JPH05201945A - 医薬的に活性なヒドラジン誘導体およびその製造方法 - Google Patents

医薬的に活性なヒドラジン誘導体およびその製造方法

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JPH05201945A
JPH05201945A JP4177135A JP17713592A JPH05201945A JP H05201945 A JPH05201945 A JP H05201945A JP 4177135 A JP4177135 A JP 4177135A JP 17713592 A JP17713592 A JP 17713592A JP H05201945 A JPH05201945 A JP H05201945A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は新規の構成単位を有する、ウィルス
アスパラギン酸プロテアーゼに対する新規なる阻害物質
の提供を目的とする。 【構成】 本発明は次式Ｉ 【化１】 （式中；Ｒ1 は第三ブトキシカルボニル、ベンジルオキ
シカルボニル、カルボキシを介して結合しているアミノ
酸バリンの一価の基；又はフェニル−、３−ピリジル−
アセチル、モルホリノー、チオモルホリノー、第三ブト
キシ−カルボニル及びベンジルカルボニルのうちの１種
の基によって窒素原子上でカルボキシ基を介して結合し
ているアシル化されているアラニンの基であり、Ｒ2 ，
Ｒ4 ，Ｒ 6 及びＲ8 は水素であり、Ｒ3 はベンジルであ
り、Ｒ5 はヒドロキシであり、Ｒ 7 はイソブチル、シク
ロヘキシルメチルもしくはベンジルであり、そしてＲ9
はＲ1 について前記した基のうちの１種である）で表せ
る化合物、並びにその薬学的に受け入れられる塩に関す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はアスパラギン酸プロテア
ーゼによって切断されうるペプチドの新規なるクラスの
非加水分解性類似体、即ち、ヒドラジン誘導体、その製
造方法、このようなペプチド類似体を含んで成る薬剤、
及び医薬品として又はウィルス依存型疾患を抑制するた
めの薬剤の製造のための利用、並びにこのような化合物
の製造のための新規なる中間体に関する。
【０００２】
【従来の技術】免疫不全症候群ＡＩＤＳ（「後天性免疫
不全症候群」）は致命的な疾患である。この疾患は世界
中にわたって主として一定の危険区域内で広がっている
が，しかし更にはそのような危険区域を越えて広がって
もいる。この疾患は既に数百万人を冒しており、そして
この発症の抑制は近代の医学の最も重要な目的の１つで
ある。今日迄、レトロウィルスＨＩＶ−１及びＨＩＶ−
２（ＨＩＶは「ヒト免疫不全ウィルス」を表わす）は疾
患の原因として認識され、そしてそれらは分子生物学に
よって特徴付けられてきた。治療の見地から、従来のＡ
ＩＤＳの症状を緩和する方法及び一定の予防的手段の他
に、ウィルス自体の再生は妨害するが、患者の完全細胞
及び組織には障害を及ぼさない組成物の探索に特に興味
がもたられている。
【０００３】特に要望されている化合物は、ヒト細胞に
おいて生合成されるウィルスのタンパク質構成単位のプ
ロセッシングを抑制し、それ故完全な感染性ビリオンを
形成するためのこのような構成単位の正しい集成を抑制
せしめるものである。ＨＩＶ−１及びＨＩＶ−２のそれ
ぞれはそれらのゲノムの中に「ｇａｇ−プロテアーゼ」
をコードする領域を含む。この「ｇａｇ−プロテアー
ゼ」は、「群特異性抗原」（“Ｇｒｏｕｐ ｓｐｅｃｉ
ｆｉｃ Ａｎｔｉｇｅｎｓ”；ｇａｇ）をコードするゲ
ノム領域から作られる先駆体タンパク質の適切なタンパ
ク質分解切断のために重要である。この切断の際、ウィ
ルスのコアの構造タンパク質は遊離される。この「ｇａ
ｇ−プロテアーゼ」自体はＨＩＶ−１及びＨＩＶ−２の
ｐｏｌ−ゲノム領域によりコードされる先駆体タンパク
質の構成成分であり、このタンパク質は「逆転写酵素」
及び「インテグラーゼ」に関する領域も含み、従って自
己タンパク質分解によって切断するものと考えられる。
【０００４】この「ｇａｇ−プロテアーゼ」はＨＩＶ−
１及びＨＩＶ−２の主要コアータンパク質ｐ２４を、好
ましくはプロリン残基のＮ末端側で、例えば２価の残基
Ｐｈｅ−Ｐｒｏ，Ｌｅｕ−Ｐｒｏ又はＴｙｒ−Ｐｒｏに
おいて切断せしめる。これは活性中心において触媒的に
活性なアスパラギン酸残基を有する、アスパラギンプロ
テアーゼと通称されるプロテアーゼである。
【０００５】この「ｇａｇ−プロテアーゼ」の作用が抑
制されると、ウィルスコアーの集成に必要なタンパク質
はこのウィルスにもはや有用でなくなるであろう。この
ことはウィルスの制限又は抑制さえももたらしうるであ
ろう。従って、ＡＩＤＳ及びその他のレトロウィルス疾
患に対する抗ウィルス組成物として利用する、「ｇａｇ
−プロテアーゼ」に関する阻害物質が要望されている。
【０００６】中心基を有する、タンパク質分解的に切断
できないペプチド同配体（イソスター）である多数の
「ｇａｇ−プロテアーゼ」阻害剤が既に合成されてい
る。しかしながら探索方法の高度化にもかかわらず、多
数の感染化患者におけるＡＩＤＳを抑制するために利用
される、アスパラギン酸プロテアーゼ阻害剤のヒトにお
ける適切な利用は現在迄可能でなく、この観点において
薬力学的な問題が主たる決定的な要因である。更に、現
在迄知られているほとんどの「ｇａｇ−プロテアーゼ」
阻害剤は、その中心構成単位において２個以上の不斉炭
素原子を有し、そしてこのことは比較的高額を要する立
体特異的合成又は異性分離方法を必要とする。従って本
特許明細書の目的は、新規なる中心構成単位を有する、
ウィルスアスパラギン酸プロテアーゼに関する新規なク
ラスの阻害物質を提供することにある。更に、この中心
構成単位は、立体科学的に簡単な手段において合成する
ことが可能であるべきである。更に、この新規なる中心
構成単位はその両端にアミノ基を有し、従って適切な置
換基を選んだなら、例えば逆向き−反転−ペプチド（ｒ
ｔｒｏ−ｉｎｖｅｒｓｏ−Ｐｅｐｔｉｄｅ）に類似する
構造が存在するようになる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題及び課題を解決するため
の手段】本発明に関する化合物は次式；
【０００８】
【化１２】
【０００９】〔式中、Ｒ1 及びＲ9 は互いに独立して、
水素；アシル；置換されていないか又は置換されている
アルキル、アルケニルもしくはアルキニル；複素環式
基；スルホ；スルホニル（これは、置換されていないか
又は置換されているアルキル、アリール、複素環式基、
置換されていないか、又は置換されているアルコキシ、
又はアリールオキシにより置換されている）；スルファ
モイル（置換されていないか、又はその窒素原子にて置
換されている）；又は、置換されていないかもしくは置
換されているアルキル、置換されていなかもしくは置換
されているシクロアルキル、アリール、ヒドロキシ、置
換されていないか、もしくは置換されているアルコキ
シ、シクロアルコキシ及びアリールオキシから選ばれる
同一又は異なることがある１種又は２種の基によって置
換されているホスホリルであり；ここでこの基Ｒ1 とＲ
9 の多くて一個が水素であることを条件とする；そして
Ｒ2 及びＲ8 は、互いに独立して、水素もしくは前記し
たＲ1 及びＲ9 に対し言及された基のうちの１種である
か；又はＲ1 とＲ2 及びＲ8 とＲ9 のそれぞれのペアー
はそれぞれ互いに独立して、それらが結合している窒素
原子と一緒になって複素環であって、エチレン、トリメ
チレン、テトラメラレン及びペンタメチレンより選ばれ
る基（ここで炭素原子は窒素、酸素、硫黄又は酸素によ
りモノ−もしくはジ−置換されている硫黄によって置き
代ることができ、且つ不飽和であってもよい）、又は結
合炭素原子に結合している２個の炭素原子のそれぞれに
オキソ置換基を有し且つ縮合ベンゼンもしくはナフタレ
ン環を有すか又は有さないそれらの基のうちの１種と共
に、結合窒素原子より成る複素環を形成することがで
き、Ｒ3 及びＲ4 は互いに独立して水素；置換されてい
ないか又は置換されているアルキルもしくはシクロアル
キル；アリール；複素環式基；又は置換されていないも
しくは置換されているアルケニル；あるいはＲ3 及びＲ
4 は共に置換されていない又は置換されているアルキレ
ン、アルキリデンもしくはベンゾ縮合アルキレンであ
り、Ｒ5 はヒドロキシであり；Ｒ6 は水素であるか；又
はＲ5 及びＲ6 共にオキソであり；そしてＲ7 は置換さ
れていないか又は置換されているアルキルもしくはシク
ロアルキル；アリール；複素環；または置換されていな
いかもしくは置換されているアルケニルである〕で表わ
される化合物及び塩形成基を有する上記の化合物の塩で
ある。
【００１０】本発明の詳細において、基の定義において
利用する「低級」なる語（例えば低級アルキル、低級ア
ルコキシ、低級アルカノイル）は、特に何らかの定義が
ない限り、最大７個迄、そして好ましくは４個迄の炭素
原子を含む基を意味する。そうではないと示していない
限り、基Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 ，Ｒ4 ，Ｒ7 ，Ｒ8 、及び／
又はＲ9 は、同一もしくは異なる置換基によって１から
多置換された、特に１から３置換された、例えば１置換
されたものでありうる。
【００１１】Ｒ3 及びＲ4 、並びにＲ5 及びＲ6 により
置換されている式Ｉの化合物における炭素原子が不斉原
子である場合、その他のあらゆる不斉原子と同様に
（Ｒ）−，（Ｓ）−又は（Ｒ，Ｓ）−配置でありうる。
従って、本化合物は異性体混合物の型又は純粋な異性体
の型、特にジアステレオマーの混合物、鏡像異性体のペ
アー又は純粋な鏡像異性体の型でありうる。式Ｉの好ま
しい化合物は、Ｒ3 又はヒドロキシＲ5 により置換され
ている炭素原子が（Ｓ）配置であり、そして存在しうる
任意のその他の不斉炭素原子は互いに独立して（Ｒ）
−，（Ｓ）−又は（Ｒ，Ｓ）−配置でありうる。
【００１２】本発明の説明において用いている一般的な
語及び名称は以降の意味を有し、そして本明細書に挙げ
る基の種々のレベルの意味の範囲において、一般の定義
の代りに任意の組合せ又は個々の基を利用することがで
きる。アシルＲ1 ，Ｒ2 ，Ｒ8 又はＲ9 は例えば２５個
迄、好ましくは１９個迄の炭素原子を有し、そしてそれ
らは特に、カルボン酸、炭酸の半エステル、置換されて
いないかもしくはＮ−置換されたカルバミド酸、置換さ
れていないかもしくはＮ−置換されたオキサルアミド、
又は置換されていなかもしくは置換されたアミノ酸のア
シル基であり、上記の各アシル基においてカルボニル基
の代りにチオカルボニル基があることが可能である。基
Ｒ1 及びＲ2 のうちの多くて一方、そして２以上のＲ8
及びＲ9 のうちの多くて一方がアシル化されていること
が好ましい。
【００１３】カルボン酸の好ましいアシル基Ｒ1 ，
Ｒ2 ，Ｒ8 及びＲ9 は、１９個迄の炭素原子を有する置
換されていないか又は置換されたアルカノイル、例えば
ｎ−デカノイル、あるいは好ましくは、低級アルカノル
例えばホルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリルも
しくはピバロイル、又は置換された低級アルカノルであ
って、特に以下の型である。即ち、シクロアルキル−低
級アルカノイル（ここでシクロアルキルは例えば３〜７
個の炭素原子を有し、そして低級アルカノイルは上記に
定義した通りである）、例えばシクロアルキルカルボニ
ル、特に全部で４〜８個の炭素原子を有する、シクロプ
ロピル−、シクロブチル−、シクロペンチル−もしくは
シクロヘキシル−カルボニル、又は２−シクロヘキシル
−もしくは２−シクロペンチル−アセチル。
【００１４】シクロアルケニル−低級アルカノイル（こ
こで、シクロアルケニルは例えば３〜７個の炭素原子を
有する）、例えばシクロアルケニルカルボニル、好まし
くは４〜８個の炭素原子を有する、例えば１−シクロヘ
キセニルカルボニル、１，４−シクロヘキサジエニルカ
ルボニル又は１−シクロヘキセニルアセチル又は１，４
−シクロヘキサジエニルアセチル。
【００１５】ビシクロアルキル−低級アルカノイル（こ
こでビシクロアルキルは例えば５〜１０個の炭素原子を
含む）、例えばビシクロアルキルカルボニル、好ましく
は８〜１１個の炭素原子を有する、デカヒドロナフチル
−２−カルボニル、エンド−もしくはエキソ−ノルボル
ボニル−２−カルボニル、ビシクロ〔２，２，２〕オク
ト−２−イルカルボニル又はビシクロ〔３，３，１〕ノ
ン−９−イルカルボニル、そして更にはビシクロ−ヘキ
シル−、−ヘプチル−、−オクチル−、−ノニル−、も
しくは−デシル−アセチル、又は−３−プロピオニル、
例えばビシクロ〔３，１，０〕ヘキス−１−、−２−も
しくは−３−イル、ビシクロ〔４，１，０〕ヘプト−１
−もしくは−７−イル、ビシクロ〔２，２，１〕ヘプト
−２−イル、例えばエンド−もしくはエキソ−ノルボル
ニル−、ビシクロ〔３，２，１〕オクト−２−イル、ビ
シクロ〔３，３，０〕オクト−３−イル又はビシクロ
〔３，３，１〕ノン−９−イル、そして更にはα−もし
くはβ−デカヒドロナフチル−アセチル又は−３−プロ
ピオニル。
【００１６】ビシクロアルケニルカルボニル、好ましく
は８〜１２個の炭素原子を有す、例えば５−ノルボルネ
ン−２−イルカルボニル又はビシクロ〔２，２，２〕オ
クテン−２−イルカルボニル。トリシクロアルキル−低
級アルカノイル（ここでトリシクロアルキルは例えば８
〜１０個の炭素原子を有す）、例えばトリシクロアルキ
ルカルボニル、好ましくは８〜１１個の炭素原子を有す
る、例えば１−もしくは２−アダマンチルカルボニル、
そして更にはトリシクロ〔５，２，１，０2,6 〕デク−
８−イル又はアダマンチル−アセチル、例えば１−アダ
マンチル−アセチル。
【００１７】アリール−低級アルカノイル、〔ここで、
アリールは、６〜１４個の炭素原子を有する、例えばフ
ェニル、インデニル、インダニル、ナフチル、アントリ
ル、フェナントリル、アセナフチル又はフルオレニルで
あり、そして置換されていないか、低級アルキル、例え
ばメチル、エチルもしくはプロピル、ハロー低級アルキ
ル例えばトリフルオロメチル、フェニル、１−もしくは
２−ナフチル、ヒドロキシ、低級アルコキシ例えばメト
キシ、カルバモイル−低級アルコキシ、Ｎ−低級アルキ
ルカルバモイル−低級アルコキシもしくはＮ，Ｎ−ジ−
低級アルキルカルバモイル−低級アルコキシ、アミノ、
モノ−もしくはジ−低級アルキルアミノ、低級アルカノ
イルアミノ例えばピバロイルアミノ、ハロゲン例えばフ
ッ素、塩素もしくは臭素、カルボキシ、低級アルコキシ
カルボニル、例えば第三ブトキシカルボニル、フェニル
−、ナフチル−もしくはフルオレニル−低級アルコキシ
カルボニル、例えばベンジルオキシカルボニル、低級ア
ルカノイル、スルホ、低級アルキルスルホニル例えばメ
チルスルホニル、ホスホノ、ヒドロキシ−低級アルコキ
シホスホリルもしくはジ−低級アルコキシホスホリル、
カルバモイル、モノ−もしくはジ−低級アルキルカルバ
モイル、スルファモイル、モノ−もしくはジ−低級アル
キルアミノスルホニル、ニトロ及び／又はシアノによっ
て特に１から３置換されているもの（ここでフェニルは
最大３個迄存在することができる）、例えばジフェニル
−、ジベンジル−もしくはトリフェニル−低級アルカノ
イル、例えばジフェニル−、ジベンジル−もしくはトリ
フェニル−アセチルであり；そしてここで低級アルカノ
イルは、置換されていないものか、あるいは以下の置換
基、即ち、低級アルキル例えばメチル；複素環式基であ
ってピロリル、フリル、チエニル、イミダゾリル、ピラ
ゾリル、オキサゾリル、チアゾリル、ピリジル、ピラジ
ニル、ピリミジニル、インドリル、キノリル、イソキノ
リル、キノキサリニル、β−カルボリニル及びこれらの
ラジカルのベンゾ−縮合、シクロペンタ−、シクロヘキ
サ−又はシクロヘプタ−縮合誘導体（これらは完全もし
くは部分飽和されていてもよい）より選ばれる複素環式
基；ヒドロキシ、低級アルコキシ、低級アルカノイルオ
キシ例えばアセトキシ、プロピオニルオキシ、ブチロキ
シ、イソブチロキシ又はピバロイルオキシ、アセトアセ
トキシ、アミノ−もしくはベンジルオキシカルボニルア
ミノ−低級アルカノイルオキシ例えば２−アミノ−もし
くは２−ベンジルオキシカルボニルアミノ−２−メチル
プロピオニルオキシ；アリール−低級アルカノイルオキ
シ（ここでアリールは６〜１０個の炭素原子を有する）
例えばベンゾイルオキシ−フェニルアセトキシ、１−も
しくは２−ナフトイルオキシ、低級アルコキシ例えばメ
トキシ−、エトキシ−、ｎ−プロポキシ−、イソプロポ
キシ−、ｎ−ブトキシ−、イソブトキシ−、第二ブトキ
シ−、第三ブトキシ−、ｎ−ペンチルオキシ−、イソペ
ンチルオキシ−、ネオペンチルオキシ−、第三ペンチル
オキシ−、ｎ−ヘキシルオキシ−、イソヘキシルオキシ
−、もしくはｎ−ヘプチルオシキ−カルボニルオキシ、
モノ−もしくはジ−低級アルキルアミノ−カルボニルオ
キシ例えばエチルアミノカルボニルオキシ又はジエチル
アミノカルボニルオキシ；アリールオキシ−カルボニル
オキシ（ここでアリールは６〜１０個の炭素原子を有す
る）、例えばフェノキシカルボニルオキシ又は１−もし
くは２−ナフチルオキシカルボニルオキシ；アリール低
級アルコキシカルボニルオキシ（ここでアリールは６〜
１４個の炭素原子を有する）、特にフェニル−低級アル
コキシカルボニルオキシ、例えばベンジルオキシカルボ
ニルオキシ、そして更には１−もしくは２−ナフチルメ
トキシカルボニルオキシ又は９−フルオレニルメトキシ
カルボニルオキシ、スルホニルオキシ、低級アルキルス
ルホニルオキシ例えばメチル−、エチル−、プロピル
−、イソプロピル−、ｎ−ブチル−、イソブチル−、第
二ブチル−、第三ブチル−、ｎ−ペンチル−、イソペン
チル−、ネオペンチル−、第三ペンチル−、ｎ−ヘキシ
ル−、イソヘキシル−、もしくはｎ−ヘプチル−スルホ
ニルオキシ、フェニルスルホニルオキシ、２−もしくは
４−トルエンスルホニルオキシ、１−もしくは２−ナフ
チルスルホニルオキシ、カルボキシ；エステル化カルボ
キシであって、低級アルコキシカルボニル、例えばメト
キシ−、エトキシ−、ｎ−プロポキシ−、イソプロポキ
シ−、ｎ−ブトキシ−、イソブトキシ−、第二ブトキシ
−、第三ブトキシ−、ｎ−ペンチルオキシ−、イソペン
チルオキシ−、ネオペンチルオキシ−、第三ペンチルオ
キシ−、ｎ−ヘキシルオキシ−、イソヘキシルオキシ−
もしくはｎ−ヘプチルオキシ−カルボニルより選ばれる
もの；アリールオキシカルボニル（ここでアリールは６
〜１０個の炭素原子を有する）、例えばフェノキシカル
ボニル又は１−もしくは２−ナフチルオキシカルボニ
ル；アリール−低級アルコキシカルボニル（ここでアリ
ールは６〜１２個の炭素原子を有する）、例えばベンジ
ルオキシカルボニル、１−もしくは２−ナフチルメトキ
シカルボニル又は２−フルオレニルメトキシカルボニ
ル；低級アルカノイル；低級アルキルスルホニル例えば
メチル−もしくは第三ブチル−スルホニル；ヒドロキシ
−低級アルコキシホスホリル又はジ−低級アルコキシホ
スホリルカルバモイル；以下の１又は２種の基によって
置換されているカルバモイル、即ち、低級アルキル、例
えばメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブ
チル、イソブチル、第二ブチル、第三ブチル、ｎ−ペン
チル、イソペンチル、ネオペンチル、第三ペンチル、ｎ
−ヘキシル、イソヘキシルもしくはｎ−ヘプチルより選
ばれる基によって置換されているもの（例えば、Ｎ−メ
チルカルバモイル、Ｎ−ｎ−ブチルカルバモイルもしく
はＮ，Ｎ−ジメチルカルバモイル）、カルボキシ−低級
アルキルもしくは低級アルコキシカルボニル−低級アル
キルより選ばれる基によって置換されているもの（例え
ばカルボキシメチルカルバモイル（グリシニルカルボニ
ル）又は第三ブトキシカルボニルメチルカルバモイ
ル）、ジ低級アルキルアミノ−低級アルキル例えば２−
ジメチルアミノエチル、アミノカルボキシ−低級アルキ
ル例えば５−アミノ−５−カルボキシペンチルより選ば
れるラジカルによって置換されているもの、ヒドロキシ
−低級アルキル例えばヒドロキシメチルもしくはヒドロ
キシエチルより選ばれるラジカルによって置換されてい
るもの、更にはジ低級アルコキシ−低級アルキル例えば
２−（２，２−ジメトキシエチル）より置換されている
カルバモイル；以下の基、即ち、エチレン、トリメチレ
ン、テトラメチレン及びペンタメチレン（その炭素原子
は窒素、酸素、硫黄又は酸素によって１もしくは２置換
された硫黄と交換されていることがあり、そして不飽和
でありうる）１種によって置換されているカルバモイル
例えば、ピペリジン−１−イル−、ピラジン−１−イル
−、ピペラジン−１−イル−、ピリミジン−１−イル
−、ピリダジン−１−イル−、モルホリルノ−、チオモ
ルホリノ−又はＳ，Ｓ−ジオキソチオ−モルホリノ−カ
ルボニル；スルファモイル、ホスホノ、ベンゾフラニ
ル、オキソ、並びに／あるいはシアノによって置換され
ている低級アルカノイルである（これは枝分れしていな
い又は枝分れしている）〕であって、例えば低級アルキ
ル例えばメチル、フェニル、ハロゲン例えばフッ素もし
くは塩素、ヒドロキシ、低級アルコキシ例えばメトキシ
及び／又はニトロによって／もしくは多置換されている
か置換されていないベンゾイル、例えば４−クロロ−、
４−メトキシ−もしくは４−ニトロ−ベンゾイル、ナフ
チルカルボニル例えばα−もしくはβ−ナフチルカルボ
ニル又は１，８−ナフタレンジカルボニルであって両カ
ルボニル基を介してアミノ基に結合しているもの、イン
デニルカルボニル例えば１−，２−もしくは３−インデ
ニルカルボニル、インダニルカルボニル例えば１−もし
くは２−インダニルカルボニル、フェナントレニルカル
ボニル例えば９−フェナントレニルカルボニル、フェニ
ルアセチル、α−ナフチルアセチル、β−ナフチルアセ
チル、低級アルキルフェニルアセチル例えば４−メチル
フェニルアセチル、低級アルコキシフェニルアセチル例
えば４−メトキシフェニルアセチル、３−フェニルプロ
ピオニル、３−（ｐ−ヒドロキシフェニル）−プロピオ
ニル、ジフェニルアセチル、ジ−（４−メトキシフェニ
ル）−アセチル、トリフェニルアセチル、２，２−ジベ
ンジルアセチル、アニリノフェニルアセチル（そのフェ
ニル基において、低級アルキル例えばメチルもしくはエ
チル、ヒドロキシ、低級アルコキシ例えばメトキシ、ア
ミノ、モノ−もしくはジ−低級アルキルアミノ例えばエ
チルアミノ又はジメチルアミノ、ハロゲン例えばフッ素
又は塩素、カルボキシ、スルホ、カルバモイル、スルフ
ァモイル及びシアノより選ばれる１もしくは２種の基に
よる置換がなされているもの、あるいは、そのアミノ基
にて、低級アルキル及びベンジルより選ばれる１もしく
は２種の基によって置換がなされているもの）例えば２
−（０，０−ジクロロアニリノ）−フェニルアセチル又
は２−（０，０−ジクロロ−Ｎ−ベンジルアニリノ）−
フェニルアセチル、３−α−もしくは３−β−ナフチル
プロピオニル、２−ベンジル−３−（１−ピラゾリル）
−プロピオニル、３−フェニル−もしくは３−α−ナフ
チル−２−ヒドロキシプロピオニル、３−フェニル−も
しくは３−α−ナフチル−２−低級アルコキシプロピオ
ニル例えば３−フェニル−もしくは３−α−ナフチル−
２−ネオペンチルオキシプロピオニル、３−フェニル−
もしくは３−α−ナフチル−２−低級アルカノイルオキ
シプロピオニル例えば３−フェニル−２−ピバロイルオ
キシ−もしくは−２−アセトキシ−プロピオニル、２−
ベンジル−もしくは１−２−ナフチル−３−（Ｎ−メト
キシ−Ｎ−メチルアミノ）−プロピオニル、３−α−ナ
フチル−２−アセトアセトキシプロピオニル、３−α−
ナフチル−２−エチル−アミノカルボニルオキシ−プロ
ピオニル又は３−α−ナフチル−２−（２−アミノ−も
しくは２−ベンジルオキシカルボニル−アミノ−２−メ
チルプロピオニルオキシ）−プロピオニル、３−フェニ
ル−もしくは３−α−ナフチル−２−カルボキシメチル
−プロピオニル、３−フェニル−もしくは３−α−ナフ
チル−２−低級アルコキシカルボニル−プロピオニル例
えば３−α−ナフチル−２−エトキシカルボニル−プロ
ピオニル、３−フェニル−もしくは３−α−ナフチル−
２−ベンジルオキシカルボニル−メチル−プロピオニ
ル、２−（Ｓ）ベンジル−３−第三ブチルスルホニルプ
ロピオニル、３−フェニル−２−ホスホノ−もしくは−
ホスホノメチルプロピオニル、３−フェニル−２−ジメ
トキシホスホリル−もしくは−ジメトキシ−ホスホリル
メチル−プロピオニル、３−フェニル−２−ジエトキシ
ホスホリル−もしくは−ジエトキシホスホリル−メチル
−プロピオニル、３−フェニル−２−エトキシ−もしく
は−メトキシ−ヒドロキシホスホリルプロピオニル、フ
ェニル−低級アルカノイル（ここで低級アルカノイル基
はカルバモイルによって置換されている）例えば２
（Ｒ，Ｓ）−カルバモイル−３−フェニルプロピオニ
ル、３−フェニル−もしくは３−α−ナフチル−２−カ
ルバモイルピロピオニル、３−フェニル−もしくは３−
α−ナフチル−２−第三ブチルカルバモイル−プロピオ
ニル、３−フェニル−もしくは−３−α−ナフチル−２
−（２−ジメチルアミノエチル）カルバモイルプロピオ
ニル、３−α−ナフチル−２−（カルボキシ−もしくは
第三ブトキシ−カルボニル）メチルカルバモイル−プロ
ピオニル、３−フェニル−もしくは３−α−ナフチル−
２−（３−ヒドロキシ−２−プロピル）−カルバモイル
−プロピオニル、３−フェニル−もしくは３−α−ナフ
チル−２−（２，２−ジメトキシエチル）カルバモイル
−プロピオニル、３−フェニル−もしくは３−α−ナフ
チル−２−（５−アミノ−５−カルボキシペンチル）−
カルバモイルプロピオニル、３−フェニル−もしくは３
−α−ナフチル−２−シアノプロピオニル、３−フェニ
ル−もしくは３−α−シアノメチル−プロピオニル、３
−フェニル−もしくは３−α−ナフチル−２−アセトニ
ル−プロピオニル、４−ヒドロキシフェニルブチリル、
４−フェニル−もしくは４−α−ナフチル−３−カルボ
キシブチリル、４−フェニル−もしくは４−α−ナフチ
ル−３−ベンジルオキシ−カルボニル−ブチリル、２−
ベンジル−もしくは２−α−ナフチルメチル−４−シア
ノブチリル、２−ベンジル−４−（２−ベンゾフラニ
ル）−４−オキソブチリル、２−ベンジル−もしくは２
−α−ナフチルメチル−５−ジメチルアミノ−ペンタノ
イル、２−ベンジル−もしくは２−α−ナフチルメチル
−４−オキサペンタノイル、２−ベンジル−もしくは２
−α−ナフチルメチル−４，４−ジメチル−３−オキソ
−ペンタノイル、２−ベンジル−もしくは２−α−ナフ
チルメチル−５−ジメチルアミノ−４−オキソ−ペンタ
ノイル、及び２−ベンジル−もしくは２−α−ナフチル
メチル−５，５−ジメチル−４−オキソ−ヘキサノイ
ル、特にフェニル−低級アルカイル、例えばフェニルア
セチル、又はフェニル−低級アルカノイルであってその
低級アルカノイル基がカルバモイルによって置換されて
いる例えば２（Ｒ，Ｓ）−カルバモイル−３−フェニル
プロピオニルより選ばれるアリール低級アルカノイル。
【００１８】フェニル−低級アルケニル例えばβ−フェ
ニルアクリロイル又はβ−フェニルビニルアセチル。複
素環式基−低級アルカノイル〔ここで、低級アルカノイ
ルは前記のアリール−低級アルカイルＲ1 ，Ｒ2 ，Ｒ8
及びＲ9 で定義した通りに置換されているか置換されて
いないことがあり；ここで複素環式基は好ましくは３〜
１０個環原子を有する単一又は二重環であり、炭素原子
又は特に窒素原子を介して結合し、そして最大３個迄の
ヘテロ原子（酸素、窒素、硫黄、セレン及び１又は２個
の炭素原子が連結している硫黄より選ばれる）を含み、
この環系は更に１もしくは２個のフェニル又はナフチル
基と縮合していてよく、ナフチルは両側において縮合し
ていてもよく、又は１もしくは２個のシクロアルキル基
と縮合していてもよく、ここでシクロアルキルは好まし
くは５〜７個の環原子を有し、そして不飽和又は部分的
もしくは完全飽和でありうる〕、例えば、チエニル−、
フリル−、ピラニル−、ピロリル−、イミダゾリル−、
ピラゾリル−、オキサゾリル−、イソキサゾリル−、チ
アゾリル−、フラザニル−、テトラゾリル−、ピリジル
−、ピラジニル−、ピリミジニル−、ピリダジニル−、
アゼピニル−、インドリル−、ベンズイミダゾリル−、
１Ｈ−インダゾリル−、キノリル−、イソキノリル−、
キノキサリニル−、キナゾリニル−、シンノリル−、プ
リニル−、プテリジニル−、ナフチリジニル−、４Ｈ−
キノリジニル−、３，１−ベンゾフラニル−、ベンズ
〔ｅ〕インドリル−、４，１，−ベンズオキサジニル
−、４，１−ベンゾチアジニル−、カルバゾリル−、β
−カルボリニル−、フェナジニル−、フェナントリジル
−、アクリジニル−、フェノキサジニル−、フェノチア
ジニル−、１−アザアセナフテニル−、シクロヘキサ
〔ｂ〕ピロニル−、シクロヘプタ〔ｂ〕−ピロリル−、
シクロヘキサ〔ｂ〕ピラゾリル−、シクロヘキサ〔ｂ〕
ピリジル−、シクロヘキサ〔ｂ〕ピラジニル−、シクロ
ヘキサ〔ｂ〕ピリミジニル−、シクロヘキサ〔ｂ〕−
１，４−オキサジニル−、シクロヘキサ〔ｂ〕−１，４
−チアジニル−、ピロリジニル−、ピロリニル−、イミ
ダゾリジニル−、２−イミダゾリニル−、２，３−ジヒ
ドロピリジル−、ピペリジル−、ピペラジニル−、２，
３，５，６−テトラヒドロピラジニル−、モルホリニル
−、チオモルホリニル−、Ｓ，Ｓ−ジオキソ−チオモル
ホリニル−、インドリニル−、イソインドリニル−、
４，５，６，７−テトラヒドロインドリル−、１，２，
３，４−テトラヒドロキノリル−、１，２，３，４−テ
トラヒドロイソキノリル−、クロマニル−、チオクロマ
ニル−、１，２，３，４−テトラヒドロ−３，１−ベン
ゾジアジニル−、３，４−ジヒドロ−３Ｈ−４，１−ベ
ンズオキサジニル−、３，４−ジヒドロ−３Ｈ−４，１
−ベンゾチアジニル−、２，３，４，５−テトラヒドロ
−、１Ｈ−５，１−ベンズアゼピニル−もしくは５，６
−ジヒドロフェナントリジニル−低級アルカノイル（上
記の複素環式基は、低級アルキル例えばメチル、フェニ
ル、１−もしくは２−ナフチル、フェニル−低級アルキ
ル例えばベンジル、ヒドロキシ−低級アルキル例えばヒ
ドロキシメチルもしくは２−ヒドロキシエチル、低級ア
ルコキシ−低級アルキル例えばメトキシメチルもしくは
２−メトキシエチル、フェノキシ−もしくはナフチルオ
キシ−低級アルキル例えば２−フェノキシエチル、１−
もしくは２−ナフチルオキシメチル、フェニル−低級ア
ルコキシ−もしくはナフチル−低級アルコキシ−低級ア
ルキル例えばベンジルオキシ−低級アルキル、低級アル
カノイルオキシ−低級アルキル例えばアセトキシメチ
ル、フェニル−もしくはナフチル−低級アルカノイルオ
キシ−低級アルキル例えばベンゾイルオキシ−、フェニ
ルアセトキシ−又は１−もしくは２−ナフトイルオキシ
−メチル、−２−エチルもしくは−２−（２，２−ジメ
チルエチル）、低級アルコキシカルボニルオキシ−低級
アルキル例えば第三ブトキシカルボニルオキシ−低級ア
ルキル、フェニル−、ナフチル−、又はフルオレニル−
低級アルコキシカルボニルオキシ−低級アルキル例えば
２−ベンジルオキシカルボニルオキシエチルもしくは９
−フルオレニルメトキシカルボニルオキシエチル、アミ
ノ−低級アルキル例えばアミノメチル、２−アミノエチ
ルもしくは２−アミノプロピル、カルボキシ−低級アル
キル例えばカルボキシメチルもしくは２−カルボキシエ
チル、ヒドロキシ、低級アルコキシ例えばメトキシもし
くはエトキシ、フェニル−もしくはナフチル−低級アル
コキシ例えばベンジルオキシ又は１−もしくは２−ナフ
チルメトキシ、アミノ、低級アルキルアミノ例えばメチ
ル−、エチル−もしくは第三ブチル−アミノ、ジ低級ア
ルキルアミノ例えばジメチル−もしくはジエチルアミ
ノ、カルボキシ、低級アルキルカルボキシ例えばメトキ
シ−、イソプロポキシ−、第二ブトキシ−もしくは第三
ブトキシ−カルボニル、フェニル−もしくはナフチル−
低級アルコキシカルボニル例えばベンジルオキシカルボ
ニル、ハロゲン例えばフッ素、塩素、臭素もしくはヨウ
素、特に塩素もしくは臭素、低級アルカノイル例えばア
セチルもしくはピバロイル、低級アルキルスルホニル例
えばメチル−もしくはエチル−スルホニル、ホスホノ、
ヒドロキシ−低級アルコキシホスホリルもしくはジアル
コキシホスホリル例えばジメトキシ−もしくはジエトキ
シ−ホスホリル−カルバモイル、モノ−もしくはジ−低
級アルキルカルバモイル例えばＮ−メチルカルバモイ
ル、Ｎ−ｎ−ブチルカルバモイルもしくはＮ，Ｎ−ジメ
チルカルバモイル、ヒドロキシ−もしくはカルボキシ−
低級アルキルカルバモイル例えばヒドロキシ−もしくは
カルボキシ−メチルカルバモイル又はヒドロキシ−もし
くはカルボキシ−エチルカルバモイル、スルファモイ
ル、ニトロ、オキソ及び／あるいはシアノによって置換
されているか置換されていないものである）特に、ピロ
リルカルボニル（これは低級アルキルもしくはフェニル
によって置換されているか又は置換されていない）例え
ば２−もしくは３−ピロリルカルボニル、４−もしくは
５−メチルピロリルカルボニル又は４−もしくは５−フ
ェニルピロリル−２−カルボニル、チエニルカルボニ
ル、例えば２−チエニルカルボニル、フリルカルボニ
ル、例えば２−フリルカルボニル、ピリジンカルボニ
ル、例えば２−，３−もしくは４−ピリジンカルボニ
ル、ピリジン−１−イルカルボニル、インドリルカルボ
ニル（低級アルキル例えばメチル、フェニル−低級アル
キル例えばベンジル、低級アルコキシ例えばメトキシ、
フェニル低級アルコキシ例えばベンジルオキシ又はハロ
ゲン例えば塩素によって置換されているものか、置換さ
れていないもの）例えば２−，３−もしくは５−インド
リルカルボニル、１−メチル−、５−メチル−、５−メ
トキシ−、５−ベンジルオキシ−、５−クロロ−もしく
は４，５−ジメチル−インドリル−２−カルボニル、１
−ベンジルインドリル−２−もしくは−３−カルボニ
ル、４，５，６，７−テトラヒドロインドリル−２−カ
ルボニル、置換されていないか又はヒドロキシ置換され
たキノリル−低級アルカノイル例えばキノリルカルボニ
ル、例えば２−，３−もしくは４−キノリルカルボニル
又は４−ヒドロキシキノリル−２−カルボニル、置換さ
れていないか又はヒドロキシ置換されたイソキノルリカ
ルボニル、例えば１−，３−もしくは４−イソキノリル
カルボニル又は１−オキソ−１，２−ジヒドロイソキノ
リル−３−カルボニル、２−キノキサリニルカルボニ
ル、２−（３，１−ベンゾフラニル）−カルボニル、ベ
ンズ〔ｅ〕インドリル−２−カルボニル、β−カルボリ
ニル−３−カルボニル、シクロヘプタ〔ｂ〕ピロリル−
５−カルボニル、３−クロマニルカルボニル、３−チオ
クロマニルカルボニル、ピロリジニル−３−カルボニ
ル、ヒドロキシピロリジニルカルボニル例えば３−もし
くは４−ヒドロキシピロリジニル−２−カルボニル、オ
キソピロリジニル−カルボニル例えば５−オキソピロリ
ジニル−２−カルボニル、ピペリジルカルボニル例えば
ピペリジノカルボニル又は２−，３−もしくは４−ピペ
リジルカルボニル、ピラジルニルカルボニル例えばピラ
ジン−１−イルカルボニル、ピペラジニルカルボニル例
えばピペラジン−１−イルカルボニル、モルホリニル−
低級アルカノイル、例えばモルホリニルカルボニル例え
ばモルホリノカルボニル、チオモルホリニル−低級アル
カノイル、例えばチオモルホリニルカルボニル例えばチ
オモルホリノカルボニル、Ｓ，Ｓ−ジオキソチオモルホ
リニルカルボニル例えばＳ，Ｓ−ジオキソチオモノホリ
ノカルボニル、インドリルカルボニル例えば２−もしく
は３−インドリニルカルボニル、１，２，３，４−テト
ラヒドロキノリルカルボニル例えば１，２，３，４−テ
トラヒドロキノリル−２−，３−もしくは−４−カルボ
ニル、１，２，３，４−テトラヒドロイソキノリル−カ
ルボニル例えば１，２，３，４−テトラヒドロイソキノ
リル−１−，−３−もしくは−４−カルボニル又は１−
オキソ−１，２，３，４−テトラヒドロイソキノリル−
３−カルボニル、テトラゾリル−低級アルカノイル例え
ば３−（テトラゾル−１−イル）プロピオニル、並びに
ピリジル−低級アルカノイル、例えばピリジルアセチル
例えば２−，３−もしくは４−ピリジルアセチルより選
ばれ、より特別には、モルホリノカルボニル、チオモル
ホリノカルボニル、Ｓ，Ｓ−ジオキソチオモルホリノカ
ルボニル、ピリジルアセチル、インドリルアセチル、ベ
ンゾフラニルアセチル、４−ピロリジニルアセチル、１
−イミダゾリルアセチル、キノリン−２−イルアセチ
ル、インドル−２−イルアセチル、２−モルホリノ−２
−イソプロピルアセチル及び２−（Ｓ，Ｓ−ジオキソチ
オモルホリノ）−２−イソプロピルアセチルより選ば
れ、最も特別にはモノホリノカルボニル、チオモルホリ
ノカルボニル、キノリン−２−イルカルボニル、３−
（テトラゾル−１−イル）−プロピオニル又は２−もし
くは３−ピリジルアセチルより選ばれる複素環式基−低
級−アルカイル。
【００１９】複素環式基−低級アルケノイル（ここで複
素環式基は特にピロリル、フリル、チエニル、イミダゾ
リル、ピラゾリル、オキサゾリル、チアゾリル、ピリジ
ル、ピラジニル、ピリミジニル、インドリル、キノリ
ル、イソキノリル、キノキサリニル、β−カルボリニル
及びこれらのラジカルのベンゾ縮合、シクロペンタ−、
シクロヘキサ−もしくはシクロヘプタ縮合誘導体より選
ばれる（これは完全又は部分的に飽和でありうる）〕、
例えばピロリジル−低級アルケノイル例えばＮ−ピロリ
ジルアクリロリル。
【００２０】ヒドロキシ−低級アルカノイル例えば３−
ヒドロキシプロプオニル又は２−ヒドロキシ−２−メチ
ルペンタノイル。ヒドロキシ−低級アルコキシ−低級ア
ルカノイル例えば３−ヒドロキ−ｎ−プロポキシカルボ
ニル。低級アルコキシ−低級アルカイル、例えば低級ア
ルコキシアセチル又は低級アルコキシプロピオニル、例
えばメトキシアセチル、エトキシアセチルもしくは３−
メトキシプロピオニル。
【００２１】低級アルコキシ−低級アルコキシ−低級ア
ルカノイル、例えば２−メトキシメキシ−３−メチル−
ペンタノイル。フェノキシ−低級アルカノイル又はニト
ロフェノキシ−低級アルカノイル、例えばフェノキシア
セチル又は４−ニトロフェノキシアセチル。ナフチルオ
キシ−低級アルカノイル例えばβ−ナフチルオキアセチ
ル。
【００２２】低級アルカノイルオキシ−低級アルカノイ
ル（ここで、低級アルカノイルオキシは例えばアセトキ
シ、プロピオニルオキシ、ブチロキシ、イソブチロキシ
又はピバロイルオキシである）例えばアセトキシアセチ
ル間かは３−アセトキシプロピオニル。アセトアセトキ
シ−低級アルカノイル、例えば３−アセトアセトキシ−
プロピオニル。
【００２３】アミノ−又はベンジルオキシカルボニルア
ミノ−低級アルカノイルオキシ−低級アルカノイル、例
えば２−アミノ−もしくは２−ベンジルオキシカルボニ
ルアミノ−２−メチルプロピオニルオキシ−低級アルカ
ノイル、例えば−３アセチルもしくは−３−プロピオニ
ル。アリール−低級アルカノイルオキシ−低級アルカノ
ル（ここでアリールは６〜１０個の炭素原子を有す
る）、例えばベンジルオキシ−、フェニルアセトキシ−
又は１−もしくは２−ナフトイルオキシ−低級アルカノ
イル。
【００２４】低級アルコキシカルボニルオキシ−低級ア
ルカノイル、例えばメトキシ−、エトキシ−、ｎ−プロ
ポキシ−、イソプロポキシ−、ｎ−ブトキシ−、イソブ
トキシ−、第二ブトキシ−、第三ブトキシ−、ｎ−ペン
チルオキシ−、イソペンチルオキシ−、ネオペンチルオ
キシ−、第三ペンチルオキシ−、ｎ−ヘキシルオキシ
−、イソヘキシルオキシ−又はｎ−ヘプチルオキシ−カ
ルボニルオキシ−低級アルカノイル、例えば−アセチル
又は−３−プロピオニル。
【００２５】モノ−もしくはジ−低級アルキル−アミノ
カルボニルオキシ−低級アルカノイル、例えばエチルア
ミノカルボニルオキシ−低級アルカノイル又はジエチル
アミノカルボニルオキシ−低級アルカイル、例えば−ア
セチル又は−３−プロピオニル。アリールオキシカルボ
ニルオキシ−低級アルカノイル（ここでアリールは６〜
１０個の炭素原子を有する）、例えばフェノキシカルボ
ニルオキシ−又は１−もしくは２−ナフチルオキシカル
ボニルオキシ−低級アルカノイル、例えば−アセチル又
は−３−プロピオニル。
【００２６】アリール低級アルカノイルオキシ−低級ア
ルカイル（ここでアリールは６〜１０個の炭素原子を有
する）、例えばベンゾイルオキシ−、フェニルアセトキ
シ−又は１−もしくは２−ナフトイルオキシ−低級アル
カノイル。低級アルコキシカルボニルオキシ−低級アル
カノイル、例えばメトキシ−、エトキシ−、ｎ−プロポ
キシ−、イソプロポキシ−、ｎ−ブトキシ−、イソブト
キシ−、第二ブトキシ−、第三ブトキシ−、ｎ−ペンチ
ルオキシ−、イソペンチルオキシ−、ネオペンチルオキ
シ−、第三ペンチルオキシ−、ｎ−ヘキシルオキシ−、
イソヘキシルオキシ−又はｎ−ヘプチルオキシ−カルボ
ニルオキシ−低級アルカノイル、例えば−アセチル又は
−３−プロピオニル。
【００２７】モノ−もしくはジ−低級アルキル−アミノ
カルボニルオキシ−低級アルカノイル、例えばエチルア
ミノカルボニルオキシ−低級−アルカノイル又はジエチ
ルアミノカルボニルオキシ−低級−アルカノイル、例え
ば−アセチル又は−３−プロピオニル。アリールオキシ
カルボニルオキシ−低級アルカノイル（ここでアリール
は６〜１０個の炭素原子を有する）、例えばフェノキシ
カルボニルオキシ−又は１−もしくは２−ナフチルオキ
シカルボニルオキシ−低級アルカノイル、例えば−アセ
チル又は−３−プロピオニル。
【００２８】アリール−低級アルコキシカルボニルオキ
シ−低級アルカノイル（ここでアリールは６〜１２個の
炭素原子を有する）、例えばフェニル−低級アルコキシ
カルボニルオキシ−低級アルカノイル−例えばベンジル
オキシカルボニルオキシ−アセチル又は−３−プロピオ
ニル、そして更に１−もしくは２−ナフチルメトキシカ
ルボニルオキシ−低級アルカノイル又は９−フルオレニ
ルメトキシカルボニルオキシ−低級アルカノイル、例え
ば−アセチル又は−３−プロピオニル。スルホニルオキ
シ−低級アルカノイル、例えば−アセチル又は−３−プ
ロピオニル。
【００２９】低級アルキルスルホニルオキシ−低級アル
カイル、例えばメチル−、エチル−、プロピル−、イソ
プロピル−、ｎ−ブチル−、イソブチル−、第二ブチル
−、第三ブチル−、ｎ−ペンチル−、イソペンチル−、
第三ペンチル−、ｎ−ヘキシル−、イソヘキシル−又は
ｎ−ヘプチル−スルホニルオキシ−低級アルカノイル、
例えばアセチル又は−３−プロピオニル。
【００３０】フェニルスルホニルオキシ−、２−もしく
は４−トルエンスルホニルオキシ−又は１−もしくは２
−ナフチルスルホニルオキシ−低級アルカノイル。アリ
ールメルカプト−低級アルカノイル（ここでアリールは
６〜１０個の炭素原子を有し、そして好ましくはフェニ
ル又はナフチルである）、例えばフェニルメルカプト−
低級アルカノイル、例えば−アセチル又は−３−プロピ
オニル。
【００３１】アミノ−低級アルカノイル（ここでアミノ
基はα−又はβ−位にあるのではない）例えば５−アミ
ノペンタノイル。低級アルカノイルアミノ−低級アルカ
ノイル（ここでアミノ基はこの低級アルカノイルラジカ
ルのα−又はβ−位にあるのではない）例えば５−アミ
ノ−ペンタノイル。
【００３２】低級アルコキシカルボニルアミノ−低級ア
ルカノイル（ここでアミノ基はこの低級アルカノイルラ
ジカルのα−又はβ−位のあるのではない）例えば５−
（第三ブトキシカルボニルアミノ）−ペンタノイル。フ
ェニル−低級をアルコキシカルボニルアミノ−低級アル
カノイル（ここでアミノ基はこの低級アルカノイルラジ
カルのα−又はβ−位にあるのではない）例えば５−ベ
ンジルオキシカルボニルアミノペンタノイル又は６−ベ
ンジルオキシカルボニルアミノヘキサノイル。
【００３３】アミノ−低級アルカノイルであってそのア
ミノ窒素原子が、前記の複素環式基−低級アルカノイル
Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ8 又はＲ9 に関して定義した複素環式基
−低級アルカノイル、特にＮ−モルホリノ−又はチオモ
ルホリノ−カルボニルによって置換されているもの、例
えばＮ−モルホリノ−又はＮ−チオモルホリノ−カルボ
ニルアミノ−アセチル。
【００３４】ハロ−低級アルカイル（好ましくは３個迄
のハロゲン原子を有するもの）、例えばα−ハロ−アセ
チル、例えばα−フルオロ−、α−クロロ−、α−ブロ
モ−、α−イオド−、α，α，α−トリフルオロ−もし
くはα，α，α−トリクロロ−アセチル又はハロプロピ
オニル、例えばβ−クロロ−もしくはβ−ブロモ−プロ
ピオニル。
【００３５】カルボキシ−低級アルカノイル、例えばカ
ルボキシアセチル又はβ−カルボキシプロピオニル。低
級アルコキシカルボニル−低級アルカノイル、例えばア
ルコキシカルボニルアセチル又は低級アルコキシカルボ
ニルプロピオニル、例えばメトキシカルボニルアセチ
ル、３−メトキシカルボニルプロピオニル、エトキシカ
ルボニルアセチル、３−エトキシカルボニルプロピオニ
ル又は第三ブトキシカルボニルプロピオニル。
【００３６】低級アルキルカルボニル−ハロ−低級アル
カイル、例えば３−エトキシカルボニル−２−ジフルオ
ロメチル−プロピオニル。２−ハロ−低級アルコキシカ
ルボニル−低級アルカノイル、例えば２−クロロ−、２
−ブロモ−、２−ヨードもしくは２，２，２−トリクロ
ロ−エトキシカルボニル−アセチル又は−３−プロピオ
ニル。
【００３７】フェニル−もしくはナフチル−低級アルコ
キシカルボニル−低級アルカノイル、例えばベンジルオ
キシカルボニル−低級アルカノイル、例えば３−ベンジ
ルオキシカルボニル−２，２−ジメチルプロピオニル。
複素環式基−低級アルコキシカルボニル−低級アルカノ
イル（ここで複素環式基は特にピロリル、フリル、チエ
ニル、イミダゾリル、ピラゾリル、オキサゾリル、チア
ゾリル、ピリジル、ピラジニル、ピリミジニル、インド
リル、キノリル、イソキノリル、キノキサリニル、β−
カルボリニル及びこれらのラジカルのベンゾ縮合、シク
ロペンタ−、シクロヘキサ−もしくはシクロヘプタ縮合
誘導体より選ばれ、更にこれらの完全又は部分的に飽和
されていることがある）、例えば４−ピリジルメチルメ
トキシカルボニル−アセチルもしくは−３−プロピオニ
ル、又は２−モルホリノカルボニルオキシ−４−メチル
ペンタノイル。
【００３８】スルホニル−低級アルカノイル、例えば３
−スルホニルプロピオニル。低級アルキルスルホニル−
低級アルカノイル、例えば２−エチルスルホニル−又は
２−第三ブチルスルホニルアセチル。アリールスルホニ
ル−低級アルカノイル（ここでアリールは好ましくは６
〜１０個の炭素原子を有する）、例えばフェニル又はナ
フチル、例えばフェニルスルホアセチル。
【００３９】カルバモイル−低級アルカノイル、例えば
カルバモイルアセチル又は３−カルバモイルプロピオニ
ル。低級アルキルカルバモイル−低級アルカノイル、例
えば低級アルキルカルバモイルアセチル又はメチルカル
バモイル−低級アルカノイル、例えばメチルカルバモイ
ルアセチル。
【００４０】ヒドロキシ−低級アルキルカルバモイル−
もしくはジ（ヒドロキシ−低級アルキル）カルバモイル
−低級アルカノイル、例えばヒドロキシメチルカルバモ
イル−又はジ（ヒドロキシメチル）カルバモイル−アセ
チルもしくは−プロピオニル。Ｎ−低級アルコキシ−低
級アルコキシ−低級アルキルカルバモイル−低級アルカ
ノイル、例えば２−イソブチル−３−（２−（２−メト
キシエトキシ）エチルアミノカルボニル）−プロピオニ
ル。
【００４１】カルボキシ−低級アルキルカルバモイル−
もしくはジ（カルボキシ−低級アルキル）カルバモイル
−低級アルカノイル、例えばカルボキシメチル−又はジ
（カルボキシメチル）カルバモイル−アセチルもしくは
−プロピオニル。ジ低級アルキルカルバモイル−低級ア
ルカノイル、例えばジ−低級アルキルカルバモイルアセ
チルもしくはジメチルカルバモイル−低級アルカノイル
−例えばジメチルカルバモイルアセチル。
【００４２】カルバモイル−低級アルカノイル（その窒
素原子は、エチレン、トリメチレン、テトラメチレン及
びペンタメチレンより選ばれるラジカルによって置換さ
れ、ここで炭素原子は窒素、酸素、硫黄又は酸素によっ
て１もしくは２置換された硫黄によって置き代われてい
てよく、更にこれらの基は完全又は部分的に不飽和とな
ってよい）、例えばピペリジノ−、ピラジン−１−イル
−、ピペラジン−１−イル−、ピリミジン−１−イル
−、ピリダジン−１−イル−モルホリノ−、チオモルホ
リノ−もしくはＳ，Ｓ−ジオキソチオモルホリノ−カル
ボニル−低級アルカイル、例えばモルホリノカルボニル
−アセチル、３−（モルホリノカルボニル）−プロピオ
ニル又は３−（モルホリノカルボニル）−２−イソブチ
ル−プロピオニル。
【００４３】Ｎ−複素環式基−低級アルキルカルバモイ
ル−低級アルカノイル又はＮ−低級アルキル−Ｎ−複素
環式基−低級アルキルカルバモイル−低級アルカノイル
（ここで複素環式基は特にピロリル、フリル、チエニ
ル、イミダゾリル、ピラゾリル、オキサゾリル、チアゾ
リル、ピリジル、ピラジニル、ピリミジニル、インドリ
ル、キノリル、イソキノリル、キノキサリニル、β−カ
ルボリニル及びこれらのラジカルのベンゾ縮合、シクロ
ペンタ−、シクロヘキサ−もしくはシクロヘプタ縮合誘
導体（これは完全又は部分的に飽和でありうる）、モル
ホリニル及びチオモルホリニルより好適に選ばれる）、
例えばＮ−メチル−２−（Ｎ−２−ピリジルメチル）−
カルバモイルアセチル、α−（Ｎ−モルホリノ−低級ア
ルキルカルバモイル）−低級アルカノイル、例えば２
（Ｒ，Ｓ）−（Ｎ−（２−モルホリノエチル）カルバモ
イル−３−メチル−ブチリル又は２−（Ｎ−（ピリジル
−低級アルキル）−カルバモイル）−低級アルカノイ
ル、例えば（２（Ｒ，Ｓ）−（Ｎ−（２−ピリジルメチ
ル）−カルバモイル）−３−メチル）−ブチリル。
【００４４】スルホァモイル−低級アルカノイル、例え
ば２−スルファモイルアセチル。Ｎ−（フェニル−もし
くはナフチル−低級アルキル）スルホァモイル−低級ア
ルカノイル−例えば３−ベンジルアミノスルホニル−２
−イソプロピル−プロピオニル。スルファモイル−低級
アルカノイル（その窒素はエチレン、トリメチレン、テ
トラメチレン及びペンタメチレンより選ばれるラジカル
によって置換されてよく、ここで炭素原子は窒素、低級
アルキル置換、例えばメチル置換された窒素、酸素、硫
黄又は酸素によって、１もしくは２置換された硫黄によ
って置き代われていてよく、そし更にこれらの基は完全
又は部分的に飽和になっていてよい）、例えばピペリジ
ノ−、ピラジン−１−イル、ピペラジン−１−イル−、
４−メチルピペラジン−１−イル、ピリミジン−１−イ
ル、ピリダジン−１−イル−、モルホリノ−、チオモル
ホリノ−又はＳ，Ｓ−ジオキソチオモルホリノスルホニ
ル低級アルカノイル、例えばカ−（４−メチルピペラジ
ンスルホニル）−２−イソプロピルプロピオニル又は３
−（モルホリノスルホリノ）−２−イソプロピル−プロ
ピオニル。
【００４５】オキソ−低級アルカノイル、例えばアセト
アセチル又はプロピオニルアセチル。シアノ−低級アル
カノイル、例えばシアノアセチル、２−もしくは３−シ
アノプロピオニル又は２−，３−、もしくは４−シアノ
ブチリル。ヒドロキシ−カルボキシ−低級アルカノイ
ル、例えば２−ヒドロキシ−２−カルボキシ−アセチル
又は２−ヒドロキシ−３−カルボキシプロピオニル；α
−ナフチルオキシ−カルボキシ−低級アルカノイル、例
えば２−α−ナフチルオキシ−４−カルボキシ−ブチリ
ル。
【００４６】ヒドロキシ−低級アルコキシカルボニル−
低級アルカノイル、例えばヒドロキシ−低級アルコキシ
−カルボニル−アセチルもしくは−プロピオニル、又は
ヒドロキシ−エトキシ−もしくはヒドロキシ−メトキシ
−カルボニル低級アルカノイル、例えば２−ヒドロキシ
−２−エトキシ−もしくは−メトキシ−カルボニルアセ
チル又は２−ヒドロキシ−３−エトキシ−もしくは−メ
トキシ−カルボニル−プロピオニル。
【００４７】α−ナフチルオキシ−低級アルコキシカル
ボニル−低級アルカノイル、例えばα−ナフチルオキシ
−低級アルコキシカルボニル−アセチル、−プロピオニ
ルもしくは−ブチリル又はα−ナフチルオキシ−エトキ
シカルボニル−低級アルカノイル、例えばα−ナフチル
オキシ−エトキシカルボニルアセチル−２−α−ナフチ
ルオキシ−３−エトキシカルボニルプロピオニル又は２
−α−ナフチルオキシ−４−第三ブトキシカルボニルブ
チリル。
【００４８】α−ナフチルオキシ−ベンジルオキシカル
ボニル−低級アルカノイル、例えば２−α−ナフトチル
オキシ−３−ベンジルオキシカルボニル−プロピオニ
ル。エステル化ヒドロキシ−低級アルコキシカルボニル
−低級アルカノイル〔ここでこのヒドロキシ基は、低級
アルカノイル例えばアセチル、プロピオニルもしくはピ
バロイルによって、又はシクロアルキル低級アルカノイ
ル（ここでシクロアルキルは、３〜７個の炭素原子を有
し、そして低級アルカノイルは前記に定義した通りが好
ましい、例えばシクロヘキシルカルボニル又は２−シク
ロヘキシル−もしくは２−シクロペンチル−アセチルで
ある）によって、ビシクロアルキル−低級アルカノイル
（ここでビシクロアルキルは、例えば５〜１０個、特に
６〜９個の炭素原子を有する）例えばビシクロヘキシル
−、−ヘプチル−、−オクチル−、−ノニル−又は−デ
シル−アセチルもしくは−３−プロピオチル、例えば
〔３，１，０〕ヘキス−１−，−２−もしくは−３−イ
ル−、ビシクロ〔４，１，０〕ヘプト−１−もしくは−
７−イル−、ビシクロ〔２，２，１〕ヘプト−２−イル
−、例えばエンド−もしくはエキソ−ノルボルニル−、
ビシクロ〔３，２，１〕オクト−２−イル−、ビシクロ
〔３，３，０〕オクト−３−イル−又はビシクロ〔３，
３，１〕ノン−９−イル−、そして更にはα−又はβ−
デカヒドロナフチル−アセチルもしくは−３−プロピオ
ニルによって、トリシクロアルキル−低級アルカノイル
（ここでトリシクロアルキルは例えば８〜１０個の炭素
原子を有する）例えばトリシクロ−〔５，２，１，０
2,6 〕デク−８−イル−もしくはアダマンチル−、例え
ば１−アダマンチル−アセチルによって、アリール−低
級アルカノイル（ここでアリールは６〜１４個の炭素原
子を有する、例えばフェニル、インデニル、インダニ
ル、ナフチル、アントリル、フェナントリル、アセナフ
チル又はフルオレニルであり、そして低級アルキル例え
ばイソプロピル、ハロ−低級アルキル例えばトリフルオ
ロメチル、ヒドロキシ、低級アルコキシ、カルバモイル
−低級アルシコキシ、Ｎ−低級アルキルカルバモイル−
低級アルコキシ又はＮ，Ｎ−ジ低級アルキルカルバモイ
ル−低級アルコキシ、アミノ、モノ−もしくはジ−低級
アルキルアミノ、ハロゲン例えばフッ素、塩素もしくは
臭素、カルボキシ、低級アルコキシカルボニル、フェニ
ル−、ナフチル−もしくはフルオレニル−低級アルコキ
シカルボニル、低級アルカノイル、低級アルキルスルホ
ニル例えばメチルスルホニル、ホスホノ、ヒドロキシ−
低級アルコキシホスホリルもしくはジ−低級アルコキシ
ホスホリル、カルバモイル、モノ−もしくはジ−低級ア
ルキルアミノカルバモイル、スルファモイル，モノ−も
しくはジ−低級アルキルスルファモイル、ニトロ及び／
又はシアノによって１〜３置換されているか、置換され
ていない）によって、低級アルコキシカルボニル、例え
ば第三ブトキシカルボニルによって、２−ハロ−低級ア
ルコキシカルボニル（前記に定義の通り）によって、あ
るいはフェニル−もしくはフルオレニル−低級アルコキ
シカルボニル、例えばベンジルオキシカルボニル又は９
−フルオレニルメトキシカルボニル、によってエステル
化されている〕、例えばα−アセトキシ−α−メトキシ
カルボニル−アセチル、α−ベンゾイルオキシ−、α−
（１−もしくは２−ナフトイルオキシ）−、α−（フェ
ニル−２−アセトキシ）−、α−（１−もしくは２−ナ
フチル−２−アセトキシ）−、α−（４−メチルフェニ
ル−２−アセトキシ）−、α−（４−メトキシフェニル
−２−アセトキシ）−又はα−（−２−（０，０ジクロ
ロフェニル）−２−アセトキシ）−α−メトキシカルボ
ニル−アセチル。
【００４９】ジヒドロキシ−カルボキシ−低級アルカノ
イル、例えば２，３−ジヒドロキシ−３−カルボキシ−
プロピオニル。ジヒドロキシ−低級アルコキシカルボニ
ル−低級アルカノイル、例えば２，３−ジヒドロキシ−
３−エトキシ−もしくは−メトキシ−カルボニル−プロ
ピオニル。
【００５０】ジヒドロキシ−低級アルコキシカルボニル
−低級アルカノイルであって、低級アルカノイル例えば
アセチル、プロピオニルもしくはブチリル、低級アルコ
キシカルボニル例えば第三ブトキシカルボニル、フェニ
ル−もしくはフルオレニル−低級アルコキシカルボニル
例えばベンジルオキシカルボニルもしくは９−フルオレ
ニルメトキシカルボニル、低級アルキルスルホニル、又
はトルエンスルホニルによってエステル化されたもの、
例えばジ−低級アルカノイルオキシ−低級アルコキシ−
プロピオニル、例えば２，３−ジアセトキシ−３−メト
キシカルボニル−プロピオニル。
【００５１】α−ナフチルオキシ−ジ−低級アルキルア
ミノ−低級アルカノイル、例えば２−α−ナフチルオキ
シ−５−ジメチルアミノ−ペンタノイル。α−ナフチル
オキシ−カルバモイル−低級アルカノイル、例えば２−
α−ナフチルオキシ−４−カルバモイル−ブチリル。α
−ナフチルオキシ−オキソ−低級アルカノイル、例えば
２−α−ナフチルオキシ−４−オキソ−ペンタノイル。
【００５２】α−ナフチルオキシ−シアノ−低級アルカ
ノイル、例えばα−ナフチルオキシ−シアノ−アセチル
もしくは２−α−ナフチルオキシ−４−シアノブチリ
ル。３〜７個の炭素原子、好ましくは３もしくは４個の
炭素原子を有す低級アルケノイルであって、低級アルカ
ノイルと同一の置換基、特にフェニル、ヒドロキシ、低
級アルコキシ例えばメトキシ、フェニル−低級アルコキ
シ例えばベンジルオキシ、低級アルカノイルオキシ例え
ばアセトキシ、低級アルカノイルアミノ例えばアセチル
アミノ、低級アルコキシカルボニルオキシ例えば第三ブ
トキシカルボニルオキシ、フェニル−もしくはナフチル
−低級アルコキシカルボニルオキシ例えばベンジルオキ
シカルボニルオキシ、カルボキシ、低級アルコキシカル
ボニル例えば第三ブトキシカルボニル、フェニル−もし
くはナフチル−低級アルコキシカルボニル、ハロゲン例
えば塩素もしくは臭素、カルバモイル及び／又はモノ−
もしくはジ−低級アルキルカルバモイルによって置換さ
れているか、あるいは置換されていないもの、例えばア
クリロイル、ビニルアセチル、クロトノイル又は３−も
しくは４−ペンテノイル、３−フェニル−アクリロイ
ル、３−フェニルビニルアセチル又は５−フェニル−４
−アセチルアミノペンテン−２−オイル。
【００５３】シクロアルキル−低級アルケノイル（ここ
でシクロアルキルは３〜７個の炭素原子を有することが
好ましい）例えばシクロヘキシルアクリロリル。あるい
は低級アルキノイル（３〜７個、好ましくは３もしくは
４個の炭素原子を有する）、例えばプロピオロイル又は
２−もしくは３−ブチノイルである。炭酸の半エステル
の好ましいアシル基Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ8 及びＲ9 は以下の
通りである。
【００５４】低級アルコキシカルボニル、例えばメトキ
シ−、エトキシ−、イソプロポキシ−、イソブトキシ−
もしくは第三の低級アルコキシ−カルボニル、例えば第
三ブトキシカルボニル又はイソブトキシカルボニル。２
−ハロ−低級アルコキシカルボニル、例えば２−クロロ
−、２−ブロモ−、２−ヨード−もしくは２，２，２−
トリクロロ−エトキシカルボニル。
【００５５】アリールオキシカルボニル（ここでアリー
ルは６〜１４個の炭素原子を有する、例えばフェニル、
ビフェニル、１−もしくは２−ナフチル、フルオレニル
−あるいは低級アルキル例えばメチルもしくは第三ブチ
ル、ヒドロキシ、低級アルコキシ例えばメトキシ、エト
キシもしくは第三ブトキシ、ハロゲン例えば塩素もしく
は臭素及び／又はニトロによって１又は多置換されたフ
ェニルである）、例えばフェノキシカルボニル。
【００５６】アリール−低級アルコキシカルボニル、例
えばアリールメトキシ−カルボニル（ここでアリールは
６〜１４個の炭素原子を有する、例えばフェニル、ビフ
ェニル、１−もしくは２−ナフチル、フルオレニル−で
あって低級アルキル例えばメチルもしくは第三ブチル、
ヒドロキシ、低級アルコキシ例えばメトキシ、エトキシ
もしくは第三ブトキシ、ハロゲン例えば塩素もしくは臭
素及び／又はニトロによって１又は多置換されたフェニ
ルである）、例えばフェニル−低級アルコキシカルボニ
ル、例えばベンジルオキシカルボニル、４−メトキシベ
ンジルオキシカルボニル、４−ニトロベンジルオキシカ
ルボニル、ジフェニル低級アルコキシカルボニル、例え
ばジフェニルメトキシカルボニル、ジ−（４−メトキシ
フェニル）−メトキシカルボニル、トリチロキシカルボ
ニル又はフルオレニル−低級アルコキシカルボニル、例
えば９−フルオレニルメトキシカルボニル、特にベンジ
ルオキシカルボニル。
【００５７】複素環式基−低級アルコキシカルボニル
（ここで複素環式基は好ましくはピロリル、フリル、チ
エニル、イミダゾリル、ピラゾリル、オキサゾリル、チ
アゾリル、ピリジル、ピラジニル、ピリミジニル、イン
ドリル、キノリル、イソキノリル、キノキサリニル、β
−カルボリニル及びこれらのラジカルのベンゾ縮合、シ
クロペンタ−、シクロヘキサ−もしくはシクロヘプタ縮
合誘導体より選ばれ（これは完全又は部分的に飽和であ
りうる）、そして特に低級アルキル例えばメチルによっ
て置換されていてもされていなくてもよい）、例えば１
−メチル−ピロリジン−２−イル−メトキシカルボニ
ル、２−フリルメトキシカルボニル、２−テトラヒドロ
フラニル−低級アルコキシカルボニル、例えば２−テト
ラヒドロフラニル−メトキシカルボニル、１−メチル−
２−ピペリジル−メトキシカルボニル又は２−モルホリ
ノ−エトキシカルボニル、又は２−，３−もしくは４−
ピリジルメトキシカルボニル。
【００５８】２−トリ−低級アルキルシリル−低級アル
コキシカルボニル、例えば２−トリメチルシリルオキシ
カルボニル。２−トリアリールシリル−低級アルコシキ
カルボニル（ここでアリールはフェニル又は１−もしく
は２−ナフチルである）、例えばトリフェニルシリルエ
トキシカルボニルである。
【００５９】置換されていないか又は置換されているカ
ルバミド酸の好ましいアシル基Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ8 及びＲ
9 は、既に前記した好ましいアシル基Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ8
及びＲ9 の通りに加え、以下の通りである。カルバモイ
ル、あるいは、置換されていないか又は置換されている
Ｎ−アルキル−もしくはＮ，Ｎ−ジアルキルカルバモイ
ル（ここでアルキルラジカルは１２個迄の炭素原子を有
する）、好ましくは置換されていないか又は置換されて
いる低級アルキル−もしくはジ−低級アルキルカルバモ
イル、例えばメチル−、エチル−、プロピル−、第三ブ
チル−、ジメチル−、ジエチル−もしくはジ−ｎ−プロ
ピル−カルバモイル。ここで置換基は、フェニル（例え
ばベンジルカルバモイル、Ｎ−フェニル−低級アルキル
−Ｎ−低級アルキルカルバモイル、例えばＮ−ベンジル
−Ｎ−メチル−カルバモイル又はジベンジルカルバモイ
ル）；複素環式基〔（前記の複素環式基−低級アルカノ
イルＲ1 ，Ｒ2 ，Ｒ8 及びＲ 9 に定義の通りであり、好
ましくは例えば、チエニル、フリル、ピラニル、ピロリ
ル、イミダゾリル、ピラゾリル、オキサゾリル、イソキ
サゾリル、チアゾリル、フラザニル、ピリジル、ピラジ
ニル、ピリミジニル、ピリダジニル、アゼピニル、イン
ドリル、ベンズイミダゾリル、１Ｈ−インダゾリル、キ
ノリル、イソキノリル、キノキサリニル、キナゾリニ
ル、シンノリル、プリニル、プテリジニル、ナフチリジ
ニル、４Ｈ−キノリジニル、３，１−ベンゾフラニル、
ベンズ〔ｅ〕インドリル、４，１，−ベンズオキサジニ
ル、４，１−ベンゾチアジニル、カルバゾリル、β−カ
ルボリニル、フェナジニル、フェナントリジル、アクリ
ジニル、フェノキサジニル、フェノチアジニル、１−ア
ザアセナフテニル、シクロヘキサ〔ｂ〕ピロニル、シク
ロヘプタ〔ｂ〕−ピロリル、シクロヘキサ〔ｂ〕ピラゾ
リル、シクロヘキサ〔ｂ〕ピリジル、シクロヘキサ
〔ｂ〕ピラジニル、シクロヘキサ〔ｂ〕ピリミジニル、
シクロヘキサ〔ｂ〕−１，４−オキサジニル、シクロヘ
キサ〔ｂ〕−１，４−チアジニル、ピロリジニル、ピロ
リニル、イミダゾリジニル、２−イミダゾリニル、２，
３−ジヒドロピリジル、ピペリジル、ピペラジニル、
２，３，５，６−テトラヒドロピラジニル、モルホリニ
ル、チオモルホリニル、Ｓ，Ｓ−ジオキソ−チオモルホ
リニル、インドリニル、イソインドリニル、４，５，
６，７−テトラヒドロインドリル、１，２，３，４−テ
トラヒドロキノリル、１，２，３，４−テトラヒドロイ
ソキノリル、クロマニル、チオクロマニル、１，２，
３，４−テトラヒドロ−３，１−ベンゾジアジニル、
３，４−ジヒドロ−３Ｈ−４，１−ベンズオキサジニ
ル、３，４−ジヒドロ−３Ｈ−４，１−ベンゾチアジニ
ル、２，３，４，５−テトラヒドロ、１Ｈ−５，１−ベ
ンズアゼピニルもしくは５，６−ジヒドロフェナントリ
ジニル低級アルカノイルより選ばれる）（上記の基は、
低級アルキル例えばメチル、フェニル、１−もしくは２
−ナフチル、フェニル−低級アルキル例えばベンジル、
ヒドロキシ−低級アルキル例えばヒドロキシメチルもし
くは２−ヒドロキシエチル、低級アルコキシ−低級アル
キル例えばメトキシメチルもしくは２−メトキシエチ
ル、フェノキシ−もしくはナフチルオキシ−低級アルキ
ル例えば２−フェノキシエチル、１−もしくは２−ナフ
チルオキシメチル、フェニル−低級アルコキシ−もしく
はナフチル−低級アルコキシ−低級アルキル例えばベン
ジルオキシ−低級アルキル、低級アルカノイルオキシ−
低級アルキル例えばアセトキシメチル、フェニル−もし
くはナフチル−低級アルカノイルオキシ−低級アルキル
例えばベンゾイルオキシ−、フェニルアセトキシ−又は
１−もしくは２−ナフトイルオキシ−メチル、−２−エ
チルもしくは−２−（２，２−ジメチルエチル）、低級
アルコキシカルボニルオキシ−低級アルキル例えば第三
ブトキシカルボニルオキシ−低級アルキル、フェニル
−、ナフチル−、又はフルオレニル−低級アルコキシカ
ルボニルオキシ−低級アルキル例えば２−ベンジルオキ
シカルボニルオキシエチルもしくは９−フルオレニルメ
トキシカルボニルオキシエチル、アミノ−低級アルキル
例えばアミノメチル、２−アミノエチルもしくは２−ア
ミノプロピル、カルボキシ−低級アルキル例えばカルボ
キシメチルもしくは２−カルボキシエチル、ヒドロキシ
−低級アルコキシ例えばメトキシもしくはエトキシ、フ
ェニル−もしくはナフチル−低級アルコキシ例えばベン
ジルオキシ又は１−もしくは２−ナフチルメトキシ、ア
ミノ、低級アルキルアミノ例えばメチル−、エチル−も
しくは第三ブチル−アミノ、ジ低級アルキルアミノ例え
ばジメチル−もしくはジエチルアミノ、カルボキシ、低
級アルキルカルボキシ例えばメトキシ−、イソプロポキ
シ−、第二ブトキシ−もしくは第三ブトキシ−カルボニ
ル、フェニル−もしくはナフチル−低級アルコキシカル
ボニル例えばベンジルオキシカルボニル、ハロゲン例え
ばフッ素、塩素、臭素もしくはヨウ素、特に塩素もしく
は臭素、低級アルカノイル例えばアセチルもしくはピバ
ロイル、低級アルキルスルホニル例えばメチル−もしく
はエチル−スルホニル、ホスホノ、ヒドロキシ−低級ア
ルコキシホスホリルもしくはジアルコキシホスホリル例
えばジメトキシ−もしくはジエトキシ−ホスホリル−カ
ルバモイル、モノ−もしくはジ−低級アルキルカルバモ
イル例えばＮ−メチルカルバモイル、Ｎ−ｎ−ブチルカ
ルバモイルもしくはＮ，Ｎ−ジメチルカルバモイル、ヒ
ドロキシ−もしくはカルボキシ−低級アルキルカルバモ
イル例えばヒドロキシ−もしくはカルボキシ−メチルカ
ルバモイル又はヒドロキシ−もしくはカルボキシ−エチ
ルカルバモイル、スルファモイル、ニトロ、オキソ及び
／あるいはシアノ、によって置換されていても置換され
ていなくてもよい）〕特にピリジル例えば２−，３−も
しくは４−ピリジル（より特別には、Ｎ−複素環式基−
低級アルキル−Ｎ−低級アルキルカルバモイル、例えば
Ｎ−ピリジル−低級アルキル−Ｎ−低級アルキルカルバ
モイル、例えばＮ−（２−，３−もしくは４−ピリジル
メチル）−Ｎ−メチル−カルバモイル又はＮ−複素環式
基−低級アルキル−カルバモイル、例えば２−もしくは
３−ピリジル−低級アルキルアミノカルボニル、例えば
２−もしくは３−ピリジルメチルアミノカルボニル）；
ヒドロキシ（例えばヒドロキシメチル、２−ヒドロキシ
エチル、３−ヒドロキシプロピル、２−ヒドロキシメチ
ル、２−ヒドロキシエチル、３−ヒドロキシプロピル、
２−ヒドロキシプロピル、Ｎ−ヒドロキシ−低級アルキ
ル、例えば２，３−ジヒドロキシ−ｎ−プロピル又は２
−ヒドロキシ−２，２−ジメチルエチル）；低級アルコ
シキ、特に低級アルコキシ−低級アルキル、例えばメト
キシメチル又は２−メトキシエチル；低級アルカノイル
オキシ、好ましくは低級アルカノルオキシ−低級アルキ
ル、例えば低級アルカノイルオキシメチル又は低級アル
カノイルオキシエチル、例えばアセトキシメチル、２−
アセトキシエチル、３−プロピオニルオキシメチル、２
−プロピオニルオキシエチル、４−ブチルオキシメチル
又は２−ブチロキシエチル；アリールオキシ又はアリー
ルオキシ及びヒドロキシ（ここでアリールは６〜１４個
の炭素原子を有する例えばフェニル、ナフチル又はフル
オレニルであり、好ましくはアリールオキシ−低級アル
キル又はアリールオキシヒドロキ−低級アルキル、例え
ばフェノキシメチル、２−フェノキシエチル、１−もし
くは２−ナフチルオキシメチル又は１−もしくは２−ナ
フチルオキシエチル又は２−フェニル−２−ヒドロキシ
エチルであり、そしてここでアリールは、例えばアルキ
ル例えばメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブ
チル、第二ブチルもしくは第三ブチルにより、ヒドロキ
シにより、低級アルコキシ、例えばメトキシ、エトキ
シ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、第二ブト
キシもしくは第三ブトキシにより、カルボキシにより、
低級アルコキシカルボニル、例えばイソプロポキシカル
ボニル、第二ブトキシカルボニルもしくは第三ブトキシ
カルボニルにより、あるいはカルバモイル、低級アルキ
ル−もしくはジ−低級アルキル−カルバモイル及び／又
はモノ−もしくはジ−（ヒドロキシ−もしくはカルボキ
シ−低級アルキル）カルバモイルによって１又は２置換
されているか置換されていなく、そして上記の置換基は
異なる環位置に存在していることができる）、例えば４
−メチルフェノキシ、２，４，５−トリメチルフェノキ
シ、４−ヒドロキシフェノキシ、４−メトキシフェノキ
シ、３，５−ジメトキシフェノキシ、２−カルボキシフ
ェノキシ、２−第三ブトキシカルボニルフェノキシ、２
−もしくは４−カルボモイルフェノキシ；カルバモイ
ル；カルボキシ−低級アルキルカルバモイルもしくはヒ
ドロキシ−低級アルキルカルバモイル（例えば４−カル
バモイル−ｎ−ブチル、７−カルバモイル−ｎ−ヘプチ
ル、２−ヒドロキシエチルカルバモイル−ｎ−ブチル又
は４−（トリス〔ヒドロキシメチル〕メチル）−カルバ
モイル−ｎ−ブチル）、更にはアミノ（例えば２−アミ
ノエチルもしくは３−アミノプロピル）；低級アルキル
アミノ（例えばメチル−もしくはエチルアミノメチ
ル）；ジ−低級アルキルアミノ（例えばジメチルアミノ
メチル；ハロゲン、特にフッ素、塩素もしくは臭素例え
ば２，２，２−トリクロロエチル）；スルホ（例えばス
ルホメチルもしくは４−スルホブチルアミノ）；更には
スルファモイル（例えば２−スルファモイルエチル）よ
り選ばれる。
【００６０】置換されていないか又は置換されているＮ
−置換オキサルアミドの好ましいアシル基Ｒ1 ，Ｒ2 ，
Ｒ8 及びＲ9 はオキサモイル又は低級アルキルオキサモ
イル、例えばメチル−もしくはエチル−オキサモイルで
ある。置換されていないか又は置換されているアミノ酸
の好ましいアシル基Ｒ1 ，Ｒ 2 ，Ｒ8 及びＲ9 は、以下
のα−もしくはβ−アミノ酸のアミノ酸残基によって形
成される。
【００６１】Ｌ型の天然の−アミノ酸、例えばタンパク
質において天然であるものもしくはこのようなアミノ酸
のエピマー、即ち、天然でないＤ型のもの、又はそれら
のＤ，Ｌ異性体混合物。このようなアミノ酸の類似体、
例えばアミノ酸の側鎖が１もしくは２個のメチレン基に
よって伸長もしくは短くされたもの、アミノ基がβ位に
あるもの、及び／又はメチル基が水素で置き代っている
もの、置換化芳香族アミノ酸（その芳香環は６〜１４個
の炭素原子を有する）、例えば置換化アラニン又はフェ
ニルグリシン（ここでフェニルは低級アルキル例えばメ
チル、ヒドロキシ、低級アルコキシ、例えばメトキシ、
低級アルカノイルオキシ例えばアセトキシ、アミノ、低
級アルキルアミノ例えばメチルアミノ、ジ低級アルキル
アミノ例えばジメチルアミノ、低級アルカノイルアミノ
例えばアセチルアミノもしくはピバロイルアミノ、低級
アルコキシカルボニルアミノ例えば第三ブトキシカルボ
ニルアミノ、アリールメトキシカルボニルアミノ（ここ
でアリールは好ましくは６〜１４個の炭素原子を有す
る）例えばベンジルオキシカルボニルアミノもしくは９
−フルオレニルメトキシカルボニルアミノ、ハロゲン例
えばフッ素、塩素、臭素もしくはヨウ素、カルボキシ及
び／又はニトロによって１又は多置換されていてよ
い）、ベンゾ縮合型フェニルアラニンもしくはフェニル
グリシン、例えばα−ナフチルアラニン、又は水素化フ
ェニルアラニンもしくはフェニルグリシン、例えばシク
ロヘキシルアラニンもしくはシクロヘキシグリシン。
【００６２】このようなアミノ酸は、遊離アミノ又はヒ
ドロキシ官能基にて、好ましくは遊離アミノ基にて、前
記に列挙した、カルボン酸、炭酸の半エステル、置換さ
れていないかもしくは置換されたカルバミド酸又は置換
されていないかもしくは置換されたＮ置換オキルアミド
のアシル基としてのアシルＲ1 の１種、あるいは以下の
ラジカル、即ち、置換されていないかもしくは置換され
ているアルキル；アリール低級アルキル；複素環式基；
複素環式基−低級アルキル；スルホ；スルホニル（アル
キル、アリール、アリール低級アルキル、複素環式基−
低級アルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アリール
低級アルコキシもしくは複素環式基低級アルコキシによ
って置換されたスルホニル）；ホスホリルＲ1 ，Ｒ2 ，
Ｒ8 又はＲ9 （アルキル、シクロアルキル、シクロアル
キル低級アルキル、アリール、アリール低級アルキル、
ヒドロキシ、アルコキシ、シクロアルコキシ−シクロア
ルキル−低級アルコキシ、アリールオキシ及びアリール
低級アルコキシから選ばれる同一又は異なる１又は２種
の基によって置換されているホスホリル）；並びにスル
ファモイルＲ1 ，Ｒ2 ，Ｒ8 又はＲ9 （その窒素原子に
て置換されているか又は置換されていないもの）；ある
いは本プロセスに関する部分において保護基として列挙
している基のうちの１種によって置換されうる。
【００６３】特に好ましくは、基は以下のアミノ酸、即
ち、グリシン（Ｈ−Ｇｌｙ−ＯＨ）、アラニン（Ｈ−Ａ
ｌａ−ＯＨ）、バリン（Ｈ−Ｖａｌ−ＯＨ）、ノルバリ
ン（α−アミノバレリアン酸、ロイシン（Ｈ−Ｌｅｕ−
ＯＨ）、イソロイシン（Ｈ−Ｉｌｅ−ＯＨ）、ノルロイ
シン（α−アミノヘキサノン酸、Ｈ−Ｎｌｅ−ＯＨ）、
