KR100635589B1 - 자기-제한 정밀기계소자를 가진 2중 기판 반사형의 공간 광 변조기 및 이의 제조방법 - Google Patents

자기-제한 정밀기계소자를 가진 2중 기판 반사형의 공간 광 변조기 및 이의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100635589B1
KR100635589B1 KR1020017003698A KR20017003698A KR100635589B1 KR 100635589 B1 KR100635589 B1 KR 100635589B1 KR 1020017003698 A KR1020017003698 A KR 1020017003698A KR 20017003698 A KR20017003698 A KR 20017003698A KR 100635589 B1 KR100635589 B1 KR 100635589B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
deflectable
abandoned
payment
deflectable element
Prior art date
Application number
KR1020017003698A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20010106484A (ko
Inventor
휴이버스앤드류게리트
Original Assignee
리플렉티버티 인코퍼레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 리플렉티버티 인코퍼레이티드 filed Critical 리플렉티버티 인코퍼레이티드
Publication of KR20010106484A publication Critical patent/KR20010106484A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100635589B1 publication Critical patent/KR100635589B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
    • G02B26/0816—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
    • G02B26/0833—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD
    • G02B26/0841—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD the reflecting element being moved or deformed by electrostatic means

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)

Abstract

공간 광 변조기(12)는 어드레싱 회로(30)을 포함하는 하부 기판(34) 위에 지지되어 있는 상부 광 전송 기판(20)을 포함한다. 하나 이상의 정전기력 편향가능한 소자(48)가 상부 기판(20)으로부터 힌지(50)에 의해 매달려 있다. 동작에 있어서는, 개개의 미러(48)는 선택적으로 편향되어, 상부 기판(20)으로 입사한 후 상부기판(20)을 통하여 다시 반사되는 광(50)을 공간적으로 변조하는데 기여한다.
운동 정지부(49)는 미러(48)가 하부 기판(34)에 순각적으로 접촉되지 않도록 편향가능한 반사 소자에 부착될 수 있다. 대신, 운동 정지부(49)는 상부기판(20)에 기대게 되어서 편향가능한 반사 소자(48)의 편향각을 제한한다.
공간 광 변조기, 광 전송 기판, 정전기력 편향가능한 소자

