JPS59102896A - 単結晶の形状制御方法 - Google Patents
単結晶の形状制御方法Info
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- JPS59102896A JPS59102896A JP57208481A JP20848182A JPS59102896A JP S59102896 A JPS59102896 A JP S59102896A JP 57208481 A JP57208481 A JP 57208481A JP 20848182 A JP20848182 A JP 20848182A JP S59102896 A JPS59102896 A JP S59102896A
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- Japan
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- single crystal
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/20—Controlling or regulating
- C30B15/22—Stabilisation or shape controlling of the molten zone near the pulled crystal; Controlling the section of the crystal
- C30B15/28—Stabilisation or shape controlling of the molten zone near the pulled crystal; Controlling the section of the crystal using weight changes of the crystal or the melt, e.g. flotation methods
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1004—Apparatus with means for measuring, testing, or sensing
- Y10T117/1008—Apparatus with means for measuring, testing, or sensing with responsive control means
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明はチョクラルスキー法による単結晶を所定の形状
に制御する方法に関する。
に制御する方法に関する。
チョクラルスキー法による単結晶の製造において、良好
な単結晶を得るためには結晶の胴体部の直径が一定であ
ることのほか、結晶の肩部が望ましい形状をしているこ
とが必要である。特に結晶の肩部は歪や転位及び双晶の
発生、伝播を防止するうえで、その形状の制御は重要な
問題である。
な単結晶を得るためには結晶の胴体部の直径が一定であ
ることのほか、結晶の肩部が望ましい形状をしているこ
とが必要である。特に結晶の肩部は歪や転位及び双晶の
発生、伝播を防止するうえで、その形状の制御は重要な
問題である。
とりわけ、閃亜鉛鉱型構造を有する■−ｖ族化合物半導
体単結晶では、肩部の形状、特に層形成角度と双晶発生
の関連について多くの報告がなされている。例えばＷ、
Ａ、Ｈｏｎｎｅｒ ： Ｍａｔ、Ｒｅｓ、ｌ３ｕｌ Ｉ
、１５＜１９８０）、６３に記載されている。
体単結晶では、肩部の形状、特に層形成角度と双晶発生
の関連について多くの報告がなされている。例えばＷ、
Ａ、Ｈｏｎｎｅｒ ： Ｍａｔ、Ｒｅｓ、ｌ３ｕｌ Ｉ
、１５＜１９８０）、６３に記載されている。
肩部での結晶重量はその時間変化量が一定でなく、時間
と共に変化することから、従来重量法による単結晶の形
状制御方法では次のような方法が行なわれていた。例え
ば第１図ａに示すような形状の単結晶を製造する場合、
そ゛の重量変化は第１図すのグラフに示す曲線部と直線
部からなる変化をする。この曲線部は時間の３次関数、
直線部は時間の１次関数である。そこで、この基準重量
