DE19548845B4 - Vorrichtung und Verfahren zum Ziehen von Einkristallen nach dem Czochralski-Verfahren - Google Patents

Vorrichtung und Verfahren zum Ziehen von Einkristallen nach dem Czochralski-Verfahren Download PDF

Info

Publication number
DE19548845B4
DE19548845B4 DE19548845A DE19548845A DE19548845B4 DE 19548845 B4 DE19548845 B4 DE 19548845B4 DE 19548845 A DE19548845 A DE 19548845A DE 19548845 A DE19548845 A DE 19548845A DE 19548845 B4 DE19548845 B4 DE 19548845B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
crystal
diameter
ring
melt
single crystals
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE19548845A
Other languages
English (en)
Other versions
DE19548845A1 (de
Inventor
Joachim Aufreiter
Dieter BRÜSS
Burkhard Dr. Altekrüger
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Crystal Growing Systems GmbH
Original Assignee
Crystal Growing Systems GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Crystal Growing Systems GmbH filed Critical Crystal Growing Systems GmbH
Priority to DE19548845A priority Critical patent/DE19548845B4/de
Priority to US08/759,975 priority patent/US5853479A/en
Priority to JP8336962A priority patent/JPH09183693A/ja
Priority to KR1019960073462A priority patent/KR100189482B1/ko
Publication of DE19548845A1 publication Critical patent/DE19548845A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE19548845B4 publication Critical patent/DE19548845B4/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/02Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/20Controlling or regulating
    • C30B15/22Stabilisation or shape controlling of the molten zone near the pulled crystal; Controlling the section of the crystal
    • C30B15/26Stabilisation or shape controlling of the molten zone near the pulled crystal; Controlling the section of the crystal using television detectors; using photo or X-ray detectors
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T117/00Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10T117/10Apparatus
    • Y10T117/1004Apparatus with means for measuring, testing, or sensing
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T117/00Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10T117/10Apparatus
    • Y10T117/1004Apparatus with means for measuring, testing, or sensing
    • Y10T117/1008Apparatus with means for measuring, testing, or sensing with responsive control means
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T117/00Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10T117/10Apparatus
    • Y10T117/1024Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
    • Y10T117/1032Seed pulling

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)

Abstract

Vorrichtung zum Ziehen von Einkristallen aus einer im Tiegel befindlichen Schmelze (4) unter Vakuum oder Schutzgas nach dem Czochralski-Verfahren mit optischen Mitteln (12, 24, 24', ...), die den Meniskusring (21) zwischen Kristall (5, 20) und Schmelze (4) oder Ausschnitte davon auf einem Sensor abbilden, dessen elektronische Signalverarbeitung einen Ist-Wert für den Kristalldurchmesser liefert, wobei die Differenz zwischen Ist- und Soll-Wert als Regelabweichung einem Regler mit nachgeschalteten Stellgliedern zur Regelung des Durchmessers zugeführt wird, dadurch gekennzeichnet, daß zur Ist-Wert-Erfassung des Durchmessers optische Mittel (24, 24') für zwei Beobachtungsrichtungen vorgesehen sind, wobei die Hauptachsen (26'', 26''', ...) der Beobachtungsrichtung ihren Fußpunkt (26'', 25''', ...) auf dem Meniskusring (21) haben und in zwei zueinander versetzt angeordneten Ebenen liegen, die zur Kristall-Hauptachse (27) im wesentlichen parallel verlaufen und den Meniskusring (21) tangential berühren.

