JPH09297272A - マイクロメカニカルデバイス - Google Patents
マイクロメカニカルデバイスInfo
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
- G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
- G02B26/0816—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
- G02B26/0825—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a flexible sheet or membrane, e.g. for varying the focus
-
- G—PHYSICS
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/015—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction
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- G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
- G02B26/0816—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
- G02B26/0833—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD
- G02B26/0841—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD the reflecting element being moved or deformed by electrostatic means
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 スプリングチップを備えたマイクロメカニカ
ルデバイスおよびその製造方法の提供。 【解決手段】 本マイクロメカニカルデバイスは、空隙
の上方に少なくとも１個のヒンジによって吊り下げられ
た偏向可能要素３６と、空隙の底部に設けられたランデ
ィングストップ３４ａとを有する。要素３６は前記ヒン
ジ上で偏向され、少なくとも１個の小さいスプリングチ
ップを介してランディングストップ３４ａとコンタクト
する。スプリングチップはコンタクト時に曲がり、より
均等な力の分散とより少ない疲労および付着をもたら
す。スプリングチップは、標準的な半導体プロセス工程
に、ヒンジを構成する金属層をパターン化して別になっ
た金属要素を生成させる工程を付加することにより形成
される。
ルデバイスおよびその製造方法の提供。 【解決手段】 本マイクロメカニカルデバイスは、空隙
の上方に少なくとも１個のヒンジによって吊り下げられ
た偏向可能要素３６と、空隙の底部に設けられたランデ
ィングストップ３４ａとを有する。要素３６は前記ヒン
ジ上で偏向され、少なくとも１個の小さいスプリングチ
ップを介してランディングストップ３４ａとコンタクト
する。スプリングチップはコンタクト時に曲がり、より
均等な力の分散とより少ない疲労および付着をもたら
す。スプリングチップは、標準的な半導体プロセス工程
に、ヒンジを構成する金属層をパターン化して別になっ
た金属要素を生成させる工程を付加することにより形成
される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は空間光変調器に関す
るものであって、更に詳細にはマイクロメカニカル空間
光変調器に関する。
るものであって、更に詳細にはマイクロメカニカル空間
光変調器に関する。
【０００２】
【従来の技術】空間光変調器は、いくつかの実施例では
個別的にアドレッシングされる要素からなるアレイを含
んでいる。そのようなタイプの変調器の例としては、液
晶デバイス（ＬＣＤ）、デジタルマイクロミラーデバイ
ス（ＤＭＤ−商標）、および駆動ミラーデバイス（ＡＭ
Ａ−商標）が挙げられる。ＤＭＤおよびＡＭＡはマイク
ロメカニカルデバイスであって、それは、それらが駆動
された時に動くようになった微小な部品を含んでいるこ
とを意味する。
個別的にアドレッシングされる要素からなるアレイを含
んでいる。そのようなタイプの変調器の例としては、液
晶デバイス（ＬＣＤ）、デジタルマイクロミラーデバイ
ス（ＤＭＤ−商標）、および駆動ミラーデバイス（ＡＭ
Ａ−商標）が挙げられる。ＤＭＤおよびＡＭＡはマイク
ロメカニカルデバイスであって、それは、それらが駆動
された時に動くようになった微小な部品を含んでいるこ
とを意味する。
【０００３】マイクロメカニカル変調器は、ほとんどの
半導体製造工程と両立する製造プロセスの製品であると
いう特長を有する。それは更に、極端に微細なスケール
で製造できるという特長を有する。それらの可動部品は
非常に簡単であって、典型的には１つの方向に、あるい
は２つの方向のうちの１つの方向に偏向されるフラップ
（ｆｌａｐ）である。それらはフラップの偏向を引き起
こす、例えば静電的な力あるいは圧電的な力によって駆
動される。フラップが偏向する時、フラップの表面に入
射する光の反射角度が変化する。
半導体製造工程と両立する製造プロセスの製品であると
いう特長を有する。それは更に、極端に微細なスケール
で製造できるという特長を有する。それらの可動部品は
非常に簡単であって、典型的には１つの方向に、あるい
は２つの方向のうちの１つの方向に偏向されるフラップ
（ｆｌａｐ）である。それらはフラップの偏向を引き起
