JPH05194077A - 単結晶シリコンロッドの製法 - Google Patents
単結晶シリコンロッドの製法Info
- Publication number
- JPH05194077A JPH05194077A JP4215973A JP21597392A JPH05194077A JP H05194077 A JPH05194077 A JP H05194077A JP 4215973 A JP4215973 A JP 4215973A JP 21597392 A JP21597392 A JP 21597392A JP H05194077 A JPH05194077 A JP H05194077A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crucible
- single crystal
- magnetic field
- silicon
- rod
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/30—Mechanisms for rotating or moving either the melt or the crystal
- C30B15/305—Stirring of the melt
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/30—Mechanisms for rotating or moving either the melt or the crystal
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B30/00—Production of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the action of electric or magnetic fields, wave energy or other specific physical conditions
- C30B30/04—Production of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the action of electric or magnetic fields, wave energy or other specific physical conditions using magnetic fields
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 単結晶シリコンロッドをルツボに収容されて
いるシリコン溶融物から引き上げ、単結晶シリコンロッ
ドおよびルツボが同軸であり、単結晶シリコンロッドを
製造する方法であって、所定の単結晶ロッド直径が定ま
った後に、シリコン溶融物の固形化部分が増加するとも
に、ルツボの回転速度を増加し、磁界の強度を減少させ
ることを特徴とする方法。 【効果】 シリコンロッドにおける酸素の濃度および分
布を調整する。
いるシリコン溶融物から引き上げ、単結晶シリコンロッ
ドおよびルツボが同軸であり、単結晶シリコンロッドを
製造する方法であって、所定の単結晶ロッド直径が定ま
った後に、シリコン溶融物の固形化部分が増加するとも
に、ルツボの回転速度を増加し、磁界の強度を減少させ
ることを特徴とする方法。 【効果】 シリコンロッドにおける酸素の濃度および分
布を調整する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、カスプ磁界の変化なら
びに結晶およびルツボの回転速度の大きさの変化の組合
せによって、チョクラルスキー（Ｃzochralski）引き上
げシリコンロッドにおける酸素の濃度および分布を調整
する方法に関する。
びに結晶およびルツボの回転速度の大きさの変化の組合
せによって、チョクラルスキー（Ｃzochralski）引き上
げシリコンロッドにおける酸素の濃度および分布を調整
する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】容器に蓄えられた溶融液体から結晶を成
長させる場合に、容器の構成物質が部分的に溶融液体に
溶解して、生成結晶における不純物となる。シリコンの
溶融温度（約１４２０℃）において、溶融物に接触して
いるシリカ（ＳiＯ2）ルツボの表面が溶解する。溶解し
たシリカのいくらかの部分は溶融物の表面からＳiＯ
（一酸化ケイ素）として蒸発する。溶解したシリカの他
の部分は、成長結晶に入り込む。溶解したシリカの残り
が、シリコン溶融物に保たれる。従って、シリコン溶融
物を収容するために使用されるシリカルツボは、従来の
チョクラルスキー法により成長させたシリコン結晶に見
られる酸素の供給源である。
長させる場合に、容器の構成物質が部分的に溶融液体に
溶解して、生成結晶における不純物となる。シリコンの
溶融温度（約１４２０℃）において、溶融物に接触して
いるシリカ（ＳiＯ2）ルツボの表面が溶解する。溶解し
たシリカのいくらかの部分は溶融物の表面からＳiＯ
（一酸化ケイ素）として蒸発する。溶解したシリカの他
の部分は、成長結晶に入り込む。溶解したシリカの残り
が、シリコン溶融物に保たれる。従って、シリコン溶融
物を収容するために使用されるシリカルツボは、従来の
チョクラルスキー法により成長させたシリコン結晶に見
られる酸素の供給源である。
【０００３】シリコン結晶における酸素は、好ましい影
響と好ましくない影響の両方を有する。種々の電気デバ
イスの製造時の種々の熱処理において、結晶中の酸素
は、結晶欠陥、例えば、沈澱、転位ループおよび積層欠
陥を生じさせることがあり、あるいは電気的活性欠陥を
生じさせることがあり、劣った性能特性を有するデバイ
スとなる。しかし、結晶中の酸素の固溶体は、シリコン
ウエハーの機械的強度を増加させ、結晶欠陥は、重金属
の汚染物を捕捉することによって、適格製品の歩留まり
を向上させることができる。従って、シリコン結晶中の
酸素含量は、シリコンウエハーの最終用途の要求に従っ
て注意深く制御されるべき製品品質の重要な要因であ
る。
響と好ましくない影響の両方を有する。種々の電気デバ
イスの製造時の種々の熱処理において、結晶中の酸素
は、結晶欠陥、例えば、沈澱、転位ループおよび積層欠
陥を生じさせることがあり、あるいは電気的活性欠陥を
生じさせることがあり、劣った性能特性を有するデバイ
スとなる。しかし、結晶中の酸素の固溶体は、シリコン
ウエハーの機械的強度を増加させ、結晶欠陥は、重金属
の汚染物を捕捉することによって、適格製品の歩留まり
を向上させることができる。従って、シリコン結晶中の
酸素含量は、シリコンウエハーの最終用途の要求に従っ
て注意深く制御されるべき製品品質の重要な要因であ
る。
【０００４】１９８０年代前半において工業的に広く行
われていたチョクラルスキー条件下で成長されるシリコ
ン結晶中の酸素濃度は、結晶の長さに沿って変化し、例
えば、結晶の中央および／または底または中子末端にお
いてよりも種末端おいて高かった。加えて、酸素濃度
は、結晶の横断面の半径に沿って変化した。
われていたチョクラルスキー条件下で成長されるシリコ
ン結晶中の酸素濃度は、結晶の長さに沿って変化し、例
えば、結晶の中央および／または底または中子末端にお
いてよりも種末端おいて高かった。加えて、酸素濃度
は、結晶の横断面の半径に沿って変化した。
【０００５】フレデリックら（Ｆrederick et al）は、
アメリカ合衆国特許第４,４３６,５７７号において、シ
リカルツボに収容されているシリコンの溶融物上の種結
晶の作用から引き上げるシリコン結晶ロッドにおける酸
素含量および酸素含量分布を調整する１つの方法を提案
している。この方法によれば、酸素の分布は、ルツボの
溶融レベルが減少するようにルツボ回転速度を増加させ
ながら、溶融物ルツボ回転の回転に対して反対方向に、
より大きな回転速度で溶融物から引き上げる結晶種ロッ
ドを回転させることによって調整される。
アメリカ合衆国特許第４,４３６,５７７号において、シ
リカルツボに収容されているシリコンの溶融物上の種結
晶の作用から引き上げるシリコン結晶ロッドにおける酸
素含量および酸素含量分布を調整する１つの方法を提案
している。この方法によれば、酸素の分布は、ルツボの
溶融レベルが減少するようにルツボ回転速度を増加させ
ながら、溶融物ルツボ回転の回転に対して反対方向に、
より大きな回転速度で溶融物から引き上げる結晶種ロッ
ドを回転させることによって調整される。
【０００６】しかし、近年のシリコン半導体技術の進展
により、フレデリックらの特許に開示されているものに
比較して大きな直径のシリコン結晶が得られている。結
果的に、溶融物仕込み重量の増加および大きなルツボ直
径が必要になっている。加えて、半導体製造技術は、発
達し、インゴットからシリコンウエハー切出物における
一般に低くかつより正確に制御された量の酸素を必要と
している。従って、安定な結晶成長が可能である結晶お
よびルツボ回転速度の範囲を限定する大きな物理的パラ
メーターによって課される物理的拘束に原因して所望の
全濃度範囲において酸素含量を均一化することは次第に
難しくなりつつある。
により、フレデリックらの特許に開示されているものに
比較して大きな直径のシリコン結晶が得られている。結
果的に、溶融物仕込み重量の増加および大きなルツボ直
径が必要になっている。加えて、半導体製造技術は、発
達し、インゴットからシリコンウエハー切出物における
一般に低くかつより正確に制御された量の酸素を必要と
している。従って、安定な結晶成長が可能である結晶お
よびルツボ回転速度の範囲を限定する大きな物理的パラ
メーターによって課される物理的拘束に原因して所望の
全濃度範囲において酸素含量を均一化することは次第に
難しくなりつつある。
【０００７】この次第に難しくなっている酸素制御問題
に対する解決法として、近年、軸的に対称で半径方向の
カスプ磁界の使用に対して注目が集まっている。この方
法は、特開昭５８−２１７４９３号公報に示唆されてい
る。この方法によれば、反対方向に環状電流を流す一対
のコイルが溶融液体の上でおよび下で配置されている。
結果的に、溶融液体の深さの１／２の位置で、半径方向
水平磁界が形成される。出願人によれば、半径方向カス
プ磁界は溶融液体の流動を拘束し、従って、溶融物を安
定化し、ルツボからの汚染を防止する。
に対する解決法として、近年、軸的に対称で半径方向の
