JPS63188977A - 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 - Google Patents
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の構造に
関する。
関する。
従来、有機金属化合物気相成長法（以下［Ｍ。
ＶＰＥＪと記す）を用いて、窒化ガリウム系化合物半導
体（Ａ １ ｘ Ｇ ａ Ｉ−ｘ Ｎ ： Ｘ＝０ ヲ
含ム） ｓｉｑをサファイア基板上に気相成長させた構
造の発光素子が研究されている。 この発光素子は第５図に示すように、サファイア基板１
の上にＮ型のＧａＮから成るＮ層２とその上に亜鉛をド
ープして形成された■型のＧａＮから成る１層３とを形
成し、１層３の上面に電極５とＮ層２の側面に電極６と
を形成したものである。
体（Ａ １ ｘ Ｇ ａ Ｉ−ｘ Ｎ ： Ｘ＝０ ヲ
含ム） ｓｉｑをサファイア基板上に気相成長させた構
造の発光素子が研究されている。 この発光素子は第５図に示すように、サファイア基板１
の上にＮ型のＧａＮから成るＮ層２とその上に亜鉛をド
ープして形成された■型のＧａＮから成る１層３とを形
成し、１層３の上面に電極５とＮ層２の側面に電極６と
を形成したものである。
【発明が解決しようとする問題点】 、このよ
うに、発光素子はサファイア基板を用いているため、電
極６の位置がＮ層２の側面になり、製造が困難であると
いう問題がある。 また、Ｎ層２の電極を１層３の電極５と同一面に形成す
る場合には、所定のパターンに蒸着された絶縁膜をマス
クにして１層を選択的に形成した後、絶縁膜を除去して
露出したＮ層に電極を形成する試みがなされている。 しかし、絶縁膜をマスクにした１層の選択成長が行い難
いという問題があり、絶縁膜上にも１層が形成されるた
め絶縁膜のみ除去することに困難性があった。 本発明は、上記の問題点を解決するために成されたもの
であり、その目的とするところは、窒化ガリウム系化合
物半導体発光素子の製造を容易にすることである。
うに、発光素子はサファイア基板を用いているため、電
極６の位置がＮ層２の側面になり、製造が困難であると
いう問題がある。 また、Ｎ層２の電極を１層３の電極５と同一面に形成す
る場合には、所定のパターンに蒸着された絶縁膜をマス
クにして１層を選択的に形成した後、絶縁膜を除去して
露出したＮ層に電極を形成する試みがなされている。 しかし、絶縁膜をマスクにした１層の選択成長が行い難
いという問題があり、絶縁膜上にも１層が形成されるた
め絶縁膜のみ除去することに困難性があった。 本発明は、上記の問題点を解決するために成されたもの
であり、その目的とするところは、窒化ガリウム系化合
物半導体発光素子の製造を容易にすることである。
上、記問題点を解決するための発明の構成は、窒化ガリ
ウム系化合物半導体発光素子において、Ｎ型の窒化ガリ
ウム系化合物半導体（ＡβｘＧａ＋−ＸＮ ； Ｘ＝Ｏ
を含む）からなるＮ層と、Ｎ１ｍの主面にパターン成形
された二酸化シリコン（Ｓ ｉ Ｏ２）薄膜と、二酸化
シリコン薄膜がパターン成形されたＮ層の上に不純物を
ドープして選択成長され、Ｎ層に接合するＩ型の窒化ガ
リウム系化合物半導体（ＡＡｘ Ｇａ＋−ｘ Ｎ ；Ｘ
＝Ｏを含む）からなる１層と、二酸化シリコン薄膜の上
に１層の成長と同時に形成された非単結晶の導電層と、
１層と導電層の表面に接合する電極層とを設けたことで
ある。
ウム系化合物半導体発光素子において、Ｎ型の窒化ガリ
ウム系化合物半導体（ＡβｘＧａ＋−ＸＮ ； Ｘ＝Ｏ
を含む）からなるＮ層と、Ｎ１ｍの主面にパターン成形
された二酸化シリコン（Ｓ ｉ Ｏ２）薄膜と、二酸化
シリコン薄膜がパターン成形されたＮ層の上に不純物を
ドープして選択成長され、Ｎ層に接合するＩ型の窒化ガ
リウム系化合物半導体（ＡＡｘ Ｇａ＋−ｘ Ｎ ；Ｘ
＝Ｏを含む）からなる１層と、二酸化シリコン薄膜の上
に１層の成長と同時に形成された非単結晶の導電層と、
１層と導電層の表面に接合する電極層とを設けたことで
ある。
Ｎ層の主面にパターン成形された二酸化シリコン薄膜を
マスクとして、■型の窒化ガリウム系化合物半導体を気
相成長させると、二酸化シリコン薄膜によりマスクされ
ていない部分、即ち、Ｎ層が露出した部分には単結晶の
Ｉ型の窒化ガリウム系化合物半導体が成長するが、二酸
化シリコン薄膜上には単結晶は成長せず多結晶又はアモ
ルファスとなることが実験により判明した。そして、こ
の二酸化シリコン薄膜上に成長した非単結晶の窒化ガリ
ウム系化合物半導体から成る層（導電層）は単結晶の１
層より導電性を示すので、二酸化シリコン薄膜を導電性
を有する程に薄く形成すれば、その導電層をＮ層に対す