Description

  • Die Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Ziehen von Einkristallen aus einer im Tiegel befindlichen Schmelze unter Vakuum oder Schutzgas nach dem Czochralski-Verfahren mit optischen Mitteln, die den Meniskusring zwischen Kristall und Schmelze oder Ausschnitte davon auf einem Sensor abbilden, dessen elektronische Signalverarbeitung einen Ist-Wert für den Kristalldurchmesser liefert, wobei die Differenz zwischen Ist- und Soll-Wert als Regelabweichung einem Regler mit nachgeschalteten Stellgliedern zur Regelung des Durchmessers zugeführt wird.
  • Bei diesem Verfahren wird ein Impfling in die Schmelze des Ziehmaterials, im allgemeinen Si, getaucht und unter Drehung bei gleichzeitiger Abkühlung als Einkristall mit fehlerfreiem Kristallwachstum und höchster Reinheit herausgezogen. Der Solldurchmesser der heute in der Produktion gezogenen Einkristalle, richtet sich nach der in der Halbleitertechnik verarbeiteten Wafergröße, die aus wirtschaftlichen Gründen trotz fortschreitender Miniaturisierung der elektronischen Bauelemente in Stufen immer größere Werte annimmt und heute überwiegend bei 150 bis 200 mm liegt.
  • Für die nächste Generation von Halbleiter-Prozeßanlagen wird bereits mit Scheiben von 300 mm Durchmesser geplant, in der Entwicklung spricht man bereits von 400 mm Durchmesser. Bei diesen Ausmaßen für einen fehlerfreien Einkristall spielt neben der Kristallstruktur und der Reinheit vor allem die Durchmesser-Gleichmäßigkeit längs des zylinderförmigen Kristalls eine wichtige Rolle. Je glatter die Zylinderwand ist, um so weniger Bearbeitungsaufwand und Materialverlust sind zu erwarten. Aus diesem Grund ist die Durchmesserregelung während des Ziehprozesses ein wichtiges Kriterium für die Wirtschaftlichkeit.
  • Herkömmliche Ziehanlagen für 150 und 200 mm Durchmesser Kristalle sind im allgemeinen mit automatisch arbeitenden Durchmesser-Regel-Einrichtungen ausgestattet. Der Durchmesser des Kristalls wird mit geeigneten elektrooptischen Meßeinrichtungen erfaßt und in Abhängigkeit von der Heizleistung, der Ziehgeschwindigkeit und der Drehgeschwindigkeit mittels geeigneter Stellglieder nach dem Entstehen der sogenannten Schulter auf konstanten Solldurchmesser geregelt. Die Schwankung des Durchmessers über die Länge des Kristalls die her kömmlich bei 1–3 % vom Durchmesser liegt, das sogenannte "Ribble", spiegelt die Genauigkeit der Regeleinrichtung wieder.
  • Wegen eines allgemeinen Überblicks zu den beim Czochralski-Verfahren angewandten Regelverfahren sei z. B. auf K. TH. Wilke und J. Bohr, Kristall-Züchtung, S. 723 ff, verwiesen.
  • Zur Erfassung des Durchmessers sind eine Vielzahl von elektrooptischen Meßeinrichtungen vorgeschlagen worden. Allen gemeinsam ist die optische Abbildung des sogenannten "Meniskus" auf einen geeigneten Sensor mit entsprechender Signalverarbeitung zur Ermittlung des Durchmessers. Der Meniskus stellt eine enge ringförmige Zone zwischen erstarrtem Kristall und flüssiger Si-Schmelze dar, die deutlich heller leuchtet als die Schmelze selbst. Der Kristall scheint an der Grenzfläche Kristall-Schmelze von einem hellen Ring umgeben. Das optisch