JPH0547043A - 光メモリ - Google Patents

光メモリ

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JPH0547043A
JPH0547043A JP3200327A JP20032791A JPH0547043A JP H0547043 A JPH0547043 A JP H0547043A JP 3200327 A JP3200327 A JP 3200327A JP 20032791 A JP20032791 A JP 20032791A JP H0547043 A JPH0547043 A JP H0547043A
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groove
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Michinobu Saegusa
理伸 三枝
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善照 村上
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Abstract

(57)【要約】 【構成】 光メモリ１５の透明基板１に形成されたグル
ーブ２の幅が0.３μｍ〜0.４μｍに、グルーブ２の深さ
が８０ｎｍ〜１００ｎｍに設定されると共に、ランド３
の角部における幅方向の減少量の最大許容量が0.２μｍ
に設定されている。 【効果】 トラックピッチを約1.４μｍに設定した場合
においても、正確にアクセスを行うことのできる十分な
強度を有するトラッククロス信号が得られると共に、ラ
ンド３における反射率の低下を防ぐ。したがって、Ｃ／
Ｎを確保しながら、記録密度の向上を図る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ガイドトラックを有
し、光学的に情報の記録、再生、または消去が行われる
光メモリに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、光学的に情報の記録、再生、また
は消去が行われる光メモリが開発されている。光メモリ
は、例えば、円盤状、あるいはカード状の基板表面に記
録材料膜を形成してなるものである。上記基板が円盤状
である場合、グルーブを螺旋状、もしくは同心円状にあ
らかじめ形成することにより、上記基板には、このグル
ーブと、各グルーブ間に形成されるランドとによって、
凹凸のトラックが形成されている。情報を記録、または
再生する際に光メモリに照射される光スポットは、この
トラックに追従するように制御される。
【０００３】上記光メモリの基板を作製するには、図８
に示す工程で作製されるスタンパ２５が用いられる。ま
ず、図８（ａ）に示す基板２０の表面に、図８（ｂ）に
示すように、フォトレジスト２１を塗布する。次に、図
８（ｃ）に示すように、上記フォトレジスト２１の所定
領域に、アルゴンレーザ光２２を照射して記録を行った
後、図８（ｄ）に示すように、上記フォトレジスト２１
の現像を行う。続いて、図８（ｅ）に示すように、スパ
ッタ法等によりニッケル膜２３を成膜し、図８（ｆ）に
示すように、電鋳によりニッケル層２４を形成する。そ
の後、図８（ｇ）に示すように、基板２０から剥離する
ことによって、凹凸の転写されたスタンパ２５が得られ
る。光メモリの基板は、上記スタンパ２５を用いる射出
成型によって作製される。
【０００４】次に、光メモリとしての光ディスク３１の
トラックに沿って、光をスポット状に集光する光ピック
アップの構成を、図９に基づいて説明する。この光ディ
スク３１は、上記スタンパ２５を用いて作製された基板
３０の表面に記録材料膜３９が形成されてなるものであ
る。
【０００５】光源としての半導体レーザ２６から出射さ
れた光は、成形プリズム２７及び第１のハーフプリズム
２８を通り、対物レンズ２９によって、光ディスク３１
の記録材料膜３９に集光される。そして、この光ディス
ク３１からの反射光は、第１のハーフプリズム２８で反
射され、第２のハーフプリズム３２に入射される。この
第２のハーフプリズム３２において、入射された光は、
スポットレンズ３６に向かう光と、偏光ビームスプリッ
タ３３に向かう光とに分離される。
【０００６】上記スポットレンズ３６に入射された光
