JPS6251264A - 薄膜トランジスタの製造方法 - Google Patents
薄膜トランジスタの製造方法Info
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- JPS6251264A JPS6251264A JP18983885A JP18983885A JPS6251264A JP S6251264 A JPS6251264 A JP S6251264A JP 18983885 A JP18983885 A JP 18983885A JP 18983885 A JP18983885 A JP 18983885A JP S6251264 A JPS6251264 A JP S6251264A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は薄膜トランジスタ（シン・フィルム・トランジ
スタ、Ｔｈ１ｎ Ｆｌｌｌｌｌ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ
ｓ以下ＴＰＴと略すこともある）の製造方法に係り、特
にシリコンを主成分とした薄膜を半導体層とし、シリコ
ンと窒素を主成分としたシリコン窒化膜をゲート絶縁膜
としたＴＰＴの製造方法に関する。
スタ、Ｔｈ１ｎ Ｆｌｌｌｌｌ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ
ｓ以下ＴＰＴと略すこともある）の製造方法に係り、特
にシリコンを主成分とした薄膜を半導体層とし、シリコ
ンと窒素を主成分としたシリコン窒化膜をゲート絶縁膜
としたＴＰＴの製造方法に関する。
最近、薄膜トランジスタの分野では、半導体層に非晶質
シリコン膜（ａ−３ｔ：Ｈ膜）を用いたものの研究開発
、発表が活発である。第１図は、このようなＴＰＴの一
般的な断面構造の一例である。
シリコン膜（ａ−３ｔ：Ｈ膜）を用いたものの研究開発
、発表が活発である。第１図は、このようなＴＰＴの一
般的な断面構造の一例である。
すなわち、ガラス等の絶縁性基板ｌｌ上に、クロムやモ
リブデン等の金属からなるゲート電極１２、シリコン窒
化膜よりなるゲート絶縁膜１３が順次形成され、このゲ
ート絶縁膜１３上に非晶質シリコン膜よりなる半導体層
１４、クロムやアルミニウム等の金属よりなるドレイン
電極１５とソース電極１６とが形成されている。そして
、第１図の場合は、液晶パネル等の表示デバイスに用い
るために、前記ソ−スミ極１６はＳｎｕｇ（酸化スズ）
、 ＴｎｚＯ３（酸化インジウム）や５ｎＯｚ １
．ｎｚＯｓ （ＩＴ Ｏ）合金からなる透明導電膜１７
に接続されている。
リブデン等の金属からなるゲート電極１２、シリコン窒
化膜よりなるゲート絶縁膜１３が順次形成され、このゲ
ート絶縁膜１３上に非晶質シリコン膜よりなる半導体層
１４、クロムやアルミニウム等の金属よりなるドレイン
電極１５とソース電極１６とが形成されている。そして
、第１図の場合は、液晶パネル等の表示デバイスに用い
るために、前記ソ−スミ極１６はＳｎｕｇ（酸化スズ）
、 ＴｎｚＯ３（酸化インジウム）や５ｎＯｚ １
．ｎｚＯｓ （ＩＴ Ｏ）合金からなる透明導電膜１７
に接続されている。
このような構造のＴＰＴは、非晶質シリコン窒化膜の形
成にグロー放電法が使えるため低温で大面積形成が容易
である。また、従来のホトエツチング技術をそのまま使
えるので、高集積化に対しても有利である。その他、非
晶質シリコン膜の高抵抗に基づいて、オフ電流を抑える
ことができる等の特性的にもすぐれた点をもっている。
成にグロー放電法が使えるため低温で大面積形成が容易
