JPH0438719B2 - - Google Patents
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- JPH0438719B2 JPH0438719B2 JP62078387A JP7838787A JPH0438719B2 JP H0438719 B2 JPH0438719 B2 JP H0438719B2 JP 62078387 A JP62078387 A JP 62078387A JP 7838787 A JP7838787 A JP 7838787A JP H0438719 B2 JPH0438719 B2 JP H0438719B2
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- Japan
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- crystal
- diameter
- crystal diameter
- crucible
- rotation speed
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/20—Controlling or regulating
- C30B15/22—Stabilisation or shape controlling of the molten zone near the pulled crystal; Controlling the section of the crystal
- C30B15/26—Stabilisation or shape controlling of the molten zone near the pulled crystal; Controlling the section of the crystal using television detectors; using photo or X-ray detectors
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、チヨクラルスキー法により製造され
る単結晶の径を制御する結晶径制御方法に関す
る。
る単結晶の径を制御する結晶径制御方法に関す
る。
［従来の技術］
結晶径の変化率が所定値を越えると転位が生ず
る原因となる。
る原因となる。
そこで、従来では、結晶の引上速度及び融液温
度を調節して結晶径を制御していた（特開昭55−
130895）。
度を調節して結晶径を制御していた（特開昭55−
130895）。
［発明が解決しようとする問題点］
しかし、結晶の引上速度を調節した場合、速応
性があるものの、結晶欠陥や転位が発生し易い。
性があるものの、結晶欠陥や転位が発生し易い。
一方、融液温度の調節は、むだ時間や時定数が
大きいので、速応性に欠け、コーン部結晶成長時
には安定な制御を行うことが困難である。
大きいので、速応性に欠け、コーン部結晶成長時
には安定な制御を行うことが困難である。
本発明は、上記問題点に鑑み、速応性がありし
かも安定度の高い結晶径制御を行うことができ、
かつ、結晶欠陥や転位が生ずるのを防止できる結
晶径制御方法を提供することにある。
かも安定度の高い結晶径制御を行うことができ、
かつ、結晶欠陥や転位が生ずるのを防止できる結
晶径制御方法を提供することにある。
［問題点を解決するための手段］
本発明では、チヨクラルスキー法により製造さ
れる単結晶の径を制御する結晶径制御方法におい
て、 坩堝内の融液温度及び坩堝回転速度を調節して
単結晶のコーン部結晶径を制御し、コーン部結晶
径が直胴部結晶径に近付くにつれて坩堝回転速度
の調節幅を狭くしていき、直胴部で坩堝回転速度
を一定にすることを特徴としている。
れる単結晶の径を制御する結晶径制御方法におい
て、 坩堝内の融液温度及び坩堝回転速度を調節して
単結晶のコーン部結晶径を制御し、コーン部結晶
径が直胴部結晶径に近付くにつれて坩堝回転速度
の調節幅を狭くしていき、直胴部で坩堝回転速度
を一定にすることを特徴としている。
［実施例］
図面に基づいて本発明の好適な一実施例を説明
する。
する。
第１図に示す如く、グラフアイト坩堝１０に嵌
入された石英坩堝１２には多結晶シリコンが収容
され、グラフアイト坩堝１０を囲繞するヒータ１
４により過熱熔融されて融液１６となる。このヒ
ータ１４は断熱材１８に囲まれ、これらはアルゴ
ンガスが流入される容器２０内に配設されてい
る。
入された石英坩堝１２には多結晶シリコンが収容
され、グラフアイト坩堝１０を囲繞するヒータ１
４により過熱熔融されて融液１６となる。このヒ
ータ１４は断熱材１８に囲まれ、これらはアルゴ
ンガスが流入される容器２０内に配設されてい
る。
坩堝１０，１２は坩堝移動軸２２を介してモー
タ２４により回転される。
タ２４により回転される。
融液１６の上方には結晶引上軸２６が垂下さ
れ、結晶引上軸２６の下端には種ホルダ２８を介
して種結晶３０が取り付けられており、結晶引上
軸２６を降下させて種結晶３０の下端を融液１６
内に浸漬させ、結晶引上軸２６を徐々に引き上げ
ることにより、単結晶３２が絞り部、コーン部３
２Ａ、シヨルダー部３２Ｂ、直胴部３２Ｃ順に成
長する。この結晶引上軸２６はモータ３４により
昇降される。結晶引上軸２６及び坩堝移動軸２２
