JPH05283664A - 固体回路放射線検出器の製造方法 - Google Patents
固体回路放射線検出器の製造方法Info
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 19
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims description 11
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 84
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 72
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 61
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 61
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 36
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 30
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 24
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 23
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 85
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 23
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 19
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 claims description 18
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims description 15
- 238000001393 microlithography Methods 0.000 claims description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 12
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 10
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 9
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 abstract description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 8
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 4
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 4
- UBXAKNTVXQMEAG-UHFFFAOYSA-L strontium sulfate Chemical compound [Sr+2].[O-]S([O-])(=O)=O UBXAKNTVXQMEAG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 4
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N aqua regia Chemical compound Cl.O[N+]([O-])=O QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 3
- 230000009021 linear effect Effects 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- DNYQQHLXYPAEMP-UHFFFAOYSA-N [I].[Cs] Chemical compound [I].[Cs] DNYQQHLXYPAEMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N alumanylidynesilicon Chemical compound [Al].[Si] CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 150000001844 chromium Chemical class 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 238000002601 radiography Methods 0.000 description 2
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 2
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 241000465531 Annea Species 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 206010070834 Sensitisation Diseases 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 1
- HUVSVEZKLBFKTA-UHFFFAOYSA-N [Ca].[W] Chemical compound [Ca].[W] HUVSVEZKLBFKTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Se].[Se].[In] Chemical compound [Cu].[Se].[Se].[In] KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MCVAAHQLXUXWLC-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[S-2].[Gd+3].[Gd+3] Chemical compound [O-2].[O-2].[S-2].[Gd+3].[Gd+3] MCVAAHQLXUXWLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 150000001350 alkyl halides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 229940079593 drug Drugs 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- UPIZSELIQBYSMU-UHFFFAOYSA-N lanthanum;sulfur monoxide Chemical compound [La].S=O UPIZSELIQBYSMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002386 leaching Methods 0.000 description 1
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000008313 sensitization Effects 0.000 description 1
- SBEQWOXEGHQIMW-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si].[Si] SBEQWOXEGHQIMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
- H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
- H01L21/822—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being a semiconductor, using silicon technology
- H01L21/8222—Bipolar technology
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14618—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14658—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
- H01L27/14663—Indirect radiation imagers, e.g. using luminescent members
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- H—ELECTRICITY
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14692—Thin film technologies, e.g. amorphous, poly, micro- or nanocrystalline silicon
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/942—Masking
- Y10S438/945—Special, e.g. metal
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- Materials Engineering (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、Ｘ線等の放射線を検知する固体回
路放射線検出器の製造方法を提供することを目的とす
る。 【構成】 アレーの個々の画素が薄膜トランジスタに電
気的に接続している光感知装置を含む画素（ピクセル）
を構成する固体回路放射線検出器アレーを製造する方法
において、基板上にシリコン基材料の層を１層以上堆積
させ、その上に金属層を堆積させ、金属層の特定域を除
去してその下のシリコン基材料層の領域を露出させるこ
とにより、金属層領域のアレーを形成し、金属層領域の