カスプ磁界の使用に対して注目が集まっている。この方
法は、特開昭５８−２１７４９３号公報に示唆されてい
る。この方法によれば、反対方向に環状電流を流す一対
のコイルが溶融液体の上でおよび下で配置されている。
結果的に、溶融液体の深さの１／２の位置で、半径方向
水平磁界が形成される。出願人によれば、半径方向カス
プ磁界は溶融液体の流動を拘束し、従って、溶融物を安
定化し、ルツボからの汚染を防止する。
【０００８】バラクロら（Ｂarraclough et al）は、国
際出願公開ＷＯ８９／０８７３１において、カスプ磁界
法に対する改良を示唆している。バラクロらによれば、
磁界は、成長結晶と溶融物との間の界面で５００ガウス
未満である結晶回転軸に平行である磁界の成分を有する
べきであり、溶融物の他の部分で５００ガウスを越える
値を有しており、磁界のこの分布は、結晶成長時に保持
される。
際出願公開ＷＯ８９／０８７３１において、カスプ磁界
法に対する改良を示唆している。バラクロらによれば、
磁界は、成長結晶と溶融物との間の界面で５００ガウス
未満である結晶回転軸に平行である磁界の成分を有する
べきであり、溶融物の他の部分で５００ガウスを越える
値を有しており、磁界のこの分布は、結晶成長時に保持
される。
【０００９】ヒラタらは特開平１−２８２１８５号公報
において、異なった改良法を示唆している。ヒラタらに
よれば、酸素などの移動不純物は、溶融物にカスプ磁界
をかけ、ルツボおよび結晶を反対方向に回転させ、およ
び結晶の回転速度よりも大きい回転速度でルツボを回転
させることによって制御されている。ヒラタらは特開平
２−５５２８４号公報において、別の改良法を示唆して
いる。ヒラタらによれば、酸素などの移動不純物は、溶
融物にカスプ磁界をかけ、および溶融液体の表面を垂直
に横切る磁界成分の強度と、溶融液体の底表面を垂直に
横切る磁界成分の強度との比を変化させることによって
制御されている。この比は、（１）（コイル間の距離を
一定にしながら）ルツボに対してコイルを移動すること
によって、（２）コイル間のアンペア回数比を変えるこ
とによって、または（３）コイル間の距離を変えること
によって変化し得る。
において、異なった改良法を示唆している。ヒラタらに
よれば、酸素などの移動不純物は、溶融物にカスプ磁界
をかけ、ルツボおよび結晶を反対方向に回転させ、およ
び結晶の回転速度よりも大きい回転速度でルツボを回転
させることによって制御されている。ヒラタらは特開平
２−５５２８４号公報において、別の改良法を示唆して
いる。ヒラタらによれば、酸素などの移動不純物は、溶
融物にカスプ磁界をかけ、および溶融液体の表面を垂直
に横切る磁界成分の強度と、溶融液体の底表面を垂直に
横切る磁界成分の強度との比を変化させることによって
制御されている。この比は、（１）（コイル間の距離を
一定にしながら）ルツボに対してコイルを移動すること
によって、（２）コイル間のアンペア回数比を変えるこ
とによって、または（３）コイル間の距離を変えること
によって変化し得る。
【００１０】現在までに提案されたカスプ磁界法のいず
れも、充分に満足出来るものではない。ある条件下で、
カスプ磁界において成長された結晶は、軸的磁界におい
て観測されたものと同様に低い軸方向および半径方向均
一性を示す。問題は、固形化プロセスの後段階において
生じる傾向にあり、これは、その領域でのかなり強い鉛
直方向に向いた磁界の付近で淀みゾーンにおける酸素ま
たは酸素含有化合物の堆積の結果であろうと考えられ
る。
れも、充分に満足出来るものではない。ある条件下で、
カスプ磁界において成長された結晶は、軸的磁界におい
て観測されたものと同様に低い軸方向および半径方向均
一性を示す。問題は、固形化プロセスの後段階において
生じる傾向にあり、これは、その領域でのかなり強い鉛
直方向に向いた磁界の付近で淀みゾーンにおける酸素ま
たは酸素含有化合物の堆積の結果であろうと考えられ
る。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的の中で、
シリカルツボに収容されているシリコンの溶融物上で種
結晶の作用から引き上げられるシリコン結晶ロッドにお
ける酸素含量および酸素含量分布を調節する方法を提供
すること、均一な酸素含量の分布および所望レベルの酸
素含量を与えるそのような方法を提供すること、および
かなり大きな直径およびかなり低い酸素含量を有するシ
リコンロッドの製造において使用するのに適したそのよ
うな方法を提供することが挙げられる。
シリカルツボに収容されているシリコンの溶融物上で種
結晶の作用から引き上げられるシリコン結晶ロッドにお
ける酸素含量および酸素含量分布を調節する方法を提供
すること、均一な酸素含量の分布および所望レベルの酸
素含量を与えるそのような方法を提供すること、および
かなり大きな直径およびかなり低い酸素含量を有するシ
リコンロッドの製造において使用するのに適したそのよ
うな方法を提供することが挙げられる。
【００１２】
【課題を解決するための手段】従って、簡潔に言えば、
本発明は、ロッドと同軸であるルツボに収容されている
シリコン溶融物から単結晶シリコンロッドを引き上げ、
シリコンロッドを製造するチョクラルスキー法に関す
る。この方法において、ロッドおよびルツボは、それら
の軸のまわりで反対方向に回転されており、ロッドが成
長する時に、ロッドの回転速度は、ルツボの回転速度よ
りも大きい。ロッドの長さが増加すると、ルツボの回転
速度が増加される。シリコン溶融物の一部分が固形化す
るまで、ロッドの軸のまわりで実質的に回転的に対称で
ある磁界がシリコン溶融物にかけられ、磁界は、ルツボ
の底および側壁を垂直に横切る成分を有する。シリコン
溶融物の固形化部分が増加するとともに、ルツボの底お
よび側壁を垂直に横切る磁界成分の強度を減少させる。
本発明の他の目的は以下において部分的に指摘されてお
り、部分的に明白である。
本発明は、ロッドと同軸であるルツボに収容されている
シリコン溶融物から単結晶シリコンロッドを引き上げ、
シリコンロッドを製造するチョクラルスキー法に関す
る。この方法において、ロッドおよびルツボは、それら
の軸のまわりで反対方向に回転されており、ロッドが成
長する時に、ロッドの回転速度は、ルツボの回転速度よ
りも大きい。ロッドの長さが増加すると、ルツボの回転
速度が増加される。シリコン溶融物の一部分が固形化す
るまで、ロッドの軸のまわりで実質的に回転的に対称で
ある磁界がシリコン溶融物にかけられ、磁界は、ルツボ
の底および側壁を垂直に横切る成分を有する。シリコン
溶融物の固形化部分が増加するとともに、ルツボの底お
よび側壁を垂直に横切る磁界成分の強度を減少させる。
本発明の他の目的は以下において部分的に指摘されてお
り、部分的に明白である。
【００１３】図１において、本発明に従って使用される
チョクラルスキー結晶成長装置を示す。真空チャンバー
１の中でルツボ３が抵抗ヒーター５によって包囲されて
いる。ルツボ駆動ユニット７が、矢印によって示される
ように時計方向にルツボを回転させ、必要なようにルツ
ボを上昇または降下させる。ルツボ３の中で、シリコン
溶融物９はメルトレベル１１を有しており、プルシャフ
トまたはケーブル１７に取り付けられた種結晶１５で開
始してシリコン溶融物から単結晶１３が引き上げられ
る。ルツボ３および単結晶１３は、対称の共通軸１９を
有する。プルシャフトまたはケーブル１７を、結晶駆動
ユニット２１によって反時計方向に回転させ、必要なよ
うに上昇または降下させる。ヒーター電源２３は抵抗ヒ
ーター５にエネルギー供給し、絶縁２５が真空チャンバ
ー１の内壁にライニングされている。ガスを真空ポンプ
３１によって真空チャンバー１から除去するとともに、
アルゴンガスをガスフローコントローラー２９によって
ボトル２７から真空チャンバー１に供給する。真空チャ
ンバー１はチャンバー冷却ジャケット３３によって包囲
されており、ジャケット３３には溜３５から冷却水が供
給されている。次いで、冷却水は冷却水戻りマニホール
ド３７にドレインされる。光電池３９が溶融物表面温度
を測定し、直径トランスデューサー４１が単結晶１３の
直径を測定する。これらの信号は、コントロールユニッ
ト４３によって処理される。このコントロールユニット
は、プログラムされたデジタルまたはアナログコンピュ
ーターであってよい。これは、ルツボおよび単結晶駆動
ユニット７および２１、ヒーター電源２３、上部および
下部コイル電源４９および５１、ポンプ３１ならびにア
ルゴンフローコントローラー２９を制御する。
チョクラルスキー結晶成長装置を示す。真空チャンバー
１の中でルツボ３が抵抗ヒーター５によって包囲されて
いる。ルツボ駆動ユニット７が、矢印によって示される
ように時計方向にルツボを回転させ、必要なようにルツ
ボを上昇または降下させる。ルツボ３の中で、シリコン
溶融物９はメルトレベル１１を有しており、プルシャフ
トまたはケーブル１７に取り付けられた種結晶１５で開
始してシリコン溶融物から単結晶１３が引き上げられ
る。ルツボ３および単結晶１３は、対称の共通軸１９を
有する。プルシャフトまたはケーブル１７を、結晶駆動
ユニット２１によって反時計方向に回転させ、必要なよ
うに上昇または降下させる。ヒーター電源２３は抵抗ヒ
ーター５にエネルギー供給し、絶縁２５が真空チャンバ
ー１の内壁にライニングされている。ガスを真空ポンプ
３１によって真空チャンバー１から除去するとともに、
アルゴンガスをガスフローコントローラー２９によって
ボトル２７から真空チャンバー１に供給する。真空チャ
ンバー１はチャンバー冷却ジャケット３３によって包囲
されており、ジャケット３３には溜３５から冷却水が供
給されている。次いで、冷却水は冷却水戻りマニホール
ド３７にドレインされる。光電池３９が溶融物表面温度
を測定し、直径トランスデューサー４１が単結晶１３の
直径を測定する。これらの信号は、コントロールユニッ
ト４３によって処理される。このコントロールユニット
は、プログラムされたデジタルまたはアナログコンピュ
ーターであってよい。これは、ルツボおよび単結晶駆動
ユニット７および２１、ヒーター電源２３、上部および
下部コイル電源４９および５１、ポンプ３１ならびにア
ルゴンフローコントローラー２９を制御する。
【００１４】シリコン溶融物表面１１のそれぞれ上およ
び下に位置しており、対称軸１９を有する上部ソレノイ
ドコイル４５および下部ソレノイドコイル４７が真空チ
ャンバー１を包囲している。上部コイルおよび下部コイ