に対応する形状の板にそって摺動抵抗を直接動かして基
準重量信号を得るか、または基準重量の時間微分値に対
応する形状の板にそって摺動抵抗を動かすプログラマ−
でモータを回転させてヘリオームを動かし、基準重量信
号を得ていた（特公昭５４−４３４５号公報参照）。ま
だ他の方法としてコンピュータを用いて肩部での基準重
量の時間微分値を時間の一次関数として演算により求め
、ソフト的に処理することも行なわれていた。この方法
は、例えば、Ａ、Ｅ、Ｚｉｎｎｅｓ、ｅｔａｌ ： Ｊ
、Ｃｒｙｓｔ。
と共に変化することから、従来重量法による単結晶の形
状制御方法では次のような方法が行なわれていた。例え
ば第１図ａに示すような形状の単結晶を製造する場合、
そ゛の重量変化は第１図すのグラフに示す曲線部と直線
部からなる変化をする。この曲線部は時間の３次関数、
直線部は時間の１次関数である。そこで、この基準重量
に対応する形状の板にそって摺動抵抗を直接動かして基
準重量信号を得るか、または基準重量の時間微分値に対
応する形状の板にそって摺動抵抗を動かすプログラマ−
でモータを回転させてヘリオームを動かし、基準重量信
号を得ていた（特公昭５４−４３４５号公報参照）。ま
だ他の方法としてコンピュータを用いて肩部での基準重
量の時間微分値を時間の一次関数として演算により求め
、ソフト的に処理することも行なわれていた。この方法
は、例えば、Ａ、Ｅ、Ｚｉｎｎｅｓ、ｅｔａｌ ： Ｊ
、Ｃｒｙｓｔ。
Ｇｒｏｗｔｈ １９（１９７３）１８７．に記載されて
いる。
いる。
□□□□−■□１１□□−リ１□−
そして、これらのいずれの方法においても、基準となる
信号は時間の関数として定められており酸化物単結晶へ
適用さＡていた。
信号は時間の関数として定められており酸化物単結晶へ
適用さＡていた。
ところで、実際に単結晶の製造を行なう場合。
種付は後引上げを開始してからいつも同じように肩部が
成長するとは限らず、例えば種付は温度が高いあるいは
低いと引上げても結晶がなかなか太ってとなかつたりあ
るいは急激に太ってしまう時がある。そのため従来方法
により単結晶の形状制御を行なう場合、大きなオフセッ
トを生じやすいという問題がある。このオフセットを消
すだめに制御を強くすると肩部では局部的に凹凸して滑
らかな結晶が得られず、歪の増大や双晶が発生するなど
の欠点があった。逆にこのオフセットを残しておくと所
定の形状からのずれが大きくなシ精度が悪いという欠点
があった。とくに川−■族単結晶ではこの影響が大き〈
従来の形状制御方法では高品質な■−■族単結晶の肩部
を再現性よく安定して育成することはできなかった。そ
のため、近年、赤外線ＣＣＵ、超高速ＩＣ，ＦＥＴ用と
して注目されている大口径、大容量のＩ ｎ Ｓ ｂ
、 ＧａＡｓ。
成長するとは限らず、例えば種付は温度が高いあるいは
低いと引上げても結晶がなかなか太ってとなかつたりあ
るいは急激に太ってしまう時がある。そのため従来方法
により単結晶の形状制御を行なう場合、大きなオフセッ
トを生じやすいという問題がある。このオフセットを消
すだめに制御を強くすると肩部では局部的に凹凸して滑
らかな結晶が得られず、歪の増大や双晶が発生するなど
の欠点があった。逆にこのオフセットを残しておくと所
定の形状からのずれが大きくなシ精度が悪いという欠点
があった。とくに川−■族単結晶ではこの影響が大き〈
従来の形状制御方法では高品質な■−■族単結晶の肩部
を再現性よく安定して育成することはできなかった。そ
のため、近年、赤外線ＣＣＵ、超高速ＩＣ，ＦＥＴ用と
して注目されている大口径、大容量のＩ ｎ Ｓ ｂ
、 ＧａＡｓ。
ＩｎＰ などの■−■族単結晶の製造には適用できない
欠点がある。
欠点がある。
この発明は上記した点に鑑みなされたもので。
単結晶を製造する際に上記欠点を取シ除き、所定の形状
に制御された高品質単結晶を再現性よく安定して製造で
きる方法を提供するものである。
に制御された高品質単結晶を再現性よく安定して製造で
きる方法を提供するものである。
本発明者等は前記制御方法の欠点は基準となる信号を時
間の関数として一義的に定めているためであシ、実際の
単結晶の成長状態に応じて定める必要があると考えた。
間の関数として一義的に定めているためであシ、実際の