は石英坩堝１２の回転対称軸に一致している。
れ、結晶引上軸２６の下端には種ホルダ２８を介
して種結晶３０が取り付けられており、結晶引上
軸２６を降下させて種結晶３０の下端を融液１６
内に浸漬させ、結晶引上軸２６を徐々に引き上げ
ることにより、単結晶３２が絞り部、コーン部３
２Ａ、シヨルダー部３２Ｂ、直胴部３２Ｃ順に成
長する。この結晶引上軸２６はモータ３４により
昇降される。結晶引上軸２６及び坩堝移動軸２２
は石英坩堝１２の回転対称軸に一致している。
なお、第１図では、簡単化のために、結晶引上
軸２６の回転用モータ及び坩堝移動軸２２の昇降
用モータが省略される。
軸２６の回転用モータ及び坩堝移動軸２２の昇降
用モータが省略される。
容器２０の上方には、該容器２０に設けられた
ガラス窓３６に対向して工業用テレビカメラ３８
が配設されており、そのビデオ信号が直径計測器
４０へ供給されて、単結晶３２と融液１６との界
面に形成された輝環４２の直径、すなわち単結晶
３２の融液１６との界面における直径が計測され
る。
ガラス窓３６に対向して工業用テレビカメラ３８
が配設されており、そのビデオ信号が直径計測器
４０へ供給されて、単結晶３２と融液１６との界
面に形成された輝環４２の直径、すなわち単結晶
３２の融液１６との界面における直径が計測され
る。
また、容器２０の下部側面に設けられたガラス
窓４４に対向して放射温度計４８が配設されてお
り、断熱財１８の側面に形成された凹部４６の温
度が検出され、間接的に融液１６の温度が検出さ
れる。
窓４４に対向して放射温度計４８が配設されてお
り、断熱財１８の側面に形成された凹部４６の温
度が検出され、間接的に融液１６の温度が検出さ
れる。
結晶径の制御を行うマイクロコンピユータ５０
は、CPU５２、ROM５４，RAM５６、入力ポ
ート５８及び出力ポート６０を備えて周知の如く
構成されており、CPU５２は、ROM５４に書き
込まれたプログラムに従つて、入力ポート５８を
介し、直径計測器４０から単結晶３２の直径Ｄを
読み込み、Ａ／Ｄ変換器６２から融液１６の温度
Ｔを間接的に読み込み、さらに、設定器６４によ
り設定される直胴部３２の目標直径D0を読み込
む。
は、CPU５２、ROM５４，RAM５６、入力ポ
ート５８及び出力ポート６０を備えて周知の如く
構成されており、CPU５２は、ROM５４に書き
込まれたプログラムに従つて、入力ポート５８を
介し、直径計測器４０から単結晶３２の直径Ｄを
読み込み、Ａ／Ｄ変換器６２から融液１６の温度
Ｔを間接的に読み込み、さらに、設定器６４によ
り設定される直胴部３２の目標直径D0を読み込
む。
ここで、ROM５４には単結晶３２のコーン部
３２Ａの直径変化率の目標値を算出する式が書き
込まれており、該算出式に用いられる定数は、前
記目標直径D0により決定される。また、ROM５
４には、第３図に示すような坩堝回転速度の上限
値と下限値を算出する式が書き込まれている。こ
の上下限値は、時間の経過とともに直胴部におけ
る坩堝回転速度の目標値（一定）に収束する。
３２Ａの直径変化率の目標値を算出する式が書き
込まれており、該算出式に用いられる定数は、前
記目標直径D0により決定される。また、ROM５
４には、第３図に示すような坩堝回転速度の上限
値と下限値を算出する式が書き込まれている。こ
の上下限値は、時間の経過とともに直胴部におけ
る坩堝回転速度の目標値（一定）に収束する。
CPU５２は、ROM５４に書き込まれたこれら
の算出式を用い、RAM５６との間でデータの授
受を行つて演算処理し、ヒータ１４への電力供給
量及びモータ２４の目標回転速度を算出して出力
ポート６０へ操作信号を出力し、駆動回路６６を
介してヒータ１４及びモータ２４を制御する。
の算出式を用い、RAM５６との間でデータの授
受を行つて演算処理し、ヒータ１４への電力供給
量及びモータ２４の目標回転速度を算出して出力
ポート６０へ操作信号を出力し、駆動回路６６を
介してヒータ１４及びモータ２４を制御する。
なお、モータ３４の回転速度は、結晶成長時に
は一定である。
は一定である。
ここで、石英坩堝１２の回転速度を速くする
と、融液１６の上面中央部の温度は上面周辺部の
温度よりも低くなり、単結晶３２の成長速度が速
くなる。この石英坩堝１２の回転速度の変化に対
する単結晶３２の成長速度の応答は速いが、ヒー
タ１４への供給電力の変化に対する単結晶３２の
成長速度の応答は遅い。一方、単結晶３２に取り
込まれる酸素の量は石英坩堝１２の回転速度に依
存するので、直胴部３４Ｃの成長時には石英坩堝
１２の回転速度を一定にして成長結晶を均質にす
る必要がある。そこで、コーン部３２Ａの径が小
さい時には、結晶径制御における石英坩堝１２の
回転制御の寄与を大きくして速応性をもたせ、コ
ーン部３２Ａの径が直胴部３２Ｃの径に近付くに
つれて、石英坩堝１２の回転速度の変化よりもヒ
ータ１４の寄与を大きくする。このようにして、
製品として利用されないコーン部３２Ａの体積を
小さくすることが可能となるとともに、品質の良
い直胴部の結晶径制御に移行させることができ
る。
と、融液１６の上面中央部の温度は上面周辺部の
温度よりも低くなり、単結晶３２の成長速度が速
くなる。この石英坩堝１２の回転速度の変化に対
する単結晶３２の成長速度の応答は速いが、ヒー
タ１４への供給電力の変化に対する単結晶３２の
成長速度の応答は遅い。一方、単結晶３２に取り