るリードとすることができる。 したがって、上記のような二酸化シリコン薄膜に対する
窒化ガリウム系化合物半導体の選択成長性を利用すれば
、１層の電極とＮ層の電極を同一面に容易に形成するこ
とが出来る。
マスクとして、■型の窒化ガリウム系化合物半導体を気
相成長させると、二酸化シリコン薄膜によりマスクされ
ていない部分、即ち、Ｎ層が露出した部分には単結晶の
Ｉ型の窒化ガリウム系化合物半導体が成長するが、二酸
化シリコン薄膜上には単結晶は成長せず多結晶又はアモ
ルファスとなることが実験により判明した。そして、こ
の二酸化シリコン薄膜上に成長した非単結晶の窒化ガリ
ウム系化合物半導体から成る層（導電層）は単結晶の１
層より導電性を示すので、二酸化シリコン薄膜を導電性
を有する程に薄く形成すれば、その導電層をＮ層に対す
るリードとすることができる。 したがって、上記のような二酸化シリコン薄膜に対する
窒化ガリウム系化合物半導体の選択成長性を利用すれば
、１層の電極とＮ層の電極を同一面に容易に形成するこ
とが出来る。
以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説明する。第
１図は本発明の具体的な一実施例に係る気相成長装置の
構成を示した断面図である。石英反応管２１で囲われた
反応室２０では、サセプタ２２が摸作棒２３に支持され
ており、そのサセプタ２２は操作棒２３によって位置の
調整が行われる。また、サセプタ２２の主面にはサファ
イア基板２４が配設されている。尚、８は高周波コイル
であり、サファイア基板２４を加熱するためのものであ
る。 一方、反応室２０のガスの流入側には、第１反応ガス管
２５と第２反応ガス管２６とが配設されている。第１反
応ガス管２５は第２反応ガス管２６と同心状に、第２反
応ガス管２６の内部に配設されている。その第１反応ガ
ス管２５は第１７二ホールド２７に接続され、第２反応
ガス管２６は第２マニホールド２８に接続されている。 そして、第１７二ホールド２７にはＮ Ｈｓの゛供給系
統Ｈとキャリアガスの供給系統Ｉとトリメチルガリウム
（以下ｒＴＭＧＪと記す）の供給系統Ｊとトリメチルア
ルミニウム（以下ｒＴＭＡＪと記す）の供給系統にとが
接続され、第２マニホールド２８にはキャリアガスの供
給系統Ｉとジエチル亜鉛（以下ｒＤＥＺＪと記す）の供
給系統りとが接続されている。 このような装置構成により、第１反応ガス管２５の開口
部２５ａから、Ｎ Ｈ３とＴＭＧとＴＭＡとＮ２との混
合ガスが反応室２０に流出し、第２反応ガス管２６の開
口部２６ａから、ＤＥＺとＮ２との混合ガスが反応室２
０に流出する。 Ｎ型のＡ１，１Ｇａｔ−ＸＮ薄膜を形成する場合には、
第１反応ガス管２５だけから混合ガスを流出させれば良
く、■型のＡＡｘＧａ＋−ＸＮ薄膜を形成する場合には
、１ｇ１反応ガス管２５と第２反応ガス管２６とからそ
れぞれの混合ガスを流出させれば良い。■型のＡｊ！ｘ
Ｇａ＋−ＸＮ薄膜を形成する場合には、ドーパントガス
であるＤＥＺは第１ 。 反応ガス管２５から流出する反応ガスとサファイア基板
２４の近辺の反応室２０ａで初めて混合されることにな
る。そして、ＤＥＺはサファイア基板２４に吹き付けら
れ熱分解し、ドーパント元素は成長するＡｊ！ｘＧａ＋
−ＸＮにドーピングされて、■型のＡｊ！ｘＧａ＋−Ｘ
Ｎが得られる。この場合、第１反応ガス管２５と第２反
応ガス管２６とで分離して、反応ガスとドーパントガス
がサファイア基板２４の付近の反応室２５ａまで導かれ
るので、従来装置で生じるガスの導入管におけるＤＥＺ
とＴ Ｍ Ｇ又はＴＭＡとσ反応が抑制されるため、良
好なドーピングが行われる。 尚、サセプタ２２の反応ガスの流れる方向Ｘに対する傾
斜角θは、４５度に構成されている。このように傾斜さ
せることにより、サセプタ２２をガス流に対し直角に構
成した場合に比べて良好な結晶が得られた。 次に本装置を用いて、第２図に示す構成の発光ダイオー
ドを作成する方法を説明する。 まず、有機洗浄及び熱処理により洗浄した（０００１）
面を主面とする単結晶のサファイア基板２４をサセプタ
２２に装着する。次に、Ｒ２を０．３１２７分で、第１
反応ガス管２５及び第２反応ガス管２６から反応室２０
に流しながら温度１１００℃でサファイア基板２４を気
相エツチングした。次に温度を９５０℃まで低下させて
、第１反応ガス管２５からＲ３を３１／分、Ｎ Ｈｓを
２１／分、ＴＭＡを７Ｘ １０−’モル／分で供給して
１分間熱処理した。 この熱処理により、Ａ１１Ｈのバッファ層３０が約０．
１−の厚さに形成された。１分経過した時にＴＭＡの供
給を停止して、サファイア基板２４の温度を９７０℃に
保持し、第１反応ガス管２５からＨｌを２．５１／分、
ＮＨｓを１，５ｊ２／分、ＴＭＧを１、７Ｘ １０−’
モル／分で６０分間供給し、膜厚的７μｓのＮ型のＧａ