セリン（Ｈ−Ｓｅｒ−ＯＨ）、ホモセリン（α−アミノ
−γ−ヒドロキシ酪酸）、スレオニン（Ｈ−Ｔｈｒ−Ｏ
Ｈ）、メチオニン（Ｈ−Ｍｅｔ−ＯＨ）、システイン
（Ｈ−Ｃｙｓ−ＯＨ）、プロリン（Ｈ−Ｐｒｏ−Ｏ
Ｈ）、トランス−３−及びトランス−４−ヒドロキシプ
ロリン、フェニルアラニン（Ｈ−Ｐｈｅ−ＯＨ）、チロ
シン（Ｈ−Ｔｙｒ−ＯＨ）、４−アミノフェニルアラニ
ン、４−クロロフェニルアラニン、４−カルボキシフェ
ニルアラニン、β−フェニルセリン（β−ヒドロキシフ
ェニルアラニン）、フェニルグリシン、α−ナフチルア
ラニン（Ｈ−Ｎａｌ−ＯＨ）、シクロヘキシルアラニン
（Ｈ−Ｃｈａ−ＯＨ）、シクロヘキシルグリシン、トリ
プトファン（Ｈ−Ｔｒｐ−ＯＨ）、インドリン−２−カ
ルボン酸、１，２，３，４−テトラヒドロイソキノリン
−３−カルボン酸、アスパラギン酸（Ｈ−Ａｓｐ−Ｏ
Ｈ）、アスパラギン（Ｈ−Ａｓｎ−ＯＨ）、アミノマロ
ン酸、アミノマロン酸モノアミド、グルタミン酸（Ｈ−
Ｇｌｕ−ＯＨ）、グルタミン（Ｈ−Ｇｌｎ−ＯＨ）、ヒ
スチジン（Ｈ−Ｈｉｓ−ＯＨ）、アルギニン（Ｈ−Ａｒ
ｇ−ＯＨ）、リジン（Ｈ−Ｌｙｓ−ＯＨ）、δ−ヒドロ
キシリジン、オルニチン（α，δ−ジアミノバレリン
酸）、３−アミノプロパノン酸、α，γ−ジアミノ酪
酸、より選ばれるアミノ酸の、カルボキシ基を介して結
合している基、特に、以下のアミノ酸、即ち、バリン、
アラニン、ロイシン及びイソロイシンより選ばれる脂肪
族アミノ酸、又はグリシン、グルタミン酸及びアスパラ
ギンより選ばれるアミノ酸であり〔グリシン以外上記の
アミノ酸はＤ−，Ｌ−又は（Ｄ，Ｌ）型であることが可
能であり、Ｌ型（グリシン以外）であることが好ましい
が、それらは（Ｄ）−又は（Ｄ，Ｌ）型でもよい〕ここ
でα−アミノ基は、置換されていないか、又は以下の置
換基、即ち、例えば低級アルキル例えばメチルもしくは
ｎ−プロピル、アミノ−低級アルキル例えば３−アミノ
プロピル、フェニル−もしくはナフチル−アミノ低級ア
ルキル例えば３−フェルアミノプロピル、又はピペラジ
ニル−カルボニル−低級アルキルであって、低級アルキ
ル例えばメチルによって窒素原子にて置換されている例
えば４−メチルピペラジニルカルボニルメチルによって
モノもしくはジ−Ｎ−アルキル化されてよく、あるいは
例えば低級アルカノイル例えばアセチル；アリール低級
アルカノイル〔ここでアリールはフェニル、インデニ
ル、インダニル、ナフチル、アントリル、フェナントリ
ル、アセナフチル及びフルオレニルより選ばれ、そして
低級アルキル、例えばメチル、エチルもしくはプロピ
ル、ハロ−低級アルキル例えばトリフルオロメチル、フ
ェニル、１−もしくは２−ナフチル、ヒドロキシ、低級
アルコキシ例えばメトキシ、カルバモイル−低級アルコ
キシ、Ｎ−低級アルキルカルバモイル−低級アルコキシ
もしくはＮ，Ｎ−ジ−低級アルキルカルバモイル−低級
アルコキシ、アミノ、モノ−もしくはジ−低級アルキル
アミノ、低級アルカノイルアミノ例えばピバロイルアミ
ノ、ハロゲン例えばフッ素、塩素もしくは臭素、カルボ
キシ、低級アルコキシカルボニル例えば第三ブトキシカ
ルボニル、フェニル−、ナフチル−もしくはフルオレニ
ル−低級アルコキシカルボニル例えばベンジルオキシカ
ルボニル、低級アルカノイル、スルホ、低級アルキルス
ルホニル例えばメチルスルホニル、ホスホノ、ヒドロキ
シ−低級アルコキシホスホリルもしくはジ−低級アルコ
キシホスホリル、カルバモイル−モノ−もしくはジ−低
級アルキルカルバモイル、スルファモイル、モノ−もし
くはジ−低級アルキルアミノスルホニル、ニトロ及び／
又はシアノによって置換されていないか、又は１から３
置換されており、ここでフェニルは最大３個迄存在する
ことができる、例えばジフェニル−、ジベンジル−もし
くはトリフェニル−低級アルカノイル、例えばジフェニ
ル−、ジベンジル−もしくはトリフェニル−アセチルで
あり；そしてここで低級アルカノイルは、置換されてい
ないものか、あるいは以下の置換基、即ち、低級アルキ
ル例えばメチル；複素環式基であってピロリル、フリ
ル、チエニル、イミダゾリル、ピラゾリル、オキサゾリ
ル、チアゾリル、ピリジル、ピラジニル、ピリミジニ
ル、インドリル、キノリル、イソキノリル、キノキサリ
ニル、β−カルボリニル及びこれらの基のベンゾ−縮
合、シクロペンタ−、シクロヘキサ−又はシクロヘプタ
−縮合誘導体（これらは完全もしくは部分飽和されてい
てもよい）より選ばれる複素環式基；ヒドロキシ、低級
アルコキシ、低級アルカノイルオキシ例えばアセトキ
シ、プロピオニルオキシ、ブチロキシ、イソブチロキシ
又はピバロイルオキシ、アセトアセトキシ、アミノ−も
しくはベンジルオキシカルボニルアミノ−低級アルカノ
イルオキシ例えば２−アミノ−もしくは２−ベンジルオ
キシカルボニルアミノ−２−メチル−プロピオニルオキ
シ；アリール−低級アルカノイルオキシ（ここでアリー
ルは６〜１０個の炭素原子を有する）例えばベンゾイル
オキシ、フェニルアセトキシ、１−もしくは２−ナフト
イルオキシ、低級アルコキシカルボニルオキシ例えばメ
トキシ−、エトキシ−、ｎ−プロポキシ−、イソプロポ
キシ−、ｎ−ブトキシ−、イソブトキシ−、第二ブトキ
シ−、第三ブトキシ−、ｎ−ペンチルオキシ−、イソペ
ンチルオキシ−、ネオペンチルオキシ−、第三ペンチル
オキシ−、ｎ−ヘキシルオキシ−、イソヘキシルオキシ
−もしくはｎ−ヘプチルオシキ−カルボニルオキシ、モ
ノ−もしくはジ−低級アルキルアミノ−カルボニルオキ
シ例えばエチルアミノカルボニルオキシ又はジエチルア
ミノカルボニルオキシ；アリールオキシ−カルボニルオ
キシ（ここでアリールは６〜１０個の炭素原子を有す
る）、例えばフェノキシカルボニルオキシ又は１−もし
くは２−ナフチルオキシカルボニルオキシ；アリール−
低級アルコキシカルボニルオキシ（ここでアリールは６
〜１４個の炭素原子を有する）、特にフェニル−低級ア
ルコキシカルボニルオキシ、例えばベンジルオキシカル
ボニルオキシ、そして更には１−もしくは２−ナフチル
メトキシカルボニルオキシ又は９−フルオレニルメトキ
シカルボニルオキシ、スルホニルオキシ、低級アルキル
スルホニルオキシ例えばメチル−、エチル−、プロピル
−、イソプロピル−、ｎ−ブチル−、イソブチル−、第
二ブチル−、第三ブチル−、ｎ−ペンチル−、イソペン
チル−、ネオペンチル−、第三ペンチル−、ｎ−ヘキシ
ル−、イソヘキシル−、もしくはｎ−ヘプチル−スルホ
ニルオキシ、フェニルスルホニルオキシ、２−もしくは
４−トルエンスルホニルオキシ、１−もしくは２−ナフ
チルスルホニルオキシ、カルボキシ；エステル化カルボ
キシであって、低級アルコキシカルボニル、例えばメト
キシ−、エトキシ−、ｎ−プロポキシ−、イソプロポキ
シ−、ｎ−ブトキシ−、イソブトキシ−、第二ブトキシ
−、第三ブトキシ−、ｎ−ペンチルオキシ−、イソペン
チルオキシ−、ネオペンチルオキシ−、第三ペンチルオ
キシ−、ｎ−ヘキシルオキシ−、イソヘキシルオキシ−
もしくはｎ−ヘプチルオキシ−カルボニルより選ばれる
もの；アリールオキシカルボニル（ここでアリールは６
〜１０個の炭素原子を有する）、例えばフェノキシカル
ボニル又は１−もしくは２−ナフチルオキシカルボニ
ル；アリール−低級アルコキシカルボニル（ここでアリ
ールは６〜１２個の炭素原子を有する）、例えばベンジ
ルオキシカルボニル、１−もしくは２−ナフチルメトキ
シカルボニル又は９−フルオレニルメトキシカルボニ
ル；低級アルカノイル；低級アルキルスルホニル例えば
メチル−もしくは第三ブチル−スルホニル；ヒドロキシ
−低級アルコキシホスホリル又はジ−低級アルコキシホ
スホリルカルバモイル；以下の１又は２種の基によって
置換されているカルバモイル、即ち、低級アルキル、例
えばメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブ
チル、イソブチル、第二ブチル、第三ブチル、ｎ−ペン
チル、イソペンチル、ネオペンチル、第三ペンチル、ｎ
−ヘキシル、イソヘキシルもしくはｎ−ヘプチルより選
ばれるラジカルによって置換されているもの（例えば、
Ｎ−メチルカルバモイル、Ｎ−ｎ−ブチルカルバモイル
もしくはＮ，Ｎ−ジメチルカルバモイル）、カルボキシ
−低級アルキルもしくは低級アルコキシカルボニル−低
級アルキルより選ばれる基によって置換されているもの
（例えばカルボキシメチルカルバモイル（グリシニルカ
ルボニル）又は第三ブトキシカルボニルメチルカルバモ
イル）、ジ低級アルキルアミノ−低級アルキル例えば２
−ジメチルアミノエチル、アミノカルボキシ−低級アル
キル例えば５−アミノ−５−カルボキシペンチルより選
ばれる基によって置換されているもの、ヒドロキシ−低
級アルキル例えばヒドロキシメチルもしくはヒドロキシ
エチルより選ばれる基によって置換されているもの、更
にはジ低級アルコキシ−低級アルキル例えば２−（２，
２−ジメトキシエチル）より置換されているカルバモイ
ル；以下の基、即ち、エチレン、トリメチレン、テトラ
メチレン及びペンタメチレン１個によって置換されてい
るカルバモイル（その炭素原子は窒素、酸素、硫黄又は
酸素によって１もしくは２置換された硫黄と交換されて
いることがあり、そして不飽和でありうる）例えば、ピ
ペリジン−１−イル−、ピラジン−１−イル−、ピペラ
ジン−１−イル−、ピリミジン−１−イル−、ピリダジ
ン−１−イル−、モルホリノ−、チオモルホリノ−又は
Ｓ，Ｓ−ジオキソチオ−モルホリノ−カルボニル；スル
ファモイル、ホスホノ、ベンゾフラニル、オキソ、並び
に／あるいはシアノによって置換されている低級アルカ
ノイルである（これは枝分れしていない又は枝分れして
いる）〕好ましくはアリール低級アルカノイルであって
６〜１４個の炭素原子を有し、そして例えば低級アルカ
ノイルによって置換されている例えば２−ベンジル−３
−ピバロイルプロピオニル又は低級アルキルスルホニル
によって置換されている例えば２−ベンジル−３−第三
ブチルスルホニルプロピオニル又は置換されていないも
の（特にフェニル−低級アルカノイル例えばフェニルア
セチルが特に好ましい）；複素環式基−低級アルカイル
例えば、チエニル−、フリル−、ピラニル−、ピロリル
−、イミダゾリル−、ピラゾリル−、オキサゾリル−、
イソキサゾリル−、チアゾリル−、フラザニル−、ピリ
ジル−、ピラジニル−、ピリミジニル−、ピリダジニル
−、アゼピニル−、インドリル−、ベンズイミダゾリル
−、１Ｈ−インダゾリル−、キノリル−、イソキノリル
−、キノキサリニル−、キナゾリニル−、シンノリル
−、プリニル−、プテリジニル−、ナフチリジニル−、
４Ｈ−キノリジニル−、３，１−ベンゾフラニル−、ベ
ンズ〔ｅ〕インドリル−、４，１，−ベンズオキサジニ
ル−、４，１−ベンゾチアジニル−、カルバゾリル−、
β−カルボリニル−、フェナジニル−、フェナントリジ
ル−、アクリジニル−、フェノキサジニル−、フェノチ
アジニル−、１−アザアセナフテニル−、シクロヘキサ
〔ｂ〕ピロリル−、シクロヘプタ〔ｂ〕−ピロリル−、
シクロヘキサ〔ｄ〕ピラゾリル−、シクロヘキサ〔ｂ〕
ピリジル−、シクロヘキサ〔ｂ〕ピラジニル−、シクロ
ヘキサ〔ｂ〕ピリミジニル−、シクロヘキサ〔ｂ〕−
１，４−オキサジニル−、シクロヘキサ〔ｂ〕−１，４
−チアジニル−、ピロリジニル−、ピロリニル−、イミ
ダゾリジニル−、２−イミダゾリニル−、２，３−ジヒ
ドロピリジル−、ピペリジル−、ピペラジニル−、２，
３，５，６−テトラヒドロピラジニル−、モルホリニル
−、チオモルホリニル−、Ｓ，Ｓ−ジオキソ−チオモル
ホリニル−、インドリニル−、イソインドリニル−、
４，５，６，７−テトラヒドロインドリル−、１，２，
３，４−テトラヒドロキノリル−、１，２，３，４−テ
トラヒドロイソキノリル−、クロマニル−、チオクロマ
ニル−、１，２，３，４−テトラヒドロ−３，１−ベン
ゾジアジニル−、３，４−ジヒドロ−３Ｈ−４，１−ベ
ンズオキサジニル−、３，４−ジヒドロ−３Ｈ−４，１
−ベンゾチアジニル−、２，３，４，５−テトラヒドロ
−、１Ｈ−５，１−ベンズアゼピニル−もしくは５，６
−ジヒドロフェナントリジニル−低級アルカノイル（上
記の基は、低級アルキル例えばメチル、フェニル、１−
もしくは２−ナフチル、フェニル−低級アルキル例えば
ベンジル、ヒドロキシ−低級アルキル例えばヒドロキシ
メチルもしくは２−ヒドロキシエチル、低級アルコキシ
−低級アルキル例えばメトキシメチルもしくは２−メト
キシエチル、フェノキシ−もしくはナフチルオキシ−低
級アルキル例えば２−フェノキシエチル、１−もしくは
２−ナフチルオキシメチル、フェニル−低級アルコキシ
−もしくはナフチル−低級アルコキシ−低級アルキル例
えばベンジルオキシ−低級アルキル、低級アルカノイル
オキシ−低級アルキル例えばアセトキシメチル、フェニ
ル−もしくはナフチル−低級アルカノイルオキシ−低級
アルキル例えばベンゾイルオキシ−、フェニルアセトキ
シ−又は１−もしくは２−ナフトイルオキシ−メチル、
−２−エチルもしくは−２−（２，２−ジメチルエチ
ル）、低級アルコキシカルボニルオキシ−低級アルキル
例えば第三ブトキシカルボニルオキシ−低級アルキル、
フェニル−、ナフチル−、又はフルオレニル−低級アル
コキシカルボニルオキシ−低級アルキル例えば２−ベン
ジルオキシカルボニルオキシエチルもしくは９−フルオ
レニルメトキシカルボニルオキシエチル、アミノ−低級
アルキル例えばアミノメチル、２−アミノエチルもしく
は２−アミノプロピル、カルボキシ−低級アルキル例え
ばカルボキシメチルもしくは２−カルボキシエチル、ヒ
ドロキシ−低級アルコキシ例えばメトキシもしくはエト
キシ、フェニル−もしくはナフチル−低級アルコキシ例
えばベンジルオキシ又は１−もしくは２−ナフチルメト
キシ、アミノ、低級アルキルアミノ例えばメチル−、エ
チル−もしくは第三ブチル−アミノ、ジ低級アルキルア
ミノ例えばジメチル−もしくはジエチルアミノ、カルボ
キシ、低級アルキルカルボキシ例えばメトキシ−、イソ
プロポキシ−、第二ブトキシ−もしくは第三ブトキシ−
カルボニル、フェニル−もしくはナフチル−低級アルコ
キシカルボニル例えばベンジルオキシカルボニル、ハロ
ゲン例えばフッ素、塩素、臭素もしくはヨウ素、特に塩
素もしくは臭素、低級アルカノイル例えばアセチルもし
くはピバロイル、低級アルキルスルホニル例えばメチル
−もしくはエチル−スルホニル、ホスホノ、ヒドロキシ
−低級アルコキシホスホリルもしくはジアルコキシホス
ホリル例えばジメトキシ−もしくはジエトキシ−ホスホ
リル−カルバモイル、モノ−もしくはジ−低級アルキル
カルバモイル例えばＮ−メチルカルバモイル、Ｎ−ｎ−
ブチルカルバモイルもしくはＮ，Ｎ−ジメチルカルバモ
イル、ヒドロキシ−もしくはカルボキシ−低級アルキル
カルバモイル例えばヒドロキシ−もしくはカルボキシ−
メチルカルバモイル又はヒドロキシ−もしくはカルボキ
シ−エチルカルバモイル、スルファモイル、ニトロ、オ
キソ及び／あるいはシアノによって置換されていても置
換されていなくてもよい）例えば、ピリジルカルボニル
例えば２−、３−もしくは４−ピリジルカルボニル、
３，４−ジヒドロキシピロリジニルカルボニル、Ｎ−ベ
ンジルオキシカルボニル−ピペリジン−４−イルカルボ
ニル、１−メチルピペラジン−４−イルカルボニル、モ
ルホリノカルボニル、チオモルホリノカルボニル、Ｓ，
Ｓ−ジオキソチオモルホリノカルボニル、インドール−
２−イルカルボニル、キノール−２−イルカルボニル、
ピリジルアセチル例えば２−もしくは３−ピリジルアセ
チル、イミダゾリルアセチル例えばイミダゾール−１−
イルアセチル、モルホリニルアセチル例えばモルホリノ
アセチル、ピリジルプロピオニル例えば３−（２−もし
くは３−ピリジル）プロピオニル、ピロリジニルプロピ
オニル例えば３−（４−ピロリジニル）プロピオニル、
モルホリニルプロピオニル例えば３−モルホリノプロピ
オニル又はテトラゾリルプロピオニル例えば３−（テト
ラゾリル−１−イル）−プロピオニル；複素環式基−低
級アルケノイル（ここで複素環式基は特にピロリル、フ
リル、チエニル、イミダゾリル、ピラゾリル、オキサゾ
リル、チアゾリル、ピリジル、ピラジニル、ピリミジニ
ル、インドリル、キノリル、イソキノリル、キノキサリ
ニル、β−カルボリニル及びこれらの基のベンゾ縮合、
シクロペンタ−、シクロヘキサ−もしくはシクロヘプタ
縮合誘導体より選ばれる（これは完全又は部分的に飽和
でありうる）〕、例えばピロリジル−低級アルケノイル
例えばＮ−ピロリジルアクリロリル；ハロ−低級アルカ
ノイル（３個迄のハロゲン原子を含む）例えばα−ハロ
アセチル例えばα−フルオロ−、α−クロロ−、α−ブ
ロモ−、α−ヨード−、α，α，α−トリフルオロ−も
しくはα，α，α−トリクロロ−アセセチル又はハロプ
ロピオニル例えばβ−クロロ−もしくはβ−ブロモ−プ
ロピオニル；低級アルコキシカルボニル例えば第三ブト
キシカルボニル；アリール低級アルコキシカルボニル
（ここでアリールは６〜１４個の炭素原子を有し、例え
ばフェニル、ナフチル及びフルオレニルより選ばれる）
例えばフェニル−低級アルコキシカルボニル例えばベン
ジルオキシカルボニルもしくは９−フルオレニルメトキ
シカルボニル；複素環式基−低級アルコキシカルボニル
（ここで複素環式基は特にピロリル、フリル、チエニ
ル、イミダゾリル、ピラゾリル、オキサゾリル、チアゾ
リル、ピリジル、ピラジニル、ピリミジニル、インドリ
ル、キノリル、イソキノリル、キノキサリニル、β−カ
ルボリニル及びこれらの基のベンゾ縮合、シクロペンタ
−、シクロヘキサ−もしくはシクロヘプタ−縮合誘導体
より選ばれ（これは完全又は部分的に飽和でありう
る）、そして特に低級アルキル例えばメチルによって置
換されていても置換されていなくてもよい）例えば１−
メチルピロリジン−２−イル−メトキシカルボニル、２
−フリルメトキシカルボニル、テトラヒドロフラニル−
低級アルコキシカルボニル例えば２−テトラヒドロフラ
ニル−メトキシカルボニル、１−メチル−２−ピペリジ
ル−メトキシカルボニルもしくは２−モルホリノ−エト
キシカルボニル；カルボキシ−低級アルカノイル例えば
３−カルボキシプロピオニル、５−カルボキシ−ペンタ
ノイルもしくは６−カルボキシヘキサノイル；低級アル
コキシカルボニル−低級アルカノイル例えば５−メトキ
シカルボニルペンタノイルもしくは６−メトキシカルボ
ニルヘキサノイル；ヒドロキシ−低級アルコキシ−低級
アルカノイル例えば３−ヒドロキシ−ｎ−プロポキシカ
ルボニル；アミノ−低級アルカノイル（ここでアミノ基
は低級アルカノイル基のα又はβ位にない）例えば５−
アミノペンタノイル；フェニル低級アルコキシカルボニ
ルアミノ−低級アルカノイル（ここでアミノ基は低級ア
ルカノイル基のα又はβ位にない）例えば５−ベンジル
オキシカルボニルアミノペンタノイルもしくは６−ベン
ジルオキシカルボニルアミノヘキサノイル；アミノ−低
級アルカノイルであって、複素環式基−低級アルカノイ
ル、好ましくは複素環式基−低級アルカノイルＲ1 ，Ｒ
2 ，Ｒ8 又はＲ9 について前記したもの特にＮ−モルホ
リノ−もしくはＮ−チオモルホリノ−カルボニルによっ
て窒素原子の置換されているもの、例えばＮ−モルホリ
ノ−もしくはＮ−チオモルホリノ−カルボニルアミノ−
低級アルカノイル、例えばＮ−モルホリノ−もしくはＮ
−チオモルホリノ−カルボニルアミノ−アセチル；カル
バモイル；フェニル−低級アルキルアミノカルボニル例
えばベンジルアミノカルボニル；Ｎ−ジ−低級アルキル
アミノ−低級アルキル−Ｎ−低級アルキルアミノカルボ
ニル例えばＮ−（２−ジメチルアミノ）エチル−Ｎ−メ
チルアミノカルボニル；Ｎ−ジヒドロキシ−低級アルキ
ル−Ｎ−低級アルキルアミノカルボニル、例えばＮ−
（２，３−ジヒドロキシ−ｎ−プロピル）−Ｎ−メチル
アミノカルボニル；Ｎ−複素環式基−低級アルキル−Ｎ
−低級アルキルカルバモイル（ここで複素環式基は、例
えば、チエニル、フリル、ピラニル、ピロリル、イミダ
ゾリル、ピラゾリル、オキサゾリル、イソキサゾリル、
チアゾリル、フラザニル、ピリジル、ピラジニル、ピリ
ミジニル、ピリダジニル、アゼピニル、インドリル、ベ
ンズイミダゾリル、１Ｈ−インダゾリル、キノリル、イ
ソキノリル、キノキサリニル、キナゾリニル、シンノリ
ル、プリニル、プテリジニル、ナフチリジニル、４Ｈ−
キノリジニル、３，１−ベンゾフラニル、ベンズ〔ｅ〕
インドリル、４，１，−ベンズオキサジニル、４，１−
ベンゾチアジニル、カルバゾリル、β−カルボリニル、
フェナジニル、フェナントリジル、アクリジニル、フェ
ノキサジニル、フェノチアジニル、１−アザアセナフテ
ニル、シクロヘキサ〔ｂ〕ピロリル、シクロヘプタ
〔ｂ〕−ピロリル、シクロヘキサ〔ｄ〕ピラゾリル、シ
クロヘキサ〔ｂ〕ピリジル、シクロヘキサ〔ｂ〕ピラジ
ニル、シクロヘキサ〔ｂ〕ピリミジニル、シクロヘキサ
〔ｂ〕−１，４−オキサジニル、シクロヘキサ〔ｂ〕−
１，４−チアジニル、ピロリジニル、ピロリニル、イミ
ダゾリジニル、２−イミダゾリニル、２，３−ジヒドロ
ピリジル、ピペリジル、ピペラジニル、２，３，５，６
−テトラヒドロピラジニル、モルホリニル、チオモルホ
リニル、Ｓ，Ｓ−ジオキソ−チオモルホリニル、インド
リニル、イソインドリニル、４，５，６，７−テトラヒ
ドロインドリル、１，２，３，４−テトラヒドロキノリ
ル、１，２，３，４−テトラヒドロイソキノリル、クロ
マニル、チオクロマニル、１，２，３，４−テトラヒド
ロ−３，１−ベンゾジアジニル、３，４−ジヒドロ−３
Ｈ−４，１−ベンズオキサジニル、３，４−ジヒドロ−
３Ｈ−４，１−ベンゾチアジニル、２，３，４，５−テ
トラヒドロ、１Ｈ−５，１−ベンズアゼピニルもしくは
５，６−ジヒドロフェナントリジニル低級アルカノイル
より選ばれる）（上記の基は、低級アルキル例えばメチ
ル、フェニル、１−もしくは２−ナフチル、フェニル−
低級アルキル例えばベンジル、ヒドロキシ−低級アルキ
ル例えばヒドロキシメチルもしくは２−ヒドロキシエチ
ル、低級アルコキシ−低級アルキル例えばメトキシメチ
ルもしくは２−メトキシエチル、フェノキシ−もしくは
ナフチルオキシ−低級アルキル例えば２−フェノキシエ
チル、１−もしくは２−ナフチルオキシメチル、フェニ
ル−低級アルコキシ−もしくはナフチル−低級アルコキ
シ−低級アルキル例えばベンジルオキシ−低級アルキ
ル、低級アルカノイルオキシ−低級アルキル例えばアセ
トキシメチル、フェニル−もしくはナフチル−低級アル
カノイルオキシ−低級アルキル例えばベンゾイルオキシ
−、フェニルアセトキシ−又は１−もしくは２−ナフト
イルオキシ−メチル、−２−エチルもしくは−２−
（２，２−ジメチルエチル）、低級アルコキシカルボニ
ルオキシ−低級アルキル例えば第三ブトキシカルボニル
オキシ−低級アルキル、フェニル−、ナフチル−、又は
フルオレニル−低級アルコキシカルボニルオキシ−低級
アルキル例えば２−ベンジルオキシカルボニルオキシエ
チルもしくは９−フルオレニルメトキシカルボニルオキ
シエチル、アミノ−低級アルキル例えばアミノメチル、
２−アミノエチルもしくは２−アミノプロピル、カルボ
キシ−低級アルキル例えばカルボキシメチルもしくは２
−カルボキシエチル、ヒドロキシ、低級アルコキシ例え
ばメトキシもしくはエトキシ、フェニル−もしくはナフ
チル−低級アルコキシ例えばベンジルオキシ又は１−も
しくは２−ナフチルメトキシ、アミノ、低級アルキルア
ミノ例えばメチル−、エチル−もしくは第三ブチル−ア
ミノ、ジ低級アルキルアミノ例えばジメチル−もしくは
ジエチルアミノ、カルボキシ、低級アルキルカルボキシ
例えばメトキシ−、イソプロポキシ−、第二ブトキシ−
もしくは第三ブトキシ−カルボニル、フェニル−もしく
はナフチル−低級アルコキシカルボニル例えばベンジル
オキシカルボニル、ハロゲン例えばフッ素、塩素、臭素
もしくはヨウ素、特に塩素もしくは臭素、低級アルカノ
イル例えばアセチルもしくはピバロイル、低級アルキル
スルホニル例えばメチル−もしくはエチル−スルホニ
ル、ホスホノ、ヒドロキシ−低級アルコキシホスホリル
もしくはジアルコキシホスホリル例えばジメトキシ−も
しくはジエトキシ−ホスホリル−カルバモイル、モノ−
もしくはジ−低級アルキルカルバモイル例えばＮ−メチ
ルカルバモイル、Ｎ−ｎ−ブチルカルバモイルもしくは
Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル、ヒドロキシ−もしくは
カルボキシ−低級アルキルカルバモイル例えばヒドロキ
シ−もしくはカルボキシ−メチルカルバモイル又はヒド
ロキシ−もしくはカルボキシ−エチルカルバモイル、ス
ルファモイル、ニトロ、オキソ及び／あるいはシアノに
よって置換されていても置換されていなくてもよい）特
にピリジル、例えば２−、３−もしくは４−ピリジル−
例えば２−もしくは３−ピリジル−低級アルキルアミノ
カルボニル、例えば２−もしくは３−ピリジルメチルア
ミノカルボニル；Ｎ−２−，Ｎ−３−もしくはＮ−４−
ピリジル−低級アルキル−Ｎ−低級アルキルアミノカル
ボニル、例えばＮ−２，Ｎ−３−もしくはＮ−４−ピリ
ジルメチル−Ｎ−メチル−アミノカルボニル；複素環式
基−低級アルキルカルバモイル−低級アルカノイル例え
ば複素環式基−低級アルキルカルバモイル−低級アルカ
ノイルＲ1 ，Ｒ2 ，Ｒ8 又はＲ9 について前記に定義し
た通り、例えば２−（Ｎ−モルホリノ−低級アルキルカ
ルバモイル）−低級アルカノイル例えば２（Ｒ，Ｓ）−
（Ｎ−（２−モルホリノエチル）カルバモイル）−３−
メチル−ブチリル、又は２−（Ｎ−（ピリジル−低級ア
ルキル）−カルバモイル）−低級アルカノイル例えば
（２（Ｒ，Ｓ）−（Ｎ−（２−ピリジルメチル）−カル
バモイル）−３−メチル）−ブチリル；スルホニル；ア
ルキルスルホニル、例えばメチル−もしくはエチルスル
ホニル；アリールスルホニル（ここでアリールは６〜１
０個の炭素原子を有し、フェニル及びナフチルから選ば
れ、そして低級アルキル例えばメチルもしくは低級アル
コキシ例えばメトキシによって置換されていないか又は
特に置換されている）例えばｐ−トルエンスルホニル；
複素環式基スルホニル（ここで複素環式基は好ましくは
ピロリル、フリル、チエニル、イミダゾリル、ピラゾリ
ル、オキサゾリル、チアゾリル、ピリジル、ピラジニ
ル、ピリミジニル、インドリル、キノリル、イソキノリ
ル、キノキサリニル、β−カルボリニル及びこれらの基
のベンゾ縮合型、シクロペンタ−、シクロヘキサ−もし
くはシクロヘプタ縮合型誘導体（これは完全又は部分的
に飽和でありうる）、モルホリニル及びチオモルホリニ
ルより選ばれ、そして特に低級アルキル例えばメチルに
よって置換されていても置換されていなくてもよい）例
えばモルホリノスルホニル、チオモルホリノスルホニ
ル、ピペリジノスルホニル、４−メチルピペラジニルス
ルホニルもしくはピペラジノスルホニル（好ましい型に
おいては複素環式基スルホニルは置換基でない）；スル
ファモイル；あるいはスルファモイルであって複素環式
基−低級アルキル及び／又は低級アルキルによって置換
されているもの（ここで複素環式基は先に定義した通
り）、例えばＮ−２−ピリジルメチル−Ｎ−メチルアミ
ノスルホニル；によってＮ−アシル化されていてよく、
側鎖のカルボキシ基はエステル化もしくはアミド化型に
おいて、例えば低級アルキルエステル基、例えばメトキ
シカルボニルもしくは第三ブトキシカルボニルの型、ア
リール−エステル基又はアリール−低級エステル基（ア
リールはフェニル、４−ニトロフェニル、ナフチルもし
くはビフェニルである）例えば４−ニトロフェノキシカ
ルボニル、ベンジルオキシカルボニル又は９−フルオレ
ニルメトキシカルボニル基の型、あるいはカルバモイ
ル、低級アルキルカルバモイル例えばメチルカルバモイ
ル、ジ−低級アルキルアミノカルバモイル例えばジメチ
ルカルバモイル、モノ−もしくはジ−（ヒドロキシ−低
級アルキル）カルバモイル例えばヒドロキシメチルカル
バモイルもしくはジ（ヒドロキシメチル）カルバモイ
ル、又はモノ−もしくはジ−（カルボキシ−低級アルキ
ル）カルバモイル基、例えばカルボキシメチルカルバモ
イル又はジ−（カルボキシメチル）カルバモイル基の型
において存在し、側鎖のアミノ基はアルキル化型、例え
ばモノ−もしくはジ−低級アルキルアミノ例えばｎ−ブ
チルアミノもしくはジメチルアミノの型、又はアシル化
型、例えば低級アルカノイルアミノ例えばアセチルアミ
ノもしくはピバロイルアミノ、アミノ−低級アルカノイ
ルアミノ例えば３−アミノ−３，３−ジメチルプロピオ
ニルアミノ、アリール低級アルカノイルアミノ（ここで
アリールは６〜１４個の炭素原子を有する例えばフェニ
ル、ナフチルもしくはフルオレニルであり、そして低級
アルキル、ヒドロキシ、低級アルコキシ、カルボキシ、
カルバモイルもしくはスルファモイルによって置換され
ていても置換されていなくてもよい）例えば４−ヒドロ
キシフェニルブチリル、低級アルコキシカルボニルアミ
ノ例えば第三ブトキシカルボニルアミノ、アリールメト
キシカルボニルアミノ（ここでアリールは６〜１４個の
炭素原子を有す）例えばベンジルオキシカルボニルアミ
ノもしくは９−フルオレニルメトキシカルボニルアミ
ノ、ピペリジル−１−カルボニル、モルホリノカルボニ
ル、チオモルホリノカルボニル又はＳ，Ｓ−ジオキソチ
オモルホリノカルボニルの型において存在し、並びに／
あるいは側鎖のヒドロキシ基はエーテル化又はエステル
化の型、例えば低級アルコキシ、例えばメトキシもしく
は第三ブトキシ、アリール−低級アルコキシ例えばベン
ジルオキシ、低級アルカノイルオキシ例えばアセトキ
シ、又は低級アルコキシカルボニルオキシ基の型、例え
ば第三ブトキシカルボニルオキシ基の型で存在する。
【００６４】特に、置換されていないか置換されている
以下より選ばれるアミノ酸のアシル基Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ8
及びＲ9 が好ましい。即ち、フェニルアラニン、Ｎ−
（ベンジルオキシカルボニル）−フェニルアラニン、Ｎ
−（２（Ｒ，Ｓ）−ベンジル−３−ピバロイル−プロピ
オニル）−フェニルアラニン、Ｎ−（９−フルオレニル
メトキシカルボニル）−フェニルアラニン、チロシン、
Ｎ−プロピルチロシン、チロシン−Ｏ−メチルエーテ
ル、Ｎ−（３−アミノ−３，３−ジメチルプロピオニ
ル）−チロシン−Ｏ−メチルエーテル、Ｎ−（２（Ｓ）
−ベンジル−３−第三ブチルスルホニルプロピオニル）
−チロシン−Ｏ−第三ブチルエーテル、Ｎ−（９−フル
オレニルメトキシカルボニル）−チロシン−Ｏ−メチル
エーテル、Ｎ−（９−フルオレニルメトキシカルボニ
ル）−チロシン−Ｏ−第三ブチルエーテル、Ｎ−モルホ
リノカルボニル−グリシン、Ｎ−（Ｎ−（２−，３−も
しくは４−ピリジル）メチル−Ｎ−メチルアミノカルボ
ニル）グリシン、バリン、Ｎ−（３−フェニルアミノプ
ロピル）−バリン、Ｎ−（４−メチルピペラジニルカル
ボニルメチル）−バリン、Ｎ−（トリフルオロアセチ
ル）−バリン、Ｎ−フェニルアセチル−バリン、Ｎ−ア
セチル−バリン、Ｎ−（３−フェニルプロピオニル）−
バリン、Ｎ−（２（Ｒ，Ｓ）−もしくは−（２Ｓ）−ベ
ンジル−３−ピバロイル−プロピオニル）−バリン、Ｎ
−（２−カルバモイル−３−フェニル−プロピオニル）
−バリン、Ｎ−（２（Ｓ）−ベンジル−３−第三ブチル
スルホニルプロピオニル）−バリン、Ｎ−（２（Ｒ，
Ｓ）−カルバモイル−３−フェニル−プロピオニル）−
バリン、Ｎ−（２−，３−もしくは４−ピリジルカルボ
ニル）−バリン、Ｎ−（１−イミダゾリルアセチル）−
バリン、Ｎ−（２−もしくは３−ピリジルアセチル）−
バリン、Ｎ−（モルホリノアセチル）−バリン、Ｎ−
（３（２−もしくは３−ピリジル）−プロピオニル）−
バリン、Ｎ−（３−（４−ピロリジニル）−プロピオニ
ル）−バリン、Ｎ−（３−（モルホリノ）−プロピオニ
ル）−バリン、Ｎ−（Ｎ−ベンジルオキシカルボニルピ
ペリジン−４−イル−カルボニル）−バリン、Ｎ−テト
ラヒドロフリルメトキシカルボニル−バリン、Ｎ−３−
（テトラゾル−１−イル）−プロピオニル−バリン、Ｎ
−（インドル−２−イルカルボニル）−バリン、Ｎ−
（キノリン−２−カルボニル）−バリン、Ｎ−（１−メ
チルピペラジン−４−イルカルボニル）−バリン、Ｎ−
（３，４−ジヒドロキシピロリジニルカルボニル）−バ
リン、Ｎ−メトキシカルボニル−バリン、Ｎ−イソブト
キシカルボニル−バリン、Ｎ−第三ブトキシカルボニル
−バリン、Ｎ−ベンジルオキシカルボニル−バリン、Ｎ
−（２−フリルメトキシカルボニル）−バリン、Ｎ−
（１−メチルピロリジン−２−イル−メトキシカルボニ
ル）−バリン、Ｎ−（１−メチル−２−ピペリジルメト
キシカルボニル）−バリン、Ｎ−（１−メチル−３−ピ
ペリジル−メトキシカルボニル）−バリン、Ｎ−（２−
（モルホリノ）エトキシカルボニル）−バリン、Ｎ−
（３−カルボキシプロピオニル）−バリン、Ｎ−（５−
カルボキシペンタノイル）−バリン、Ｎ−（６−カルボ
キシヘキサノイル）−バリン、Ｎ−（５−メトキシカル
ボニルペンタノイル）−バリン、Ｎ−（６−メトキシカ
ルボニルヘキサノイル）−バリン、Ｎ−（３−アミノプ
ロピオニル）−バリン、Ｎ−（４−アミノブチリル）−
バリン、Ｎ−（５−ベンジルオキシカルボニルアミノペ
ンタノイル）−バリン、Ｎ−（６−ベンジルオキシカル
ボニルアミノヘキサノイル）−バリン、Ｎ−（モルホリ
ノカルボニル）−バリン、Ｎ−（チオモルホリノカルボ
ニル）−バリン、Ｎ−（Ｓ，Ｓ−ジオキソチオモルホリ
ノカルボニル）−バリン、Ｎ−（Ｎ−ベンジルアミノカ
ルボニル）−バリン、Ｎ−（Ｎ−２−ピリジルメチル−
Ｎ−メチルアミノカルボニル）−バリン、Ｎ−（Ｎ−３
−ピリジルメチル−アミノカルボニル）−バリン、Ｎ−
（Ｎ−２−ピリジルメチル−アミノカルボニル）−バリ
ン、Ｎ−モルホリノ−カルボニルアミノ−アセチル−バ
リン、Ｎ−（２−ピロリジルアクリロイル）−バリン、
Ｎ−メチルスルホニル−バリン、Ｎ−モルホリノスルホ
ニル−バリン、Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニル）−バリ
ン、Ｎ−（４−メチルピペラジニルスルホニル）−バリ
ン、Ｎ−（Ｎ−（２−ピリジルメチル）−Ｎ−メチル−
スルファモイル）−バリン、Ｎ−（Ｎ−２−ピリジルメ
チル−Ｎ−メチル−アミノカルボニル）−バリン、Ｎ−
（３−アミノプロピル）−ロイシン、Ｎ−アセチル−ロ
イシン、Ｎ−（３−アミノプロピオニル）−ロイシン、
Ｎ−（２（Ｒ，Ｓ）−もしくはＮ−（２Ｓ）−ベンジル
−３−ピバロイル−プロピオニル）−ロイシン、Ｎ−
（２（Ｓ）−ベンジル−３−第三ブチルスルホニルプロ
ピオニル）−ロイシン、Ｎ−（２−，３−もしくは４−
ピリジル−カルボニル）−ロイシン、Ｎ−（４−チオモ
ルホリノカルボニル）−ロイシン、Ｎ−（４−（Ｓ，Ｓ
−ジオキソチオモルホリノ）カルボニル）−ロイシン、
Ｎ−（４−アミノブチリル）−ロイシン、Ｎ−（３−ヒ
ドロキシ−ｎ−プロポキシカルボニル）−ロイシン、Ｎ
−（ベンジルオキシカルボニル）−ロイシン、Ｎ−（Ｎ
−（２−（ジメチルアミノ）エチル）−Ｎ−メチル−ア
ミノカルボニル）−ロイシン、Ｎ−（Ｎ−（２，３−ジ
ヒドロキシ−ｎ−プロピル）−Ｎ−メチル−アミノカル
ボニル）−ロイシン、Ｎ−アセチルロイシン、Ｎ−プロ
ピオニル−イソロイシン、Ｎ−（ベンジルオキシカルボ
ニル）−イソロイシン、Ｎ−（２（Ｒ，Ｓ）−ベンジル
−３−ピバロイル−プロピオニル）−ノルロイシン、Ｎ
−（２（Ｓ）−ベンジル−３−第三ブチルスルホニルプ
ロピオニル）−ノルロイシン、Ｎ−（第三ブトキシカル
ボニル）−ノルロイシン、Ｎ−（第三ブトキシカルボニ
ル）−セリン、Ｎ−（ベンジルオキシカルボニル）−セ
リン、Ｎ−アセチル−セリンＯ−メチルエーテル、Ｎ−
（ベンジルオキシカルボニル）−セリンＯメチルエーテ
ル、Ｎ−（２（Ｒ，Ｓ）−ベンジル−３−ピバロイル−
プロピオニル）−セリン、Ｎ−ベンジルオキシカルボニ
ル−グルタミン酸、アスパラギン、Ｎ−ベンジルオキシ
カルボニル−アスパラギン、キノリン−２−カルボニル
−アスパラギン及びＮ−（モルホリノカルボニル）−ア
スパラギンより選ばれる。このアミノ酸残基は好ましく
は（Ｌ）−又は（Ｄ，Ｌ）−型であり、そしてバリンの
場合は（Ｄ）−型である。
【００６５】置換されていないか又は置換されているア
ルキルＲ1 ，Ｒ2 ，Ｒ8 又はＲ9 は１〜２０、好ましく
は１０個迄の炭素原子を有するアルキル基を含み、枝分
れしているか枝分れしていなく、そしてメチレン基の代
りに、チア、アザ及びセレナから選ばれるヘテロ原子を
含んでもよく、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、
イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、第二ブチル、
第三ブチル、ｎ−ペンチル、イソペンチル、ネオペンチ
ル、第三ペンチル、ｎ−ヘキシル、イソヘキシル、ｎ−
ヘプチル、ｎ−オクチル、ｎ−ノニル又はｎ−デシルで
ある。例えば置換されていない又は置換されている、メ
チル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチ
ル、イソブチル、第二ブチル、第三ブチル、ｎ−ペンチ
ル、イソペンチル、ネオペンチル、第三ペンチル、ｎ−
ヘキシル、イソヘキシル又はｎ−ヘプチルが好ましい。
【００６６】置換されているアルキル、好ましくは置換
されている低級アルキルにおける置換基としての適切な
基は低級アルカノイルＲ1 ，Ｒ2 ，Ｒ8 及びＲ9 につい
て前記した基である。以下の置換されている低級アルキ
ルが好ましい。シクロアルキル−低級アルキル（ここで
シクロアルキルは３〜７個の炭素原子を有し、そして低
級アルキルは前記した通り）例えばシクロアルキル−メ
チルもしくは−エチル、（好ましくは４〜１３個の炭素
原子を有する）例えばシクロプロピル−、シクロブチル
−、シクロペンチル−、もしくはシクロヘキシル−低級
アルキル、例えば−メチルもしくは−エチル。
【００６７】シクロアルケニル−低級アルキル、例えば
シクロアルケニルメチル（ここでシクロアルキルは好ま
しくは４〜８個の炭素原子を有する）例えば１−シクロ
ヘキセニルメチル、１，４−シクロヘキサジエルメチル
又は１−シクロヘキセニルエチルもしくは１，４−シク
ロヘキサジエニルエチル。ビシクロアルキル−低級アル
キル（ここでビシクロアルキルは例えば５〜１０個の炭
素原子を含む）、例えばビシクロアルキルカルボニル、
好ましくは８〜１１個の炭素原子を有する、デカヒドロ
ナフチル−２−メチル、エンド−もしくはエキソ−ノル
ボニル−２−メチル、ビシクロ〔２，２，２〕オクト−
２−イルメチル又はビシクロ〔３，３，１〕ノン−９−
イルメチル、そして更にはビシクロ−ヘキシル−、−ヘ
プチル−、−オクチル−もしくは−デシル−アセチル、
又は−３−プロピオニル、例えばビシクロ〔３，１，
０〕ヘキス−１−、−２−もしくは−３−イル、ビシク
ロ〔４，１，０〕ヘプト−１−もしくは−７−イル、ビ
シクロ〔２，２，１〕ヘプト−２−イル、例えばエンド
−もしくはエキソ−ノルボルニル−、ビシクロ〔３，
２，１〕オクト−２−イル、ビシクロ〔３，３，０〕オ
クト−３−イル又はビシクロ〔３，３，１〕ノン−９−
イル、そして更にはα−もしくはβ−デカヒドロナフチ
ル−エチル又は−３−プロピル。
【００６８】トリシクロアルキル−低級アルキル（ここ
でトリシクロアルキルは例えば８〜１０個の炭素原子を
有す）、例えばトリシクロアルキル−メチルもしくは−
エチル、好ましくは８〜１１個の炭素原子を有する、例
えば１−もしくは２−アダマンチルメチル、そして更に
はトリシクロ〔５，２，１，０2,6 〕デク−８−イル又
はアダマンチル−アセチル、例えば１−アダマンチル−
エチル。
【００６９】アリール低級アルキル 〔特にここでアリールは６〜１４個の炭素原子を有す
る、例えばフェニル、インデニル、インダニル、ナフチ
ル、アントリル、フェナントリル、アセナフチル又はフ
ルオレニルであり、そして置換されていないか、低級ア
ルキル例えばメチル、エチルもしくはプロピル、ハロー
低級アルキル例えばトリフルオロメチル、フェニル、１
−もしくは２−ナフチル、ヒドロキシ、低級アルコキシ
例えばメトキシ、カルバモイル−低級アルコキシ、Ｎ−
低級アルキルカルバモイル−低級アルコキシもしくは
Ｎ，Ｎ−ジ−低級アルキルカルバモイル−低級アルコキ
シ、アミノ、モノ−もしくはジ−低級アルキルアミノ、
低級アルカノイルアミノ例えばピバロイルアミノ、ハロ
ゲン例えばフッ素もしくは塩素、カルボキシ、低級アル
コキシカルボニル、ベンジル、ナフチル−もしくはフル
オレニル−低級アルコキシカルボニル、低級アルカノイ
ル、スルホ、低級アルキルスルホニル、ホスホノ、ヒド
ロキシ−低級アルコキシホスホリルもしくはジ−低級ア
ルコキシホスホリル、カルバモイル、モノ−もしくはジ
−低級アルキルカルバモイル、スルファモイル、モノ−
もしくはジ−低級アルキルスルファモイル、ニトロ及び
／又はシアノによて特に１から３置換されているもので
ある（ここでフェニルは最大３個迄存在することができ
る）、例えばジフェニル−、ジベンジル−もしくはトリ
フェニル−低級アルキル、例えばジフェニル−、ジベン
ジル−もしくはトリフェニル−２−エチルであり；そし
てここで低級アルキルは、置換されていないものか、あ
るいは以下の置換基式基、即ち、低級アルキル例えばメ
チル；複素環式基であってピロリル、フリル、チエニ
ル、イミダゾリル、ピラゾリル、オキサゾリル、チアゾ
リル、ピリジル、ピラジニル、ピリミジニル、インドリ
ル、キノリル、イソキノリル、キノキサリニル、β−カ
ルボリニル及びこれらのラジカルのベンゾ−縮合、シク
ロペンタ−、シクロヘキサ−もしくはシクロヘプタ−縮
合誘導体（これらは完全もしくは部分飽和されていても
よい）より選ばれる複素環式基；ヒドロキシ、低級アル
コキシ、低級アルカノイルオキシ例えばアセトキシ、プ
ロピオニルオキシ、ブチロキシ、イソブチロキシ又はピ
バロイルオキシ、アセトアセトキシ、アミノ−もしくは
ベンジルオキシカルボニルアミノ−低級アルカノイルオ
キシ例えば２−アミノ−もしくは２−ベンジルオキシカ
ルボニルアミノ−２−メチル−プロピオニルオキシ；ア
リール−低級アルカノイルオキシ（ここでアリールは６
〜１０個の炭素原子を有する）例えばベンゾイルオキシ
−フェニルアセトキシ、１−もしくは２−ナフトイルオ
キシ、低級アルコキシカルボニルオキシ例えばメトキシ
−、エトキシ−、ｎ−プロポキシ−、イソプロポキシ
−、ｎ−ブトキシ−、イソブトキシ−、第二ブトキシ
−、第三ブトキシ−、ｎ−ペンチルオキシ−、イソペン
チルオキシ−、ネオペンチルオキシ−、第三ペンチルオ
キシ−、ｎ−ヘキシルオキシ−、イソヘキシルオキシ−
もしくはｎ−ヘプチルオシキ−カルボニルオキシ、モノ
−もしくはジ−低級アルキルアミノ−カルボニルオキシ
例えばエチルアミノカルボニルオキシ又はジエチルアミ
ノカルボニルオキシ；アリールオキシ−カルボニルオキ
シ（ここでアリールは６〜１０個の炭素原子を有す
る）、例えばフェノキシカルボニルオキシ又は１−もし
くは２−ナフチルオキシカルボニルオキシ；アリール−
低級アルコキシカルボニルオキシ（ここでアリールは６
〜１４個の炭素原子を有する）、例えばフェニル−低級
アルコキシカルボニルオキシ例えばベンジルオキシカル
ボニルオキシ、そして更には１−もしくは２−ナフチル
メトキシカルボニルオキシ又は９−フルオレニルメトキ
シカルボニルオキシ、スルホニルオキシ、低級アルキル
スルホニルオキシ例えばメチル−、エチル−、プロピル
−、イソプロピル−、ｎ−ブチル−、イソブチル−、第
二ブチル−、第三ブチル−、ｎ−ペンチル−、イソペン
チル−、ネオペンチル−、第三ペンチル−、ｎ−ヘキシ
ル−、イソヘキシル−、もしくはｎ−ヘプチル−スルホ
ニルオキシ、フェニルスルホニルオキシ、２−もしくは
４−トルエンスルホニルオキシ、１−もしくは２−ナフ
チルスルホニルオキシ；アミノ、モノ−もしくはジ−低
級アルキルアミノ、Ｎ−低級アルコキシ−Ｎ−低級アル
キルアミノ例えばＮ−メトキシ−Ｎ−メチルアミノ、モ
ノ−もしくはジ−（フェニル−もしくは−ナフチル−低
級アルキル）アミノ例えばベンジルアミノ、低級アルカ
ノイルアミノ例えばピバロイルアミノ；カルボキシ、エ
ステル化カルボキシであって、低級アルコキシカルボニ
ル、例えばメトキシ−、エトキシ−、ｎ−プロポキシ
−、イソプロポキシ−、ｎ−ブトキシ−、イソブトキシ
−、第二ブトキシ−、第三ブトキシ−、ｎ−ペンチルオ
キシ−、イソペンチルオキシ−、ネオペンチルオキシ
−、第三ペンチルオキシ−、ｎ−ヘキシルオキシ−、イ
ソヘキシルオキシ−もしくはｎ−ヘプチルオキシ−カル
ボニルより選ばれるもの；アリールオキシカルボニル
（ここでアリールは６〜１０個の炭素原子を有する）、
例えばフェノキシカルボニル又は１−もしくは２−ナフ
チルオキシカルボニル；アリール−低級アルコキシカル
ボニル（ここでアリールは６〜１２個の炭素原子を有す
る）、例えばベンジルオキシカルボニル、１−もしくは
２−ナフチルメトキシカルボニル又は９−フルオレニル
メトキシカルボニル；低級アルカノイル例えばピバロイ
ルもしくはアセチル；低級アルキルスルホニル例えば第
三ブチル−スルホニル；ヒドロキシ−低級アルコキシホ
スホリル及びジ−低級アルコキシホスホリル；カルバモ
イル；以下の１又は２種の基によって置換されているカ
ルバモイル、即ち、低級アルキル、例えばメチル、エチ
ル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチ
ル、第二ブチル、第三ブチル、ｎ−ペンチル、イソペン
チル、ネオペンチル、第三ペンチル、ｎ−ヘキシル、イ
ソヘキシルもしくはｎ−ヘプチルより選ばれる基によっ
て置換されているもの（例えば、Ｎ−メチルカルバモイ
ル、Ｎ−ｎ−ブチルカルバモイルもしくはＮ，Ｎ−ジメ
チルカルバモイル）、カルボキシ−低級アルキルもしく
は低級アルコキシカルボニル−低級アルキルより選ばれ
る基によって置換されているもの（例えばカルボキシメ
チルカルバモイル（グリシニルカルボニル）又は第三ブ
トキシカルボニルメチルカルバモイル）、ジ低級アルキ
ルアミノ−低級アルキル例えば２−ジメチルアミノエチ
ル、アミノカルボキシ−低級アルキル例えば５−アミノ
−５−カルボキシペンチルより選ばれる基によって置換
されているもの、ヒドロキシ−低級アルキル例えばヒド
ロキシメチルもしくはヒドロキシエチルより選ばれる基
によって置換されているもの、更にはジ低級アルコキシ
−低級アルキル例えば２−（２，２−ジメトキシエチ
ル）より置換されているカルバモイル；以下の基、即
ち、エチレン、トリメチレン、テトラメチレン及びペン
タメチレンのうちの１種によって置換されているカルバ
モイル（その炭素原子は窒素、酸素、硫黄又は酸素によ
って１もしくは２置換された硫黄と交換されていること
があり、そして不飽和でありうる）例えば、ピペリジン
−１−イル−、ピラジン−１−イル−、ピペラジン−１
−イル−、ピリミジン−１−イル−、ピリダジン−１−
イル−、モルホリノ−、チオモルホリノ−又はＳ，Ｓ−
ジオキソチオ−モルホリノ−カルボニル；スルファモイ
ル、ホスホノ、ベンゾフラニル、オキソ（これは、
Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ8 又はＲ9 に連結しているアミノ窒素原
子に結合している炭素原子には存在していない）並びに
／あるいはシアノによって置換されていてよく、そして
枝分れしている又は枝分れしていなくてよい〕特にフェ
ニル−低級アルキルであって、例えばベンジル（そのベ
ンジル基において、例えばメチル、フェニル、ヒドロキ
シ、低級アルコキシ例えばメトキシ、ハロゲン例えば塩
素、ニトロ及び／又はシアノによって置換されていない
か、あるいは１又は多置換されている）、例えば４−メ
トキシ−、４−フルオロ−、４−クロロ−、４−ニトロ
−もしくは４−シアノ−ベンジル、ナフチルメチル例え
ばα−もしくはβ−ナフチルメチル、インデニルメチル
例えば１−，２−もしくは３−インデニルメチル、イン
ダニルメチル例えば１−もしくは２−インダニルメチ
ル、及びフェナントレニルメチル例えば９−フェナント
レニルメチル、２−フェニルエチル、２−α−ナフチル
エチル、２−β−ナフチルエチル、２−低級アルキルフ
ェニル−エチル例えば２−（４−メチルフェニル）エチ
ル、２−低級アルコキシフェニルエチル例えば２−（４
−メトキシフェニル）エチル、２，２−ジフェニルエチ
ル、２，２−ジ（４−メトキシフェニル）エチル、２，
２，２−トリフェニルエチル及び２，２−ジベンジルエ
チル及び２，２−ジベンジルエチルより選ばれるもの；
以下の基即ち、フェニル−低級アルコキシカルボニル例
えばベンジルオキシカルボニル及び低級アルカノイルア
ミノ例えばピバロイルアミノのうちの２種により２−及
びｐ−位において置換がなされているフェニル−低級ア
ルキル、例えば２，ｐ−ジベンジルオキシカルボニルア
ミノ−フェニルエチル又は２−ピバロイルアミノ−ｐ−
ベンジルオキシカルボニルアミノ−フェニルエチル、
２，ｐ−ジアミノ−フェニルエチル、３−フェニルプロ
ピル、３−（ｐ−ヒドロキシフェニル）−プロピル、３
−αもしくは３−β−ナフチルプロピル、２−ベンジル
−３−（１−ピラゾリル）−プロピル、３−フェニル−
もしくは３−α−ナフチル−２−ヒドロキシ−プロピ
ル、３−フェニル−もしくは３−α−ナフチル−２−低
級アルコキシプロピル例えば３−フェニル−もしくは３
−α−ナフチル−２−ネオペンチルオキシ−プロピル、
３−フェニル−もしくは３−α−ナフチル−２−低級ア
ルカノイル−プロピル、例えば３−フェニル−２−ピバ
ロイルオキシ−もしくは−２−アセトキシプロピル、２
−ベンジル−又は１−もしくは２−ナフチル−３−（Ｎ
−メトキシル−Ｎ−メチルアミノ）−プロピル、３−フ
ェニル−もしくは３−α−ナフチル−２−ジメチルアミ
ノメチル−プロピル、３−α−ナフチル−２−ピバロイ
ルオキシ−もしくは−２−アセトキシ−プロピル、３−
α−ナフチル−２−アセトキシ−プロピル、３−α−ナ
フチル−２−エチルアミノ−カルボニルオキシ−プロピ
ル又は３−α−ナフチル−２−（（２−アミノ−もしく
は２−ベンジルオキシカルボニルアミノ）−２−メチル
プロピオニルオキシ）−プロピル、３−フェニル−もし
くは３−α−ナフチル−２−カルボキシメチルプロピ
ル、３−フェニル−もしくは３−α−ナフチル−２−低
級アルコキシカルボニルプロピル例えば３−α−ナフチ
ル−２−エトキシカルボニル−プロピル、３−フェニル
−もしくは３−α−ナフチル−２−ベンジルオキシカル
ボニルメチル−プロピル、２−（Ｓ）−ベンジル−３−
第三ブチルスルホニル−プロピル、３−フェニル−２−
ホスホノ−もしくは−ホスホノメチル−プロピル、３−
フェニル−２−ジメトキシホスホリル−もしくは−ジメ
トキシホスホリルメチル−プロピル、３−フェニル−２
−ジエトキシホスホリル−もしくは−ジエトキシホスホ
リルメチル−プロピル、３−フェニル−２−エトキシ−
もしくは−メトキシヒドロキシホスホリル−プロピル、
３−フェニル−もしくは３−α−ナフチル−２−カルバ
モイル−プロピル、３−フェニル−もしくは３−α−ナ
フチル−２−第三ブチルカルバモイル−プロピル、３−
フェニル−もしくは３−α−ナフチル−２−（２−ジメ
チルアミノエチル）カルバモイル−プロピル、３−α−
ナフチル−２−（カルボキシ−もしくは第三ブトキシカ
ルボニル）メチルカルバモイル−プロピル、３−フェニ
ル−もしくは３−α−ナフチル−２−（３−ヒドロキシ
−２−プロピル）カルバモイル−プロピル、３−フェニ
ル−もしくは３−α−ナフチル−２−（２，２−ジメト
キシエチル）−カルバモイルプロピル、３−フェニル−
もしくは３−α−ナフチル−２−（５−アミノ−５−カ
ルボキシペンチル）−カルバモイル−プロピル、３−フ
ェニル−もしくは３−α−ナフチル−２−シアノ−プロ
ピル、３−フェニル−もしくは３−α−ナフチル−２−
シアノ−メチル−プロピル、３−フェニル−もしくは３
−α−ナフチル−２−アセトニル−プロピル４−ヒドロ
キシフェニルブチル、４−フェニル−もしくは４−α−
ナフチル−３−カルボキシ−ブチル、４−フェニル−も
しくは４−α−ナフチル−３−ベンジルオキシカルボニ
ル−ブチル、２−ベンジル−４−（２−ベンゾフラニ
ル）−４−オキソブチル、２−ベンジル−もしくは２−
α−ナフチルメチル−４−シアノ−ブチル、２−ベンジ
ルもしくは２−α−ナフチルメチル−５−ジメチルアミ
ノ−ペンチル、２−ベンジル−もしくは２−α−ナフチ
ルメチル−４−オキソ−ペンチル、２−ベンジルもしく
は２−α−ナフチルメチル−４，４−ジメチル−３−オ
キソ−ペンチル、２−ベンジルもしくは２−α−ナフチ
ルメチル−５−ジメチルアミノ−４−オキソ−ペンチル
又は２−ベンジル−もしくは２−α−ナフチルメチル−
５，５−ジメチル−４−オキソ−ヘキシルより選ばれる
もの、好ましくはフェニル−低級アルキル、例えばベン
ジル、２−フェニルエチルもしくは３−フェニルプロピ
ル、４−ヒドロキシベンジル、１−もしくは２−ナフチ
ルメチル又は１−もしくは２−ナフチル−２−エチル、
特に最後に挙げたフェニル−低級アルキル。
【００７０】複素環式基−低級アルキル、即ち、特に複
素環式基−低級アルカノイルＲ1 ，Ｒ2 ，Ｒ8 及びＲ9
のもとで前記した置換されていない又は置換されている
複素環式基並びに複素環式基−低級アルカノイルＲ1 ，
Ｒ2 ，Ｒ8 及びＲ9 における低級アルカノイルと同様に
置換されていないか又は置換されている低級アルキルを
含む、複素環式基−低級アルキル、例えばメチル、２−
エチルもしくは３−プロピルの結合している、置換され
ていないか又は低級アルキル−もしくはフェニル置換さ
れている、ピロリル例えば２−もしくは３−ピロリル、
４−もしくは５−メチルピロリル又は４−もしくは５−
フェニルピロリル、チエニル、例えば２−チエニル、フ
リル、例えば２−フリル、ピラゾリル、例えば１−ピラ
ゾリル、テトラゾリル、例えばテトラゾル−１−イル、
ピリジル、例えば２−，３−もしくは４−ピリジル、イ
ンドリルであって、低級アルキル例えばメチル、フェニ
ル低級アルキル例えばベンジル、低級アルコキシ例えば
メトキシ、フェニル低級アルコキシ例えばベンジルオキ
シ又はハロゲン例えば塩素により置換されている、例え
ば２−，３−もしくは５−インドリル、１−メチル−、
２−メチル−、５−メトキシ−、５−ベンジルオキシ
−、５−クロロ−もしくは４，５−ジメチル−インドル
−２−イル、１−ベンジルインドル−２−イルもしくは
−３−イル、４，５，６，７−テトラヒドロインドル−
２−イル、シクロヘプタ〔ｂ〕ピロル−５−イル、置換
されていないもしくはヒドロキシ置換されているキノリ
ル、例えば２−，３−もしくは４−キノリル又は４−ヒ
ドロキシキノル−２−イル、置換されていないもしくは
ヒドロキシ置換されているイソキノリル、例えば１−，
３−もしくは４−イソキノリル又は１−オキソ−１，２
−ジヒドロイソキノル−３−イル、２−キノキサリニ
ル、３，１−ベンズフラン−２−イル、ベンズ〔ｅ〕イ
ンドル−２−イル、β−カルボリン−３−イル、３−ク
ロマニル、３−チオクロマニル、３−ピロリジニル、ヒ
ドロキシピロリジニル、例えば３−もしくは４−ヒドロ
キシピロリジン−２−イル、オキソピロリジニル、例え
ば５−オキソピロリジン−２−イル、ピペリジニル、例
えば２−，３−もしくは４−ピペリジニル、モルホリニ
ル、例えば２−もしくは３−モルホリニル、チオモルホ
リニル、例えば２−もしくは３−チオモルホリニル、
Ｓ，Ｓ−ジオキソチオモルホリニル、例えばＳ，Ｓ−ジ
オキソモルホリン−２−もしくは３−イル、インドリニ
ル例えば２−もしくは３−インドリニル、１，２，３，
４−テトラヒドロキノリル、例えば１，２，３，４−テ
トラヒドロキノル−２−，−３−もしくは−４−イル、
１，２，３，４−テトラヒドロイソキノリニル、例えば
１，２，３，４−テトラヒドロイソキノル−１−，−２
−もしくは−３−イル又は１−オキソ−１，２，３，４
−テトラヒドロイソキノル−３−イル、あるいは４−ピ
ロリジニルメチル又は１−イミダソリルメチル。
【００７１】ヒドロキシ−低級アルキル、例えば３−ヒ
ドロキシプロピル又は２−ヒドロキシ−３−メチルペン
チル。低級アルコキシ−低級アルキル、例えば低級アル
コキシエチルもしくは低級アルコキシプロピル、例えば
２−メトキシエチル、２−エトキシエチルもしくは３−
メトキシプロピル。
【００７２】低級アルコキシ−低級アルコキシ−低級ア
ルキル、例えば２−メトキシメトキシ−３−メチル−ペ
ンチル。フェノキシ−低級アルキルもしくはニトロフェ
ノキシ−低級アルキル、例えばフェノキシメチル、フェ
ノキシエチルもしくは４−ニトロフェノキシメチル。ナ
フチルオキシ−低級アルキル、例えばα−もしくはβ−
ナフチルオキシエチル。
【００７３】低級アルカノイルオキシ−低級アルキル、
例えば低級アルカノイルオキシエチルもしくは低級アル
カノイルオキシプロピル、例えばアセトキシエチルもし
くは３−アセトキシプロピル。アセトキシ−低級アルキ
ル。アリールメルカプト−低級アルキル（ここでアリー
ルは６〜１０個の炭素原子を有し、例えばフェニルもし
くはナフチルである）例えばフェニルメルカプトメチ
ル。
【００７４】アミノ−低級アルキル、例えば３−アミノ
プロピルもしくは５−アミノペンチル。モノ−もしくは
ジ−低級アルキルアミノ−低級アルキル、例えばジメチ
ルアミノエチルもしくは２−ジメチルアミノ−２−イソ
プロピルエチル。フェニル−もしくはナフチル−アミノ
−低級アルキル、例えば３−フェニルアミノプロピル。
【００７５】低級アルカノイルアミノ−低級アルキル、
例えば４−アセチルアミノペンチル。ピペラジニルカル
ボニルアルキルであってその窒素原子にて低級アルキル
例えばメチルにより置換されている、例えば４−メチル
ピペラジニルカルボニルメチル。
【００７６】低級アルコキシカルボニルアミノ−低級ア
ルキル、例えば５−（第三−ブトキシカルボニルアミ
ノ）−ペンチルもしくは３−エトキシカルボニルアミノ
−２−イソブチル−プロピル。フェニル低級アルコキシ
カルボニルアミノ−低級アルキル、例えば５−（ベンジ
ルオキシカルボニルアミノ）−ペンチル。
【００７７】アミノカルボニルアミノ−低級アルキル、
例えばアミノカルボニルアミノ−エチル。Ｎ−フェニル
−低級アルキル−Ｎ−低級アルキルアミノカルボニルア
ミノ−低級アルキル、例えば２−イソブチル−３−（Ｎ
−ベンジル−Ｎ−メチルアミノカルボニルアミノ）プロ
ピル。
【００７８】ハロ−低級アルキル、例えば２−ハロエチ
ル、例えば２−フルオロ−、２−クロロ−、２−ブロモ
−、２−ヨード−、２，２，２−トリフルオロ−もしく
は２，２，２−トリクロロ−エチル、トリルフルオロ−
低級アルキル、例えばトリフルオロメチル、又はハロプ
ロピル、例えば３−クロロ−もしくは３−ブロモプロピ
ル。
【００７９】カルボキシ−低級アルキル、例えばカルボ
キシエチルもしくは３−カルボキシプロピル。低級アル
コキシカルボニル−低級アルキル、例えば低級アルコキ
シカルボニルエチルもしくは低級アルコキシカルボニル
プロピル、例えばメトキシカルボニルエチル、３−メト
キシカルボニルプロピル、エトキシカルボニルエチルも
しくは３−エトキシカルボニルプロピル。
【００８０】２−ハロ−低級アルコキシカルボニル−低
級アルキル、例えば２−クロロ−、２−ブロモ−、２−
ヨード−、もしくは２，２，２−トリクロロ−エトキシ
カルボニル−２−エチルもしくは−３−プロピル。フェ
ニル−もしくはナフチル−低級アルコキシカルボニル−
低級アルキル、例えばベンジルオキシカルボニル−低級
アルキル、例えば３−ベンジルオキシカルボニル−２，
２−ジメチルプロピル。
【００８１】複素環式基−低級アルコキシカルボニル−
低級アルキル（ここで複素環式基は好ましくは、ピロリ
ル、フリル、チエニル、イミダゾリル、ピラゾリル、オ
キサゾリル、チアゾリル、ピリジル、ピラジニル、ピリ
ミジニル、インドリル、キノリル、イソキノリル、キノ
キサリニル、β−カルボリニル及びこれらの基のベンゾ
縮合、シクロペンタ−、シクロヘキサ−もしくはシクロ
ヘプタ縮合誘導体より選ばれ（これは完全又は部分的に
飽和でありうる）例えば４−ピリジルメトキシカルボニ
ル−２−エチルもしくは−３−プロピル又は２−モルホ
リノカルボニルオキシ−４−メチル−ペンチル。
【００８２】低級アルキルスルホニル−低級アルキル、
例えば２−エチルスルホニル−もしくは２−第三ブチル
スルホニル−メチル。アリールスルホニル−低級アルキ
ル（ここでアリールは６〜１０個の炭素原子を有する例
えばフェニルもしくはナフチルである）例えばフェニル
スルホニルメチル。
【００８３】カルバモイル−低級アルキル、例えば例え
ばカルバモイルエチル又は３−カルバモイルプロピル。
低級アルキルカルバモイル−低級アルキル、例えば低級
アルキルカルバモイルエチルもしくはメチルカルバモイ
ル−低級アルキル、例えば−２−メチルカルバモイルエ
チル。
【００８４】ジ低級アルキルカルバモイル−低級アルキ
ル、例えば２−ジ−低級アルキルカルバモイルエチルも
しくはジメチルカルバモイル−低級アルキル、例えば２
−ジメチルカルバモイルエチル。ヒドロキシ−低級アル
キルカルバモイル−もしくはジ（ヒドロキシ−低級アル
キル）カルバモイル−低級アルキル、例えば２−ヒドロ
キシメチルカルバモイル−又はジ（ヒドロキシメチル）
カルバモイル−２−エチルもしくは−３−プロピル。
【００８５】Ｎ−低級アルコキシ−低級アルコキシ−低
級アルキルカルバモイル−低級アルキル、例えば２−イ
ソブチル−３−（２−（２−メトキシエトキシ）エチル
アミノカルボニル）−プロピル。カルボキシ−低級アル
キルカルバモイル−もしくはジ（カルボキシ−低級アル
キル）カルバモイル−低級アルキル、例えばカルボキシ
メチル−もしくはジ−（カルボキシメチル）カルバモイ
ル−エチルもしくは−３−プロピル。
【００８６】カルバモイル−低級アルキル（その窒素原
子は、エチレン、トリメチレン、テトラメチレン及びペ
ンタメチレンより選ばれるラジカルによって置換され、
ここで炭素原子は窒素、酸素、硫黄又は酸素によって１
もしくは２置換された硫黄によって置き代われていてよ
く、更にこれらの基は完全又は部分的に不飽和となって
よい）、例えばピペリジノ−、ピラジン−１−イル−、
ピペラジン−１−イル−、ピリミジン−１−イル−、ピ
リダジン−１−イル−、モルホリノ−、チオモルホリノ
−もしくはＳ，Ｓ−ジオキソチオモルホリノ−カルボニ
ル−低級アルキル、例えば２−モルホリノカルボニル−
エチル、３−（モルホリノカルボニル）−プロピル又は
３−（モルホリノカルボニル）−２−イソブチル−プロ
ピル。
【００８７】Ｎ−低級アルキル複素環式基−低級アルキ
ルカルバモイル−低級アルキル（ここで複素環式基は好
ましくはピロリル、フリル、チエニル、イミダゾリル、
ピラゾリル、オキサゾリル、チアゾリル、ピリジル、ピ
ラジニル、ピリミジニル、インドリル、キノリル、イソ
キノリル、キノキサリニル、β−カルボリニル及びこれ
らのラジカルのベンゾ縮合、シクロペンタ−、シクロヘ
キサ−もしくはシクロヘプタ縮合誘導体（これは完全又
は部分的に飽和でありうる）、より選ばれる）、例えば
２−（Ｎ−２−ピリジルメチル）−Ｎ−メチルカルボニ
ル−エチル。
【００８８】スルファモイル−低級アルキル、例えば２
−スルファモイルエチル。Ｎ−（フェニル−もしくはナ
フチル−低級アルキル）スルファモイル−低級アルキ
ル、例えば３−ベンジルアミノスルホニル−２−イソプ
ロピル−プロピオニル。スルファモイル−低級アルキル
（その窒素はエチレン、トリメチレン、テトラメチレン
及びペンタメチレンより選ばれる基によって置換され、
ここで炭素原子は窒素、低級アルキル置換、例えばメチ
ル置換された窒素、酸素、硫黄又は酸素によって１もし
くは２置換された硫黄によって置き代われていてよく、
そし更にこれらの基は完全又は部分的に飽和になってい
てよい）、例えばピペリジノ−、ピラジン−１−イル
−、ピペラジン−１−イル−、４−メチルピペラジン−
１−イル、ピリミジン−１−イル−、ピリダジン−１−
イル−、モルホリノ−、チオモルホリノ−もしくはＳ，
Ｓ−ジオキソチオモルホリノスルホニル−低級アルキ
ル、例えば３−（４−メチルピペラジニルスルホニル）
−２−イソプロピルプロピルもしくは３−（モルホリノ
スルホニル）−２−イソプロピル−プロピル。
【００８９】オキソ−低級アルキル（ここでオキソは、
ラジカルＲ1 ，Ｒ2 ，Ｒ8 又はＲ9 を保有している窒素
原子に結合している炭素原子には存在していない）、例
えば３−オキソ−ｎ−ブチルもしくは３−オキソ−ｎ−
ペンチル。シアノ−低級アルキル、例えばシアノメチ
ル、シアノエチル、２−もしくは３−シアノ−ｎ−プロ
ピル又は２−、３−、もしくは４−シアノ−ｎ−ブチ
ル。
【００９０】ヒドロキシ−カルボキシ−低級アルキル、
例えば２−ヒドロキシ−２−カルボキシ−エチルもしく
は２−ヒドロキシ−３−カルボキシプロピル。α−ナフ
チルオキシ−カルボキシ−低級アルキル、例えば２−α
−ナフチルオキシ−４−カルボキシ−ブチル。ヒドロキ
シ−低級アルコキシカルボニル−低級アルキル、例えば
２−ヒドロキシ−２−低級アルコキシ−カルボニル−エ
チルもしくは−プロピル、又はヒドロキシ−エトキシ−
もしくはヒドロキシ−メトキシ−カルボニル低級アルキ
ル、例えば２−ヒドロキシ−２−エトキシ−もしくは−
メトキシ−カルボニルエチル又は２−ヒドロキシ−３−
エトキシ−もしくは−メトキシ−カルボニルプロピル。
【００９１】α−ナフチルオキシ−低級アルコキシカル
ボニル−低級アルキル、例えばα−ナフチルオキシ−低
級アルコキシカルボニル−２−エチル、−２−プロピル
もしくは−２−ブチリル又はα−ナフチルオキシ−エト
キシカルボニル−低級アルキル、例えばα−ナフチルオ
キシ−エトキシカルボニル−２−エチル、２−α−ナフ
チルオキシ−３−エトキシカルボニルプロピル又は２−
α−ナフチルオキシ−４−第三ブトキシカルボニルブチ
ル。
【００９２】α−ナフチルオキシ−ベンジルオキシカル
ボニル−低級アルキル、例えば２−α−ナフチルオキシ
−３−ベンジルオキシカルボニルプロピル。エステル化
ヒドロキシ−低級アルコキシカルボニル−低級アルキル
〔ここでこのヒドロキシ基は、低級アルカノイル例えば
アセチル、プロピオニルもしくはピバロイルによって；
又はシクロアルキル低級アルカノイル（ここでシクロア
ルキルは、３〜７個の炭素原子を有し、そして低級アル
カノイルは前記に定義した通りが好ましい）例えばシク
ロヘキシルカルボニル又は２−シクロヘキシル−もしく
は２−シクロペンチル−アセチル）によって；ビシクロ
アルキル−低級アルカノイル（ここでビシクロアルキル
は、例えば５〜１０個、特に６〜９個の炭素原子を有す
る）例えばビシクロヘキシル−、−ヘプチル−、−オク
チル−、−ノニル−又は−デシル−アセチルもしくは−
３−プロピオチル、例えば、ビシクロ〔３，１，０〕ヘ
キス−１−、−２−もしくは−３−イル−、ビシクロ
〔４，１，０〕ヘプト−１−もしくは−７−イル−、ビ
シクロ〔２，２，１〕ヘプト−２−イル−、例えばエン
ド−もしくはエキソ−ノルボルニル−、ビシクロ〔３，
２，１〕オクト−２−イル−、ビシクロ〔３，３，０〕
オクト−３−イル−又はビシクロ〔３，３，１〕ノン−
９−イル−、そして更にはα−又はβ−デカヒドロナフ
チル−アセチルもしくは−３−プロピオニルによって；
トリシクロアルキル−低級アルカノイル（ここでトリシ
クロアルキルは例えば８〜１０個の炭素原子を有する）
例えばトリシクロ−〔５，２，１，０2,6 〕デク−８−
イル−又はアダマンチル−、例えば１−アダマンチル−
アセチルによって；アリール−低級アルカノイル（ここ
でアリールは６〜１４個の炭素原子を有する、例えばフ
ェニル、インデニル、インダニル、ナフチル、アントリ
ル、フェナントリル、アセナフチルもしくはフルオレニ
ルであり、そして低級アルキル、ヒドロキシ、低級アル
コキシ、カルバモイル−低級アルコキシ、Ｎ−低級アル
キルカルバモイル−低級アルコキシ又はＮ，Ｎ−ジ低級
アルキルカルバモイル−低級アルコキシ、アミノ、モノ
−もしくはジ−低級アルキルアミノ、ハロゲン例えばフ
ッ素、塩素もしくは臭素、カルボキシ、低級アルコキシ
カルボニル、フェニル−、ナフチル−もしくはフルオレ
ニル−低級アルコキシカルボニル、低級アルカノイル、
低級アルキルスルホニル例えばメチルスルホニル、ホス
ホノ、ヒドロキシ−低級アルコキシホスホリルもしくは
ジ−低級アルコキシホスホリル、カルバモイル、スルフ
ァモイル，ニトロ及び／あるいはシアノによって１〜３
置換されているか、置換されていない）によって；低級
アルコキシカルボニル、例えば第三ブトキシカルボニル
によって；２−ハロ−低級アルコキシカルボニル（前記
に定義の通り）によって；あるいはフェニル−もしくは
フルオレニル−低級アルコキシカルボニル、例えばベン
ジルオキシカルボニル又は９−フルオレニルメトキシカ
ルボニル、によってエステル化されている〕、例えば２
−アセトキシ−２−メトキシカルボニル−エチル、２−
ベンゾイルオキシ−、２−（１−もしくは２−ナフトイ
ルオキシ）−、２−（フェニル−２−アセトキシ）−、
２−（１−もしくは２−ナフチル−２−アセトキシ）
−、２−（４−メチルフェニル−２−アセトキシ）−、
２−（４−メトキシフェニル−２−アセトキシ）−もし
くは２−（−２−（０，０−ジクロロフェニル）−２−
アセトキシ）−２−メトキシカルボニル−エチルもしく
は−３−プロピル。
【００９３】ジヒドロキシ−カルボキシ−低級アルキ
ル、例えば２，３−ジヒドロキシ−３−カルボキシ−プ
ロピル。ジヒドロキシ−低級アルコキシカルボニル−低
級アルキル、例えば２，３−ジヒドロキシ−３−エトキ
シ−もしくは−メトキシ−カルボニル−プロピル。ジヒ
ドロキシ−低級アルコキシカルボニル−低級アルキルで
あって、低級アルカノイル例えばアセチル、プロピオニ
ルもしくはブチリル、低級アルコキシカルボニル例えば
第三ブトキシカルボニル、フェニル−もしくはフルオレ
ニル−低級アルコキシカルボニル例えばベンジルオキシ
カルボニルもしくは９−フルオレニルメトキシカルボニ
ル、低級アルキルスルホニル、又はトルエンスルホニル
によってエステル化されたもの、例えばジ−低級アルカ
ノイルオキシ−低級アルコキシ−プロピル、例えば２，
３−ジアセトキシ−３−メトキシカルボニル−プロピ
ル。
【００９４】α−ナフチルオキシ−ジ−低級アルキルア
ミノ−低級アルキル、例えば２−α−ナフチルオキシ−
５−ジメチルアミノ−ペンチル。α−ナフチルオキシ−
カルバモイル−低級アルキル、例えば２−α−ナフチル
オキシ−４−カルバモイル−ブチル。α−ナフチルオキ
シ−オキソ−低級アルキル（ここでオキソは、ラジカル
Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ8 又はＲ9 を保有する窒素原子に結合し
ている炭素原子には存在していない）、例えば２−α−
ナフチルオキシ−４−オキソ−ペンチル。
【００９５】α−ナフチルオキシ−シアノ−低級アルキ
ル、例えばα−ナフチルオキシ−シアノ−エチルもしく
は２−α−ナフチルオキシ−４−シアノブチルである。
低級アルキル、例えばメチル、エチル、プロピル、イソ
プロピル、ｎ−ブチル、イソブチル又は第三ブチルが特
に好ましい。好ましくは２〜１０個の炭素原子を含むア
ルケニルＲ1 ，Ｒ2 ，Ｒ8 又はＲ9 は、好ましくは２〜
７個、特に２〜４個の炭素原子を有するアルケニル、例
えばビニル、アリル又は２−もしくは３−ブテニルであ
る。
【００９６】低級アルケニルＲ1 ，Ｒ2 ，Ｒ8 又はＲ9
は例えば以下の置換基によって置換されていてよい。即
ち、シクロアルキル−低級アルカノイルＲ1 ，Ｒ2 ，Ｒ
8 又はＲ9 のケースにおいて定義する低級アルキル例え
ばシクロアルキルと同一の置換基、例えばイソプロピ
ル、ハロ−低級アルキル例えばトリフルオロメチル、ヒ
ドロキシ、低級アルコキシ、カルバモイル−低級アルコ
キシ、Ｎ−低級アルキルカルバモイル−低級アルコキシ
もしくはＮ，Ｎ−ジ低級アルキルカルバモイル−低級ア
ルコキシ、アミノ、モノ−もしくはジ−低級アルキルア
ミノ、ハロゲン例えばフッ素、塩素もしくは臭素、カル
ボキシ、低級アルコキシカルボニル、フェニル−、ナフ
チル−もしくはフルオレニル−低級アルコキシカルボニ
ル、低級アルカノイル、低級アルキルスルホニル例えば
メチルスルホニル、ホスホノ、ヒドロキシ−低級アルコ
キシホスホリルもしくはジ−低級アルコキシホスホリ
ル、カルバモイル、モノ−もしくはジ−低級アルキルア
ミノカルバモイル、スルファモイル、モノ−もしくはジ
低級アルキルスルファモイル、ニトロ及び／又はシアノ
によって置換されていないか、あるいは１〜３置換され
ており、そして低級アルケニルに末端炭素原子にて特に
結合しているシクロアルキル（例えば、シクロブチル
−、シクロペンチル−、シクロヘキシル−もしくはシク
ロヘプチル−メチル−２−ビニル、−２−もしくは３−
アリル又は−２−，−３−もしくは−４−ブト−２−エ
ニル）；アリール（アリール−低級アルカノイルＲ1 ，
Ｒ2 ，Ｒ8 又はＲ9 で定義した通り）、即ち、置換され
ていないか置換されており、そして低級アルケニルに好
ましくは末端的に結合しているアリール（例えばスチリ
ル、３−フェニルアリル（シンナミル）、２−（α−ナ
フチル）−ビニルもしくは２−（β−ナフチル）−ビニ
ル）；置換されていないか、又は置換されている複素環
式基（複素環式基低級アルカノイル、Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ8
又はＲ9 に定義の通り）、好ましくは、ピロリル、フリ
ル、チエニル、イミダゾリル、ピラゾリル、オキサゾリ
ル、チアゾリル、ピリジル、ピラジニル、ピリミジニ
ル、インドリル、キノリル、イソキノリル、キノキサリ
ニル、β−カルボリニル及びこれらのラジカルのベンゾ
−、シクロペンタ−、シクロヘキサ−もしくはシクロヘ
プタ−縮合誘導体より選ばれ（これらは完全もしくは部
分飽和されていることがある）、そして前記の通り置換
されていないか置換されており、そして低級アルケニル
に、窒素原子又は炭素原子を介して、好ましくは低級ア
ルケニル基（例えばビニル、アリル及び２−もしくは３
−ブテニルより選ばれる基）の末端炭素原子に結合して
いる（例えばピリミジン−１−イル−、ピペリジノ−、
ピラジン−１−イル−、ピペラジン−１−イル−、ピリ
ダジン−１−イル、モルホリノ−、チオモルホリノ−も
しくはＳ，Ｓ−ジオキソチオモルホリノ−低級アルケニ
ル例えば２−モルホリノ−ビニル、３−モルホリノ−ア
リル又は４−モルホリノ−２−もしくは−３−ブテニ
ル、ピロリル−低級アルケニルであって低級アルキルも
しくはフェニルにより置換されていない又は置換されて
いる、例えば２−もしくは３−ピロリル−ビニルもしく
は−アリル、４−もしくは５−メチルピロリル−ビニル
もしくは−アリル又は４−もしくは５−フェニルピロリ
ル−ビニルもしくは−アリル、チエニル−低級アルケニ
ル、例えば２−チエニル−ビニルもしくは−アリル、フ
リル−低級アルケニル例えば２−フリル−ビニルもしく
は−アリル、ピリジル−低級アルケニル例えば２−，３
−もしくは４−ピリジル−ビニルもしくは−アリル、イ
ンドリル−低級アルケニルであって低級アルキル例えば
メチル、フェニル−低級アルキル例えばベンジル、低級
アルコキシ例えばメトキシ、フェニル−低級アルコキシ
例えばベンジルオキシ又はハロゲン例えば塩素によって
置換されていないか置換されている、例えば２−，３−
もしくは５−インドリル−ビニルもしくは−アリル、１
−メチル、−２−メチル−、５−メトキシ−、５−ベン
ジルオキシ−、５−クロロ−もしくは４，５−ジメチル
−インドル−２−イル−、１−ベンジルインドル−２−
イル−もしくは−３−イル−ビニルもしくは−アリル、
４，５，６，７−テトラヒドロインドル−２−イル−メ
チル、−エチルもしくは−ｎ−プロピル、シクロヘプタ
〔ｂ〕ピロリル−５−イル−ビニルもしくは−アリル、
置換されていない又はヒドロキシ置換されているキノリ
ル−低級アルケニル例えば２−，３−もしくは４−キノ
リル−もしくは４−ヒドロキシキノル−２−イル−ビニ
ルもしくは−アリル、置換されていない又はヒドロキシ
置換されているイソキノリル−低級アルケニル例えば１
−，３−もしくは４−イソキノリル−もしくは１−オキ