は、円筒レンズ３７を介して、４分割光検出器３８によ
って受光される。この４分割光検出器３８において、ト
ラックの中心に対して左右の信号の差を検出することに
より、光スポットがトラック中心からどれだけ外れてい
るかを表すトラック誤差信号が生成される。
【０００７】また、光スポットはトラックを横切る際、
トラックによって回折をうけるため、反射光の光量が変
化する。そこで、上記４分割光検出器３８における４個
の検出器の和信号を取ることにより、トラッククロス信
号が生成される。すなわち、トラッククロス信号は、光
スポットがトラックを横切る際の反射光量の変化を表す
ものである。光ピックアップを所望のトラックへ移動
（アクセス）するとき、このトラッククロス信号の波形
の個数をカウントすることにより、光スポットが何トラ
ック横切ったかが検出され、光ピックアップの位置決め
が行われる。
【０００８】一方、偏光ビームスプリッタ３３に入射さ
れた光は、さらに分離され、それぞれ光検出器３４・３
５によって受光されて、その他各種信号が生成される。
【０００９】図１０（ａ）（ｂ）に、トラッククロス信
号と、プッシュプル信号（トラック誤差信号）との関係
の一例を示す。図１０（ａ）は、上記光ピックアップ
が、ある方向にトラックを横切るときのプッシュプル信
号を示し、図１０（ｂ）は、そのときのトラッククロス
信号を示すものである。
【００１０】トラッククロス信号とプッシュプル信号と
は、９０度位相がずれており、図１０（ａ）（ｂ）で
は、トラッククロス信号がプッシュプル信号よりも９０
度遅れている。このトラッククロス信号とプッシュプル
信号との位相のずれは、光ピックアップの移動方向によ
って異なる。もし、光ピックアップが逆の方向に移動す
ると、トラッククロス信号とプッシュプル信号との位相
関係は逆になり、トラッククロス信号がプッシュプル信
号よりも９０度進むことになる。したがって、トラック
クロス信号とプッシュプル信号との位相関係を検出する
ことにより、上記光ピックアップの移動方向を検出する
ことができ、光ピックアップが所望のトラックにアクセ
スするときの助けとなる。
【００１１】このようにして得られるトラッククロス信
号及びトラック誤差信号は、トラックを構成するグルー
ブの幅、深さ、及びトラックピッチ等のトラックの構成
パラメータにより大きな変化を受ける。また、トラック
の反射率は高いほど、信号のＣ／Ｎが良くなるので、反
射率は高いほど良いとされている。
【００１２】また、光メモリは、記録容量を増加させる
ために、記録密度を高める必要がある。光メモリの記録
密度を高める方法としては、トラック方向に沿って密度
を上げると共に、トラックピッチを狭小化することが有
効である。しかしながら、トラックピッチの狭小化を図
る場合には、トラックの構成パラメータが変化すること
により、トラックから得られる各信号も大きく変化す
る。したがって、上記各信号、及び反射率等を適性な値
として得るためには、上記トラックの構成パラメータを
どのように設計するかが重要である。
【００１３】図１１は、光メモリにおけるトラックピッ
チを約1.６μｍとして、グルーブ幅及びグルーブ深さを
それぞれ変化させて、得られるトラッククロス信号の強
度を測定した結果を示すものである。尚、このとき使用
した対物レンズの開口数ＮＡは0.５５、照射したレーザ
光の波長は８３０ｎｍとし、トラッククロス信号の強度
は、グルーブがない部分の反射率で規格化した。
【００１４】図１１からわかるように、グルーブ幅が0.
３〜0.４μｍのとき、トラッククロス信号は最大とな
り、またグルーブ深さが７０〜１００ｎｍの範囲では、
グルーブが深いほど大きくなる。トラッククロス信号の
値がどれだけあれば十分であるかはシステムによって異
なり、一概に判断できないが、一応の目安として0.２程
度とすると、ほぼ７０ｎｍ以上の深さがあれば良いこと
になる。したがって、トラックピッチが約1.６μｍの場
合に形成するグルーブの形状としては、幅0.３５μｍ程
度、深さ７０ｎｍ程度あれば良いことがわかる。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のよう
な形状のグルーブを、トラックピッチを狭くして作製す
ると、図１１に示すような結果は得られないことが予想
される。
【００１６】トラックの構成パラメータの設計について
は、文献「プッシュプル・トラッキングサーボ方式にお
けるプリグルーブとプリピット形状の最適設計：光メモ