単結晶の成長状態に応じて定める必要があると考えた。
直径２ｒで成長している結晶の重量の時間微分値（ｄｗ
／ｄｔ）は次式で表わされる。
／ｄｔ）は次式で表わされる。
ｄｗ／ｄｔ＝πρ？ｕ＝ｒｒｐ ｒ”Ｈ／（１−ρ、γ
ンｐ１．Ｒ２）・・・・・・（１）Ｓ
Ｓ ここで、ρ、ρはそれぞれ結晶、融液の密度、Ｈｔ は引上げ速度、Ｒはルツボの半径であシυは結晶成長速
度を示している。（１）式を時間で微分して整理すると
（２）式が得られる。
ンｐ１．Ｒ２）・・・・・・（１）Ｓ
Ｓ ここで、ρ、ρはそれぞれ結晶、融液の密度、Ｈｔ は引上げ速度、Ｒはルツボの半径であシυは結晶成長速
度を示している。（１）式を時間で微分して整理すると
（２）式が得られる。
ｄｔｗ／ｄｔ２＝ｄｗ／ｄｔ （２／ｒ−ｄｒ／ｄｔ＋
１／ｕ・ｄυ／ｄ ｔ ）−（２）この式は結晶重量の
時間の２回微分値（ｄ’ｗ／ｄｔ”）はｄ ｗ／ｄ ｔ
と結晶直径の変化率および成長速度の変化率で表わ
されることを示している。肩部での直線的な広がり角度
をθとして＋ｌ） 、 （２１式よ９時間を消去したｄ
”ｗ／ｄｔ’とｄｗ／ｄｔ の関係を求めたところ、
直径のごく小さい部分を除いて次の（３）式でよく近似
できるととを見い出した。
１／ｕ・ｄυ／ｄ ｔ ）−（２）この式は結晶重量の
時間の２回微分値（ｄ’ｗ／ｄｔ”）はｄ ｗ／ｄ ｔ
と結晶直径の変化率および成長速度の変化率で表わ
されることを示している。肩部での直線的な広がり角度
をθとして＋ｌ） 、 （２１式よ９時間を消去したｄ
”ｗ／ｄｔ’とｄｗ／ｄｔ の関係を求めたところ、
直径のごく小さい部分を除いて次の（３）式でよく近似
できるととを見い出した。
♂ｗ／ｄｔ”＝（Ａ−ｄｗ／ｄｔ＋Ｂ）θ ・・・・・
・・・・・・・・・・・・・（３）ここで、Ａ、Ｂはｐ
ｓ 、 ｐｔ、 ＩＩ 、几から定まる定数である。す
なわち、（３）式は現在の直径から肩形成角就を一定に
するために次に取るべき設定値の変化率を与える式であ
ることが分った。このことから、引上げ中にｄｗ／ｄｔ
を測定して（３）式から定まるｄ”ｗ／ｄｔ”を積
分していくことにより時間に無関係に実際の単結晶の成
長状態に応じて基準となるｄｗ／ｄｔを自動的に定める
ことができる。この基準信号を用いて結晶の肩部形状の
制御を行なったところ、オフセットは生ごず精度が向上
するという大きな効果があることが分った。そこで、本
発明の単結晶の形状制御方法では引き上げられた単結晶
の重量を検出し、前記単結晶の重量信号を時間微分する
微分回路と、該微分回路の出力である微分値ｄｗ／ｄｔ
より（３）式に基づいて演算する演獅４回路と、該演算
回路の出力である演算値ｄ”ｗ／ｄ ｔ！を時間積分す
る積分回路と、該積分回路の出力である積分値と前記微
分値の偏差を求める偏差検出回路とを備え、前記偏差を
加熱電力に帰還制御して単結晶の形状制御することを特
徴とするものである。
・・・・・・・・・・・・・（３）ここで、Ａ、Ｂはｐ
ｓ 、 ｐｔ、 ＩＩ 、几から定まる定数である。す
なわち、（３）式は現在の直径から肩形成角就を一定に
するために次に取るべき設定値の変化率を与える式であ
ることが分った。このことから、引上げ中にｄｗ／ｄｔ
を測定して（３）式から定まるｄ”ｗ／ｄｔ”を積
分していくことにより時間に無関係に実際の単結晶の成
長状態に応じて基準となるｄｗ／ｄｔを自動的に定める
ことができる。この基準信号を用いて結晶の肩部形状の
制御を行なったところ、オフセットは生ごず精度が向上
するという大きな効果があることが分った。そこで、本
発明の単結晶の形状制御方法では引き上げられた単結晶
の重量を検出し、前記単結晶の重量信号を時間微分する
微分回路と、該微分回路の出力である微分値ｄｗ／ｄｔ
より（３）式に基づいて演算する演獅４回路と、該演算
回路の出力である演算値ｄ”ｗ／ｄ ｔ！を時間積分す
る積分回路と、該積分回路の出力である積分値と前記微
分値の偏差を求める偏差検出回路とを備え、前記偏差を
加熱電力に帰還制御して単結晶の形状制御することを特
徴とするものである。
以上説明したように本発明の形状制御方法によれば、
（１）単結晶の肩部育成においてきわめて高精度な層形
状制御を再現性よく安定して行なうことができる。
状制御を再現性よく安定して行なうことができる。