こす、例えば静電的な力あるいは圧電的な力によって駆
動される。フラップが偏向する時、フラップの表面に入
射する光の反射角度が変化する。
【０００４】このような変調器はアナログモードあるい
はデジタルモードで動作させることができる。アナログ
モードでは、それらは一般に、フラップとアドレッシン
グ回路との間の力に基づいた特定の角度範囲内で偏向さ
せることができる。デジタルモードで動作させるために
は、それらは、１つの安定な位置へ偏向され、しばしば
何らかの形のランディングストップ（ｌａｎｄｉｎｇ
ｓｔｏｐ）で静止するのが普通である。
はデジタルモードで動作させることができる。アナログ
モードでは、それらは一般に、フラップとアドレッシン
グ回路との間の力に基づいた特定の角度範囲内で偏向さ
せることができる。デジタルモードで動作させるために
は、それらは、１つの安定な位置へ偏向され、しばしば
何らかの形のランディングストップ（ｌａｎｄｉｎｇ
ｓｔｏｐ）で静止するのが普通である。
【０００５】
【発明の解決しようとする課題】印刷やディスプレイの
ような分野でのデジタルイメージングへの移行に伴い、
デジタルモードで動作する空間光変調器が益々要望され
るようになってきている。しかしながら、デジタルモー
ドではアナログモードよりも安定性は高いものの、偏向
される要素とそれのランディングストップとの間でコン
タクトが繰り返される結果、要素がランディングストッ
プへ付着することが起こる。一旦付着してしまうと、そ
れらの要素は最終的なイメージ中に明るいスポットある
いは暗いスポットを生ずる。
ような分野でのデジタルイメージングへの移行に伴い、
デジタルモードで動作する空間光変調器が益々要望され
るようになってきている。しかしながら、デジタルモー
ドではアナログモードよりも安定性は高いものの、偏向
される要素とそれのランディングストップとの間でコン
タクトが繰り返される結果、要素がランディングストッ
プへ付着することが起こる。一旦付着してしまうと、そ
れらの要素は最終的なイメージ中に明るいスポットある
いは暗いスポットを生ずる。
【０００６】従って、要素とそれらのランディングスト
ップとの間の付着によって引き起こされる問題を防止ま
たは緩和する方法が必要とされている。
ップとの間の付着によって引き起こされる問題を防止ま
たは緩和する方法が必要とされている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の１つの態様で
は、偏向可能（ｄｅｆｌｅｃｔａｂｌｅ）要素がランデ
ィングストップとコンタクトするエリアにそこから突出
した小さい金属片を有する空間光変調器が作製される。
この小さい突出部はしばしばスプリングチップ（ｓｐｒ
ｉｎｇ ｔｉｐ）と呼ばれ、要素が静止する時に、ラン
ディングストップに接触して変形するようになってい
る。この変形によって、偏向要素のみがランディングス
トップにコンタクトする場合よりも広い面積でコンタク
トが行われるようになり、コンタクトが形成されるのに
要する時間も長くなる。
は、偏向可能（ｄｅｆｌｅｃｔａｂｌｅ）要素がランデ
ィングストップとコンタクトするエリアにそこから突出
した小さい金属片を有する空間光変調器が作製される。
この小さい突出部はしばしばスプリングチップ（ｓｐｒ
ｉｎｇ ｔｉｐ）と呼ばれ、要素が静止する時に、ラン
ディングストップに接触して変形するようになってい
る。この変形によって、偏向要素のみがランディングス
トップにコンタクトする場合よりも広い面積でコンタク
トが行われるようになり、コンタクトが形成されるのに
要する時間も長くなる。
【０００８】この結果、要素がリセットされて未偏向状
態へ戻る場合、より少ない付着力で以て要素がそのラン
ディングストップから離れることができるようになる。
態へ戻る場合、より少ない付着力で以て要素がそのラン
ディングストップから離れることができるようになる。
【０００９】本発明の１つの特長は、スプリングチップ
の柔軟な特性のためにリセット効率が改善されることで
ある。
の柔軟な特性のためにリセット効率が改善されることで
ある。
【００１０】本発明の１つの特長は、ランディング圧力
をランディングストップの表面でより均一に分散させる
ことである。
をランディングストップの表面でより均一に分散させる
ことである。
【００１１】本発明の１つの特長は、ランディング衝撃
が発生する時間長を増大させることである。
が発生する時間長を増大させることである。
【００１２】本発明の１つの特長は、それがマイクロメ
カニカル要素の構造的な問題を補償することである。
カニカル要素の構造的な問題を補償することである。
【００１３】本発明をより完全に理解するために、更
に、本発明の更に別の特長を理解するために、次に添付
図面を参照しながら詳細な説明を行う。
に、本発明の更に別の特長を理解するために、次に添付
図面を参照しながら詳細な説明を行う。
【００１４】
【発明の実施の形態】図１、図２、図３ａ、および図３
ｂを参照しながら、マイクロメカニカル空間光変調器要
素に関する従来技術について説明する。しかし、本発明
はコンタクトする要素を有する任意のマイクロメカニカ
ルデバイスに適用できる性質のものであり、また、それ
らの構造において疲労や付着を減らすこともできる性質
のものである。
ｂを参照しながら、マイクロメカニカル空間光変調器要
素に関する従来技術について説明する。しかし、本発明
はコンタクトする要素を有する任意のマイクロメカニカ
ルデバイスに適用できる性質のものであり、また、それ
らの構造において疲労や付着を減らすこともできる性質
のものである。
【００１５】まず図１を参照すると、単一レベルのカン
チレバーヒンジを有する空間光変調器の従来技術による
実施例が示されている。単一レベルデバイスでは、偏向
可能要素は光学的にも電気的にも活性なエリアである。