ルは、コントロールユニット４３にそれぞれ接続されて
いる別個の電源、上部コイル電源４９および下部コイル
電源５１を有する。電流が２つのソレノイドを反対方向
に流れ、カスプ磁界を形成する。冷却水が溜５３から上
部および下部コイルに供給されており、冷却水戻りマニ
ホールド３７にドレインされる。鉄シールド５５が上部
および下部コイルを包囲し、漂遊磁界を減少し、形成磁
界の強度を増強する。
び下に位置しており、対称軸１９を有する上部ソレノイ
ドコイル４５および下部ソレノイドコイル４７が真空チ
ャンバー１を包囲している。上部コイルおよび下部コイ
ルは、コントロールユニット４３にそれぞれ接続されて
いる別個の電源、上部コイル電源４９および下部コイル
電源５１を有する。電流が２つのソレノイドを反対方向
に流れ、カスプ磁界を形成する。冷却水が溜５３から上
部および下部コイルに供給されており、冷却水戻りマニ
ホールド３７にドレインされる。鉄シールド５５が上部
および下部コイルを包囲し、漂遊磁界を減少し、形成磁
界の強度を増強する。
【００１５】シリコン単結晶を成長させるため、ポリシ
リコンがルツボ３に仕込まれ、電流がヒーター５を通過
し、仕込物を溶融する。シリコン溶融物は、当技術で既
知であるようにシリコンの電気特性を変える目的で導入
されるドーパントを含んでいてもよい。アルゴンなどの
不活性雰囲気の中で、種結晶１５を降下させて、溶融物
と接触させ、次いで溶融物から徐々に引き上げると、シ
リコンは種上で固形化し、単結晶が成長する。引き上げ
るとともに、所定速度で結晶を回転させることによって
円筒状の単結晶ロッド１３が得られる。ルツボを第２の
速度で同様に回転させるが、ロッドに対して反対方向に
回転させる。引き上げ速度およびヒーターへの電力は初
めに制御されており、結晶のネックダウンを生じさせ、
次いで、調節され、所定の結晶直径が得られるまで円錐
形状で結晶直径を増加させる。次いで、プロセスが終末
になるまで一定直径を保つように、引き上げ速度および
加熱は制御される。この時点で、引き上げ速度および加
熱は増加され、直径が減少して単結晶ロッドの末端で円
錐部分を形成する。
リコンがルツボ３に仕込まれ、電流がヒーター５を通過
し、仕込物を溶融する。シリコン溶融物は、当技術で既
知であるようにシリコンの電気特性を変える目的で導入
されるドーパントを含んでいてもよい。アルゴンなどの
不活性雰囲気の中で、種結晶１５を降下させて、溶融物
と接触させ、次いで溶融物から徐々に引き上げると、シ
リコンは種上で固形化し、単結晶が成長する。引き上げ
るとともに、所定速度で結晶を回転させることによって
円筒状の単結晶ロッド１３が得られる。ルツボを第２の
速度で同様に回転させるが、ロッドに対して反対方向に
回転させる。引き上げ速度およびヒーターへの電力は初
めに制御されており、結晶のネックダウンを生じさせ、
次いで、調節され、所定の結晶直径が得られるまで円錐
形状で結晶直径を増加させる。次いで、プロセスが終末
になるまで一定直径を保つように、引き上げ速度および
加熱は制御される。この時点で、引き上げ速度および加
熱は増加され、直径が減少して単結晶ロッドの末端で円
錐部分を形成する。
【００１６】単結晶１３が所定直径（例えば、１５０ｍ
ｍまたは２００ｍｍ）に達した後、単結晶およびルツボ
の回転速度は制御され、軸方向および半径方向の両方に
おいて酸素の濃度および分布を調節する。ルツボの回転
速度は典型的には１〜１０ｒｐｍ、好ましくは少なくと
も約４ｒｐｍである。単結晶の回転速度は、ルツボの回
転速度よりも実質的に大きく、典型的には約１０〜２０
ｒｐｍであり、ルツボの回転速度よりも少なくとも約５
ｒｐｍ大きい。加えて、溶融シリコンにおける波の形成
を防止するために、ルツボおよび単結晶の回転速度は制
御され、合計は所定値を越えない。所定値はそれぞれの
システムについて実験的に決められ、単結晶の直径、ル
ツボの直径およびルツボに仕込んだシリコンの量に依存
する。例えば、ルツボおよび結晶回転速度の合計は、１
５０ｍｍロッド、３５０ｍｍルツボおよび３４ｋｇシリ
コン仕込みにおいて約３２ｒｐｍを越えず、２００ｍｍ
ロッド、４５０ｍｍルツボおよび６０ｋｇシリコン仕込
みにおいて約２５ｒｐｍを越えない。
ｍまたは２００ｍｍ）に達した後、単結晶およびルツボ
の回転速度は制御され、軸方向および半径方向の両方に
おいて酸素の濃度および分布を調節する。ルツボの回転
速度は典型的には１〜１０ｒｐｍ、好ましくは少なくと
も約４ｒｐｍである。単結晶の回転速度は、ルツボの回
転速度よりも実質的に大きく、典型的には約１０〜２０
ｒｐｍであり、ルツボの回転速度よりも少なくとも約５
ｒｐｍ大きい。加えて、溶融シリコンにおける波の形成
を防止するために、ルツボおよび単結晶の回転速度は制
御され、合計は所定値を越えない。所定値はそれぞれの
システムについて実験的に決められ、単結晶の直径、ル
ツボの直径およびルツボに仕込んだシリコンの量に依存
する。例えば、ルツボおよび結晶回転速度の合計は、１
５０ｍｍロッド、３５０ｍｍルツボおよび３４ｋｇシリ
コン仕込みにおいて約３２ｒｐｍを越えず、２００ｍｍ
ロッド、４５０ｍｍルツボおよび６０ｋｇシリコン仕込
みにおいて約２５ｒｐｍを越えない。
【００１７】単結晶に組み込まれる酸素の量が溶融物に
接触するルツボの面積のみならず、ルツボの回転速度に
も依存することが以前からわかっている（本明細書に参
照として組み込むアメリカ合衆国特許第４,４３６,５７
７号参照）。一般に、所定のロッドおよびルツボ回転速
度において仕込み溶融物の固形化部分が増加すると、ロ
ッドの酸素含量は軸方向に減少する。従って、この影響
は、固形化部分が増加するとともにルツボの回転速度を
増加することによって少なくとも部分的に解消すること
ができる。しかし、回転速度を制御することのみによっ
て、かなり大きな直径およびかなり低い酸素濃度、例え
ば、約１５ＰＰＭＡ未満（ＡＳＴＭ標準Ｆ−１２１−８
３）を有する単結晶ロッドにおける酸素含量を調整する
ことはだんだん困難になっている。
接触するルツボの面積のみならず、ルツボの回転速度に
も依存することが以前からわかっている（本明細書に参
照として組み込むアメリカ合衆国特許第４,４３６,５７
７号参照）。一般に、所定のロッドおよびルツボ回転速
度において仕込み溶融物の固形化部分が増加すると、ロ
ッドの酸素含量は軸方向に減少する。従って、この影響
は、固形化部分が増加するとともにルツボの回転速度を
増加することによって少なくとも部分的に解消すること
ができる。しかし、回転速度を制御することのみによっ
て、かなり大きな直径およびかなり低い酸素濃度、例え
ば、約１５ＰＰＭＡ未満（ＡＳＴＭ標準Ｆ−１２１−８
３）を有する単結晶ロッドにおける酸素含量を調整する
ことはだんだん困難になっている。
【００１８】処方されたプログラムに従って回転速度を
制御し、半径方向カスプ磁界をシリコン溶融物にかけた
場合に、かなり大きな直径の単結晶ロッドにおいて、特
にかなり低い酸素濃度で、軸方向および半径方向に酸素
濃度をより正確に調整できることがわかった。図１およ
び図２を参照すれば、そのためのプログラムおよび装置
が示されている。図示するように、電流が上部および下
部コイル４５および４７を流れており（「・」は紙面か
ら出て来る電流の流れを示し、「×」は紙面に入って行
く電流の流れを示す）、従って、磁界がルツボ３および
シリコン溶融物９にかかる。磁界の形状は、ガウスで示
される大きさを有するベクトル５７によって特徴付けら
れる。磁界は、ルツボの底および側壁を垂直に横切る水
平および鉛直成分を有する。加えて、磁界は、シリコン
溶融物表面を垂直に横切る鉛直成分を有していてよい。
しかし、溶融シリコン表面を垂直に横切る平均磁界成分
は、溶融シリコンに接触するルツボの底および側壁を垂
直に横切る平均磁界成分に比較して小さいことが好まし
く、即ち、溶融シリコン表面を垂直に横切る平均磁界成
分は、溶融シリコンに接触するルツボの底および側壁を
垂直に横切る平均磁界成分の約１／１０よりも大きくな
いことが好ましい。最も好ましくは溶融シリコン表面を
垂直に横切る平均磁界成分は０であるかまたは０付近で
あり、即ち、磁界零面がシリコン溶融表面にまたは該表
面付近に位置する。２つのコイル４５および４７におけ
る鉛直位置、巻の数および相対的電流は、溶融物表面１
１の面でまたは面付近で零磁界を配置するように使用さ
れてよい。
制御し、半径方向カスプ磁界をシリコン溶融物にかけた
場合に、かなり大きな直径の単結晶ロッドにおいて、特
にかなり低い酸素濃度で、軸方向および半径方向に酸素
濃度をより正確に調整できることがわかった。図１およ
び図２を参照すれば、そのためのプログラムおよび装置
が示されている。図示するように、電流が上部および下
部コイル４５および４７を流れており（「・」は紙面か
ら出て来る電流の流れを示し、「×」は紙面に入って行
く電流の流れを示す）、従って、磁界がルツボ３および
シリコン溶融物９にかかる。磁界の形状は、ガウスで示
される大きさを有するベクトル５７によって特徴付けら
れる。磁界は、ルツボの底および側壁を垂直に横切る水
平および鉛直成分を有する。加えて、磁界は、シリコン
溶融物表面を垂直に横切る鉛直成分を有していてよい。
しかし、溶融シリコン表面を垂直に横切る平均磁界成分
は、溶融シリコンに接触するルツボの底および側壁を垂
直に横切る平均磁界成分に比較して小さいことが好まし
く、即ち、溶融シリコン表面を垂直に横切る平均磁界成
分は、溶融シリコンに接触するルツボの底および側壁を
垂直に横切る平均磁界成分の約１／１０よりも大きくな
いことが好ましい。最も好ましくは溶融シリコン表面を
垂直に横切る平均磁界成分は０であるかまたは０付近で
あり、即ち、磁界零面がシリコン溶融表面にまたは該表
面付近に位置する。２つのコイル４５および４７におけ
る鉛直位置、巻の数および相対的電流は、溶融物表面１
１の面でまたは面付近で零磁界を配置するように使用さ
れてよい。
【００１９】結晶引き上げ工程が開始されると、電流が
コイル４５および４７を流れ、所定の強度を有する磁界
がシリコン溶融物およびルツボにかけられる。所定強度
は、ロッドの直径、ルツボの直径、仕込み量および所望
酸素含量に依存して変化するが、過度の実験なく容易に
決めることができる。一般に、磁界は、数千ガウスより
も小さい所定最大強度を有しており、約４００〜１００
０ガウスの所定最大強度を有していることが最も好まし
い。単結晶の長さが増加すると、即ち、仕込み溶融物の