Ｎから成る８層３１を形成した。次に、そのサファイア
基板２４を反応室２０から取り出し、８層３１の主面に
ホトレジストを塗布して所定パターンのマスクを使って
露光した後エツチングを行って所定パターンのホトレジ
ストを得た。次に、このホトレジストをマスクにして膜
厚１００人程以下Ｓ１０．膜３２をパターン形成した。 その後、ホトレジストを除去しＳ１０□膜３２のみが・
パターン形成されたサファイア基板２４を洗浄後、再度
、サセプタ２２に装着し気相エツチングした。そして、
サファイア基板２４の温度を９７０℃に保持し、第１反
応ガス管２５からは、Ｒ２を２．５１７分、ＮＨ，を１
．５１／分、ＴＭＧを１゜７Ｘ １０−５モル／分供給
し、第２反応ガス管２６からは、ＤＥＺを５Ｘ１０−’
モル／分で５分間供給して、■型のＧａＮから成る１層
３３を膜厚１．０μｓに形成した。この時、ＧａＮの露
出している部分は、単結晶の■型のＧａＮが成長し１層
３３が得られるが、ＳｉＯ□膜３２膜上２には多結晶の
ＧａＮから成る導電Ｎ３４が形成される。その後、反応
室２０からサファイア基板２４を取り出し、１層３３と
導電層３４の上にアルミニウム電極３５．３６を蒸着し
、サファイア基板２４を所定の大きさにカッティングし
て発光ダイオードを形成した。この場合、電極３５は１
層３３の電極となり、電極３６は導電層３４と極めて薄
い８１０２膜３２を介して８層３１の電極となる。そし
て、１層３３を８層３１に対し正電位とすることにより
、接合面から光が発光する。 ８層３１の上に成長した１層３３の断面の顕微鏡写真を
第３図（ａ）に、高エネルギー電子線による反射回折法
（ＲＨＥＨＤ）の結果を示す写真を第４図（ａ）に示す
。また、５ｉＯｉ膜３２に成長した導電層３４の顕微鏡
写真を第３図（ｂ）に、Ｒ１１ＥＥ［ｌの結果を示す写
真を第４図（ｂ）に示す。これらの写真から分るように
、Ｎ型のＧａＮの上には、単結晶のＧａＮが成長してお
り、ＳｉＯ□膜の上には多結晶のＧａＮが成長している
。そして、この多結晶のＧａＮは単結晶のＩ型のＧａＮ
に比べ高い導電性を有し、導電層３４となり８層３１に
対するリードとなる。 また、Ａｊ！ｘ Ｇ’ａｔ−ｘ Ｎ系の発光ダイオード
を形成するには、８層３１と１層３３とを形成する場合
に、第１反応管２５からＴＭＡを所定割合で流せば良い
。例えば、第１反応ガス管２５からサファイア基板２４
の温度を１１０５℃に保持し、Ｈ２を３１膜分、ＮＨ，
を２ｊ２／分、ＴＭＡを７．２×１０−’％ル／分、Ｔ
ＭＧを１．７ Ｘ ＩＱ−５％ ル／分で供給し、第２
反応ガス管２６からＤＥＺを５Ｘ １０−６モル／分で
供給することより、Ｘ＝０．３の１型のＡＪ２ｘＧａｌ
−ＸＮ系半導体薄膜が得られる。
１図は本発明の具体的な一実施例に係る気相成長装置の
構成を示した断面図である。石英反応管２１で囲われた
反応室２０では、サセプタ２２が摸作棒２３に支持され
ており、そのサセプタ２２は操作棒２３によって位置の
調整が行われる。また、サセプタ２２の主面にはサファ
イア基板２４が配設されている。尚、８は高周波コイル
であり、サファイア基板２４を加熱するためのものであ
る。 一方、反応室２０のガスの流入側には、第１反応ガス管
２５と第２反応ガス管２６とが配設されている。第１反
応ガス管２５は第２反応ガス管２６と同心状に、第２反
応ガス管２６の内部に配設されている。その第１反応ガ
ス管２５は第１７二ホールド２７に接続され、第２反応
ガス管２６は第２マニホールド２８に接続されている。 そして、第１７二ホールド２７にはＮ Ｈｓの゛供給系
統Ｈとキャリアガスの供給系統Ｉとトリメチルガリウム
（以下ｒＴＭＧＪと記す）の供給系統Ｊとトリメチルア
ルミニウム（以下ｒＴＭＡＪと記す）の供給系統にとが
接続され、第２マニホールド２８にはキャリアガスの供
給系統Ｉとジエチル亜鉛（以下ｒＤＥＺＪと記す）の供
給系統りとが接続されている。 このような装置構成により、第１反応ガス管２５の開口
部２５ａから、Ｎ Ｈ３とＴＭＧとＴＭＡとＮ２との混
合ガスが反応室２０に流出し、第２反応ガス管２６の開
口部２６ａから、ＤＥＺとＮ２との混合ガスが反応室２
０に流出する。 Ｎ型のＡ１，１Ｇａｔ−ＸＮ薄膜を形成する場合には、
第１反応ガス管２５だけから混合ガスを流出させれば良
く、■型のＡＡｘＧａ＋−ＸＮ薄膜を形成する場合には
、１ｇ１反応ガス管２５と第２反応ガス管２６とからそ
れぞれの混合ガスを流出させれば良い。■型のＡｊ！ｘ
Ｇａ＋−ＸＮ薄膜を形成する場合には、ドーパントガス
であるＤＥＺは第１ 。 反応ガス管２５から流出する反応ガスとサファイア基板
２４の近辺の反応室２０ａで初めて混合されることにな
る。そして、ＤＥＺはサファイア基板２４に吹き付けら
れ熱分解し、ドーパント元素は成長するＡｊ！ｘＧａ＋