nicht einfach erklärbare Phänomen entsteht durch Reflexion der hauptsächlich von der Tiegelwand ausgehenden Strahlung an dem konkav gewölbten Übergang zwischen Schmelze und Kristall, so daß ein von oben auf die Schmelze und eintauchenden Kristall herabblickender Beobachter einen dunkleren Kristall sieht, der in Höhe der Schmelze von einem helleren Leuchtring umfaßt wird. Im Laufe des Ziehvorganges verbreitert sich der Ring mit Absenken der Schmelze im Tiegel und Herauswachsen des entstehenden Kristalls etwa um das 3-fache. Dies macht es gegen Ende des Ziehvorganges zunehmend schwerer, den Durchmesser durch Abbildung des Leuchtringes auf einen geeigneten Sensor exakt zu bestimmen.
  • In der DE 21 49 093 A wird eine einfache Meßanordnung beschrieben, bei der das Lichtbündel einer Glühlampe oder eines Lasers auf den Meniskusring praktisch parallel zur Einkristall-Hauptachse eingestrahlt wird und optisch auf 2 Photodioden abgebildet wird. Mittels geeigneter Schaltung läßt sich das Differenzsignal der Dioden zur Durchmesserregelung nutzen.
  • In der US 3,740,563 wird der vom Meniskusring reflektierte Lichtstrahl so auf eine mehrteilige Sensorfläche abgebildet und aufgeteilt, daß eine Verschiebung der Meßfläche in y-Richtung eine Änderung des Kristalldurchmessers, eine Änderung in x-Richtung die der Schmelzbadhöhe anzeigt.
  • Jüngere Anmeldungen wie z. B. die EP 0 454 389 A2 , EP 0 450 502 A1 oder JP 02-164,789 A , sowie das Patent EP 0 444 628 B1 (= DE 691 04 517 T2 ) nutzen die Möglichkeiten einer Videokamera und beschreiben elektronische Auswertverfahren zur Ermittlung des Kristalldurchmessers.
  • In dem US-Patent 3,692,499 ist eine Meßeinrichtung in einem Tubus beschrieben, in dem mit optischem Mittel der Meniskusring abgebildet ist und die Helligkeit der Abbildung an drei Stellen mit Hilfe dreier in dem Tubus untergebrachten Meßeinrichtungen erfasst wird.
  • Allen diesen Meßeinrichtungen ist gemeinsam, daß die Punkt- oder flächenhafte Abbildung des Meniskusringes oder besser des sichtbaren Teils des Ringes durch ein Objektiv oder eine Linse erfolgt, wobei die Beobachtungsrichtung wegen der Heiz- und Tiegeleinbauten schräg von oben mit einem Winkel zur senkrechten Kristallachse von etwa 5 bis 30° zu erfolgen hat.
  • Für Kristalldurchmesser bis zu 200 mm können mit derartigen Meßeinrichtungen Durchmesserschwankungen über die Länge eines Kristalls von etwa +/– 2 erzielt werden. Für noch größere Durchmesser ergeben sich prinzipielle Probleme. Bei herkömmlichen Ziehanlagen wird der Durchmesser eines 100 mm Kristalls im Bereich des Meniskus durch das Einblickfenster (1) unter einem Öffnungswinkel von etwa 8° gesehen. Kristalle von 300 mm Durchmesser werden zwar in größeren Kesseln gezogen, jedoch hat die Bildweite nicht den 3-fachen Wert. Der Durchmesser eines 300 mm Kristalls erscheint durch das Einblickfenster unter einem etwa 2,5-fach größerem, ein 400 mm Kristall unter einem bereits mehr als 3-fach größerem Öffnungswinkel. Durch den ungünstigen Beobachtungswinkel werden mit steigendem Kristalldurchmesser immer größere Teile des äußeren Meniskusringes vom Kristall abgedeckt. Dies kann noch dadurch