JPH06151318A - 有機金属気相成長法を用いた結晶成長方法 - Google Patents
有機金属気相成長法を用いた結晶成長方法Info
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- JPH06151318A JPH06151318A JP29478492A JP29478492A JPH06151318A JP H06151318 A JPH06151318 A JP H06151318A JP 29478492 A JP29478492 A JP 29478492A JP 29478492 A JP29478492 A JP 29478492A JP H06151318 A JPH06151318 A JP H06151318A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ｎ型層へのＺｎの拡散を防ぐことができるＭ
Ｏ−ＣＶＤ法を用いた結晶成長方法を提供すること 【構成】 Ｐ−ＩｎＰ基板（ドープＺｎ濃度５×１０18
ｃｍ-3）３０上にアンドープ層３２を０．２μｍの厚さ
に成長させる。次に、アンドープ層３２上に、Ｐ型のド
ーパントガスとしてジメチル亜鉛（ＤＭＺｎ）およびＮ
型のドーパントガスとしてシラン（ＳＨ4 ）をそれぞれ
用いて、膜厚０．７μｍのＰ−ＩｎＰ層（ドープＺｎ濃
度５×１０17ｃｍ-3）３８、膜厚０．５μｍのＮ−Ｉｎ
Ｐ層（ドープ錫濃度７×１０17ｃｍ-3）３４および膜厚
１．５μｍのＰ−ＩｎＰ層４０（ドープＺｎ濃度２×１
０17ｃｍ-3）を順次成長させ、電流阻止層３６を形成す
る。
Ｏ−ＣＶＤ法を用いた結晶成長方法を提供すること 【構成】 Ｐ−ＩｎＰ基板（ドープＺｎ濃度５×１０18
ｃｍ-3）３０上にアンドープ層３２を０．２μｍの厚さ
に成長させる。次に、アンドープ層３２上に、Ｐ型のド
ーパントガスとしてジメチル亜鉛（ＤＭＺｎ）およびＮ
型のドーパントガスとしてシラン（ＳＨ4 ）をそれぞれ
用いて、膜厚０．７μｍのＰ−ＩｎＰ層（ドープＺｎ濃
度５×１０17ｃｍ-3）３８、膜厚０．５μｍのＮ−Ｉｎ
Ｐ層（ドープ錫濃度７×１０17ｃｍ-3）３４および膜厚
１．５μｍのＰ−ＩｎＰ層４０（ドープＺｎ濃度２×１
０17ｃｍ-3）を順次成長させ、電流阻止層３６を形成す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、有機金属気相成長法
（以下、「ＭＯ−ＣＶＤ法」と略称することもある。）
を用いた結晶成長方法に関する。
（以下、「ＭＯ−ＣＶＤ法」と略称することもある。）
を用いた結晶成長方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体材料を結晶成長させて積層
して得られた構造体を用いて種々の素子構造が形成され
ている。例えば、半導体レーザおよび発光ダイオードの
場合には、電流から光への変換効率を向上させるため、
電流阻止層を有する素子構造が形成されている。従来の
電流阻止層の形成方法として、例えば、文献：「沖研究
開発、第138 号、Vol.55、No.2、pp15 〜20」に開示された
方法がある。この開示された方法によれば、液晶成長法
（以下、「ＬＰＥ」と略称することもある。）を用いて
発光ダイオードの電流阻止層を形成しており、この電流
阻止層は、２種類の接合即ちＰＮ接合およびＮＰ接合を
有する。電流阻止層に素子の駆動電流が注入されると、
ＮＰ接合に逆バイアスがかかるため、駆動電流が阻止さ
れる。
して得られた構造体を用いて種々の素子構造が形成され
ている。例えば、半導体レーザおよび発光ダイオードの
場合には、電流から光への変換効率を向上させるため、
電流阻止層を有する素子構造が形成されている。従来の
電流阻止層の形成方法として、例えば、文献：「沖研究