Description

자기-제한 정밀기계소자를 가진 2중 기판 반사형의 공간 광 변조기 및 이의 제조방법{A DOUBLE SUBSTRATE REFLECTIVE SPATIAL LIGHT MODULATOR WITH SELF-LIMITING MICRO-MECHANICAL ELEMENTS AND A METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 공간 광 변조기에 관한 것으로, 더욱 구체적으로는 광 전송 기판에 부착된 전자적으로 어드레스 가능한 편향가능한 소자를 구비한 공간 광 변조기에 관한 것이다.
공간 광 변조기(Spatiol lighet modulators : LSMs)는 광학적 또는 전기적인 입력에 대응하는 공간 패턴에서 입사광선 빔을 변조하는 변환기이다. 입사광선(incident light beam)은 위상, 세기, 편파 또는 방향에서 변조될 수 있다. 이와 같은 변조는 자기-광학(magneto-optic), 전기-광학(electro-optic) 또는 탄성의 성질을 나타내는 여러 가지 물질의 사용을 통하여 이루어질수 있다.
SLMs는 디스플레이 시스템, 광 정보 처리, 광 데이터 저장 및 프린팅(printing)을 포함하는 많은 응용을 갖는다.
SLM 셀에 대한 일반적인 기술은 적어도 하나의 전극이 투과성한 2개의 전극 사이에 끼워져 있는 액정물질을 이용하는 것이다. 이들 전극 사이에 전압을 인가함으로써, 액정층내 분자의 배향이 변경하고, 이와 같은 변경은 액정층의 광학적 성질, 구체적으로는 액정층을 통하여 지나가는 광선의 편파를 바꾼다. 따라서, 하나 이상의 편광 필터와 결합한 액정층은 진폭변조기(광밸브)를 만들기 위해 이용될 수 있다.
그러나, 그와 같은 액정을 토대로 한 장치는 SLM의 적용에 대하여 여러 가지로 불리하다. 먼저 대부분의 광선이 편광 필터에서 흡수되어서 광 효율을 감소시킨다. 게다가, 상기 장치는 제한된 명암비(온일 때 화소와 오프일 때 화소의 세기비)를 가지며, 널리 사용되는 액정의 응답 시간은 매우 느리다(수 밀리초). 또한, 액정은 매우 좁은 온도 범위 밖에서는 열악한 성능을 갖는다. 이들 및 그 밖의 이유 때문에, 광선을 편향시키기 위해 이동 구조물을 사용하는 기계적인 SLMs가 추구되어 왔다.
투사 디스플레이 시스템에서 사용하기 위해 설계된 초기의 기계적 SLM은 Nathanson의 USP. NO. 3,746,911 에 개시되어 있다. SLM의 개개의 화소는 종래 직접 화상 음극선관(direct-view cathod ray tube(CRT))에서와 같이 주사하는 전자빔을 통하여 어드레스된다. 형광체를 여기시키는 대신 전자빔은 수정 페이스 판(faceplate) 상에 배열되어 있는 편향가능한 반사 소자를 충전시킨다. 충전된 소자는 정전기력으로 인해 페이스 판을 향하여 구부러진다. 구부러진 소자와 구부러지지 않는 소자는 평행하게 입사한 광선 빔을 다른 방향으로 반사시킨다. 구부러지지 않는 소자로부터 반사된 광선은 일련의 슐리렌 스톱(Schlieren Stops)으로 차단되는 반면에 구부러진 소자로부터 반사된 광선은 광 투사기를 통과하여 스크린 상에 영상을 형성하도록 한다.
또 하나의 다른 전자빔-어드레스의 SLM은 E. Baumann의 "피서 대형-스크린 투사 시스템(아이도퍼)(The Fisher large-screen projection system (Eidophor))" 20 J.SMPTE 351(1953)에 개시되어 있는 아이도퍼(Eidophor)이다.
이 시스템에서, 능동 광학 소자는 입사광을 회전시키도록 전자빔에 의하여 주기적으로 오목하게 되는 오일 박막이다. 아이도퍼 시스템의 단점은 상기 오일 박막이 일정한 전자 충격에 의하여 중합되고 오일 증기는 음극 수명을 단축시킨다는 점이다. 또한, 이들 양 시스템의 단점은 부피가 크고 값비싼 진공관의 사용이다.
가동 소자가 실리콘 기판상의 전기회로를 통하여 어드레스되는 공간 광 변조기는 K.Peterson의 "실리콘 상에 제조되는 정밀기계 광 변조기 어레이(Micro Mechanical Light Modulator Array Fabricated On Silicon)" 31 Appl. Phys. Let. 521(1977)에 개시되어 있다. 이 SLM은 실리콘 기판 위에 캔틸레버 미러(Cantilever Mirrors)의 16×1 어레이를 포함하고 있다. 상기 미러는 이산화실리콘으로 만들어지고 반사 금속 피복층을 가지고 있다. 미러 아래의 공간이 KOH 에칭을 통하여 실리콘을 에칭함으로써 만들어진다. 미러는 정전인력에 의하여 편향된다. 즉 바이어스 전압가 반사 소자와 기판 사이에 인가되어 정전기력을 발생시킨다. 유사한 공간 광 변조기는 Hartstein과 Peterson의 USP. NO. 4, 229,732에 개시되어 있는 2차원 어레이이다. 이 SLM의 스위칭 전압은 단 하나의 코너에 편향 미러 소자를 연결하는 것에 의하여 낮아졌지만, 이 장치는 작은 광 활성 영역(전체 장치 영역에 대한 비로서)으로 인해 효율이 낮다. 게다가, 어드레싱 회로부터의 회절은 디스플레이의 명암비를 떨어뜨린다.
장치의 대부분이 광학적으로 활성인 실리콘-토대 정밀-기계식의 SLM이 텍사스 인스트루민츠에 의해 개발되고 Hornbeck의 USP. NO. 5,216,537 및 그의 인용문헌에 개시되어 있는 디지털 미러 장치(Digital Mirror Device; DMD)이다. 가장 최초에 도입된 것은 어드레싱 전극 위에 비틀림 힌지를 개재하여 매달려 있는 제1 알루미늄판을 포함한다. 제2 알루미늄판은 제1 알루미늄판의 상부면 상에 설치되어 있고 미러로서 작동한다. 이중 알루미늄판 구조는 허용 가능한 명암비를 달성하기 위하여 필수불가결한 하부 회로와 힌지 구조를 덮는 거의 편평한 미러 표면을 제공하는 것이 필요하게 된다. 전체 구조는 알루미늄 합금으로 만들어지고, 판, 비틀림 힌지 및 특정 "착지단(landing tips)"이 각각 독립적으로 최적화된 구성을 가진다. 알루미늄은 낮은 온도에서 증착될 수 있어, 제조시에 밑에 있는 CMOS 어드레싱 회로의 손상을 피할 수 있다. 그러나 알루미늄은 피로 및 열가소성 변형에 취약성하여, 장기간의 신뢰성 문제를 초래할 수 있고 셀 "메모리"는 나머지 위치가 그것의 대부분 자주 점유하는 위치로 향하여 기울어지기 시작한다는 단점을 가지고 있다.
DMD의 그 밖의 단점은, 1) 넓은 딤플(dimple)(미러 지지 지주에 의하여 야기된)이 현재 설계에서 미러의 중심에 나타내고 이것은 입사광의 분산을 야기시켜서 광 효율을 경감시킨다. 2) 전체의 DMD 구조는 폴리머 희생층의 플리즈마 에칭을 통하여 이형(releasing)되며, 이 제조공정은 다음과 같은 점에서 문제가 된다. 즉, (a) 상기 제조공정은 프라즈마 에칭 이형을 유효하도록 하기 위해서는 미러들 사이의 큰 간격을 필요로하며, (b) 화소 불량이 이 공정 동안에 만들어지며, 이것은 미세한 정밀 미러 구조로는 충분히 감당할 수 없다. 이와 같은 복잡한 구조와 공정의 어려움 때문에 DMD의 상업화는 느리게 진행되었다.
편평한 기판상에 제조되는 또 하나의 다른 SLM은 Bloom등의 USP 5,311,360에 개시되어 있는 격자 광 밸브(Grating Light Valve(GLV))이다. 상기 특허에서 개시되어 있는 바와 같이 GLV의 편향 기계 소자는 반사 평면 빔이나 또는 리본(ribbon)이다. 광은 리본과 기판 모두에서 반사된다. 반사 리본의 표면과 반사 기판 사이의 거리가 파장의 1/2이라면, 두 표면으로부터 반사되는 광선은 서로 보강하도록 더해지고 그 장치는 미러 같이 동작한다. 상기 거리가 파장의 1/4이라면 두 표면으로부터 직접 반사되는 광선은 서로 상쇄되도록 간섭하게 되어서 그 장치는 회절격자로서 동작하여 회절 차수로 광을 전송한다. 바람직한 방법은 LPCVD(저압 화학증기증착)의 질화 실리콘과 같은 기계적 고품질의 세라믹 박막으로 장치를 만드는 것이다.
어드레싱 회로가 그러한 박막 아래에 설치될 수 없다 하더라도, 고유의 전기-기계적 쌍안정이 "수동" 어드레싱 구조를 구현하기 위해 사용될 수 있다(Raj Apte의 고해상 디스플레이용 회절광 밸브(Grating Light Valves for High Resolution Displays) Stanford University PH.D thesis, June 1994). 상기 쌍안정은 편향에 요구되는 기계적인 힘이 거의 선형인데 반하여, 정전기력은 역자승 법칙에 지배되기 때문에 존재한다. 바이어스 전압가 인가됨에 따라 상기 리본(ribbons)은 편향한다. 상기 리본이 특정 점을 지나도록 편향될 때, 복원하는 기계적인 힘은 상기 정전기력과 균형을 이루지 못하고 리본은 기판에 붙는다. 상기 리본이 그들의 편향되지 않는 위치로 복귀하기 위하여는 실질적으로 스냅핑(snapping) 전압 이하로 전압을 낮추어 주어야 한다. 이와 같은 래칭(latching) 동작은 구동 회로가 칩외(off-Chip)나 또는 주변부에 위치되게 하므로, 어드레싱 회로가 어레이의 광 활성부를 점유할 필요가 없게된다. 실제로, 이 방법은 구현하기가 어렵다. 즉, 리본이 다른 전위에 있는 기판과 접속하게 될 때, 전하가 절연의 세라믹 리본 물질로 주입될 수 있어 스위칭 전압을 이동시켜 수동 어드레싱을 불가능하게 한다. 장치 전반의 박막의 불균일성은 또한 스위칭 전압을 상당히 이동시킬 수 있다. GLV 기술의 또 다른 문제점은 들러붙는 점이다. 즉, 편향 리본의 하측은 넓은 표면 영역을 가진 기판에 접촉하기 때문에, 리본은 기판에 들러붙으러는 경향이 있다. 구조를 구성하는 박막은 거칠게 될 수 있고, 이것은 결과적으로 바람직하지 않는 광 산란을 발생시켜서 장치의 명암비를 감소시킨다.
오직 하나의 각도록 입사광을 반사시키고, 이것은 아주 클 수 있기 때문에 정밀-기계식 미러를 토대로 한 SLM은 회절을 토대로 한 SLM에 대하여 장점을 가진다. 이것은 높은 효율을 유지하면서도, 변조 광이 결상 렌즈의 중심을 통과할 수 있는 광학 시스템의 설계를 간편하게 하여준다. 이것은 영상에 보다 더 작은 수차를 갖게 하고 제조비용을 더 저렴하게 하는 결과를 가져온다.
따라서, 제조가 용이하면서도 높은 명암비와 효율 및 빠른 속도를 가지고 신뢰성 있는 기계 물질로 만들어지는 이동 소자를 가진 공간 광 변조기가 요구된다.
요약하면, 본 발명의 한 실시예에 따라 공간 광 변조기는 광 전송 기판과 회로 기판을 구비한다. 하나 이상의 편향가능한 반사 소자가 상기 광 전송 기판의 하부 표면에 부착된다.
이 광 전송 기판은 각 편향가능한 반사 소자를 선택적으로 작동시킬 수 있는 어드레싱 회로를 포함하는 회로 기판 위에 공간적으로 이격 위치되어 고정된다.
동작에 있어서는, 개개의 반사 소자는 선택적으로 편향되고 상기 광 전송 기판으로 입사한 후 다시 상기 광 전송 기판을 관통하여 후방으로 반사하는 광을 공간적으로 변조시키는 기능을 한다.
본 발명의 한 실시예에서, 공간 광 변조기는 화소의 어레이를 구비한다. 각 화소는 싱글의 편향가능한 강성의 미러와 그 위에 미러를 부착하는 힌지, 광 전송 기판을 구비한다. 광 전송 기판은 전극의 어레이가 형성되어 있는 실리콘 기판 위에 지지되어 있다. 한 실시예에서, 광이 전극 또는 미러 지지구조(힌지 및 그 부착부)에 이르는 것을 차단하도록 광 전송 기판 내에 개구층이 설치되어 있다. 개개의 미러들은 개개의 미러와 그들의 대응하는 전극 사이에 바이어스 전압를 인가함으로써, 정전기력에 의해 선택하여 편향된다.
삭제
본 발명의 한 실시예에 따른 공간 광 변조기를 제조하는 공정이 제공된다. 희생층이 기판상에 증착된다. 홀(hole)이 상기 희생층을 관통하도록 에칭되며 상기 홀은 상기 광 전송 기판으로 후속층의 접속을 허용한다. 반사층이 희생층 위에 증착되고 하나 이상의 편향가능한 반사 소자를 정의하도록 패터닝된다. 반사층은 홀을 통하여 희생층에 접속된다. 반사 소자가 이형되어 편향될 수 있도록 상기 희생층이 제거된다. 어드레싱 회로와 전극이 회로 기판상에 형성된다. 광 전송 기판과 회로 기판은 정렬되고, 상기 반사 소자가 어드레싱 회로와 전극에 의하여 선택적으로 동작될 수 있도록 결합된다.
상기 두 기판은 기판의 주변부 둘레를 예를 들어, 에폭시로 접합될 수 있다.
본 발명의 한 실시예에 따라, 공정은 편향가능한 반사 소자와 어드레싱 회로 사이에 바이어스 전압을 인가하는 것을 포함한다. 바이어스 전압은 장치 동작 동안 변경될 수 있다.
실리콘 기판상의 전기 어드레싱 회로는 표준 CMOS 기술을 이용하여 제조될 수 있고 저-밀도 메모리 어레이와 유사하다.
두 기판은 그들이 별도로 제조된 후에야 서로 접합되며, 각 기판에 대한 제조 공정은 분리되어 있다. 상부 기판의 제조 동안 CMOS 호환성에 대한 우려가 전혀 없기 때문에, 본 발명에 의한 공간 광 변조기의 이점은 기계적으로 편향가능한 반사 반사 소자가, LDCVD 증착 질화 실리콘, 이산화 실리콘, 비정질 실리콘, 다결정 실리콘과 같은 그들의 뛰어난 기계적 특성에 위하여만 선택된 물질로 만들어질 수 있다는 것이다. 이들 박막은 고온에서 증착되기 때문에 일반으로 CMOS 공정에 적합하지 않은데, 이는 나중에 이들 높은 온도에서 녹는 알루미늄 접속을 사용하기 때문이다.
본 발명의 공간 광 변조기의 또 하나의 이점은 두 기판이 서로 본딩(bonding)된 후에 이동부가 완전히 밀봉될 수 있다는 것이다. 이것은 뛰어난 패키징 방법을 제공하여 장치를 아주 튼튼하여 한다.
본 발명의 공간 광 변조기는 또한 비용이 저렴하고 제조가 용이하다는 이점을 가진다. 상기 공간 변조기는 두 기판으로 구성되어 있는데, 하나는 표준 CMOS 기술을 사용하여 만들 수 있고 제2 광 전송 기판은 제조가 매우 용이한 편향가능한 반사 소자를 포함한다.
본 발명의 공간 광 변조기의 또 다른 이점은, 다른 평면 광학장치(예를 들면, 칼러 필터, 반사율 증강코팅, 마이크로 렌즈)뿐만 아니라 광 차단 버퍼층이 상기 광 전송 기판 내 통합될 수 있다는 점이다. 이것은 명암비를 개선시킬 수 있고, 유효 광 편향각을 증가시킬 수 있으며, 시스템 레벨에서 광 자유공간(free-space optics)의 비용을 감소시킬 수 있다.
본 발명의 공간 광 변조기의 또 다른 이점은, 이동 제한 구조물이 단단하고 긴 수명을 가진 고온 물질로 만들어질 수 있다는 점이다. 그들의 경도와 형상 때문에 이동 제한 구조물은 동작 동안 작은 접촉영역을 가지게 되고 이것은 상기 구조물과 기판 사이에서 들러붙은(sticking) 힘을 크게 감소시킨다. 또한 이동 제한 구조물은 접촉되는 기판과 동일 전위에 있고 이것은 용접 및 전하주입을 통한 들어붙음을 방지하여 준다. 이들은 상술한 DMD와 GLV의 초기 세대에서 부딪치는 문제였다.
본 발명의 공간 광 변조기의 다른 또 다른 이점은 광 전송 기판의 고온처리가 편향가능한 반사 소자 상에 변화하는 고-저 굴절율을 가진 유전체 박막의 증착을 허용하고, 이것은 그들의 반사율을 향상시킨다.
이들 및 다른 이점들은 첨부된 도면 및 상세 설명을 고려하면 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에게 명백할 것이다.
도 1은 본 발명의 따른 공간 광 변조기의 한 실시예에서 코너의 평면 사시도를 나타낸 도면.
도 2a 내지 도 2f는 본 발명의 몇 단계의 제조단계 동안 도 1의 화소 셀의 저면 사시도를 나타낸 도면.
도 3a 및 도 3b는 광선 빔을 변조하는 도 1의 화소 단면을 나타낸 도면.
도 4는 인가 바이어스 전압에 대한 도 1의 미러 편향각에서의 히스테리시스 그래프를 나타낸 도면.
도 5는 여러 가지 다른 바이어스 전압에 대한 편향 미러상에서 작용하는 전기 및 기계적 토크의 그래프를 나타낸 도면.
도 6a는 도 1의 SLM 화소 셀을 개별적으로 어드레싱 하기 위한 DRAM 구조를 나타낸 도면.
도 6b는 도 1의 SLM 화소 셀을 개별적으로 어드레싱 하기 위한 SRAM 구조를 나타낸 도면.
도 7은 실질 화소 어레이에서 공간 배치의 평면도를 나타낸 도면.
도 8a 내지 도 8h는 다른 힌지 설계를 가진 미러 어레이의 저면도를 나타낸 도면.
도 9a 내지 도 9d는 미러와 광 전송 기판 사이에서 힌지를 가진 화소 셀(서브-힌지 설계)의 제조단계를 나타낸 도면.
도 10a 내지 도 10d는 서브-힌지 디자안의 실시예를 나타낸 도면.
도 11a 내지 도 11c는 힌지와 광 전송 기판 사이에서 미러를 가지는 화소 셀(슈퍼-힌지 설계)의 제조단계를 나타낸 도면.
도 13은 본 발명의 공간 광 변조기의 한 실시예에서 코너의 분해 평면 사시도를 나타낸 도면.
도 14는 유사하게 구축된 셀의 어레이로 구성되는 도 10a의 서브-힌지 설계를 가진 셀을 나타낸 도면.
도면의 인용 부호설명
10 : 정밀기계 공간 광 변조기 12 : 화소 셀
14 : 하부 표면 16 : 상부 표면
20 : 광 전송 기판 22 : 개구층
24 : 보호층 25 : 홀(hole)
26 : 희생층 28 : 미러 구조 지지층
30 : 힌지층 32 : 반사층
34 : 회로 기판 36 : 어드레싱 회로
38 : 패시베이션층(passivation layer) 42 : 하부전극
43 : 콘텍 44 : 간격자(spacer)
46 : 패시베이션층 48 : 미러(mirror)
49 : 운동 정지부 50 : 힌지(hinge)
51 : 힌지 지지부 54 : 부착 영역
56 : 입사광선 58 : 출력광선
60 : 워드 라인 62 : 비트 라인
64 : 광원 66 : 결상 광학 장치
68 : 트랜지스터 70 : 제1 유전체층
72 : 제2 유전체층 74 : 전원
78 : 광 덤프(light dump) 111 : 범프
본 발명의 설명은 인용번호를 포함하는 여러 도면을 인용한다.
다른 도면에서의 동일 인용번호는 유사 또는 동일한 부품을 나타낸다.
상세한 설명 전반에서, "광학 또는 광(Optical)"과 "광(Light)"이란 단어가 사용되어 있다. 본 발명의 설명 및 청구범위에서 "광학 또는 광(Optical)"은 가시영역 내의 주파수만이 아닌, 임의의 전자파 주파수에 관계된다. 예를 들면, "광 전송 기판(Optically Transmissive Substrate)"은 가시영역 내이든지 아니든지 간에, 동작 주파수의 전자파 전파가 전송되는 기판이다.
본 발명의 정밀-기계 공간 광 변조기(Micro-Mechanical Spatial Light Modulator)(10)(이하, SLM(10))의 실시예에 대한 코너의 평면 사시도가 도 1에 도시되어 있다. 도 1의 SLM(10)에 대한 분해도가 도 13에 도시되어 있다. SLM(10)은 임의의 구조 또는 어레이 크기의 화소 셀을 포함할 수 있다. 그러나 간략하게 하기 위해 2×2 격자 구조 내에 단지 4개의 화소 셀(12, 12a, 12b, 12c)만이 도 1에 도시되어 있다. 화소 셀(12,12a,12b,12c)은 예를 들어 12미크론의 픽셀 피치를 가진다. "픽셀 피치(Pixel Pitch)"는 이웃 화소 셀의 같은 부분간의 거리로서 정의된다.
각 화소 셀(12,12a,12b,12c)에 대응하는 편향가능한 반사 소자(예를 들면, 미러(48, 48a, 48b, 48c))가 편향되지 않는 위치에서 광 전송 기판(20)의 하부 표면(14)에 부착되어 있다. 그래서, 미러(48, 48a, 48b, 48c)는 도 1에서 광 전송 기판(20)을 통하여 볼 수 있다. 간략하게 하기 위해, 미러(48, 48a, 48b, 48c)와 광 전송 기판(20) 사이에 있는 광 차단 개구층(22)은 아래에 있는 힌지(50, 50a, 50b, 50c)를 나타내도록 이점 쇄선으로만 표시되어 있다. 인접하는 미러를 분리하는 거리는, 예를 들어 0.5미크론 이하일 수 있다.
SLM(10)을 제조하기 위한 한 처리공정이 도 2a 내지 도 2f의 저면 사시도에 도시되어 있다. 간단히, 화소 셀(12)의 제조만이 설명된다. 그러나, 이 설명으로부터, 화소 셀(12a, 12b, 12c)과 SLM(10) 내에 있는 다른 화소 셀은 화소 셀(12)이 제조되는 것과 동시에 그리고 동일한 방법으로 제조될 수 있음이 명백할 것이다.
삭제
광 전송 기판(20)은 후속 공정 온도를 견딜 수 있는 물질로 만들어진다. 광 전송 기판(20)은 예를 들면, 두께가 500미크론인 4인치 석영 웨이퍼일 수 있다. 그러한 석영 웨이퍼는 예를 들면, Hoya Corporation U.S.A at 960 Rincon Circle, San Jose, CA 95131로부터 널리 구입할 수 있다.
도 2a에 표시된 바와 같이, 광 차단층(Light Blocking Layer)(예를 들어 50nm 두께의 텅스텐층)은 광 차단 개구층(22)을 형성하기 위해 증착되고 패터닝된다. 개구층(22)은 후속 제조 공정 동안 안전하게 남아있게 되는 투과성물질(예를들어, 텅스텐)로 만들어진다. 텅스텐은 예를 들어, 공지의 스퍼터링 기술을 사용하여 증착될 수 있다. 포트 레지스트의 패턴이 공지의 포토리소그래픽 공정을 사용하여 개구층(22) 위에 형성된다. 그때 개구층(22)은 드라이텍(Drytek) 100 프라즈마 에칭 장치를 사용하여 에칭된다. 체적 50%의 SF6과 체적 50%의 C2ClF5의 혼합물이 300sccm(SF6에 대하여 150sccm과 C2ClF5에 대하여 150sccm)의 유량으로 에칭 장치의 반응 챔버 내에 도입된다.
삭제
삭제
에칭은 광 전송 기판(20)이 노출될 때까지(약 1분) 500W로 에칭 장치에 설정된 전력과 약 100mTorr의 압력하에서 일어난다. 에칭 후에, 남아있는 포토레지스트(photoresist)가 통상의 산소 플라즈마 스트립을 사용하여 제거된다. 이후에 설명되는 패터닝도 동일 방법으로 형성될 수 있다.