−ＸＮにドーピングされて、■型のＡｊ！ｘＧａ＋−Ｘ
Ｎが得られる。この場合、第１反応ガス管２５と第２反
応ガス管２６とで分離して、反応ガスとドーパントガス
がサファイア基板２４の付近の反応室２５ａまで導かれ
るので、従来装置で生じるガスの導入管におけるＤＥＺ
とＴ Ｍ Ｇ又はＴＭＡとσ反応が抑制されるため、良
好なドーピングが行われる。 尚、サセプタ２２の反応ガスの流れる方向Ｘに対する傾
斜角θは、４５度に構成されている。このように傾斜さ
せることにより、サセプタ２２をガス流に対し直角に構
成した場合に比べて良好な結晶が得られた。 次に本装置を用いて、第２図に示す構成の発光ダイオー
ドを作成する方法を説明する。 まず、有機洗浄及び熱処理により洗浄した（０００１）
面を主面とする単結晶のサファイア基板２４をサセプタ
２２に装着する。次に、Ｒ２を０．３１２７分で、第１
反応ガス管２５及び第２反応ガス管２６から反応室２０
に流しながら温度１１００℃でサファイア基板２４を気
相エツチングした。次に温度を９５０℃まで低下させて
、第１反応ガス管２５からＲ３を３１／分、Ｎ Ｈｓを
２１／分、ＴＭＡを７Ｘ １０−’モル／分で供給して
１分間熱処理した。 この熱処理により、Ａ１１Ｈのバッファ層３０が約０．
１−の厚さに形成された。１分経過した時にＴＭＡの供
給を停止して、サファイア基板２４の温度を９７０℃に
保持し、第１反応ガス管２５からＨｌを２．５１／分、
ＮＨｓを１，５ｊ２／分、ＴＭＧを１、７Ｘ １０−’
モル／分で６０分間供給し、膜厚的７μｓのＮ型のＧａ
Ｎから成る８層３１を形成した。次に、そのサファイア
基板２４を反応室２０から取り出し、８層３１の主面に
ホトレジストを塗布して所定パターンのマスクを使って
露光した後エツチングを行って所定パターンのホトレジ
ストを得た。次に、このホトレジストをマスクにして膜
厚１００人程以下Ｓ１０．膜３２をパターン形成した。 その後、ホトレジストを除去しＳ１０□膜３２のみが・
パターン形成されたサファイア基板２４を洗浄後、再度
、サセプタ２２に装着し気相エツチングした。そして、
サファイア基板２４の温度を９７０℃に保持し、第１反
応ガス管２５からは、Ｒ２を２．５１７分、ＮＨ，を１
．５１／分、ＴＭＧを１゜７Ｘ １０−５モル／分供給
し、第２反応ガス管２６からは、ＤＥＺを５Ｘ１０−’
モル／分で５分間供給して、■型のＧａＮから成る１層
３３を膜厚１．０μｓに形成した。この時、ＧａＮの露
出している部分は、単結晶の■型のＧａＮが成長し１層
３３が得られるが、ＳｉＯ□膜３２膜上２には多結晶の
ＧａＮから成る導電Ｎ３４が形成される。その後、反応
室２０からサファイア基板２４を取り出し、１層３３と
導電層３４の上にアルミニウム電極３５．３６を蒸着し
、サファイア基板２４を所定の大きさにカッティングし
て発光ダイオードを形成した。この場合、電極３５は１
層３３の電極となり、電極３６は導電層３４と極めて薄
い８１０２膜３２を介して８層３１の電極となる。そし
て、１層３３を８層３１に対し正電位とすることにより
、接合面から光が発光する。 ８層３１の上に成長した１層３３の断面の顕微鏡写真を
第３図（ａ）に、高エネルギー電子線による反射回折法
（ＲＨＥＨＤ）の結果を示す写真を第４図（ａ）に示す
。また、５ｉＯｉ膜３２に成長した導電層３４の顕微鏡
写真を第３図（ｂ）に、Ｒ１１ＥＥ［ｌの結果を示す写
真を第４図（ｂ）に示す。これらの写真から分るように
、Ｎ型のＧａＮの上には、単結晶のＧａＮが成長してお
り、ＳｉＯ□膜の上には多結晶のＧａＮが成長している
。そして、この多結晶のＧａＮは単結晶のＩ型のＧａＮ
に比べ高い導電性を有し、導電層３４となり８層３１に
対するリードとなる。 また、Ａｊ！ｘ Ｇ’ａｔ−ｘ Ｎ系の発光ダイオード
を形成するには、８層３１と１層３３とを形成する場合
に、第１反応管２５からＴＭＡを所定割合で流せば良い
。例えば、第１反応ガス管２５からサファイア基板２４
の温度を１１０５℃に保持し、Ｈ２を３１膜分、ＮＨ，
を２ｊ２／分、ＴＭＡを７．２×１０−’％ル／分、Ｔ
ＭＧを１．７ Ｘ ＩＱ−５％ ル／分で供給し、第２
反応ガス管２６からＤＥＺを５Ｘ １０−６モル／分で
供給することより、Ｘ＝０．３の１型のＡＪ２ｘＧａｌ
−ＸＮ系半導体薄膜が得られる。
本発明はＮ型の窒化ガリウム系化合物半導体のＮ層の主
面に二酸化シリコン薄膜をパターン成形した後、二酸化
シリコンＫＭをマスクにして１型の窒化ガリウム系化合
物半導体を選択成長させて単結晶の１層と、二酸化シリ
コン薄膜上に非単結晶の導電層を形成しているので、１
層の電極とＮ層の電極を同じ側の面に形成することがで
き発光素子の製造が簡単になるという効果を有している
。
面に二酸化シリコン薄膜をパターン成形した後、二酸化
