JPH0573252B2 - - Google Patents
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- JPH0573252B2 JPH0573252B2 JP2112687A JP2112687A JPH0573252B2 JP H0573252 B2 JPH0573252 B2 JP H0573252B2 JP 2112687 A JP2112687 A JP 2112687A JP 2112687 A JP2112687 A JP 2112687A JP H0573252 B2 JPH0573252 B2 JP H0573252B2
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Description
本発明はサフアイア基板上に成長する窒化ガリ
ウム系化合物半導体の結晶性を改善した気相成長
方法に関する。
ウム系化合物半導体の結晶性を改善した気相成長
方法に関する。
従来、有機金属化合物気相成長法（以下
「MOVPE」と記す）を用いて、窒化ガリウム系
化合物半導体（AlXGa1-XＮ；Ｘ＝０を含む）薄
膜をサフアイア基板上に気相成長させることが研
究されている。 この方法は、第７図に示すような気相成長装置
を用いて実施される。その気相成長装置におい
て、石英反応管７にはマニホールド６が接続され
ており、そのマニホールド６には、NH3の供給
系統ＡとH2、N2の供給系統Ｂと、有機金属化合
物ガスのトリメチルガリウム（以下「TMG」と
記す）の供給系統Ｃと、有機金属化合物ガスのト
リメチルアルミニウム（以下「TMA」と記す）
の供給系統Ｄと、ドーピング元素を含む反応ガス
（以下単に「ドーパントガス」という）であるジ
エチル亜鉛（以下「DEZ」と記す）の供給系統
Ｅとが接続されている。また、石英反応管７の中
には、高周波加熱用グラフアイトサセプタ９が配
設されており、そのサセプタ９上にサフアイア基
板１０が載置されており、そのサフアイア基板１
０は、高周波コイル８により加熱される。各反応
ガス及びキヤリアガスは各供給系統からマニホー
ルド６で混合され、その混合ガスが石英反応管７
に導かれサフアイア基板１０に吹き付けられるこ
とによりサフアイア基板１０上にAlXGa1-XＮの
薄膜が成長する。 そして、各有機金属化合物ガスの混合比を変化
させることにより、組成比を変化させたり、亜鉛
をドープして絶縁性（Ｉ型）のAlXGa1-XＮの薄
膜を形成することができる。
「MOVPE」と記す）を用いて、窒化ガリウム系
化合物半導体（AlXGa1-XＮ；Ｘ＝０を含む）薄
膜をサフアイア基板上に気相成長させることが研
究されている。 この方法は、第７図に示すような気相成長装置
を用いて実施される。その気相成長装置におい
て、石英反応管７にはマニホールド６が接続され
ており、そのマニホールド６には、NH3の供給
系統ＡとH2、N2の供給系統Ｂと、有機金属化合
物ガスのトリメチルガリウム（以下「TMG」と
記す）の供給系統Ｃと、有機金属化合物ガスのト
リメチルアルミニウム（以下「TMA」と記す）
の供給系統Ｄと、ドーピング元素を含む反応ガス
（以下単に「ドーパントガス」という）であるジ
エチル亜鉛（以下「DEZ」と記す）の供給系統
Ｅとが接続されている。また、石英反応管７の中
には、高周波加熱用グラフアイトサセプタ９が配
設されており、そのサセプタ９上にサフアイア基
板１０が載置されており、そのサフアイア基板１
０は、高周波コイル８により加熱される。各反応
ガス及びキヤリアガスは各供給系統からマニホー
ルド６で混合され、その混合ガスが石英反応管７
に導かれサフアイア基板１０に吹き付けられるこ
とによりサフアイア基板１０上にAlXGa1-XＮの
薄膜が成長する。 そして、各有機金属化合物ガスの混合比を変化
させることにより、組成比を変化させたり、亜鉛
をドープして絶縁性（Ｉ型）のAlXGa1-XＮの薄
膜を形成することができる。
従来の成長方法はサフアイア基板の結晶成長に
関与する主面はｃ面が良いとされていた。ところ
が、サファイア基板のａ面にAlNのバツフア層
を形成し、そのバツフア層の上にAlXGa1-XＮの
薄膜を成長させると、AlXGa1-XＮの結晶性が良
くなることが判明した。 したがつて基板の供給のし易いａ面を主面とす
るサフアイアを基板にした青色の発光ダイオード
を製造することができる。
関与する主面はｃ面が良いとされていた。ところ
が、サファイア基板のａ面にAlNのバツフア層
を形成し、そのバツフア層の上にAlXGa1-XＮの