偏向可能要素は、その要素を動かすための静電力やその
他の引力が蓄積された時に偏向する要素であるという点
で電気的に活性である。この電気的に活性な要素の上部
は、入射光を反射し、その点で光学的に活性な要素とも
なっている。このデバイスはより詳細には米国特許第
４，５９６，９９２号に述べられている。
チレバーヒンジを有する空間光変調器の従来技術による
実施例が示されている。単一レベルデバイスでは、偏向
可能要素は光学的にも電気的にも活性なエリアである。
偏向可能要素は、その要素を動かすための静電力やその
他の引力が蓄積された時に偏向する要素であるという点
で電気的に活性である。この電気的に活性な要素の上部
は、入射光を反射し、その点で光学的に活性な要素とも
なっている。このデバイスはより詳細には米国特許第
４，５９６，９９２号に述べられている。
【００１６】図１において、基板１２はその中に何らか
の電気的に活性な領域を層１４の形に形成されている。
この層１４は保護および電気的分離のための酸化物被覆
１６をオプションとして有する。層１８の上にはアドレ
ッシング回路２０があって、層１８中には電気的接続の
ためのビア（ｖｉａｓ）が切られている場合もある。層
１８は金属のアドレッシング回路層２０の下側の酸化物
被覆であって、このアドレッシング回路をマイクロメカ
ニカルデバイスの構造的要素から電気的に分離してい
る。この実施例で、層２２は反射要素２６に対する支柱
とスペーサーの両方の役目を果たしている。
の電気的に活性な領域を層１４の形に形成されている。
この層１４は保護および電気的分離のための酸化物被覆
１６をオプションとして有する。層１８の上にはアドレ
ッシング回路２０があって、層１８中には電気的接続の
ためのビア（ｖｉａｓ）が切られている場合もある。層
１８は金属のアドレッシング回路層２０の下側の酸化物
被覆であって、このアドレッシング回路をマイクロメカ
ニカルデバイスの構造的要素から電気的に分離してい
る。この実施例で、層２２は反射要素２６に対する支柱
とスペーサーの両方の役目を果たしている。
【００１７】スペーサー２２はそれ以前の複数層の上に
スピン塗布され、堆積された金属膜を支える。この金属
膜がパターン化およびエッチングされてヒンジ２４およ
び要素２６が形成される。スペーサー層は次に、厳密に
時間制御されたエッチングによってエッチされ、要素２
６の下側からはスペーサーが除去されるが、ヒンジ２４
の下側にはそのままに残るようにされる。別の実施例の
デバイスでは、スペーサー中にビアを開けてそれを金属
で充填したものを支柱とすることもできる。その場合に
は支柱のためのスペーサーはもはや必要でなく、無くな
るまでエッチされる。
スピン塗布され、堆積された金属膜を支える。この金属
膜がパターン化およびエッチングされてヒンジ２４およ
び要素２６が形成される。スペーサー層は次に、厳密に
時間制御されたエッチングによってエッチされ、要素２
６の下側からはスペーサーが除去されるが、ヒンジ２４
の下側にはそのままに残るようにされる。別の実施例の
デバイスでは、スペーサー中にビアを開けてそれを金属
で充填したものを支柱とすることもできる。その場合に
は支柱のためのスペーサーはもはや必要でなく、無くな
るまでエッチされる。
【００１８】動作時には、層１８中のアドレッシング回
路が駆動されると、静電力が要素２６をヒンジ２４に沿
ってアドレッシング回路の方向へ偏向させる。既に述べ
たように、この引力は磁力のような静電力とは異なる種
類の力でも構わない。いくつかの実施例でこの要素はア
ドレッシング回路とコンタクトしないようになっている
が、その他の場合にはコンタクトできる。ここでの議論
にとって興味あるのはコンタクトできるものである。こ
れらの要素が繰り返し駆動され、それらがランディング
ストップあるいは基板に対してコンタクトすることによ
って、最後には要素がランディングストップに付着して
しまうことが起こる。この問題はマイクロメカニカルデ
バイスに共通している。
路が駆動されると、静電力が要素２６をヒンジ２４に沿
ってアドレッシング回路の方向へ偏向させる。既に述べ
たように、この引力は磁力のような静電力とは異なる種
類の力でも構わない。いくつかの実施例でこの要素はア
ドレッシング回路とコンタクトしないようになっている
が、その他の場合にはコンタクトできる。ここでの議論
にとって興味あるのはコンタクトできるものである。こ
れらの要素が繰り返し駆動され、それらがランディング
ストップあるいは基板に対してコンタクトすることによ
って、最後には要素がランディングストップに付着して
しまうことが起こる。この問題はマイクロメカニカルデ
バイスに共通している。
【００１９】そのようなタイプのデバイスの従来技術に
よる第２の実施例が図２に示されている。この実施例で
は、基板１２はその上に、典型的には金属である電極層
１８を有している。要素２８はヒンジ２４ａおよび２４
ｂによって空隙３２の上方に支えられている。ヒンジ２
４ａおよび２４ｂは、要素２８よりも薄い第１の金属層
から切り出されて形成される。第１層が堆積された後、
その金属がパターン化およびエッチングされてヒンジが
形成される。既に述べたように、これはそこから支柱が
形成される金属層でもある。この結果、要素２８は実際
には２枚の金属層、ヒンジ金属および要素金属から形成
されることになり、それは第２の金属層として堆積され
る。
よる第２の実施例が図２に示されている。この実施例で
は、基板１２はその上に、典型的には金属である電極層
１８を有している。要素２８はヒンジ２４ａおよび２４
ｂによって空隙３２の上方に支えられている。ヒンジ２
４ａおよび２４ｂは、要素２８よりも薄い第１の金属層
から切り出されて形成される。第１層が堆積された後、