開発、第138 号、Vol.55、No.2、pp15 〜20」に開示された
方法がある。この開示された方法によれば、液晶成長法
（以下、「ＬＰＥ」と略称することもある。）を用いて
発光ダイオードの電流阻止層を形成しており、この電流
阻止層は、２種類の接合即ちＰＮ接合およびＮＰ接合を
有する。電流阻止層に素子の駆動電流が注入されると、
ＮＰ接合に逆バイアスがかかるため、駆動電流が阻止さ
れる。
【０００３】さらに、電流阻止層に囲まれた微小な領域
に活性領域（発光層）を設けると、活性領域にのみ駆動
電流を制限するので、高い電流−光変換効率を達成する
ことができる。
に活性領域（発光層）を設けると、活性領域にのみ駆動
電流を制限するので、高い電流−光変換効率を達成する
ことができる。
【０００４】以下、図面を参照して上記文献記載のＬＰ
Ｅを用いて電流阻止層を具えた発光ダイオードの形成す
る方法について説明する。図２の（Ａ）および（Ｂ）
は、発光ダイオードの形成工程の主要段階を示した断面
図である。
Ｅを用いて電流阻止層を具えた発光ダイオードの形成す
る方法について説明する。図２の（Ａ）および（Ｂ）
は、発光ダイオードの形成工程の主要段階を示した断面
図である。
【０００５】先ず、Ｐ−ＩｎＰ基板１０（ドープＺｎ濃
度５×１０18ｃｍ-3）上に電流阻止層２６を形成する。
この電流阻止層は、Ｐ−ＩｎＰバッファ層（ドープＺｎ
濃度７×１０17ｃｍ-3）１２、Ｎ−ＩｎＰブロック層
（ドープＳｎ濃度４×１０17ｃｍ-3）１４およびＰ−Ｉ
ｎＰ層ブロック（ドープＺｎ濃度４×１０17ｃｍ-3）１
６を以って構成し、これらの層をＬＰＥを用いて順次成
長させる（図２の（Ａ））。
度５×１０18ｃｍ-3）上に電流阻止層２６を形成する。
この電流阻止層は、Ｐ−ＩｎＰバッファ層（ドープＺｎ
濃度７×１０17ｃｍ-3）１２、Ｎ−ＩｎＰブロック層
（ドープＳｎ濃度４×１０17ｃｍ-3）１４およびＰ−Ｉ
ｎＰ層ブロック（ドープＺｎ濃度４×１０17ｃｍ-3）１
６を以って構成し、これらの層をＬＰＥを用いて順次成
長させる（図２の（Ａ））。
【０００６】次に、電流阻止層２６を成長させた積層体
に塩酸系エッチャントを用いてＶ溝１８を選択的に形成
する。その後、Ｖ溝１８にＰ−ＩｎＰクラッド層（ドー
プＺｎ６×１０17ｃｍ-3）２０、Ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ活
性層２２、Ｎ−ＩｎＰクラッド層（Ｓｎドープ）２４、
Ｎ−ＩｎＧａＡｓＰキャップ層２８を順次成長させるこ
とによって電流阻止層を具えた発光ダイオードの主要構
造を形成する（図２の（Ｂ））。Ｐ−ＩｎＧａＡｓ活性
層２２は、面方位依存性により図中に示した三日月形状
が得られる。尚、図中、上側および下側の電極の図示を
省略してある。
に塩酸系エッチャントを用いてＶ溝１８を選択的に形成
する。その後、Ｖ溝１８にＰ−ＩｎＰクラッド層（ドー
プＺｎ６×１０17ｃｍ-3）２０、Ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ活
性層２２、Ｎ−ＩｎＰクラッド層（Ｓｎドープ）２４、
Ｎ−ＩｎＧａＡｓＰキャップ層２８を順次成長させるこ
とによって電流阻止層を具えた発光ダイオードの主要構
造を形成する（図２の（Ｂ））。Ｐ−ＩｎＧａＡｓ活性
層２２は、面方位依存性により図中に示した三日月形状
が得られる。尚、図中、上側および下側の電極の図示を
省略してある。
【０００７】ところで、ＬＰＥを用いて結晶成長させた
場合、薄膜層の厚みおよび組成の再現性、および、成長
層の厚みおよび組成の面内均一性に問題があった。
場合、薄膜層の厚みおよび組成の再現性、および、成長
層の厚みおよび組成の面内均一性に問題があった。
【０００８】しかしながら、結晶成長にＭＯ−ＣＶＤ法
（有機金属気相成長法）を用いれば、分子オーダーの厚