도 2b에 도시된 바와 같이, 광 전송 보호층(24)(예를 들어, 약 94nm 두께의 중량 7% 인-도핑된 이산화 실리콘)은 패시베이션층(passivation layer)으로서 증착된다. 편향가능한 반사 소자(미러 48)는 보호층(24)을 통하여 광 전송 기판(20)에 접속된다. 이산화 실리콘 보호층(24)은, 예를 들어, 틸란(Tylan) 노(爐)의 석영관에서, 약 5분 동안 약 400℃의 온도 및 250mTorr의 압력으로 LPCVD 공정에 의하여 증착될 수 있다. SiH4, O2 및 PH3가 각각 28, 115 및 7의 유량으로 챔버 내에 도입된다. 인-도핑된 이산화 실리콘은 증기 환경에서 약 20분 동안 1100℃의 온도에서 다시 흐르게(reflow)된다.
후술하는 바와 같이, 결국에는 제거되는 희생층(20)(예를 들어, 약 0.6㎛두께의 비정질 실리콘층)은 보호층(24) 상에 증착된다. 비정질 실리콘층은 예를 들어, 틸란 노의 석영관에서 LPCVD 공정을 사용하여 증착될 수 있다. SLM(10)은 135분 동안 약 670℃ 및 200mTorr로 석영관에서 노출된다. SiH4 및 H4의 조성물이 246sccm(SiH4에 대하여 146sccm와 H2에 대하여 100sccm) 유량으로 석영관 내에 도입된다.
홀(hole; 25)은 예를 들면, 보호층(24)의 일부분이 희생층(26)을 통하여 노출될때까지 50% SF6 및 50% C2ClF5(체적으로) 환경에서, 패턴 프라즈마 에칭을 사용함으로서 선택 이방성 에칭으로 비정질 실리콘 희생층(26)을 통하여 패터닝된다. 그와 같은 에칭은 드라이텍 100 프라즈마 에칭 장치의 반응 챔버에서 일어날 수 있다. 가스 조성물이 100sccm(SF6에 대하여 50sccm과 C2ClF2에 대하여 50sccm)의 유량과 150mTorr 압력으로 도입된다. 전형적으로 이들 조건하에서 희생층을 통하여 약 45분 동안 보호층(24)의 일부를 노출시킨다.
예를 들어 약 138nm 두께의 저응력(low-stress) 질화 실리콘층인 미러 구조 지지층(28)이, 미러(48)와 운동 정지부(Motion Stop)(49)를 형성하기 위하여 증착되고 패터닝된다. 미러(48)는 실질적으로 강성 판(Rigid Plate)이다. 저응력 질화 실리콘층은 예를 들면, 약 36분 동안 약 785℃ 및 250mTorr로 LPCVD 공정을 사용함으로써 틸란 노의 석영관에서 증착될 수 있다. 증착은 예를 들면, SiCl2H2와 NH3을 각각 165sccm과 32sccm에서 석영관으로 도입함으로서 일어난다. 포토레지스트의 증착과 패턴의 노광 후에 질화 실리콘층은 1200W로 구동되는 AMT 8100 6각-전극 프라즈마 에칭 장치를 사용하여 에칭될 수 있다. 예를 들어, O2와 CHF3의 에칭 가스가 17분의 에칭 주기로 각각 6sccm와 85sccm의 유량에서 반응 챔버 내로 도입된다. 이들의 조건하에서 다결정 실리콘 대 질화 실리콘의 선택비율은 약 1:6이다.
도 2c에 나타낸 바와 같이, 그 다음 힌지층(30)(예를들어, 약 40nm 두께의 저응력 질화 실리콘층)이 성장된 후 비틀림 힌지(50)(이 패턴의 평면도가 도 8a에 도시되어 있다)를 부가적으로 정의하기 위하여 패터닝된다.
적어도 힌지(50)의 일부분이 지지부(51)(도 2d 내지 도 2f)를 정의하도록 홀(25)을 통하여 보호층(24)에 접촉한다. 힌지(50)는 힌지의 세로 방향에 대하여 토크를 인가함으로서 힌지(50)가 비틀어지는 것을 의미하는 "비틀림(Torsion)"으로 동작한다. 그래서 미러(48)에 부착된 힌지(50)의 단부는 지지부(51)에 의해 지지되는 단부에 대하여 비스듬하게 편향된다. 힌지(50)는 예를 들면, 약 0.5미크론 폭일 수 있다.
힌지층(30)을 위한 저응력 질화 실리콘 박막이 LPCVD 공정을 이용하여 틸란 노의 석영관 내에서 증착된다. SiCL2H2와 NH3가 예를 들면, 각각 165sccm과 32sccm의 유량으로 석영관 내에 도입된다. 증착이 예를 들면, 11분 동안 785℃의 온도와 250mTorr의 압력에서 일어난다.
도 2d에 도시된 바와 같이, 그 다음 희생층(26)이 등방 식각 공정을 사용하여 부분적으로 제거된다. 에칭 공정은 희생층(26)의 일부가 미러(48)와 힌지(50) 아래로부터 제거되도록 등방성이다. 희생층(26)의 부분적인 에칭 후에 미러(48)와 힌지(50)의 아래가 아닌 희생층(26)도 제거된다. 반면에, 미러(48)와 힌지(50) 아래의 희생층(26)의 상당부분이 미러(48)와 힌지(50)의 보호 때문에 남아 있다. 따라서, 부분 에칭 후에도 희생층(26)은 미러(48)와 힌지(50)를 계속하여 지지하며 후술하는 반도체 제조공정 동안 에어로졸(Airbone particulates)이 미러(48)와 힌지(50) 아래로 들어가는 것을 방지하여 준다. 한 바람직한 등방 에칭 공정은 드라이텍 100 프라즈마 에칭 장치 내의 반응 챔버 내에서 프라즈마 에칭 공정에 따른 노출에 의한 것이다. 약 100% SF6이 에칭 장치의 전력을 375W로 설정하고 약 50sccm의 유량으로 반응 챔버 내에 도입된다. 에칭은 실온(그러나 프라즈마가 열을 발생한다)과 약 150mTorr의 압력에서 약 100초동안 발생한다. 이 공정에서, 실리콘 대 질화 실리콘의 선택비는 약 6:1이다.
삭제
도 2e를 참조하면, 다음으로 SLM(10)의 수평 표면(예를 들어, 미러 구조 지지층(28), 힌지층(30), 보호층(24)의 일부)은 광을 반사하는 도전성 반사층(32)(예, 약 30nm 두께의 알루미늄층)으로 코팅된다. 일부의 수직 표면(예를 들어, 미러(48) 부근의 힌지(50)의 수직 표면) 역시 미러 구조 지지층(28) 상의 반사층(32)을 보호층(24) 상의 반사층(32)과 전기적으로 접속하기 위해 코팅된다. 간략하게 하기 위해, 힌지층(30) 상의 반사층(32) 일부와 수직 표면은 도 2e에 도시되어 있지 않다. 그와 같은 반사층(32)은 예를 들면, 각의 수평 벡터가 미러(48)로부터 운동 정지부(49)까지 되도록 하는 각도에서 하방으로 증발하는 알루미늄에 의해 증착될 수 있다. 이러한 각도로는, 운동 정지부(49)가 금속 증착으로부터 보호층의 표면을 차단하기 때문에 운동 정지부(49)가 보호층(24)을 접촉하는 점에서 어떠한 금속(알루미늄)도 이 보호층(24)상에 존재하지 않는다. 여기서 주의해야 할 것은 보호층(24)은 상술한 희생층(26)의 부분 에칭으로 인해 노출된다는 점이다. 증발은 예를 들어, 초당 1nm의 증착 속도에서 전자건(e-gun) 열 증발기의 반응 챔버에서 발생할 수 있다.
간격자(44)(도 1 및 13)가 광 전송 기판 상에 제공된다. 간격자(44)는 예를 들어, 30초 동안 5000rpm에서 회전된 후, 종래의 포토리소그래픽(photolithography) 기술을 이용하여 간격자(44)를 형성하기 위해 노광된 후 패터닝되고, 이어 구조강성을 증가시키도록 1시간동안 233℃에서 단단하게 소성되는 Hoechst Delanese AZ 4330-125 포토레지스터로 구성된다.
미러(48a, 48b, 48c)는 희생층(26)을 완전하게 제거하는 제2 등방 식각, 예를 들어 이불화 퀴세논 에칭 처리로, 힌지 지지부(51,51)를 제외하고는 광 전송 기판(20)으로부터 이형(releasing)된다. 이 에칭은 약 20분 동안 실온에서 약 100% 이불화 퀴세논 환경하에서 약 4Torr로 수행된다. 이와 같은 조건하에서 이 에칭처리의 선택비는 100대 1을 넘는다.
그 다음, 부착된 미러 어레이를 가진 광 전송 기판(20)은 도 3a에서 단면도로 도시되어 있는 바와 같이, 어드레싱 회로(36)를 포함하는 회로 기판(34)(예를 들어, 반도체 기판)에 본딩(bonding)된다. 간격자(44)(도 1 및 13)는 광 전송 기판(20)이 회로 기판(34)으로부터 이격 근접 유지되도록 회로 기판(34)에 본딩(bonding)되어 있다.
한 실시예에서, 다른 굴절율을 가지는 2개의 유전체층(70,72)(도 2f)과 같은 평면 광학 소자(Planar Optical Element)가 미러 구조물 지지층(28)으로서 증착되어 있다. 이와 같은 유전체층의 적층은 광(Light)을 반사하거나 특정 범위의 주파수를 필터링한다. 예를 들면, 질화 실리콘층(광 굴절율 2.0)의 상부면 상에 증착되는 이산화 실리콘층(광 굴절율 1.46)은 질화 실리콘층의 두께가 68nm이고 이산화 실리콘층의 두께가 96nm라면 많은 광 스펙트럼(Optical Spectrum)에 걸쳐 92%에서 95%의 반사율로 예를 들어, 알루미늄 반사층(32)의 반사율을 증강하게 될 것이다.
희생층(26)이 완전히 에칭되어 제거된 후, 광 전송 기판(20)은 회로 기판(34)에 본딩(bonding)된다. 먼저, 기판(20,34)은 광학적으로 정렬되고 서로 고정되며, 회로 기판(34)의 가장자리 둘레에 분배된 에폭시에 의하여 서로 접착될 수 있다. 상부 기판(20)은 광학적으로 투과성하기 때문에 광 전송 기판(20) 상의 패턴을 회로 기판(34) 상의 패턴에 정렬시키는 것에 의하여 정렬이 용이하게 완성될 수 있다. 광 전송 기판(20)과 회로 기판(34)의 가장자리 둘레에 청정(clean) 환경하에서 에폭시를 분배함으로써, 미러(48)는 에어로졸로부터 격리될 수 있다.
도 3a에서, 셀(12)의 하부전극(42)(예를 들어, 500nm 두께의 알루미늄 하부전극)은 접촉트(contact; 43)를 통하여 어드레싱 회로(30)에 접속되게 도시되어 있다. 여러 가지 구조가 가능하다. 일 실시예에서, 능동 하부전극(42)은 나머지의 회로 구성요소(36)와 회로 접속보다도 물리적으로 더 높게 위치되어야한다. 이 실시예에서 하부전극(42)은 정전기력을 통하여 위에 있는 미러(48)와 상호작용한다.
삭제
도 3a 및 도 3b에 상술한 동작이 도시되어 있다. 도 3a에서 미러(48)는 편향되어 있지 않다. 이 바이어스가 인가되지 않은 상태에서, 광원(Light Source)(64)으로부터 SLM(10)으로 비스듬하게 입사하는 입사광빔(56)은 광 전송 기판(20)을 통과하여 편평한 미러(48)에 의하여 반사되고 일부분은 개구층(22)에 의해 반사된다. 따라서, 출력광빔(58)의 각도 역시 광 전송 기판(20)에 기울어진다. 출력광빔은, 예를 들어 광학 덤프(optical dump; 78)에 의하여 수신될 수 있다. 광 전송 기판(20)으로의 개구층(22)의 통합은 하부 힌지(50)로부터 산란하는 원치않은 광을 제거하기 위한 기술이다.
미러(48)와 하부 전극(42) 사이에 바이어스 전압이 인가된 셀(22)이 도 3b에 도시되어 있다. 미러(48)는 정전인력 때문에 평향되어 있다. 힌지(50)의 설계 때문에, 미러(48)의 자유단(free end)은 회로 기판(34)을 향하여 편향되어 있다. 힘의 적용이 실질적으로 힌지(50) 내에 존재할 모든 굽어짐(bending)을 야기하도록 힌지(50)가 미러(48)보다는 더욱 유연하다(flexible)는 점을 유의하여야 한다. 이것은 전술한 바와 같이 힌지층(30)을 미러 구조의 지지층(28)보다 더욱 얇게 만듦으로써 이루어질 수 있다. 미러(48)의 편향은 출력광빔(58)을 결상 광학 장치(66)로 상당한 각도로 편향시킬 수 있다.
미러(48)의 운동은 미러(48)가 회로 기판(34)과 접촉하지 않도록 광 전송 기판(20) 상에 증착된 보호층(24)에 접촉하는 운동 정지부(49)에 의해 제한된다(도 3b 참조). 접촉이 일어나지 아니하므로, 전기적으로 접속된 미러(48a, 48b, 48c)는 동일 전위에 있게 된다. 또한, 들러붙는 것을 발생시킬 수 있는 미러(48)와 전극(42) 사이의 전하 주입과 용착이 전혀 없다. 편향되지 않은 위치에서, 미러(48)가 광 전송 기판(20)으로부터 예를 들어 2.8미크론 만큼 분리되어 있는 경우, 운동 정지부(49)는 힌지(50)의 회전축으로부터 (예를 들어, 약 3.3미크론) 연장될 수 있다.
변조기의 전반적인 전기기계적 특성은 도 4 및 도 5에 더욱 상세히 설명되어 있다. 도 4에서, 바이어스 전압에 대한 미러(48)의 편향각(α)이 도시되어 있으며 히스테리시스가 관측되고 있다. 바이어스 전압이 미러(48)와 전극(42) 사이에 인가될 때(도 3a, 도 3b) 미러(48)는 편향된다(도 4의 선 401을 참조). 미러(48)가 스냅전압 Vsnap(예를 들어, 약 6.8V)을 지나 편향될 때, 힌지(50)의 복원력이 더 이상 정전기력과 균형을 이루지 않고, 운동 정지부(49)가 광 전송 기판(20)에 접촉될 때까지 미러(48)는 회로 기판(34)의 전극(42)(도 4의 선 402를 참조)을 향하여 움직인다. 미러(48)가 편향되지 않은 위치(도 4의 선 404를 참조)로 복원되기 위해서 전압이 실질적으로 스냅전압 이하(도 4의 선 403을 참조)인 VreLease(예를들어, 약 5.6V)로 낮아지지 않으면 안된다. 따라서, 미러(48)는 전압 VreLease와 전압 Vsnap 사이의 전기기계적으로 쌍안정성 장치이다. 다시 말해, 전압 VreLease와 전압 Vsnap 사이의 특정 전압이 주어지면, 미러(48) 편향의 이력에 따른 미러(48)의 2개의 가능한 편향각(α)이 존재할 수 있다. 따라서, 미러(48) 편향은 래치(latch)로서 동작한다. 이들 쌍안정성 특성과 래치 특성은 편향에 필요한 기계적인 힘은 편향각(α)에 대하여 대체로 선형인 반면, 대항하는 정전기력은 미러(48)와 전극(42) 사이의 거리에 역비례하기 때문에 존재한다.
이와 같은 래칭 동작은 각 전극을 구동하기 위한 메모리 셀을 가지는 대신에 수동 어드레싱을 사용하여 구동 회로가 칩 외(off-chip) 또는 칩 둘레에만 위치되는 것을 허용한다. 예를 들면, 각각의 주어진 열에서의 각 전극(42)은 각 주어진 행에서의 각 미러(48)가 전기적으로 접속되어 있는 동안 전기적으로 접속될 수 있다. 어드레싱 동안, 어드레스되는 화소 셀과 같은 열이나 또는 행에 있지 않은 각 화소 셀에 대하여서는 인가되는 바이어스 전압이 VreLease와 Vsnap 사이의 중간값(예를 들어 6.2V)에 있게 된다. 따라서, 이들 화소 셀에 대하여 미러(48)의 편향은 미러(48)가 선 403에서 편향되어 있다면, 하나의 이진(二陣) 상태(예를 들어, 이진수 1)를 나타내고, 미러(48)가 선 401에서 편향되어 있다면, 다른 이진 상태(예를 들어, 이진수 0)를 나타낸다. 즉, 이 중간 전압은 미러(48) 편향 상태를 유일하게 결정하지 않는다.
만약 온 상태(또는 오프 상태)가 어드레스된 화소 셀에 프로그램되어진다면, 어드레스되는 화소 셀 열의 전극(42) 전압은 인가되는 바이어스 전압을 증가(또는 턴 오프하기 위하여 감소)시키도록 변경된다. 어드레스된 화소 셀 행의 미러(48) 전압 역시 인가되는 바이어스 전압을 증가(또는 턴 오프 하기 위해 감소)시키도록 변경된다. 어드레스 되지 않은 화소 셀과 같은 열 또는 행에 있게 되는 어드레스된 화소 셀에 대하여, 인가되는 바이어스 전압은 증가(또는 턴오프하기 위해 감소)하나 여전히 VreLease와 Vsnap 사이에 있다. 따라서, 이진 상태는 어드레스 된 화소 셀과 같은 열이나 행에 있는 어드레스 되지 않은 화소 셀에 대하여는 변하지 않는다. 그러나, 어드레스 된 화소 셀에 대하여서는 전극(42)과 미러(48) 전압은 모두 인가되는 바이어스 전압을 증가(또는 턴 오프하기 위해 감소)시키도록 변경된다. 이와 같은 증가는 Vsnap보다 더 크며(또는 어드레스 된 화소를 턴오프하도록 VreLease 보다 작으며), 따라서 어드레스되는 화소는 온(또는 오프)된다. 어드레스 및 프로그램하기 위해, 각 열과 행에는 하나의 구동 회로만이 필요하게 된다. 따라서, 구동 회로는 장치의 주변 또는 칩 외부에 위치될 수 있다.
각 전극(42)이 구동 회로(DRAM 구조에서 트랜지스터와 같은)를 가지는 완전 능동 어드레싱(Full Active Addressing)에 대하여도 그룹 내에서 접속하는 미러가 어드레싱 효율을 증가시킬 수 있다. 이것은 미러 어레이의 가장자리에 접속을 가지거나 또는 화소 위치에서 미러를 기판에 접속시키는 충전재(Pillar)를 증착하므로써 달성될 수 있다. 정전기력은 도전성의 반사층(32)과 하부전극(42) 사이의 전체전압에 의존하기 때문에, (반사층(32)을 통하여) 미러 그룹에 인가되는 부(-) 전압은 해당 전극의 동작 전압을 감소시켜 SLM(10)의 전압 요구를 경감시킨다. 예를 들면, 반도체 산업에서는 5V 스위칭 가능 출력이 표준이기 때문에 5V 이하로 동작 전압을 유지시키는 것이 바람직하다. 또한 어드레스 되는 화소의 각 전극을 바이어스하는데 요구되는 전하량은 모든 미러를 접지에 유지하는 실시예보다 작다. 따라서, 어드레스된 화소 셀을 프로그램하는데 요구되는 시간이 상대적으로 빠르다.
도 5에서, 인가되는 바이어스 전압이 증가되고 미러(48)가 기울어질 때의 편향각(α)에 대한 기계적인 토크 및 전기적 토크가 도시되어 있다. 도 5에 도시되어 있는 바와 같이, 힌지(50)의 기계적인 복원력에 의하여 야기되는 기계적인 토크는 편향각(α)에 대하여 대체로 선형적이다. 반면에, 미러(48)와 전극(42) 사이의 정전기력에 의하여 야기되는 각 전기적인 토크(τelectrical) 곡선은 역제곱 법칙을 적용 받아 편향각(α)의 증가에 따라 급격하게 상승한다(미러(48)-전극(42) 구조의 커패시턴스(capacitance)가 증가하기 때문에). 하부 곡선(V=Va)에 예시된 바와 같이, 낮은 바이어스 전압에서, 평형점(αE)이 존재한다. 미러(48)가 평형점(αE)보다 약간 더(또는 덜) 기울어진다면, 상방으로 지향되는 기계적인 힘(또는 하방으로 지향되는 정전기력)이 지배하여 미러(48)는 평형점(αE)으로 다시 올라가게(또는 내려가게) 편향한다. 미러(48)와 전극(42) 사이의 온-상태 바이어스 전압을 변경함으로써, 미러(48)의 기울기가 제어된다.
미러(48)와 전극(42) 사이의 바이어스 전압이 임계치(여기서, 중간 곡선으로 도시된 바와 같이 V=Vb)를 초과하면, 평형점(αE)은 더 이상 존재하지 않게 되어 미러(48)는 회로 기판(34)으로 향하여 스냅핑(snapping)된다(도 4의 선 402를 참조). 기계적인 토크가 각도에서 선형이라면, 미러(48)가 대략 반정도 회로 기판(34)으로 향하여 편향될 때 스냅핑(snapping)이 발생한다. 또 하나의 다른 정지 기구가 설치되어 있지 아니하면, 스냅핑 동작은 미러(48)가 전극(42)과 접촉할 때까지 계속될 것이다. 용착에 의해 들러붙음(Sticking)이 발생하게 되기 때문에 이와 같은 동작모드를 피하는 것이 바람직하다. 용착은 접촉 표면이 본래부터 다른 전위에 있을 때나 또는 넓은 접촉면 영역이 금속과 같은 전성(malleable) 물질로서 이루어져 있을 때 특히 쉽게 발생한다.
상술한 운동 정지부(49)는 질화 실리콘 같은 단단한 물질로 만들어진다. 이들 단단한 물질은 잠재적으로 금속 구조보다는 더 긴 수명을 가진다. 운동 정지부(49)는 역시 광 전송 기판(20)과 제한적 접촉 영역을 가지고 있기 때문에 달라붙는 힘을 경감시킨다. 운동 정지부(49)를 접촉하게 되는 반사층(32)과 동(同) 전위로 유지하게 함으로서, 용착이 일으키는 전위차가 역시 회피될 수 있다. 스냅핑 및 운동 정지부(49)와 광 전송 기판 사이의 그와 같은 물리적인 접촉은 V<VD를 유지하게 함으로써 완전히 피할 수 있다.
SLM(10)이 스냅핑 점을 지나는 전압에서 동작되면, 상술한 전기기계적 쌍안정성을 이용하는 것에 의하여 능동(active) 어드레싱을 사용하거나(예를 들어, 개개의 트랜지스터가 각 화소 위치에서 전극(42)을 구동) 또는 수동(passive) 어드레싱을 사용하여(예를 들어 각 열 또는 행에 대하여 단 하나의 구동 회로) 디지털 방식으로 동작될 수 있다. SLM(10)이 Vsnap보다 더 높은 전압에서 동작하면 선 403에 따른 편향은 하나의 이진(binary) 상태를 나타낼 수 있는 반면 모든 다른 편향은 다른 이진 상태를 나타낸다.
SLM(10)이 스냅핑 점 이하의 전압에서 동작되면, 능동 어드레싱을 사용하여 아날로그 방식으로 동작될 수 있다. 예를 들면, 광원(64)이 넓은 범위의 위치로부터 광선을 방출하면, 다른 기울기 각도(α)에 대하여 서로 다른 세기의 광이 결상 광학 장치(66)로 반사될 수 있다. 상술한 높은 품질의 기계적인 재료의 사용은 화소 어레이에 전반에서 우수한 균일성을 야기하여 아날로그 동작을 실현한다. 이때 미러(48)의 편향은 각 대응 전극에 축적되는 전하에 비례할 것이다. 또한 스냅핑 점 이하에서의 동작은 동작 동안 기계적인 접촉을 방지하여 가능한 들러붙는 문제를 제거하는 이점을 가진다.
스냅핑 전압을 지나는 미러 동작에 대하여 또한, 다음과 같은 시간함수로서 능동 어드레싱 전압을 변경하는 것이 가능하다. 능동 어드레싱 단계 동안, 어드레싱은 미러 편향이 요구되는 이들 전극에 대하여 정전기력 토대의 미러 편향에 요구되는 레벨로 설정된다. 문제의 미러가 편향한 후, 그 편향된 위치에서 유지하는데 요구되는 전압은 실제 편향에 요구되는 것보다 작다. 이것은 편향된 미러와 어드레싱하는 전극 간의 간격이 미러가 편향되고 있는 단계에 있을 때보다 훨씬 더 작기 때문이다. 따라서, 능동 어드레싱 단계 후의 단계(예를 들어 "유지 단계(Hold stage)"라 칭함)에서 어드레싱 전압 레벨은 실질적으로 미러의 상태에 영향을 주지 않고 원래의 레벨로부터 경감될 수 있다. 유지 단계 전압을 가지는 것의 한 이점은 편향되지 않은 미러들 또한 이전보다도 더 작은 정전 인력을 받게 되고 이 때문에 편향되지 않은 미러들은 제로-편향된(즉, 편향되지 않은) 위치에 더욱 가까운 위치를 얻는다는데 있다. 이것은 편향된 미러와 편향되지 않은 미러 간의 광학적 명암비를 개선하여 준다.