その金属がパターン化およびエッチングされてヒンジが
形成される。既に述べたように、これはそこから支柱が
形成される金属層でもある。この結果、要素２８は実際
には２枚の金属層、ヒンジ金属および要素金属から形成
されることになり、それは第２の金属層として堆積され
る。
【００２０】このデバイスの動作は双安定的である。す
なわち、それは平坦な状態から２つの方向のいずれかへ
偏向できる。もし近い側のアドレッシング回路が駆動さ
れれば、その要素は紙面から出てくる方向へ、見ている
者の方へ向かって偏向される。もし遠い側のアドレッシ
ング回路が駆動されれば、要素はそのヒンジ回りに、見
ている者から遠ざかる方向へ捩れる。このデバイスにつ
いては米国特許第５，０６１，０４９号に、より詳細に
述べられている。
なわち、それは平坦な状態から２つの方向のいずれかへ
偏向できる。もし近い側のアドレッシング回路が駆動さ
れれば、その要素は紙面から出てくる方向へ、見ている
者の方へ向かって偏向される。もし遠い側のアドレッシ
ング回路が駆動されれば、要素はそのヒンジ回りに、見
ている者から遠ざかる方向へ捩れる。このデバイスにつ
いては米国特許第５，０６１，０４９号に、より詳細に
述べられている。
【００２１】図１および図２の両実施例とも単一レベル
のデバイスである。要素２６および２８はそれぞれ偏向
要素でもあり、また反射要素でもある。図３ａおよび図
３ｂには２重レベルのデバイスが示され、そこでは偏向
可能要素は光学的に活性なエリアではなくなっている。
のデバイスである。要素２６および２８はそれぞれ偏向
要素でもあり、また反射要素でもある。図３ａおよび図
３ｂには２重レベルのデバイスが示され、そこでは偏向
可能要素は光学的に活性なエリアではなくなっている。
【００２２】図３ａにおいて、デバイスはそのアドレッ
シングされていないあるいは未偏向状態にあるように示
されている。基板１２はその上にランディング電極３４
ａおよび３４ｂを有しているが、それらは偏向される要
素を停止させるものである。偏向可能要素３６は、図示
されてないが、これらの電極およびアドレッシング電極
の上方に、紙面から出てくる軸の回りにヒンジ止めされ
ている。偏向可能要素３６の上方には支柱３８と第２の
要素４２とがある。この支柱は典型的には偏向可能要素
３６のヒンジ軸の中心に位置している。
シングされていないあるいは未偏向状態にあるように示
されている。基板１２はその上にランディング電極３４
ａおよび３４ｂを有しているが、それらは偏向される要
素を停止させるものである。偏向可能要素３６は、図示
されてないが、これらの電極およびアドレッシング電極
の上方に、紙面から出てくる軸の回りにヒンジ止めされ
ている。偏向可能要素３６の上方には支柱３８と第２の
要素４２とがある。この支柱は典型的には偏向可能要素
３６のヒンジ軸の中心に位置している。
【００２３】このデバイスの動作が図３ｂに示されてい
る。図面で右側のアドレス電極が駆動されると、偏向可
能要素はその方向へ偏向し、電極３４ａで静止する。支
柱３８があるため、要素４２も要素３６の動きに従って
動く。エリア４４は偏向可能要素がランディング電極と
コンタクトする地点を示しており、ここにおいて疲労や
付着の問題が発生する。このデバイスは本発明と同じ譲
受人に譲渡された米国特許出願第０８／４２４，０２１
号に、より詳細に述べられている。
る。図面で右側のアドレス電極が駆動されると、偏向可
能要素はその方向へ偏向し、電極３４ａで静止する。支
柱３８があるため、要素４２も要素３６の動きに従って
動く。エリア４４は偏向可能要素がランディング電極と
コンタクトする地点を示しており、ここにおいて疲労や
付着の問題が発生する。このデバイスは本発明と同じ譲
受人に譲渡された米国特許出願第０８／４２４，０２１
号に、より詳細に述べられている。
【００２４】
【実施例】本発明の１つの実施例を採用したそのような
２重レベルデバイスの鳥瞰図が図４ａ，ｂに示されてい
る。上部要素４２とそれの支柱３８は”取り外されて”
おり（４ａ）、ヨークあるいは偏向可能要素３６の鳥瞰
図を見せている。ヒンジ２４ａおよび２４ｂは支柱５４
で支えられている。支柱５６および対向する支柱はこの
ようなデバイスをアレイに配置した時の隣接デバイスの
ためのものである。
２重レベルデバイスの鳥瞰図が図４ａ，ｂに示されてい
る。上部要素４２とそれの支柱３８は”取り外されて”
おり（４ａ）、ヨークあるいは偏向可能要素３６の鳥瞰
図を見せている。ヒンジ２４ａおよび２４ｂは支柱５４
で支えられている。支柱５６および対向する支柱はこの
ようなデバイスをアレイに配置した時の隣接デバイスの
ためのものである。
【００２５】本発明のこの実施例には偏向可能要素３６
に対して付加的な構造要素が加えられている。典型的に
は金属でできた小さい突出部６０が要素３６に取り付け
られている。これらの小さい金属突出部は指状あるいは
片持ち梁の構造をしており、今後スプリングチップと呼
ぶことにする。
に対して付加的な構造要素が加えられている。典型的に
は金属でできた小さい突出部６０が要素３６に取り付け
られている。これらの小さい金属突出部は指状あるいは
片持ち梁の構造をしており、今後スプリングチップと呼
ぶことにする。
【００２６】これらのスプリングチップは、ランディン
グ電極とコンタクトしようとする偏向可能要素の一部と
なろう。それらは薄く柔軟な構造をしているため、コン
タクトすると変形して、要素３６だけがコンタクトする
場合よりも広い面積がランディング電極とコンタクトす
るようになる。これにより、表面エリアに亘ってより均
等なランディング圧力の分布が得られ、付着および疲労
が最小化される。
グ電極とコンタクトしようとする偏向可能要素の一部と
なろう。それらは薄く柔軟な構造をしているため、コン
タクトすると変形して、要素３６だけがコンタクトする