込まれる酸素の量は石英坩堝１２の回転速度に依
存するので、直胴部３４Ｃの成長時には石英坩堝
１２の回転速度を一定にして成長結晶を均質にす
る必要がある。そこで、コーン部３２Ａの径が小
さい時には、結晶径制御における石英坩堝１２の
回転制御の寄与を大きくして速応性をもたせ、コ
ーン部３２Ａの径が直胴部３２Ｃの径に近付くに
つれて、石英坩堝１２の回転速度の変化よりもヒ
ータ１４の寄与を大きくする。このようにして、
製品として利用されないコーン部３２Ａの体積を
小さくすることが可能となるとともに、品質の良
い直胴部の結晶径制御に移行させることができ
る。
次に、マイクロコンピユータ５０のソフトウエ
アの構成を第２図に基づいて説明する。第２図
は、ROM５４に書き込まれたプログラムに対応
した、コーン部形成のフローチヤートである。
アの構成を第２図に基づいて説明する。第２図
は、ROM５４に書き込まれたプログラムに対応
した、コーン部形成のフローチヤートである。
最初にステツプ100で、設定器６４を操作して
直胴部直径の目標値D0を設定する。次にステツ
プ102で、この目標値D0を読み込み、RAM５６
に書き込む。次にステツプ104で、ROM５４に
書き込まれた算出式に従つて直径変化率の目標値
及び坩堝回転速度の上下限値を算出する。
直胴部直径の目標値D0を設定する。次にステツ
プ102で、この目標値D0を読み込み、RAM５６
に書き込む。次にステツプ104で、ROM５４に
書き込まれた算出式に従つて直径変化率の目標値
及び坩堝回転速度の上下限値を算出する。
次にステツプ106で、入力ポート５８を介して
直径計測器４０から結晶直径Ｄを読み込み、
RAM５６に書き込む。
直径計測器４０から結晶直径Ｄを読み込み、
RAM５６に書き込む。
次にステツプ108で、RAM５６に書き込まれ
ている今回、前回及び前々回の結晶直径Ｄの値か
ら結晶直径Ｄの一次微分係数及び二次微分係数を
算出する。
ている今回、前回及び前々回の結晶直径Ｄの値か
ら結晶直径Ｄの一次微分係数及び二次微分係数を
算出する。
次にステツプ110で、ステツプ104及びステツプ
108において算出した値を用いてＰ（比例）Ｄ（微
分）動作の操作量を算出し、この操作量に応じた
融液温度の目標値を算出する。すなわち、カスケ
ード設定を行う。
108において算出した値を用いてＰ（比例）Ｄ（微
分）動作の操作量を算出し、この操作量に応じた
融液温度の目標値を算出する。すなわち、カスケ
ード設定を行う。
次にステツプ112で、Ａ／Ｄ変換器６２から間
接的に融液温度Ｔを読み取り、該温度が前記目標
温度になるようヒータ１４へ電力を供給して融液
１６の温度調節を行う。
接的に融液温度Ｔを読み取り、該温度が前記目標
温度になるようヒータ１４へ電力を供給して融液
１６の温度調節を行う。
次にステツプ114で、ステツプ104及びステツプ
108において算出した値を用いてＰ動作の操作量
を算出し、これに応じた坩堝回転速度の目標値Ｖ
を算出する。すなわちカスケード設定をおこな
う。
108において算出した値を用いてＰ動作の操作量
を算出し、これに応じた坩堝回転速度の目標値Ｖ
を算出する。すなわちカスケード設定をおこな
う。
次にV1≦Ｖ≦V2である場合には、ステツプ
116，118，124へ進み、Ｖ＜V1の場合にはステツ
プ116，120でＶをV1とした後ステツプ124へ進
み、Ｖ＜V2の場合にはステツプ116，118，122へ
進んでＶをV2とした後ステツプ124へ進む。ステ
ツプ124では、石英坩堝１２の回転速度がＶにな
るようモータ２４を駆動する。
116，118，124へ進み、Ｖ＜V1の場合にはステツ
プ116，120でＶをV1とした後ステツプ124へ進
み、Ｖ＜V2の場合にはステツプ116，118，122へ
進んでＶをV2とした後ステツプ124へ進む。ステ
ツプ124では、石英坩堝１２の回転速度がＶにな
るようモータ２４を駆動する。
次にステツプ104へ戻り、以上の処理を繰り返
す。
す。
なお、ステツプ110において、坩堝回転速度の
上下限値が収束するに伴い徐々に大ききなつて収
束時点で１になる係数を算出結果に乗じてこれを
融液温度の目標値とすることにより、直胴部に近
付くにつれて融液温度の調節割合をさらに大きく
するようにしてもよい。
上下限値が収束するに伴い徐々に大ききなつて収
束時点で１になる係数を算出結果に乗じてこれを
融液温度の目標値とすることにより、直胴部に近
付くにつれて融液温度の調節割合をさらに大きく
するようにしてもよい。
また、上記実施例では坩堝回転速度の上限値及
び下限値を、コーン部結晶径が直胴部結晶径に近
付くつれて該上下限値が所定値に収束するように
設定する場合を説明したが、本発明は結晶径が直
胴部結晶径に近付くにつれて坩堝回転速度の調節
幅を狭くするものであればよく、例えば、坩堝回
転速度のゲインを、コーン部結晶径が直胴部に近
付くにつれて小さくするようにしてもよいことは
勿論である。
び下限値を、コーン部結晶径が直胴部結晶径に近
付くつれて該上下限値が所定値に収束するように
設定する場合を説明したが、本発明は結晶径が直
胴部結晶径に近付くにつれて坩堝回転速度の調節
幅を狭くするものであればよく、例えば、坩堝回
転速度のゲインを、コーン部結晶径が直胴部に近
付くにつれて小さくするようにしてもよいことは
勿論である。
［発明の効果］
本発明に係る結晶径制御方法では、坩堝内の融