シリコンＫＭをマスクにして１型の窒化ガリウム系化合
物半導体を選択成長させて単結晶の１層と、二酸化シリ
コン薄膜上に非単結晶の導電層を形成しているので、１
層の電極とＮ層の電極を同じ側の面に形成することがで
き発光素子の製造が簡単になるという効果を有している
。
第１図は本発明の具体的な一実施例に係る気相成長装置
の構成を示した構成図。第２図はその装置で製造される
発光ダイオードの構成を示した構成図。第３図はＮ層及
びＳ ｉ ０２ＷＸ上に成長したＧａＮの層の断面組織
を示す顕微鏡写真。第４図はＮ層及び５ｉｎ２膜上に成
長したＧａＮの層のＲＩＩ Ｅ Ｅ Ｄの結果を示す写
真。第５図は従来の発光紫子の構造を示した構成図であ
る。 ２０・°反応室 ２１・・石英反応管 ２２ サセプタ
２３°・制御棒 ２４°・サファイア基板 ２５ ′
第１反応ガス管 ２６゛第２反応ガス管 ２７−・第１
マニホールド ２８・°第２７二ホールド３０・・・バ
ッファ層 ３１ °Ｎ層 ３２ °゛Ｓ ｉ ０２膜
３３・・−・１層 ３４・・導電層 ３５．３６電極
Ｈ−Ｎ Ｈ、の供給系統 ■・−キャリアガスの供給系
統 Ｊ・・ＴＭＧの供給系統 Ｋ −Ｔ ＭΔの供給系
統 Ｌ −Ｄ Ｅ Ｚの供給系統特許出願人 豊田合
戊株式会社 同 名古屋大学長 代 理 人 弁理士 藤谷 修 第５図 手続補正書（方式） ％式％ ２、発明の名称 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 愛知県西春日井郡春日村大字落合字長畑１番地名
称 豊田合成株式会社 代表者根本工夫 ４、代理人 昭和６２年３月３１日（発送日 昭和６２年４月２８日
）６、補正の対象 ７、補正の内容 （１）明細書第１１頁第２０行目に「断面組織を示す顕
微鏡Ｊとあるを「顕微鏡による結晶の構造を示したＪと
補正する。 （２）明細書第１２頁第２行目に「の結果を示す」とあ
るを「による結晶の構造を示した」と補正する。 （３）第３図（ａ）、 （ｂ）及び第４図（ａ）、
（ｂ）を別紙の通り黒色の図面に代わる写真に補正す
る。 ８、添付書類の目録 （１）適正な図面（第３図（ａ）、 （ｂ）及び第４
図（ａ）、（ｂ）） ・・・
２通以上
の構成を示した構成図。第２図はその装置で製造される
発光ダイオードの構成を示した構成図。第３図はＮ層及
びＳ ｉ ０２ＷＸ上に成長したＧａＮの層の断面組織
を示す顕微鏡写真。第４図はＮ層及び５ｉｎ２膜上に成
長したＧａＮの層のＲＩＩ Ｅ Ｅ Ｄの結果を示す写
真。第５図は従来の発光紫子の構造を示した構成図であ
る。 ２０・°反応室 ２１・・石英反応管 ２２ サセプタ
２３°・制御棒 ２４°・サファイア基板 ２５ ′
第１反応ガス管 ２６゛第２反応ガス管 ２７−・第１
マニホールド ２８・°第２７二ホールド３０・・・バ
ッファ層 ３１ °Ｎ層 ３２ °゛Ｓ ｉ ０２膜
３３・・−・１層 ３４・・導電層 ３５．３６電極
Ｈ−Ｎ Ｈ、の供給系統 ■・−キャリアガスの供給系
統 Ｊ・・ＴＭＧの供給系統 Ｋ −Ｔ ＭΔの供給系
統 Ｌ −Ｄ Ｅ Ｚの供給系統特許出願人 豊田合
戊株式会社 同 名古屋大学長 代 理 人 弁理士 藤谷 修 第５図 手続補正書（方式） ％式％ ２、発明の名称 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 愛知県西春日井郡春日村大字落合字長畑１番地名
称 豊田合成株式会社 代表者根本工夫 ４、代理人 昭和６２年３月３１日（発送日 昭和６２年４月２８日
）６、補正の対象 ７、補正の内容 （１）明細書第１１頁第２０行目に「断面組織を示す顕
微鏡Ｊとあるを「顕微鏡による結晶の構造を示したＪと
補正する。 （２）明細書第１２頁第２行目に「の結果を示す」とあ
るを「による結晶の構造を示した」と補正する。 （３）第３図（ａ）、 （ｂ）及び第４図（ａ）、
（ｂ）を別紙の通り黒色の図面に代わる写真に補正す
る。 ８、添付書類の目録 （１）適正な図面（第３図（ａ）、 （ｂ）及び第４
図（ａ）、（ｂ）） ・・・
２通以上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体（Ａｌ＿ＸＧａ＿１
＿−＿ＸＮ；Ｘ＝０を含む）からなるＮ層と、前記Ｎ層
の主面にパターン形成された二酸化シリコン（ＳｉＯ＿
２）薄膜と、 二酸化シリコン薄膜がパターン形成されたＮ層の上に不
純物をドープして選択成長され、Ｎ層に接合するＩ型の
窒化ガリウム系化合物半導体（Ａｌ＿ＸＧａ＿１＿−＿
ＸＮ；Ｘ＝０を含む）からなるＩ層と、前記二酸化シリ
コン薄膜の上に前記Ｉ層の成長と同時に形成された非単