リシンポジウム '９０ p.11」に記載されている。しか
し、この文献には、トラックピッチが1.６μｍの場合に
ついては記載されているが、トラックピッチを狭小化す
る場合のトラックの構成パラメータの設計については記
載されていない。
【００１７】また、トラックの形状については、文献
「Optical pregroove dimensions :design considerati
ons :APPLIED OPTICS 15 November 1985/Vol.25,No.22
p.4031」、特開昭５８−１００２４８号公報、特開昭５
８−１０２３４７号公報、特開昭５８−１０２３３８号
公報、特開昭５９−３８９４３号公報、特開昭５９−３
８９４４号公報、特開昭５９−１１５５１号公報、及び
実開昭５８−１６５７９４号公報に記載されているが、
これらの中でもトラックピッチの問題については触れら
れていない。
【００１８】一方、トラックピッチを狭小化した場合に
ついては、文献「Magneto-opticaldisk by contact pri
nting method :SPIE Vol.1078 Optical DataStrage Top
ical Meeting (1989) p.204 」及び「ガラス基板を用い
た高密度光磁気ディスク：精密光学会昭和６３年度関西
地方定期学術講演会論文集 p.107」に記載されている。
しかしながら、これらの文献では、トラックの構成パラ
メータの最適化を行っていないため、トラックピッチを
狭小化した際に、トラッククロス信号が低下し、適性な
アクセスが行えなくなるという問題が生じている。
【００１９】また、光メモリを射出成型するためのスタ
ンパ２５を作製する工程（図８参照）で用いられるアル
ゴンレーザ光２２の光スポットの強度分布は、通常ガウ
シャン分布、あるいはそれに近似した分布、つまり、光
スポットの中心から外周に向かって光の強度が連続的に
減少し、特に光スポットの周縁部では緩やかに減少する
強度分布となっている。
【００２０】したがって、このような強度分布を有する
アルゴンレーザ光２２を用いて記録を行うと、基板２０
上のフォトレジスト２１は、その角部が丸みを帯びた状
態となる。その結果、作製されたスタンパ２５を用い射
出成型された光メモリの基板も、ランドの角部が、アル
ゴンレーザ光２２の強度分布に応じて丸くなる現象が生
じる。
【００２１】このように、ランドの角部が丸みを帯びて
減少した光メモリに対して、情報の記録、あるいは再生
を行う際、光ピックアップから光スポットを照射する
と、上記光メモリのトラックから得られる反射率が低下
し、信号品質も悪化するという問題も生じている。
【００２２】本発明は、上記問題点に鑑みなされたもの
であり、その目的は、トラックピッチを狭小化しても適
性なトラッククロス信号及び反射率が得られる最適なト
ラック形状を求め、記録密度の向上を図ることにある。
【００２３】
【課題を解決するための手段】本発明の光メモリは、上
記課題を解決するために、基板に交互に配列されたグル
ーブとランドとからなる凹凸のトラックを有し、このト
ラックに沿って光が照射される光メモリにおいて、上記
グルーブの幅が0.３μｍ〜0.４μｍに、グルーブの深さ
が８０ｎｍ〜１００ｎｍに設定されると共に、上記ラン
ドの角部における幅方向の減少量の最大許容量が0.２μ
ｍに設定されていることを特徴としている。
【００２４】
【作用】上記のように、グルーブの幅を0.３μｍ〜0.４
μｍに、グルーブの深さを８０ｎｍ〜１００ｎｍに設定
することにより、トラックピッチを約1.４μｍとした場
合でも、正確なアクセスを行うために十分な強度を有す
るトラッククロス信号を得ることができ、また、ランド
の角部における幅方向の減少量の最大許容量を0.２μｍ
とすることにより、ランドにおける反射率の低下を防
ぎ、適性な信号品質を得る。
【００２５】
【実施例】本発明の一実施例について図１ないし図７に
基づいて説明すれば、以下の通りである。
【００２６】図２に示すように、本実施例の光メモリ１
５には、例えば、ポリカーボネイト樹脂、あるいはアモ
ルファスポリオレフィン樹脂等からなる透明基板１の表
面に、グルーブ２が螺旋状もしくは同心円状にあらかじ
め設けられている。また、本実施例においては、各グル
ーブ２間の凸部（以下、ランド３と称する）を記録トラ
ックとして使用している。トラックピッチ７は、１つの