薄膜を成長させると、AlXGa1-XＮの結晶性が良
くなることが判明した。 したがつて基板の供給のし易いａ面を主面とす
るサフアイアを基板にした青色の発光ダイオード
を製造することができる。
上記問題点を解決するための発明の構成は、有
機金属化合物ガスを用いた窒化ガリウム系化合物
半導体薄膜の気相成長方法において、サフアイア
基板のａ面に窒化アルミニウムからなるバツフア
層を成長させ、そのバツフア層の上に窒化ガリウ
ム系化合物半導体（AlXGa1-XＮ；Ｘ＝０を含む）
薄膜を気相成長させたことである。
機金属化合物ガスを用いた窒化ガリウム系化合物
半導体薄膜の気相成長方法において、サフアイア
基板のａ面に窒化アルミニウムからなるバツフア
層を成長させ、そのバツフア層の上に窒化ガリウ
ム系化合物半導体（AlXGa1-XＮ；Ｘ＝０を含む）
薄膜を気相成長させたことである。
以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説明
する。第１図は気相成長装置の構成を示した断面
図である。石英反応管２１で囲われた反応室２０
では、サセプタ２２が操作棒２３に支持されてお
り、そのサセプタ２２は操作棒２３によつて位置
の調整が行われる。また、サセプタ２２の主面２
２ａには、主面２４ａの結晶面をａ面とするサフ
アイア基板２４が配設されている。尚、８は高周
波コイルであり、サフアイア基板２４を加熱する
ためのものである。 一方、反応室２０のガスの流入側には、第１反
応ガス管２５と第２反応ガス管２６とが配設され
ている。第１反応ガス管２５は第２反応ガス管２
６と同心状に、第２反応ガス管２６の内部に配設
されている。その第１反応ガス管２５は第１マニ
ホールド２７に接続され、第２反応ガス管２６は
第２マニホールド２８に接続されている。そし
て、第１マニホールド２７にはNH3の供給系統
Ｈとキヤリアガスの供給系統ＩとTMGの供給系
統ＪとTMAの供給系統Ｋとが接続され、第２マ
ニホールド２８にはキヤリアガスの供給系統Ｉと
DEZの供給系統Ｌとが接続されている。 このような装置構成により、第１反応ガス管２
５の開口部２５ａから、NH3とTMGとTMAと
H2との混合ガスが反応室２０に流出し、第２反
応ガス管２６の開口部２６ａから、DEZとH2と
の混合ガスが反応室２０に流出する。 Ｎ型のAlXGa1-XＮ薄膜を形成する場合には、
第１反応ガス管２５だけから混合ガスを流出させ
れば良く、Ｉ型のAlXGa1-XＮ薄膜を形成する場
合には、第１反応ガス管２５と第２反応ガス管２
６とからそれぞれの混合ガスを流出させれば良
い。Ｉ型のAlXGa1-XＮ薄膜を形成する場合には、
ドーパントガスであるDEZは第１反応ガス管２
５から流出する反応ガスとサフアイア基板２４の
近辺の反応室２０ａで初めて混合されることにな
る。そして、DEZはサフアイア基板２４に吹き
付けられ熱分解し、ドーパント元素は成長する
AlXGa1-XＮにドーピングされて、Ｉ型のAlX
Ga1-XＮが得られる。この場合、第１反応ガス管
２５と第２反応ガス管２６とで分離して、反応ガ
スとドーパントガスがサフアイア基板２４の付近
の反応室２５ａまで導かれるので、従来装置で生
じるガスの導入管におけるDEZとTMG又は
TMAとの反応が抑制されるため、良好なドーピ
ングが行われる。 尚、第１反応管２５及び第２反応管２６の開口
部２５ａ及び２６ａとサフアイア基板２４との間
隔は、10〜60mmに設定されるのが望ましい。ま
た、サセプタ２２の反応ガスの流れる方向Ｘに対
する傾斜角θは、45度に構成されている。このよ
うに傾斜させることにより、サセプタ２２をガス
流に対し直角に構成した場合に比べて良好な結晶
が得られた。 次にこの気相成長装置を用いて、次の如くａ面
を主面とするサフアイア基板にGaN薄膜を形成
した。 まず、有機洗浄及び熱処理により洗浄したａ面
を主面とする単結晶のサフアイア基板２４をサセ
プタ２２に装着する。次に、H2を0.3／分で、
第１反応ガス管２５及び第２反応ガス管２６から
反応室２０に流しながら温度1100℃でサフアイア
基板２４を気相エツチングした。次に温度を950
℃まで低下させて、第１反応ガス管２５からH2
を３／分、NH3を２／分、TMAを７×10-6
モル／分で供給して１分間熱処理した。この熱処
理によりAlNのバツフア層がサフアイア基板２
４の上に約0.1μｍの厚さに形成された。１分経過
した時にTMAの供給を停止して、サフアイア基
板２４の温度を970℃に保持し、第１反応ガス管
２５からH2を2.5／分、NH3を1.5／分、
