JPH0785489B2 - 単結晶の直径計測方法 - Google Patents
単結晶の直径計測方法Info
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- JPH0785489B2 JPH0785489B2 JP3037894A JP3789491A JPH0785489B2 JP H0785489 B2 JPH0785489 B2 JP H0785489B2 JP 3037894 A JP3037894 A JP 3037894A JP 3789491 A JP3789491 A JP 3789491A JP H0785489 B2 JPH0785489 B2 JP H0785489B2
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- crucible
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- pulling
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01G—WEIGHING
- G01G9/00—Methods of, or apparatus for, the determination of weight, not provided for in groups G01G1/00 - G01G7/00
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/20—Controlling or regulating
- C30B15/22—Stabilisation or shape controlling of the molten zone near the pulled crystal; Controlling the section of the crystal
- C30B15/28—Stabilisation or shape controlling of the molten zone near the pulled crystal; Controlling the section of the crystal using weight changes of the crystal or the melt, e.g. flotation methods
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/08—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring diameters
- G01B11/10—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring diameters of objects while moving
- G01B11/105—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring diameters of objects while moving using photoelectric detection means
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1004—Apparatus with means for measuring, testing, or sensing
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＣＺ法（Czochralski
法）によって多結晶融液から単結晶を引き上げる単結晶
引上装置における単結晶の直径計測方法に関する。
法）によって多結晶融液から単結晶を引き上げる単結晶
引上装置における単結晶の直径計測方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】単結晶引上装置は、チャンバー内に、そ
の中心軸回りに回転駆動されるルツボ、該ルツボの周囲
に配されるヒーター等を収納して構成され、ルツボ内に
投入されたシリコン等の多結晶原料をヒーターによって
加熱して多結晶融液を得、この多結晶融液に、ワイヤー
等の上軸の下端に取り付けられた種結晶を浸漬し、該上