場合よりも広い面積がランディング電極とコンタクトす
るようになる。これにより、表面エリアに亘ってより均
等なランディング圧力の分布が得られ、付着および疲労
が最小化される。
【００２７】この付加的構造が柔軟であるため、コンタ
クトプロセスに掛かる時間が長くなる。それらがランデ
ィング電極に接触すると、それらは曲がり、それらが完
全に曲がりきるまで要素の偏向は続く。このプロセスは
偏向可能要素のチップだけが接触する場合よりも時間を
食う。これにより、要素と電極との間のランディング衝
撃が和らげられる。
クトプロセスに掛かる時間が長くなる。それらがランデ
ィング電極に接触すると、それらは曲がり、それらが完
全に曲がりきるまで要素の偏向は続く。このプロセスは
偏向可能要素のチップだけが接触する場合よりも時間を
食う。これにより、要素と電極との間のランディング衝
撃が和らげられる。
【００２８】これらの付加的な構造のために、デバイス
のリセットプロセスがより容易になる。典型的にはそれ
らの要素のリセットは、要素を電極から持ち上げるよう
に電圧を操作することによってなされる。好適実施例で
のリセットは、要素またはアドレッシング回路に対して
要素をもっと強くアドレッシング回路へ引きつけるよう
な電圧を印加することによって行われる。これによって
ヒンジに復帰力が蓄えられる。電圧が取り除かれると、
デバイスは電極から”跳ね返って”離れる。
のリセットプロセスがより容易になる。典型的にはそれ
らの要素のリセットは、要素を電極から持ち上げるよう
に電圧を操作することによってなされる。好適実施例で
のリセットは、要素またはアドレッシング回路に対して
要素をもっと強くアドレッシング回路へ引きつけるよう
な電圧を印加することによって行われる。これによって
ヒンジに復帰力が蓄えられる。電圧が取り除かれると、
デバイスは電極から”跳ね返って”離れる。
【００２９】スプリングチップを使用すると、スプリン
グチップがより柔軟なため、エネルギーを蓄えるために
必要な電圧は小さくなる。電圧が印加されると、これら
のスプリングチップは要素のチップのみの場合よりも、
より迅速、より強力に復帰力を蓄える。”スプリング”
性が高くなればなるほど、それらが蓄える復帰力は強く
なる。このことにより、印加すべき電圧が小さくでき、
偏向可能要素に対する疲労も少なくなる。
グチップがより柔軟なため、エネルギーを蓄えるために
必要な電圧は小さくなる。電圧が印加されると、これら
のスプリングチップは要素のチップのみの場合よりも、
より迅速、より強力に復帰力を蓄える。”スプリング”
性が高くなればなるほど、それらが蓄える復帰力は強く
なる。このことにより、印加すべき電圧が小さくでき、
偏向可能要素に対する疲労も少なくなる。
【００３０】更に、ここに述べたようなデバイスを製造
するプロセスが、好ましい構造上の完全性を達成できな
い場合がある。そのような失敗の２つの例はチップサッ
グ（ｓａｇ）およびヒンジサッグと呼ばれるものであ
る。例えば、しばしばヒンジが平坦なままであるのに十
分な内部的引っ張り強度を持たないことがあり、その場
合、ヒンジがたるんでしまう。このことは通常、コンタ
クト地点の力を増大させることにつながる。スプリング
チップがあることによって、この効果は緩和され、ヒン
ジサッグの欠陥を有するデバイスでも使用に耐える。同
様に、何よりも偏向可能要素の引っ張り強度が十分でな
くて、要素自体がその先端部でたるんでしまうことがあ
る。この場合も力が増大して付着が起こり易くなる。ス
プリングチップを用いれば、ここでもそのような効果を
緩和できる。
するプロセスが、好ましい構造上の完全性を達成できな
い場合がある。そのような失敗の２つの例はチップサッ
グ（ｓａｇ）およびヒンジサッグと呼ばれるものであ
る。例えば、しばしばヒンジが平坦なままであるのに十
分な内部的引っ張り強度を持たないことがあり、その場
合、ヒンジがたるんでしまう。このことは通常、コンタ
クト地点の力を増大させることにつながる。スプリング
チップがあることによって、この効果は緩和され、ヒン
ジサッグの欠陥を有するデバイスでも使用に耐える。同
様に、何よりも偏向可能要素の引っ張り強度が十分でな
くて、要素自体がその先端部でたるんでしまうことがあ
る。この場合も力が増大して付着が起こり易くなる。ス
プリングチップを用いれば、ここでもそのような効果を
緩和できる。
【００３１】２重レベルでも単一レベルでも本デバイス
の製造は、少し変更してそれらの付加的な構造的部品を
追加すればよい。製造プロセスの各段階にある基板が図
５−図１０に側面図で示されている。図５において、基
板１２はアドレッシング層１８と絶縁層２０とを有して
いる。スペーサー２２がスピン塗布され、要素エリア内
に要素のためのビア６２ａおよび６２ｂが形成される。
の製造は、少し変更してそれらの付加的な構造的部品を
追加すればよい。製造プロセスの各段階にある基板が図
５−図１０に側面図で示されている。図５において、基
板１２はアドレッシング層１８と絶縁層２０とを有して
いる。スペーサー２２がスピン塗布され、要素エリア内
に要素のためのビア６２ａおよび６２ｂが形成される。
【００３２】図６では第１金属層６４が堆積される。金
属層６４はビア６２ａおよび６２ｂを埋めて支柱を形成
する。次にこの層をパターン化およびエッチングしてヒ
ンジを形成し、またスプリングチップとなるべき別の構
造を形成する。プロセスのこの段階において、スプリン
グチップは小さい金属片であり、それは既存の構造的部
品から分離されている。
属層６４はビア６２ａおよび６２ｂを埋めて支柱を形成
する。次にこの層をパターン化およびエッチングしてヒ
ンジを形成し、またスプリングチップとなるべき別の構
造を形成する。プロセスのこの段階において、スプリン
