JPS6081086A - 単結晶の成長方法および装置 - Google Patents
単結晶の成長方法および装置Info
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- JPS6081086A JPS6081086A JP18794083A JP18794083A JPS6081086A JP S6081086 A JPS6081086 A JP S6081086A JP 18794083 A JP18794083 A JP 18794083A JP 18794083 A JP18794083 A JP 18794083A JP S6081086 A JPS6081086 A JP S6081086A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- melt
- magnetic field
- molten body
- crucible
- Prior art date
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/30—Mechanisms for rotating or moving either the melt or the crystal
- C30B15/305—Stirring of the melt
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は導電性の物質を加熱して溶融し、その融体から
単結晶を引上げ成長させる方法および装置に関する。
単結晶を引上げ成長させる方法および装置に関する。
融体から単結晶を引上げ成長させる方法の代表・的なも
のはチョクラルスキー法である。この方法では、ルツボ
内で単結晶材料を加熱溶融すると。
のはチョクラルスキー法である。この方法では、ルツボ
内で単結晶材料を加熱溶融すると。
ルツボも一部溶融しルツボを構成する物質が融体内に混
入することは避けられない。
入することは避けられない。
たとえば石英ルツボで高純度の多結晶シリコンを溶融し
、シリコン単結晶を引上げ成長させる場合には、ルツボ
の酸素が融体内に混入し、これが結晶界面に運ばれて成
長する単結晶中にとりこま位の発生・増殖ン抑制し、ま
た酸素の析出により半導体基板表面の汚染不純物ｖＢ収
する働きがあるため有用な不純物とされている。
、シリコン単結晶を引上げ成長させる場合には、ルツボ
の酸素が融体内に混入し、これが結晶界面に運ばれて成
長する単結晶中にとりこま位の発生・増殖ン抑制し、ま
た酸素の析出により半導体基板表面の汚染不純物ｖＢ収
する働きがあるため有用な不純物とされている。
したがってこの方法による単結晶は、酸素含有竜の少い
フローティングゾーン法による単結晶よりも、ＬＳＩ素
子の製造に多く用いられている。
フローティングゾーン法による単結晶よりも、ＬＳＩ素
子の製造に多く用いられている。
しかしこの酸素も多過ぎると析出による欠陥の発生乞招
きＬ’ＳＩ素子に悪影響を与え、少な過ぎると何ら効果
を示さない。そのためＬＳＩ素子用として良質の単結晶
χ得るためには、適当量の酸素が混入するよう制御され
なければならない。
きＬ’ＳＩ素子に悪影響を与え、少な過ぎると何ら効果
を示さない。そのためＬＳＩ素子用として良質の単結晶
χ得るためには、適当量の酸素が混入するよう制御され
なければならない。
従来、導電性の融体から単結晶全引上げる際に。
垂直または水平に均一の直流磁場を印加して融体の実効
粘性を高め、熱対流によるルツボの溶融を抑制する方法
が公知である（日本特開昭５６−４５８８９および特開
昭５７−１４９８９４． ）。しかしこれらの方法では
、融体全体に均一な一定方向の磁場を印加するが、融液
の動く方向は場所により異なるので、抑制力が有効に働
くのは一部分であり、全体として融液の熱対流を効果的
に抑制するには相当に強い磁場を発生しなければならず
、たとえば直径１００期の単結晶を成長させる場合に、