固形化部分が増加すると、コイルを流れる電流の量が減
少することによって、コイルがルツボに対して移動する
ことによって、あるいは磁性シールドを移動または消滅
させることによって、磁界の強度を減少させる。コイル
を流れる電流の量を減少させることによって強度を減少
させることが好ましい。
コイル４５および４７を流れ、所定の強度を有する磁界
がシリコン溶融物およびルツボにかけられる。所定強度
は、ロッドの直径、ルツボの直径、仕込み量および所望
酸素含量に依存して変化するが、過度の実験なく容易に
決めることができる。一般に、磁界は、数千ガウスより
も小さい所定最大強度を有しており、約４００〜１００
０ガウスの所定最大強度を有していることが最も好まし
い。単結晶の長さが増加すると、即ち、仕込み溶融物の
固形化部分が増加すると、コイルを流れる電流の量が減
少することによって、コイルがルツボに対して移動する
ことによって、あるいは磁性シールドを移動または消滅
させることによって、磁界の強度を減少させる。コイル
を流れる電流の量を減少させることによって強度を減少
させることが好ましい。
【００２０】磁界の強度が減少すると、ルツボの底およ
び側壁を垂直に横切る磁界成分が減少する。しかし、磁
界の零面はシリコン溶融物表面でまたは表面付近で保た
れるので、シリコン溶融物表面を垂直に横切る平均磁界
成分と、シリコン溶融物に接触するルツボの底および側
壁を垂直に横切る平均磁界成分との比には有意な差は存
在しない。単結晶ロッドの長さが増加し、仕込み溶融物
の固形化部分が増加すると、磁界の強度を初期の値より
も小さい値に調整することが好ましいが、仕込み溶融物
の所定部分が固化した後に、磁界を完全に消すことが好
ましい。典型的には、仕込み溶融物の約５０〜８０％が
固化した後に、磁界を消すことが好ましい。その後、単
結晶回転速度に対してルツボ回転速度を増加することに
よって酸素含量を調節する。
び側壁を垂直に横切る磁界成分が減少する。しかし、磁
界の零面はシリコン溶融物表面でまたは表面付近で保た
れるので、シリコン溶融物表面を垂直に横切る平均磁界
成分と、シリコン溶融物に接触するルツボの底および側
壁を垂直に横切る平均磁界成分との比には有意な差は存
在しない。単結晶ロッドの長さが増加し、仕込み溶融物
の固形化部分が増加すると、磁界の強度を初期の値より
も小さい値に調整することが好ましいが、仕込み溶融物
の所定部分が固化した後に、磁界を完全に消すことが好
ましい。典型的には、仕込み溶融物の約５０〜８０％が
固化した後に、磁界を消すことが好ましい。その後、単
結晶回転速度に対してルツボ回転速度を増加することに
よって酸素含量を調節する。
【００２１】単結晶呼称直径、ルツボ直径、仕込みの大
きさおよび磁界特性などのパラメーターに依存して、溶
融物にかける磁界の強さを増加することおよび／または
操作時の或る点でのルツボ回転速度を減少することが好
ましい。（ａ）磁界が初期のレベルよりも小さい値に減
少されるおよび（ｂ）仕込み溶融物の一部分が固形化さ
れた後に、ルツボ回転速度が単結晶回転速度に比較して
増加される限りにおいて、そのような態様は本発明の範
囲内である。
きさおよび磁界特性などのパラメーターに依存して、溶
融物にかける磁界の強さを増加することおよび／または
操作時の或る点でのルツボ回転速度を減少することが好
ましい。（ａ）磁界が初期のレベルよりも小さい値に減
少されるおよび（ｂ）仕込み溶融物の一部分が固形化さ
れた後に、ルツボ回転速度が単結晶回転速度に比較して
増加される限りにおいて、そのような態様は本発明の範
囲内である。
【００２２】以下の実施例で示すように、本発明の方法
は、かなり低い酸素濃度、即ち、１５ＰＰＭＡ未満の酸
素濃度を有する単結晶において酸素濃度を正確に制御す
るのに使用できる。単結晶ロッドは、半径方向に５％未
満の酸素勾配、および軸方向に５％〜１０％未満、最も
好ましくは５％未満の酸素勾配を有することが好まし
い。実施例は、所望結果を達成するために使用できる１
組の条件を述べている。図３と同様のデーターが、他の
結晶直径、磁界強さ、ルツボ回転速度、ルツボ寸法およ
びシリコン仕込みにおいて得られ得る。次いで、所望酸
素軸方向分布を形成するための磁界傾斜プログラムおよ
びルツボ回転速度が、図１０に示すように、導かれる。
従って、実施例は、限定する意味で解釈してはならな
い。
は、かなり低い酸素濃度、即ち、１５ＰＰＭＡ未満の酸
素濃度を有する単結晶において酸素濃度を正確に制御す
るのに使用できる。単結晶ロッドは、半径方向に５％未
満の酸素勾配、および軸方向に５％〜１０％未満、最も
好ましくは５％未満の酸素勾配を有することが好まし
い。実施例は、所望結果を達成するために使用できる１
組の条件を述べている。図３と同様のデーターが、他の
結晶直径、磁界強さ、ルツボ回転速度、ルツボ寸法およ
びシリコン仕込みにおいて得られ得る。次いで、所望酸
素軸方向分布を形成するための磁界傾斜プログラムおよ
びルツボ回転速度が、図１０に示すように、導かれる。
従って、実施例は、限定する意味で解釈してはならな
い。
【００２３】
【実施例】以下の実施例は本発明を具体的に説明する。
【００２４】実施例 図１および２の装置（但し、コイルは直列に接続されて
おり、１つの電源からエネルギー供給されている）を用
いて、３４ｋｇのポリシリコン仕込み量を有する３５０
ｍｍ直径ルツボから、単結晶シリコンロッド（１５０ｍ
ｍ呼称直径）を引き上げた。結晶の回転速度は１２〜２
４ｒｐｍであり、ルツボの回転速度は４ｒｐｍに固定し
た。１組のランにおいて、磁界をかけなかった。別の組
のランにおいて、約４００ガウスのシリコン−石英界面
での平均強度を有する磁界になる、反対方向においてそ
れぞれのコイルを流れる１.５キロアンペアから生じる
磁界を、図２に示すようにかけた。他の組のランにおい
て、ルツボ回転速度および磁界強さを変化させた。
おり、１つの電源からエネルギー供給されている）を用
いて、３４ｋｇのポリシリコン仕込み量を有する３５０
ｍｍ直径ルツボから、単結晶シリコンロッド（１５０ｍ
ｍ呼称直径）を引き上げた。結晶の回転速度は１２〜２
４ｒｐｍであり、ルツボの回転速度は４ｒｐｍに固定し
た。１組のランにおいて、磁界をかけなかった。別の組
のランにおいて、約４００ガウスのシリコン−石英界面
での平均強度を有する磁界になる、反対方向においてそ
れぞれのコイルを流れる１.５キロアンペアから生じる
磁界を、図２に示すようにかけた。他の組のランにおい
て、ルツボ回転速度および磁界強さを変化させた。
【００２５】単結晶シリコンロッドにおける酸素の軸方
向分布を求め、得られたデーターを、酸素が従属変数で
あるモデルに合致させた。独立変数は、結晶の長さ、
（コイル励起電流として示して）磁界、およびルツボ回
転速度であった。モデルは、以下のように、６の係数を
有する線型であった。
向分布を求め、得られたデーターを、酸素が従属変数で
あるモデルに合致させた。独立変数は、結晶の長さ、
（コイル励起電流として示して）磁界、およびルツボ回
転速度であった。モデルは、以下のように、６の係数を
有する線型であった。
【００２６】 項 係数 変数−線型 係数の単位 １ １５.５７３ 定数 ＰＰＭＡ（ASTM F121-83) ２ −０.１１８ 長さ ＰＰＭＡ／ＣＭ ３ ０.２８６ ルツボ回転 ＰＰＭＡ／ＲＰＭ ４ −２.１５３ 磁界強さ ＰＰＭＡ／Ｋ ＡＭＰ ５ ０.０６３ 長さ／ルツボ回転 ＰＰＭＡ＊ＲＰＭ／ＣＭ ６ ０.０３７ 長さ＊磁界 ＰＰＭＡ／ＣＭ／Ｋ ＡＭＰ
【００２７】全ての係数は、０.０００１またはそれ以
下に有意であり、ＲＭＳ誤差は０.４４である。図３
は、ランに対するモデルの合致を示す。図３において、
×印はデーター点を示し、添字は界磁電流（キロアンペ
ア）を示す。
下に有意であり、ＲＭＳ誤差は０.４４である。図３
は、ランに対するモデルの合致を示す。図３において、
×印はデーター点を示し、添字は界磁電流（キロアンペ
ア）を示す。
【００２８】図４〜９は、結晶の６つの異なった長さに
おける４つの異なった酸素レベルを与える、モデルで予
想される界磁電流およびルツボ回転速度の組み合わせを
示している。特記しない限り、全ての酸素データーはＡ
ＳＴＭ標準Ｆ１２１−８３に従って測定し、長さの単位
はセンチメートルである。
おける４つの異なった酸素レベルを与える、モデルで予
想される界磁電流およびルツボ回転速度の組み合わせを
示している。特記しない限り、全ての酸素データーはＡ
ＳＴＭ標準Ｆ１２１−８３に従って測定し、長さの単位
はセンチメートルである。
【００２９】図１０は、１３ＰＰＭＡの一定酸素含量を
与える、モデルで予想される磁界強さとルツボ回転速度
のプログラム組み合わせを示している。このプログラム
によれば、ルツボ回転速度は初めに５ｒｐｍに設定さ
れ、反対方向にそれぞのコイルを流れる約２キロアンペ
アから生じる磁界が初めにかけられる。結晶を１０、２
０、３０および４０ｃｍのそれぞれ引き上げた後、磁界
強さは、示すように減少される。４０ｃｍ引き上げた時
に、磁界強さを０に減少させる。磁界強さの減少と同時
に、４０ｃｍを引き上げた後にルツボ回転速度を５ｒｐ
ｍから６ｒｐｍに増加させ、５０ｃｍを引き上げた後に
ルツボ回転速度を１０ｒｐｍに増加させる。
与える、モデルで予想される磁界強さとルツボ回転速度
のプログラム組み合わせを示している。このプログラム
によれば、ルツボ回転速度は初めに５ｒｐｍに設定さ
れ、反対方向にそれぞのコイルを流れる約２キロアンペ
アから生じる磁界が初めにかけられる。結晶を１０、２
０、３０および４０ｃｍのそれぞれ引き上げた後、磁界
強さは、示すように減少される。４０ｃｍ引き上げた時
に、磁界強さを０に減少させる。磁界強さの減少と同時
に、４０ｃｍを引き上げた後にルツボ回転速度を５ｒｐ
ｍから６ｒｐｍに増加させ、５０ｃｍを引き上げた後に
ルツボ回転速度を１０ｒｐｍに増加させる。
【００３０】図１０と同様のデーターが、他の結晶直
径、磁界強さ、ルツボ回転速度、ルツボ寸法およびシリ
コン仕込み量において得られる。所望の酸素の軸方向分
布を生成するためのルツボ回転速度および磁界強さ傾斜
プログラムを導き得る。
径、磁界強さ、ルツボ回転速度、ルツボ寸法およびシリ
コン仕込み量において得られる。所望の酸素の軸方向分
布を生成するためのルツボ回転速度および磁界強さ傾斜
プログラムを導き得る。
【００３１】前記を参照すれば、本発明の幾つかの目的
が達成され、他の好都合な結果が得られることがわか
る。