アレーをマスクとして用い、シリコン基材料層の特定域
を除去するように構成する。
路放射線検出器の製造方法を提供することを目的とす
る。 【構成】 アレーの個々の画素が薄膜トランジスタに電
気的に接続している光感知装置を含む画素（ピクセル）
を構成する固体回路放射線検出器アレーを製造する方法
において、基板上にシリコン基材料の層を１層以上堆積
させ、その上に金属層を堆積させ、金属層の特定域を除
去してその下のシリコン基材料層の領域を露出させるこ
とにより、金属層領域のアレーを形成し、金属層領域の
アレーをマスクとして用い、シリコン基材料層の特定域
を除去するように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｘ線を検知する検出器
に関し、更に詳しくはそのような検出器の製造方法に関
する。
に関し、更に詳しくはそのような検出器の製造方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】放射線医学の分野において、Ｘ線フィル
ムに代わるものとして、Ｘ線増感材、ビデオカメラ、デ
ィスプレー、および非フィルム検出器を用いる試みがな
されてきた。このようなシステムの一つは、シンチレー
ション結晶によりＸ線を可視光線に変換する方法を採用
している（"Digital Slot Radiography Based on a Lin
ear X-Ray Image Intensifier and Two-Dimensional Im
age Sensors," Beerlage, Levels, and Mulder, SPIE V
ol. 626 Medicine, XIV/PACS IV 161-169 (1986)）。そ
の後、光電検出器を用いて、可視光線の強度に対応した
電気信号を発生させる方法が行われている。この検出器
からの電気信号をデジタルデータに変換し、これを記憶
装置に記憶させたり、陰極線管等により電気的に表示さ
せたりする。
ムに代わるものとして、Ｘ線増感材、ビデオカメラ、デ
ィスプレー、および非フィルム検出器を用いる試みがな
されてきた。このようなシステムの一つは、シンチレー
ション結晶によりＸ線を可視光線に変換する方法を採用
している（"Digital Slot Radiography Based on a Lin
ear X-Ray Image Intensifier and Two-Dimensional Im
age Sensors," Beerlage, Levels, and Mulder, SPIE V
ol. 626 Medicine, XIV/PACS IV 161-169 (1986)）。そ
の後、光電検出器を用いて、可視光線の強度に対応した
電気信号を発生させる方法が行われている。この検出器
からの電気信号をデジタルデータに変換し、これを記憶
装置に記憶させたり、陰極線管等により電気的に表示さ
せたりする。
【０００３】固体回路検出器はＸ線天文学においても用
いられてきた。そのような検出システムの一つが、"Mul
ti-Element Self-Scanned Mosaic Sensors," Weimer et
al.IEEE Spectrum, March 1969, pages 52-65 で報告
されている。これは、光によって電子／正孔対を生成す
るフォトダイオードのマトリクスから成るアレーを用い
たシステムであった。
いられてきた。そのような検出システムの一つが、"Mul
ti-Element Self-Scanned Mosaic Sensors," Weimer et
al.IEEE Spectrum, March 1969, pages 52-65 で報告
されている。これは、光によって電子／正孔対を生成す
るフォトダイオードのマトリクスから成るアレーを用い
たシステムであった。
【０００４】Catchpole らの米国特許第4,675,739 号に
は、光感知素子で構成した固体回路入射光感知アレーが
記載されている。個々の光感知素子は、バック・ツウ・
バック・ダイオード（back-two-back-diodes) （一つは
光応答性ダイオード、他はブロッキングダイオード）を
備えている。個々のダイオードには、その電極で構成さ
れたキャパシタンスが付随している。あるキャパシター
に残留している電荷の大きさを感知し、この値から、光
感知ダイオードに照射された入射光線の強度を検出す
る。更に、この種のリニアなフォトダイオードアレーに
おいては、スキャニングタイムが非常に長いため、リア
ルタイムの読み出しが実際上不可能である。また、２次
元画像を得るには、リニアフォトダイオードアレーを移
動させなければならない。
は、光感知素子で構成した固体回路入射光感知アレーが
記載されている。個々の光感知素子は、バック・ツウ・
バック・ダイオード（back-two-back-diodes) （一つは
光応答性ダイオード、他はブロッキングダイオード）を
備えている。個々のダイオードには、その電極で構成さ
れたキャパシタンスが付随している。あるキャパシター
に残留している電荷の大きさを感知し、この値から、光
感知ダイオードに照射された入射光線の強度を検出す
る。更に、この種のリニアなフォトダイオードアレーに
おいては、スキャニングタイムが非常に長いため、リア
ルタイムの読み出しが実際上不可能である。また、２次
元画像を得るには、リニアフォトダイオードアレーを移
動させなければならない。
【０００５】上記とは別に、電荷結合素子（charge-cou
pled device)を用いた固体回路感知アレーがある。電荷
結合素子は、比較的導電性のある半導体材料の層を電極
を含む層から絶縁体で分離して２次元画像感知アレーに
してある。しかし、現在製造可能な電荷結合素子の大き
さは、１インチ四方よりも小さい寸法に過ぎない。アレ
ーの寸法をこれよりも大きくすると、アレー内の１列中
に幾つかは不良素子が存在する可能性があるため、電荷
の伝達に問題が生ずる。アレー内の１つの列に不良素子
が存在すると、アレー内のその列を電荷が伝達されなく
なる。
pled device)を用いた固体回路感知アレーがある。電荷
結合素子は、比較的導電性のある半導体材料の層を電極
を含む層から絶縁体で分離して２次元画像感知アレーに
してある。しかし、現在製造可能な電荷結合素子の大き
さは、１インチ四方よりも小さい寸法に過ぎない。アレ
ーの寸法をこれよりも大きくすると、アレー内の１列中
に幾つかは不良素子が存在する可能性があるため、電荷
の伝達に問題が生ずる。アレー内の１つの列に不良素子
が存在すると、アレー内のその列を電荷が伝達されなく
なる。
【０００６】Nishiki らの米国特許第4,689,487 号に
は、大面積の固体回路検出器（４０ｃｍ×４０ｃｍ）が
記載されている。この固体回路検出器には、２０００個
×２０００個のマトリクスとして画素（ピクセル）が配
置されている。個々の画素は、フォトダイオードがキャ
パシターに並列に導電接続されており、更に両者が金属
酸化物半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）に
導電接続されている。このフォトダイオードはポリシリ
コンまたはアモルファスシリコンで形成されている。
は、大面積の固体回路検出器（４０ｃｍ×４０ｃｍ）が
記載されている。この固体回路検出器には、２０００個
×２０００個のマトリクスとして画素（ピクセル）が配
置されている。個々の画素は、フォトダイオードがキャ
パシターに並列に導電接続されており、更に両者が金属
酸化物半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）に
導電接続されている。このフォトダイオードはポリシリ
コンまたはアモルファスシリコンで形成されている。
【０００７】Bergerらの米国特許第4,810,881 号には、
３６ｃｍ×４３ｃｍのアモルファスシリコン製検出器が
記載されている。この検出器の個々の画素は、アモルフ
ァスシリコンダイオードがキャパシターに直列に導電接
続されており、更に両者がアモルファスシリコン上の接
合型電界効果トランジスタのドレインに導電接続されて
いる。
３６ｃｍ×４３ｃｍのアモルファスシリコン製検出器が
記載されている。この検出器の個々の画素は、アモルフ
ァスシリコンダイオードがキャパシターに直列に導電接
続されており、更に両者がアモルファスシリコン上の接
合型電界効果トランジスタのドレインに導電接続されて
いる。
【０００８】大面積の固体回路検出器を作製する製造プ
ロセスにおいては、微細リソグラフィーのためのマスキ
ング工程が多数行われており、その良否が検出素子の良
品歩留りにとって、したがって素子の実用性にとって決
定的な役割を演ずる。フォトダイオードと薄膜トランジ
スタ（ＴＦＴ:Thin Film Transistor)とを用いた固体回
路検出器の作製には、微細リソグラフィー（マイクロリ
ソグラフィー）のためのマスキング工程を何回も行う必
要がある。例えば、ＤＲＡＭ（Dynamic RandomAccess M
emory）の製造には１６回、液晶表示装置の製造には９
〜１０回のマスキング工程が必要である。１回のマスキ
ング工程の歩留りをＹ、マスキング工程数をｎとする
と、作製されるデバイスの歩留りＹはＹn に比例する。
デバイスの歩留りは、下記式で定義することもできる。
ロセスにおいては、微細リソグラフィーのためのマスキ
ング工程が多数行われており、その良否が検出素子の良
品歩留りにとって、したがって素子の実用性にとって決
定的な役割を演ずる。フォトダイオードと薄膜トランジ
スタ（ＴＦＴ:Thin Film Transistor)とを用いた固体回
路検出器の作製には、微細リソグラフィー（マイクロリ
ソグラフィー）のためのマスキング工程を何回も行う必
要がある。例えば、ＤＲＡＭ（Dynamic RandomAccess M
emory）の製造には１６回、液晶表示装置の製造には９
〜１０回のマスキング工程が必要である。１回のマスキ
ング工程の歩留りをＹ、マスキング工程数をｎとする
と、作製されるデバイスの歩留りＹはＹn に比例する。
デバイスの歩留りは、下記式で定義することもできる。
【０００９】
【数１】 ここでＡはチップ面積であり、Ｄは１cm2 当たりの不良
個数で表した不良密度ある。微細リソグラフィー工程の
回数が多くなると不良個数が増加し、面積が大きくなる
と歩留りが低くなる。（参照："Principles of CMOS VL
SI Design, NeilWeste, and Kamran Eshraghian, Addis
