の焼却に
よる表面活性化後に、ミラープレート５及び切欠き７を
補強する別の金属層１８、例えばアルミニウム層がスパ
ッタリングされる。
【００１３】別の金属層１８をスパッタリングする場合
には、第１の金属層１４をスパッタリングする際と同じ
プロセス条件が該当する。しかしながら別の金属層１８
は比較的厚く（０．２μｍ乃至数μｍ）かつ付加的に高
い反射性（例えば８８％乃至９２％）を有する必要があ
る。アルミニウム層１４，１８を構造化するために、も
う一度ポジ型の感光性樹脂（例えば、HOECHST社のAZ811
2）から成る第２の感光性樹脂層２０が、第２のアルミ
ニウム層１８に塗布される。マスク２１を用いた感光性
樹脂・マスキングプロセスは、トーションウエブ３をマ
スキングするための既述のプロセスに相応する。
【００１４】次いで行われる金属層の化学的なウエット
エッチングの際にトーションウエブが損傷又はエッチン
グされないようにするために、トーションウエブ３用の
感光性樹脂層１６とミラープレート５用の層と後で得ら
れる切欠き７とを局部的にオーバーラップすることが重
要である。トーションウエブの取付け個所におけるオー
バーラップは、例えば３μｍである。両アルミニウム層
１４，１８は、有利にはウエット化学式にエッチングさ
れる。イオン・ビーム・エッチング（ＩＢＥ）によるド
ライエッチングプロセスも同様に可能である。エッチン
グ混合物は、例えばリン酸、硝酸及び酢酸（H3PO4/CH3C
OOH/HNO3/H2O(4:4:1:1）及び湿潤剤から成る。エッチン
グ率は温度に関連している。特に高温度の場合に前記エ
ッチング混合物が感光性樹脂に作用することを考慮する
必要がある。それ故、アルミニウム層が厚い場合には感
光性樹脂層も比較的厚く選ばれねばならずかつ場合によ
っては長く硬化されねばならない。感光性樹脂層１６，
１８は、アセトンのような溶剤又は感光性樹脂現像剤に
よって又は４００−８００sccm のＯ2 ・流過量及び４
５０Ｗを有するトンネルリアクタの酸素プラズマ内での
焼却によって除去される。
【００１５】金属層１４（ミラー層）の下側には、依然
として有機的な構造化された犠牲層１２が設けられてい
る。犠牲層１２はウエット式に溶解させることはできな
い。それというのもこの場合、金属層１４が付着力によ
り基板に引きつけられて、接着状態で維持されるからで
ある。それ故犠牲層１２は、トンネルリアクタのフルオ
ル炭化水素化合物を含有するプラズマ内で、特に２００
Ｗ、５０−２５０sccmのＯ2 ・流過量及び２−１０sccm
のＣＦ4 ・流過量のテトラフルオル炭素ガスを含有す
るプラズマ内で乾式に除去される。
【００１６】プロセス時間を短縮するために、犠牲層１
２を全面で露光しかつウエット化学式に金属層１４（ミ
ラープレート）の外部の領域を現像除去できる。
【００１７】製法１に選択的に製法２（第２図）が提案
されており、この場合、種々のステップのために同一の
反応条件が維持される。有機的に構造化された犠牲層１
２にアルミニウムから成る第１の金属層１４をスパッタ
リングするに続いて、全表面に、切欠き７を充填するポ
ジ型の感光性樹脂から成る感光性樹脂層１６がスピンコ
ートされる。マスク３１を用いた感光性樹脂の露光後及
び第１の金属層１４のエッチング後に、マイクロミラー
が均質な層厚さで構造化される。既に露光されかつ現像
された感光性樹脂は、後で得られる鏡面５の領域でマス
ク３３によって新たに露光されかつ現像により除去され
る。これに次いで行われるスパッタステップでは、アル
ミニウムから成る第２の金属層１８が塗布されかつマス
ク３５によるマスキンク後にエッチングされる。次い
で、残りの感光性樹脂は、アセトンのような溶剤又は感
光性樹脂現像剤により又はトンネルリアクタの酸素プラ
ズマ内で除去される。有機的な構造化された犠牲層１２
は、前述の製法１のように除去される。
【００１８】第３実施例による第３の製法（第３図）で
は、構造化された犠牲層１２にサンドイッチ状の順序の
金属層１４，１５，１８がスパッタリングされる。この
場合、第１のアルミニウム層１４がベース層として構造
化された犠牲層１２に、次いで第２の金属層１５がチタ
ン、ニッケル又はチタンタングステン（ＴｉＷ）から成
る中間層としてかつ最終的に別のアルミニウム層１８が
カバー層としてスパッタリングされる。カバー層１８に
