JPS63242991A - 結晶径制御方法 - Google Patents
結晶径制御方法Info
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- JPS63242991A JPS63242991A JP62078387A JP7838787A JPS63242991A JP S63242991 A JPS63242991 A JP S63242991A JP 62078387 A JP62078387 A JP 62078387A JP 7838787 A JP7838787 A JP 7838787A JP S63242991 A JPS63242991 A JP S63242991A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/20—Controlling or regulating
- C30B15/22—Stabilisation or shape controlling of the molten zone near the pulled crystal; Controlling the section of the crystal
- C30B15/26—Stabilisation or shape controlling of the molten zone near the pulled crystal; Controlling the section of the crystal using television detectors; using photo or X-ray detectors
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、チョクラルスキー法により製造される単結晶
の径を制御する結晶径制御方法に関する。
の径を制御する結晶径制御方法に関する。
[従来の技術]
結晶径の変化率が所定値を越えると転位が生ずる原因と
なる。
なる。
そこで、従来では、結晶の引上速度及び融液温度を調節
して結晶径を制御していた(特開昭55−130895
)。
して結晶径を制御していた(特開昭55−130895
)。
[発明が解決しようとする問題点]
しかし、結晶の引上速度を調節した場合、連応性がある
ものの、結晶欠陥や転位が発生し易い。
ものの、結晶欠陥や転位が発生し易い。
一方、融液温度の調節は、むだ時間や時定数が大きいの
で、連応性に欠け、コーン部結晶成長時には安定な制御
を行うことが困難である。
で、連応性に欠け、コーン部結晶成長時には安定な制御
を行うことが困難である。
本発明は、上記問題点に鑑み、連応性がありしかも安定
度の高い結晶径制御を行うことができ、かつ、結晶欠陥
や転位が生ずるのを防止できる結晶径制御方法を提供す
ることにある。
度の高い結晶径制御を行うことができ、かつ、結晶欠陥
や転位が生ずるのを防止できる結晶径制御方法を提供す
ることにある。
[問題点を解決するための手段]
本発明では、チョクラルスキー法により製造される単結
晶の径を制御する結晶径制御方法において、 坩堝内の融液温度及び坩堝回転速度を調節して単結晶の
コーン部結晶径を制御し、コーン部結晶径が直胴部結晶
径に近付くにつれて坩堝回転速度の調節幅を狭くしてい
き、直胴部で坩堝回転速度を一定にすることを特徴とし
ている。
晶の径を制御する結晶径制御方法において、 坩堝内の融液温度及び坩堝回転速度を調節して単結晶の
コーン部結晶径を制御し、コーン部結晶径が直胴部結晶
径に近付くにつれて坩堝回転速度の調節幅を狭くしてい
き、直胴部で坩堝回転速度を一定にすることを特徴とし
ている。
[実施例]
図面に基づいて本発明の好適な一実施例を説明する。
第1図に示す如く、グラフフィト坩堝IOに嵌入された
石英坩堝12には多結晶シリコンが収容され、グラファ
イト坩堝IOを囲繞するヒータI4により過熱熔融され
て融液16°となる。このヒータ14は断熱材!8に囲
まれ、これらはアルゴンガスが流入される容器20内に
配設されている。
石英坩堝12には多結晶シリコンが収容され、グラファ
イト坩堝IOを囲繞するヒータI4により過熱熔融され
て融液16°となる。このヒータ14は断熱材!8に囲
まれ、これらはアルゴンガスが流入される容器20内に
配設されている。
坩堝10,12は坩堝移動軸22を介してモータ24に
