JPH01126294A - 単結晶の製造方法 - Google Patents
単結晶の製造方法Info
- Publication number
- JPH01126294A JPH01126294A JP28313987A JP28313987A JPH01126294A JP H01126294 A JPH01126294 A JP H01126294A JP 28313987 A JP28313987 A JP 28313987A JP 28313987 A JP28313987 A JP 28313987A JP H01126294 A JPH01126294 A JP H01126294A
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- Pending
Links
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野１
本発明は高純度シリコン単結晶の製造に用いられる単結
晶の引上げ法に関する。
晶の引上げ法に関する。
（従来の技術１
シリコン単結晶の製造法としては、坩堝内で多結晶を加
熱して溶湯とし、種結晶により溶湯から単結晶を成長さ
せながら引上げるチョクラルスキー法が知られている。
熱して溶湯とし、種結晶により溶湯から単結晶を成長さ
せながら引上げるチョクラルスキー法が知られている。
このような引上法において、一般にインゴットの引上げ
開始直後のクラウン部は、製品として使用しないため、
その形成部１６１１性には注意が払われていない。従来
のクラウン形成法は、引上げ速度を一定に保ち、溶湯温
度を減少させることにより結晶径を増加させるというも
のである。
開始直後のクラウン部は、製品として使用しないため、
その形成部１６１１性には注意が払われていない。従来
のクラウン形成法は、引上げ速度を一定に保ち、溶湯温
度を減少させることにより結晶径を増加させるというも
のである。
このような方法によればクラウンの形状抑制性は、溶湯
温度の制御性の良否にかかってくる。
温度の制御性の良否にかかってくる。
しかし、溶湯温度は加熱装置（例えば、カーボンヒーク
）の温度変化に対して応答性が悪いため、非常に制御性
が悪い。そのため、第３図に示すようなりラウン形状と
なることも多い。前記形状のインゴットではスクッキン
グフオルトが多く発生し易く歩留りの低下を招く。
）の温度変化に対して応答性が悪いため、非常に制御性
が悪い。そのため、第３図に示すようなりラウン形状と
なることも多い。前記形状のインゴットではスクッキン
グフオルトが多く発生し易く歩留りの低下を招く。
本発明は、第２図のようなスクッキングフ才ルトの発生
しにくいクラウン形状を制御性よく形成することを特徴
とする。
しにくいクラウン形状を制御性よく形成することを特徴
とする。
［問題点を解決するための手段］
クラウン形状を２段階に分けて制（卸する。
第１段階
溶湯温度を徐々に下げ、ネック成長時の適温からボディ
成長時の適温まで下げ、安定させる。
成長時の適温まで下げ、安定させる。
この間好ましくは引上げ速度を一定に保つのが良い。か
くして結晶直径を徐々に増加させる。
くして結晶直径を徐々に増加させる。
第２段階
溶湯温度を安定させた状態で引上げ速度を変動させるこ
とにより、クラウンの直径を目標直径まで増加させる。
とにより、クラウンの直径を目標直径まで増加させる。
なお、目標直径は予め設定しておき、好ましくは直径セ
ンサー（例えば、光学的に測定）による測定値と比較し
ながら、引上げ速度を制御する制御ループを組むのが良
い。
ンサー（例えば、光学的に測定）による測定値と比較し
ながら、引上げ速度を制御する制御ループを組むのが良
い。
［作用１
第１段階のクラウン成長では、一定速度で引上げつつ溶
湯温度をボディ成長時の適温まで下げて、結晶径を増加
させる。この時、溶湯温度の下げ幅と引上速度は決まっ
ており、第１段階のクラウン成長時間を決定すれば、そ
の第１段階のクラウン成長終了時の結晶直径を予測でき
る。
湯温度をボディ成長時の適温まで下げて、結晶径を増加
させる。この時、溶湯温度の下げ幅と引上速度は決まっ
ており、第１段階のクラウン成長時間を決定すれば、そ
の第１段階のクラウン成長終了時の結晶直径を予測でき
る。
予め、同条件で第１段階のクラウン成長を実際に行い、
第１段階終了時の結晶径を求めておいても良い。
第１段階終了時の結晶径を求めておいても良い。
そして、第２段階のクラウン成長時の目標径の初期値は
、第５図のように前述の予測される第１段階クラウン成
長の終了時の直径に対して、幅を持たせる。その後の目
標径は、第５図のように幅を持たせた初期値から最終的
な目標値（ボディ成長時の直径）まで、直線で結んでで
きた斜線部分内とする。なお、第２段階のクラウン成長
時間は任意に定めることが可能である。
、第５図のように前述の予測される第１段階クラウン成
長の終了時の直径に対して、幅を持たせる。その後の目
標径は、第５図のように幅を持たせた初期値から最終的
な目標値（ボディ成長時の直径）まで、直線で結んでで
きた斜線部分内とする。なお、第２段階のクラウン成長
時間は任意に定めることが可能である。