어드레싱 회로(36)의 메모리 어레이부의 전기적인 개략도가 도 6a와 도 6b에 도시되어 있다. 능동 어드레싱이 채용되면, 도 6a의 회로에서 구현된 어드레싱 구조가 SLM(10)의 각각의 화소 셀을 개별적으로 어드레스하기 위해 사용될 수 있다. 기판들(20, 34)은 도 6a에는 도시되어 있지 않고, 미러(48)와 하부전극(42)이 상징적으로 도시되어 있다. 상기 개략도는 DRAM(Dynamic Random Access Memory)에 사용되는 것과 동일하다. 각 화소 셀(12, 12a, 12b, 12c)은 각각의 NMOS 트랜지스터(68, 68a, 68b, 68c)에 의하여 구동된다. 예를 들면 화소 셀(12)이 어드레스 되어질 것이라면, 전극(42)은 다음과 같이 충전된다. 화소의 대응 행(화소 셀 12와 12c를 포함)의 상태가 소정의 미러 편향을 위한 적절한 바이어스 전압에서 대응하는 비트 라인(62)을 유지함으로써 설정된다. 바이어스는 미러(48)에 관한 것이며, 이들 미러(48)는 접지와 같은 공통전압에 접속된다. 다음으로 대응하는 워드 라인(60)이 로우-하이-로우 펄스를 발생하고(예를 들어 NMOS 트랜지스터가 일시적으로 개방된다) 전압값이 하부전극(42)과 미러(48) 사이에서 전하로서 저장된다. 부가적인 커패시터가 누설을 극복하기 위하여 충분한 전하의 저장을 보장하도록 미러-전극 결합에 대하여 전기적으로 병렬로 설치될 수 있다.
또 하나의 실시예는 가동 전극을 구동하기 위하여 SRAM(Static Random Access Memory)를 사용한다(도 6b). 예를 들어, 화소 셀(12)이 대응 비트 라인(62) 상에 이진수 1을 나타내는 전압을 인가함으로써 어드레싱된다. 그 전압은 전극(42)을 충전시켜서 미러(48)를 편향시키기에 충분하다. 이진수 0을 나타내는 전압은 다른 대응 비트 라인(62)(바)에 존재한다. 대응 워드 라인(60)이 트랜지스터(69a, 69b)를 개방하는데 충분한 전압을 인가함으로써 선택된다. 인버터(69c)로의 입력과 인버터(69d)로부터의 출력은 이진수 0을 나타낸다. 인버터(69c)로부터의 출력과 인버터(69d)로부터의 입력은 이진수 1을 나타낸다. 트랜지스터(69a)가 개방되면 전극(42)은 비트 라인(62)을 통하여 충전된다.
미러(48)의 영역이 반도체 스케일(12×12 미크론 = 144평방 미크론) 상에서 상대적으로 넓기 때문에 좀더 복잡한 회로가 각 활성 전극 아래 제조될 수 있다. 본 발명의 회로는 각 화소에서 시간적으로 연속하는 화소 정보를 저장하는 저장 버퍼와, 변동하는 전압 레벨에서 전극을 구동함으로써 미러/전극 분리의 가능한 불균일성을 보상하기 위한 전자 회로를 포함할 수 있지만, 이것에 제한되는 것은 아니다.
치수(1 내지 5㎛의 기판(20,34) 간격(separation)과 0.03에서 0.㎛의 힌지 두께) 및 물질의 적절한 선택(질화 실리콘)으로 SLM(10)은 단지 몇 볼트의 구동 전압을 가지도록 만들어질 수 있다. 힌지(50)의 각 비틀림(Angular torsion) 계수는, 예를 들어 약 3.3×10-14 뉴턴미터(Nm)/회전각도일 수 있다. 앞에서 논의된 바와 같이, 어드레싱 회로가 동작해야만 하는 전압은 미러(48)를 회로 접지(또는 바이어스전압)를 기준으로 하여 부(또는 양)의 전위를 유지하는 것에 의하여 보다 낮게 맞들어질 수 있다. 예를 들면, 부(-)의 바이어스 경우에, 도 4의 히스테리시스 곡선 좌측으로 이동시키는 결과를 가지며, 따라서 활성전극 어레이는 0~5V와 같은 저전압 범위에서 동작하며 미러 편향을 야기시킬 수 있다. 이 결과 주어진 전압에 대하여 편향각은 더욱 큰 차를 갖는다. 최대 부(-) 바이어스 전압은 -VreLease이다. 부(-) 전압은 예를 들어 부(-) 전압을 인가하도록 구성된 전원(74)(도 6a의 화소 셀(12)을 참조)에 미러(48)를 결합시키는 스위치(76)를 닫는 것에 의하여 미러(48)에 인가될 수 있다.
두 기판(20, 34)의 평탄성과 이들의 굴곡에 대한 저항에 따라 간격자(44)는 미러 어레이 자체 내에 포함될 필요가 있을 수 있다. 도 7은 중앙에 간격자를 가지는 바람직하게 인접하는 미러 어레이의 평면도를 나타낸 것이다. 미러 어레이는 56개의 미러(48, 48a~48z, 48aa~84az, 48ba, 48bb, 48bc)를 포함한다. 간략하게 하기 위해, 광 전송 기판(20)과 회로 기판(34)이 도시되어 있지 아니하며, 각 미러(48)는 정사각형으로 나타나 있다. 간격자(44)는 미러들(48aa, 48ab,48ai,48aj) 사이의 중심을 가지고 각 미러는 도 7에 도시된 바와 같이 간격자(44)의 대응 단부와 동일 평면상에 있는 단부를 가진다.
도 8a는 도 2a 내지 도 2d에 참조하여 설명된 공정에 의하여 만들어진 SLM(10)의 화소 셀(12,12a)에 대한 평면도를 나타낸 것이다. 미러(48, 48a)는 가는 힌지(50, 50a)에 의하여 정의된 축 주위를 회전한다. 미러(48, 48a)의 운동은 미러(48, 48a)가 부착되어 있는 광 전송 기판(20)으로 향하고 결국 부딪치는 운동 정지부(49,49a)에 의하여 제한된다 (도 3b를 참조). 일 실시예에서, 대각선은 가는 힌지에 비하여 비교적 두꺼운 질화 실리콘층을 포함하는 영역을 나타낸다.
이와 같은 보강은 힌지(50, 50a) 내에서 유연성을 유지하면서도 기계적으로 미러(48,48a)를 강화한다. 동양의 보강이 도 8b 내지 도 8e에 도시되어 있다.
삭제
SLM(10)의 광학 능동 구성요소를 구성하는 미러(48)의 설계에 있어서 많은 가능한 변형이 존재한다. 도 8a 내지 도 8d는 운동 정지부(49)와 미러(48)가 실질적으로 동일 면상에 있는 변형을 나타낸 것이다. 일 실시예는 도 8b에 도시된 바와 같이 2개의 운동 정지부(498B)를 가지고 있다. 도 8c에서, 힌지(508C)는 운동 정지부(498C)에 직접 접속되어 있다. 도 8c 및 8d의 실시예는 도 8d가 단지 하나의 운동 정지부(498D)를 나타내고 있는 것을 제외하고는 유사하다. 도 8e는 인접하는 지지부들(518E)을 나타낸다. 도 8e의 화소 셀(128E)은 운동 정지부를 가지고 있지 아니하며 SLM(10)이 vsnap 이하에서 동작한다면 가장 유용하다.
도 8e 및 8g에서 도시된 실시예에서, 힌지 (508E, 508G)는 휨(flexure)에 의하여 동작하며 비틀림에 의해 동작하지 않는다.
여기서 "휨"이란 힌지(508F, 508G)의 양단부가 고정되어 있고 미러(488F, 688G)의 각도 편향이 힌지(508F, 508G)가 이들 힌지의 중앙부분의 각도로 편향을 일으키며, 이것에 의해 힌지(508F, 508G)가 이들 힌지(508F, 508G)의 길이 방향에 따라 늘어나도록 하는 것을 의미한다. 도 8f 및 8g의 힌지(508F, 508G)는 광 전송 기판(20)(도 1, 2a, 2b, 2c, 2d, 2e, 2f, 3a, 3b, 9a, 9b, 9c, 9d, 10a, 10b, 10c, 11a, 11b, 11c, 12, 13) 아래에 힌지(508F, 508G)를 매다는 힌지 지지부(508F, 508G)를 가진다. 그래서 힌지(508F, 508G)는 길이 방향으로 굽어지나 비틀어지게 굽어지지 않는다.
이와 같은 힌지(508F, 508G)의 실시예에서, 기계적 복원력은 주로 인장변형과 같이, 편향에 따라 선형적 보다 빠르게 증가한다. 이와 같은 특성을 가진 힌지(508F 또는 508G)는 미러(48)가 아날로그 방식으로 동작할 때, 스냅핑 각(따라서 Vsnap)이 증가되기 때문에 유용할 것이다. 도 8h에서, 힌지(508H)는 외팔보(cantilever) 설계가며, 또한 비틀림에 의해서가 아니라 휨에 의하여 동작한다.
본 발명의 정밀-기계 SLM(10)을 제조하는 제2 제조 공정이 도 9a 내지 9d와 도 10a에 단면으로 도시되어 있다. 이 공정은 도 2a 내지 2f에서 개략적으로 도시된 공정으로 가능한 것보다는 더 높은 개구 비율(광활성 영역의 비율)을 가진 미러형식의 구조를 얻기 위하여 다수의 질화 실리콘층을 사용한다. 이것은 부분적으로 운동 정지부(도 10a의 4910A)와 미러(도 10a의 4810A)가 다른 평면에 놓여 있기 때문이다. 광 전송 기판(20)은 후속 처리 공정의 온도에 견딜 수 있는 석영과 같은 물질로 만들어진다. 이 공정에서, 도 1, 2a, 2b 및 2c에 도시된 광 차단 개구층(22)과 보호층(24)의 증착은 지나치거나(skip) 공정의 첫 단계에 부가될 수 있다. 희생층(2010A)(예를 들어 약 0.5미크론 두께 LPCVD 성장의 비정질 실리콘층)이 증착된다. 도 9a에 도시된 바와 같이, 광 전송 기판(20)으로 관통하도록 홀(2510A)이 패터닝된후 운동 정지층(예를 들어 150nm 두께, LPCVD 성장 저응력 질화 실리콘층)이 날카로운 접촉단(90)을 가지는 운동 정지부(4910A)를 형성하도록 증착된 후 패터닝된다.
그 다음 도 9b에 도시된 바와 같이, 힌지층(예를 들면, 40nm두께의 저응력 질화 실리콘층)이 성장된 후 비틀림 힌지(5010A)를 정의하도록 패터닝된다. 제2 희생층(27)이 증착되며(예를 들어, 약 0.5 미크를 두께, LPCVD 성장 비정질 실리콘층), 홀(25c)이 힌지(5010A)(도 9c)까지 도달하도록 패터닝된다. 이 제2 희생층(27)은 후속의 막 증착을 위한 편평한 표면을 얻도록 공지의 화학-기계 연마(CMP) 기술로 연마될 수 있다. 후속으로 증착되는 층은 미러구조 지지층(2810A)을 포함하기 때문에 미러구조 지지층(2810A)은 강화된 평탄성의 특성을 가지며 따라서 반사 균일성, 시스템 명암 및 휘도가 향상된다. 마지막으로 약 138nm 두께 질화 실리콘의 미러구조 지지층(2810A)이 실질적으로 강성의 미러 판(도 9d)를 형성하도록 증착된 후 패터닝된다.
다음으로, 희생층(2610A, 27)이 등방성 에칭 처리(예를 들어, 이불화 크세논 가스 에칭: 앞에서 인용된 100% SF6 프라즈마 공정가 사용될 수 있음)을 사용하여 부분적으로 제거되며, 전체 구조가 상술한 바와 같이 반사를 높게 하고, 전기적으로 미러와 연결하는 기능을 하는, 예를 들어 매우 얇은 알루미늄 박막층(30nm)으로 코팅된다.
마지막으로 미러는 제2 등방성 에칭 공정(예를 들어 이불화 크세논 가스에칭)으로 희생층(2610A)를 완전히 제거함에 따라 완전히 이형된다. 그 다음 미러는 예를 들면, 이미 도 2 와 도 3을 참조하여 설명된 바와 같은 기술을 이용하여 어드레싱 회로를 포함하는 회로 기판에 접속된다. 따라서 투과성성이며 광 전송 기판(20)과 미러(48) 사이에 증착되는 힌지를 포함하는 힌지 구조가 제조된다.
도 10a 내지 10c는 상술한 공정을 이용하여 제조된 서브-힌지구조의 실시예를 나타낸다.
간략화를 위해, SLM's(1010a-10D)는 힌지(5010A~ 10D)가 보여질 수 있도록 90도(°)로 회전되어 있다. 도 10a는 비틀림 힌지(5010A)와 중앙에 위치되는 하나의 운동 정지부(4910A)를 가진 셀(1210A)를 나타낸다. 이 장치는 도 14에서의 유사한 구조 셀의 어레이와 같은 크기로 도시되어 있다. 도 10b는 두 개의 운동 정지부(4910B)를 가진 실시예를 나타낸다. 도 10c는 두 가지 방법으로 "운동 정지"기능을 본래부터 가지고 있는 2개의 리본-타입 힌지(4910C)를 사용하는 장치를 나타낸 것이다. 미러(4810C)가 편향할 때, 편향되지 않은 위치에서는 곧게 되어 있던 힌지(5010C)는 미러(4810C)에 의해 인가되는 토크에 기인하여 S자 형상이 된다. 미러(4810C)의 편향각이 증가함에 따라, 힌지(5010C)는 굽어질 뿐만 아니라 늘어난다. 따라서, 미러(4810C)에 대한 기계적 복원력은 편향각에 따라 선형의 비율보다 더 큰 비율로 증가한다. 이와 같은 비선형의 특성은 힌지(5010C)의 기능이 광 전송 기판(20)에 접촉하지 않고서도 "운동 정지" 기능을 제공하여 주는 한 방법이다. "운동 정지" 기능이 이와 같은 구조로 달성되는 제2 방법은 미러(4810C)와 힌지(5010C) 사이에서의 접촉에 의한 것이다.
도 10d는 별도의 운동 정지부를 사용하지 않기 때문에 운동 정지층의 증착 단계가 제거될 수 있는 비틀림 힌지 장치의 또 다른 실시예를 나타낸 것이다. 도 10d의 실시예에서, 접촉(5010D)이 제1 희생층 내의 홀을 통하여 형성된다. 제2 희생층은 힌지(5010D)와 제1 희생층 위에 형성되며, 힌지(5010D)의 중앙부를 노출하는 홀을 가지도록 형성된다.
접촉(512)은 홀을 통하여 형성되고 미러(4810D)를 형성하는 단일층과 운동 정지부(4910D)가 제2 희생층의 상부면상에 증착된다. 그 후 2개의 희생층은 미러(4810D)와 운동 정지부(4910D)를 자유롭게 하기 위하여 제거된다.
본 발명의 정밀-기계 공간 광 변조기(SLM)를 제조하는 제 3 제조 공정이 도 11a 내지 11c와 도 12에서 단면으로 도시되어 있다. 이 공정 역시 도 2에서 개략적으로 도시된 공정으로 가능한 것보다 더 높은 개구 비율(광 활성 영역의 비율)을 가진 미러 형태 구조를 얻기 위해 질화 실리콘층을 사용한다. 광 전송 기판(20)은 후속 처리시의 온도에 견딜 수 있는 석영과 같은 물질로 만들어진다. 이 공정에서, 광-차단 개구층(22), 보호층(24)의 증착은 공정로부터 생략되어 있지만 그 공정의 제1 단계로서 부가될 수 있다.
먼저, 광 전송 기판(20)은 도 11a에 도시된 바와 같이, 작은 범프(111)가 접촉점으로 형성되도록 패터닝된 후 에칭된다. 그 다음 0.5㎛두께 LPCVD 성장 비정질 실리콘 희생층(2612)이 증착되며 이 희생층(2012)는 결국 제거되어 질 것이다. 이어서, 실질적으로 강성의 미러 판(2812)(도 11b)를 형성하기 위해 패터닝되는 138nm 두께의 질화 실리콘 미러구조 지지층(2812)을 증착한 다음, 제2 희생층(2712)이 증착된 후 홀(29B)이 미러판(28)까지 도달하며 홀(2912)이 범프(111)까지 아래로 도달하도록 패터닝된다. 그 다음 약 40nm 두께의 저응력 질화 실리콘 힌지층(2912)이 성장된후 도 11c에 도시된 바와 같이 비틀림 힌지를 정의하도록 패터닝된다.
그 다음 희생층(2612, 2712)이 100 대 1 이상의 에칭 선택비를 가지는 이불화 크세논 등방 에칭 공정(100% SF6 프라즈마 공정이 사용될 수 있음)을 사용하여 부분적으로 제거된다. 전체 구조는 반사가 높고 미러와 전기적으로 접속하는데 기여하는 매우 얇은 알루미늄 박막(30nm)으로 코팅된다. 최종적으로 미러는 제2 이불화 크세논 에칭 공정으로 희생층(2612)을 완전히 제거하여 완전히 이형된다. 그리고 미러는 도 2 및 도 3을 참조하여 앞서 설명된 것과 동일한 기판 본딩(bonding) 기술을 사용하여 어드레싱 회로를 포함하는 반도체 기판에 연결된다.
도 12는 상기 공정을 이용하여 제조된 구조의 실시예를 나타낸 것이다. 지지부(5112)는 홀(2912)을 통한 질화 실리콘 힌지층 적층에 의하여 형성된다. 힌지(5012)는 힌지층(2912)으로 형성된다. 미러(4812)는 도 11b에 도시된 미러 판(2812)이다. 이 미러는 지지부(51B)를 통하여 힌지(5012)에 부착된다. 미러(4812)는 지지부(5112)에 의하여 편향되지 않은 위치에서 광 전송 기판(20)으로부터 분리되어 있다.
단일 정방형 미러만이 편향가능한 반사소자(48)로 가능한 것은 아니며 크로버잎이나 격자와 같은 다른 설계도 가능하다. 예를 들면, 일제히 모두 편향하는 좁은 미러의 열은 스위칭 가능한 회절격자를 형성할 수 있다. 또한 편향가능한 반사 소자는 금속 코팅막인 것도 가능하다. 편향소자의 설계가 또한 소자의 일부분이 하부기판으로 향하는 대신에 멀리 떨어지게 움직이도록 설계될 수도 있다. 미러 소자는 하나 이상의 방향으로 편향하도록 예를 들어, 제어가능한 하나 이상의 자유단을 가지도록 설계 될 수 있다.
도 8e에 도시된 실시예 장치에서 발생되는 바와 같이, 변조기가 기동될 때 편향가능한 반사 소자가 회로 기판을 접촉하도록 동작된다면, 부가적인 구조가 회로 기판에 부가될 수 있다. 예를 들면, 미러 장치에서, 돌출 범프(bump)가 실질적으로 접촉하는 전체 표면 영역을 감소시키기 위하여 제조될 수 있다. 범프는 접촉시의 용착을 피하기 위하여 미러와 동일한 전위에 있도록 하는 것이 바람직하다. 또한 산화 인디움 주석과 같은 도전성 투과성층이 보호층(24) 이전에 증착될 수 있다. 도전성 투과성층과 미러 사이에 인가되는 바이어스는 실질적으로 미러를 윗기판(20)까지 끌어당겨서 미러를 오프 상태로 재설정한다.
어드레싱 기능을 수행하는 전기 회로를 만드는 많은 다른 방법이 있다. 본 발명의 기술분야에서 공지된 래치 장치뿐만 아니라, 상술한 DRAM, SRAM 및 수동 어드레싱 구조는 모두 어드레싱 기능을 수행할 수 있다. 회로 기판은 예를 들어 석영과 같이 투과성할 수 있다. 이 경우에 트랜지스터는 결정 실리콘에 비교되는 바와 같은 다결정 실리콘으로 만들어질 수 있다.
일 실시예에서, 개구층(22)은 또한 임의의 이진 광학 패턴을 구비하도록 변경될 수 있다. 그 외에 다른 평면형 광학 구성요소가 광 전송 기판(20)의 상부표면(16)이나 하부표면(14) 중 어느 한 표면에서 광 전송 기판(20)에 집적될 수 있다. 많은 가능한 구조 가운데 일부는 단층이나 적층, 마이크로 렌즈, 컬러 분산 또는 회절 구조로 구성되는 컬러 필터를 포함한다. 일예로서 Jahns and Huang의 "자유공간 광학 구성요소의 프래너 집적(Planar Integration of Free-Space Optical Components)" Applied Optics, Vol. 28, No. 9, 1 May 1989를 들수 있다. 이와 같은 광학 기능을 광 전송 기판에 집적할 수 있음으로 인하여, 시스템 레벨에서 자유공간 광학(free-space optics)의 비용을 경감함으로써 달성 가능한 명암비를 증가시키거나 비용을 경감시킬수 있다. 본 발명의 많은 실시예에서, 미러 판 그 자체는 단순한 반사성 이상의 광학적 기능을 통합할 수 있다. 예를 들면, 미러는 필터링(filtering) 능력을 부가하거나 또는 다른 것과 비교하여 특정 파장에서의 반사성을 크게 하기 위하여 실질적으로 다수의 투과성층으로 구성될 수도 있다. 이것은, 예를 들면, 조명 램프의 스펙트럼에서와 같이 광학 시스템의 컬러 결손을 균형있게 하는 수단으로서 유용하다.
많은 여러 가지 제조 공정의 변형이 만들어질 수 있다. 두 기판을 접합하기 위하여 에폭시를 사용하는 대신에, 획득가능한 공정 온도에서 녹거나 열가소성 물질과 같은 다른 물질이 사용될 수 있다. 어떤 구조에서는 기판을 이격 유지하는 간격자가 어느 하나의 기판에 설치될 수 있다. 또한 편향 방법은 반드시 정전기력에만 한정되지 않은 것을 이해하는 것이 중요하며, 열 및 압전 작동이 대체가능한 것 중의 하나이다. 또한 각 화소에서 상부에서 하부 기판으로 전기적 접속이 이루어질 수 있고, 각 픽셀을 구성하는 소자는 그 자신의 전위로 유지될 수도 있다. 미러의 광 활성 영역을 가능한 평탄하게 만들기 위하여, 화학-기계적 연마(CMP)가 제조 공정 동안 여러 단계에서, 예를 들면, 보호층이 패터닝된 개구층의 상부면에 증착된 후나 미러층이 증착된 후에 부가될 수 있다.
많은 물질의 대체가 정밀-기계 소자에 대하여 가능하다: 하나의 가능성은 미러용으로 다른 타입의 세라믹(예를 들여, 이산화 실리콘)의 사용이나 또는 완전히 금속(예를들어 알루미늄 합금)으로 미러를 만드는 것도 가능하다. 이산화 실리콘 같이 희생층 물질에 대하여서도 많은 대체 가능성이 있다. 또한 실리콘은 그리드(grid) 재료로서 텅스텐 대신에 사용될 수 있다. 이것은 상기 공정이 CMOS칩 생산시에 사용되고 있는 질화 실리콘 증착 설비와 더욱 호환가능하게 한다.
그리드와 연관 보호층은 또한 완전히 제외될 수도 있다. 또한 재료의 또 다른 조합은 편향가능한 소자(예를 들어 미러)용으로 실리콘(예를 들어 LPCVD 다결정 실리콘)일 수 있고, 희생층용으로 이산화 실리콘(예를 들어 LPCVD 성장)일 수 있다. 이산화 실리콘은 불화수소산으로 에칭하여 제거될 수 있고, 건조(drying)는 정전기 방지(stiction-free) 미러 이형을 수행하기 위하여 공지의 임계점 건조(critical-point-drying)기술을 이용하여 완성될 수 있다. 간격자는 또한 여러 가지의 중합체, 산화물 또는 금속을 포함하는 여러 가지 물질로서 만들어질 수 있다.
요약하면, 본 발명의 SLM(10)은 높은 분해도, 높은 광 효율, 높은 명암비 또는 변조 깊이 및 높은 기계적 신뢰도를 포함하여 많은 바람직한 특성을 나타내는 장치이다.
SLM(10)은 투사 디스플레이 시스템을 포함하여 여러 가지 광범위한 영역에 적용할 수 있다. 낮은 스위칭 전압과 SLM(10)의 새로운 설계는 표준 CMOS 회로가 어드레싱 장치로서 사용될 수 있게 한다. 편향가능한 소자 그 자체는 역시 분리된 실리콘 상에서 실리콘 CMOS 제조 설비로 사용되는 표준 공정을 사용하여 제조될 수 있다. 양기판은 비교적 조약한 특성과 이미 개발된 기술 이하의 설비를 통하여 제조될 수 있다. 이들 요인은 SLM(10)을 용이하고 있고 값싼 비용으로 제조할 수 있도록 하여준다.
본 발명은 특정의 예를 들어 설명하였지만, 본 발명의 대체나 변경이 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진자라면 명백하게 될 수 있음을 예견할 수 있다. 따라서 다음의 청구항들은 본 발명의 기술사상이나 범위 내에서 그와 같은 모든 대체나 변경을 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
발명의 상세한 설명에 포함되어 있음.