水平磁場では１５００ガウス以上の磁束密度乞要し、し
たがって２０トン以上の磁場装置を設けなければならな
い。また垂直磁場では１０００ガウス以上の磁束密度で
２トン以上の磁場装置となる。
粘性を高め、熱対流によるルツボの溶融を抑制する方法
が公知である（日本特開昭５６−４５８８９および特開
昭５７−１４９８９４． ）。しかしこれらの方法では
、融体全体に均一な一定方向の磁場を印加するが、融液
の動く方向は場所により異なるので、抑制力が有効に働
くのは一部分であり、全体として融液の熱対流を効果的
に抑制するには相当に強い磁場を発生しなければならず
、たとえば直径１００期の単結晶を成長させる場合に、
水平磁場では１５００ガウス以上の磁束密度乞要し、し
たがって２０トン以上の磁場装置を設けなければならな
い。また垂直磁場では１０００ガウス以上の磁束密度で
２トン以上の磁場装置となる。
今後シリコン単結晶の直径は増大する傾向にあるので、
磁場印加のための装Ｗはますます巨大化し、工業上甚だ
取扱いにくいものとなる。加えて従来の均一磁場を用い
た方法では融体内の熱対流が融体全体にわたって抑制さ
れるため、ヒーターの発熱むらが結晶成長に直接悪影響
を与える。このため均一磁場の結晶成長に対する効果全
十分に発揮させるためには、ヒーター自体の改造が必要
となり、かつ制御も複雑になってしま）（特開昭５６−
１０４７９５）。
磁場印加のための装Ｗはますます巨大化し、工業上甚だ
取扱いにくいものとなる。加えて従来の均一磁場を用い
た方法では融体内の熱対流が融体全体にわたって抑制さ
れるため、ヒーターの発熱むらが結晶成長に直接悪影響
を与える。このため均一磁場の結晶成長に対する効果全
十分に発揮させるためには、ヒーター自体の改造が必要
となり、かつ制御も複雑になってしま）（特開昭５６−
１０４７９５）。
次にルツボの溶融を効率良く調節する上からは融体全体
にわたって強い磁場を印加しな（とも、ルツボ壁近くの
みに磁場を印加することで十分にその目的？達し得るし
、結晶成長界面付近のヒーターの発熱むらの問題は結晶
成長界面付近で磁場に依る効果を無くしたり、対流の方
向全制御する方法でも十分に解決できる。
にわたって強い磁場を印加しな（とも、ルツボ壁近くの
みに磁場を印加することで十分にその目的？達し得るし
、結晶成長界面付近のヒーターの発熱むらの問題は結晶
成長界面付近で磁場に依る効果を無くしたり、対流の方
向全制御する方法でも十分に解決できる。
これらのことから、融体内にはそれぞれの場所毎に結晶
成長に合った形で適当な磁場ン印加することは非常に有
効であり、かつこの方法によれば現有結晶成長装置の改
造は最少限で済む。
成長に合った形で適当な磁場ン印加することは非常に有
効であり、かつこの方法によれば現有結晶成長装置の改
造は最少限で済む。
本発明は均一磁場の際装置の改造乞伴う欠点を除き、装
置の巨大化、複雑化をふせぎ、単結晶の品質の均一化を
はかること奢目的とするものであって、＄１の発明は導
電性を有する物質の融体から単結晶を引上げる単結晶の
成長方法において、融体内の各部に磁界の強さおよび方
向の異なる磁場を印加することｔ特徴とする単結晶の成
長方法に関し、第２の発明は上記方法？実施する装置に
関するものである。
置の巨大化、複雑化をふせぎ、単結晶の品質の均一化を
はかること奢目的とするものであって、＄１の発明は導
電性を有する物質の融体から単結晶を引上げる単結晶の
成長方法において、融体内の各部に磁界の強さおよび方
向の異なる磁場を印加することｔ特徴とする単結晶の成
長方法に関し、第２の発明は上記方法？実施する装置に
関するものである。
これによりＬＳＩ素子用としてすぐれた単結晶を成長さ
せることができる。 ・ 以下に不発明を肉面に暴いて詳細に説明する。
せることができる。 ・ 以下に不発明を肉面に暴いて詳細に説明する。
第１因はチョクラルスキー法の単結晶成長装置に結晶成
長方向に平行な磁場を加える従来の装置のうち、縦磁場
乞利用した装置の縦断面肉である。