ソ−１，２−ジヒドロイソキノル−３−イル−ビニルも
しくは−アリル、２−キノキサリニル−ビニルもしくは
アリル、３，１−ベンゾフラン−２−イル−ビニルもし
くはアリル、３−チオクロマニル−ビニルもしくは−ア
リル、３−ピロリジニル−ビニルもしくは−アリル、ヒ
ドロキシピロリジニル−低級アルケニル例えば３−もし
くは４−ヒドロキシピロリジン−２−イル−ビニルもし
くは−アリル、オキソピロリジニル−低級アルケニル例
えば５−オキソピロリジン−２−イル−ビニルもしくは
アリル、ピペリジニル−低級アルケニル例えば２−，３
−もしくは４−ピペリジニル−ビニル−もしくは−アリ
ル、モルホリニル−低級アルケニル例えば２−もしくは
３−モルホリニル−ビニルもしくは−アリル、チオモル
ホリニル−低級アルケニル例えば２−もしくは３−チオ
モルホリニル−ビニルもしくは−アリル、Ｓ，Ｓ−ジオ
キソチオモルホリニル−低級アルケニル例えばＳ，Ｓ−
ジオキソチオモルホリン−２−もしくは−３−イル−ビ
ニルもしくはアリル、インドリニル−低級アルケニル例
えば２−もしくは３−インドリニル−ビニルもしくは−
アリル、１，２，３，４−テトラヒドロキノリル−低級
アルケニル例えば１，２，３，４−テトラヒドロキノル
−２−，−３−もしくは−４−イル−ビニルもしくは−
アリル、１，２，３，４−テトラヒドロイソキノリル−
低級アルケニル例えば１，２，３，４−テトラヒドロイ
ソキノル−１−，−２−もしくは−３−イル−ビニルも
しくはアリル、又は１−オキソ−１，２，３，４−テト
ラヒドロイソキノル−３−イル−ビニルもしくはアリ
ル）；ヒドロキシ；エーテル化ヒドロキシであって、低
級アルコキシ例えばメトキシもしくはエトキシ、フェノ
キシもしくはナフチルオキシ、フェニル−もしくはナフ
チル−低級アルコキシ例えばベンジルオキシ及び複素環
式基−低級アルコキシ（ここで複素環式基は好ましくは
ピロリル、フリル、チエニル、イミダゾリル、ピラゾリ
ル、オキサゾリル、チアゾリル、ピリジル、ピラジニ
ル、ピリミジニル、インドリル、キノリル、イソキノリ
ル、キノキサリニル、β−カルボリニル及びこれらの基
のベンゾ縮合、シクロペンタ−、シクロヘキサ−もしく
はシクロヘプタ縮合誘導体より選ばれ（これは完全又は
部分的に飽和でありうる）より選ばれる、例えば４−ピ
ロリジニルメトキシ、１−イミダゾリルメトキシ、２−
ピリジルメトキシ、３−ピリジルメトキシ、キノリン−
２−イル−メトキシもしくはインドル−２−イルメトキ
シ；エステル化ヒドロキシであって、低級アルカノイル
オキシ例えばアセトキシ、プロピオニルオキシ、ブチロ
キシ、イソブチロキシもしくはピバロイルオキシ、アセ
トアセトキシ、アミノ−もしくはベンジルオキシカルボ
ニルアミノ−低級アルカノイルオキシ例えば２−アミノ
−もしくは２−ベンジルオキシカルボニルアミノ−２−
メチルプロピオニルオキシ、アリール低級アルカノイル
オキシ（ここでアリールは６〜１０個の炭素原子を有
す）例えばベンジルオキシ、フェニルアセトキシ、１−
もしくは２−ナフトイルオキシ、低級アルコキシカルボ
ニルオキシ例えばメトキシ−、エトキシ−、ｎ−プロポ
キシ−、イソプロポキシ−、ｎ−ブトキシ−、イソブト
キシ−、第二ブトキシ−、第三ブトキシ−、ｎ−ペンチ
ルオキシ−、イソペンチルオキシ−、ネオペンチルオキ
シ−、第三ペンチルオキシ−、ｎ−ヘキシルオキシ−、
イソヘキシルオキシ、もしくはｎ−ヘプチルオキシ−カ
ルボニルオキシ、モノ−もしくはジ−低級アルキルアミ
ノカルボニルオキシ例えばエチルアミノカルボニルオキ
シもしくはジエチルアミノカルボニルオキシ、アリール
カルボニルオキシ（ここでアリールは６〜１０個の炭素
原子を含む）例えばフェノキシカルボニルオキシ又は１
−もしくは２−ナフチルオキシカルボニルオキシ、アリ
ール低級アルコキシカルボニルオキシ（ここでアリール
は６〜１２個の炭素原子を含む）例えばフェニル−低級
アルコキシカルボニルオキシ例えばベンジルオキシカル
ボニルオキシ、更には１−もしくは２−ナフチルメトキ
シカルボニルオキシ又は９−フルオレニルメトキシカル
ボニルオキシ、スルホニルオキシ、低級アルキルスルホ
ニルオキシ例えばメチル−、エチル−、プロピル−、イ
ソプロピル−、ｎ−ブチル−、イソブチル−、第二ブチ
ル−、第三ブチル−、ｎ−ペンチル−、イソペンチル
−、ネオペンチル−、第三ペンチル−、ｎ−ヘキシル
−、イソヘキシル−もしくはｎ−ヘプチル−スルホニル
オキシ、フェニルスルホニルオキシ、２−もしくは４−
トルエンスルホニルオキシ及び１−もしくは２−ナフチ
ルスルホニルオキシより選ばれるエステル化ヒドロキ
シ；カルボキシ；エステル化カルボキシであって、低級
アルコキシカルボニル例えばメトキシカルボニル、エト
キシカルボニル及び第三ブトキシカルボニル、２−ハロ
−低級アルコキシカルボニル例えば２−クロロ−、２−
ブロモ−、２−ヨードもしくは２，２，２−トリクロロ
−エトキシ−カルボニル、フェニルもしくはナフチル−
低級アルコキシカルボニル例えばベンジルオキシカルボ
ニル及び複素環式基（ここで複素環式基は好ましくは、
ピロリル、フリル、チエニル、イミダゾリル、ピラゾリ
ル、オキサゾリル、チアゾリル、ピリジル、ピラジニ
ル、ピリミジニル、インドリル、キノリル、イソキノリ
ル、キノキサリニル、β−カルボリニル及びこれらの基
のベンゾ縮合、シクロペンタ−、シクロヘキサ−もしく
はシクロヘプタ縮合誘導体より選ばれる（これは完全又
は部分的に飽和でありうる）、エステル化カルボキシ
（例えば４−ピリジルメトキシカルボニル；あるいは、
アミド化カルボキシであって、カルバモイル、低級アル
キルカルバモイル例えばメチルカルバモイル、ジ−低級
アルキルカルバモイル例えばジメチルカルバモイル、ヒ
ドロキシ−低級アルキルカルバモイルもしくはジ（ヒド
ロキシ−低級アルキル）カルバモイル例えばヒドロキシ
メチルカルバモイルもしくはジ（ヒドロキシメチル）カ
ルバモイル、Ｎ−低級アルコキシ−低級アルコキシ−低
級アルキルカルバモイル例えば２−（２−メトキシエト
キシ）エチルアミノカルボニル、カルボキシ−低級アル
キルカルバモイルもしくはジ（カルボキシ−低級アルキ
ル）カルバモイル例えばカルボキシメチルもしくはジ
（カルボキシメチル）−カルバモイル並びに窒素原子に
てエチレン、トリメチレン、テトラメチレン及びペンタ
メチレンから選ばれる基により置換されているカルバモ
イル（ここで炭素原子は窒素、酸素、硫黄又は酵素によ
って１もしくは２置換されている硫黄により置き代って
いてもよく、更に形成される基は完全又は部分的に飽和
の、例えばピペリジノ−、ピラジン−１−イル−、ピペ
ラジン−１−イル−、ピリミジン−１−イル−、ピリダ
ジン−１−イル−、モルホリノ−、チオモルホリノ−も
しくはＳ，Ｓ−ジオキソチオモルホリノ−カルボニル、
Ｎ−低級アルキル−Ｎ−複素環式基−低級アルキルカル
バモイルの型でありうる〔ここで複素環式基は、好まし
くはピロリル、フリル、チエニル、イミダゾリル、ピラ
ゾリル、オキサゾリル、チアゾリル、ピリジル、ピラジ
ニル、ピリミジニル、インドリル、キノリル、イソキノ
リル、キノキサリニル、β−カルボリニル及びこれらの
基のベンゾ縮合、シクロペンタ−、シクロヘキサ−もし
くはシクロヘプタ縮合誘導体より選ばれる（これは完全
又は部分的に飽和でありうる）〕より選ばれる、例えば
Ｎ−２−ピリジルメチル−Ｎ−メチルカルバモイル。
【００９７】アルキニルＲ1 ，Ｒ2 ，Ｒ8 又はＲ9 は、
特に２−１０個、好ましくは低級アルキニルとして２〜
７個、特に２〜４個の炭素原子を有し、例えばエチニ
ル、１−プロピニル又は２−プロピニルである。これら
の基は低級アルケニルＲ1 ，Ｒ 2 ，Ｒ8 又はＲ9 に挙げ
た基によって置換されていなくても置換されていること
も可能である。
【００９８】複素環式基Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ8 及びＲ9 は炭
素原子を介して結合しており、そして特に複素環式基−
低級アルカノイルＲ1 ，Ｒ2 ，Ｒ8 及びＲ9 のもとで記
載した置換されていないか又は置換されている複素環式
基を含み、そして好ましくは、低級アルキルもしくはフ
ェニルにより置換されていない又は置換されているピロ
リル、例えば２−もしくは３−ピロリル、４−もしくは
５−メチルピロリル又は４−もしくは５−フェニルピロ
リニル、チエニル例えば２−チエニル、フリル例えば２
−フリル、ピリジル例えば２−，３−もしくは４−ピリ
ジル、低級アルキル例えばメチル、フェニル−低級アル
キル例えばベンジル、低級アルコキシ例えばメトキシ、
フェニル低級アルコキシ例えばベンジルオキシ、又はハ
ロゲン例えば塩素によって置換されていないかもしくは
置換されているインドリル、例えば２−，３−もしくは
５−インドリル、１−メチル−、２−メチル−、５−メ
トキシ−、５−ベンジルオキシ−、５−クロロ−もしく
は４，５−ジメチルインドル−２−イル、１−ベンジル
インドル−２−イルもしくは−３−イル、４，５，６，
７−テトラヒドロインドル−２−イル、置換されていな
いか又はヒドロキシ置換されているキノリル、例えば２
−，３−もしくは４−キノリル又は４−ヒドロキシキノ
ル−２−イル、置換されていないか又はヒドロキシ置換
されているイソキノリル、例えば１−，３−もしくは４
−イソキノリル又は１−オキソ−１，２−ジヒドロイソ
キノル−３−イル、２−キノキサリニル、３，１−ベン
ゾフラン−２−イル、ベンズ〔ｅ〕インドル−２−イ
ル、β−カルボリン−３−イル、シクロヘプタ〔ｂ〕ピ
ロル−５−イル、３−クロマニル、３−チオクロマニ
ル、３−ピロリジニル、ヒドロキシピロリジニル例えば
３−もしくは４−ヒドロキシピロリジン−２−イル、オ
キソピロリジニル例えば５−オキソピロリジン−２−イ
ル、ピペリジル例えば２−，３−もしくは４−ピペリジ
ル、モルホリニル例えば２−もしくは３−モルホリニ
ル、チオモルホリニル例えば２−もしくは３−チオモル
ホリニル、Ｓ，Ｓ−ジオキソチオモルホリニル例えば
Ｓ，Ｓ−ジオキソチオモルホリン−２−もしくは−３−
イル、インドリニル例えば２−もしくは３−インドリニ
ル、１，２，３，４−テトラヒドロキノリル例えば１，
２，３，４−テトラヒドロキノル−２−，−３−もしく
は−４−イル、１，２，３，４−テトラヒドロイソキノ
リル例えば１，２，３，４−テトラヒドロイソキノリル
−１−，−２−もしくは−３−イル又は１−オキソ−
１，２，３，４−テトラヒドロイソキノル−３−イルで
ある。
【００９９】アルキル置換されているスルホニルＲ1 ，
Ｒ2 ，Ｒ8 及びＲ9 は、好ましくはアルキルＲ1 ，
Ｒ2 ，Ｒ8 及びＲ9 のもとで記載した置換されていない
か又は置換されているアルキル基を含み、そして特に、
低級アルキルスルホニル例えばメチルスルホニル、エチ
ルスルホニル、ｎ−プロピルスルホニル又は第三ブチル
スルホニル、アリール低級アルキル置換されているスル
ホニルであって、例えばアリール−低級アルキルＲ1 ，
Ｒ2 ，Ｒ8 及びＲ9 のもとで挙げた置換されていないか
又は置換されている基を含む、特に基、即ち、ベンジル
−、４−クロロ−、４−メトキシ−もしくは４−ニトロ
−ベンジル−、ナフチル−メチル、例えばα−もしくは
β−ナフチルメチル−、２−フェニルエチル−、２−α
−ナフチルエチル−、２−β−ナフチルエチル−、２−
（４−メチルフェニル）エチル−、２−（４−メトキシ
フェニル）エチル−、３−フェニルプロピル−、３−
（ｐ−ヒドロキシフェニル）−プロピル−、２，２−ジ
フェニルエチル及び２，２−ジ（４−メトキシフェニ
ル）−エチル−スルホニルより選ばれるアリール低級ア
ルキル置換されているスルホニル、あるいは複素環式基
−低級アルキル置換されているスルホニルであって、例
えば複素環式基低級アルキルＲ1 ，Ｒ2 ，Ｒ8 及びＲ9
のもとで挙げた置換されていないか又は置換されている
基を含む、特に基例えば２−もしくは３−ピロリル−、
２−チエニル−、２−フリル−、１−ピラゾリル−、２
−，３−もしくは４−ピリジル−、２−，３−もしくは
５−インドリル−、（１−メチル−、２−メチル−、５
−メトキシ−、５−ベンジルオキシ−、５−クロロ−も
しくは４，５−ジメチル−インドル−２−イル）−、
（１−ベンジルインドル−２−イルもしくは−３−イ
ル）−、４，５，６，７−テトラヒドロインドル−２−
イル、（２−，３−もしくは４−キノリル又は４−ヒド
ロキシキノル−２−イル）−、（１−，３−もしくは４
−イソキノリル又は１−オキソ−１，２−ジヒドロイソ
キノル−３−イル）−、３−ピロリジニル−、（３−も
しくは４−ヒドロキシピロリジン−２−イル）−５−オ
キソピロリジン−２−イル−、（２−もしくは３−モル
ホリニル）−、（２−もしくは３−チオモルホリニル）
−、（Ｓ，Ｓ−ジオキソチオモルホリン−２−もしくは
−３−イル）−、（２−もしくは３−インドリニル）
−、（１，２，３，４−テトラヒドロキノル−２−，３
−もしくは−４−イル）−及び（１，２，３，４−テト
ラヒドロイソキノル−１−，−２−もしくは−３−イ
ル）−メチル−スルホニルより選ばれる複素環式基−低
級アルキル置換されているスルホニル、である。
【０１００】アリール置換されているスルホニルＲ1 ，
Ｒ2 ，Ｒ8 及びＲ9 は好ましくはアリール−低級アルカ
ノイルＲ1 ，Ｒ2 ，Ｒ8 及びＲ9 のもとで挙げた置換さ
れていないか又は置換されているアリール基を含み、そ
して特にフェニル−又は１−もしくは２−ナフチル−ス
ルホニルであって低級アルキルにより置換されていない
か又は１もしくは２置換されている例えばフェニルスル
ホニル、２−もしくは４−トルエンスルホニル又は１−
もしくは２−ナフチルスルホニルである。
【０１０１】複素環式基置換されているスルホニル
Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ8 及びＲ9 は好ましくは、ピロリル、フ
リル、チエニル、イミダゾリル、ピラゾリル、オキサゾ
リル、チアゾリル、ピリジル、ピラジニル、ピリミジニ
ル、インドリル、キノリル、イソキノリル、キノキサリ
ニル、β−カルボリニル及びこれらの基のベンゾ縮合、
シクロペンタ−、シクロヘキサ−もしくはシクロヘプタ
−縮合誘導体（これらは完全又は部分飽和でありう
る）、モルホリニル及びチオモルホリニルより選ばれ、
そして置換されていないか又は特に低級アルキル例えば
メチルにより置換されていてもよく、例えばモルホリノ
スルホニル、チオモルホリノスルホニル、ピペラジノス
ルホニル、４−メチルピペラジニルスルホニル又はピペ
ラジノスルホニルである。本発明の特に好ましい型にお
いて、置換基としての複素環式基スルホニルは存在しな
くてよい。
【０１０２】アルコキシ置換されているスルホニル
Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ8 及びＲ9 は好ましくはアルキルＲ1 ，
Ｒ2 ，Ｒ8 及びＲ9 のもとで挙げた置換されていないか
又は置換されているアルキル基を含み、そして特に、低
級アルコキシ−例えばメトキシ−、エトキシ−もしくは
第三ブトキシスルホニル、複素環式基−低級アルコキシ
スルホニルであって、例えば複素環式基−低級アルキル
Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ8 及びＲ9 のもとで挙げた置換されてい
ないか又は置換されている複素環式基−低級アルキル基
を含む、特に、２−もしくは３−ピロリル−、２−チエ
ニル−、２−フリル−、１−ピラゾリル−、２−，３−
もしくは４−ピリジル−、２−，３−もしくは５−イン
ドリル−、（１−メチル−、２−メチル−、５−メトキ
シ−、５−ベンジルオキシ−、５−クロロもしくは４，
５−ジメチル−インドル−２−イル）、（１−ベンジル
インドル−２−イルもしくは−３−イル）−、４，５，
６，７−テトラヒドロインドル−２−イル−、（２−，
３−もしくは４−キノリル又は４−ヒドロキシキノル−
２−イル）−、（１−，３−もしくは４−イソキノリル
又は１−オキソ−１，２−ジヒドロイソキノル−３−イ
ル）−、３−ピロリジニル−、（３−もしくは４−ヒド
ロキシピロリジン−２−イル）、５−オキソピロリジン
−２−イル−、（２−もしくは３−モルホリニル）−、
（２−もしくは３−チオモルホリニル）−、（Ｓ，Ｓ−
ジオキソチオモルホリン−２−もしくは−３−イル）
−、（２−もしくは３−インドリニル）−、（１，２，
３，４−テトラヒドロキノル−２−，−３−もしくは−
４−イル）−及び（１，２，３，４−テトラヒドロイソ
キノル−１−，−２−もしくは−３−イル）−メトキシ
スルホニルもしくは−エトキシスルホニルより選ばれる
複素環式基−低級アルコキシスルホニル、アリール−低
級アルコキシスルホニルであって、例えばアリール低級
アルキルＲ1 ，Ｒ2 ，Ｒ8 及びＲ9 のもとで挙げた置換
されていないか又は置換されているアリール低級アルキ
ル基を含む、例えばベンジルオキシスルホニル、ヒドロ
キシ−低級アルコキシ例えば３−ヒドロキシプロポキシ
−もしくは２−ヒドロキシ−３−メチルペンチルオキシ
スルホニル、低級アルコキシ−低級アルコキシ−、例え
ば低級アルコキシエトキシ−もしくは低級アルコキシプ
ロポキシ−、例えばメトキシエトキシもしくは３−メト
キシプロポキシ−スルホニル、低級アルコキシ−低級ア
ルコキシ−低級アルコキシ−、例えば２−メトキシ−３
−メチルペンチルオキシ−スルホニル、フェノキシ−低
級アルコキシ−もしくはニトロフェノキシ−低級アルコ
キシ−、例えばフェノキシメトキシ−、フェノキシエト
キシもしくは４−ニトロフェノキシメトキシ−スルホニ
ル、ナフチルオキシ−低級アルコキシ−、例えばα−も
しくはβ−ナフチルオキシエトキシ−スルホニル、低級
アルカノイルオキシ−低級アルコキシ−、例えば低級ア
ルカノイルオキシエトキシ−もしくは低級アルカノイル
オキシプロポキシ、例えばアセトキシエトキシ−もしく
は３−アセトプロポキシ−スルホニル、アミノ低級アル
コキシ−、例えば５−アミノペンチルオキシスルホニ
ル、モノ−もしくはジ−低級アルキルアミノ−低級アル
コキシ−、例えばジメチルアミノエトキシ−もしくはジ
メチルアミノ−２−イソプロピルエトキシ−スルホニ
ル、低級アルカノイルアミノ−低級アルコキシ−、例え
ば４−アセトアミノペンチルオキシ−スルホニル、低級
アルコキシカルボニルアミノ−低級アルコキシ−例えば
５−（第三ブトキシカルボニルアミノ）−ペンチルオキ
シ−もしくは３−エトキシカルボニルアミノ−２−イソ
ブチル−プロポキシ−スルホニル、フェニル−低級アル
コキシカルボニルアミノ−低級アルコキシ−、例えば５
−（ベンジルオキシカルボニルアミノ）−ペンチルオキ
シ−スルホニル、アセトアセトキシ−スルホニル、アミ
ノカルボニルアミノ−低級アルコキシ−、例えばアミノ
カルボニルアミノ−エトキシ−スルホニル、Ｎ−フェニ
ル−低級アルキル−Ｎ−低級アルキル−アミノカルボニ
ルアミノ−低級アルコキシ−、例えば２−イソブチル−
３−（Ｎ−ベンジル−Ｎ−メチルアミノカルボニルアミ
ノ）プロポキシ−スルホニル、ハロ低級アルコキシ−、
例えば２−ハロエトキシ−、例えば（２−クロロ−、２
−ブロモ−、２−ヨード−もしくは２，２，２−トリク
ロロ−エトキシ）−又はハロプロポキシ例えば（３−ク
ロロ−、もしくは３−ブロモプロポキシ）−スルホニ
ル、カルボキシ−低級アルコキシ−例えばカルボキシエ
トキシ−もしくは３−カルボキシプロポキシ−スルホニ
ル、低級アルコキシカルボニル−低級アルコキシ−例え
ば低級アルコキシカルボニルエトキシもしくは低級アル
コキシカルボニルプロポキシ−、例えばメトキシカルボ
ニルエトキシ−、３−メトキシカルボニルプロポキシ
−、エトキシカルボニルエトキシ−もしくは３−エトキ
シカルボニルプロポキシ−スルホニル、２−ハロ−低級
アルコキシカルボニル−低級アルコキシ−例えば（２−
クロロ−、２−ブロモ−、２−ヨード−もしくは２，
２，２−トリクロロ−エトキシカルボニル−２−エトキ
シもしくは３−プロポキシ）−スルホニル、低級アルキ
ルスルホニル−低級アルコキシ−、例えば（２−エチル
スルホニル−もしくは２−第三ブチルスルホニル−メト
キシ）−スルホニル、カルバモイル−低級アルコキシ
−、例えばカルバモイルエトキシ−もしくは３−カルバ
モイルプロポキシ−スルホニル、並びにカルバモイル−
低級アルコキシスルホニルであって、その窒素原子が、
エチレン、トリメチレン、テトラメチレン及びペンタメ
チレンより選ばれる基によって置換されている（ここで
炭素原子は窒素、酸素、硫黄又は酸素により１もしくは
２置換されている硫黄により置き代っていてよく、そし
てこのように形成される基は完全又は部分飽和でありう
る）、例えば（ピペリジノ−、ピラジン−１−イル−、
ピペラジン−１−イル、ピリミジン−１−イル−、ピリ
ダジン−１−イル、モルホリノ−、チオモルホリノ−、
チオモルホリノ−もしくはＳ，Ｓ−ジオキソチオモルホ
リノ−カルボニル−低級アルコキシ）−、例えば２−モ
ルホリノカルボニル−エトキシ−、３−（モルホリノカ
ルボニル）−プロポキシ−もしくは３−（モルホリノカ
ルボニル）−２−イソブチル−プロポキシ−スルホニ
ル、より選ばれる。
【０１０３】アリールオキシ置換されているスルホニル
Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ8 及びＲ9 は好ましくは、アリール低級
アルカノイルＲ1 ，Ｒ2 ，Ｒ8 及びＲ9 のもとで挙げた
置換されていないか又は置換されているアリール基を含
み、そして特にベンジルオキシスルホニル及び１−もし
くは２−ナフチルオキシスルホニルより選ばれる。窒素
原子にて置換されているスルファモイルＲ1 ，Ｒ2 ，Ｒ
8 及びＲ9 は、カルバモイル−低級アルカノイルＲ1 ，
Ｒ2 ，Ｒ8 及びＲ9 におけるカルバモイルと同一の基に
より好適に置換されてよく、そして特に、モノ−もしく
はジ−低級アルキルスルファモイル例えばＮ，Ｎ−ジメ
チルスルファモイル、Ｎ−（フェニル−もしくはナフチ
ル−低級アルキル）スルファモイル例えば３−ベンジル
スルファモイル、並びにエチレン、トリメチレン、テト
ラメチレンもしくはペンタメチレン（ここで炭素原子は
窒素原子、低級アルキル置換例えばメチル置換されてい
る窒素、酸素、硫黄又は酸素により１もしくは２置換さ
れている硫黄により置き代っていてよい）より選ばれる
基によりその窒素原子にて置換されているスルファモイ
ル（形成される基は完全又は部分飽和でありうる）例え
ばピペラジノ−、ピラジン−１−イル、ピペラジン−１
−イル−、メチルピペラジン−１−イル−、ピリミジン
−１−イル−、ピリダジン−１−イル−、モルホリノ
−、チオモルホリノ−もしくはＳ，Ｓ−ジオキシチオモ
ルホリノ−スルホニル例えば４−メチルピペラジニルス
ルホニルもしくはモルホリノスルホニル−２−イソプロ
ピル、より選ばれる。
【０１０４】アルキル、シクロアルキル、シクロアルキ
ル−低級アルキル、アリール、アリール−低級アルキ
ル、ヒドロキシ、アルコキシ、シクロアルコキシ、シク
ロアルキル−低級アルコキシ、アリールオキシ及びアリ
ール−低級アルコキシより選ばれる同一もしくは異なる
１又は２種の基により置換されているホスホリルＲ1 ，
Ｒ2 ，Ｒ8 及びＲ9 は、好ましくは、置換されていない
か又は置換されているアルキルとして、アルキル特に低
級アルキルＲ1 ，Ｒ2 ，Ｒ8 及びＲ9 のもとで挙げた置
換されていない又は置換されている１もしくは２種の
基、例えば、−低級アルキル例えばメチル、エチル、ｎ
−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル及び第三ブチ
ル；−シクロアルキル−低級アルキル、即ち、シクロア
ルキル−低級アルカノイルＲ1 ，Ｒ2 ，Ｒ8 及びＲ9 の
もとで挙げたシクロアルキル基のうちの１種により特に
末端的に置換されているアルキル基、例えばシクロプロ
ピルメチル、シクロブチルメチル、シクロペンチルメチ
ル、２−シクロペンチルエチル、３−シクロペンチルプ
ロピル、シクロヘキシルメチル、２−シクロヘキシルエ
チルもしくは３−シクロヘキシルプロピル；−アリール
−低級アルキルＲ1 ，Ｒ2 ，Ｒ8 又はＲ9 のもとで規定
したアリール−低級アルキル、特に、低級アルキル例え
ばメチル、フェニル、ヒドロキシ、低級アルコキシ例え
ばメトキシ、ハロゲン例えば塩素及び／もしくはニトロ
により１又は多置換されているか置換されていないベン
ジル、例えば４−メトキシ−、４−クロロ−もしくは４
−ニトロベンジル、ナフチルメチル例えばα−もしくは
β−ナフチルメチル、２−フェニルエチル−２−α−ナ
フチルエチル、２−β−ナフチルエチル、２−低級アル
キルフェニルエチル例えば２−（４−メチルフェニル）
エチル、２−低級アルコキシフェニルエチル例えば２−
（４−メトキシフェニル）エチル、２，２−ジフェニル
エチル、２，２−ジ（４−メトキシフェニル）−エチ
ル、２，２，２−トリフェニルエチル、２，２−ジベン
ジルエチル、２，ｐ−ジアミノ−フェニルエチル、又は
フェニル−低級アルキルであってその２−及びｐ−位に
おいてフェニル−低級アルコキシカルボニル例えばベン
ジルオキシカルボニル及び低級アルキルアミノ例えばピ
バロイルアミノより選ばれる２種の基によって置換され
ている例えば２，ｐ−ジベンジルオキシカルボニルアミ
ノ−フェニルエチルもしくは２−ピバロイルアミノ−ｐ
−ベンジルオキシカルボニルアミノ−フェニルエチル、
３−フェニルプロピル、３−（ｐ−ヒドロキシフェニ
ル）−プロピル、３−α−もしくは３−β−ナフチルプ
ロピル、２−ベンジル−３−（１−ピラゾリル）−プロ
ピル、３−フェニル−もしくは３−α−ナフチル−２−
ヒドロキシ−プロピル、３−フェニル−もしくは３−α
−ナフチル−２−低級アルコキシ−プロピル例えば３−
フェニル−もしくは３−α−ナフチル−２−ネオペンチ
ルオキシ−プロピル、３−フェニル−もしくは３−α−
ナフチル−２−低級アルカノイルオキシ−プロピル例え
ば３−フェニル−もしくは３−α−ナフチル−２−ピバ
ロイルオキシ−又は−２−アセトキシ−プロピル、２−
ベンジル−又は１−もしくは２−ナフチル−３−（Ｎ−
メトキシ−Ｎ−メチルアミノ）−プロピル、３−フェニ
ル−もしくは３−α−ナフチル−２−ジメチル−アミノ
メチル−プロピル、３−α−ナフチル−２−アセトアセ
トキシ−プロピル、３−α−ナフチル−２−エチルアミ
ノ−カルボニルオキシ−プロピル又は３−α−ナフチル
−２−（２−アミノ−もしくは２−ベンジルオキシカル
ボニルアミノ−２−メチルプロピオニルオキシ）−プロ
ピル、３−フェニル−もしくは３−α−ナフチル−２−
カルボキキシメチル−プロピル、３−フェニル−もしく
は３−α−ナフチル−２−低級アルコキシカルボニル−
プロピル例えば３−α−ナフチル−２−エトキシカルボ
ニル−プロピル、３−フェニルもしくは３−α−ナフチ
ル−２−ベンジルオキシカルボニルメチル−プロピル、
２−（Ｓ）−ベンジル−第三ブチルスルホニル−プロピ
ル、３−フェニル−２−ホスホノ−もしくは−ホスホノ
メチル−プロピル、３−フェニル−２−ジメトキシホス
ホリル−もしくは−ジメトキシホスホリルメチル−プロ
ピル、３−フェニル−２−ジエトキシホスホリル−もし
くは−ジエトキシホスホリルメチル−プロピル、３−フ
ェニル−２−エトキシ−もしくはメトキシ−ヒドロキシ
ホスホリルプロピル、３−フェニル−もしくは３−α−
ナフチル−２−カルバモイル−プロピル、３−フェニル
−もしくは３−α−ナフチル−２−第三ブチルカルバモ
イル−プロピル、３−フェニル−もしくは３−αナフチ
ル−２−（２−ジメチルアミノエチル）カルバモイル−
プロピル、３−α−ナフチル−２−（カルボキシ−もし
くは第三ブトキシカルボニル）、メチルカルバモイル−
プロピル、３−フェニル−もしくは３−α−ナフチル−
２−（３−ヒドロキシ−２−プロピル）−カルバモイル
−プロピル、３−フェニル−もしくは３−α−ナフチル
−２−（２，２−ジメトキシエチル）−カルバモイル−
プロピル、３−フェニル−もしくは３−α−ナフチル−
２−（５−アミノ−５−カルボキシペンチル）−カルバ
モイル−プロピル、３−フェニル−もしくは３−α−ナ
フチル−２−ジアノ−プロピル、３−フェニル−もしく
は３−α−ナフチル−２−シアノメチル−プロピル、３
−フェニルもしくは３−α−ナフチル−２−アセトニル
−プロピル、４−ヒドロキシフェニルブチル、４−フェ
ニル−もしくは４−α−ナフチル−３−カルボキシブチ
ル−４−フェニル−もしくは４−α−ナフチル−３−ベ
ンジルオキシカルボニル−ブチル、２−ベンジル−もし
くは２−α−ナフチルメチル−４−シアノ−ブチル、２
−ベンジル−４−（２−ベンゾフラニル）−４−オキソ
ブチル、２−ベンジル−もしくは２−α−ナフチルメチ
ル−５−ジメチルアミノ−ペンチル、２−ベンジル−も
しくは２−α−ナフチルメチル−４−オキソ−ペンチ
ル、２−ベンジル−もしくは２−α−ナフチルメチル−
４，４−ジメチル−３−オキソ−ペンチル、２−ベンジ
ルもしくは２−α−ナフチルメチル−５−ジメチルアミ
ノ−４−オキソ−ペンチル又は２−ペンジル−もしくは
２−α−ナフチルメチル−５，５−ジメチル−４−オキ
ソ−ヘキシル；シクロアルキルとして、シクロアルキル
−低級アルカノイルＲ1 ，Ｒ2 ，Ｒ8 及びＲ9 のもとで
挙げた基のうちの１種、特にシクロプロピル、シクロブ
チル、シクロペンチルもしくはシクロヘキシル、アリー
ルとして、アリール−低級アルカノイルＲ1 ，Ｒ2 ，Ｒ
8 及びＲ9 のもとで挙げた置換されていないか又は置換
されている基のうちの１種、好ましくは、低級アルキル
例えばメチル、ハロ−低級アルキル例えばトリフルオロ
メチル、フェニル、ヒドロキシ、低級アルコキシ例えば
メトキシ、ハロゲン例えばフッ素もしくは塩素及び／又
はニトロにより１又は多置換されているか置換されてい
ないフェニル、例えば、４−メチル−、３−ヒドロキシ
−、４−メトキシ−、４−クロロ−もしくは４−ニトロ
フェニル、ナフチル例えばα−もしくはβ−ナフチル、
又はアニリノフェニルであってそのフェニル基におい
て、低級アルキル例えばメチルもしくはエチル、ヒドロ
キシ、低級アルコキシ例えばメトキシ、アミノ、モノ−
もしくはジ−低級アルキルアミノ例えばエチルアミノも
しくはジメチルアミノ、ハロゲン例えばフッ素もしくは
塩素、カルボキシ、スルホ、カルバモイル、スルファモ
イル及びシアノ、より選ばれる１又は２種の基によって
置換されているアニリノフェニル並びに／又はそのアミ
ノ基にて低級アルキル及びベンジルより選ばれる１又は
２種の基によって置換されているアニリノフェニル、例
えば２−（Ｏ，Ｏ−ジクロロアニリノ）−フェニルもし
くは２−（Ｏ，Ｏ−ジクロロ−Ｎ−ベンジルアニリノ）
−フェニル、アルコキシとして、アルコキシ置換されて
いるスルホニルＲ1 ，Ｒ2 ，Ｒ8 及びＲ9 のケースにお
いて挙げた置換されていないか又は置換されている基の
うちの１種、特に、低級アルコキシ例えばメトキシ、エ
トキシもしくは第三ブトキシ、シクロアルキル−低級ア
ルコキシであって酸素を介して結合しているシクロアル
キル−低級アルキルにより置換されているホスホリルＲ
1 ，Ｒ2 ，Ｒ8 及びＲ 9 のもとで挙げた基のうちの１種
を有する、例えばシクロプロピルメトキシ、シクロブチ
ルメトキシ、シクロペンチルメトキシ、２−シクロペン
チルエトキシ、３−シクロペンチルプロポキシ、シクロ
ヘキシルメトキシ、２−シクロヘキシルエトキシもしく
は３−シクロヘキシルプロポキシ、アリール−低級アル
コキシであって、酸素を介して結合しているアリール−
低級アルコキシにより置換されているスルホニルＲ1 ，
Ｒ2 ，Ｒ8 及びＲ9 のもとで挙げた基のうちの１種を有
する特にベンジルオキシ、ヒドロキシ−低級アルコキシ
例えば３−ヒドロキシプロポキシもしくは２−ヒドロキ
シ−３−メチルペンチルオキシ、低級アルコキシ−低級
アルコキシ、例えば低級アルコキシエトキシもしくは低
級アルコキシプロポキシ例えばメトキシエトキシもしく
は３−メトキシプロポキシ、低級アルコキシ−低級アル
コキシ−低級アルコキシ例えば２−メトキシメトキシ−
３−メチルペンチルオキシ、フェノキシ−低級アルコキ
シもしくはニトロフェノキシ−低級アルコキシ例えばフ
ェノキシメトキシ、フェノキシエトキシもしくは４−ニ
トロフェノキシメトキシ、ナフチルオキシ−低級アルコ
キシ例えばα−もしくはβ−ナフチルオキシエトキシ、
低級アルカノイルオキシ−低級アルコキシ例えば低級ア
ルカノイルオキシエトキシもしくは低級アルカノイルオ
キシプロポキシ例えばアセトキシエトキシもしくは３−
アセトキシプロポキシ、アミノ低級アルコキシ例えば５
−アミノペンチルオキシ、モノ−もしくはジ−低級アル
キルアミノ−低級アルコキシ例えばジメチルアミノエト
キシもしくは２−ジメチルアミノ−２−イソプロピルエ
トキシ、低級アルカノイルアミノ−低級アルコキシ例え
ば４−アセチルアミノペンチルオキシ、低級アルコキシ
カルボニルアミノ−低級アルコキシ例えば５−（第三−
ブトキシカルボニルアミノ）−ペンチルオキシもしくは
３−エトキシカルボニルアミノ−２−イソブチル−プロ
ポキシ、フェニル−低級アルコキシカルボニルアミノ−
低級アルコキシ例えば５−（ベンジルオキシカルボニル
アミノ）−ペンチルオキシ、アミノカルボニルアミノ−
低級アルコキシ例えばアミノカルボニルアミノ−エトキ
シ、Ｎ−フェニル−低級アルキル−Ｎ−低級アルキル−
アミノカルボニルアミノ−低級アルコキシ例えば２−イ
ソブチル−３−（Ｎ−ベンジル−Ｎ−メチルアミノカル
ボニルアミノ）プロポキシ、ハロ−低級アルコキシ例え
ば２−ハロエトキシ例えば２−クロロ−、２−ブロモ
−、２−ヨード−もしくは２，２，２−トリクロロ−エ
トキシ、又はハロプロポキシ例えば３−クロロ−もしく
は３−ブロモ−プロポキシ、カルボキシ−低級アルコキ
シ例えばカルボキシエトキシもしくは３−カルボキシプ
ロポキシ、低級アルコキシカルボニル−低級アルコキシ
例えば低級アルコキシカルボニルエトキシもしくは低級
アルコキシカルボニルプロポキシ例えばメトキシカルボ
ニルエトキシ、３−メトキシカルボニルプロポキシ、エ
トキシカルボニルエトキシもしくは３−エトキシカルボ
ニルプロポキシ、２−ハロ−低級アルコキシカルボニル
−低級アルコキシ例えば２−クロロ−、２−ブロモ−、
２−ヨード−もしくは２，２，２−トリクロロ−エトキ
シカルボニル−２−エトキシ又は−３−プロポキシ、低
級アルキルスルホニル−低級アルコキシ例えば２−エチ
ルスルホニル−もしくは２−第三ブチルスルホニル−メ
トキシ、カルバモイル−低級アルコキシ例えばカルバモ
イルエトキシもしくは３−カルバモイルプロポキシ、又
はカルバモイル−低級アルコキシであってその窒素原子
にてエチレン、トリメチレン、テトラメチレン及びペン
タメチレン（ここで炭素原子は窒素、酸素、硫黄又は酸
素により１もしくは２置換されている硫黄によって置き
代れていてもよい）より選ばれる基により置換されてい
る（形成される環は完全又は部分飽和であることも可能
である）、例えば（ピペリジノ−、ピラジン−１−イル
−、ピペラジン−１−イル−、ピリミジン−１−イル、
ピリダジン−１−イル−、モルホリノ−、チオモルホリ
ノ−もしくはＳ，Ｓ−ジキソモルホリノ−カルボニル）
−低級アルコキシの型、例えば２−モルホリノカルボニ
ル−エトキシ、３−（モルホリノカルボニル）−プロポ
キシもしくは３−（モルホリノカルボニル）−２−イソ
ブチル−プロポキシ、シクロアルコキシとして、シクロ
アルキル−低級アルカノイルＲ1 ，Ｒ2 ，Ｒ 8 及びＲ9
のもとで挙げた酸素を介して結合するシクロアルキル基
のうちの１種、例えばシクロブトキシ、シクロペンチル
オキシもしくはシクロヘキシルオキシ、あるいはアリー
ルオキシとして、アリールオキシ置換されているスルホ
ニルＲ1 ，Ｒ2 ，Ｒ8 及びＲ9 のもとで挙げた基のうち
の１種、特にベンジルオキシ又は１−もしくは２−ナフ
チルオキシ、を含み、そしてこれらは特に低級アルキル
ホスホリル例えば第三ブチルホスホリル、ヒドロキシ−
低級アルコキシホスホリル例えばヒドロキシ−メトキシ
−ホスホリルもしくはヒドロキシ−エトキシ−ホスホリ
ル、又はジ−低級アルコキシホスホリル例えばジメトキ
シ−ホスホリルもしくはジエトキシ−ホスホリルである
ことが好ましい。
【０１０５】ホスホノ基並びに置換されているホスホリ
ルに関して挙げた基Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ 8 及びＲ9 のそれぞ
れの定義は、互いに独立して式Ｉの化合物における基Ｒ
1 ，Ｒ2 ，Ｒ8 及びＲ9 の定義からはずれることもあ
る。基Ｒ1 及びＲ2 並びにＲ8 及びＲ9 のうちの多くて
一方が、アシル、スルホ、置換されているスルホ、ホス
ホノもしくは置換されているホスホリルのもとで挙げた
基により規定されることが、その他の基が残りの挙げた
置換より選ばれる際にされることが好ましい。
【０１０６】複素環であって、置換基Ｒ1 とＲ2 及びＲ
8 とＲ9 のペアーにより、それらが結合している窒素原
子と共に形成され、且つこの結合窒素原子と一緒に、エ
チレン、トリメチレン、テトラメチレン及びペンタメチ
レン（ここで炭素原子は窒素、酸素、硫黄又は酸素によ
り１もしくは２置換されている硫黄によって置き代って
いてもよく、そして不飽和でもよい）又はそれらの基で
あって結合炭素原子に結合している２個の炭素原子それ
ぞれにオキソ置換基を有し且つ縮合ベンゼンもしくはナ
フタレン環を有するか有さない基を含んで成る複素環
は、ピペリジノ、ピラジン−１−イル、ピペラジン−１
−イル、ピリミジン−１−イル、ピリダジン−１−イ
ル、モルホリノ、チオモルホリノ、Ｓ，Ｓ−ジオキソチ
オモルホリノ、スクシニミド、マリミド、オキサリミ
ド、マレイミド、フタリミドもしくはナフタレン−１，
８−ジカルボニルイミドが好ましく、置換基Ｒ1 とＲ2
又はＲ8 とＲ9 のペアーのうちの一組のみが前記の複素
環１個を形成せしめることが好ましい。
【０１０７】置換されていないか又は置換されているア
ルキルＲ3 ，Ｒ4 又はＲ7 は、アルキルＲ1 ，Ｒ2 ，Ｒ
8 及びＲ9 のもとで挙げた置換されていないか又は置換
されている基のうちの１種であることが好ましい。これ
は特に以下より選ばれる。低級アルキル例えばメチル、
エチル、プロピル、ｎ−ブチル、イソブチルもしくは第
三ブチル。
【０１０８】シクロアルキル−低級アルキルであって、
例えばシクロアルキル−低級アルカノイルＲ1 ，Ｒ2 ，
Ｒ8 又はＲ9 のもとで挙げたシクロアルキル基例えばシ
クロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロ
ヘキシルもしくはシクロヘプチルを含み、ここでシクロ
アルキルは低級アルキル例えばイソプロピル、ハロ−低
級アルキル例えばトリフルオロメチル、ヒドロキシ、低
級アルコキシ、カルバモイル−低級アルコキシ、Ｎ−低
級アルキルカルバモイル−低級アルコキシもしくはＮ，
Ｎ−ジ低級アルキルカルバモイル−低級アルコキシ、ア
ミノ、モノ−もしくはジ−低級アルキルアミノ、ハロゲ
ン例えばフッ素、塩素もしくは臭素、カルボキシ、低級
アルコキシカルボニル、フェニル−、ナフチル−もしく
はフルオレニル−低級アルコキシカルボニル、低級アル
カノイル、低級アルキルスルホニル例えばメチルスルホ
ニル、ホスホノ、ヒドロキシ−低級アルコキシホスホリ
ルもしくはジ−低級アルコキシホスホリル、カルバモイ
ル、モノ−もしくはジ−低級アルキルアミノカルバモイ
ル、スルファモイル、モノ−もしくはジ−低級アルキル
スルファモイル、ニトロ及び／又はシアノによって置換
されていないか又は１から３置換され、そして低級アル
キル特にメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピ
ル、ｎ−ブチル、イソブチルもしくは第三ブチルに好ま
しくは末端的に結合している、例えばシクロブチル−、
シクロペンチル−、シクロヘキシル−もしくはシクロペ
プチル−低級アルキル、例えば−メチルもしくは−エチ
ル、特に好ましくはシクロヘキシル−低級アルキル例え
ばシクロヘキシルメチル。
【０１０９】ビシクロアルキル−低級アルキル（ここで
ビシクロアルキルは例えば５〜１０個の炭素原子を含
む）、例えばビシクロアルキル−メチルもしくは−エチ
ル、好ましくは８〜１１個の炭素原子を有する、デカヒ
ドロナフチル−２−メチル、エンド−もしくはエキソ−
ノルボルニル−２−メチル、ビシクロ〔２，２，２〕オ
クト−２−イルメチル又はビシクロ〔３，３，１〕ノン
−９−イルメチル、そして更にはビシクロ−ヘキシル
−、−ヘプチル−、−オクチル−、−ノニルもしくは−
デシル−アセチル、又は−３−プロピオニル、例えばビ
シクロ〔３，１，０〕ヘキス−１−、−２−もしくは−
３−イル、ビシクロ〔４，１，０〕ヘプト−１−もしく
は−７−イル、ビシクロ〔２，２，１〕ヘプト−２−イ
ル、例えばエンド−もしくはエキソ−ノルボルニル−、
ビシクロ〔３，２，１〕オクト−２−イル、ビシクロ
〔３，３，０〕オクト−３−イル又はビシクロ〔３，
３，１〕ノン−９−イル、そして更にはα−もしくはβ
−デカヒドロナフチル−エチル又は−３−プロピル。
【０１１０】トリシクロアルキル−低級アルキル（ここ
でトリシクロアルキルは例えば８〜１０個の炭素原子を
有す）、例えばトリシクロアルキル−メチルもしくは−
エチル、好ましくは８〜１１個の炭素原子を有する、例
えば１−もしくは２−アダマンチルメチル、そして更に
はトリシクロ〔５，２，１，０2,6 〕デク−８−イル又
はアダマンチル−アセチル、例えば１−アダマンチル−
エチル。
【０１１１】アリール−低級アルキル、例えばアリール
低級アルキルＲ1 ，Ｒ2 ，Ｒ8 又はＲ9 のもとで定義し
た、即ちそこで定義した置換されていないか又は置換さ
れている例えばフェニル−低級アルキル、例えばベンジ
ル、２−フェニルエチル−３−フェニルプロピル、４−
フルオロ−、４−シアノ−、４−メトキシ−もしくは４
−ヒドロキシ−ベンジル、又は１−もしくは２−ナフチ
ル−メチル又は−２−エチル、特に最後に先に定義した
フェニル−低級アルキル。
【０１１２】複素環式基−低級アルキル、例えば複素環
式基−低級アルキルＲ1 ，Ｒ2 ，Ｒ 8 又はＲ9 のもとで
定義した、即ち、そこで定義した置換されていないか又
は置換されている複素環式基−低級アルキル、特にピリ
ミジン−１−イル−、ピペリジノ−、ピラジン−１−イ
ル、ピペラジン−１−イル−、ピリダジン−１−イル
−、モルホリノ−、チオモルホリノ−もしくはＳ，Ｓ−
ジオキソモルホリノ−低級アルキル例えば２−モルホリ
ノ−エチル、３−モルホリノ−プロピルもしくは３−モ
ルホリノ−２−イソブチル−プロピル、置換されていな
いか又は低級アルキル−もしくはフェニル−置換されて
いるピロリル−低級アルキル例えば２−もしくは３−ピ
ロリル−メチル、−エチルもしくは−ｎ−プロピル、４
−もしくは５−メチルピロリル−メチル、−エチルもし
くは−ｎ−プロピル又は４−もしくは５−フェニルピロ
リル−メチル、−エチルもしくは−ｎ−プロピル、チエ
ニル−低級アルキル例えば２−チエニル−メチル、−エ
チルもしくは−ｎ−プロピル、１−イミダゾリルメチ
ル、フリル−低級アルキル例えば２−フリル−メチル、
−エチルもしくは−ｎ−プロピル、ピリジル−低級アル
キル例えば２−，３−もしくは４−ピリジル−メチル、
−エチルもしくは−ｎ−プロピル、インドリル−低級ア
ルキルであって低級アルキル例えばメチル、フェニル−
低級アルキル例えばベンジル、低級アルコキシ例えばメ
トキシ、フェニル低級アルコキシ例えばベンジルオキシ
もしくはハロゲン例えば塩素により置換されているか又
は置換されていない、例えば２−，３−もしくは５−イ
ンドリル−メチル、−エチルもしくは−ｎ−プロピル、
１−メチル−、２−メチル−、５−メトキシ−、５−ベ
ンジルオキシ−、５−クロロ−もしくは４，５−ジメチ
ル−インドル−２−イル−、１−ベンジルインドル−２
−イル−もしくは−３−イル−メチル、−エチルもしく
は−ｎ−プロピル、４，５，６，７−テトラヒドロイン
ドル−２−イル−メチル、−エチルもしくは−ｎ−プロ
ピル、シクロヘプタ〔ｂ〕ピロル−５−イル−メチル、
−エチルもしくは−ｎ−プロピル、置換されていないか
又はヒドロキシ置換されているキノリル−低級アルキル
例えば２−，３−もしくは４−キノリルもしくは４−ヒ
ドロキシキノル−２−イル−メチル−、−エチルもしく
は−ｎ−プロピル、置換されていないか又はヒドロキシ
置換されているイソキノリル−低級アルキル例えば１
−，３−もしくは４−イソキノリル又は１−オキソ−
１，２−ジイソキノル−３−イル−メチル、−エチルも
しくは−ｎ−プロピル、２−キノキサリニル−メチル、
−エチルもしくは−ｎ−プロピル、３，１−ベンゾフラ
ン−２−イル−メチル、−エチルもしくは−ｎ−プロピ
ル、ベンズ〔ｅ〕−インドル−２−イル−メチル、−エ
チルもしくは−ｎ−プロピル、β−カルボリン−３−イ
ル−メチル、−エチルもしくは−ｎ−プロピル、３−ク
ロマニル−メチル、−エチルもしくは−ｎ−プロピル、
３−チオクロマニル−メチル、−エチルもしくは−ｎ−
プロピル、３−もしくは４−ピロリジニル−メチル、−
エチルもしくは−ｎ−プロピル、ヒドロキシピロリジニ
ル−低級アルキル例えば３−もしくは４−ヒドロキシピ
ロリジン−２イル−メチル、−エチルもしくは−ｎ−プ
ロピル、オキソピロリジニル−低級アルキル例えば５−
オキソピロリジン−２−イル−メチル、−エチルもしく
は−ｎ−プロピル、ピペリジニル−低級アルキル、例え
ば２−，３−もしくは４−ピペリジニル−メチル、−エ
チルもしくは−ｎ−プロピル、モルホリニル−低級アル
キル例えば２−もしくは３−モルホリニル−メチル、−
エチルもしくは−ｎ−プロピル、チオモルホリニル−低
級アルキル例えば２−もしくは３−チオモルホリニル−
メチル、−エチルもしくは−ｎ−プロピル、Ｓ，Ｓ−ジ
オキソチオモルホリニル−低級アルキル例えばＳ，Ｓ−
ジオキソチオモルホリン−２−もしくは−３−イル−メ
チル、−エチルもしくは−ｎ−プロピル、インドリニル
−低級アルキル例えば２−もしくは３−インドリニル−
メチル、−エチルもしくは−ｎ−プロピル、１，２，
３，４−テトラヒドロキノリル−低級アルキル例えば
１，２，３，４−テトラヒドロキノル−１−，−２−も
しくは３−イル−メチル、−エチルもしくは−ｎ−プロ
ピル、１，２，３，４−テトラヒドロイソキノリル−低
級アルキル例えば１，２，３，４−テトラヒドロキノル
−１−，−２−もしくは−３−イル−メチル、−エチル
もしくは−ｎ−プロピル及び１−オキソ−１，２，３，
４−テトラヒドロイソキノル−３−イル−メチル、−エ
チルもしくは−ｎ−プロピル。
【０１１３】ヒドロキシ−低級アルキル、例えば３−ヒ
ドロキシプロピル又は２−ヒドロキシ−３−メチルペン
チル。低級アルコキシ−低級アルキル、例えば低級アル
コキシエチルもしくは低級アルコキシプロピル、例えば
２−メトキシエチル、２−エトキシエチルもしくは３−
メトキシプロピル。
【０１１４】フェノキシ−低級アルキルもしくはニトロ
フェノキシ−低級アルキル、例えばフェノキシメチル、
フェノキシエチルもしくは４−ニトロフェノキシメチ
ル。ナフチルオキシ−低級アルキル、例えばα−もしく
はβ−ナフチルオキシエチル。低級アルカノイルオキシ
−低級アルキル、例えば低級アルカノイルオキシエチル
もしくは低級アルカノイルオキシプロピル、例えばアセ
トキシエチルもしくは３−アセトキシプロピル。
【０１１５】アセトキシ−低級アルキル。アリールメル
カプト−低級アルキル（ここでアリールは６〜１０個の
炭素原子を有し、例えばフェニルもしくはナフチルであ
る）例えばフェニルメルカプトメチル。アミノ−低級ア
ルキル、例えば５−アミノペンチル。
【０１１６】モノ−もしくはジ−低級アルキルアミノ−
低級アルキル、例えばジメチルアミノエチルもしくは２
−ジメチルアミノ−２−イソプロピルエチル。フェニル
−もしくはナフチル−アミノ−低級アルキル、例えば３
−フェニルアミノプロピル。低級アルカノイルアミノ−
低級アルキル、例えば４−アセチルアミノペンチル。
【０１１７】ピペラジニルカルボニルアルキルであって
その窒素原子にて低級アルキル例えばメチルにより置換
されている、例えば４−メチルピペラジニルカルボニル
メチル。低級アルコキシカルボニルアミノ−低級アルキ
ル、例えば５−（第三−ブトキシカルボニルアミノ）−
ペンチルもしくは３−エトキシカルボニルアミノ−２−
イソブチル−プロピル。
【０１１８】フェニル低級アルコキシカルボニルアミノ
−低級アルキル、例えば５−（ベンジルオキシカルボニ
ルアミノ）−ペンチル。アミノカルボニルアミノ−低級
アルキル、例えばアミノカルボニルアミノ−エチル。Ｎ
−フェニル−低級アルキル−Ｎ−低級アルキルアミノカ
ルボニルアミノ−低級アルキル、例えば２−イソブチル
−３−（Ｎ−ベンジル−Ｎ−メチルアミノカルボニルア
ミノ）プロピル。
【０１１９】ハロ−低級アルキル、（ここでハロゲンは
フッ素、塩素、臭素及びヨウ素より選ばれる）、例えば
２−ハロエチル、例えば２−フルオロ−、２−クロロ
−、２−ブロモ−、２−ヨード−、２，２，２−トリフ
ルオロもしくは２，２，２−トリクロロ−エチル、トリ
ルフルオロ−低級アルキル、例えばトリフルオロメチ
ル、又はハロプロピル、例えば３−フルオロ、３−クロ
ロ−もしくは３−ブロモプロピル。
【０１２０】カルボキシ−低級アルキル、例えばカルボ
キシエチルもしくは３−カルボキシプロピル。低級アル
コキシカルボニル−低級アルキル、例えば低級アルコキ
シカルボニルエチルもしくは低級アルコキシカルボニル
プロピル、例えばメトキシカルボニルエチル、３−メト
キシカルボニルプロピル、エトキシカルボニルエチルも
しくは３−エトキシカルボニルプロピル。
【０１２１】２−ハロ−低級アルコキシカルボニル−低
級アルキル、例えば２−クロロ−、２−ブロモ−、２−
ヨード−、もしくは２，２，２−トリクロロ−エトキシ
カルボニル−２−エチルもしくは−３−プロピル。フェ
ニル−もしくはナフチル−低級アルコキシカルボニル−
低級アルキル、例えばベンジルオキシカルボニル−低級
アルキル、例えば３−ベンジルオキシカルボニル−２，
２−ジメチルプロピル。
【０１２２】複素環式基−低級アルコキシカルボニル−
低級アルキル（ここで複素環式基は好ましくは、ピロリ
ル、フリル、チエニル、イミダゾリル、ピラゾリル、オ
キサゾリル、チアゾリル、ピリジル、ピラジニル、ピリ
ミジニル、インドリル、キノリル、イソキノリル、キノ
キサリニル、β−カルボリニル及びこれらの基のベンゾ
縮合、シクロペンタ−、シクロヘキサ−もしくはシクロ
ヘプタ縮合誘導体より選ばれる（これは完全又は部分的
に飽和でありうる））例えば４−ピリジルメトキシカル
ボニル−２−エチルもしくは−３−プロピル又は２−モ
ルホリノカルボニルオキシ−４−メチル−ペンチル。
【０１２３】低級アルキルスルホニル−低級アルキル、
例えば２−エチルスルホニル−もしくは２−第三ブチル
スルホニル−メチル。アリールスルホニル−低級アルキ
ル（ここでアリールは６〜１０個の炭素原子を有する例
えばフェニルもしくはナフチルである）例えばフェニル
スルホニルメチル。
【０１２４】カルバモイル−低級アルキル、例えばカル
バモイルエチル又は３−カルバモイルプロピル。低級ア
ルキルカルバモイル−低級アルキル、例えば低級アルキ
ルカルバモイルエチルもしくはメチルカルバモイル−低
級アルキル、例えば−２−メチルカルバモイルエチル。
【０１２５】ジ低級アルキルカルバモイル−低級アルキ
ル、例えば２−ジ−低級アルキルカルバモイルエチルも
しくはジメチルカルバモイル−低級アルキル、例えば２
−ジメチルカルバモイルエチル。ヒドロキシ−低級アル
キルカルバモイル−もしくはジ（ヒドロキシ−低級アル
キル）カルバモイル−低級アルキル、例えば２−ヒドロ
キシメチルカルバモイル−又はジ（ヒドロキシメチル）
カルバモイル−２−エチルもしくは−３−プロピル。
【０１２６】Ｎ−低級アルコキシ−低級アルコキシ−低
級アルキルカルバモイル−低級アルキル、例えば２−イ
ソブチル−３−（２−（２−メトキシエトキシ）エチル
アミノカルボニル）−プロピル。カルボキシ−低級アル
キルカルバモイル−もしくはジ（カルボキシ−低級アル
キル）カルバモイル−低級アルキル、例えばカルボキシ
メチル−もしくはジ−（カルボキシメチル）カルバモイ
ル−エチルもしくは−３−プロピル。
【０１２７】カルバモイル−低級アルキル（その窒素原
子は、エチレン、トリメチレン、テトラメチレン及びペ
ンタメチレンより選ばれる基によって置換され、ここで
炭素原子は窒素、酸素、硫黄又は酸素によって１もしく
は２置換された硫黄によって置き代われていてよく、更
にこれらの基は完全又は部分的に不飽和となってよ
い）、例えばピペリジノ−、ピラジン−１−イル−、ピ
ペラジン−１−イル−、ピリミジン−１−イル−ピリダ
ジン−１−イル−モルホリノ−、チオモルホリノ−もし
くはＳ，Ｓ−ジオキソチオモルホリノ−カルボニル−低
級アルキル、例えば２−モルホリノカルボニル−エチ
ル、３−（モルホリノカルボニル）−プロピル又は３−
（モルホリノカルボニル）−２−イソブチル−プロピ
ル。
【０１２８】Ｎ−低級アルキル−Ｎ−複素環式基−低級
アルキルカルバモイル−低級アルキル（ここで複素環式
基は好ましくはピロリル、フリル、チエニル、イミダゾ
リル、ピラゾリル、オキサゾリル、チアゾリル、ピリジ
ル、ピラジニル、ピリミジニル、インドリル、キノリ
ル、イソキノリル、キノキサリニル、β−カルボリニル
及びこれらのラジカルのベンゾ縮合、シクロペンタ−、
シクロヘキサ−もしくはシクロヘプタ縮合誘導体（これ
は完全又は部分的に飽和でありうる）、より選ばれ
る）、例えば２−（Ｎ−２−ピリジルメチル）−Ｎ−メ
チルカルボニル−エチル。
【０１２９】スルホァモイル−低級アルキル、例えば２
−スルファモイルエチル。Ｎ−（フェニル−もしくはナ
フチル−低級アルキル）スルホァモイル−低級アルキ
ル、例えば３−ベンジルアミノスルホニル−２−イソプ
ロピル−プロピル。スルファモイル−低級アルキル（そ
の窒素はエチレン、トリメチレン、テトラメチレン及び
ペンタメチレンより選ばれる基によって置換され、ここ
で炭素原子は窒素、低級アルキル置換、例えばメチル置
換された窒素、酸素、硫黄又は酸素によって１もしくは
２置換された硫黄によって置き代われていてよく、そし
て更にこれらの基は完全又は部分的に飽和になっていて
よい）、例えばピペリジノ−、ピラジン−１−イル、ピ
ペラジン−１−イル−、４−メチルピペラジン−１−イ
ル、ピリミジン−１−イル、ピリダジン−１−イル−、
モルホリノ−、チオモルホリノ−もしくはＳ，Ｓ−ジオ
キンチオモルホリノスルホニル−低級アルカノイル、例
えば３−（４−メチルピペラジニルスルホニル）−２−
イソプロピルプロピルもしくは３−（モルホリノスルホ
リノ）−２−イソプロピル−プロピル。
【０１３０】オキソ−低級アルキル（ここでオキソは、
ラジカルＲ1 ，Ｒ2 ，Ｒ8 又はＲ9 を保有している窒素
原子に結合している炭素原子には存在していない）、例
えば３−オキソ−ｎ−ブチルもしくは３−オキソ−ｎ−
ペンチル。シアノ−低級アルキル、例えばシアノメチ
ル、シアノエチル、２−シアノメチル、２−もしくは３
−シアノ−ｎ−プロピル又は２−、３−、もしくは４−
シアノ−ｎ−ブチル。
【０１３１】ヒドロキシ−カルボキシ−低級アルキル、
例えば２−ヒドロキシ−２−カルボキシ−エチルもしく
は２−ヒドロキシ−３−カルボキシプロピル。α−ナフ
チルオキシ−カルボキシ−低級アルキル、例えば２−α
−ナフチルオキシ−４−カルボキシ−ｎ−ブチル。ヒド
ロキシ−低級アルコキシカルボニル−低級アルキル、例
えば２−ヒドロキシ−２−低級アルコキシ−カルボニル
−エチルもしくは−プロピル、又はヒドロキシ−エトキ
シ−もしくはヒドロキシ−メトキシ−カルボニル低級ア
ルキル、例えば２−ヒドロキシ−２−エトキシ−もしく
は−メトキシ−カルボニルエチル又は２−ヒドロキシ−
３−エトキシ−もしくは−メトキシ−カルボニル−プロ
ピル。
【０１３２】α−ナフチルオキシ−低級アルコキシカル
ボニル−低級アルキル、例えばα−ナフチルオキシ−低
級アルコキシカルボニル−２−エチル、−２−プロピル
もしくは−２−ブチリル又はα−ナフチルオキシ−エト
キシカルボニル−低級アルキル、例えばα−ナフチルオ
キシ−エトキシカルボニル−２−エチル、２−α−ナフ
チルオキシ−３−エトキシカルボニルプロピル又は２−
α−ナフチルオキシ−４−第三ブトキシカルボニルブチ
ル。
【０１３３】アルキルカルボニルハロ−低級アルキル、
例えば３−エトキシカルボニル−２−ジフルオロメチ
ル。α−ナフチルオキシ−ベンジルオキシカルボニル−
低級アルキル、例えば２−α−ナフチルオキシ−３−ベ
ンジルオキシカルボニル−プロピル。エステル化ヒドロ
キシ−低級アルコキシカルボニル−低級アルキル〔ここ
でこのヒドロキシ基は、低級アルカノイル例えばアセチ
ル、プロピオニルもしくはピバロイルによって、又はシ
クロアルキル低級アルカノイル（ここでシクロアルキル
は、３〜７個の炭素原子を有し、そして低級アルカノイ
ルは前記に定義した通りが好ましい）例えばシクロヘキ
シルカルボニル又は２−シクロヘキシル−もしくは２−
シクロペンチル−アセチルによって、ビシクロアルキル
−低級アルカノイル（ここでビシクロアルキルは、例え
ば５〜１０個、特に６〜９個の炭素原子を有する）例え
ばビシクロ−ヘキシル−、−ヘプチル−、−オクチル
−、−ノニル−又は−デシル−アセチルもしくは−３−
プロピオチル、例えば、ビシクロ〔３，１，０〕ヘキス
−１−、−２−もしくは−３−イル−、ビシクロ〔４，
１，０〕ヘプト−１−もしくは−７−イル−、ビシクロ
〔２，２，１〕ヘプト−２−イル−、例えばエンド−も
しくはエキソ−ノルボルニル−、ビシクロ〔３，２，
１〕オクト−２−イル−、ビシクロ〔３，３，９〕オク
ト−３−イル−又はビシクロ〔３，３，１〕ノン−９−
イル−、そして更にはα−又はβ−デカヒドロナフチル
−アセチルもしくは−３−プロピオニルによって、トリ
シクロアルキル−低級アルカノイル（ここでトリシクロ
アルキルは例えば８〜１０個の炭素原子を有する）例え
ばトリシクロ−〔５，２，１，０2,6 〕デク−８−イル
−又はアダマンチル−、例えば１−アダマンチル−アセ
チルによって、アリール−低級アルカノイル（ここでア
リールは６〜１４個の炭素原子を有する、例えばフェニ
ル、インデニル、インダニル、ナフチル、アントリル、
フェナントリル、アセナフチルもしくはフルオレニルで
あり、そして低級アルキル、ヒドロキシ、低級アルコキ
シ、カルバモイル−低級アルコキシ、Ｎ−低級アルキル
カルバモイル−低級アルコキシ又はＮ，Ｎ−ジ低級アル
キルカルバモイル−低級アルコキシ、アミノ、モノ−も
しくはジ−低級アルキルアミノ、ハロゲン例えばフッ
素、塩素もしくは臭素、カルボキシ、低級アルコキシカ
ルボニル、フェニル−、ナフチル−もしくはフルオレニ
ル−低級アルコキシカルボニル、低級アルカノイル、低
級アルキルスルホニル例えばメチルスルホニル、ホスホ
ノ、ヒドロキシ−低級アルコキシホスホリルもしくはジ
−低級アルコキシホスホリル、カルバモイル、スルファ
モイル、ニトロ及び／あるいはシアノによって１〜３置
換されているか、置換されていない）によって；低級ア
ルコキシカルボニル、例えば第三ブトキシカルボニルに
よって；２−ハロ−低級アルコキシカルボニル（前記に
定義の通り）によって；あるいはフェニル−もしくはフ
ルオレニル−低級アルコキシカルボニル、例えばベンジ
ルオキシカルボニル又は９−フルオレニルメトキシカル
ボニル、によってエステル化されている〕、例えば２−
アセトキシ−２−メトキシカルボニル−エチル、２−ベ
ンゾイルオキシ−、２−（１−もしくは２−ナフトイル
オキシ）−、２−（フェニル−２−アセトキシ）−、２
−（１−もしくは２−ナフチル−２−アセトキシ）−、
２−（４−メチルフェニル−２−アセトキシ）−、２−
（４−メトキシフェニル−２−アセトキシ）−もしくは
２−（−２−（Ｏ，Ｏジクロロフェニル）−２−アセト
キシ）−２−メトキシカルボニル−エチルもしくは−３
−プロピル。
【０１３４】ジヒドロキシ−カルボキシ−低級アルキ
ル、例えば２，３−ジヒドロキシ−３−カルボキシ−プ
ロピル。ジヒドロキシ−低級アルコキシカルボニル−低
級アルキル、例えば２，３−ジヒドロキシ−３−エトキ
シ−もしくは−メトキシ−カルボニル−プロピル。ジヒ
ドロキシ−低級アルコキシカルボニル−低級アルキルで
あって、低級アルカノイル例えばアセチル、プロピオニ
ルもしくはブチリル、低級アルコキシカルボニル例えば
第三ブトキシカルボニル、フェニル−もしくはフルオレ
ニル−低級アルコキシカルボニル例えばベンジルオキシ
カルボニルもしくは９−フルオレニルメトキシカルボニ
ル、低級アルキルスルホニル、又はトルエンスルホニル
によってエステル化されたもの、例えばジ−低級アルカ
ノイルオキシ−低級アルコキシ−プロピル、例えば２，
３−ジアセトキシ−３−メトキシカルボニル−プロピ
ル。
【０１３５】α−ナフチルオキシ−ジ−低級アルキルア
ミノ−低級アルキル、例えば２−α−ナフチルオキシ−
５−ジメチルアミノ−ペンチル。α−ナフチルオキシ−
カルバモイル−低級アルキル、例えば２−α−ナフチル
オキシ−４−カルバモイル−ブチル。α−ナフチルオキ
シ−オキソ−低級アルキル（ここでオキソは、ラジカル
Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ8 又はＲ9 を保有する窒素原子に結合し
ている炭素原子には存在していない）、例えば２−α−
ナフチルオキシ−４−オキソ−ペンチル。
【０１３６】α−ナフチルオキシ−シアノ−低級アルキ
ル、例えばα−ナフチルオキシ−シアノ−エチルもしく
は２−α−ナフチルオキシ−４−シアノブチル。低級ア
ルキルであって、ヒドロキシ、低級アルコキシ、アミ
ノ、モノ−もしくはジ−低級アルキルアミノ、フッ素、
塩素又はシアノによって置換されていないか又は１もし
くは多置換されているものが好ましく、例えばメチル、
エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブ
チル又は第三ブチルは非常に好ましい。
【０１３７】シクロアルキルＲ3 ，Ｒ4 又はＲ7 は、好
ましくはシクロアルキル−低級アルカノイルＲ1 ，
Ｒ2 ，Ｒ8 又はＲ9 のもとで定義した例えばシクロプロ
ピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル
もしくはシクロヘプチルであり、ここでシクロアルキル
は低級アルキル例えばイソプロピル、ハロ−低級アルキ
ル例えばトリフルオロメチル、ヒドロキシ、低級アルコ
キシ、カルバモイル−低級アルコキシ、Ｎ−低級アルキ
ルカルバモイル−低級アルコキシもしくはＮ，Ｎ−ジ低
級アルキルカルバモイル−低級アルコキシ、アミノ、モ
ノ−もしくはジ−低級アルキルアミノ、ハロゲン例えば
フッ素、塩素もしくは臭素、カルボキシ、低級アルコキ
シカルボニル、フェニル−、ナフチル−もしくはフルオ
レニル−低級アルコキシカルボニル、低級アルカノイ
ル、低級アルキルスルホニル例えばメチルスルホニル、
ホスホノ、ヒドロキシ−低級アルコキシホスホリルもし
くはジ−低級アルコキシホスホリル、カルバモイル、モ
ノ−もしくはジ−低級アルキルアミノカルバモイル、ス
ルファモイル、モノ−もしくはジ−低級アルキルスルフ
ァモイル、ニトロ及び／又はシアノによって置換されて
いないか又は１から３置換されており、例えばシクロブ
チル、シクロペンチル、シクロヘキシル又はシクロヘプ
チル、特にシクロヘキシルである。
【０１３８】アリールＲ3 ，Ｒ4 又はＲ7 は好ましくは
アリール低級アルカノイルＲ1 ，Ｒ 2 ，Ｒ8 又はＲ9 の
もとで挙げた置換されていないか又は置換されているア
リール基であり、特にフェニル、ナフチル又はフルオレ
ニルであって、低級アルキル例えばイソプロピル、ハロ
−低級アルキル例えばトリフルオロメチル、ヒドロキ
シ、低級アルコキシ、カルバモイル−低級アルコキシ、
Ｎ−低級アルキルカルバモイル−低級アルコキシもしく
はＮ，Ｎ−ジ低級アルキルカルバモイル−低級アルコキ
シ、アミノ、モノ−もしくはジ−低級アルキルアミノ、
ハロゲン例えばフッ素、塩素もしくは臭素、カルボキ
シ、低級アルコキシカルボニル、フェニル−、ナフチル
−もしくはフルオレニル−低級アルコキシカルボニル、
低級アルカノイル、低級アルキルスルホニル例えばメチ
ルスルホニル、ホスホノ、ヒドロキシ−低級アルコキシ
ホスホリルもしくはジ−低級アルコキシホスホリル、カ
ルバモイル、モノ−もしくはジ−低級アルキルアミノカ
ルバモイル、スルファモイル、モノ−もしくはジ−低級
アルキルスルファモイル、ニトロ及び／又はシアノによ
って置換されていないか又は１から３置換されている、
例えばフェニル、４−メトキシフェニル、４−フルオロ
フェニル、４−ニトロフェニル、４−シアノフェニル又
は１−もしくは２−ナフチルである。
【０１３９】複素環式基Ｒ3 ，Ｒ4 又はＲ7 は好ましく
は複素環式基Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ8 又はＲ9 のもとで定義し
た、置換されていないか又は置換されているものであ
り、特に、２−もしくは３−ピロリル、４−もしくは５
−メチルピロリル又は４−もしくは５−フェニルピロリ
ニル、チエニル例えば２−チエニル、フリル例えば２−
フリル、ピリジル例えば２−，３−もしくは４−ピリジ
ル、低級アルキル例えばメチル、フェニル−低級アルキ
ル例えばベンジル、低級アルコキシ例えばメトキシ、フ
ェニル低級アルコキシ例えばベンジルオキシ、もしくは
ハロゲン例えば塩素によって置換されていないか又は置
換されているインドリル、例えば２−，３−もしくは５
−インドリル、１−メチル−、２−メチル−、５−メト
キシ−、５−ベンジルオキシ−、５−クロロ−もしくは
４，５−ジメチルインドル−２−イル、１−ベンジルイ
ンドル−２−イルもしくは−３−イル、４，５，６，７
−テトラヒドロインドル−２−イル、置換されていない
か又はヒドロキシ置換されているキノリル、例えば２
−，３−もしくは４−キノリル又は４−ヒドロキシキノ
ル−２−イル、置換されていないか又はヒドロキシ置換
されているイソキノリル、例えば１−，３−もしくは４
−イソキノリル又は１−オキソ−１，２−ジヒドロイソ
キノル−３−イル、２−キノキサリニル、３，１−ベン
ゾフラン−２−イル、ベンズ〔ｅ〕インドル−２−イ
ル、β−カルボリン−３−イル、シクロヘプタ〔ｂ〕ピ
ロル−５−イル、３−クロマニル、３−チオクロマニ
ル、３−ピロリジニル、ヒドロキシピロリジニル例えば
３−もしくは４−ヒドロキシピロリジン−２−イル、オ
キソピロリジニル例えば５−オキソピロリジン−２−イ
ル、ピペリジル例えば２−，３−もしくは４−ピペリジ
ル、モルホリニル例えば２−もしくは３−モルホリニ
ル、チオモルホリニル例えば２−もしくは３−チオモル
ホリニル、Ｓ，Ｓ−ジオキソチオモルホリニル例えば
Ｓ，Ｓ−ジオキソチオモルホリン−２−もしくは−３−
イル、インドリニル例えば２−もしくは３−インドリニ
ル、１，２，３，４−テトラヒドロキノリル例えば１，
２，３，４−テトラヒドロキノル−２−，−３−もしく
は−４−イル、１，２，３，４−テトラヒドロイソキノ
リル例えば１，２，３，４−テトラヒドロイソキノリル
−１−，−２−もしくは−３−イル又は１−オキソ−
１，２，３，４−テトラヒドロイソキル−３−イルであ
る。
【０１４０】置換されていないか又は置換されているア
ルケニルＲ3 ，Ｒ4 又はＲ7 は、好ましくはアルケニル
Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ8 又はＲ9 のもとで定義した、特に定義
した置換されていないか又は置換されている低級アルケ
ニル、例えば、低級アルケニル例えばビニル、アリル又
は２−もしくは３−ブテニル、シクロアルキル−低級ア
ルケニル（ここでシクロアルキルはシクロアルキル−低
級アルカノイルＲ1 ，Ｒ2 ，Ｒ8 又はＲ9 のケースにお
いて定義した通りであり、即ち、低級アルキル例えばイ
ソプロピル、ハロ−低級アルキル例えばトリフルオロメ
チル、ヒドロキシ、低級アルコキシ、カルバモイル−低
級アルコキシ、Ｎ−低級アルキルカルバモイル−低級ア
ルコキシもしくはＮ，Ｎ−ジ低級アルキルカルバモイル
−低級アルコキシ、アミノ、モノ−もしくはジ−低級ア
ルキルアミノ、ハロゲン例えばフッ素、塩素もしくは臭
素、カルボキシ、低級アルコキシカルボニル、フェニル
−、ナフチル−もしくはフルオレニル−低級アルコキシ
カルボニル、低級アルカノイル、低級アルキルスルホニ
ル例えばメチルスルホニル、ホスホノ、ヒドロキシ−低
級アルコキシホスホリルもしくはジ−低級アルコキシホ
スホリル、カルバモイル、モノ−もしくはジ−低級アル
キルアミノカルバモイル、スルファモイル、モノ−もし
くはジ−低級アルキルスルファモイル、ニトロ及び／又
はシアノによって置換されていないか又は１から３置換
されており、そして特に低級アルケニルの末端炭素原子
に結合している）例えばシクロブチル−、シクロペンチ
ル−、シクロヘキシル−もしくはシクロヘプチル−メチ
ル−２−ビニル、−２−もしくは−３−アリル又は−２
−，−３−もしくは−４−ブト−２−エチル、アリール
−低級アルケニルであって、アリールＲ3 又はＲ4 のも
とで定義した置換されていないか又は置換されているア
リール基が低級アルケニルに末端的に結合して有し、且
つ低級アルケニルＲ1 ，Ｒ2 ，Ｒ8 又はＲ9 のもとで定
義した低級アルケニル基を有する、例えばスチリル、３
−フェニル−アリル（シンナミル）、２−（α−ナフチ
ル）−ビニルもしくは２−（β−ナフチル）−ビニル、
又は置換されていないか又は置換されている複素環式基
であって、例えばアルケニルＲ1 ，Ｒ2 ，Ｒ8 又はＲ9
のもとで挙げた置換されていないか又は置換されている
低級アルキル基、例えばビニル、アリル又は２−もしく
は３−ブテニル（これは複素環式基Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ8 も
しくはＲ9 のもとで挙げた置換されていないか又は置換
されている複素環式基により好ましくは末端炭素原子に
て置換されている）を含む、例えばピリミジン−１−イ
ル−、ピペリジノ−、ピラジン−１−イル、ピペラジン
−１−イル、ピリダジン−１−イル−、モルホリノ−、
チオモルホリノ−もしくはＳ，Ｓ−ジオキソチオモルホ
リノ−低級アルケニル、例えば２−モルホリノ−ビニ
ル、３−モルホリノアリル又は４−モルホリノ−２−も
しくは−３−ブテニル、置換されていないか又は低級ア
ルキル−もしくはフェニル−置換されているピロリル−
低級アルケニル例えば２−もしくは３−ピロリル−ビニ
ルもしくは−アリル、４−もしくは５−メチルピロリル
−ビニルもしくは−アリル又は４−もしくは５−フェニ
ルピロリル−ビニルもしくは−アリル、チエニル−低級
アルケニル例えば２−チエニル−ビニルもしくは−アリ
ル、フリル−低級アルケニル例えば２−フリル−ビニル
もしくは−アリル、ピリジル−低級アルケニル例えば２
−，３−もしくは４−ピリジル−ビニルもしくは−アリ
ル、インドリル−低級アルケニルであって低級アルキル
例えばメチル、フェニル−低級アルキル例えばベンジ
ル、低級アルコキシ例えばメトキシ、フェニル−低級ア
ルコキシ例えばベンジルオキシもしくはハロゲン例えば
塩素により置換されていないか又は置換されている、例
えば２−，３−もしくは５−インドリル−ビニルもしく
は−アリル、１−メチル−、２−メチル−、５−メトキ
シ−、５−ベンジルオキシ−、５−クロロ−もしくは
４，５−ジメチル−インドル−２−イル−、１−ベンジ
ル−インドル−２−イル−もしくは−３−イル−ビニル
もしくは−アリル、４，５，６，７−テトラヒドロイン
ドル−２−イル−メチル、−エチルもしくは−ｎ−プロ
ピル、シクロヘプタ〔ｂ〕ピロリル−５−イル−ビニル
もしくは−アリル、置換されていない又はヒドロキシ置
換されているキノリル−低級アルケニル例えば２−，３
−もしくは４−キノリル−もしくは４−ヒドロキシキノ
ル−２−イル−ビニルもしくは−アリル、置換されてい
ない又はヒドロキシ置換されているイソキノリル−低級
アルケニル例えば１−，３−もしくは４−イソキノリル
−もしくは１−オキソ−１，２−ジヒドロイソキノル−
３−イル−ビニルもしくは−アリル、２−キノキサリニ
ル−ビニルもしくはアリル、３，１−ベンゾフラン−２
−イル−ビニルもしくはアリル、３−チオクロマニル−
ビニルもしくは−アリル、３−ピロリジニル−ビニルも
しくは−アリル、ヒドロキシピロリジニル−低級アルケ
ニル例えば３−もしくは４−ヒドロキシピロリジン−２
−イル−ビニルもしくは−アリル、オキソピロリジニル
−低級アルケニル例えば５−オキソピロリジン−２−イ
ル−ビニルもしくはアリル、ピペリジニル−低級アルケ
ニル例えば２−，３−もしくは４−ピペリジニル−ビニ
ル−もしくは−アリル、モルホリニル−低級アルケニル
例えば２−もしくは３−モルホリニル−ビニルもしくは
−アリル、チオモルホリニル−低級アルケニル例えば２
−もしくは３−チオモルホリニル−ビニルもしくは−ア
リル、Ｓ，Ｓ−ジオキソチオモルホリニル−低級アルケ
ニル例えばＳ，Ｓ−ジオキソチオモルホリン−２−もし
くは−３−イル−ビニルもしくはアリル、インドリニル
−低級アルケニル例えば２−もしくは３−インドリニル
−ビニルもしくは−アリル、１，２，３，４−テトラヒ
ドロキノリル−低級アルケニル例えば１，２，３，４−
テトラヒドロキノル−２−，−３−もしくは−４−イル
−ビニルもしくは−アリル、１，２，３，４−テトラヒ
ドロイソキノリル−低級アルケニル例えば１，２，３，
４−テトラヒドロイソキノル−１−，−２−もしくは−
３−イル−ビニルもしくはアリル、又は１−オキソ−
１，２，３，４−テトラヒドロイソキノル−３−イル−
ビニルもしくはアリルである。
【０１４１】Ｒ3 とＲ4 が一緒になって形成される置換
されていないか又は置換されているアルキレンは特に、
２０個迄の炭素原子を有するアルキレン基（このような
基は１もしくは複数の二重結合を有することが可能であ
る）、好ましくは低級アルキレン例えばエチレン、トリ
メチレン、テトラメチレン、ペンタメチレン、ヘキサメ
チレンもしくはヘプタメチレンであって、アリール−低
級アルカノイルＲ1 ，Ｒ2 ，Ｒ8 又はＲ9 のもとで定義
の置換されていないか又は置換されているアリール、好
ましくはフェニル、インデニル、インダニル、ナフチ
ル、アントリル、フェナントリル、アセナフチルもしく
はフルオレニル（これらは例えば低級アルキル例えばメ
チル、エチルもしくはプロピル、ハロ−低級アルキル例
えばトリフルオロメチル、フェニル１−もしくは２−ナ
フチル、ヒドロキシ、低級アルコキシ例えばメトキシ、
カルバモイル−低級アルコキシ、Ｎ−低級アルキルカル
バモイル−低級アルコキシもしくはＮ，Ｎ−ジ−低級ア
ルキルカルバモイル−低級アルコキシ、アミノ、モノ−
もしくはジ−低級アルキルアミノ、低級アルカノイルア
ミノ例えばピバロイルアミノ、ハロゲン例えばフッ素、
塩素もしくは臭素、カルボキシ、低級アルコキシカルボ
ニル、フェニル−、ナフチル−もしくはフルオレニル−
低級アルコキシカルボニル、低級アルカノイル、スル
ホ、低級アルキルスルホニル例えばメチルスルホニル、
ホスホノ、ヒドロキシ−低級アルコキシホスホリルもし
くはジ−低級アルコキシホスホリル、カルバモイル、モ
ノ−もしくはジ−低級アルキルカルバモイル、スルファ
モイル、モノ−もしくはジ−低級アルキルアミノスルホ
ニル、ニトロ及び／又はシアノによって置換されていな
いか又は１から３置換されている）によって置換されて
いるか又は置換されていない低級アルキレン、並びに／
あるいはアリール−低級アルカノイルＲ1 ，Ｒ2 ，Ｒ8
又はＲ9 における低級アルカノイルと同様に置換されて
いる、特に低級アルキル例えばメチル、ヒドロキシ、低
級アルコキシ例えばメトキシもしくはエトキシ、低級ア
ルカノイルオキシ例えばアセトキシもしくはプロピオニ
ルオキシ、ベンジルオキシ、フェニルアセトキシ又は１
−もしくは２−ナフチルオキシ、低級アルコキシカルボ
ニルオキシ例えばイソプロポキシカルボニルオキシもし
くは第三ブトキシカルボニルオキシ、フェニル−低級ア