である。また、従来のホトエツチング技術をそのまま使
えるので、高集積化に対しても有利である。その他、非
晶質シリコン膜の高抵抗に基づいて、オフ電流を抑える
ことができる等の特性的にもすぐれた点をもっている。
従って、安価な透明ガラス基板も使用できるようになり
、カラー化に有利な透過型の液晶パネルを高精細で実用
できる可能性をもっている（特開昭５９−１１５５６１
号公報、特開昭５９−１１５５６４号公報、特開昭５！
１１７２７７４号公報）。
、カラー化に有利な透過型の液晶パネルを高精細で実用
できる可能性をもっている（特開昭５９−１１５５６１
号公報、特開昭５９−１１５５６４号公報、特開昭５！
１１７２７７４号公報）。
しかし、デー１−絶縁膜と半導体層が欠陥（局在準位）
の存在する非晶質膜で構成されているため、しきい値電
圧が変動する等、その信頼性において問題があった。
の存在する非晶質膜で構成されているため、しきい値電
圧が変動する等、その信頼性において問題があった。
本発明の目的は、上記した従来技術の欠点をなくシシき
い値電圧の変動幅が少さく、信頼性にすぐれたＴＰＴの
製造方法を提供するにある。
い値電圧の変動幅が少さく、信頼性にすぐれたＴＰＴの
製造方法を提供するにある。
上記目的はシリコンを主成分とする半導体層と、シリコ
ンと窒素を主成分とする窒化膜をゲート絶縁膜との接す
る部分を改質したＴＦＴによって達成される。
ンと窒素を主成分とする窒化膜をゲート絶縁膜との接す
る部分を改質したＴＦＴによって達成される。
このＴＰＴの特性は、半導体層の移動度、局在単位（ト
ラップも含む）、ゲート絶縁膜の局在準位（トラップも
含む）、及び半導体層とゲー＋−絶縁膜間の界面状態に
大きく依存する。ゲート絶縁膜を構成するシリコン窒化
膜の不完全さは、シリコンを主成分とする半導体層との
間の界面状態を劣化させる。従って、ゲート絶縁膜を構
成するシリコン窒化膜と、シリコンを主成分とする半導
体層の接する部分を改質することによって界面状態を改
善でき、界面状態の不安定さに基づくしきい値電圧の変
動を抑えることができる筈である。本発明者は、この考
えに従ってシリコン窒化膜のプラズマ処理を検討した結
果、シリコンに対して窒化作用のあるガスを用いること
によって良好な結果を得た。すなわち、本発明ではシリ
コン窒化膜を、（ａ）窒素ガスと水素ガスからなる混合
ガス、（ｂ）水素ガス、不活性ガス及びアンモニアから
なる混合ガス、もしくは（ｃ）アンモニア、不活性ガス
からなる混合ガスを用いたプラズマ処理を施してから半
導体層を積層することによってＴＰＴのしきい値電圧の
変動幅を小さく抑えることができた。なお上記の不活性
ガスとは窒素ガスのほかに、アルゴンガス、ヘリウム、
ガス、キセノンガス。
ラップも含む）、ゲート絶縁膜の局在準位（トラップも
含む）、及び半導体層とゲー＋−絶縁膜間の界面状態に
大きく依存する。ゲート絶縁膜を構成するシリコン窒化
膜の不完全さは、シリコンを主成分とする半導体層との
間の界面状態を劣化させる。従って、ゲート絶縁膜を構
成するシリコン窒化膜と、シリコンを主成分とする半導
体層の接する部分を改質することによって界面状態を改
善でき、界面状態の不安定さに基づくしきい値電圧の変
動を抑えることができる筈である。本発明者は、この考
えに従ってシリコン窒化膜のプラズマ処理を検討した結
果、シリコンに対して窒化作用のあるガスを用いること
によって良好な結果を得た。すなわち、本発明ではシリ
コン窒化膜を、（ａ）窒素ガスと水素ガスからなる混合
ガス、（ｂ）水素ガス、不活性ガス及びアンモニアから
なる混合ガス、もしくは（ｃ）アンモニア、不活性ガス
からなる混合ガスを用いたプラズマ処理を施してから半