Claims (339)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 삭제
  17. 삭제
  18. 삭제
  19. 삭제
  20. 삭제
  21. 삭제
  22. 삭제
  23. 삭제
  24. 삭제
  25. 삭제
  26. 삭제
  27. 삭제
  28. 삭제
  29. 삭제
  30. 삭제
  31. 삭제
  32. 삭제
  33. 삭제
  34. 삭제
  35. 삭제
  36. 삭제
  37. 삭제
  38. 삭제
  39. 삭제
  40. 삭제
  41. 삭제
  42. 삭제
  43. 삭제
  44. 삭제
  45. 삭제
  46. 삭제
  47. 삭제
  48. 삭제
  49. 삭제
  50. 삭제
  51. 삭제
  52. 삭제
  53. 삭제
  54. 삭제
  55. 삭제
  56. 청구항 56은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    상부 표면과 하부 표면을 가지는 광 전송 기판;
    상기 광 전송 기판의 상기 하부 표면에 부착된 편향가능한 소자; 및
    상기 광 전송 기판의 하부 표면 아래에 이격 위치된 회로 기판을 구비하고,
    상기 편향가능한 소자는 제1 부분과 제2 부분을 구비하되,
    상기 편향가능한 소자의 편향 동안에 상기 제1 부분이 상기 하부 표면으로부터 멀어지게 움직일 때 상기 제2 부분은 상기 하부 표면을 향하여 움직이고, 상기 편향은 상기 제2 부분과 상기 하부 표면 사이의 접촉에 의하여 제한되는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  57. 청구항 57은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 56 항에 있어서,
    상기 회로 기판은 상기 편향가능한 소자와 상기 회로 기판 사이에서 정전인력을 발생하기 위한 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  58. 청구항 58은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 56 항에 있어서,
    상기 회로 기판 내에 형성된 어드레싱 회로와, 상기 어드레싱 회로에 접속된 전극을 더 구비하고, 상기 전극은 바이어스 전압이 상기 전극과 상기 편향가능한 소자 사이에 인가될 때, 상기 편향가능한 소자를 선택적으로 편향시키도록 위치되는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  59. 청구항 59은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 58 항에 있어서,
    상기 변조기는 제1 전위차가 상기 편향가능한 소자와 상기 전극 사이에 인가될 때, 상기 편향가능한 소자가 고정된 편향 위치로 이동하여 제1 전위차보다 작은 제2 전위차가 상기 편향가능한 소자와 전극 사이에 인가될 때까지 상기 고정된 편향 위치에 남아있도록 구성되는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  60. 청구항 60은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 59 항에 있어서,
    상기 어드레싱 회로의 동작 전압은 5볼트를 초과하지 않는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  61. 청구항 61은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 59 항에 있어서,
    상기 어드레싱 회로는 메모리 어레이를 포함하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  62. 청구항 62은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 61 항에 있어서,
    상기 메모리 어레이는 DRAM 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  63. 청구항 63은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 61 항에 있어서,
    상기 메모리 어레이는 SRAM 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  64. 청구항 64은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 56 항에 있어서,
    상기 회로 기판은 실리콘 다이(die)의 일부인 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  65. 청구항 65은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 56 항에 있어서,
    상기 광 전송 기판은 석영을 포함하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  66. 청구항 66은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 56 항에 있어서,
    상기 광 전송 기판은 광이 상기 광 전송 기판의 하부 표면 일부를 통해야만 지나갈 수 있도록 패터닝된 개구층을 포함하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  67. 청구항 67은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 56 항에 있어서,
    상기 광 전송 기판은 고정된 광학 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  68. 청구항 68은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 56 항에 있어서,
    상기 하부 표면은 상기 제2 부분과 상기 하부 표면 사이의 접촉 영역을 최소화하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  69. 청구항 69은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 56 항에 있어서,
    상기 편향가능한 소자는 도전층을 포함하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  70. 청구항 70은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 56 항에 있어서,
    상기 편향가능한 소자는 반사성 및 도전성인 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  71. 청구항 71은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 56 항에 있어서,
    상기 편향가능한 소자는 전기 도전성 부분을 포함하고 정전기력에 의하여 편향가능한 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  72. 청구항 72은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 56 항에 있어서,
    상기 편향가능한 소자는 상기 회로 기판에 전기적으로 결합되는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  73. 청구항 73은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 56 항에 있어서,
    상기 편향가능한 소자는 구조 지지층을 포함하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  74. 청구항 74은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 56 항에 있어서,
    상기 편향가능한 소자는 광 투과성 지지층과 반사층을 포함하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  75. 청구항 75은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 74 항에 있어서,
    상기 광 투과성 지지층은 질화 실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  76. 청구항 76은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 74 항에 있어서,
    상기 반사층은 알루미늄을 포함하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  77. 청구항 77은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 56 항에 있어서,
    상기 편향가능한 소자의 제1 부분은 제2 편향가능한 소자의 일부분이 상기 제1 부분 내에 끼워지도록 형성되는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  78. 청구항 78은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 56 항에 있어서,
    상기 편향가능한 소자는 실질적으로 강성(rigid)이고 유연한(flexible) 힌지에 의하여 상기 광 전송 기판에 부착되는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  79. 청구항 79은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 78 항에 있어서,
    상기 힌지는 비틀림 힌지인 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  80. 청구항 80은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 78 항에 있어서,
    상기 힌지는 상기 편향가능한 소자에 비하여 상대적으로 탄성이 있는(elastic) 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  81. 청구항 81은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 78 항에 있어서,
    상기 힌지는 상기 편향가능한 소자 내의 적어도 하나의 물질보다 더 작은 탄성 계수를 가지는 물질을 구비하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  82. 청구항 82은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 78 항에 있어서,
    상기 힌지는 상기 편향가능한 소자보다 더 얇은 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  83. 청구항 83은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 78 항에 있어서,
    상기 힌지는 실질적으로 투과성 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  84. 청구항 84은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 78 항에 있어서,
    상기 힌지는 상기 편향가능한 소자와 다른 평면에 위치하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  85. 청구항 85은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 78 항에 있어서,
    상기 힌지는 상기 편향가능한 소자와 상기 광 전송 기판 사이에 위치되는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  86. 청구항 86은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 78 항에 있어서,
    상기 편향가능한 소자는 상기 힌지와 상기 광 전송 기판 사이에 위치되는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  87. 청구항 87은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 56 항에 있어서,
    상기 편향가능한 소자는 하나 이상의 소정 각에 대응하는 전위를 상기 회로 기판의 관련 전극에 인가함으로써 상기 소정 각으로 편향되는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  88. 청구항 88은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 56 항에 있어서,
    상기 편향가능한 소자는 비-편향 위치로부터 편향 위치로 이동하도록 구성되고,
    상기 편향가능한 소자가 상기 편향 위치에 있고 광원과 결상 광학 장치 모두가 상기 광 전송 기판의 동일 측에 위치될 때, 상기 편향가능한 소자의 일부분이 상기 광원으로부터 상기 결상 광학 장치로 광을 반사시키는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  89. 청구항 89은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 88 항에 있어서,
    상기 편향가능한 소자는 상기 비-편향 위치에서 제2 편향 위치로 이동하도록 구성되고,
    상기 편향가능한 소자가 상기 제2 편향 위치에 있고, 광원과 제2 결상 광학 장치 모두가 상기 광 전송 기판의 동일 측에 위치될 때, 상기 편향가능한 소자의 일부분이 상기 광원으로부터 상기 제2 결상 광학 장치로 광을 반사시키는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  90. 청구항 90은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 56 항에 있어서,
    상기 편향가능한 소자는 비-편향 위치에서 편향 위치로 이동하도록 구성되고,
    상기 편향가능한 소자가 비-편향 위치에 있고, 광원과 결상 광학 장치 모두가 상기 광 전송 기판의 동일 측에 위치될 때, 상기 편향가능한 소자의 일부분이 상기 광원으로부터 상기 결상 광학 장치로 광을 반사시키는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  91. 청구항 91은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 90 항에 있어서,
    상기 편향가능한 소자는 상기 비-편향 위치에서 제2 편향 위치로 이동하도록 구성되고,
    상기 편향가능한 소자가 제2 편향 위치에 있고, 광원과 제2 결상 광학 장치 모두가 상기 광 전송 기판의 동일 측에 위치될 때, 상기 편향가능한 소자의 일부분이 상기 광원으로부터 상기 제2 결상 광학 장치로 광을 반사시키는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  92. 청구항 92은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 56 항에 있어서,
    상기 제2 부분은 제1 부분보다 더 좁고 제1 부분으로부터 연장된 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  93. 청구항 93은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 56 항에 있어서,
    상기 제2 부분의 형상은 상기 제2 부분과 상기 광 전송 기판 사이의 접촉 영역을 최소화하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  94. 청구항 94은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 56 항에 있어서,
    상기 제2 부분은 상기 편향가능한 소자가 최대 편향 위치에 있을 때 상기 광 전송 기판을 접촉되도록 구성된 날카로운 접촉단을 구비하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  95. 청구항 95은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 56 항에 있어서,
    상기 제2 부분은 상기 제1 부분과 동일 평면상에 있는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  96. 청구항 96은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 56 항에 있어서,
    상기 제2 부분과 상기 하부 표면은 전기적으로 접속되는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  97. 청구항 97은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 56 항에 있어서,
    상기 편향가능한 소자에 바이어스 전압을 인가하도록 구성된 전원을 더 포함하는 공간 광 변조기.
  98. 청구항 98은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 56 항에 있어서,
    상기 공간 광 변조기는 공간 광 변조기 어레이의 일부분인 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  99. 청구항 99은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 56 항에 있어서,
    각각 상기 편향가능한 소자와 유사한 구조를 갖는 복수의 편향가능한 반사 소자를 더 구비하고, 상기 복수의 편향가능한 반사 소자 내에서 선택된 편향가능한 소자가 복수의 서브세트(subset)로 그룹 지워지고 각 서브세트는 소정 각도에서 입사광을 선택적으로 조사시키도록 배향되는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  100. 청구항 100은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 56 항에 있어서,
    상기 광 전송 기판의 하부 표면에 부착되는 제2 편향가능한 소자를 더 포함하고,
    상기 제2 편향가능한 소자는 제3 부분과 제4 부분을 구비하며, 상기 제2 편향가능한 소자의 편향 동안, 상기 제3 부분이 상기 하부 표면으로부터 멀어지도록움직임에 따라 상기 제4 부분은 상기 하부 표면을 향하여 움직이고, 상기 제2 편향가능한 소자의 편향은 상기 제4 부분과 상기 하부 표면 사이의 접촉에 의하여 제한되도록 하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  101. 청구항 101은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 100 항에 있어서,
    상기 편향가능한 소자와 상기 제2 편향가능한 소자는 각각 상기 제2 부분과 상기 제4 부분이 상기 하부 표면에 접촉할 때 실질적으로 동일한 편향각을 가지도록 구성되는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  102. 청구항 102은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    표면을 가지는 광 전송 기판을 제공하는 단계;
    상기 기판 표면에 연결되는 실질적으로 강성의 편향가능한 소자를 제공하는 단계;
    상기 편향가능한 소자를 비-편향 상태로 위치시키는 단계;
    상기 편향가능한 소자가 상기 비-편향 상태에 있을 때, 광선이 상기 기판을 통하여 제1 방향으로 반사되도록 광원으로부터 상기 광선을 상기 기판을 통하여 반사 표면상에 조사시키는 단계; 및
    상기 편향가능한 소자가 상기 편향 상태에 있을 때, 상기 광선이 상기 기판을 통하여 제2 방향에서 반사되도록 상기 편향가능한 소자를 상기 편향 상태로 위치시키는 단계를 포함하고,
    상기 편향가능한 소자는 제1 부분, 제2 부분 및 반사 표면을 포함하며, 상기 편향 상태와 비편향 상태에 위치되도록 구성되고, 상기 제2 부분은 상기 제1 부분이 상기 기판표면으로부터 멀어지게 움직일 때 상기 기판 표면을 향하여 결국 접촉할 수 있도록 움직이는 광을 지향시키기 위한 방법.
  103. 청구항 103은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 102 항에 있어서,
    상기 제1 방향으로 반사된 광선은 결상 광학 장치에 부딪히는 것을 특징으로 하는 광을 지향시키기 위한 방법.
  104. 청구항 104은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 102 항에 있어서.
    상기 제2 방향으로 반사된 광선은 결상 광학 장치에 부딪히는 것을 특징으로 하는 광을 지향시키기 위한 방법.
  105. 청구항 105은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 102 항에 있어서,
    상기 광 전송 기판 아래에 이격 위치된 회로 기판을 제공하는 단계를 더 포함하고,
    상기 편향가능한 소자를 상기 편향 상태로 위치시키는 단계는 상기 편향가능한 소자와 상기 회로 기판 사이에 제1 전위차를 형성함으로써 수행되고, 상기 편향가능한 소자는 상기 제1 전위차보다 작은 제2 전위차가 상기 편향가능한 소자와 상기 회로 기판 사이에 존재할 때까지 상기 편향 상태에 남아 있도록 하는 것을 특징으로 하는 광선을 지향시키기 위한 방법.
  106. 청구항 106은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    광 전송 기판 위에 희생층을 형성하는 단계;
    상기 희생층을 관통하는 홀을 형성하는 단계;
    상기 편향가능한 소자의 편향 동안, 제1 부분이 상기 기판으로부터 멀어지게 움직일 때 제2 부분은 상기 기판을 향하여 움직이며, 상기 편향은 상기 제2 부분과 상기 기판 사이의 접촉에 의하여 제한되도록, 제1 부분과 제2 부분을 갖는 편향가능한 소자를 정의하기 위하여 상기 희생층 위에 지지층을 형성 및 패터닝하는 단계;
    힌지의 일부분이 상기 홀을 통하여 연장하고 상기 기판에 상기 편향가능한 소자를 부착하도록 상기 힌지를 정의하기 위하여, 상기 편향가능한 소자의 일부분에 힌지층을 형성 및 패터닝하는 단계; 그리고
    상기 편향가능한 소자가 편향될 수 있도록 상기 희생층을 제거하는 단계를 포함하는 공간 광 변조기의 제조방법.
  107. 청구항 107은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 106 항에 있어서,
    상기 힌지층을 형성 및 패터닝하는 단계 후에, 상기 편향가능한 소자의 제1 부분과 상기 기판의 일부분의 모두 위에 반사 도전층을 형성하되, 상기 제1 부분 위에 있는 상기 반사 도전층의 적어도 일부분은 상기 기판 위에 있는 상기 반사도전층의 적어도 일부분과 전기적으로 결합되는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기의 제조방법.
  108. 청구항 108은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 106 항에 있어서,
    상기 홀을 통하여 연장하는 상기 힌지의 일부분이 노출되도록 상기 희생층의 일부분을 제거하는 단계; 및
    상기 편향가능한 소자가 제2 편향가능한 소자에 전기적으로 결합되도록 상기 편향가능한 소자 위에 도전성의 반사층을 형성하는 단계를 더 포함하는 공간 광 변조기의 제조방법.
  109. 청구항 109은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 106 항에 있어서,
    상기 편향이 상승부와 상기 제2 부분 사이의 접촉에 의하여 제한되도록 상기 상승부를 정의하기 위하여 상기 기판을 패터닝하는 단계를 더 포함하는 공간 광 변조기의 제조방법.
  110. 청구항 110은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    광 전송 기판 위에 제1 희생층을 형성하는 단계;
    제1 부분과 제2 부분을 가지는 편향가능한 소자를 정의하고, 상기 제1 희생층의 일부가 노출되도록 상기 제1 희생층 위에 지지층을 형성 및 패터닝하는 단계;
    상기 제1 희생층의 노출된 부분과 상기 편향가능한 소자 위에 제2 희생층을 형성하는 단계;
    상기 제2 희생층을 관통하고 상기 편향가능한 소자 위에 위치되는 제1 홀과, 상기 제1 희생층과 상기 제2 희생층 모두를 관통하고 상기 편향가능한 소자로부터 이격 위치되는 제2 홀을 형성하는 단계;
    힌지의 제1 부분은 상기 제1 홀을 통하여 연장하여 상기 편향가능한 소자와 결합되고, 상기 힌지의 제2 부분은 상기 제2 홀을 통하여 연장하여 상기 편향가능한 소자를 상기 기판에 부착시키도록 상기 기판에 결합된 상기 힌지를 정의하기 위하여 힌지층을 형성 및 패터닝하는 단계; 그리고
    상기 제1 희생층과 제2 희생층을 제거하는 단계를 포함하고,
    상기 편향가능한 소자의 편향 동안, 상기 제1 부분이 상기 기판으로부터 떨어지게 움직일 때 상기 제2 부분은 상기 기판을 향하여 움직이고, 상기 편향은 상기 제2 부분과 상기 기판 사이의 접촉에 의하여 제한되는 공간 광 변조기의 제조방법.
  111. 청구항 111은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    광 전송 기판 위에 희생층을 증착하는 단계;
    상기 희생층을 관통하는 홀을 형성하는 단계;
    상기 희생층 위에 반사층을 증착하는 단계;
    상기 편향가능한 소자의 편향 동안, 제1 부분이 상기 광 전송 기판으로부터 멀어지게 운동할 때 제2 부분은 상기 광 전송 기판을 향하여 운동하며, 상기 편향은 상기 제2 부분과 상기 광 전송 기판 사이의 접촉에 의하여 제한되도록 상기 제1 부분과 상기 제2 부분을 가지는 편향가능한 소자를 정의하기 위하여 상기 반사층을 패터닝하는 단계;
    상기 편향가능한 소자를 상기 홀을 통하여 상기 광 전송 기판에 연결시키는 단계;
    상기 편향가능한 소자가 자유롭게 편향하도록 상기 희생층을 제거하는 단계;
    회로 기판상에 전극을 포함하는 어드레싱 회로를 형성하는 단계; 및
    상기 편향가능한 소자가 상기 전극에 인가되는 전위에 의하여 선택적으로 편향될 수 있도록 상기 광 전송 기판과 상기 회로 기판을 정렬하고 결합하는 단계를 포함하는 공간 광 변조기의 제조방법.
  112. 청구항 112은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 111 항에 있어서,
    상기 희생층을 증착하기 전에 상기 광 전송 기판상에 개구층을 증착하는 단계; 및
    광선이 상기 광 전송 기판의 일부분만 지나가도록 상기 개구층을 패터닝하는 단계를 더 포함하는 공간 광 변조기의 제조방법.
  113. 청구항 113은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 111 항에 있어서,
    상기 희생층을 제거하는 단계는 XeF2 가스상 에칭으로 상기 희생층을 에칭하는 단계를 포함하는 공간 광 변조기의 제조방법.
  114. 청구항 114은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 111 항에 있어서,
    상기 반사층을 증착하는 단계는,
    제1 굴절율의 제1 유전체층을 증착하는 단계; 및
    상기 제1 굴절율과는 다른 제2 굴절율의 제2 유전체층을 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기의 제조방법.
  115. 청구항 115은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 111 항에 있어서,
    상기 반사층을 증착 및 패터닝하는 단계는
    광 전송층을 증착하는 단계;
    상기 광 전송층을 패터닝하는 단계; 및
    상이 제2 부분이 상기 광 전송 기판과 접촉할 때 도전성 물질이 상기 광 전송 기판에 접촉하지 않도록 상기 도전성 물질을 상기 제2 부분에 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기의 제조방법.
  116. 청구항 116은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 115 항에 있어서,
    상기 도전성 물질을 증착하는 단계는,
    상기 편향가능한 소자의 제1 방향에서 제2 방향을 향하여 배향된 구성부재 방향을 포함하는 방향으로 상기 도전성 물질을 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광 변조기의 제조방법.
  117. 청구항 117은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    편향가능한 소자를 갖는 광 전송 기판을 포함하고,
    상기 편향가능한 소자는 제1 부분 및 제2 부분을 포함하되,
    상기 편향가능한 소자의 편향 동안에, 상기 제1 부분이 상기 광 전송 기판에서 멀어지도록 움직일 때, 상기 제2 부분은 상기 광 전송 기판을 향하도록 움직이는 공간 광 변조기.
  118. 청구항 118은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 117 항에 있어서,
    상기 광 전송 기판의 하부에 이격 위치하는 회로 기판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  119. 청구항 119은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 118 항에 있어서,
    상기 편향가능한 소자는 광 전송 기판의 하부 표면상에 고정되고, 상기 편향가능한 소자의 제2 부분은, 제1 부분이 하부 표면에서 멀어지도록 움직일 때, 하부 표면을 향하도록 움직이는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  120. 청구항 120은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 118 항에 있어서,
    상기 회로 기판은 상기 편향가능한 소자 및 회로 기판 사이에 인력을 발생시키기 위한 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  121. 청구항 121은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 120 항에 있어서,
    힌지는 상기 전극 및 편향가능한 소자 사이에 상기 편향가능한 소자를 가로질러 연장되는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  122. 청구항 122은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 118 항에 있어서,
    회로 기판 내에 형성되는 어드레싱 회로와, 어드레싱 회로에 연결되는 전극을 더 포함하고,
    상기 전극은, 바이어스 전압이 상기 전극과 편향가능한 소자 사이에 인가될 때,상기 편향가능한 소자를 선택적으로 편향시키도록 위치되는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  123. 청구항 123은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 117 항에 있어서,
    상기 편향가능한 소자의 제2 부분은 상기 광 전송 기판에 접하도록 구성되어 상기 편향가능한 소자의 편향을 제한하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  124. 청구항 124은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    편향가능한 소자를 갖는 광 전송 기판을 포함하고,
    상기 편향가능한 소자는 편향 동안에 광 전송 기판을 향하여 움직이는 부분을 가지고, 상기 부분은 상기 광 전송 기판에 접촉하여 상기 편향가능한 소자의 편향을 제한하는 공간 광 변조기.
  125. 청구항 125은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 124 항에 있어서,
    상기 광 전송 기판의 하부에 이격 위치하는 회로 기판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  126. 청구항 126은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 124 항에 있어서,
    상기 편향가능한 소자는 상기 광 전송 기판의 하부 표면상에 고정되고, 상기 편향가능한 소자의 일부는 편향 동안 하부 표면을 향하도록 움직이는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  127. 청구항 127은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 125 항에 있어서,
    상기 회로 기판은 상기 편향가능한 소자 및 회로 기판 사이에 인력을 발생시키기 위한 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  128. 청구항 128은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 124 항에 있어서,
    상기 편향가능한 소자는 힌지를 통하여 상기 광 전송 기판 상에 고정되고, 상기 힌지는 상기 전극과 편향가능한 소자 사이에 편향가능한 소자를 가로질러 연장되는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  129. 청구항 129은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 128 항에 있어서,
    상기 힌지는 비틀림 힌지인 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  130. 청구항 130은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    상부 및 하부 기판을 포함하고, 상기 상부 기판은 광 투과성이고 하부 기판 상에 고정되며, 정전기적으로 편향가능한 미러가 광 전송 기판으로부터의 힌지들에 의해 유지되고, 하부 기판은 전자 회로 및 하부 전극을 포함하는 공간 광 변조기를 제공하는 단계;
    광 전송 기판을 통과하고 정전기적으로 편향가능한 미러에 의해 반사되는 입사광을 제공하는 단계;
    정전기적 인력에 의해 미러를 편향시키도록 상기 미러와 하부 전극 사이에 바이어스 전압를 인가하는 단계; 및
    편향 위치에 있는 미러에 의해 광 전송 기판을 통과한 광선을 다시 결상 광학 장치로 편향시키는 단계를 포함하는 광 변조 방법.
  131. 청구항 131은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 130 항에 있어서,
    상기 하부 기판은 실리콘 기판이고, 상기 전자 회로는 전기적 어드레싱 회로인 것을 특징으로 하는 광 변조 방법.
  132. 청구항 132은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 131 항에 있어서,
    상기 실리콘 기판은 저밀도 DRAM과 유사한 것을 특징으로 하는 광 변조 방법.
  133. 청구항 133은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 131 항에 있어서,