グルーブ２の幅とランド３の幅とを合わせたものを示
し、本実施例においては、約1.４μｍに設定されてい
る。
【００２７】上記のような形状の光メモリ１５におい
て、図示しない光源から出射されたレーザ光４は、対物
レンズ５によって、光スポット６としてランド３に集光
される。尚、グルーブ２を記録トラックとして用いるこ
とも可能であるが、その場合には、光スポット６はグル
ーブ２に照射されるので、後述のグルーブ２とランド３
との関係を逆にして考えるとよい。
【００２８】上記透明基板１を作製するには、例えば、
図３に示すような工程で作製されるスタンパ１４が用い
られる。まず、図３（ａ）に示すような石英基板８の表
面に、図３（ｂ）に示すように、フォトレジスト９を塗
布する。次に、図３（ｃ）に示すように、上記フォトレ
ジスト９の所定領域にアルゴンレーザ光１０を照射し、
記録を行う。
【００２９】続いて、図３（ｄ）に示すように、上記フ
ォトレジスト９の現像を行った後、図３（ｅ）に示すよ
うに、上記フォトレジスト９で覆われていない石英基板
８が露出した部分を、四フッ化炭素〔ＣＦ4 〕ガスを用
いるドライエッチングによりエッチングし、石英基板８
に直接グルーブ１１を形成する。この工程により、後述
するように、透明基板１に形成されるランド３の角部が
丸みを帯びる現象を抑制することができる。
【００３０】その後、図３（ｆ）に示すように、上記石
英基板８上のフォトレジスト９を除去し、図３（ｇ）に
示すように、石英基板８の表面にスパッタ法等によりニ
ッケル膜１２を成膜する。さらに、図３（ｈ）に示すよ
うに、電鋳によって、ニッケル層１３を形成した後、図
３（ｉ）に示すように、石英基板８から剥離すると、凹
凸の転写されたスタンパ１４が得られる。このスタンパ
１４を用いて、射出成型を行うことにより、図２に示す
透明基板１が作製される。
【００３１】また、透明基板１の表面には、光学的に情
報の記録、再生、あるいは消去を行うための記録材料層
（図示せず）が設けられている。このような記録材料と
しては、例えば、光磁気効果を利用した光磁気記録材
料、結晶アモルファスの相変化を利用した相変化材料、
記録エネルギーによる穴開けを利用した追記型材料、あ
るいはフォトクロミック効果を利用した記録材料等があ
る。
【００３２】上記光メモリ１５上に光スポット６を集光
する対物レンズ５の開口数ＮＡは約0.５〜0.５５に設定
されており、光メモリ１５に照射されるレーザ光４の波
長は７８０〜８３０ｎｍ程度に設定されている。対物レ
ンズ５の開口数ＮＡが、あまり大きくなると、対物レン
ズ５が重く大きくなると共に、透明基板１や対物レンズ
５自体の傾きに弱くなり、光メモリ１５のトラックに光
スポット６を正確に追従させるためには、システムのよ
り高い機械精度が必要となる。したがって、システムの
製造コストがより高価なものとなる。
【００３３】一方、レーザ光４の波長は、短いほど高密
度記録に適しているが、そのためには、大型のガスレー
ザや、高価で入手し難い半導体レーザが必要となる。し
かし、上記したような対物レンズ５の開口数ＮＡ及びレ
ーザ光４の波長の設定であれば、小型で安価な半導体レ
ーザや対物レンズ５が使用可能であり、両者とも容易に
入手することができくるので、全体として安価なシステ
ムを構成できる。
【００３４】次に、トラックピッチを約1.４μｍとし
て、グルーブ幅及びグルーブ深さの異なる光メモリを、
それぞれ作製し、各光メモリから得られるトラッククロ
ス信号の強度を測定した結果を図４に示す。
【００３５】図４において、横軸はグルーブの幅であ
り、縦軸は、グルーブのない部分の反射率で規格化した
トラッククロス信号の強度である。図４から明らかなよ
うに、グルーブ幅が0.３μｍ〜0.４μｍのとき、トラッ
ククロス信号は最大となる。また、前記従来のトラック
ピッチが約1.６μｍの場合に得られたトラッククロス信
号の強度（図１１参照）と比較すると、トラックピッチ
が約1.４μｍの場合には、全体的にトラッククロス信号
の強度が大幅に低下していることがわかる。
【００３６】特に、トラックピッチが約1.４μｍ、グル
ーブの深さが７０ｎｍの場合には、トラッククロス信号
の強度は最大でも0.１２程度であり、正確なアクセスを
行うためのトラッククロス信号の強度としては不十分で
ある。
【００３７】したがって、トラックピッチが約1.４μｍ
の場合に十分な強度のトラッククロス信号を得るために
は、トラックピッチが約1.６μｍの場合と同様の形状で