結晶の導電層と、 前記Ｉ層と前記導電層の表面に接合する電極層と を有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2112487A JPH079999B2 (ja) | 1987-01-31 | 1987-01-31 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
| DE19883850582 DE3850582T2 (de) | 1987-01-31 | 1988-01-28 | Gallium-Nitrid Halbleiter-Lumisneszenzdiode sowie Verfahren zu deren Herstellung. |
| EP91113265A EP0460710B1 (en) | 1987-01-31 | 1988-01-28 | Gallium nitride group compound semiconductor and luminous element comprising it and the process of producing the same |
| EP88101267A EP0277597B1 (en) | 1987-01-31 | 1988-01-28 | Gallium nitride group semiconductor light emitting diode and the process of producing the same |
| DE19883852402 DE3852402T2 (de) | 1987-01-31 | 1988-01-28 | Galliumnitridartige Halbleiterverbindung und daraus bestehende lichtemittierende Vorrichtung sowie Verfahren zu deren Herstellung. |
| US07/811,899 US5218216A (en) | 1987-01-31 | 1991-12-20 | Gallium nitride group semiconductor and light emitting diode comprising it and the process of producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2112487A JPH079999B2 (ja) | 1987-01-31 | 1987-01-31 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63188977A true JPS63188977A (ja) | 1988-08-04 |
| JPH079999B2 JPH079999B2 (ja) | 1995-02-01 |
Family
ID=12046136
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2112487A Expired - Lifetime JPH079999B2 (ja) | 1987-01-31 | 1987-01-31 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH079999B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0281483A (ja) * | 1988-09-16 | 1990-03-22 | Toyoda Gosei Co Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
| JPH02291114A (ja) * | 1989-04-29 | 1990-11-30 | Toyoda Gosei Co Ltd | 化合物半導体膜の気相成長装置 |
| US5278433A (en) * | 1990-02-28 | 1994-01-11 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting semiconductor device using gallium nitride group compound with double layer structures for the n-layer and/or the i-layer |
| US5281830A (en) * | 1990-10-27 | 1994-01-25 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting semiconductor device using gallium nitride group compound |
