JPH0777257B2 - リードフレーム - Google Patents
リードフレームInfo
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- JPH0777257B2 JPH0777257B2 JP63279851A JP27985188A JPH0777257B2 JP H0777257 B2 JPH0777257 B2 JP H0777257B2 JP 63279851 A JP63279851 A JP 63279851A JP 27985188 A JP27985188 A JP 27985188A JP H0777257 B2 JPH0777257 B2 JP H0777257B2
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- island
- lead frame
- slits
- semiconductor chip
- slit
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8338—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/83385—Shape, e.g. interlocking features
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/35—Mechanical effects
- H01L2924/351—Thermal stress
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はリードフレームに関する。
樹脂封止型半導体装置の普及に伴い、その信頼性がます
ます重要となってきた。
ます重要となってきた。
特に大型の半導体チップのアイランドの密着性は重要問
題である。
題である。
〔従来の技術〕 第2図は従来のリードフレームの一例の平面図である。
リードフレームは、平行に離間して延在する2本のフレ
ーム枠5と、両フレーム枠と吊りリード2によって連結
せられるアイランド1aと、先端部分がアイランド1と近
接する如く囲んで設けられ、かつタイバー4の支持せら
れる複数本のリード3による銅合金の金属帯板で構成さ
れていた。
ーム枠5と、両フレーム枠と吊りリード2によって連結
せられるアイランド1aと、先端部分がアイランド1と近
接する如く囲んで設けられ、かつタイバー4の支持せら
れる複数本のリード3による銅合金の金属帯板で構成さ
れていた。
二点鎖線に示すように、ICチップ7は銀ペースをノズル
噴射したダイボンディング材のベーキングによりアイラ
ンド1に溶着された後、リード3と共に樹脂封止され
る。
噴射したダイボンディング材のベーキングによりアイラ
ンド1に溶着された後、リード3と共に樹脂封止され
る。
上述した従来のリードフレームでは、半導体チップ,リ
ードフレーム材及びダイボンディング材の各熱膨張係数
が大きく異なるため、ダイボンディング材のベーキング
などのその後の製造工程で熱が加わる場合に、熱応力が
半導体チップとリードフレーム間に生じ、半導体チップ
がアイランドから剥離することがあった。
ードフレーム材及びダイボンディング材の各熱膨張係数
が大きく異なるため、ダイボンディング材のベーキング
などのその後の製造工程で熱が加わる場合に、熱応力が
半導体チップとリードフレーム間に生じ、半導体チップ
がアイランドから剥離することがあった。
また密着性を確認する温度サイクル試験などにおいて
は、熱応力が繰返し負荷させるため半導体チップとダイ
ボンディング材間に疲労によるクラックが発生するとい
う欠点があった 本発明の目的は、半導体チップの密着性の良いアイラン
ドを有するリードフレームを提供することにある。
は、熱応力が繰返し負荷させるため半導体チップとダイ
ボンディング材間に疲労によるクラックが発生するとい
う欠点があった 本発明の目的は、半導体チップの密着性の良いアイラン
ドを有するリードフレームを提供することにある。
本発明のリードフレームは、半導体チップを載置するア
イランドの周辺を複数リードが取囲む領域を金属帯板に
連続して設けたリードフレームにおいて、前記アイラン
ドに該アイランド内をほぼ均等区分するように複数のス
リットを設けかつ該スリット内にシリコーン樹脂が充填
されて構成されている。
イランドの周辺を複数リードが取囲む領域を金属帯板に
連続して設けたリードフレームにおいて、前記アイラン
ドに該アイランド内をほぼ均等区分するように複数のス
リットを設けかつ該スリット内にシリコーン樹脂が充填
されて構成されている。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図(a)及び(b)は本発明の一実施例の平面図及
びA−A′線断面図である。
びA−A′線断面図である。
第1図(a)に示すように、リードフレームは、アイラ
ンド1に短冊型のスリット6が設けられていることが異
る点以外は第2図の従来のリードフレームと同一であ
る。
ンド1に短冊型のスリット6が設けられていることが異
る点以外は第2図の従来のリードフレームと同一であ
る。
アイランド1には、ほぼ均等分割になるように長辺方向
に六つ及び短辺方向に三つのスリット6が設けられてい
る。
に六つ及び短辺方向に三つのスリット6が設けられてい
る。
第1図(b)に示すように、ICチップ7は銀のダイボン
ディング層8を介してアイランド1の表面に溶着されて
いる。
ディング層8を介してアイランド1の表面に溶着されて
いる。
ここで、スリット6の上をICチップ7が覆っているが、
アイランド1の各区分にはスリット6によって各部での
分散変形が可能である。
アイランド1の各区分にはスリット6によって各部での
分散変形が可能である。
アイランド1の外形寸法は第2図の従来のアイランド1a
と同じ寸法であるが、スリット6により分割されている
ので、外形寸法の変形量は少なくできる。そしてアイラ
ンド1のスリット6内にシリコーン樹脂を充填してい
る。
と同じ寸法であるが、スリット6により分割されている
ので、外形寸法の変形量は少なくできる。そしてアイラ
ンド1のスリット6内にシリコーン樹脂を充填してい
る。
実際は、ICチップ7とアイランド1はダイボンディング
材の銀で溶着されているため、変形せず熱応力として半
導体チップ7とアイランド1の間に負荷されていること
になる。
材の銀で溶着されているため、変形せず熱応力として半
導体チップ7とアイランド1の間に負荷されていること
になる。
従って本発明によるリードフレームは、アイランドにシ
リコーン樹脂が充填されたスリットを設けることによっ
て熱応力を緩和できる効果がある。
リコーン樹脂が充填されたスリットを設けることによっ
て熱応力を緩和できる効果がある。
従って、モールド整形した後もスリット6内にシリコー
ン樹脂があるので樹脂封止は入り込まないため、アイラ
ンド1の変形を吸収する働きをスリット6が失なわない
という利点がある。