TMGを1.7×10-5モル／分で60分間供給し、膜厚
約7μｍのGaN薄膜を形成した。 このようにして、形成されたGaN薄膜の表面
の顕微鏡写真を第２図に示し、フオトミネツセン
スによる発光特性を第４図に示す。 一方、ｃ面（｛0001｝）を主面とするサフアイア
基板にも、上記方法と同様にして、GaN薄膜を
成長させた。その薄膜表面の顕微鏡写真を第３図
に示し、フオトミネツセンスによる発光特性を第
５図に示す。 顕微鏡写真から分かるように、ｃ面のサフアイ
ア基板に成長させたGaN薄膜に対し、ａ面のサ
フアイア基板に成長させたGaN薄膜は、六角形
の結晶が大きく且つ多く依存し、結晶性の良い六
方晶が得られている。一方、フオトルミネツセン
ス強度による特性において、半値幅はｃ面に成長
させたものが4.6ｍeVであり、ａ面に成長させた
ものが６ｍeVとなつている。このことから、フ
オトルミネツセンス強度でみる限り、結晶性はｃ
面に成長させたものとほぼ同等である。 次にサフアイア基板のａ面にGaNを結晶成長
させて発光ダイオードを作成する方法について説
明する。 まず、有機洗浄及び熱処理により洗浄したａ面
を主面とする単結晶のサフアイア基板２４をサセ
プタ２２に装着する。次に、H2を0.3／分で、
第１反応ガス管２５及び第２反応ガス管２６から
反応室２０に流しながら温度1100℃でサフアイア
基板２４を気相をエツチングした。次に温度を
950℃まで低下させて、第１反応ガス管２５から
H2を３／分、NH3を２／分、TMAを７×
10-6モル／分で供給して１分間熱処理した。この
熱処理によりAlNのバツフア層３０が約0.1μｍの
厚さに形成された。１分経過した時にTMAの供
給を停止して、サフアイア基板２４の温度を970
℃に保持し、第１反応ガス管２５からH2を2.5
／分、NH3を1.5／分、TMGを1.7×10-5モ
ル／分で60分間供給し、膜厚約7μｍのＮ型の
GaNから成るＮ層３１を形成した。次に、その
サフアイア基板２４を反応室２０から取り出し、
ホトエツチング及びスパツタリング等により膜厚
1000Å程度のSiO2膜３２をパターン形成した。
その後、このサフアイア基板２４を洗浄後、再
度、サセプタ２２に装着し気相エツチングした
後、サフアイア基板２４の温度を970℃に保持し、
第１反応ガス管２５からは、H2を2.5／分、
NH3を1.5／分、TMGを1.7×10-5モル／分供
給し、第２反応ガス管２６からは、DEZを５×
10-6モル／分で５分間供給して、Ｉ型のGaNか
ら成るＩ層３３を膜厚1.0μｍに形成した。この
時、GaNの露出している部分は、単結晶のＩ型
のGaNが成長しＩ層３３が得られるが、SiO2膜
３２の上部には多結晶のGaNから成る導電層３
４が形成される。その後、反応室２０からサフア
イア基板２４を取り出し、Ｉ層３３と導電層３４
の上にアルミニウム電極３５，３６を蒸着し、サ
フアイア基板２４を所定の大きさにカツテイング
して発光ダイオードを形成した。この倍、電極３
５はＩ層３３の電極となり、電極３６は導電層３
４と極めて薄いSiO2膜３２を介してＮ層３１の
電極となる。そして、Ｉ層３３をＮ層３１に対し
正電位とすることにより、接合面から光が発光す
る。 また、AlXGa1-XＮ系の発光ダイオードを形成
するには、Ｎ層３１とＩ層３３とを形成する場合
に、第１反応管２５からTMAを所定割合で流せ
ば良い。例えば、第１反応ガス管２５からサフア
イア基板２４の温度を1105℃に保持し、H2を３
／分、NH3を２／分、TMAを7.2×10-6モ
ル／分、TMAGを1.7×10-5モル／分で供給し、
第２反応ガス管２６からDEZを５×10-6モル／分
で供給することにより、Ｘ＝0.3のＩ型のAlX
Ga1-XＮ系半導体薄膜が得られる。
する。第１図は気相成長装置の構成を示した断面
図である。石英反応管２１で囲われた反応室２０
では、サセプタ２２が操作棒２３に支持されてお
り、そのサセプタ２２は操作棒２３によつて位置
の調整が行われる。また、サセプタ２２の主面２
２ａには、主面２４ａの結晶面をａ面とするサフ
アイア基板２４が配設されている。尚、８は高周
波コイルであり、サフアイア基板２４を加熱する
ためのものである。 一方、反応室２０のガスの流入側には、第１反
応ガス管２５と第２反応ガス管２６とが配設され
ている。第１反応ガス管２５は第２反応ガス管２
６と同心状に、第２反応ガス管２６の内部に配設
されている。その第１反応ガス管２５は第１マニ
ホールド２７に接続され、第２反応ガス管２６は
第２マニホールド２８に接続されている。そし