第２段階では引上げ速度で直径を制御するため応答性が
良く、制御性よく良好なりラウン形状を形成することが
出来る。
良く、制御性よく良好なりラウン形状を形成することが
出来る。
第１図は本発明の詳細な説明するためのグラフである。
直径１５５ｍｍのシリコン単結晶を製造する際に、クラ
ウン部分の成長を、従来は第１図（ｂ）に示すように一
定の引上げ速度で第１図（ａ）に示すように溶湯温度を
下げることで行っていた。
ウン部分の成長を、従来は第１図（ｂ）に示すように一
定の引上げ速度で第１図（ａ）に示すように溶湯温度を
下げることで行っていた。
実施例では、先ず第１段階で従来よりも速い一定の引上
げ速度を保ちつつ、溶湯温度を急速に低下させて定常引
上げ温度まで下げ、次いで第２段階では引上げ速度を予
め定めたクラウン部の形状に合うように制御しながら引
上げた。
げ速度を保ちつつ、溶湯温度を急速に低下させて定常引
上げ温度まで下げ、次いで第２段階では引上げ速度を予
め定めたクラウン部の形状に合うように制御しながら引
上げた。
その結果、第１図（ｃ）に示すように目標径に一致する
クラウン形状を得た。
クラウン形状を得た。
〔発明の効果１
クラウンの形状を制御性よく、良好な形状に形成するこ
とで、スクッキング・フォルト発生数を５０００（ｃｍ
−２）程度から１０（ｃｍ−２）以下に減少することが
でき、歩留りが向上した。
とで、スクッキング・フォルト発生数を５０００（ｃｍ
−２）程度から１０（ｃｍ−２）以下に減少することが
でき、歩留りが向上した。
第１図は本発明の実施例の操作例を示すグラフ、第２図
はスクッキングフォルトの少ない正常なりラウンの形状
を示すインゴットの側面図。 第３図はスクッキングフオルトの多い肥大したクラウン
の形状を示すインゴットの側面図、第４図はクラウン部
の成長段階を示すインゴットの側面図、第５図は目標値
へ到達する時間変化を示すグラフである。
はスクッキングフォルトの少ない正常なりラウンの形状
を示すインゴットの側面図。 第３図はスクッキングフオルトの多い肥大したクラウン
の形状を示すインゴットの側面図、第４図はクラウン部
の成長段階を示すインゴットの側面図、第５図は目標値
へ到達する時間変化を示すグラフである。
Claims (1)
- １ 坩堝内で多結晶を加熱して溶湯とし、種結晶により
溶湯から単結晶を成長させながら引上げるチョクラルス
キー法において、クラウン部の成長条件を２段階に分け
、第１段階で、溶湯の温度をボディの成長条件に適した
温度まで徐々に下げることにより、結晶径を増加させ、
第２段階で溶湯温度を安定させた状態で引上げ速度を変
えることにより、結晶径を目標径まで増加させ、良好な
形状のクラウンを制御性よく形成することを特徴とする
単結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28313987A JPH01126294A (ja) | 1987-11-11 | 1987-11-11 | 単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28313987A JPH01126294A (ja) | 1987-11-11 | 1987-11-11 | 単結晶の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01126294A true JPH01126294A (ja) | 1989-05-18 |
Family
ID=17661733
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28313987A Pending JPH01126294A (ja) | 1987-11-11 | 1987-11-11 | 単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01126294A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03275586A (ja) * | 1990-03-26 | 1991-12-06 | Mitsubishi Materials Corp | シリコン単結晶ウェーハの製造方法 |
| JP2010132492A (ja) * | 2008-12-04 | 2010-06-17 | Sumco Corp | シリコン単結晶の育成方法 |
-
1987
- 1987-11-11 JP JP28313987A patent/JPH01126294A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03275586A (ja) * | 1990-03-26 | 1991-12-06 | Mitsubishi Materials Corp | シリコン単結晶ウェーハの製造方法 |
| JP2010132492A (ja) * | 2008-12-04 | 2010-06-17 | Sumco Corp | シリコン単結晶の育成方法 |
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