が達成され、他の好都合な結果が得られることがわか
る。
【００３２】本発明の範囲を逸脱することなく、前記方
法において種々の変化をなすことが可能であり、前記記
載に含まれるすべてのことがらは例示として解釈すべき
であり、限定する意味で解釈してはならない。
法において種々の変化をなすことが可能であり、前記記
載に含まれるすべてのことがらは例示として解釈すべき
であり、限定する意味で解釈してはならない。
【図１】 本発明の態様に従ったチョクラルスキー結晶
成長装置の断面図である。
成長装置の断面図である。
【図２】 実施例で述べた１組の条件（１５００アンペ
ア）の下で生成した磁界を示す図１の一部分の拡大図で
ある。
ア）の下で生成した磁界を示す図１の一部分の拡大図で
ある。
【図３】 実施例で述べたように引き上げられた１５０
ｍｍシリコン結晶ロッドの酸素濃度の線型モデルを示す
グラフである。
ｍｍシリコン結晶ロッドの酸素濃度の線型モデルを示す
グラフである。
【図４】 １５０ｍｍシリコン単結晶の長さ０ｃｍで４
つの異なった酸素レベルを与える実施例のモデルで予測
される界磁電流およびルツボ回転速度の組み合わせを示
すグラフである。
つの異なった酸素レベルを与える実施例のモデルで予測
される界磁電流およびルツボ回転速度の組み合わせを示
すグラフである。
【図５】 １５０ｍｍシリコン単結晶の長さ１０ｃｍで
４つの異なった酸素レベルを与える実施例のモデルで予
測される界磁電流およびルツボ回転速度の組み合わせを
示すグラフである。
４つの異なった酸素レベルを与える実施例のモデルで予
測される界磁電流およびルツボ回転速度の組み合わせを
示すグラフである。
【図６】 １５０ｍｍシリコン単結晶の長さ２０ｃｍで
４つの異なった酸素レベルを与える実施例のモデルで予
測される界磁電流およびルツボ回転速度の組み合わせを
示すグラフである。
４つの異なった酸素レベルを与える実施例のモデルで予
測される界磁電流およびルツボ回転速度の組み合わせを
示すグラフである。
【図７】 １５０ｍｍシリコン単結晶の長さ３０ｃｍで
４つの異なった酸素レベルを与える実施例のモデルで予
測される界磁電流およびルツボ回転速度の組み合わせを
示すグラフである。
４つの異なった酸素レベルを与える実施例のモデルで予
測される界磁電流およびルツボ回転速度の組み合わせを
示すグラフである。
【図８】 １５０ｍｍシリコン単結晶の長さ４０ｃｍで
４つの異なった酸素レベルを与える実施例のモデルで予
測される界磁電流およびルツボ回転速度の組み合わせを
示すグラフである。
４つの異なった酸素レベルを与える実施例のモデルで予
測される界磁電流およびルツボ回転速度の組み合わせを
示すグラフである。
【図９】 １５０ｍｍシリコン単結晶の長さ５０ｃｍで
４つの異なった酸素レベルを与える実施例のモデルで予
測される界磁電流およびルツボ回転速度の組み合わせを
示すグラフである。
４つの異なった酸素レベルを与える実施例のモデルで予
測される界磁電流およびルツボ回転速度の組み合わせを
示すグラフである。
【図１０】 １５０ｍｍシリコン単結晶の１３ＰＰＭＡ
の一定酸素含量を与える実施例のモデルで予測される界
磁電流およびルツボ回転速度のプログラム組み合わせを
示すグラフである。
の一定酸素含量を与える実施例のモデルで予測される界
磁電流およびルツボ回転速度のプログラム組み合わせを
示すグラフである。
１…真空チャンバー、 ３…ルツボ、 ５…抵抗ヒータ
ー、７…ルツボ駆動ユニット、 ９…シリコン溶融物、
１３…単結晶、１５…種結晶、 １７…シャフトまた
はケーブル、 １９…対称軸、２１…結晶駆動ユニッ
ト、 ２３…電源、 ４５，４７…コイル。
ー、７…ルツボ駆動ユニット、 ９…シリコン溶融物、
１３…単結晶、１５…種結晶、 １７…シャフトまた
はケーブル、 １９…対称軸、２１…結晶駆動ユニッ
ト、 ２３…電源、 ４５，４７…コイル。
Claims (8)
- 【請求項１】 チョクラルスキー法により所定直径の単
結晶シリコンロッドを製造する方法であって、 単結晶シリコンロッドを、ルツボに収容されているシリ
コン溶融物から引き上げ、単結晶シリコンロッドおよび
ルツボが同軸であり、方法が、 ルツボの回転速度よりも大きい単結晶ロッドの回転速度
で、それらの軸のまわりで反対方向に単結晶ロッドおよ
びルツボを回転させ、およびシリコン溶融物の一部分が
固形化するまで、ロッド軸のまわりで実質的に軸方向に
対称である磁界をシリコン溶融物にかけ、なお、磁界
は、ルツボの底および側壁を垂直に横切る成分および溶
融シリコン表面を垂直に横切る成分を有しており、底お
よび側壁を垂直に横切る平均磁界成分は、溶融シリコン
表面を垂直に横切る平均磁界成分よりも大きい、 工程を含んでなり、 所定の単結晶ロッド直径が定まった後に、シリコン溶融
物の固形化部分が増加するともに、ルツボの回転速度を
増加し、磁界の強度を減少させることを特徴とする方
法。 - 【請求項２】 シリコン溶融物の固形化部分が約０.５
を越えた後に、ルツボの底および側壁を垂直に横切る磁
界成分を０に減少させる請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 シリコン溶融物の固形化部分が約０.８
を越えた後に、ルツボの底および側壁を垂直に横切る磁
界成分を０に減少させる請求項１記載の方法。 - 【請求項４】 結晶ロッドを引き上げる場合に、単結晶
回転速度がルツボ回転速度よりも少なくとも約５ｒｐｍ
大きい請求項１〜３のいずれかに記載の方法。 - 【請求項５】 単結晶ロッドの直径が約２００ｍｍであ
り、ルツボおよび単結晶ロッドの回転速度の合計が約２
７ｒｐｍを越えない請求項１〜４のいずれかに記載の方
法。 - 【請求項６】 単結晶ロッドの直径が約１５０ｍｍであ
り、ルツボおよび単結晶ロッドの回転速度の合計が３２
ｒｐｍを越えない請求項１〜４のいずれかに記載の方
法。 - 【請求項７】 シリコン溶融物に接触するルツボの底お
よび側壁を垂直に横切る磁界成分の平均が初めに少なく
とも約５００ガウスである請求項１〜６のいずれかに記
載の方法。 - 【請求項８】 単結晶ロッドにおける軸方向酸素濃度勾
配が約５％を越えない請求項１〜７のいずれかに記載の
方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/744,891 US5178720A (en) | 1991-08-14 | 1991-08-14 | Method for controlling oxygen content of silicon crystals using a combination of cusp magnetic field and crystal and crucible rotation rates |
| US744891 | 1991-08-14 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05194077A true JPH05194077A (ja) | 1993-08-03 |
| JPH0818898B2 JPH0818898B2 (ja) | 1996-02-28 |
Family
ID=24994361
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4215973A Expired - Lifetime JPH0818898B2 (ja) | 1991-08-14 | 1992-08-13 | 単結晶シリコンロッドの製法 |
Country Status (12)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5178720A (ja) |
| EP (1) | EP0527477B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0818898B2 (ja) |
| KR (1) | KR960006260B1 (ja) |
| CN (1) | CN1038437C (ja) |
| CZ (1) | CZ244792A3 (ja) |
| DE (1) | DE59205080D1 (ja) |
| FI (1) | FI923611A (ja) |
| MY (1) | MY108707A (ja) |
| PL (1) | PL295632A1 (ja) |
| SG (1) | SG43922A1 (ja) |
| TW (1) | TW219955B (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998049378A1 (fr) * | 1997-04-30 | 1998-11-05 | Sumitomo Sitix Corporation | Procede de tirage de monocristal |
| US6258163B1 (en) | 1998-09-08 | 2001-07-10 | Sumitomo Metal Industries, Ltd. | Method for producing silicon single crystal |
| US6592662B2 (en) | 2000-02-28 | 2003-07-15 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for preparing silicon single crystal and silicon single crystal |
| KR100445862B1 (ko) * | 1995-12-06 | 2004-10-26 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 단결정제조장치및이를이용한단결정제조방법 |
| JP2007031260A (ja) * | 2005-07-26 | 2007-02-08 | Siltron Inc | 高品質シリコン単結晶インゴット製造方法，成長装置及び前記方法及び装置から製造されたインゴット，ウエハ |
| JP2008526667A (ja) * | 2004-12-30 | 2008-07-24 | エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド | 結晶成長プロセスにおける液状シリコンの電磁的ポンピング |