グチップは小さい金属片であり、それは既存の構造的部
品から分離されている。
【００３３】プロセスの次の段階では、図７ａおよび図
７ｂに示されたように、偏向可能要素が形成される時
に、この第２の金属層が、分離していたスプリングチッ
プに付着する。この金属層は、次にパターン化およびエ
ッチングされて偏向可能要素となる。単一レベルデバイ
スでは、この要素は図示のように有効な反射表面となる
のに十分な大きさに形成される。図７ａと図７ｂを比較
すると、図７ａでは要素６６の寸法が図７ｂの場合より
もずっと大きいことに気づくであろう。図７ａに示した
構造に関するプロセスで唯一残っている工程はスペーサ
ー２２をエッチして要素が自由に動けるようにすること
である。
７ｂに示されたように、偏向可能要素が形成される時
に、この第２の金属層が、分離していたスプリングチッ
プに付着する。この金属層は、次にパターン化およびエ
ッチングされて偏向可能要素となる。単一レベルデバイ
スでは、この要素は図示のように有効な反射表面となる
のに十分な大きさに形成される。図７ａと図７ｂを比較
すると、図７ａでは要素６６の寸法が図７ｂの場合より
もずっと大きいことに気づくであろう。図７ａに示した
構造に関するプロセスで唯一残っている工程はスペーサ
ー２２をエッチして要素が自由に動けるようにすること
である。
【００３４】しかし、２重レベルデバイスの場合には、
図７ｂに示されたように、実行すべき工程が複数残って
いる。図８では、偏向可能要素およびそれの支柱５４を
覆って第２のスペーサー層６８が形成される。符号６６
は偏向可能要素上の支柱を配置する場所を示している。
図７ｂに示されたように、実行すべき工程が複数残って
いる。図８では、偏向可能要素およびそれの支柱５４を
覆って第２のスペーサー層６８が形成される。符号６６
は偏向可能要素上の支柱を配置する場所を示している。
【００３５】図９では、第３の金属層が堆積される。こ
の第３金属層はビア７０を埋めて、支柱および反射表面
７２を形成する。最後に図１０では、両スペーサー層が
除去されて、偏向可能要素およびそれの反射要素が自由
に動けるようになる。
の第３金属層はビア７０を埋めて、支柱および反射表面
７２を形成する。最後に図１０では、両スペーサー層が
除去されて、偏向可能要素およびそれの反射要素が自由
に動けるようになる。
【００３６】スプリングチップは偏向可能要素のチップ
から延びており、図８からの金属層６４の一部である。
それらはヒンジ２４ａおよび２４ｂによって定義される
軸回りに偏向され、見ている者に対して紙面から出てく
る方向に偏向される。スプリングチップは先に詳細に述
べたように、いくつかの問題を防止する。先の議論はマ
イクロメカニカル空間光変調器に適用した場合の特定の
問題についてであったが、本発明はコンタクト要素を有
する任意のマイクロメカニカルデバイスに対して適用で
きる。
から延びており、図８からの金属層６４の一部である。
それらはヒンジ２４ａおよび２４ｂによって定義される
軸回りに偏向され、見ている者に対して紙面から出てく
る方向に偏向される。スプリングチップは先に詳細に述
べたように、いくつかの問題を防止する。先の議論はマ
イクロメカニカル空間光変調器に適用した場合の特定の
問題についてであったが、本発明はコンタクト要素を有
する任意のマイクロメカニカルデバイスに対して適用で
きる。
【００３７】このように、ここまでスプリングチップを
備えたマイクロメカニカルデバイスの構造および方法に
関する特定の実施例について説明してきたが、そのよう
な特定の実施例によって本発明のスコープが制限される
と解釈されるべきではなく、本発明は特許請求の範囲に
よってのみ制限される。
備えたマイクロメカニカルデバイスの構造および方法に
関する特定の実施例について説明してきたが、そのよう
な特定の実施例によって本発明のスコープが制限される
と解釈されるべきではなく、本発明は特許請求の範囲に
よってのみ制限される。
【００３８】以上の説明に関して更に以下の項を開示す
る。 （１）マイクロメカニカルデバイスであって、基板、前
記基板上に形成されて前記マイクロメカニカルデバイス
を駆動するように働くアドレッシング回路、少なくとも
１個のヒンジで以て前記アドレッシング回路の上方に吊
り下げられた偏向可能要素、前記基板上に前記アドレッ
シング回路に接近して形成された少なくとも１個のラン
ディングストップ、および前記偏向可能要素から延びた
柔軟なチップであって、前記要素が駆動されて前記アド
レッシング回路の方向へ偏向する時に、前記ランディン
グストップとコンタクトするようになっている柔軟なチ
ップ、を含むマイクロメカニカルデバイス。
る。 （１）マイクロメカニカルデバイスであって、基板、前
記基板上に形成されて前記マイクロメカニカルデバイス
を駆動するように働くアドレッシング回路、少なくとも
１個のヒンジで以て前記アドレッシング回路の上方に吊
り下げられた偏向可能要素、前記基板上に前記アドレッ
シング回路に接近して形成された少なくとも１個のラン
ディングストップ、および前記偏向可能要素から延びた
柔軟なチップであって、前記要素が駆動されて前記アド
レッシング回路の方向へ偏向する時に、前記ランディン
グストップとコンタクトするようになっている柔軟なチ
ップ、を含むマイクロメカニカルデバイス。
【００３９】（２）第１項記載のマイクロメカニカルデ
バイスであって、更に、デジタルマイクロミラーデバイ
スを含むマイクロメカニカルデバイス。
バイスであって、更に、デジタルマイクロミラーデバイ
スを含むマイクロメカニカルデバイス。
【００４０】（３）第１項記載のマイクロメカニカルデ
バイスであって、更に、駆動ミラーアレイを含むマイク
ロメカニカルデバイス。
バイスであって、更に、駆動ミラーアレイを含むマイク
ロメカニカルデバイス。