液温度及び坩堝回転速度を調節して単結晶のコー
ン部結晶径を制御し、コーン部結晶径が直胴部結
晶径に近付くにつれて坩堝回転速度の調節幅を狭
くしていくようになつており、コーン部結晶径が
小さい時には結晶径制御における坩堝回転速度調
節の寄与が大きいので、速応性を有し、安定に結
晶径を制御できる、結晶欠陥や転位の発生を防止
できるという優れた効果がある。
液温度及び坩堝回転速度を調節して単結晶のコー
ン部結晶径を制御し、コーン部結晶径が直胴部結
晶径に近付くにつれて坩堝回転速度の調節幅を狭
くしていくようになつており、コーン部結晶径が
小さい時には結晶径制御における坩堝回転速度調
節の寄与が大きいので、速応性を有し、安定に結
晶径を制御できる、結晶欠陥や転位の発生を防止
できるという優れた効果がある。
そのうえ、コーン部結晶径が直胴部結晶径に近
付くにつれて坩堝回転速度の調節幅が狭くなり、
直胴部で坩堝回転速度が一定になるので、良品質
の単結晶を得る直胴部結晶径制御に滑らかに移行
することができるという優れた効果もある。
付くにつれて坩堝回転速度の調節幅が狭くなり、
直胴部で坩堝回転速度が一定になるので、良品質
の単結晶を得る直胴部結晶径制御に滑らかに移行
することができるという優れた効果もある。
第１図乃至第３図は本発明の一実施例に係り、
第１図は全体構成部、第２図はマイクロコンピユ
ータ５０のソフトウエア構成を示すフローチヤー
ト、第３図は坩堝回転数の上下限値を示す線図で
ある。 １２……石英坩堝、１４……ヒータ、１６……
融液、３２……単結晶、３８……工業用テレビカ
メラ、４８……放射温度計、５０……マイクロコ
ンピユータ。
第１図は全体構成部、第２図はマイクロコンピユ
ータ５０のソフトウエア構成を示すフローチヤー
ト、第３図は坩堝回転数の上下限値を示す線図で
ある。 １２……石英坩堝、１４……ヒータ、１６……
融液、３２……単結晶、３８……工業用テレビカ
メラ、４８……放射温度計、５０……マイクロコ
ンピユータ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ チヨクラルスキー法により製造される単結晶
の径を制御する結晶径制御方法において、 坩堝内の融液温度及び坩堝回転速度を調節して
単結晶のコーン部結晶径を制御し、コーン部結晶
径が直胴部結晶径に近付くにつれて坩堝回転速度
の調節幅を狭くしていき、直胴部で坩堝回転速度
を一定にすることを特徴とする結晶径制御方法。 ２ 前記坩堝回転速度の上限値及び下限値を、コ
ーン部結晶径が直胴部結晶径に近付くにつれて該
上下限値が所定値に収束するように設定すること
により、前記調節幅を狭くしていくことを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の結晶径制御方
法。 ３ 前記坩堝回転速度のゲインを、コーン部結晶
径が直胴部に近付くにつれて小さくすることによ
り、前記調節幅を狭くしていくことを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の結晶径制御方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62078387A JPS63242991A (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 結晶径制御方法 |
| DE8888104931T DE3872290T2 (de) | 1987-03-31 | 1988-03-26 | Verfahren zur regelung des kristalldurchmessers. |
| EP88104931A EP0285943B1 (en) | 1987-03-31 | 1988-03-26 | Crystal diameter controlling method |
| US07/174,583 US4973377A (en) | 1987-03-31 | 1988-03-28 | Crystal diameter controlling method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62078387A JPS63242991A (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 結晶径制御方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63242991A JPS63242991A (ja) | 1988-10-07 |
| JPH0438719B2 true JPH0438719B2 (ja) | 1992-06-25 |
Family
ID=13660604
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62078387A Granted JPS63242991A (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 結晶径制御方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4973377A (ja) |
| EP (1) | EP0285943B1 (ja) |