長方向に平行な磁場を加える従来の装置のうち、縦磁場
乞利用した装置の縦断面肉である。
この装置を使用する方法ではルツボ１の中に高純度の多
結晶の半導体材料を入れ、これ全ヒーター２によって加
熱溶融し融体６をつくる。七から種結晶４を支持した支
持体５を降下させ、融体表面に一旦接触させた後回転さ
せながら引上げると単結晶６が成長する。このときヒー
ター２の外側に設けた円筒状のソレノイドコイル７によ
り、結晶成長方向に平行に均一の直流磁場を加えろと、
磁気力線８が垂直に貫き融体の実効粘性が増し融体全体
の熱対流がおさえられる。
結晶の半導体材料を入れ、これ全ヒーター２によって加
熱溶融し融体６をつくる。七から種結晶４を支持した支
持体５を降下させ、融体表面に一旦接触させた後回転さ
せながら引上げると単結晶６が成長する。このときヒー
ター２の外側に設けた円筒状のソレノイドコイル７によ
り、結晶成長方向に平行に均一の直流磁場を加えろと、
磁気力線８が垂直に貫き融体の実効粘性が増し融体全体
の熱対流がおさえられる。
これに対し本発明は融体内の各場所に適当な磁場Ｚ印加
するという原則にのっとり第２図にｍ個ｆ 示ス装置α
乞使用するものであって、ヒーター２の外側のソレノイ
ドコイルを複数個たとえば１０個に分割してコイル集合
体１０とし、各コイルにそれぞれ独立に異なった大きさ
と方向の電流を流す。すると嘲体内の各部にはそれぞれ
異なった磁界の方向と大きさの磁場が印加される。矢印
８は磁力線の方向の一例！示すが、この磁力線の方向は
各コイルの電流によって十分満足できる程度に変えるこ
とができる。たとえば第３図（ａｌはソレノイドコイル
を２０段に分割し、３〜５番のコイルと１１〜２０番の
コイルの電流の方向を逆にした時の融体内の各場所の磁
界乞ベクトルで示したものであり、第３図１ｂｌは１〜
９番のコイルと１３〜２０番のコイルの電流を逆にした
場合の磁界をベクトルで示したものである。また第４図
はソレノイドコイル１２の近傍にヨーク１３を設けたと
きの磁力線の方向を示し、第５図は４極の電磁石１４．
１５，１６．１７がそれらの中心軸を水平に設けられた
時の磁力線の方向７示す。
するという原則にのっとり第２図にｍ個ｆ 示ス装置α
乞使用するものであって、ヒーター２の外側のソレノイ
ドコイルを複数個たとえば１０個に分割してコイル集合
体１０とし、各コイルにそれぞれ独立に異なった大きさ
と方向の電流を流す。すると嘲体内の各部にはそれぞれ
異なった磁界の方向と大きさの磁場が印加される。矢印
８は磁力線の方向の一例！示すが、この磁力線の方向は
各コイルの電流によって十分満足できる程度に変えるこ
とができる。たとえば第３図（ａｌはソレノイドコイル
を２０段に分割し、３〜５番のコイルと１１〜２０番の
コイルの電流の方向を逆にした時の融体内の各場所の磁
界乞ベクトルで示したものであり、第３図１ｂｌは１〜
９番のコイルと１３〜２０番のコイルの電流を逆にした
場合の磁界をベクトルで示したものである。また第４図
はソレノイドコイル１２の近傍にヨーク１３を設けたと
きの磁力線の方向を示し、第５図は４極の電磁石１４．
１５，１６．１７がそれらの中心軸を水平に設けられた
時の磁力線の方向７示す。
このように本発明は、ソレノイドコイルならびにヨーク
の数と配置およびソレノイドコイルに流す電流の大きさ
と方向の様々な組合せにより、融体内の各場所に必要な
磁場を十分満足できる程度に発生させて印加し、品質が
均一なＬＳＩ素子としてすぐれた単結晶を成長させるこ
とができる。
の数と配置およびソレノイドコイルに流す電流の大きさ
と方向の様々な組合せにより、融体内の各場所に必要な
磁場を十分満足できる程度に発生させて印加し、品質が
均一なＬＳＩ素子としてすぐれた単結晶を成長させるこ
とができる。
しかも磁場による融液の動きの抑制は磁界の方向全調節
するため多くの場所において荷動に働き、したがって磁
界の強さとしてはたかだか４００ガウスの磁束密度で十
分目的は達せられ、磁場発生装置の巨大化は避けられる
。
