JPH04164356A - リードフレーム - Google Patents
リードフレームInfo
- Publication number
- JPH04164356A JPH04164356A JP29154690A JP29154690A JPH04164356A JP H04164356 A JPH04164356 A JP H04164356A JP 29154690 A JP29154690 A JP 29154690A JP 29154690 A JP29154690 A JP 29154690A JP H04164356 A JPH04164356 A JP H04164356A
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- JP
- Japan
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- resin
- lead
- lead frame
- film
- frame
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は樹脂封止型半導体装置用のリードフレームに関
する。
する。
従来のリードフレームは第２図に示すように、枠５に吊
りビン６で支持されたアイランド７と、アイランド７の
周囲に配置して枠７に支持されたリード１と、リード１
の相互間を接続して設けたタイバー３とを有して構成さ
れる。
りビン６で支持されたアイランド７と、アイランド７の
周囲に配置して枠７に支持されたリード１と、リード１
の相互間を接続して設けたタイバー３とを有して構成さ
れる。
このリードフレームのアイランド７の上に半導体チップ
を搭載し、半導体チップの電極とリード１の先端との間
を金属細線で接続し、樹脂封止用金型にリードフレーム
を装着してアイランド７及びリード１の先端を含む樹脂
封止領域２の内側を樹脂封止し、タイバー３及び枠５を
切離してり−ド１を整形し半導体装置を形成する。
を搭載し、半導体チップの電極とリード１の先端との間
を金属細線で接続し、樹脂封止用金型にリードフレーム
を装着してアイランド７及びリード１の先端を含む樹脂
封止領域２の内側を樹脂封止し、タイバー３及び枠５を
切離してり−ド１を整形し半導体装置を形成する。
ここで、樹脂封止用金型の上型と下型に形成されたキャ
ビティの周辺部において、隣り合うリードの間の隙間に
充填される樹脂は、キャビティの外縁部を所定の間隔で
取り囲むようにリード間を連結するタイバー３によって
せき止められるようにしているのが一般的である。
ビティの周辺部において、隣り合うリードの間の隙間に
充填される樹脂は、キャビティの外縁部を所定の間隔で
取り囲むようにリード間を連結するタイバー３によって
せき止められるようにしているのが一般的である。
この従来のリードフレームは、樹脂封止時に樹脂封止用
金型のキャビティの外縁部に設けたリードとタイバーに
より取囲まれた隙間に充填される樹脂がリードの厚さに
相当する厚さの比較的太きな樹脂片（以下ダム樹脂片と
記す）となって形成される。
金型のキャビティの外縁部に設けたリードとタイバーに
より取囲まれた隙間に充填される樹脂がリードの厚さに
相当する厚さの比較的太きな樹脂片（以下ダム樹脂片と
記す）となって形成される。
このダム樹脂片は、樹脂封止後に封止領域の外部に導出
したリードからタイバーを切断して除去するのと同時か
、あるいはタイバーの切断除去の直前に、金型によって
除去されるのが一般的である。し応）シ、金型だけでダ
ム樹脂片を完全に除去するのは不可能で、リードの側面
（こは樹脂片が残ってしまうため、その後、高圧水を吹
きつけることによって、リード側面に付着した樹脂片を
除去するのが一般的である。しかし、リードフレームと
封止樹脂との接着力は強いので高圧水によっても完全に
除去するのは難しい、そのため、ダム樹脂片が完全に除
去されず、リード側面に樹脂片が付着したままで、リー
ド成形を行うと、リード側面に付着した樹脂片がはがれ
、リード表面に圧着し不良品を発生させるという問題点
がある。
したリードからタイバーを切断して除去するのと同時か
、あるいはタイバーの切断除去の直前に、金型によって
除去されるのが一般的である。し応）シ、金型だけでダ
ム樹脂片を完全に除去するのは不可能で、リードの側面
（こは樹脂片が残ってしまうため、その後、高圧水を吹
きつけることによって、リード側面に付着した樹脂片を
除去するのが一般的である。しかし、リードフレームと
封止樹脂との接着力は強いので高圧水によっても完全に
除去するのは難しい、そのため、ダム樹脂片が完全に除
去されず、リード側面に樹脂片が付着したままで、リー
ド成形を行うと、リード側面に付着した樹脂片がはがれ
、リード表面に圧着し不良品を発生させるという問題点
がある。
また、ダム樹脂片を完全に除去するために、吹きつける
高圧水の圧力を高くすると、リードフレームを変形させ
たり、吊りピンを破壊させたりして、製品の不良が発生
し、信頼性を低下させるという問題点がある。
高圧水の圧力を高くすると、リードフレームを変形させ
たり、吊りピンを破壊させたりして、製品の不良が発生
し、信頼性を低下させるという問題点がある。
本発明のリードフレームは、樹脂封止領域の周端からタ
イバーまでの間に存在するリードの側面に設けた封止樹
脂との密着性の低い物質の膜を有する。
イバーまでの間に存在するリードの側面に設けた封止樹
脂との密着性の低い物質の膜を有する。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の一実施例を示すリード
フレームの部分平面図及びＡ−Ａ’線断面図である。
フレームの部分平面図及びＡ−Ａ’線断面図である。
第１図（ａ＞、（ｂ）に示すように、従来例と同様に構
成して枠５に支持されたリード１の樹脂封止領域２の周
端とタイバー３との間の側面に、ポリイミド樹脂膜４が
塗布されてリードフレームが構成される。ここで、リー
ド１の厚さは２５０μｍ、塗布されているポリイミド樹
脂膜４の厚さは２０μｍである。