グルーブを形成しても適当ではなく、グルーブの深さを
８０ｎｍより深く、より好ましくは８０〜１００ｎｍの
間に設定しなければならない。
【００３８】このような結果は、前述のいずれの刊行物
にも記載されていないので、この結果が、トラックピッ
チを約1.４μｍとする際の新規な設計指針である。した
がって、光メモリにグルーブを形成する上で、この新規
な設計指針に基づいて、トラックの構成パラメータを設
定することにより、トラックピッチを約1.４μｍとした
場合においても、良好なトラッククロス信号を得ること
ができる。
【００３９】また、コンパクトディスク、あるいはビデ
オディスク等においては、トラックピッチを通常、1.６
μｍに設定する場合が多いが、ここで、トラックピッチ
を約1.４μｍと設定することにより、トラック密度が１
４％程度増加し、それに伴って記録密度が向上する。
【００４０】次に、グルーブ幅を約0.３５μｍ、トラッ
クピッチを約1.４μｍとして、異なる深さのグルーブを
有する光メモリを、図３に示す工程で作製されたスタン
パ１４を用いてそれぞれ作製し、各々反射率を測定した
結果を図５に示す。図中実線は、ランドの反射率（Ａ）
を示し、図中点線は、グルーブの反射率（Ｃ）を示すも
のである。
【００４１】また、グルーブ幅を約0.３５μｍ、トラッ
クピッチを約1.４μｍ、グルーブ深さを約８５ｎｍとし
て、前記従来の図８に示す工程によって得られたスタン
パ２５を用いて光メモリを作製した。図中○は、この従
来の光メモリにおけるランドの反射率（Ｂ）を測定した
結果を示し、図中●は、グルーブの反射率（Ｄ）を測定
した結果を示す。
【００４２】トラッククロス信号の振幅は、上記ランド
及びグルーブの反射率の差と相関関係がある。図５から
わかるように、本実施例の光メモリと従来の光メモリと
では、ランドとグルーブとの反射率の差が、両者とも0.
２程度である。即ち、トラッククロス信号の振幅には、
あまり大きな差異がない。しかし、ランドの反射率の値
は、グルーブ深さが８５ｎｍのとき、従来のものは0.７
程度であるのに対し、本実施例では0.８程度と大きく上
昇している。したがって、前記したように、反射率が高
いほど良好なＣ／Ｎが得られることから、信号品質が向
上する。
【００４３】また、図６は、グルーブの幅と深さとを変
化させたときの、Ｃ／Ｎの値を示すものである。ここ
で、記録媒体としては、図７に示すように、基板１上に
ＡｌＮ１６、ＤｙＦｅＣｏ１７、ＡｌＮ１８、Ａｌ１９
の膜を順に設けた４層構造の光磁気媒体を用いた。それ
ぞれの膜厚は、８０ｎｍ、２０ｎｍ、２０ｎｍ、３０ｎ
ｍであり、ＤｙＦｅＣｏ１７は、Ｄｙ23.5（Ｆｅ78Ｃｏ
22）76.5の組成をもつアモルファス合金であって、それ
ぞれの膜はすべて、スパッタ法により成膜した。
【００４４】図６からわかるように、グルーブの深さが
浅く、また幅が狭いほど（即ち、ランドの幅が広いほ
ど）Ｃ／Ｎは良くなっているが、前述のように、グルー
ブの深さを８０〜１００ｎｍに設定しても十分なＣ／Ｎ
が得られている。
【００４５】図１（ａ）は、本実施例の光メモリのグル
ーブの断面形状をＳＴＭ（走査型トンネル顕微鏡）を用
いて測定したものである。また、図１（ｂ）は、従来の
光メモリの断面形状をＳＴＭにより測定したものであ
る。
【００４６】ここで、図１（ｂ）に示すように、ランド
の角部における減少量を、グルーブの断面を形作る斜辺
の延長線及びランドの断面における頂辺の延長線の交点
Ｘと、上記頂辺及び角部の接点Ｙとの距離ｄと定義す
る。従来の光メモリの角部における減少量ｄは約0.２μ
ｍであるが、本実施例の光メモリにおいては、このよう
なランドの角部の減少は、ほとんどないことがわかる。
【００４７】このようなランドの角部に減りが生じる原
因は前記したように、スタンパを作製する際に用いられ
るアルゴンレーザ光の強度分布にある。したがって、図
３に示すように、石英基板８に直接凹凸を形成した後、
この石英基板８を基にしてスタンパ１４を作製し、スタ
ンパ１４を用いて射出成型することにより得られた光メ
モリの基板は、図１（ａ）に示すようにランドの角部に
おける減りがほどんど生じていなかった。
【００４８】この結果、ランドの反射率をできるだけ高
くし、良好なＣ／Ｎを得るためには、上記光メモリのラ
ンドの角部における幅方向の減少量の最大許容量を0.２
μｍとする必要があることがわかった。
【００４９】以上のように、光メモリのグルーブ幅を0.