（２） 従来の制御方法に比べて結晶成長条件の変化
によく追従できるので、所定の形状からのオフセットが
少なく約１１５に減少し、肩部での直線的な広がり角度
からのずれは±１°以内にすることができる。
によく追従できるので、所定の形状からのオフセットが
少なく約１１５に減少し、肩部での直線的な広がり角度
からのずれは±１°以内にすることができる。
（３） 特にＩｌｌ −Ｖ族単結晶に適用したところ肩
部での双晶発生はほとんど見られず、７０％以上の高い
結晶作成歩留シが得られた。
部での双晶発生はほとんど見られず、７０％以上の高い
結晶作成歩留シが得られた。
（４） 本発明によれば完全自動で所定の形状の単結
晶を製造でき、しかも良質の結晶が得られることから工
業的に適用することにより生産性が向上する。
晶を製造でき、しかも良質の結晶が得られることから工
業的に適用することにより生産性が向上する。
等の効果がある。
以下本発明の一実施例を図面に基づきより詳細に説明す
る。第２図は本発明による機能を具備した単結晶製造装
置の一例である。図において、１は容器、２は加熱ヒー
タ、３はルツボ、４は融液、５は結晶、６は引上げ軸、
７は重量検出器、８は微分回路、９は演算回路、１０は
積分回路、１１は偏差検出回路、１２は調節計、１３は
温調器、１４は加熱装置である。ルツボ３内の融液４か
も引上げつつある結晶５の重量をＭ媚、検出器７により
測定し、微分回路８によシ微分する。この信号を次の演
算回路９に入力し基準信号の変化率を算出する。次に積
分回路１０により積分を行ない基準信号を自動的に設定
する。この基準値と前記微分回路８の出力を偏差検出回
路１１に入力し偏差信号を得る。この偏差信号を調節形
１２に入力してルツボ加熱電力制御信号を得る。この制
御信号を温調器１３に入力して加熱装置１４を駆動し、
加熱電力を制御することによシ形状の制御を行なう。本
発明の機能である微分回路８から偏差検出回路１１まで
は例えば、第３図に示すように構成することができる。
る。第２図は本発明による機能を具備した単結晶製造装
置の一例である。図において、１は容器、２は加熱ヒー
タ、３はルツボ、４は融液、５は結晶、６は引上げ軸、
７は重量検出器、８は微分回路、９は演算回路、１０は
積分回路、１１は偏差検出回路、１２は調節計、１３は
温調器、１４は加熱装置である。ルツボ３内の融液４か
も引上げつつある結晶５の重量をＭ媚、検出器７により
測定し、微分回路８によシ微分する。この信号を次の演
算回路９に入力し基準信号の変化率を算出する。次に積
分回路１０により積分を行ない基準信号を自動的に設定
する。この基準値と前記微分回路８の出力を偏差検出回
路１１に入力し偏差信号を得る。この偏差信号を調節形
１２に入力してルツボ加熱電力制御信号を得る。この制
御信号を温調器１３に入力して加熱装置１４を駆動し、
加熱電力を制御することによシ形状の制御を行なう。本
発明の機能である微分回路８から偏差検出回路１１まで
は例えば、第３図に示すように構成することができる。
図においてＲ１からＲ１４は抵抗器、Ｃ１からＣ２はコ
ンデンサ、ＶＲＩからＶＢ２は可変抵抗器、ＯＰｌから
ＯＦ２はオペアンプ、Ｅｌは固定電池、８１はスイッチ
である。
ンデンサ、ＶＲＩからＶＢ２は可変抵抗器、ＯＰｌから
ＯＦ２はオペアンプ、Ｅｌは固定電池、８１はスイッチ
である。
ＯＰＩは微分回路８、ＯＦ２からｏｐ４は演算回路９、
ＯＦ２とＯＦ２は積分回路１Ｏ１ＯＰ７は偏差検出回路
１１を構成している。ここで、 ＶＲｌからＶＢ２は演
算回路９が（３）式で定めた入出力特性を持つように調
整するためのものである。Ｓｌは積分回路１０の動作を
停止し出力を一定に保持するためのもので、肩部から胴
体部に制御を移すときに使用する。
ＯＦ２とＯＦ２は積分回路１Ｏ１ＯＰ７は偏差検出回路
１１を構成している。ここで、 ＶＲｌからＶＢ２は演
算回路９が（３）式で定めた入出力特性を持つように調
整するためのものである。Ｓｌは積分回路１０の動作を
停止し出力を一定に保持するためのもので、肩部から胴
体部に制御を移すときに使用する。
次に具体的な例として本発明の機能を具備した単結晶製
造装置により、ｌ−Ｖ族単結晶であるＩｎ８ｂ単結晶を
製造する場合について詳しく説明する。第２図において