上り回転される。
上り回転される。
融液16の上方には結晶引上軸26が垂下され、結晶引
上軸26の下端には種ホルダ28を介して種結晶30が
取り付けられており、結晶引上軸26を降下させて種結
晶30の下端を融液I6内に浸漬させ、結晶引上軸26
を徐々に引き上げることにより、単結晶32が絞り部、
コーン部32A。
上軸26の下端には種ホルダ28を介して種結晶30が
取り付けられており、結晶引上軸26を降下させて種結
晶30の下端を融液I6内に浸漬させ、結晶引上軸26
を徐々に引き上げることにより、単結晶32が絞り部、
コーン部32A。
ショルダ一部32B1直胴部32Gの順に成長する。こ
の結晶引上軸26はモータ34により昇降される。結晶
引上軸26及び坩堝移動軸22は石英坩堝12の回転対
称軸に一致している。
の結晶引上軸26はモータ34により昇降される。結晶
引上軸26及び坩堝移動軸22は石英坩堝12の回転対
称軸に一致している。
なお、第1図では、簡単化のために、結晶引上軸26の
回転用モータ及び坩堝移動軸22の昇降用モータが省略
されている。
回転用モータ及び坩堝移動軸22の昇降用モータが省略
されている。
容器20の上方には、該容器20に設けられたガラス窓
36に対向して工業用テレビカメラ38が配設されてお
り、そのビデオ信号が直径計測器40へ供給されて、単
結晶32と融液I6との界面に形成された輝環42の直
径、すなわち単結晶32の融液I6との界面における直
径が計測される。
36に対向して工業用テレビカメラ38が配設されてお
り、そのビデオ信号が直径計測器40へ供給されて、単
結晶32と融液I6との界面に形成された輝環42の直
径、すなわち単結晶32の融液I6との界面における直
径が計測される。
また、容器20の下部側面に設けられたガラス窓44に
対向して放射温度計48が配設されており、断熱材18
の側面に形成された凹部46の温度が検出され、間接的
に融液16の温度が検出される。
対向して放射温度計48が配設されており、断熱材18
の側面に形成された凹部46の温度が検出され、間接的
に融液16の温度が検出される。
結晶径の制御を行うマイクロコンピュータ50は、CP
U52、ROM 54、RAM56、人力ボート58及
び出力ポートロ0を備えて周知の如く構成されており、
CPU52は、ROM54にごき込まれたプログラムに
従って、入力ボート58を介し、直径計測器40から1
m結品32の直径りを読み込み、A/D変換器62から
融液16の温度Tを間接的に読み込み、さらに、設定器
64により設定される直胴部32の目標直径D0を読み
込む。
U52、ROM 54、RAM56、人力ボート58及
び出力ポートロ0を備えて周知の如く構成されており、
CPU52は、ROM54にごき込まれたプログラムに
従って、入力ボート58を介し、直径計測器40から1
m結品32の直径りを読み込み、A/D変換器62から
融液16の温度Tを間接的に読み込み、さらに、設定器
64により設定される直胴部32の目標直径D0を読み
込む。
ここで、ROM54には単結晶32のコーン部32Aの
直径変化率の目標値を算出する式が書き込まれており、
該算出式に用いられる定数は、前記目標直径D0により
決定される。また、It OM54には、第3図に示す
ような坩堝回転速度の上限値と下限値を算出する式が書
き込まれている。
直径変化率の目標値を算出する式が書き込まれており、
該算出式に用いられる定数は、前記目標直径D0により
決定される。また、It OM54には、第3図に示す
ような坩堝回転速度の上限値と下限値を算出する式が書
き込まれている。
この上下限値は、時間の経過とともに直胴部における坩
堝回転速度の目標値(一定)に収束する。
堝回転速度の目標値(一定)に収束する。
CPU52は、ROM54に書き込まれたこれらの算出
式を用い、RAM56との間でデータの授受を行って演
算処理し、ヒータ14への電力供給量及びモータ24の
目標回転速度を算出して出力ポートロ0へ操作信号を出
力し、駆動回路66を介してヒータI4及びモータ24
を制御する。
式を用い、RAM56との間でデータの授受を行って演
算処理し、ヒータ14への電力供給量及びモータ24の
目標回転速度を算出して出力ポートロ0へ操作信号を出
力し、駆動回路66を介してヒータI4及びモータ24
を制御する。
なお、モータ34の回転速度は、結晶成長時には一定で