さで薄膜の成長を制御することができ、成長させた層の
厚み、組成およびキャリア濃度等の均一性が優れてい
る。
（有機金属気相成長法）を用いれば、分子オーダーの厚
さで薄膜の成長を制御することができ、成長させた層の
厚み、組成およびキャリア濃度等の均一性が優れてい
る。
【０００９】従って、ＭＯ−ＣＶＤ法を用いて結晶成長
を行えば、ＬＰＥを用いた場合と比べて、より均一化
し、高い歩留で、素子特性の均一化が実現できる。
を行えば、ＬＰＥを用いた場合と比べて、より均一化
し、高い歩留で、素子特性の均一化が実現できる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、Ｐ型の
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体のドーパントは、例えば、亜
鉛（Ｚｎ）が用いられる。しかしながら、キャリア濃度
の高い層の上に成長層をＭＯ−ＣＶＤ法で成長させる場
合、活性化していないＺｎが、この層または既に形成さ
れている他の層中へ拡散してしまう。例えば、Ｚｎをド
ープしたＰ型のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上にＮ型
層をＭＯ−ＣＶＤ法で成長させると、この層の成長中に
基板中のＺｎが成膜しつつあるＮ型層へ拡散してしま
う。その結果、Ｎ型層中のＺｎの拡散領域では、Ｎ型か
らＰ型に反転してしまう。
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体のドーパントは、例えば、亜
鉛（Ｚｎ）が用いられる。しかしながら、キャリア濃度
の高い層の上に成長層をＭＯ−ＣＶＤ法で成長させる場
合、活性化していないＺｎが、この層または既に形成さ
れている他の層中へ拡散してしまう。例えば、Ｚｎをド
ープしたＰ型のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上にＮ型
層をＭＯ−ＣＶＤ法で成長させると、この層の成長中に
基板中のＺｎが成膜しつつあるＮ型層へ拡散してしま
う。その結果、Ｎ型層中のＺｎの拡散領域では、Ｎ型か
らＰ型に反転してしまう。
【００１１】従って、この発明の目的は、Ｎ型層へのＺ
ｎの拡散を防ぐことができるＭＯ−ＣＶＤ法を用いた結
晶成長方法を提供することである。
ｎの拡散を防ぐことができるＭＯ−ＣＶＤ法を用いた結
晶成長方法を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】この目的の達成を図るた
め、この発明のＭＯ−ＣＶＤ法（有機金属気相成長法）
を用いた結晶成長方法によれば、表面に第１導電型層を
有する化合物半導体の基板を準備する工程と、この基板
上にアンドープ層を積層する工程と、このアンドープ層
上に直接または間接的に第２導電型層を有機金属結晶成
長法によって積層する工程とを有することを特徴とす
る。
め、この発明のＭＯ−ＣＶＤ法（有機金属気相成長法）
を用いた結晶成長方法によれば、表面に第１導電型層を
有する化合物半導体の基板を準備する工程と、この基板
上にアンドープ層を積層する工程と、このアンドープ層
上に直接または間接的に第２導電型層を有機金属結晶成
長法によって積層する工程とを有することを特徴とす
る。
【００１３】
【作用】上述したこの発明の構成によれば、アンドープ
層を成長させるときにはドーパントガスを導入する必要
がないので、アンドープ層はＮ型でキャリア濃度の低い
層となる。このアンドープ層へＰ型層からＺｎが拡散し
てくると、アンドープ層はＮ型からＰ型へ転換する。従
って、アンドープ層がＰ型層から拡散してきたＺｎをア
ンドープ層で捕らえて一種の緩衝領域として作用するの
で、ＺｎのＮ型層への拡散を防ぐことができる。
層を成長させるときにはドーパントガスを導入する必要