は、切欠き７及びミラープレート５の領域が写真製版式
に感光性樹脂層１９によってマスキングされる。マスク
３７を用いたプロセスは、ポジ型の感光性樹脂（例え
ば、HOECHST社のAZ8112）を用いた製法１の金属層の第
２のマスキング法に相応する。アルミニウム層１８は、
既述のリン酸・エッチング混合物によって除去されかつ
チタン又はチタンタングステンから成る中間層１５は、
フッ酸又は過酸化水素によって局部的にウエット化学式
に除去される。ミラープレート５及び切欠き７用の感光
性樹脂マスク１９は、まずアセトンのような溶剤又は感
光性樹脂現像剤により、次いでトンネルリアクタの酸素
プラズマ内で完全に除去される。まだ完全に維持されて
いる第１のアルミニウム層１４を構造化するために、全
表面に、マスク３９によって構造化される第２のポジ型
の感光性樹脂２０が備えられる。
【００１９】金属（アルミニウム）は、マスキング領域
の外部でエッチング混合物によってウエット化学式にエ
ッチングされかつ第１の製法のように犠牲層１２が乾式
に除去される。
【００２０】感光性樹脂層１６又は２０を除去した後で
及び有機的な構造化された犠牲層１２を除去する前に、
金属構造上に更に積層することもできる。第４図実施例
で図示の第４の製法では、窒化タンタル（ＴａＮ）から
成る防護層２４が、構造の最上部の金属層１８にしかも
犠牲層１２を介して塗布される。この場合感光性樹脂層
は、犠牲層２６として塗布されかつマスク４１によって
構造化される、例えばミラー用の切欠き７が形成され
る。次のステップにおいて、防護層２４が切欠きの領域
でエッチング除去され、例えば窒化タンタルから成る防
護層２４が、アンモニウム・ペルオキシソジルスルフェ
ート（Peroxodisulfat）（NH4)2S2O8）によって又はフ
ッ酸、酢酸及び硝酸（HF/CH3COOH/HNO3/H2O）から成る
混合物によってエッチング除去される。
【００２１】次いで、アルミニウムから成る第３の金属
層２８が、感光性樹脂層（犠牲層２６）にスパッタリン
グされかつ化学式のウエットエッチングによりマスク４
３を用いて構造化されてミラープレートが形成される。
次いで既述のように、両犠牲層１２，２６除去される。
【００２２】この製法では、防護層２４のエッチングは
省略できる。この場合、マイクロミラーの金属層１８と
後で得られる鏡面２８との間の伝導結合は得られないの
で、静電式の制御に際して、アレー内に配置する場合の
相互の影響は減少される。キャパシタンスひいては再充
電電流も減少される。
【００２３】局部的に補強されたマイクロ構造は、構造
の補強を許容する特殊な幾何学形状、特にＵ字形プロフ
ィル及びＶ字形プロフィルを有することもできるので、
可動なエレメントの質量が減少されひいてはマイクロミ
ラーの高い固有周波数が得られる。構造エレメントの補
強は縁部領域によって行われるので、これらの間に位置
する面は比較的薄くできる。付加的に前記面は、種々の
２つの材料から形成されるので、温度に関連して撓みが
生ずる。犠牲層技術は、マイクロ構造エレメントの製作
の根拠となっている。Ｕ字形プロフィルの実施例は、第
５図で図示されている。例えば金属電極、ＣＭＯＳ・制
御手段及び電子機構を有する適当な基板上には、既述の
製法におけるように、感光性樹脂（例えば、HOECHST社
のAZ4562）から成る犠牲層１１２が樹脂遠心機によって
塗布されかつ２０mW/cm2 の露光及び現像によって構造
化される。構造化された第１の犠牲層１１２は、局部的
に補強されたプロフィルを形成ために、種々の層順序
（１１４，１１６，１１８，１２０）で塗布される。
【００２４】特に金又は銅のような貴金属から成る又は
チタン又はチタンタングステンから成る第１の金属層１
１４は、付着層及びスタート層として第１の犠牲層１１
２に塗布される。金から成る第１の金属層（付着層）の
スパッタリングのために、３００Ｗ乃至５００Ｗの出
力、０．０１mbar 範囲のプロセスチャンバ圧力及び１
００度Ｃ以下のプロセス温度が使用される。金属層１１
４は、第２の犠牲層１１６用の防護層としても用いら
れ、該犠牲層は、感光性樹脂（例えば、HOECHST社のAZ4
533）から成り、第１の金属層１１４にスピンコートさ
れる。製作すべきＵ字形プロフィルの高さを有する第２