on-Wesley Publishing Co., pg. 156）個々の画素は例
えば８５μｍ×８５μｍと面積が小さいので、マスキン
グ時のアラインメント（位置合わせ）は正確にする必要
がある。簡単にマスクのミスアラインメント（位置合わ
せ不良）が起こりデバイス内の短絡を生ずる。
個数で表した不良密度ある。微細リソグラフィー工程の
回数が多くなると不良個数が増加し、面積が大きくなる
と歩留りが低くなる。（参照："Principles of CMOS VL
SI Design, NeilWeste, and Kamran Eshraghian, Addis
on-Wesley Publishing Co., pg. 156）個々の画素は例
えば８５μｍ×８５μｍと面積が小さいので、マスキン
グ時のアラインメント（位置合わせ）は正確にする必要
がある。簡単にマスクのミスアラインメント（位置合わ
せ不良）が起こりデバイス内の短絡を生ずる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題および課題を解決するた
めの手段】本発明は、薄膜固体回路検出器のアレーを製
造する方法を提供することを目的とする。本発明の方法
は、基板上にシリコン基材料の層を１層以上堆積させる
工程を含む。そしてこのシリコン基材料の層上に金属層
を堆積させる。この金属層の特定域を除去してシリコン
基材料層の特定域を露出させることにより、金属層領域
のアレーを作製する。そして、この金属層領域をマスク
として用い、シリコン基材料の特定域を除去して感知装
置のアレーを形成することにより、シリコン基材料層と
金属層とのアラインメントを自動的に行う。
めの手段】本発明は、薄膜固体回路検出器のアレーを製
造する方法を提供することを目的とする。本発明の方法
は、基板上にシリコン基材料の層を１層以上堆積させる
工程を含む。そしてこのシリコン基材料の層上に金属層
を堆積させる。この金属層の特定域を除去してシリコン
基材料層の特定域を露出させることにより、金属層領域
のアレーを作製する。そして、この金属層領域をマスク
として用い、シリコン基材料の特定域を除去して感知装
置のアレーを形成することにより、シリコン基材料層と
金属層とのアラインメントを自動的に行う。
【００１１】
【作用】本発明によれば、薄膜放射線検出器を製造する
際に、微細リソグラフィー工程の回数を著しく少なくす
ることができる。本発明の方法においては、基板上にシ
リコン基材料の層を１層以上堆積させる。シリコン基材
料とは、アモルファスシリコン、ポリシリコン、単結晶
シリコン、またはシリコン合金の意味である。シリコン
合金とは、窒化シリコン、酸化シリコン、炭化シリコン
等のような合金類を含む。次に、上記シリコン基材料の
層上に金属層を堆積させる。次に、この金属層の特定域
を除去してシリコン基材料層の特定域を露出させる。そ
して金属層をマスクとして用い、シリコン基材料層の特
定域を除去することにより、本発明の感知装置を形成す
る。
際に、微細リソグラフィー工程の回数を著しく少なくす
ることができる。本発明の方法においては、基板上にシ
リコン基材料の層を１層以上堆積させる。シリコン基材
料とは、アモルファスシリコン、ポリシリコン、単結晶
シリコン、またはシリコン合金の意味である。シリコン
合金とは、窒化シリコン、酸化シリコン、炭化シリコン
等のような合金類を含む。次に、上記シリコン基材料の
層上に金属層を堆積させる。次に、この金属層の特定域
を除去してシリコン基材料層の特定域を露出させる。そ
して金属層をマスクとして用い、シリコン基材料層の特
定域を除去することにより、本発明の感知装置を形成す
る。
【００１２】
【実施例】本発明の方法は、図１に示したような、例え
ば１４インチ×１７インチの大面積の検出域を持つＸ線
感知検出器１２を形成するのに特に有用である。検出器
１２は、発光層１４と、アモルファスシリコンのショト
キーバリアダイオード、アモルファスシリコンのｐ−ｉ
−ｎダイオードもしくはアモルファスシリコンの光伝導
体のアレー層１６または発光層１４を必要としないアモ
ルファスセレンを備えた直接Ｘ線感知装置のアレー層１
６と、ポリシリコンまたは単結晶シリコンのシリコン薄
膜トランジスタ（ＴＦＴ）のアレー層１８とを含む。こ
の検出器は、リアルタイム読み出し回路系２０をも備え
ている。発光層１４は入射Ｘ線を対応する可視光線に変
換する。アレー１６は、発光層１４からの光の強度に対
応した電気信号を生成する。アレー１６で生じた電流
は、アレー１８の各ＴＦＴの対応する電極に供給され
る。
ば１４インチ×１７インチの大面積の検出域を持つＸ線
感知検出器１２を形成するのに特に有用である。検出器
１２は、発光層１４と、アモルファスシリコンのショト
キーバリアダイオード、アモルファスシリコンのｐ−ｉ
−ｎダイオードもしくはアモルファスシリコンの光伝導
体のアレー層１６または発光層１４を必要としないアモ
ルファスセレンを備えた直接Ｘ線感知装置のアレー層１
６と、ポリシリコンまたは単結晶シリコンのシリコン薄
膜トランジスタ（ＴＦＴ）のアレー層１８とを含む。こ
の検出器は、リアルタイム読み出し回路系２０をも備え
ている。発光層１４は入射Ｘ線を対応する可視光線に変
換する。アレー１６は、発光層１４からの光の強度に対
応した電気信号を生成する。アレー１６で生じた電流
は、アレー１８の各ＴＦＴの対応する電極に供給され
る。
【００１３】このようなアレーを構成する画素の典型的
な面積は８５μｍ×８５μｍである。各ＴＦＴ内および
アレー１６内の種々の層同士のアラインメントおよびＴ
ＦＴに対するアレー１６のアラインメントは、十分な解
像度の画像を生成する実用に耐えるデバイスには必須で
ある。デバイス内の不良画素が多くなるほど、画像の解
像度が低くなる。また、個々の画素内の層同士のアライ
ンメントが確保されることにより、個々の画素内の作用
面積は従来法で作製された画素内の作用面積よりも大き
くなる。従来法で用いられていた一連の微細リソグラフ
ィー工程では、アライメントの問題を低減するために、
上層を下層に対して順次小さくしていた。本発明の方法
では層同士のアラインメントが上記のように自動的に達
成されるので、個々の画素の作用面積を従来よりも大き
くできる。
な面積は８５μｍ×８５μｍである。各ＴＦＴ内および
アレー１６内の種々の層同士のアラインメントおよびＴ
ＦＴに対するアレー１６のアラインメントは、十分な解
像度の画像を生成する実用に耐えるデバイスには必須で
ある。デバイス内の不良画素が多くなるほど、画像の解
像度が低くなる。また、個々の画素内の層同士のアライ
ンメントが確保されることにより、個々の画素内の作用
面積は従来法で作製された画素内の作用面積よりも大き
くなる。従来法で用いられていた一連の微細リソグラフ
ィー工程では、アライメントの問題を低減するために、
上層を下層に対して順次小さくしていた。本発明の方法
では層同士のアラインメントが上記のように自動的に達
成されるので、個々の画素の作用面積を従来よりも大き
くできる。
【００１４】図１の感知装置を製造するための本発明に
よる手順の一例を図２〜１３に示す。まず、図２に示し
たように、被覆されたシリコンウェハ基板２４上に、ク
ロムのような金属を堆積させて層２２を形成する。基板
としては、ガラス、ＳｉＯ2、石英等を用いることもで
きる。このクロムの堆積は、スパッタ法により約１００
ｎｍ〜３００ｎｍの厚さに行う。他の金属、例えばタン
タルやモリブデンを、厚さ１００ｎｍ〜３００ｎｍに堆
積させてもよい。他の金属をＥビーム（電子ビーム）蒸
着法あるいは熱抵抗蒸着法により堆積させてもよい。金
属層２２上に、ｎ型ドープアモルファスシリコン（ｎ+
−ａ−Ｓｉ：Ｈ）の層２６を厚さ５０ｎｍに堆積させ
る。このｎ+ −ａ−Ｓｉ：Ｈは、プラズマＣＶＤ法（Ｐ
ＥＣＶＤ：plasma-enhanced chemical vapor depositio
n)により堆積させることが望ましい。これ以外の方法、
例えば低圧ＣＶＤ法（ＬＰＣＶＤ：low pressure chemi
calvapor deposition）、電子サイクロトロン共鳴ＣＶ
Ｄ法（ＥＣＲＣＶＤ：electron cyclotron resonance c
hemcal vapor deposition)、あるいは水素・アルゴン雰
囲気中でのシリコンターゲットのスパッタリングを用い
ることもできる。次にｎ+ −ａ−Ｓｉ：Ｈ層２６上にフ
ォトレジスト層２８をスピンコートした後、通常の微細
リソグラフィー法により、図３に示したように基板２４
上にドレイン領域３０およびソース領域３２を形成す
る。この微細リソグラフィー工程により、図示しないソ
ース電極・ドレイン電極および各コンタクトパッドも形
成する。
よる手順の一例を図２〜１３に示す。まず、図２に示し
たように、被覆されたシリコンウェハ基板２４上に、ク
ロムのような金属を堆積させて層２２を形成する。基板
としては、ガラス、ＳｉＯ2、石英等を用いることもで
きる。このクロムの堆積は、スパッタ法により約１００
ｎｍ〜３００ｎｍの厚さに行う。他の金属、例えばタン
タルやモリブデンを、厚さ１００ｎｍ〜３００ｎｍに堆
積させてもよい。他の金属をＥビーム（電子ビーム）蒸
着法あるいは熱抵抗蒸着法により堆積させてもよい。金
属層２２上に、ｎ型ドープアモルファスシリコン（ｎ+
−ａ−Ｓｉ：Ｈ）の層２６を厚さ５０ｎｍに堆積させ
る。このｎ+ −ａ−Ｓｉ：Ｈは、プラズマＣＶＤ法（Ｐ
ＥＣＶＤ：plasma-enhanced chemical vapor depositio
n)により堆積させることが望ましい。これ以外の方法、
例えば低圧ＣＶＤ法（ＬＰＣＶＤ：low pressure chemi
calvapor deposition）、電子サイクロトロン共鳴ＣＶ
Ｄ法（ＥＣＲＣＶＤ：electron cyclotron resonance c
hemcal vapor deposition)、あるいは水素・アルゴン雰
囲気中でのシリコンターゲットのスパッタリングを用い
ることもできる。次にｎ+ −ａ−Ｓｉ：Ｈ層２６上にフ
ォトレジスト層２８をスピンコートした後、通常の微細
リソグラフィー法により、図３に示したように基板２４
上にドレイン領域３０およびソース領域３２を形成す
る。この微細リソグラフィー工程により、図示しないソ
ース電極・ドレイン電極および各コンタクトパッドも形
成する。
【００１５】次に図４に示したように、上記形成された
ドレイン・ソース領域３０および３２上に、ＰＥＣＶＤ
により厚さ１００ｎｍ〜５００ｎｍのアンドープアモル
ファスシリコン層３４（ａ−Ｓｉ：Ｈ）を堆積させる。
このアンドープアモルファスシリコン層３４上に、厚さ