    상기 편향가능한 미러는 하부 기판 상의 MOS 트랜지스터를 이용하여 편향되는 것을 특징으로 하는 광 변조 방법.
  134. 청구항 134은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 130 항에 있어서,
    상기 하부 기판은 하나 이상의 보호층(passivation layer)을 포함하는 것을 특징으로 하는 광 변조 방법.
  135. 청구항 135은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 130 항에 있어서,
    편향가능한 미러는 질화 실리콘, 산화 실리콘, 비결정질 실리콘 또는 폴리실리콘으로 구성되는 LPCVD로 증착된 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 광 변조 방법.
  136. 청구항 136은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    상부 및 하부 기판; 및
    상부 기판은 광 투과성의 광 전송 기판으로 하부 기판 상에 고정되며 상기 광 전송 기판으로부터 힌지들에 의해 유지되는 정전기적으로 편향가능한 미러를 포함하고, 하부 기판은 전자 회로 및 하부 전극을 포함하고,
    상기 미러는 바이어스 전압이 상기 미러 및 하부 전극 사이에 인가될 때 편향가능하도록 구성되고, 편향 상태에 있을 때, 상기 광 전송 기판을 통한 입사광을 상기 광 전송 기판을 통해 다시 밖으로 편향시켜 결상 광학 장치로 향하는 하는 공간 광 변조기.
  137. 청구항 137은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 136 항에 있어서,
    상기 하부 기판은 실리콘 기판이고, 상기 전자 회로는 전기적 어드레싱 회로인 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  138. 청구항 138은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 137 항에 있어서,
    상기 실리콘 기판은 저밀도 DRAM과 유사한 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  139. 청구항 139은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 137 항에 있어서,
    상기 편향가능한 미러는 하부 기판 상의 MOS 트랜지스터를 이용하여 편향되는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  140. 청구항 140은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제2 기판에 부착되는 제1 기판을 포함하고,
    제1 기판은 광 전송 기판이고 그 위에 복수의 편향가능한 마이크로미러 소자들을 가지고,
    제2 기판은 제1 기판 상의 편향가능한 마이크로미러 소자들을 편향시키기 위한 복수의 전극들 및 어드레싱 회로를 갖는 실리콘 기판인 공간 광 변조기.
  141. 청구항 141은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 140 항에 있어서,
    상기 각 편향가능한 소자들은 반사성이고 금속층을 포함하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  142. 청구항 142은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 140 항에 있어서,
    상기 편향가능한 소자들은 실질적으로 강성인 판을 더 포함하고,
    상기 판은 판의 가장자리를 따라 위치하는 하나 이상의 비틀림 힌지들에 의하여 광 전송 기판에 부착되고, 상기 판은 가장자리 주위를 회전하도록 작동될 수 있는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  143. 청구항 143은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 142 항에 있어서,
    상기 각 편향가능한 소자 및 광 전송 기판 간의 접촉 영역을 제한하기 위한 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  144. 청구항 144은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 140 항에 있어서,
    상기 광 전송 기판은 개구층을 포함하여, 광이 광 전송 기판의 일부를 통과할 수 있는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  145. 청구항 145은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 140 항에 있어서,
    상기 각 편향가능한 소자들은 금속층을 포함하는 박층(laminate)으로 구성되는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  146. 청구항 146은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 140 항에 있어서,
    상기 전극들은 상기 광 전송 기판 상에 상기 편향가능한 소자들의 정전기적 인력을 만들도록 위치되는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  147. 청구항 147은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 140 항에 있어서,
    상기 편향가능한 소자들은 행 방향으로 전기적으로 연결되고,
    상기 전극들은 픽셀 위치에서 행을 가로지르는 열 방향으로 전기적으로 연결되어,
    소정 행 및 열 바이어스들을 선택적으로 인가하여 정전기적 인력을 생성시킴으로써 개별 픽셀들을 온 및 오프시킬 수 있는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  148. 청구항 148은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 140 항에 있어서,
    상기 광 전송 기판은 개구층을 포함하고, 상기 개구층은 광이 기판 영역의 일부만을 통과하도록 하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  149. 청구항 149은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 140 항에 있어서,
    상기 각 편향가능한 소자들은 미러에 단단하게 연결된 미러 정지부를 더 포함하여, 각도가 증가할수록 미러 정지부의 자유단이 광 전송 기판에 더 가깝게 움직이는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  150. 청구항 150은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 149 항에 있어서,
    상기 미러 정지부는, 미러 정지부의 자유단이 광 전송 기판과 접촉할 때 미러의 자유단이 실리콘 기판에서 분리되도록 구성되는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  151. 청구항 151은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 149 항에 있어서,
    상기 미러 정지부는, 각도가 최대치일 때 광 전송 기판에 접촉하도록 구성되는 날카로운 접촉단을 포함하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  152. 청구항 152은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    상부 표면 및 하부 표면을 갖는 광 전송 기판;
    상기 광 전송 기판의 하부 표면에 부착되는 다수의 편향가능한 반사 소자들;
    상기 광 전송 기판의 하부 표면의 아래에 평행으로 이격 위치하는 실리콘 기판을 포함하고,
    상기 실리콘 기판은 상기 광 전송 기판에 부착된 반사성의 편향가능한 소자들의 선택적인 작동을 위한 전자 회로 및 다수의 전극들을 포함하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  153. 청구항 153은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 152 항에 있어서,
    상기 전극들은 전자 회로와 연결되고, 각 전극은 바이어스 전압이 전극 및 대응 편향가능한 소자들 간에 인가될 때 대응 편향가능한 소자를 선택적으로 편향시키도록 위치하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  154. 청구항 154은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 152 항에 있어서,
    상기 각 편향가능한 소자들은 반사성이고 금속층을 포함하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  155. 청구항 155은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 152 항에 있어서,
    상기 각 편향가능한 소자들 및 광 전송 기판 간의 접촉 영역을 제한하기 위한 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  156. 청구항 156은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 152 항에 있어서,
    상기 광 전송 기판은 개구층을 포함하여, 광이 광 전송 기판의 하부의 일부만을 통과할 수 있도록 하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  157. 청구항 157은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 152 항에 있어서,
    상기 광 전송 기판 상의 상기 편향가능한 소자들을 편향시키기 위해 실리콘 기판 상에 알루미늄 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  158. 청구항 158은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 152 항에 있어서,
    상기 편향가능한 소자는 도전성이고,
    상기 편향가능한 소자는 행 방향으로 전기적으로 연결되어 있고,
    상기 전극들은 픽셀 위치에서 행을 가로지르는 열 방향으로 전기적으로 연결되어, 소정 행 및 열 바이어스들을 선택적으로 인가하여 정전기적 인력을 생성시킴으로써 개별 픽셀들은 온 및 오프시킬 수 있는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  159. 청구항 159은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 152 항에 있어서,
    상기 각 편향가능한 소자들은 미러에 단단하게 연결된 미러 정지부를 더 포함하여, 각도가 증가함에 따라 미러 정지부의 자유단이 광 전송 기판에 더 가깝게 움직이는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  160. 청구항 160은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 159 항에 있어서,
    상기 미러 정지부는, 미러 정지부의 자유단이 광 전송 기판에 접촉할 때 미러의 자유단이 실리콘 기판에 접촉하지 않도록 구성되는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  161. 청구항 161은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    회로에 연결된 어드레싱 전극들 및 반사성 편향가능한 소자들 사이에 바이어스 전압을 인가하는 단계를 포함하고,
    어드레싱 회로는 실리콘 기판에 포함되고,
    상기 반사성 편향가능한 소자들은 상기 광 전송 기판의 하부 표면에 부착되고, 상기 실리콘 기판은 광 전송 기판의 아래에 이격 배치되는 공간 광 변조기 작동 방법.
  162. 편향가능한 소자를 갖는 광 전송 기판을 포함하고,
    상기 편향가능한 소자는 광 전송 기판의 측면과 대향하는 편향가능한 소자의 측면 상에 배치되는 힌지를 포함하는 공간 광 변조기.
  163. 제 162 항에 있어서,
    상기 광 전송 기판은 대응하는 적어도 하나의 비틀림 힌지를 통해 적어도 하나의 편향가능한 소자들을 하부 표면을 유지하고,
    상기 편향가능한 소자는 상부 및 하부 표면들과 이들 사이에 하나 이상의 가장자리들을 갖고,
    상기 적어도 하나의 비틀림 힌지는 상기 편향가능한 소자의 하부 표면의 중앙부를 향해서 편향가능한 소자에 연결되는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  164. 제 162 항에 있어서,
    상기 광 전송 기판은 상부 표면 및 하부 표면을 갖고,
    상기 편향가능한 소자는 상부 표면, 하부 표면 및 하나 이상의 가장자리 표면들을 갖고,
    상기 힌지는 상기 광 전송 기판의 하부 표면 상에서만 광 전송 기판에 연결되고, 상기 힌지는 편향가능한 소자의 하부 표면 상에서만 편향가능한 소자에 연결되는 공간 광 변조기.
  165. 제 162 항에 있어서,
    상부에서 하부까지의 단면에 있어서,
    광 전송 기판;
    상기 광 전송 기판 아래의 제1 간격;
    상기 제1 간격 아래의 편향가능한 소자;
    상기 편향가능한 소자 아래의 제2 간격; 및
    상기 제2 간격 아래의 힌지를 포함하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  166. 청구항 166은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    실질적으로 수평하게 면(plane)으로 연장되는 광 전송 기판;
    실질적으로 수평하게 면으로 연장되고, 상기 광 전송 기판에 대해 실질적으로 평행하게 이격 위치된 편향가능한 소자;
    상기 광 전송 기판에 대해 상기 편향가능한 소자를 편향가능하게 연결하는 커넥터를 포함하고,
    상기 커넥터는 상기 광 전송 기기에 부착되는 제1 단을 포함하고, 수직부는 상기 제1 단에서 연장되어 편향가능한 소자의 면을 지나고, 힌지부는 상기 편향가능한 소자와 실질적으로 평행하게 이격되도록 면으로 연장되고, 제2 단은 힌지 부분을 편향가능한 소자에 연결시키는 공간 광 변조기.
  167. 청구항 167은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 56 항 내지 제 101 항, 제 117 항 내지 제 129 항, 제 136 항 내지 제 160 항, 및 제1 62 항 내지 제166 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 힌지는 유연한(flexible) 부분을 포함하고, 상기 유연한 부분은 상기 광 전송 기판을 통해 볼 때 편향가능한 소자에 의해 시야가 가려지는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  168. 청구항 168은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 56 항 내지 제 101 항, 제 117 항 내지 제 129 항, 제 136 항 내지 제 160 항, 및 제 162 항 내지 제 166 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 힌지는, 광 전송 기판의 하부 표면에서 연장되어 편향가능한 소자를 지나는 지주들을 통해 광 전송 기판에 연결되는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  169. 청구항 169은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 56 항 내지 제101 항, 제 117 항 내지 제 129 항, 제 136 항 내지 제 160 항, 및 제 162 항 내지 제 166 항 중 어느 한 항에 있어서,
    힌지는, 지주들에 연결되고 편향가능한 소자를 가로질러 연장되고 편향가능한 소자의 하부 표면에 연결되는 플렉시블 부분을 포함하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  170. 청구항 170은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 56 항 내지 제 101 항, 제 117 항 내지 제 129 항, 제 136 항 내지 제 160 항, 및 제 162 항 내지 제 166 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 편향가능한 소자는 광 전송 기판의 하부 기판에 고정되고, 상기 편향가능한 소자는 제1 부분 및 제2 부분을 가지고, 편향가능한 소자의 편향 동안에 상기 제1 부분이 하부 표면에서 멀어지도록 움직일 때 상기 제2 부분은 하부 표면을 향하여 움직이는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  171. 청구항 171은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 170 항에 있어서,
    상기 편향가능한 소자의 제2 부분은 광 전송 기판에 접하도록 구성되어 편향가능한 소자의 편향을 제한하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  172. 청구항 172은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 56 항 내지 제 101 항, 제 117 항 내지 제 129 항, 제 136 항 내지 제 160 항, 및 제 162 항 내지 제 166 항 중 어느 한 항에 따른 공간 광 변조기 및 광원을 포함하는 투사 디스플레이 시스템.
  173. 청구항 173은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    기판을 제공하는 단계;
    상기 기판 위에 제1 희생층을 형성하는 단계;
    상기 제1 희생층 위에 편향가능한 소자층을 형성하는 단계;
    상기 편향가능한 소자층 위에 제2 희생층을 형성하는 단계;
    상기 제2 희생층 위에 힌지를 형성하는 단계; 및
    상기 제1 및 제2 희생층을 제거하는 단계;
    를 포함하는 공간 광 변조기 제조방법.
  174. 청구항 174은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 173 항에 있어서,
    상기 힌지는 상기 기판 및 편향가능한 소자층 모두에 연결되도록 형성되어, 상기 제1 및 제2 희생층 제거시 편향가능한 소자가 기판에 편향 가능하게 결합되도록 하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기 제조방법.
  175. 청구항 175은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 174 항에 있어서,
    상기 기판은 광을 통과시키기 위한 광 전송 기판이고, 상기 편향가능한 소자는 광을 편향시키도록 위치되는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기 제조방법.
  176. 청구항 176은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 173 항에 있어서,
    상기 힌지를 형성하는 단계 전에 상기 제2 희생층의 일부를 제거하는 단계를 더 포함하여,
    상기 힌지를 형성하는 단계에서 상기 힌지는 상기 제거된 부분을 통해 편향가능한 소자에 연결되는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기 제조방법.
  177. 청구항 177은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 173 항에 있어서,
    상기 편향가능한 소자층은 각각 반사성 물질을 포함하는 편향가능한 소자들의 어레이를 형성하도록 패터닝되는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기 제조방법.
  178. 청구항 178은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 173 항 내지 제 177 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 희생층은 실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기 제조방법.
  179. 청구항 179은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 173 항에 있어서,
    상기 제2 희생층을 형성하는 단계 전에 상기 편향가능한 소자를 패터닝하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기 제조방법.
  180. 청구항 180은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 179 항에 있어서,
    상기 희생층들을 제거하는 단계 전에 상기 힌지를 패터닝하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기 제조방법.
  181. 청구항 181은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 173 항에 있어서,
    회로 기판을 형성하고, 상기 회로 기판을 편향가능게 결합된 편향가능한 소자를 갖는 기판에 결합시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기 제조방법.
  182. 상부에서 하부까지 단면에 있어서 차례로,
    광 전송 기판;
    상기 광 전송 기판 아래의 제1 간격;
    상기 제1 간격 아래의 편향가능한 소자;
    상기 편향가능한 소자 아래의 제2 간격; 및
    상기 간격 아래의 힌지;를 포함하고,
    상기 편향가능한 소자는 상기 힌지를 통해 상기 광 전송 기판에 연결되는 공간 광 변조기.
  183. 제 182 항에 있어서,
    상기 힌지는 유연한(flexible) 부분을 포함하고, 상기 유연한 부분은 상기 광 전송 기판을 통해 볼 때 상기 편향가능한 소자에 의해 시야가 가려지는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  184. 제 182 항에 있어서,
    상기 광 전송 기판 및 상기 편향가능한 소자 모두는 상부 표면 및 하부 표면을 포함하고, 상기 힌지는 상기 광 전송 기판 및 상기 편향가능한 소자 모두의 하부 표면에 연결되는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  185. 제 182 항에 있어서,
    상기 광 전송 기판의 하부에 이격 위치하는 회로 기판을 더 포함하고, 상기 회로 기판은 상기 편향가능한 소자와 상기 회로 기판 사이의 인력을 발생하기 위한 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  186. 제 185 항에 있어서,
    상기 힌지는 상기 전극 및 상기 편향가능한 소자 사이에서 상기 편향가능한 소자를 가로질러 연장되고, 상기 편향가능한 소자의 중앙부를 향해서 상기 편향가능한 소자에 연결되는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  187. 제 182 항에 있어서,
    상기 편향가능한 소자는 도전층을 포함하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  188. 제 182 항에 있어서,
    상기 힌지는 비틀림 힌지인 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  189. 청구항 189은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    편향가능한 소자를 갖는 광 전송 기판을 포함하고, 상기 편향가능한 소자는 상기 광 전송 기판의 측면에 대향하는 상기 편향가능한 소자의 측면 상에 배치되는 힌지를 포함하는 공간 광 변조기.
  190. 청구항 190은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 189 항에 있어서,
    상기 힌지는 유연한(flexible) 부분을 포함하고, 상기 유연한 부분은 상기 광 전송 기판을 통해 볼 때 상기 편향가능한 소자에 의해 시야가 가려지는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  191. 청구항 191은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 189 항에 있어서,
    상기 힌지는, 상기 광 전송 기판의 하부 표면으로부터 연장되는 지주(post)를 통해 상기 광 전송 기판에 연결되는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  192. 청구항 192은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 189 항에 있어서,
    상기 힌지와 상기 편향가능한 소자 사이에 간격이 형성되는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  193. 청구항 193은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 192 항에 있어서,
    상기 광 전송 기판의 하부에 이격 위치하는 회로 기판을 더 포함하고, 상기 회로 기판은 상기 편향가능한 소자와 상기 회로 기판 사이의 인력을 발생하기 위한 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  194. 청구항 194은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 189 항에 있어서,
    상기 편향가능한 소자는 반사층 및 도전성의 전극층을 포함하고, 상기 전극층은 상기 반사층에서 이격 위치하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  195. 청구항 195은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 194 항에 있어서,
    상기 편향가능한 소자는 실질적으로 직사각형 또는 정사각형이고, 상기 힌지는 상기 편향가능한 소자의 대각선을 따라서 가로질러 연장되는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  196. 청구항 196은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 195 항에 있어서,
    상기 편향가능한 소자는 알루미늄을 포함하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  197. 청구항 197은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    편향가능한 소자를 갖는 광 전송 기판을 구비하고,
    상기 편향가능한 소자는 편향가능한 소자는 제1 부분 및 제2 부분을 포함하여, 상기 편향가능한 소자의 반사 동안에, 상기 제1 부분이 상기 광 전송 기판에서 멀어지도록 움직일 때, 제2 부분은 상기 광 전송 기판을 향하도록 움직이는 공간 광 변조기.
  198. 청구항 198은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 197 항에 있어서,
    상기 힌지는 유연한(flexible) 부분을 포함하고, 상기 유연한 부분은 상기 광 전송 기판을 통해 볼 때 상기 편향가능한 소자에 의해 시야가 가려지는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  199. 청구항 199은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 197 항에 있어서,
    상기 힌지는, 상기 광 전송 기판의 하부 표면으로부터 연장되는 지주(post)를 통해 상기 광 전송 기판에 연결되는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  200. 청구항 200은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 197 항에 있어서,
    상기 힌지와 상기 편향가능한 소자 사이에 간격이 형성되는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  201. 청구항 201은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 197 항에 있어서,
    상기 광 전송 기판의 하부에 이격 위치하는 회로 기판을 더 포함하고, 상기 회로 기판은 상기 편향가능한 소자와 상기 회로 기판 사이의 인력을 발생하기 위한 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  202. 청구항 202은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 201 항에 있어서,
    상기 편향가능한 소자는 반사층 및 도전성의 전극층을 포함하고, 상기 전극층은 상기 반사층으로부터 이격 위치되는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  203. 청구항 203은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 202 항에 있어서,
    상기 편향가능한 소자는 실질적으로 직사각형 또는 정사각형이고, 상기 힌지는 상기 편향가능한 소자의 대각선을 따라서 가로질러 연장되는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  204. 청구항 204은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 203 항에 있어서,
    상기 편향가능한 소자는 알루미늄을 포함하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  205. 청구항 205은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    적어도 하나의 편향가능한 소자를 적어도 하나의 해당 비틀림 힌지를 통해 하부 표면상에 지지하는 광 전송 기판을 포함하고,
    상기 편향가능한 소자는 상부 표면 및 하부 표면과 그 사이에 있는 하나 이상의 가장자리들을 구비하고, 상기 적어도 하나의 비틀림 힌지는 상기 편향가능한 소자의 하부 표면의 중앙부를 향해서 상기 편향가능한 소자에 연결되는 공간 광 변조기.
  206. 청구항 206은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 205 항에 있어서,
    상기 힌지는 유연한(flexible) 부분을 포함하고, 상기 유연한 부분은 상기 광 전송 기판을 통해 볼 때 상기 편향가능한 소자에 의해 시야가 가려지는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  207. 청구항 207은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 205 항에 있어서,
    상기 광 전송 기판 및 상기 편향가능한 소자 모두는 상부 표면 및 하부 표면을 포함하고, 상기 힌지는 상기 광 전송 기판 및 상기 편향가능한 소자 모두의 하부 표면에 연결되는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  208. 청구항 208은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 205 항에 있어서,
    상기 광 전송 기판의 하부에 이격 위치하는 회로 기판을 더 포함하고, 상기 회로 기판은 상기 편향가능한 소자와 상기 회로 기판 사이의 인력을 발생하기 위한 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  209. 청구항 209은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 208 항에 있어서,
    상기 힌지는 상기 전극 및 상기 편향가능한 소자 사이에서 상기 편향가능한 소자를 가로질러 연장되고, 상기 편향가능한 소자의 중앙부를 향해서 상기 편향가능한 소자에 연결되는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  210. 청구항 210은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 207 항에 있어서,
    상기 편향가능한 소자는 도전층을 포함하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  211. 청구항 211은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 210 항에 있어서,
    상기 힌지는 비틀림 힌지인 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  212. 소정 간격으로 제2 기판에 접합되는 제1 기판을 포함하고,
    상기 제1 기판은 그 위에 복수의 편향가능한 소자들을 갖는 광 전송 기판이고,
    상기 제2 기판은 그 위에, 상기 제1 기판 상의 상기 편향가능한 소자들의 편향을 일으키기 위한 CMOS 회로 및 전극들을 갖는 공간 광 변조기.
  213. 제 212 항에 있어서,
    상기 제2 기판은 상기 편향가능한 소자들을 편향하기 위해 해당 편향가능한 소자들에 인접하여 배치되는 전극들을 포함하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  214. 제 212 항에 있어서,
    상기 편향가능한 소자들은 광 반사층을 포함하는 마이크로미러들인 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  215. 제 212 항에 있어서,
    상기 편향가능한 소자들은 비틀림 힌지들을 포함하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  216. 제 213 항에 있어서,
    상기 편향가능한 소자들은 질화 실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  217. 제 212 항에 있어서,
    상기 인접한 소자들은 0.5마이크론 이하의 거리를 갖는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  218. 제 212 항에 있어서,
    상기 제1 기판 및 제2 기판 사이의 거리는 1 내지 5 마이크론인 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  219. 제 212 항에 있어서,
    상기 기판들은 접착제를 사용하여 이들 사이의 있는 간격자(spacer)와 함께 접착되고, 상기 간격자는 이산화 실리콘 또는 질화 실리콘인 세라믹 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  220. 제 212 항에 있어서,
    상기 복수의 편향가능한 소자들 바깥쪽에 간격자가 위치하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  221. 소정 간격으로 제2 기판에 접합되는 제1 기판을 포함하고,