ルコキシカルボニルオキシ例えばベンジルカルボニルオ
キシ、９−フルオレニルメトキシカルボニルオキシ、ス
ルホニルオキシ、低級アルキルスルホニルオキシ例えば
メチル−もしくはエチル−スルホニルオキシ、フェニル
スルホニルオキシ、２−もしくは４−トルエンスルホニ
ルオキシ、アミノ、モノ−もしくはジ−低級アルキルア
ミノ例えばモノ−もしくはジメチル−アミノもしくは−
エチル−アミノ、低級アルカノイルアミノ例えばアセチ
ルアミノもしくはピバロイルアミノ、カルボキシ、低級
アルコキシカルボニル例えばイソプロポキシ−もしくは
第三ブトキシ−カルボニル、ベンジルオキシカルボニ
ル、９−フルオレニルメトキシカルボニル、低級アルカ
イル例えばアセチルもしくはプロピオニル、低級アルキ
ルスルホニル例えばメチルスルホニルもしくは第三ブチ
ルスルホニル、ホスホノ、カルバモイル、モノ−もしく
はジ−低級アルキルカルバモイル例えばＮ−メチルカル
バモイルもしくはＮ，Ｎ−ジメチルカルバモイル、ピペ
リジノ、ピラジン−１−イル、ピリミジン−１−イル、
ピリダジン−１−イル、モルホリノ、チオモルホリノも
しくはＳ，Ｓ−ジオキソチオモルホリノ、スルファモイ
ル、オキソ及び／又はシアノによって置換されている低
級アルキレン、例えばエチレン、エチルエチレン、トリ
メチレン、プロピレンもしくはテトラメチレンである。
【０１４２】Ｒ3 とＲ4 が一緒になって形成される置換
されていないか又は置換されているアルキリデンは、２
０個迄の炭素原子を有し、そして連結している二重結合
以外に二重結合を有さないか又は１もしくは複数の二重
結合を有し、そして好ましくは低級アルキリデン、例え
ばメチレン、エチリデン、プロピリデン、ブチリデンも
しくはペンチリデンであって置換されていないか、又は
特に例えばシクロアルキル−低級アルカノイルＲ1 ，Ｒ
2 ，Ｒ8 又はＲ9 のもとで挙げたシクロアルキル例えば
シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチルもしく
はシクロヘキシル；例えばシクロアルケニル−低級アル
カノイルＲ1 ，Ｒ2 ，Ｒ8 又はＲ9 のもとで挙げたシク
ロアルケニル、例えばシクロヘキセン−１−イルもしく
は１，４−シクロヘキサジエニル；例えばアリール低級
アルカノイルＲ1 ，Ｒ2 ，Ｒ8 又はＲ9 のもとで定義し
た置換されていないか又は置換されているアリール、好
ましくはフェニル、インデニル、インダニル、ナフチ
ル、アントリル、フェナントリル、アセナフチルもしく
はフルオレニル（これらは例えば低級アルキル例えばメ
チル、エチルもしくはプロピル、ハロ−低級アルキル例
えばトリフルオロメチル、フェニル１−もしくは２−ナ
フチル、ヒドロキシ、低級アルコキシ例えばメトキシ、
カルバモイル−低級アルコキシ、Ｎ−低級アルキルカル
バモイル−低級アルコキシもしくはＮ，Ｎ−ジ−低級ア
ルキルカルバモイル−低級アルコキシ、アミノ、モノ−
もしくはジ−低級アルキルアミノ、低級アルカノイルア
ミノ例えばピバロイルアミノ、ハロゲン例えばフッ素、
塩素もしくは臭素、カルボキシ、低級アルコキシカルボ
ニル、フェニル−、ナフチル−もしくはフルオレニル−
低級アルコキシカルボニル、低級アルカノイル、スル
ホ、低級アルキルスルホニル例えばメチルスルホニル、
ホスホノ、ヒドロキシ−低級アルコキシホスホリルもし
くはジ−低級アルコキシホスホリル、カルバモイル、モ
ノ−もしくはジ−低級アルキルカルバモイル、スルファ
モイル、モノ−もしくはジ−低級アルキルアミノスルホ
ニル、ニトロ及び／又はシアノによって置換されていな
いか又は１から３置換されている）；によって置換され
ている低級アルキリデン、並びに／あるいはアリール低
級アルカノイルＲ1 ，Ｒ2 ，Ｒ8 又はＲ9 における低級
アルカノイルと同様に置換されている、特に低級アルキ
ル例えばメチル、ヒドロキシ、低級アルコキシ例えばメ
トキシもしくはエトキシ、低級アルカノイルオキシ例え
ばアセトキシもしくはプロピルオキシ、ベンジルオキ
シ、フェニルアセトキシ又は１−もしくは２−ナフチル
オキシ、低級アルコキシカルボニルオキシ例えばイソプ
ロポキシカルボニルオキシもしくは第三ブトキシカルボ
ニルオキシ、フェニル−低級アルコキシカルボニルオキ
シ例えばベンジルオキシカルボニルオキシ、９−フルオ
レニルメトキシカルボニルオキシ、スルホニルオキシ、
低級アルキルスルホニルオキシ例えばメチル−もしくは
エチル−スルホニルオキシ、フェニルスルホニルオキ
シ、２−もしくは４−トルエンスルホニルオキシ、アミ
ノ、モノ−もしくはジ−低級アルキルアミノ例えばモノ
−もしくはジ−メチル−アミノもしくは−エチル−アミ
ノ、低級アルカノイルアミノ例えばアセチルアミノもし
くはピバロイルアミノ、カルボキシ、低級アルコキシカ
ルボニル例えばイソプロポキシ−もしくは第三ブトキシ
−カルボニル、ベンジルオキシカルボニル、９−フルオ
レニルメトキシカルボニル、低級アルカイル例えばアセ
チルもしくはプロピオニル、低級アルキルスルホニル例
えばメチルスルホニルもしくは第三ブチルスルホニル、
ホスホノ、カルバモイル、モノ−もしくはジ−低級アル
キルカルバモイル例えばＮ−メチルカルバモイルもしく
はＮ，Ｎ−ジメチルカルバモイル、ピペリジノ、ピラジ
ン−１−イル、ピリミジン−１−イル、ピリダジン−１
−イル、モルホリノ、チオモルホリノもしくはＳ，Ｓ−
ジオキソチオモルホリノ、スルファモイル、オキソ及び
／又はシアノによって置換されている低級アルキリデ
ン、例えばエチリデン、プロピリデン、ブチリデン、ベ
ンジリデン又はシンナミリデンである。
【０１４３】Ｒ3 とＲ4 とが一緒になって形成する置換
されていないか又は置換されているベンゾ縮合アルキレ
ンは２０個迄の炭素原子を有し、そして好ましくは低級
アルキレン、例えばエチレン、トリメチレン、テトラメ
チレン、ペンタメチレン、ヘキサメチレンもしくはヘプ
タメチレンであってそれにベンゼン環が縮合し、そして
アリール、低級アルカノイルＲ1 ，Ｒ2 ，Ｒ8 又はＲ9
のもとで定義の置換されていないか又は置換されている
アリール、好ましくはフェニル、インデニル、インダニ
ル、ナフチル、アントリル、フェナントリル、アセナフ
チルもしくはフルオレニル（これらは例えば低級アルキ
ル例えばメチル、エチルもしくはプロピル、ハロ−低級
アルキル例えばトリフルオロメチル、フェニル１−もし
くは２−ナフチル、ヒドロキシ、低級アルコキシ例えば
メトキシ、カルバモイル−低級アルコキシ、Ｎ−低級ア
ルキルカルバモイル−低級アルコキシもしくはＮ，Ｎ−
ジ−低級アルキルカルバモイル−低級アルコキシ、アミ
ノ、モノ−もしくはジ−低級アルキルアミノ、低級アル
カノイルアミノ例えばピバロイルアミノ、ハロゲン例え
ばフッ素、塩素もしくは臭素、カルボキシ、低級アルコ
キシカルボニル、フェニル−、ナフチル−もしくはフル
オレニル−低級アルコキシカルボニル、低級アルカノイ
ル、スルホ、低級アルキルスルホニル例えばメチルスル
ホニル、ホスホノ、ヒドロキシ−低級アルコキシホスホ
リルもしくはジ−低級アルコキシホスホリル、カルバモ
イル、モノ−もしくはジ−低級アルキルカルバモイル、
スルファモイル、モノ−もしくはジ−低級アルキルアミ
ノスルホニル、ニトロ及び／又はシアノによって置換さ
れていないか又は１から３置換されている）によって置
換されているか又は置換されていない低級アルキレン、
あるいは低級アルキル例えばメチル、ヒドロキシ、低級
アルコキシ例えばメトキシもしくはエトキシ、低級アル
カノイルオキシ例えばアセトキシもしくはプロピルオキ
シ、ベンジルオキシ、フェニルアセトキシ又は１−もし
くは２−ナフチルオキシ、低級アルコキシカルボニルオ
キシ例えばイソプロポキシカルボニルオキシもしくは第
三ブトキシカルボニルオキシ、フェニル−低級アルコキ
シカルボニルオキシ例えばベンジルオキシカルボニルオ
キシ、９−フルオレニルメトキシカルボニルオキシ、ス
ルホニルオキシ、低級アルキルスルホニルオキシ例えば
メチル−もしくはエチル−スルホニルオキシ、フェニル
スルホニルオキシ、２−もしくは４−トルエンスルホニ
ルオキシ、アミノ、モノ−もしくはジ−低級アルキルア
ミノ例えばモノ−もしくはジメチル−アミノもしくは−
エチル−アミノ、低級アルカノイルアミノ例えばアセチ
ルアミノもしくはピバロイルアミノ、カルボキシ、低級
アルコキシカルボニル例えばイソプロポキシ−もしくは
第三ブトキシ−カルボニル、ベンジルオキシカルボニ
ル、９−フルオレニルメトキシカルボニル、低級アルカ
イル例えばアセチルもしくはプロピオニル、低級アルキ
ルスルホニル例えばメチルスルホニルもしくは第三ブチ
ルスルホニル、ホスホノ、カルバモイル、モノ−もしく
はジ−低級アルキルカルバモイル例えばＮ−メチルカル
バモイルもしくはＮ，Ｎ−ジメチルカルバモイル、ピペ
リジノ、ピラジン−１−イル、ピリミジン−１−イル、
ピリダジン−１−イル、モルホリノ、チオモルホリノも
しくはＳ，Ｓ−ジオキソチオモルホリノ、スルファモイ
ル、オキソ及び／又はシアノによって置換されている、
例えばオルソ−フェニレンである。
【０１４４】式Ｉの化合物が前記の基によって置換され
ている場合、遊離水素及び／又はヒドロキシ基を有する
窒素原子は二重もしくは三重結合に関して隣接しており
（置換されていない又は置換されている、アルケニル又
はアルキニルＲ1 ，Ｒ2 ，Ｒ 8 もしくはＲ9 のケースと
同様）、対応する互変異性アミノ及びオキソ化合物も常
に含まれている。
【０１４５】式Ｉの化合物の塩は特に酸付加塩、塩基を
有する塩であり、複数の塩形成基が存在している場合、
混合塩又は内部塩となることもできる。塩は特に薬学的
に受け入れられる、式Ｉの化合物の無毒な塩である。こ
のような塩は、例えば酸性基例えば１もしくは２個のヒ
ドロキシによって置換されているカルボキシ基、スルホ
基又はホスホリ基を有する式Ｉの化合物から形成され、
そしてこれらの例えば、適当な塩基を有するそれらの
塩、例えば元素同期表のＩａ、Ｉｂ、IIａ及びIIｂ族の
金属に由来する無毒な金属塩、特に適切なアルカリ金属
塩例えばリチウム、ナトリウムもしくはカリウムの塩又
はアルカリ土類金属塩例えばマグネシウムもしくはカル
シウムの塩、更には亜鉛の塩もしくはアンモニウム塩、
並びに有機アミン例えば置換されていないか又はヒドロ
キシ置換されているモノ−、ジ−もしくはトリ−アルキ
ルアミン、特にモノ−、ジ−もしくはトリ−低級アルキ
ルアミン、又は第四アンモニウム化合物例えばＮ−−メ
チル−Ｎ−エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチル
アミン、モノ−、ビス−もしくはトリス−（２−ヒドロ
キシ−低級アルキル）アミン例えばモノ−、ビス−もし
くはトリス（２−ヒドロキシエチル）アミン、２−ヒド
ロキシ−第三ブチルアミンもしくはトリス（ヒドロキシ
メチル）メチルアミン−Ｎ，Ｎ−ジ−低級アルキル−Ｎ
−（ヒドロキシ−低級アルキル）−アミン例えばＮ，Ｎ
−ジメチル−Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）−アミンも
しくはトリ−（２−ヒドロキシエチル）アミン、Ｎ−メ
チル−Ｄ−グルカミンにより形成される塩又は第四アン
モニウム塩例えばテトラブチルアンモニウム塩である。
塩基の基、例えばアミノ基を有する式Ｉの化合物は、酸
付加塩、例えば無機酸例えばハロゲン化水素酸例えば塩
酸、硫酸もしくはリン酸又は有機カルボキシル酸、スル
ホン酸もしくはホスホ酸又はＮ−置換化スルファミド酸
例えば酢酸、ピロピオン酸、グリコール酸、コハク酸、
マレイン酸、ヒドロキシマレイン酸、メチルマレイン
酸、フマル酸、リンゴ酸、酒石酸、グルコン酸、グルカ
ル酸、グルクロン酸、クエン酸、安息香酸、桂皮酸、マ
ンデル酸、サルチル酸、４−アミノサルチル酸、２−フ
ェノキシ安息香酸、２−アセト安息香酸、エンボニン
酸、ニコチン酸もしくはイソニコチン酸と、並びにアミ
ノ酸、例えば前記したα−アミノ酸、特にグルタミン酸
及びアスパラギン酸と、及びメタンスルホン酸、エタン
スルホン酸、２−ヒドロキシエタンスルホン酸、エタン
−１，２−ジスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、４−メ
チルベンゼンスルホン酸、ナフタレン−２−スルホン
酸、２−もしくは３−ホスホグリセリン酸、グルコース
−６−リン酸、Ｎ−シクロヘキシルスルファミド酸（シ
クラメートを形成する）と、又はその他の酸性有機化合
物例えばアスコルビン酸と酸付加塩を形成する。酸及び
塩基の基を有する式Ｉの化合物は内部塩を形成すること
もできる。
【０１４６】単離又は精製の目的のためには、薬学的に
受け入れられていない塩を利用することも可能である。
本発明の化合物はウィルスアスパラギン酸プロテアーゼ
に対する阻害作用、特にｇａｇ−プロテアーゼ阻害作用
を有す。以下の試験において、これは１０-6〜１０-9mo
l ／ｌの濃度でＨＩＶ−１及びＨＩＶ−２のｇａｇ−プ
ロテアーゼの作用を特に阻害し、従ってこのようなウィ
ルスもしくは関連するレトロウィルスにより引き起こさ
れる疾病、特にＡＩＤＳに対する薬剤として適切であ
る。
【０１４７】例えばＨＩＶ−１プロテアーゼのタンパク
質分解活性を阻害する式Ｉの化合物の能力は、例えば
Ｊ．Ｈａｎｓｅｎらの、Ｔｈｅ ＥＭＢＯ Ｊｏｕｒｎ
ａｌ ７，１７８５−１７９１（１９８８）に詳細の方
法により実証できうる。この方法において、ｇａｇ−プ
ロテアーゼの作用の阻害は、Ｅ．コリ（Ｅ．ｃｏｌｉ）
において発現されるｇａｇ−先駆体タンパク質とＭＳ−
２の融合タンパク質である基質に基づいて測定される。
この基質及びその分解生成物はポリアクリルアミドゲル
電気泳動により分離され、そしてＭＳ−２に対するモノ
クローナル抗体を利用するイムノブロッティングにより
識別化される。
【０１４８】実施することが簡単であり且つ正確な定量
結果を提供する試験において、このｇａｇ−先駆体タン
パク質の切断部位に相当する合成ペプチドをｇａｇ−プ
ロテアーゼのための基質として利用する。この基質及び
その分解生成物は高圧液体クロマトグラフィー（ＨＰＬ
Ｃ）によって分析できる。例えば、組換えＨＩＶ−１プ
ロテアーゼ（Ｂｉｌｌｉｃｈ，Ｓ．らのＪ．Ｂｉｏｌ．
Ｃｈｅｍ，２６３（３４），１７９０５−１７９０８
（１９９０）に従って調製）のための基質として、ｇａ
ｇ−先駆体タンパク質の切断部位の１つに相当する合成
発色ペプチド（例えばＨＫＡＲＶＬ〔ＮＯ2 〕ＦＥＡＮ
ｌｅＳ（Ｂａｃｈｅｍ，Ｓｗｉｔｚｅｒｌａｎｄ）又は
イコサペプチド例えばＲＲＳＮＱＶＳＱＮＹＰＩＶＱＮ
ＩＱＧＲＲ（周知の方法を用いるペプチド合成により調
製））を用いる。この基質及びその分解生成物は高圧液
体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）により分析できる。
【０１４９】このような目的のため、試験すべき式Ｉの
阻害剤をジメチルスルホキシドに溶解せしめる；酵素ア
ッセイは、２０mMのβ−モルホリノエタンスルホン酸
（ＭＥＳ）緩衝液pH６．０中に適当に希釈した該阻害剤
を、０．３Ｍの酢酸ナトリウム、０．１ＭのＮａＣｌ、
pH７．４中の前記の発色ペプチド６７．２μＭ又は２０
mMのＭＥＳ緩衝液pH６．０中の前記のイコサペプチド１
２２μＭのアッセイ混合物に加えることにより実施す
る。バッチのサイズは１００μｌである。反応は、第１
のケースにおいて２μｌそして第２のケースにおいては
１０μｌのＨＩＶ−１プロテアーゼの添加により開始さ
せ、次いで第１のケースにおいては１５分後に０．３Ｍ
のＨＣｌＯ4 １００μｌの添加により、そして第２のケ
ースにおいては３７℃で１時間のインキュベーション後
に０．３ＭのＨＣｌＯ4 １０μｌの添加によって停止さ
せる。サンプルを１０，０００ｇにて５分間遠心させた
後、１００μｌ（発色ペプチドを有すバッチ）又は２０
μｌ（イコサペプチド）において得られる上清液を１２
５×４．６mmのＮｕｃｌｅｏｓｉｌ（商標）Ｃ１８−５
μＨＰＬＣカラム（Ｍａｃｈｅｒｅｙ ＆ Ｎａｇｅ
ｌ，Ｄｕｒｅｎ）に載せて溶出させ、この反応生成物を
２８０nm（発色ペプチドを有するバッチ）又は２１５nm
（イコサペプチドを有するバッチ）にて分解生成物のピ
ークの高さを参照することにより定量する（勾配：溶出
液１ １００％→溶出液１ ５０％／溶液２５０％（１
５分間にわたる）〔溶出液１：７５％のアセトニトリ
ル、９０％のＨ2 Ｏ、０．１％のトリフルオロ酢酸（Ｔ
ＦＡ）；溶出液２：７５％のアセトニトリル、２５％の
Ｈ2 Ｏ、０．０８％のＴＦＡ〕（流速：１ml／分））。
【０１５０】この試験において、約１０-6〜１０-9Ｍ、
特に約１０-7〜約１０-8ＭのＩＣ50値（ＩＣ50＝阻害剤
を含まないコントロールと比較して５０％ＨＩＶ−１プ
ロテアーゼ活性を低下させる濃度）が式Ｉの化合物に関
して好適に得られた。更なる試験において、本発明の化
合物は、通常はＨＩＶにより感染される細胞をこのよう
な感染から予防する、又は少なくともこのような感染を
遅くらせることが示された。このような試験において、
ＨＩＶの細胞病原性作用に著しく感受性であるヒトＴ細
胞白血病細胞系ＭＴ−２（Ｓｃｉｅｎｃｅ ２２９，５
６３（１９８５））をＨＩＶ単独と又は本発明の化合物
の存在下におけるＨＩＶとインキュベートし、そして数
日後、このように処置せしめた細胞の生存率を評価す
る。
【０１５１】この目的のため、ＭＴ−２細胞を５％ＣＯ
2 を有する多湿空気の中で３７℃にて、１０％の加熱不
活性化仔牛血清、Ｌ−グルタミン、ヘペス（２−〔４−
（２−ヒドロキシエチル）−１−ピペラジノ〕−エタン
スルホン酸）及び標準抗生物質の加えたＲＰＭＩ １６
４０培地（Ｇｉｂｃｏ，Ｓｗｉｔｚｅｒｌａｎｄ；ＲＰ
ＭＩ １６４０はＬ−Ｇｌｎ以外のアミノ酸混合物を含
んで成る）中で保存した。培養培地中の特定の試験化合
物５０μｌ及び培養培地中のＨＩＶ−１ １００μｌ
（８００ＴＣＩＤ５０／ml）（ＴＣＩＤ５０＝組織培養
感染投与量５０＝５０％のＭＴ−２細胞を感染せしめる
投与量）を、９６穴マイクロタイタープレートにおい
て、１ウェル当り５０μｌの培養培地中における４×１
０3 個の対数増殖ＭＴ−２細胞に加えた。細胞及び試験
化合物を有する更なるマイクロタイタープレートにおけ
る平行バッチに、ウィルスを含まない培養培地１００μ
ｌを加えた。４日間のインキュベーションの後、１０μ
ｌの細胞上清液中の逆転写酵素（ＲＴ）活性を測定し
た。ＲＴ活性は、５０mMのトリス（α，α，α−トリス
（ヒドロキシメチル）メチルアミン、超高純度、Ｍｅｒ
ｃｋ，Ｆｅｄｅｒａｌ Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｇｅ
ｒｍａｎｙ）pH７．８；７５mMのＫＣｌ、２mMのジチオ
スレイトール、５mMのＭｇＣｌ2 ；０．０５％のＮｏｎ
ｉｄｅｔ Ｐ−４０（清浄剤；Ｓｉｇｍａ，Ｓｗｉｔｚ
ｅｒｌａｎｄ）；５０μｇ／mlのポリアデニル酸（Ｐｈ
ａｒｍａｃｉａ，Ｓｗｅｄｅｎ）；１．６μｇ／mlのｄ
Ｔ（１２−１８）（Ｓｉｇｍａ，Ｓｗｉｔｚｅｒｌａｎ
ｄ）中で測定した。この混合物を０．４５μのＡｃｒｏ
ｄｉｓｃフィルター（Ｇｅｌｌｍａｎ Ｓｃｉｅｎｃｅ
Ｉｎｃ，Ａｎｎ Ａｒｂｏｒ）に通し、そして−２０
℃で保存した。０．１％（ｖ／ｖ）の〔アルファ−
32Ｐ〕ＤＴＴＰを小分けしたこの溶液に加え、最終放射
活性を１０μCi／mlにした。培養上清液１０μｌを新し
い９６穴マイクロタイタープレートに移し入れ、そして
上記のカクテル３０μｌをこれに加えた。混合させた
後、このプレートを１．５〜３時間３７℃でインキュベ
ートした。この反応混合物のうち５μｌをＷｈａｔｍａ
ｎ ＤＥ８１ペーパー（Ｗｈａｔｍａｎ）に移した。乾
燥せしめたフィルターを３００mMのＮａＣｌ／２５mMの
クエン酸三ナトリウムで５分間３回、そして９５％のエ
タノールで一回洗浄し、そして再び風乾した。評価はＭ
ａｔｒｉｘ Ｐａｃｋａｒｄ ９６穴カウンター（Ｐａ
ｃｋａｒｄ）で行った。ＥＤ９０値は、試験化合物によ
って処置されていない細胞バッチと比較してＲＴ活性を
９０％低める特定の試験化合物の最少濃度として計算
し、定義される。このＲＴ活性はＨＩＶ−１の再生の測
定値である。
【０１５２】この試験において、本発明の化合物は１０
-5〜１０-8Ｍ、好ましくは約５×１０-7〜５×１０-8Ｍ
のＥＤ９０を示した。以下の式Ｉの化合物の群におい
て、例えばやや一般的な定義をより具体的な定義に置き
代えるため、前記の一般的な定義由来の基の定義を利用
する又はその他の基由来の定義を挿入もしくは削除する
ことが好都合でありうる。
【０１５３】請求項１に記載の式Ｉの化合物であって、
ここでＲ1 及びＲ9 は互いに独して、水素；低級アルカ
ノイル例えばホルミル、アセチル、プロピオニル、ブチ
リルもしくはピバロイル、特にアセチル；アリール−低
級アルカノイル（ここでアリールは好ましくはアリール
−低級アルカノイルの一般定義のもとで定義したもので
あり、そこで定義した置換されていないか又は置換され
たものである。即ち、アリールは６〜１４個の炭素原子
を有する、フェニル、インデニル、インダニル、ナフチ
ル、アントリル、フェナントリル、アセナフチルもしく
はフルオレニルであり、そして低級アルキル例えばメチ
ル、エチルもしくはプロピル、ハロ低級アルキル例えば
トリフルオロメチル、フェニル、１−もしくは２−ナフ
チル、ヒドロキシ、低級アルコキシ例えばメトキシ、カ
ルバモイル−低級アルコキシ、Ｎ−低級アルキルカルバ
モイル−低級アルコキシもしくはＮ，Ｎ−ジ−低級アル
キルカルバモイル−低級アルコキシ、アミノ、モノ−も
しくはジ−低級アルキルアミノ、低級アルカノイルアミ
ノ例えばピバロイルアミノ、ハロゲン例えばフッ素、塩
素もしくは臭素、カルボキシ、低級アルコキシカルボニ
ル例えば第三ブトキシカルボニル、フェニル−、ナフチ
ル−もしくはフルオレニル−低級アルコキシカルボニル
例えばベンジルオキシカルボニル、低級アルカノイル、
スルホ、低級アルキルスルホニル例えばメチルスルホニ
ル、ホスホノ、ヒドロキシ−低級アルコキシホスホリル
もしくはジ−低級アルコキシホスホリル、カルバモイ
ル、モノ−もしくはジ−低級アルキルカルバモイル、ス
ルファモイル、モノ−もしくはジ−低級アルキルアミノ
スルホニル、ニトロ及び／又はシアノによって置換され
ていないか又は１から３置換されていてもよく、ここで
フェニルは３個迄存在してもよく、例えばジフェニル
−、ジベンジル−もしくはトリフェニル−低級アルカノ
イル、例えばジフェニル−、ジベンジル−もしくはトリ
フェニル−アセチルである。そしてここで低級アルカノ
イルは、カルバモイル、又はカルバモイルであって低級
アルキル、カルボキシ−低級アルキル、低級アルコキシ
カルボニル、低級アルキル、ジ−低級アルキルアミノ−
低級アルキル、アミノカルボキシ−低級アルキル、ヒド
ロキシ−低級アルキル及びジ−低級アルコキシ−低級ア
ルキルより選ばれる１もしくは２種の基によって窒素原
子にて置換されているカルバモイルによって置換されて
いないか又は置換されている。）、好ましくは一般定義
においてアリール−低級アルカノイルのもとで詳細し
た、例えば４−クロロ−、４−メトキシ−もしくは４−
ニトロ−ベンゾイル、ナフチルカルボニル例えばα−も
しくはβ−ナフチルカルボニル、又は１，８−ナフタレ
ン−ジカルボニル（両方のカルボニル基を介して窒素原
子に結合）、インデニルカルボニル例えば１−，２−も
しくは３−インデニルカルボニル、インダニルカルボニ
ル例えば１−もしくは２−インダニルカルボニル、フェ
ナントレニルカルボニル例えば９−フェナントレニルカ
ルボニル、フェニル−低級アルカノイル例えばフェニル
アセチルもしくは３−フェニルプロピオニル、α−ナフ
チルアセチル、β−ナフチルアセチル、低級アルキルフ
ェニルアセチル例えば４−メチルフェニルアセチル、低
級アルコキシ−フェニルアセチル例えば４−メトキシフ
ェニルアセチル、３−フェニルプロピオニル、３−（ｐ
−ヒドロキシフェニル）−プロピオニル、ジフェニルア
セチル、ジ（４−メトキシフェニル）アセチル、トリフ
ェニルアセチル、２，２−ジベンジルアセチル、３−α
−もしくは３−β−ナフチルプロピオニル、フェニル−
低級アルカノイル（ここで低級アルカノイル基はカルバ
モイルによって置換されている）例えば２（Ｒ，Ｓ）−
カルバモイル−３−フェニルプロピオニル、３−フェニ
ル−もしくは３−α−ナフチル−２−カルバモイルプロ
ピオニル、３−フェニル−もしくは３−α−ナフチル−
２−第三ブチルカルバモイルプロピオニル、３−フェニ
ル−もしくは３−α−ナフチル−２−（２−ジメチルア
ミノエチル）カルバモイルプロピオニル、３−α−ナフ
チル−２−（カルボキシ−もしくは第三−ブトキシカル
ボニル）メチルカルバモイルプロピオニル、３−フェニ
ル−もしくは３−α−ナフチル−２−（３−ヒドロキシ
−２−プロピル）カルバモイルプロピオニル、３−フェ
ニル−もしくは３−α−ナフチル−２−（２，２−ジメ
トキシエチル）−カルバモイルプロピオニル、３−フェ
ニル−もしくは３−α−ナフチル−２−（５−アミノ−
５−カルボキシペンチル）−カルバモイルプロピオニ
ル、特にフェニル−低級アルカノイル例えばフェニル−
アセチル、又はフェニル−低級アルカノイルであって低
級アルカノイル基がカルバモイルによって置換されてい
る例えば２（Ｒ，Ｓ）−カルバモイル−３−フェニルプ
ロピオニル；複素環式基−低級アルカノイルであって好
ましくは複素環式基−低級アルカノイルＲ1 ，Ｒ2 ，Ｒ
3 及びＲ8 で前記したもの、特に複素環式基低級アルカ
ノイルであって低級アルカノイルが置換されていなく、
そして複素環式基が、好ましくは３〜１０個の環原子を
有する単一もしくは二重環系であり、炭素原子を介して
結合しているか又は特に窒素原子を介して結合してお
り、酸素、窒素、硫黄、セレン及び１もしくは２個の酸
素原子の結合している硫黄より選ばれる３個迄の更なる
ヘテロ原子を含み、そして不飽和であるか又は完全もし
くは部分飽和でありうる、例えばチエニル−、フリル
−、ピラニル−、ピロリル−、イミダゾリル−、ピラゾ
リル−、オキサゾリル−、イソオキサゾリル−、チアゾ
リル−、フラザニル−、テトラゾリル−、ピリジル−、
ピラジニル−、ピリミジニル−、ピリダジニル−、アゼ
ピニル−、インドリル−、ベンズイミダゾリル−、１Ｈ
−インダゾリル−、キノリル−、イソキノリル−、キノ
キサリニル−、キナゾリニル−、シンノリル−、プリニ
ル−、プテリジニル−、ナフチリジニル−、４Ｈ−キノ
リジニル−、３，１−ベンゾフラニル−、４，１−ベン
ズオキサジニル−、４，１−ベンゾチアジニル−、シク
ロヘキサ〔ｂ〕ピロリル−、シクロヘプタ〔ｂ〕ピロリ
ル−、シクロヘキサ〔ｄ〕ピラゾリル−、シクロヘキサ
〔ｂ〕ピリジル−、シクロヘキサ〔ｂ〕ピラジニル−、
シクロヘキサ〔ｂ〕ピリミジニル−、シクロヘキサ
〔ｂ〕−１，４−オキサジニル−、シクロヘキサ〔ｂ〕
−１，４−チアジニル−、ピロリジニル−、ピロリニル
−、イミダゾリジル−、２−イミダゾリニル−、２，３
−ジヒドロピリジル−、ピペリジル−、ピペラジニル
−、２，３，５，６−テトラヒドロピラジニル−、モル
ホリニル−、チオモルホリニル−、Ｓ，Ｓ−ジオキソ−
チオモルホリニル−、インドリニル−、イソインドリニ
ル−、４，５，６，７−テトラヒドロインドリル−、
１，２，３，４−テトラヒドロキノリル−、１，２，
３，４−テトラヒドロイソキノリル−、クロマニル−、
チオクロマニル−、１，２，３，４−テトラヒドロ−
３，１−ベンゾジアジニル−、３，４−ジヒドロ−３Ｈ
−４，１−ベンズオキサジニルもしくは３，４−ジヒド
ロ−３Ｈ−４，１−ベンゾチアジニル−低級アルカノイ
ルであり、上記の複素環式基は低級アルキル例えばメチ
ル、フェニル、１−もしくは２−ナフチル、フェニル−
低級アルキル例えばベンジル−ヒドロキシ−低級アルキ
ル例えばヒドロキシメチルもしくは２−ヒドロキシエチ
ル、低級アルコキシ−低級アルキル例えばメトキシメチ
ルもしくは２−メトキシエチル、フェノキシ−もしくは
ナフチルオキシ−低級アルキル例えば２−フェノキシエ
チル、１−もしくは２−ナフチルオキシメチル、フェニ
ル−低級アルコキシ−もしくはナフチル−低級アルコキ
シ−低級アルキル例えばベンジルオキシ−低級アルキ
ル、低級アルカノイルオキシ−低級アルキル例えばアセ
トキシメチル、フェニル−もしくはナフチル−低級アル
カノイルオキシ−低級アルキル例えばベンジルオキシ
−、フェニルアセトキシ−又は１−もしくは２−ナフチ
ルオキシ−メチル、−２−エチルもしくは−２−（２，
２−ジメチルエチル）、低級アルコキシカルボニルオキ
シ−低級アルキル例えば第三ブトキシカルボニルオキシ
−低級アルキル、フェニル−、ナフチル−もしくはフル
オレニル−低級アルコキシ−カルボニルオキシ−低級ア
ルキル例えば２−ベンジルオキシカルボニルオキシエチ
ルもしくは９−フルオレニル−メトキシカルボニルオキ
シエチル、アミノ−低級アルキル例えばアミノメチル、
２−アミノエチルもしくは２−アミノプロピル、カルボ
キシ−低級アルキル例えばカルボキシメチルもしくは２
−カルボキシエチル、ヒドロキシ、低級アルコキシ例え
ばメトキシもしくはエトキシ、フェニル−もしくはナフ
チル−低級アルコキシ例えばベンジルオキシ又は１−も
しくは２−ナフチルオキシ、アミノ、低級アルキルアミ
ノ例えばメチル−、エチル−もしくは第三ブチル−アミ
ノ、ジ低級アルキルアミノ例えばジメチル−もしくはジ
エチル−アミノ、カルボキシ、低級アルコキシカルボニ
ル例えばメトキシ−、イソプロポキシ−、第二ブトキシ
−もしくは第三ブトキシ−カルボニル、フェニル−もし
くはナフチル−低級アルコキシカルボニル例えばベンジ
ルオキシカルボニル、ハロゲン例えばフッ素、塩素、臭
素もしくはヨウ素、特に塩素もしくは臭素、低級アルカ
ノイル例えばアセチルもしくはピバロイル、低級アルキ
ルスルホニル例えばメチル−もしくはエチル−スルホニ
ル、ホスホノ、ヒドロキシ−低級アルコキシ−ホスホリ
ルもしくはジアルコキシホスホリル例えばジメトキシ−
もしくはジエトキシ−ホスホリル、カルバモイル、モノ
−もしくはジ−低級アルキルカルバモイル例えばＮ−メ
チルカルバモイル、Ｎ−ｎ−ブチルカルバモイルもしく
はＮ，Ｎ−ジメチルカルバモイル、ヒドロキシ−もしく
はカルボキシ−低級アルキルカルバモイル例えばヒドロ
キシ−もしくはカルボキシ−メチルカルバモイルもしく
はヒドロキシ−もしくはカルボキシ−エチルカルバモイ
ル、スルファモイル、ニトロ、オキソ及び／又はシアノ
によって置換されていないか又は置換されており、そし
てこの複素環式基が特に、低級アルキルもしくはフェニ
ルによって置換されていないか又は置換されているピロ
リルカルボニル、例えば２−もしくは３−ピロリルカル
ボニル、４−もしくは５−メチルピロリルカルボニル又
は４−もしくは５−フェニルピロリル−２−カルボニ
ル、チエニルカルボニル例えば２−チエニルカルボニ
ル、フリルカルボニル例えば２−フリルカルボニル、ピ
リジルカルボニル例えば２−，３−もしくは４−ピリジ
ルカルボニル、ピリミジン−１−イルカルボニル、イン
ドリルカルボニルであって低級アルキル例えばメチルフ
ェニル−低級アルキル例えばベンジル、低級アルコキシ
例えばメトキシ、フェニル、低級アルコキシ例えばベン
ジルオキシ又はハロゲン例えば塩素により置換されてい
ないか又は置換されている、例えば２−，３−もしくは
５−インドリルカルボニル、１−メチル−、５−メチル
−、５−メトキシ−、５−ベンジルオキシ−、５−クロ
ロ−もしくは４，５−ジメチル−インドリル−２−カル
ボニル、１−ベンジル−インドリル−２−もしくは−３
−カルボニル、４，５，６，７−テトラヒドロインドリ
ル−２−カルボニル、置換されていないか又はヒドロキ
シ置換されているキノリル−低級アルカイル例えばキノ
リルカルボニル、例えば２−，３−もしくは４−キノリ
ルカルボニル又は４−ヒドロキシキノリル−２−カルボ
ニル、置換されていないか又はヒドロキシ置換されてい
るイソキノリルカルボニル例えば１−，３−もしくは４
−イソキノリルカルボニル又は１−オキソ−１，２−ジ
ヒドロイソキノリル−３−カルボニル、２−キノキサリ
ニルカルボニル、２−（３，１−ベンゾフラニル）カル
ボニル、シクロヘプタ〔ｂ〕−ピロリル−５−カルボニ
ル、３−クロマニルカルボニル、３−チオクロマニルカ
ルボニル、ピロリジニル−３−カルボニル、ヒドロキシ
ピロリジニルカルボニル例えば３−もしくは４−ヒドロ
キシピロリジニル−２−カルボニル、オキソピロリジニ
ルカルボニル例えば５−オキソピロリジニル−２−カル
ボニル−ピペリジルカルボニル例えばピペリジノカルボ
ニル又は２−，３−もしくは４−ピペリジルカルボニ
ル、ピラジニルカルボニル例えばピラジン−１−イルカ
ルボニル、ピペラジニルカルボニル例えばピペラジン−
１−イルカルボニル、モルホリニル−低級アルカノイル
例えばモルホリニルカルボニル例えばモルホリノカルボ
ニル、チオモルホリニル−低級アルカノイル例えばチオ
モルホリニルカルボニル例えばチオモルホリノカルボニ
ル、Ｓ，Ｓ−ジオキソチオモルホリニルカルボニル例え
ばＳ，Ｓ−ジオキソチオモルホリノカルボニル、インド
リニルカルボニル例えば２−もしくは３−インドリニル
カルボニル、１，２，３，４−テトラヒドロキノリルカ
ルボニル例えば１，２，３，４−テトラヒドロキノリル
−２−，−３−もしくは−４−カルボニル１，２，３，
４−テトラヒドロイソキノリル−カルボニル例えば１，
２，３，４−テトラヒドロイソキリル−１−，−３−も
しくは−４−カルボニル又は１−オキソ−１，２，３，
４−テトラヒドロイソキノリル−３−カルボニル、テト
ラゾリル−低級アルカノイル例えば３−（テトラゾル−
１−イル）−プロピオニル及びピリジル−低級アルカノ
イル例えばピリジルアセチル例えば２−，３−もしくは
４−ピリジルアセチルより選ばれ、より特別にはモルホ
リノ−低級アルカノイル例えばモルホリノカルボニル、
チオモルホリノ−低級アルカノイル例えばチオモルホリ
ノカルボニル−ピリジル−低級アルカノイル例えば２
−，３−もしくは４−ピリジルアセチル−キノリニル−
低級アルカノイル例えばキノリン−２−カルボニル及び
テトラゾリル−低級アルカノイル例えば３−テトラゾル
−１−イルプロピオニルより選ばれる複素環式基−低級
アルカノイル；アミノ−低級アルカノイルであってその
窒素原子が複素環式基−低級アルカノイルによって置換
されている（ここで複素環式基は複素環式基−低級アル
カノイルＲ1 ，Ｒ2 ，Ｒ8 又はＲ9 で定義したもの、好
ましくは複素環式基−低級アルカノイルＲ1 及びＲ9 で
定義したものである）、特にその窒素原子にてＮ−モル
ホリノ−もしくはＮ−チオモルホリノ−カルボニルによ
って置換されている、より特別にはＮ−モルホリノ−も
しくはＮ−チオモルホリノ−カルボニルアミノ−低級ア
ルカノイル、例えばＮ−モルホリノ−もしくはＮ−チオ
モルホリノ−カルボニルアミノ−アセチル；３個迄のハ
ロゲン原子を含むハロ−低級アルカノイル、特にα−ハ
ロ−アセチル例えばα−フルオロ−、α−クロロ−、α
−ブロモ−、α−ヨード−、α，α，α−トリフルオロ
−、α，α，α−トリクロロ−アセチル、又はハロプロ
ピオニル例えばβ−クロロ−もしくはβ−ブロモ−プロ
ピオニル、特にトリフルオロアセチル；（Ｎ−複素環式
基−低級アルキルカルバモイル）−低級アルカノイル
（ここで複素環式基は好ましくはピロリル、フリル、チ
エニル、イミダゾリル、ピラゾリル、オキサゾリル、チ
アゾリル、ピリジル、ピラジニル、ピリミジニル、イン
ドリル、キノリル、イソキノリル、キノキサリニル、β
−カルボリニル及びそれらの基のベンゾ縮合、シクロペ
ンタ−、シクロヘキサ−もしくはシクロヘプタ−縮合誘
導体（これらは完全又は部分的に飽和でありうる）、モ
ルホリニル及びチオモルホリニルより選ばれる）特に２
−（Ｎ−モルホリノ−低級アルキルカルバモイル）−低
級アルカノイル例えば２（Ｒ，Ｓ）−（Ｎ−（２−モル
ホリノエチル）−カルバモイル）−３−メチルブチリ
ル、又は２−（Ｎ−（ピリジル−低級アルキル）−カル
バモイル）−低級アルカノイル例えば２（Ｒ，Ｓ）−
（Ｎ−（２−ピリジルメチル）−カルバモイル）−３−
メチルブチリル；低級アルコキシカルボニル、特にメト
キシ−、エトキシ−、イソプロポキシ−、イソブトキシ
−もしくは第三低級アルコキシ、カルボニル例えばメト
キシカルボニル、第三ブトキシカルボニルもしくはイソ
ブトキシカルボニル；アリール低級アルコキシカルボニ
ル（ここでアリールは好ましくは６〜１４個の炭素原子
を有するフェニル、ビフェニル、１−もしくは２−ナフ
チル、フルオレニル又はフェニルであり、低級アルキル
例えばメチルもしくは第三ブチル、ヒドロキシ、低級ア
ルコキシ例えばメトキシ、エトキシもしくは第三ブトキ
シ、ハロゲン例えば塩素もしくは臭素及び／又はニトロ
によって１又は多置換されている）例えばフェニル−低
級アルコキシカルボニル例えばベンジルオキシカルボニ
ル、４−メトキシベンジルオキシカルボニル、４−ニト
ロベンジルオキシカルボニルもしくはフルオレニル−低
級アルコキシカルボニル、例えば９−フルオレニルメト
キシカルボニル、特にフェニル−低級アルコキシカルボ
ニル例えばベンジルオキシカルボニル；複素環式基−低
級アルコキシカルボニル（ここで複素環式基は好ましく
はピロリル、フリル、チエニル、イミダゾリル、ピラゾ
リル、オキサゾリル、チアゾリル、ピリジル、ピラジニ
ル、ピリミジニル、インドリル、キノリル、イソキノリ
ル、キノキサリニル、β−カルボリニル及びそれらの基
のベンゾ縮合、シクロペンタ−、シクロヘキサ−もしく
はシクロヘプタ−縮合誘導体（これらは完全又は部分的
に飽和でありうる）、モルホリニル及びチオモルホリニ
ルより選ばれ、そして特に低級アルキル例えばメチルに
よって置換されていても置換されていなくてもよい）、
例えば１−メチルピロリジン−２−イルメトキシカルボ
ニル、２−フリルメトキシカルボニル、２−テトラヒド
ロフラニル−低級アルコキシカルボニル例えば２−テト
ラヒドロフリルメトキシカルボニル、１−メチル−２−
ピペリジル−メトキシカルボニルもしくは２−モルホリ
ノエトキシカルボニル、又は２−，３−もしくは４−ピ
リジルメトキシカルボニル、特にテトラヒドロフラニル
−低級アルコキシカルボニル、例えば２（Ｒ，Ｓ）−テ
トラヒドロフラニル−メトキシカルボニル；低級アルキ
ルスルホニル、例えばメチル−もしくはエチルスルホニ
ル例えばメチルスルホニル；複素環式基スルホニル（こ
こで複素環式基は好ましくはピロリル、フリル、チエニ
ル、イミダゾリル、ピラゾリル、オキサゾリル、チアゾ
リル、ピリジル、ピラジニル、ピリミジニル、インドリ
ル、キノリル、イソキノリル、キノキサリニル、β−カ
ルボリニル及びそれらの基のベンゾ縮合、シクロペンタ
−、シクロヘキサ−もしくはシクロヘプター縮合誘導体
（これらは完全又は部分的に飽和でありうる）、モルホ
リニル及びチオモルホリニルより選ばれ、そして特に低
級アルキル例えばメチルによって置換されていても置換
されていなくてもよい）例えばモルホリノスルホニル、
チオモルホリノスルホニル、ピペリジノスルホニル、４
−メチルピペラジニルスルホニルもしくはピペラジノス
ルホニル；置換されていないか又は置換されているＮ−
アルキル−もしくはＮ，Ｎ−ジアルキル−カルバモイル
Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ8 又はＲ9 のもとで定義したＮ−複素環
式基−低級アルキル−Ｎ−低級アルキルカルバモイル
（ここで複素環式基は好ましくはチエニル、フリル、ピ
ラニル、ピロリル、イミダゾリル、ピラゾリル、オキサ
ゾリル、イソオキサゾリル、チアゾリル、フラザニル、
テトラゾリル、ピリジル、ピラジニル、ピリミジニル、
ピリダジニル、アゼピニル、インドリル、ベンズイミダ
ゾリル、１Ｈ−インダゾリル、キノリル、イソキノリ
ル、キノキサリニル、キナゾリニル、シンノリル、プリ
ニル、プテリジニル、ナフチリジニル、４Ｈ−キノリジ
ニル、３，１−ベンゾフラニル、４，１−ベンズオキサ
ジニル、４，１−ベンゾチアジニル、カルバゾリル、β
−カルボリニル、フェナジニル、フェナントリジル、ア
クリジル、フェオキサジニル、フェノチアジニル、１−
アザアセナフチニル、シクロヘキサ〔ｂ〕ピロリル、シ
クロヘプタ〔ｂ〕ピロリル、シクロヘキサ〔ｄ〕ピラゾ
リル、シクロヘキサ〔ｂ〕ピリジル、シクロヘキサ
〔ｂ〕ピラジニル、シクロヘキサ〔ｂ〕ピリミジニル、
シクロヘキサ〔ｂ〕−１，４−オキサジニル、シクロヘ
キサ〔ｂ〕−１，４−チアジニル、ピロリジニル、ピロ
リニル、イミダゾリジニル、２−イミダゾリニル、２，
３−ジヒドロピリジル、ピペリジル、ピペラジニル、
２，３，５，６−テトラヒドロピラジニル、モルホリニ
ル、チオモルホリニル、Ｓ，Ｓ−ジオキソ−チオモルホ
リニル、インドリニル、イソインドリニル、４，５，
６，７−テトラヒドロインドリル、１，２，３，４−テ
トラビドロキノリル、１，２，３，４−テトラヒドロイ
ソキノリル、クロマニル、チオクロマニル、１，２，
３，４−テトラヒドロ−３，１−ベンゾジアジニル、
３，４−ジヒドロ−３Ｈ−４，１−ベンズオキサジニル
もしくは３，４−ジヒドロ−３Ｈ−４，１−ベンゾチア
ジニル、２，３，４，５−テトラヒドロ−１Ｈ−５，１
−ベンザゼピニル及び５，６−ジヒドロフェナントリジ
ニルより選ばれ、上記の複素環式基は低級アルキル例え
ばメチル、フェニル、１−もしくは２−ナフチル、フェ
ニル−低級アルキル例えばベンジル、ヒドロキシ−低級
アルキル例えばヒドロキシメチルもしくは２−ヒドロキ
シエチル、低級アルコキシ−低級アルキル例えばメトキ
シメチルもしくは２−メトキシエチル、フェノキシ−も
しくはナフチルオキシ−低級アルキル例えば２−フェノ
キシエチル、１−もしくは２−ナフチルオキシメチル、
フェニル−低級アルコキシ−もしくはナフチル−低級ア
ルコキシ−低級アルキル例えばベンジルオキシ−低級ア
ルキル、低級アルカノイルオキシ−低級アルキル例えば
アセトメチル、フェニル−もしくはナフチル−低級アル
カノイルオキシ−低級アルキル例えばベンジルオキシ
−、フェニルアセトキシ−又は１−もしくは２−ナフチ
ルオキシ−メチル、−２−エチルもしくは−２−（２，
２−ジメチルエチル）、低級アルコキシカルボニルオキ
シ−低級アルキル例えば第三ブトキシカルボニルオキシ
−低級アルキル、フェニル−、ナフチル−もしくはフル
オレニル−低級アルコキシ−カルボニルオキシ−低級ア
ルキル例えば２−ベンジルオキシカルボニルオキシエチ
ルもしくは９−フルオレニル−メトキシカルボニルオキ
シエチル、アミノ−低級アルキル例えばアミノメチル、
２−アミノエチルもしくは２−アミノプロピル、カルボ
キシ−低級アルキル例えばカルボキシメチルもしくは２
−カルボキシエチル、ヒドロキシ−低級アルコキシ、例
えばメトキシもしくはエトキシ、フェニル−もしくはナ
フチル−低級アルコキシ例えばベンジルオキシ又は１−
もしくは２−ナフチルオキシ、アミノ、低級アルキルア
ミノ例えばメチル−、エチル−もしくは第三ブチル−ア
ミノ、ジ低級アルキルアミノ例えばジメチル−もしくは
ジエチル−アミノ、カルボキシ、低級アルコキシカルボ
ニル例えばメトキシ−、イソプロポキシ−、第二ブトキ
シ−もしくは第三ブトキシ−カルボニル、フェニル−も
しくはナフチル−低級アルコキシカルボニル例えばベン
ジルオキシカルボニル、ハロゲン例えばフッ素、塩素、
臭素もしくはヨウ素、特に塩素もしくは臭素、低級アル
カノイル例えばアセチルもしくはピバロイル、低級アル
キルスルホニル例えばメチル−もしくはエチル−スルホ
ニル、ホスホノ、ヒドロキシ−低級アルコキシ−ホスホ
リルもしくはジアルコキシホスホリル例えばジメトキシ
−もしくはジエトキシ−ホスホリル、カルバモイル、モ
ノ−もしくはジ−低級アルキルカルバモイル例えばＮ−
メチルカルバモイル、Ｎ−ｎ−ブチルカルバモイルもし
くはＮ，Ｎ−ジメチルカルバモイル、ヒドロキシ−もし
くはカルボキシ−低級アルキルカルバモイル例えばヒド
ロキシ−もしくはカルボキシ−メチルカルバモイルもし
くはヒドロキシ−もしくはカルボキシ−エチルカルバモ
イル、スルファモイル、ニトロ、オキソ及び／又はシア
ノによって置換されていないか又は置換されており、特
にピリジル例えば２−，３−もしくは４−ピリジルであ
る）、より特別にはＮ−ピリジル−低級アルキル−Ｎ−
低級アルキルカルバモイル例えばＮ−（２−，３−もし
くは４−ピリジルメチル）−Ｎ−メチルカルバモイル；
あるいはアミノ基が遊離している又はＲ1 及びＲ9 に関
して前記した他の基のうちの１種によりアシル化されて
いるアミノ酸のアシル基（このアミノ酸の基は互いに独
立して、好ましくはアシルＲ1 ，Ｒ2 ，Ｒ8 及びＲ9 と
しての置換されていないか又は置換されているアミノ酸
に関して定義の通りである）、特にＬ配置を有する天然
のα−アミノ酸の基、例えばタンパク質において天然の
α−アミノ酸の基、又はこのようなアミノ酸のエピマ
ー、即ち、天然でないＤ配置を有するか、又はそれらの
Ｄ，Ｌ異性体混合物、このようなアミノ酸の類似体、例
えばアミノ酸の側鎖が１もしくは２個のメチレン基によ
って伸長されたか短くされているもの、アミノ基がβ位
にあるもの、及び／又はメチル基が水素で置き代ってい
るもの、置換されている芳香族アミノ酸（芳香基は６〜
１４個の炭素原子を有する）例えば、置換されているフ
ェニルアラニン又はフェニルグリシン（ここでフェニル
は、低級アルキル例えばメチル、ヒドロキシ、低級アル
コキシ例えばメトキシ、低級アルカノイルオキシ例えば
アセトキシ、アミノ、低級アルキルアミノ例えばメチル
アミノ、ジ−低級アルキルアミノ例えばジメチルアミ
ノ、低級アルカノイルアミノ例えばアセチルアミノもし
くはピバロイルアミノ、低級アルコキシカルボニルアミ
ノ例えば第三ブトキシカルボニルアミノ、アリールメト
キシカルボニルアミノ（ここでアリールは好ましくは６
〜１４個の炭素原子を有する）例えばベンジルオキシカ
ルボニルアミノもしくは９−フルオレニルメトキシカル
ボニルアミノ、ハロゲン例えばフッ素、塩素、臭素もし
くはヨウ素、カルボキシ及び／又はニトロによって１又
は多置換されている）、ベンゾ縮合フェニルアラニンも
しくはフェニルグリシン、例えばナフチルアラニン、又
は水素化フェニルアラニンもしくはフェニルグリシン例
えばシクロヘキシルアラニンもしくはシクロヘキシルグ
リシン、特には以下のアミノ酸、即ち、グリシン（Ｈ−
Ｇｌｙ−ＯＨ）、アラニン（Ｈ−Ａｌａ−ＯＨ）、バリ
ン（Ｈ−Ｖａｌ−ＯＨ）、ノルバリン（α−アミノバレ
リアン酸、ロイシン（Ｈ−Ｌｅｕ−ＯＨ）、イソロイシ
ン（Ｈ−Ｉｌｅ−ＯＨ）、ノルロイシン（α−アミノヘ
キサノン酸、Ｈ−Ｎｌｅ−ＯＨ）、セリン（Ｈ−Ｓｅｒ
−ＯＨ）、ホモセリン（α−アミノ−γ−ヒドロキシ酪
酸）、スレオニン（Ｈ−Ｔｈｒ−ＯＨ）、メチオニン
（Ｈ−Ｍｅｔ−ＯＨ）、システイン（Ｈ−Ｃｙｓ−Ｏ
Ｈ）、プロリン（Ｈ−Ｐｒｏ−ＯＨ）、トランス−３−
及びトランス−４−ヒドロキシプロリン、フェニルアラ
ニン（Ｈ−Ｐｈｅ−ＯＨ）、チロシン（Ｈ−Ｔｙｒ−Ｏ
Ｈ）、４−アミノフェニルアラニン、４−クロロフェニ
ルアラニン、４−カルボキシフェニルアラニン、β−フ
ェニルセリン（β−ヒドロキシフェニルアラニン）、フ
ェニルグリシン、α−ナフチルアラニン（Ｈ−Ｎａｌ−
ＯＨ）、シクロヘキシルアラニン（Ｈ−Ｃｈａ−Ｏ
Ｈ）、シクロヘキシルグリシン、トリプトファン（Ｈ−
Ｔｒｐ−ＯＨ）、インドリン−２−カルボン酸、１，
２，３，４−テトラヒドロイソキノリン−３−カルボン
酸、アスパラギン酸（Ｈ−Ａｓｐ−ＯＨ）、アスパラギ
ン（Ｈ−Ａｓｎ−ＯＨ）、アミノマロン酸、アミノマロ
ン酸モノアミド、グルタミン酸（Ｈ−Ｇｌｕ−ＯＨ）、
グルタミン（Ｈ−Ｇｌｎ−ＯＨ）、ヒスチジン（Ｈ−Ｈ
ｉｓ−ＯＨ）、アルギニン（Ｈ−Ａｒｇ−ＯＨ）、リジ
ン（Ｈ−Ｌｙｓ−ＯＨ）、δ−ヒドロキシリジン、オル
ニチン（α，δ−ジアミノバレリン酸）、３−アミノプ
ロパノン酸、α，γ−ジアミノ酪酸、及びα，β−ジア
ミノプロピオン酸より選ばれるカルボキシ基を介して結
合しているアミノ酸の基、特にバリン、アラニン、ロイ
シン、イソロイシン、グリシン、グルタミン酸及びアス
パラギンより選ばれるアミノ酸の基（ここで上記のアミ
ノ酸（グリシン以外）のそれぞれは、Ｄ−，Ｌ−もしく
は（Ｄ，Ｌ）−型、好ましくは（（Ｄ）−もしくは
（Ｄ，Ｌ）−型でもありうるＶａｌ以外）Ｌ型であって
もよい）〔ここでα−アミノ基は置換されていないか，
又はＲ1 及びＲ9 に関して前記した基のうちの１種、特
に低級アルカノイル、フェニル−低級アルカノイル例え
ばフェニルアセチル、フェニル−低級アルカノイル（こ
こで低級アルカノイル基はカルバモイルによって置換さ
れている）例えば２（Ｒ，Ｓ）−カルバモイル−３−フ
ェニルプロピオニル、モルホリノ−低級アルカノイル例
えばモルホリノカルボニル、チオモルホリノ−低級アル
カノイル例えばチオモルホリノカルボニル、ピリジル−
低級アルカノイル例えば２−，３−もしくは４−ピリジ
ルアセチル、キノリル−低級アルカノイル例えばキノリ
ン−２−カルボニル、テトラゾリル−低級アルカノイル
例えば３−テトラゾル−１−イルプロピオニル、アミノ
−低級アルカノイルであってその窒素原子にてＮ−モル
ホリノ−もしくはＮ−チオモルホリノ−カルボニルによ
って置換されている例えばＮ−モルホリノ−もしくはＮ
−チオモルホリノ−カルボニル−アミノ−低級アルカノ
イル例えばＮ−モルホリノ−もしくはＮ−チオモルホリ
ノ−カルボニルアミノアセチル、ハロ−低級アルカノイ
ルであって３個迄のハロゲン原子を有する例えばα−ハ
ロアセチル例えばα−フルオロ−、α−クロロ−、α−
ブロモ−、α−ヨード−、α，α，α−トリフルオロ−
もしくはα，α，α−トリクロロ−アセチル又はハロプ
ロピオニル例えばβ−クロロ−もしくはβ−ブロモ−プ
ロピオニル、特にトリフルオロアセチル、２−（Ｎ−モ
ルホリノ−低級アルキルカルバモイル）−低級アルカノ
イル例えば２（Ｒ，Ｓ）−（Ｎ−（２−モルホリノエチ
ル）−カルバモイル−３−メチルブチリル、２−（Ｎ−
（ピリジル−低級アルキル）−カルバモイル）−低級ア
ルカノイル例えば２（Ｒ，Ｓ）−（Ｎ−（２−ピリジル
メチル）−カルボニル）−低級アルカノイル、低級アル
コキシカルボニル、フェニル−低級アルコキシカルボニ
ル、テトラヒドロフラニル−低級アルコキシカルボニル
例えば２（Ｒ，Ｓ）−テトラヒドロフラニルメトキシカ
ルボニル、低級アルキルスルホニル、モルホリノスルホ
ニル、チオモルホリノスルホニル、ピペリジノスルホニ
ル、４−メチルピペラジニルスルホニルもしくはピペラ
ジノスルホニル又はＮ−ピリジル−低級アルキル−Ｎ−
低級アルキルカルバモイル例えばＮ−（２−，３−もし
くは４−ピリジルメチル）−Ｎ−メチルカルバモイルに
よりＮ−アシル化されている〕、特に好ましくはＮ−モ
ルホリノカルボニル−グリシン、Ｎ−（Ｎ−（２−，３
−もしくは４−ピリジル）メチル−Ｎ−メチルアミノカ
ルボニル）−グリシン、バリン、Ｎ−（トリフルオロア
セチル）−バリン、Ｎ−フェニルアセチルバリン、Ｎ−
（２−もしくは３−ピリジル）−アセチル−バリン、Ｎ
−アセチル−バリン、Ｎ−（２−カルバモイル−３−フ
ェニル−プロピオニル）−バリン、Ｎ−（２（Ｒ，Ｓ）
−カルバモイル−３−フェニルプロピオニル）−バリ
ン、Ｎ−（２−もしくは３−ピリジル−アセチル）バリ
ン、Ｎ−２−テトラヒドロフリルメトキシカルボニル−
バリン、Ｎ−（３−（テトラゾル−１−イル）、プロピ
オニル）−バリン、Ｎ−（キノリン−２−カルボニル）
−バリン、Ｎ−メトキシカルボニル−バリン、Ｎ−イソ
ブトキシカルボニル−バリン、Ｎ−第三ブトキシカルボ
ニル−バリン、Ｎ−ベンジルオキシカルボニル−バリ
ン、Ｎ−（モルホリノカルボニル）−バリン、Ｎ−（チ
オモルホリノカルボニル）−バリン、Ｎ−（Ｓ，Ｓ−ジ
オキソチオモルホリノカルボニル）−バリン、Ｎ−（Ｎ
−２−ピリジルメチル−Ｎ−メチルアミノカルボニル）
−バリン、Ｎ−モルホリノカルボニルアミノアセチル−
バリン、Ｎ−メチルスルホニル−バリン、Ｎ−アセチル
−イソロイシン、Ｎ−プロピオニル−イソロイシン、Ｎ
（ベンジルオキシカルボニル）−イソロイシン、Ｎ−ベ
ンジルオキシカルボニル−グルタミン酸、アスパラギ
ン、Ｎ−ベンジルオキシカルボニル−アスパラギン又は
キノリン−２−カルボニル−アスパラギン（上記のアミ
ノ酸基は（Ｌ）−もしくは（Ｄ，Ｌ）−型であること、
そしてバリンのケースにおいては（Ｄ）−型であること
が好ましい）であり、ここで基Ｒ1 及びＲ9 のうちの多
くて一方が水素であることを条件とし、Ｒ2 ，Ｒ4 ，Ｒ
6 及びＲ8 は水素であり、Ｒ3 は低級アルキル例えばイ
ソブチルもしくはｎ−ブチル；シクロアルキル−低級ア
ルキルＲ3 ，Ｒ4 及びＲ7 に関して定義したシクロアル
キル−低級アルキル（ここで好ましくはシクロアルキル
は３〜７個の炭素原子を有し、そして低級アルキル例え
ばイソプロピル、ハロ−低級アルキル例えばトリフルオ
ロメチル、ヒドロキシ、低級アルコキシ、カルバモイル
−低級アルコキシ、Ｎ−低級アルキルカルバモイル−低
級アルコキシもしくはＮ，Ｎ−ジ−低級アルキルカルバ
モイル−低級アルコキシ、アミノ、モノ−もしくはジ−
低級アルキルアミノ、ハロゲン例えばフッ素、塩素もし
くは臭素、カルボキシ、低級アルコキシカルボニル、フ
ェニル−、ナフチル−もしくはフルオレニル−低級アル
コキシ−カルボニル、低級アルカノイル、低級アルキル
スルホニル例えばメチルスルホニル、ホスホノ、ヒドロ
キシ−低級アルコキシホスホリルもしくはジ−低級アル
コキシホスホリル、カルバモイル、モノ−もしくはジ−
低級アルキルアミノカルバモイル−スルファモイル、モ
ノ−もしくはジ−低級アルキルスルファモイル、ニトロ
及び／又はシアノによって置換されていないか又は１か
ら３置換されており、好ましくは低級アルキル特にメチ
ル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチ
ル、イソブチルもしくは第三ブチルに末端的に結合して
いる）、例えばシクロブチル−、シクロペンチル−、シ
クロヘキシル−もしくはシクロヘプチル−低級アルキ
ル、例えば−メチルもしくは−エチル、特にシクロヘキ
シル−低級アルキル、最も特にシクロヘキシルメチル；
あるいは好ましくはアリール−低級アルキルＲ3 ，Ｒ4
及びＲ7 のもとで定義したアリール−低級アルキル（こ
こでアリールは６〜１４個の炭素原子を有する例えばフ
ェニル、インデニル、インダニル、ナフチル、アントリ
ル、フェナントリル、アセナフチルもしくはフルオレニ
ルであり、そして置換されていないか又は置換されてい
る、特に低級アルキル例えばメチル、エチルもしくはイ
ソプロピル、ハロ−低級アルキル例えばトリフルオロメ
チル、フェニル、１−もしくは２−ナフチル、ヒドロキ
シ、低級アルコキシ例えばメトキシ、カルバモイル−低
級アルコキシ、Ｎ−低級アルキルカルバモイル−低級ア
ルコキシもしくはＮ，Ｎ−ジ−低級アキルカルバモイル
−低級アルコキシ、アミノ、モノ−もしくはジ−低級ア
ルキルアミノ、低級アルカノイルアミノ例えばピバロイ
ルアミノ、ハロゲン例えばフッ素もしくは塩素、カルボ
キシ、低級アルコキシカルボニル、ベンジル−、ナフチ
ル−もしくはフルオレニル−低級アルコキシカルボニ
ル、低級アルカノイル、スルホ−低級アルキルスルホニ
ル、ホスホノ、ヒドロキシ−低級アルコキシホスホリル
もしくはジ−低級アルコキシホスホリル、カルバモイ
ル、モノ−もしくはジ−低級アルキルカルバモイル、ス
ルファモイル−モノ−もしくはジ−低級アルキルスルフ
ァモイル、ニトロ及び／又はシアノによって１から３置
換されていてよく、ここでフェニルは３個迄存在してい
てよい）例えばジフェニル−、ジベンジル−もしくはト
リフェニル−低級アルキル例えばジフェニル−、ジベン
ジル−もしくはトリフェニル−２−エチル、特にフェニ
ル−低級アルキルであって上記の置換基により置換され
ていないか又は置換されている、特にベンジル−２−フ
ェニルエチル、３−フェニルプロピル、４−フルオロ
−、４−シアノ−、４−メトキシ−もしくは４−ヒドロ
キシ−ベンジル、であり、Ｒ5 はヒドロキシであり、そ
してＲ7 は置換されていないか又は置換されている低級
アルキル、好ましくは置換されていないか又は置換され
ているアルキルＲ3 ，Ｒ4 又はＲ7 で前記した置換され
ていないか又は置換されている、特に低級アルキル、よ
り特別には、イソブチルもくしはｎ−ブチル又はシクロ
アルキル−低級アルキルＲ3 について先に詳細したシク
ロアルキル−低級アルキル、特にシクロヘキシル−低級
アルキル例えばシクロヘキシルメチル又はアリール−低
級アルキルＲ3 について先に詳細したアリール−低級ア
ルキル、特にフェニル−低級アルキルであって前記の置
換基により置換されていないか又は置換されている、例
えばベンジル、２−フェニルエチル、３−フェニルプロ
ピル、４−フルオロ−、４−シアノ−、４−メトキシ−
もしくは４−ヒドロキシ−ベンジルである化合物、又は
塩形成基が存在している塩が好ましい。
【０１５４】前記の式Ｉの化合物のうち、特に、Ｒ1 及
びＲ9 が互いに独立して水素；低級アルカノイル（ここ
で低級アルカノイル基は、カルバモイル又はカルバモイ
ルであって低級アルキル、カルボキシ−低級アルキル、
低級アルコキシカルボニル−低級アルキル、ジ−低級ア
ルキルアミノ−低級アルキル、アミノカルボキシ−低級
アルキル、ヒドロキシ−低級アルキルもしくはジ−低級
アルコキシ−低級アルキルより選ばれる１又は２種の基
により置換されているカルバモイルによって置換されて
いないか又は置換されており、そしてここでアリールは
６〜１４個の炭素原子を有する）；複素環式基−低級ア
ルカノイル（ここで複素環式基は３〜１０個の環原子を
含む、そしてＯ，Ｎ，Ｓ，Ｓｅ及び１もしくは２個の炭
素原子の結合しているＳ（Ｓ＝Ｏ，Ｏ＝Ｓ＝Ｏ）より選
ばれる４個迄のヘテロ原子を含む）；Ｎ−複素環式基−
低級アルキル−カルバモイル−低級アルカノイル；低級
アルコキシカルボニル；アリール−低級アルコキシカル
ボニル（ここでアリールは６〜１４個の炭素原子を含
む）；複素環式基−低級アルコキシカルボニル（ここで
複素環式基はピロリル、フリル、チエニル、イミダゾリ
ル、ピラゾリル、オキサゾリル、チアゾリル、ピリジ
ル、ピラジニル、ピリミジニル、インドリル、キノリ
ル、イソキノリル、キノキサリニル、β−カルボリニル
及びこれらの基のベンゾ縮合、シクロペンタ−、シクロ
ヘキサ−もしくはシクロヘプタ−縮合誘導体（これらは
完全又は部分的に飽和であってよい）より選ばれる）；
低級アルキルスルホニル；Ｎ−（複素環式基−低級アル
キル）−カルバモイル−Ｎ−低級アルキルカルバモイ
ル；又は以下のアミノ酸、即ち、グリシン、アラニン、
バリン、ノルバリン、ロイシン、イソロイシン、ノルロ
イシン、セリン、ホモセリン、スレオニン、メチオニ
ン、システイン、プロリン、トランス−３−及びトラン
ス−４−ヒドロキシプロリン、フェニルアラニン、チロ
シン、４−アミノフェニルアラニン、４−クロロフェニ
ルアラニン、４−カルボキシフェニルアラニン、β−ヒ
ドロキシフェニルアラニン、フェニルグリシン、α−ナ
フチルアラニン、シクロヘキシルアラニン、シクロヘキ
シルグリシン、トリプトファン、アスパラギン酸、アス
パラギン、アミノマロン酸、アミノマロン酸モノアミ
ド、グルタミン酸、グルタミン、ヒスチジン、アルギニ
ン、リジン、δ−ヒドロキシリジン、オルチニン、α，
γ−ジアミノ酪酸、もしくはα，β−ジアミノプロピオ
ン酸より選ばれるカルボキシ基を介して結合しているア
ミノ酸の基（このアミノ酸の基はアミノ酸自体のうちの
１種の基以外の前記の基Ｒ1 又はＲ9 のうちの１種によ
って置換されていないか又は置換されている）であり；
Ｒ2 ，Ｒ4 ，Ｒ6 及びＲ8 は水素であり、Ｒ3 はシクロ
アルキル−低級アルキル（ここでシクロアルキルは３〜
７個の炭素原子を有する）又はアリール−低級アルキル
（ここでアリールは６〜１４個の炭素原子を有する）で
あり、Ｒ5 は水素であり、そしてＲ7 は低級アルキル−
シクロアルキル−低級アルキル（ここでシクロアルキル
は３〜７個の炭素原子を有する）又はアリール−低級ア
ルキル（ここでアリールは６〜１４個の炭素原子を有す
る）である化合物、並びに酸形成基を有するこのような
化合物の塩が好ましい。ここで一般的な表現及び定義
は、好ましくは前段落において好ましく挙げた意味を有
する。
【０１５５】前記に挙げた化合物において、そのＲ1 及
び／又はＲ9 としての置換基がモルホリノスルホニル、
チオモルホリノスルホニル、ピペリジノスルホニル、４
−メチルピペリジニルスルホニルもしくはピペラジノス
ルホニル以外の挙げた全ての意味を有する化合物が更に
好ましい。更に式Ｉの化合物であって、Ｒ1 及びＲ9 は
互いに独立して、 −水素、 −低級アルコキシカルボニル、 −２−ハロ−低級アルコキシカルボニル、 −アリールオキシカルボニル（ここでアリールは６〜１
４個の炭素原子を有する）、 −アリール−低級アルコキシカルボニル（ここでアリー
ルは６〜１４個の炭素原子を有する）、 複素環式基−低級アルコキシカルボニル（ここで複素環
式基はピロリル、フリル、チエニル、イミダゾリル、ピ
ラゾリル、オキサゾリル、チアゾリル、ピリジル、ピラ
ジニル、ピリミジニル、インドリル、キノリル、イソキ
ノリル、キノキサリニル、β−カルボリニル及びこれら
の基のベンゾ縮合、シクロペンタ−、シクロヘキサ−も
しくはシクロヘプタ−縮合誘導体より選ばれ、完全もし
くは部分飽和でありうる）、２−トリ−低級アルキルシ
リル−低級アルコキシカルボニル、２−トリアリールシ
リル−低級アルコキシカルボニル（ここでアリールはフ
ェニル又は１−もしくは２−ナフチルである）、又は以
下のアミノ酸、即ち、グリシン、アラニン、バリン、ノ
ルバリン、ロイシン、イソロイシン、ノルロイシン、セ
リン、ホモセリン、スレオニン、メチオニン、システイ
ン、プロリン、トランス−３−及びトランス−４−ヒド
ロキシプロリン、フェニルアラニン、チロシン、４−ア
ミノフェニルアラニン、４−クロロフェニルアラニン、
４−カルボキシフェニルアラニン、β−ヒドロキシフェ
ニルアラニン、フェニルグリシン、α−ナフチルアラニ
ン、シクロヘキシルアラニン、シクロヘキシルグリシ
ン、トリプトファン、アスパラギン酸、アスパラギン、
アミノマロン酸、アミノマロン酸モノアミド、グルタミ
ン酸、グルタミン、ヒスチジン、アルギニン、リジン、
δ−ヒドロキシリジン、オルチニン、α，γ−ジアミノ
酪酸、及びα，β−ジアミノプロピオン酸より選ばれる
カルボキシ基を介して結合しているアミノ酸の基（これ
らのアミノ酸はＤ−，Ｌ−又は（Ｄ，Ｌ）−型であるこ
とができ、好ましくはＬ−型である）〔ここで、α−ア
ミノ基は、置換されていないか、以下の置換基、即ち、
低級アルキル、アミノ−低級アルキル、フェニル−もし
くはナフチル−アミノ−低級アルキル、又は低級アルキ
ルによってその窒素原子が置換されているピペラジニル
カルボニル−低級アルキルによってモノ−又はジ−Ｎ−
アルキル化されているか、あるいは、低級アルカノイ
ル；アリール低級アルカノイル（ここでアリールはフェ
ニル、インデニル、インダニル、ナフチル、アントリ
ル、フェナントリル、アセナフチル及びフルオレニルよ
り選ばれ、そして低級アルキル、ハロ−低級アルキル、
フェニル、１−もしくは２−ナフチル、ヒドロキシ、低
級アルコキシ、カルバモイル−低級アルコキシ、Ｎ−低
級アルキルカルバモイル−低級アルコキシもしくはＮ，
Ｎ−ジ−低級アルキルカルバモイル−低級アルコキシ、
アミノ、モノ−もしくはジ−低級アルキルアミノ、低級
アルカノイルアミノ、ハロゲン、カルボキシ、低級アル
コキシカルボニル、フェニル−、ナフチル−もしくはフ
ルオレニル−低級アルコキシカルボニル、低級アルカノ
イル、スルホ、低級アルキルスルホニル、ホスホノ、ヒ
ドロキシ−低級アルコキシホスホリルもしくはジ−低級
アルコキシホスホリル、カルバモイル、モノ−もしくは
ジ−低級アルキルカルバモイル、スルファモイル、モノ
−もしくはジ−低級アルキルアミノスルホニル、ニトロ
及び／又はシアノによって置換されていないか又は１か
ら３置換されてよく、ここでフェニルは３個迄存在して
いてもよく、そしてここで低級アルカノイルは、低級ア
ルキル、複素環式基（ここで複素環式基はピロリル、フ
リル、チエニル、イミダゾリル、ピラゾリル、オキサゾ
リル、チアゾリル、ピリジル、ピラジニル、ピリミジニ
ル、インドリル、キノリル、イソキノリル、キノキサリ
ニル、β−カルボリニル及びこれらの基のベンゾ縮合、
シクロペンタ−、シクロヘキサ−もしくはシクロヘプタ
縮合誘導体より選ばれる（これは完全又は部分的に飽和
でありうる））、ヒドロキシ、低級アルコキシ、低級ア
ルカノイルオキシ、アセトアセトキシ、アミノ−もしく
はベンジルオキシカルボニルアミノ−低級アルカノイル
オキシ、アリール−低級アルカノイルオキシ（ここでア
リールは６〜１０個の炭素原子を有する）、低級アルコ
キシカルボニルオキシ、モノ−もしくはジ−低級アルキ
ルアミノカルボニルオキシ、アリールオキシカルボニル
オキシ（ここでアリールは６〜１０個の炭素原子を有す
る）、アリール−低級アルコキシカルボニルオキシ（こ
こでアリールは６〜１４個の炭素原子を有する、スルホ
ニルオキシ、低級アルキルスルホニルオキシ、フェニル
スルホニルオキシ、２−もしくは４−トルエンスルホニ
ルオキシ又は１−もしくは２−ナフチルスルホニルオキ
シ、カルボキシ、エステル化カルボキシ（低級アルコキ
シカルボニル、アリールオキシカルボニル（ここでアリ
ールは６〜１０個の炭素原子を有する）、アリール−低
級アルコキシカルボニル（ここでアリールは６〜１２個
の炭素原子を有する）、低級アルカノイル、低級アルキ
ルスルホニル、ヒドロキシ−低級アルコキシホスホリル
及びジ−低級アルコキシホスホリルより選ばれるも
の）、カルバモイル、カルバモイルであって低級アルキ
ル、カルボキシ−低級アルキル、低級アルコキシカルボ
ニル−低級アルキル、ジ−低級アルキルアミノ−低級ア
ルキル、アミノカルボキシ−低級アルキル、ヒドロキシ
−低級アルキル及びジ−低級アルコキシ−低級アルキル
より選ばれる１もしくは２種の基によって置換されてい
るカルバモイル、カルバモイルであってエチレン、トリ
メチレン、テトラメチレン及びペンタメチレン（これら
の炭素原子は窒素、酸素、硫黄又は酸素によって１もし
くは２置換されている硫黄によって置き代られていても
よく、そして不飽和であってもよい）より選ばれる１種
の基によって置換されているカルバモイル、更にはスル
ファモイル、ホスホノ、ベンゾフラニル、オキソ及び／
又はシアノによって置換されているか又は置換されてい
なく、そして枝分れしているか枝分れしていない）；複
素環式基−低級アルカイル（ここで複素環式基はチエニ
ル−、フリル−、ピラニル−、ピロリル−、イミダゾリ
ル−、ピラゾリル−、オキサゾリル−、イソオキサゾリ
ル−、チアゾリル−、フラザニル−、ピリジル−、ピラ
ジニル−、ピリミジニル−、ピリダジニル−、アゼピニ
ル−、インドリル−、ベンズイミダゾリル−、１Ｈ−イ
ンダゾリル−、キノリル−、イソキノリル−、キノキサ
リニル−、キナゾリニル−、シンノリル−、プリニル
−、プテリジニル−、ナフチリジニル−、４Ｈ−キノリ
ジニル−、３，１−ベンゾフラニル−、ベンズ〔ｅ〕イ
ンドリル−、４，１−ベンズオキサジニル−、４，１−
ベンゾチアジニル−、カルバゾリル−、β−カルボリニ
ル−、フェナジニル−、フェナントリジル−、アクリジ
ル−、フェノキサジニル−、フェノチアジニル−、１−
アザアセナフテニル−、シクロヘキサ〔ｂ〕ピロリル
−、シクロヘプタ〔ｂ〕ピロリル−、シクロヘキサ
〔ｄ〕ピラゾリル−、シクロヘキサ〔ｂ〕ピリジル−、
シクロヘキサ〔ｂ〕ピラジニル−、シクロヘキサ〔ｂ〕
ピリミジニル−、シクロヘキサ〔ｂ〕−１，４−オキサ
ジニル−、シクロヘキサ〔ｂ〕−１，４−チアジニル
−、ピロリジニル−、ピロリニル−、イミダゾリジニル
−、２−イミダゾリニル−、２，３−ジヒドロピリジル
−、ピペリジル−、ピペラジニル−、２，３，５，６−
テトラヒドロピラジニル−、モルホリニル−、チオモル
ホリニル−、Ｓ，Ｓ−ジオキソ−チオモルホリニル−、
インドリニル−、イソインドリニル−、４，５，６，７
−テトラヒドロインドリル−、１，２，３，４−テトラ
ヒドロキノリル−、１，２，３，４−テトラヒドロイソ
キノリル−、クロマン、チオクロマン、１，２，３，４
−テトラヒドロ−３，１−ベンゾジアジニル−、３，４
−ジヒドロ−３Ｈ−４，１−ベンズオキサジニルもしく
は３，４−ジヒドロ−３Ｈ−４，１−ベンゾチアジニル
−、２，３，４，５−テトラヒドロ−１Ｈ−５，１−ベ
ンザゼピニル及び５，６−ジヒドロフェナントリジニル
より選ばれ、上記の複素環式基は低級アルキル例えばメ
チル、フェニル、１−もしくは２−ナフチル、フェニル
−低級アルキル、ヒドロキシ−低級アルキル、低級アル
コキシ−低級アルキル、フェノキシ−もしくはナフチル
オキシ−低級アルキル、フェニル−低級アルコキシ−も
しくはナフチル−低級アルコキシ−低級アルキル、低級
アルカノイルオキシ−低級アルキル、フェニル−もしく
はナフチル−低級アルカノイルオキシ−低級アルキル、
低級アルコキシカルボニルオキシ−低級アルキル、フェ
ニル−、ナフチル−もしくはフルオレニル−低級アルコ
キシ−カルボニルオキシ−低級アルキル、アミノ−低級
アルキル、カルボキシ−低級アルキル、ヒドロキシ、フ
ェニル−もしくはナフチル−低級アルコキシ、アミノ、
低級アルキルアミノ、ジ低級アルキルアミノ、カルボキ
シ、低級アルコキシカルボニル、フェニル−もしくはナ
フチル−低級アルコキシカルボニル、ハロゲン、低級ア
ルカノイル、低級アルキルスルホニル、ホスホノ、ヒド
ロキシ−低級アルコキシ−ホスホリル、ジアルコキシホ
スホリル、カルバモイル、モノ−もしくはジ−低級アル
キルカルバモイル、ヒドロキシ−もしくはカルボキシ−
低級アルキルカルバモイル、スルファモイル、ニトロ、
オキソ及び／又はシアノによって置換されていないか又
は置換されている）；複素環式基−低級アルケノイル
（ここで複素環式基は好ましくはピロリル、フリル、チ
エニル、イミダゾリル、ピラゾリル、オキサゾリル、チ
アゾリル、ピリジル、ピラジニル、ピリミジニル、イン
ドリル、キノリル、イソキノリル、キノキサリニル、β
−カルボリニル及びそれらの基のベンゾ縮合、シクロペ
ンタ−、シクロヘキサ−もしくはシクロヘプタ−縮合誘
導体（これらは完全又は部分的に飽和でありうる）より
選ばれる）；低級アルコキシカルボニル；アリール−低
級アルコキシカルボニル（ここでアリールは６〜１４個
の炭素原子を有する）；複素環式基−低級アルコキシカ
ルボニル（ここで複素環式基は好ましくはピロリル、フ
リル、チエニル、イミダゾリル、ピラゾリル、オキサゾ
リル、チアゾリル、ピリジル、ピラジニル、ピリミジニ
ル、インドリル、キノリル、イソキノリル、キノキサリ
ニル、β−カルボリニル及びそれらの基のベンゾ縮合、
シクロペンタ−、シクロヘキサ−もしくはシクロヘプタ
−縮合誘導体（これらは完全又は部分的に飽和でありう
る）より選ばれる）；カルボキシ−低級アルカノイル；
低級アルコキシカルボニル−低級アルカノイル；ヒドロ
キシ−低級アルコキシ−低級アルカノイル；アミノ−低
級アルカノイル；ベンジルオキシ−カルボニルアミノ−
低級アルカノイル（ここでアミノ基はα−又はβ−位に
おいて結合していない）；カルバモイル；フェニル−低
級アルキルアミノカルボニル；Ｎ−ジ−低級アルキルア
ミノ−低級アルキル−Ｎ−低級アルキルアミノカルボニ
ル；Ｎ−ジヒドロキシ−低級アルキル−Ｎ−低級アルキ
ルアミノカルボニル；２−もしくは３−ピリジル−低級
アルキルアミノカルボニル；Ｎ−２−ピリジル−低級ア
ルキル−Ｎ−低級アルキルアミノカルボニル；スルホニ
ル；低級アルキルスルホニル；アリールスルホニル（こ
こでアリールは６〜１０個の炭素原子を有し、そして低
級アルキルもしくは低級アルコキシによって置換されて
いないか又は置換されている）；複素環式基スルホニル
（ここで複素環式基はピロリル、フリル、チエニル、イ
ミダゾリル、ピラゾリル、オキサゾリル、チアゾリル、
ピリジル、ピラジニル、ピリミジニル、インドリル、キ
ノリル、イソキノリル、キノキサリニル、β−カルボリ
ニル及びこれらの基のベンゾ縮合、シクロペンタ−、シ
クロヘキサ−もしくはシクロヘプタ−縮合誘導体（これ
らは完全又は部分的に飽和であってもよい）；スルファ
モイル；複素環式基−低級アルキル及び／もしくは低級
アルキルにより置換されるスルファモイル（ここで複素
環式基は前記の通り）；によってＮ−アシル化されてい
てもよく、側鎖のカルボキシ基は遊離型において、又は
低級アルキルエステル基として、アリールエステル基と
してもしくはアリール−低級エステル基として（ここで
アリールはフェニル、４−ニトロフェニル、ナフチルも
しくはビフェニルである）エステル型において、又はカ
ルバモイル、低級アルキルカルバモイル、ジ−低級アル
キルアミノカルバモイル、モノ−もしくはジ−（ヒドロ
キシ−低級アルキル）−カルバモイル、モノ−もしくは
ジ−（カルボキシ−低級アルキル）−カルバモイル基と
してアミド化型において存在しており、側鎖のアミノ基
は、遊離型において、又はモノ−もしくはジ−低級アル
キルアミノとしてアルキル型において、又はアルカノイ
ルアミノとして、アミノ−低級アルカノイルアミノとし
て、アリール−低級アルカノイルアミノ（ここでアリー
ルは６〜１４個の炭素原子を有し、そして低級アルキ
ル、ヒドロキシ、低級アルコキシ、カルボキシ、カルバ
モイルもしくはスルファモイルによって置換されていな
いか又は置換されている）として、低級アルコキシカル
ボニルアミノ基として、アリールメトキシカルボニルア
ミノ基（ここでアリールは６〜１４個の炭素原子を有す
る）として、ピペリジル−１−カルボニル、モルホリノ
カルボニル、チオモルホリノカルボニルもしくはＳ，Ｓ
−ジオキソチオモルホリノカルボニルとしてアシル化型
において存在しており、更に／又は側鎖のヒドロキシ基
は遊離の型において、又は低級アルコキシ、アリール低
級アルコキシ、低級アルカノイルオキシもしくは低級ア
ルコキシカルボニルオキシ基としてエーテル化又はエス
テル化型において存在している〕、−低級アルキルスル
ホニル、−２−もしくは３−ピロリル−、２−チエニル
−、２−フリル−、１−ピラゾリル−、２−，３−もし
くは４−ピリジル−、２−，３−もしくは５−インドリ
ル−、（１−メチル−、２−メチル−、５−メトキシ
−、５−ベンジルオキシ−、５−クロロ−もしくは４，
５−ジメチル−インドル−２−イル）−、（１−ベンジ
ルインドル−２−イルもしくは−３−イル）−、（１
−，３−もくしは４−イソキノリルもしくは１−オキソ
−１，２−ジヒドロイソキノル−３−イル）−、３−ピ
ロリジニル−、（３−もしくは４−ヒドロキシピロリジ
ン−２−イル）−、５−オキソピロリジン−２−イル
−、（２−もしくは３−モルホリニル）−、（２−もし
くは３−チオモルホリニル）−、（Ｓ，Ｓ−ジオキソチ
オモルホリン−２−もしくは−３−イル）−、（２−も
しくは３−インドニル）−、１，２，３，４−テトラヒ
ドロキノル−２−，３−もしくは−４−イル）−又は
（１，２，３，４−テトラヒドロイソキノル−１−，−
２−もしくは−３−イル）−メチルスルホニル、−低級
アルキルにより置換されていないか又は１もしくは２置
換されているフェニル−又は１−もしくは２−ナフチル
−スルホニル、−低級アルコキシスルホニル、−ベンジ
ルスルホニル又は１−もしくは２−ナフチルオキシスル
ホニル（ここで基Ｒ1 及びＲ9 のうちの多くて一方が水
素であり、そしてＲ2 及びＲ8 は互いに独立して水素で
あるか又はＲ1 及びＲ9 と同一の基であるか、置換基Ｒ
1 とＲ 9 及びＲ2 とＲ8 のペアーは互いに独立して結合
窒素原子、並びにエチレン、トリメチレン、テトラメチ
レン及びペンタメチレン（これらの炭素原子は窒素、酸
素、硫黄又は酸素によって１もしくは２置換されている
硫黄によって置き代られてよく、そして不飽和でもあり
うる）より選ばれる基と共に複素環を形成していてもよ
い）であり、Ｒ3 は、シクロアルキル−低級アルキル
（ここでシクロアルキルは３〜７個の炭素原子を有し、
そして低級アルキル−ハロ−低級アルキル、ヒドロキ
シ、低級アルコキシ、カルバモイル−低級アルコキシ、