導体層を積層することによってＴＰＴのしきい値電圧の
変動幅を小さく抑えることができた。なお上記の不活性
ガスとは窒素ガスのほかに、アルゴンガス、ヘリウム、
ガス、キセノンガス。
水素等である。これらの不活性ガスは単独または二種類
以上混合して用いる。
以上混合して用いる。
なお、プラズマ処理におけるＮ２と１１．２の混合範囲
は、１１２がＮ２の１％〜３００％、好ましくは３０〜
１５０％である。アンモニアと不活性ガスの混合範囲は
、アンモニアを１％以上混合すれば良く、放電の安定性
等から１００％以下とすることが望ましい。
は、１１２がＮ２の１％〜３００％、好ましくは３０〜
１５０％である。アンモニアと不活性ガスの混合範囲は
、アンモニアを１％以上混合すれば良く、放電の安定性
等から１００％以下とすることが望ましい。
また、水素、不活性ガス、アンモニアの混合範囲は、ア
ンモニアを不活性ガスの１％以上、水素をアンモニアの
１〜１００倍程度に混合すれば良く、好ましくは水素の
導入量はアンモニアの１〜３倍である。
ンモニアを不活性ガスの１％以上、水素をアンモニアの
１〜１００倍程度に混合すれば良く、好ましくは水素の
導入量はアンモニアの１〜３倍である。
プラズマ処理条件は、電力密度が０．３〜０．７２Ｗ／
ｃＪ。
ｃＪ。
好ましくは、０．４〜０．５５調／Ｃれ処理温度が１５
０〜３５０℃、好ましくは３００〜３５０℃である。
０〜３５０℃、好ましくは３００〜３５０℃である。
以下、本発明を第１図のＴＰＴに適用した場合を例にと
り説明する。
り説明する。
まず、ガラス製の絶縁性基板１１上にスパンタリング法
によりクロム（ｃｒ）膜を１１００ｎの厚みで蒸着し、
ホトエツチング法によりゲート電極１２を形成した。こ
れをプラズマＣＶＤ装置にセットし、モノシラン（Ｓｉ
Ｈａ）１５３ＣＯＯＭと窒素（Ｎ２）３００ ＳＣＣＭ
、水素（Ｈｚ） ２１０ ＳＣＣＭの混合ガスを導入し
、グロー放電によりシリコン窒化膜を３００ｎｍの厚み
で形成した。この場合、アンモニア（Ｎｌｈ）をモノシ
ラン（ＳｉＨＪの１．５〜３倍にした、５ｔｕ４とＮ’
Ｈ３，Ｎｚの混合ガスを反応ガスとしても良い。次いで
、モノシラン（Ｓ ｉ Ｈａ）を反応室より追い出して
から、ｎ、 ２１０ＳＣＣＭとＮ２３００ ＳＣＣＭの
混合ガスを導入してグロー放電を発生させることにより
、前記シリコン窒化膜表面のプラズマ処理（電極４００
０φ、６００Ｗ、３１０℃）を行いゲート絶縁膜１３と
した。その後、反応室の真空破壊を行わずにモノシラン
（ＳｉＨ４）と１１□を導入してグロー放電を発生させ
ることにより４００ ｎｍ厚みの非晶質シリコン（ａ−
５ｔ：Ｈ）膜からなる半導体層１４を形成し、更に反応
ガス中にホスフィン（ＰＩｌ、ｉ）を添加して、ドレイ
ン電極１５、ソース電極１６とのオーミック接触を得る
ためにｎ形の非晶質シリコン（（ａ−５ｉ：Ｈ）膜を３
０ｎｍの厚みで形成した。ホトエツチングやドライエツ
チングによって半導体層１４の素子分離を行ってから、
アルミニウム（Ａ Ｉ ）を真空蒸着法によって蒸着し
、ホトエツチング法によりドレイン電極１５とソース電
極１６を形成した。この場合、チャネルの幅Ｗと長さし
との比Ｗ／Ｌを、１０とした。ドライエツチングにより
、チャネル部のｎ形のａ −３ｔ ： Ｈ膜を除去した
。次いで、透明導電膜（たとえばＩＴＯ膜）をスパッタ
リング法で蒸着し、ホトエツチングにより透明電極膜１
７を形成した。これで、第１図に示したＴＰＴが完成し
た。
によりクロム（ｃｒ）膜を１１００ｎの厚みで蒸着し、
ホトエツチング法によりゲート電極１２を形成した。こ
れをプラズマＣＶＤ装置にセットし、モノシラン（Ｓｉ