がないので、アンドープ層はＮ型でキャリア濃度の低い
層となる。このアンドープ層へＰ型層からＺｎが拡散し
てくると、アンドープ層はＮ型からＰ型へ転換する。従
って、アンドープ層がＰ型層から拡散してきたＺｎをア
ンドープ層で捕らえて一種の緩衝領域として作用するの
で、ＺｎのＮ型層への拡散を防ぐことができる。
【００１４】
【実施例】以下、図面を参照し、この発明の有機気相成
長法を用いた薄膜積層体の形成方法の実施例について説
明する。尚、以下に参照する図は、この発明が理解でき
る程度に各構成成分の大きさ、形状および配置関係を概
略的に示してあるにすぎない。従って、この発明は図示
例にのみ限定されるものでないことは明らかである。
長法を用いた薄膜積層体の形成方法の実施例について説
明する。尚、以下に参照する図は、この発明が理解でき
る程度に各構成成分の大きさ、形状および配置関係を概
略的に示してあるにすぎない。従って、この発明は図示
例にのみ限定されるものでないことは明らかである。
【００１５】図１の（Ａ）〜（Ｃ）は、この発明の実施
例を説明する工程図である。各図は、主要工程段階で得
られた構造体の状態を断面で概略的に示す図である。
尚、図は、断面を表すハッチングを一部省略して示して
ある。
例を説明する工程図である。各図は、主要工程段階で得
られた構造体の状態を断面で概略的に示す図である。
尚、図は、断面を表すハッチングを一部省略して示して
ある。
【００１６】この実施例では、亜鉛（Ｚｎ）をドープし
たIII −Ｖ族の化合物半導体である第１導電型層として
のＰ型基板３０上に、アンドープ層（不純物をドープし
ない）３２をＭＯ−ＣＶＤ法を用いて成長させ、その
後、このアンドープ層３２の上側に、第２導電型層とし
てのＮ型層３４を含むＰ−Ｎ−Ｐ電流阻止層３６をＭＯ
−ＣＶＤ法を用いて成長させる例につき説明する。
たIII −Ｖ族の化合物半導体である第１導電型層として
のＰ型基板３０上に、アンドープ層（不純物をドープし
ない）３２をＭＯ−ＣＶＤ法を用いて成長させ、その
後、このアンドープ層３２の上側に、第２導電型層とし
てのＮ型層３４を含むＰ−Ｎ−Ｐ電流阻止層３６をＭＯ
−ＣＶＤ法を用いて成長させる例につき説明する。
【００１７】先ず、図１の（Ａ）に示すＰ−ＩｎＰ基板
（ドープＺｎ濃度５×１０18ｃｍ-3）３０を成長室内に
設置し、この基板３０上に以下に述べる条件でアンドー
プ層３２を０．２μｍの厚さに成長させる（図１の
（Ｂ））。
（ドープＺｎ濃度５×１０18ｃｍ-3）３０を成長室内に
設置し、この基板３０上に以下に述べる条件でアンドー
プ層３２を０．２μｍの厚さに成長させる（図１の
（Ｂ））。
【００１８】この実施例における成長条件は以下の通り
である。III 族材料は、トリメチルインジウム（ＴＭ
Ｉ）を水素でバブリングして用いる。また、Ｖ族材料
は、ホスフィン（ＰＨ3 ）を用いる。成長室を減圧し、
基板３０を５５０〜６５０℃の範囲内の適当な温度に加
熱しておく。続いて、上述したガスを減圧の成長室に導
入し、基板上にＩｎＰ層を成長させる。また、成長室に
導入するＴＭＩとＰＨ3 のモル比（ＶIII 比）を５０〜
２００の範囲の好適な値とするのが好適である。アンド
ープ層を成長させる場合、ドーパントガスは導入しな
い。
である。III 族材料は、トリメチルインジウム（ＴＭ
Ｉ）を水素でバブリングして用いる。また、Ｖ族材料
は、ホスフィン（ＰＨ3 ）を用いる。成長室を減圧し、
基板３０を５５０〜６５０℃の範囲内の適当な温度に加
熱しておく。続いて、上述したガスを減圧の成長室に導
入し、基板上にＩｎＰ層を成長させる。また、成長室に
導入するＴＭＩとＰＨ3 のモル比（ＶIII 比）を５０〜
２００の範囲の好適な値とするのが好適である。アンド
ープ層を成長させる場合、ドーパントガスは導入しな
い。
【００１９】次に、アンドープ層３２上に、膜厚０．７
μｍのＰ−ＩｎＰ層（ドープＺｎ濃度５×１０17ｃ