Ｎ−低級アルキルカルバモイル−低級アルコキシもしく
はＮ，Ｎ−ジ−低級アルキルカルバモイル−低級アルコ
キシ、アミノ、モノ−もしくはジ−低級アルキルアミ
ノ、ハロゲン、カルボキシ、低級アルコキシカルボニ
ル、フェニル−、ナフチル−もしくはフルオレニル−低
級アルコキシ−カルボニル、低級アルカノイル、低級ア
ルキルスルホニル、ホスホノ、ヒドロキシ−低級アルコ
キシホスホリルもしくはジ−低級アルコキシホスホリ
ル、カルバモイル、モノ−もしくはジ−低級アルキルア
ミノカルバモイル−スルファモイル、モノ−もしくはジ
−低級アルキルスルファモイル、ニトロ及び／又はシア
ノによって置換されていないか又は１から３置換されて
おり、そして低級アルキルに結合している）あるいは、
−アリール−低級アルキル（ここでアリールはフェニ
ル、インデニル、インダニル、ナフチル、アントリル、
フェナントリル、アセナフチル及びフルオレニルより選
ばれ、そして置換されていないか又は置換されている、
特に低級アルキル、ハロ−低級アルキル、フェニル、１
−もしくは２−ナフチル、ヒドロキシ、低級アルコキ
シ、カルバモイル−低級アルコキシ、Ｎ−低級アルキル
カルバモイル−低級アルコキシもしくはＮ，Ｎ−ジ−低
級アルキルカルバモイル−低級アルコキシ、アミノ、モ
ノ−もしくはジ−低級アルキルアミノ、低級アルカノイ
ルアミノ、ハロゲン、カルボキシ、低級アルコキシカル
ボニル、フェニル−、ナフチル−もしくはフルオレニル
−低級アルコキシカルボニル、低級アルカノイル、スル
ホ−低級アルキルスルホニル、ホスホノ、ヒドロキシ−
低級アルコキシホスホリルもしくはジ−低級アルコキシ
ホスホリル、カルバモイル、モノ−もしくはジ−低級ア
ルキルカルバモイル、スルファモイル、モノ−もしくは
ジ−低級アルキルスルファモイル、ニトロ及び／又はシ
アノによって１から３置換されていてよく、ここでフェ
ニルは３個迄存在してよく、そして低級アルキルは、低
級アルキル、複素環式基（ここで複素環式基はピロリ
ル、フリル、チエニル、イミダゾリル、ピラゾリル、オ
キサゾリル、チアゾリル、ピリジル、ピラジニル、ピリ
ミジニル、インドリル、キノリル、イソキノリル、キノ
キサリニル、β−カルボリニル及びこれらのラジカルの
ベンゾ縮合、シクロペンタ−、シクロヘキサ−もしくは
シクロヘプタ縮合誘導体より選ばれる（これは完全又は
部分的に飽和でありうる））、ヒドロキシ、低級アルコ
キシ、低級アルカノイルオキシ、アセトアセトキシ、ア
ミノ−もしくはベンジルオキシカルボニルアミノ−低級
アルカノイルオキシ、アリール−低級アルカノイルオキ
シ（ここでアリールは６〜１０個の炭素原子を有す
る）、低級アルコキシカルボニルオキシ、モノ−もしく
はジ−低級アルキルアミノカルボニルオキシ、アリール
オキシカルボニルオキシ（ここでアリールは６〜１０個
の炭素原子を有する）、アリール−低級アルコキシカル
ボニルオキシ（ここでアリールは６〜１０個の炭素原子
を有する）、スルホニルオキシ、低級アルキルスルホニ
ルオキシ、フェニルスルホニルオキシ、２−もしくは４
−トルエンスルホニルオキシ又は１−もしくは２−ナフ
チルスルホニルオキシ、アミノ、モノ−もしくはジ−低
級アルキルアミノ、Ｎ−低級アルコキシ−Ｎ−低級アル
キルアミノ、モノ−もしくはジ−（フェニル−もしくは
ナフチル−低級アルキル）−アミノ、低級アルキルアミ
ノ、カルボキシ、エステル化カルボキシ（低級アルコキ
シカルボニル、アリールオキシカルボニル（ここでアリ
ールは６〜１０個の炭素原子を有する）、アリール−低
級アルコキシカルボニル（ここでアリールは６〜１２個
の炭素原子を有する）、低級アルカノイル、低級アルキ
ルスルホニル、ヒドロキシ−低級アルコキシホスホリル
及びジ−低級アルコキシホスホリルより選ばれるも
の）、カルバモイル、カルバモイルであって低級アルキ
ル、カルボキシ−低級アルキル、低級アルコキシカルボ
ニル−低級アルキル、ジ−低級アルキルアミノ−低級ア
ルキル、アミノカルボキシ−低級アルキル、ヒドロキシ
−低級アルキル及びジ−低級アルコキシ−低級アルキル
より選ばれる１もしくは２種の基によって置換されてい
るカルバモイル、カルバモイルであってエチレン、トリ
メチレン、テトラメチレン及びペンタメチレン（これら
の炭素原子は窒素、酸素、硫黄又は酸素によって１もし
くは２置換されている硫黄によって置き代られていても
よく、そして不飽和であってもよい）より選ばれる１種
の基によって置換されているカルバモイル、更にはスル
ファモイル、ホスホノ、ベンゾフラニル、オキソ及び／
又はシアノによって置換されているか又は置換されてい
なく、そして枝分れしているか枝分れしていない）であ
り；Ｒ4 は水素であり、Ｒ5 はヒドロキシであり、そし
てＲ6 は水素であり、又はＲ5 及びＲ6 は共にオキソで
あり、そしてＲ7 は、シクロアルキル−低級アルキル
（ここで、シクロアルキルは３〜７個の炭素原子を有
し、そして低級アルキル−ハロ−低級アルキル、ヒドロ
キシ、低級アルコキシ、カルバモイル−低級アルコキ
シ、Ｎ−低級アルキルカルバモイル−低級アルコキシも
しくはＮ，Ｎ−ジ−低級アルキルカルバモイル−低級ア
ルコキシ、アミノ、モノ−もしくはジ−低級アルキルア
ミノ、ハロゲン、カルボキシ、低級アルコキシカルボニ
ル、フェニル−、ナフチル−もしくはフルオレニル−低
級アルコキシ−カルボニル、低級アルカノイル、低級ア
ルキルスルホニル、ホスホノ、ヒドロキシ−低級アルコ
キシホスホリルもしくはジ−低級アルコキシホスホリ
ル、カルバモイル、モノ−もしくはジ−低級アルキルア
ミノカルバモイル−スルファモイル、モノ−もしくはジ
−低級アルキルスルファモイル、ニトロ及び／又はシア
ノによって置換されていないか又は１から３置換されて
おり、そして低級アルキルに結合している）、 −ビシクロアルキル−低級アルキル（ここでビシクロア
ルキルは５〜１０個の炭素原子を含む）、 −トリシクロアルキル−低級アルキル（ここでトリシク
ロアルキルは８〜１０個の炭素原子を含む）、 −アリール−低級アルキル（ここでアリールはフェニ
ル、インデニル、インダニル、ナフチル、アントリル、
フェナントリル、アセナフチル及びフルオレニルより選
ばれ、そして置換されていないか又は置換されている、
特に低級アルキル、ハロ−低級アルキル、フェニル、１
−もしくは２−ナフチル、ヒドロキシ、低級アルコキ
シ、カルバモイル−低級アルコキシ、Ｎ−低級アルキル
カルバモイル−低級アルコキシもしくはＮ，Ｎ−ジ−低
級アルキルカルバモイル−低級アルコキシ、アミノ、モ
ノ−もしくはジ−低級アルキルアミノ、低級アルカノイ
ルアミノ、ハロゲン、カルボキシ、低級アルコキシカル
ボニル、フェニル−、ナフチル−もしくはフルオレニル
−低級アルコキシカルボニル、低級アルカノイル、スル
ホ、低級アルキルスルホニル、ホスホノ、ヒドロキシ−
低級アルコキシホスホリルもしくはジ−低級アルコキシ
ホスホリル、カルバモイル、モノ−もしくはジ−低級ア
ルキルカルバモイル、スルファモイル、モノ−もしくは
ジ−低級アルキルスルファモイル、ニトロ及び／又はシ
アノによって１から３置換されていてよく、ここでフェ
ニルは３個迄存在してよく、そして低級アルキルは、低
級アルキル、複素環式基（ここで複素環式基はピロリ
ル、フリル、チエニル、イミダゾリル、ピラゾリル、オ
キサゾリル、チアゾリル、ピリジル、ピラジニル、ピリ
ミジニル、インドリル、キノリル、イソキノリル、キノ
キサリニル、β−カルボリニル及びこれらのラジカルの
ベンゾ縮合、シクロペンタ−、シクロヘキサ−もしくは
シクロヘプタ縮合誘導体より選ばれる（これは完全又は
部分的に飽和でありうる））、ヒドロキシ、低級アルコ
キシ、低級アルカノイルオキシ、アセトアセトキシ、ア
ミノ−もしくはベンジルオキシカルボニルアミノ−低級
アルカノイルオキシ、アリール−低級アルカノイルオキ
シ（ここでアリールは６〜１０個の炭素原子を有す
る）、低級アルコキシカルボニルオキシ、モノ−もしく
はジ−低級アルキルアミノカルボニルオキシ、アリール
オキシカルボニルオキシ（ここでアリールは６〜１０個
の炭素原子を有する）、アリール−低級アルコキシカル
ボニルオキシ（ここでアリールは６〜１０個の炭素原子
を有する、スルホニルオキシ、低級アルキルスルホニル
オキシ、フェニルスルホニルオキシ、２−もしくは４−
トルエンスルホニルオキシ又は１−もしくは２−ナフチ
ルスルホニルオキシ、アミノ、モノ−もしくはジ−低級
アルキルアミノ、Ｎ−低級アルコキシ−Ｎ−低級アルキ
ルアミノ、モノ−もしくはジ−（フェニル−もしくはナ
フチル−低級アルキル）−アミノ、低級アルキルアミ
ノ、カルボキシ、エステル化カルボキシ（低級アルコキ
シカルボニル、アリールオキシカルボニル（ここでアリ
ールは６〜１０個の炭素原子を有する）、アリール−低
級アルコキシカルボニル（ここでアリールは６〜１２個
の炭素原子を有する）、低級アルカノイル、低級アルキ
ルスルホニル、ヒドロキシ−低級アルコキシホスホリル
及びジ−低級アルコキシホスホリルより選ばれるも
の）、カルバモイル、カルバモイルであって低級アルキ
ル、カルボキシ−低級アルキル、低級アルコキシカルボ
ニル−低級アルキル、ジ−低級アルキルアミノ−低級ア
ルキル、アミノカルボキシ−低級アルキル、ヒドロキシ
−低級アルキル及びジ−低級アルコキシ−低級アルキル
より選ばれる１もしくは２種の基によって置換されてい
るカルバモイル、カルバモイルであってエチレン、トリ
メチレン、テトラメチレン及びペンタメチレン（これら
の炭素原子は窒素、酸素、硫黄又は酸素によって１もし
くは２置換されている硫黄によって置き代られていても
よく、そして不飽和であってもよい）より選ばれる１種
の基によって置換されているカルバモイル、更にはスル
ファモイル、ホスホノ、ベンゾフラニル、オキソ及び／
又はシアノによって置換されているか又は置換されてい
なく、そして枝分れしているか枝分れしていない）；−
複素環式基−低級アルキル（ここで複素環式基は好まし
くはピロリル、フリル、チエニル、イミダゾリル、ピラ
ゾリル、オキサゾリル、チアゾリル、ピリジル、ピラジ
ニル、ピリミジニル、インドリル、キノリル、イソキノ
リル、キノキサリニル、β−カルボリニル及びこれらの
基のベンゾ−縮合、シクロペンタ−、シクロヘキサ−も
しくはシクロヘプタ−縮合誘導体（これらは完全又は部
分的に飽和でありうる））、例えば４−ピロリジニルメ
チル、１−イミダゾリルメチル、２−ピリジルメチル、
３−ピリジルメチル、キノリン−２−イルメチルもしく
はインドル−２−イルメチル、 −ヒドロキシ−低級アルキル、 −フェノキシ−低級アルキルもしくはニトロフェノキシ
−低級アルキル、 −ナフチルオキシ−低級アルキル、 −低級アルカノイルオキシ−低級アルキル、 −アセトアセトキシ−低級アルキル、 −アリールメルカプト−低級アルキル（ここで、アリー
ルは６〜１０個の炭素原子を有する）、 −アミノ−低級アルキル、 −モノ−もしくはジ−低級アルキルアミノ−低級アルキ
ル、 −フェニル−もしくはナフチル−アミノ−低級アルキ
ル、 −低級アルカノイルアミノ−低級アルキル、 −低級アルキルによって窒素原子にて置換されているピ
ペラジニルカルボニル−低級アルキル、 −低級アルコキシカルボニルアミノ−低級アルキル、 −フェニル−低級アルコキシカルボニルアミノ−低級ア
ルキル、 −アミノカルボニルアミノ−低級アルキル、 −Ｎ−フェニル−低級アルキル−Ｎ−低級アルキルアミ
ノカルボニルアミノ−低級アルキル、 −ハロ−低級アルキル、 −カルボキシ−低級アルキル、 −低級アルコキシカルボニル−低級アルキル、 −２−ハロ−低級アルコキシカルボニル−低級アルキ
ル、 −フェニル−もしくはナフチル−低級アルコキシカルボ
ニル−低級アルキル、 −複素環式基−低級アルコキシカルボニル−低級アルキ
ル （ここで複素環式基は好ましくはピロリル、フリル、チ
エニル、イミダゾリル、ピラゾリル、オキサゾリル、チ
アゾリル、ピリジル、ピラジニル、ピリミジニル、イン
ドリル、キノリル、イソキノリル、キノキサリニル、β
−カルボリニル及びこれらの基のベンゾ−縮合、シクロ
ペンタ−、シクロヘキサ−もしくはシクロヘプタ−縮合
誘導体（これらは完全又は部分的に飽和でありう
る））、 −低級アルキルスルホニル−低級アルキル、 −アリールスルホニル−低級アルキル（ここでアリール
は６〜１０個の炭素原子を有す）、 −カルバモイル−低級アルキル、 −低級アルキルカルバモイル−低級アルキル、 −ジ低級アルキルカルバモイル−低級アルキル、 −ヒドロキシ−低級アルキルカルバモイル−もしくはジ
（ヒドロキシ−低級アルキル）カルバモイル、−低級ア
ルキル、 −Ｎ−低級アルコキシ−低級アルコキシ−低級アルキル
カルバモイル−低級アルキル、 −カルボキシ−低級アルキルカルバモイル−もしくはジ
（カルボキシ−低級アルキル）カルバモイル−低級アル
キル、 −エチレン、トリメチレン、テトラメチレン及びペンタ
メチレン（これらの炭素原子は窒素、酸素、硫黄又は酸
素によって１もしくは２置換されている硫黄によって置
き代っていてよく、更にこれらの基は完全又は部分的に
不飽和であってもよい）から選ばれる１種の基によって
窒素原子にて置換されているカルバモイル−低級アルキ
ル、 −Ｎ−低級アルキル−Ｎ−複素環式基−低級アルキル （ここで複素環式基は好ましくはピロリル、フリル、チ
エニル、イミダゾリル、ピラゾリル、オキサゾリル、チ
アゾリル、ピリジル、ピラジニル、ピリミジニル、イン
ドリル、キノリル、イソキノリル、キノキサリニル、β
−カルボリニル及びこれらの基のベンゾ−縮合、シクロ
ペンタ−、シクロヘキサ−もしくはシクロヘプタ−縮合
誘導体（これらは完全又は部分的に飽和でありう
る））、 −スルファモイル−低級アルキル、 −Ｎ−（フェニル−もしくはナフチル−低級アルキル）
スルファモイル−低級アルキル、 −エチレン、トリメチレン、テトラメチレン及びペンタ
メチレン（これらの炭素原子は窒素、酸素、硫黄又は酸
素によって１もしくは２置換されている硫黄によって置
き代っていてよく、更にこれらの基は完全又は部分的に
不飽和であってもよい）から選ばれる１種の基によって
窒素原子にて置換されているスルファモイル−低級アル
キル、 −オキソ−低級アルキル（ここでオキソはＲ7 を保有す
る窒素原子に結合している炭素原子には結合していな
い）、 −シアノ−低級アルキル、 −ヒドロキシ−カルボキシ−低級アルキル、 −α−ナフチルオキシ−カルボキシ−低級アルキル、 −ヒドロキシ−低級アルコキシカルボニル−低級アルキ
ル、 −α−ナフチルオキシ−低級アルコキシカルボニル−低
級アルキル、 −低級アルキルカルボニル−ハロ−低級アルキル、 −α−ナフチルオキシエトキシカルボニル−低級アルキ
ル、 −α−ナフチルオキシ−ベンジルオキシカルボニル−低
級アルキル、 −エステル化ヒドロキシ−低級アルコキシカルボニル−
低級アルキル（ここでヒドロキシ基は、アルカノイル、
シクロアルキル−低級アルカノイル（ここでシクロアル
キルは３〜７個の炭素原子を有する）、ビシクロアルキ
ル−低級アルカノイル（ここでビシクロアルキルは５〜
１０個の炭素原子を有する）、トリシクロアルキル−低
級アルカノイル（ここでトリシクロアルキルは８〜１０
個の炭素原子を有する）、アリール−低級アルカノイル
（ここでアリールは６〜１４個の炭素原子を有し、そし
て低級アルキル、ヒドロキシ、低級アルコキシ、カルバ
モイル−低級アルコキシ、Ｎ−低級アルキルカルバモイ
ル−低級アルコキシもしくはＮ，Ｎ−ジ−低級アルキル
カルバモイル−低級アルコキシ−アミノ、モノ−もしく
はジ−低級アルキルアミノ、ハロゲン、カルボキシ、低
級アルコキシカルボニル、フェニル−、ナフチル−もし
くはフルオレニル−低級アルコキシカルボニル、低級ア
ルカノイル、低級アルキルスルホニル、ホスホノ、ヒド
ロキシ−低級アルコキシホスホリル、ジ−低級アルコキ
シホスホリル、カルバモイル、スルファモイル、ニトロ
及び／又はシアノによって置換されていなくても１から
３置換されていてもよい）、低級アルコキシカルボニ
ル、２−ハロ−低級アルコキシカルボニル又はフェニル
もしくはフルオレニル−低級アルコキシカルボニルによ
ってエステル化されている）、 −ジヒドロキシ−低級アルコキシカルボニル−低級アル
キル、 −低級アルカノイル、低級アルコキシカルボニル、フェ
ニル−もしくはフルオレニル−低級アルコキシカルボニ
ル、低級アルキルスルホニルもしくはトルエンスルホニ
ルによってエステル化されているジヒドロキシ−低級ア
ルコキシカルボニル−低級アルキル、 −α−ナフチルオキシ−ジ−低級アルキルアミノ−低級
アルキル、 −α−ナフチルオキシ−カルバモイル−低級アルキル、 −α−ナフチルオキシ−オキソ−低級アルキル（オキソ
はＲ7 を保有する窒素原子に結合している炭素原子に結
合していない）あるいは、 −α−ナフチルオキシ−シアノ−低級アルキルである化
合物、並びに塩形成基の存在している上記の化合物の塩
が好ましい。
【０１５６】特に式Ｉの化合物であって、ここでＲ1 及
びＲ9 は互いに独立して、水素；低級アルカノイル例え
ばホルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリルもしく
はピバロイル、特にアセチル；アリール−低級アルカノ
イル（ここでアリールは、フェニル、インデニル、イン
ダニル、ナフチル、アントリル、フェナントリル、アセ
ナフチルもしくはフルオレニルであり、そして低級アル
キル例えばメチル、エチルもしくはプロピル、ハロ低級
アルキル例えばトリフルオロメチル、フェニル、１−も
しくは２−ナフチル、ヒドロキシ、低級アルコキシ例え
ばメトキシ、カルバモイル−低級アルコキシ、Ｎ−低級
アルキルカルバモイル−低級アルコキシもしくはＮ，Ｎ
−ジ−低級アルキルカルバモイル−低級アルコキシ、ア
ミノ、モノ−もしくはジ−低級アルキルアミノ、低級ア
ルカノイルアミノ例えばピバロイルアミノ、ハロゲン例
えばフッ素、塩素もしくは臭素、カルボキシ、低級アル
コキシカルボニル例えば第三ブトキシカルボニル、フェ
ニル−、ナフチル−もしくはフルオレニル−低級アルコ
キシカルボニル例えばベンジルオキシカルボニル、低級
アルカノイル、スルホ、低級アルキルスルホニル例えば
メチルスルホニル、ホスホノ、ヒドロキシ−低級アルコ
キシホスホリルもしくはジ−低級アルコキシホスホリ
ル、カルバモイル、モノ−もしくはジ−低級アルキルカ
ルバモイル、スルファモイル、モノ−もしくはジ−低級
アルキルアミノスルホニル、ニトロ及び／又はシアノに
よって置換されていないか又は１から３置換されていて
もよく、ここでフェニルは３個迄存在してもよく、例え
ばジフェニル−、ジベンジル−もしくはトリフェニル−
低級アルカノイル、例えばジフェニル−、ジベンジル−
もしくはトリフェニル−アセチルである。そしてここで
低級アルカノイルは、カルバモイル、又カルバモイルで
あっては低級アルキル、カルボキシ−低級アルキル、低
級アルコキシカルボニル−低級アルキル、ジ−低級アル
キルアミノ−低級アルキル、アミノカルボキシ−低級ア
ルキル、ヒドロキシ−低級アルキル及びジ−低級アルコ
キシ−低級アルキルより選ばれる１もしくは２種の基に
よって窒素原子にて置換されているカルバモイルによっ
て置換されていないか又は置換されている、例えばカル
バモイル、カルバモイルであってメチル、エチル、プロ
ピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、第二ブ
チル、第三ブチル、ｎ−ペンチル、イソペンチル、ネオ
ペンチル、第三ペンチル、ｎ−ヘキシル、イソヘキシル
及びｎ−ヘプチルより選ばれる１もしくは２種の基によ
って置換されている例えばＮ−メチルカルバモイル、Ｎ
−ｎ−ブチルカルバモイルもしくはＮ，Ｎ−ジメチルカ
ルバモイル、カルボキシメチルカルバモイル（グリシニ
ルカルバモイル）、第三−ブトキシカルボニルメチルカ
ルバモイル、２−ジメチルアミノエチル、５−アミノ−
５−カルボキシペンチル、ヒドロキシメチル、ヒドロキ
シエチル又は２−（２，２−ジメトキシエチル）−カル
バモイルによって置換されていないか又は置換されてい
る）、例えば４−クロロ−、４−メトキシ−もしくは４
−ニトロ−ベンゾイル−ナフチルカルボニル例えばα−
もしくはβ−ナフチルカルボニル、インデニルカルボニ
ル例えば１−、２−もしくは３−インデニルカルボニ
ル、インダニルカルボニル例えば１−もしくは２−イン
ダニルカルボニル、フェナントレニルカルボニル例えば
９−フェナントレニルカルボニル、フェニル−低級アル
カノイル例えばフェニルアセチルもしくは３−フェニル
プロピオニル、α−ナフチルアセチル、β−ナフチルア
セチル、低級アルキルフェニルアセチル例えば４−メチ
ルフェニルアセチル、低級アルコキシ−フェニルアセチ
ル例えば４−メトキシフェニルアセチル、３−フェニル
プロピオニル、３−（ｐ−ヒドロキシフェニル）−プロ
ピオニル、ジフェニルアセチル、ジ−（４−メトキシフ
ェニル）アセチル、トリフェニルアセチル、２，２−ジ
ベンジルアセチル、３−α−もしくは３−β−ナフチル
プロピオニル、フェニル−低級アルカノイル（ここで低
級アルカノイル基はカルバモイルによって置換されてい
る）例えば２（Ｒ，Ｓ）−カルバモイル−３−フェニル
プロピオニル、３−フェニル−もしくは３−α−ナフチ
ル−２−カルバモイルプロピオニル、３−フェニル−も
しくは３−α−ナフチル−２−第三ブチルカルバモイル
プロピオニル、３−フェニル−もしくは３−α−ナフチ
ル−２−（２−ジメチルアミノエチル）カルバモイルプ
ロピオニル、３−α−ナフチル−２−（カルボキシ−も
しくは第三−ブトキシカルボニル）メチルカルバモイル
プロピオニル、３−フェニル−もしくは３−α−ナフチ
ル−２−（３−ヒドロキシ−２−プロピル）カルバモイ
ルプロピオニル、３−フェニル−もしくは３−α−ナフ
チル−２−（２，２−ジメトキシエチル）−カルバモイ
ルプロピオニル、３−フェニル−もしくは３−α−ナフ
チル−２−（５−アミノ−５−カルボキシペンチル）−
カルバモイルプロピオニル、特にフェニル−低級アルカ
ノイル例えばフェニル−アセチル、又はフェニル−低級
アルカノイルであって低級アルカノイル基がカルバモイ
ルによって置換されている例えば２（Ｒ，Ｓ）−カルバ
モイル−３−フェニルプロピオニル；複素環式基−低級
アルカノイル（ここで低級アルカノイルは置換されてい
なく、そして複素環式基は、チエニル、フリル、ピラニ
ル、ピロリル、イミダゾリル、ピラゾリル、オキサゾリ
ル、イソオキサゾリル、チアゾリル、フラザニル、テト
ラゾリル、ピリジル、ピラジニル、ピリミジニル、ピリ
ダジニル、アゼピニル、インドリル、ベンズイミダゾリ
ル、１Ｈ−インダゾリル、キノリル、イソキノリル、キ
ノキサリニル、キナゾリニル、シンノリル、プリニル、
プテリジニル、ナフチリジニル、４Ｈ−キノリジニル、
３，１−ベンゾフラニル、４，１−ベンズオキサジニ
ル、４，１−ベンゾチアジニル、シクロヘキサ〔ｂ〕ピ
ロリル、シクロヘプタ〔ｂ〕ピロリル、シクロヘキサ
〔ｄ〕ピラゾリル、シクロヘキサ〔ｂ〕ピリジル、シク
ロヘキサ〔ｂ〕ピラジニル、シクロヘキサ〔ｂ〕ピリミ
ジニル、シクロヘキサ〔ｂ〕−１，４−オキサジニル、
シクロヘキサ〔ｂ〕−１，４−チアジニル、ピロリジニ
ル、ピロリニル、イミダゾリジル、２−イミダゾリニ
ル、２，３−ジヒドロピリジル、ピペリジル、ピペラジ
ニル、２，３，５，６−テトラヒドロピラジニル、モル
ホリニル、チオモルホリニル、Ｓ，Ｓ−ジオキソ−チオ
モルホリニル、インドリニル、イソインドリニル、４，
５，６，７−テトラヒドロインドリル、１，２，３，４
−テトラヒドロキノリル、１，２，３，４−テトラヒド
ロイソキノリル、クロマニル、チオクロマニル、１，
２，３，４−テトラヒドロ−３，１−ベンゾジアゾニ
ル、３，４−ジヒドロ−３Ｈ−４，１−ベンズオキサジ
ニル及び３，４−ジヒドロ−３Ｈ−４，１−ベンゾチア
ジニルより選ばれ、上記の複素環式基は低級アルキル例
えばメチル、フェニル、１−もしくは２−ナフチル、フ
ェニル−低級アルキル例えばベンジル、ヒドロキシ−低
級アルキル例えばヒドロキシメチルもしくは２−ヒドロ
キシエチル、低級アルコキシ−低級アルキル例えばメト
キシメチルもしくは２−メトキシエチル、フェノキシ−
もしくはナフチルオキシ−低級アルキル例えば２−フェ
ノキシエチル、１−もしくは２−ナフチルオキシメチ
ル、フェニル−低級アルコキシ−もしくはナフチル−低
級アルコキシ−低級アルキル例えばベンジルオキシ−低
級アルキル、低級アルカノイルオキシ−低級アルキル例
えばアセトキシメチル、フェニル−もしくはナフチル−
低級アルカノイルオキシ−低級アルキル例えばベンジル
オキシ−、フェニルアセトキシ−又は１−もしくは２−
ナフチルオキシ−メチル、−２−エチルもしくは−２−
（２，２−ジメチルエチル）、低級アルコキシカルボニ
ルオキシ−低級アルキル例えば第三ブトキシカルボニル
オキシ−低級アルキル、フェニル−、ナフチル−もしく
はフルオレニル−低級アルコキシ−カルボニルオキシ−
低級アルキル例えば２−ベンジルオキシカルボニルオキ
シエチルもしくは９−フルオレニル−メトキシカルボニ
ルオキシエチル、アミノ−低級アルキル例えばアミノメ
チル、２−アミノエチルもしくは２−アミノプロピル、
カルボキシ−低級アルキル例えばカルボキシメチルもし
くは２−カルボキシエチル、ヒドロキシ、低級アルコキ
シ、例えばメトキシもしくはエトキシ、フェニル−もし
くはナフチル−低級アルコキシ例えばベンジルオキシ又
は１−もしくは２−ナフチルオキシ、アミノ、低級アル
キルアミノ例えばメチル−、エチル−もしくは第三ブチ
ル−アミノ、ジ低級アルキルアミノ例えばジメチル−も
しくはジエチル−アミノ、カルボキシ、低級アルコキシ
カルボニル例えばメトキシ−、イソプロポキシ−、第二
ブトキシ−もしくは第三ブトキシ−カルボニル、フェニ
ル−もしくはナフチル−低級アルコキシカルボニル例え
ばベンジルオキシカルボニル、ハロゲン例えばフッ素、
塩素、臭素もしくはヨウ素、特に塩素もしくは臭素、低
級アルカノイル例えばアセチルもしくはピバロイル、低
級アルキルスルホニル例えばメチル−もしくはエチル−
スルホニル、ホスホノ、ヒドロキシ−低級アルコキシ−
ホスホリルもしくはジアルコキシホスホリル例えばジメ
トキシ−もしくはジエトキシ−ホスホリル、カルバモイ
ル、モノ−もしくはジ−低級アルキルカルバモイル例え
ばＮ−メチルカルバモイル、Ｎ−ｎ−ブチルカルバモイ
ルもしくはＮ，Ｎ−ジメチルカルバモイル、ヒドロキシ
−もしくはカルボキシ−低級アルキルカルバモイル、例
えばヒドロキシ−もしくはカルボキシ−メチルカルバモ
イルもしくはヒドロキシ−もしくはカルボキシ−エチル
カルバモイル、スルファモイル、ニトロ、オキソ及び／
又はシアノによって置換されていないか又は置換されて
おり、そしてこの複素環式基−低級アルカノイルは特
に、低級アルキルもしくはフェニルによって置換されて
いないか又は置換されているピロリルカルボニル、例え
ば２−もしくは３−ピロリルカルボニル、４−もしくは
５−メチルピロリルカルボニル又は４−もしくは５−フ
ェニルピロリル−２−カルボニル、チエニルカルボニル
例えば２−チエニルカルボニル、フリルカルボニル例え
ば２−フリルカルボニル、ピリジルカルボニル例えば２
−、３−もしくは４−ピリジルカルボニル、ピリミジン
−１−イルカルボニル、インドリルカルボニルであって
低級アルキル例えばメチル、フェニル−低級アルキル例
えばベンジル、低級アルコキシ例えばメトキシ、フェニ
ル−低級アルコキシ例えばベンジルオキシ又はハロゲン
例えば塩素により置換されていないか又は置換されてい
る、例えば２−、３−もしくは５−インドリルカルボニ
ル、１−メチル−、５−メチル−、５−メトキシ−、５
−ベンジルオキシ−、５−クロロ−もしくは４，５−ジ
メチル−インドリル−２−カルボニル、１−ベンジル−
インドリル−２−もしくは−３−カルボニル、４，５，
６，７−テトラヒドロインドリル−２−カルボニル、置
換されていないか又はヒドロキシ置換されているキノリ
ル−低級アルカイル例えばキノリルカルボニル、例えば
２−、３−もしくは４−キノリルカルボニル又は４−ヒ
ドロキシキノリル−２−カルボニル、置換されていない
か又はヒドロキシ置換されているイソキノリルカルボニ
ル例えば１−、３−もしくは４−イソキノリルカルボニ
ル又は１−オキソ−１，２−ジヒドロイソキノリル−３
−カルボニル、２−キノキサリニルカルボニル、２−
（３，１−ベンゾフラニル）カルボニル、シクロヘプタ
〔ｂ〕−ピロリル−５−カルボニル、３−クロマニルカ
ルボニル、３−チオクロマニルカルボニル、ピロリジニ
ル−３−カルボニル、ヒドロキシピロリジニルカルボニ
ル例えば３−もしくは４−ヒドロキシピロリジニル−２
−カルボニル、オキソピロリジニルカルボニル例えば５
−オキソピロリジニル−２−カルボニル−ピペリジルカ
ルボニル例えばピペリジノカルボニル又は２−、３−も
しくは４−ピペリジルカルボニル、ピラジニルカルボニ
ル例えばピラジン−１−イルカルボニル、ピペラジニル
カルボニル例えばピペラジン−１−イルカルボニル、モ
ルホリニル−低級アルカノイル例えばモルホリニルカル
ボニル例えばモルホリノカルボニル、チオモルホリニル
−低級アルカノイル例えばチオモルホリニルカルボニル
例えばチオモルホリノカルボニル、Ｓ，Ｓ−ジオキソチ
オモルホリニルカルボニル例えばＳ，Ｓ−ジオキソチオ
モルホリノカルボニル、インドリニルカルボニル例えば
２−もしくは３−インドリニルカルボニル、１，２，
３，４−テトラヒドロキノリルカルボニル例えば１，
２，３，４−テトラヒドロキノリル−２−、−３−もし
くは−４−カルボニル、１，２，３，４−テトラヒドロ
イソキノリル−カルボニル例えば１，２，３，４−テト
ラヒドロイソキノリル−１−、−３−もしくは−４−カ
ルボニル又は１−オキソ−１，２，３，４−テトラヒド
ロイソキノリル−３−カルボニル、テトラゾリル−低級
アルカノイル例えば３−（テトラゾル−１−イル）−プ
ロピオニル及びピリジル−低級アルカノイル例えばピリ
ジルアセチル例えば２−、３−もしくは４−ピリジルア
セチルより選ばれ、より特別にはモルホリノ−低級アル
カノイル例えばモルホリノカルボニル、チオモルホリノ
−低級アルカノイル例えばチオモルホリノカルボニル、
ピリジル−低級アルカノイル例えば２−、３−もしくは
４−ピリジルアセチル−キノリニル−低級アルカノイル
例えばキノリン−２−カルボニル及びテトラゾリル−低
級アルカノイル例えば３−テトラゾル−１−イルプロピ
オニルより選ばれる複素環式基−低級アルカノイル；ア
ミノ−低級アルカノイルであってその窒素原子が複素環
式基−低級アルカノイルによって置換されている（ここ
で複素環式基は複素環式基−低級アルカノイルＲ1 及び
Ｒ9 で定義したものである）、特にその窒素原子にてＮ
−モルホリノ−もしくはＮ−チオモルホリノ−カルボニ
ルによって置換されている、より特別にはＮ−モルホリ
ノ−もしくはＮ−チオモルホリノ−カルボニルアミノ−
低級アルカノイル、例えばＮ−モルホリノ−もしくはＮ
−チオモルホリノ−カルボニルアミノ−アセチル；３個
迄のハロゲン原子を含むハロ−低級アルカノイル、特に
α−ハロアセチル例えば２−フルオロ−、α−クロロ
−、α−ブロモ−、α−ヨード−、α，α，α−トリフ
ルオロ−、α，α，α−トリクロロ−アセチル、又はハ
ロプロピオニル例えばβ−クロロ−もしくはβ−ブロモ
−プロピオニル、特にトリフルオロアセチル；（Ｎ−複
素環式基−低級アルキルカルバモイル）−低級アルカノ
イル（ここで複素環式基は好ましくはピロリル、フリ
ル、チエニル、イミダゾリル、ピラゾリル、オキサゾリ
ル、チアゾリル、ピリジル、ピラジニル、ピリミジニ
ル、インドリル、キノリル、イソキノリル、キノキサリ
ニル、β−カルボリニル及びそれらの基のベンゾ縮合、
シクロペンタ−、シクロヘキサ−もしくはシクロヘプタ
−縮合誘導体（これらは完全又は部分的に飽和でありう
る）、モルホリニル及びチオモルホリニルより選ばれ
る）特に２−（Ｎ−モルホリノ−低級アルキルカルバモ
イル）−低級アルカノイル例えば２（Ｒ，Ｓ）−（Ｎ−
（２−モルホリノエチル）−カルバモイル）−３−メチ
ルブチリル、又は２−（Ｎ−（ピリジル−低級アルキ
ル）−カルバモイル）−低級アルカノイル例えば２
（Ｒ，Ｓ）−（Ｎ−（２−ピリジルメチル）−カルバモ
イル）−３−メチルブチリル；低級アルコキシカルボニ
ル、特にメトキシ−、エトキシ−、イソプロポキシ−、
イソブトキシ−もしくは第三低級アルコキシ、カルボニ
ル例えばメトキシカルボニル、第三ブトキシカルボニル
もしくはイソブトキシカルボニル；アリール低級アルコ
キシカルボニル（ここでアリールはフェニル、ビフェニ
ル、１−もしくは２−ナフチル、フルオレニル又はフェ
ニルであり、低級アルキル例えばメチルもしくは第三ブ
チル、ヒドロキシ、低級アルコキシ例えばメトキシ、エ
トキシもしくは第三ブトキシ、ハロゲン例えば塩素もし
くは臭素及び／又はニトロによって１又は多置換されて
いる）例えばフェニル−低級アルコキシカルボニル例え
ばベンジルオキシカルボニル、４−メトキシベンジルオ
キシカルボニル、４−ニトロベンジルオキシカルボニル
もしくはフルオレニル−低級アルコキシカルボニル、例
えば９−フルオレニルメトキシカルボニル、特にフェニ
ル−低級アルコキシカルボニル例えばベンジルオキシカ
ルボニル；複素環式基−低級アルコキシカルボニル（こ
こで複素環式基は好ましくはピロリル、フリル、チエニ
ル、イミダゾリル、ピラゾリル、オキサゾリル、チアゾ
リル、ピリジル、ピラジニル、ピリミジニル、インドリ
ル、キノリル、イソキノリル、キノキサリニル、β−カ
ルボリニル及びそれらの基のベンゾ縮合、シクロペンタ
−、シクロヘキサ−もしくはシクロヘプタ−縮合誘導体
（これらは完全又は部分的に飽和でありうる）、モルホ
リニル及びチオモルホリニルより選ばれ、そして低級ア
ルキル例えばメチルによって置換されていても置換され
ていなくてもよい）、例えば１−メチルピロリジン−２
−イルメトキシカルボニル、２−フリルメトキシカルボ
ニル、２−テトラヒドロフリル−低級メトキシカルボニ
ル、１−メチル−２−ピペリジル−メトキシカルボニル
もしくは２−モルホリノエトキシカルボニル、又は２
−、３−もしくは４−ピリジルメトキシカルボニル、特
にテトラヒドロフラニル−低級アルコキシカルボニル、
例えば２（Ｒ，Ｓ）−テトラヒドロフラニル−メトキシ
カルボニル；低級アルキルスルホニル、例えばメチル−
もしくはエチルスルホニル例えばメチルスルホニル；モ
ルホリノスルホニル、チオモルホリノスルホニル、ピペ
リジノスルホニル、４−メチルピペラジニルスルホニル
もしくはピペラジノスルホニル；Ｎ−複素環式基−低級
アルキル−Ｎ−低級アルキルカルバモイル（ここで複素
環式基は好ましくはチエニル、フリル、ピラニル、ピロ
リル、イミダゾリル、ピラゾリル、オキサゾリル、イソ
オキサゾリル、チアゾリル、フラザニル、テトラゾリ
ル、ピリジル、ピラジニル、ピリミジニル、ピリダジニ
ル、アゼピニル、インドリル、ベンズイミダゾリル、１
Ｈ−インダゾリル、キノリル、イソキノリル、キノキサ
リニル、キナゾリニル、シンノリル、プリニル、プテリ
ジニル、ナフチリジニル、４Ｈ−キノリジニル、３，１
−ベンゾフラニル、４，１−ベンズオキサジニル、４，
１−ベンゾチアジニル、カルバゾリル、β−カルボリニ
ル、フェナジニル、フェナントリジル、アクリジル、フ
ェオキサジニル、フェノチアジニル、１−アザアセナフ
チニル、シクロヘキサ〔ｂ〕ピロリル、シクロヘプタ
〔ｂ〕ピロリル、シクロヘキサ〔ｄ〕ピラゾリル、シク
ロヘキサ〔ｂ〕ピリジル、シクロヘキサ〔ｂ〕ピラジニ
ル、シクロヘキサ〔ｂ〕ピリミジニル、シクロヘキサ
〔ｂ〕−１，４−オキサジニル、シクロヘキサ〔ｂ〕−
１，４−チアジニル、ピロリジニル、ピロリニル、イミ
ダゾリジニル、２−イミダゾリニル、２，３−ジヒドロ
ピリジル、ピペリジル、ピペラジニル、２，３，５，６
−テトラヒドロピラジニル、モルホリニル、チオモルホ
リニル、Ｓ，Ｓ−ジオキソ−チオモルホリニル、インド
リニル、イソインドリニル、４，５，６，７−テトラヒ
ドロインドリル、１，２，３，４−テトラヒドロキノリ
ル、１，２，３，４−テトラヒドロイソキノリル、クロ
マニル、チオクロマニル、１，２，３，４−テトラヒド
ロ−３，１−ベンゾジアゾニル、３，４−ジヒドロ−３
Ｈ−４，１−ベンズオキサジニルもしくは３，４−ジヒ
ドロ−３Ｈ−４，１−ベンゾチアジニル、２，３，４，
５−テトラヒドロ−１Ｈ−５，１−ベンザゼピニル及び
５，６−ジヒドロフェナントリジニルより選ばれ、上記
の複素環式基は低級アルキル例えばメチル、フェニル、
１−もしくは２−ナフチル、フェニル−低級アルキル例
えばベンジル、ヒドロキシ−低級アルキル例えばヒドロ
キシメチルもしくは２−ヒドロキシエチル、低級アルコ
キシ−低級アルキル例えばメトキシメチルもしくは２−
メトキシエチル、フェノキシ−もしくはナフチルオキシ
−低級アルキル例えば２−フェノキシエチル、１−もし
くは２−ナフチルオキシメチル、フェニル−低級アルコ
キシ−もしくはナフチル−低級アルコキシ−低級アルキ
ル例えばベンジルオキシ−低級アルキル、低級アルカノ
イルオキシ−低級アルキル例えばアセトキシメチル、フ
ェニル−もしくはナフチル−低級アルカノイルオキシ−
低級アルキル例えばベンジルオキシ−、フェニルアセト
キシ−又は１−もしくは２−ナフチルオキシ−メチル、
−２−エチルもしくは−２−（２，２−ジメチルエチ
ル）、低級アルコキシカルボニルオキシ−低級アルキル
例えば第三ブトキシカルボニルオキシ−低級アルキル、
フェニル−、ナフチル−もしくはフルオレニル−低級ア
ルコキシ−カルボニルオキシ−低級アルキル例えば２−
ベンジルオキシカルボニルオキシエチルもしくは９−フ
ルオレニル−メトキシカルボニルオキシエチル、アミノ
−低級アルキル例えばアミノメチル、２−アミノエチル
もしくは２−アミノプロピル、カルボキシ−低級アルキ
ル例えばカルボキシメチルもしくは２−カルボキシエチ
ル、ヒドロキシ、低級アルコキシ、例えばメトキシもし
くはエトキシ、フェニル−もしくはナフチル−低級アル
コキシ例えばベンジルオキシ又は１−もしくは２−ナフ
チルオキシ、アミノ、低級アルキルアミノ例えばメチル
−、エチル−もしくは第三ブチル−アミノ、ジ低級アル
キルアミノ例えばジメチル−もしくはジエチル−アミ
ノ、カルボキシ、低級アルコキシカルボニル例えばメト
キシ−、イソプロポキシ−、第二ブトキシ−もしくは第
三ブトキシ−カルボニル、フェニル−もしくはナフチル
−低級アルコキシカルボニル例えばベンジルオキシカル
ボニル、ハロゲン例えばフッ素、塩素、臭素もしくはヨ
ウ素、特に塩素もしくは臭素、低級アルカノイル例えば
アセチルもしくはピバロイル、低級アルキルスルホニル
例えばメチル−もしくはエチル−スルホニル、ホスホ
ノ、ヒドロキシ−低級アルコキシ−ホスホリルもしくは
ジアルコキシホスホリル例えばジメトキシ−もしくはジ
エトキシ−ホスホリル、カルバモイル、モノ−もしくは
ジ−低級アルキルカルバモイル例えばＮ−メチルカルバ
モイル、Ｎ−ｎ−ブチルカルバモイルもしくはＮ，Ｎ−
ジメチルカルバモイル、ヒドロキシ−もしくはカルボキ
シ−低級アルキルカルバモイル例えばヒドロキシ−もし
くはカルボキシ−メチルカルバモイルもしくはヒドロキ
シ−もしくはカルボキシ−エチルカルバモイル、スルフ
ァモイル、ニトロ、オキソ及び／又はシアノによって置
換されていないか又は置換されており、特にピリジル例
えば２−、３−もしくは４−ピリジルである）、より特
別にはＮ−ピリジル−低級アルキル−Ｎ−低級アルキル
カルバモイル例えばＮ−（２−、３−もしくは４−ピリ
ジルメチル）−Ｎ−メチルカルバモイル；あるいはアミ
ノ基が遊離している又はＲ1 及びＲ9 に関して前記した
他の基のうちの１種によりアシル化されているアミノ酸
のアシル基（このアミノ酸はグリシン（Ｈ−Ｇｌｙ−Ｏ
Ｈ）、アラニン（Ｈ−Ａｌａ−ＯＨ）、バリン（Ｈ−Ｖ
ａｌ−ＯＨ）、ノルバリン（α−アミノバレリアン酸、
ロイシン（Ｈ−Ｌｅｕ−ＯＨ）、イソロイシン（Ｈ−Ｉ
ｌｅ−ＯＨ）、ノルロイシン（α−アミノヘキサノン
酸、Ｈ−Ｎｌｅ−ＯＨ）、セリン（Ｈ−Ｓｅｒ−Ｏ
Ｈ）、ホモセリン（α−アミノ−γ−ヒドロキシ酪
酸）、スレオニン（Ｈ−Ｔｈｒ−ＯＨ）、メチオニン
（Ｈ−Ｍｅｔ−ＯＨ）、システイン（Ｈ−Ｃｙｓ−Ｏ
Ｈ）、プロリン（Ｈ−Ｐｒｏ−ＯＨ）、トランス−３−
及びトランス−４−ヒドロキシプロリン、フェニルアラ
ニン（Ｈ−Ｐｈｅ−ＯＨ）、チロシン（Ｈ−Ｔｙｒ−Ｏ
Ｈ）、４−アミノフェニルアラニン、４−クロロフェニ
ルアラニン、４−カルボキシフェニルアラニン、β−フ
ェニルセリン（β−ヒドロキシフェニルアラニン）、フ
ェニルグリシン、α−ナフチルアラニン（Ｈ−Ｎａｌ−
ＯＨ）、シクロヘキシルアラニン（Ｈ−Ｃｈａ−Ｏ
Ｈ）、シクロヘキシルグリシン、トリプトファン（Ｈ−
Ｔｒｐ−ＯＨ）、インドリン−２−カルボン酸、１，
２，３，４−テトラヒドロイソキノリン−３−カルボン
酸、アスパラギン酸（Ｈ−Ａｓｐ−ＯＨ）、アスパラギ
ン（Ｈ−Ａｓｎ−ＯＨ）、アミノマロン酸、アミノマロ
ン酸モノアミド、グルタミン酸（Ｈ−Ｇｌｕ−ＯＨ）、
グルタミン（Ｈ−Ｇｌｎ−ＯＨ）、ヒスチジン（Ｈ−Ｈ
ｉｓ−ＯＨ）、アルギニン（Ｈ−Ａｒｇ−ＯＨ）、リジ
ン（Ｈ−Ｌｙｓ−ＯＨ）、δ−ヒドロキシリジン、オル
ニチン（α，δ−ジアミノバレリン酸）、３−アミノプ
ロパノン酸、α，γ−ジアミノ酪酸、及びα，β−ジア
ミノプロピオン酸より選ばれるアミノ酸のカルボキシ基
を介して結合している基、特にバリン、アラニン、ロイ
シン、イソロイシン、グリシン、グルタミン酸及びアス
パラギンより選ばれるアミノ酸の基である（ここで上記
のアミノ酸（グリシン以外）のそれぞれは、Ｄ−、Ｌ−
もしくは（Ｄ，Ｌ）−型、好ましくは（（Ｄ）−もしく
は（Ｄ，Ｌ）−型でもありうるＶａｌ以外）Ｌ型であっ
てもよい））〔ここでα−アミノ基は置換されていない
か、又はＲ1 及びＲ9 に関して前記した基のうちの１
種、特に低級アルカノイル、フェニル−低級アルカイル
例えばフェニルアセチル、フェニル−低級アルカノイル
（ここで低級アルカノイル基はカルバモイルによって置
換されている）例えば２（Ｒ，Ｓ）−カルバモイル−３
−フェニルプロピオニル、モルホリノ−低級アルカノイ
ル例えばモルホリノカルボニル、チオモルホリノ−低級
アルカノイル例えばチオモルホリノカルボニル、ピリジ
ル−低級アルカノイル例えば２−、３−もしくは４−ピ
リジルアセチル、キノリル−低級アルカノイル例えばキ
ノリン−２−カルボニル、テトラゾリル−低級アルカノ
イル例えば３−テトラゾル−１−イルプロピオニル、ア
ミノ−低級アルカノイルであってその、窒素原子にてＮ
−モルホリノ−もしくはＮ−チオモルホリノ−カルボニ
ルによって置換されている例えばＮ−モルホリノ−もし
くはＮ−チオモルホリノ−カルボニル−アミノ−低級ア
ルカノイル例えばＮ−モルホリノ−もしくはＮ−チオモ
ルホリノ−カルボニルアミノアセチル、３個迄のハロゲ
ン原子を有するハロ−低級アルカノイル例えばα−ハロ
アセチル例えばα−フルオロ−、α−クロロ−、α−ブ
ロモ−、α−ヨード−、α，α，α−トリフルオロ−も
しくはα，α，α−トリクロロ−アセチル又はハロプロ
ピオニル例えばβ−クロロ−もしくはβ−ブロモ−プロ
ピオニル、特にトリフルオロアセチル、２−（Ｎ−モル
ホリノ−低級アルキルカルバモイル）−低級アルカノイ
ル例えば２（Ｒ，Ｓ）−（Ｎ−（２−モルホリノエチ
ル）−カルバモイル−３−メチルブチリル、２−（Ｎ−
（ピリジル−低級アルキル）−カルバモイル）−低級ア
ルカノイル例えば２（Ｒ，Ｓ）−（Ｎ−（２−ピリジル
メチル）−カルバモイル）−低級アルカノイル、低級ア
ルコキシカルボニル、フェニル−低級アルコキシカルボ
ニル、テトラヒドロフラニル−低級アルコキシカルボニ
ル例えば２（Ｒ，Ｓ）−テトラヒドロフラニルメトキシ
カルボニル、低級アルキルスルホニル、又はＮ−ピリジ
ル−低級アルキル−Ｎ−低級アルキルカルバモイル例え
ばＮ−（２−、３−もしくは４−ピリジルメチル）−Ｎ
−メチルカルバモイルによりＮ−アシル化されてい
る〕、特に好ましくはＮ−モルホリノカルボニル−グリ
シン、Ｎ−（Ｎ−（２−、３−もしくは４−ピリジル）
メチル−Ｎ−メチルアミノカルボニル）−グリシン、バ
リン、Ｎ−（トリフルオロアセチル）−バリン、Ｎ−フ
ェニルアセチルバリン、Ｎ−（２−もしくは３−ピリジ
ル）−アセチル−バリン、Ｎ−アセチル−バリン、Ｎ−
（２−カルバモイル−３−フェニル−プロピオニル）−
バリン、Ｎ−（２（Ｒ，Ｓ）−カルバモイル−３−フェ
ニルプロピオニル）−バリン、Ｎ−（２−もしくは３−
ピリジル−アセチル）バリン、Ｎ−２−テトラヒドロフ
リルメトキシカルボニル−バリン、Ｎ−（３−（テトラ
ゾル−１−イル）−プロピオニル）−バリン、Ｎ−（キ
ノリン−２−カルボニル）−バリン、Ｎ−メトキシカル
ボニル−バリン、Ｎ−イソブトキシカルボニル−バリ
ン、Ｎ−第三ブトキシカルボニル−バリン、Ｎ−ベンジ
ルオキシカルボニル−バリン、Ｎ−（モルホリノカルボ
ニル）−バリン、Ｎ−（チオモルホリノカルボニル）−
バリン、Ｎ−（Ｓ，Ｓ−ジオキソチオモルホリノカルボ
ニル）−バリン、Ｎ−（Ｎ−２−ピリジルメチル−Ｎ−
メチルアミノカルボニル）−バリン、Ｎ−モルホリノカ
ルボニルアミノアセチル−バリン、Ｎ−メチルスルホニ
ル−バリン、Ｎ−アセチル−イソロイシン、Ｎ−プロピ
オニル−イソロイシン、Ｎ−（ベンジルオキシカルボニ
ル）−イソロイシン、Ｎ−ベンジルオキシカルボニル−
グルタミン酸、アスパラギン、Ｎ−ベンジルオキシカル
ボニル−アスパラギン及びキノリン−２−カルボニル−
アスパラギンより選ばれるもの（上記のアミノ酸基は
（Ｌ）−もしくは（Ｄ，Ｌ）−型であること、そしてバ
リンのケースにおいては（Ｄ）−型であることが好まし
い）であり、ここで基Ｒ1 及びＲ9 のうちの多くて一方
が水素であることを条件とし、Ｒ2 ，Ｒ4 ，Ｒ6 及びＲ
8 は水素であり、Ｒ3 は低級アルキル例えばイソブチル
もしくはｎ−ブチル；シクロアルキル−低級アルキル
（ここでシクロアルキルは３〜７個の炭素原子を有し、
そして低級アルキル例えばイソプロピルハロ−低級アル
キル例えばトリフルオロメチル、ヒドロキシ、低級アル
コキシ、カルバモイル−低級アルコキシ、Ｎ−低級アル
キルカルバモイル−低級アルコキシもしくはＮ，Ｎ−ジ
−低級アルキルカルバモイル−低級アルコキシ、アミ
ノ、モノ−もしくはジ−低級アルキルアミノ、ハロゲン
例えばフッ素、塩素もしくは臭素、カルボキシ、低級ア
ルコキシカルボニル、フェニル−、ナフチル−もしくは
フルオレニル−低級アルコキシ−カルボニル、低級アル
カノイル、低級アルキルスルホニル例えばメチルスルホ
ニル、ホスホノ、ヒドロキシ−低級アルコキシホスホリ
ルもしくはジ−低級アルコキシホスホリル、カルバモイ
ル、モノ−もしくはジ−低級アルキルアミノカルバモイ
ル、スルファモイル、モノ−もしくはジ−低級アルキル
スルファモイル、ニトロ及び／又はシアノによって置換
されていないか又は１から３置換されており、好ましく
は低級アルキル特にメチル、エチル、ｎ−プロピル、イ
ソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチルもしくは第三ブチ
ルに末端的に結合している）、例えばシクロブチル−、
シクロペンチル−、シクロヘキシル−もしくはシクロヘ
プチル−低級アルキル、例えば−メチルもしくは−エチ
ル、特にシクロヘキシル−低級アルキル、最も特にシク
ロヘキシルメチル；あるいはアリール−低級アルキル
（ここでアリールはフェニル、インデニル、インダニ
ル、ナフチル、アントリル、フェナントリル、アセナフ
チルもしくはフルオレニルであり、そして置換されてい
ないか又は例えば低級アルキル例えばメチル、エチルも
しくはイソプロピル、ハロ−低級アルキル例えばトリフ
ルオロメチル、フェニル、１−もしくは２−ナフチル、
ヒドロキシ、低級アルコキシ例えばメトキシ、カルバモ
イル−低級アルコキシ、Ｎ−低級アルキルカルバモイル
−低級アルコキシもしくはＮ，Ｎ−ジ−低級アルキルカ
ルバモイル−低級アルコキシ、アミノ、モノ−もしくは
ジ−低級アルキルアミノ、低級アルカノイルアミノ例え
ばピバロイルアミノ、ハロゲン例えばフッ素もしくは塩
素、カルボキシ、低級アルコキシカルボニル、ベンジル
−、ナフチル−もしくはフルオレニル−低級アルコキシ
カルボニル、低級アルカノイル、スルホ、低級アルキル
スルホニル、ホスホノ、ヒドロキシ−低級アルコキシホ
スホリルもしくはジ−低級アルコキシホスホリル、カル
バモイル、モノ−もしくはジ−低級アルキルカルバモイ
ル、スルファモイル、モノ−もしくはジ−低級アルキル
スルファモイル、ニトロ及び／又はシアノによって１か
ら３置換されていてよく、ここでフェニルは３個迄存在
していてよい）例えばジフェニル−、ジベンジル−もし
くはトリフェニル−低級アルキル例えばジフェニル−、
ジベンジル−もしくはトリフェニル−２−エチル、特に
フェニル、低級アルキルであって上記の置換基により置
換されていないか又は置換されている、特にベンジル、
４−フルオロ−、４−シアノ−ベンジル、であり、Ｒ5
はヒドロキシであり、そしてＲ7 は置換されていない低
級アルキル、より特別には、イソブチルもしくはｎ−ブ
チル又はシクロアルキル−低級アルキル、特にシクロヘ
キシル−低級アルキル、特にシクロヘキシルメチル又は
アリール−低級アルキルＲ3 について先に詳細したアリ
ール−低級アルキル、特にフェニル−低級アルキルであ
って前記の置換基により置換されていないか又は置換さ
れている、例えばベンジル、４−フルオロ−、４−シア
ノ−ベンジルである化合物、又は塩形成基が存在してい
る塩が好ましい。
【０１５７】特に、式Ｉの化合物であって、ここでＲ1
は、低級アルコキシカルボニル、フェニル−低級アルコ
キシカルボニル；バリン、アラニン、ロイシン及びイソ
ロイシンより選ばれる脂肪族アミノ酸のカルボキシ基を
介して結合している一価の基；又はフェニル−低級アル
カノイル、モルホリニル−低級アルカノイル、チオモル
ホリニル−低級アルカノイル、Ｓ，Ｓ−ジオキソチオモ
ルホリニル−低級アルカノイル、ピリジル−低級アルカ
ノイル、低級アルコキシカルボニル及びフェニル−低級
アルコキシカルボニルのうちの１種の基によって窒素原
子にて前記の通りアシル化されている脂肪族アミノ酸の
カルボキシ基を介して結合している基（上記のアミノ酸
はＤ−、Ｄ，Ｌ−もしくはＬ−型であり、好ましくはＬ
−型である）であり、Ｒ2 は水素であり、Ｒ3 はフェニ
ル−低級アルキルであり、Ｒ4 は水素であり、Ｒ5 はヒ
ドロキシであり、Ｒ7 は低級アルキル、シクロヘキシル
−低級アルキルもしくはフェニル−低級アルキルであ
り、Ｒ8 は水素であり、そしてＲ9 はＲ1 について前記
した基のうちの１種であり、そして基Ｒ3 及びＲ5 を保
有する木斉炭素原子はＳ配置である化合物、並びにこの
ような化合物の薬学的に受け入れられる塩が好ましい。
【０１５８】特に、式Ｉの化合物であって、ここでＲ1
は第三ブトキシカルボニル、ベンジルオキシカルボニ
ル、カルボキシを介して結合しているアミノ酸バリンの
一価の基；又はフェニルアセチル、３−ピリジルアセチ
ル、モルホリノカルボニル、チオモルホリノカルボニ
ル、第三ブトキシカルボニル及びベンジルオキシカルボ
ニルのうちの１種の基によって窒素原子にてアシル化さ
れているアラニンのカルボキシ基を介して結合している
基であり、Ｒ2 は水素であり、Ｒ3 はベンジルであり、
Ｒ4 は水素であり、Ｒ5 はヒドロキシであり、Ｒ6 は水
素であり、Ｒ7 はイソブチル、シクロヘキシルメチルも
しくはベンジルであり、Ｒ8 は水素であり、そしてＲ9
はＲ1 について前記した基のうちの１種であり、そして
基Ｒ3 及びＲ5 を保有する木斉炭素原子はＳ配置である
化合物、並びにこのような化合物の薬学的に受け入れら
れる塩が非常に好ましい。
【０１５９】特に式Ｉで表わせる化合物であって、ここ
でＲ1 及びＲ9 は互いに独立して水素、低級アルカノイ
ル例えばアセチル、フェニル−低級アルカノイル例えば
フェニルアセチル、フェニル−低級アルカノイルであっ
てその低級アルカノイル基がカルバモイルによって置換
されている例えば２（Ｒ，Ｓ）−カルバモイル−３−フ
ェニル−プロピオニル、モルホリノ−低級カルボニル例
えばチオモルホリノ−カルボニル、ピリジル−低級アル
カノイル例えば２−、３−もしくは４−ピリジルアセチ
ル、キノリル−低級アルカノイル例えばキノリン−２−
カルボニル、テトラゾリル−低級アルカノイル例えば３
−テトラゾル−１−イル−プロピオニル、アミノ−低級
アルカノイルであってＮ−モルホリノ−もしくはＮ−チ
オモルホリノ−カルボニルによって窒素原子の置換され
ている例えばＮ−モルホリノ−もしくはＮ−チオモルホ
リノ−カルボニルアミノ−低級アルカノイル例えばＮ−
モルホリノ−もしくはＮ−チオモルホリノカルボニルア
ミノ−アセチル、ハロ−低級アルカノイルであって３個
迄のハロゲン原子を含む例えばトリフルオロアセチル、
２−（Ｎ−モルホリ−低級アルキルカルバモイル）−低
級アルカノイル例えば２（Ｒ，Ｓ）−（Ｎ−（２−モル
ホリノエチル）−カルバモイル−３−メチル−ブチリ
ル、２−（Ｎ−ピリジル−低級アルキル−カルバモイ
ル）−低級アルカノイル例えば２（Ｒ，Ｓ）−（Ｎ−
（２−ピリジルメチル）−カルバモイル）−３−メチル
ブチリル、低級アルコキシカルボニル例えばメトキシ
−、イソブトキシ−もしくは第三低級アルコキシカルボ
ニル、フェニル−低級アルコキシカルボニル例えばベン
ジルオキシカルボニル、テトラヒドロフラニル−低級ア
ルコキシカルボニル例えば２（Ｒ，Ｓ）−テトラヒドロ
フラニル−メトキシカルボニル、低級アルキルスルホニ
ル例えばメチル−もしくはエチル−スルホニル、モルホ
リノスルホニル、チオモルホリノスルホニル、Ｎ−ピリ
ジル−低級アルキル−Ｎ−低級アルキルカルバモイル、
又はグリシン、アラニン、バリン、ロイシン、イソロイ
シン、グルタミン酸及びアスパラギン酸（これらは
（Ｄ）−、（Ｌ−）−もしくは（Ｄ，Ｌ）−型であり、
そのアミノ基は置換されていないか又は前記した他のＲ
1 もしくはＲ2 基によりアシル化されている）より選ば
れるアミノ酸のアシル基、特に好ましくはＮ−モルホリ
ノカルボニル−グリシン、Ｎ−（Ｎ−（２−、３−もし
くは４−ピリジル）メチル−Ｎ−メチルアミノカルボニ
ル）−グリシン、バリン、Ｎ−（トリフルオロアセチ
ル）−バリン、Ｎ−フェニルアセチルバリン、Ｎ−（２
−もしくは３−ピリジル）−アセチル−バリン、Ｎ−ア
セチル−バリン、Ｎ−（２−カルバモイル−３−フェニ
ル−プロピオニル）−バリン、Ｎ−（２（Ｒ，Ｓ）−カ
ルバモイル−３−フェニルプロピオニル）−バリン、Ｎ
−（２−もしくは３−ピリジル−アセチル）バリン、Ｎ
−２−テトラヒドロフリルメトキシカルボニル−バリ
ン、Ｎ−（３−（テトラゾル−１−イル）−ピロピオニ
ル）−バリン、Ｎ−（キノリン−２−カルボニル）−バ
リン、Ｎ−メトキシカルボニル−バリン、Ｎ−イソブト
キシカルボニル−バリン、Ｎ−第三ブトキシカルボニル
−バリン、Ｎ−ベンジルオキシカルボニル−バリン、Ｎ
−（モルホリノカルボニル）−バリン、Ｎ−（チオモル
ホリノカルボニル）−バリン、Ｎ−（Ｓ，Ｓ−ジオキソ
チオモルホリノカルボニル）−バリン、Ｎ−（Ｎ−２−
ピリジルメチル−Ｎ−メチルアミノカルボニル）−バリ
ン、Ｎ−モルホリノカルボニルアミノアセチル−バリ
ン、Ｎ−メチルスルホニル−バリン、Ｎ−アセチル−イ
ソロイシン、Ｎ−プロピオニル−イソロイシン、Ｎ−
（ベンジルオキシカルボニル）−イソロイシン、Ｎ−ベ
ンジルオキシカルボニル−グルタミン酸、アスパラギ
ン、Ｎ−ベンジルオキシカルボニル−アスパラギン及び
キノリン−２−カルボニル−アスパラギンより選ばれる
もの（上記のアミノ酸基は（Ｌ）−もしくは（Ｄ，Ｌ）
−型であること、そしてバリンのケースにおいては
（Ｄ）−型であることが好ましい）であり、ここで２種
の基Ｒ1 及びＲ9 は共に水素でないことを条件とし、Ｒ
2 ，Ｒ4 ，Ｒ6 及びＲ8 は水素であり、Ｒ3 は低級アル
キル例えばｎ−ブチルもしくはイソブチル、シクロヘキ
シル−低級アルキル例えばシクロヘキシルメチル、又は
フェニル−低級アルキルであって置換されていないかハ
ロゲン例えばフッ素、低級アルコキシ例えばメトキシも
しくはシアノによって置換されている、特にベンジル、
４−フルオロベンジルもしくは４−シアノベンジルであ
り、Ｒ5 はヒドロキシであり、そしてＲ7 は低級アルキ
ル；シクロヘキシル−低級アルキル；もしくはフェニル
−低級アルキルであって置換されていないか又はハロゲ
ン例えばフッ素、低級アルコキシ例えばメトキシもしく
はシアノによって置換されている、Ｒ3 について先に定
義したフェニル−低級アルキルである、化合物又は塩形
成基が存在しているそれらの塩が好ましく、そしてＲ1
及び／又はＲ9 がモルホリノスルホニルもしくはチオモ
ルホリノスルホニルでないそのような化合物が更に好ま
しい。
【０１６０】最も好ましいのは実施例において挙げる化
合物及びそれらの塩である。式Ｉの化合物、及び少なく
とも１つの塩形成基を有するこのような化合物の塩は、
周知のプロセスの手段、例えば以下の通り： ａ）次式：
【０１６１】
【化１３】
【０１６２】（式中、基は前記に規定の通り）で表わさ
れるヒドラジン誘導体を、次式：
【０１６３】
【化１４】
【０１６４】（式中、基は前記に規定の通り）で表わさ
れるエポキシドに加え、次いで反応にあずかるもの以外
の遊離官能基を所望により保護された形態とし、次いで
存在している任意の保護基を除去するか、または、
（ｂ）式Ｉの化合物（ここで；Ｒ1 及びＲ9 はアシル；
スルホ；置換されていないかもしくは置換されているア
ルキル、アリール、複素環、置換されていないかもしく
は置換されているアルコキシ又はアリールオキシにより
置換されているスルホニル；置換されていないかもしく
は窒素原子にて置換されているスルファモイル；あるい
は置換されていないかもしくは置換されているアルキ
ル、置換されていないかもしくは置換されているシクロ
アルキル、アリール、ヒドロキシ、置換されていないか
もしくは置換されているアルコキシ、シクロアルコキシ
及びアリールオキシより選ばれる同一又は異なる１種も
しくは２種の基により置換されているホスホリルであ
り、Ｒ2 及びＲ8 は水素、置換されていないか又は置換
されている、アルキル、アルケニルもしくはアルキニル
又は複素環式基であり、そして残る基は規定の通りであ
る）の製造のため、次式：
【０１６５】
【化１５】
【０１６６】（式中、基は前記の通り）で表わされるア
ミノ化合物を次式：
【０１６７】
【化１６】
【０１６８】で表わされる酸又はその反応酸性誘導体
（式中、Ｒ9 は前記の通りである）と縮合せしめ、次い
で反応にあずかるもの以外の遊離官能基を所望により保
護された形にし、次いで存在する任意の保護基を除去す
るか、または、（ｃ）式Ｉの化合物（ここで、Ｒ1 及び
Ｒ9 はアシル；スルホ；置換されていないかもしくは置
換されているアルキル、アリール、複素環式基、置換さ
れていないかもしくは置換されているアルコキシ又はア
リールオキシにより置換されているスルホニル；置換さ
れていないかもしくは窒素原子上で置換されているスル
ファモイル；または置換されているかもしくは置換され
ていないアルキル、置換されていないかもしくは置換さ
れているシクロアルキル、アリール、ヒドロキシ、置換
されていないかもしくは置換されているアルコキシ、シ
クロアルコキシ及びアリールオキシより選ばれる同一又
は異なる１種もしくは２種の基により置換されているホ
スホリルであり、Ｒ2 及びＲ8 は水素、置換されていな
いか又は置換されているアルキル、アルケニルもしくは
アルキニル、又は複素環式基であり、そして残る基は規
定の通りである）の製造のため、次式
【０１６９】
【化１７】
【０１７０】（式中、基は前記の通り）で表わされるア
ミノ化合物を次式：
【０１７１】
【化１８】
【０１７２】で表わされる酸又はその反応酸性誘導体
（式中、Ｒ1 は前記の通りである）と縮合せしめ、次い
で反応にあずかるもの以外の遊離官能基を所望により保
護された形にし、次いで存在している任意の保護基を除
去するか、又は、（ｄ）式Ｉの化合物（式中；Ｒ1 及び
Ｒ9 は同一のラジカルであってアシル；スルホ；置換さ
れていないかもしくは置換されているアルキル、アリー
ル、複素環式基、置換されていないかもしくは置換され
ているアルコキシ又はアリールオキシにより置換されて
いるスルホニル；置換されていないかもしくは窒素原子
上で置換されているスルファモイル；又は置換されてい
るもしくは置換されていないアルキル、置換されていな
いもしくは置換されているシクロアルキル、アリール、
ヒドロキシ、置換されていないもしくは置換されている
アルコキシ、シクロアルコキシ及びアリールオキシより
選ばれる同一又は異なる１種又は２種の基により置換さ
れているホスホリルより選ばれる２個の基であり、Ｒ2
及びＲ8 は水素、置換されていないか又は置換されてい
るアルキル、アルケニルもしくはアルキニル、又は複素
環式基であり、そして残る基は規定の通りである）の製
造のため、次式：
【０１７３】
【化１９】
【０１７４】（式中、基は前記の通りである）で表わさ
れるジアミノ化合物を、同一の基Ｒ1 及びＲ9 を（ここ
でＲ1 及びＲ 9 は前記の通りである）を導入せしめるた
めに適切な酸又はその反応酸性誘導体と縮合せしめ、次
いで反応にあずかるもの以外の遊離官能基を、所望によ
り保護された形にし、次いで存在している任意の保護基
を除去するか、または、（ｅ）式Ｉの化合物の製造のた
め（ここで次式Ｉ′の化合物
【０１７５】
【化２０】
【０１７６】において、基Ｒ7 の代りに、置換されてい
ないか又は置換されているアルキルもしくはシクロアル
キルであるラジカルＲ7 ″が存在している；式中Ｒ7 ′
は水素であり、そして残りの基は前記の通りである）、
該基Ｒ7 ″を、式XII ：
【０１７７】
【化２１】
【０１７８】（式中Ｘは脱離基であり、そしてＲ7 ″は
置換されていないか又は置換されているアルキルもしく
はシクロアルキルである）で表わされる化合物で置換す
ることにより導入せしめ、次いで反応にあずかるもの以
外の遊離官能基を所望により保護された形にし、次いで
存在している任意の保護基を除去するか又は、（ｆ）式
Ｉ（式中、置換基は前記に規定の通りであり、対象の式
Ｉの化合物において少なくとも１つの官能基が保護基に
より保護されていることを条件とする）の化合物におい
て、存在している保護基を除去し、そして所望するなら
ば、少なくとも１種の塩形成基を有する前記のａ）〜
ｆ）の任意の１つのプロセスに従って得られる式Ｉの化
合物を、その塩に変換せしめるか、又は得られる塩を遊
離化合物もしくは異なる塩に変換せしめるか、及び／又
は得られる異性体混合物を分離せしめるか、及び／又は
本発明に係る式Ｉの化合物を本発明に係る異なる式Ｉの
化合物に変換せしめることによって得られる。
【０１７９】上記のプロセスを以下に詳細に説明する： プロセスａ）（エポキシドのアミノ附加）：式III のヒ
ドラジン誘導体に於けるＲ7 の意味に応じて、反応に参
画するアミノ基は、好ましくは少なくとも１個の遊離水
素原子を有し；しかしこれはそれ自身ヒドラジン誘導体
の反応性を増加させるため誘導化されている。
【０１８０】式IVのエポキシドは、特にヒドラジン誘導
体の優先的末端附加せしめるような構造を有する。反応
に参画しない出発物質中の官能基、特にカルボキシ、ア
ミノ、ヒドロキシ、メルカプト及びスルホ基は、適当な
保護基（通常の保護基）により保護され、これはペプチ
ド化合物の合成に於いて、或は又セファロスポリン及び
ペニシリン並びに核酸誘導体及び糖の合成に於いても通
常使用されている。これらの保護基は、既に前記物質中
に存在することが出来更に好ましくない第二の反応、例
えばアシル化、エーテル化、エステル化、酸化、加溶媒
分解等に対して関係する官能基を保護することが意図さ
れている。ある場合には、保護基は更に反応を選択的
に、例えば立体選択的に反応をせしめ得るようにするこ
とも出来る。以下の内容は保護基の特徴である。即ち該
保護基は例えば好ましくない第二の反応なしで、例えば
加溶媒分解、還元、光分解により更に又酵素的に例えば
又生理学的条件下で容易に除去され得る。しかし保護基
に類似した基も又最終生成物に存在することも出来る。
保護された官能基を有する式１の化合物は、高度の代謝
安定性を有し或は又遊離官能基を有する対応する化合物
よりもより良い薬物学的特性を有する。これまでの記載
及び以下の記載に於いて、関連する基が目的生成物に存
在しない場合狭い意味に於ける保護基が言及される。
【０１８１】これらの保護基による官能基の保護、保護
基自身及び保護基の脱離に対する反応は、例えば以下の
標準的の書物に記載されている；例えばJ.F.W.McOmie,
「Protective Groups in Organic Chemistry」,Plenum
プレス、ロンドン及びニューヨーク1973年，Th. W. Gre
ene.「Protective Groups in Organic Synthesis」,Wil
ey ，ニューヨーク1981年，「The Peptides」; 第３巻
（E.Gross 及びJ.Meienhofer編），Academicプレス、ロ
ンドン及びニューヨーク1981年，「Methoden der organ
ischen Chemie 」,Houben-Weyl，第４版，15／Ｉ巻, Ge
org Thieme Verlag, Stuttgart 1974 年, H.-D.Jakubke
及びH.Jescheit. 「Aminosaeuren, Peptide, Proteine
」( 「Amino acide, peptides, Proteins 」), Verlag
Chemie,Weiuheim, Deerfield Beach 及び Basel 1982
年及びJochen Lehmann, 「Chemieder Kohlenhydrate :
Monosaccharide und Derivate」( 「The Chemistry of
Carbohydrates : monosccharide and deriratires」),
Georg Thieme Verlag, Stuttgart 1974年。
【０１８２】カルボキシ基は、例えばエステル基（これ
は温和の条件下で容易に除去される）の形態で保護され
る。エステル化された形で保護されたカルボキシ基は、
特に低級アルキル基（これは好ましくは低級アルキル基
の１位で枝分かれしているか又は低級アルキル基の１又
は２位で適当な置換基により置換されている）によりエ
ステル化されている。
【０１８３】低級アルキル基によりエステル化された保
護カルボキシ基は、例えばメトキシカルボニル又はエト
キシカルボニルである。低級アルキル基（これは該低級
アルキル基の１位で枝分かれしている）によりエステル
化された保護カルボキシ基は、例えば第３低級アルコキ
シカルボニル、例えば第３ブトキシカルボニルである。
【０１８４】低級アルキル基（これは該低級アルキル基
の１又は２位に於いて適当な置換基により置換されてい
る）によりエステル化された保護カルボキシ基は、例え
ば１個又は２個のアリール基を有するアリールメトキシ
カルボニルであり、ここに於いてアリールはフェニルで
ありこれは、未置換であるか又は例えば低級アルキル、
例えば第３低級アルキル、例えば第３ブチル、低級アル
コキシ、例えばメトキシ、ヒドロキシ、ハロゲン、例え
ば塩素及び／又はニトロによりモノー、ジーもしくはト
リ−置換されており、例えばベンジルオキシカルボニ
ル、言及した置換基により置換されたベンジルオキシカ
ルボニル、例えば４−ニトロベンジルオキシカルボニル
又は４−メトキシベンジルオキシカルボニル、ジフェニ
ルメトキシカルボニル又は言及した置換基により置換さ
れたジフェニルメトキシカルボニル、例えばジ（４−メ
トキシフェニル）メトキシカルボニル、或は又低級アル
キル基によりエステル化されたカルボキシ、該低級アル
キル基は１又は２位で適当な置換基により置換されてお
り、例えば１−低級アルコキシ−低級アルコキシカルボ
ニル、例えばメトキシメトキシカルボニル、１−メトキ
シエトキシカルボニル又は１−エトキシエトキシカルボ
ニル、１−低級アルキルチオ−低級アルコキシカルボニ
ル、例えば１−メチルチオメトキシカルボニル又は１−
エチルチオエトキシカルボニル、アロイルメトキシカル
ボニルである、ここに於いてアロイル基は、ベンゾイル
（これは、未置換であるか又は例えばハロゲン、例えば
臭素により置換されている）、例えばフェナシルオキシ
カルボニル、２−ハロ−低級アルコキシカルボニル、例
えば２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル、２−
ブロモエトキシカルボニル又は２−ヨードエトキシカル
ボニル、並びに２−（トリ−置換シリル）−低級アルコ
キシカルボニルであり、ここに於いて置換基は各々互に
独立に脂肪族、芳香脂肪族、環状脂肪族もしくは芳香族
炭化水素基であり、これらの基は未置換であるか又は例
えば低級アルキル、低級アルコキシ、アリール、ハロゲ
ン及び／又はニトロにより置換されており、例えば低級
アルキル、フェニル−低級アルキル、シクロアルキル又
はフェニルであり、これらは各々未置換であるか又は上
記の如く置換されており、例えば２−トリ−低級アルキ
ルシリル−低級アルコキシカルボニル、例えば２−トリ
−低級アルキルシリルエトキシカルボニル、例えば２−
トリメチルシリルエトキシカルボニル又は２−（ジ−ｎ
−ブチル−メチル−シリル）−エトキシカルボニル、又
は２−トリアリルシリルエトキシカルボニル、例えばト
リフェニルシリルエトキシカルボニルである。
【０１８５】カルボキシ基は又、有機シリルオキシカル
ボニル基の形態で保護され得る。有機シリルオキシカル
ボニル基は例えばトリ低級アルキルシリルオキシカルボ
ニル基、例えばトリメチルシリルオキシカルボニルであ
る。シリルオキシカルボニル基のケイ素原子は、又２個
の低級アルキル基、例えばメチル基及びアミノ基又は式
Ｉの第２分子のカルボキシ基により置換され得る。この
ような保護基を有する化合物は、例えばシリル化剤とし
てジメチルクロロシランを用いて調製出来る。
【０１８６】保護されたカルボキシ基は、好ましくは第
３低級アルコキシカルボニル、例えば第３ブトキシカル
ボニル、ベンジルオキシカルボニル、４−ニトロベンジ
ルオキシカルボニル、９−フルオレニルメトキシカルボ
ニル又はジフェニルメトキシカルボニルである。保護さ
れたアミノ基は、アミノ保護基により、例えばアシルア
ミノ、アリールメチルアミノ、エーテル化メルカプトア
ミノ、２−アシル−低級アルク−１−エニルアミノ又は
シリルアミノ基の形態で又はアジド基の形態で保護され
得る。
【０１８７】対応するアシルアミノ基に於いて、アシル
は、例えば１８個までの炭素原子を有する有機カルボン
酸のアシル基であり、該カルボン酸は特に未置換の又は
置換されたハロ−もしくはアリール−置換、低級アルカ
ンカルボン酸又は未置換のもしくは置換された、例えば
ハロ−、低級アルコキシ−もしくはニトロ−置換、安息
香酸であるか又は好ましくは、カルボン酸半−エステル
のアシル基である。このようなアシル基は、例えば、低
級アルカノイル、例えばホルミル、アセチル、プロピオ
ニル又はピバロイル、ハロ−低級アルカノイル、例えば
２−ハロアセチル、例えば２−クロロ−２−ブロモー、
２−ヨード−、２，２，２−トリフルオロ−又は２，
２，２−トリクロロ−アセチル、未置換又は置換され
た、例えばハロ−、低級アルコキシ−もしくはニトロ−
置換された、ベンゾイル、例えばベンゾイル、４−クロ
ロベンゾイル、４−メトキシベンゾイル又は４−ニトロ
ベンゾイル、低級アルコキシカルボニル、好ましくは低
級アルコキシカルボニルであり、これは該低級アルキル
基の１位に於いて枝分かれしており、１又は２位に於い
て適当に置換されており、例えば第３低級アルコキシカ
ルボニル、例えば第３ブトキシカルボニル、１個、２個
又は３個のアリール基を有するアリールメトキシカルボ
ニル、該基は、未置換フェニルであるか又は、低級アル
キル特に第３低級アルキル、例えば第３ブチル、低級ア
ルコキシ、例えばメトキシ、ヒドロキシ、ハロゲン、例
えば塩素、及び／又はニトロによりモノ−、もしくはポ
リ−置換されたフェニルであり、例えばベンジルオキシ
カルボニル、４−ニトロベンジルオキシカルボニル、ジ
フェニルメトキシカルボニル、９−フルオレニルメトキ
シカルボニル又はジ（４−メトキシフェニル）メトキシ
カルボニルであり、アロイルメトキシカルボニル（ここ
に於いてアロイル基は好ましくは未置換ベンゾイルであ
るか又は、ハロゲン、例えば臭素により置換されたベン
ゾイルであり、例えばフェナシルオキシカルボニル、２
−ハロ−低級アルコキシカルボニル、例えば２，２，２
−トリクロロエトキシカルボニル、２−ブロモエトキシ
カルボニル又は２−ヨードエトキシカルボニル、２−
（トリ−置換シリル）−低級アルコキシカルボニル、例
えば２−トリ−低級アルキルシリル−低級アルコキシカ
ルボニル、例えば２−トリメチルシリルエトキシカルボ
ニル又は２−（ジ−ｎ−ブチル−メチル−シリル）−エ
トキシカルボニル、又はトリアリールシリル−低級アル
コキシカルボニル、例えば２−トリフェニルシリルエト
キシカルボニルである。
【０１８８】アリールメチルアミノ基（これは、例え
ば、モノ−、ジ−もしくは特にトリ−アリールメチルア
ミノ基である）に於いて、アリール基は特に未置換もし
くは置換されたフェニルである。このような基は例えば
ベンジル−、ジフェニルメチル−もしくは特にトリチル
アミノである。エーテル化メルカプトアミノ基に於い
て、メルカプト基は特に置換されたアリールチオもしく
はアリール−低級アルキルチオの形態で存在し、ここに
於いてアリールは例えば未置換フェニルであるか又は例
えば低級アルキル、例えばメチル又は第３ブチル、低級
アルコキシ、例えばメトキシ、ハロゲン、例えば塩素、
及び／又はニトロにより置換されたフェニルであり、例
えば４−ニトロフェニルチオである。
【０１８９】アミノ保護基として使用出来る２−アシル
−低級アルク−１−エニル基に於いて、アシルは、例え
ば低級アルカンカルボン酸の対応する基、安息香酸（こ
れは未置換であるか又は、低級アルキル、例えばメチル
又は第３ブチル、低級アルコキシ、例えばメトキシ、ハ
ロゲン、例えば塩素、及び／又はニトロにより置換され
ている）の対応する基、又は特にカルボン酸半−エステ
ル、例えばカルボン酸低級アルキル半−エステルの対応
する基である。対応する保護基は、特に１−低級アルカ
ノイル−低級アルク−１−エン−２−イル、例えば１−
低級アルカノイルプロプ−１−エン−２−イル、例えば
１−アセチルポルプ−１−エン−２−イル、又は低級ア
ルコキシカルボニル−低級アルク−１−エン−２−イ
ル、例えば低級アルコキシカルボニル−プロプ−１−エ
ン−２−イル、例えば１−エトキシカルボニルプロプ−
１−エン−２−イルである。
【０１９０】シリルアミノ基は、例えば、トリ−低級ア
ルキルシリルアミノ基、例えばトリメチルシリルアミノ
又は第３ブチル−ジメチルシリルアミノである。シリル
アミノ基のケイ素原子は又、僅か２個の低級アルキル
基、例えばメチル基、及び式Ｉの第２分子のアミノ基又
はカルボキシ基により置換されていてもよい。このよう
な保護基を有する化合物は例えばシリル化剤として対応
するクロロシラン、例えばジメチルクロロシランを用い
て調製出来る。
【０１９１】アミノ基は又プロトン化した形態に変換す
ることにより保護されることも出来；適当な対応するア
ニオンは、特に強無機酸、例えば硫酸、リン酸又はハロ
ゲン化水素酸のアニオンであり、例えば塩素もくしは臭
素アニオン又は有機スルホン酸、例えばｐ−トルエンス
ルホン酸のアニオンである。好ましいアミノ保護基は、
低級アルコキシカルボニル、フェニル−低級アルコキシ
カルボニル、フルオレニル−低級アルコキシカルボニ
ル、２−低級アルカノイル−低級アルク−１−エン−２
−イル及び低級アルコキシカルボニル−低級アルク−１
−エン−２−イルである。
【０１９２】ヒドロキシ基は、例えばアシル基により、
例えばハロゲン、例えば塩素により置換された低級アル
カノイル、例えば２，２−ジクロロアセチル、又は特に
保護されたアミノ基に対し言及したカルボン酸半−エス
テルのアシル基により保護され得る。好ましいヒドロキ