て、第１マニホールド２７にはNH3の供給系統
Ｈとキヤリアガスの供給系統ＩとTMGの供給系
統ＪとTMAの供給系統Ｋとが接続され、第２マ
ニホールド２８にはキヤリアガスの供給系統Ｉと
DEZの供給系統Ｌとが接続されている。 このような装置構成により、第１反応ガス管２
５の開口部２５ａから、NH3とTMGとTMAと
H2との混合ガスが反応室２０に流出し、第２反
応ガス管２６の開口部２６ａから、DEZとH2と
の混合ガスが反応室２０に流出する。 Ｎ型のAlXGa1-XＮ薄膜を形成する場合には、
第１反応ガス管２５だけから混合ガスを流出させ
れば良く、Ｉ型のAlXGa1-XＮ薄膜を形成する場
合には、第１反応ガス管２５と第２反応ガス管２
６とからそれぞれの混合ガスを流出させれば良
い。Ｉ型のAlXGa1-XＮ薄膜を形成する場合には、
ドーパントガスであるDEZは第１反応ガス管２
５から流出する反応ガスとサフアイア基板２４の
近辺の反応室２０ａで初めて混合されることにな
る。そして、DEZはサフアイア基板２４に吹き
付けられ熱分解し、ドーパント元素は成長する
AlXGa1-XＮにドーピングされて、Ｉ型のAlX
Ga1-XＮが得られる。この場合、第１反応ガス管
２５と第２反応ガス管２６とで分離して、反応ガ
スとドーパントガスがサフアイア基板２４の付近
の反応室２５ａまで導かれるので、従来装置で生
じるガスの導入管におけるDEZとTMG又は
TMAとの反応が抑制されるため、良好なドーピ
ングが行われる。 尚、第１反応管２５及び第２反応管２６の開口
部２５ａ及び２６ａとサフアイア基板２４との間
隔は、10〜60mmに設定されるのが望ましい。ま
た、サセプタ２２の反応ガスの流れる方向Ｘに対
する傾斜角θは、45度に構成されている。このよ
うに傾斜させることにより、サセプタ２２をガス
流に対し直角に構成した場合に比べて良好な結晶
が得られた。 次にこの気相成長装置を用いて、次の如くａ面
を主面とするサフアイア基板にGaN薄膜を形成
した。 まず、有機洗浄及び熱処理により洗浄したａ面
を主面とする単結晶のサフアイア基板２４をサセ
プタ２２に装着する。次に、H2を0.3／分で、
第１反応ガス管２５及び第２反応ガス管２６から
反応室２０に流しながら温度1100℃でサフアイア
基板２４を気相エツチングした。次に温度を950
℃まで低下させて、第１反応ガス管２５からH2
を３／分、NH3を２／分、TMAを７×10-6
モル／分で供給して１分間熱処理した。この熱処
理によりAlNのバツフア層がサフアイア基板２
４の上に約0.1μｍの厚さに形成された。１分経過
した時にTMAの供給を停止して、サフアイア基
板２４の温度を970℃に保持し、第１反応ガス管
２５からH2を2.5／分、NH3を1.5／分、
TMGを1.7×10-5モル／分で60分間供給し、膜厚
約7μｍのGaN薄膜を形成した。 このようにして、形成されたGaN薄膜の表面
の顕微鏡写真を第２図に示し、フオトミネツセン
スによる発光特性を第４図に示す。 一方、ｃ面（｛0001｝）を主面とするサフアイア
基板にも、上記方法と同様にして、GaN薄膜を
成長させた。その薄膜表面の顕微鏡写真を第３図
に示し、フオトミネツセンスによる発光特性を第
５図に示す。 顕微鏡写真から分かるように、ｃ面のサフアイ
ア基板に成長させたGaN薄膜に対し、ａ面のサ
フアイア基板に成長させたGaN薄膜は、六角形
の結晶が大きく且つ多く依存し、結晶性の良い六
方晶が得られている。一方、フオトルミネツセン
ス強度による特性において、半値幅はｃ面に成長
させたものが4.6ｍeVであり、ａ面に成長させた
ものが６ｍeVとなつている。このことから、フ
オトルミネツセンス強度でみる限り、結晶性はｃ
面に成長させたものとほぼ同等である。 次にサフアイア基板のａ面にGaNを結晶成長
させて発光ダイオードを作成する方法について説
明する。 まず、有機洗浄及び熱処理により洗浄したａ面
を主面とする単結晶のサフアイア基板２４をサセ
プタ２２に装着する。次に、H2を0.3／分で、
第１反応ガス管２５及び第２反応ガス管２６から
反応室２０に流しながら温度1100℃でサフアイア
基板２４を気相をエツチングした。次に温度を
950℃まで低下させて、第１反応ガス管２５から
H2を３／分、NH3を２／分、TMAを７×
10-6モル／分で供給して１分間熱処理した。この
熱処理によりAlNのバツフア層３０が約0.1μｍの
厚さに形成された。１分経過した時にTMAの供
給を停止して、サフアイア基板２４の温度を970
℃に保持し、第１反応ガス管２５からH2を2.5