ｍ-3）３８、膜厚０．５μｍのＮ−ＩｎＰ層（ドープ錫
濃度７×１０17ｃｍ-3）３４および膜厚１．５μｍのＰ
−ＩｎＰ層４０（ドープＺｎ濃度２×１０17ｃｍ-3）
を、以下に述べる成長条件で順次成長させ、電流阻止層
３６を形成する（図１の（Ｃ））。
μｍのＰ−ＩｎＰ層（ドープＺｎ濃度５×１０17ｃ
ｍ-3）３８、膜厚０．５μｍのＮ−ＩｎＰ層（ドープ錫
濃度７×１０17ｃｍ-3）３４および膜厚１．５μｍのＰ
−ＩｎＰ層４０（ドープＺｎ濃度２×１０17ｃｍ-3）
を、以下に述べる成長条件で順次成長させ、電流阻止層
３６を形成する（図１の（Ｃ））。
【００２０】電流阻止層３６の形成時の各層３８、３４
および４０の成長条件はアンドープ層を成長させたとき
と同じＩｎＰの成長条件で、Ｐ型のドーパントガスとし
てジメチル亜鉛（ＤＭＺｎ）およびＮ型のドーパントガ
スとしてシラン（ＳＨ4 ）をそれぞれ用いる。成長層中
のキャリア濃度の制御は、ドーパントガスの流量を制御
することによって行う。ドーパントガスの流量および圧
力は、それぞれマスフローラ・コントローラおよびプレ
ッシャ・コントローラを用いて制御する。
および４０の成長条件はアンドープ層を成長させたとき
と同じＩｎＰの成長条件で、Ｐ型のドーパントガスとし
てジメチル亜鉛（ＤＭＺｎ）およびＮ型のドーパントガ
スとしてシラン（ＳＨ4 ）をそれぞれ用いる。成長層中
のキャリア濃度の制御は、ドーパントガスの流量を制御
することによって行う。ドーパントガスの流量および圧
力は、それぞれマスフローラ・コントローラおよびプレ
ッシャ・コントローラを用いて制御する。
【００２１】尚、電流阻止層３６中のＰ−ＩｎＰ層３８
および４０からのＺｎのＮ型層への拡散は、電流阻止層
３６中のＺｎの濃度が低いので実用上問題にはならな
い。
および４０からのＺｎのＮ型層への拡散は、電流阻止層
３６中のＺｎの濃度が低いので実用上問題にはならな
い。
【００２２】また、上述した電流阻止層を形成した積層
体に従来例と同様のＶ溝を形成し、クラッド層および発
光層、さらに必要に応じてキャップ層を形成すれば、従
来例と同様の発光ダイオードを得ることができる。
体に従来例と同様のＶ溝を形成し、クラッド層および発
光層、さらに必要に応じてキャップ層を形成すれば、従
来例と同様の発光ダイオードを得ることができる。
【００２３】上述した実施例では、この発明を、特定の
材料を使用し、また、特定の条件で形成した例につい説
明したが、この発明は多くの変更および変形を行うこと
ができる。例えば、上述した実施例では、Ｐ−ＩｎＰ基
板の上側にＮ型層を形成したが、この発明では、Ｎ型層
の上側にアンドープ層を形成した後、Ｐ型層をＭＯ−Ｃ
ＶＤ法を用いて結晶成長させても良い。また、上述した
実施例では、アンドープ層の上にＰ−ＩｎＰ層を形成し
た後にＮ型層を成長させたが、この発明では、Ｎ型層を
アンドープ層の上に直接成長させても良い。また、アン
ドープ層の厚みは０．２μｍに限定されるものではな
い。
材料を使用し、また、特定の条件で形成した例につい説
明したが、この発明は多くの変更および変形を行うこと
ができる。例えば、上述した実施例では、Ｐ−ＩｎＰ基
板の上側にＮ型層を形成したが、この発明では、Ｎ型層
の上側にアンドープ層を形成した後、Ｐ型層をＭＯ−Ｃ
ＶＤ法を用いて結晶成長させても良い。また、上述した
実施例では、アンドープ層の上にＰ−ＩｎＰ層を形成し
た後にＮ型層を成長させたが、この発明では、Ｎ型層を
アンドープ層の上に直接成長させても良い。また、アン
ドープ層の厚みは０．２μｍに限定されるものではな
い。
【００２４】
【発明の効果】本発明のＭＯ−ＣＶＤ法を用いた結晶成
長方法によれば、亜鉛等の不純物を含むＰ型層上に、ア
ンドープ層を介してＮ型層のＭＯ−ＣＶＤ法を行ってい
るので、Ｎ型層への亜鉛の拡散を防ぐことができる。こ