verstärkt werden, daß die Durchmesserregelung außer Kontrolle gerät und eine wulstförmige Durchmesservergrößerung entsteht. Durch den vorspringenden Wulst wird die äußere Begrenzung des Ringes abgedeckt, so daß die elektronische Auswertung einen falschen Durchmesser anzeigt. Hinzu kommt, daß für ungünstige Beobachtungsrichtungen unter großem Öffnungswinkel die Intensität und der Kontrast des Meniskusringes nach den Seiten hin abnimmt. Aus Kontrastgründen wäre die stirnseitige Beobachtungsrichtung in der Ebene der Kristall-Hauptachse am besten. Jedoch sind auch bei dieser Blickrichtung Nachteile gegeben.
  • Im Falle einer Einschnürung des Kristalls wird der Meniskusring bei Schrägbeobachtung von oben durch den aus der Schmelze herauswachsenden Kristall abgedeckt. Im Extremfall geht die Ist-Wert-Erfassung für die Regelung ganz verloren.
  • Auch im Hinblick auf eine mögliche Pendelbewegung des Kristalls, die durch ungenaue Zentrierung, Temperatureffekte oder Wachstumsfehler ausgelöst werden kann, ist die stirnseitige Beobachtungsrichtung ungünstig, da eine Ortsverschiebung des Meniskusringes eine Durchmesserveränderung oder eine Pendelbewegung sein kann. Beide Einflüsse können bei dieser Beobachtungsrichtung nicht voneinander unterschieden werden.
  • Der Erfindung liegt deshalb die Aufgabe zugrunde, für Ziehprozesse nach dem Czochralski-Verfahren eine Meßanordnung vorzuschlagen, mit der Kristalldurchmesser größer 200 mm mit ausreichender Genauigkeit kontrolliert und geregelt werden können.
  • Erfindungsgemäß wird die Aufgabe mit der Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2 so gelöst, daß zur Erfassung des Kristalldurchmessers der Meniskusring unter zwei verschiedenen Blickrichtungen mit optischen Mitteln auf den jeweiligen Sensor abgebildet wird, wobei die Hauptachsen der Beobachtungsrichtung ihren Fußpunkt auf dem Meniskusring haben und in zwei zueinander um vorzugsweise 90° versetzt angeordneten Ebenen, die zur Kristall-Hauptachse im wesentlichen parallel verlaufen und den Meniskusring tangential berühren, liegen. Der Winkel zwischen Beobach tungsrichtung und Kristall-Hauptachse ist durch die Lage des Einblickfensters vorgegeben und liegt bei etwa 20–30°.
  • Die um 90° zueinander versetzten Blickrichtungen können dabei entweder nach Anspruch 1 mit zwei getrennten Einblickfenstern oder nach Anspruch 2 in gekreuzter Blickrichtung mit einem Einblickfenster verwirklicht werden.
  • Mit dieser Anordnung ergeben sich folgende Vorteile:
    Der Meniskusring ist auch bei starken Durchmesserveränderungen immer sichtbar. Im Gegensatz zur stirnseitigen Beobachtung liefert die vorgeschlagene Vorrichtung den Ist-Wert für den wahren Kristalldurchmesser.
  • Durch die um 90° versetzte Meßanordnung kann eine Pendelbewegung des Kristalls von einer Durchmesseränderung meßtechnisch getrennt erfaßt werden.
  • Die Erfindung wird an Hand von 1 bis 4 näher beschrieben, wobei
  • 1 eine konventionelle Kristallziehanlage nach dem Czochralski-Verfahren
  • 2 die perspektivische Darstellung des Kristalls bei Beobachtung durch das Einblickfenster in der Ebene der Kristall-Hauptachse