軸を回転させながらこれを所定の速度で引き上げること
によって、種結晶の下に所要の単結晶を成長させる装置
である。
の中心軸回りに回転駆動されるルツボ、該ルツボの周囲
に配されるヒーター等を収納して構成され、ルツボ内に
投入されたシリコン等の多結晶原料をヒーターによって
加熱して多結晶融液を得、この多結晶融液に、ワイヤー
等の上軸の下端に取り付けられた種結晶を浸漬し、該上
軸を回転させながらこれを所定の速度で引き上げること
によって、種結晶の下に所要の単結晶を成長させる装置
である。
【０００３】ところで、引き上げられる単結晶の直径
（融液界面での直径）はイメージセンサー、ＩＴＶ等の
光学センサーによってリアルタイムに計測されるが、単
結晶の直径を正確に計測するには、光学センサーと多結
晶融液面との間の距離が一定に保たれる必要がある。
（融液界面での直径）はイメージセンサー、ＩＴＶ等の
光学センサーによってリアルタイムに計測されるが、単
結晶の直径を正確に計測するには、光学センサーと多結
晶融液面との間の距離が一定に保たれる必要がある。
【０００４】ところが、単結晶引上装置においては、ル
ツボ内の多結晶融液の液面は単結晶の引き上げの進行と
共に下がるため、光学センサーと融液面との間の距離を
一定に保つためには、融液面の低下分だけルツボを上動
せしめる必要があり、このために従来からルツボは上下
動自在に支持され、単結晶引き上げ時には融液面の位置
が一定になるように該ルツボは駆動手段によって所定の
速度で上動せしめられている。
ツボ内の多結晶融液の液面は単結晶の引き上げの進行と
共に下がるため、光学センサーと融液面との間の距離を
一定に保つためには、融液面の低下分だけルツボを上動
せしめる必要があり、このために従来からルツボは上下
動自在に支持され、単結晶引き上げ時には融液面の位置
が一定になるように該ルツボは駆動手段によって所定の
速度で上動せしめられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来、
上記のようなルツボの上動は単結晶の肩部及び直胴部の
引き上げ時のみに実施されており、しかもルツボの上動
速度は引き上げられている単結晶の実際の直径が設定直
径値に等しいとの仮定に基づいて上軸の上動速度と或る
一定比率で連動した速度に設定されているため、実際に
は単結晶のコーン部の引き上げ分に見合うルツボ内での
融液面の低下及び引き上げ時の単結晶の実際の直径と設
定直径値との誤差に起因する融液面の変化が発生し、こ
のために光学センサーと融液面との間の距離が変化し、
光学センサーによる単結晶の直径計測を正確に行なうこ
とができないという問題があった。
上記のようなルツボの上動は単結晶の肩部及び直胴部の
引き上げ時のみに実施されており、しかもルツボの上動
速度は引き上げられている単結晶の実際の直径が設定直
径値に等しいとの仮定に基づいて上軸の上動速度と或る
一定比率で連動した速度に設定されているため、実際に
は単結晶のコーン部の引き上げ分に見合うルツボ内での
融液面の低下及び引き上げ時の単結晶の実際の直径と設
定直径値との誤差に起因する融液面の変化が発生し、こ
のために光学センサーと融液面との間の距離が変化し、
光学センサーによる単結晶の直径計測を正確に行なうこ
とができないという問題があった。
【０００６】本発明は上記問題に鑑みてなされたもの
で、その目的とする処は、単結晶引上装置によって引き
上げられる単結晶の直径を正確に計測することができる
単結晶の直径計測方法を提供することにある。
で、その目的とする処は、単結晶引上装置によって引き
上げられる単結晶の直径を正確に計測することができる
単結晶の直径計測方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成すべく第
１発明は、単結晶引上装置によって引き上げられる単結
晶の直径を光学センサーによって計測する単結晶の直径
計測方法において、単結晶の引上重量を算出し、この引
上重量からルツボ内の湯面変化を算出し、この湯面変化
によって前記光学センサーによる単結晶の直径計測値を
補正するようにしたことを特徴とする。
１発明は、単結晶引上装置によって引き上げられる単結
晶の直径を光学センサーによって計測する単結晶の直径
計測方法において、単結晶の引上重量を算出し、この引
上重量からルツボ内の湯面変化を算出し、この湯面変化