Ｈａ）１５３ＣＯＯＭと窒素（Ｎ２）３００ ＳＣＣＭ
、水素（Ｈｚ） ２１０ ＳＣＣＭの混合ガスを導入し
、グロー放電によりシリコン窒化膜を３００ｎｍの厚み
で形成した。この場合、アンモニア（Ｎｌｈ）をモノシ
ラン（ＳｉＨＪの１．５〜３倍にした、５ｔｕ４とＮ’
Ｈ３，Ｎｚの混合ガスを反応ガスとしても良い。次いで
、モノシラン（Ｓ ｉ Ｈａ）を反応室より追い出して
から、ｎ、 ２１０ＳＣＣＭとＮ２３００ ＳＣＣＭの
混合ガスを導入してグロー放電を発生させることにより
、前記シリコン窒化膜表面のプラズマ処理（電極４００
０φ、６００Ｗ、３１０℃）を行いゲート絶縁膜１３と
した。その後、反応室の真空破壊を行わずにモノシラン
（ＳｉＨ４）と１１□を導入してグロー放電を発生させ
ることにより４００ ｎｍ厚みの非晶質シリコン（ａ−
５ｔ：Ｈ）膜からなる半導体層１４を形成し、更に反応
ガス中にホスフィン（ＰＩｌ、ｉ）を添加して、ドレイ
ン電極１５、ソース電極１６とのオーミック接触を得る
ためにｎ形の非晶質シリコン（（ａ−５ｉ：Ｈ）膜を３
０ｎｍの厚みで形成した。ホトエツチングやドライエツ
チングによって半導体層１４の素子分離を行ってから、
アルミニウム（Ａ Ｉ ）を真空蒸着法によって蒸着し
、ホトエツチング法によりドレイン電極１５とソース電
極１６を形成した。この場合、チャネルの幅Ｗと長さし
との比Ｗ／Ｌを、１０とした。ドライエツチングにより
、チャネル部のｎ形のａ −３ｔ ： Ｈ膜を除去した
。次いで、透明導電膜（たとえばＩＴＯ膜）をスパッタ
リング法で蒸着し、ホトエツチングにより透明電極膜１
７を形成した。これで、第１図に示したＴＰＴが完成し
た。
このようにして得たＴＰＴのドレーン電流ゲート電圧特
性の測定結果を第２図に、本発明の特徴である水素ガス
（Ｎ２）と窒素ガス（Ｎ２）の混合ガスを用いたプラズ
マ処理を施さずに、従来法によって得たＴＰＴに対する
測定結果を第３図に示した。
性の測定結果を第２図に、本発明の特徴である水素ガス
（Ｎ２）と窒素ガス（Ｎ２）の混合ガスを用いたプラズ
マ処理を施さずに、従来法によって得たＴＰＴに対する
測定結果を第３図に示した。
ドレイン電極−ソース電極間には、ＩＯＶのバイアスを
している。図中の■は、ＴＰＴ作製直後の特性を、■は
繰り返し測定後あるいはＶｇ≧ＩＯＶで長時間バイアス
した後の特性を示している。第２図。
している。図中の■は、ＴＰＴ作製直後の特性を、■は
繰り返し測定後あるいはＶｇ≧ＩＯＶで長時間バイアス
した後の特性を示している。第２図。
第３図から、本発明による水素ガス（Ｎ２）と窒素ガス
（ＮＺ）の混合ガスによるプラズマ処理を施した方が繰
り返し測定及び長時間バイアスに対してしきい値電圧が
変動せず安定であることがわかった。
（ＮＺ）の混合ガスによるプラズマ処理を施した方が繰
り返し測定及び長時間バイアスに対してしきい値電圧が
変動せず安定であることがわかった。
この本発明の機構は現在のところ正確にはわかっていな
いが、プラズマ処理によってシリコン窒化膜の表面の膜
質が絶縁体として良好なものとなり界面準位を減少させ
たことによると考えられている。第４図は、上記の機構
を支持する一つのデータである。第４図は、クロム（ｃ
ｒ）膜の上に、シリコン窒化膜、非晶質シリコン（ａ−
３ｉ：Ｈ）膜、アルミニウム（Ａ ＃ ）膜を順次積層
して形成したセル（ＭＮＳセル）の１０ＫＩｌｚにおけ
る容量−電圧特性である。たて軸のＣｓ１Ｎはシリコン
窒化膜が寄与する容量を、Ｃはセル全体の容量を示し、
横軸のＶａはクロム（ｃｒ）に印加した電圧を示してい
る。
いが、プラズマ処理によってシリコン窒化膜の表面の膜