ある。
ある。
ここで、石英坩堝12の回転速度を速くすると、融液1
6の上面中央部の温度は上面周辺部の温度よりも低くな
り、単結晶32の成長速度が速くなる。この石英坩堝1
2の回転速度の変化に対する単結晶32の成長速度の応
答は速いが、ヒータ14への供給電力の変化に対する単
結晶32の成長速度の応答は遅い。一方、単結晶32に
取り込まれる酸素の量は石英坩堝12の回転速度に依存
するので、直胴部34Cの成長時には石英坩堝12の回
転速度を一定にして成長結晶を均質にする必要がある。
6の上面中央部の温度は上面周辺部の温度よりも低くな
り、単結晶32の成長速度が速くなる。この石英坩堝1
2の回転速度の変化に対する単結晶32の成長速度の応
答は速いが、ヒータ14への供給電力の変化に対する単
結晶32の成長速度の応答は遅い。一方、単結晶32に
取り込まれる酸素の量は石英坩堝12の回転速度に依存
するので、直胴部34Cの成長時には石英坩堝12の回
転速度を一定にして成長結晶を均質にする必要がある。
そこで、コーン部32Aの径が小さい時には、結晶径制
御における石英坩堝12の回転制御の寄与を大きくして
連応性をもたせ、コーン部32Aの径が直胴部32Gの
径に近付くにつれて、石英坩堝I2の回転速度の変化よ
りもヒータ14の寄与を大きくする。このようにして、
製品として利用されないコーン$32Aの体積を小さく
することが可能となるとともに、品質の良い直胴部の結
晶径制御に移行させることができる。
御における石英坩堝12の回転制御の寄与を大きくして
連応性をもたせ、コーン部32Aの径が直胴部32Gの
径に近付くにつれて、石英坩堝I2の回転速度の変化よ
りもヒータ14の寄与を大きくする。このようにして、
製品として利用されないコーン$32Aの体積を小さく
することが可能となるとともに、品質の良い直胴部の結
晶径制御に移行させることができる。
次に、マイクロコンピュータ50のソフトウェアの構成
を第2図に基づいて説明する。第2図は、ROM 54
に書き込まれたプログラムに対応した、コーン部形成の
フローチャートである。
を第2図に基づいて説明する。第2図は、ROM 54
に書き込まれたプログラムに対応した、コーン部形成の
フローチャートである。
最初にステップ100で、設定器64を操作して直胴部
直径の目標値り。を設定する。次にステップ+02で、
この目標値り。を読み込み、rtAM56に書き込む。
直径の目標値り。を設定する。次にステップ+02で、
この目標値り。を読み込み、rtAM56に書き込む。
次にステップ104で、ROM54に書き込まれた算出
式に従って直径変化率の目標値及び坩堝回転速度の上下
限値を算出する。
式に従って直径変化率の目標値及び坩堝回転速度の上下
限値を算出する。
次にステップ106で、入力ボート58を介して直径計
測器4°0から結晶直径りを読み込み、RAM56に書
き込む。
測器4°0から結晶直径りを読み込み、RAM56に書
き込む。
次にステップ108で、RAM56に書き込まれている
今回、前回及び萌々回の結晶直径りの値から結晶直径り
の一次微分係数及び二次微分係数を算出する。
今回、前回及び萌々回の結晶直径りの値から結晶直径り
の一次微分係数及び二次微分係数を算出する。
次にステップ110で、ステップ104及びステップ1
08において算出した値を用いてP(比例)D(@分)
動作の操作量を算出し、この操作量に応じた融液温度の
目標値を算出する。すなわち、カスケード設定を行う。
08において算出した値を用いてP(比例)D(@分)
動作の操作量を算出し、この操作量に応じた融液温度の
目標値を算出する。すなわち、カスケード設定を行う。
次にステップ112で、A/D変換器62から間接的に
融液温度Tを読み取り、該温度が前記目標温度になるよ
うヒータ14へ電力を供給して融液16の温度調節を行
う。
融液温度Tを読み取り、該温度が前記目標温度になるよ
うヒータ14へ電力を供給して融液16の温度調節を行
う。
次にステップ114で、ステップ104及びステップ1
08において算出した値を用いてP動作の操作量を算出
し、これに応じた坩堝回転速度の目標値Vを算出する。
08において算出した値を用いてP動作の操作量を算出
し、これに応じた坩堝回転速度の目標値Vを算出する。
すなわちカスケード設定をおこなう。
次に■1≦■≦V、である場合には、ステップl16.