２００ｎｍのＳｉＮｘの誘電体層３６を堆積させる。Ｓ
ｉＮｘの堆積はＰＥＣＶＤを用いて行う。誘電体層３６
はＳｉＯｘまたはＳｉＮｘ／ＳｉＯｘまたはＴａ2 Ｏ5
であってもよく、ＬＰＣＶＤ、ＥＣＲＣＶＤまたはスパ
ッタリングによって形成してもよい。誘電体層３６上
に、厚さ１００ｎｍの白金の層３８を通常のスパッタ法
により堆積させる。他の金属、例えばタンタル、モリブ
デンまたはタングステンを厚さ１００ｎｍ〜３００ｎｍ
に形成してもよい。次に、積み重ねられた層３４、３
６、３８に窒素雰囲気中で６００℃で１５時間の炉内ア
ニールを行って各シリコン層を結晶化させると共に層３
６の誘電特性を向上させる。このアニールは、急速熱処
理（ラピッドサーマルアニール、rapid thermal annea
l）によりアルゴンまたは窒素のような不活性雰囲気中
で６００〜７００℃で３〜１５分行ってもよい。任意
に、Ｅビーム（電子ビーム）アニールあるいはレーザア
ニールを用いることもできる。
ドレイン・ソース領域３０および３２上に、ＰＥＣＶＤ
により厚さ１００ｎｍ〜５００ｎｍのアンドープアモル
ファスシリコン層３４（ａ−Ｓｉ：Ｈ）を堆積させる。
このアンドープアモルファスシリコン層３４上に、厚さ
２００ｎｍのＳｉＮｘの誘電体層３６を堆積させる。Ｓ
ｉＮｘの堆積はＰＥＣＶＤを用いて行う。誘電体層３６
はＳｉＯｘまたはＳｉＮｘ／ＳｉＯｘまたはＴａ2 Ｏ5
であってもよく、ＬＰＣＶＤ、ＥＣＲＣＶＤまたはスパ
ッタリングによって形成してもよい。誘電体層３６上
に、厚さ１００ｎｍの白金の層３８を通常のスパッタ法
により堆積させる。他の金属、例えばタンタル、モリブ
デンまたはタングステンを厚さ１００ｎｍ〜３００ｎｍ
に形成してもよい。次に、積み重ねられた層３４、３
６、３８に窒素雰囲気中で６００℃で１５時間の炉内ア
ニールを行って各シリコン層を結晶化させると共に層３
６の誘電特性を向上させる。このアニールは、急速熱処
理（ラピッドサーマルアニール、rapid thermal annea
l）によりアルゴンまたは窒素のような不活性雰囲気中
で６００〜７００℃で３〜１５分行ってもよい。任意
に、Ｅビーム（電子ビーム）アニールあるいはレーザア
ニールを用いることもできる。
【００１６】次に、白金層３８上にフォトレジスト層３
７をスピンコートし、通常の微細リソグラフィー法によ
り白金層３８内にパターンを形成し、層３８の特定域を
除去する。特定域の除去は、アルゴン雰囲気中でのスパ
ッタエッチによって行うことが望ましい。層３８および
層３７の残留部分は、図５に最も良く表されているよう
に、誘電体層３６およびアモルファスシリコン層３４の
特定域を除去する際のマスクになる。層３４および３６
の特定域を除去した後、層３８上にあるフォトレジスト
層３７を除去する。層３８をマスクとして用いたことに
より、図６から明らかなように、層３４、３６および３
８のアラインメントが自動的になされている。
７をスピンコートし、通常の微細リソグラフィー法によ
り白金層３８内にパターンを形成し、層３８の特定域を
除去する。特定域の除去は、アルゴン雰囲気中でのスパ
ッタエッチによって行うことが望ましい。層３８および
層３７の残留部分は、図５に最も良く表されているよう
に、誘電体層３６およびアモルファスシリコン層３４の
特定域を除去する際のマスクになる。層３４および３６
の特定域を除去した後、層３８上にあるフォトレジスト
層３７を除去する。層３８をマスクとして用いたことに
より、図６から明らかなように、層３４、３６および３
８のアラインメントが自動的になされている。
【００１７】フォトダイオードを作製するのに先立っ
て、図７に示したように絶縁層４０を堆積させ、層３
４、３６および３８、およびドレイン・ソース領域を絶
縁する。絶縁層４０は、厚さ２００ｎｍのＳｉＮｘの第
１層と、厚さ２００ｎｍのＳｉＯｘの第２層と、厚さ２
００ｎｍのＳｉＮｘの第３層とを含む３層構造とするこ
とが望ましい。絶縁層の厚さは４００ｎｍ〜８００ｎｍ
の範囲でよい。
て、図７に示したように絶縁層４０を堆積させ、層３
４、３６および３８、およびドレイン・ソース領域を絶
縁する。絶縁層４０は、厚さ２００ｎｍのＳｉＮｘの第
１層と、厚さ２００ｎｍのＳｉＯｘの第２層と、厚さ２
００ｎｍのＳｉＮｘの第３層とを含む３層構造とするこ
とが望ましい。絶縁層の厚さは４００ｎｍ〜８００ｎｍ
の範囲でよい。
【００１８】次に、絶縁層４０上にフォトレジスト層４
２を堆積させた後、微細リソグラフィーによるマスキン
グ工程により、図８に示したように各ＴＦＴ上にビアホ
ール（via hole) を開口させる。このビアホールは後で
各ＴＦＴをアレーと導電接続させるために用いられる。
次に、図９に示したように、ＴＦＴ３９上にフォトダイ
オード４１を形成する。厚さ１００ｎｍのクロム層４２
をスパッタにより堆積させる。次に、ＰＥＣＶＤにより
厚さ５０ｎｍのｎ型ドープアモルファスシリコン層４４
（ａ−Ｓｉ：Ｈ）を堆積させる。次に、層４４上に厚さ
４００ｎｍ〜５００ｎｍのアンドープアモルファスシリ
コン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）層４６を堆積させる。その次に、
望ましくは公知のスパッタエッチ法を用いて、層４６上
に厚さ１５ｎｍの白金層４８を堆積させ、フォトダイオ
ード４１を構成する各層を完成させる。
２を堆積させた後、微細リソグラフィーによるマスキン
グ工程により、図８に示したように各ＴＦＴ上にビアホ
ール（via hole) を開口させる。このビアホールは後で
各ＴＦＴをアレーと導電接続させるために用いられる。
次に、図９に示したように、ＴＦＴ３９上にフォトダイ
オード４１を形成する。厚さ１００ｎｍのクロム層４２
をスパッタにより堆積させる。次に、ＰＥＣＶＤにより
厚さ５０ｎｍのｎ型ドープアモルファスシリコン層４４
（ａ−Ｓｉ：Ｈ）を堆積させる。次に、層４４上に厚さ
４００ｎｍ〜５００ｎｍのアンドープアモルファスシリ
コン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）層４６を堆積させる。その次に、
望ましくは公知のスパッタエッチ法を用いて、層４６上
に厚さ１５ｎｍの白金層４８を堆積させ、フォトダイオ
ード４１を構成する各層を完成させる。
【００１９】次に、白金層上にフォトレジスト層４９を
スピンコートした後、微細リソグラフィー法により白金
層をパターニングしてＴＦＴ３９上方以外の部分を除去
する。この状態は図１０に最もよく表されている。次
に、白金層４８の残留部分をマスクとして層４２、４
４、４６の特定域を除去すると、図１１に示したフォト
ダイオード４１が得られる。白金層４８の残留部分をマ
スクとして用いたことにより、白金層下方にある層４
２、４４、４６残留部分と白金層とのアラインメントが
自動的に行われる。既に説明したように、従来技術では
各層の堆積工程間に多数回の微細リソグラフィー工程を
行う必要があった。多数回の微細リソグラフィー工程を
行うと、各層のマスキング毎に正確なアラインメントが
必要であった。しかし、いくら正確にアラインメントを
するといっても、最上層の白金層４８と最下層の電極層
４２との間で若干のミスアラインメントが生ずるといっ
た不良は避けられず、デバイス内での短絡発生の原因に
なる。
スピンコートした後、微細リソグラフィー法により白金
層をパターニングしてＴＦＴ３９上方以外の部分を除去
する。この状態は図１０に最もよく表されている。次
に、白金層４８の残留部分をマスクとして層４２、４
４、４６の特定域を除去すると、図１１に示したフォト
ダイオード４１が得られる。白金層４８の残留部分をマ
スクとして用いたことにより、白金層下方にある層４
２、４４、４６残留部分と白金層とのアラインメントが
自動的に行われる。既に説明したように、従来技術では
各層の堆積工程間に多数回の微細リソグラフィー工程を
行う必要があった。多数回の微細リソグラフィー工程を
行うと、各層のマスキング毎に正確なアラインメントが
必要であった。しかし、いくら正確にアラインメントを
するといっても、最上層の白金層４８と最下層の電極層
４２との間で若干のミスアラインメントが生ずるといっ
た不良は避けられず、デバイス内での短絡発生の原因に
なる。
【００２０】白金層４８はスパッタエッチングするのが
望ましいが、王水によるウェットエッチングあるいはリ
フトオフ法を行ってもよい。ｎ+ 型ａ−Ｓｉ：Ｈ層４４
およびアンドープａ−Ｓｉ：Ｈ層４６を、望ましくは反
応性イオンエッチング（ＲＩＥ：eactive ion etching)
により、エッチングする。これはウェットエッチングで
もよい。王水エッチングは、他の層もエッチングしてし
まう上、そのエッチング速度も白金層よりもむしろ速い
ので、スパッタエッチングに比べて望ましいエッチング
方法ではない。リフトオフ法はエッチング精度が低い
上、表面の汚染もあり、スパッタエッチングによって作
製した場合に比べてデバイスの品質が若干劣る。スパッ
タエッチング法を行う際に、フォトレジスト層はその下
層がエッチングされてデバイスが形成されるまで白金層
上に残留している必要がある。フォトレジストは白金層
４８の下にある層４４および４６のエッチング中に白金
層４８を保護する役割がある。層４４および４６のエッ
チングはウェットエッチングでもドライエッチングでも
よいが、クロム層４２のエッチングはウェットエッチン
グによって行う。
望ましいが、王水によるウェットエッチングあるいはリ
フトオフ法を行ってもよい。ｎ+ 型ａ−Ｓｉ：Ｈ層４４
およびアンドープａ−Ｓｉ：Ｈ層４６を、望ましくは反
応性イオンエッチング（ＲＩＥ：eactive ion etching)
により、エッチングする。これはウェットエッチングで
もよい。王水エッチングは、他の層もエッチングしてし
まう上、そのエッチング速度も白金層よりもむしろ速い
ので、スパッタエッチングに比べて望ましいエッチング
方法ではない。リフトオフ法はエッチング精度が低い
上、表面の汚染もあり、スパッタエッチングによって作
製した場合に比べてデバイスの品質が若干劣る。スパッ
タエッチング法を行う際に、フォトレジスト層はその下
層がエッチングされてデバイスが形成されるまで白金層
上に残留している必要がある。フォトレジストは白金層
４８の下にある層４４および４６のエッチング中に白金
層４８を保護する役割がある。層４４および４６のエッ
チングはウェットエッチングでもドライエッチングでも
よいが、クロム層４２のエッチングはウェットエッチン
グによって行う。
【００２１】白金はフォトダイオードの最上層として望
ましい。また、ＴＦＴのゲートおよびソース電極・ドレ
イン電極として白金以外の金属を用いた場合を説明した