３μｍ〜0.４μｍに、グルーブ深さを８０ｎｍ〜１００
ｎｍに設定することにより、トラックピッチを約1.４μ
ｍに設定した場合においても、正確なアクセスを行うた
めに十分な強度のトラッククロス信号を得ることができ
る。さらに、光メモリ基板のランドの角部における幅方
向の減少量の最大許容量を0.２μｍとすることにより、
上記ランドにおける反射率の低下を防ぐことができる。
以上の結果、本発明の光メモリは、良好なＣ／Ｎを確保
しながら、記録密度の向上を図ることができる。
【００５０】
【発明の効果】本発明の光メモリは、以上のように、グ
ルーブの幅が0.３μｍ〜0.４μｍに、グルーブの深さが
８０ｎｍ〜１００ｎｍに設定されると共に、ランドの角
部における幅方向の減少量の最大許容量が0.２μｍに設
定されている構成である。
【００５１】それゆえ、トラックピッチを約1.４μｍに
狭小化した場合においても、正確なアクセスを行うため
に十分な強度のトラッククロス信号を得ることができる
と共に、ランドにおける反射率の低下を防くことができ
るので、良好なＣ／Ｎを確保しながら、記録密度の向上
を図ることができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は、本発明の光メモリにおける基板の断
面形状を示す説明図、（ｂ）は、従来の光メモリにおけ
る基板の断面形状を示す説明図である。
【図２】図１（ａ）の光メモリを示す要部斜視図であ
る。
【図３】図１（ａ）の光メモリを作製するために用いら
れるスタンパの製造工程を示す模式図である。
【図４】トラックピッチが約1.４μｍのときのグルーブ
幅及びグルーブ深さと、得られるトラッククロス信号と
の関係を示すグラフである。
【図５】ランド及びグルーブにおける反射率と、グルー
ブ深さとの関係を示すグラフである。
【図６】グルーブ幅及びグルーブ深さと、Ｃ／Ｎとの関
係を示すグラフである。
【図７】図６のグラフを作成するために用いられた光メ
モリの要部断面図である。
【図８】従来の光メモリを作製するために用いられるス
タンパの製造工程を示す模式図である。
【図９】光ピックアップの構成を示す模式図である。
【図１０】図８の光ピックアップによって得られた
（ａ）はプッシュプル信号、（ｂ）はトラッククロス信
号を示すグラフである。
【図１１】トラックピッチが約1.６μｍのときのグルー
ブ幅及びグルーブ深さと、トラッククロス信号の強度と
の関係を示すグラフである。
【符号の説明】
１ 透明基板（基板） ２ グルーブ ３ ランド ４ レーザ光 １５ 光メモリ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 三枝 理伸 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ヤープ株式会社内 (72)発明者 村上 善照 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ヤープ株式会社内

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】基板に交互に配列されたグルーブとランド
    とからなる凹凸のトラックを有し、このトラックに沿っ
    て光が照射される光メモリにおいて、 上記グルーブの幅が0.３μｍ〜0.４μｍに、グルーブの
    深さが８０ｎｍ〜１００ｎｍに設定されると共に、上記
    ランドの角部における幅方向の減少量の最大許容量が0.
    ２μｍに設定されていることを特徴とする光メモリ。
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