／分、NH3を1.5／分、TMGを1.7×10-5モ
ル／分で60分間供給し、膜厚約7μｍのＮ型の
GaNから成るＮ層３１を形成した。次に、その
サフアイア基板２４を反応室２０から取り出し、
ホトエツチング及びスパツタリング等により膜厚
1000Å程度のSiO2膜３２をパターン形成した。
その後、このサフアイア基板２４を洗浄後、再
度、サセプタ２２に装着し気相エツチングした
後、サフアイア基板２４の温度を970℃に保持し、
第１反応ガス管２５からは、H2を2.5／分、
NH3を1.5／分、TMGを1.7×10-5モル／分供
給し、第２反応ガス管２６からは、DEZを５×
10-6モル／分で５分間供給して、Ｉ型のGaNか
ら成るＩ層３３を膜厚1.0μｍに形成した。この
時、GaNの露出している部分は、単結晶のＩ型
のGaNが成長しＩ層３３が得られるが、SiO2膜
３２の上部には多結晶のGaNから成る導電層３
４が形成される。その後、反応室２０からサフア
イア基板２４を取り出し、Ｉ層３３と導電層３４
の上にアルミニウム電極３５，３６を蒸着し、サ
フアイア基板２４を所定の大きさにカツテイング
して発光ダイオードを形成した。この倍、電極３
５はＩ層３３の電極となり、電極３６は導電層３
４と極めて薄いSiO2膜３２を介してＮ層３１の
電極となる。そして、Ｉ層３３をＮ層３１に対し
正電位とすることにより、接合面から光が発光す
る。 また、AlXGa1-XＮ系の発光ダイオードを形成
するには、Ｎ層３１とＩ層３３とを形成する場合
に、第１反応管２５からTMAを所定割合で流せ
ば良い。例えば、第１反応ガス管２５からサフア
イア基板２４の温度を1105℃に保持し、H2を３
／分、NH3を２／分、TMAを7.2×10-6モ
ル／分、TMAGを1.7×10-5モル／分で供給し、
第２反応ガス管２６からDEZを５×10-6モル／分
で供給することにより、Ｘ＝0.3のＩ型のAlX
Ga1-XＮ系半導体薄膜が得られる。
本発明はサフアイア基板のａ面に窒化アルミニ
ウムからなるバツフア層を成長させ、そのバツフ
ア層の上に窒化ガリウム系化合物半導体（AlX
Ga1-XＮ；Ｘ＝０を含む）薄膜を気相成長さてい
るので、結晶性が良くなると共にサフアイア基板
の供給が容易となる。このため、窒化カリウム系
化合物半導体発光素子の製造が安価に行われる。
ウムからなるバツフア層を成長させ、そのバツフ
ア層の上に窒化ガリウム系化合物半導体（AlX
Ga1-XＮ；Ｘ＝０を含む）薄膜を気相成長さてい
るので、結晶性が良くなると共にサフアイア基板
の供給が容易となる。このため、窒化カリウム系
化合物半導体発光素子の製造が安価に行われる。
第１図は本発明方法を実施する一つの気相成長
装置の構成を示した構成図。第２図は主面の結晶
面をａ面とするサフアイア基板に成長させた
GaN薄膜の表面組織を示す顕微鏡写真。第３図
は主面の結晶面をｃ面とするサフアイア基板に成
長させたGaN薄膜の表面組織を示す顕微鏡写真。
第４図は主面の結晶面をａ面とするサフアイア基
板に成長させたGaN薄膜のフオトルミネツセン
ス強度特性を示した測定図。第５図は主面の結晶
面をｃ面とするサフアイア基板に成長させた
GaN薄膜のフオトルミネツセンス強度特性を示
した測定図。第６図は主面の結晶面をｃ面とする
サフアイア基板に成長させた発光ダイオードの構
成を示した構成図。第７図は従来の気相成長装置
の構成を示した構成図である。 ７……石英反応管、８……高周波コイル、９…
…サセプタ、１０……サフアイア基板、２０……
反応室、２１……石英反応管、２２……サセプ
タ、２３……制御棒、２４……サフアイア基板、
２５……第１反応ガス管、２６……第２反応ガス
管、２７……第１マニホールド、２８……第２マ
ニホールド、３０……バツフア層、３１……Ｎ
層、３２……SiO2膜、３３……Ｉ層、３４……
導電層、３５，３６……電極、Ｈ……NH3の供
給系統、Ｉ……キヤリアガスの供給系統、Ｊ……
TMGの供給系統、Ｋ……TMAの供給系統、Ｌ
……DEZの供給系統。
装置の構成を示した構成図。第２図は主面の結晶
面をａ面とするサフアイア基板に成長させた
GaN薄膜の表面組織を示す顕微鏡写真。第３図
は主面の結晶面をｃ面とするサフアイア基板に成
長させたGaN薄膜の表面組織を示す顕微鏡写真。
第４図は主面の結晶面をａ面とするサフアイア基
板に成長させたGaN薄膜のフオトルミネツセン
ス強度特性を示した測定図。第５図は主面の結晶
面をｃ面とするサフアイア基板に成長させた
GaN薄膜のフオトルミネツセンス強度特性を示
した測定図。第６図は主面の結晶面をｃ面とする
サフアイア基板に成長させた発光ダイオードの構