シ基保護基は、例えば２，２，２−トリクロロエトキシ
カルボニル、４−ニトロベンジルオキシカルボニル、ジ
フェニルメトキシカルボニル又はトリチルである。ヒド
ロキシ基は又トリ−低級アルキルシリル、例えばトリメ
チルシリル、トリイソプロピルシリル又は第３ブチル−
ジメチルシリル、容易に除去可能なエーテル化基、例え
ばアルキル基、例えば第３低級アルキル、例えば第３ブ
チル、サキサ−もしくはチア−脂肪族もしくは−シクロ
−脂肪族、特に２−オキサ−もしくは２−チア−脂肪族
もしくは−脂環式、炭化水素基、例えば１−低級アルコ
キシ−低級アルキル又は１−低級アルキルチオ−低級ア
ルキル、例えばメトキシメチル、１−メトキシエチル、
１−エトキシエチル、メチルチオメチル、１−メチルチ
オエチル、又は１−エチルチオエチル、又は２−オキサ
−もしくは２−チア−シクロアルキル、（これは５−７
輪環を有する）、例えば２−テトラヒドロフリルもしく
は２−テトラヒドロピラニル、又は対応するチア同族体
により保護されることが出来、更に又１−フェニル−低
級アルキル、例えばベンジル、ジフェニルメチル、又は
トリチルにより保護されることが出来、ここに於いてフ
ェニル基は、例えば、ハロゲン、例えば塩素、低級アル
コキシ、例えばメトキシ、及び／又はニトロにより置換
され得る。
【０１９３】分子内に存在する２個のヒドロキシ基、特
に隣接するヒドロキシ基又は互に隣接する１個のヒドロ
キシ基と１個のアミノ基は、例えば以下のヒドロキシ基
により保護されることが出来る、例えばメチレン基によ
り保護され、この基は好ましくは例えば１個又は２個の
低級アルキル基又はオキソにより置換され、例えば未置
換であるか又は置換アルキリデン、例えば低級アルキリ
デン、例えばイソプロピリデン、シクロアルキリデン、
例えばシクロヘキシリデン、カルボニル基又はベンジリ
デン基により置換されている。
【０１９４】例えばシステイン中のメルカプト基は、未
置換もしくは置換されたアルキル基を用いたＳ−アルキ
ル化により、シリル化により、チオアセタル形成によ
り、Ｓ−アシル化により又は不整ジスルフィド結合の形
成により保護され得る。好ましいメルカプト保護基は、
例えばベンジル（これは未置換であるか又はフェニル基
内に於いて、例えばメトキシもしくはニトロにより置換
されている）、例えば４−メトキシベンジル、ジフェニ
ルメチル（これは未置換であるか又はフェニル基内で、
例えばメトキシにより置換されている、例えばジ−（４
−メトキシフェニル）−メチル、トリフェニルメチル、
ピリジルジフェニルメチル、トリメチルシリル、ベンジ
ルチオメチル、テトラヒドロピラニル、アシルアミノメ
チル、例えばアセトアミドメチル、イソブチリルアセト
アミドメチル又は２−クロロアセトアミドメチル、ベン
ゾイル、ベンジルオキシカルボニル又はアルキル−、特
に低級アルキル−アミノカルボニル、例えばエチルアミ
ノカルボニル、並びに低級アルキルチオ、例えばＳ−エ
チルチオもしくはＳ−第３ブチルチオ、又はＳ−スルホ
である。
【０１９５】スルホ基は、例えば低級アルキル、例えば
メチルもしくはエチルにより、フェニルにより又はスル
ホアミドの形態で、例えばイミダゾリドの形態で保護さ
れ得る。この出願発明に於いて、保護基、例えばカルボ
キシ保護基は、重合性担体をも表わすものとして理解さ
れるべきであり、この担体は容易に除去出来る方法で官
能性基、例えば保護されるべきカルボキシ基に結合して
おり、例えばメリフィールド合成に対する適当な担体を
も意味するものと理解されるべきである。このような適
当な重合性担体の例は、ジビニルベンゼンを用いた共重
合により弱く架橋されたポリスチレン樹脂であり、この
樹脂は可逆的結合に対し適当な架橋員を有する。
【０１９６】式IVのエポキシドに対する式III の化合物
の附加は、好ましくはエポキシドに対する求核試薬の附
加に対する通常の反応条件のもとで行なわれる。附加
は、特に水性溶液中及び／又は極性溶媒、例えばアルコ
ール、例えばメタノール、エタノール又はエチレングリ
コール、エーテル、例えばジオキサン、アミド、例えば
ジメチルホルムアミド又はフェノール類、例えばフェノ
ール、更に又無水条件下、非極性溶媒、例えばベンゼン
及びトルエン中、又はベンゼン／水エマルジョン中、適
当な場合には酸もしくは塩基触媒の存在下、例えばヒド
ロキシド溶液、例えば水酸化ナトリウム溶液中、又はヒ
ドラジンでドープされた固相触媒の存在下、例えばアル
ミニウム酸化物の存在中、エーテル類、例えばジエチル
エーテル中、一般に約０℃〜対象の反応混合物の温度
で、好ましくは２０°〜１３０℃で、適当な場合には還
流条件下、加圧条件で、例えばボンベ中で行なわれ、こ
れは沸点温度を超えることも可能であり、更に及び／又
は不活性ガス中、例えば窒素又はアルゴン中で行なわ
れ、式III 及び式IVの二種の化合物の各々は過剰で、例
えばモル比１：１〜１：１００の割合で、好ましくは
１：１〜１：１０のモル比で、特に１：１〜１：３の割
合で存在することが出来る。
【０１９７】保護基の解除は、プロセスｆ）（保護基の
除去）のもとで記載した方法により適当に行なわれる。 プロセスｂ）（アミド結合の形成） 式Ｖ及び式VIの出発物質に於いて、反応に参画すること
が意図されているか又は反応条件下で反応しない基を除
き、官能基は、互に独立にプロセスａ）のもとで言及し
た保護基の一種により保護される。
【０１９８】式VIの化合物は、遊離カルボキシ、スルホ
もくしはホスホリル基又はこれらの反応性酸誘導体、例
えば誘導された活性化エステルもしくは反応性無水物更
に又反応性環状アミドを含有する。反応性酸誘導体は又
その場で形成することも出来る。末端カルボキシ基を有
する式VIの化合物の活性化エステルは、特にエステル化
基の結合炭素原子に於いて不飽和のエステルであり例え
ばビニルエステルタイプの例であり、例えばビニルエス
テル（例えば、対応するエステルを酢酸ビニルでエステ
ル交換することにより得ることが出来；活性化ビニルエ
ステル法）、カルバモイルエステル（例えば対応する酸
をイソキサゾリウム試剤で処理することにより得ること
が出来る；１，２−オキサゾリウムもしくはウッドワー
ド法）、１−低級アルコキシビニルエステル（例えば対
応する酸を低級アルコキシアセチレンにより処理するこ
とにより得られる；エトキシアセチレン法）、又はアミ
ドタイプのエステル、例えばＮ，Ｎ′−ジ置換アミジノ
エステル（例えば対応する酸を適当なＮ，Ｎ′−ジ置換
カルボジイミド、例えばＮ，Ｎ′−ジシクロヘキシルカ
ルボジイミドを用いて処理することにより得られる；カ
ルボジイミド法）、又はＮ，Ｎ−ジ置換アミジノエステ
ル（例えば、対応する酸をＮ，Ｎ−ジ置換シアナミドを
用いて処理することにより得られる；シアナミド法）、
適当なアリールエステル、特に電子吸引性置換基により
適当に置換されたフェニルエステル（例えば対応する酸
を適当に置換されたフェニル例えば４−ニトロフェノー
ル、４−メチルスルホニルフェノール、２，４，５−ト
リクロロフェノール、２，３，４，５，６−ペンタクロ
ロフェノール又は４−フェニルジアゾフェノールを用
い、縮合剤、例えばＮ，Ｎ′−ジシクロヘキシルカルボ
ジイミドの存在下で処理することにより得られる；活性
化アリールエステル法）、シアノメチルエステル（例え
ば対応する酸をクロロアセトニトリルを用い、塩基の存
在下で処理することにより得られる；シアノメチルエス
テル法）、チオエステル、特に未置換もしくは置換、例
えばニトロ置換、フェニルチオエステル（例えば対応す
る酸を未置換もしくは置換された、例えばニトロ置換、
チオフェノールを用い、特に、無水物もしくはカルボジ
イミド法を用いて処理することにより得られる；活性化
チオルエステル法）、又は特にアミノもしくはアミドエ
ステル（例えば対応する酸をＮ−ヒドロキシアミノもし
くはＮ−ヒドロキシアミド化合物、例えばＮ−ヒドロキ
シコハク酸イミド、Ｎ−ヒドロキシピペリジン、Ｎ−ヒ
ドロキシフタルイミド、Ｎ−ヒドロキシ−５−ノルボル
ネン−２，３−ジカルボン酸イミド、１−ヒドロキシベ
ンゾトリアゾールもしくは３−ヒドロキシ−３，４−ジ
ヒドロ−１，２，３−ベンゾトリアジン−４−オンを用
い、例えば無水物もしくはカルボジイミド法を用いて処
理することにより得られる；活性化Ｎ−ヒドロキシエス
テル法）である。分子内エステル、例えばγ−ラクトン
も使用出来る。
【０１９９】酸の無水物は、これらの酸の対称のもしく
は好ましくは混合無水物であり、例えば無機酸、例えば
酸ハロゲン化物、特に酸塩化物との無水物（例えば対応
する酸を、塩化チオル、五塩化燐、ホスゲン又は塩化オ
キサリルを用いて処理することにより得られる；酸塩化
物法）、アジド（例えば対応する酸を硝酸を用いそれら
を処理することにより対応するヒドラジドを介して得る
ことが出来る；アジド法）、カルボン酸半エステル、例
えばカルボン酸低級アルキル半エステルとの無水物（例
えば対応する酸をクロロギ酸低級アルキルエステル又は
１−低級アルコキシカルボニル−２−低級アルコキシ−
１，２−ジヒドロキノリンを用いて処理することにより
得られる；混合Ｏ−アルキルカルボン酸無水物法）、又
はジハロゲン化特にジクロロ化、リン酸との無水物（例
えば対応する酸をホスホラスオキシクロリドを用いて処
理することにより得られる；ホスホラスオキシクロリド
法）、他のリン酸誘導体との無水物（例えばフェニル−
Ｎ−フェニルホスホラミドクロリデイトを用いあるいは
又アルキルリン酸アミドをスルホン酸無水物及び／又は
ラセミ化還元添加剤、例えばＮ−ヒドキシベンゾトリア
ゾールの存在下、あるいは又シアノリン酸ジエチルエス
テルの存在下で反応させることにより得られる）又は亜
リン酸誘導体との無水物あるいは有機酸との無水物、例
えば有機酸との混合無水物例えば有機カルボン酸との混
合無水物（例えば対応する酸を未置換もしくは置換低級
アルカン−もしくはフェニル−低級アルカンカルボン酸
ハロゲン化物、例えばフェニル酢酸塩化物、ピバリン酸
塩化物又はトリフルオロ酢酸塩化物を用いて得ることが
出来る；混合カルボン酸無水物法）、又は有機スルホン
酸との無水物（例えば対応する酸の塩、例えばアルカリ
金属塩を適当な有機スルホン酸ハロゲン化物、例えば低
級アルカン−もしくはアリール−、例えばメタン−もし
くはｐ−トルエンスルホン酸塩化物を用いて処理するこ
とにより得られる；混合スルホン酸無水物法）及び対称
無水物（例えば対応する酸をカルボジイミド又は１−ジ
エチルアミノプロピンの存在下で縮合させることにより
得られる；対称無水物法）であってよい。
【０２００】適当な環式アミドは、特に芳香性の５員ジ
アザ環を有するアミド、例えばイミダゾリル類、例えば
イミダゾルとのアミド（例えば対応する酸をＮ，Ｎ′−
カルボニルジイミダゾルを用いて処理することにより得
られる；イミダゾル法）、又はピラゾル、例えば３，５
−ジメチルピラゾルとのアミド（例えばアセチルアセト
ンを用いて処理することにより酸ヒドラジドを介して得
ることが出来る；ピラゾリド法）である。
【０２０１】言及した如く、アシル化剤として用いられ
るカルボン酸の誘導体は又同一反応系内で形成すること
も出来る。例えばＮ，Ｎ′−ジ置換アミジノエステル
は、式Ｖの出発物質及びアシル化剤として用いられる酸
の混合物を、適当なＮ，Ｎ′−ジ置換カルボジイミドの
存在下、例えばＮ，Ｎ′−シクロヘキシルカルボジイミ
ドの存在下で反応させることにより同一反応系内で形成
出来る。加えて、アシル化剤として使用される酸のアミ
ノもしくはアミドエステルは、アシル化されるべき式Ｖ
の出発物質の存在下、Ｎ，Ｎ′−ジ置換カルボジイミド
例えばＮ，Ｎ′−ジシクロヘキシルカルボジイミドの存
在下、更にＮヒドロキシアミンもしくはＮヒドロキシア
ミド、例えばＮ−ヒドロキシ琥珀酸イミドの存在下、適
当な場合には適当な塩基、例えば４−ジメチルアミノピ
リジンの存在下で反応させることにより形成出来る。更
に、同一反応系内における活性化、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′
−テトラアルキルウロニウム化合物、例えばＯ−ベンゾ
トリアゾル−１−イル−Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラメ
チルウロニウムヘキサフルオロホスフェイト、Ｏ−
（１，２−ジヒドロ−２−オキソ−１−ピリジル）−
Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラメチルウロニウムテトラフ
ルオロボレイト又はＯ−（３，４−ジヒドロ−４−オキ
ソ−１，２，３−ベンゾトリアゾリン−３−イル）−
Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラメチルウロニウムテトラフ
ルオロボレイトを用いて反応させることにより達成出来
る。最後に、式VI又は式VII のカルボン酸のリン酸無水
物は、同一反応系内で、アルキルリン酸アミド、例えば
ヘキサメチルリン酸トリアミドを、スルホン酸無水物、
例えば４−トルエンスルホン酸無水物をの存在下、塩、
例えばテトラフルオロボレート、例えばナトリウムテト
ラボレイトと、あるいは又ヘキサメチルリン酸トリアミ
ド、例えばベンゾトリアゾル−１−イルオキシ−トリス
（ジメチルアミノ）−ホスホニウムヘキサフルオリド
と、好ましくはラセミ化還元添加剤、例えばＮ−ヒドロ
キシベンゾトリアゾルの存在下で反応させることにより
製造することが出来る。
【０２０２】同様の方法で、式VIのカルボン酸に対する
上記の反応タイプの多くが、スルホンアミドを形成する
為、式Ｖの化合物との縮合に於ける末端スルホニルもし
くはホスホリル基を有する式III の化合物に対しても行
なうことが出来る。例えば活性化スルホン酸エステル、
例えば対応するアリールエステル、特にニトロ基により
置換されたエステル、例えばフェニルエステルを用いる
ことが出来、式Ｖのアミン化合物に対しアルカリ金属ア
ミド、例えばアルカリ金属アリールアミド、例えばナト
リウムアニリンアミド、又は窒素含有複素環式基のアル
カリ金属塩、例えばカリウムピロリドの形態で用いるこ
とも出来る。
【０２０３】加えて、反応性無水物、例えば対応する対
称酸無水物（これは例えばアルキルスルホン酸銀塩をア
ルキルスルホニルクロリドと反応させることにより調製
出来る）又は、好ましくは無機酸例えばハロゲン化スル
ホニル、特に塩化スルホニル（例えば対応する酸を無機
酸塩化物、例えば塩化チオニル、５塩化リンを用いて反
応させることにより得られる）との対応する対称酸無水
物、例えば無水物、有機カルボン酸（例えばハロゲン化
スルホン酸をカルボン酸の塩、例えばアルカリ金属塩を
用い、上記の混合スルホン酸無水物と同様の方法で処理
することにより得られるとの無水物又はアジド（対応す
る酸塩化物及びナトリウムアジドから、対応するヒドラ
ジンを介し更に上記のアジド法と同様の方法でそれらを
亜硝酸を用いて処理することにより得られる）が使用出
来る。
【０２０４】上記の置換基を有するホスホリル基Ｒ
9 は、同様のプロセスにより、例えば活性化リン誘導体
例えば１個以上のハロゲン原子を有する対応する置換ハ
ロゲン化ホスホリル、例えばオキシ塩化リンを用い、塩
例えば立体障害アミンの非存在下又は存在下、水性もし
くは非水性溶剤中で式Ｖの化合物に縮合出来、引続き過
剰のハロゲン原子は加水分解又は対応するアルコールと
の反応により適当な置換基で置換される。
【０２０５】ヒドロキシ、アルコキシ、シクロアルコキ
シ、シクロアルキル−低級アルコキシ、アリールオキシ
により又はアリール−低級アルコキシにより置換された
ホスホリル基は、例えば適当に置換されたホスフィン、
例えばジアリールオキシホスフィン又はジアルコキシホ
スフィン、又は対応する置換モノ−もしくはジ−ハロ−
例えばモノ−もしくはジ−クロロ−ホスフェートと、塩
基例えば２，６−ジメチルピリジン、トリエチルアミン
又はイミダゾルの存在下、水性もしくは無水溶剤、例え
ばアルコール、例えばエタノール、ジクロロメタンの対
応するエステル又はテトラクロロメタン中、適当な場合
には保護ガスの雰囲気下、例えばアルゴンの雰囲気下、
−５０〜１００℃で、好ましくは−１０〜５０℃で、特
にヨーロッパ特許出願ＥＰ−Ａ０３７６０４０（１９９
０年７月４日に公開）に記載される条件のもとで反応さ
せることにより式Ｖの化合物と反応させることが出来
る。オキシを介して結合した上記の基により対称的に又
は好ましくは非対称的に置換された対応するホスホリル
基は、ホスホラストリハロゲン化物例えば酸塩化リン
を、式Ｖの対応するアミンを用い更に有機アミン、例え
ばトリエチルアミンの存在下で反応させることにより得
ることが出来、対応するジクロロホスホリル化合物が形
成し、これらの化合物を最初の対応するアルコール又は
水（これらは好ましくは化学量論的量で使用される）
と、第３アミンの存在下、更に適当な場合には引続き第
２のハロゲン原子を更にアルコールもしくは水と第３ア
ミンの存在下で反応させ、対応する未置換亜リン酸塩化
合物を得ることが出来、この化合物は次いで、例えばハ
ロゲン、例えばヨウ素、過酸化物、例えば過酸化水素、
過酸、例えばｍ−クロロ過安息香酸、又は分子状酸素を
用いて酸化される。
【０２０６】反応に関与する式Ｖの化合物のアミノ基
は、好ましくは少なくとも一種の反応性水素原子を有
し、特にそれが反応するカルボキシ、スルホニル又はホ
スホリル基が反応性の形態で存在する場合；それは又し
かしそれ自身例えばアリン酸塩、例えばジエチルクロロ
ホスファイト、１，２−フェニレンクロロホスファイ
ト、エチルジクロロホスファイト、エチレンクロロホス
ファイト又はテトラエチルピロホスファイトと反応させ
ることにより誘導されることも出来る。アミノ基を有す
る該化合物の誘導体は、例えばカルボン酸ハロゲン化物
又はイソシアネイトであり、反応に関与するアミノ基
は、ハロカルボニル、例えばクロロカルボニルにより置
換され、あるいは又イソシアネイト基の形態で修飾さ
れ；後者の場合式Ｉの化合物のみ（該化合物は反応によ
り形成されたアミド基の窒素原子状に水素原子を有す
る）を得ることが出来る。
【０２０７】式Ｖの化合物を、低級アルキルにより又は
アリール−低級アルキルによりアミノ基に於いてモノ−
置換される場合、対応する尿素化合物は又反応性誘導体
を構成する。例えば、尿素化合物並びに遊離化合物を有
する式VI又は式VII の化合物の等モル量を加熱すること
により、式Ｉの対応する化合物が得られる。アミド結合
の調製に対する縮合は、自体公知の方法により、例えば
標準の書物「Ｈｏｕｂｅｎ−Ｗｅｙｌ，Ｍｅｔｈｏｄｅ
ｎ ｄｅｒ ｏｒｇａｎｉｓｃｈｅｎ Ｃｈｅｍｉ
ｅ」、第４版、１５／II巻（１９７４）、IX巻（１９５
５）、ＥII巻（１９８５）、ゲオルグチーメベルラー
グ、スツッツガルト「Ｔｈｅ Ｐｅｐｔｉｄｅｓ」
（Ｅ．グロス及びＪ．マインホッフェル編）、第１巻及
び第２巻、アカデミックプレス、ロンドン及びニューヨ
ーク、１９７９／１９８０、及びＭ．ボダンスキー、
「Ｐｒｉｎｃｉｐｌｓ ｏｆ Ｐｅｐｔｉｄｅ Ｓｙｎ
ｔｈｅｓｉｓ」、スプリンガーベルラーグ、ベルリン１
９８４に記載される如く行うことが出来る。
【０２０８】対応するアミンと遊離カルボン酸との縮合
は、好ましくは通常の縮合剤の一種の存在下で行うこと
が出来あるいは又カルボン酸無水物又はカルボン酸ハロ
ゲン化物、例えば塩化物、又は活性化カルボン酸エステ
ル、例えばｐ−ニトロフェニルエステルを用いて行うこ
とが出来る。通常の縮合剤は、例えばカルボジイミド、
例えばジエチル−、ジプロピル−、Ｎ−エチル−Ｎ′−
（３−ジメチル−アミノプロピル）−カルボジイミド又
は特にジシクロヘキシルカルボジイミドであり、あるい
は又適当なカルボニル化合物、例えばカルボニルイミダ
ゾル、１，２−オキサゾリウム化合物、例えば２−エチ
ル−５−フェニル−１，２−オキサゾリウム３′−スル
ホネート及び２−第３ブチル−５−メチルイソキサゾリ
ウムパークロレート、又は適当なアシルアミノ化合物、
例えば２−エトキシ−１−エトキシカルボニル−１，２
−ジヒドロキノリン、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラアル
キルウロニウム化合物、例えばＯ−ベンゾトリアゾル−
１−イル−Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラメチルウロニウ
ムヘキサフルオロホスフェイトであり、更に又活性化リ
ン酸誘導体、例えばジフェニルホスホリルアジド、ジエ
チルホスホリルシアニド、フェニル−Ｎ−フェニルホス
ホロアミドクロリデイト、ビス（２−オキソ−３−オキ
サゾリジニル）ホスフィン酸塩化物又は１−ベンゾトリ
アゾールイルオキシ−トリス（ジメチルアミノ）ホスホ
ニウムヘキサフルオロホスフェイトである。
【０２０９】所望により、有機塩基を加える。有機塩基
は、好ましくは第３アミン、例えば嵩高い基を有するト
リ−低級アルキルアミン、例えばエチルジイソプロピル
アミン又はトリエチルアミン及び／又は複素環式塩基、
例えば４−ジメチルアミノピリジン又は好ましくはＮ−
メチルモルホリン又はピリジンである。対応するアミン
と活性化エステル、反応性無水物又は反応性環状アミド
との縮合は、通常有機塩基、例えば簡単なトリ−低級ア
ルキルアミン、例えばトリエチルアミンもしくはリトブ
チルアミン、又は上述の有機塩基の一種の存在下で行な
われる。所望により、更に縮合剤が、遊離カルボン酸に
対して記載した如く更に用いられる。
【０２１０】アミンと酸無水物との縮合は、例えば無機
炭酸塩、例えば炭酸アンモニウムもしくは炭酸アルカリ
金属、又は炭酸水素アンモニウムもしくは炭酸水素アル
カリ金属、例えば炭酸ナトリウムもしくは炭酸カリウム
又は炭酸水素ナトリウムもしくは炭酸水素カリウム（所
望により硫酸塩と共に）の存在下で行うことが出来る。
【０２１１】カルボン酸塩化物、例えば式VIの酸から誘
導されるクロロカルボン酸誘導体、又はスルホン酸塩化
物を、好ましくは有機アミン、例えば上記のトリ−低級
アルキルアミンもしくは複素環式塩基の存在下、適当な
場合には硫酸水素塩の存在下で対応するアミンと縮合さ
せる。縮合は、好ましくは不活性の、非プロトン性、好
ましくは無水の溶剤もしくは混合溶剤中、例えばカルボ
ン酸アミド、例えばホルムアミドもしくはジメチルホル
ムアミド、ハロゲン化炭化水素、例えば塩化メチレン、
四塩化炭素又はクロロベンゼン、ケトン、例えばアセト
ン、環状エーテル、例えばテトラヒドロフラン、エーテ
ル、例えば酢酸エチル、又はニトリル、例えばアセトニ
トリル中、又はそれらの混合物中、適当な場合には低温
もしくは高温で、例えば約−４０℃〜約＋１００℃の範
囲内の温度で、好ましくは約−１０℃〜約＋５０℃の温
度で更にアリールスルホニルエステルが又、用いられる
場合には、＋１００℃〜約＋２００℃の温度で、更に適
当な場合には不活性ガス雰囲気中、例えば窒素又はアル
ゴン雰囲気中で好ましく行うことが出来る。
【０２１２】水性の、例えばアルコール性溶剤、例えば
エタノール、又は芳香族溶剤、例えばベンゼンもしくは
トルエンも又使用出来る。アルカリ金属水酸化物が塩基
として存在する場合、アセトンも又適当な場合には添加
出来る。縮合は、固体相合成として公知の技術に従って
行なうことも出来、この合成はＲ、メリフィールドから
始まり更に例えばAngew. Chem. 97, 801-812 (1985),N
aturwissenschaften 71, 252-258 (1984)又はR.A.Hough
ten, Proc. Natl. Acad. Sci. USA 82, 5131-5135 (19
85)に記載されている。
【０２１３】用いられる出発化合物に応じて、式Ｉの得
ることの出来る化合に於ける基Ｒ1 及びＲ9 は同一であ
るか又は互いに異なっていてもよい。保護基の解除は、
適当な場合にはプロセスｆ）（保護基の除去）のもとで
記載した方法によって行なわれる。 プロセスｃ）（アミド結合の形成） 式VII 及び式VIIIの出発物質に於いて、反応に関与する
ことが意図されている基又は反応条件下で反応しない基
を例外を除き、官能基は互いに独立にプロセスａ）のも
とで記載した保護基の一種により保護される。
【０２１４】プロセスは全体としてプロセスｂ）のもと
で言及したプロセスに類似しているが、但し式Ｖの化合
物のかわりに、式VII の化合物が用いられ、更に式VIの
化合物のかわりに、式VIIIの化合物が用いられ、更にア
シル化の場合、Ｒ9 のかわりにＲ1 が、式Ｖの化合物の
かわりに式VII の化合物に結合する。使用する出発物質
に応じて、式Ｉの得ることの出来る化合物に於ける基Ｒ
1 及びＲ9 は、同一でも又は互いに異なっていてもよ
い。
【０２１５】保護基の解除は、適当な場合にはプロセス
ｆ）（保護基の除去）のもとで記載した方法によって行
なわれる。 プロセスｄ）（アミド結合の形成） 式IXの出発物質に於いて更に同一の基Ｒ1 及びＲ9 を導
入する為の適当な酸に於いて、又はそれらの反応性誘導
体に於いて、反応に関与することは意図されていないか
又は反応条件下で反応しない官能基は、互いに独立にプ
ロセスａ）のもとで言及した保護基の一種により保護さ
れる。
【０２１６】同一の基Ｒ1 及びＲ9 を導入する為の適当
な酸は、好ましくは式VI又は式VIIIの酸である。保護基
により保護され得る式IXの出発物質として好ましい化合
物は式IIの化合物であり、これらは出発物質に関する部
分に於いて以下に記載される。プロセスは全体としてプ
ロセスｂ）に関して言及したプロセスに類似している
が、但し式Ｖの化合物のかわりに、式IXの化合物が用い
られ更に式VIの化合物のかわりに式VI又は式VIIIの化合
物が用いられる。
【０２１７】保護基の解除は、適当な場合にはプロセス
ｆ）（保護基の除去）のもとで記載した方法によって行
なわれる。 プロセスｅ）（第２級窒素原子のアルキル化） 式Ｉ′の反応物質に於いて更に基Ｒ7 ″を導入するのに
適当な式XII の化合物に於いて、又はこれらの反応性誘
導体に於いて、反応に関与することが意図されていない
か又は反応条件下で反応しない官能基は、互いに独立に
プロセスａ）のもとで言及した保護基の一種により保護
される。
【０２１８】脱離基Ｘは、特に離核性基でありこの基は
強無機酸もしくは有機酸によりエステル化されたヒドロ
キシ、例えば鉱酸、例えばハロゲン化水素酸、例えば、
塩化水素酸、臭化水素酸又はヨウ化水素酸によりエステ
ル化されたヒドロキシ、又は強有機スルホン酸、例えば
低級アルカンスルホン酸、（これは未置換であるか又は
例えばハロゲン、例えばフッ素により置換される）、又
は芳香族スルホン酸、例えばベンゼンスルホン酸（これ
は未置換であるか又は低級アルキル、例えばメチル、ハ
ロゲン、例えば臭素、及び／又はニトロにより置換され
る）、例えばメタンスルホン酸、ｐ−ブロモトルエンス
ルホン酸又はｐ−トルエンスルホン酸によりエステル化
されたヒドロキシ、又はアジ化水素酸によりエステル化
されたヒドロキシから選ばれる。
【０２１９】置換は、第１次もしくは第２次親核置換の
条件下で行なわれ得る。例えば、式XII （ここでＸは電
子核の高い分極安定性を有する脱離性、例えばヨウ素）
は、極性の非プロトン性溶剤、例えばアセトン、アセト
ニトリル、ニトロメタン、ジメチルスルホキシド又はジ
メチルホルムアミド中で反応出来る。反応は又水中でも
行うことが出来、この水には、適当な場合には有機溶
剤、例えばエタノール、テトラヒドロフラン又はアセト
ンが可溶化剤として添加されている。置換反応は適当な
場合には低温又は高温で、例えば約−４０°〜約１００
℃の温度で、好ましくは約−１０°〜約５０℃の温度で
更に適当な場合には不活性ガス、例えば窒素又はアルゴ
ン雰囲気中で行なわれる。
【０２２０】保護基の解除は、プロセスｆ）（保護基の
除去）に対して記載された方法により行なわれる。 プロセスｆ）（保護基の除去） 式Ｉの所望の目的生成物を構成しない保護基、例えばカ
ルボキシ−、アミノ−、ヒドロキシ−、メルカプト−及
び／又はスルホ−保護基の除去は、自体公知の方法によ
り、例えば加溶媒分解特に加水分解、アルコール分解に
より、又は還元、特に水素化分解又は化学的還元によ
り、及び光分解により適当な場合段階的に又は連続的に
行なわれ、又酵素的方法を用いることも出来る。保護基
の除去は、例えば「Ｐｒｏｔｅｃｔｉｎｇ ｇｒｏｕｐ
ｓ」に関しての章で章に於ける前記の標準的文献に記載
されている。
【０２２１】例えば、保護されたカルボキシ、例えば第
三低級アルコキシカルボニル、三置換シリル基により２
位で置換された又は低級アルコキシもしくは低級アルキ
ルチオにより１位で置換された低級アルコキシカルボニ
ル、又は未置換もしくは置換ジフェニルメトキシカルボ
ニルは、適当な酸例えばギ酸、塩化水素又は三フッ化酢
酸を用いて処理することにより、適当な場合には親核化
合物、例えばフェノール又はアニソールを添加して遊離
カルボキシに変換出来る。カルボキシは又塩基、例えば
水酸化物、例えば水酸化アルカリ金属、例えば水酸化ナ
トリウムもしくは水酸化カリウムを用いて低級アルコキ
シカルボニルから遊離にすることが出来る。未置換もし
くは置換ベンジルオキシカルボニルは、例えば水素化分
解により、即ち金属水素化触媒の存在下、例えばパラジ
ウム触媒の存在下、水素を用いて処理することにより遊
離化出来る。加えて、適当に置換されたベンジルオキシ
カルボニル、例えば４−ニトロ−ベンジルオキシカルボ
ニルも又、還元により、例えばアルカリ金属ジオチネー
ト、例えばナトリウムジチオネートを用いて処理するこ
とにより、又は還元性金属、例えば亜鉛を用い、あるい
は又還元性金属塩、例えばクロム（II）塩、例えば塩化
クロム（II）により、通常水素生成試剤（これは、金属
と共に、発生期の水素を生成し得る）、例えば酸、特に
適当なカルボン酸、例えば未置換もしくは置換、例えば
ヒドロキシ置換、低級アルカンカルボン酸、例えば酢
酸、ギ酸、グリコール酸、ジフェニルグリコール酸、乳
酸、マンデル酸、４−クロロマンデル酸又は酒石酸の存
在下、又はアルコールもしくはチオールの存在下、好ま
しくは水が加えられて、遊離カルボキシに変換すること
も出来る。上記の如く、還元性金属もしくは金属塩で処
理することにより、２−ハロ−低級アルコキシカルボニ
ル（適当な場合には２−ブロモ−低級アルコキシカルボ
ニル基を対応する２−ヨード−低級アルコキシカルボニ
ル基に変換した後）又はアロイルメトキシカルボニル
は、又遊離カルボキシに変換することも出来る。アロイ
ルメトキシカルボニルは又親核の、好ましくは塩形成試
剤、例えばナトリウムチオフェノレイト又はヨウ化ナト
リウムを用いて処理することにより分解出来る。２−
（トリ−置換シリル）−低級アルコキシカルボニル、例
えば２−トリ−低級アルキルシリル−低級アルコキシカ
ルボニルは又、フッ化物アニオン、例えばアルカリ金属
フッ化物、例えばフッ化ナトリウムもしくはカリウムを
生成するフッ化水素酸の塩を用い、適当な場合には大環
状ポリエーテル（「クラウンエーテル」）の存在下又は
有機四級塩基のフッ化物で、例えばテトラ−低級アルキ
ルアンモニウムフッ化物又はトリ−低級アルキルアリル
−低級アルキルアンモニウムフッ化物、例えばテトラエ
チルアンモニウムフッ化物又はテトラブチルアンモニウ
ムフッ化物を用い、非プロトン性の、極性溶剤、例えば
ジメチルスルホキシド又はＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミ
ドの存在下で処理することにより遊離カルボキシに変換
することも出来る。有機シリルオキシカルボニル、例え
ばトリ−低級アルキルシリルオキシカルボニル、例えば
トリメチルシリルオキシカルボニルの形態で保護された
カルボキシは、可溶媒分解、例えば水、アルコール、も
しくは酸を用いあるいは又更に上述の如きフッ化物を用
いて処理することにより通常の方法で遊離にすることが
出来る。エステル化カルボキシは又例えばエステラーゼ
又は適当なペプチダーゼ、例えばエステル化アルギニン
又はリシン、例えばリシンメチルエステルにより、トリ
プシンを用いて酵素的に遊離にすることも出来る。
【０２２２】保護されたアミノ基は、保護基の性質に応
じ種々の方法で、好ましくは可溶媒分解又は還元により
自体公知の方法で遊離にされる。低級アルコキシカルボ
ニルアミノ、例えば第３ブトキシカルボニルアミノは、
酸、例えば鉱酸、例えばハロゲン化水素、例えば塩化水
素もしくは臭化水素、又は硫酸もしくはリン酸、好まし
くはハロゲン化水素、又は強有機酸、例えばトリハロ酢
酸、例えば三フッ化酢酸、又はギ酸の存在下、極性溶
剤、例えば水、又はエーテル、好ましくは環状エーテ
ル、例えばジオキサン、２−ハロ−低級アルコキシカル
ボニルアミノ（適当な場合には２−ブロモ−低級アルコ
キシカルボニルアミノ基を２−ヨード−低級アルコキシ
カルボニルアミノ基に変換した後）又は直接液体有機カ
ルボン酸、例えばギ酸に直接溶解して分解出来更にアロ
イルメトキシカルボニルアミノもしくは４−ニトロベン
ジルオキシカルボニルアミノは例えば適当な還元剤、例
えば適当なカルボン酸、例えば水性酢酸の存在下亜鉛を
用いて処理することにより分解出来る。アロイルメトキ
シカルボニルアミノは又、親核性の、好ましくは塩形成
試剤、例えばナトリウムチオフェノレイトを用いて処理
することにより分解することも出来更に４−ニトロベン
ジルオキシカルボニルアミノは又、アルカリ金属ジチオ
ネイト、例えばナトリウムジチオネイトで処理すること
により分解することも出来る。未置換もしくは置換ジフ
ェニルメトキシカルボニルアミノ、第３低級アルコキシ
カルボニルアミノ又は２−（トリ−置換シリル）−低級
アルコキシカルボニルアミノ、例えば２−トリ−低級ア
ルキルシリル−低級アルコキシカルボニルアミノは、適
当な酸、例えばギ酸又は三フッ化酢酸を用いて処理する
ことにより遊離にすることが出来；未置換もしくは置換
ベンジルオキシカルボニルアミノは例えば水素化分解、
即ち適当な水素化触媒、例えば白金もしくはパラジウム
触媒の存在下、水素を用いて処理することにより遊離に
することが出来；未置換もしくは置換トリアリールメチ
ルアミノもしくはホルミルアミノは例えば酸、例えば鉱
酸、例えば塩化水素酸、又は有機酸、例えばギ酸、酢酸
もしくは酸フッ化酢酸を用い適当な場合には水の存在下
で処理することにより遊離にすることが出来；更にシリ
ルアミノの形態で保護されたアミノ基は例えば加水分解
もしくはアルコール分解により遊離にすることが出来
る。２−ハロアセチル、例えば２−クロロアセチルによ
り保護されたアミノ基は、塩基の存在下チオ尿素を用
い、又はチオレート塩、例えばチオ尿素のアルカリ金属
チオレートを用いて処理し引続き得られた置換生成物を
引続き可溶媒分解、例えばアルコール分解又は加水分解
により処理することにより遊離にすることが出来；更に
アミノは三フッ化アセチルアミノから、例えば塩基、例
えば水酸化アルカリ金属もしくは炭酸アルカリ金属例え
ばＮａ2 ＣＯ3 又はＫ2 ＣＯ3 を用い、極性溶剤、例え
ばアルコール、例えばメタノール中、０〜１００℃の温
度特に４０〜８０℃の温度で水素化分解により遊離にす
ることが出来る。２−（トリ−置換シリル）−低級アル
コキシカルボニル、例えば２−トリ−低級アルキルシリ
ル−低級アルコキシカルボニルにより保護されたアミノ
基は又、対応して保護されたカルボキシ基の遊離に関し
て上記の如くフッ化物アニオンを生成するフッ化水素酸
の塩を用いて処理することにより遊離アミノ基に変換す
ることも出来る。同様に、ヘトロ原子、例えば窒素に直
接結合したシリル、例えばトリメチルシリルはフッ化物
イオンを用いて除去することが出来る。
【０２２３】アジド基の形態で保護されたアミノは例え
ば還元により例えば水素化触媒例えば酸化白金、パラジ
ウムもしくはラネイニッケルの存在下、水素を用いた接
触水素化により、メルカプト化合物、例えばジチオスレ
イトール（ｄｉｔｈｉｏｔｈｒｅｉｔｏｌ）又はメルカ
プトエタノールを用いた還元により、又は酸、例えば酢
酸の存在下亜鉛を用いて処理することにより遊離アミン
に変換される。接触水素化は、好ましくは不活性溶剤
中、例えばハロゲン化炭化水素、例えば塩化メチレン
中、又は水もしくは水と有機溶媒例えばアルコールもし
くはジオキサンの混合物中、約２０℃〜２５℃の温度
で、又は冷却もしくは加熱しながら行なわれる。
【０２２４】適当なアシル基、トリ−低級アルキルシリ
ル基により又は未置換もしくは置換１−フェニル−低級
アルキルにより保護されたヒドロキシもしくはメルカプ
ト基は、対応する保護アミノ基に準じて遊離にされる。
２，２−ジクロロアセチルにより保護されたヒドロキシ
もしくはメルカプト基は、例えば塩基性加水分解により
遊離にされ更に第３低級アルキルにより又は２−オキソ
−もしくは２−チア−脂肪族もしくは脂環式炭化水素基
により保護されたヒドロキシもしくはメルカプト基は酸
分解により、例えば鉱酸もしくは強カルボン酸、例えば
酸フッ化酢酸を用いて処理することにより遊離にされ
る。ピリジルジフェニルメチルにより保護されたメルカ
プトは、例えば水銀（II）塩を用いpH２〜６で又は亜鉛
／酢酸を用い、又は電解還元により遊離に出来；アセト
アミドメチル及びイソブチリルアミドメチルは、例えば
水銀（II）塩を用いpH２〜６で反応させることにより遊
離に出来；２−クロロアセトアミドメチルは、例えば１
−ピペリジノチオカルボキサミドを用いて遊離に出来；
更にＳ−エチルチオ、Ｓ−第三ブチルチオ及びＳ−スル
ホは、例えばチオフェノール、チオグリコール酸、ナト
リウムチオフェノレートもしくは、１，４−ジチオトレ
イトールを用いてチオリシスにより遊離に出来る。二価
の保護基を用いて、例えば低級アルキルによりモノ−も
しくはジ置換されたメチレン基、例えば低級アルキリデ
ン、例えばイソプロピリデン、シクロアルキリデン、例
えばシクロヘキシリデンもしくはベンジリデンにより一
緒に保護された２個のヒドロキシ基又は隣接アミノ及び
ヒドロキシ基は、酸性の可溶媒分解による、特に鉱酸も
しくは強有機酸の存在下で遊離にされ得る。トリ−低級
アルキルシリル基は、同様にアシドリシス、例えば鉱
酸、好ましくはフッ化水素酸、又は強カルボン酸により
除去される。２−ハロ−低級アルコキシカルボニルは、
上記の還元剤、例えば還元性金属、例えば亜鉛、還元性
金属塩、例えばクロモ（II）塩を用いあるいは又イヨウ
化合物、例えばナトリウムジチオネイト又は好ましくは
硫化ナトリウム及び二硫化炭素を用いて除去される。
【０２２５】スルホン酸エステル又はスルホンアミドの
形態で保護されたスルホ基は、例えば酸性加水分解によ
り、例えば鉱酸の存在下、又は好ましくは塩基性加水分
解により、例えばアルカリ金属水酸化物もしくはアルカ
リ金属炭酸塩、例えば炭酸ナトリウムを用いて遊離にさ
れる。幾つかの保護された官能基が存在する場合、所望
により保護基は又１個以上のそのような基が、例えばア
シドリシスにより、例えば酸フッ化酢酸を用いて処理す
ることにより、又は水素及び水素化触媒、例えばパラジ
ウムに担持したパラジウム触媒を用いて同時に除去出来
るように、そのように選択出来る。逆に基も又それらが
総て同時に除去出来ないか出来ずむしろ所望の順序で、
対応する中間体が得られるように選択することも出来
る。
【０２２６】附加的なプロセス工程 任意である附加的プロセス工程に於いて、反応に関与し
ない出発化合物の官能基は、非保護形態もしくは保護形
態でよく、例えば上記のプロセスａ）で言及した一種以
上の保護基により保護され得る。保護基は最終生成物に
於いて保持することが出来あるいは又それらの幾つか又
は総てはプロセスｆ）のもとで言及した方法の一つに従
って除去出来る。
【０２２７】少なくとも一種の塩形成基を有する式Ｉの
化合物の塩は、自体公知の方法で調製出来る。例えば酸
性基を有する式Ｉの化合物の塩は、例えば該化合物を、
金属化合物、例えば適当な有機カルボン酸のアルカリ金
属塩、例えば２−エチル−ヘキサン酸のナトリウム塩を
用い、有機アルカリ金属、もしくはアルカリ土類金属化
合物、例えば対応する水酸化物、炭酸塩もしくは炭酸水
素塩、例えば水酸化ナトリウムもしくはカリウム、炭酸
ナトリウムもしくはカリウム又は炭酸水素ナトリウムも
しくはカリウムを用いて、対応するカルシウム化合物を
用いあるいは又アンモニアもしくは適当な有機アミンを
用い、化学量論的な量であるいは又好ましくは用いる試
剤の塩形成剤の僅かに過剰な量で処理することにより形
成出来る。式Ｉの化合物の酸付加塩は、常法により、例
えば該化合物を酸又は、適当なアニオン交換試剤を用い
て処理することにより得られる。酸及び塩基の塩形成
基、例えば遊離カルボキシ基及び遊離アミノ基を含んで
なる式Ｉの化合物の分子内塩、例えば弱塩基を用い例え
ば塩、例えば酸附加塩を等電点まで中和することによ
り、あるいは又イオン交換剤を用いて処理することによ
り形成出来る。
【０２２８】塩は通常の方法で遊離化合物に変換するこ
とが出来；金属及びアンモニウム塩は、例えば適当な酸
を用いて処理することにより変換することが出来更に酸
附加塩は、例えば適当な塩基性試剤を用いて処理するこ
とにより交換出来る。ジアステレオマー異性体及び／又
はエナンチオマーの混合物である、立体異性体の混合
物、例えばラセミ体混合物は、適当な分離方法により自
体公知の方法で対応する異性体に分離出来る。例えばジ
アステレオマー異性体混合物は、分別結晶、クロマトグ
ラフィ法、溶剤分配などにより個々のジアステレオマー
異性体に分離出来る。ラセミ体は、例えば光学的に活性
な化合物、例えば光学的に活性な酸もしくは塩基との反
応により、光学的に活性な化合物で被覆されたカラム物
質を有するカラムクロマトグラフィによりあるいは又酵
素的方法により、例えば二種のエナンチオマーの一種の
みを選択的に反応せしめることにより光学的対掌体をジ
アステレオマーに変換した後、互いに分離出来る。この
分離は出発生成物の一つの段階で又は式Ｉの化合物自身
と共に行うことが出来る。
【０２２９】式Ｉの化合物内に個々のキラール中心を有
する配置は、選択的に反転することが出来る。例えば親
核性置換基例えばアミノもしくはヒドロキシを有する非
対称炭素原子の配置は、所望により結合した親核性置換
基を適当な離核性脱離基に変換し次いで元の置換基を導
入する試剤と反応せしめた後、第２次親核置換により反
転することが出来、あるいは又ヒドロキシ基を有する炭
素原子の配置、例えば式ＩのＲ5 −保持炭素原子は酸化
し次いで以下に記載する如く式Ｉの化合物の還元により
反転出来る。
【０２３０】式Ｉの化合物に於ける基ヒドロキシＲ5 及
び水素Ｒ6 は、酸化剤、好ましくはヒドロキシ基をケト
基に選択的に変換しうる還元剤、例えばクロム酸又はそ
れらの誘導体、例えばピリジニウムクロメート又はクロ
ム酸第３ブチル、ジクロメート／スルホン酸、三酸化イ
オウを用い、複素環式塩基、例えばピリジン／ＳＯ3 、
あるいは又硝酸、パイロルース鉱又は二酸化セレン、又
は塩化オキサリルの存在下でのジメチルスルホキシドの
存在下、水、水性もしくは有機塩基、例えばハロゲン化
溶剤、例えば塩化メチレン、カルボン酸アミド、例えば
ジメチルホルムアミド、又はジ−低級アルキルスルホキ
シド、例えばジメチルスルホキシド中塩基性アミン、例
えばトリ−低級アルキルアミン、例えばトリエチルアミ
ンの存在もしくは非存在下、−５０〜１００℃の温度
で、好ましくは−１０〜５０℃の温度で、例えばヨーロ
ッパ特許出願ＥＰ−Ａ−０２３６７３４に記載される如
くオキソ基に酸化することが出来る。
【０２３１】逆に、Ｒ5 及びＲ6 が一緒になってオキソ
基を形成するような方法で得られる式Ｉの化合物に於い
て、オキソ基はヒドロキシ基に還元され得る。式Ｉの化
合物に於けるオキソ基の還元のための適当な還元剤は、
プロセスの反応条件下、ケト基を選択的に又は式Ｉの化
合物内に存在するアミド基よりもより速やかに還元する
ような還元剤である。
【０２３２】特に、適当なホウ素水素化物、例えばアル
カリ金属ホウ素水素化物、特に水素化ナトリウムホウ
素、水素化リチウムホウ素又は水素化ナトリウムシアノ
ホウ素、あるいは又水素化亜鉛ホウ素、又は適当な水素
化アンモニウム、例えばアルカリ金属低級アルコキシア
ンモニウム水素化物（大きな基を有する）、例えば水素
化リチウムトリ−第三ブトキシアルミニウム水素化物が
言及される。
【０２３３】還元は又、適当な重金属触媒、例えばラネ
−ニッケル又は白金もしくはパラジウム触媒、例えば白
金／又はパラジウム／活性化炭素の存在下、水素を用
い、あるいは又アルミニウムアルカノレート、好ましく
はアルミニウム−２−プロパノレートもしくはエタノレ
ートを用いメルビン−ポンドルフ−バレリ−法に従って
行なうことも出来る。
【０２３４】還元は好ましくは、化学量論的割合の還元
剤を用いあるいは又好都合に過剰量の還元剤を用い−８
０℃〜溶剤の沸点温度で不活性溶剤中、所望により保護
ガス、例えば窒素もしくはアルゴン雰囲気中で行なうこ
とが出来る。過剰の還元剤は、特にそれら溶剤、例えば
非プロトン性の溶剤のプロトンとも反応する場合必要で
ある。
【０２３５】水素化ナトリウムホウ素を用いる場合、極
性のプロトン性溶剤、例えばメタノール、エタノール又
はイソプロパノールが適当であり；他の還元剤が用いら
れる場合、極性の非プロトン性溶剤、例えばテトラヒド
ロフランが適当である。式Ｉ（式中Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ8 及
びＲ9 がアリール基又は非常に反応性が高くないアリー
ル基を有しない）の化合物に於いて、Ｒ7 ，Ｒ3 及び／
又はＲ4 中に存在するアリール基、特にフェニル基は、
例えば接触水素化により、特に重金属酸化物例えばロジ
ウム／白金混合酸化物の存在下、例えばニシムラ触媒を
用いて、好ましくは極性溶剤、例えばアルコール、例え
ばメタノールもしくはエタノール中、０〜８０℃の温度
で、特に１０〜４０℃の温度で更に１〜１０気圧の水素
圧で、好ましくはほぼ常圧で水素化され得る。
【０２３６】式Ｉの得ることの出来る化合物に於いて、
アミノもしくはカルボキサミド基は置換されることが出
来、遊離もしくは反応性の形態にあるカルボキシ基は、
エステル化もしくはアミド化されることが出来、あるい
はエステル化もしくはアミド化カルボキシ基は遊離カル
ボキシ基に変換出来る。例えば未置換もしくは置換アル
キル、アルケニルもしくはアルキニル、アリール低級ア
ルキル、又は複素環式もしくは炭素により結合した複素
環式−低級アルキルの如き基、Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ8 又はＲ
9 を式Ｉ（式中言及した基の一種又はそれ以上は水素で
ある）の化合物に導入する為、カルボキサミド基又は他
の第一もしくは第二アミノ基の置換は、例えばアルキル
化により行なわれる。
【０２３７】式Ｉの化合物に於いてカルボキサミド基を
アルキル化する為の適当な試剤は、例えばジアゾ化合
物、例えばジアゾメタンである。ジアゾメタンは不活性
溶剤中で分解されることが出来、形成された遊離メチレ
ンが式Ｉの化合物内のカルボキサミド基と反応する。ジ
アゾメタンの分解は、好ましくは触媒を用い、例えば微
細に粉砕された形態の貴金属、例えば銅又は貴金属の
塩、例えば銅（Ｉ）塩化物又は銅（II）硫酸塩の存在下
で行なわれる。
【０２３８】アルキル化剤は又、ドイツ公開公報２３３
１１３３にも言及されており、例えばハロゲン化アルキ
ル、スルホン酸エステル、メルバイン塩又は１−置換３
−アリールトリアゼンでありこれらはカルボキサミド基
を有する式Ｉの化合物と言及した条件下で反応し得る。
更にアルキル化剤は次の式を有する化合物から選択出来
る： Ｒ1 −Ｘ （Ｘ）， Ｒ2 −Ｘ （XI）， Ｒ8 −Ｘ （XIII）及び Ｒ9 −Ｘ （XIV ）， 前記式中Ｘは脱離基であり更に残りの基はアシル、上記
の如き未置換もしくは置換スルホ、ホスホノ、及び上記
の如き置換されたホスホリルの例外を除き、定義した如
き意味である。脱離基は、特に強無機酸もしくは有機酸
によりエステル化されたヒドロキシ例えば鉱酸、例えば
ハロゲン化水素酸、例えば塩化水素酸、臭化水素酸もし
くはヨウ化水素酸によりエステル化されたヒドロキシ、
又は強有機スルホン酸、例えば未置換もしくは置換、例
えばハロ−置換、例えばフルオロ置換、低級アルカンス
ルホン酸、又は芳香族スルホン酸、例えばベンゼンスル
ホン酸（これらは未置換であるか又は低級アルキル、例
えばメチルにより、ハロゲン、例えば臭素により、及び
／又はニトロにより置換されている）、例えばメタンス
ルホン酸、トリメタンスルホン酸もしくはｐ−トルエン
スルホン酸によりエステル化されたヒドロキシ及びアジ
化臭素酸によりエステル化されたヒドロキシから選ばれ
た特に離核性の脱離基である。
【０２３９】反応は第一次もしくは第二次親核置換の条
件下で行うことが出来る。例えば、式VIII〜XIII（式中
Ｘは電子核の高い分極安定性を有する脱離基、例えばヨ
ウ素である）の化合物の一種は、極性の非プロトン性溶
剤、例えばアセトン、アセトニトリル、ニトロメタン、
ジメチルスルホキシドもしくはジメチルホルムアミド中
で反応し得る。反応は又水中でも行うことが出来、この
水には適当な場合有機溶剤、例えばエタノール、テトラ
ヒドロフランもしくはアセトンが可溶化剤として既に添
加されている。置換反応は、所望により低圧もしくは高
圧下、例えば約−４０°〜約１００℃の範囲内の温度
で、好ましくは約−１０°〜約５０℃の温度で、更に所
望により不活性ガス、例えば窒素もしくはアルゴン雰囲
気中で行なわれる。
【０２４０】式Ｉの化合物に於けるカルボキシ基のエス
テル化もしくはアミド化に対し、所望により遊離酸が使
用出来あるいは又遊離酸は上記の反応誘導体の一種に変
換出来更にアルコールと、アンモニアとあるいは又第一
もしくは第二アミンと反応することが出来あるいは又エ
ステル化の場合には、遊離酸もしくは反応性の塩、例え
ばセシウム塩は、アニコールの反応性誘導体と反応し得
る。例えば、カルボン酸のセシウム塩は、ハロゲン化物
もしくはアルコールの対応するスルホン酸エステルと反
応し得る。カルボキシ基のエステル化は又、他の通常の
アルキル化剤、例えばジアゾメタン、ハロゲン化アルキ
ル、スルホン酸エステル、メルバイン塩もしくは１−置
換３−アリールトリアゼン等を用いて行うことも出来
る。
【０２４１】カルボキシ保護基の除去に対し上記の方法
の一種又は所望により「Ｏｒｇａｎｉｋｕｍ」，１７
版、ＶＥＢ ドイチェル ベルラーグ デル ヴァイセ
ンシャフテン、ベルリン１９８８に記載された如き通常
の反応条件に従ったアルカリ性過水分解が用いられ、エ
ステル化もしくはアミド化カルボキシ基を遊離カルボキ
シ基に変換し得る。
【０２４２】式Ｉの化合物に於けるエステル化カルボキ
シ基は、アンモニアもしくは第一もしくは第二アミンを
用いたアミノリシスにより、未置換もしくは置換カルボ
キサミド基に変換することが出来る。アミノリシスは、
通常の反応条件、例えば「Ｏｒｇａｎｉｋｕｍ」，１５
版、ＶＥＢ ドイチェル ベルラーグ デル ヴァイセ
ンシャフテン、ベルリン（東）１９７６に記載された如
き条件に従って行なうことが出来る。
【０２４３】式Ｉの化合物中に存在する遊離アミノ基
は、例えばＲ1 ，Ｒ2 ，Ｒ8 又はＲ9 に対して言及した
基アシル、スルホ、置換スルホニル、ホスホノもしくは
置換ホスホリルの一種を導入するためアシル化出来る。
アシル化は、縮合に対してプロセスｂ），ｃ）又はｄ）
のもとで前記した方法の一種に従い、あるいは又保護基
に対して言及した方法の一種に従い、例えば「Ｏｒｇａ
ｎｉｋｕｍ」，１７版、ＶＥＢ ドイチェル ベルラー
グ デル ヴァイセンシャフテン、ベルリン（東）１９
８８で言及した方法の一種に従って行なわれる。
【０２４４】式Ｉ（式中置換基は定義した意味であり更
に少なくとも一種の遊離ヒドロキシ基が存在し、残りの
官能性基は保護された形態である）の得ることの出来る
化合物に於いて、遊離ヒドロキシ基はアシル化もしくは
エーテル化され得る。アシル化は、アシル剤を用い、プ
ロセスｂ）ないしｄ）のもとで言及した方法の一つに従
い、保護基に対し言及した方法の一つに従いあるいは又
「Ｏｒｇａｎｉｋｕｍ」，１７版、ＶＥＢ ドイチェル
ベルラーグ デル ヴァイセンシャフテン、ベルリン
（東）１９８８で言及したプロセスの一つに従って行う
ことが出来る。
【０２４５】エーテル化は、上記のアシル化剤を用い更
に同じ反応条件のもとで、例えばジアゾメタン、ハロゲ
ン化アルキル、スルホン酸エステル、メルバイン塩、１
−置換３−アリールトリアゼン等を用いて行なうことが
出来る。式Ｉの得ることの出来る化合物に於いて、スル
フィニルもしくはスルホニル基は、チオ基から更に対応
するスルホキシドもしくはスルホンはスルフィドから、
酸化により生成することが出来る。
【０２４６】スルホニル基もしくはスルホンへの酸化
は、大抵の通常の酸化剤を用いて行なうことが出来る。
用いられる酸化剤は、特に好ましくは問題としている式
Ｉの化合物の他の官能基、例えばアミノもしくはヒドロ
キシ基の存在した選択的にチオ基もしくは硫化物のイオ
ウを選択するような酸化剤が特に好ましく；これらの酸
化剤の例は、芳香族もしくは脂肪族過カルボン酸、例え
ば過安息香酸、モノ過フタル酸、ｍ−クロロ過安息香
酸、過酢酸、過ギ酸又はトリフルオロ過酢酸である。ペ
ルオキシカルボン酸を用いた酸化は、それらに対して適
当な通常の溶剤、例えばクロル化炭化水素、例えば塩化
メチレンもしくはクロロホルム、エーテル、例えばジエ
チルエーテル、エステル、例えば酢酸エチル等の存在し
た、−７８℃〜室温の温度で、例えば−２０℃〜＋１０
℃、好ましくは約０℃の温度で行なわれる。ペルオキシ
カルボン酸も又、例えば無水酢酸を含有するかもしくは
含有しない酢酸もしくは酢酸中過酸化水素を用い、例え
ば酢酸／無水酢酸中３０％又は９０％の過酸化水素を用
いて同一反応形内で形成され得る。又、低級アルカノー
ル／水混合物、例えばメタノール／水もしくはエタノー
ル／水中に溶解した、又は−７０℃〜＋３０℃、例えば
−２０℃〜室温の温度の水性酢酸中に溶解した他のペル
オキソ化合物、例えばカリウムペルオクソモノスルフェ
ートが適当であり更に又０℃〜５０℃、例えばほぼ室温
のメタノールもしくはメタノール／水混合物に溶解した
メタ過ヨウ素酸ナトリウムも好ましい。もしも言及した
酸化剤の化学量論的な量が用いられる場合、対応するス
ルフィン酸又はスルホキシドを得ることも可能である。
その目的のためには、例えば−１５℃〜室温、例えば約
０℃の温度のメタノール又はメタノール／水混合物中に
溶解したメタ過ヨウ素酸ナトリウム、−７８℃〜１０
℃、好ましくは−３０℃〜０℃の温度の塩化メチレン、
クロロホルム又は酢酸エチルに溶解したｍ−クロロ過安
息香酸あるいは又は低級アルカノール、例えばメタノー
ルに溶解した次亜塩素酸第三ブチル、又は約０℃の温度
のアセトンもしくは酢酸中に溶解した過酸化水素、又は
低温度の上記のカリウムペルオクソモノスルフェートが
適当である。
【０２４７】所望により、対応するチオ化合物又は対応
するスルフィドが、例えばエーテルもしくはテトラヒド
ロフランに溶解したジイソブチルアルミニウム水素化物
を用い、式Ｉの得ることの出来る化合物中でスルホニル
基又はスルホン基を還元することにより得ることが出来
る。スルフィニル基を有する式Ｉの得ることの出来る化
合物に於いて、該基はチオ基に還元出来る。式Ｉの化合
物の他の官能基、例えばアミド官能基を未変化のまま残
すような選択的還元剤が好ましい。このような選択的還
元剤の例は、ジクロロボレーンであり（これは、好まし
くは−３０℃〜＋１０℃の温度でテトラヒドロフランも
しくはジメトキシエタンに溶解して用いられる）、沸騰
する四塩化炭素、トリクロロシランもしくはヘキサクロ
ロジシランに溶解したトリフェニルホスフィン、ペンタ
カルボニル鉄、あるいは又−１０℃〜＋５０℃の水性／
アルコール性溶剤、例えば水／メタノール、水／エタノ
ールあるいは又水テトラヒドロフランに溶解した亜硫酸
水素ナトリウム、あるいは又塩化コバルト（II）の存在
下での水素化ナトリウムホウ素、あるいは又例えば沸騰
エタノール中のパラジウム／炭素の如き触媒量のパラジ
ウムの存在下での水素である。
【０２４８】式Ｉの化合物又は適当な基Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ
8 又はＲ9 即ちアシル、スルホ、置換スルホ、ホスホノ
もしくは置換ホスホリルを現わす基内に存在する保護基
は、プロセスｆ）のもとで言及したプロセスの一種に従
って、特に加水分解、例えば塩基、例えばアルカリもし
くはアルカリ土類水酸化物、例えば水酸化ナトリウム、
又は酸、例えば有機酸もしくは鉱酸、例えばハロゲン化
水素、例えば塩化水素を用いて除去出来る。加水分解
は、通常の条件下、例えば水性溶液もしくは無水溶媒中
特にエーテル、例えばジオキサン中、−５０℃〜対応す
る反応混合物の還流温度で、例えば０℃〜５０℃、好ま
しくは保護ガス、例えばアルゴンもしくは窒素の存在下
で行なわれる。
【０２４９】上記の総てのプロセス工程は、自体公知の
反応条件のもと、好ましくは言及した条件のもと、溶剤
もしくは希釈剤、（好ましくは用いる試剤に対し不活性
でありさらにそれらを溶解するような溶剤もしくは希釈
剤）の非存在下又は通常それらの存在下、触媒、縮合剤
もしくは中和剤、例えばイオン交換剤、例えば水素イオ
ンの形態のカチオン交換剤の非存在もしくは存在下、反
応及び／又は反応剤の性質に応じ、低温、常温もしくは
高温で、例えば約−１００℃〜約１９０℃、好ましくは
約−８０℃〜約１５０℃、例えば−８０℃〜−６０℃の
温度で、室温で、−２０〜４０℃で又は用いる溶剤の沸
点温度で、大気圧のもとあるいは又密閉容器中、所望に
より加圧下、及び／又は不活性雰囲気中、例えばアルゴ
ンもしくは窒素雰囲気中で行なうことができる。
【０２５０】塩形成基が存在する総ての出発化合物及び
中間体の場合に於いて塩が存在し得る。塩は又、そのよ
うな化合物の反応中に存在することも出来る。但しそれ
らは反応を妨害しない場合である。反応の総ての工程
で、得られる異性体混合物は、例えば「付加的プロセス
工程」のもとで記載した方法に準じて個々の異性体、例
えばジアステレオマー異性体又はエナンチオマーに、又
は異性体の混合物に、例えばラセミ体もしくはジアステ
レオマー異性体混合物に分離され得る。
【０２５１】ある場合には、例えば水素化の場合、立体
選択的反応を達成することが可能であり、その結果例え
ば個々の異性体の簡単な成造が可能である。対象の反応
に対し選択される溶剤には、例えば以下の溶剤が含まれ
る；水、エステル、例えば低級アルキル低級アルカノー
ル、例えばジエチルアセテート、エーテル、例えば脂肪
族エーテル、例えばジエチルエーテル、又は環状エーテ
ル、例えばテトラヒドロフラン、液体芳香族炭化水素、
例えばベンゼン又はトルエン、アルコール、例えばメタ
ノール、エタノール又は１−もしくは２−プロパノー
ル、ニトリル、例えばアセトニトリル、ハロゲン化炭化
水素、例えば塩化メチレン、酸アミド、例えばジメチル
ホルムアミド、塩基、例えば複素環式窒素塩基、例えば
ピリジン、カルボン酸無水物、例えば低級アルカン酸無
水物、例えば無水酢酸、環状、直鎖もしくは分岐鎖の炭
化水素、例えばシクロヘキサン、ヘキサン又はイソペン
タン、又はそれらの溶剤の混合物、例えば水性溶液であ
る。但し、プロセスの記載に於いて他に何も特定されな
い。このような溶剤混合物は又処理に於いて、例えばク
ロマトグラフィ法又は分配に於いて用いることも出来
る。
【０２５２】本発明は又以下のプロセス態様にも関する
ものであり、このプロセスに於いて中間体として任意の
工程で得られる化合物を出発物質として用い残りの工程
を行うか又はプロセスを任意の工程で中断するか、又は
出発物質が反応条件のもとで形成されるか又は反応誘導
体又は塩の形態で用いられ、あるいは又該プロセスに於
いて本発明のプロセスに従って得られる化合物がプロセ
ス条件のもとで得られ更に同一反応系内で進行する。用
いられる出発物質は好ましくは、上記に於いて好ましい
ものとして言及した化合物、特に好ましいものとして言
及した化合物、特により好ましいものとして及び／又は
とりわけ好ましいものとして言及した化合物をもたらす
ような出発物質である。
【０２５３】医薬組成物：本発明は又前記式Ｉの化合物
を含んでなる医薬組成物に関する。本発明の医薬的に許
容し得る化合物は、例えば相当量の無機もしくは有機
の、固体もしくは液体の医薬的に許容し得る担体と共に
又は担体と混合して有効成分を有効量含んでなる医薬組
成物の調製のために使用することが出来る。
【０２５４】本発明は又、レトロウィルスのプロテアー
ゼ特にレトロウィルスのアスパラギン酸プロテアーゼ、
例えばＨＩＶ−Ｉ−もしくはＨＩＶ−II−ｇａｇプロテ
アーゼ、例えばレトロウィルス疾患、例えばエイズ（Ａ
ＩＤＳ）の抑制に応答する疾患の治療もしくは予防のた
めに、温血動物、特に人に投与することは適当である医
薬組成物に関し、この組成物は少なくとも一種の医薬的
に許容し得る担体と共に、レトロウィルスプロテアーゼ
の抑制に有効な式Ｉの化合物又はその医薬として許容さ
れ得る塩の有効量を含んでなる。
【０２５５】本発明に係る医薬組成物は、温血動物（人
又は動物）に対する、経腸、例えば点鼻、直腸もしくは
経口、又は非経口、例えば筋肉内もしくは静脈内投与の
ための組成物であり、該組成物は単独でもしくは医薬と
して許容され得る担体の有効量と共に医薬的に活性の成
分の有効量を含んでなる。有効成分の用量は、温血動物
の種、体重、年令及び固体条件、個人の薬力学的デー
タ、治療すべき疾患及び投与方法に依存する。
【０２５６】本発明は又、ウィルス、特にレトロウィル
スにより引き起こされた疾患、例えばエイズの治療方法
にも関し、この方法は本発明に係る式Ｉの化合物の有効
量を、温血動物、例えば人、（上記の疾患の一種特にエ
イズのためそのような治療を必要とする人）に対し投与
することを含んでなる。温血動物、例えば約７０kgの体
重の人に投与すべて用量は、１日当り約３mg〜約３ｇ、
好ましくは約１０mg〜約１．５ｇ、例えば約３００mg〜
１０００mgであり、好ましくは１〜３個の単一用量に分
けられ、この用量は、例えば、同じ大きさのものであっ
てよい。通常子供には大人の半分を投与する。
【０２５７】医薬組成物は約１％〜約９５％、好ましく
は約２０％〜約９０％の有効成分を含有する。本発明に
係る医薬組成物は、例えば単一用量形態、例えばアンプ
ル剤、バイアル剤、座剤、糖剤、錠剤又はカプセル剤の
形態であってよい。本発明に係る医薬組成物は、自体公
知の方法により、例えば通常の溶解、凍結乾燥、混合、
造粒又は糖被プロセスにより調製される。
【０２５８】有効成分の溶液、あるいはまた懸濁液さら
に特に等張水性溶液もしくは懸濁液が好ましく用いら
れ、例えば有効成分のみ又は担体例えばマニトールと共
に有効成分を含有する凍結乾燥組成物の場合には、使用
前にそのような溶液もしくは懸濁液を製造することが可
能である。医薬組成物は殺菌することが出来る及び／又
は賦形剤、例えば保存剤、安定化剤、湿潤化剤、及び／
又は乳化剤、可溶化剤、浸透圧調整用の塩及び／又は緩
衝剤を含むことが出来、更に自体公知の方法で、例えば
通常の溶解もしくは凍結乾燥法により調製出来る、固体
溶液もしくは懸濁液は、粘度増加物質、例えばナトリウ
ムカルボキシメチルセルローズ、カルボキシメチルセル
ローズ、デキストラン、ポリビニルピロリドン又はゼラ
チンを含有出来る。
【０２５９】オイル中の懸濁液は、オイル成分として合
成もしくは半合成の植物性オイル（通常の注入目的用）
を含んでなる。８〜２２個特に１２〜２２個の炭素原子
を有する長鎖脂肪酸、例えばラウリン酸、トリデシル
酸、ミリスチン酸、ペンタデシル酸、パルミチン酸、マ
ルガリン酸、ステアリン酸、アラキドン酸、ベヘェニ酸
又は対応する不飽和酸、例えばオレイン酸、エライジン
酸、エルカ酸、ブラシジン酸又はリノレン酸を、酸成分
として含有するそのような特に液体の脂肪酸エステルが
言及され、所望により酸化防止剤、例えばビタミンＥ、
β−カロテンもしくは３，５−ジ−第３ブチル−４−ヒ
ドロキシトルエンを添加する。このような脂肪酸エステ
ルのアルコール成分は、最大６個の炭素原子を有しさら
に一価もしくは多価、例えば一価、二価もしくは三価の
アルコール、例えばメタノール、エタノール、プロパノ
ール、ブタノールもしくはペンタノール又はこれらの異
性体、特にグリコール及びグリセロールである。従って
脂肪酸エステルの次の例が言及される：オレイン酸エチ
ル、ミリスチン酸イソプロピル、パルミチン酸イソプロ
ピル、「Ｌａｂｒａｆｉｌ Ｍ２３７５」（ポリオキシ
エチレングリセロールトリオレイト、Ｇａｔｔｅｆｏｓ
ｓｅ、パリ）、「Ｍｉｇｌｙｏｌ８１２」（Ｃ８〜Ｃ１
２の長鎖を有する飽和脂肪酸のグリセリド、ハースＡ
Ｇ、ドイツ）、しかし特に植物油例えば、綿実油、アー
モンド油、オリーブ油、ヒマシ油、ゴマ油、大豆油さら
に特にピーナツ油。
【０２６０】注入組成物は、滅菌条件下通常の方法で調
製される；また該組成物をアンプルもしくはバイアルに
投入し次いで容器を密閉する為通常の方法が適用され
る。経口投与用の医薬組成物は、有効成分を固体担体と
一緒にすることにより所望により得られた混合物を造粒
し、次いで所望により又は必要に応じ適当な賦形剤を添
加した後混合物を錠剤、糖剤コアもしくはカプセル剤に
加工することによって得ることが出来る。また医薬組成
物を、測定された量で有効成分を放出もしくは拡散せし
めるようなプラスチック容器に導入することも出来る。
【０２６１】適当な担体は、特に充てん剤、例えば糖、
例えばラクトース、スクロース、マニトールもしくはソ
ルビトール、セルロース製品および／またはリン酸カル
シウム、例えばリン酸三カルシウムもしくはリン三水素
カルシウム、更に結合剤、例えばとうもろこし、小麦、
米を用いたデンプンペーストもしくはポテトペースト、
ゼラチン、トラガカント、メチルセルロース、ヒドロキ
シプロピルメチルセルロース、ナトリウムカルボキシセ
ルロース、および／またはポリビニルピロリドン、所望
により、崩壊剤、例えば上述のデンプン、更にカルボキ
シメチルデンプン、架橋ポリビニルピロリドン、寒天、
アルギン酸もしくはその塩、例えばアルギン酸ナトリウ
ムである。補助剤は、特に流動調整剤及び湿潤剤、例え
ばケイ酸、タルク、ステアリン酸、もしくはそれらの
塩、例えばステアリン酸マグネシウムもしくはカルシウ
ムおよび／またはポリエチレングリコールである。糖衣
錠剤コアには、適当な所望の経腸コーチングが設けられ
特にアラビアゴム、タルク、ポリビニルピロリドン、ポ
リエチレングリコールおよび／又は酸化チタンを含有す
る濃厚糖液が用いられ、又は適当な有機溶剤のコーチン
グ溶液、又は経腸コーチングの調製に対しては、適当な
セルロース製品、例えばアセチルセルロースフタレート
もしくはヒドロキシプロピルメチルセルロースフタレー
トの溶液が用いられる。カプセル剤は、ゼラチンから造
られる乾燥充てんカプセル剤であり、更にまたゼラチン
および可塑剤、例えばグリセロールもしくはソルビトー
ルから造られる軟密閉カプセルである。乾燥充てんカプ
セル剤は、例えば充てん剤、例えばラクトース、結合
剤、例えばデンプンおよび／または潤滑剤例えばタルク
またはステアリン酸マグネシウムおよび所望により安定
化剤と共に顆粒の形態で有効成分を含有しうる。軟カプ
セル剤中に、有効成分は好ましくは適当な油状賦形剤、
例えば脂肪油、パラフィン油もしくは液体ポリエチレン
グリコール中に懸濁もしくは溶解され、また安定剤又は
抗菌剤を加えることもできる。例えば異なる用量の有効
成分を同一視もしくは示すための染料もしくは顔料が、
更に錠剤もしくは糖剤コーチングに添加される。
【０２６２】出発物質：本発明は又、新規な出発物質及
び／又は中間体並びにそれらの製法に関する。好ましく
は出発物質及び反応条件は好ましいものとして先に掲げ
た化合物が得られるように選択される。全ての出発物質
の調製に於いて、対象の反応に関与しない官能基は、保
護されていないか又は保護された形態であり、例えばそ
れらはプロセスａ）のもとで説明した保護基によって保
護され得る。これらの保護基はプロセスｆ）のもとで説
明した反応により適当な時期に除去され得る。
【０２６３】プロセスａ）の出発物質は、公知であるか
又はもしくは新規である場合自体公知の方法によって製
造することが出来、例えば式III の化合物はヒドラジン
又はその適当な誘導体から調製することが出来更に式IV
の化合物は、適当なアミノ酸又はそれらの同族体、例え
ば言及した側鎖Ｒ3 及びＲ4 の一種又は二種を有するそ
れらから調製することが出来る。
【０２６４】前記式III の化合物は、例えば次式XV：
【０２６５】
【化２２】
【０２６６】（式中、Ｒ11は水素又はプロセスｂ）のも
とで記載した如きアミノ保護基、特に第三低級アルコキ
シカルボニル、例えば第３ブトキシカルボニル、アリー
ル−低級アルキルカルボニル、例えばベンジルオキシカ
ルボニル又は９−フルオレニルメトキシカルボニル、又
は上記のアシルアミノ保護基の一種である）で表わされ
る化合物から、前記式Ｉ（式中Ｒ7 のカわりに基Ｒ7 ″
（この基は未置換であるか又は置換アルキルもしくはシ
クロアルキルである）の化合物を調製する為、プロセス
ｅ）のもとで記載した如く、Ｒ7 ″を導入するため式XI
I の化合物でアルキル化するか、又は適当なカルボニル
化合物を、式VIIIの化合物又はそのアシル化誘導体の遊
離アミノ基と反応させることにより基Ｒ7 を導入し、引
続き得られたヒドラジンを還元し、次式XVI ：
【０２６７】
【化２３】
【０２６８】（式中、言及した総ての化合物における基
は先に提示した意味と同じであり更に反応に関与しない
関与試剤中の官能基は、所望により保護される）で表わ
されるヒドラジン誘導体を得、もしくはそれが式Ｉの化
合物中の基Ｒ8 又はＲ9 の一種に対応しない場合、保護
基Ｒ11を適当に除去し及び／又は他の保護基を除去し、
次いで水素以外の基Ｒ8 及びＲ9 をプロセスｂ）のもと
で言及した条件のもとでの縮合により、式VI又は次式XV
II：
【０２６９】
【化２４】
【０２７０】（式中Ｒ8 は先に提示した意味と同じであ
る）で表わされる酸と反応させ、あるいは又前記の如く
式XIII又はXIV の化合物でアルキル化することにより、
あるいは又付加的プロセスの工程のもとで前記した条件
に従ってその双方により反応せしめることによって得る
ことができる。式XVI の化合物の調製に対して使用され
るＲ7 の導入に対して適当なカルボニル化合物は、アル
デヒド又はケトンであり、これらの反応性カルボニル基
は式XVの化合物と反応を更に引続き還元後前記の基Ｒ7
の一種の化合物であり、好ましくは、低級アルキル、シ
クロヘキシル−低級アルキルもしくはフェニル−低級ア
ルキルの導入に適当なアルデヒドである。
【０２７１】対応するヒドラゾンを得るため、カルボニ
ル化合物と式XVI 化合物との反応は、カルボニル化合物
とアミンとの反応に対する通常の条件のもとで、好まし
くは極性有機溶媒中、例えばエーテル、例えばテトラヒ
ドロフランもしくはジエチルエーテル、アルコール、例
えばメタノールもしくはエタノール、カルボン酸アミ
ド、例えばジメチルホルムアミド、又はエステル、例え
ば酢酸エチル中、あるいは又水性溶液中、好ましくはメ
タノール中さらに酸触媒、例えばカルボン酸、例えばギ
酸もしくは酢酸、又はスルホン酸、例えばｐ−トルエン
スルホン酸の存在下もしくは非存在下、０℃ないし反応
混合物の還流温度で、好ましくは２０℃ないし反応混合
物の還流温度で行なわれる。
【０２７２】生成したヒドラゾンの還元は、好ましく
は、適当な触媒の存在下で水素化することにより好まし
く行なわれる。水素化に対して用いられる適当な触媒に
は、金属、例えばニッケル、鉄、コバルト又はルテニウ
ム更に貴金属及びそれらの酸化物、例えばパラジウムも
しくはロジウム及びそれらの酸化物が含まれ適当な場
合、例えば適当な支持体、例えば硫酸バリウム、酸化ア
ルミニウムもしくは活性炭に適用され、あるいは又スケ
ルトン触媒、例えばラネーニッケルの形態で用いられ
る。触媒水素化に対する通常の溶剤は、例えば水、アル
コール、例えばメタノールもしくはエタノール、エーテ
ル、例えば酢酸エチル、エーテル例えばジオキサン、ク
ロル化炭化水素、例えばジクロロメエン、カルボン酸ア
ミド、例えばジメチルホルムアミド、又はカルボン酸、
例えば氷酢酸、又はこれらの溶剤の混合物である。水素
化は、１０〜２５０℃の温度、好ましくは室温ないし１
００℃、更に１〜２００バール、もしくは１〜１０バー
ルの水素圧で通常の装置内で行なわれる。
【０２７３】式XVの化合物の調製に対し、Ｊ．Ｃｈｅ
ｍ．Ｓｏｃ．Ｐｅｒｋｉｎ Ｉ，１７１２（１９７５）
に記載した条件に類似した反応条件が特に好ましい。式
IVの化合物は、例えば、次式XVIII ：
【０２７４】
【化２５】
【０２７５】（式中Ｒ10は水素又はプロセスａ）で述べ
たアミノ保護基の一種であり特に第３低級アルコキシカ
ルボニル、例えば第３ブトキシカルボニル、アリール−
低級アルコキシカルボニル、例えばベンジルオキシカル
ボニル又は９−フルオレニルメトキシカルボニル又は該
プロセスのもとで述べたアシルアミノ保護基の一種であ
り更にＲ3 及びＲ4 は式Ｉの化合物に対して定義した意
味と同じである）で表わされるアミノ酸を還えて、好ま
しくは、次式XVIIIA：
【０２７６】
【化２６】
【０２７７】（式中基は先に定義した意味と同じであ
る）で表わされるアミノ酸を、還元して次式XIX ：
【０２７８】
【化２７】
【０２７９】（式中基は先に定義した意味と同じであ
る）で表わされるアルデヒドとし、好ましくは次式XIX
A：
【０２８０】
【化２８】
【０２８１】（式中、基は先に定義した意味と同じであ
る）で表わされるアルデヒド（これは例えば式XVIIIAの
化合物から得られる）とし、得られたこれらの化合物
を、イリド化合物、好ましくは硫黄−イリド化合物と反
応させ、次式XX：
【０２８２】
【化２９】
【０２８３】（式中基は先に定義した意味と同じであ
る）で表わされるエポキシド、好ましくは次式XXA ：
【０２８４】
【化３０】
【０２８５】（式中、基は先に定義した意味と同じであ
る）で表わされる化合物（これは例えば式XIXAの化合物
から得られることが出来る）、適当な場合には保護基Ｒ
11を除去し（但し式Ｉの化合物に於ける基Ｒ8 又はＲ9
の一方に対応しない場合である）、更に得られた化合物
のアミノ基を、次式VIII又は次式XXI ：
【０２８６】
【化３１】
【０２８７】（式中基は先に定義した意味と同じであ
る）で表わされる酸を用い、プロセスｂ）に対して記載
した条件のもとでアシル化し、及び／又は得られた化合
物のアミノ基を、式Ｘ又はXI（ここで基は先に定義した
意味と同じである）の離核性脱離基を有する試剤を用
い、付加的プロセス工程に対して記載した条件のもとで
アルキル化することにより得ることが出来る。
【０２８８】式XVIII 又はXVIIIAのアミノ酸を対応する
アルデヒドXIX 及びXIXAに還元することは、例えば対応
するアルコールに還元し引続き該アルデヒドに酸化する
ことによって行なわれる。アルコールに対する還元は、
例えば式XVI の化合物から得られたヒドラゾンの水素化
に対して言及した条件の下で、プロセスｂ）の下で言及
した酸ハロゲン化物または他の活性化カルボン酸誘導体
の水素化により、または錯体水素化物、例えば水素化ホ
ウ素ナトリウムを用いて行われる。得られたアルコール
を引き続き酸化することは、例えば、付加的プロセスの
工程で記載したごとく、式Ｉ（式中Ｒ5 はヒドロキシで
あり更にＲ6 は水素である）の化合物を、式Ｉ（式中Ｒ
5 及びＲ6 は共にオキソである）の化合物に酸化するた
めの条件の下で、或いは又ヒドロキシ基を活性化する試
剤、例えばカルボン酸塩化物、例えば塩化オキサリルの
存在下、不活性溶剤、例えばハロゲン化炭化水素、例え
ばジクロロメタン、及び／またはアクリルエーテルもし
くは環式エーテル、例えばテトラヒドロフラン中、−８
０°〜９０℃、例えば−７８°〜−５０℃の温度でスル
ホキシド、例えばジメチルスルホキシドを用いてヒドロ
キシ基を還元することにより可能である。
【０２８９】アミノ酸のアルデヒドへの直接還元もまた
可能であり、例えば部分的に含有するパラジウム触媒の