| US5408120A (en) * | 1992-07-23 | 1995-04-18 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting device of gallium nitride compound semiconductor |
| US5733796A (en) * | 1990-02-28 | 1998-03-31 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting semiconductor device using gallium nitride group compound |
| US6362017B1 (en) | 1990-02-28 | 2002-03-26 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting semiconductor device using gallium nitride group compound |
| US6726506B2 (en) | 2001-02-22 | 2004-04-27 | J.S.T. Mfg. Co., Ltd. | Fuse holder |
| US6830992B1 (en) | 1990-02-28 | 2004-12-14 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for manufacturing a gallium nitride group compound semiconductor |
| US6996150B1 (en) | 1994-09-14 | 2006-02-07 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and manufacturing method therefor |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6016758A (ja) * | 1983-07-08 | 1985-01-28 | Canon Inc | 密着型イメ−ジセンサ |
| JPS6138875A (ja) * | 1984-07-26 | 1986-02-24 | ヒルテイ・アクチエンゲゼルシヤフト | 固定具駆動装置 |
-
1987
- 1987-01-31 JP JP2112487A patent/JPH079999B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6016758A (ja) * | 1983-07-08 | 1985-01-28 | Canon Inc | 密着型イメ−ジセンサ |
| JPS6138875A (ja) * | 1984-07-26 | 1986-02-24 | ヒルテイ・アクチエンゲゼルシヤフト | 固定具駆動装置 |
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0281483A (ja) * | 1988-09-16 | 1990-03-22 | Toyoda Gosei Co Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
| JPH02291114A (ja) * | 1989-04-29 | 1990-11-30 | Toyoda Gosei Co Ltd | 化合物半導体膜の気相成長装置 |
| US6607595B1 (en) | 1990-02-28 | 2003-08-19 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for producing a light-emitting semiconductor device |
| US5278433A (en) * | 1990-02-28 | 1994-01-11 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting semiconductor device using gallium nitride group compound with double layer structures for the n-layer and/or the i-layer |
| US6984536B2 (en) | 1990-02-28 | 2006-01-10 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for manufacturing a gallium nitride group compound semiconductor |