| US7771530B2 (en) | 2001-01-18 | 2010-08-10 | Siltronic Ag | Process and apparatus for producing a silicon single crystal |
| JP2011001241A (ja) * | 2009-06-22 | 2011-01-06 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 単結晶製造装置及び単結晶製造方法 |
Families Citing this family (46)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08143391A (ja) * | 1993-06-01 | 1996-06-04 | Texas Instr Inc <Ti> | チョクラルスキ結晶引上げ装置に使用する螺旋加熱器 |
| JPH07267776A (ja) * | 1994-03-31 | 1995-10-17 | Sumitomo Sitix Corp | 結晶成長方法 |
| US5474020A (en) * | 1994-05-06 | 1995-12-12 | Texas Instruments Incorporated | Oxygen precipitation control in czochralski-grown silicon cyrstals |
| US5653799A (en) * | 1995-06-02 | 1997-08-05 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method for controlling growth of a silicon crystal |
| JPH0920595A (ja) * | 1995-07-04 | 1997-01-21 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン単結晶の製造装置 |
| DE19529481A1 (de) * | 1995-08-10 | 1997-02-13 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Einkristallen |
| US5656078A (en) | 1995-11-14 | 1997-08-12 | Memc Electronic Materials, Inc. | Non-distorting video camera for use with a system for controlling growth of a silicon crystal |
| JP3841863B2 (ja) * | 1995-12-13 | 2006-11-08 | コマツ電子金属株式会社 | シリコン単結晶の引き上げ方法 |
| DE19548845B4 (de) * | 1995-12-27 | 2008-04-10 | Crystal Growing Systems Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum Ziehen von Einkristallen nach dem Czochralski-Verfahren |
| JP3520883B2 (ja) * | 1995-12-29 | 2004-04-19 | 信越半導体株式会社 | 単結晶の製造方法 |
| JPH09194289A (ja) * | 1996-01-12 | 1997-07-29 | Mitsubishi Materials Shilicon Corp | 単結晶引上装置 |
| US5746828A (en) * | 1996-01-16 | 1998-05-05 | General Signal Corporation | Temperature control system for growing high-purity monocrystals |
| US5676751A (en) * | 1996-01-22 | 1997-10-14 | Memc Electronic Materials, Inc. | Rapid cooling of CZ silicon crystal growth system |
| JP3969460B2 (ja) * | 1996-06-20 | 2007-09-05 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | 磁場印加による半導体単結晶の製造方法 |
| US5795381A (en) * | 1996-09-09 | 1998-08-18 | Memc Electrical Materials, Inc. | SIO probe for real-time monitoring and control of oxygen during czochralski growth of single crystal silicon |
| US5846318A (en) * | 1997-07-17 | 1998-12-08 | Memc Electric Materials, Inc. | Method and system for controlling growth of a silicon crystal |
| US5922127A (en) * | 1997-09-30 | 1999-07-13 | Memc Electronic Materials, Inc. | Heat shield for crystal puller |
| US5882402A (en) * | 1997-09-30 | 1999-03-16 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method for controlling growth of a silicon crystal |
| EP0949360A1 (en) * | 1998-04-07 | 1999-10-13 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Process for producing a silicon single crystal by Czochralski method. |
| DE19823962A1 (de) | 1998-05-28 | 1999-12-02 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls |
| JP2000044387A (ja) | 1998-07-27 | 2000-02-15 | Nippon Steel Corp | シリコン単結晶製造方法 |
| US6171391B1 (en) | 1998-10-14 | 2001-01-09 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method and system for controlling growth of a silicon crystal |
| KR100818677B1 (ko) * | 1999-03-17 | 2008-04-01 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 실리콘 단결정의 제조방법 및 그 제조장치, 그리고 그방법으로 제조된 실리콘 단결정 및 웨이퍼 |
| US6776840B1 (en) | 1999-03-22 | 2004-08-17 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method and apparatus for controlling diameter of a silicon crystal in a locked seed lift growth process |
| US6241818B1 (en) | 1999-04-07 | 2001-06-05 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method and system of controlling taper growth in a semiconductor crystal growth process |
| US6203611B1 (en) | 1999-10-19 | 2001-03-20 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method of controlling growth of a semiconductor crystal to automatically transition from taper growth to target diameter growth |
| JP3512074B2 (ja) * | 2000-03-06 | 2004-03-29 | 日本電気株式会社 | 半導体単結晶育成装置および半導体単結晶育成方法 |
| CN1324166C (zh) * | 2002-11-12 | 2007-07-04 | Memc电子材料有限公司 | 利用坩锅旋转以控制温度梯度的制备单晶硅的方法 |
| KR100588425B1 (ko) * | 2003-03-27 | 2006-06-12 | 실트로닉 아게 | 실리콘 단결정, 결정된 결함분포를 가진 실리콘 단결정 및 실리콘 반도체 웨이퍼의 제조방법 |
| US6960254B2 (en) * | 2003-07-21 | 2005-11-01 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method to monitor and control the crystal cooling or quenching rate by measuring crystal surface temperature |
| US20060005761A1 (en) * | 2004-06-07 | 2006-01-12 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method and apparatus for growing silicon crystal by controlling melt-solid interface shape as a function of axial length |