存在下で水素化することにより可能であり、或いはまた
錯体水素化物、例えば水素化ホウ素、例えば水素化ホウ
素ナトリウム、或いはまた好ましくはアルミニウム水素
化物、例えば水素化アルミニウムリチウム、水素化トリ
−（第三ブトキシ）アルミニウムリチウムまたは特に水
素化アルミニウムジイソブチルを用い、非極性溶剤、例
えば炭化水素もしくは芳香族溶剤、例えばトルエン中、
−１００°〜０℃で好ましくは−７０°〜−３０℃で対
応するアミノ酸エステル、例えば低級アルキルエステ
ル、例えばエチルエステルを還元し、ついで例えばセミ
カルバゾンの対応する酸塩、例えばセミカルバジド塩酸
塩を用い水性溶剤系、例えばアルコール／水、例えばエ
タノール／水中、−２０°〜６０℃の温度で、好ましく
は１０°〜３０℃で引き続き反応させ、対応するセミカ
ルバゾンを得、ついで反応性アルデヒド、例えばホルム
アルデヒドを用い、不活性溶剤、例えば極性有機溶剤、
例えばカルボン酸アミド、例えばジメチルホルムアミド
中、−３０°〜６０℃の温度で、好ましくは０°〜３０
℃の温度で得られたセミカルバゾンを反応させついで
酸、例えば強鉱酸、例えば水素ハロゲン化物を用い、水
性溶液中、所望によりすでに用いた溶剤の存在中、−４
０°〜５０℃、好ましくは−１０°〜３０℃の温度で反
応させることにより可能である。対応するエステルは、
プロセスｂ）における条件で用いた類似の条件に従い、
対応するカルボン酸、例えば無機酸を用いアミノ酸と反
応させることにより、例えば無機酸ハロゲン化物、例え
ば塩化チオニルを用い、有機溶剤混合物、例えば芳香族
及びアルコール性溶剤混合物：例えばトルエン及びエタ
ノール中、−５０°〜５０℃の温度で、好ましくは−１
０°〜２０℃の温度で反応させることにより得られる。
【０２９０】式XIX 及びXIXAの化合物の調製は、Ｊ．Ｏ
ｒｇ．Ｃｈｅｍ．４７，３０１６（１９８２）または
Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．４３，３６２４（１９７８）に
記載した反応条件に類似した条件の下で特に好ましく行
われる。式XX又はXXA のエポキシドを形成するための式
１９または１９Ａの化合物の反応に適したスルホ−イリ
ドは、例えば、ジアルキルスルホニウムメチリド、例え
ばジメチルスルホニウムメチリド、アルキル−もしくは
フェニル−ジアルキルアミノスルホニウムメチリド、例
えばメチル−もしくはフェニル−ジメチルアミノスルホ
ニウムメチリド、またはジアルキルスルホニウムメチリ
ド、例えばジメチル−もしくはジエチル−スルホキソニ
ウムメチリドである。
【０２９１】関連するスルホ−イリド化合物は、特に対
応するスルホニウムもしくはスルホキソニウム塩及び塩
基、例えば水素化ナトリウムから、双極性の非プロトン
性溶剤、例えばジメチルスルホキシド、またはエーテ
ル、例えばテトラヒドロフランもしくは１，２−ジメト
キシエタン中、同一反応系内で好ましく調製されついで
式XIX またはXIXAの化合物と反応させる。反応は通常室
温、例えば−２０℃に冷却しながら、または例えば４０
℃までにおだやかに加熱しながら行われる。同時に形成
されたスルフィド、スルフィアミドまたはスルホキシド
は、引き続き水性の処理中に除去される。
【０２９２】スルホ−イリドとの反応は、特に好ましく
はＪ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．５０，４６１５（１９８５）
に記載された条件に類似して行われる。式XX（好ましく
はXXA ）の化合物はまた、式XIX （好ましくはXIXA）の
化合物から前記のごとく、例えば対応するハロメチルシ
ラン、例えばクロロメチル−メチルシランから調製され
たトリ−低級アルキル−シリルメチル−グリニアル化合
物を用い、不活性溶剤、例えばエーテル、例えばジオキ
サンもしくはジエチルエーテル中、０〜５０℃の温度
で、例えば室温〜約４０℃の温度で該化合物を反応させ
ついで例えば不活性溶剤、例えばエーテル、例えばジエ
チルエーテル、またはハロゲン化炭化水素、例えばジク
ロロメタン、またはそれらの混合物中、−５０℃〜還流
温度、特に０〜３０℃の温度でルイス酸、例えばＢＦ3
を用いて処理することにより二重結合を成形し、好まし
くは存在するアミノ保護基Ｒ10も除去され、所望により
前記のごとく一回以上アシル化しＲ10としてのアミノ保
護基を導入し、ついで好ましくは過カルボン酸、例えば
ｍ−クロロ過安息香酸を用い、不活性溶剤中、例えばハ
ロゲン化炭化水素、例えばジクロロメタン中、−２０℃
〜混合物の還流温度、例えば１０〜３０℃の温度で得ら
れた二重総合をオキシランに酸化して得ることも出来
る。
【０２９３】プロセスｂ），ｃ）及びｄ）の出発物質
は、公知であり、またはもしも新規の場合自体公知の方
法に従い調製出来る、例えば式Ｖの化合物は式III （式
中Ｒ9 は水素であり残りの基は式Ｖの化合物に対し定義
された意味である）の適当なヒドラジン誘導体及び式IV
（式中基は式Ｖ（プロセスｂ）の化合物に対し定義され
た意味である）の適当なエポキシドから調製出来、式VI
I の化合物は、式III （式中基は式VII の化合物に対し
定義された意味である）の適当なヒドラジン誘導体及び
式IV（式中Ｒ1 は水素であり残りの基は式VII （プロセ
スｃ）の化合物に対して定義された意味である）の適当
なエポキシドから調製することが出来、更に式IXの化合
物は、式III （式中Ｒ9 は水素であり残りの基は式IX
（プロセスｄ）の化合物に対し定義された意味である）
の適当なヒドラジン誘導体及び式IV（式中Ｒ1 は水素で
あり残りの基は式IX（プロセスｄ）の化合物に対して定
義された意味である）の適当なエポキシドから、プロセ
スａ）に準じ、適当な場合には保護基の使用及び除去を
伴い調製することが出来る。
【０２９４】式Ｉ′（式中置換基は先に定義した意味で
ある）の化合物は、例えば、次式III ′：
【０２９５】
【化３２】
【０２９６】（式中、基は式Ｉの化合物に対して定義し
た意味である）で表わされる化合物から、プロセスｂ）
において記載した方法で、式IV（式中反応に関与しない
存在する官能基は、該プロセスにおいて記載したごとく
保護された形態にあり更に反応後遊離にされる）の化合
物と反応させることにより調製出来る。プロセスｄ）に
対し、次式II：
【０２９７】
【化３３】
【０２９８】（式中Ｒ3 は未置換であるか又は置換アル
キルもしくはシクロアルキル；アリール；複素環式基；
または未置換もしくは置換アルケニルであり；更にＲ7
は未置換であるかまたは置換アルキルもしくはシクロア
ルキル；アリール；複素環式基；または未置換もしくは
置換アルケニルである）で表わされる出発物質、及び塩
形成基が存在する場合該化合物の塩が調製され、これら
は本発明にかかる中間体である。
【０２９９】該化合物は特に１個または２個のアミノ基
で保護されており更に２個のアミノ基が存在する場合、
それらは同一でもまたは互いに異なっていてもよい。ア
ミノ保護基として、例えばプロセスａ）で前述したアミ
ノ保護基を用いることが出来る。式IIの化合物に対して
記載した基Ｒ3 及びＲ7 は、基Ｒ3 及びＲ7 の定義にお
いて式Ｉの化合物に対して前記した定義と同じ意味であ
る。
【０３００】特に好ましい化合物は、式II（式中Ｒ3 は
シクロヘキシル−低級アルキル、フェニル−低級アルキ
ルもしくはｐ−フルオロフェニル−低級アルキルであり
更にＲ7 は低級アルキル、シクロヘキシル−低級アルキ
ル、フェニル−低級アルキル、ｐ−シアノフェニル−低
級アルキルもしくはｐ−フルオロフェニル−低級アルキ
ルである）の化合物及び塩形成基が存在する場合該化合
物の塩である。
【０３０１】更に特に好ましい化合物は式II（式中Ｒ3
はフェニル−低級アルキルであり更にＲ7 は低級アルキ
ル、シクロヘキシル−低級アルキル又はフェニル−低級
アルキルである）の化合物及び塩形成基が存在する場合
該化合物の塩である。更により好ましい化合物は、式II
（式中Ｒ3 はシクロヘキシルメチル、ベンジルもしくは
ｐ−フルオロベンジルであり更にＲ7 はｎ−ブチル、イ
ソブチル、シクロヘキシルメチル、ベンジル、ｐ−フル
オロベンジルもしくはｐ−シアノベンジルである）の化
合物及び塩形成基が存在する場合該化合物の塩である。
【０３０２】更に特に好ましい化合物は、式II（式中Ｒ
3 はベンジルであり更にＲ7 はイソブチル、シクロヘキ
シルメチルもしくはベンジルである）の化合物及び塩形
成基が存在する場合該化合物の塩である。とりわけ好ま
しい化合物は実施例において記載する式IIの化合物であ
る。式II（式中置換基は先に定義した意味である）の化
合物又は塩形成基が存在する場合それらの塩は、例えば
次式XVI ：
【０３０３】
【化３４】
【０３０４】（式中、Ｒ11はアミノ保護基である）で表
わされるヒドラジンと、次式XXA ：
【０３０５】
【化３５】
【０３０６】（式中、Ｒ10はアミノ保護基である）で表
わされるエポキシドに転化しついで所望により先のプロ
セスａ）に従って得ることの出来る少なくとも一種の塩
形成基を有する式IIの化合物を、その塩に変換するか、
または得ることの出来る塩と、遊離化合物もしくは異な
る塩に変換し及び／または得られる異性体混合物を分離
し及び／または式IIの化合物内に存在する保護基を除去
し及び／または本発明に係る式IIの化合物を、本発明に
係る式IIの別の化合物に変換することによって調製され
る。
【０３０７】塩の調製及び変換、異性体混合物の分離、
保護基の除去及び式IIの化合物の変換は、式Ｉの化合物
に対して前述したプロセスに類似して行われる。特に好
ましくは、式II（式中置換基は先に定義された意味であ
る）の出発物質の調製は、付加的プロセス工程において
記載したごとく、式Ｉの化合物の加水分解の条件下、式
II（式中１個または２個のアミノ基はアミノ保護基によ
り保護されている）の化合物から保護基を除去すること
によって行われる。
【０３０８】式XVI の化合物を式XXA の化合物に添加す
るための方法は、式Ｉの化合物の調製においてプロセス
ａ）の下で記載した方法である。式Ｉの保護された化合
物の調製は、例えば、特に式III 及びIV（式中これらの
化合物における反応基は、所望によりプロセスａ）で記
載したごとく保護基により保護されている）の化合物か
ら、これまで言及したプロセスの任意の１つのプロセス
に従って行われる。
【０３０９】式VI，VIII，XVII，及びXXI の酸及び式
Ｘ，XI，XII ，XIII，XIV 及びXVの離核性基を有する化
合物は公知であり、或いはまた新規な場合自体公知の方
法に従って調製出来る。以下の実施例は本発明を説明す
るためのものであるが、本発明を何ら制限するものでは
ない。
【０３１０】温度は摂氏（℃）で与えられ、特に温度が
示されていない場合、反応は室温で行われる。Ｒｆ値
（これは溶離液フロントの展回距離に対する対掌物質の
展回距離の割合を示す）は、以下の溶剤系における薄層
クロマトグラフィ（ＴＬＣ）により薄層シリカゲルプレ
ート上で確定される。 ＴＬＣ溶離液系： Ａ クロロホルム／メタノール／水／酢酸 ７５：２７：５：０．５ Ｂ クロロホルム／メタノール／水／酢酸 ９０：１０：１：０．５ Ｃ クロロホルム／メタノール／水／酢酸 ８５：１３：１．５：０．５ Ｄ クロロホルム／メタノール ８：１ Ｅ クロロホルム／メタノール ９５：５ Ｆ ヘキサン／酢酸エチル ２：１ Ｇ 塩化メチレン／ジエチルエーテル／ ２０：２０：１ メタノール Ｈ 塩化メチレン／ジエチルエーテル １：１ Ｉ トルエン／酢酸エチル ２：１ Ｋ クロロホルム／メタノール ５：１ Ｊ 塩化メチレン／ジエチルエーテル ５：１ Ｌ ヘキサン／酢酸エチル ４：１ Ｍ ヘキサン／酢酸エチル ５：１ Ｎ ヘキサン／酢酸エチル １：１ Ｏ 酢酸エチル − Ｐ 塩化メチレン／エタノール／ ９０：１０：１ アンモニア水 Ｑ 塩化メチレン／ジエチルエーテル １０：１ Ｒ ヘキサン／酢酸エチル ３：１ Ｓ 塩化メチレン／ジエチルエーテル ２０：１ Ｔ： クロロホルム／メタノール ３０：１ Ｕ： クロロホルム／メタノール １５：１ Ｖ： 塩化メチレン／ジエチルエーテル／ １：１：３ ヘキサン Ｗ： 塩化メチレン／ジエチルエーテル ２０：１ Ｘ： 塩化メチレン／メタノール ４０：１ Ｙ： トルエン／酢酸エチル ４：１ 略記号「Ｒｆ（Ａ）」は、例えばＲｆ値が溶剤系Ａで
測定されたことを示す、互いに対する溶剤の割合は、常
に容積部で示される。 ＨＰＬＣ−グラジェント： Ｉ： ２０％〜１００％アセトニトリル／水中０．０５
％三フッ化酢酸／０．０５％三フッ化酢酸、３５分間。
【０３１１】II： ０％〜４０％アセトニトリル／水中
０．０５％三フッ化酢酸／０．０５％三フッ化酢酸、３
０分間中。 III： ２０％〜６０％アセトニトリル／水中０．０５
％三フッ化酢酸／０．０５％三フッ化酢酸、６０分間
中。 IV： １０％〜５０％アセトニトリル／水中０．０５％
三フッ化酢酸／０．０５％三フッ化酢酸、６０分間中。
【０３１２】カラム（２５０×４．６mm）を、「逆層」
物質Ｃ18は−ムクレオジル（Ｎｕｃｌｅｏｓｉｌ）（登
録商標）（５μｍの平均粒形、オクタデシルシランで共
有的に誘導されたシリカゲル、マーチェルアンドナーゲ
ル社、ドレン、ドイツ連邦共和国）を用いて充填する。
２１５nmでＵＶ吸収により検出。保持時間（ｔＲｅｔ）
は分で与えられる。流速１ml／分。
【０３１３】同じ略記号が、フラッシュクロマトグラフ
ィ及びミディアムプレッシャークロマトグラフィに対す
る溶離液系を示すため用いられる。他の用いられた短い
名称及び略記号は次の意味を有する： ａｂｓ． 無水（溶剤が無水物であることを示す） ａｔｍ 物理的圧力 （圧力の単位）−１気圧は１．０１３ｂａｒに相当す
る。 Ｂｏｃ 第三ブトキシカルボニル ＢＯＰ ベンゾトリアゾル−１−イル−オキシ−トリ
ス（ジメチルアミノ）−ホスホニウム ヘキサフルオロ
ホスフェート ＤＩＰＥ ジイソプロピルエーテル ＤＭＦ ジメチルホルムアミド ＤＭＳＯ ジメチルスルホキシド エーテル ジエチルエーテル ｈ 時間 ＨＢＴＵ 対応しているＯ−ベンゾトリアゾール−１−
イル−Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラメチル−ウロニウム
ヘキサフルオロホスフェート ＨＯＢｔ １−ヒドロキシベンゾトリアゾール ＨＶ 高真空 ｍｉｎ 分（ｓ） ＭＳ マススペクトロスコピー ＮＭＭ Ｎ−メチルモルホリン ＲＴ 室温 ＲＥ 回転蒸発器 ブライン 飽和塩化ナトリウム溶液 ＴＦＡ 三フッ化酢酸 Ｚ ベンジルオキシカルボニル マススペクトルの測定値は、通常のＭＳまたは「高速原
子衝激」（ＦＡＢ−ＭＳ）法のいずれかによって得られ
る。マスの詳細は、まず第一に未プロトン化分子イオン
（Ｍ）+ またはプロトン化分子イオン（Ｍ＋Ｈ）+ を言
及する。
【０３１４】陽子核磁気共鳴（1 Ｈ−ＮＭＲ）の価は内
部基準としてテトラメチルシランに基づきppm （パート
パーミリオン）で与えられる。ｓ＝一重線、ｄ＝二重
線、ｔ＝三重線、ｑ＝四重線、ｍ＝多重線、ｄｄ＝二重
二重線、ｂｒ＝幅広い。ＩＲスペクトルに対する価は、
cm-1で与えられ更に対掌の溶剤は、丸いブランケット内
にある。もしも引用される場合、ｓは、対掌のバンドの
強い強度を、ｍは中程度の強度を更にｗは弱い強度を示
す。
【０３１５】−〔ＰｈｅNNＰｈｅ〕として言及される基
は、３（Ｓ）−アミノ−４−フェニル−１−（Ｎ−ベン
ジルヒドラジノ）−ブタン−２（Ｓ）−オールの二価の
基を示し更に次式：
【０３１６】
【化３６】
【０３１７】を有する。−〔ＰｈｅNNＣｈａ〕として言
及される基は、３（Ｓ）−アミノ−４−フェニル−１−
（Ｎ−シクロヘキシルメチルヒドラジノ）−ブタン−２
（Ｓ）−ホルの二価の残基を示し更に次式：
【０３１８】
【化３７】
【０３１９】を有する。−〔ＰｈｅNNＬｅｕ〕として言
及される基は、３（Ｓ）−アミノ−４−フェニル−１−
（Ｎ−イソブチルヒドラジノ）−ブタン−２（Ｓ）−オ
ールの二価の残基を示し更に次式：
【０３２０】
【化３８】
【０３２１】を有する。−〔ＰｈｅNNＮｌｅ〕として言
及される基は、３（Ｓ）−アミノ−４−フェニル−１−
（Ｎ−ｎ−ブチルヒドラジノ）−ブタン−２（Ｓ）−オ
ールの二価の残基を示し更に次式：
【０３２２】
【化３９】
【０３２３】を有する。−〔ＰｈｅNN（ｐ−Ｆ）Ｐｈ
ｅ〕として言及される基は、３（Ｓ）−アミノ−４−フ
ェニル−１−（Ｎ−（ｐ−フルオロフェニルメチル）−
ヒドラジノ）−ブタン−２（Ｓ）−オールの二価の残基
を示し更に次式：
【０３２４】
【化４０】
【０３２５】を有する。−〔（ｐ−Ｆ）ＰｈｅNN（ｐ−
Ｆ）Ｐｈｅ〕として言及される基は、３（Ｓ）−アミノ
−４−（ｐ−フルオロフェニル）−１−（Ｎ−（ｐ−フ
ルオロフェニルメチル）−ヒドラジノ）−ブタン−２
（Ｓ）−オールの二価の残基を示し更に次式：
【０３２６】
【化４１】
【０３２７】を有する。−〔ＰｈｅNN（ｐ−ＣＮ）Ｐｈ
ｅ〕として言及される基は、３（Ｓ）−アミノ−４−フ
ェニル−１−（Ｎ−（ｐ−シアノフェニルメチル）−ヒ
ドラジノ）−ブタン−２（Ｓ）−オールの二価の残基を
示し更に次式：
【０３２８】
【化４２】
【０３２９】を有する。−〔ＣｈａNNＬｅｕ〕として言
及される基は、３（Ｓ）−アミノ−４−シクロヘキシル
−１−（Ｎ−イソブチル−ヒドラジノ）−ブタン−２
（Ｓ）−オールの二価の残基を示し更に次式：
【０３３０】
【化４３】
【０３３１】を有する。ペプチド化学において通常用い
られる略記号が、天然のα−アミノ酸の二価の残基を命
名するため用いられる。しかし、末端アミノが左側にあ
り更に末端カルボキシが右側にある通常のペプチド命名
法に反し、化合物の命名において右側に残基−〔Ｐｈｅ
NNＰｈｅ〕，−〔ＰｈｅNNＣｈａ〕，−〔ＰｈｅNNＬｅ
ｕ〕，−〔ＰｈｅNNＮｌｅ〕，−〔ＰｈｅNN（ｐ−Ｆ）
Ｐｈｅ〕，−〔（ｐ−Ｆ）Ｐｈｅ NN（ｐ−Ｆ）Ｐｈ
ｅ〕，−〔ＰｈｅNN（ｐ−ＣＮ）Ｐｈｅ〕、または−
〔Ｃｈａ NNＬｅｕ〕を有するアミノ酸は左側に結合カル
ボニル基を有し、これは結合の方向の逆を記号で示す矢
印（←）によって示される。もしも知られている場合α
−炭素原子の立体配置は、接頭語の（Ｌ）−もしくは
（Ｄ）−によって示される。基Ｒによってフェノール性
ヒドロキシ基でエーテル化されたチロシン残基は、Ｔ yr
（ＯＲ）によって示される。Ｎｌｅは、ノルロイシンの
残基を示す。
【０３３２】
【実施例】例１：Ｂｏｃ−〔ＰｈｅNNＰｈｅ〕−Ｂｏｃ： ４mlのメ
タノールに溶解した３００mg（１．１４mmol）の（Ｚ
Ｒ）−〔１′（Ｓ）−Ｂｏｃ−アミノ−Ｚ′−フェニル
エチル〕オキシラン（Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．５０，４
６１５（１９８５））及び２５３mg（１．１４mmol）の
第三ブチル−３−ベンジル−カルバレート（Ｊ．Ｏｒ
ｇ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｐｅｎｋｉｎ Ｉ，１７１２
（１９７５））の溶液を、１２時間加熱還流する。反応
混合物を０℃に冷却後、大部分の表題化合物が沈澱す
る。蒸発により母液を濃縮しついで残留物を少量の塩化
メチレンに溶解する。ヘキサンを滴下後、更に表題化合
物を白色沈澱物の形態で得る。ＦＡＢ−ＭＳ：（Ｍ＋
Ｈ）+ ＝４８６，ｔＲｅｔ（Ｉ）＝２６．８分，Ｒｆ
（Ｅ）＝０．７０。
【０３３３】例２：Ｚ−（Ｌ）−Ｖａｌ−〔ＰｈｅNNＰ
ｈｅ〕←（（Ｌ）−Ｖａｌ−Ｚ）：１９１mg（０．７６
mmol）のＺ−（Ｌ）−バリン、３３６mg（０．７６mmo
l）のＢＯＰ及び１０３mg（０．７６mmol）のＨＯＢｔ
を、ＤＭＦに溶解した０．３ＭのＮＭＭ溶液５mlに溶解
しついで１０分後１００mg（０．２５mmol）のＨ−〔Ｐ
ｈｅNNＰｈｅ〕−Ｈ・３ＨＣｌを添加しついで混合物を
チッ素雰囲気下ＲＴで２時間攪拌する。
【０３３４】反応混合物を蒸発により濃縮し、ついで残
留物を塩化メチレンに溶解しついで飽和炭酸水素ナトリ
ウム溶液で２回洗浄する。有機相を綿の詰物を通して濾
過しついで蒸発により濃縮し更に残留物を塩化メチレン
／エーテル（１：１）を用いシリカゲルによるクロマト
グラフィ法により精製する。ジオキサンからの生成物含
有分画を凍結乾燥し、白色固体の形態で表題化合物を得
る。ＦＡＢ−ＭＳ：（Ｍ＋Ｈ）+ ＝７５２，ｔＲｅｔ
（Ｉ）＝２７．８分，Ｒｆ（Ｅ）＝０．４５。
【０３３５】出発物質の次のように調製する： ａ）Ｈ−〔ＰｈａNNＰｈｅ〕−Ｈ・３ＨＣｌ：１０mlの
４Ｎ塩化水素のジオキサンに溶解した、例１からのＢｏ
ｃ−〔Ｐｈｅ NNＰｈｅ〕−Ｂｏｃ２８０mg（０．５８mm
ol）の溶液を、チッ素雰囲気下ＲＴで２時間攪拌しつい
で凍結乾燥する。ジオキサン／第三ブタノールから一回
以上凍結乾燥し、綿状の固体の形態で表題化合物を得
る。ＦＡＢ−ＭＳ：（Ｍ＋Ｈ）+ ＝２８６，ｔＲｅｔ
（II）＝２３．１分，Ｒｆ（Ｃ）＝０．１７。
【０３３６】例３：Ｂｏｃ−（Ｌ）−Ｖａｌ−〔Ｐｈｅ
NNＰｈｅ〕←（（Ｌ）−Ｖａｌ−Ｂｏｃ）：例２に記載
したと同様の方法で、５０mg（０．１３mmol）のＨ−
〔ＰｈｅNNＰｈｅ〕−Ｈ・３ＨＣｌ，８３mg（０．８３
mmol）のＢｏｃ−（Ｌ）−バリン，１６８mg（０．３８
mmol）のＢＯＰ，５１mg（０．３８mmol）のＨＯＢｔ及
びＤＭＦに溶解した０．３ＭのＮＭＭ２．５mlからクロ
ロホルム／メタノール（９５：５）を用いシリカゲルに
よるクロマトグラフィの精製後ついでジオキサンから凍
結乾燥して表題化合物を得る。ＦＡＢ−ＭＳ：（Ｍ＋
Ｈ）+ ＝６８４，ｔＲｅｔ（Ｉ）＝２７．４分、Ｒｆ
（Ｅ）＝０．３８。
【０３３７】例４：Ｂｏｃ−〔ＰｈｅNNＰｈｅ〕−Ｂｏ
ｃ：２３１mg（０．８８mmol）の（２Ｒ，３Ｓ）−１−
〔３−Ｂｏｃ−アミノ−２−フェニルエチル〕オキシラ
ン及び２００mg（０．８８mmol）の第三ブチル−３−シ
クロヘキシルメチル−カルバゼートから、例１の方法に
準じ、表題化合物をヘキサンから白色沈殿物の形態で得
る。ＦＡＢ−ＭＳ：（Ｍ＋Ｈ）+ ＝４９２，ｔＲｅｔ
（Ｉ）＝３０．４分、Ｒｆ（Ｅ）＝０．７８。
【０３３８】出発物質を次のように調製する： ａ）第三ブチル−３−シクロヘキシルメチル−カルバゼ
ート ４００mlのメタノールに溶解した、１０．２ｇ（４５．
１mmol）のシクロヘキシルカルボアルデヒド−第三ブト
キシカルボニルヒドラゾンを、炭素に担持した５％白金
５．１ｇの存在下、ＲＴで及び４気圧の水素圧で水素化
する。反応が完結したら触媒を濾過して除去しついで濾
液を蒸発により濃縮する。残留物を塩化メチレンに溶解
しついで水で洗浄する。有機相を蒸発により濃縮し、表
題化合物と無色の樹脂の形態で得る。1 Ｈ−ＮＭＲ（２
００MHz ，ＣＤＣｌ3 ）：６．１（ｓ．ｂｒ．１Ｈ），
３．９（ｓ．ｂｒ．１Ｈ），２．６５（ｄ，２Ｈ），
１．８〜０．７５（ｍ，１１Ｈ），１．４５（ｓ，９
Ｈ），ｔＲｅｔ（Ｉ）＝３２．０分、Ｒｆ（Ｅ）＝０．
７５。
【０３３９】ｂ）シクロヘキシルカルボアルデヒド−第
三ブトキシカルボニルヒドラゾン：４００mlのエタノー
ルに溶解した１０．８ｇ（８１．２mmol）の第三ブチル
カルバゼート及び１０．１ｇ（９０mmol）のシクロヘキ
シルカルボアルデヒドの溶液を、２時間加熱還流する。
ついで溶剤の半分を蒸留により除去し、水を添加して表
題化合物を沈殿させる。これを更にａ）において直接用
いる。
【０３４０】例５：Ｈ−（Ｌ）−Ｖａｌ−〔ＰｈａNNＰ
ｈｅ〕←（（Ｌ）−Ｖａｌ）−Ｈ・３ＨＣｌ：４mlの４
Ｎ塩化水素のジオキサン溶液に溶解した例３からのＢｏ
ｃ−（Ｌ）−Ｖａｌ−〔ＰｈａNNＰｈａ〕←（（Ｌ）−
Ｖａｌ）−Ｂｏｃ４０mg（０．０６mmol）の溶液を、Ｒ
Ｔで１時間攪拌する。ついで混合物をジオキサンで希釈
しついで凍結乾燥後、表題化合物を塩酸塩の形態で得
る。ＦＡＢ−ＭＳ：（Ｍ＋Ｈ）+ ＝４８４，ｔＲｅｔ
（II）＝２５．８分、Ｒｆ（Ａ）＝０．４５例６：Ｎ−チオモルホリノカルボニル−（Ｌ）−Ｖａｌ
−〔ＰｈａNNＰｈａ〕←（Ｎ−チオモルホリノカルボニ
ル） ３５μｌ（０．２５mmol）のトリエチルアミン及び１６
mg（０．１mmol）の（４−チオモルホリニルカルボニ
ル）塩化物を、連続的に室温で、０．５mlのＤＭＦに溶
解した例５からの２０mg（０．３mmol）のＨ−（Ｌ）−
Ｖａｌ−〔Ｐｈａ NNＰｈａ〕←（（Ｌ）−Ｖａｌ）−Ｈ
・３ＨＣｌの溶液に連続的に添加する。反応混合物をク
ロロホルムで希釈しついで飽和炭酸水素ナトリウム溶液
で洗浄する。有機相を綿の詰物を通して濾過しついで蒸
発により濃縮し、ついで残留物をクロロホルム／メタノ
ール（１５：１→８；１）の勾配を用いシリカゲルによ
るクロマトグラフィ処理する。生成物の分画を、蒸発に
より濃縮し塩化メチレン／ＤＩＰＥで沈殿せしめる。ジ
オキサンから凍結乾燥し、表題化合物を綿状固体の形態
で得る。ＦＡＢ−ＭＳ：（Ｍ＋Ｈ）+ ＝７４２，ｔＲｅ
ｔ（Ｉ）＝２１．６分，Ｒｆ（Ｄ）＝０．５４ 出発物質を次のように調製する： ａ）（４−チオモルホリニルカルボニル）塩化物 ２００mlのトルエンに溶解した１０ｇ（９７mmol）のチ
オモルホリンの溶液を、０℃で、トルエンに溶解した２
０％ホスゲンの８５ml（１６５mmol）の溶液に滴下し、
ついで白色沈殿物をＲＴで１時間攪拌する。過剰のホス
ゲンを、チッ素を導入して追い出し、懸濁液を攪拌し、
ついで濾液を蒸発により濃縮する。表題化合物を黄色オ
イルの形態で得る。ＩＲ（ＣＨ2 Ｃｌ2 ，cm-1）：１７
３５，１４５０，１４４０，１４０５，１３７０，１２
９０，１１８０。
【０３４１】例７：Ｎ−モルホリノカルボニル−（Ｌ）
−Ｖａｌ−〔ＰｈａNNＰｈａ〕←（Ｎ−モルホリノカル
ボニル−（Ｌ）−Ｖａｌ）：２１０μｌ（１．５２mmo
l）のトリエチルアミンを、２mlのＤＭＦに溶解した例
２ａ）からの１００mg（０．２５mmol）のＨ−〔Ｐｈｅ
NNＰｈｅ〕−Ｈ・３ＨＣｌ，１６３mg（０．７６mmol）
のＮ−モルホリノ−カルボニル−（Ｌ）−バリン及び２
８８mg（０．７６mmol）のＨＢＴＵの溶液に添加し、つ
いで混合物を、チッ素雰囲気下ＲＴで１６時間攪拌す
る。反応混合物を蒸発により充分濃縮し、ついで残留物
を塩化メチレンに溶解しついで飽和炭酸水素ナトリウム
溶液で洗浄する。有機相を綿の詰物で濾過し、蒸発によ
り濃縮し、塩化メチレン／メタノール（１５：１）を用
いシリカゲルでクロマトグラフィ処理する。表題化合物
を塩化メチレン／ヘキサンから沈殿させついでジオキサ
ン／第三ブタールから凍結乾燥後、表題化合物を綿状固
体の形態で得る。ＦＡＢ−ＭＳ：（Ｍ＋Ｈ）+ ＝７１
０，ｔＲｅｔ（Ｉ）＝１６．３分，Ｒｆ（Ｅ）＝０．１
６。
【０３４２】出発物質を次のように調製する。 ａ）Ｎ−モルホリノカルボニル−（Ｌ）−バリン： ２．７ｇ（８．４mmol）のＮ−モルホリノカルボニル−
（Ｌ）−バリン−ベンジルエステルを、７５mlの酢酸エ
チルに溶解しついで溶液を、炭素に担持した１０％パラ
ジウム５００mgの存在下、１気圧の水素圧でかつＲＴで
３時間水素化する。触媒を濾別しついで溶剤により蒸発
により濃縮した後、表題化合物を無色のオイルの形態で
得る。1 Ｈ−ＮＭＲ（３００MHz ，ＣＤ3 ＯＤ）：４．
１５（ｍ，１Ｈ），３．６５（ｍ，４Ｈ），３．４０
（ｍ，４Ｈ），２．１２（ｍ，１Ｈ），０．９５（Ｚ
ｄ，６Ｈ）。
【０３４３】ｂ）Ｎ−モルホリノカルボニル−（Ｌ）バ
リン−ベンジルエステル０．８ml（８．１mmol）の（モ
ルホリノカルボニル）塩化物（調製：Ｊ．Ｍｅｄ．Ｃｈ
ｅｍ．３１，２２７７（１９８８））及び４．１ml（２
４．１mmol）のＮ−エチルジイソプロピルアミノを５６
mlの塩化メチレンに溶解した４ｇ（１０．５mmol）の
（Ｌ）−バリン−ベンジルエステル４−トルエンスルホ
ネートの溶液に添加し、ついで混合物をＲＴで２４時間
攪拌する。反応混合物を酢酸エチルで希釈しついで１Ｎ
塩酸、水、飽和炭酸水素ナトリウム溶液及びブラインで
連続的に洗浄する。有機相を硫酸ナトリウムで乾燥しつ
いで蒸発により濃縮する。酢酸エチルを用いシリカゲル
でクロマトグラフィ処理し、Ｎ−モルホリノカルボニル
−（Ｌ）−バリン−ベンジルエステルを無色のオイルの
形態で得る。このエステルを直接ａ）で用いる。
【０３４４】例８：フェニルアセチル−（Ｌ）−Ｖａｌ
−〔ＰｈｅNNＰｈｅ〕←（Ｎ−フェニルアセチル−
（Ｌ）−Ｖａｌ）：例７に記載したと同様の方法で例２
ａ）からの１００mg（０．２５mmol）のＨ−〔ＰｈｅNN
Ｐｈｅ〕−Ｈ・３ＨＣｌ，１４３mg（０．６１mmol）の
フェニルアセチル−（Ｌ）−バリン（調製：Ｍｅｍ．Ｔ
ｏｋｙｏ Ｕｎｉｖ．Ａｇｒｉｃ．２０．５１（１９７
８）），２３０mg（０．６１mmol）のＨＢＴＵ及び２０
０μｌ（１．４２mmol）のトリエチルアミンから、塩化
メチレン／エーテル／メタノール（２０：２０：１）で
クロマトグラフィ法により精製後ついでジオキサン／第
三ブタノールから凍結乾燥して表題化合物を得る。ＦＡ
Ｂ−ＭＳ：（Ｍ＋Ｈ） + ＝７２０，ｔＲｅｔ（Ｉ）＝２
３．７分，Ｒｆ（Ｇ）＝０．２１。
【０３４５】例９：Ｎ−（３−ピリジルアセチル）−
（Ｌ）−Ｖａｌ−〔ＰｈｅNNＰｈｅ〕←（Ｎ−（３−ピ
リジルアセチル）−（Ｌ）−Ｖａｌ） 例７に記載したと同様の方法で、例２ａからの１００mg
（０．２５mmol）のＨ−〔ＰｈｅNNＰｈｅ〕−Ｈ・３Ｈ
Ｃｌ，５７６mg（１．５２mmol）のＨＢＴｕ，３５８mg
（１．５２mmol）のＮ−（３−ピリジルアセチル）−
（Ｌ）−バリン及び３１６μｌ（２．３mmol）のトリエ
チルアミンから、クロロホルム／メタノール（５：１）
を用いクロマトグラフィ法により精製後ついでジオキサ
ン／第三ブタノールから凍結乾燥して表題化合物を得
る。ＦＡＢ−ＭＳ：（Ｍ＋Ｈ）+ ＝７２２，ｔＲｅｔ
（II）＝２７．９分，Ｒｆ（Ａ）＝０．７１。
【０３４６】出発物質を次のように調製する。 ａ）Ｎ−（３−ピリジルアセチル）−（Ｌ）−バリン：
３．４ｇのＮ−（３−ピリジルアセチル）−（Ｌ）−バ
リン−第三ブチルエステルを２０mlの三フッ化酢酸／塩
化メチレン（１：１）に溶解しついで溶液をＲＴで１６
時間攪拌する。反応溶液を蒸発により充分濃縮しついで
残留物をＤＩＰＥを用いて温浸する。表題化合物を白色
無定形物質の形態で得る。1 Ｈ−ＮＭＲ（２００MHz ，
ＣＤ3 ＯＤ）：８．９〜８．６（ｍ，ｂｒｏａｄ，１
Ｈ），８．５（ｍ，１Ｈ），７．９５（ｍ，１Ｈ），
４．３３（ｍ，１Ｈ），３．９３（ｓ，２Ｈ），２．２
（ｍ，１Ｈ），０．９８（２ｄ，６Ｈ）。
【０３４７】ｂ）Ｎ−（３−ピリジルアセチル）−
（Ｌ）−バリン−第三ブチルエステル：４．２mlのトリ
エチルアミンを、０℃で、２０mlのＤＭＦに溶解した
３．３６ｇ（１６mmol）の（Ｌ）−バリン−第三ブチル
エステル・ＨＣｌ、２ｇ（１４．５mmol）の３−ピリジ
ル酢酸及び２．１７ml（１４．３mmol）のシアノホスホ
ン酸ジエチルエステルの溶液に滴下する。反応混合物を
ＲＴで４８時間攪拌しついで塩化メチレンで希釈し更に
１０％のクエン酸及び飽和炭酸水素ナトリウム溶液で洗
浄する。有機相を綿の詰物で濾過しついで蒸発により溶
剤を除去した後、Ｎ−（３−ピリジルアセチル）−
（Ｌ）−バリン−第三ブチルエステルを得、これは更に
直接ａ）で用いられる。
【０３４８】例１０：Ｂｏｃ−（Ｌ）−Ｖａｌ−〔Ｐｈ
ｅNNＣｈａ〕←（（Ｌ）−Ｖａｌ）−Ｂｏｃ：例７に記
載したと同様の方法で、５００mg（１．２５mmol）のＨ
−〔ＰｈｅNNＣｈａ〕−Ｈ・３ＨＣｌ、１．０８ｇ
（４．９８mmol）のＢｏｃ−（Ｌ）−バリン、１．８９
ｇ（４．９８mmol）のＨＢＴＵ及び１．３９ml（９．９
６mmol）のトリエチルアミンから出発し、塩化メチレン
／エーテル（１：１）を用いシリカゲルでクロマトグラ
フィで精製しついでジオキサンから凍結乾燥後表題化合
物を綿状の固体の形態で得る。ＦＡＢ−ＭＳ：（Ｍ＋
Ｈ）+ ＝６９０、t Ｒｅｔ（Ｉ）＝２９．３分、Ｒｆ
（Ｈ）＝０．４８。
【０３４９】出発物質を次のように調製する： ａ）Ｈ−〔ＰｈｅNNＣｈａ〕−Ｈ・３ＨＣｌ：例４から
の１．１０ｇ（２．２mmol）のＢｏｃ−〔ＰｈｅNNＣｈ
ａ〕−Ｂｏｃを、ジオキサンに溶解した２０mlの４Ｎ塩
化水素に溶解する。反応溶液を凍結乾燥後、表題化合物
の塩酸塩の形態で得る。ＦＡＢ−ＭＳ：（Ｍ＋Ｈ）+ ＝
２９２、t Ｒｅｔ（II）＝２７．３分。
【０３５０】例１１：Ｚ−（Ｌ）−Ｖａｌ−〔ＰｈａNN
Ｃｈａ〕←（Ｌ）−Ｖａｌ−Ｚ：例２に記載したと同様
の方法で、５０mg（０．１２mmol）のＨ−〔ＰｈｅNNＣ
ｈａ〕−Ｈ・３ＨＣｌ（例１０ａより）、９４mg（０．
３７mmol）のＺ−（Ｌ）−バリン、１６５mg（０．３７
mmol）のＢＯＰ、５１mg（０．３７mmol）のＨＯＢｔ及
びＤＭＦに溶解した０．３ＭのＮＭＭ２．５mlから出発
し、塩化メチレン／エーテル（１：１）を用いシリカゲ
ルでクロマトグラフィによる精製後ついでジオキサンか
ら凍結乾燥後表題化合物を得る。ＦＡＢ−ＭＳ：（Ｍ＋
Ｈ）+ ＝７５８、t Ｒｅｔ（Ｉ）＝２９．１分、Ｒｆ
（Ｈ）＝０．５５。
【０３５１】例１２：Ｂｏｃ−〔ＰｈｅNNＬｅｕ〕−Ｂ
ｏｃ：例１に記載したと同様の方法で、１．０ｇ（３．
８mmol）の（２Ｒ）−〔１′（Ｓ）−Ｂｏｃ−アミノ−
２′−フェニルエチル〕オキシラン及び７１５mg（３．
８mmol）の第三ブチル−３−イソブチル−カルバゼート
（調製：Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｐｅｒｋｉｎ．Ｉ．
１７１２（１９７５））から出発し、表題化合物をヘキ
サンからの沈澱物の形態で得る。ＦＡＢ−ＭＳ：（Ｍ＋
Ｈ）+ ＝４５２、t Ｒｅｔ（Ｉ）＝２７．２分、Ｒｆ
（Ｉ）＝０．５５。
【０３５２】例１３：Ｚ−（Ｌ）−Ｖａｌ−〔ＰｈａNN
Ｌｅｕ〕←（（Ｌ）−Ｖａｌ）−Ｚ：例２に記載したと
同様の方法で、６０mg（０．１７mmol）のＨ−〔Ｐｈｅ
NNＬｅｕ〕−Ｈ・３ＨＣｌ、１２５mg（０．５０mmol）
のＺ−（Ｌ）−バリン、２２１mg（０．５０mmol）のＢ
ＯＰ、６７mg（０．５０mmol）のＨＯＢｔ及びＤＭＦに
溶解した０．３ＭのＮＭＭ３．３mlから出発し、塩化メ
チレン／エーテル（１：１）を用いシリカゲルでクロマ
トグラフィによる精製後ついでジオキサンから凍結乾燥
後表題化合物を得る。ＦＡＢ−ＭＳ：（Ｍ＋Ｈ）+ ＝７
１８、t Ｒｅｔ（Ｉ）＝２６．８分、Ｒ（ｆ）（Ｈ）＝
０．３８。
【０３５３】出発物質を次のように調製する： ａ）Ｈ−〔ＰｈｅNNＬｅｕ〕−Ｈ・３ＨＣｌ：例１０
ａ）に記載したと同様の方法で、例１２からのＢｏｃ−
〔ＰｈｅNNＬｅｕ〕−Ｂｏｃ １．２１ｇ（２．４８mm
ol）から表題化合物を凍結乾燥物の形態で得る。ＦＡＢ
−ＭＳ：（Ｍ＋Ｈ）+ ＝２５２、t Ｒｅｔ（II）＝２
０．９分、Ｒｆ（Ｋ）＝０．２３。
【０３５４】例１４：Ｈ−（Ｌ）−Ｖａｌ−〔ＰｈｅNN
Ｃｈａ〕←（（Ｌ）−Ｖａｌ）−Ｈ・３ＨＣｌ：例１０
ａ）に記載したと同様の方法で、例１０からのＢｏｃ−
（Ｌ）−Ｖａｌ−〔ＰｈｅNNＣｈａ〕←（（Ｌ）−Ｖａ
ｌ）−Ｂｏｃ６３２mg（０．９１mmol）から、表題化合
物を凍結乾燥後塩酸塩の形態で得る。ＦＡＢ−ＭＳ：
（Ｍ＋Ｈ） + ＝４９０、t Ｒｅｔ（II）＝２９．４分、
Ｒｆ（Ｋ）＝０．２３。
【０３５５】例１５：Ｎ−（３−ピリジルアセチル）−
（Ｌ）−Ｖａｌ−〔ＰｈｅNNＬｅｕ〕←（Ｎ−（３−ピ
リジルアセチル）−（Ｌ）−Ｖａｌ）：例９に記載した
と同様の方法で、例１３ａ）からのＨ−〔ＰｈｅNNＬｅ
ｕ〕−Ｈ・３ＨＣｌ ９０mg（０．２５mmol）、３５８
mg（１．５２mmol）のＮ−（３−ピリジルアセチル）−
（Ｌ）−バリン、５７６mg（１．５２mmol）のＨＢＴＵ
及び３１６μｌ（２．５mmol）のトリエチルアミンか
ら、塩化メチル／メタノール（１５：１）を用いてクロ
マトグラフィ法により精製しついでジオキサン／第三ブ
タノール／水から凍結乾燥後、表題化合物を得る。ＦＡ
Ｂ−ＭＳ：（Ｍ＋Ｈ）+ ＝６８８、t Ｒｅｔ（IV）＝１
５．５分、Ｒｆ（Ｄ）＝０．３７。
【０３５６】例１６：Ｎ−トリフルオロアセチル−〔Ｐ
ｈｅNN（Ｐ−Ｆ）Ｐｈｅ〕−Ｂｏｃ：３５mlのメタノー
ルに溶解した４．０ｇ（１５．４mmol）のＺ（Ｒ）−
〔１′（Ｓ）−（トリフルオロアセチルアミン）−２′
−フェニルエチル〕−オキシラン及び３．８９ｇ（１
６．２mmol）の第三ブチル−３−（ｐ−フルオロフェニ
ル−メチル）−カルバゼートの溶液を、ボンベ管内で１
０℃で約２時間加熱する。反応混合物を蒸発により濃縮
し、残留物を少量のジクロロメタンに溶解し、表題化合
物をヘキサンを用い沈殿させる（冷蔵庫）。カラムクロ
マトグラフィ法（Ｓ：Ｏ2 、塩化メチレン／エーテル９
５：７）により、更に生成物を得る。ＴＬＣＲｆ（Ｊ）
＝０．５７；t Ｒｅｔ（Ｉ）＝２４．３分；ＦＡＢ−Ｍ
Ｓ（Ｍ＋Ｈ） + ＝５００。
【０３５７】出発物質を次のように調製する： ａ）Ｎ−３（Ｓ）−（Ｂｏｃ−アミノ）−２（Ｒ，Ｓ）
−ヒドロキシ−４−フェニル−１−トリメチルシリル−
ブタン 窒素雰囲気下、２４．７ｇ（１．０２モル）のＭｇを、
１００mlの無水エーテル中に装入し、次いで、３５分に
わたって少量のヨウ素および、同時に１３２．５ml
（０．９５モル）のクロロメチルトリメチルシランおよ
び３００mlのエーテルを添加し、温度を氷浴を用いて３
８℃に保つ。得られた反応混合物を、ＲＴで１ｈ攪拌す
る。混合物を−６０℃に冷却後、１．１ｌのエーテルに
懸濁せしめた４８．６ｇ（０．１９５モル）のＮ−Ｂｏ
ｃ−フェニルアラニナール（調製：Ｄ．Ｊ．ケンプ、
Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．５１，３９２１（１９８６））
の懸濁液を４０分にわたって添加する。９０分にわたっ
て、反応混合物をＲＴに加温し、更に該温度で９０分間
攪拌する。次いで、混合物を２ｌの氷水および１．５ｌ
の１０％水性クエン酸に注ぐ。分離した水性相を５００
mlのエーテルで２回抽出する。全てのエーテル抽出液を
５００mlの１０％クエン酸およびブラインで２回洗う。
Ｎａ2 ＳＯ4 で乾燥後、残留物を直空下で濃縮し、得ら
れた表題化合物を更に精製することなく更に用いる。Ｔ
ＬＣＲf （Ｌ）＝０．６；ＦＡＢ−ＭＳ（Ｍ＋Ｈ）+ ＝
３３８ ｂ）１−フェニル−３−ブテン−２（Ｓ）−アミン：エ
ーテルに溶解した３５．６ml（０．２８モル）の約４８
％三フッ化ホウ素の溶液を、４２０mlの塩化メチレンに
溶解した１８．８ｇ（０．０５５ミリモル）の３（Ｓ）
−（Ｂｏｃ−アミノ）−（Ｒ，Ｓ）−ヒドロキシ−４−
フェニル−１−トリメチルシリル−ブタンの溶液に、１
０分にわたって５℃で加える。反応混合物を、１６時間
ＲＴで攪拌し、１０℃に冷却し、２０分にわたって、２
７６mlの４ＮのＮａＯＨ溶液を加える。水性相を除去
し、各々４００mlの塩化メチレンで２回抽出する。一緒
にした有機抽出液をブラインで洗い次いで硫酸ナトリウ
ムで乾燥する。更に、表題化合物を更に精製することな
く用いる。ＴＬＣＲf （Ｃ）＝０．１５；ＩＲ（塩化メ
チレン）（ｃｍ-1）：３３７０，３０２０，２９２０，
１６４０，１６０５． ｃ）Ｎ−トリフルオロアセチル−１−フェニル−３−ブ
チン−２（Ｓ）−アミン：１７．０ml（１２１ミリモ
ル）の無水三フッ化酢酸を、２１０mlの塩化メチレンお
よび７０mlのピリジンに溶解した１１．９ｇ（８１ミリ
モル）の１−フェニル−３−ブテン−２（Ｓ）−アミン
に、０℃で滴下する。混合物を０℃で０．５ｈ攪拌し、
希塩酸で２回、水およびブラインで抽出する。水性相
を、更に塩化メチレンで２回洗い、Ｎａ2 ＳＯ4 で乾燥
し、蒸発により濃縮する：ＴＬＣＲf （Ｍ）＝０．４ ｄ）２（Ｒ）−〔１′（Ｓ）−（トリフルオロアセチル
アミノ）−２′−フェニルエチル〕−オキシラン：５
４．２８ｇ（３１４ミリモル）のｍ−クロロ過安息香酸
を、６００mlのクロロホルムに溶解した１４．５ｇ（６
０ミリモル）のＮ−トリフルオロアセチル−１−フェニ
ル−３−ブテン−２（Ｓ）−アミンの溶液に加え、混合
物をＲＴで２４時間攪拌し、反応を完結する。反応混合
物を１０％ＮａＨＳＯ4 溶液で２回洗い、飽和Ｎａ2 Ｃ
Ｏ3 溶液で２回洗い、水およびブラインで洗う。水性相
を、更に塩化メチレンで抽出し、一緒にした有機相をＮ
ａ2 ＳＯ4 で乾燥し、蒸発により濃縮し表題化合物を
得、これは更に精製することなく次工程で用いる：ＴＬ
ＣＲf （Ｎ）＝０．６ ｅ）ｐ−フルオロフェニルカルバルデヒド−第三ブトキ
シカルボニルヒドラゾン：３００mlのエタノールに溶解
した３２ｇ（２４２ミリモル）の第三ブチルカルバゼー
トおよび３０ｇ（２４２ミリモル）のｐ−フルオロベン
ズアルデヒドを、８０℃で３時間、例４ｂ）に準じて反
応させ、表題化合物を得、これを冷却して結晶化させ、
水で希釈する：ＴＬＣＲf （Ｎ）＝０．４８；ｔ
Ret （Ｉ）＝１９．４min ． ｆ）第三ブチル−３−（ｐ−フルオロフェニル−メチ
ル）−カルバゼート：５００mlのＴＨＦに溶解した５５
ｇ（２３１ミリモル）の第三ブトキシカルボニルヒドラ
ゾンを、例４ａ）に準じ５．５ｇのパラジウム（５％）
／炭素を用いて水素化し、表題化合物を得る：1 Ｈ−Ｎ
ＭＲ（２００MHz ，ＣＤ3 ＯＤ）：７．３５（ｄｄ，８
および６Hz，２Ｈ），７．０５（ｔ，８Hz，２Ｈ），
３．９（ｓ，２Ｈ），１．４５（ｓ，９Ｈ）．例１７：Ｎ−モルホリノカルボニル−（Ｌ）−Ｖａｌ−
〔ＰｈｅNN（ｐ−Ｆ）Ｐｈｅ〕−Ｂｏｃ： Ｎ−モルホリ
ノカルボニル−（Ｌ）−バリン（調製に対しては例７
ａ）を参照）、２７０mg（０．６７モル）のＨ−〔Ｐｈ
ｅNN（ｐ−Ｆ）Ｐｈｅ〕−ＢＯc ，３１１mg（０．７０
ミリモル）のＢＯＰおよび９５mg（０．７０ミリモル）
のＨＯＢＴの混合物を、ＲＴで０．３ＭのＮＭＭ／ＤＭ
Ｆ中に溶解し、ＲＴで５時間攪拌する。反応混合物をＨ
Ｖ下、蒸発により濃縮し、残留物を、塩化メチレン４部
および１Ｍ炭酸ナトリウム溶液水およびブラインの２部
間に分配する。一緒にした有機相をＮａ2 ＳＯ4 で乾燥
し、蒸発により濃縮し次いでカラムクロマトグラフィー
法（Ｓi Ｏ2 、酢酸エチル）で精製する：ＴＬＣＲ
f （Ｏ）＝０．３８；ｔRet （Ｉ）＝２１．８分；ＦＡ
Ｂ−ＭＳ（Ｍ＋Ｈ）t ＝６１６出発物質を次のように調
製する： ａ）Ｈ−〔ＰｈｅNN（ｐ−Ｆ）Ｐｈｅ〕−ＢＯＣ：７０
℃で、１５mlの１Ｍ炭酸カリウム水性溶液を、窒素雰囲
気下、１５mlのメタノールに溶解した０．３ｇ（０．６
ミリモル）のＮ−トリフルオロアセチル−〔Ｐｈｅ
NN（ｐ−Ｆ）Ｐｈｅ〕Ｂｏｃ（調製に対しては例１６参
照）を滴下し、混合物を該温度で２５時間攪拌する。反
応混合物をＨＶ下、蒸発により濃縮し、塩化メチレンを
残留物に添加し、混合物を水およびブラインで２回洗
う。水性相を塩化メチレンで２回抽出し、有機相をＮａ
2 ＳＯ4 で乾燥し、蒸発により濃縮する。粗製生成物
を、更に精製することなく次工程で用いる：ｔ
Ret （Ｉ）＝１６．２分。例１８：Ｎ−モルホリノカルボニル−（Ｌ）−Ｖａｌ−
〔ＰｈｅNN（ｐ−Ｆ）Ｐｈｅ〕←（Ｌ）−Ｖａｌ）−
Ｚ： １２９mg（０．３４ミリモル）のＨＢＴＵを、２．
７mlの０．２５ＭのＮＭＭ／ＣＨ3 ＣＮ（ＣＨ3 ＣＮ中
０．２５ＭのＮＭＭ）に溶解した８６mg（０．３４ミリ
モル）のＺ−（Ｌ）−Ｖａｌおよび１６０mg（０．３１
ミリモル）のＮ−モルホリノカルボニル−（Ｌ）−Ｖａ
ｌ−〔ＰｈｅNN（ｐ−Ｆ）Ｐｈｅ〕−Ｈの溶液に添加す
る。４ｈ後で、ＲＴで混合物を蒸発により濃縮し、残留
物を塩化メチレン３部および飽和炭酸水素ナトリウム溶
液およびブライン２部間に分配する。有機相をＮａ2 Ｓ
Ｏ4 で乾燥し、蒸発により濃縮し、塩化メチレン／エー
テル（１対１）から温浸後、表題化合物を純粋な形で得
る：ＴＬＣＲf （Ｐ）＝０．４；ｔRet （Ｉ）＝２２．
４分；ＦＡＢ−ＭＳ（Ｍ＋Ｈ）+ ＝７４９． 出発物質を次のように調製する： ａ）Ｎ−モルホリノカルボニル−（Ｌ）−Ｖａｌ−〔Ｐ
ｈｅNN（ｐ−Ｆ）Ｐｈｅ〕−Ｈ：２１０mg（０．３４ミ
リモル）のＮ−モルホリノカルボニル−（Ｌ）−Ｖａｌ
−〔ＰｈｅNN（ｐ−Ｆ）Ｐｈｅ〕−Ｂｏｃ（例１７）
を、１０５mlのギ酸に溶解し、溶液をＲＴで４ｈ攪拌
し、蒸発により濃縮する。残留物を塩化メチレンに吸収
させ次いで溶液を飽和ＮａＨＣＯ3 溶液およびブライン
で洗う。塩化メチレン２部で水性相を抽出し、Ｎａ2 Ｓ
Ｏ4 で有機相を乾燥し、蒸発により濃縮し、表題化合物
を得、これを更に精製することなく次工程で用いる：ｔ
Ret （Ｉ）＝１２．９例１９：Ｎ−モルホリノカルボニル−（Ｌ）−Ｖａｌ−
〔ＰｈｅNN（ｐ−Ｆ）Ｐｈｅ〕←（（Ｌ）Ｖａｌ）−
Ｈ： ６mlのエタノールに溶解した１６０mg（０．２１ミ
リモル）のＮ−モルホリノカルボニル−（Ｌ）−Ｖａｌ
−〔ＰｈｅNN（ｐ−Ｆ）Ｐｈｅ〕←（（Ｌ）−Ｖａｌ）
−Ｚ（例１８）を、４０mgのパラジウム（１０％）／炭
素を用い、常圧で水素化する。セライト（Ｃｅｌｉｔ
ｅ）（登録商標）（ケイソウ土、Ｆｌｕｋａ社製のろ過
助剤、バッハ、スイス）を用いてろ過し、蒸発により濃
縮し、ジオキサンから凍結乾燥して表題化合物を得る：
ｔRet （塩化水素、Ｉ）＝１３．４分；ＦＡＢ−ＭＳ
（Ｍ＋Ｈ）+ ＝６１５例２０：Ｎ−モルホリノカルボニル−（Ｌ）−Ｖａｌ−
〔ＰｈｅNN（ｐ−Ｆ）Ｐｈｅ〕←（（Ｌ）−Ｖａｌ）←
（Ｎ−モルホリノカルボニル）−Ｇｌｙ）： ５４mg
（０．１４３ミリモル）のＨＢＴＵを、１．１mlの０．
２５ＭのＮＭＭ／ＣＨ3 ＣＮに溶解した８０mg（０．１
３０ミリモル）のＮ−モルホリノカルボニル−（Ｌ）−
Ｖａｌ−〔ＰｈｅNN（ｐ−Ｆ）Ｐｈｅ〕←〔（Ｌ）−Ｖ
ａｌ〕−Ｈおよび２６．９mg（０．１４３ミリモル）の
Ｎ−モルホリノカルボニル−グリシンの溶液に添加し、
混合物をＲＴで１６ｈ攪拌する。混合物を蒸発により濃
縮し、残留物を酢酸エチルおよび水３部と飽和ＮａＨＣ
Ｏ3 溶液、水およびブライン２部間に分配する。有機相
をＮａ2 ＳＯ4 で乾燥し、蒸発により濃縮し表題化合物
を得これを，少量のＤＭＦに溶解し次いでＤＩＰＥで沈
でんさせて純粋な形で得る：ｔRet （Ｉ）＝１５．１
分、ＦＡＢ−ＭＳ（Ｍ＋Ｈ）+ ＝７８５ 出発物質を次のように調製する： ａ）Ｎ−モルホリノカルボニル−グリシン−ベンジルエ
ステル：例７ｂ）に準じ、１１８mlのＣＨ2 Ｃｌ2 およ
び９ml（５３ミリモル）のＮ−エチルジイソプロピルア
ミンに溶解した７．６９ｇ（２２．８ミリモル）のグリ
シン−ベンジルエステル４−トルエンスルホネートおよ
び２．８ｇ（１９ミリモル）の塩化（モルホリノカルボ
ニル）を，１８ｈ反応させる。ＣＨ2 Ｃｌ2 で抽出し、
ヘキサンで温浸後表題化合物を純粋な形で得る：ｔRet
（Ｉ）＝１１６分 ｂ）Ｎ−モルホリノカルボニル、グリシン：例７ａに準
じ、１００mlの酢酸エチルに溶解した４．８ｇ（１８．
３ミリモル）のＮ−モルホリノカルボニル−グリシン−
ベンジルエーテルを、１ｇのパラジウム（１０％）炭素
を用いて水素化し表題化合物を得る：1 Ｈ−ＮＭＲ（３
００MHz ，ＣＤＣｌ3 ）：３．８８（ｓ，２Ｈ），３．
６４（ｓ，４Ｈ），３．５０（ｓ，２Ｈ），３．３５
（ｓ，４Ｈ）．例２１：Ｚ−（Ｌ）−Ｖａｌ−〔ＰｈｅNN（ｐ−Ｆ）Ｐ
ｈｅ〕−Ｂｏｃ： ４６３mg（１．２２ミリモル）のＨＢ
ＴＵを、９．４mlの０．２５ＭのＮＭＭ／ＣＨ3 ＣＮ
（ＣＨ3 ＣＮ中の０．２５ＭＮＭＭ）に溶解した３３５
mg（１．３３ミリモル）のＺ−（Ｌ）−Ｖａｌおよび４
４８mg（１．１１ミリモル）のＨ−〔ＰｈｅNN（ｐ−
Ｆ）Ｐｈｅ〕−Ｂｏｃ（調製に対し、例１７ａ）を参
照）の溶液に添加する。ＲＴで１６ｈ攪拌後、混合物を
ＣＨ2 Ｃｌ2 ３部および飽和ＮａＨＣＯ3 溶液およびブ
ライン２部間に分配する。有機相をＮａ2 ＳＯ4 で乾燥
し、蒸発により濃縮し、表題化合物を得、これをカラム
クロマトグラフィー法（Ｓ i Ｏ2 、ヘキサン／酢酸エチ
ル４：１→１：１）により精製する：ｔRet （Ｉ）＝２
６．６分；ＦＡＢ−ＭＳ（Ｍ＋Ｈ+ ）＝６３７例２２：Ｖａｌ−〔ＰｈｅNN（ｐ−Ｆ）Ｐｈｅ〕←
（Ｖ）−Ｖａｌ−Ｂｏｃ： 例１８に準じ、６mlの０．２
５ＭのＮＭＭ／ＣＨ3 ＣＮに溶解した、１６５mg（０．
７６ミリモル）のＢｏｃ−（Ｌ）−Ｖａｌおよび３７１
mg（０．６９ミリモル）のＺ−（Ｌ）−Ｖａｌ−〔Ｐｈ
ｅNN（ｐ−Ｆ）Ｐｈｅ〕−Ｈを、２８９mg（０．７６ミ
リモル）のＨＢＴＵと反応させ表題化合物を得、これを
直接反応溶液から結晶化できそしてろ別する：ｔ
Ret （Ｉ）＝２７．２分；ＦＡＢ−ＭＳ（Ｍ＋Ｈ）+ ＝
７３６． 出発物質を次のように調製する： ａ）Ｚ−（Ｌ）−Ｖａｌ−〔ＰｈｅNN（ｐ−Ｆ）Ｐｈ
ｅ〕−Ｈ：例１８ａに準じ、４４０mg（０．６９ミリモ
ル）のＺ−（Ｌ）−ＰｈｅNN（ｐ−Ｆ）Ｐｈｅ〕−Ｂｏ
ｃを２１２mlのギ酸で脱保護し、表題化合物を得る：ｔ
Re t （Ｉ）＝１７．８分例２３：Ｚ−（Ｌ）−Ｖａｌ〔ＰｈｅNN（ｐ−Ｆ）Ｐｈ
ｅ〕←（（Ｌ）−Ｖａｌ）−Ｈ： 例１８ａに準じ、２５
０mg（０．３４mmol）のＺ−（Ｌ）−Ｖａｌ−〔Ｐｈｅ
NN（ｐ−Ｆ）Ｐｈｅ〕←（（Ｌ）−Ｖａｌ）−Ｂｏｃ
（例２２）を、５０mlのギ酸で脱保護し、表題化合物を
得る：ｔRet （Ｉ）＝１８．０分；ＦＡＢ−ＭＳ（Ｍ＋
Ｈ）+ ＝６３６例２４：Ｚ−（Ｌ）−Ｖａｌ−〔ＰｈｅNN（ｐ−Ｆ）Ｐ
ｈｅ〕←（（Ｌ）−Ｖａｌ）←（Ｎ−モルホリノカルボ
ニル−Ｇｌｙ）： 例２０に準じ、１．３mlの０．２５Ｍ
のＮＭＭ／ＣＨ3 ＣＮに溶かした３２mg（０．１７mmo
l）のＮ−モルホリノカルボニル−グリシン（例２０
ｂ））および９９mg（０．１６mmol）のＺ−（Ｌ）−Ｖ
ａｌ−〔ＰｈｅNN（ｐ−Ｆ）Ｐｈｅ〕←（（Ｌ）−Ｖａ
ｌ）−Ｈを、６５mg（０．１７mmol）のＨＢＴＵと反応
させ、表題化合物を得、これは反応溶液から直接結晶化
する：ｔRet （Ｉ）＝２１．１分；ＦＡＢ−ＭＳ（Ｍ＋
Ｈ）+ ＝８０６例２５：Ｚ−（Ｌ）−Ａｓｎ−〔ＰｈｅNN（ｐ−Ｆ）Ｐ
ｈｅ〕−Ｂｏｃ： ３．０ｇ（７．８ミリモル）のＺ−
（Ｌ）−アスパラギン−ｐ−ニトロフェニルエステル
（バヘム、ベーベンドルフ／スイス／を、６８mlのＤＭ
Ｆおよび２．７ml（１６ミリモル）のＮ−エチル−ジイ
ソプロピルアミンに溶かした、２．０９ｇ（５．２ミリ
モル）のＨ−〔ＰｈｅNN（ｐ−Ｆ）Ｐｈｅ〕−Ｂｏｃ
（調製に対し例１７ａ参照）の溶液に添加する。混合物
を、ＲＴで１６ｈ攪拌し、ＨＶ下蒸発により濃縮し、残
留物を大量のＣＨ2 Ｃｌ2 に吸収させ（余り溶解しな
い）次いで、５％Ｋ2 ＣＯ3 溶液２部で洗う。大量のＣ
Ｈ2 Ｃｌ2 で有機相を乾燥後、蒸発により濃縮する。少
量のメタノールに粗製生成物を溶解し、−２０℃でトル
エンを添加して沈でんせしめることにより表題化合物を
得る：ｔRet （Ｉ）＝２１．２分例２６：Ｈ−（Ｌ）−Ａｓｎ〔ＰｈｅNN（ｐ−Ｆ）Ｐｈ
ｅ〕−Ｂｏｃ： 例１９に準じ、０．４０ｇ（０．６１ミ
リモル）のＺ−（Ｌ）−Ａｓｎ−〔ＰｈｅNN（ｐ−Ｆ）
Ｐｈｅ〕−Ｂｏｃを２０mlのメタノール中で水素化して
表題化合物を得る：ｔRet （Ｉ）＝１４．９分．例２７：キノリン−２−カルボニル−（Ｌ）−Ａｓｎ−
〔ＰｈｅNN（ｐ−Ｆ）Ｐｈｅ〕−Ｂｏｃ： 例１７に準
じ、４mlの０．３ＭのＮＭＭ／ＤＭＦに溶かした１３４
mg（０．７８ミリモル）のキノリン−２−カルボン酸
（Ｆｌｕｋａ、バッハ／スイス）を、３４４mg（０．７
８ミリモル）のＢＯＰ、１０５mg（０．７８ミリモル）
のＨＯＢＴおよび２６８mg（０．５２ミリモル）のＨ−
（Ｌ）−Ａｓｎ−〔ＰｈｅNN（ｐ−Ｆ）Ｐｈｅ〕−Ｂｏ
ｃと反応させる。ＨＰＬＣによれば、ＲＴで１６ｈ攪拌
後、幾らかのＨ−（Ｌ）−Ａｓｎ−〔ＰｈｅNN（ｐ−
Ｆ）Ｐｈｅ〕−Ｂｏｃが残っているので、更に２９９mg
のＢＯＰ，７０mgのＨＯＢＴ，８９mgのキナルジン酸お
よび１１３μｌのＮＭＭを添加する。更に１６ｈ後、混
合物を蒸発により濃縮し次いで残留物を塩化メチレン２
部および飽和ＮａＨＣＯ3 溶液およびブライン２部に分
配する。一緒にした有機相を少量のＤＭＦに溶解し、Ｄ
ＩＰＥで沈でんさせ、−２０℃に冷却し表題化合物を得
る：ｔRet （Ｉ）＝２２．８分；ＦＡＢ−ＭＳ（Ｍ＋
Ｈ）+ ＝６７３例２８：Ｚ−（Ｌ）−Ａｓｎ−〔ＰｈｅNN（ｐ−Ｆ）Ｐ
ｈｅ〕←（（Ｌ）−Ｖａｌ）−Ｚ： ３．８mlの０．３Ｎ
のＮＭＭ／ＤＭＦに溶解した８８mg（０．３５ミリモ
ル）を、１５３mg（０．３５ミリモル）のＢＯＰおよび
４７mg（０．３５ミリモル）のＨＯＢＴで活性化し、次
いで１５分後、１４４mg（０．２３ミリモル）のＺ−
（Ｌ）−Ａｓｎ−〔ＰｈｅNN（ｐ−Ｆ）Ｐｈｅ〕−Ｈ・
２ＨＣｌを添加する。反応混合物を１４時間、ＲＴで攪
拌し、蒸発により濃縮し、残留物を２mlのメタノールに
溶解し、３部のＣＨ2 Ｃｌ2 と２部の１ＭのＮａ2 ＣＯ
3 溶液間に分配し、有機相をＮａ2 ＳＯ4 で乾燥し、蒸
発により濃縮する。粗製生成物を少量のＤＭＦにくりか
えし溶解し、ＤＩＰＥで沈でんさせ、表題化合物を得
る：ｔRet （Ｉ）＝２２．２分；ＦＡＢ−ＭＳ（Ｍ＋
Ｈ）t ＝７８５ 出発物質を次のように調製する： ａ）Ｚ−（Ｌ）−Ａｓｎ−〔ＰｈｅNN（ｐ−Ｆ）Ｐｈ
ｅ〕−Ｈ・２ＨＣｌ：窒素雰囲気下、２mlの４ＮＨＣｌ
／ジオキサン（Ｆｌｕｋａ、バッハ／スイス）を、１ml
のジオキサンに溶解した１５０mg（０．２３ミリモル）
のＺ−（Ｌ）−Ａｓｎ−〔ＰｈｅNN（ｐ−Ｆ）Ｐｈｅ〕
−Ｂｏｃ（例２５）の溶液に添加する。反応混合物をＲ
Ｔで、１．５ｈ攪拌し、凍結乾燥し、凍結乾燥物を更に
直接反応させる。例２９：トリフルオロアセチル−〔ＰｈｅNN（ｐ−Ｆ）
Ｐｈｅ〕←（（Ｌ）−Ｖａｌ）−Ｚ： 例１７に準じ、１
０．５mlの０．３ＭのＮＭＭ／ＤＭＦに溶かした２３９
mg（０．９５ミリモル）のＺ−（Ｌ）−Ｖａｌを、４２
１mg（０．９５ミリモル）のＢＯＰ，１２９mg（０．９
５ミリモル）のＨＯＢＴおよび０．３ｇ（０．６３ミリ
モル）のＮ−トリフルオロアセチル−〔ＰｈｅNN（ｐ−
Ｆ）Ｐｈｅ〕−Ｈと１５ｈ反応させる。カラムクロマト
グラフィー法による処理（Ｓi Ｏ2 ，ＣＨ2 Ｃｌ2 ／エ
ーテル１０対１）およびＤＭＦ溶液からＤＩＰＦで沈で
ん後、表題化合物を得る：ＴＬＣＲf （Ｑ）＝０．１
５；ｔRet （Ｉ）＝２５．９分；ＦＡＢ−ＭＳ（Ｍ＋
Ｈ）+ ＝６３３ 出発化合物を次のように調製する： ａ）トリフルオロアセチル−〔ＰｈｅNN（ｐ−Ｆ）Ｐｈ
ｅ〕−Ｈ：０℃で、５mlの三フッ化酢酸を、５mlの塩化
メチレンに溶解した０．２０ｇ（０．４０ミリモル）の
Ｎ−トリフルオロアセチル〔ＰｈｅNN（ｐ−Ｆ）Ｐｈ
ｅ〕−Ｂｏｃ（調製に対し、例１６参照）に添加する。
反応混合を４時間、０℃で攪拌し、更に２時間ＲＴで攪
拌し、次いで蒸発により濃縮する。ジオキサンから残留
物を凍結乾燥し、表題化合物を得、これを精製すること
なく更に反応させる：ｔRet （Ｉ）＝１４．７min.例３０：Ｚ−（Ｌ）−Ａｓｎ−〔ＰｈｅNNＰｈｅ〕−Ｂ
ｏｃ： 例２５に準じ、３．６mlのＤＭＦおよび０．１８
ml（１ミリモル）のＮ−エチル−ジイソプロピルアミン
に溶解した１６７mg（０．３４ミリモル）を、０．２０
ｇ（０．５２ミリモル）のＺ−（Ｌ）−アスパラギン−
ｐ−ニトロフェニルエステルと反応させ表題化合物を
得、これはカラムクロマトグラフィー法（ＳｉＯ 2 、酢
酸エチル）により純粋な形で得られる：ＴＣＬＲ
f （Ｏ）＝０．１９；ｔ Ret （Ｉ）＝２０．９min. 出発物質を次のように調製する：ａ）Ｎ−トリフルオロアセチル−〔ＰｈｅNNＰｈｅ〕−
Ｂｏｃ： 例１６に準じ、１５mlのメタノールに溶解した
１．８２ｇ（７．０ミリモル）の２（Ｒ）−〔１′
（Ｓ）−〔トリフルオロアセチルアミノ）−２′−フェ
ニルエチル〕−オキシラン（例１６ｄ）および１．５８
ｇ（７．１ミリモル）の第三ブチル−３−ベンジル−カ
ルバゼート（Ｊ．Ｃｈｅｍ，Ｐｅｒｋｉｎ Ｉ，１７１
２（１９７５））を、ボンベ管中で反応させ、表題化合
物を得、これをカラムクロマト法（Ｓi Ｏ2 ，ＣＨ2 Ｃ
ｌ2 ／エーテル５０対１）により単離する：ＴＬＣＲf
（Ｊ）＝０．３８；ｔRet （Ｉ）＝２４．５分ｂ）Ｈ−〔ＰｈｅNNＰｈｅ〕−Ｂｏｃ： 例１７ａに準
じ、６０mlのエタノールに溶解した２５８mg（０．５３
ミリモル）のＮ−トリフルオロアセチル−〔ＰｈｅNNＰ
ｈｅ〕−Ｂｏｃを、１０．７mlの炭酸カリウム溶液と反
応させ表題化合物を得る。
【０３５８】例３１：Ｚ−（Ｌ）−Ｖａｌ−〔ｐ−Ｆ）
ＰｈｅNN（ｐ−Ｆ）Ｐｈｅ〕−Ｂｏｃ：例２１に準じ、
０．６mlの０．２５ＭのＮＭＭ／ＣＨ3 ＣＮに溶解した
１８mg（０．０７０ミリモル）のＺ−（Ｌ）−Ｖａｌお
よび２７mg（０．０６４ミリモル）のＨ−〔（ｐ−Ｆ）
ＰｈｅNN（ｐ−Ｆ）Ｐｈｅ〕−Ｂｏｃを、２６．６mg
（０．０７０ミリモル）のＨＢＴＵと反応させ、表題化
合物を得、これを少量の塩化メチレンに溶解し次いでＤ
ＩＰＥで沈でんさせることにより精製する：ＦＡＢ−Ｍ
Ｓ（Ｍ＋Ｈ）+ ＝６５５． 出発物質を次のように調製する。
【０３５９】ａ）Ｎ−Ｂｏｃ−（ｐ−フルオロフェニル
アラニン）：０．４ｌのジオキサン／水（１対１）中、
２０ｇ（１０９ミリモル）のｐ−フルオロフェニルアラ
ニン（Ｆｌｕｋａ、バッハ、スイス）を、３５．５ｇ
（１６３ミリモル）のＢｏｃ無水物および１５０ｇ
（１．０９モル）のＫ2 ＣＯ3 と反応させる。４ｈ後、
反応混合物をクエン酸溶液で酸性化し、酢酸エチル３部
で抽出する。有機相を１０％クエン酸、水およびブライ
ンで洗い、Ｎａ2 ＳＯ4 で乾燥し、蒸発により濃縮す
る。残留物を少量のＣＨ2 Ｃｌ2 に溶解し、ヘキサンを
加えて結晶化させ表題化合物を得る：ｔRet （Ｉ）＝１
６．９分 ｂ）Ｎ−Ｂｏｃ−（ｐ−フルオロフェニルアラニノー
ル）：−５℃〜−１０℃で、９．６６ml（６９ミリモ
ル）のトリエチルアミンを、７３mlの無水ＴＨＦに溶解
した１７．９ｇ（６３ミリモル）のＮ−Ｂｏｃ−（ｐ−
フルオロフェニルアラニン）の溶液に加え、次いで４４
mlの無水ＴＨＦに溶解した９．０５ml（６９ミリモル）
のクロルギ酸イソブチルエステルの溶液をそれらに滴下
する。ＲＴで０．５ｈ攪拌後、生成した沈殿物を吸引ろ
過する。ろ液を冷却しながら、２８mlの水に溶解した
４．７７ｇ（１２６ミリモル）の水素化ホウ素ナトリウ
ムに滴下する。混合物をＲＴで４ｈ攪拌し、１０％クエ
ン酸で酸性化し、ＲＥを用いて蒸発によりＴＨＦを一部
除去し、次いで残留物を酢酸エチル３部および２ＮＮａ
ＯＨ溶液、水、飽和ＮａＨＣＯ3 溶液およびブライン２
部間に分配する。有機相をＮａ2 ＳＯ4 で乾燥し、蒸発
により濃縮し、少量のＣＨ2 Ｃｌ2 に溶解し、ヘキサン
を添加して結晶化させ表題化合物を得る：ＴＬＣＲ
f （Ｎ）＝０．３６；ｔRet （Ｉ）＝１６．８min ；1
Ｈ−ＮＭＲ（２００MHz ，ＣＤ3 ＯＤ）：７．２４（ｄ
ｄ，８および５Hz，２Ｈ），６．９８（ｔ，８Hz，２
Ｈ），３．７３（ｍ，１Ｈ），３．４７（ｄ，５Hz，２
Ｈ），２．８８（ｄｄ，１３および６Hz，１Ｈ），２．
６２（ｄｄ，１３および８Hz，１Ｈ），１．３６（ｓ，
９Ｈ）． ｃ）Ｎ−Ｂｏｃ−（ｐ−フルオロフェニルアラニナー
ル）：窒素雰囲気下、７６mlのＣＨ2 Ｃｌ2 に溶解した
４．４４ml（６２．４ミリモル）のＤＭＳＯを、４４ml
のＣＨ2 Ｃｌに溶解した４．０ml（４６．８ミリモル）
の塩化オキサリルの溶液（−６０℃に冷却）に滴下す
る。１５分間攪拌後、澄明な反応溶液を得、１８５mlの
ＣＨ2 Ｃｌ2 ／ＴＨＦ（１：１）に溶解した８．４ｇ
（３１．２ミリモル）のＮ−Ｂｏｃ−（ｐ−フルオロフ
ェニルアラニノール）液を添加し（沈でん発生）次いで
混合を２５分間攪拌する。３８mlの塩化オキサリルに溶
解した１７．３ml（１２４．８ミリモル）のトリエチル
アミンを添加する。混合物を３０分間攪拌後、２０％Ｋ
ＨＳＯ4 溶液２７８mlを滴下し、引き続き２２０mlのヘ
キサンを滴下する。混合物をＲＴに加温し，水性相を除
去し、エーテル２部で抽出する。有機相を飽和ＮａＨＣ
Ｏ3 溶液、水およびブラインで洗い、蒸発により濃縮
し、表題化合物を得、これを更に精製することなく、次
工程で用いる：1 Ｈ−ＮＭＲ（２００MHz ，ＣＤＣ
ｌ3 ）：９．６３（ｓ，１Ｈ），６．９−７．２（２
ｍ，４Ｈ），５．０４（ｍ，１Ｈ），４．４２（ｍ，１
Ｈ），３．１０（ｍ，２Ｈ），１．４３（ｓ，９Ｈ）． ｄ）Ｎ−３（Ｓ）−（Ｂｏｃ−アミノ）−２（Ｒ，Ｓ）
−ヒドロキシ−４−（ｐ−フルオロフェニル）−１−ト
リメチルシリル−ブタン：例１６ａに準じ、３３mlの無
水エーテルに溶解した１．６３ｇ（６７ミリモル）のＭ
ｇを、８．３ml（６０ミリモル）のクロロメチルトリメ
チルシランと反応させてグリニヤール化合物を得、１３
ミリモルのＮ−Ｂｏｃ−（ｐ−フルオロフェニルアラニ
ナール）と反応後、これを抽出し次いでカラムクロマト
法（Ｓi Ｏ 2 、ヘキサン／酢酸エチル５：１→４：１）
により処理し、表題化合物をジアステレオマー混合物の
形態で得る：ＴＬＣＲf （Ｌ）＝０．３２；ｔ
Ret （Ｉ）＝２４．９分（２２％）／２５．５分（７８
％）；ＦＡＢ−ＭＳ（Ｍ＋Ｈ）+ ＝３５６ ｅ）１−（ｐ−フルオロフェニル）−３−ブテン−２
（Ｓ）−アミン：例１６ｂ）に準じ、２２mlのＣＨ2 Ｃ
ｌ2 に溶解した１．１ｇ（３．１ミリモル）のＮ−３
（Ｓ）−（Ｂｏｃ−アミノ）−２（Ｒ，Ｓ）−ヒドロキ
シ−４（ｐ−フルオロフェニル）−１−トリメチルシリ
ル−ブタンを、エーテルに溶解した三フッ化ホウ素約４
８％溶液１．９ml（１５．５ミリモル）と反応させ、表
題化合物を得る：1 Ｈ−ＮＭＲ（３００MHz ，ＣＤＣｌ
3 ）：７．２−７．１０および７．０５−６．９（２
ｍ，各々２Ｈ），５．９−５．８（ｍ，１Ｈ），５．２
−５．０（ｍ，２Ｈ），３．５７（ｍ，１Ｈ），２．７
９（ｄｄ，１２および６Hz，１Ｈ），２．６２（ｄｄ，
１２および８Hz，１Ｈ），１．７（ｓｂ，２Ｈ）． ｆ）Ｎ−トリフルオロアセチル−１−（ｐ−フルオロフ
ェニル）−３−ブテン−２（Ｓ）−アミン：例１６ｃ）
に準じ、１．８mlのＣＨ2 Ｃｌ2 および５．４mlのピリ
ジンに溶解した３６４mg（２．２ミリモル）の１−（ｐ
−フルオロフェニル）−３−ブテン−２（Ｓ）−アミン
を、４６０μｌ（３．３ミリモル）の三フッ化酢酸無水
物と反応させ、ヘキサンで温浸後純粋な形態で表題化合
物を得る：ＴＬＣＲf （Ｆ）＝０．５８；ＭＳ（Ｍ）+
＝２６１ ｇ）２（Ｒ）−〔１′（Ｓ）−（トリフルオロアセルア
ミノ）−２′−（ｐ−フルオロフェニル）エチル〕−オ
キシラン：例１６mlに準じ、９mlのクロロホルムに溶解
した３５９mg（１．３７ミリモル）のＮ−トリフルオロ
アセチル−１−（ｐ−フルオロフェニル）−３−ブテン
−２（Ｓ）−アミンを、１．１８ｇ（６．８７ミリモ
ル）のｍ−クロロ過安息香酸で酸化し、表題化合物を得
る：ＴＬＣＲf （Ｒ）＝０．４５ ｈ）Ｎ−トリフルオロアセチル−〔（ｐ−Ｆ）ＰｈｅNN
（ｐ−Ｆ）Ｐｈｅ〕−Ｂｏｃ：例１６に準じ、９mlのメ
タノールに溶解した４１５mg（１．４９ミリモル）の２
（Ｒ）−〔１′（Ｓ）−（トリフルオロアセチルアミ
ノ）−２′−（ｐ−フルオロフェニル）エチル〕−オキ
シランおよび３７７mg（１．５７ミリモル）の第三ブチ
ル−３−（ｐ−フルオロフェニル−メチル）−カルバゼ
ートを反応させ表題化合物を得る：ＴＬＣＲf （Ｓ）＝
０．５３；ＦＡＢ−ＭＳ（Ｍ＋Ｈ）+ ＝５１８；1 Ｈ−
ＮＭＲ（３００MHz ，ＣＤ3 ＯＤ）：７．４−７．３お
よび７．３−７．２（２ｍ，ｅａｃｈ ２Ｈ），７．０
５−６．９（ｍ，４Ｈ），４．２３（ｍ，１Ｈ），３．
９０−３．６５（ｍ，３Ｈ），３．０３−２．７８およ
び２．７４−２．６０（２ｍ，ｅａｃｈ ２Ｈ），１．
３０（ｓ，９Ｈ）． ｉ）Ｈ−〔（ｐ−Ｆ）ＰｈｅNN（ｐ−Ｆ）Ｐｈｅ〕−Ｂ
ｏｃ：例１７ａに準じ、４５mlのメタノールに溶解した
２８５mg（０．５５ミリモル）のＮ−トリフルオロアセ
チル−〔（ｐ−Ｆ）ＰｈｅNN（ｐ−Ｆ）Ｐｈｅ〕−Ｂｏ
ｃを、１４mlのメタノールを、１４mlの１Ｍの炭酸カリ
ウムと反応させ表題化合物を得る：ｔRet （Ｉ）＝１
６．４分例３２：Ｚ−（Ｌ）−Ｖａｌ−〔（ｐ−Ｆ）Ｐｈｅ
NN（ｐ−Ｆ）Ｐｈｅ〕−Ｈ： 例１８ａ）に準じ、２１５
mg（０．３３ミリモル）のＺ−（Ｌ）−Ｖａｌ−〔（ｃ
−Ｆ）（ＰｈｅNN（ｐ−Ｆ）Ｐｈｅ〕−Ｂｏｃを１００
mlのギ酸で膜保護し、表題化合物を得る：ＦＡＢ−ＭＳ
〔Ｍ＋Ｈ〕+ ＝５５５例３３：Ｚ−（Ｌ）−Ｖａｌ〔（ｐ−Ｆ）ＰｈｅNN（ｐ
−Ｆ）Ｐｈｅ〕←（Ｎ−（Ｎ−（２−プリジルメチル）
−Ｎ−メチルアミノカルボニル）−（Ｌ）−Ｖａｌ）：
例１８に準じ、２３．６mg（０．０８９ミリモル）のＮ
−（Ｎ−（２−ピリジルメチル）−Ｎ−メチル−アミノ
カルボニル）−（Ｌ）−バリン（調製に対し、Ｅｐ４０
２６４６Ａ１，１９９０年、１２月１９日参照）および
４５mg（０．０８１ミリモル）のＺ−（Ｌ）−Ｖａｌ−
〔（ｐ−Ｆ）ＰｈｅNN（ｐ−Ｆ）Ｐｈｅ〕−Ｈを、０．
２５ＭのＮＭＭ／ＣＨ3 ＣＮ０．７６mlに溶解した３
３．８mg（０．０８９ミリモル）のＨＢＴＵと反応さ
せ、表題化合物を得、これをＤＭＦ／ＤＩＰＥで再結晶
する：ＴＬＣＲf （Ｏ）＝０．３９；ＦＡＢ−ＭＳ（Ｍ
＋Ｈ） + ＝８０２例３４：Ｚ−（Ｌ）−Ｖａｌ−〔（ｐ−Ｆ）Ｐｈｅ
NN（ｐ−Ｆ）Ｐｈｅ〕←（Ｎ−（２（Ｒ，Ｓ）−カルボ
ニル−３−フェニル−プロピオニル）（Ｌ）−Ｖａ
ｌ）： 例１８に準じ、２６．０mg（０．０８９ミリモ
ル）のＮ−（２（Ｒ，Ｓ）−カルボニル−３−フェニル
−プロピオニル）−（Ｌ）−バリン（調製：Ｓｙｎｔ
ｈ．Ｓｔｒｕｃｔ．Ｆｕｎｃｔ．，Ｐｒｏｃ．Ａｍ．Ｐ
ｅｐ．Ｓｙｍｐ．，第７回、８５，（１９８１））およ
び４５mg（０．０８１ミリモル）のＺ−（Ｌ）−Ｖａｌ
−〔（ｐ−Ｆ）ＰｈｅNN（ｐ−Ｆ）Ｐｈｅ〕−Ｈ（例３
２）を、０．７６mlの０．２５ＭＮＭＭ／ＣＨ3 ＣＮに
溶解した３３．８mg（０．０８９ミリモル）と反応さ
せ、表題化合物を得、これをＤＭＦ／ＤＩＰＥから再結
晶する：Ｒf （Ｐ）＝０．６４；ＦＡＢ−ＭＳ（Ｍ＋
Ｈ）+ ＝８２９例３５：アセチル−Ｖａｌ−〔ＰｈｅNNＰｈｅ〕←（Ｎ
−アセチル Ｖａｌ）： ＤＭＦに溶解した１００mg
（０．２５ミリモル）のＨ−〔ＰｈｅNNＰｈｅ〕−Ｈ・
３ＨＣｌ（例２ａ）より）、１２１mg（０．７６ミリモ
ル）のＮ−アセチル−（Ｌ）−バリン、２８８mg（０．
７６ミリモル）のＨＢＴＵおよび０．２１１ml（１．５
２ミリモル）のトリエチルアミンから出発し、例７に準
じて処理し、ジオキサンから凍結乾燥後、表題化合物を
得る：（Ｍ＋Ｈ）+ ＝５６８，ｔRet （Ｉ）＝１５．０
分、Ｒf （Ｂ）＝０．４６例３６：Ｚ−（Ｄ）−Ｖａｌ−〔ＰｈｅNNＰｈｅ〕←
（（Ｄ）−Ｖａｌ）−Ｚ： ＤＭＦに溶解した５０mg
（０．１２３ミリモル）のＨ−〔ＰｈｅNNＰｈｅ〕−Ｈ
・３ＨＣｌ（例２ａより）、９５mg（０．３８ミリモ
ル）のＺ−（Ｄ）−バリン、１６８mg（０．３８ミリモ
ル）のＢＯＰ，５１mg（０．３８ミリモル）のＨＯＢt
および２．５３mlの０．３ＭＮＭＭから出発し、例２に
準じて処理し、ジオキサンから凍結乾燥後表題化合物を
得る：ＦＡＢ−ＭＳ：（Ｍ＋Ｈ）+ ＝７５２，ｔ
Ret （Ｉ）＝２６．４分、Ｒf （Ｈ）＝０．２１例３７：キノリン−２−カルボニル−Ｖａｌ−〔Ｐｈｅ
NNＰｈｅ〕←Ｎ−（キノリン−２−カルボニル−Ｖａ
ｌ）： １４５mg（０．５３ミリモル）のＮ−（キノリン
−２−カルボニル）−（Ｌ）−バリン、２３５mg（０．
５３ミリモル）のＢＯＰおよび７２mg（０．５３ミリモ
ル）のＨＯＢt を、ＤＭＦに溶解したＮＭＭの０．３Ｍ
溶液３．５mlに溶解し、１０分後、７０mg（０．１８ミ
リモル）のＨ−〔ＰｈｅNNＰｈｅ〕−Ｈ・ＨＣｌ（例２
ａ））を添加し、次いで混合物をＲＴで５ｈ、窒素雰囲
気で攪拌する。反応混合物を蒸発により濃縮し、残留物
をＣＨ2 Ｃｌ2 に溶解し、次いで飽和ＮａＨＣＯ3 溶液
で２回、１０％クエン酸で１回、更に再たび飽和ＮａＨ
ＣＯ3 溶液で１回洗う。有機相を綿の詰め物でろ過し、
蒸発により濃縮し、残留物をＤＩＰＥを添加して、ＣＨ
2 Ｃｌ2 ／メタノールから２回沈でんさせる。ジオキサ
ンから凍結乾燥後、表題化合物を白色固体（ＨＰＬＣに
より差別可能な２種のジアステレオマー混合物）を得
る。ＦＡＢ−ＭＳ：（Ｍ＋Ｈ）+ ＝７９４，ｔ
Ret （Ａ）＝２９．１および２９．３分、Ｒf （Ｂ）＝
０．８１ ａ）Ｎ−（キノリン−２−カルボニル）−（Ｌ）−バリ
ン：３．２８ｇ（１５．９ミリモル）のＮ，Ｎ−ジシク
ロヘキシルカルボジイミドおよび２．０ml（１４．５ミ
リモル）のトリエチルアミンを、１００mlのＣＨ2 Ｃｌ
2 ／ＴＨＦ（１０：１）に溶解した２．５ｇ（１４．５
ミリモル）のキノリン−２−カルボン酸の溶液に添加
し、混合物をＲＴで１８ｈ攪拌する。反応混合物を−１
８℃に冷却し、尿素からろ過する。ろ液を蒸発により濃
縮し、残留物をＣＨ2 Ｃｌ2 に溶解し、飽和ＮａＨＣＯ
3 溶液で１回、水で１回洗う。有機相を綿の詰め物でろ
過し、蒸発により濃縮し、ヘキサン／酢酸エチル（２：
１）を用いシリカゲルによるクロマトグラフィー精製
後、Ｎ−（キノリン−２−カルボニル）−（Ｌ）−バリ
ル−第三ブチルエステルを得る。その２．５９ｇ（１
２．２ミリモル）をＣＨ2 Ｃｌ2 ／ＴＦＡ（１：１）
中、ＲＴで４．５ｈ放置する。蒸発により濃縮後、残留
物をヘキサン／アセトン（２：１）を用いシリカゲルに
よるクロマトグラフィー法により精製する。生成物含有
分画を蒸発により濃縮し、再たびＣＨ2 Ｃｌ2 に溶解
し、１ＮＮａＯＨ溶液および１ＮＨＣｌを用いて洗浄
し、表題化合物の塩酸塩を得る：1 Ｈ−ＮＭＲ（２００
MHz ，ＣＤ3 ＯＤ）：１．０５および１．０７（２ｄ，
Ｊ＝６Hz，６Ｈ），２．４０（ｍ，１Ｈ），４．６５
（ｍ，１Ｈ），７．７０（ｍ，１Ｈ），７．８５（ｍ，
１Ｈ），８．００（ｄｘｄ，１Ｈ），８．２０（ｍ，２
Ｈ），８．４８（ｄ，１Ｈ）．例３８：アセチル−（Ｌ）−Ｖａｌ−〔ＰｈｅNNＣｈ
ａ〕←（Ｎ−アセチル−（Ｌ）−Ｖａｌ）： ＤＭＦに溶
解した１６０mg（０．４０ミリモル）のＨ−〔ＰｈｅNN
Ｃｈａ〕−Ｈ・３ＨＣｌ（例１０ａ）から）、１９０mg
（１．１９ミリモル）のＮ−アセチル−（Ｌ）−バリ
ン、５２５mg（１．１９ミリモル）のＢＯＰ，１６０mg
（１．１９ミリモル）のＨＯＢｔおよび７．９mlの０．
３ＭのＮＭＭから出発し、例３７に準じて処理し、クロ
ロホルム／メタノールから、ＤＩＰＥを用いて沈でんさ
せ次いでジオキサンから凍結乾燥させて表題化合物を得
る。 ＦＡＢ−ＭＳ：（Ｍ＋Ｈ）+ ＝５７４，ｔRet （Ｉ）＝
１８．１分、Ｒf （Ｂ）＝０．３０例３９：Ｎ−（３−ピリジルアセチル）−（Ｌ）−Ｖａ
ｌ〔ＰｈｅNNＣｈａ〕←（Ｎ−（３−ピリジルアセチ
ル）−（Ｌ）−Ｖａｌ）・３ＨＣｌ： ＤＭＦに溶解した
１００mg（０．２５ミリモル）のＨ−〔ＰｈｅNNＣｈ
ａ〕−Ｈ・３ＨＣｌ（例１０ａ）から）、３５８mg
（１．５２ミリモル）のＮ−（３−ピリジルアセチル）
−（Ｌ）−バリン（例９ａ）から）、５７６mg（１．５
２ミリモル）のＨＢＴＵおよび０．３１６ml（２．２８
ミリモル）のトリエチルアミンから出発し、例７に準じ
て処理し、ＣＨ2 Ｃｌ2 ／ＣＨ30Ｈ（１５：１）を用
い、シリカゲルでクロマトグラフィー精製し次いでジオ
キサンからの主成分含有分画を凍結乾燥させて表題化合
物を得るＦＡＢ−ＭＳ：（Ｍ＋Ｈ）+ ＝７２８，ｔRet
（Ｉ）＝１１．３分，Ｒf （Ｕ）＝０．２１例４０：アセチル−Ｉｌｅ−〔ＰｈｅNNＣｈａ〕←（Ｎ
−アセチル−Ｉｌｅ）： ＤＭＦに溶解した１６０mg
（０．４０ミリモル）のＨ−〔ＰｈｅNNＣｈａ〕−Ｈ・
３ＨＣｌ（例１０ａ）から）、２０６mg（１．１９ミリ
モル）のＮ−アセチル−（Ｌ）−イソロイシン、５２５
mg（１．１９ミリモル）のＢＯＰ、および７．９mlの
０．３ＭのＮＭＭから出発し、例３７に準じて処理し、
ＣＨ2 Ｃｌ2 ／メタノールから、ＤＩＰＥを添加して沈
でんさせ次いでジオキサン／第三ブタノール（ＨＰＬＣ
により区別可能な２種のジアステレオマー異性体の混合
物）から凍結乾燥させて表題化合物を得るＦＡＢ−Ｍ
Ｓ：（Ｍ＋Ｈ）+ ＝６０２，ｔRe t （Ｉ）＝２０．４お
よび２０．７分、Ｒf （Ｄ）＝０．３３例４１：チオモルホリノカルボニル−（Ｌ）−Ｖａｌ−
〔ＰｈｅNNＣｈａ〕←ＣＮ−チオモルホリノ−カルボニ
ル（Ｌ）−Ｖａｌ： ２mlのＤＭＦに溶解した７０mg
（０．１２ミリモル）のＨ−〔ＰｈｅNNＣｈａ〕−←
（Ｎ−（Ｌ）−Ｖａｌ）Ｈ・３ＨＣｌ（例１４から）、
８８mg（０．３５ミリモル）の塩化（４−チオモルホリ
ニルカルボニル）、および０．１２７mlのトリエチルア
ミンから出発し、例６に準じて処理し、塩化メチレン／
メタノール（９５：１）を用い、シリカゲルでクロマト
グラフィー精製し次いでジオキサンから生成物含有分画
を凍結乾燥させて表題化合物を得るＦＡＢ−ＭＳ：（Ｍ
＋Ｈ）+ ＝７４８，ｔRet （Ｉ）＝２４．０分、Ｒ
f （Ｂ）＝０．７０例４２：Ｚ−（Ｌ）−Ｇｌｕ−〔ＰｈｅNN（ｐ−Ｆ）Ｐ
ｈｅ〕←（（Ｌ）−Ｇｌｕ−Ｚ： ８mlのＣＨ2 Ｃｌ2 ／
ＴＦＡ（１：１）に溶解した１３０mg（０．１４ミリモ
ル）のＺ（Ｌ）−Ｇｌｕ（Ｏ−第三ブチル）−〔Ｐｈｅ
NN（ｐ−Ｆ）Ｐｈｅ〕←（Ｌ）−Ｇｌｕ（Ｏ−第三ブチ
ル）−Ｚ〔ここで、Ｇｌｕ（Ｏ−第三ブチル）は、γ−
カルボキシ基で第三ブチル基によりエステル化されたグ
ルタミン酸の基を示す〕の溶液を、ＲＴで３ｈ攪拌す
る。溶剤を減圧下で留去し、残留物をＤＩＰＥを添加し
てＣＨ2 Ｃｌ2 から沈でんさせる。ジオキサン／第三ブ
タノールから凍結乾燥後表題化合物を得る。ＦＡＢ−Ｍ
Ｓ：（Ｍ＋Ｈ）+ ＝８３０，ｔRet （Ｉ）＝１９．６
分，Ｒf （Ｂ）＝０．３２． ａ）Ｚ−（Ｌ）−Ｇｌｕ（Ｏ−第三ブチル）−〔Ｐｈｅ
NN（ｐ−Ｆ）Ｐｈｅ〕←（（Ｌ）−Ｇｌｕ（Ｏ−第三ブ
チル））−Ｚ：ＤＭＦに溶解した１００mg（０．２４ミ
リモル）のＨ−〔ＰｈｅNN（ｐ−Ｆ）Ｐｈｅ〕−Ｈ・３
ＨＣｌ（例１０ａ）から）、２４５mg（０．７３ミリモ
ル）のＺ−（Ｌ）−グルタミン酸第三ブチルエステル、
３２１mg（０．７３ミリモル）のＢＯＰ，９８mg（０．
７３ミリモル）のＨＯＢｔおよび４．８mlの０．３Ｍの
ＮＭＭから出発し、例３７に準じて処理し、ＣＨ2 Ｃｌ
2 ／メタノール（１対１）を用いシリカゲルでクロマト
グラフィー精製後表題化合物を得る。ｔRet （Ｉ）＝３
０．２分、Ｒf （Ｈ）＝０．１７ ｂ）Ｈ−〔ＰｈｅNN（ｐ−Ｆ）Ｐｈｅ〕−Ｈ・３ＨＣ
ｌ：例２ａに準じ、１．７７ｇ（３．５１ミリモル）の
Ｂｏｃ−〔ＰｈｅNN（ｐ−Ｆ）Ｐｈｅ〕−Ｂｏｃから出
発し、凍結乾燥後表題化合物を得る。
【０３６０】ＦＡＢ−ＭＳ：（Ｍ＋Ｈ）+ ＝３０４，Ｒ
f （Ｋ）＝０．１９ ｃ）Ｂｏｃ−〔ＰｈｅNN（ｐ−Ｆ）Ｐｈｅ〕−Ｂｏｃ：
２．０ｇ（７．６０ミリモル）の（２Ｒ）−〔１′
（Ｓ）−Ｂｏｃ−アミノ−２′−フェニルエチル〕オキ
シランおよび２．１７ｇ（９．０４ミリモル）の第三ブ
チル−３−（４−フルオロフェニル−メチル）−カルバ
ゼート（例１６ｆから）から出発して例１に準じて処理
し、ヘキサン／酢酸エチル（２：１）を用いてシリカゲ
ルでクロマトグラフィー精製後、表題化合物を得る。Ｆ
ＡＢ−ＭＳ：（Ｍ＋Ｈ）+ ＝５０４，ｔRet （Ｉ）＝２
６．２分、Ｒf （Ｆ）０．２６．例４３：Ｎ−（２−ピリジルメチル）−Ｎ−メチルアミ
ノカルボニル−（Ｌ）−Ｖａｌ−〔ＰｈｅNN（ｐ−Ｆ）
−Ｐｈｅ〕←（Ｎ−（Ｎ−（２−ピリジルメチル）−Ｎ
−メチルアミノカルボニル）−（Ｌ）−Ｖａｌ）： ＤＭ
Ｆに溶解した７０mg（０．１７ミリモル）のＨ−〔Ｐｈ
ｅNN（ｐ−Ｆ）Ｐｈｅ〕−Ｈ・３ＨＣｌ（例４２ｂ）か
ら）、１３５mg（０．５１ミリモル）のＮ−（Ｎ−（２
−ピリジルメチル）−Ｎ−メチルアミノカルボニル−
（Ｌ）−バリン（ＥＰ０４０２６４６Ａ１（１９９０年
１２月１９日）に記載の如く調製）２２５mg（０．５１
ミリモル）のＢＯＰ，６９mg（０．５１ミリモル）のＨ
ＯＢｔおよび３．４mlの０．３ＭのＮＭＭから出発し、
例３７に準じて処理し、ＣＨ2 Ｃｌ2 ／メタノール（１
５対１）を用いシリカゲルでクラマトグラフィー処理
し、次いでジオキサンから生成物含有分画を凍結乾燥さ