質が絶縁体として良好なものとなり界面準位を減少させ
たことによると考えられている。第４図は、上記の機構
を支持する一つのデータである。第４図は、クロム（ｃ
ｒ）膜の上に、シリコン窒化膜、非晶質シリコン（ａ−
３ｉ：Ｈ）膜、アルミニウム（Ａ ＃ ）膜を順次積層
して形成したセル（ＭＮＳセル）の１０ＫＩｌｚにおけ
る容量−電圧特性である。たて軸のＣｓ１Ｎはシリコン
窒化膜が寄与する容量を、Ｃはセル全体の容量を示し、
横軸のＶａはクロム（ｃｒ）に印加した電圧を示してい
る。
ま・た、同図中の矢印は測定の方向を示し、＜Ａ）は本
発明による製造方法で作製したセルに対する結果であり
、（Ｂ）は従来法で作製したセルに対する結果である。
発明による製造方法で作製したセルに対する結果であり
、（Ｂ）は従来法で作製したセルに対する結果である。
第４図から、（Ａ）の方のヒステリシスが（Ｂ）のそれ
に比較して大変小さくなっていることがわかった。これ
は、（Ａ）の方が、半導体層に対する界面のトラップ密
度の低いことをしめしているものと思われる。
に比較して大変小さくなっていることがわかった。これ
は、（Ａ）の方が、半導体層に対する界面のトラップ密
度の低いことをしめしているものと思われる。
シリコン窒化膜の電気的な欠陥は、シリコン（Ｓｔ）の
ダングリングボンドによると考えられているから、これ
を水素（Ｈ）やフッ素（Ｆ’）で終端化してやれば良い
とも思われるが、必ずしもそうではない。この例を第５
図に示した。第５図は、シリコン窒化膜のシリコン（Ｓ
ｔ）のダングリグボンドの終端化を行うために、水素プ
ラズマ処理を施して形成したシリコン窒化膜を用いて作
製したＴＰＴに対する結果である。繰り返し測定や長時
間のゲートバイアスに対して、しきい値電圧が大きく変
動していることは明白である。
ダングリングボンドによると考えられているから、これ
を水素（Ｈ）やフッ素（Ｆ’）で終端化してやれば良い
とも思われるが、必ずしもそうではない。この例を第５
図に示した。第５図は、シリコン窒化膜のシリコン（Ｓ
ｔ）のダングリグボンドの終端化を行うために、水素プ
ラズマ処理を施して形成したシリコン窒化膜を用いて作
製したＴＰＴに対する結果である。繰り返し測定や長時
間のゲートバイアスに対して、しきい値電圧が大きく変
動していることは明白である。
以上をまとめると次のようになる。
電圧印加に対して安定なＴＰＴを得るという本発明の効
果を出すためには、シリコン（Ｓｔ）に対してプラズマ
窒化作用のあるガスを処理ガスとして用いなければなら
ない。そのためには、処理ガスの中に水素ガス（Ｎ２）
と窒素ガス（Ｎ２）の両方が必ず存在するか、アンモニ
ア（ＭＨＩ）が存在している必要がある。また、この効
果は処理温度が２５０〜３５０℃でより有効的であるが
、１５０℃以上とすれば出てくる。
果を出すためには、シリコン（Ｓｔ）に対してプラズマ
窒化作用のあるガスを処理ガスとして用いなければなら
ない。そのためには、処理ガスの中に水素ガス（Ｎ２）
と窒素ガス（Ｎ２）の両方が必ず存在するか、アンモニ
ア（ＭＨＩ）が存在している必要がある。また、この効
果は処理温度が２５０〜３５０℃でより有効的であるが
、１５０℃以上とすれば出てくる。
以上述べたように本発明によれば、ＴＰＴの電圧印加に
対するしきい値電圧変動を抑えることができるので、安
定なＴＰＴを提供できるという効果がある。
対するしきい値電圧変動を抑えることができるので、安
定なＴＰＴを提供できるという効果がある。
第１図はＴＰＴの断面図、第２図、第３図、第５図はＴ
ＰＴの特性を示す図、第４図はＭＮＳセルの容量−電圧
特性を示す図である。 １１・・・絶縁性基板、１２・・・ゲート電極、１３・