  • 3 die perspektivische Darstellung des Kristalls bei Beobachtung durch das Einblickfenster in einer zur Hauptachse parallelen, um den halben Durchmesser versetzten Ebene
  • 4a und b Meßanordnungen für die Durchmesserkontrolle darstellen.
  • Die Kristallziehanlage gemäß 1 ist als 3-teiliger Vakuumkessel aufgebaut. Er besteht aus einer feststehenden Basiskammer 16 mit integriertem Tiegelantrieb 1 und Pumpstützen 2 zum Abpumpen des Schutzgases. Die Ofenkammer 14 mit aufgesetztem Kammerdeckel 13 können angehoben oder weggeschwenkt werden. In der Ofenkammer 14 wird mit einem Heizer 15 das Schmelzgut in einem Tiegel 3 aus Quarzglas zum Schmelzen gebracht. Durch die über ein Schleusenventil 11 aufgesetzte Schleusenkammer 10 wird der Impfkristall 6 unter kontinuierlichem Drehen in die Schmelze 4 eingetaucht und langsam wieder herausgezogen. Die Ziehgeschwindigkeit in Verbindung mit Drehzahl und Heizung bestimmen den Durchmesser. Zunächst wird eine fehlerfreie Verjüngung, der sogenannte Hals 19 gezogen, der dann in die flache Schulter übergeht, die den endgültigen Durchmesser des Kristalls 5 abdeckt. Der Durchmesser wird an Hand des hellen Ringes 21 zwi schen Kristall 5 und Schmelze 4 über eine optische Meßeinrichtung 12 bestimmt.
  • In 2 ist der im Hals 19 hängende Kristall 20 mit bei Beobachtung von oben durch einen Fensterrahmen 18 in einem Winkel von etwa 25° in der Ebene durch die Zentralachse dargestellt. Durch die perspektivische Verzerrung werden die äußeren Randbereiche des Meniskusringes 21 durch den Kristall 20 abgedeckt.
  • 3 zeigt den Meniskusring 21 bei seitlicher Versetzung der Beobachtungsebene um den halben Durchmesser parallel zur Hauptachse des Kristalls unter Beibehaltung der Einblickrichtung von oben. Der Meniskusring 21 kann an der senkrechten Kristallmantellinie besser beobachtet werden, da er nicht abgedeckt wird.
  • In 4a und 4b sind die Meßanordnungen schematisch dargestellt, wobei die Beobachtungsrichtungen auf eine gedachte Ebene durch den Meniskusring 21 projiziert sind. Jeweils zwei optische Meßeinrichtungen, z. B. Pyrometer, Linien- oder Matrixkameras, Videokameras 24', ... zielen auf den Meniskusring 21 durch die Einblickfenster 23, 23', 23''. Besonders die Anordnung nach 4b ist von wirtschaftlichem Interesse, da sie bei konventionellen Ziehanlagen mit einem Einblickfenster 23'' nachträglich ohne Änderungen am Kessel 24 adaptiert werden kann.
  • 1
    Tiegelantrieb
    2
    Pumpstutzen
    3
    Tiegel
    4
    Schmelze
    5
    Kristall
    6
    Impfkristall
    7
    Impfkristallhalter
    8
    Kristall-Hub-Dreheinrichtung
    9
    Schutzgaseinlaß
    10
    Schleusenkammer
    11
    Schleusenventil
    12
    Optischer Sensor
    13
    Kammerdeckel
    14
    Ofenkammer, Kessel
    15
    Heizer
    16
    Basiskammer
    17
    Stromdurchführung
    18
    Fensterrahmen
    19
    Hals
    20
    Kristall
    21
    Meniskusring
    22
    Begrenzungslinie Schmelze-Tiegelwand
    23, 23', 23''
    Einblickfenster
    24
    Videokamera, optischer Sensor
    25, 25', ...
    Fußpunkt
    26, 26', ...
    Hauptachse der Beobachtungsrichtung
    27
    Kristall-Hauptachse