| US5733796A (en) * | 1990-02-28 | 1998-03-31 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting semiconductor device using gallium nitride group compound |
| US6830992B1 (en) | 1990-02-28 | 2004-12-14 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for manufacturing a gallium nitride group compound semiconductor |
| US6249012B1 (en) | 1990-02-28 | 2001-06-19 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light emitting semiconductor device using gallium nitride group compound |
| US6362017B1 (en) | 1990-02-28 | 2002-03-26 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting semiconductor device using gallium nitride group compound |
| US6472689B1 (en) | 1990-02-28 | 2002-10-29 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light emitting device |
| US6472690B1 (en) | 1990-02-28 | 2002-10-29 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Gallium nitride group compound semiconductor |
| US6593599B1 (en) | 1990-02-28 | 2003-07-15 | Japan Science And Technology Corporation | Light-emitting semiconductor device using gallium nitride group compound |
| US5281830A (en) * | 1990-10-27 | 1994-01-25 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting semiconductor device using gallium nitride group compound |
| USRE36747E (en) * | 1992-07-23 | 2000-06-27 | Toyoda Gosei Co., Ltd | Light-emitting device of gallium nitride compound semiconductor |
| US5408120A (en) * | 1992-07-23 | 1995-04-18 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting device of gallium nitride compound semiconductor |
| US6996150B1 (en) | 1994-09-14 | 2006-02-07 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and manufacturing method therefor |
| US8934513B2 (en) | 1994-09-14 | 2015-01-13 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and manufacturing method therefor |
| US6726506B2 (en) | 2001-02-22 | 2004-04-27 | J.S.T. Mfg. Co., Ltd. | Fuse holder |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH079999B2 (ja) | 1995-02-01 |
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