    상기 제1 기판은 그 위에 복수의 편향가능한 소자들을 갖는 광 전송 기판이고,
    상기 제2 기판은 상기 제1 기판 상의 상기 편향가능한 소자들의 편향을 일으키기 위한 회로 및 알루미늄 전극들을 갖는 공간 광 변조기.
  222. 제 221 항에 있어서,
    상기 제2 기판은 상기 편향가능한 소자들을 편향시키기 위해 해당 편향가능한 소자들에 인접하여 배치되는 전극들을 포함하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  223. 제 221 항에 있어서,
    상기 편향가능한 소자들은 광 반사층을 포함하는 마이크로미러들인 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  224. 제 221 항에 있어서,
    상기 편향가능한 소자들은 비틀림 힌지들을 포함하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  225. 제 221 항에 있어서,
    상기 편향가능한 소자들은 질화 실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  226. 제 221 항에 있어서,
    상기 인접한 소자들은 0.5마이크론 이하의 거리를 갖는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  227. 제 221 항에 있어서,
    상기 제1 기판 및 제2 기판 사이의 거리는 1 내지 5 마이크론인 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  228. 제 221 항에 있어서,
    상기 기판들은 접착제를 사용하여 이들 사이의 간격자와 함께 접착되고, 상기 간격자는 이산화실리콘 또는 질화 실리콘인 세라믹 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  229. 제 221 항에 있어서,
    상기 복수의 편향가능한 소자들 바깥쪽에 간격자가 위치하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  230. 소정 간격으로 제2 기판에 접합되는 제1 기판을 포함하고,
    상기 제1 기판은 그 위에 복수의 편향가능한 소자들을 갖는 광 전송 기판이고,
    상기 제2 기판은 상기 제1 기판 상의 상기 편향가능한 소자들의 편향을 일으키기 위한 회로 및 상기 회로보다 상기 제1 기판에 가까이 배치되는 전극들을 갖는 실리콘 기판인 공간 광 변조기.
  231. 제 230 항에 있어서,
    상기 실리콘 기판은 상기 편향가능한 소자들을 편향시키기 위해 해당 편향가능한 소자들에 인접하여 배치되는 전극들을 포함하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  232. 제 230 항에 있어서,
    상기 편향가능한 소자들은 광 반사층을 포함하는 마이크로미러들인 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  233. 제 230 항에 있어서,
    상기 편향가능한 소자들은 비틀림 힌지들을 포함하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  234. 제 230 항에 있어서,
    상기 편향가능한 소자들은 질화 실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  235. 제 230 항에 있어서,
    상기 인접한 소자들은 0.5마이크론 이하의 거리를 갖는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  236. 제 230 항에 있어서,
    제1 기판 및 제2 기판 간의 거리는 1 내지 5 마이크론인 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  237. 제 230 항에 있어서,
    상기 기판들은 접착제를 사용하여 이들 사이의 간격자와 함께 접착되고, 상기 간격자는 이산화실리콘 또는 질화 실리콘인 세라믹 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  238. 제 230 항에 있어서,
    상기 복수의 편향가능한 소자들 바깥쪽에 간격자가 위치하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  239. 소정 간격으로 제2 기판에 접합되는 제1 기판을 포함하고,
    상기 제1 기판은 그 위에 복수의 편향가능한 소자들을 구비하고,
    상기 제2 기판은 제1 기판 상의 상기 편향가능한 소자들의 편향을 일으키기 위한 전극들을 갖는 실리콘 기판인 공간 광 변조기.
  240. 제 239 항에 있어서,
    상기 실리콘 기판은 상기 편향가능한 소자들을 편향시키 위해 해당 편향가능한 소자들에 인접하여 배치되는 전극들을 포함하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  241. 제 240 항에 있어서,
    상기 편향가능한 소자들은 광 반사층을 포함하는 마이크로미러들인 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  242. 제 241 항에 있어서,
    상기 편향가능한 소자들은 비틀림 힌지들을 포함하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  243. 제 242 항에 있어서,
    상기 편향가능한 소자들은 질화 실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  244. 제 241 항에 있어서,
    상기 인접한 소자들은 0.5마이크론 이하의 거리를 갖는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  245. 제 241 항에 있어서,
    상기 제1 기판 및 제2 기판 간의 거리는 1 내지 5 마이크론인 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  246. 제242 항에 있어서,
    상기 기판들은 접착제를 사용하여 이들 사이의 간격자와 함께 접착되고, 상기 간격자는 이산화실리콘 또는 질화 실리콘인 세라믹 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  247. 제 242 항에 있어서,
    상기 복수의 편향가능한 소자들 바깥쪽에 간격자가 위치하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  248. 가시광선을 투과하는 기판;
    실리콘 기판; 및
    복수의 편향가능한 소자들을 포함하고,
    상기 실리콘 기판 및 상기 가시광선을 투과하는 기판은 이들 사이에 간격을 형성하기 위해 개재되는 간격자와 함께 서로 접합되고,
    상기 복수의 편향가능한 소자들은 상기 간격 내에서 포위되고, 상기 간격자는 상기 복수의 편향가능한 소자들이 점유하는 영역 내에 배치되는 공간 광 변조기.
  249. 제 248 항에 있어서,
    상기 실리콘 기판은 상기 편향가능한 소자들을 편향시키기 위해 해당 편향가능한 소자들에 인접하여 배치되는 전극들을 포함하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  250. 제 249 항에 있어서,
    상기 편향가능한 소자들은 광 반사층을 포함하는 마이크로미러들인 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  251. 제 248 항에 있어서,
    상기 편향가능한 소자들은 비틀림 힌지들을 포함하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  252. 제 251 항에 있어서,
    상기 편향가능한 소자들은 질화 실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  253. 제 251 항에 있어서,
    상기 인접한 소자들은 0.5마이크론 이하의 거리를 갖는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  254. 제 251 항에 있어서,
    제1 기판 및 제2 기판 간의 거리는 1 내지 5 마이크론인 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  255. 제 251 항에 있어서,
    상기 기판들은, 이산화실리콘 또는 질화 실리콘인 세라믹 물질을 포함하는 접착제를 사용하여 이들 사이의 간격자와 함께 서로 접합되는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  256. 제 255 항에 있어서,
    상기 간격자는 상기 복수의 편향가능한 소자들 바깥쪽에 위치하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  257. 복수의 마이크로미러들 및 상기 복수의 마이크로미러들 내에 위치하는 간격자를 갖는 제1 기판; 및
    회로 및 전극들의 어레이를 갖는 제2 기판을 포함하고,
    상기 제1 기판 및 제2 기판은 이들 사이에 개재되는 상기 간격자와 함께 서로 접합되는 공간 광 변조기.
  258. 제 257 항에 있어서,
    상기 제2 기판은 상기 편향가능한 소자들을 편향시키기 위해 해당 편향가능한 소자들에 인접하여 배치되는 전극들을 포함하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  259. 제 257 항에 있어서,
    상기 편향가능한 소자들은 광 반사층을 포함하는 마이크로미러들인 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  260. 제 259 항에 있어서,
    상기 편향가능한 소자들은 비틀림 힌지들을 포함하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  261. 제 260 항에 있어서,
    상기 편향가능한 소자들은 질화 실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  262. 제 260 항에 있어서,
    상기 인접한 편향가능한 소자들은 0.5마이크론 이하의 거리를 갖는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  263. 제 261 항에 있어서,
    제1 기판 및 제2 기판 간의 거리는 1 내지 5 마이크론인 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  264. 제 261 항에 있어서,
    상기 기판들은, 이산화실리콘 또는 질화 실리콘인 세라믹 물질을 포함하는 접착제를 사용하여 이들 사이의 상기 간격자와 함께 서로 접합되는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  265. 제 264 항에 있어서,
    상기 간격자는 상기 복수의 편향가능한 소자들 바깥쪽에 위치하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  266. 청구항 266은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제1 기판;
    제2 기판; 및
    복수의 마이크로미러들을 포함하고,
    상기 제1 기판 및 제2 기판은 이들 사이에 개재되는 간격자와 함께 서로 접합되어 상기 기판들 사이에 간격을 형성하고, 상기 복수의 마이크로미러들은 상기 간격 내에 위치하며, 상기 각 마이크로미러는 미러 판을 더 포함하고,
    상기 미러 판은 제1 부분 및 제2 부분과 힌지를 더 포함하고,
    상기 제2 부분은 상기 제1 부분이 제1 기판을 향하여 움직일 때 상기 제1 기판으로부터 멀어지도록 움직이고, 상기 힌지는 상기 미러 판과는 다른 면에 위치하고,
    상기 미러 판은 회전 가능하도록 상기 힌지에 부착되며,
    상기 간격자는 상기 복수의 마이크로미러들이 점유하는 영역 내에 배치되는 공간 광 변조기.
  267. 청구항 267은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 266 항에 있어서,
    상기 제2 기판은 상기 편향가능한 소자들을 편향시키기 위해 해당 편향가능한 소자들에 인접하여 배치되는 전극들을 포함하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  268. 청구항 268은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 266 항에 있어서,
    상기 편향가능한 소자들은 광 반사층을 포함하는 마이크로미러들인 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  269. 청구항 269은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 266 항에 있어서,
    상기 힌지들은 비틀림 힌지들인 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  270. 청구항 270은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 269 항에 있어서,
    상기 편향가능한 소자들은 질화 실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  271. 청구항 271은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 269 항에 있어서,
    상기 인접한 소자들은 0.5마이크론 이하의 거리를 갖는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  272. 청구항 272은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 269 항에 있어서,
    상기 제1 기판 및 제2 기판 사이의 거리는 1 내지 5 마이크론인 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  273. 청구항 273은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 269 항에 있어서,
    상기 기판들은, 이산화실리콘 또는 질화 실리콘인 세라믹 물질을 포함하는 접착제를 사용하여 이들 사이에 있는 간격자와 함께 서로 접합되는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  274. 청구항 274은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 273 항에 있어서,
    상기 간격자는 상기 복수의 편향가능한 소자들 바깥쪽에 위치하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  275. 회로 및 전극들의 어레이를 구비하는 반도체 기판인 제1 기판; 및
    편향가능한 소자들의 어레이를 구비하는 제2 기판을 포함하고,
    상기 전극들은 상기 편향가능한 소자들을 편향시키기 위해 상기 편향가능한 소자들과 연관되는 공간 광 변조기 장치.
  276. 제 275 항에 있어서,
    상기 제1 기판 및 제2 기판은 이들 사이에 공간을 형성하도록 서로 접합되고, 상기 공간 내에서 상기 편향가능한 소자들이 포위되는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기 장치.
  277. 제 275 항에 있어서,
    상기 기판들 간의 거리는 1 내지 5마이크론인 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기 장치.
  278. 제 276 항에 있어서,
    상기 기판들은 접착제를 사용하여 이들 사이에 있는 간격자와 함께 서로 접합되는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기 장치.
  279. 제 278 항에 있어서,
    상기 간격자는 상기 복수의 편향가능한 소자들의 바깥쪽에 위치하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기 장치.
  280. 제 278 항에 있어서,
    상기 편향가능한 소자는 이산화실리콘 또는 질화 실리콘인 세라믹 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기 장치.
  281. 제 278 항에 있어서,
    각 미러 판은 회전가능하도록 비틀림 힌지에 부착되는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기 장치.
  282. 영사광(illumination light)을 제공하는 광원;
    상기 영사광을 변조하기 위한 제 275 항의 공간 광 변조기; 및
    소정 이미지를 형성하기 위해 상기 변조된 광이 투사되는 디스플레이 타겟;을 포함하는 프로젝터.
  283. 전극들 및 회로의 어레이를 갖는 제1 기판; 및
    반도체 기판인 제2 기판 상에 제조되는 편향가능한 소자들의 어레이;를 포함하고,
    상기 제1 기판 및 제2 기판은 상기 편향가능한 소자가 상기 전극들에 의해 구동되도록 서로 결합되는 공간 광 변조기 장치.
  284. 제 283 항에 있어서,
    상기 복수의 편향가능한 소자들 내에 위치하는 간격자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기 장치.
  285. 제 283 항에 있어서,
    상기 제 1 기판 및 제2 기판은 이들 사이의 간격자와 함께 서로 접합되는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기 장치.
  286. 제 283 항에 있어서,
    상기 기판들 사이의 거리는 1 내지 5마이크론인 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기 장치.
  287. 소정 간격을 사이에 형성하는 제1 기판 및 제2 기판; 및
    온 상태일 때 소정 이미지를 형성하기 위해 입사광을 디스플레이 타겟으로 반사시키도록 상기 간격 내에 배치되는 편향가능한 소자들의 어레이를 포함하는 이중 기판 장치.
  288. 제 287 항에 있어서,
    상기 편향가능한 소자들을 구동하기 위한 전극들의 어레이를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이중 기판 장치.
  289. 제 287 항에 있어서,
    상기 제 1 기판 및 제2 기판은 에폭시를 포함하는 접합 물질을 사용하여 서로 접합되는 것을 특징으로 하는 이중 기판 장치.
  290. 제 287 항에 있어서,
    상기 제1 기판 및 제2 기판은 상기 간격 사이에 배치되는 간격자와 함께 접합되는 것을 특징으로 하는 이중 기판 장치.
  291. 제 290 항에 있어서,
    상기 간격자는 상기 기판들의 파라미터들(parameters) 주위에 배치되는 것을 특징으로 하는 이중 기판 장치.
  292. 제 287 항에 있어서,
    상기 기판들 간의 거리는 1 내지 5 마이크론인 것을 특징으로 하는 이중 기판 장치.
  293. 제 290 항에 있어서,
    상기 제1 기판은 유전층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이중 기판 장치.
  294. 제 290 항에 있어서,
    상기 편향가능한 소자들은 편향가능한 반사 마이크로미러들이고, 이들 각각은 마이크로미러가 상기 기판에 대해 회전할 수 있도록 비틀림 힌지에 부착되는 것을 특징으로 하는 이중 기판 장치.
  295. 편향가능한 소자들의 어레이; 및
    실리콘 기판을 포함하고,
    상기 편향가능한 소자들은 상기 실리콘 기판 상에서 상기 실리콘 기판 외의 또 다른 기판에 의해 지지되어, 상기 편향가능한 소자들이 소정 이미지를 형성하기 위하여 입사광을 반사하도록 동작할 수 있는 공간 광 변조기 장치.
  296. 제 295 항에 있어서,
    상기 두 기판들은 접합 물질로 서로 접합되는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기 장치.
  297. 제 295 항에 있어서,
    상기 두 기판들은 이들 사이에 배치되는 간격자와 함께 서로 접합되는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기 장치.
  298. 제 297 항에 있어서,
    상기 간격자는 상기 마이크로미러들 내에 있는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기 장치.
  299. 이미지를 형성하기 위해 입사광을 반사하기 위한 제1 기판 상에 지지되는 편향가능한 반사 소자들의 어레이를 포함하고,
    상기 어레이 내의 인접한 소자들은 0.5 마이크론 이하의 거리를 갖는 공간 광 변조기 장치.
  300. 제 299 항에 있어서,
    제2 기판; 및
    상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이의 간격을 더 포함하고,
    상기 편향가능한 소자들은 상기 간격 내에 포위되는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기 장치.
  301. 제 300 항에 있어서,
    상기 편향가능한 반사 소자들을 정전기적으로 구동하기 위하여 상기 편향가능한 반사 소자에 인접 배치되는 회로 및 전극들의 어레이를 더 포함하는 공간 광 변조기 장치.
  302. 제 300 항에 있어서,
    상기 제1 기판은 광 투과성이고,
    상기 제2 기판은 그 위에 상기 회로 및 전극들의 어레이를 갖는 반도체 기판인 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  303. 제 300 항에 있어서,
    상기 편향가능한 반사 소자들은 마이크로 전기-기계적 편향가능한 소자인 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  304. 제 300 항에 있어서,
    상기 제1 기판 및 제2 기판 사이의 거리는 1 내지 5 마이크론인 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  305. 제 300 항에 있어서,
    상기 기판들은 접착제를 사용하여 이들 사이의 간격자와 함께 서로 접합되는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  306. 제 300 항에 있어서,
    상기 편향가능한 소자들의 바깥쪽에 간격자가 위치하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  307. 제 300 항에 있어서,
    상기 편향가능한 소자들은 이산화실리콘 또는 질화 실리콘인 세라믹 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  308. 제 300 항에 있어서,
    각 미러 판은 회전가능하도록 힌지에 부착되는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  309. 제 308 항에 있어서,
    상기 힌지는 비틀림 힌지인 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  310. 영사광(illumination light)을 제공하는 광원;
    상기 영사광을 변조하기 위한 제 182 항의 공간 광 변조기; 및
    소정 이미지를 형성하기 위해 상기 변조된 광이 투사되는 디스플레이 타겟;을 포함하는 프로젝터.
  311. 청구항 311은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    마이크로미러들이 온 상태 및 오프 상태 사이의 회전에 의해 스위칭하도록 동작가능한, 제1 기판 상에 지지되는 반사 마이크로미러들의 어레이를 제공하는 단계;
    정전기장이 상기 마이크로미러 및 이와 연관된 전극 사이에 형성되도록 각 마이크로미러를 전극에 연관시키는 단계;
    영사광을 상기 마이크로미러들 상에 조사하는 단계;
    모든 마이크로미러들이 동일한 전기적 전위를 갖도록 상기 마이크로미러들에 전압을 인가하는 단계; 및
    상기 마이크로미러들 및 전극들 간의 정전기장을 변화시킴으로써 상기 마이크로미러들을 온 및 오프 상태 사이에서 편향시키는 단계를 포함하는 소정 이미지를 형성하기 위한 영사광 변조 방법.
  312. 청구항 312은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 311 항에 있어서,
    상기 마이크로미러들을 편향시키는 단계는,
    상기 영사광이 디스플레이 타겟 상으로 반사되도록 상기 마이크로미러를 온 상태로 편향시키는 단계; 및
    상기 영사광이 상기 디스플레이 타겟으로부터 멀어지는 곳으로 반사되도록 상기 마이크로미러를 오프 상태로 편향시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 영사광 변조 방법.
  313. 청구항 313은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 311 항에 있어서,
    각 마이크로미러는 회전가능하도록 힌지에 부착되는 것을 특징으로 하는 영사광 변조 방법.
  314. 청구항 314은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 313 항에 있어서,
    상기 힌지는 비틀림 힌지인 것을 특징으로 하는 영사광 변조 방법.
  315. 청구항 315은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 311 항에 있어서,
    상기 영사광을 상기 마이크로미러 상에 조사하는 단계는 상기 영사광을 상기 마이크로미러의 반사 표면 상에 조사하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 영사광 변조 방법.
  316. 청구항 316은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 311 항에 있어서,
    상기 반사 표면은 알루미늄층을 포함하는 것을 특징으로 하는 영사광 변조 방법.
  317. 실리콘 기판에 지지되지만 직접 연결되지는 않는 편향가능한 반사 소자들의 어레이를 포함하고,
    상기 실리콘 기판은 편향가능한 소자들을 편향하기 위한 회로 및 전극들의 어레이를 갖는 공간 광 변조기 장치.
  318. 제 317 항에 있어서,
    상기 편향가능한 소자들은, 광 전송 기판 및 간격자를 통해 상기 실리콘 기판에 연결되고, 상기 간격자는 상기 실리콘 기판 및 상기 광 전송 기판 간에 배치되는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기 장치.
  319. 제 317 항에 있어서,
    상기 두 기판들은, 상기 편향가능한 소자들을 포위하는 간격이 형성되도록 서로 접합되는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기 장치.
  320. 제 317 항에 있어서,
    상기 마이크로미러들은 상기 실리콘 기판에 대해 회전가능하도록 힌지에 부착되는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기 장치.
  321. 청구항 321은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    광 전송 기판 상에 제조되는 편향가능한 반사 마이크로미러들의 어레이; 및
    상기 편향가능한 소자들을 편향시키기 위해 편향가능한 소자들에 연관되는 전극 어레이;를 포함하고,
    상기 각 편향가능한 소자는 하나의 전극과 연관되어 편향되고,
    상기 각 편향가능한 소자는 비-편향 상태에서 마이크로미러와 동일한 평면에 있는 힌지에, 상기 마이크로미러가 상기 광 전송 기판에 대해 회전가능하도록 부착되는 공간 광 변조기 장치.
  322. 청구항 322은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 321 항에 있어서,
    상기 힌지는 비틀림 힌지인 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기 장치.
  323. 청구항 323은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 321 항에 있어서,
    상기 광 전송 기판 및 상기 실리콘 기판은 소정 간격을 두고 서로 접합되며, 상기 간격 내에는 상기 편향가능한 소자가 포위되는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기 장치.
  324. 청구항 324은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 321 항에 있어서,
    상기 각 마이크로미러는 작동 중에 온 상태 및 오프 상태 사이에서 스위칭되도록 동작하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기 장치.
  325. 청구항 325은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    기판 상에 지지되는 편향가능한 반사 마이크로미러들의 어레이를 포함하고, 각 마이크로미러는 상기 마이크로미러와는 별도의 평면에 배치되는 변형가능한 힌지에 부착되어, 상기 마이크로미러가 온 상태 또는 오프 상태로 회전하도록 동작가능하고, 상기 오프 상태는 상기 마이크로미러가 상기 기판에 평행인 상태인 공간 광 변조기 장치.
  326. 청구항 326은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 325 항에 있어서,
    상기 힌지는 비틀림 힌지인 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기 장치.
  327. 청구항 327은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 325 항에 있어서,
    상기 힌지는 상기 마이크로미러와, 상기 마이크로미러가 연결되는 기판 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기 장치.
  328. 청구항 328은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 325 항에 있어서,
    상기 마이크로미러들을 편향시키기 위하여 상기 편향 마이크로미러들에 인접하여 배치되는 회로 및 전극들의 어레이를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기 장치.
  329. 청구항 329은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 325 항에 있어서,
    상기 마이크로미러들이 지지되는 기판은 광 전송 기판인 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기 장치.
  330. 청구항 330은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 325 항에 있어서,
    상기 전극들 및 회로는 상기 광 전송 기판에 접합되는 실리콘 기판 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기 장치.
  331. 각 마이크로미러가 온 및 오프 상태로 회전되도록 동작가능한, 한 세트의 어레이 가장자리들을 갖는 편향가능한 반사 마이크로미러 어레이를 제공하는 단계;
    상기 마이크로미러 어레이의 가장자리에 수직인 상기 마이크로미러 어레이 상으로의 투사 방향을 따라 영사광을 상기 마이크로미러들로 조사하는 단계;
    온 상태 및 오프 상태로 상기 마이크로미러 어레이의 마이크로미러들을 개별적으로 편향시키는 단계; 및
    온 상태에 있는 마이크로미러로부터 반사된 영사광은 디스플레이 타겟으로, 그리고 오프 상태에 있는 마이크로미러로부터 반사된 영사광은 디스플레이 타겟에서 떨어진 곳으로 투사시키는 단계를 포함하는 소정 이미지를 형성하기 위한 영사광 변조 방법.
  332. 제 331 항에 있어서,
    상기 마이크로미러들을 개별적으로 편향시키는 단계는,
    상기 마이크로미러를 전극에 연관시키는 단계; 및
    상기 마이크로미러와 이에 연관된 전극 사이에 정전기장을 형성시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 영사 광 변조 방법.
  333. 제 332 항에 있어서,
    상기 마이크로미러 어레이의 마이크로미러들을 한 전위에서 유지하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 영사 광 변조 방법.
  334. 각각 변형가능한 힌지에 부착되는 편향가능한 반사 마이크로미러들의 어레이; 및
    각각 하나의 전극에 연관되어 편향되는 마이크로미러들을 편향시키기 위해, 상기 마이크로미러들에 인접하여 배치되는 실리콘 기판 상의 회로 및 전극들의 어레이를 포함하고,
    상기 힌지는 상기 마이크로미러 및 이에 연관되는 전극들 사이에 배치되는 공간 광 변조기 장치.
  335. 제 334 항에 있어서,
    상기 마이크로미러들은 광 전송 기판 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기.
  336. 가시광선 투과성의 기판;
    실리콘 기판;
    복수의 편향가능한 소자들; 및
    광 차단막을 포함하고,
    상기 실리콘 기판 및 상기 가시광선 투과성의 기판은 상기 기판들 사이에 간격을 형성하는 이들 사이의 간격자와 함께 서로 접합되고,
    상기 복수의 편향가능한 소자들은 상기 간격 내에서 포위되고,
    상기 광 차단막은 상기 광 투과 기판의 선택된 영역에 배치되는 공간 광 변조기 장치.
  337. 제 336 항에 있어서,
    상기 광 차단막은 상기 광 투과성 기판의 파라미터 주위에 배치되는 것을 특징으로 하는 공간 광 변조기 장치.
  338. 청구항 338은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    기판 상에 비결정질 실리콘층인 하나 이상의 희생층을 도포하는 단계;
    상기 희생층의 제거 후에 마이크로미러가 힌지에 부착되도록, 상기 도포된 희생층 상에서 힌지 및 마이크로미러를 형성하는 단계; 및
    디플루오르화 크세논(xenon difluoride)을 포함하는 증기상 에칭 물질(vapor phase etchant)을 사용하여 상기 희생층을 제거하는 단계를 포함하는 마이크로미러 장치 제조방법.
  339. 청구항 339은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 338 항에 있어서,
    상기 에칭 물질은 비활성 가스를 포함하는 희석 가스를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로미러 장치 제조 방법.
KR1020017003698A 1998-09-24 1998-09-24 자기-제한 정밀기계소자를 가진 2중 기판 반사형의 공간 광 변조기 및 이의 제조방법 KR100635589B1 (ko)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/US1998/020161 WO2000017695A1 (en) 1998-09-24 1998-09-24 A double substrate reflective spatial light modulator with self-limiting micro-mechanical elements