Claims (4)

  1. Vorrichtung zum Ziehen von Einkristallen aus einer im Tiegel befindlichen Schmelze (4) unter Vakuum oder Schutzgas nach dem Czochralski-Verfahren mit optischen Mitteln (12, 24, 24', ...), die den Meniskusring (21) zwischen Kristall (5, 20) und Schmelze (4) oder Ausschnitte davon auf einem Sensor abbilden, dessen elektronische Signalverarbeitung einen Ist-Wert für den Kristalldurchmesser liefert, wobei die Differenz zwischen Ist- und Soll-Wert als Regelabweichung einem Regler mit nachgeschalteten Stellgliedern zur Regelung des Durchmessers zugeführt wird, dadurch gekennzeichnet, daß zur Ist-Wert-Erfassung des Durchmessers optische Mittel (24, 24') für zwei Beobachtungsrichtungen vorgesehen sind, wobei die Hauptachsen (26'', 26''', ...) der Beobachtungsrichtung ihren Fußpunkt (26'', 25''', ...) auf dem Meniskusring (21) haben und in zwei zueinander versetzt angeordneten Ebenen liegen, die zur Kristall-Hauptachse (27) im wesentlichen parallel verlaufen und den Meniskusring (21) tangential berühren.
  2. Vorrichtung zum Ziehen von Einkristallen aus einer im Tiegel (3) befindlichen Schmelze (4) unter Vakuum oder Schutzgas nach dem Czochralski-Verfahren mit optischen Mitteln (12, 24, 24', ...), die den Meniskusring (21) zwischen Kristall (5, 20) und Schmelze (4) oder Ausschnitte davon auf einem Sensor abbilden, dessen elektronische Signalverarbeitung einen Ist-Wert für den Kristalldurchmesser liefert, wobei die Differenz zwischen Ist- und Soll-Wert als Regelabweichung einem Regler mit nachgeschalteten Stellgliedern zur Regelung des Durchmessers zugeführt wird, dadurch gekennzeichnet, daß zur Ist-Wert-Erfassung des Durchmessers optische Mittel für zwei Beobachtungsrichtungen vorgesehen sind, wobei die Hauptachsen (26', 26''', ...) der Beobachtungsrichtung ihren Fußpunkt (25'', 25''', ...) auf dem Meniskusring (21) haben und in zwei zueinander versetzt angeordneten Ebenen liegen, die zur Kristall-Hauptachse (27) im wesentlichen parallel verlaufen und den Meniskusring (21) tangential berühren, und die beiden Beobachtungsrichtungen oder Ebenen zueinander versetzt so angeordnet sind, daß ihr Schnittpunkt im Einblickfenster (23'') liegt.
  3. Vorrichtung zum Ziehen von Einkristallen nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Beobachtungsrichtungen oder Ebenen um 90° zueinander versetzt sind.
  4. Verfahren zum Ziehen von Einkristallen aus einer im Tiegel befindlichen Schmelze unter Vakuum oder Schutzgas nach dem Czochralski-Verfahren unter Verwendung der Vorrichtung gemäß Anspruch 1, 2 oder 3.
DE19548845A 1995-12-27 1995-12-27 Vorrichtung und Verfahren zum Ziehen von Einkristallen nach dem Czochralski-Verfahren Expired - Fee Related DE19548845B4 (de)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19548845A DE19548845B4 (de) 1995-12-27 1995-12-27 Vorrichtung und Verfahren zum Ziehen von Einkristallen nach dem Czochralski-Verfahren
US08/759,975 US5853479A (en) 1995-12-27 1996-12-03 Apparatus for drawing single crystals by the czochralski method
JP8336962A JPH09183693A (ja) 1995-12-27 1996-12-17 チョクラルスキー法による単結晶引き上げ装置及び方法
KR1019960073462A KR100189482B1 (ko) 1995-12-27 1996-12-27 쵸크랄스키 방법에 따른 단결정 연신장치 및 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19548845A DE19548845B4 (de) 1995-12-27 1995-12-27 Vorrichtung und Verfahren zum Ziehen von Einkristallen nach dem Czochralski-Verfahren