| JP (1) | JPS63242991A (ja) |
| DE (1) | DE3872290T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101881380B1 (ko) * | 2017-02-06 | 2018-07-24 | 에스케이실트론 주식회사 | 단결정 잉곳 성장 방법 |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5215620A (en) * | 1989-09-19 | 1993-06-01 | Shin-Etsu Handotai Co. Ltd. | Method for pulling a silicon single crystal by imposing a periodic rotation rate on a constant rotation rate |
| US5269875A (en) * | 1989-10-05 | 1993-12-14 | Shin-Etsu Handotai Company, Limited | Method of adjusting concentration of oxygen in silicon single crystal and apparatus for use in the method |
| JPH0777999B2 (ja) * | 1989-11-24 | 1995-08-23 | 信越半導体株式会社 | アンチモンドープ単結晶シリコンの育成方法 |
| JP2601930B2 (ja) * | 1990-03-29 | 1997-04-23 | 信越半導体株式会社 | 単結晶ネツク部直径制御方法及び装置 |
| FI911856A (fi) * | 1990-04-27 | 1991-10-28 | Nippon Kokan Kk | Foerfarande och apparat foer bestaemning av diametern hos en enskild silikonkristall. |
| FI911857A (fi) * | 1990-04-27 | 1991-10-28 | Nippon Kokan Kk | Foerfarande och apparat foer kontroll av diametern hos en enskild silikonkristall. |
| JPH0663824B2 (ja) * | 1990-04-29 | 1994-08-22 | 信越半導体株式会社 | 湯面振動測定方法及び装置 |
| JPH0431386A (ja) * | 1990-05-25 | 1992-02-03 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体単結晶引上方法 |
| JP2546736B2 (ja) * | 1990-06-21 | 1996-10-23 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶引上方法 |
| JPH0777996B2 (ja) * | 1990-10-12 | 1995-08-23 | 信越半導体株式会社 | コーン部育成制御方法及び装置 |
| JPH0785489B2 (ja) * | 1991-02-08 | 1995-09-13 | 信越半導体株式会社 | 単結晶の直径計測方法 |
| US5178720A (en) * | 1991-08-14 | 1993-01-12 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method for controlling oxygen content of silicon crystals using a combination of cusp magnetic field and crystal and crucible rotation rates |
| US5501172A (en) * | 1994-03-11 | 1996-03-26 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method of growing silicon single crystals |
| JP2966322B2 (ja) * | 1995-02-27 | 1999-10-25 | 三菱マテリアルシリコン株式会社 | シリコン単結晶インゴット及びその製造方法 |
| US6226032B1 (en) * | 1996-07-16 | 2001-05-01 | General Signal Corporation | Crystal diameter control system |
| US5968263A (en) * | 1998-04-01 | 1999-10-19 | Memc Electronic Materials, Inc. | Open-loop method and system for controlling growth of semiconductor crystal |
| JP4567192B2 (ja) | 1998-06-26 | 2010-10-20 | エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド | 結晶成長装置用電気抵抗ヒータ及びその使用方法 |