ン樹脂があるので樹脂封止は入り込まないため、アイラ
ンド1の変形を吸収する働きをスリット6が失なわない
という利点がある。
なおスリット内に充填する物質は弾性係数が小さく伸縮
性に富むものであればよい。
性に富むものであればよい。
以上説明したように本発明は、リードフレームのアイラ
ンド内にシリコーン樹脂を充填したスリットを設けるこ
とにより、製造工程上で加えられる熱、および樹脂封止
後に周囲環境の温度変化による半導体チップとリードフ
レーム間に発生する熱応力を低減でき、半導体チップが
アイランドから剥離しない効果がある。
ンド内にシリコーン樹脂を充填したスリットを設けるこ
とにより、製造工程上で加えられる熱、および樹脂封止
後に周囲環境の温度変化による半導体チップとリードフ
レーム間に発生する熱応力を低減でき、半導体チップが
アイランドから剥離しない効果がある。
第1図(a)及び(b)は本発明の一実施例の平面図及
びA−A′線断面図、第2図は従来のリードフレームの
一例の平面図である。 1……アイランド、2……吊リード、3……リード、4
……タイバー、5……フレーム枠、6……スリット、7
……ICチップ、8……ダイボンディング層。
びA−A′線断面図、第2図は従来のリードフレームの
一例の平面図である。 1……アイランド、2……吊リード、3……リード、4
……タイバー、5……フレーム枠、6……スリット、7
……ICチップ、8……ダイボンディング層。
Claims (1)
- 【請求項1】半導体チップを載置するアイランドの周辺
を複数リードが取り囲む領域を金属帯板に連続して設け
たリードフレームにおいて、前記アイランドに該アイラ
ンドをほぼ均等区分するように複数のスリットを設けか
つ該スリット内にシリコーン樹脂が充填されていること
を特徴とするリードフレーム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63279851A JPH0777257B2 (ja) | 1988-11-04 | 1988-11-04 | リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63279851A JPH0777257B2 (ja) | 1988-11-04 | 1988-11-04 | リードフレーム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02125651A JPH02125651A (ja) | 1990-05-14 |
JPH0777257B2 true JPH0777257B2 (ja) | 1995-08-16 |
Family
ID=17616824
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63279851A Expired - Lifetime JPH0777257B2 (ja) | 1988-11-04 | 1988-11-04 | リードフレーム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0777257B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5264730A (en) * | 1990-01-06 | 1993-11-23 | Fujitsu Limited | Resin mold package structure of integrated circuit |
EP0503769B1 (en) * | 1991-02-12 | 1998-12-23 | Matsushita Electronics Corporation | Lead frame and resin sealed semiconductor device using the same |
JPH0831559B2 (ja) * | 1991-05-17 | 1996-03-27 | 富士通株式会社 | 半導体装置 |
DE69222084T2 (de) * | 1991-05-17 | 1998-01-22 | Fujitsu Ltd | Oberflächenmontierbare Halbleiterpackung |
US5831332A (en) * | 1991-05-17 | 1998-11-03 | Fujitsu Limited | Semiconductor package for surface mounting |
JP2552158Y2 (ja) * | 1992-05-08 | 1997-10-27 | 株式会社三井ハイテック | リードフレーム |
JPH08236683A (ja) * | 1995-02-28 | 1996-09-13 | Nec Corp | リードフレーム |
JP4581301B2 (ja) * | 2001-06-29 | 2010-11-17 | ソニー株式会社 | 半導体パッケージ |
DE102014011884B4 (de) | 2014-08-13 | 2018-05-30 | Grammer Aktiengesellschaft | Fahrzeugsitz mit veränderbarer Rückenlehne |
DE102014011885B4 (de) | 2014-08-13 | 2022-11-17 | Grammer Aktiengesellschaft | Fahrzeugsitz mit veränderbarer Rückenlehne |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS525584U (ja) * | 1975-06-27 | 1977-01-14 | ||
JPS554983A (en) * | 1978-06-27 | 1980-01-14 | Nec Kyushu Ltd | Lead frame for semiconductor device |
JPS5766655A (en) * | 1980-10-09 | 1982-04-22 | Mitsubishi Electric Corp | Lead frame for semiconductor device |
JPS6042735U (ja) * | 1983-08-31 | 1985-03-26 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
JPS62137859A (ja) * | 1985-12-11 | 1987-06-20 | Nec Corp | リ−ドフレ−ム |
-
1988
- 1988-11-04 JP JP63279851A patent/JPH0777257B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH02125651A (ja) | 1990-05-14 |
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