によって前記光学センサーによる単結晶の直径計測値を
補正するようにしたことを特徴とする。
【０００８】又、第２発明は、単結晶引上装置によって
引き上げられる単結晶の直径を光学センサーによって計
測する単結晶の直径計測方法において、単結晶の引上重
量を算出し、この引上重量からルツボ内の湯面変化を算
出し、この湯面変化分だけルツボを上動せしめるように
したことを特徴とする。
引き上げられる単結晶の直径を光学センサーによって計
測する単結晶の直径計測方法において、単結晶の引上重
量を算出し、この引上重量からルツボ内の湯面変化を算
出し、この湯面変化分だけルツボを上動せしめるように
したことを特徴とする。
【０００９】
【作用】第１発明によれば、例えば従来考慮されていな
かった単結晶コーン部の引き上げに伴なうルツボ内での
融液面の位置の低下を算出し、これによって光学センサ
ーによる単結晶の直径計測値を補正するため、計測誤差
が最小限に抑えられ、単結晶の直径を正確に計測するこ
とができる。
かった単結晶コーン部の引き上げに伴なうルツボ内での
融液面の位置の低下を算出し、これによって光学センサ
ーによる単結晶の直径計測値を補正するため、計測誤差
が最小限に抑えられ、単結晶の直径を正確に計測するこ
とができる。
【００１０】又、第２発明によれば、第１発明と同様に
して例えば従来考慮されていなかった単結晶コーン部の
引き上げに伴なうルツボ内での融液面位置の低下を算出
し、この低下分だけルツボを上げるため、光学センサー
と融液面との間の距離が一定に保たれ、第１発明と同様
に単結晶の直径を正確に計測することができる。
して例えば従来考慮されていなかった単結晶コーン部の
引き上げに伴なうルツボ内での融液面位置の低下を算出
し、この低下分だけルツボを上げるため、光学センサー
と融液面との間の距離が一定に保たれ、第１発明と同様
に単結晶の直径を正確に計測することができる。
【００１１】
【実施例】以下に本発明の実施例を添付図面に基づいて
説明する。
説明する。
【００１２】図１は本発明方法を実施するための単結晶
引上装置１の構成を示す断面図であり、図中、２はステ
ンレス製円筒から成るメインチャンバーであって、これ
の内部には石英製のルツボ３が支持軸４によって上下動
自在に支持されて収納されている。そして、このルツボ
３の周囲には炭素材から成る円筒状のヒーター５が配さ
れ、該ヒーター５の周囲には同じく炭素材から成る円筒
状の断熱部材６が配されている。尚、前記ルツボ３は不
図示の駆動手段によって支持軸４の軸中心回りに速度Ｃ
Ｒで回転駆動され、速度ＣＥにて昇降動せしめられる。
引上装置１の構成を示す断面図であり、図中、２はステ
ンレス製円筒から成るメインチャンバーであって、これ
の内部には石英製のルツボ３が支持軸４によって上下動
自在に支持されて収納されている。そして、このルツボ
３の周囲には炭素材から成る円筒状のヒーター５が配さ
れ、該ヒーター５の周囲には同じく炭素材から成る円筒
状の断熱部材６が配されている。尚、前記ルツボ３は不
図示の駆動手段によって支持軸４の軸中心回りに速度Ｃ
Ｒで回転駆動され、速度ＣＥにて昇降動せしめられる。
【００１３】又、メインチャンバー２の上部には、間に
アイソレーションバルブ７を介在せしめてプルチャンバ
ー８がメインチャンバー２と同心的に立設されており、
該プルチャンバー８の上部には巻上装置９が取り付けら
れている。尚、プルチャンバー８は、引き上げられた単
結晶を収容し、且つ取り出すための空間を形成するもの
であって、これはステンレス製円筒から成っている。
アイソレーションバルブ７を介在せしめてプルチャンバ
ー８がメインチャンバー２と同心的に立設されており、
該プルチャンバー８の上部には巻上装置９が取り付けら
れている。尚、プルチャンバー８は、引き上げられた単
結晶を収容し、且つ取り出すための空間を形成するもの
であって、これはステンレス製円筒から成っている。
【００１４】上記巻上装置９のボックス１０は、それ自
体がプルチャンバー８に対して回転可能に取り付けられ
ており、該ボックス１０内には、不図示の駆動手段によ
って回転駆動される巻上ドラム１１が回転自在に収容さ
れている。そして、巻上ドラム１１には上軸であるワイ
ヤー１２が巻回されており、巻上ドラム１１から下方に
延出するワイヤー１２の下端には種保持具１３によって
種結晶１４が取り付けられている。