【００４１】（４）第１項記載のマイクロメカニカルデ
バイスであって、更に、カンチレバーヒンジ空間光変調
器要素を含むマイクロメカニカルデバイス。
バイスであって、更に、カンチレバーヒンジ空間光変調
器要素を含むマイクロメカニカルデバイス。
【００４２】（５）第１項記載のマイクロメカニカルデ
バイスであって、更に、ねじりヒンジ空間光変調器要素
を含むマイクロメカニカルデバイス。
バイスであって、更に、ねじりヒンジ空間光変調器要素
を含むマイクロメカニカルデバイス。
【００４３】（６）第１項記載のマイクロメカニカルデ
バイスであって、更に、２重レベル空間光変調器要素の
偏向可能要素を含むマイクロメカニカルデバイス。
バイスであって、更に、２重レベル空間光変調器要素の
偏向可能要素を含むマイクロメカニカルデバイス。
【００４４】（７）スプリングヒンジを備えたマイクロ
メカニカルデバイスを製造する方法であって、次の工
程、基板上へアドレッシング回路を形成すること、前記
基板上へ、前記アドレッシング回路に接近してランディ
ングストップを形成すること、前記ランディングストッ
プおよび前記アドレッシング回路を覆ってスペーサー材
料をスピン塗布すること、前記スペーサー材料中へビア
を形成すること、前記ビアを充填するように第１の金属
層を堆積させること、前記第１の金属層をパターン化お
よびエッチングして、支柱、少なくとも１個のヒンジ、
および少なくとも１個の別になった金属要素を形成する
こと、第２の金属層を堆積させること、前記第２の金属
層をパターン化およびエッチングして偏向可能要素を形
成することであって、前記別になった金属要素が、前記
偏向可能要素が前記ランディングストップとコンタクト
する地点で前記偏向可能要素に付着されるように形成す
ること、および前記スペーサー材料を除去して、前記ア
ドレッシング回路によって駆動された時に前記偏向可能
要素が自由に動けるようにすること、を含む方法。
メカニカルデバイスを製造する方法であって、次の工
程、基板上へアドレッシング回路を形成すること、前記
基板上へ、前記アドレッシング回路に接近してランディ
ングストップを形成すること、前記ランディングストッ
プおよび前記アドレッシング回路を覆ってスペーサー材
料をスピン塗布すること、前記スペーサー材料中へビア
を形成すること、前記ビアを充填するように第１の金属
層を堆積させること、前記第１の金属層をパターン化お
よびエッチングして、支柱、少なくとも１個のヒンジ、
および少なくとも１個の別になった金属要素を形成する
こと、第２の金属層を堆積させること、前記第２の金属
層をパターン化およびエッチングして偏向可能要素を形
成することであって、前記別になった金属要素が、前記
偏向可能要素が前記ランディングストップとコンタクト
する地点で前記偏向可能要素に付着されるように形成す
ること、および前記スペーサー材料を除去して、前記ア
ドレッシング回路によって駆動された時に前記偏向可能
要素が自由に動けるようにすること、を含む方法。
【００４５】（８）第７項記載の方法であって、更に次
の工程、前記第２の金属層をパターン化およびエッチン
グした後、そして前記スペーサーを除去する工程の前
に、第２のスペーサー層をスピン塗布すること、前記第
２のスペーサー層中にビアを形成すること、前記ビアを
充填するように第３の金属層を堆積させること、および
前記第３の金属層をパターン化およびエッチングして反
射要素を形成すること、を含む方法。
の工程、前記第２の金属層をパターン化およびエッチン
グした後、そして前記スペーサーを除去する工程の前
に、第２のスペーサー層をスピン塗布すること、前記第
２のスペーサー層中にビアを形成すること、前記ビアを
充填するように第３の金属層を堆積させること、および
前記第３の金属層をパターン化およびエッチングして反
射要素を形成すること、を含む方法。
【００４６】（９）第７項記載の方法であって、前記第
１の金属層をパターン化して少なくとも１個のヒンジを
形成する前記工程が１個のヒンジを形成する方法。
１の金属層をパターン化して少なくとも１個のヒンジを
形成する前記工程が１個のヒンジを形成する方法。
【００４７】（１０）第７項記載の方法であって、前記
第１の金属層をパターン化して少なくとも１個のヒンジ
を形成する前記工程が２個のヒンジを形成する方法。
第１の金属層をパターン化して少なくとも１個のヒンジ
を形成する前記工程が２個のヒンジを形成する方法。
【００４８】（１１）スプリングチップ（６０）を備え
たマイクロメカニカルデバイス（５０）およびその製造
方法。空隙の上方に少なくとも１個のヒンジ（２４ａ）
によって偏向可能要素（３６）が吊り下げられ、空隙の
底部にはランディングストップ（３４ａ）があるような
マイクロメカニカルデバイス（５０）が形成される。要
素（３６）は前記ヒンジ上で偏向し、少なくとも１個の
小さい金属突出部（６０）あるいはスプリングチップを
介してランディングストップ（３４ａ）とコンタクトす
る。スプリングチップはコンタクトによって曲がり、よ
り均等な力の分散とより少ない疲労および付着を許容す
る。スプリングチップは、標準的な半導体プロセス工程
に、ヒンジが形成される金属層（６４）を更にパターン
化して別になった金属要素を生成させる工程を付加する
ことにより形成される。偏向可能要素が形成される時
に、その要素を形成する金属が別になった金属要素に先
端部でつながり、それによりスプリングチップが形成さ
れる。
たマイクロメカニカルデバイス（５０）およびその製造
方法。空隙の上方に少なくとも１個のヒンジ（２４ａ）
によって偏向可能要素（３６）が吊り下げられ、空隙の
底部にはランディングストップ（３４ａ）があるような
マイクロメカニカルデバイス（５０）が形成される。要
素（３６）は前記ヒンジ上で偏向し、少なくとも１個の