・・ゲート絶縁膜、１４・・・半導体層、１５・・・ド
レイン電極、１６・・・ソース電極、１７・・・透明導
電膜。 代理人 弁理士 秋 本 正 実 第１図 （Ｖ） ｐＩ’？運、＜−１，、ゴ ｔＶ）Ｉ）Ｔ”−Ｊ三簿乙−１，−１ 第４図 ｔｐ ｔＩＤ＊圧Ｖａ （Ｖ） 第５図 ゲート＊圧 ＶＧ （Ｖ）
ＰＴの特性を示す図、第４図はＭＮＳセルの容量−電圧
特性を示す図である。 １１・・・絶縁性基板、１２・・・ゲート電極、１３・
・・ゲート絶縁膜、１４・・・半導体層、１５・・・ド
レイン電極、１６・・・ソース電極、１７・・・透明導
電膜。 代理人 弁理士 秋 本 正 実 第１図 （Ｖ） ｐＩ’？運、＜−１，、ゴ ｔＶ）Ｉ）Ｔ”−Ｊ三簿乙−１，−１ 第４図 ｔｐ ｔＩＤ＊圧Ｖａ （Ｖ） 第５図 ゲート＊圧 ＶＧ （Ｖ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ゲート電極として働く導電膜上にシリコンと窒素を
主成分とするシリコン窒化膜をゲート絶縁膜として形成
し、更にシリコンを主成分とするシリコン薄膜を半導体
層として積層してなる薄膜トランジスタの製造方法にお
いて、上記シリコン窒化膜を下記（ａ）〜（ｃ）のいず
れか一種類の混合ガスによりプラズマ処理することを特
徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 （ａ）水素ガス−窒素ガスからなる混合ガス、 （ｂ）水素ガス−不活性ガス−アンモニアからなる混合
ガス、 （ｃ）不活性ガス−アンモニアからなる混合ガス。 ２、特許請求の範囲第１項において、プラズマ処理を１
５０℃ないし３５０℃の温度で行うことを特徴とする薄
膜トランジスタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18983885A JPS6251264A (ja) | 1985-08-30 | 1985-08-30 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18983885A JPS6251264A (ja) | 1985-08-30 | 1985-08-30 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6251264A true JPS6251264A (ja) | 1987-03-05 |
| JPH0566747B2 JPH0566747B2 (ja) | 1993-09-22 |
Family
ID=16248051
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18983885A Granted JPS6251264A (ja) | 1985-08-30 | 1985-08-30 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6251264A (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1985
- 1985-08-30 JP JP18983885A patent/JPS6251264A/ja active Granted
Patent Citations (1)
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0566747B2 (ja) | 1993-09-22 |
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