| US7223304B2 (en) * | 2004-12-30 | 2007-05-29 | Memc Electronic Materials, Inc. | Controlling melt-solid interface shape of a growing silicon crystal using a variable magnetic field |
| US7799130B2 (en) * | 2005-07-27 | 2010-09-21 | Siltron, Inc. | Silicon single crystal ingot and wafer, growing apparatus and method thereof |
| JP4631717B2 (ja) * | 2006-01-19 | 2011-02-16 | 株式会社Ｓｕｍｃｏ | Ｉｇｂｔ用シリコン単結晶ウェーハ及びｉｇｂｔ用シリコン単結晶ウェーハの製造方法 |
| KR100835293B1 (ko) * | 2006-12-29 | 2008-06-09 | 주식회사 실트론 | 실리콘 단결정 잉곳의 제조방법 |
| JP5083001B2 (ja) * | 2008-04-08 | 2012-11-28 | 株式会社Ｓｕｍｃｏ | シリコン単結晶の引上げ方法 |
| CN102360696B (zh) * | 2011-06-10 | 2013-07-31 | 沈阳隆基电磁科技股份有限公司 | 一种开合式用于单晶炉的永磁场结构 |
| KR101680213B1 (ko) * | 2015-04-06 | 2016-11-28 | 주식회사 엘지실트론 | 실리콘 단결정 잉곳의 성장 방법 |
| CN108291327B (zh) * | 2015-11-02 | 2021-01-08 | 胜高股份有限公司 | 单晶硅的制造方法及单晶硅 |
| SG11201804672QA (en) | 2015-12-04 | 2018-07-30 | Globalwafers Co Ltd | Systems and methods for production of low oxygen content silicon |
| JP6680108B2 (ja) * | 2016-06-28 | 2020-04-15 | 株式会社Sumco | シリコン単結晶の製造方法 |
| US10415149B2 (en) * | 2017-03-31 | 2019-09-17 | Silfex, Inc. | Growth of a shaped silicon ingot by feeding liquid onto a shaped ingot |
| WO2019107190A1 (ja) * | 2017-11-29 | 2019-06-06 | 株式会社Sumco | シリコン単結晶及びその製造方法並びにシリコンウェーハ |
| CN109576785A (zh) * | 2018-12-29 | 2019-04-05 | 徐州鑫晶半导体科技有限公司 | 调节单晶硅生长过程中氧含量的方法 |
| CN110359082A (zh) * | 2019-08-15 | 2019-10-22 | 胡正阳 | 一种热场稳定的单晶炉 |
| EP4330450A1 (en) * | 2021-04-28 | 2024-03-06 | GlobalWafers Co., Ltd. | Methods for producing silicon ingots by horizontal magnetic field czochralski |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5727996A (en) * | 1980-06-26 | 1982-02-15 | Ibm | Manufacture of single crystal |
| JPS57135796A (en) * | 1980-12-29 | 1982-08-21 | Monsanto Co | Method of adjusting oxygen concentration and distribution in silicon growing by czochralski method |
| JPS59102893A (ja) * | 1982-12-01 | 1984-06-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 結晶の育成方法 |
| JPS6033291A (ja) * | 1983-07-29 | 1985-02-20 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 単結晶シリコンの製造方法 |
| JPH01282185A (ja) * | 1988-05-09 | 1989-11-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 結晶の育成方法 |
| JPH0321515A (ja) * | 1989-06-16 | 1991-01-30 | Nippondenso Co Ltd | 車両用空気調和装置 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4436577A (en) * | 1980-12-29 | 1984-03-13 | Monsanto Company | Method of regulating concentration and distribution of oxygen in Czochralski grown silicon |
| JPS58217493A (ja) * | 1982-06-11 | 1983-12-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 単結晶の引上方法 |
| JPS6027682A (ja) * | 1983-07-26 | 1985-02-12 | Toshiba Corp | 単結晶引上装置 |
| JPS6081086A (ja) * | 1983-10-07 | 1985-05-09 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 単結晶の成長方法および装置 |
| JPS6144797A (ja) * | 1984-08-10 | 1986-03-04 | Toshiba Corp | 単結晶育成装置およびその制御方法 |
| US4617173A (en) * | 1984-11-30 | 1986-10-14 | General Signal Corporation | System for controlling the diameter of a crystal in a crystal growing furnace |
| JPS61222984A (ja) * | 1985-03-28 | 1986-10-03 | Toshiba Corp | 単結晶の製造装置 |
| US4659423A (en) * | 1986-04-28 | 1987-04-21 | International Business Machines Corporation | Semiconductor crystal growth via variable melt rotation |
| JP2561072B2 (ja) * | 1986-04-30 | 1996-12-04 | 東芝セラミツクス株式会社 | 単結晶の育成方法及びその装置 |
| JPS63242991A (ja) * | 1987-03-31 | 1988-10-07 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 結晶径制御方法 |
| GB8805478D0 (en) * | 1988-03-08 | 1988-04-07 | Secr Defence | Method & apparatus for growing semi-conductor crystalline materials |
| JPH0255284A (ja) * | 1988-08-22 | 1990-02-23 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 混入不純物濃度の制御方法 |
-
1991
- 1991-08-14 US US07/744,891 patent/US5178720A/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-12-26 TW TW080110126A patent/TW219955B/zh not_active IP Right Cessation
-
1992
- 1992-08-05 MY MYPI92001393A patent/MY108707A/en unknown
- 1992-08-06 CZ CS922447A patent/CZ244792A3/cs unknown
- 1992-08-12 EP EP92113720A patent/EP0527477B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1992-08-12 DE DE59205080T patent/DE59205080D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1992-08-12 FI FI923611A patent/FI923611A/fi not_active Application Discontinuation
- 1992-08-12 SG SG1996005586A patent/SG43922A1/en unknown
- 1992-08-13 KR KR1019920014595A patent/KR960006260B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1992-08-13 JP JP4215973A patent/JPH0818898B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1992-08-14 CN CN92109354A patent/CN1038437C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1992-08-14 PL PL29563292A patent/PL295632A1/xx unknown