成を示した構成図。第７図は従来の気相成長装置
の構成を示した構成図である。 ７……石英反応管、８……高周波コイル、９…
…サセプタ、１０……サフアイア基板、２０……
反応室、２１……石英反応管、２２……サセプ
タ、２３……制御棒、２４……サフアイア基板、
２５……第１反応ガス管、２６……第２反応ガス
管、２７……第１マニホールド、２８……第２マ
ニホールド、３０……バツフア層、３１……Ｎ
層、３２……SiO2膜、３３……Ｉ層、３４……
導電層、３５，３６……電極、Ｈ……NH3の供
給系統、Ｉ……キヤリアガスの供給系統、Ｊ……
TMGの供給系統、Ｋ……TMAの供給系統、Ｌ
……DEZの供給系統。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 有機金属化合物ガスを用いた窒化ガリウム系
化合物半導体薄膜の気相成長方法において、 サフアイア基板のａ面に窒化アルミニウムから
なるバツフア層を成長させ、そのバツフア層の上
に窒化ガリウム系化合物半導体（AlXGa1-XＮ；
Ｘ＝０を含む）薄膜を気相成長させることを特徴
とする窒化ガリウム系化合物半導体薄膜の気相成
長方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62021126A JPS63188938A (ja) | 1987-01-31 | 1987-01-31 | 窒化ガリウム系化合物半導体の気相成長方法 |
| DE19883850582 DE3850582T2 (de) | 1987-01-31 | 1988-01-28 | Gallium-Nitrid Halbleiter-Lumisneszenzdiode sowie Verfahren zu deren Herstellung. |
| EP88101267A EP0277597B1 (en) | 1987-01-31 | 1988-01-28 | Gallium nitride group semiconductor light emitting diode and the process of producing the same |
| EP91113265A EP0460710B1 (en) | 1987-01-31 | 1988-01-28 | Gallium nitride group compound semiconductor and luminous element comprising it and the process of producing the same |
| DE19883852402 DE3852402T2 (de) | 1987-01-31 | 1988-01-28 | Galliumnitridartige Halbleiterverbindung und daraus bestehende lichtemittierende Vorrichtung sowie Verfahren zu deren Herstellung. |
| US07/811,899 US5218216A (en) | 1987-01-31 | 1991-12-20 | Gallium nitride group semiconductor and light emitting diode comprising it and the process of producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62021126A JPS63188938A (ja) | 1987-01-31 | 1987-01-31 | 窒化ガリウム系化合物半導体の気相成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63188938A JPS63188938A (ja) | 1988-08-04 |
| JPH0573252B2 true JPH0573252B2 (ja) | 1993-10-14 |
Family
ID=12046193
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62021126A Granted JPS63188938A (ja) | 1987-01-31 | 1987-01-31 | 窒化ガリウム系化合物半導体の気相成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63188938A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010092972A1 (ja) | 2009-02-13 | 2010-08-19 | 電気化学工業株式会社 | Ｌｅｄ発光素子用複合材料基板、その製造方法及びｌｅｄ発光素子 |