せて表題化合物を得る。ＦＡＢ−ＭＳ：（Ｍ＋Ｈ）+ ＝
７９８，ｔRet （ＩＶ）＝３５分、Ｒf （Ｕ）＝０．２
１例４４：Ｎ−（３−（テトラゾール−１−ｙｌ）−プロ
ピオニル）−Ｖａｌ−〔ＰｈｅNN（ｐ−Ｆ）Ｐｈｅ〕←
（Ｎ−（３−（テトラゾール−１−イル）−プロピオニ
ル）−Ｖａｌ）： ＤＭＦに溶解した１００mg（０．２４
ミリモル）のＨ−〔ＰｈｅNN（ｐ−Ｆ）Ｐｈｅ〕−Ｈ・
３ＨＣｌ（例４２ｂ）から）、１４６mg（０．６１ミリ
モル）のＮ−（３−（テトラゾール−１−イル）−プロ
ピオニル）−（Ｌ）−バリン、２６８mg（０．６１ミリ
モル）のＢＯＰ，８２mg（０．６１ミリモル）のＨＯＢ
ｔおよび４mlの０．３ＭのＮＭＭから出発し、例３７に
準じて処理し、クロロホルムから、ＤＩＰＥを用いて沈
でんさせ次いでジオキサンから凍結乾燥させて表題化合
物（ＨＰＬＣにより区別可能な４個のジアステレオマー
異性体）を得る。ＦＡＢ−ＭＳ：（Ｍ＋Ｈ）+ ＝７５
０，ｔRet （III ）＝３６．８；３１．４；３２．４お
よび３２．８分、Ｒf （Ｋ）＝０．５例４４ａ：Ｎ−（３−（テトラゾール−１−イル）−プ
ロピオニル）−（Ｌ）−バリン： ＤＭＦに溶解した４ｇ
（１６．４ミリモル）の（Ｌ）−バリン−ベンジルエス
テル・ＨＣｌ，２．１ｇ（１４．９ミリモル）の３（テ
トラゾール−１−イル）−プロピオン酸（調製：１９８
８年１２月２７日のＵＳ４７９４１０９Ａ），２．４ml
のシアノホスホン酸ジエチルエステルおよび４．４mlの
トリエチルアミンから出発し、ＣＨ2 Ｃｌ2 ／メタノー
ル（３０対１）を用いシリカゲルでクロマトグラフィー
精製後Ｎ−（３−（テトラゾール−１−イル）−プロピ
オニル）−（Ｌ）−バリン−ベンジルエステルを得る。
その２．６６ｇ（８．０３ミリモル）を、５３０mgの１
０％パラジウム／炭素の存在下、メタノール／水（９対
１）中、１気圧のＨ2 気圧で水素化し、メタノール／Ｄ
ＩＰＥから沈でん後、表題化合物を得る。1 Ｈ−ＮＭＲ
（２００MHz ，ＣＤ3 ＯＤ）：０．９（ｄ，Ｊ＝７Hz，
６Ｈ），２．１（ｍ，１Ｈ），２．９５（ｍ，２Ｈ），
４．２９（ｄ，Ｊ＝６Hz，１Ｈ），４．７８（ｍ，２
Ｈ），９．１５（ｓ，１Ｈ）．例４５：Ｚ−（Ｌ）−Ｖａｌ−〔ＰｈｅNN（ｐ−Ｆ）Ｐ
ｈｅ〕←（（Ｌ）−Ｖａｌ）−Ｚ： ＤＭＦに溶解した１
００mg（０．２４ミリモル）のＨ−〔ＰｈｅNN（ｐ−
Ｆ）Ｐｈｅ〕−Ｈ・３ＨＣｌ（例４２ｂ）から）、１８
２mg（０．３８ミリモル）のＺ−（Ｌ）−バリン、３２
１mg（０．７３ミリモル）のＢＯＰ，９８mg（０．７３
ミリモル）のＨＯＢｔおよび４．８mlの０．３ＭのＮＭ
Ｍから出発し、例３７に準じて処理し、ＣＨ2 Ｃｌ2 か
ら、ＤＩＰＥを用いて沈でんさせ次いでジオキサンから
凍結乾燥させて表題化合物を得る。ＦＡＢ−ＭＳ：（Ｍ
＋Ｈ）+ ＝７７０，ｔRet （Ｉ）＝２６．３分、Ｒ
f （Ｈ）＝０．２５例４６：アセチル−Ｖａｌ−〔ＰｈｅNN（ｐ−Ｆ）Ｐｈ
ｅ〕←（Ｎ−アセチル−Ｖａｌ）： ＤＭＦに溶解した８
０mg（０．１９ミリモル）のＨ−〔ＰｈｅNN（ｐ−Ｆ）
Ｐｈｅ〕−Ｈ・３ＨＣｌ（例４２ｂ）から）、１２４mg
（０．７８ミリモル）のＮ−アセチル−（Ｌ）−バリ
ン、３４４mg（０．７８ミリモル）のＢＯＰ，１０５mg
（０．７６ミリモル）のＨＯＢｔおよび４．５mlの０．
３ＭのＮＭＭから出発し、例３７に準じて処理し、ＣＨ
2 Ｃｌ2 ／メタノールから、ＤＩＰＥを添加して２回沈
でんさせ次いでジオキサンから凍結乾燥させて表題化合
物を得る：ＦＡＢ−ＭＳ：（Ｍ＋Ｈ）+ ＝５８６，ｔ
Ret （Ｉ）＝１５．８min ，Ｒf （Ｅ）＝０．３２．例４７：アセチル−Ｖａｌ−〔ＰｈｅNN（ｐ−ＣＮ）Ｐ
ｈｅ〕←（Ｎ−アセチル−Ｖａｌ）： ＤＭＦに溶解した
８０mg（０．１９ミリモル）のＨ−〔ＰｈｅNN（ｐ−Ｃ
Ｎ）Ｐｈｅ〕−Ｈ・３ＨＣｌ，１２４mg（０．７８ミリ
モル）のＮ−アセチル−（Ｌ）−バリン、３４４mg
（０．７８ミリモル）のＢＯＰ，１０５mg（０．７８ミ
リモル）のＨＯＢｔおよび４．５mlの０．３ＭのＮＭＭ
から出発し、例３７に準じて処理し、ＣＨ2 Ｃｌ2 ／メ
タノールから、ＤＩＰＥを添加して沈でんさせ次いでジ
オキサンから凍結乾燥させてＨＰＬＣにより区別可能な
２種のジアステレオマー異性体の混合物の形態で表題化
合物を得る。ＦＡＢ−ＭＳ：（Ｍ＋Ｈ）+ ＝５９３，ｔ
Ret （Ｉ）＝１４．４ａｎｄ１４．６min ，Ｒf （Ｄ）
＝０．３９． ａ）Ｈ−〔ＰｈｅNN（ｐ−ＣＮ）Ｐｈｅ〕−Ｈ・３ＨＣ
ｌ：例２ａに準じ、２．６９ｇ（５．２７mmol）のＢｏ
ｃ−〔ＰｈｅNN（ｐ−ＣＮ）Ｐｈｅ〕−Ｂｏｃから凍結
乾燥後、表題化合物を得る。ＦＡＢ−ＭＳ：（Ｍ＋Ｈ）
+ ＝３１１，Ｒf （Ｋ）＝０．１６． ｂ）Ｂｏｃ−〔ＰｈｅNN（ｐ−ＣＮ）Ｐｈｅ〕−Ｂｏ
ｃ：例１に準じ、２．０ｇ（７．６０ミリモル）の（２
Ｒ）−〔１′−（Ｓ）−Ｂｏｃ−アミノ−２′−フェニ
ルエチル〕オキシランおよび１．８７ｇ（７．６ミリモ
ル）の第三−ブチル−３−（４−シアノフェニル−メチ
ル）カルバゼートから出発し、メタノール／ＤＩＰＥか
ら再結晶後、表題化合物を得る。ＦＡＢ−ＭＳ：（Ｍ＋
Ｈ）+ ＝５１１，ｔRet （Ｉ）＝２５分、Ｒf （Ｙ）＝
０．１９ ｃ）第三ブチル−３（４−シアノフェニル−メチル）−
カルバゼード：例４ｂ）に準じ、１０ｇ（７６．３ミリ
モル）の４−シアノベンズアルデヒドおよび１０ｇ（７
６．３ミリモル）の第三ブチルカルバゼートをメタノー
ル中で反応させ、４−シアノフェニルカルボアルデヒド
−第三ブトキシカルボニルヒドラゾンを得る。その１
１．１ｇを、２ｇの１０％パラジウム／木炭の存在下、
１５０mlのＴＨＦ中、２気圧の水素圧で水素化し表題化
合物を得る。1 Ｈ−ＮＭＲ（２００MHz ，ＣＤＣ
ｌ3 ）：７．６５（ｄ，Ｊ＝８Hz，２Ｈ），７．４５
（ｄ，Ｊ＝８Hz，２Ｈ），６．０８（ｓ，ｂｒ，１
Ｈ），４．３（ｓ，ｂｒ，１Ｈ），４．０２（ｓ，２
Ｈ），１．４５（ｓ，９Ｈ）．例４８：Ｚ−（Ｌ）−Ｖａｌ−〔ＰｈｅNN（ｐ−ＣＮ）
Ｐｈｅ〕←（（Ｌ）−Ｖａｌ）−Ｚ： ＤＭＦに溶解した
７０mg（０．１７ミリモル）のＨ−〔ＰｈｅNN（ｐ−Ｃ
Ｎ）Ｐｈｅ〕−Ｈ・３ＨＣｌ（例４７ａ）から）、１２
５mg（０．５ミリモル）のＺ−（Ｌ）−バリン、２２１
mg（０．５ミリモル）のＢＯＰ，６８mg（０．５ミリモ
ル）のＨＯＢｔおよび３．３３mlの０．３ＭのＮＭＭか
ら出発し、例３７に準じて処理し、ＣＨ2 Ｃｌ2 から、
ヘキサンを添加して沈でんさせ次いでジオキサンから凍
結乾燥させて表題化合物を得る：ＦＡＢ−ＭＳ：（Ｍ＋
Ｈ）+ ＝７７７，ｔRet （Ｉ）＝２５．３min ，Ｒ
f （Ｄ）＝０．６９．例４９：Ｚ−（Ｌ）−Ｉｌｅ−〔ＰｈｅNNＬｅｕ〕←
（（Ｌ）−Ｉｌｅ）−Ｚ： ＤＭＦに溶解した７０mg
（０．１９ミリモル）のＨ−〔ＰｈｅNNＬｅｕ〕−Ｈ・
３ＨＣｌ（例１３ａ）から）、１５４mg（０．５８ミリ
モル）のＺ−（Ｌ）−イソロイシン、２５７mg（０．５
８ミリモル）のＢＯＰ，７９mg（０．５８ミリモル）の
ＨＯＢｔおよび３．８８mlの０．３ＭのＮＭＭから出発
し、例３７に準じて処理し、ＣＨ2 Ｃｌ2 ／エーテル
（３：１）を用いシリカゲルでカラムクロマトグラフィ
ー処理し、次いでＣＨ2 Ｃｌ2 ／ＤＩＰＥから生成物含
有分画を沈でんさせ次いでジオキサンから凍結乾燥させ
て表題化合物を得る。ＦＡＢ−ＭＳ：（Ｍ＋Ｈ）+ ＝７
４６，ｔRet （Ｉ）＝２８．２min ，Ｒf （Ｈ）＝０．
３９．例５０：イソブトキシカルボニル−（Ｌ）−Ｖａｌ−
〔ＰｈｅNNＬｅｕ〕←（Ｎ−イソブトキシカルボニル−
（Ｌ）−Ｖａｌ）： ＤＭＦに溶解した７０mg（０．１９
ミリモル）のＨ−〔ＰｈｅNNＬｅｕ〕−Ｈ・３ＨＣｌ
（例１３ａ）から）、１９０mg（１．１９ミリモル）の
Ｎ−（イソブトキシカルボニル）−（Ｌ）−バリン、２
５６mg（０．５８ミリモル）のＢＯＰ，７８mg（０．５
８ミリモル）のＨＯＢｔおよび３．９mlの０．３ＭのＮ
ＭＭから出発し、例３７に準じて処理し、ＣＨ2 Ｃｌ2
／エーテル（３：１）を用い、シリカゲルでカラムクロ
マトグラフィー処理し次いでジオキサンから生成物含有
分画を凍結乾燥後、表題化合物を得る。ＦＡＢ−ＭＳ：
（Ｍ＋Ｈ）+ ＝６５０，ｔRet （Ｉ）＝２６．４min ，
Ｒf （Ｈ）＝０．３８． ａ）Ｎ−（イソブトキシカルボニル）−（Ｌ）−バリ
ン：１１．２ml（８５．３ミリモル）のイソブチルクロ
ロホルメートを、１００mlの２ＮのＮａＯＨ溶液に溶解
した１０ｇ（８５．３ミリモル）の（Ｌ）−バリンの溶
液に添加し、溶液をＲＴで１８ｈ攪拌する。反応溶液
を、ＣＨ2 Ｃｌ2 で洗い、４Ｎ塩酸で酸性化し、ＣＨ2
Ｃｌ2 で抽出する有機抽出液をブラインで洗い、綿の詰
め物でろ過し、蒸発により濃縮後無色の樹脂の形態で表
題化合物を得る。1 Ｈ−ＮＭＲ（２００MHz ，ＣＤ3 Ｏ
Ｄ）：０．９５（ｍ，１２Ｈ），１．９（ｍ，１Ｈ），
２．１５（ｍ，１Ｈ），３．８５（ｄ，Ｊ＝７Hz，２
Ｈ），４．０５（ｄ ｂｒｏａｄ，１Ｈ）．例５１：Ｎ−（３−（テトラゾール−１−イル）−プロ
ピオニル）−（Ｌ）−Ｖａｌ−〔ＰｈｅNNＬｅｕ〕←
（Ｎ−３−（テトラゾール−１−イル）−プロピオニル
−（Ｌ）−Ｖａｌ）： ＤＭＦに溶解した１５０mg（０．
４２ミリモル）のＨ−〔ＰｈｅNNＬｅｕ〕−Ｈ・３ＨＣ
ｌ（例１３ａ）から）、２５１mg（１．０４ミリモル）
のＮ−（３−（テトラゾール−１−イル−ピロピオニ
ル）−（Ｌ）−バリン（例４４ａから）、４６０mg
（１．０４ミリモル）のＢＯＰ，１４０mg（１．０４ミ
リモル）のＨＯＢｔおよび６．９mlの０．３ＭのＮＭＭ
から出発し、例３７に準じて処理し、ＣＨ2 Ｃｌ2 ／Ｄ
ＩＰＥから、沈でんさせ次いでジオキサン／第三ブタノ
ール／水から凍結乾燥させて表題化合物を得る。ＦＡＢ
−ＭＳ：（Ｍ＋Ｈ）+ ＝６８９，ｔRet （Ｉ）＝１４．
７min ，Ｒf （Ｋ）＝０．３６．例５２：アセチル−Ｖａｌ−〔ＰｈｅNNＬｅｕ〕←（Ｎ
−アセチル−Ｖａｌ）： ＤＭＦに溶解した７０mg（０．
１９ミリモル）のＨ−〔ＰｈｅNNＬｅｕ〕−Ｈ・３ＨＣ
ｌ（例１３ａ）から）、１８４mg（１．１６ミリモル）
のＮ−アセチル−（Ｌ）−バリン、５１２mg（１．１６
ミリモル）のＢＯＰ，１５６mg（１．１６ミリモル）の
ＨＯＢｔおよび７．９mlの０．３ＭのＮＭＭから出発
し、例３７に準じて処理し、ＣＨ2 Ｃｌ2 ／メタノール
から、ＤＩＰＥを添加して沈でんさせ次いでジオキサン
／第三ブタノール／水から凍結乾燥させて表題化合物
（ＨＰＬＣにより区別可能な２種のジアステレオマー異
性体）を得る。ＦＡＢ−ＭＳ：（Ｍ＋Ｈ）+ ＝５３４，
ｔRet （Ｉ）＝１４．７および１５．１min ，Ｒ
f （Ｄ）＝０．３５．例５３：Ｂｏｃ−（Ｌ）−Ｖａｌ−〔ＰｈｅNNＬｅｕ〕
←（（Ｌ）−Ｖａｌ）−Ｂｏｃ： ＤＭＦに溶解した３０
０mg（０．８３ミリモル）のＨ−〔ＰｈｅNNＬｅｕ〕−
Ｈ・３ＨＣｌ（例１３ａ）から）、７２２mg（３．３３
ミリモル）のＢｏｃ−（Ｌ）−バリン、１．２６２mg
（３．３３ミリモル）のＢＯＰ，１６０mg（１．１９ミ
リモル）のＨＯＢｔおよび０．９２ml（６．６６ミリモ
ル）のトリエチルアミンから出発し、例３７に準じて処
理し、ＣＨ2 Ｃｌ2 ／エーテル（１：１）を用いシリカ
ゲルでクロマトグラフィー精製し、生成物含有分画を沈
でんさせジオキサンから凍結乾燥させて表題化合物を得
る。（Ｍ＋Ｈ）+ ＝６５０，ｔRet （Ｉ）＝２６．３mi
n ．Ｒf （Ｈ）＝０．６４．例５４：Ｈ−（Ｌ）−Ｖａｌ−〔ＰｈｅNNＬｅｕ〕←
（（Ｌ）−Ｖａｌ）−Ｈ・３ＨＣｌ： 例５に準じ、ジオ
キサンに溶解した３９６mg（０．６１ミリモル）のＢｏ
ｃ−（Ｌ）−Ｖａｌ−〔ＰｈｅNNＬｅｕ〕←（（Ｌ）−
Ｖａｌ）−Ｂｏｃ（例５３から）および１０mlの４Ｎ塩
化水素から出発し、反応溶液を凍結乾燥後、表題化合物
を得る。ＦＡＢ−ＢＳ：（Ｍ＋Ｈ）+ ＝４５０，ｔRet
（II）＝２４．１分、Ｒf （Ｋ）＝０．２５例５５：Ｎ−チオモルホリノカルボニル−（Ｌ）−Ｖａ
ｌ−〔ＰｈｅNNＬｅｕ〕←（Ｎ−チオモルホリノカルボ
ニル（Ｌ）−Ｖａｌ）： ＤＭＦに溶解した１００mg
（０．１６ミリモル）のＨ−（Ｌ）−Ｖａｌ−〔Ｐｈｅ
NNＬｅｕ〕←（Ｌ）−Ｖａｌ−Ｈ・３ＨＣｌ，７８．５
mg（０．４７ミリモル）の塩化（４−チオモルホリニル
カルボニル（例６ａより）、および０．１７２mlのトリ
エチルアミンから出発し、例６に準じて処理、ＣＨ2 Ｃ
ｌ2 ／メタノール（９５：５）を用いシリカゲルでカラ
ムクロマトグラフィー精製し、ＣＨ2 Ｃｌ2 ／ヘキサン
から生成物含有分画を沈でんさせジオキサンから凍結乾
燥させて無定形固体の形で表題化合物を得る。ＦＡＢ−
ＭＳ：（Ｍ＋Ｈ）+ ＝７０８，ｔRet （Ｉ）＝２１．４
min 、Ｒf （Ｅ）＝０．４５．例５６：２（Ｒ，Ｓ）−テトラヒドロフリル−メトキシ
カルボニル−（Ｌ）−Ｖａｌ−〔ＣｈａNNＬｅｕ〕←
（Ｎ−２（Ｒ，Ｓ）−テトラヒドロフリル−メトキシカ
ルボニル−（Ｌ）−Ｖａｌ）： ＤＭＦに溶解した８０mg
（０．２２ミリモル）のＨ−〔ＰｈｅNNＬｅｕ〕−Ｈ・
３ＨＣｌ，１６０mg（０．６５ミリモル）のＮ−（２
（Ｒ，Ｓ）−テトラヒドロフリル−メトキシカルボニル
−（Ｌ）−バリン、２８９mg（０．６５ミリモル）のＢ
ＯＰ，８８mg（０．６５ミリモル）のＨＯＢｔおよび
４．３５mlの０．３ＭのＮＭＭから出発し、例３７に準
じて処理し、酢酸エチルを用いシリカゲルでクロマトグ
ラフィー精製し、ジオキサンから生成物含有分画を凍結
乾燥させて表題化合物を得る。ＦＡＢ−ＭＳ：（Ｍ＋
Ｈ）+ ＝７１２，ｔRet （Ｉ）＝２２．４min ，Ｒ
f （Ｅ）＝０．２１． ａ）Ｈ−〔ＣｈａNNＬｅｕ〕−Ｈ・３ＨＣｌ：例５に準
じ、ジオキサンに溶解した１５０mg（０．３３ミリモ
ル）のＢｏｃ−〔ＣｈａNNＬｅｕ〕−Ｂｏｃおよび１０
mlの４Ｎ塩化水素から出発し、反応溶液を凍結乾燥後表
題化合物を得る。Ｒf （Ｋ）＝０．２６ ｂ）Ｂｏｃ−〔ＣｈａNNＬｅｕ〕−Ｂｏｃ１５mlのメタ
ノールに溶解した２００mg（０．２４ミリモル）のＢｏ
ｃ−〔ＰｈｅNNＬｅｕ〕−Ｂｏｃ（例１２）の溶液を、
１０mgのニシムラ触媒（Ｒｈ（III ）およびＰｔ（IV）
−オキシドモノヒドレート、Ｄｅｇｕｓｓａ）の存在
下、１気圧の水素圧で４ｈ水素化する。触媒をろ過して
除去し、溶剤を蒸発により完全に濃縮し、塩化メチレン
／ヘキサンから再結晶後、粗製生成物を得る。ｔ
Ret （Ｉ）＝２６．７min ，Ｒf （Ｖ）＝０．２１ ｃ）Ｎ−（２（Ｒ，Ｓ）−テトラヒドロフリル−メトキ
シカルボニル）−（Ｌ）−バリン：例５０ａに準じ、２
ＮのＮａＯＨ溶液および３０mlのジオキサンに溶解した
７ｇ（６０ミリモル）の（Ｌ）−バリンおよび９．８ｇ
（６０ミリモル）の２（Ｒ，Ｓ）−テトラヒドロフリメ
チル−クロロホルメート（Ｈｅｔｅｒｏｃｙｃｌｅｓ
２７，１１５５（１９８８））から、表題化合物を、２
種のジアステレオマー異性体の混合物の形態で得る。ｔ
Ret （II）＝２３．５および２３．８min ． 例５７：Ｚ−Ｖａｌ−〔ＰｈｅNNＬｅｕ〕←（Ｎ−（３
−（テトラゾール−１−イル）−プロピオニル）−Ｖａ
ｌ）： ＤＭＦに溶解した１００mg（０．２１ミリモル）
の２−（Ｌ）−Ｖａｌ−〔ＰｈｅNNＬｅｕ〕−Ｈ、７５
mg（０．３１ミリモル）のＮ−（３−（テトラゾール−
１−イル）−プロピオニル）−（Ｌ）−バリン（例４４
ａより）、１３７mg（０．３１ミリモル）のＢＯＰ，４
２mg（０．３１ミリモル）のＨＯＢｔおよび１２mlの
０．３ＭのＮＭＭから出発し、例３７に準じて処理し、
ＣＨ2 Ｃｌ2 ／ヘキサンから沈でんさせ次いでジオキサ
ン／第三ブタノールから凍結乾燥させて表題化合物（Ｈ
ＰＬＣにより区別可能な２種のジアステレオマー異性体
の形態で）を得る。ＦＡＢ−ＭＳ：（Ｍ＋Ｈ）+ ＝７０
８，ｔRet （Ｉ）＝２１．１ａｎｄ２１．１min ，Ｒf
（Ｄ）＝０．４５． ａ）Ｚ−（Ｌ）−Ｖａｌ−〔ＰｈｅNNＬｅｕ〕−Ｈ：５
mlのギ酸に溶解した２５０mg（０．４３ミリモル）のＺ
−（Ｌ）−Ｖａｌ−〔ＰｈｅNNＬｅｕ〕−Ｂｏｃの溶液
をＲＴで７．５ｈ攪拌する。ＨＰＬＣ分析により出発物
質は検出できなくなった時間後（ｔRet （Ｉ）＝２７．
５min ）、反応溶液を蒸発により濃縮する。残留物をク
ロロホルムに溶解し、飽和ＮａＨＣＯ 3 溶液で洗う。ク
ロロホルム相を綿の詰め物でろ過し、蒸発して溶剤を除
去後粗製の表題化合物を得る。ｔRet （Ｉ）＝１６．７
分、Ｒf （Ｋ）＝０．２１ ｂ）Ｚ−（Ｌ）−Ｖａｌ−〔ＰｈｅNNＬｅｕ〕−Ｂｏ
ｃ：ＤＭＦに溶解した２３０mg（０．６５３ミリモル）
のＨ−〔ＰｈｅNNＬｅｕ〕−Ｈ・３ＨＣｌ，２４７mg
（０．９８ミリモル）のＺ−（Ｌ）−バリン、４３４mg
（０．９８ミリモル）のＢＯＰ，１３３mg（０．９８ミ
リモル）のＨＯＢｔおよび６．５mlの０．３ＭのＮＭＭ
から出発し、例３７に準じて処理し、ＣＨ2 Ｃｌ2 ／メ
タノールから、ＤＩＰＥを添加して沈でんさせて表題化
合物を得る。ＦＡＢ−ＭＳ：（Ｍ＋Ｈ）+ ＝５８５，ｔ
Ret （Ｉ）＝２７．５min ，Ｒf （Ｃ）＝０．７１． ｃ）Ｈ−〔ＰｈｅNNＬｅｕ〕−Ｂｏｃ：例１７ａ）に準
じ、９０mlのエタノールに溶解した１．２７ｇ（２．８
４ミリモル）のＮ−トリフルオロアセチル−〔ＰｈｅNN
Ｌｅｕ〕−Ｂｏｃおよび２４mlの１ＮのＮａＨＣＯ3 溶
液から出発し、ＣＨ2 Ｃｌ2 からＤＩＰＥを添加して沈
でんさせることにより出題化合物を得る。ｔRet （Ｉ）
＝１４．９min ，Ｒf （Ｋ）＝０．３８ｄ）Ｎ−トリフ
ルオロアセチル−〔ＰｈｅNNＬｅｕ〕−Ｂｏｃ：例１６
に準じ、３ｇ（１１．５７ミリモル）の２（Ｒ）−
〔１′（Ｓ）−（トリフルオロアセチルアミノ）−２′
−フェニルエチル〕−オキシラン（例１６ｄ）より）お
よび２．３ｇ（１２．１５ミリモル）の第三ブチル−３
−イソブチル−カルバゼート（調製：Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓ
ｏｃ．Ｐｅｒｋｉｎ Ｉ，１７１２（１９７５））から
出発し、ＣＨ2 Ｃｌ2 ／エーテル（２０：１）を用いシ
リカゲルでクロマトグラフィー精製して表題化合物を得
る。ｔRet （Ｉ）＝２４．７min ，Ｒf （Ｗ）＝０．３
６例５８：アセチル−Ｖａｌ−〔ＰｈｅNNＬｅｕ〕←（Ｎ
−（２（Ｒ，Ｓ）−カルバモイル−３−フェニル−プロ
ピオニル）−Ｖａｌ）： ＤＭＦに溶解した１４０mg
（０．３ミリモル）のＨ−〔ＰｈｅNNＬｅｕ〕−Ｈ・３
ＨＣｌ，１３２mg（０．４５ミリモル）のＮ−（２
（Ｒ，Ｓ）−カルバモイル−３−フェニル（Ｌ）−バリ
ン）（調製：Ｓｙｎｔｈ．，Ｓｔｒｕｃｔ．，Ｆｕｎ
ｔ．，Ｐｒｏｃ．，Ａｍ．Ｐｅｐｔ．Ｓｙｍｐ．，第７
回、８５、（１９８１）、１９９mg（０．４５ミリモ
ル）のＢＯＰ，６１mg（０．４５ミリモル）のＨＯＢｔ
および３．５mlの０．３ＭのＮＭＭから出発し、例３７
に準じて処理し、ＣＨ2 Ｃｌ2 ／ＤＩＰＥから、沈でん
させ次いでジオキサンから凍結乾燥させて表題化合物
（ＨＰＬＣにより区別可能な２種のジアステレオマー異
性体の形態で）を得る。ＦＡＢ−ＭＳ：（Ｍ＋Ｈ）+ ＝
６６７，ｔRet （Ｉ）＝１７．９および１８．４min ，
Ｒf （Ｄ）＝０．３３． ａ）アセチル−Ｖａｌ−〔ＰｈｅNNＬｅｕ〕−Ｈ・２Ｈ
Ｃｌ：例２ａ）に準じ、２３０mg（０．４６ミリモル）
のアセチル−（Ｌ）−Ｖａｌ−〔ＰｈｅNNＬｅｕ〕−Ｂ
ｏｃから出発し、凍結乾燥後、表題化合物を得る。ｔ
Ret （Ｉ）＝１０．５分、Ｒf （Ｄ）＝０．３８ ｂ）アセチル−Ｖａｌ−〔ＰｈｅNNＬｅｕ〕−Ｂｏｃ：
ＤＭＦに溶解した２８０mg（０．７１ミリモル）のＨ−
〔ＰｈｅNNＬｅｕ〕−Ｂｏｃ（例５７ｃ）から）、１７
０mg（１．０７ミリモル）のＮ−アセチル−（Ｌ）−バ
リン、４７１mg（１．０７ミリモル）のＢＯＰ，１４４
mg（１．０７ミリモル）のＨＯＢｔおよび７．１mlの
０．３ＭのＮＭＭから出発し、例３７に準じて処理し、
ＣＨ2 Ｃｌ2 から、ＤＩＰＥを添加して沈でんさせ次い
でジオキサンから凍結乾燥させて表題化合物を得る。Ｆ
ＡＢ−ＭＳ：（Ｍ＋Ｈ）+ ＝４９３，ｔRet （Ｉ）＝２
０．５min ，Ｒf （Ｄ）＝０．５９．例５９：Ｎ−モルホリノカルボニル−（Ｌ）−Ｖａｌ−
〔ＰｈｅNNＬｅｕ〕←（Ｎ−（３−（テトラゾール−１
−イル）−プロピオニル）−Ｖａｌ）： ＤＭＦに溶解し
た１００mg（０．１９ミリモル）のＨ−〔ＰｈｅNNＬｅ
ｕ〕−Ｈ・２ＨＣｌ，６７mg（０．３８ミリモル）のＮ
−（３−（テトラゾール−１−イル）プロピオニル）−
（Ｌ）−バリン（例４４ａから）、１２４mg（０．２８
ミリモル）のＢＯＰ，３８mg（０．２８ミリモル）のＨ
ＯＢｔおよび２．１mlの０．３ＭのＮＭＭから出発し、
例３７に準じて処理し、ＣＨ2 Ｃｌ2 から、ＤＩＰＥを
添加して沈でんさせ次いでジオキサンから凍結乾燥させ
て表題化合物（ＨＰＬＣにより区別可能な２種のジアス
テレオマー異性体の形態で）を得る。ＦＡＢ−ＭＳ：
（Ｍ＋Ｈ）+ ＝６８７，ｔRet （Ｉ）＝１５．２および
１５．４ ａ）Ｎ−モルホリノカルボニル−（Ｌ）−Ｖａｌ−〔Ｐ
ｈｅNNＬｅｕ〕−Ｈ・２ＨＣｌ：例２ａ）に準じ、２７
９mg（０．４９ミリモル）のＮ−モルホリノカルボニル
−（Ｌ）−Ｖａｌ−〔ＰｈｅNNＬｅｕ〕−Ｂｏｃから出
発し、凍結乾燥後、表題化合物を得る。ＦＡＢ−ＭＳ：
（Ｍ＋Ｈ）+ ＝４６４，ｔRet （II）＝３０．３min ，
Ｒf （Ｄ）＝０．４６． ｂ）Ｎ−モルホリノカルボニル−（Ｌ）−Ｖａｌ−〔Ｐ
ｈｅNNＬｅｕ〕−Ｂｏｃ：ＤＭＦに溶解した２５０mg
（０．７１ミリモル）のＨ−〔ＰｈｅNNＬｅｕ〕−Ｂｏ
ｃ（例５７ｃ）から）、２６５mg（１．０７ミリモル）
のＮ−モルホリノカルボニル−（Ｌ）−バリン（例７ｃ
から）、４７１mg（１．０７ミリモル）のＢＯＰ，１４
４mg（１．１９ミリモル）のＨＯＢｔおよび７．１mlの
０．３ＭのＮＭＭから出発し、例３７に準じて処理し、
ＣＨ2 Ｃｌ2 ／ヘキサンから沈でんさせ次いでジオキサ
ンから凍結乾燥させて表題化合物を得る。ＦＡＢ−Ｍ
Ｓ：（Ｍ＋Ｈ）+ ＝５６４，ｔRet （Ｉ）＝２１．５mi
n ，Ｒf （Ｋ）＝０．６９．例６０：Ｎ−トリフルオロアセチル−〔ＰｈｅNNＬｅ
ｕ〕←（Ｎ−（２（Ｒ，Ｓ）−カルバモイル−３−フェ
ニル−プロピオニル）−（Ｌ）−Ｖａｌ）： ＤＭＦに溶
解した１３６mg（０．３２ミリモル）のＨ−〔ＰｈｅNN
Ｌｅｕ〕−Ｈ・３ＨＣｌ，１４２mg（０．４９ミリモ
ル）のＮ−（２（Ｒ，Ｓ）−カルバモイル−３−フェニ
ル−プロピオニル）−（Ｌ）−バリン（調製：Ｓｙｎｔ
ｈ．，Ｓｔｒｕｃｔ．，Ｆｕｎｔ．，Ｐｒｏｃ．，Ａ
ｍ．Ｐｅｐｔ．Ｓｙｍｐ．，第７回、８５，（１９８
１），２１５mg（０．４９ミリモル）のＢＯＰ，６６mg
（０．４９ミリモル）のＨＯＢｔおよび３．５mlの０．
３ＭのＮＭＭから出発し、例３７に準じて処理し、クロ
ロホルム／メタノール（１５：１）を用いシリカゲルで
クロマトグラフィー精製し、ＣＨ2 Ｃｌ2 ／ＤＩＰＥか
ら生成物含有分画を沈でんさせ次いでジオキサン／第三
ブタノールから凍結乾燥させて表題化合物（ＨＰＬＣに
より区別可能な２種のジアステレオマー異性体の形で）
を得る。ＦＡＢ−ＭＳ：（Ｍ＋Ｈ）+ ＝７２５，ｔRet
（Ｉ）＝１７．２および１７．６min ，Ｒf （Ｄ）＝
０．５６． ａ）Ｚ−（Ｌ）−Ｖａｌ−〔ＰｈｅNNＮｌｅ〕−Ｈ・２
ＨＣｌ：ａ）例２ａ）に準じ、３００mg（０．６７ミリ
モル）のＮ−トリフルオロアセチル−〔ＰｈｅNNＬｅ
ｕ〕−Ｂｏｃ（例５７ｄ）より）から出発し、凍結乾燥
後、表題化合物を得る。Ｒf （Ｗ）＜０．１例６１：Ｚ−（Ｌ）−Ｖａｌ−〔ＰｈｅNNＮｌｅ〕←
（Ｎ−（２（Ｒ，Ｓ）−（Ｎ−（２−モルホリノカルボ
ニル）−カルバモイル）−３−メチル）−ブチリル ）：
ＤＭＦに溶解した１００mg（０．１７ミリモル）のＨ−
〔ＰｈｅNNＮｌｅ〕−Ｈ・２ＨＣｌ，６９mg（０．２７
ミリモル）の２．（Ｒ，Ｓ）−（Ｎ−（２−モルホリノ
エチル）−カルバモイル）−３−メチル酪酸（イソプロ
ピルアロン酸Ｎ−（２−モルホリノエチル）モノアミ
ド）、１１９mg（０．２７ミリモル）のＢＯＰ，３６mg
（０．２７ミリモル）のＨＯＢｔおよび２．１mlの０．
３ＭのＮＭＭから出発し、例３７に準じて処理し、ＣＨ
2 Ｃｌ2 ／ＤＩＰＥから、沈でんさせ次いでジオキサン
から凍結乾燥させて表題化合物（ＨＰＬＣにより区別可
能な２種のジアステレオマー異性体の形で）を得る。Ｆ
ＡＢ−ＭＳ：（Ｍ＋Ｈ）+ ＝６２２，ｔRet （Ｉ）＝２
１．６ａｎｄ２２．０min ，Ｒf （Ｋ）＝０．２６． ａ）Ｎ−トリフルオロアセチル−〔ＰｈｅNNＬｅｕ〕−
Ｈ・２ＨＣｌ：例２ａ）に準じ、３１０mg（０．５３ミ
リモル）のＺ−（Ｌ）−Ｖａｌ−〔ＰｈｅNNＮｌｅ〕−
Ｂｏｃから出発し、凍結乾燥後表題化合物を得る。ｔ
Ret （Ｉ）＝１６．４min ，Ｒf （Ｕ）＝０．２５ ｂ）Ｚ−（Ｌ）−Ｖａｌ−〔ＰｈｅNNＮｌｅ〕−Ｂｏ
ｃ：ＤＭＦに溶解した２６８mg（１．０７ミリモル）の
Ｈ−〔ＰｈｅNNＮｌｅ〕−Ｂｏｃ、２６８mg（１．０７
ミリモル）のＺ−（Ｌ）−バリン、１４４mg（１．０７
ミリモル）のＨＯＢｔおよび７．１mlの０．３ＭのＮＭ
Ｍから出発し、例３７に準じて処理し、ＣＨ2 Ｃｌ2 ／
メタノール（４０：１）を用い、シリカゲルでクロマト
グラフィー精製し、ＣＨ2 Ｃｌ2 ／ＤＩＰＥから生成物
含有分画を沈でんさせて表題化合物を得る。ｔ
Ret （Ｉ）＝２５．６min ，Ｒf （Ｘ）＝０．１７ ｃ）Ｈ−〔ＰｈｅNNＮｌｅ〕−Ｂｏｃ：例１７ａ）に準
じ、８３０mg（１．８５ミリモル）のＮ−トリフルオロ
アセチル−〔ＰｈｅNNＮｌｅ〕−Ｂｏｃから出発し、Ｃ
Ｈ2 Ｃｌ2 ／ＤＩＰＥから沈でん後、表題化合物を得
る。ｔRet （Ｉ）＝１５．４min ，Ｒf （Ｋ）＝０．５
４． ｄ）Ｎ−トリフルオロアセチル−〔ＰｈｅNNＮｌｅ〕−
Ｂｏｃ：例１６に準じ、１ｇ（３．８６ミリモル）の２
（Ｒ）−〔１′−（Ｓ）−（トリフルオロアセチルアミ
ノ）−２′−フェニルエチル〕−オキシラン（例１６
ｄ）より）および７２０mg（３．８６ミリモル）の第三
ブチル−３−ブチル−カルバゼートから出発し、ＣＨ2
Ｃｌ2 ／エーテル（２０：１）を用いシリカゲルでクロ
マトグラフィー精製し、表題化合物を得る。ｔ
Ret （Ｉ）＝２５．３min ，Ｒf （Ｑ）＝０．４３． ｅ）第三ブチル−３−ブチル−カルバゼート：例４ｂ）
に準じ、１８．０ｇ（１３６．２ミリモル）の第三ブチ
ル−カルバゼートおよび１２．３mlのｎ−ブタノールか
ら、対応する第三ブトキシカルボニル−ヒドラゾン（２
５ｇ，９９％）が粗製生成物の形態で得られ、これは例
４ａ）で記載の如く、１０ｇの５％パラジウム／炭素の
存在下、４気圧の水素圧で水素化される。ヘキサン／酢
酸エチル（１：１）を用い、シリカゲルで粗製生成物を
クロマトグラフィー精製し、表題化合物を得る。Ｒ
f （Ｎ）＝０．４４，1 Ｈ−ＮＭＲ（２００MHz ，ＣＤ
3 ＯＤ）．０．９２（ｔ，Ｊ＝７Hz，３Ｈ），１．４３
（ｓ，９Ｈ），１．３０〜１．５０（ｍ，４Ｈ），２．
７５（ｔ，Ｊ＝７Hz，２Ｈ）． ｆ）２（Ｒ，Ｓ）−（Ｎ−（２−モルホリノエチル）−
カルバモイル）−３−メチル酪酸 例９ｂ）に準じ、ＤＭＦに溶解した７ｇ（４３．７ミリ
モル）のラセミイソプロピルアロン酸モノメチルエステ
ル（Ｃｈｅｍ．Ｂｅｒ．１１９，１１９６（１９８
６）），６．３ml（４８．１ミリモル）のアミノエチル
−モルホリン、６．６ml（４３．７ミリモル）のシアノ
ホスホン酸ジエチルエステル、および１２．８ml（９
１．８ミリモル）のトリエチルアミンから、２（Ｒ，
Ｓ）−（Ｎ−（２−モルホリノエチル）−カルバモイ
ル）−３−メチル−酪酸メチルエステル（イソプロピル
マロン酸Ｎ−モルホリノエチルアミドメチルエステル）
が得られる。これを２８mlの２ＮのＮａＯＨ溶液および
２８mlのジオキサンの混合物中でＲＴで５ｈ攪拌し、２
ＮＨＣｌで酸性化し、蒸発により完全に濃縮する。残留
物をエタノールで温浸し、ろ別し、ろ液を蒸発により濃
縮し、表題化合物を得る。1 Ｈ−ＮＭＲ（２００MHz ，
ＣＤ3 ＯＤ）．０．９５および１．００（２ｄ，Ｊ＝７
Ｈ，６Ｈ），２．２５（ｍ，４Ｈ），２．７０（ｍ，６
Ｈ），２．７５（ｄ，Ｊ＝８Hz，１Ｈ），３．４５
（ｍ，２Ｈ），３．７５（ｍ，４Ｈ）．例６２：Ｚ−（Ｌ）Ｖａｌ−〔ＰｈｅNNＮｌｅ〕←（Ｎ
−（３−（テトラゾール−１−イル）−プロピオニル）
−Ｖａｌ）： ＤＭＦに溶解した１００mg（０．１８ミリ
モル）のＺ−（Ｌ）−Ｖａｌ−〔ＰｈｅNNＮｌｅ〕−Ｈ
・２ＨＣｌ（例６１ａ）から）、６５mg（０．２７ミリ
モル）のＮ−（３−（テトラゾール−１−イル）−プロ
ピオニル−（Ｌ）−バリン（例４４ａから）、１１９mg
（０．２７ミリモル）のＢＯＰ，３６mg（０．２７ミリ
モル）のＨＯＢｔおよび２．１mlの０．３ＭのＮＭＭか
ら出発し、例３７に準じて処理し、ＣＨ2 Ｃｌ2 ／ＤＩ
ＰＥから沈でんさせ次いでジオキサン／第三ブタノール
から凍結乾燥させて表題化合物（ＨＰＬＣで区別可能な
２種のジアスチレオマー異性体の形で）を得る。ＦＡＢ
−ＭＳ：（Ｍ＋Ｈ）+ ＝７０８，ｔRet （Ｉ）＝２０．
３ａｎｄ２０．６min ，Ｒf （Ｄ）＝０．４３．例６３：Ｚ−（Ｌ）−Ｖａｌ−〔ＰｈｅNNＮｌｅ〕←
（Ｎ−（２（Ｒ，Ｓ）−（Ｎ−（２−ピリジレメチル）
−カルバモイル）−３−メチル−ブチリル）（ジベンゼ
ンスルホネート）： ＤＭＦに溶解した９５mg（０．１７
ミリモル）のＺ−（Ｌ）−Ｖａｌ−〔ＰｈｅNNＮｌｅ〕
−Ｈ・２ＨＣｌ（例６ａ）から）、６０mg（０．２６ミ
リモル）の（Ｒ，Ｓ）−イソプロピルマロン酸Ｎ−（２
ーピコリル）−モノアミド、１１３mg（０．２６ミリモ
ル）のＢＯＰ，３５mg（０．２６ミリモル）のＨＯＢｔ
および２．０mlの０．３ＭのＮＭＭから出発し、例３７
に準じて処理し、クロロホルム／メタノール（１５：
１）を用い、シリカゲルでクロマトグラフィー精製後、
遊離アミンの形態で表題化合物を得る。遊離アミンをＣ
Ｈ2 Ｃｌ2 に溶解し、２当量のベンゼンスルホン酸を添
加し、次いでＤＩＰＥを添加して沈澱を行う。第三ブタ
ノールから凍結乾燥後、ベンゼンスルホネート塩（ＨＰ
ＬＣにより区別可能な２種のジアステレオマー異性体の
形で）を得る。ＦＡＢ−ＭＳ：（Ｍ＋Ｈ） + ＝７０３，
ｔRet （Ｉ）＝１７．７および１８．０min ，Ｒ
f （Ｄ）＝０．５４． ａ）イソプロピルマロン酸Ｎ−（２−ピコリル）モノア
ミド：１０．６ml（１０３ミリモル）のＮ−メチルモル
ホリンを、１５０mlのＴＨＦに溶解したイソプロピルマ
ロン酸モノメチルエステル（調製：Ｃｈｅｍ．Ｂｅｒ．
１１９，１１９６（１９８６））の溶液に加え、引き続
き１３．５ml（１０３ミリモル）のイソブチルクロロホ
ルメートを該溶液に加える。３０分後、１５．３ml（１
５０ミリモル）の２−ピコリルアミンを加え、得られた
懸だく液を２ｈ攪拌する。反応混合物を１ＮのＮａＯＨ
溶液および水で希釈し、ＣＨ2 Ｃｌ2 で洗い、有機相を
綿の詰め物でろ過し、蒸発により濃縮する。残留物を結
晶化させ、イソプロピルマロン酸Ｎ−（２−ピコリルア
ミド）メチルエステルを得、これを２ＮのＮａＯＨ溶液
およびジオキサン中で例６１ｆ）に記載の如く水解し、
表題化合物を得る。ｔRet （II）＝１６．０min 。例６４：Ｚ−（Ｌ）−Ｖａｌ−〔ＰｈｅNN（ｐ−Ｆ）Ｐ
ｈｅ〕←（Ｎ−（３−（テトラゾール−１−イル）−プ
ロピオニル）−（Ｌ）−Ｖａｌ）（ベンゼンスルホネー
ト）： ＤＭＦに溶解した１００mg（０．１６ミリモル）
のＺ−（Ｌ）−Ｖａｌ−〔ＰｈｅNN（ｐ−Ｆ）Ｐｈｅ〕
−Ｈ（例２２ａ）から）、５９mg（０．２５ミリモル）
のＮ−（３−（テトラゾール−１−イル）−プロピオニ
ル）−（Ｌ）−バリン（例４４ａより）、１０９mg
（０．２５ミリモル）のＢＯＰ，３３mg（０．２５ミリ
モル）のＨＯＢｔおよび１．１９mlの０．３ＭのＮ−メ
チルモルホリンから出発し、例３７に準じて処理し、Ｃ
Ｈ2 Ｃｌ2 ／ＤＩＰＥから沈でんさせ表題化合物を遊離
アミンの形態で得る。遊離アミンを、塩化メチレン／メ
タノールに溶解し、１当量のベンゼンスルホン酸を加
え、次いでヘキサンを加えて沈でんを行う。第三ブタノ
ールから凍結乾燥後、表題化合物をベンゼンスルホネー
トの塩の形で得る。ＦＡＢ−ＭＳ：（Ｍ＋Ｈ）+ ＝７６
０，ｔRet （Ｉ）＝２１．６min，Ｒf （Ｂ）＝０．４
９．例６５：メチルスルホニル−〔ＰｈｅNNＰｈｅ〕←（Ｎ
−フェニルアセチル）−（Ｌ）−Ｖａｌ）： １３２mg
（０．２８ミリモル）のメチルスルホニル−〔ＰｈｅNN
Ｐｈｅ〕−Ｈ・２ＨＣｌを、例７と同様に、ＤＭＦに溶
解した１９７mg（０．８４ミリモル）のＮ−フェニルア
セチル−（Ｌ）−バリン（調製：Ｍｅｍ．Ｔｏｋｙｏ
Ｕｎｉｖ．Ａｇｒｉｃ．２０，５１（１９７８）），３
１７mg（０．８４ミリモル）のＨＢＴＵおよび０．２３
ml（１．６７ミリモル）のトリエチルアミンと反応さ
せ、エーテルを添加してメタノールから沈でん後、表題
化合物を得る。ＦＡＢ−ＭＳ：（Ｍ＋Ｈ）+ ＝５８１，
ｔRet （Ｉ）２０．２min ，Ｒf （Ｂ）＝０．６４． ａ）メチルスルホニル−〔ＰｈｅNNＰｈｅ〕−Ｈ・２Ｈ
ＣＬ：１３０mg（０．２８ミリモル）のメチルスルホニ
ル−〔ＰｈｅNNＰｈｅ〕−Ｂｏｃから出発し、例２ａ）
と同様に操作し、凍結乾燥後、表題化合物を得る。ＦＡ
Ｂ−ＭＳ：（Ｍ＋Ｈ）+ ＝３６４，ｔRet （II）＝２
８．５min ，Ｒf （Ｋ）＝０．５６． ｂ）例１６ａ）に準じ、１．１ｇ（４．５６ミリモル）
の２（Ｒ）−〔１′（Ｓ）−メチルスルホニルアミノ）
−２′−フェニルエチル〕オキシランおよび１．１１ｇ
（５．０２ミリモル）の第三ブチル−３−ベンジル−カ
ルバメート（調製：Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｐｅｒｋｉ
ｎ Ｉ，１７１２（１９７５））から出発し、表題化合
物を４対１の割合のジアステレオマー異性体として得
る。塩化メチレン／ヘキサンから再結晶することによ
り、２Ｓ−ジアステレオマーの優先割合を１０対１に改
善する。
【０３６１】ＦＡＢ−ＭＳ：（Ｍ＋Ｈ）+ ＝４６４，ｔ
Ret （Ｉ）＝２１．３min ，Ｒf （Ｎ）＝０．２６． ｃ）２（Ｒ）−〔１′（Ｓ）−（メチルスルホニルアミ
ノ）−２′−フェニルエチル〕オキシラン：２．３６ｇ
（１３．６ミリモル）のメタンスルホン酸無水物および
１．８８ml（１３．６ミリモル）のトリエチルアミン
を、１０mlの塩化メチレンに溶解した、例１６）からの
１ｇ（６．８ミリモル）の１−フェニル−３−ブテン−
２（Ｓ）−アミンの溶液に０℃で加え、次いで混合物を
１ｈ攪拌する。反応混合物を水および飽和炭酸水素ナト
リウム溶液で洗い、有機相を綿の詰め物でろ過し、蒸発
により濃縮し２（Ｓ）−メチルスルホニルアミノ−１−
フェニル−３−ブテンを得る。１ｇ（４．４ミリモル）
の該粗製生成物を３０mlの塩化メチレンに溶解し、３．
０５ｇ（１７．７ミリモル）の４−クロロ過安息香酸を
ＲＴで加え、１８ｈ攪拌する。反応溶液を、１０％水性
Ｎａ2 ＳＯ4 溶液で５回洗い、綿の詰め物でろ過し、蒸
発により完全に濃縮する。1 Ｈ−ＮＭＲによれば、粗製
生成物は、（２Ｒ）−および（２Ｓ）−エピマーを４対
１の割合で有する：1 Ｈ−ＮＭＲ（２００MHz ，ＣＤ3
ＯＤ）：２．３０および２．５２（２ｓ，３Ｈと共
に），２．６ｔｏ３．２（ｍ，５Ｈ），３．５５（ｍ，
１Ｈ），７．３２（ｍ，５Ｈ）． 例６６：メトキシカルボニル−（Ｌ）−Ｖａｌ−〔Ｐｈ
ｅNNＬｅｕ〕←（Ｎ−メトキシカルボニル−（Ｌ）−Ｖ
ａｌ）： ＤＭＦに溶解した２００mg（０．５５ミリモ
ル）のＨ−〔ＰｈｅNNＬｅｕ〕−Ｈ・３ＨＣｌ（例１３
ａ）から）、２９１mg（１．６６ミリモル）のＮ−メト
キシカルボニル−（Ｌ）−バリン（調製：Ｃｈｅｍ．Ｌ
ｅｔｔ．７０５（１９８０））、７３５mg（１．６６ミ
リモル）のＢＯＰ，２２５mg（１．６６ミリモル）のＨ
ＯＢｔおよび１１mlの０．３ＭのＮＭＭから出発し、例
３７に準じて処理し、ＣＨ2 Ｃｌ2 ／ＤＩＰＥから沈で
んさせ次いでジオキサンから凍結乾燥させて表題化合物
を得る。ＦＡＢ−ＭＳ：（Ｍ＋Ｈ）+ ＝５６６，ｔRet
（Ｉ）＝１８．６min ，Ｒf （Ｕ）＝０．３３．例６７：メトキシカルボニル−（Ｌ）−Ｖａｌ−〔Ｐｈ
ｅNN（ｐ−Ｆ）Ｐｈｅ〕←（Ｎ−メトキシカルボニル−
（Ｌ）−Ｖａｌ）： ＤＭＦに溶解した２００mg（０．４
８ミリモル）のＨ−〔ＰｈｅNNＰｈｅ〕−Ｈ・３ＨＣｌ
（例４２ｂ）から）、２５５mg（１．４５ミリモル）の
Ｎ−メトキシカルボニル−（Ｌ）−バリン（調製：Ｃｈ
ｅｍ．Ｌｅｔｔ．７０５，（１９８０））、６４３mg
（１．４５ミリモル）のＢＯＰ，１９６mg（１．４５ミ
リモル）のＨＯＢｔおよび９．７mlの０．３ＭのＮＭＭ
から出発し、例３７に準じて処理し、ＣＨ2 Ｃｌ2 ／Ｄ
ＩＰＥから沈でんさせ次いでジオキサンから凍結乾燥さ
せて表題化合物を得る。ＦＡＢ−ＭＳ：（Ｍ＋Ｈ）+ ＝
６１８，ｔRet （Ｉ）＝１９．５min ，Ｒf （Ｕ）＝
０．２２．例６８：メトキシカルボニル−（Ｌ）−Ｖａｌ−〔Ｐｈ
ｅNN（ｐ−ＣＮ）Ｐｈｅ〕←（Ｎ−メトキシカルボニル
−（Ｌ）−Ｖａｌ）： ＤＭＦに溶解した２００mg（０．
４８ミリモル）のＨ−〔ＰｈｅNN（ｐ−ＣＮ）Ｐｈｅ〕
−Ｈ・３ＨＣｌ（例４７ａ）から）、２５０mg（１．４
３ミリモル）のＮ−メトキシカルボニル−（Ｌ）−バリ
ン（調製：Ｃｈｅｍ．Ｌｅｔｔ．７０５，（１９８
０））、６３１mg（１．４３ミリモル）のＢＯＰ，１９
３mg（１．４３ミリモル）のＨＯＢｔおよび９．５mlの
０．３ＭのＮＭＭから出発し、例３７に準じて処理し、
ＣＨ2 Ｃｌ2 ／メタノール（１５：１）を用い、シリカ
ゲルでカラムクロマトグラフィー精製し次いでジオキサ
ンから凍結乾燥させて表題化合物を得る。ＦＡＢ−Ｍ
Ｓ：（Ｍ＋Ｈ）+ ＝６２５，ｔRet （Ｉ）＝１８min ，
Ｒf （Ｕ）＝０．３１．例６９：Ｚ−（Ｌ）−Ｖａｌ−〔（ｐ−Ｆ）Ｐｈｅ
NN（ｐ−Ｆ）Ｐｈｅ〕←（Ｎ−（２（Ｒ，Ｓ）−（Ｎ−
（２−モルホリノエチル）−カルバモイル）−３−メチ
ル）−ブチリル）： 例１８に準じ、２３．０mg（０．０
８９ミリモル）の２（Ｒ，Ｓ）−（Ｎ−（２−モルホリ
ノエチル）−カルバモイル−３−メチル酪酸（例６１
ｆ）および４５mg（０．０８１ミリモル）のＺ−（Ｌ）
−Ｖａｌ−〔（Ｐ−Ｆ）ＰｈｅNN（ｐ−Ｆ）Ｐｈｅ〕−
Ｈ（例３２）を、０．７６mlの０．２５ＭのＮＭＭ／Ｃ
Ｈ3 ＣＮに溶解した３３．８mg（０．０８９ミリモル）
のＨＢＴＵと反応させ、ＤＭＦ／ＤＩＰＥで沈でんさせ
た表題化合物を得る：ＴＬＣＲf （Ｐ）＝０．４２；Ｆ
ＡＢ−ＭＳ（Ｍ＋Ｈ）+ ＝７９５．例７０：Ｚ−（Ｌ）−Ｖａｌ−〔（ｐ−Ｆ）Ｐｈｅ
NN（ｐ−Ｆ）Ｐｈｅ〕←（Ｎ−（２（Ｒ，Ｓ）−（Ｎ−
（２−ピリジルメチル）−カルバモイル）−３−メチ
ル）−ブチリル）： 例１８に準じ、２１．０mg（０．０
８９ミリモル）のイソプロピルマロン酸Ｎ−（２−ピコ
リル）アミド（例６３ａ）および４５mg（０．０８１ミ
リモル）のＺ−（Ｌ）−Ｖａｌ−〔（Ｐ−Ｆ）ＰｈｅNN
（ｐ−Ｆ）Ｐｈｅ〕−Ｈ（例３２）を、０．７６mlの
０．２５ＭのＮＭＭ／ＣＨ3 ＣＮに溶解した３３．８mg
（０．０８９ミリモル）のＨＢＴＵと反応させ、ＤＭＦ
／ＤＩＰＥで沈でんさせた表題化合物を得る：ＴＬＣＲ
f （Ｐ）＝０．５２；ＦＡＢ−ＭＳ（Ｍ＋Ｈ）+ ＝７７
３ 例７１：前記のプロセスの１つに準じ、以下の化合物が
調製できる： ａ）Ｚ−（Ｌ）−Ｖａｌ−〔（ｐ−Ｆ）ＰｈｅNN（ｐ−
Ｆ）Ｐｈｅ〕←（（Ｌ）−Ｖａｌ）←（Ｎ−モルホリノ
カルボニル−Ｇｌｙ）； ｂ）Ｎ−モルホリノカルボニル−（Ｌ）−Ｖａｌ−
〔（ｐ−Ｆ）ＰｈｅNN（ｐ−Ｆ）Ｐｈｅ〕←（（Ｌ）−
Ｖａｌ）←（Ｎ−モルホリノカルボニル−Ｇｌｙ）； ｃ）Ｎ−（キノリン−２−カルボニル）−（Ｌ）−Ａｓ
ｎ−〔ＰｈｅNN（ｐ−Ｆ）Ｐｈｅ〕←（（Ｌ）−Ｖａ
ｌ）−Ｚ ｄ）Ｎ−（モルホリノスルホニル）−（Ｌ）−Ｖａｌ−
〔ＰｈｅNNＬｅｕ〕←（Ｎ（モルホリノスルホニル）−
（Ｌ）−Ｖａｌ）例７２：ゼラチン溶液： 有効成分として、先の実施例で
言及した式Ｉの化合物の１種の滅菌濾過溶液（可溶化剤
として２０％シクロデキストリンを有する）を、無菌条
件下、保存剤としてフェノールを有する滅菌溶液と、加
熱しながら、１．０mlの溶液が以下の組成を有するよう
に混合する： 有効成分 ３mg ゼラチン １５０．０mg フェノール ４．７mg 可溶化剤として２０％のシクロデキストリンを有する蒸留水 １．０ml例７３：注入用の滅菌乾燥物質 有効成分として、先の実施例で言及した式Ｉの化合物の
１種５mgを、２０mgのマニトールおよび可溶化剤として
の２０％シクロデキストリンを有する１mlの水性溶液中
に溶解する。該溶液を滅菌濾過し、次いで無菌条件下、
２mlのアンプルに導入し、深冷凍結し次いで凍結乾燥す
る。使用前に、凍結乾燥物を１mlの蒸留水および１mlの
生理食塩水に溶解する。溶液を筋肉内又は静脈内投与す
る。この製剤は又、２室注入アンプルに導入することも
できる。例７４：点鼻スプレー： 先の実施例で言及した式Ｉの化
合物の１種の微粉細（＜５．０μｍ）粉末５００mgを、
３．５mlのマイグリオー（Ｍｙｇｌｙｏｌ）８１２（登
録商標）および０．０８ｇのベンジルアルコールの混合
物中に導入する。懸濁液を釈量バルブを有する容器に導
入する。５．０ｇのフレオン（Ｆｒｅｏｎ）に（登録商
標）を、バルブを通して容器内に加圧下で導入する。
「フレオン」を振とうしながら、マイグリオール／ベン
ジルアルコール混合物中に溶解する。スプレー容器は、
直ちに投与可能な約１００回の単一用量を含有する。例７５：フィルム被覆錠剤 各々１００mgの有効成分を含有する１００００個の錠剤
の調製に対し、次の成分を用いる： 有効成分 １０００ｇ コーンスターチ ６８０ｇ コロイドシリカ ２００ｇ ステアリン酸マグネシウム ２０ｇ ステアリン酸 ５０ｇ ナトリウムカルボキシメチルデンプン ２５０ｇ 水 適量 有効成分として、先の実施例で言及した式Ｉの化合物の
１種、５０ｇのコーンスターチおよびコロイドシリカの
混合物を、２５０ｇのコーンスターチおよび２．２kgの
脱イオン水から造ったデンプンペーストで加工し、湿潤
物を形成する。これをメッシュ径３mmの篩に通し、３０
分間４５°で流動床乾燥器内で乾燥する。乾燥顆粒を、
メッシュ１mmの篩に通し、コーチスターチ、ステアリン
酸マグネシウム、ステアリン酸およびナトリウムカルボ
キシメチルデンプン３３０ｇの予じめ篩別（１mmの篩）
した混合物と混合し、加圧してわずかに両凸の錠形に成
形する。 例７６：前記したイコサペプチドＲＲＳＮＱＶＳＱＮＹ
ＰＩＶＱＮＩＱＲＲおよび前記した手順を用い、ＨＩＶ
−１−ｇｄｇ−プロテアーゼ抑制に対する次のＩＣ50値
を得た： 実施例の化合物 ＩＣ50（μＭ） ２ ０．０３３ ８ ０．３６ ９ ０．５ １１ ０．０９５ １３ ０．０１ １５ ０．０１５ １８ ０．３５ ２０ ０．３ ２７ ０．１４ ２８ ０．０２８ ３７ ０．０６５ ３８ ０．００８５ ３９ ０．１５ ４０ ０．１３ ４１ ０．６５ ４４ ０．１３ ４５ ０．０２２ ４６ ０．０２８ ４７ ０．０５ ４８ ０．０２４ ４９ ０．２５ ５０ ０．２７ ５２ ０．０４５ ５４ ０．０３２ ５５ ０．０３２ ５６ ０．２ ５７ ０．０２６ ５８ ０．０２３ ５９ ０．１ ６１ ０．０７ ６２ ０．０８ ６３ ０．３８ ６４ ０．３８
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ａ６１Ｋ 31/41 7252−4Ｃ 31/44 7252−4Ｃ 31/47 7252−4Ｃ 31/535 7252−4Ｃ 31/54 7252−4Ｃ Ｃ０７Ｃ 241/02 243/14 9160−4Ｈ 243/18 9160−4Ｈ 255/66 6917−4Ｈ 269/06 271/22 6917−4Ｈ 281/02 6917−4Ｈ 303/40 311/05 7419−4Ｈ Ｃ０７Ｄ 213/40 213/56 215/48 257/04 7433−4Ｃ 295/12 295/18 295/20 307/12 (72)発明者 グイド ボルト スイス国，5264 ギプフ−オベルフリッ ク，ブロイマットヘーエ 16 (72)発明者 マルク ラン フランス国，68200 ミュルウース，リュ ドゥ バルドワ 24 (72)発明者 ペーター シュナイダー スイス国，4103 ボトミンゲン，ボイムリ アッカーシュトラーセ ８

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 次式Ｉ： 【化１】 〔式中、Ｒ1 及びＲ9 は互いに独立して、水素；アシ
    ル；置換されていないか又は置換されているアルキル、
    アルケニルもしくはアルキニル；複素環式基；スルホ；
    スルホニル（これは、置換されていないか又は置換され
    ているアルキル、アリール、複素環式基、置換されてい
    ないか、又は置換されているアルコキシ、又はアリール
    オキシにより置換されている）；スルファモイル（置換
    されていないか、又はその窒素原子にて置換されてい
    る）；又は、置換されていないか、もしくは置換されて
    いるアルキル、置換されていないかもしくは置換されて
    いるシクロアルキル、アリール、ヒドロキシ、置換され
    ていないか、もしくは置換されているアルコキシ、シク
    ロアルコキシ及びアリールオキシから選ばれる同一又は
    異なることがある１種又は２種の基によって置換されて
    いるホスホリルであり；ここでこの基Ｒ1 とＲ9 の多く
    て１個は水素であることを条件とする；そしてＲ2 及び
    Ｒ8 は、互いに独立して、水素もしくは前記したＲ1 及
    びＲ9 に対し言及された基のうちの１種であるか；又Ｒ
    1 とＲ2 及びＲ8 とＲ9 のそれぞれのペアーはそれぞれ
    互いに独立して、それらが結合している窒素原子と一緒
    になって複素環であって、エチレン、トリメチレン、テ
    トラメチレン及びペンタメチレンより選ばれる基（ここ
    で炭素原子は窒素、酸素、硫黄又は酸素によりモノーも
    しくはジ−置換されている硫黄によって置き代ることが
    でき、且つ不飽和であってもよい）、又は結合炭素原子
    に結合している２個の炭素原子のそれぞれにオキソ置換
    基を有し且つ縮合ベンゼンもしくはナフタレン環を有す
    か又は有さないそれらの基のうちの１種と共に、結合窒
    素原子より成る複素環を形成することができ、 Ｒ3 及びＲ4 は互いに独立して水素；置換されていない
    か又は置換されているアルキルもしくはシクロアルキ
    ル；アリール；複素環式基；又は置換されていないもし
    くは置換されているアルケニルであるか；あるいはＲ3
    及びＲ4 は共に置換されていないか又は置換されている
    アルキレン、アルキリデンもしくはベンゾ縮合アルキレ
    ンであり、 Ｒ5 はヒドロキシであり；Ｒ6 は水素であるか；又はＲ
    5 及びＲ6 共にオキソであり；そしてＲ7 は置換されて
    いないか又は置換されているアルキルもしくはシクロア
    ルキル；アリール；複素環式基；または置換されていな
    いかもしくは置換されているアルケニルである〕で表わ
    される化合物及び塩形成基を有する場合上記の化合物の
    塩。
  2. 【請求項２】 前記式Ｉ中、Ｒ1 及びＲ9 は互に独立
    に、水素；低級アルカノイル；アリール−低級アルカノ
    イル（ここに於いて低級アルカノイルは未置換である
    か、又はカルバモイルにより又は窒素原子上で、低級ア
    ルキル、カルボキシ−低級アルキル、低級アルコキシカ
    ルボニル−低級アルキル、ジ−低級アルキルアミノ−低
    級アルキル、アミノ−カルボキ−低級アルキル、ヒドロ
    キシ−低級アルキル及びジ−低級アルコキシ−低級アル
    キルから選ばれた１個又は２個の置換基により置換され
    たカルバモイルにより置換されている）；複素環式−低
    級アルカノイル；窒素原子上で複素環式−低級アルカノ
    イルにより置換されたアミノ−低級アルカノイル；３個
    までのハロゲン原子を有するハロ−低級アルカノイル；
    （Ｎ−複素環式−低級アルキルカルバモイル）−低級ア
    ルカノイル；低級アルコキシカルボニル；アリール−低
    級アルコキシカルボニル；複素環式−低級アルコキシカ
    ルボニル；低級アルキルスルホニル；複素環式−スルホ
    ニル；Ｎ−複素環式−低級アルキル−Ｎ−低級アルキル
    カルバモイル；又はアミノ酸のアシル基、このアミノ機
    能は遊離であるか又はＲ1 及びＲ9 に対して既に言及し
    た他の置換基の一種によりアシル化されている；但し多
    くて１個の基Ｒ1 及びＲ9 は水素である；Ｒ2 ，Ｒ4 ，
    Ｒ6 及びＲ8 は水素であり；Ｒ3 は低級アルキル、シク
    ロアルキル−低級アルキル又はアリール−低級アルキ
    ル、Ｒ5 はヒドロキシであり更にＲ7 は未置換であるか
    又は置換低級アルキルである、請求項１の化合物、又は
    少なくとも１個の塩形成基が存在する場合それらの塩。
  3. 【請求項３】 前記式Ｉ中、Ｒ1 及びＲ9 は互に独立に
    水素；低級アルカノイル；アリール−低級アルカノイル
    （ここに於いてアリールはフェニル、インデニル、イン
    ダニル、ナフチル、アントリル、フェナントリル、アセ
    ナフチル又はフルオレニル更にこれらは未置換であるか
    又は低級アルキル、ハロ−低級アルキル、フェニル、１
    −もしくは２−ナフチル、ヒドロキシ、低級アルコキ
    シ、カルバモイル−低級アルコキシ、Ｎ−低級アルキル
    カルバモイル−低級アルコキシ、Ｎ、Ｎ−ジ−低級アル
    キルカルバモイル−低級アルコキシ、アミノ、モノ−も
    しくはジ−低級アルキルアミノ、低級アルカノイルアミ
    ノ、ハロゲン、カルボキシ、低級アルコキシカルボニ
    ル、フェニル−、ナフチル−もしくはフルオレニル−低
    級アルコキシカルボニル、低級アルカノイル、スルホ、
    低級アルキルスルホニル、ホスホノ、ヒドロキシ−低級
    アルコキシホスホリル、ジ−低級アルコキシホスホリ
    ル、カルバモイル、モノ−もしくはジ−低級アルキルカ
    ルバモイル、スルファモイル、モノ−もしくはジ−低級
    アルキルアミノスルホニル、ニトロ及び／又はシアノに
    よりモノ−ないしトリ−置換されており、ここに於いて
    フェニルは３回まで存在することが出来更にここに於い
    て低級アルカノイルは未置換であるか又はカルバモイル
    により置換されているか又は窒素原子上で低級アルキ
    ル、カルボキシ−低級アルキル、低級アルコキシカルボ
    ニル−低級アルキル、ジ−低級アルキルアミノ−低級ア
    ルキル、アミノ−カルボキシ−低級アルキル、ヒドロキ
    シ−低級アルキル及びジ−低級アルコキシ−低級アルキ
    ルから選ばれた１個又は２個の置換基により置換された
    カルバモイルである）；複素環式−低アルカノイル（こ
    こに於いて低級アルカノイルは未置換であり更に複素環
    式基はチエニル、フリル、ピラニル、ピロリル、イミダ
    ゾリル、ピラゾリル、オキサゾリル、イソキサゾリル、
    チアゾリル、フラザニル、テトラゾリル、ピリジル、ピ
    ラジニル、ピリミジニル、ピリダジニル、アゼピニル、
    インドリル、ベンズイミダゾリル、１Ｈ−インダゾリ
    ル、キノリル、イソキノリル、キノキサリニル、キナゾ
    リニル、シンノリル、プリニル、プテリジニル、ナフチ
    リジニル、４Ｈ−キノリジニル、３，１−ベンゾフラニ
    ル、４，１−ベンゾキサジニル、４，１−ベンゾチアジ
    ニル、シクロヘキサ〔ｂ〕ピロリル、シクロヘプタ
    〔ｂ〕ピロリル、シクロヘキサ〔ｄ〕ピラゾリル、シク
    ロヘキサ〔ｂ〕ピリジル、シクロヘキサ〔ｂ〕ピラジニ
    ル、シクロヘキサ〔ｂ〕ピリミジニル、シクロヘキサ
    〔ｂ〕−１，４−オキサジニル、シクロヘキサ〔ｂ〕
    １，４チアジニル、ピロリジニル、ピロリニル、イミダ
    ゾリジル、２−イミダゾリニル、２，３−ジヒドロピリ
    ジル、ピペリジル、ピペラジニル、２，３，５，６−テ
    トラ−ヒドロピラジニル、モルホリニル、チオモルホリ
    ニル、Ｓ，Ｓ−ジオキソ−チオモルホリニル、インドリ
    ニル、イソ−インドリニル、４，５，６，７−テトラヒ
    ドロインドリル、１，２，３，４−テトラヒドロキノリ
    ル、１，２，３，４−テトラヒドロイソ−キノリル、ク
    ロマニル、チオクロマニル、１，２，３，４−テトラヒ
    ドロ−３，１−ベンゾジアジニル、３，４−ジヒドロ−
    ３Ｈ−４，１−ベンゾキサジニル及び３，４−ジヒドロ
    −３Ｈ−４，１−ベンゾチアジニルから選ばれ上記の複
    素環式基は未置換であるか又は低アルキル、フェニル、
    １−もしくは２−ナフチル、フェニル−低級アルキル、
    ヒドロキシ−低級アルキル、低級アルコキシ−低級アル
    キル、フェノキシ−もしくはナフトキシ−低級アルキ
    ル、フェニル−低級アルコキシ−もしくはナフチル−低
    級アルコキシ−低級アルキル、低級アルカノイルオキシ
    −低級アルキル、フェニル−もしくはナフチル−低級ア
    ルカノイルオキシ−低級アルキル、低級アルコキシカル
    ボニルオキシ−低級アルキル、フェニル、ナフチル−も
    しくはフルオレニル−低級アルコキシカルボニルオキシ
    −低級アルキル、アミノ−低級アルキル、カルボキシ−
    低級アルキル、ヒドロキシ、低級アルコキシ、フェニル
    −もしくはナフチル−低級アルコキシ、アミノ、低級ア
    ルキルアミノ、ジー低級アルキルアミノ、カルボキシ、
    低級アルコキシカルボニル、フェニル−もしくはナフチ
    ル−低級アルコキシカルボニル、ハロゲン、低級アルカ
    ノイル、低級アルキルスルホニル、ホスホノ、ヒドロキ
    シ−低級アルコキシホスホリル又はジアルコキシホスホ
    リル、カルバモイル、モノ−もしくはジ−低級アルキル
    カルバモイル、ヒドロキシ−もしくはカルボキシ−低級
    アルキルカルバモイル、スルファモイル、ニトロ、オキ
    ソ、及び／又はシアノにより置換されている）；窒素原
    子上で、複素環式−低級アルカノイル（ここに於いて、
    複素環式−低級アルカノイルは、前記の複素環式−低級
    アルカノイルＲ1 及びＲ9 に対して定義された如きもの
    である）により置換されたアミノ−低級アルカノイル；
    ３個までのハロゲン原子を有するハロ−低級アルカノイ
    ル；（Ｎ−複素環式−低級アルキルカルバモイル）低級
    アルカノイル（ここに於いて複素環式基はピロリル、フ
    リル、チエニル、オミダゾリル、ピラゾリル、オキサゾ
    リル、チアゾリル、ピリジル、ピラジニル、ピリミジニ
    ル、インドリル、キノリル、イソキノリル、キノキサリ
    ニル、β−カルボリニル及びこれらの基のベンゾ−縮合
    シクロペンタ−、シクロヘキサ−もしくはシクロヘプタ
    −縮合誘導体から選ばれ、これらは部分的に又は完全に
    飽和されていてもよく、更にモルホリン及びチオモルホ
    リンから選ばれる；低級アルコキシカルボニル；アリー
    ル−低級アルコキシカルボニル（ここに於いてアリール
    はフェニル、ビフェニリル、１−もしくは２−ナフチ
    ル、フルオレニル又は低級アルキル、ヒドロキシ、低級
    アルコキシ、ハロゲンにより及び／又はニトロによりモ
    ノ−もしくはポリ−置換されたフェニル；複素環式低級
    アルコキシカルボニル（ここに於いて複素環式基はピロ
    リル、フリル、チエニル、イミダゾリル、ピラゾリル、
    オキサゾリル、チアゾリル、ピリジル、ピラジニル、ピ
    リミジニル、インドリル、キノリル、イソキノリル、キ
    ノキサリニル、β−カルボリニル及びこれらの基のベン
    ゾ−縮合、シクロペンタ−、シクロヘキサ−もしくはシ
    クロヘプタ−縮合誘導体から選ばれ、これらは部分的に
    又は完全に飽和されていてもよく、或いは又モルホリン
    もしくはチオモルホリンから選ばれ更に未置換であるか
    又は低級アルキルにより置換される）；低級アルキルス
    ルホニル；モルホリノスルホニル、チオモルホリノスル
    ホニル、ピペリジノスルホニル、４−メチルピペラジニ
    ルスルホニル又はピペラジノスルホニル；Ｎ−複素環式
    −低級アルキル−Ｎ−低級アルキルカルバモイル（ここ
    に於いて複素環式基はチエニル、フリル、ピラニル、ピ
    ロリル、イミダゾリル、ピラゾリル、オキサゾリル、イ
    ソオキサゾリル、チアゾリル、フラザニル、ピリジル、
    ピラジニル、ピリミジニル、ピリダジニル、アゼピニ
    ル、インドリル、ベンズイミダゾリル、１Ｈ−インダゾ
    リル、キノリル、イソキノリル、キノキサリニル、キナ
    ゾリニル、シンノリル、プリニル、プテリジニル、ナフ
    チリジニル、４Ｈ−キノリジニル、３，１−ベンゾフラ
    ニル、ベンズ〔ｅ〕インドリル、４，１−ベンゾキサジ
    ニル、４，１−ベンゾチアジニル、カルバゾリル、β−
    カルボリニル、フェナジニル、フェナントリジル、アク
    リジル、フェノキサジニル、フェノチアジニル、１−ア
    ザアセナフテニル、シクロヘキサ〔ｂ〕ピロリル、シク
    ロヘプタ〔ｂ〕ピロリル、シクロヘキサ〔ｄ〕ピラゾリ
    ル、シクロヘキサ〔ｂ〕ピリジル、シクロヘキサ〔ｂ〕
    ピラジニル、シクロヘキサ〔ｂ〕ピリミジニル、シクロ
    ヘキサ〔ｂ〕−１，４−オキサジニル、シクロヘキサ
    〔ｂ〕−１，４−チアジニル、ピロリジニル、ピロリニ
    ル、イミダゾリジニル、２−イミダゾリニル、２，３−
    ジヒドロピリジル、ピペリジル、ピペラジニル、２，
    ３，５，６−テトラヒドロピラジニル、モルホリニル、
    チオモルホリニル、Ｓ，Ｓ−ジオキソチオモリホリニ
    ル、インドリニル、イソインドリニル、４，５，６，７
    −テトラヒドロインドリル、１，２，３，４−テトラヒ
    ドロキノリル、１，２，３，４−テトラヒドロイソキノ
    リル、クロマニル、チオクロマニル、１，２，３，４−
    テトラヒドロ−３，１−ベンゾジアジニル、３，４−ジ
    ヒドロ−３Ｈ−４，１−ベンゾキサジニル、３，４−ジ
    ヒドロ−３Ｈ−４，１−ベンゾチアジニル、２，３，
    ４，５−テトラヒドロ−１Ｈ−５，１−ベンズアゼピニ
    ル及び５，６−ジヒドロフェナントリジニルから選ば
    れ、上記の基は未置換であるか又は低級アルキル、フェ
    ニル、１−もしくは２−ナフチル、フェニル−低級アル
    キル、ヒドロキシ−低級アルキル、低級アルコキシ−低
    級アルキル、フェノキシ−もしくはナフトキシ−低級ア
    ルキル、フェニル−低級アルコキシ−もしくはナフチル
    −低級アルコキシ−低級アルキル、低級アルカノイルオ
    キシ−低級アルキル、フェニル−もしくはナフチル−低
    級アルカノイルオキシ−低級アルキル、低級アルコキシ
    カルボニルオキシ−低級アルキル、フェニル−、ナフチ
    ル−もしくはフルオレニル−低級アルコキシカルボニル
    オキシ−低級アルキル、アミノ−低級アルキル、カルボ
    キシ−低級アルキル、ヒドロキシ、低級アルコキシ、フ
    ェニルもしくはナフチル−低級アルコキシ、アミノ、低
    級アルキルアミノ、ジ−低級アルキルアミノ、カルボキ
    シ、低級アルコキシカルボニル、フェニル−もしくはナ
    フチル−低級アルコキシカルボニル、ハロゲン、低級ア
    イカノイル、低級アルキルスルホニル、ホスホノ、ヒド
    ロキシ−低級アルコキシホスホリル又はジアルコキシホ
    スホリル、カルバモイル、モノ−もしくはジ−低級アル
    キルカルバモイル、ヒドロキシ−もしくはカルボキシ−
    低級アルキルカルバモイル、スルファモイル、ニトロ、
    オキソ及び／又はシアノにより置換されている）；又は
    アミノ酸のアシル基であり、このアミノ機能は遊離であ
    るか又はＲ 1 及びＲ9 に対してこれまで言及した他の基
    の一種によりアシル化されており、アミノ酸はグリシ
    ン、アラニン、バリン、ノルバリン、ロイシン、イソロ
    イシン、ノルロイシン、セリン、ホモセリン、トレオニ
    ン、メチオニン、システイン、プロリン、トランス−３
    −及びトランス−４−ヒドロキシプロリン、フェニルア
    ラニン、チロシン、４−アミノフェニルアラニン、４−
    クロロフェニルアラニン、４−カルボキシフェニルアラ
    ニン、β−フェニルセリン、フェニルグリシン、α−ナ
    フチルアラニン、シクロヘキシルアラニン、シクロヘキ
    シルグリシン、トリプトファン、インドリン−２−カル
    ボン酸、１，２，３，４−テトラヒドロイソキノリン−
    ３−カルボン酸、アスパラギン酸、アスパラギン、アミ
    ノマロン酸、アミノマロン酸モノアミド、グルタミン
    酸、グルタミン、ヒスチジン、アルギニン、リシン、８
    −ヒドロキシリシン、オルニチン、３−アミノプロパン
    酸、α，γ−ジアミノ酪酸及びα，β−ジアミノプロピ
    オン酸から選ばれ、ここに於いて上記のアミノ酸残基の
    各々は（グリシンを除く）、Ｄ−，Ｌ−又は（Ｄ，Ｌ−
    形である）；但し多くても基Ｒ1 及びＲ9 の１個は水素
    であり、Ｒ2 ，Ｒ4 ，Ｒ6 及びＲ8 は水素であり、Ｒ3
    は低級アルキル；シクロアルキル−低級アルキル（ここ
    に於いてシクロアルキルは３−７個の炭素原子を有す
    る）、更に未置換であるか又は低級アルキル、ハロ−低
    級アルキル、ヒドロキシ、低級アルコキシ、カルバモイ
    ル−低級アルコキシ、Ｎ−低級アルキルカルバモイル−
    低級アルコキシ、Ｎ，Ｎ−ジ−低級アルキルカルバモイ
    ル−低級アルコキシ、アミノ、モノ−もしくはジ−低級
    アルキルアミノ、ハロゲン、カルボキシ、低級アルコキ
    シカルボニル、フェニル−、ナフチル−もしくはフルオ
    レニル−低級アルコキシカルボニル、低級アルカノイ
    ル、低級アルキルスルホニル、ホスホノ、ヒドロキシ−
    低級アルコキシホスホリル又はジ−低級アルコキシホス
    ホリル、カルバモイル、モノ−もしくはジ−低級アルキ
    ルアミノカルバモイル、スルファモイル、モノ−もしく
    はジ−低級アルキルスルファモイル、ニトロ及び／又は
    シアノによりモノ−ないしトリ−置換されているか；又
    はアリール−低級アルキルであり、ここに於いてアリー
    ルはフェニル、インデニル、インダニル、ナフチル、ア
    ントリル、フェナントリル、アセナフチル、又はフルオ
    レニルであり更に未置換であるか又は低級アルキル、イ
    ソプロピル、ハロ−低級アルキル、フェニル、１−もし
    くは２−ナフチル、ヒドロキシ、低級アルコキシ、カル
    バモイル−低級アルコキシ、Ｎ−低級アルキルカルバモ
    イル−低級アルコキシ、Ｎ，Ｎ−ジ−低級アルキルカル
    バモイル−低級アルコキシ、アミノ、モノ−もしくはジ
    −低級アルキルアミノ、低級アルカノイルアミノ、ハロ
    ゲン、カルボキシ、低級アルコキシカルボニル、ベンジ
    ル−、ナフチル−もしくはフルオレニル−低級アルコキ
    シカルボニル、低級アルカノイル、スルホ、低級アルキ
    ルスルホニル、ホスホノ、ヒドロキシ−低級アルコキシ
    ホスホリル、ジ−低級アルコキシホスホリル、カルバモ
    イル、モノ−もしくはジ−低級アルキルカルバモイル、
    スルファモイル、モノ−もしくはジ−低級アルキルスル
    ファモイル、ニトロにより及び／又はシアノによりモノ
    −ないしトリ−置換されており、ここに於いてフェニル
    は３個まで存在することが出来る。Ｒ5 はヒドロキシで
    あり更にＲ7 は未置換低級アルキルであるか；又はシク
    ロアルキル−低級アルキルに対して最後に言及した如き
    シクロアルキル−低級アルキル；又はアリール−低級ア
    ルキルＲ3 に対して最後に言及した如きアリール−低級
    アルキルである、請求項１の化合物；又は少なくとも一
    種の塩形成基が存在する場合それらの塩。
  4. 【請求項４】 前記式Ｉ中、Ｒ1 及びＲ9 は互に独立に
    水素、低級アルカノイル、フェニル−低級アルカノイ
    ル、フェニル−低級アルカノイル（ここに於いて低級ア
    ルカノイル基はカルバモイルにより置換されている）；
    モルホリノ−低級アルカノイル、チオモルホリノ−低級
    アルカノイル、ピリジル−低級アルカノイル、キノリル
    −低級アルカノイル、テトラゾリル−低級アルカノイ
    ル、アミノ窒素原子上でＮ−モルホリノ−もしくはＮ−
    チオモルホリノ−カルボニルにより置換されたアミノ−
    低級アルカノイル；３個までのハロゲン原子を有するハ
    ロ−低級アルカノイル、２−（Ｎ−モルホリノ−低級ア
    ルキルカルバモイル）−低級アルカノイル、２−（Ｎ−
    ピリジル−低級アルキルカルバモイル）−低級アルカノ
    イル、２（Ｒ，Ｓ）−（Ｎ−（２−ピリジルメチル）−
    カルバモイル）−３−メチル−ブチリル、低級アルコキ
    シカルボニル、フェニル−低級アルコキシカルボニル、
    ベンジルオキシカルボニル、テトラヒドロフラニル−低
    級アルコキシカルボニル、低級アルキルスルホニル、モ
    ルホリノスルホニル、チオモルホリノスルホニル、Ｎ−
    ピリジル−低級アルキル−Ｎ−低級アルキルカルバモイ
    ル又は（Ｄ）−，（Ｌ）−もしくは（Ｄ，Ｌ）−形のグ
    リシン、アラニン、バリン、ロイシン、イソロイシン、
    グルタミン酸及びアスパラギンから選ばれたアミノ酸の
    アシル基、ここに於いてα−アミノ基は未置換であるか
    又はこれまで言及された他の基Ｒ1 及びＲ9 の一種によ
    りアシル化さている、但し基Ｒ1 及びＲ9 の多くて一種
    は水素である、 Ｒ2 ，Ｒ4 ，Ｒ6 及びＲ8 は水素であり、 Ｒ3 は低級アルキル；シクロヘキシル−低級アルキルで
    あるか；又はフェニル−低級アルキル（これらは未置換
    であるか又はハロゲン、低級アルコキシ又はシアノによ
    り置換されている）であり；Ｒ5 はヒドロキシであり更
    にＲ7 は低級アルキル；シクロヘキシル−低級アルキ
    ル；又はフェニル−低級アルキル（これらは未置換であ
    るか又はハロゲン、低級アルコキシ又はシアノにより置
    換されている）；Ｒ3 に対して言及した最後の基であ
    る、請求項１の化合物、又は塩形成基が存在する場合そ
    れらの塩。
  5. 【請求項５】 前記式Ｉ中、Ｒ1 及びＲ9 は、各々カル
    ボキシ基を介して結合し更にアミノチッソ原子上でベン
    ジルオキシカルボニルによりアシル化さたアミノ酸
    （Ｌ）−バリンの一価の残基であり、Ｒ2 及びＲ8 は水
    素であり、Ｒ3 はベンジルであり、Ｒ4 は水素であり、
    Ｒ5 はヒドロキシであり、Ｒ6 は水素であり更にＲ7 は
    ベンジルであり、更に基Ｒ3 及びＲ5 を有する不斉炭素
    原子はＳ−配置である、請求項１の化合物又は該化合物
    の医薬として許容され得る塩。
  6. 【請求項６】 前記式Ｉ中、Ｒ1 及びＲ9 は各々カルボ
    キシ基を介して結合し、更にアミノ窒素原子上で４−チ
    オモルホリノカルボニルによりアシル化されたアミノ酸
    （Ｌ）−バリンの一価の残基であり、Ｒ2 及びＲ8 は水
    素であり、Ｒ 3 はベンジルであり、Ｒ4 は水素であり、
    Ｒ5 はヒドロキシであり、Ｒ6 は水素であり、更にＲ7
    はイソブチルであり、更に基Ｒ3 及びＲ5 を有する不斉
    炭素原子はＳ−配置である、請求項１の化合物、又は該
    化合物の医薬として許容され得る塩。
  7. 【請求項７】 請求項１−６のいずれかに記載の式Ｉの
    化合物又は少なくとも一種の塩形成基を有する該化合物
    の医薬として許容され得る塩並びに医薬として許容され
    得る担体を含んでなる医薬組成物。
  8. 【請求項８】 医録組成物の製造方法であって、請求項
    １−６のいずれかに記載の式１の化合物又はその塩を、
    少なくとも１種の医薬として許容され得る担体と共に混
    合することを含んで成る、前記方法。
  9. 【請求項９】 請求項１に係る式１（式中、置換基は、
    請求項１で定義された意味と同じである）で表わされる
    化合物の製造方法であって、 ａ）次式： 【化２】 （式中；基は前記に規定の通り）で表わされるヒドラジ
    ン誘導体を、次式： 【化３】 （式中基は前記に規定の通り）で表わされるエポキシド
    に加え、次いで反応にあずかるもの以外の遊離官能基を
    所望により保護された形態とし、次いで存在している任
    意の保護基を除去するか、または、 ｂ）式Ｉの化合物（ここで；Ｒ1 及びＲ9 はアシル；ス
    ルホ；置換されていないかもしくは置換されているアル
    キル、アリール、複素環、置換されていないかもしくは
    置換されているアルコキシ又はアリールオキシにより置
    換されているスルホニル；置換されていないかもしくは
    窒素原子にて置換されているスルファモイル；あるいは
    置換されていないかもしくは置換されている、アルキ
    ル、置換されていないかもしくは置換されているシクロ
    アルキル、アリール、ヒドロキシ、置換されていないか
    もしくは置換されているアルコキシ、シクロアルコキシ
    及びアリールオキシより選ばれる同一又は異なる１種も
    しくは２種の基により置換されているホスホリルであ
    り、 Ｒ2 及びＲ8 は水素、置換されていないか又は置換され
    ている、アルキル、アルケニルもしくはアルキニル又は
    複素環式基であり、 そして残る基は規定の通りである）の製造のため、次
    式： 【化４】 （式中；基は前記の通り）で表わされるアミノ化合物
    を、次式： 【化５】 で表わされる酸又はその反応酸性誘導体（式中、Ｒ9 は
    前記の通りである）と縮合せしめ、次いで反応にあずか
    るもの以外の遊離官能基を所望により保護された形に
    し、次いで存在する任意の保護基を除去するか、また
    は、 ｃ）式Ｉの化合物（ここで、Ｒ1 及びＲ9 はアシル；ス
    ルホ；置換されていないかもしくは置換されているアル
    キル、アリール、複素環式基、置換されていないかもし
    くは置換されているアルコキシにより又はアリールオキ
    シにより置換されているスルホニル；置換されていない
    かもしくは窒素原子上で置換されているスルファモイ
    ル；または置換されているかもしくは置換されていない
    アルキル、置換されていないかもしくは置換されている
    シクロアルキル、アリール、ヒドロキシ、置換されてい
    ないかもしくは置換されているアルコキシ、シクロアル
    コキシ及びアリールオキシより選ばれる同一又は異なる
    １種もしくは２種の基により置換されているホスホリル
    であり、 Ｒ2 及びＲ8 は水素、置換されていないか又は置換され
    ているアルキル、アルケニルもしくはアルキニル、又は
    複素環式基であり、 そして残る基は規定の通りである）の製造のため、次
    式： 【化６】 （式中；基は前記の通り）で表わされるアミノ化合物を
    次式： 【化７】 で表わされる酸又はその反応酸性誘導体（式中、Ｒ1 は
    前記の通りである）と縮合せしめ、次いで反応にあずか
    るもの以外の遊離官能基を所望により保護された形に
    し、次いで存在している任意の保護基を除去するか、又
    は、 ｄ）式Ｉの化合物（式中；Ｒ1 及びＲ9 は同一の基であ
    ってアシル；スルホ；置換されていないかもしくは置換
    されているアルキル、アリール、複素環式基、置換され
    ていないかもしくは置換されているアルコキシにより又
    はアリールオキシにより置換されているスルホニル；置
    換されていないかもしくは窒素原子上で置換されている
    スルファモイル；又は置換されているもしくは置換され
    ていないアルキル、置換されていないもしくは置換され
    ているシクロアルキル、アリール、ヒドロキシ、置換さ
    れていないもしくは置換されているアルコキシ、シクロ
    アルコキシ及びアリールオモンより選ばれる同一又は異
    なる１種又は２種の基により置換されているホスホリル
    より選ばれる２個の基であり、 Ｒ2 及びＲ8 は水素、置換されていないか又は置換され
    ているアルキル、アルケニルもしくはアルキニル、又は
    複素環式基であり：そして残る基は規定の通りである）
    の製造のため、次式： 【化８】 （式中、ラジカルは前記の通りである）で表わされるジ
    アミノ化合物を、同一の基Ｒ1 及びＲ9 を（ここでＲ1
    及びＲ9 は前記の通りである）を導入せしめるために適
    切な酸又はその反応酸性誘導体と縮合せしめ、次いで反
    応にあずかるもの以外の遊離官能基を、所望により保護
    された形にし、次いで存在している任意の保護基を除去
    するか、または、 ｅ）式Ｉの化合物の製造のため（ここで次式Ｉ′の化合
    物 【化９】 において、基Ｒ7 の代りに、置換されていないか又は置
    換されているアルキルもしくはシクロアルキルである基
    Ｒ7 ″が存在している；式中Ｒ7 ′は水素であり、そし
    て残りの基は前記の通りである）、該基Ｒ7 ″を、式XI
    I ： 【化１０】 （式中Ｘは脱離基であり、そしてＲ7 ″は置換されてい
    ないか又は置換されているアルキルもしくはシクロアル
    キルである）で表わされる化合物で置換することにより
    導入せしめ、次いで反応にあずかるもの以外の遊離官能
    基を所望により保護された形にし、次いで存在している
    任意の保護基を除去するか、又は、 （ｆ）式Ｉ（式中、置換基は前記に規定の通りであり、
    対象の式Ｉの化合物において少なくとも１つの官能基が
    保護基により保護されていることを条件とする）の化合
    物において、存在している保護基を除去し、 そして所望するならば、少なくとも１種の塩形成基を有
    する前記のａ）〜ｆ）の任意の１つのプロセスに従って
    得られる式Ｉの化合物を、その塩に変換せしめるか、又
    は得られる塩を遊離化合物もしくは異なる塩に変換せし
    めるか、及び／又は得られる異性体混合物を分離せしめ
    るか、及び／又は本発明に係る式Ｉの化合物を本発明に
    係る異なる式Ｉの化合物に変換せしめることを含んでな
    る、前記製造方法。
  10. 【請求項１０】 次式（II）： 【化１１】 （前記式中、Ｒ3 は未置換であるか又は置換アルキルも
    しくはシクロアルキル；アリール；複素環式基；又は未
    置換又は置換アルケニルであり；更にＲ7 又は未置換又
    は置換アルキル又はシクロアルキル；アリール；複素環
    式基；又は未置換もしくは置換アルケニルである）で表
    わされる化合物又は塩形成基が存在する場合それらの化
    合物の塩。
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