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5727996A (en) * | 1980-06-26 | 1982-02-15 | Ibm | Manufacture of single crystal |
| JPS57135796A (en) * | 1980-12-29 | 1982-08-21 | Monsanto Co | Method of adjusting oxygen concentration and distribution in silicon growing by czochralski method |
| JPS59102893A (ja) * | 1982-12-01 | 1984-06-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 結晶の育成方法 |
| JPS6033291A (ja) * | 1983-07-29 | 1985-02-20 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 単結晶シリコンの製造方法 |
| JPH01282185A (ja) * | 1988-05-09 | 1989-11-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 結晶の育成方法 |
| JPH0321515A (ja) * | 1989-06-16 | 1991-01-30 | Nippondenso Co Ltd | 車両用空気調和装置 |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100445862B1 (ko) * | 1995-12-06 | 2004-10-26 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 단결정제조장치및이를이용한단결정제조방법 |
| WO1998049378A1 (fr) * | 1997-04-30 | 1998-11-05 | Sumitomo Sitix Corporation | Procede de tirage de monocristal |
| US6267816B1 (en) | 1997-04-30 | 2001-07-31 | Sumitomo Sitix Corporation | Method for single crystal growth |
| US6258163B1 (en) | 1998-09-08 | 2001-07-10 | Sumitomo Metal Industries, Ltd. | Method for producing silicon single crystal |
| US6592662B2 (en) | 2000-02-28 | 2003-07-15 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for preparing silicon single crystal and silicon single crystal |
| EP1193333A4 (en) * | 2000-02-28 | 2006-10-04 | Shinetsu Handotai Kk | METHOD FOR PRODUCING SILICON CRYSTALS AND SILICON CRYSTAL |
| US7771530B2 (en) | 2001-01-18 | 2010-08-10 | Siltronic Ag | Process and apparatus for producing a silicon single crystal |
| JP2008526667A (ja) * | 2004-12-30 | 2008-07-24 | エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド | 結晶成長プロセスにおける液状シリコンの電磁的ポンピング |
| JP2007031260A (ja) * | 2005-07-26 | 2007-02-08 | Siltron Inc | 高品質シリコン単結晶インゴット製造方法，成長装置及び前記方法及び装置から製造されたインゴット，ウエハ |
| JP2011001241A (ja) * | 2009-06-22 | 2011-01-06 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 単結晶製造装置及び単結晶製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0527477B1 (de) | 1996-01-17 |
| TW219955B (ja) | 1994-02-01 |
| CZ244792A3 (en) | 1993-02-17 |
| FI923611A (fi) | 1993-02-15 |
| SG43922A1 (en) | 1997-11-14 |
| KR930004508A (ko) | 1993-03-22 |
| KR960006260B1 (ko) | 1996-05-13 |
| CN1038437C (zh) | 1998-05-20 |
| DE59205080D1 (de) | 1996-02-29 |
| EP0527477A1 (de) | 1993-02-17 |
| JPH0818898B2 (ja) | 1996-02-28 |
| MY108707A (en) | 1996-11-30 |
| CN1069298A (zh) | 1993-02-24 |
| FI923611A0 (fi) | 1992-08-12 |
| PL295632A1 (en) | 1993-02-22 |
| US5178720A (en) | 1993-01-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH05194077A (ja) | 単結晶シリコンロッドの製法 | |
| JP5344822B2 (ja) | 成長するシリコン結晶のメルト−固体界面形状の可変磁界を用いる制御 | |
| US20100101485A1 (en) | Manufacturing method of silicon single crystal | |
| KR100798594B1 (ko) | 실리콘 단결정의 인상 방법 | |
| EP0781876B1 (en) | Method and apparatus for production of single crystal | |
| KR100204522B1 (ko) | 단결정 성장방법 및 그 장치 | |
| JP4710247B2 (ja) | 単結晶製造装置及び方法 | |
| KR20100028798A (ko) | 선택적 자기 차폐를 이용한 반도체 단결정 제조장치 및 제조방법 | |
| JP3132412B2 (ja) | 単結晶引き上げ方法 | |
| JP4045666B2 (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
| JP2000239096A (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
| KR100221087B1 (ko) | 실리콘 단결정 성장 방법 및 실리콘 단결정 | |
| JPH11335198A (ja) | シリコン単結晶ウェ―ハおよびその製造方法 | |
| JPH0250077B2 (ja) | ||
| JPH07109195A (ja) | 結晶成長装置及び結晶成長方法 | |
| JP2005306669A (ja) | シリコン単結晶の引上げ装置及びその方法 | |
| JPH08333189A (ja) | 結晶引き上げ装置 | |
| JP2000239097A (ja) | 半導体用シリコン単結晶の引上げ方法 | |
| JP2001261493A (ja) | 高品質シリコン単結晶の製造装置 | |
| JPH09227279A (ja) | 単結晶育成方法 | |
| JPH0543377A (ja) | シリコン単結晶棒の成長方法 | |
| KR20070075429A (ko) | 실리콘 단결정 잉곳의 산소농도 조절방법, 이를 사용하여제조된 잉곳 | |
| JP2001122689A (ja) | 単結晶引き上げ装置 | |
| JPH10279380A (ja) | 単結晶引き上げ方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19971021 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090228 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090228 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100228 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100228 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110228 Year of fee payment: 15 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120228 Year of fee payment: 16 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130228 Year of fee payment: 17 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130228 Year of fee payment: 17 |