118.124へ進み、V<Vlの場合にはステップ1
16.120で■をVlとした後ステップ124へ進み
、V>Vtの場合にはステップ116.118.122
へ進んでVをV、とした後ステップ124へ進む。ステ
ップ124では、石英坩堝12の回転速度が■になるよ
うモータ24を駆動する。
118.124へ進み、V<Vlの場合にはステップ1
16.120で■をVlとした後ステップ124へ進み
、V>Vtの場合にはステップ116.118.122
へ進んでVをV、とした後ステップ124へ進む。ステ
ップ124では、石英坩堝12の回転速度が■になるよ
うモータ24を駆動する。
次にステップ104へ戻り、以上の処理を繰り返す。
なお、ステップ110において、坩堝回転速度の上下限
値が収束するに伴い徐々に大きくなって収束時点で1に
なる係数を算出結果に乗じてこれを融液温度の目標値と
することにより、直胴部に近付くにつれて融液温度の調
節側゛合をさらに大きくするようにしてもよい。
値が収束するに伴い徐々に大きくなって収束時点で1に
なる係数を算出結果に乗じてこれを融液温度の目標値と
することにより、直胴部に近付くにつれて融液温度の調
節側゛合をさらに大きくするようにしてもよい。
また、上記実施例では坩堝回転速度の上限値及び下限値
を、コーン部結晶径が直胴部結晶径に近付くにつれて該
上下限値が所定値に収束するように設定する場合を説明
したが、本発明は結晶径が直胴部結晶径に近付くにつれ
て坩堝回転速度の調節幅を狭くするものであればよく、
例えば、坩堝回転速度のゲインを、コーン部結晶径が直
胴部に近付くにつれて小さくするようにしてもよいこと
は勿論である。
を、コーン部結晶径が直胴部結晶径に近付くにつれて該
上下限値が所定値に収束するように設定する場合を説明
したが、本発明は結晶径が直胴部結晶径に近付くにつれ
て坩堝回転速度の調節幅を狭くするものであればよく、
例えば、坩堝回転速度のゲインを、コーン部結晶径が直
胴部に近付くにつれて小さくするようにしてもよいこと
は勿論である。
[発明の効果]
本発明に係る結晶径制御方法では、坩堝内の融液温度及
び坩堝回転速度を調節して単結品のコーン部結晶径を制
御し、コーン部結晶径が直胴部結晶径に近付くにつれて
坩堝回転速度の調節幅を狭くしていくようになっており
、コーン部結晶径が小さい時には結晶径制御における坩
堝回転速度調節の寄与が大きいので、連応性を有し、安
定に結晶径を制御できる、結晶欠陥や転位の発生を防止
できるという優れた効果がある。
び坩堝回転速度を調節して単結品のコーン部結晶径を制
御し、コーン部結晶径が直胴部結晶径に近付くにつれて
坩堝回転速度の調節幅を狭くしていくようになっており
、コーン部結晶径が小さい時には結晶径制御における坩
堝回転速度調節の寄与が大きいので、連応性を有し、安
定に結晶径を制御できる、結晶欠陥や転位の発生を防止
できるという優れた効果がある。
そのうえ、コーン部結晶径が直胴部結晶径に近付くにつ
れて坩堝回転速度の調節幅が狭くなり、直胴部で坩堝回
転速度が一定になるので、良品質の単結晶を得る直胴部
結晶径制御に滑らかに移行することができるという優れ
た効果もある。
れて坩堝回転速度の調節幅が狭くなり、直胴部で坩堝回
転速度が一定になるので、良品質の単結晶を得る直胴部
結晶径制御に滑らかに移行することができるという優れ
た効果もある。
第1図乃至第3図は本発明の一実施例に係り、第1図は
全体構成図、第2図はマイクロコンピュータ50のソフ
トウェア構成を示すフローヂャート、第3図は坩堝回転
数の上下限値を示す線図である。 12・・・石英坩堝 14・・・ヒータ 16・・・融液 32・・・単結晶 38・・・工業用テレビカメラ 48・・・放射温度計 50・・・マイクロコンピュータ 代理人 弁理士 松 本 眞、吉 第2図
全体構成図、第2図はマイクロコンピュータ50のソフ
トウェア構成を示すフローヂャート、第3図は坩堝回転
数の上下限値を示す線図である。 12・・・石英坩堝 14・・・ヒータ 16・・・融液 32・・・単結晶 38・・・工業用テレビカメラ 48・・・放射温度計 50・・・マイクロコンピュータ 代理人 弁理士 松 本 眞、吉 第2図
Claims (3)
- (1)チョクラルスキー法により製造される単結晶の径
を制御する結晶径制御方法において、坩堝内の融液温度
及び坩堝回転速度を調節して単結晶のコーン部結晶径を
制御し、コーン部結晶径が直胴部結晶径に近付くにつれ
て坩堝回転速度の調節幅を狭くしていき、直胴部で坩堝
回転速度を一定にすることを特徴とする結晶径制御方法
。 - (2)前記坩堝回転速度の上限値及び下限値を、コーン
部結晶径が直胴部結晶径に近付くにつれて該上下限値が
所定値に収束するように設定することにより、前記調節
幅を狭くしていくことを特徴とする特許請求の範囲第1
項記載の結晶径制御方法。 - (3)前記坩堝回転速度のゲインを、コーン部結晶径が
直胴部に近付くにつれて小さくすることにより、前記調
節幅を狭くしていくことを特徴とする特許請求の範囲第
1項記載の結晶径制御方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62078387A JPS63242991A (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 結晶径制御方法 |
EP88104931A EP0285943B1 (en) | 1987-03-31 | 1988-03-26 | Crystal diameter controlling method |