が、白金を用いてもよい。白金は不活性な金属でありエ
ッチング用化学物質により容易に侵されることがないと
いう優れた性質があるため、本発明の方法におけるマス
クとして用いるのに望ましい金属である。更に、白金は
Ｚ（原子番号）が７８と大きいので、白金層の下にある
各層をＸ線から保護する作用がある。Ｘ線吸収能はＺ5
の関数である。Ｚが少なくとも７３、望ましくは７４あ
るいはそれ以上の金属はＸ線吸収作用が優れている。
ましい。また、ＴＦＴのゲートおよびソース電極・ドレ
イン電極として白金以外の金属を用いた場合を説明した
が、白金を用いてもよい。白金は不活性な金属でありエ
ッチング用化学物質により容易に侵されることがないと
いう優れた性質があるため、本発明の方法におけるマス
クとして用いるのに望ましい金属である。更に、白金は
Ｚ（原子番号）が７８と大きいので、白金層の下にある
各層をＸ線から保護する作用がある。Ｘ線吸収能はＺ5
の関数である。Ｚが少なくとも７３、望ましくは７４あ
るいはそれ以上の金属はＸ線吸収作用が優れている。
【００２２】フォトダイオードを形成した後に、水素雰
囲気中、０．５〜２Torr、約３００℃、１〜３時間のア
ニールを行って、白金／ａ−Ｓｉ：Ｈ界面の欠陥密度を
低下させることができる。白金層の厚さを３０ｎｍにす
ると良好な結果が得られている。また、上記の手法を用
いてショトキバリアダイオードの代わりにｐ−ｉ−ｎダ
イオードをＴＦＴ３９の上に形成してもよい。先ず、約
１００ｎｍのクロムの層をＴＦＴ上に堆積させる。次
に、このクロム層上に約１０ｎｍ〜５０ｎｍのｎ型ドー
プアモルファスシリコン層を堆積させ、その上に約４０
０ｎｍ〜５００ｎｍのアンドープアモルファスシリコン
層を堆積させる。更にその上に、１０ｎｍ〜５０ｎｍの
ｐ型ドープアモルファスシリコン層を堆積させる。ここ
で、ｐ型ドープアモルファスシリコンの代わりにアモル
ファスシリコンカーバイド（ａ−ＳｉＣ：Ｈ）にしても
よい。次に、上記ｐ型層上に１００ｎｍ〜２００ｎｍの
インジウム錫酸化物（ＩＴＯ：indium tin oxide）を堆
積させる。もちろん上記のｐ型層とｎ型層の順序は逆で
もよい。ダイオード４１の作製で説明した白金層４８と
同様な操作でＩＴＯ層をパターニングする。ＩＴＯ層の
パターニングが完了し特定域が露出された状態で、この
ＩＴＯ層をマスクとして、ｐ−ｉ−ｎ層（またはｎ−ｉ
−ｐ層）をウェットまたはドライエッチングした後、ク
ロム層をウェットエッチングする。フォトダイオード用
の材料として知られている他の材料、例えばアモルファ
スシリコン基合金、単結晶シリコン、銅インジウムジセ
レナイド等を用いることもできる。
囲気中、０．５〜２Torr、約３００℃、１〜３時間のア
ニールを行って、白金／ａ−Ｓｉ：Ｈ界面の欠陥密度を
低下させることができる。白金層の厚さを３０ｎｍにす
ると良好な結果が得られている。また、上記の手法を用
いてショトキバリアダイオードの代わりにｐ−ｉ−ｎダ
イオードをＴＦＴ３９の上に形成してもよい。先ず、約
１００ｎｍのクロムの層をＴＦＴ上に堆積させる。次
に、このクロム層上に約１０ｎｍ〜５０ｎｍのｎ型ドー
プアモルファスシリコン層を堆積させ、その上に約４０
０ｎｍ〜５００ｎｍのアンドープアモルファスシリコン
層を堆積させる。更にその上に、１０ｎｍ〜５０ｎｍの
ｐ型ドープアモルファスシリコン層を堆積させる。ここ
で、ｐ型ドープアモルファスシリコンの代わりにアモル
ファスシリコンカーバイド（ａ−ＳｉＣ：Ｈ）にしても
よい。次に、上記ｐ型層上に１００ｎｍ〜２００ｎｍの
インジウム錫酸化物（ＩＴＯ：indium tin oxide）を堆
積させる。もちろん上記のｐ型層とｎ型層の順序は逆で
もよい。ダイオード４１の作製で説明した白金層４８と
同様な操作でＩＴＯ層をパターニングする。ＩＴＯ層の
パターニングが完了し特定域が露出された状態で、この
ＩＴＯ層をマスクとして、ｐ−ｉ−ｎ層（またはｎ−ｉ
−ｐ層）をウェットまたはドライエッチングした後、ク
ロム層をウェットエッチングする。フォトダイオード用
の材料として知られている他の材料、例えばアモルファ
スシリコン基合金、単結晶シリコン、銅インジウムジセ
レナイド等を用いることもできる。
【００２３】ショトキバリアダイオードを形成した場合
にもｐ−ｉ−ｎもしくはｎ−ｉ−ｐダイオードを形成し
た場合にも、ダイオード上には図１２に示したように上
部絶縁層５０を堆積させる。絶縁層５０は、既に説明し
た絶縁層４２と同様に、約２００ｎｍのＳｉＮｘの第１
層と、厚さ２００ｎｍのＳｉＯｘの第２層と、厚さ２０
０ｎｍのＳｉＮｘの第３層とを含むことが望ましい。層
５０はアイソレーション層（素子間分離層）として作用
する。微細リソグラフィーにより白金層４８を露出させ
る。
にもｐ−ｉ−ｎもしくはｎ−ｉ−ｐダイオードを形成し
た場合にも、ダイオード上には図１２に示したように上
部絶縁層５０を堆積させる。絶縁層５０は、既に説明し
た絶縁層４２と同様に、約２００ｎｍのＳｉＮｘの第１
層と、厚さ２００ｎｍのＳｉＯｘの第２層と、厚さ２０
０ｎｍのＳｉＮｘの第３層とを含むことが望ましい。層
５０はアイソレーション層（素子間分離層）として作用
する。微細リソグラフィーにより白金層４８を露出させ
る。
【００２４】次に、１％のシリコンをドープした厚さ約
３００ｎｍ〜１μｍのアルミニウム層５２を、図１３に
示したように絶縁層５０および白金層４８の上に堆積さ
せる。次に、微細リソグラフィーにより層５２をマスク
して配線部分を規定する。本発明の検出器に用いるＸ線
感知蛍光体は、放射線写真法の分野でスクリーンの増感
用として良く知られている物質のうちから選択すること
ができる。このような蛍光体としては、テルビウムまた
はユーロピウムをドープしたガドリニウムオキシサルフ
ァイド、イットリウムオキサイド、カルシウムタングス
テン、バリウム、ユーロピウムをドープしたフルオロク
ロライド、テルビウムまたはツリウムまたはジスプロシ
ウムをドープしたバリウムサルフェートまたはストロン
チウムサルフェート、およびタリウムをドープした亜鉛
サルファイドまたはセシウム沃素がある。蛍光体はそれ
ぞれの画素上に微細な柱状体として配置されていてよ
い。それぞれに微細柱状に配置することにより、散乱放
射光を個々の画素の面積内に閉じ込めることができる。
従来のスクリーンを本発明と併用することもできるが、
その場合は放射光がある程度広がった状態になり画像の
鮮明度が低下する。
３００ｎｍ〜１μｍのアルミニウム層５２を、図１３に
示したように絶縁層５０および白金層４８の上に堆積さ
せる。次に、微細リソグラフィーにより層５２をマスク
して配線部分を規定する。本発明の検出器に用いるＸ線
感知蛍光体は、放射線写真法の分野でスクリーンの増感
用として良く知られている物質のうちから選択すること
ができる。このような蛍光体としては、テルビウムまた
はユーロピウムをドープしたガドリニウムオキシサルフ
ァイド、イットリウムオキサイド、カルシウムタングス
テン、バリウム、ユーロピウムをドープしたフルオロク
ロライド、テルビウムまたはツリウムまたはジスプロシ
ウムをドープしたバリウムサルフェートまたはストロン
チウムサルフェート、およびタリウムをドープした亜鉛
サルファイドまたはセシウム沃素がある。蛍光体はそれ
ぞれの画素上に微細な柱状体として配置されていてよ
い。それぞれに微細柱状に配置することにより、散乱放
射光を個々の画素の面積内に閉じ込めることができる。
従来のスクリーンを本発明と併用することもできるが、
その場合は放射光がある程度広がった状態になり画像の
鮮明度が低下する。
【００２５】柱状の蛍光体を用いることにより、放射光
が柱の面積内に閉じ込められるので、画像の鮮明度が高
まる。また、散乱放射光が閉じ込められるので、画像の
鮮明度を損なうことなく蛍光体層の厚さを大きくするこ
とができる。蛍光体の厚さを増加させると入射Ｘ線の吸
収能が大きくなり、それにより検出器の感度が高まる。
が柱の面積内に閉じ込められるので、画像の鮮明度が高
まる。また、散乱放射光が閉じ込められるので、画像の
鮮明度を損なうことなく蛍光体層の厚さを大きくするこ
とができる。蛍光体の厚さを増加させると入射Ｘ線の吸
収能が大きくなり、それにより検出器の感度が高まる。
【００２６】柱状の蛍光体を作製する方法は公知であ
る。ヨーロッパ特許出願公開第0175578 号公報には、テ
ルビウムまたはツリウムまたはジスプロシウムをドープ
したバリウムサルフェート、テルビウムまたはツリウム
またはジスプロシウムをドープしたストロンチウムサル
フェート、およびアルキルハライド類から選択された柱
状蛍光体層を用いることが記載されている。これらの蛍
光体層は真空蒸着、スパッタリング等の公知の真空堆積
技術により形成することができる。ガドリニウムまたは
ランタンのオキシサルファイドを含んだ柱状蛍光体スク
リーンが米国特許第4,069,355 号に記載されている。こ
の形状を持つ蛍光体は蒸着法により作製される。柱状蛍
光体はタリウムをドープしたセシウム沃素を検出器上に
蒸着することによっても形成できる。
る。ヨーロッパ特許出願公開第0175578 号公報には、テ
ルビウムまたはツリウムまたはジスプロシウムをドープ
したバリウムサルフェート、テルビウムまたはツリウム
またはジスプロシウムをドープしたストロンチウムサル
フェート、およびアルキルハライド類から選択された柱
状蛍光体層を用いることが記載されている。これらの蛍
光体層は真空蒸着、スパッタリング等の公知の真空堆積
技術により形成することができる。ガドリニウムまたは
ランタンのオキシサルファイドを含んだ柱状蛍光体スク
リーンが米国特許第4,069,355 号に記載されている。こ
の形状を持つ蛍光体は蒸着法により作製される。柱状蛍
光体はタリウムをドープしたセシウム沃素を検出器上に
蒸着することによっても形成できる。
【００２７】薄膜トランジスタの代わりに金属酸化物半
導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）にして本発
明のデバイスを作製することができる。本発明の方法を
用いてＭＯＳＦＥＴを作製するには、基板（シリコンウ
ェハに絶縁膜として１〜３μｍの熱酸化膜を被覆したも
の）に、ＬＰＣＶＤまたはＰＥＣＶＤにより厚さ１００
ｎｍ〜１．５μｍのシリコン層を被覆する。このシリコ
ンはアモルファスまたは結晶であるが、これを炉アニー
ル、ラピッドサーマルアニール、Ｅビームアニールまた
はレーザアニールによりアニールして、大粒径ポリシリ
コンまたは単結晶シリコンにする。この結晶化シリコン
層を微細リソグラフィーによりパターニングして島を形