体がプルチャンバー８に対して回転可能に取り付けられ
ており、該ボックス１０内には、不図示の駆動手段によ
って回転駆動される巻上ドラム１１が回転自在に収容さ
れている。そして、巻上ドラム１１には上軸であるワイ
ヤー１２が巻回されており、巻上ドラム１１から下方に
延出するワイヤー１２の下端には種保持具１３によって
種結晶１４が取り付けられている。
【００１５】更に、メインチャンバー２の上部と側部に
はサイトグラス１５，１６が各々設けられており、メイ
ンチャンバー２外のこれらサイトグラス１５，１６の近
傍には光学式直径計測手段であるイメージセンサー１
７、光学式温度センサー１８がそれぞれ設けられてい
る。
はサイトグラス１５，１６が各々設けられており、メイ
ンチャンバー２外のこれらサイトグラス１５，１６の近
傍には光学式直径計測手段であるイメージセンサー１
７、光学式温度センサー１８がそれぞれ設けられてい
る。
【００１６】而して、単結晶の引き上げに際しては、前
記アイソレーションバルブ７が開けられてメインチャン
バー２とプルチャンバー８とが連通せしめられ、両チャ
ンバー２，８内は減圧下の不活性ガスで満たされ、単結
晶の引き上げは不活性ガス雰囲気で行なわれる。
記アイソレーションバルブ７が開けられてメインチャン
バー２とプルチャンバー８とが連通せしめられ、両チャ
ンバー２，８内は減圧下の不活性ガスで満たされ、単結
晶の引き上げは不活性ガス雰囲気で行なわれる。
【００１７】即ち、ルツボ３内にはシリコン等の多結晶
原料が投入され、この多結晶原料はヒーター５によって
加熱、溶融され、ルツボ３内には多結晶融液２０が収容
される。その後、巻上装置９の巻上ドラム１１が回転駆
動され、これに巻回されたワイヤー１２が徐々に下げら
れてその下端に取り付けられた前記種結晶１４がルツボ
３内の多結晶融液２０内に浸漬される。
原料が投入され、この多結晶原料はヒーター５によって
加熱、溶融され、ルツボ３内には多結晶融液２０が収容
される。その後、巻上装置９の巻上ドラム１１が回転駆
動され、これに巻回されたワイヤー１２が徐々に下げら
れてその下端に取り付けられた前記種結晶１４がルツボ
３内の多結晶融液２０内に浸漬される。
【００１８】次に、支持軸４及びこれに支持されたルツ
ボ３がその軸中心回りに所定の速度ＣＲで回転駆動され
る。これと同時に、巻上装置９の巻上ドラム１１が回転
駆動されてこれに巻回されたワイヤー１２が巻き取られ
るとともに、ボックス１０が回転駆動されてワイヤー１
２も回転せしめられ、この結果、ワイヤー１２は回転し
ながら上昇し、これの下端に取り付けられた種結晶１４
には単結晶が成長して図示のように単結晶Ｗが引き上げ
られる。
ボ３がその軸中心回りに所定の速度ＣＲで回転駆動され
る。これと同時に、巻上装置９の巻上ドラム１１が回転
駆動されてこれに巻回されたワイヤー１２が巻き取られ
るとともに、ボックス１０が回転駆動されてワイヤー１
２も回転せしめられ、この結果、ワイヤー１２は回転し
ながら上昇し、これの下端に取り付けられた種結晶１４
には単結晶が成長して図示のように単結晶Ｗが引き上げ
られる。
【００１９】ところで、融液２０の界面で引き上げられ
る単結晶Ｗの直径はイメージセンサーやＩＴＶ等の光学
センサー１７によって計測されるが、この直径計測を正
確に行なうためには、光学センサー１７と融液２０の表
面（湯面）との間の距離Ｌが一定に保たれる必要があ
る。然るに、単結晶Ｗの引き上げが進行するに伴ってル
ツボ３内の融液２０の表面（湯面）が下がるため、この
下がる分だけルツボ３を所定の速度ＣＥで上動させ、光
学センサー１７と融液２０の表面（湯面）との間の距離
Ｌが一定に保たれる。
る単結晶Ｗの直径はイメージセンサーやＩＴＶ等の光学
センサー１７によって計測されるが、この直径計測を正
確に行なうためには、光学センサー１７と融液２０の表
面（湯面）との間の距離Ｌが一定に保たれる必要があ
る。然るに、単結晶Ｗの引き上げが進行するに伴ってル
ツボ３内の融液２０の表面（湯面）が下がるため、この
下がる分だけルツボ３を所定の速度ＣＥで上動させ、光
学センサー１７と融液２０の表面（湯面）との間の距離
Ｌが一定に保たれる。
【００２０】ところが、従来は上述のようなルツボ３の
上動は単結晶Ｗの肩部Ｗｂ及び直胴部Ｗｃの引き上げ時
にのみなされており、コーン部Ｗａの引き上げ時にはな
されていなかったため、コーン部Ｗａの引き上げ分に見