DE8888104931T DE3872290T2 (de) | 1987-03-31 | 1988-03-26 | Verfahren zur regelung des kristalldurchmessers. |
US07/174,583 US4973377A (en) | 1987-03-31 | 1988-03-28 | Crystal diameter controlling method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62078387A JPS63242991A (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 結晶径制御方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63242991A true JPS63242991A (ja) | 1988-10-07 |
JPH0438719B2 JPH0438719B2 (ja) | 1992-06-25 |
Family
ID=13660604
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62078387A Granted JPS63242991A (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 結晶径制御方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4973377A (ja) |
EP (1) | EP0285943B1 (ja) |
JP (1) | JPS63242991A (ja) |
DE (1) | DE3872290T2 (ja) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5215620A (en) * | 1989-09-19 | 1993-06-01 | Shin-Etsu Handotai Co. Ltd. | Method for pulling a silicon single crystal by imposing a periodic rotation rate on a constant rotation rate |
US5269875A (en) * | 1989-10-05 | 1993-12-14 | Shin-Etsu Handotai Company, Limited | Method of adjusting concentration of oxygen in silicon single crystal and apparatus for use in the method |
JPH0777999B2 (ja) * | 1989-11-24 | 1995-08-23 | 信越半導体株式会社 | アンチモンドープ単結晶シリコンの育成方法 |
JP2601930B2 (ja) * | 1990-03-29 | 1997-04-23 | 信越半導体株式会社 | 単結晶ネツク部直径制御方法及び装置 |
FI911856A (fi) * | 1990-04-27 | 1991-10-28 | Nippon Kokan Kk | Foerfarande och apparat foer bestaemning av diametern hos en enskild silikonkristall. |
FI911857A (fi) * | 1990-04-27 | 1991-10-28 | Nippon Kokan Kk | Foerfarande och apparat foer kontroll av diametern hos en enskild silikonkristall. |
JPH0663824B2 (ja) * | 1990-04-29 | 1994-08-22 | 信越半導体株式会社 | 湯面振動測定方法及び装置 |
JPH0431386A (ja) * | 1990-05-25 | 1992-02-03 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体単結晶引上方法 |
JP2546736B2 (ja) * | 1990-06-21 | 1996-10-23 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶引上方法 |
JPH0777996B2 (ja) * | 1990-10-12 | 1995-08-23 | 信越半導体株式会社 | コーン部育成制御方法及び装置 |
JPH0785489B2 (ja) * | 1991-02-08 | 1995-09-13 | 信越半導体株式会社 | 単結晶の直径計測方法 |
US5178720A (en) * | 1991-08-14 | 1993-01-12 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method for controlling oxygen content of silicon crystals using a combination of cusp magnetic field and crystal and crucible rotation rates |
US5501172A (en) * | 1994-03-11 | 1996-03-26 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method of growing silicon single crystals |