直径７５＋ｗｍのルツボ３にＩｎＳｂ多結晶原料を５０
０ｇ入れ、〜６５０℃まで加熱融解した。次に（２１１
）軸の種結晶を１゜ｒｐｍで回転させながら融液４に接
触させたのち１０ ｍ／ ｈの速度で引上げを開始した
。この時の（３）式の定数Ａ、Ｂの値はそれぞれ、 Ａ
＝４．７７Ｘ１０／ ｍｉｎｓｄｅｇ 、 Ｂ＝６．
６５Ｘ１０ ｇ／ｍｉｎｅｄｅｇ となった。そこで
肩形成角度θを１５°に設定して肩部の形状制御を開始
した。所定径３５ｆｉになったところでスイッチＳ１を
開いて積分回路１０の出力を固定し、連続して胴体部の
引上げを行ない、重さ〜４５０ｇのＩｎＳｂ単結晶を得
た。得られた単結晶は肩部の直線的な広がり角度は〜１
４．５°であり、結晶表面も滑らかで双晶なしの良質な
結晶であった。
造装置により、ｌ−Ｖ族単結晶であるＩｎ８ｂ単結晶を
製造する場合について詳しく説明する。第２図において
直径７５＋ｗｍのルツボ３にＩｎＳｂ多結晶原料を５０
０ｇ入れ、〜６５０℃まで加熱融解した。次に（２１１
）軸の種結晶を１゜ｒｐｍで回転させながら融液４に接
触させたのち１０ ｍ／ ｈの速度で引上げを開始した
。この時の（３）式の定数Ａ、Ｂの値はそれぞれ、 Ａ
＝４．７７Ｘ１０／ ｍｉｎｓｄｅｇ 、 Ｂ＝６．
６５Ｘ１０ ｇ／ｍｉｎｅｄｅｇ となった。そこで
肩形成角度θを１５°に設定して肩部の形状制御を開始
した。所定径３５ｆｉになったところでスイッチＳ１を
開いて積分回路１０の出力を固定し、連続して胴体部の
引上げを行ない、重さ〜４５０ｇのＩｎＳｂ単結晶を得
た。得られた単結晶は肩部の直線的な広がり角度は〜１
４．５°であり、結晶表面も滑らかで双晶なしの良質な
結晶であった。
以上の制御方法によりＩｎＳｂ単結晶の製造を連続して
１０回行なったところ、肩部の角度のずれはすべて±１
°以内であシ、そのうち８本は双晶なしの良質の単結晶
であった。
１０回行なったところ、肩部の角度のずれはすべて±１
°以内であシ、そのうち８本は双晶なしの良質の単結晶
であった。
なお、他の発明の実施例として第４図に示すようにコン
ピュータを利用して本発明の一連の槓能をソフト的に実
施した。図において、１５はＡＤ変換器、１６はコンピ
ュータ、１７はＤＡ変換器である。
ピュータを利用して本発明の一連の槓能をソフト的に実
施した。図において、１５はＡＤ変換器、１６はコンピ
ュータ、１７はＤＡ変換器である。
以上説明したように本発明の方法によれば単結晶の形状
を極めて高精度に制御できることから、良質な単結晶を
歩留りよく製造することができる。
を極めて高精度に制御できることから、良質な単結晶を
歩留りよく製造することができる。
さらに、本実施例では述べていないが単結晶の尾部の形
状も同様に自動的に制御することができる。また、本発
明の方法は他のｎｔ −ｖ族単結晶。
状も同様に自動的に制御することができる。また、本発
明の方法は他のｎｔ −ｖ族単結晶。
例えば、ＧａＡｓ、Ｇａｒｂ、Ｉｎｋ−、ＧａＰ等や、
酸化物単結晶においても（３）式の定数Ａ、Ｂを引上げ
条件に応じて定めることにより同様に適用できるもので
あり、その得る効果も大きい。
酸化物単結晶においても（３）式の定数Ａ、Ｂを引上げ
条件に応じて定めることにより同様に適用できるもので
あり、その得る効果も大きい。
第１図は単結晶の形状と結晶重量の関係を説明するため
の図、第２図は本発明の一実施例を説明するための図、
第３図は本発明の機能の一構成例を説明するだめの図、
第４図は本発明の他の実施例を説明するための図である
。 １・・・容器、２・・・加熱ヒータ、３・・・ルツボ、
４・・・融液、５・・・結晶、６・・・引上げ軸、７・
・・重量検出器。 ８・・・微分回路、９・・・演算回路、１０・・・積分
回路。 １１・・・偏差検出回路、１２・・・調節形、１３・・
・温調器、１４・・・加熱装置、１５・・・ＡＤ変換器
、１６・・・コンピュータ、１７・・・ＤＡ変換器。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑（ほか１名）第
２ 図 第８図 第４図 手 続 補 正 書（方式） １． 事件の表示 昭和５７年特願第２０８４８１号 ２、 発明の名称 単結晶の形状制御方法 ３、 補正をする者 事件との関係 特許出願人 （３０７）東京芝浦電気株式会社 ４、代理人 〒１００ 東京都千代田区内幸町１−１−６ 昭和５８年３月２９日（発送日） 明細書の浄書（内容に変更なし） 以上