成して枠５に支持されたリード１の樹脂封止領域２の周
端とタイバー３との間の側面に、ポリイミド樹脂膜４が
塗布されてリードフレームが構成される。ここで、リー
ド１の厚さは２５０μｍ、塗布されているポリイミド樹
脂膜４の厚さは２０μｍである。
このリードフレームを用いて半導体チップを実装する場
合には、樹脂封止時に生じるダム樹脂片が、リー・ド１
の側面にポリイミド樹脂膜４を介して接することになる
が、封止樹脂とポリイミド樹脂膜４との接着力が弱いの
で、ダム樹脂片の除去を容易に行うことができる。
合には、樹脂封止時に生じるダム樹脂片が、リー・ド１
の側面にポリイミド樹脂膜４を介して接することになる
が、封止樹脂とポリイミド樹脂膜４との接着力が弱いの
で、ダム樹脂片の除去を容易に行うことができる。
ここで、ポリイミド樹脂膜４の代りに厚さ２０μｍの銀
めっき層を用いても良く、リード１の先端のボンディン
グ領域め銀めっき工程と同時に形成できる利点がある。
めっき層を用いても良く、リード１の先端のボンディン
グ領域め銀めっき工程と同時に形成できる利点がある。
以上説明したように、本発明は樹脂封止領域周端とタイ
バーとの間に存在するリードの側面に封止樹脂との密着
性の悪い物質の膜を設けることにより、樹脂封止時に生
じる樹脂片を容易に除去することができるという効果を
有する。
バーとの間に存在するリードの側面に封止樹脂との密着
性の悪い物質の膜を設けることにより、樹脂封止時に生
じる樹脂片を容易に除去することができるという効果を
有する。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の一実施例を示すリード
フレームの部分平面図及びＡ−Ａ’線断面図、第２図は
従来のリードフレームの一例を示す平面図である。 １・・・リード、２・・・樹脂封止領域、３・・・タイ
バー、４・・・ポリイミド樹脂膜、５・・・枠、６・・
・吊りビン、７・・・アイランド。
フレームの部分平面図及びＡ−Ａ’線断面図、第２図は
従来のリードフレームの一例を示す平面図である。 １・・・リード、２・・・樹脂封止領域、３・・・タイ
バー、４・・・ポリイミド樹脂膜、５・・・枠、６・・
・吊りビン、７・・・アイランド。
Claims (1)
- 樹脂封止型半導体装置用のリードフレームにおいて、
樹脂封止領域の周端からタイバーまでの間に存在するリ
ードの側面に設けた封止樹脂との密着性の低い物質の膜
を有することを特徴とするリードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29154690A JPH04164356A (ja) | 1990-10-29 | 1990-10-29 | リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29154690A JPH04164356A (ja) | 1990-10-29 | 1990-10-29 | リードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04164356A true JPH04164356A (ja) | 1992-06-10 |
Family
ID=17770314
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29154690A Pending JPH04164356A (ja) | 1990-10-29 | 1990-10-29 | リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04164356A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5821610A (en) * | 1995-01-18 | 1998-10-13 | Nec Corporation | Leadframe allowing easy removal of tie bars in a resin-sealed semiconductor device |
| DE102011086312A1 (de) | 2011-01-31 | 2012-08-02 | Mitsubishi Electric Corp. | Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung |
-
1990
- 1990-10-29 JP JP29154690A patent/JPH04164356A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5821610A (en) * | 1995-01-18 | 1998-10-13 | Nec Corporation | Leadframe allowing easy removal of tie bars in a resin-sealed semiconductor device |
| DE102011086312A1 (de) | 2011-01-31 | 2012-08-02 | Mitsubishi Electric Corp. | Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung |
| US8518751B2 (en) | 2011-01-31 | 2013-08-27 | Mitsubishi Electric Corporation | Method for manufacturing semiconductor device including removing a resin burr |
| DE102011086312B4 (de) * | 2011-01-31 | 2016-03-24 | Mitsubishi Electric Corp. | Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung |
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