の犠牲層１１６は、マスク４５によって構造化されか
つ、特に金又は銅のような貴金属から成る又はチタン又
はチタンタングステンから成る第２の金属層１１８は、
第２の犠牲層に析出される。この場合、 Ｕ字形プロフ
ィルのトーションウエブ及び縁部で垂直な補強エッジが
生ずる。この構造はトラフ形状とも呼ばれる。
【００２５】第３のスピンコートされる犠牲層１２０
は、 Ｕ字形プロフィルの縁部を形成するためにマスク
４７によって構造化される。マスク４７はマスク４５に
類似しているが、マスク４７の開口はプロフィル幅だけ
大きく、従って、次の層の塗布を容易にするように基板
縁部における金属被覆はカバーされない。マイクロ構造
の金属層１２２は、例えば電気メッキ式にニッケル又は
ニッケルコバルトによって形成される。電気メッキ式の
金属析出のための代表的なＮｉ・浴は、５０度Ｃの浴温
度及び５．３のｐＨ・値を有する硫酸ニッケル（NiS
O4）、塩化ニッケル（NiCl）及びホウ酸（H3BO3）から
形成される。マイクロ構造を製作した後では、第３の犠
牲層１２０がアセトンのような溶剤によって、第２の金
属層１８が適当なエッチング溶剤によって、第２の犠牲
層１１６が矢張りアセトンのような溶剤によって及び第
１の金属層１１４が適当なエッチング溶剤によって除去
される。
【００２６】犠牲層１１６，１２０の除去は、構造の下
部が洗い流されずかつこの際構造が変形されて基板に引
きつけられるまで、有利にはウエット化学式に行われ
る。
【００２７】第１の犠牲層１１２は、トンネルリアクタ
の、酸素・及びフルオル（フッ素）を含有した炭素化合
物（例えばCF4）から成るプラズマ内での焼却によって
除去される。使用されるプロセスパラメータは、 層厚
さ及びミラー寸法に応じて、ＲＦ・出力のために１００
乃至５００Ｗ、 O2 ・流過量のために１００−２００sc
cm 及びCF4・流過量のために２乃至１０sccm である。
【００２８】スパッタ技術によって、類似の製法により
Ｖ字形構造が得られる。このために、犠牲層内に支柱
（切欠き）のために適当なパラメータ選択により極めて
フラットなフランクが実現され、該フランクにはスパッ
タリングにより十分な金属（アルミニウム）が析出され
る。
【００２９】前記製法に基づきトーションウエブを僅か
な質量で戻しモーメントを増大して形成できしかも大面
積の片持ち式の構造を僅かな質量で強度／剛性を増大し
て形成できる。前述の原理により、２つの異なる材料か
ら安定したフレームを有する薄膜（ダイヤフラム）を形
成できる。温度変化が生じた場合には、バイメタル効果
が生ずる。従って、静電式の駆動装置によって熱的に焦
点距離を制御可能なマイクロミラーを形成できる。凹面
状及び凸面状の表面は温度に亘って所望のように調節さ
れひいてはマイクロミラーにおいて焦点合わせ特性及び
焦点ずらし特性が生ぜしめられる。
【図面の簡単な説明】
【図１】ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，ｆ，ｇ，ｈ，ｉはそれぞ
れ、ミラープレート及び支柱として用いられる２つの切
欠きを補強する製法ステップを示す図。
【図２】ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，ｆ，ｇ，ｈ，ｉはそれぞ
れ、補強されたミラープレートの製法ステップを示す
図。
【図３】ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，ｆ，ｇ，ｈ，ｉ，ｊ，ｋ
はそれぞれ、サンドイッチ状の層順序によりミラープレ
ート及び２つの支柱を補強する製法ステップを示す図。
【図４】ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，ｆ，ｇ，ｈ，ｉ，ｊ，
ｋ，ｌはそれぞれ、局部的に互いに結合された多層の構
造を構成するための製法ステップを示す図。
【図５】ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，ｆ，ｇ，ｈ，ｉ，ｊ，
ｋ，ｌはそれぞれ、Ｕ字形プロフィルによって補強され
たマイクロ構造を製作するための製法ステップを示す
図。
【符号の説明】