成する。パターニング後の結晶化シリコン層上に、ゲー
ト用に厚さ１００ｎｍの酸化シリコン層を成長させる。
次にＬＰＣＶＤにより厚さ約１００ｎｍ〜３５０ｎｍの
ポリシリコン層を堆積させる。上記のゲート酸化膜とポ
リシリコン層とを微細リソグラフィーによりエッチング
する。１０15原子／cm2 のレベルまで燐のイオン注入を
行ってｎ型特性を得る。イオン注入後に、８００〜１０
５０℃で２０分間のアニーリングを行って、注入された
燐を活性化させる。この活性化アニーリングにより、ポ
リシリコン層上には２０ｎｍ〜５０ｎｍの薄いシリコン
酸化膜が形成された。微細リソグラフィーによりシリコ
ン酸化膜中にソース電極・ドレイン電極用のビアホール
を形成する。この微細リソグラフィー工程において、１
％シリコンをドープしたアルミニウムをスパッタにより
堆積させリフトオフ法を用いてドレインおよびソースを
形成する。本発明の方法を用いることにより、微細リソ
グラフィー工程の回数を３回のみにしてＭＯＳＦＥＴを
形成できる。
導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）にして本発
明のデバイスを作製することができる。本発明の方法を
用いてＭＯＳＦＥＴを作製するには、基板（シリコンウ
ェハに絶縁膜として１〜３μｍの熱酸化膜を被覆したも
の）に、ＬＰＣＶＤまたはＰＥＣＶＤにより厚さ１００
ｎｍ〜１．５μｍのシリコン層を被覆する。このシリコ
ンはアモルファスまたは結晶であるが、これを炉アニー
ル、ラピッドサーマルアニール、Ｅビームアニールまた
はレーザアニールによりアニールして、大粒径ポリシリ
コンまたは単結晶シリコンにする。この結晶化シリコン
層を微細リソグラフィーによりパターニングして島を形
成する。パターニング後の結晶化シリコン層上に、ゲー
ト用に厚さ１００ｎｍの酸化シリコン層を成長させる。
次にＬＰＣＶＤにより厚さ約１００ｎｍ〜３５０ｎｍの
ポリシリコン層を堆積させる。上記のゲート酸化膜とポ
リシリコン層とを微細リソグラフィーによりエッチング
する。１０15原子／cm2 のレベルまで燐のイオン注入を
行ってｎ型特性を得る。イオン注入後に、８００〜１０
５０℃で２０分間のアニーリングを行って、注入された
燐を活性化させる。この活性化アニーリングにより、ポ
リシリコン層上には２０ｎｍ〜５０ｎｍの薄いシリコン
酸化膜が形成された。微細リソグラフィーによりシリコ
ン酸化膜中にソース電極・ドレイン電極用のビアホール
を形成する。この微細リソグラフィー工程において、１
％シリコンをドープしたアルミニウムをスパッタにより
堆積させリフトオフ法を用いてドレインおよびソースを
形成する。本発明の方法を用いることにより、微細リソ
グラフィー工程の回数を３回のみにしてＭＯＳＦＥＴを
形成できる。
【００２８】感光ダイオードとＴＦＴとの電気的接続は
３通りの方法で行うことができる。すなわち、感光ダイ
オードの底部コンタクトをＴＦＴのゲートに接続する
か、あるいは感光ダイオードの底部コンタクトをＴＦＴ
のドレイン電極に接続するか、あるいは感光ダイオード
の頂部コンタクトをＴＦＴのソース電極に接続する。ま
た、本発明の方法を用いると、図１４〜２３に示したよ
うに、ＴＦＴのゲートの部位を先ず基板上に堆積させて
アレー状放射線検出器を作製することができる。先ず、
ガラス基板６０上に、厚さ１００ｎｍ〜３００ｎｍのク
ロムまたはタンタルの金属層６２を堆積させる。この堆
積に先立って、ガラス基板から浸出するナトリウム等に
より金属層が汚染されるのを防止するために、ガラス基
板の表面をＳｉＯ2 で被覆しておくことができる。層６
２の堆積は、スパッタリング、Ｅビーム蒸着、または熱
抵抗蒸着によって行うことができる。次に金属層６２上
に通常のフォトレジスト層を堆積させる。次に、図１５
に示したように微細リソグラフィーにより層６２からゲ
ート領域６３を形成する。
３通りの方法で行うことができる。すなわち、感光ダイ
オードの底部コンタクトをＴＦＴのゲートに接続する
か、あるいは感光ダイオードの底部コンタクトをＴＦＴ
のドレイン電極に接続するか、あるいは感光ダイオード
の頂部コンタクトをＴＦＴのソース電極に接続する。ま
た、本発明の方法を用いると、図１４〜２３に示したよ
うに、ＴＦＴのゲートの部位を先ず基板上に堆積させて
アレー状放射線検出器を作製することができる。先ず、
ガラス基板６０上に、厚さ１００ｎｍ〜３００ｎｍのク
ロムまたはタンタルの金属層６２を堆積させる。この堆
積に先立って、ガラス基板から浸出するナトリウム等に
より金属層が汚染されるのを防止するために、ガラス基
板の表面をＳｉＯ2 で被覆しておくことができる。層６
２の堆積は、スパッタリング、Ｅビーム蒸着、または熱
抵抗蒸着によって行うことができる。次に金属層６２上
に通常のフォトレジスト層を堆積させる。次に、図１５
に示したように微細リソグラフィーにより層６２からゲ
ート領域６３を形成する。
【００２９】次に、図１６に示したように、ＰＥＣＶＤ
により基板６０およびゲート６３の上に厚さ１００ｎｍ
〜３００ｎｍのＳｉＮｘの誘電体層６６を堆積させる。
更にその上に、厚さ５００ｎｍのａ−Ｓｉ：Ｈアンドー
プ層６８を堆積させ、層６８上に厚さ５０ｎｍの燐ドー
プａ−Ｓｉ：Ｈ層７０を堆積させる。層６８および層７
０の堆積はいずれもＰＥＣＶＤによって行う。次に層７
０上にネガ型フォトレジスト層７２をスピンコートす
る。ゲート電極６３をマスクとして、矢印７５で表示し
たＵＶ光を照射する。ゲート６３で遮蔽されていないレ
ジスト部分は現像で残り、ゲート６３で遮蔽されている
レジスト部分は現像で無くなる。レジスト層の下にある
層７０と層６８が図１７に示したようにエッチされ、ゲ
ート領域６３とのアラインメントがなされる。次に、フ
ォトレジスト層７２の残留部分を除去する。
により基板６０およびゲート６３の上に厚さ１００ｎｍ
〜３００ｎｍのＳｉＮｘの誘電体層６６を堆積させる。
更にその上に、厚さ５００ｎｍのａ−Ｓｉ：Ｈアンドー
プ層６８を堆積させ、層６８上に厚さ５０ｎｍの燐ドー
プａ−Ｓｉ：Ｈ層７０を堆積させる。層６８および層７
０の堆積はいずれもＰＥＣＶＤによって行う。次に層７
０上にネガ型フォトレジスト層７２をスピンコートす
る。ゲート電極６３をマスクとして、矢印７５で表示し
たＵＶ光を照射する。ゲート６３で遮蔽されていないレ
ジスト部分は現像で残り、ゲート６３で遮蔽されている
レジスト部分は現像で無くなる。レジスト層の下にある
層７０と層６８が図１７に示したようにエッチされ、ゲ
ート領域６３とのアラインメントがなされる。次に、フ
ォトレジスト層７２の残留部分を除去する。
【００３０】次に、１％シリコンをドープしたアルミニ
ウムの厚さ１００ｎｍ〜３００ｎｍの金属層７４をスパ
ッタにより堆積させ、層７４上にフォトレジスト層７６
をスピンコートして図１８に示した状態にする。２回目
の微細リソグラフィー工程により、金属層７４とドープ
ａ−Ｓｉ：Ｈ層７２とをエッチングしてａ−Ｓｉ：Ｈ層
６８を露出させ、ソース領域７８、ドレイン領域８０、
およびこれらのコンタクト配線（図示せず）を形成す
る。
ウムの厚さ１００ｎｍ〜３００ｎｍの金属層７４をスパ
ッタにより堆積させ、層７４上にフォトレジスト層７６
をスピンコートして図１８に示した状態にする。２回目
の微細リソグラフィー工程により、金属層７４とドープ
ａ−Ｓｉ：Ｈ層７２とをエッチングしてａ−Ｓｉ：Ｈ層
６８を露出させ、ソース領域７８、ドレイン領域８０、
およびこれらのコンタクト配線（図示せず）を形成す
る。
【００３１】次に、図２０に示したようにフォトレジス
ト層７６を除去した後に、アレーを構成するデバイスを
図２１に示したように約６００ｎｍのＳｉＮｘの絶縁層
８２で被覆する。３回目の微細リソグラフィー工程によ
り、ドレイン領域に達するビアホール８４を形成した
後、１％シリコンをドープしたアルミニウムをビアホー
ル８４内に充填し、次にフォトレジスト（図示せず）を
除去する。
ト層７６を除去した後に、アレーを構成するデバイスを
図２１に示したように約６００ｎｍのＳｉＮｘの絶縁層
８２で被覆する。３回目の微細リソグラフィー工程によ
り、ドレイン領域に達するビアホール８４を形成した
後、１％シリコンをドープしたアルミニウムをビアホー
ル８４内に充填し、次にフォトレジスト（図示せず）を
除去する。
【００３２】次に図２２に示したように、アルミニウム
シリコンプラグ８６に導電接続した底部電極８８を形成
する。これは、約１００ｎｍ〜３００ｎｍの金属の層
（図示せず）とフォトレジストの層とを堆積させた後、
４回目の微細リソグラフィー工程により行う。底部電極
８８は、作製される光伝導体の底部電極である。次に、
ドープおよびアンドープアモルファスシリコンの層９０
を絶縁層８２上および底部電極層８８上に堆積させる。
厚さ１００ｎｍ〜２００ｎｍの頂部電極用ＩＴＯ層９２
をアモルファスシリコン層９０上に堆積させてデバイス
を完成させる。
シリコンプラグ８６に導電接続した底部電極８８を形成
する。これは、約１００ｎｍ〜３００ｎｍの金属の層
（図示せず）とフォトレジストの層とを堆積させた後、
４回目の微細リソグラフィー工程により行う。底部電極
８８は、作製される光伝導体の底部電極である。次に、
ドープおよびアンドープアモルファスシリコンの層９０
を絶縁層８２上および底部電極層８８上に堆積させる。
厚さ１００ｎｍ〜２００ｎｍの頂部電極用ＩＴＯ層９２
をアモルファスシリコン層９０上に堆積させてデバイス
を完成させる。
【００３３】図１４〜２３の光伝導体／ＴＦＴ構造の場
合、光伝導体としてはアモルファスセレン、酸化鉛、セ
レン−テルライド、または他のセレン基合金であってよ
い。他の構造として、光伝導体層９０上または光伝導体
９０とＴＦＴとの間に絶縁層を付加してもよく、これに
は微細リソグラフィー工程を必要としない。ＴＦＴを作
製するための材料としてポリシリコンを特に説明した
が、他にカドミウムセレナイドのような材料を用いるこ
ともできる。本発明は、１個の画素にＴＦＴ１個／フォ
トダイオード１個の組合せあるいはＴＦＴ１個／光伝導
体１個の組合せを用いる場合のみに限定されない。画素
の構成として、更にフォトダイオードを１個以上、ＴＦ
Ｔを１個以上、および／またはキャパシタを１個以上お
よび／または抵抗を１個以上付加することもできる。
合、光伝導体としてはアモルファスセレン、酸化鉛、セ
レン−テルライド、または他のセレン基合金であってよ
い。他の構造として、光伝導体層９０上または光伝導体
９０とＴＦＴとの間に絶縁層を付加してもよく、これに
は微細リソグラフィー工程を必要としない。ＴＦＴを作
製するための材料としてポリシリコンを特に説明した
が、他にカドミウムセレナイドのような材料を用いるこ