小さい金属突出部（６０）あるいはスプリングチップを
介してランディングストップ（３４ａ）とコンタクトす
る。スプリングチップはコンタクトによって曲がり、よ
り均等な力の分散とより少ない疲労および付着を許容す
る。スプリングチップは、標準的な半導体プロセス工程
に、ヒンジが形成される金属層（６４）を更にパターン
化して別になった金属要素を生成させる工程を付加する
ことにより形成される。偏向可能要素が形成される時
に、その要素を形成する金属が別になった金属要素に先
端部でつながり、それによりスプリングチップが形成さ
れる。
【図１】単一レベルのカンチレバーヒンジを有する空間
光変調器の従来技術による実施例の側面図。
光変調器の従来技術による実施例の側面図。
【図２】単一レベルのねじりヒンジを有するデバイスの
従来技術による実施例の鳥瞰図。
従来技術による実施例の鳥瞰図。
【図３】ａおよびｂは２重レベルのねじりヒンジを有す
るデバイスの従来技術による実施例の側面図。
るデバイスの従来技術による実施例の側面図。
【図４】ａおよびｂは本発明の１つの実施例。
【図５】本発明の実施例の製造工程の段階を示す基板側
面図。
面図。
【図６】本発明の実施例の製造工程の段階を示す基板側
面図。
面図。
【図７】本発明の実施例の製造工程の段階を示す基板側
面図であって、ａは単一レベルデバイスの場合、ｂは２
重レベルデバイスの場合。
面図であって、ａは単一レベルデバイスの場合、ｂは２
重レベルデバイスの場合。
【図８】本発明の実施例の製造工程の段階を示す基板側
面図。
面図。
【図９】本発明の実施例の製造工程の段階を示す基板側
面図。
面図。
【図１０】本発明の実施例の製造工程の段階を示す基板
側面図。
側面図。
１２ 基板 １４ 金属層 １６ 保護酸化物層 １８ 酸化物層（絶縁層） １８’ 電極層 ２０ アドレッシング回路層 ２２ スペーサー層 ２４ ヒンジ ２６ 要素 ２８ 要素 ３２ 空隙 ３４ ランディングストップ ３６ 偏向可能要素 ３８ 支柱 ４２ 第２の要素 ４４ コンタクトエリア ５４ 支柱 ５６ 支柱 ６０ 突出部 ６２ ビア ６４ 第１金属層 ６６ 要素 ６８ 第２のスペーサー層 ７０ ビア
フロントページの続き (72)発明者 マイケル エー．ミグナーディ アメリカ合衆国テキサス州ダラス、アルト カロ ドライブ 7827
Claims (2)
- 【請求項１】 マイクロメカニカルデバイスであって、 基板、 前記基板上に形成されて前記マイクロメカニカルデバイ
スを駆動するように働くアドレッシング回路、 少なくとも１個のヒンジで以て前記アドレッシング回路
の上方に吊り下げられた偏向可能要素、 前記基板上に前記アドレッシング回路に接近して形成さ
れた少なくとも１個のランディングストップ、および前
記偏向可能要素から延びた柔軟なチップであって、前記
要素が駆動されて前記アドレッシング回路の方向へ偏向
する時に、前記ランディングストップとコンタクトする
ようになっている柔軟なチップ、を含むマイクロメカニ
カルデバイス。 - 【請求項２】 スプリングヒンジを備えたマイクロメカ
ニカルデバイスを製造する方法であって、次の工程、 基板上へアドレッシング回路を形成すること、 前記基板上へ、前記アドレッシング回路に接近してラン
ディングストップを形成すること、 前記ランディングストップおよび前記アドレッシング回
路を覆ってスペーサー材料をスピン塗布すること、 前記スペーサー材料中へビアを形成すること、 前記ビアを充填するように第１の金属層を堆積させるこ
と、 前記第１の金属層をパターン化およびエッチングして、
支柱、少なくとも１個のヒンジ、および少なくとも１個
の別になった金属要素を形成すること、 第２の金属層を堆積させること、 前記第２の金属層をパターン化およびエッチングして偏
向可能要素を形成することであって、前記別になった金
属要素が、前記偏向可能要素が前記ランディングストッ
プとコンタクトする地点で前記偏向可能要素に付着され
るように形成すること、および前記スペーサー材料を除
去して、前記アドレッシング回路によって駆動された時
に前記偏向可能要素が自由に動けるようにすること、を
含む方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US867495P | 1995-12-15 | 1995-12-15 | |
| US008674 | 1995-12-15 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09297272A true JPH09297272A (ja) | 1997-11-18 |
| JP3512963B2 JP3512963B2 (ja) | 2004-03-31 |
Family
ID=21733016
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33416396A Expired - Fee Related JP3512963B2 (ja) | 1995-12-15 | 1996-12-13 | マイクロメカニカルデバイス |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5867202A (ja) |
| EP (1) | EP0783124B1 (ja) |
| JP (1) | JP3512963B2 (ja) |
| KR (1) | KR100416678B1 (ja) |
| DE (1) | DE69620731T2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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