３ 基板（ウエーハ） ７ 切欠き １２，２６，１１２，１１６ 犠牲層 １４ アルミニウム層、金属層 １５ 金属層、中間層 １６．２０ 感光性樹脂 １７ クロムマスク １９ 感光性樹脂マスク ２４ 防護層 ２８ 鏡面 ３１，３３，４７ マスク
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ユルゲン グラーフ ドイツ連邦共和国 シユツツガルト ロイ トリンガー シュトラーセ 133 (72)発明者 シュテファン ケーセル ドイツ連邦共和国 ミュンヘン モートア シュトラーセ 40 (72)発明者 イェルク レーダー デンマーク国 コペンハーゲン リレ ソ ンダーヴォルトステーデ ４

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 有利には電気的な接触接続手段又は制御
    回路を備えた基板、及び、金属性のマイクロ構造を設け
    た後で除去される有機的な構造化された犠牲層に、局部
    的に補強された金属性のマイクロ構造、特にアルミニウ
    ム構造を製作する製法において、マイクロ構造の局部的
    な補強部を製作する際に、マスクとして成形された有機
    的な少なくとも１つの別の層（１６，１９，２０，２
    ６，３０，１１６，１２０）を設け、該層を金属層（１
    ４，１５，１８，２４，２８，１１４，１１８）を構造
    化した後で同様に除去することを特徴とする、局部的に
    補強された金属性のマイクロ構造を製作する製法。
  2. 【請求項２】 金属性の構造（１）を形成するためのマ
    スク（１６，１９，２０，２６，３０，１１６，１２
    ０）として、感光性樹脂、有利にはポジ型の感光性樹脂
    から成る有機的な層を設ける、請求項１記載の製法。
  3. 【請求項３】 有機的な層（１６，１９，２０，２６，
    ３０，１１６，１２０）をスピンコートする、請求項１
    又は２記載の製法。
  4. 【請求項４】 犠牲層（１２）に第１の金属層（１４）
    をスパッタリングし、得るべき第１の金属層（１４）の
    領域を、第１の感光性樹脂層（１６）でマスキング（１
    ７）し、第２の金属層（１８）を全面にスパッタリング
    し、得るべき第２の金属層（１８）の領域を、第２の感
    光性樹脂層（２０）でマスキング（２１）し、金属層
    （１４，１８）のマスキングされない領域をエッチング
    し、次いで、感光性樹脂層（１６，２０）を除去する、
    請求項１から３までのいずれか１項記載の製法（図１ａ
    −１ｉ）。
  5. 【請求項５】 犠牲層（１２）に第１の金属層（１４）
    をスパッタリングし、得るべき第１の金属層（１４）の
    領域を、第１の感光性樹脂被覆（１６）でマスキング
    （３１）し、第１の金属層（１４）のマスキングされな
    い領域をエッチングし、第１の感光性樹脂層（１６）を
    補強すべき領域で除去し、次いで第２の金属層（１８）
    をスパッタリングし、得るべき第２の金属層（１８）の
    領域を、第２の感光性樹脂層（２０）でマスキング（３
    ５）し、両金属層（１４，１８）のマスキングされない
    領域をエッチングし、次いで、感光性樹脂層（１６，２
    ０）を除去する、請求項１から３までのいずれか１項記
    載の製法（図２ａ−２ｉ）。
  6. 【請求項６】 犠牲層（１２）に第１の金属層（１４）
    をスパッタリングし、第１の金属層（１４）に、特にＴ
    ｉ、Ｎｉ又はＴｉＷから成る第２の異なる金属層（１
    ５）をスパッタリングし、第２の金属層（１５）に、別
    の金属層（１８）、特にアルミニウム層をスパッタリン
    グし、得るべき金属層（１４，１５，１８）の領域を、
    第１の感光性樹脂層（１９）でマスキング（３７）し、
    別の金属層（１８）のマスキングされない領域をエッチ
    ングし、次いで、第２の異なる金属層（１５）のマスキ
    ングされない領域をエッチングし、第１の感光性樹脂層
    （１９）を除去し、得るべき金属層（１４，１５，１
    ８）の領域を、第２の感光性樹脂層（２０）でマスキン
    グ（３９）し、第１の金属層（１４）のマスキングされ
    ない領域をエッチングし、次いで、感光性樹脂層（２