するため多くの場所において荷動に働き、したがって磁
界の強さとしてはたかだか４００ガウスの磁束密度で十
分目的は達せられ、磁場発生装置の巨大化は避けられる
。
またチョクラルスキー法では引上結晶の成長につれて融
体の表面が下降するが、これに対しては第２図（＝示す
ように、多段コイル１０の移動機構１８によってコイル
の位置を結晶の成長方向に調節し、常に融体に最適の磁
場を印加することができる。
体の表面が下降するが、これに対しては第２図（＝示す
ように、多段コイル１０の移動機構１８によってコイル
の位置を結晶の成長方向に調節し、常に融体に最適の磁
場を印加することができる。
第１図は公知の垂直磁場を加えるチョクラルスキー法に
よる装置の縦断面図であり、第２図は本発明の改良され
たチョクラルスキー法による装置の縦断面図であり、第
３図１ａｌ 、 ＋ｂｌは分割したソレノイドコイルに
よる融体内の磁界の一例ン示すベクトル図であり、第４
１閾はソレノイドコイルの近傍にヨーク！設けた時の磁
場の状況χ示す図面であり、第５１図は多極電磁石のう
ち４極電磁石を使用した場合の磁場の状況？示す図面で
ある。 １・・・ルツボ、 ２・・・ヒーター、 ６・・・融体
。 ４・・・種結晶、 ５・・・支持体、６・・・単結晶。 ７・・・ソレノイドコイル、 ８・・・磁力線、９・・
・中心軸、 １０・・・ソレノイドコイルの集合体、１
１・・・絶縁材、１２・・・ソレノイドコイル、１３・
・・ヨーク、 １４・・・４極電磁石の４極部、１５・
・・４極電磁石の電極部。 １６・・・ 〃 １７・・・ 〃 １８・・・駆動１幾構。 特許出願人 信越半導体株式会社 ｆＩｔ軸よりのビ、！！ （Ｃｍｌ →ｆ＋ｃ−寸由よ
・」の珍９發 （ｃｍｌ−；Ｆ−屁、５ネ市ｊ１王基） 昭和５９年１２月２７日 特許庁長官 志 賀 学 殿 ■、小事件表示 昭和５８年特許願第１８７９４．０号 ２、発明の名称 単結晶の成長方法および装置 ３、補正をする者 ４、代理人 ５、補正の対象 明細１８＊Ｅ Ｊ″″′″′図血 ６゜、１．５６、補
正の内容 １）明細書第９頁第１行と第２ｔｊの間に別紙事項を４
１１１人する。 ２）明細書第９頁第１１行の「状況を示す図面である。 」を「状況を示す図面であり、第６図（ａ）は実施例１
において分割コイルに同方向の電流を流した場合の中心
軸よりの距離による酸素濃度分イ１１を示す図面であり
、第６図（ｂ）は実施例１において分割コイルの２．３
番に１番と逆方向の電流を流した場合の中心軸よりの距
離による酸素濃度分イ１】を示す図面であり、第７図は
実施例２においてルツボの回転数に対する酸素濃度分布
を示す図面である。」ど補ｊ「する。 ３）第６図（ａ）、（ｂ）および第７図を別紙のとおり
追加する。 （別紙） 実施例 １ ：（段に分割したソレノイドコイルを、チョタラルスキ
ー法屯結晶成長装置（国際電気製ＤＰ−３０１０Ｖ）の
炉体部を囲んで設け、各コイルに３００１’ｌの電流を
流してシリコンＶｄ’、体に磁場を加え、中結晶を製造
した。引上げた’ｌ’Ａ？ｉ品の中心軸よりの′Ａｊｔ
ｒｉｔによる酸素濃瓜の分イＩＩを赤外θミで４１１定
し、その結果を第６図に示す。同図（ａ）はずへての分
割コイルに同方向の電流を流した場合であり、（ｂ）は
２、；（番のコイルに１番のコイルと逆ツノ゛向の電流
を流した場合である。（ｚｌ）の場合は結晶周辺から中
心＋１１＋に向って酸素濃度が増加しているか、（［〕
）の場合は均一にしかも低濃度に抑制されていることが
わかる。 実施例２ 実施例Ｉの（ｂ）の場合と回し条件で、ルツボの回転数
による長さ方向の酸素Ｉ負度分布をＢ１１１定した。 種結晶の回転数は３Ｏｒｐｍに固定し、ルツボの回転数
は種結晶と逆方向（負号で示す）に−２０，−ＩＱ、−
２および同方向に］ Ｏｒ ｐ ｍの４種ｊｆｉ ｋ
這んた。このｌ）”ｌ’！果を第７図に示す。これによ
ると、ｉφ方向回転の場合、回転数によって酸素１１度
が、）としく変化していることがわかる。 上記２つの実施例から明らかなようｔこ、本発明によれ
ば、分割ソレノイドコイルの電流の大きさと方向を調１