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20010106484A KR20010106484A (ko) 2001-11-29
KR100635589B1 true KR100635589B1 (ko) 2006-10-18

Family

ID=22267939

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020017003698A KR100635589B1 (ko) 1998-09-24 1998-09-24 자기-제한 정밀기계소자를 가진 2중 기판 반사형의 공간 광 변조기 및 이의 제조방법

Country Status (7)

Country Link
EP (1) EP1116063B1 (ko)
JP (1) JP2002525676A (ko)
KR (1) KR100635589B1 (ko)
CN (1) CN1232858C (ko)
AU (1) AU9583798A (ko)
DE (1) DE69834847T2 (ko)
WO (1) WO2000017695A1 (ko)

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6611377B1 (en) * 2000-07-10 2003-08-26 Intel Corporation Micromechanical diffraction phase grating
US7307775B2 (en) * 2000-12-07 2007-12-11 Texas Instruments Incorporated Methods for depositing, releasing and packaging micro-electromechanical devices on wafer substrates
US20040069742A1 (en) * 2002-06-19 2004-04-15 Pan Shaoher X. Fabrication of a reflective spatial light modulator
US6862127B1 (en) * 2003-11-01 2005-03-01 Fusao Ishii High performance micromirror arrays and methods of manufacturing the same
US6903860B2 (en) * 2003-11-01 2005-06-07 Fusao Ishii Vacuum packaged micromirror arrays and methods of manufacturing the same
US20050094241A1 (en) * 2003-11-01 2005-05-05 Fusao Ishii Electromechanical micromirror devices and methods of manufacturing the same
JP4651302B2 (ja) * 2004-04-28 2011-03-16 よこはまティーエルオー株式会社 マイクロミラー素子の製造方法
US7184202B2 (en) * 2004-09-27 2007-02-27 Idc, Llc Method and system for packaging a MEMS device
US8310442B2 (en) 2005-02-23 2012-11-13 Pixtronix, Inc. Circuits for controlling display apparatus
US20070205969A1 (en) 2005-02-23 2007-09-06 Pixtronix, Incorporated Direct-view MEMS display devices and methods for generating images thereon
US9261694B2 (en) 2005-02-23 2016-02-16 Pixtronix, Inc. Display apparatus and methods for manufacture thereof
US9082353B2 (en) 2010-01-05 2015-07-14 Pixtronix, Inc. Circuits for controlling display apparatus
US8519945B2 (en) 2006-01-06 2013-08-27 Pixtronix, Inc. Circuits for controlling display apparatus
CN101128765B (zh) * 2005-02-23 2010-12-01 皮克斯特罗尼克斯公司 显示方法和装置
US7999994B2 (en) 2005-02-23 2011-08-16 Pixtronix, Inc. Display apparatus and methods for manufacture thereof
US9158106B2 (en) 2005-02-23 2015-10-13 Pixtronix, Inc. Display methods and apparatus
US8159428B2 (en) 2005-02-23 2012-04-17 Pixtronix, Inc. Display methods and apparatus
US8482496B2 (en) 2006-01-06 2013-07-09 Pixtronix, Inc. Circuits for controlling MEMS display apparatus on a transparent substrate
CN103345058A (zh) * 2005-02-23 2013-10-09 皮克斯特隆尼斯有限公司 用于作动显示器的方法和装置
US9229222B2 (en) 2005-02-23 2016-01-05 Pixtronix, Inc. Alignment methods in fluid-filled MEMS displays
JP4743630B2 (ja) 2005-10-20 2011-08-10 株式会社リコー 光偏向装置、光偏向装置アレイおよび画像投影表示装置
US8526096B2 (en) 2006-02-23 2013-09-03 Pixtronix, Inc. Mechanical light modulators with stressed beams
JP2007233065A (ja) 2006-03-01 2007-09-13 Ricoh Co Ltd 光偏向装置とその製造方法並びに光投影装置
US7528933B2 (en) * 2006-04-06 2009-05-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a MEMS mirror with large deflection using a non-linear spring arrangement
US9176318B2 (en) 2007-05-18 2015-11-03 Pixtronix, Inc. Methods for manufacturing fluid-filled MEMS displays
US8520285B2 (en) 2008-08-04 2013-08-27 Pixtronix, Inc. Methods for manufacturing cold seal fluid-filled display apparatus
US8169679B2 (en) 2008-10-27 2012-05-01 Pixtronix, Inc. MEMS anchors
BR112012019383A2 (pt) 2010-02-02 2017-09-12 Pixtronix Inc Circuitos para controlar aparelho de exibição
CN102236224B (zh) * 2010-04-30 2014-01-15 北京京东方光电科技有限公司 显示面板及制造方法和显示器
US9134552B2 (en) 2013-03-13 2015-09-15 Pixtronix, Inc. Display apparatus with narrow gap electrostatic actuators
US9580304B2 (en) * 2015-05-07 2017-02-28 Texas Instruments Incorporated Low-stress low-hydrogen LPCVD silicon nitride
TWI638419B (zh) * 2016-04-18 2018-10-11 村田製作所股份有限公司 一種掃描鏡設備與其製造方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4229732A (en) * 1978-12-11 1980-10-21 International Business Machines Corporation Micromechanical display logic and array
CH633902A5 (fr) * 1980-03-11 1982-12-31 Centre Electron Horloger Dispositif de modulation de lumiere.
FR2710161B1 (fr) * 1993-09-13 1995-11-24 Suisse Electronique Microtech Réseau miniature d'obturateurs de lumière.
US5454906A (en) * 1994-06-21 1995-10-03 Texas Instruments Inc. Method of providing sacrificial spacer for micro-mechanical devices
US5784190A (en) * 1995-04-27 1998-07-21 John M. Baker Electro-micro-mechanical shutters on transparent substrates
US5768009A (en) * 1997-04-18 1998-06-16 E-Beam Light valve target comprising electrostatically-repelled micro-mirrors
US5808780A (en) * 1997-06-09 1998-09-15 Texas Instruments Incorporated Non-contacting micromechanical optical switch

Also Published As

Publication number Publication date
CN1232858C (zh) 2005-12-21
EP1116063A1 (en) 2001-07-18
KR20010106484A (ko) 2001-11-29
EP1116063A4 (en) 2003-08-20
AU9583798A (en) 2000-04-10
DE69834847T2 (de) 2007-02-15
CN1309782A (zh) 2001-08-22
WO2000017695A1 (en) 2000-03-30
JP2002525676A (ja) 2002-08-13
EP1116063B1 (en) 2006-06-07
DE69834847D1 (de) 2006-07-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100635589B1 (ko) 자기-제한 정밀기계소자를 가진 2중 기판 반사형의 공간 광 변조기 및 이의 제조방법
US6046840A (en) Double substrate reflective spatial light modulator with self-limiting micro-mechanical elements
US5835256A (en) Reflective spatial light modulator with encapsulated micro-mechanical elements
KR100855127B1 (ko) 반사식 공간 광 변조기의 제조
KR100652857B1 (ko) 반사식 공간 광 변조기의 구조
KR100582142B1 (ko) 반사식 공간 광 변조기
US7585747B1 (en) Low temperature hermetic bonding at water level and method of bonding for micro display application
KR20050106428A (ko) 투사 디스플레이의 미소거울 및 미소거울 배열을 위한 힌지구조
US7923789B2 (en) Method of fabricating reflective spatial light modulator having high contrast ratio

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120927

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130927

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140929

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150930

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160929

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170929

Year of fee payment: 12

EXPY Expiration of term