JP2966322B2 (ja) * | 1995-02-27 | 1999-10-25 | 三菱マテリアルシリコン株式会社 | シリコン単結晶インゴット及びその製造方法 |
US6226032B1 (en) * | 1996-07-16 | 2001-05-01 | General Signal Corporation | Crystal diameter control system |
US5968263A (en) * | 1998-04-01 | 1999-10-19 | Memc Electronic Materials, Inc. | Open-loop method and system for controlling growth of semiconductor crystal |
JP4567192B2 (ja) | 1998-06-26 | 2010-10-20 | エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド | 結晶成長装置用電気抵抗ヒータ及びその使用方法 |
US6241818B1 (en) | 1999-04-07 | 2001-06-05 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method and system of controlling taper growth in a semiconductor crystal growth process |
US6285011B1 (en) | 1999-10-12 | 2001-09-04 | Memc Electronic Materials, Inc. | Electrical resistance heater for crystal growing apparatus |
US6203611B1 (en) | 1999-10-19 | 2001-03-20 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method of controlling growth of a semiconductor crystal to automatically transition from taper growth to target diameter growth |
US6663709B2 (en) | 2001-06-26 | 2003-12-16 | Memc Electronic Materials, Inc. | Crystal puller and method for growing monocrystalline silicon ingots |
KR101881380B1 (ko) * | 2017-02-06 | 2018-07-24 | 에스케이실트론 주식회사 | 단결정 잉곳 성장 방법 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3621213A (en) * | 1969-11-26 | 1971-11-16 | Ibm | Programmed digital-computer-controlled system for automatic growth of semiconductor crystals |
US4511428A (en) * | 1982-07-09 | 1985-04-16 | International Business Machines Corporation | Method of controlling oxygen content and distribution in grown silicon crystals |
JPS59102896A (ja) * | 1982-11-30 | 1984-06-14 | Toshiba Corp | 単結晶の形状制御方法 |
JPS59116189A (ja) * | 1982-12-22 | 1984-07-04 | Toshiba Corp | 単結晶形状制御方法 |
JPS6033299A (ja) * | 1983-07-29 | 1985-02-20 | Toshiba Corp | 単結晶の製造装置 |
US4710258A (en) * | 1984-11-30 | 1987-12-01 | General Signal Corporation | System for controlling the diameter of a crystal in a crystal growing furnace |
JPH0649631B2 (ja) * | 1986-10-29 | 1994-06-29 | 信越半導体株式会社 | 結晶径測定装置 |
-
1987
- 1987-03-31 JP JP62078387A patent/JPS63242991A/ja active Granted
-
1988
- 1988-03-26 EP EP88104931A patent/EP0285943B1/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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DE3872290T2 (de) | 1993-02-11 |
EP0285943B1 (en) | 1992-06-24 |
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US4973377A (en) | 1990-11-27 |
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