ｆして各部の磁界の強さと入ｃ′：さを変えることによ
り、引上単結晶のＭ Ｊ製織を低くかつ中心軸に垂直な
面内で均一に抑えることも、また結晶回転数を調節して
酸素濃度を広範囲に制御することもできる。 実施例では酸素にのみ着１」シたが、本発明によ」しば
、ルツボから溶出するであろう酸素以外の不純物による
結晶の品質劣化をふせぎ、またへ・型、１ノ型用不純物
を添加する場合には、同時に均一な添加を行うことも＋
ｊ（能である。このようにして良なりな超１．ｓ［索子
のためのシリコン゛Ｖ、導体月利用Ｑ５． 結晶をＷ
ｌｆｆ１することができる。 また、本発明はシリコンに限定することな（、（ｒＵＰ
、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰその他各種の組み合せの化合物
゛１４専体］１１結晶あるいは酸化物１”ｆ’Ｆ体’ｌ
、ｔｌ’を品に対しても有効である。 第６図 （ａ） 中ｎ；Ｉ／＃＋ｊソＣ’７ＮＩｌｌｔＴｍｍ）（ｂ） ４Ｇ−５０−４０−３０４０−ｔｏ Ｏｔｏ ２０ ３
０ ４０ ６０ １１１０１へυ′軸よりｆ）饗巨島虻
（ｍｍ＋
よる装置の縦断面図であり、第２図は本発明の改良され
たチョクラルスキー法による装置の縦断面図であり、第
３図１ａｌ 、 ＋ｂｌは分割したソレノイドコイルに
よる融体内の磁界の一例ン示すベクトル図であり、第４
１閾はソレノイドコイルの近傍にヨーク！設けた時の磁
場の状況χ示す図面であり、第５１図は多極電磁石のう
ち４極電磁石を使用した場合の磁場の状況？示す図面で
ある。 １・・・ルツボ、 ２・・・ヒーター、 ６・・・融体
。 ４・・・種結晶、 ５・・・支持体、６・・・単結晶。 ７・・・ソレノイドコイル、 ８・・・磁力線、９・・
・中心軸、 １０・・・ソレノイドコイルの集合体、１
１・・・絶縁材、１２・・・ソレノイドコイル、１３・
・・ヨーク、 １４・・・４極電磁石の４極部、１５・
・・４極電磁石の電極部。 １６・・・ 〃 １７・・・ 〃 １８・・・駆動１幾構。 特許出願人 信越半導体株式会社 ｆＩｔ軸よりのビ、！！ （Ｃｍｌ →ｆ＋ｃ−寸由よ
・」の珍９發 （ｃｍｌ−；Ｆ−屁、５ネ市ｊ１王基） 昭和５９年１２月２７日 特許庁長官 志 賀 学 殿 ■、小事件表示 昭和５８年特許願第１８７９４．０号 ２、発明の名称 単結晶の成長方法および装置 ３、補正をする者 ４、代理人 ５、補正の対象 明細１８＊Ｅ Ｊ″″′″′図血 ６゜、１．５６、補
正の内容 １）明細書第９頁第１行と第２ｔｊの間に別紙事項を４
１１１人する。 ２）明細書第９頁第１１行の「状況を示す図面である。 」を「状況を示す図面であり、第６図（ａ）は実施例１
において分割コイルに同方向の電流を流した場合の中心
軸よりの距離による酸素濃度分イ１１を示す図面であり
、第６図（ｂ）は実施例１において分割コイルの２．３
番に１番と逆方向の電流を流した場合の中心軸よりの距
離による酸素濃度分イ１】を示す図面であり、第７図は
実施例２においてルツボの回転数に対する酸素濃度分布
を示す図面である。」ど補ｊ「する。 ３）第６図（ａ）、（ｂ）および第７図を別紙のとおり
追加する。 （別紙） 実施例 １ ：（段に分割したソレノイドコイルを、チョタラルスキ
ー法屯結晶成長装置（国際電気製ＤＰ−３０１０Ｖ）の
炉体部を囲んで設け、各コイルに３００１’ｌの電流を
流してシリコンＶｄ’、体に磁場を加え、中結晶を製造
した。引上げた’ｌ’Ａ？ｉ品の中心軸よりの′Ａｊｔ
ｒｉｔによる酸素濃瓜の分イＩＩを赤外θミで４１１定
し、その結果を第６図に示す。同図（ａ）はずへての分
割コイルに同方向の電流を流した場合であり、（ｂ）は
２、；（番のコイルに１番のコイルと逆ツノ゛向の電流
を流した場合である。（ｚｌ）の場合は結晶周辺から中
心＋１１＋に向って酸素濃度が増加しているか、（［〕
）の場合は均一にしかも低濃度に抑制されていることが
わかる。 実施例２ 実施例Ｉの（ｂ）の場合と回し条件で、ルツボの回転数
