JPH0579172B2 - - Google Patents
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- JPH0579172B2 JPH0579172B2 JP61092635A JP9263586A JPH0579172B2 JP H0579172 B2 JPH0579172 B2 JP H0579172B2 JP 61092635 A JP61092635 A JP 61092635A JP 9263586 A JP9263586 A JP 9263586A JP H0579172 B2 JPH0579172 B2 JP H0579172B2
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- JP
- Japan
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- plating
- tie bar
- lead
- lead frame
- semiconductor device
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- Expired - Lifetime
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置リードフレームに関する。
従来のこの種の半導体装置リードフレームは、
例えば第2図で示すように、中心に半導体素子を
搭載するアイランド1を設け、この半導体素子か
ら外部回路まで電気的信号を伝えるインナーリー
ド2と、アイランド1及びインナーリード2の先
端には、半導体素子がよく接合できるように、ま
た金(Au)ワイヤーボンデングできるように、
内装めつき3(AuまたはAg材)が施されてい
る。さらに、外部回路と電気的、機械的な接合を
とるためのアウターリード4を設け、アウターリ
ード4にはモールド樹脂封入時に樹脂の流れを塞
き止めるタイバー5を設けている。
例えば第2図で示すように、中心に半導体素子を
搭載するアイランド1を設け、この半導体素子か
ら外部回路まで電気的信号を伝えるインナーリー
ド2と、アイランド1及びインナーリード2の先
端には、半導体素子がよく接合できるように、ま
た金(Au)ワイヤーボンデングできるように、
内装めつき3(AuまたはAg材)が施されてい
る。さらに、外部回路と電気的、機械的な接合を
とるためのアウターリード4を設け、アウターリ
ード4にはモールド樹脂封入時に樹脂の流れを塞
き止めるタイバー5を設けている。
前述した従来の半導体装置リードフレームは、
第3図に詳細に示すように、リードフレーム9に
ゴムマスク8,8′を掛け、ノズル(スパージヤ
ー)11により、めつき液10を矢印10の方向
に吹き付け、部分的に内装めつきを施す。しか
し、このめつき方法では、構造的に半導体リード
フレーム9のインナリード2の側面にまでめつき
液が入り込み、タイバー5の内側まで、めつきが
付くことになる。モールド樹脂封入後、モールド
より外に出た内装めつきAuは、外装めつきの
Sn、Sn−PbのSnともろい金属間化合物を作り易
く、これがためICリード成形時にSn、Sn−Pbめ
つきのハガレに至るという欠点がある。また、モ
ールドより外に出た内装めつきAgは、その性質
から長期使用の間にマイグレーシヨンを引き起
し、リード間をブリツジし、電気的にシヨートす
るという欠点がある。また、封入後、漏れたAu、
Agめつきを剥離するには、シアンを使用しなけ
ればならなく、作業上、安全衛生面に問題があつ
た。
第3図に詳細に示すように、リードフレーム9に
ゴムマスク8,8′を掛け、ノズル(スパージヤ
ー)11により、めつき液10を矢印10の方向
に吹き付け、部分的に内装めつきを施す。しか
し、このめつき方法では、構造的に半導体リード
フレーム9のインナリード2の側面にまでめつき
液が入り込み、タイバー5の内側まで、めつきが
付くことになる。モールド樹脂封入後、モールド
より外に出た内装めつきAuは、外装めつきの
Sn、Sn−PbのSnともろい金属間化合物を作り易
く、これがためICリード成形時にSn、Sn−Pbめ
つきのハガレに至るという欠点がある。また、モ
ールドより外に出た内装めつきAgは、その性質
から長期使用の間にマイグレーシヨンを引き起
し、リード間をブリツジし、電気的にシヨートす
るという欠点がある。また、封入後、漏れたAu、
Agめつきを剥離するには、シアンを使用しなけ
ればならなく、作業上、安全衛生面に問題があつ
た。
本発明の目的は、前記諸問題を解決し、メツ
キ・ハガレ等の事故を防止し、信頼性を高めるよ
うにした半導体装置リードフレームを提供するこ
とにある。
キ・ハガレ等の事故を防止し、信頼性を高めるよ
うにした半導体装置リードフレームを提供するこ
とにある。
本発明の半導体装置リードフレームの構成は、
内装めつきエリアの位置より外側で、かつモール
ドキヤビテイの位置より内側にリード相互間を結
ぶキヤビテイの位置より内側にリード相互間を結
ぶタイバーを設けたことを特徴とする。
内装めつきエリアの位置より外側で、かつモール
ドキヤビテイの位置より内側にリード相互間を結
ぶキヤビテイの位置より内側にリード相互間を結
ぶタイバーを設けたことを特徴とする。
次に本発明について図面を参照して詳細に説明
する。
する。
第1図は本発明の一実施例の半導体装置リード
フレームを示す平面図である。同図において、ア
イランド1、及びインナーリード2の先端には、
内装めつき3が施されているが、本実施例のリー
ド相互間を結ぶタイバー6がモールドキヤビテイ
7内の位置にあるため、リード側部に漏れた内装
めつきは、タイバー6の内側にしか付かない。
フレームを示す平面図である。同図において、ア
イランド1、及びインナーリード2の先端には、
内装めつき3が施されているが、本実施例のリー
ド相互間を結ぶタイバー6がモールドキヤビテイ
7内の位置にあるため、リード側部に漏れた内装
めつきは、タイバー6の内側にしか付かない。