| US6241818B1 (en) | 1999-04-07 | 2001-06-05 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method and system of controlling taper growth in a semiconductor crystal growth process |
| US6285011B1 (en) | 1999-10-12 | 2001-09-04 | Memc Electronic Materials, Inc. | Electrical resistance heater for crystal growing apparatus |
| US6203611B1 (en) | 1999-10-19 | 2001-03-20 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method of controlling growth of a semiconductor crystal to automatically transition from taper growth to target diameter growth |
| US6663709B2 (en) | 2001-06-26 | 2003-12-16 | Memc Electronic Materials, Inc. | Crystal puller and method for growing monocrystalline silicon ingots |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3621213A (en) * | 1969-11-26 | 1971-11-16 | Ibm | Programmed digital-computer-controlled system for automatic growth of semiconductor crystals |
| US4511428A (en) * | 1982-07-09 | 1985-04-16 | International Business Machines Corporation | Method of controlling oxygen content and distribution in grown silicon crystals |
| JPS59102896A (ja) * | 1982-11-30 | 1984-06-14 | Toshiba Corp | 単結晶の形状制御方法 |
| JPS59116189A (ja) * | 1982-12-22 | 1984-07-04 | Toshiba Corp | 単結晶形状制御方法 |
| JPS6033299A (ja) * | 1983-07-29 | 1985-02-20 | Toshiba Corp | 単結晶の製造装置 |
| US4710258A (en) * | 1984-11-30 | 1987-12-01 | General Signal Corporation | System for controlling the diameter of a crystal in a crystal growing furnace |
| JPH0649631B2 (ja) * | 1986-10-29 | 1994-06-29 | 信越半導体株式会社 | 結晶径測定装置 |
-
1987
- 1987-03-31 JP JP62078387A patent/JPS63242991A/ja active Granted
-
1988
- 1988-03-26 EP EP88104931A patent/EP0285943B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-03-26 DE DE8888104931T patent/DE3872290T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1988-03-28 US US07/174,583 patent/US4973377A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101881380B1 (ko) * | 2017-02-06 | 2018-07-24 | 에스케이실트론 주식회사 | 단결정 잉곳 성장 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63242991A (ja) | 1988-10-07 |
| EP0285943A1 (en) | 1988-10-12 |
| US4973377A (en) | 1990-11-27 |
| DE3872290D1 (de) | 1992-07-30 |
| EP0285943B1 (en) | 1992-06-24 |
| DE3872290T2 (de) | 1993-02-11 |
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