の図、第２図は本発明の一実施例を説明するための図、
第３図は本発明の機能の一構成例を説明するだめの図、
第４図は本発明の他の実施例を説明するための図である
。 １・・・容器、２・・・加熱ヒータ、３・・・ルツボ、
４・・・融液、５・・・結晶、６・・・引上げ軸、７・
・・重量検出器。 ８・・・微分回路、９・・・演算回路、１０・・・積分
回路。 １１・・・偏差検出回路、１２・・・調節形、１３・・
・温調器、１４・・・加熱装置、１５・・・ＡＤ変換器
、１６・・・コンピュータ、１７・・・ＤＡ変換器。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑（ほか１名）第
２ 図 第８図 第４図 手 続 補 正 書（方式） １． 事件の表示 昭和５７年特願第２０８４８１号 ２、 発明の名称 単結晶の形状制御方法 ３、 補正をする者 事件との関係 特許出願人 （３０７）東京芝浦電気株式会社 ４、代理人 〒１００ 東京都千代田区内幸町１−１−６ 昭和５８年３月２９日（発送日） 明細書の浄書（内容に変更なし） 以上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 チョクラルスキー法によって引上げられた単結晶の重量
を検出し、その単結晶の形状制御を行なう単結晶の製造
方法において、前記単結晶の重量信号を時間微分する微
分回路と、該微分回路の出力である微分値ｄｗ／ｄｔよ
シ下記関係式に基づいて演算する演算回路と、該演算回
路の出力である演算値ｄ ｗ／ｄ ｔ″を時間積分する
積分回路と、該積分回路の出力である積分値と前記微分
値の偏差を求める偏差検出回路とを備え、前記偏差を加
熱電力に帰還制御して単結晶の形状を制御することを特
徴とする単結晶の形状制御方法。 記 ｄ！ｗ／ｄ ｔ ＝ （Ａ−ｄｗ／ｄ ｔ＋ｔｓ ）・
θただし、Ａ、Ｂは結晶及び融液の密度、引上は速度、
ルツボの半径から定まる屋敷、θは予め設定された肩部
形成角度である。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57208481A JPS59102896A (ja) | 1982-11-30 | 1982-11-30 | 単結晶の形状制御方法 |
| US06/543,046 US4591994A (en) | 1982-11-30 | 1983-10-18 | Method and apparatus for controlling shape of single crystal |
| DE8383306467T DE3380932D1 (de) | 1982-11-30 | 1983-10-25 | Verfahren und vorrichtung zum regeln der form eines einkristalls. |
| EP83306467A EP0115121B1 (en) | 1982-11-30 | 1983-10-25 | Method and apparatus for controlling shape of single crystal |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57208481A JPS59102896A (ja) | 1982-11-30 | 1982-11-30 | 単結晶の形状制御方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59102896A true JPS59102896A (ja) | 1984-06-14 |
| JPH0416437B2 JPH0416437B2 (ja) | 1992-03-24 |
Family
ID=16556875
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Patent Citations (2)
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