合うルツボ３内での融液２０の表面（湯面）の低下が生
じ、これによって光学センサー１７と融液２０の面との
間の距離Ｌが変化（実際には、大きくなる。）し、正確
な直径計測ができなかった。
上動は単結晶Ｗの肩部Ｗｂ及び直胴部Ｗｃの引き上げ時
にのみなされており、コーン部Ｗａの引き上げ時にはな
されていなかったため、コーン部Ｗａの引き上げ分に見
合うルツボ３内での融液２０の表面（湯面）の低下が生
じ、これによって光学センサー１７と融液２０の面との
間の距離Ｌが変化（実際には、大きくなる。）し、正確
な直径計測ができなかった。
【００２１】そこで、本実施例では、単結晶コーン部Ｗ
ａの引上重量ＷＥ（ｎ）を算出し、この引上重量ＷＥ
（ｎ）をルツボ３内の多結晶融液２０の単位深さ当りの
重量ＷＥ０で割ることによってルツボ３内の融液２０の
液位の変化量（湯面変化量）ＭＬ（ｎ）を算出し、この
湯面変化ＭＬ（ｎ）によって光学センサー１７による直
径計測値を補正するようにした。
ａの引上重量ＷＥ（ｎ）を算出し、この引上重量ＷＥ
（ｎ）をルツボ３内の多結晶融液２０の単位深さ当りの
重量ＷＥ０で割ることによってルツボ３内の融液２０の
液位の変化量（湯面変化量）ＭＬ（ｎ）を算出し、この
湯面変化ＭＬ（ｎ）によって光学センサー１７による直
径計測値を補正するようにした。
【００２２】単結晶コーン部Ｗａの引上重量ＷＥ（ｎ）
は次のようにして求められる。
は次のようにして求められる。
【００２３】即ち、単結晶引上開始から時間ｔ＝ｎ（ｎ
＝１，２，３，…）後の単結晶Ｗの重量増加量をｄＷＥ
（ｎ）、直径（これは光学センサー１７によって計測さ
れる。）をＤ（ｎ）、引上長さをＬ（ｎ）、図２に破線
にて示す円錐の高さをｌ（ｎ）とすれば、単位時間ｔ＝
（ｎ−１）〜ｎまでの間に増加したコーン部Ｗａ（図２
の斜線部分）の重量ｄＷＥ（ｎ）は、図２の斜線部分を
円錐台と仮定して、次式で求められる。
＝１，２，３，…）後の単結晶Ｗの重量増加量をｄＷＥ
（ｎ）、直径（これは光学センサー１７によって計測さ
れる。）をＤ（ｎ）、引上長さをＬ（ｎ）、図２に破線
にて示す円錐の高さをｌ（ｎ）とすれば、単位時間ｔ＝
（ｎ−１）〜ｎまでの間に増加したコーン部Ｗａ（図２
の斜線部分）の重量ｄＷＥ（ｎ）は、図２の斜線部分を
円錐台と仮定して、次式で求められる。
【００２４】
【数１】 ここに、ρ０：単結晶Ｗの密度。
【００２５】従って、コーン部Ｗａの引上重量ＷＥ
（ｎ）は次式で求められる。
（ｎ）は次式で求められる。
【００２６】
【数２】 そして、上記第（２）式で求められる引上重量ＷＥ
（ｎ）をルツボ３内での多結晶融液２０の単位深さΔｈ
当りの重量ＷＥ０で割れば、求める湯面変化量ＭＬ
（ｎ）が得られる。
（ｎ）をルツボ３内での多結晶融液２０の単位深さΔｈ
当りの重量ＷＥ０で割れば、求める湯面変化量ＭＬ
（ｎ）が得られる。
【００２７】即ち、
【００２８】
【数３】 ここに、Ｄｃ：ルツボ３の内径。 ρ１：多結晶融液２０の密度。
【００２９】
【数４】 而して、上記第（４）式によって算出される湯面変化Ｍ
Ｌ（ｎ）によって、イメージセンサー１７により計測さ
れた直径値が補正され、コーン部Ｗａの引き上げ時の湯
面変化を考慮しなかったために生じていた誤差が解消さ
れて正確な直径計測を行なうことができるようになる。
Ｌ（ｎ）によって、イメージセンサー１７により計測さ
れた直径値が補正され、コーン部Ｗａの引き上げ時の湯
面変化を考慮しなかったために生じていた誤差が解消さ
れて正確な直径計測を行なうことができるようになる。
【００３０】次に、第２発明の実施例を説明する。
【００３１】第２発明では、前記第（４）式によって湯
面変化量ＭＬ（ｎ）を求めるまでの手法は前記第１発明
と同様であるが、この湯面変化量ＭＬ（ｎ）分だけルツ
ボ３を上動せしめることによって光学センサー１７と湯
面との間の距離Ｌを一定に保つようにした点が第１発明
と異なる。
面変化量ＭＬ（ｎ）を求めるまでの手法は前記第１発明
と同様であるが、この湯面変化量ＭＬ（ｎ）分だけルツ
ボ３を上動せしめることによって光学センサー１７と湯
面との間の距離Ｌを一定に保つようにした点が第１発明
と異なる。
【００３２】このように、第２発明では、光学センサー
１７と湯面との間の距離Ｌが一定に保たれるため、光学
センサー１７による単結晶Ｗの直径計測を正確に行なう
ことができる。