| WO2011013754A1 (ja) | 2009-07-31 | 2011-02-03 | 電気化学工業株式会社 | Ｌｅｄ搭載用ウエハとその製造方法、及びそのウエハを用いたｌｅｄ搭載構造体 |
| WO2013038964A1 (ja) | 2011-09-13 | 2013-03-21 | 電気化学工業株式会社 | Ｌｅｄ発光素子保持基板用クラッド材及びその製造方法 |
| US8934513B2 (en) | 1994-09-14 | 2015-01-13 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and manufacturing method therefor |
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| JP2623466B2 (ja) * | 1990-02-28 | 1997-06-25 | 豊田合成株式会社 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
| US6362017B1 (en) | 1990-02-28 | 2002-03-26 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting semiconductor device using gallium nitride group compound |
| CA2037198C (en) | 1990-02-28 | 1996-04-23 | Katsuhide Manabe | Light-emitting semiconductor device using gallium nitride group compound |
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| JP4595198B2 (ja) | 2000-12-15 | 2010-12-08 | ソニー株式会社 | 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法 |
| JP4649745B2 (ja) | 2001-02-01 | 2011-03-16 | ソニー株式会社 | 発光素子の転写方法 |
| JP5283293B2 (ja) | 2001-02-21 | 2013-09-04 | ソニー株式会社 | 半導体発光素子 |
| JP3690340B2 (ja) | 2001-03-06 | 2005-08-31 | ソニー株式会社 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| JP2002261327A (ja) | 2001-03-06 | 2002-09-13 | Sony Corp | 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法 |
| JP3631724B2 (ja) * | 2001-03-27 | 2005-03-23 | 日本電気株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物半導体基板およびその製造方法 |
| JP3956637B2 (ja) | 2001-04-12 | 2007-08-08 | ソニー株式会社 | 窒化物半導体の結晶成長方法及び半導体素子の形成方法 |
| JP3714188B2 (ja) | 2001-04-19 | 2005-11-09 | ソニー株式会社 | 窒化物半導体の気相成長方法及び窒化物半導体素子 |
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-
1987
- 1987-01-31 JP JP62021126A patent/JPS63188938A/ja active Granted
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|---|---|
| JPS63188938A (ja) | 1988-08-04 |
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