による長さ方向の酸素Ｉ負度分布をＢ１１１定した。 種結晶の回転数は３Ｏｒｐｍに固定し、ルツボの回転数
は種結晶と逆方向（負号で示す）に−２０，−ＩＱ、−
２および同方向に］ Ｏｒ ｐ ｍの４種ｊｆｉ ｋ
這んた。このｌ）”ｌ’！果を第７図に示す。これによ
ると、ｉφ方向回転の場合、回転数によって酸素１１度
が、）としく変化していることがわかる。 上記２つの実施例から明らかなようｔこ、本発明によれ
ば、分割ソレノイドコイルの電流の大きさと方向を調１
ｆして各部の磁界の強さと入ｃ′：さを変えることによ
り、引上単結晶のＭ Ｊ製織を低くかつ中心軸に垂直な
面内で均一に抑えることも、また結晶回転数を調節して
酸素濃度を広範囲に制御することもできる。 実施例では酸素にのみ着１」シたが、本発明によ」しば
、ルツボから溶出するであろう酸素以外の不純物による
結晶の品質劣化をふせぎ、またへ・型、１ノ型用不純物
を添加する場合には、同時に均一な添加を行うことも＋
ｊ（能である。このようにして良なりな超１．ｓ［索子
のためのシリコン゛Ｖ、導体月利用Ｑ５． 結晶をＷ
ｌｆｆ１することができる。 また、本発明はシリコンに限定することな（、（ｒＵＰ
、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰその他各種の組み合せの化合物
゛１４専体］１１結晶あるいは酸化物１”ｆ’Ｆ体’ｌ
、ｔｌ’を品に対しても有効である。 第６図 （ａ） 中ｎ；Ｉ／＃＋ｊソＣ’７ＮＩｌｌｔＴｍｍ）（ｂ） ４Ｇ−５０−４０−３０４０−ｔｏ Ｏｔｏ ２０ ３
０ ４０ ６０ １１１０１へυ′軸よりｆ）饗巨島虻
（ｍｍ＋
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、導電性を有する物質の融体から単結晶を引上げる単
結晶の成長方法において、融体内の各部に磁界の強さお
よび方向の異なる磁場を印加することを特徴とする単結
晶の成長方法。 ２ 導電性を有する物質の融体から単結晶を引上げる単
結晶の成長装置において、融体内の各部に磁界の強さお
よび方向の異なる磁場を印加する装置ン備えていること
？特徴とする単結晶の成長装置。 ３、前記の磁場乞印加する装置が、単結晶の成長方向に
移動可能な複数個のソレノイドコイルあるいはその近傍
にヨークを有するソレノイドコイルまたは多極構フ蚕磁
石であること乞特徴とする特許請求の範囲第２項記載の
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18794083A JPS6081086A (ja) | 1983-10-07 | 1983-10-07 | 単結晶の成長方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18794083A JPS6081086A (ja) | 1983-10-07 | 1983-10-07 | 単結晶の成長方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6081086A true JPS6081086A (ja) | 1985-05-09 |
Family
ID=16214834
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18794083A Pending JPS6081086A (ja) | 1983-10-07 | 1983-10-07 | 単結晶の成長方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6081086A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61286294A (ja) * | 1985-06-07 | 1986-12-16 | Toshiba Corp | 単結晶引上装置 |
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