JPS62166553A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置

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JPS62166553A
JPS62166553A JP837986A JP837986A JPS62166553A JP S62166553 A JPS62166553 A JP S62166553A JP 837986 A JP837986 A JP 837986A JP 837986 A JP837986 A JP 837986A JP S62166553 A JPS62166553 A JP S62166553A
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JP
Japan
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resin
oxide film
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semiconductor device
integrated circuit
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JP837986A
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Sunao Kato
直 加藤
Osamu Nakagawa
治 中川
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Mitsubishi Electric Corp
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Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
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    • H01L23/49579Lead-frames or other flat leads characterised by the materials of the lead frames or layers thereon
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、樹脂封止型半導体装置の金M部材の表向処
理に関するものである。
〔従来の技術〕
第4図は、従来の集積回路フレームを示す平面図である
。図において、■は集積回路7レーム、(2)はパッケ
ージの外形線、(3)は集積回路素子、(41は集積回
路素子(3)を載せるグイバット、(5)はリード、(
6)は集積回路素子(3)と、リード(5)を接続する
金線、(7)は樹脂の流れをせき止めるタイバである。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来の技術では、前記集積回路フレームと樹脂との接着
力にばらつきがあり、不均一なので熱ストレスによる応
力が弱い場所に集中し、クラックが発生することがある
。これが原因となり界面ひび割れ、金課切れや、クラッ
クから水分が1夛入するため停止品性等の品質が劣化す
る問題があった。
この発明は、上記のような問題点を改善するためになさ
れたもので、前記界面での接着力を向上させて均一にし
、信頼度の高い製品を得ることを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明に係る樹脂封止型半導体装置は、金属部材の表
面に酸化膜を設けたものである。
〔作用〕
この発明においては、金属部材の表面に設けられた酸化
膜は、樹脂との接着力全向上させる。
〔実施例〕
第1図は、この発明の一実施例を示す平面図であり、第
8図と同一符号は、同一のものを示す。
フレームIl+の全表面に酸化膜+811&:’に生成
したのち、グイバット(41に集積回路素子(3)ヲ接
着し、金線(6)で集積回路素子(3)とリード(6)
t−接続し、これら全樹脂で封止する。
第2図は、この発明の他の実施g4Jを示す平面図であ
り酸化膜(8)をパッケージ外形線(21で囲まれた範
1tfI 、すなわち図示しない樹脂で封止される金属
部材の部分に生成させたものである。
第3図はこの発明の他の実施例を示す平面図であり、第
1図、第2図のように表と裏と同じ艶聞に酸化膜(8)
を生成するのではなく、第2図の実施例の表側の金線を
接続する部分であるポンディングエリア(9)とグイバ
ット(4)上に集積回路素子(3)が載る部分を除いて
酸化膜(8)を生成したものである。
〔発明の効果〕
以上の様に、この発明は金属部材の表面に酸化膜を設け
て樹脂封止するようにしたので金線部材と樹脂との接着
力が増加するという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例を示す平面図。 第2図、第3図はそれぞれこの発明の他の実施例を示す
平面図、第4図は従来の樹脂封止型半導体装置に使用さ
れる金属部材を示す。 図において+11は集積回@7レーム、(2)はパッケ
ージ外形線、(3)は集積回路素子、(4)はグイバッ
ト、(5)はリード、(6)は金線、(7)はタイパ、
(8)は酸化膜である。 図中、同一符号は同一、父は相当部分?示す。 第4図 手続補正書(自発) 昭和  年  月  日 2、発明の名称 樹脂封止型半導体装置 3、補正をする者 事件との関係  特許出願人 住 所    東京都千代田区丸の内二丁目2番3号名
 称  (601)三菱電機株式会社代表者志岐守哉 4、代理人 住 所    東京都千代田区丸の内二丁目2番3号5
、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 6、補正の内容 (11明細書をつぎのとおり訂正する。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)半導体素子とこの半導体素子を載置すると共に外
    部との信号の授受を行なう金属部材と、前記半導体素子
    および金属部材を包囲する樹脂と、前記金属部材の表面
    に設けられた酸化膜とを備えたことを特徴とする樹脂封
    止型半導体装置。
  2. (2)酸化膜は、酸化シリコンであることを特徴とする
    特許請求の範囲第1項記載の樹脂封止型半導体装置。
  3. (3)酸化膜は、蒸着によつて形成されることを特徴と
    する特許請求の範囲第1項記載の樹脂封止型半導体装置
JP837986A 1986-01-18 1986-01-18 樹脂封止型半導体装置 Granted JPS62166553A (ja)

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JPS62166553A true JPS62166553A (ja) 1987-07-23
JPH0476504B2 JPH0476504B2 (ja) 1992-12-03

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ID=11691587

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