１７と湯面との間の距離Ｌが一定に保たれるため、光学
センサー１７による単結晶Ｗの直径計測を正確に行なう
ことができる。
【００３３】
【発明の効果】以上の説明で明らかな如く、本発明によ
れば、単結晶引上装置によって引き上げられる単結晶の
直径を光学センサーによって計測する単結晶の直径計測
方法において、単結晶の引上重量を算出し、この引上重
量からルツボ内の湯面変化を算出し、この湯面変化によ
って前記光学センサーによる単結晶の直径計測値を補正
し、或は湯面変化分だけルツボを上動せしめるようにし
たため、単結晶引上装置によって引き上げられる単結晶
の直径を正確に計測することができるという効果が得ら
れる。
れば、単結晶引上装置によって引き上げられる単結晶の
直径を光学センサーによって計測する単結晶の直径計測
方法において、単結晶の引上重量を算出し、この引上重
量からルツボ内の湯面変化を算出し、この湯面変化によ
って前記光学センサーによる単結晶の直径計測値を補正
し、或は湯面変化分だけルツボを上動せしめるようにし
たため、単結晶引上装置によって引き上げられる単結晶
の直径を正確に計測することができるという効果が得ら
れる。
【図１】本発明方法を実施するための単結晶引上装置の
構成を示す断面図である。
構成を示す断面図である。
【図２】単結晶コーン部の引上重量を算出するためのモ
デルを示す図である。
デルを示す図である。
１ 単結晶引上装置 ３ ルツボ １７ 光学センサー ２０ 多結晶融液 Ｗ 単結晶 Ｗａ 単結晶コーン部
Claims (4)
- 【請求項１】 単結晶引上装置によって引き上げられる
単結晶の直径を光学センサーによって計測する単結晶の
直径計測方法において、単結晶の引上重量を算出し、こ
の引上重量からルツボ内の湯面変化を算出し、この湯面
変化によって前記光学センサーによる単結晶直径の計測
値を補正するようにしたことを特徴とする単結晶の直径
計測方法。 - 【請求項２】 単結晶コーン部の引上重量を算出し、こ
の引上重量を、ルツボ内の融液の単位深さ当りの重量で
割ることによって、ルツボ内の湯面変化を算出するよう
にしたことを特徴とする請求項１記載の単結晶の直径計
測方法。 - 【請求項３】 単結晶引上装置によって引き上げられる
単結晶の直径を光学センサーによって計測する単結晶の
直径計測方法において、単結晶の引上重量を算出し、こ
の引上重量からルツボ内の湯面変化を算出し、この湯面
変化分だけルツボを上動せしめるようにしたことを特徴
とする単結晶の直径計測方法。 - 【請求項４】 単結晶コーン部の引上重量を算出し、こ
の引上重量を、ルツボ内の融液の単位深さ当りの重量で
割ることによって、ルツボ内の湯面変化を算出するよう
にしたことを特徴とする請求項３記載の単結晶の直径計
測方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3037894A JPH0785489B2 (ja) | 1991-02-08 | 1991-02-08 | 単結晶の直径計測方法 |
| EP92301018A EP0498653B1 (en) | 1991-02-08 | 1992-02-06 | A method for measuring the diameter of single crystal ingot |
| DE69210275T DE69210275T2 (de) | 1991-02-08 | 1992-02-06 | Verfahren zum Messen des Durchmessers einer Einkristallstange |
| US08/487,507 US5584930A (en) | 1991-02-08 | 1995-06-07 | Method for measuring the diameter of a single crystal ingot |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3037894A JPH0785489B2 (ja) | 1991-02-08 | 1991-02-08 | 単結晶の直径計測方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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