即ち、インナーリード2の部分とタイバー6と
の表面・裏面が、マスキングゴム8,8′ですき
間なく覆われているので、これにより外方へめつ
き液が流れ出す心配がなく、リードの側面から流
れ出ためつき液はタイバー6の内側面にしか付か
ない。
の表面・裏面が、マスキングゴム8,8′ですき
間なく覆われているので、これにより外方へめつ
き液が流れ出す心配がなく、リードの側面から流
れ出ためつき液はタイバー6の内側面にしか付か
ない。
本実施例では、リードフレーム間の共用性を持
たせるため、モールド外部のタイバー5と平行に
タイバー6を位置するように構成したが、内装め
つきエリア外側からキヤビテイ7内であれば、ど
の位置でもよい。また、タイバー6は、内装めつ
き後、モールド封入前の間で切断することで、従
来の工程に流すことができる。
たせるため、モールド外部のタイバー5と平行に
タイバー6を位置するように構成したが、内装め
つきエリア外側からキヤビテイ7内であれば、ど
の位置でもよい。また、タイバー6は、内装めつ
き後、モールド封入前の間で切断することで、従
来の工程に流すことができる。
以上説明したように、本発明によれば、モール
ドキヤビテイの外部への内装めつきの漏れをなく
することにより、ICリード成形時の外装めつ
き・ハガレやAgマイグレーシヨンによるリード
間のAgブリツジが発生せず、信頼性の高いICが
供給でき、またモールド封入後に漏れためつきの
剥離作業を行うことなく、従つて安全面を心配す
ることもなく、さらに従来の工程を大幅に改善す
ることなく実施できる等の効果が得られる。
ドキヤビテイの外部への内装めつきの漏れをなく
することにより、ICリード成形時の外装めつ
き・ハガレやAgマイグレーシヨンによるリード
間のAgブリツジが発生せず、信頼性の高いICが
供給でき、またモールド封入後に漏れためつきの
剥離作業を行うことなく、従つて安全面を心配す
ることもなく、さらに従来の工程を大幅に改善す
ることなく実施できる等の効果が得られる。
第1図は本発明の実施例の半導体装置リードフ
レームの平面図、第2図は従来の半導体装置リー
ドフレームの平面図、第3図は第2図の半導体装
置リードフレームに部分めつきを施す状態を示す
断面図である。 1……アイランド、2……インナーリード、3
……内装めつき(エリア)、4……アウターリー
ド、5,6……タイバー、7……モールドキヤビ
テイ、8,8′……リードフレーム・マスキング
ゴム、9……リードフレーム、10……めつき液
の流れを示す矢印、11……ノズル(スパージヤ
ー)。
レームの平面図、第2図は従来の半導体装置リー
ドフレームの平面図、第3図は第2図の半導体装
置リードフレームに部分めつきを施す状態を示す
断面図である。 1……アイランド、2……インナーリード、3
……内装めつき(エリア)、4……アウターリー
ド、5,6……タイバー、7……モールドキヤビ
テイ、8,8′……リードフレーム・マスキング
ゴム、9……リードフレーム、10……めつき液
の流れを示す矢印、11……ノズル(スパージヤ
ー)。
Claims (1)
- 1 内装めつきエリアの位置より外側で、かつモ
ールドキヤビテイの位置より内側にリード相互間
を結ぶタイバーを設け、前記タイバーは前記リー
ドと同一材からなり、前記タイバーは、前記リー
ドの対向した側面を互いに接続していることを特
徴とする半導体装置リードフレーム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9263586A JPS62248246A (ja) | 1986-04-21 | 1986-04-21 | 半導体装置リ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9263586A JPS62248246A (ja) | 1986-04-21 | 1986-04-21 | 半導体装置リ−ドフレ−ム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62248246A JPS62248246A (ja) | 1987-10-29 |
JPH0579172B2 true JPH0579172B2 (ja) | 1993-11-01 |
Family
ID=14059903
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9263586A Granted JPS62248246A (ja) | 1986-04-21 | 1986-04-21 | 半導体装置リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62248246A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6447062A (en) * | 1987-08-18 | 1989-02-21 | Sumitomo Metal Mining Co | Partial plating |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5891650A (ja) * | 1981-11-26 | 1983-05-31 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
-
1986
- 1986-04-21 JP JP9263586A patent/JPS62248246A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5891650A (ja) * | 1981-11-26 | 1983-05-31 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS62248246A (ja) | 1987-10-29 |
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