    ０）を除去する、請求項１から３までのいずれか１項記
    載の製法（図３ａ−３ｋ）。
  7. 【請求項７】 特に窒化タンタルから成る防護層（２
    ４）をマイクロ構造（１，１４，１５，１８）に設け、
    これに感光性樹脂から成る犠牲層（２６）を設け、露光
    及び現像により構造化し、防護層（２４）をエッチング
    により部分的に除去し、別の金属層、有利には同様にア
    ルミニウム層（２８）をスパッタリングし、次いで、感
    光性樹脂層（３０）を設けて、マスク（４３）として成
    形し、次いで、別の金属層（２８）を化学式のウエット
    エッチングにより構造化する、請求項１から６までのい
    ずれか１項記載の製法（図４ａ−４ｇ）。
  8. 【請求項８】 マイクロ構造（１）の金属層（１４，１
    ５，１８，２４，２８）を構造化した後で感光性樹脂層
    （１６，１９，２０，３０）を溶剤、特にアセトン又は
    硫酸・過酸化水素混合物によって又はトンネルリアクタ
    の酸素プラズマ内での焼却又はトンネルリアクタのフッ
    素を含有した炭素化合物、特にテトラフルオル炭化水素
    を有する酸素プラズマ内での焼却によって除去する、請
    求項１から７までのいずれか１項記載の製法。
  9. 【請求項９】 有利には電気的な接触接続手段又は制御
    回路を備えた基板、及び、金属性のマイクロ構造を設け
    た後で除去される有機的な構造化された犠牲層に、局部
    的に補強された金属性のマイクロ構造、特にアルミニウ
    ム構造を製作する製法において、特に金から成る第１の
    金属層（１１４）を防護層として構造化された第１の犠
    牲層（１１２）に設け、第１の金属層（１１４）に第２
    の犠牲層（１１６）を設けて、縁部領域で構造化し、有
    利には同様に金から成る第２の金属層（１１８）を防護
    層として第２の犠牲層（１１６）に設け、次いで、第２
    の金属層（１１８）に第３の犠牲層（１２０）を設け
    て、構造化し、マイクロ構造を電気メッキ式に特にＮｉ
    又はＣｏ／Ｎｉによって補完し、次いで、防護層（１１
    ４，１１８）及び犠牲層（１１２，１１６，１２０）を
    除去することを特徴とする、局部的に補強された金属性
    のマイクロ構造を製作する製法（図５ａ−５ｌ）。
  10. 【請求項１０】 有利には電気的な接触接続手段又は制
    御回路を備えた基板及び有機的な構造化された犠牲層に
    設けられる局部的に補強された金属性のマイクロ構造、
    特に請求項６記載の製法により製作されたマイクロ構造
    において、局部的な補強部が、サンドイッチ式の順序の
    ３つの金属層、つまり、ベース層（１４）、中間層（１
    ５）及びカバー層（１８）から形成されていることを特
    徴とする、局部的に補強された金属性のマイクロ構造
    （図３ｋ）。
  11. 【請求項１１】 ベース層（１４）とカバー層（１８）
    とが同一の金属、特にアルミニウムから形成されていて
    かつ中間層（１５）が、別の金属、特にチタン又はチタ
    ンタングステンから形成されている、請求項１０記載の
    マイクロ構造。
  12. 【請求項１２】 有利には電気的な接触接続手段又は制
    御回路を備えた基板及び有機的な構造化された犠牲層に
    設けられる局部的に補強された金属性のマイクロ構造、
    特に請求項９記載の製法により製作されたマイクロ構造
    において、犠牲層（１１２，１１６，１２０）が、Ｕ字
    形乃至Ｖ字形の切欠き（７）及び平坦な帯域（９）を有
    していることを特徴とする、局部的に補強された金属性
    のマイクロ構造。
  13. 【請求項１３】 犠牲層（１１２，１１６，１２０）の
    平坦な帯域（９）が、２つの種々の材料（１１４，１１
    ８）から成るライニングを備えている、請求項１２記載
    のマイクロ構造。
  14. 【請求項１４】 マイクロ構造を熱的に制御可能なマイ
    クロミラーとして使用する、請求項１０から１３までの
    いずれか１項記載のマイクロ構造。
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