ともできる。本発明は、１個の画素にＴＦＴ１個／フォ
トダイオード１個の組合せあるいはＴＦＴ１個／光伝導
体１個の組合せを用いる場合のみに限定されない。画素
の構成として、更にフォトダイオードを１個以上、ＴＦ
Ｔを１個以上、および／またはキャパシタを１個以上お
よび／または抵抗を１個以上付加することもできる。
【００３４】本発明は大面積の検出器を作製するために
有用である。大面積の放射線検出器の作製は、サブモジ
ュールを含む小さいアレーを幾つか組み合わせて１４イ
ンチ×１７インチのような大きいモジュールにすること
によって行われる。大面積のモジュールを形成するに
は、サブモジュール同士を隣合わせに並べて結合する。
しかし、サブモジュール間には機械的および電気的なデ
ッドスペースが残ることが多い。本発明の方法を用いれ
ば、光伝導体またはフォトダイオードの底部電極間には
実際上問題になるようなデッドスペースは生じない。
有用である。大面積の放射線検出器の作製は、サブモジ
ュールを含む小さいアレーを幾つか組み合わせて１４イ
ンチ×１７インチのような大きいモジュールにすること
によって行われる。大面積のモジュールを形成するに
は、サブモジュール同士を隣合わせに並べて結合する。
しかし、サブモジュール間には機械的および電気的なデ
ッドスペースが残ることが多い。本発明の方法を用いれ
ば、光伝導体またはフォトダイオードの底部電極間には
実際上問題になるようなデッドスペースは生じない。
【００３５】先ず、既に説明したように各サブモジュー
ルの基板上に薄膜トランジスタを形成する。次に各サブ
モジュール同士を隣合わせに並べておき、その上から全
体に光伝導体またはフォトダイオードの底部電極を堆積
させ、微細リソグラフィーでパターニングして個々のフ
ォトダイオードまたは光伝導体の底部電極それぞれを形
成する。これにより各サブモジュール同士が底部電極で
結合され、大面積の検出器に対して共通の底部電極層が
できる。この底部電極層上に、既に説明したようにドー
プおよびアンドープアモルファスシリコン層を堆積させ
る。次に、頂部電極（望ましくは白金層）を堆積させた
後、既に説明したように１回の微細リソグラフィー工程
により光伝導体またはフォトダイオードを形成し、大面
積の検出器を得る。
ルの基板上に薄膜トランジスタを形成する。次に各サブ
モジュール同士を隣合わせに並べておき、その上から全
体に光伝導体またはフォトダイオードの底部電極を堆積
させ、微細リソグラフィーでパターニングして個々のフ
ォトダイオードまたは光伝導体の底部電極それぞれを形
成する。これにより各サブモジュール同士が底部電極で
結合され、大面積の検出器に対して共通の底部電極層が
できる。この底部電極層上に、既に説明したようにドー
プおよびアンドープアモルファスシリコン層を堆積させ
る。次に、頂部電極（望ましくは白金層）を堆積させた
後、既に説明したように１回の微細リソグラフィー工程
により光伝導体またはフォトダイオードを形成し、大面
積の検出器を得る。
【００３６】以上、望ましい態様に関して本発明を説明
したが、特許請求の範囲を逸脱しない改変が可能なこと
はもちろんである。
したが、特許請求の範囲を逸脱しない改変が可能なこと
はもちろんである。
【図１】第１図は、本発明のＸ線検出器の分解斜視図で
ある。
ある。
【図２】本発明の検出器の画素１個を形成する本発明の
手順の一例における工程を示す断面図である。
手順の一例における工程を示す断面図である。
【図３】本発明の検出器の画素１個を形成する本発明の
手順の一例における工程を示す断面図である。
手順の一例における工程を示す断面図である。
【図４】本発明の検出器の画素１個を形成する本発明の
手順の一例における工程を示す断面図である。
手順の一例における工程を示す断面図である。
【図５】本発明の検出器の画素１個を形成する本発明の
手順の一例における工程を示す断面図である。
手順の一例における工程を示す断面図である。
【図６】本発明の検出器の画素１個を形成する本発明の
手順の一例における工程を示す断面図である。
手順の一例における工程を示す断面図である。
【図７】本発明の検出器の画素１個を形成する本発明の
手順の一例における工程を示す断面図である。
手順の一例における工程を示す断面図である。
【図８】本発明の検出器の画素１個を形成する本発明の
手順の一例における工程を示す断面図である。
手順の一例における工程を示す断面図である。
【図９】本発明の検出器の画素１個を形成する本発明の
手順の一例における工程を示す断面図である。
手順の一例における工程を示す断面図である。
【図１０】本発明の検出器の画素１個を形成する本発明
の手順の一例における工程を示す断面図である。
の手順の一例における工程を示す断面図である。
【図１１】本発明の検出器の画素１個を形成する本発明
の手順の一例における工程を示す断面図である。
の手順の一例における工程を示す断面図である。
【図１２】本発明の検出器の画素１個を形成する本発明
の手順の一例における工程を示す断面図である。
の手順の一例における工程を示す断面図である。
【図１３】本発明の検出器の画素１個を形成する本発明
の手順の一例における工程を示す断面図である。
の手順の一例における工程を示す断面図である。
【図１４】本発明の方法によりアレーの画素１個を形成
する手順の他の例における工程を示す断面図である。
する手順の他の例における工程を示す断面図である。
【図１５】本発明の方法によりアレーの画素１個を形成
する手順の他の例における工程を示す断面図である。
する手順の他の例における工程を示す断面図である。
【図１６】本発明の方法によりアレーの画素１個を形成
する手順の他の例における工程を示す断面図である。
する手順の他の例における工程を示す断面図である。
【図１７】本発明の方法によりアレーの画素１個を形成
する手順の他の例における工程を示す断面図である。
する手順の他の例における工程を示す断面図である。
【図１８】本発明の方法によりアレーの画素１個を形成
する手順の他の例における工程を示す断面図である。
する手順の他の例における工程を示す断面図である。
【図１９】本発明の方法によりアレーの画素１個を形成
する手順の他の例における工程を示す断面図である。
する手順の他の例における工程を示す断面図である。
【図２０】本発明の方法によりアレーの画素１個を形成
する手順の他の例における工程を示す断面図である。
する手順の他の例における工程を示す断面図である。
【図２１】本発明の方法によりアレーの画素１個を形成
する手順の他の例における工程を示す断面図である。
する手順の他の例における工程を示す断面図である。
【図２２】本発明の方法によりアレーの画素１個を形成
する手順の他の例における工程を示す断面図である。
する手順の他の例における工程を示す断面図である。
【図２３】本発明の方法によりアレーの画素１個を形成
する手順の他の例における工程を示す断面図である。
する手順の他の例における工程を示す断面図である。
１２…Ｘ線感知検出器 １４…発光層１４ １６…フォトダイオードまたは光伝導体のアレー層 １８…シリコン薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のアレー層 ２０…リアルタイム読み出し回路系２０ ２２…クロム等の金属層 ２４…被覆されたシリコンウェハ ２６…ｎ型ドープアモルファスシリコン（ｎ+ −ａ−Ｓ
ｉ：Ｈ）の層 ２８…フォトレジスト層 ３０…ドレイン領域 ３２…ソース領域 ３４…アンドープアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：
Ｈ）層 ３６…ＳｉＮｘ誘電体層 ３７…フォトレジスト層 ３８…白金層 ３９…ＴＦＴ ４０…絶縁層 ４１…フォトダイオード ４２…フォトレジスト層 ４４…ｎ型ドープアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：
Ｈ）層 ４６…アンドープアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：
Ｈ）層 ４８…白金層 ４９…フォトレジスト層 ５０…絶縁層（素子間分離層） ５２…１％シリコンドープアルミニウム層 ６０…ガラス基板 ６２…クロムまたはタンタルの金属層 ６３…ゲート領域 ６６…ＳｉＮｘ誘電体層 ６８…ａ−Ｓｉ：Ｈアンドープ層 ７０…燐ドープａ−Ｓｉ：Ｈ層 ７２…ネガ型フォトレジスト層 ７５…ＵＶ光 ７４…１％シリコンをドープしたアルミニウムの金属層 ７６…フォトレジスト層 ７８…ソース領域 ８０…ドレイン領域 ８２…ＳｉＮｘ絶縁層 ８４…ビアホール ８６…アルミニウムシリコンプラグ ８８…底部電極 ９０…ドープおよびアンドープアモルファスシリコンの
層（複数） ９２…頂部電極用ＩＴＯ層
ｉ：Ｈ）の層 ２８…フォトレジスト層 ３０…ドレイン領域 ３２…ソース領域 ３４…アンドープアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：
Ｈ）層 ３６…ＳｉＮｘ誘電体層 ３７…フォトレジスト層 ３８…白金層 ３９…ＴＦＴ ４０…絶縁層 ４１…フォトダイオード ４２…フォトレジスト層 ４４…ｎ型ドープアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：
Ｈ）層 ４６…アンドープアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：
Ｈ）層 ４８…白金層 ４９…フォトレジスト層 ５０…絶縁層（素子間分離層） ５２…１％シリコンドープアルミニウム層 ６０…ガラス基板 ６２…クロムまたはタンタルの金属層 ６３…ゲート領域 ６６…ＳｉＮｘ誘電体層 ６８…ａ−Ｓｉ：Ｈアンドープ層 ７０…燐ドープａ−Ｓｉ：Ｈ層 ７２…ネガ型フォトレジスト層 ７５…ＵＶ光 ７４…１％シリコンをドープしたアルミニウムの金属層 ７６…フォトレジスト層 ７８…ソース領域 ８０…ドレイン領域 ８２…ＳｉＮｘ絶縁層 ８４…ビアホール ８６…アルミニウムシリコンプラグ ８８…底部電極 ９０…ドープおよびアンドープアモルファスシリコンの
層（複数） ９２…頂部電極用ＩＴＯ層
Claims (12)
- 【請求項１】 アレーの個々の画素が薄膜トランジスタ
に電気的に接続している光感知装置を含む画素（ピクセ
ル）を構成する固体回路放射線検出器アレーを製造する
方法において、下記の工程：基板を準備する工程、 該基板上にシリコン基材料の層を１層以上堆積させる工
程、 該シリコン基材料層上に金属層を堆積させる工程、 該金属層の特定域を除去し、その下の該シリコン基材料
層の領域を露出させることにより、金属層領域のアレー