のため、Ｎ型層の消失を阻止することができるのみなら
ず、Ｎ型層を、実質的な厚みおよびキャリア濃度の再現
性良く成長させることができる。従って、本発明の方法
によって半導体素子を製造すれば、素子特性のより安定
した半導体素子を再現性良く得ることができる。
長方法によれば、亜鉛等の不純物を含むＰ型層上に、ア
ンドープ層を介してＮ型層のＭＯ−ＣＶＤ法を行ってい
るので、Ｎ型層への亜鉛の拡散を防ぐことができる。こ
のため、Ｎ型層の消失を阻止することができるのみなら
ず、Ｎ型層を、実質的な厚みおよびキャリア濃度の再現
性良く成長させることができる。従って、本発明の方法
によって半導体素子を製造すれば、素子特性のより安定
した半導体素子を再現性良く得ることができる。
【図１】（Ａ）〜（Ｃ）は、この発明の有機金属結晶成
長法を用いた結晶成長方法の実施例の説明に供する工程
図である。
長法を用いた結晶成長方法の実施例の説明に供する工程
図である。
【図２】（Ａ）および（Ｂ）は、従来の、電流阻止層を
具えた発光ダイオードの製造方法の説明に供する工程図
である。
具えた発光ダイオードの製造方法の説明に供する工程図
である。
１０：Ｐ−ＩｎＰ層 １２：Ｐ−ＩｎＰバッファ層 １４：Ｎ−ＩｎＰブロック層 １６：Ｐ−ＩｎＰブロック層 １８：Ｖ溝 ２０：Ｐ−ＩｎＰクラッド層 ２２：Ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ層 ２４：Ｎ−ＩｎＰクラッド層 ２６：電流阻止層 ２８：Ｎ−ＩｎＧａＡｓＰキャップ層 ３０：Ｐ−ＩｎＰ基板 ３２：アンドープ層 ３４：Ｎ型層（Ｎ−ＩｎＰ層） ３６：電流阻止層 ３８：Ｐ−ＩｎＰ層 ４０：Ｐ−ＩｎＰ層
Claims (1)
- 【請求項１】 表面に第１導電型層を有する化合物半導
体の基板を準備する工程と、 該基板上にアンドープ層を積層する工程と、 該アンドープ層上に直接または間接的に第２導電型層を
有機金属結晶成長法によって積層する工程とを有するこ
とを特徴とする有機金属気相成長法を用いた結晶成長方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29478492A JP3046161B2 (ja) | 1992-11-04 | 1992-11-04 | アンドープ層を含む半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29478492A JP3046161B2 (ja) | 1992-11-04 | 1992-11-04 | アンドープ層を含む半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06151318A true JPH06151318A (ja) | 1994-05-31 |
| JP3046161B2 JP3046161B2 (ja) | 2000-05-29 |
Family
ID=17812241
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29478492A Expired - Fee Related JP3046161B2 (ja) | 1992-11-04 | 1992-11-04 | アンドープ層を含む半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3046161B2 (ja) |
-
1992
- 1992-11-04 JP JP29478492A patent/JP3046161B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3046161B2 (ja) | 2000-05-29 |
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