を形成する工程、および該金属層領域のアレーをマスク
として用い、該シリコン基材料層の特定域を除去する工
程を含む、固体回路放射線検出器の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の方法において、 該シリコン基材料の堆積工程が、該基板上に単結晶シリ
コン基材料の層を１層以上堆積させる操作を含み、且つ
該シリコン基材料の特定域除去の工程が、該金属層領域
のアレーをマスクとして用い、該単結晶シリコン基材料
層の特定域を除去することにより薄膜トランジスタを形
成する操作を含む方法。 - 【請求項３】 請求項１記載の方法において、 該シリコン基材料層の堆積工程に先立って該基板上にト
ランジスタのドレイン領域およびソース領域のアレーを
形成する工程を更に含み、該シリコン基材料層はドープ
アモルファスシリコン層およびアンドープアモルファス
シリコン層と誘電体層とを含み、且つ該金属層領域のア
レーは該誘電体層に隣接して位置しゲート領域のアレー
として作用する方法。 - 【請求項４】 請求項３記載の方法において、ゲート領
域のアレー上に感光デバイスのアレーを形成する工程を
更に含み、下記の工程：該ゲート領域と導電接続した底
部金属層を堆積させる工程、 該底部金属層上にアンドープアモルファスシリコン層お
よびドープアモルファスシリコン層を形成する工程、 頂部金属層を形成する工程、 微細リソグラフィーにより該頂部金属層の特定域を除去
して頂部金属層のアレーを形成する工程、および該頂部
金属層のアレーをマスクとして用い、該アモルファスシ
リコン層および該底部金属層を除去する工程を含む方
法。 - 【請求項５】 請求項１記載の方法において、該金属層
は第１の金属層を含み、該基板上に直接堆積し、且つゲ
ート領域のアレーとして形成され、更に下記の工程：該
ゲート領域上に誘電体の層を堆積させる工程、および該
シリコン層の、該誘電体層および該ゲート領域のドレイ
ン・ソース領域とは反対側の面に第２の金属層を形成す
る工程を含み、 該シリコン基材料層は該誘電体層に隣接しており且つド
ープアモルファスシリコン層およびアンドープアモルフ
ァスシリコン層を含む方法。 - 【請求項６】 請求項５記載の方法において、ゲート領
域のアレー上に感光デバイスを形成する工程を含み、下
記の工程：ドレイン領域またはソース領域と導電接続し
た底部金属層を堆積させる工程、 該底部金属層上にアンドープアモルファスシリコン層お
よびドープアモルファスシリコン層を形成する工程、 該シリコン層上に頂部金属層を形成する工程、 微細リソグラフィーにより該頂部金属層の特定域を除去
することにより頂部金属層のアレーを形成する工程、お
よび該頂部金属層のアレーをマスクとして用い、該アモ
ルファスシリコン層および該底部金属層の特定域を除去
する工程を含む方法。 - 【請求項７】 基板上に金属層を被覆した後、該金属層
上にｎ+ 型アモルファスシリコン層を被覆する工程、 該金属層および該ｎ+ 型アモルファスシリコン層をマス
クして微細リソグラフィーによりドレイン領域およびソ
ース領域を形成する工程、 該ドレイン領域および該ソース領域上に、アンドープア
モルファスシリコンの層、誘電体層、および頂部金属層
を順次形成する工程、 微細リソグラフィーにより該頂部金属層からゲート領域
のアレーを形成する工程、および該ゲート領域のアレー
をマスクとして用い、該誘電体層および該アンドープシ
リコン層の特定域を除去することにより、該基板上に薄
膜トランジスタのアレーを形成する工程を含む、固体回
路放射線検出器の２次元アレーを形成する方法。 - 【請求項８】 請求項７記載の方法において、更に下記
の工程：該ゲート領域のアレー上に誘電体層を形成する
工程、 該誘電体層をマスクして微細リソグラフィーにより、該
ゲート領域のアレー上に該ゲート領域を露出する孔のア
レーを形成する工程、 各々のゲート領域と導電接続した金属を該孔に充填する
工程、 該誘電体層上に、該孔に充填された金属と導電接続した
クロムの層、ｎ+ 型アモルファスシリコンの層、アンド
ープアモルファスシリコンの層、および白金の層を順次
形成する工程、 該白金層をマスクして微細リソグラフィーにより白金領
域のアレーを形成する工程、および該アンドープアモル
ファスシリコンの層、該ｎ+ 型アモルファスシリコンの
層および該クロムの層の特定域を除去することにより、
該薄膜トランジスタのアレー上にフォトダイオードのア
レーを形成する工程を含む方法。 - 【請求項９】 下記の工程：基板上にトランジスタのゲ
ート領域のアレーを形成する工程、 該ゲート領域のアレー上に、誘電体層、アンドープアモ
ルファスシリコン層、およびｎ+ 型アモルファスシリコ
ン層を順次形成する工程、 フォトレジストの層をスピンコートし、該ゲート領域の
アレーをマスクとして用い、該ゲート領域に遮蔽されて
いない該フォトレジスト層の部分を露光する工程、 該ｎ+ 型アモルファスシリコン層、該アンドープアモル
ファスシリコン層、および該誘電体層を選択的にエッチ
ングして、該ゲート領域のアレーとアラインメントされ
たこれらの層のアレーを形成する工程、 該フォトレジスト層の現像時残留部分を除去する工程、 該アレー上に金属層およびフォトレジスト層を順次形成
する工程、 該フォトレジスト層をマスクし、微細リソグラフィーに
より、該フォトレジスト層および該金属層の特定域を除
去することにより、ドレイン領域およびソース領域を形
成すると共に、該ゲート領域のアレー上にある該ｎ+ 型
アモルファスシリコン層の部分を除去して該アンドープ
アモルファスシリコン層を露出させる工程、および残留
しているフォトレジスト層を除去して薄膜トランジスタ
を形成する工程を含む、固体回路放射線検出器の２次元
アレーを形成する方法。 - 【請求項１０】 請求項９記載の方法において、更に下
記の工程：該アレー上に素子間分離層（アイソレーショ
ン層）を堆積させる工程、 該素子間分離層をマスクし、微細リソグラフィーによ
り、各々のドレイン領域およびソース領域と導電接続し
た該素子間分離層に孔のアレーを形成する工程、 該ドレイン領域と導電接続した金属で該孔を充填する工
程、 該素子間分離層の充填された孔のアレーと導電接続した
底部電極層を該素子間分離層上に堆積させる工程、 該底部電極層をマスクし、微細リソグラフィーにより底
部電極のアレーを形成する工程、 該底部電極のアレー上にドープアモルファスシリコン層
およびアンドープアモルファスシリコン層を堆積させる
工程、 該ドープアモルファスシリコン層および該アンドープア
モルファスシリコン層上に頂部電極層を形成する工程、 該頂部金属層をマスクし、微細リソグラフィーにより、
頂部金属層領域のアレーを形成する工程、および該頂部
金属層領域のアレーをマスクとして用い、該ドープアモ
ルファスシリコン層および該アンドープアモルファスシ
リコン層の特定域を除去することにより、該薄膜トラン
ジスタのアレー上に感光デバイスのアレーを形成する工
程を含む方法。 - 【請求項１１】 下記の工程：個々に薄膜トランジスタ
のアレーを含む複数のサブモジュールのアレーを形成す
る工程、 該サブモジュール同士を隣合わせに配置する工程、 該サブモジュールの薄膜トランジスタのアレー上に電極
層を形成する工程、 該底部電極層上にドープアモルファスシリコン層および
アンドープアモルファスシリコン層を堆積させる工程、 該アモルファスシリコン層上に頂部電極層を形成する工
程、 微細リソグラフィーにより、該サブモジュールの該薄膜
トランジスタ上に頂部電極領域のアレーを形成する工
程、および該頂部電極領域のアレーをマスクとして用
い、該ドープアモルファスシリコン層およびアンドープ
アモルファスシリコン層を選択的にエッチングすること
により、該薄膜トランジスタ上に感光デバイスのアレー
を形成する工程を含む、大面積の放射線検出器を製造す
る方法。 - 【請求項１２】 請求項１１記載の方法において、該ド
ープアモルファスシリコン層はｎ+ 型アモルファスシリ
コン層およびｐ+ 型アモルファスシリコン層を含み、更
に下記の工程：個々に薄膜トランジスタのアレーを含む
複数のサブモジュールを形成する工程、 該サブモジュール同士を隣合わせに配置する工程、 該サブモジュールの該薄膜トランジスタ上に電極層を形
成し、微細リソグラフィーにより該トランジスタのアレ
ー上に電極のアレーを形成する工程、 光伝導体の連続層を堆積させる工程、および共通の頂部
電極層を形成する工程を含む方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US839268 | 1992-02-20 | ||
| US07/839,268 US5254480A (en) | 1992-02-20 | 1992-02-20 | Process for producing a large area solid state radiation detector |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05283664A true JPH05283664A (ja) | 1993-10-29 |
Family
ID=25279285
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5017209A Pending JPH05283664A (ja) | 1992-02-20 | 1993-02-04 | 固体回路放射線検出器の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (5) | US5254480A (ja) |
| EP (2) | EP0814503A3 (ja) |
| JP (1) | JPH05283664A (ja) |
| CA (1) | CA2087483A1 (ja) |
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| US5942756A (en) | 1999-08-24 |
| CA2087483A1 (en) | 1993-08-21 |
| EP0814503A3 (en) | 1998-09-30 |
| EP0814503A2 (en) | 1997-12-29 |
| US5525527A (en) | 1996-06-11 |
| US5254480A (en) | 1993-10-19 |
| US5818053A (en) | 1998-10-06 |
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