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE19548845A1 DE19548845A1 (de) 1997-07-03
DE19548845B4 true DE19548845B4 (de) 2008-04-10

Family

ID=7781496

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19548845A Expired - Fee Related DE19548845B4 (de) 1995-12-27 1995-12-27 Vorrichtung und Verfahren zum Ziehen von Einkristallen nach dem Czochralski-Verfahren

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5853479A (de)
JP (1) JPH09183693A (de)
KR (1) KR100189482B1 (de)
DE (1) DE19548845B4 (de)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0903428A3 (de) * 1997-09-03 2000-07-19 Leybold Systems GmbH Einrichtung und Verfahren für die Bestimmung von Durchmessern eines Kristalls
DE19738438B4 (de) * 1997-09-03 2010-04-08 Crystal Growing Systems Gmbh Einrichtung und Verfahren für die Bestimmung des Durchmessers eines Kristalls
US5922127A (en) * 1997-09-30 1999-07-13 Memc Electronic Materials, Inc. Heat shield for crystal puller
JP4020313B2 (ja) * 2003-03-28 2007-12-12 ステラケミファ株式会社 フッ化物中の不純物及び色中心分析方法及び単結晶育成用材料の製造方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3692499A (en) * 1970-08-31 1972-09-19 Texas Instruments Inc Crystal pulling system
JPS57179097A (en) * 1981-04-28 1982-11-04 Toshiba Corp Method and apparatus for growing single crystal
US4634490A (en) * 1983-12-16 1987-01-06 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method of monitoring single crystal during growth
JPH02164789A (ja) * 1988-12-16 1990-06-25 Komatsu Denshi Kinzoku Kk 単結晶直径自動制御装置
EP0450502A1 (de) * 1990-03-29 1991-10-09 Shin-Etsu Handotai Company Limited Verfahren zur Durchmesserbestimmung bei automatisch kontrolliertem Kristallwachstum
EP0527477A1 (de) * 1991-08-14 1993-02-17 MEMC Electronic Materials, Inc. Verfahren zur Regelung des Sauerstoffgehaltes in Siliciumkristallen
DE69104517T2 (de) * 1990-02-28 1995-03-09 Shinetsu Handotai Kk Verfahren zur automatischen Steuerung der Züchtung des Halsteiles eines Einkristalles nach dem Czochralski-Verfahren.

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0726817B2 (ja) * 1990-07-28 1995-03-29 信越半導体株式会社 結晶径測定装置
US5640031A (en) * 1993-09-30 1997-06-17 Keshtbod; Parviz Spacer flash cell process

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3692499A (en) * 1970-08-31 1972-09-19 Texas Instruments Inc Crystal pulling system
JPS57179097A (en) * 1981-04-28 1982-11-04 Toshiba Corp Method and apparatus for growing single crystal
US4634490A (en) * 1983-12-16 1987-01-06 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method of monitoring single crystal during growth
JPH02164789A (ja) * 1988-12-16 1990-06-25 Komatsu Denshi Kinzoku Kk 単結晶直径自動制御装置
DE69104517T2 (de) * 1990-02-28 1995-03-09 Shinetsu Handotai Kk Verfahren zur automatischen Steuerung der Züchtung des Halsteiles eines Einkristalles nach dem Czochralski-Verfahren.
EP0450502A1 (de) * 1990-03-29 1991-10-09 Shin-Etsu Handotai Company Limited Verfahren zur Durchmesserbestimmung bei automatisch kontrolliertem Kristallwachstum
EP0527477A1 (de) * 1991-08-14 1993-02-17 MEMC Electronic Materials, Inc. Verfahren zur Regelung des Sauerstoffgehaltes in Siliciumkristallen

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
57-179097 A.,C-148,Jan. 28,1983,Vol. 7,No. 22
JP Patents Abstracts of Japan: 2-164789 A.,C-758,Sep. 13,1990,Vol.14,No.427
Patents Abstracts of Japan, C-148, Jan. 28, 1983, Vol. 7, No. 22 & JP 57179097 A *
Patents Abstracts of Japan, C-758, Sep. 13, 1990, Vol.14, No.427 & JP 02164789 A *

Also Published As

Publication number Publication date
KR970043343A (ko) 1997-07-26
JPH09183693A (ja) 1997-07-15
DE19548845A1 (de) 1997-07-03
KR100189482B1 (ko) 1999-06-01
US5853479A (en) 1998-12-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0903428A2 (de) Einrichtung und Verfahren für die Bestimmung von Durchmessern eines Kristalls
DE102008044761B4 (de) Siliciumeinkristallziehverfahren
CN1079847C (zh) 用于控制硅单晶生长的系统和方法
DE112011101587B4 (de) Verfahren zum Messen und Steuern des Abstands zwischen einer unteren Endfläche eines Wärmeabschirmelements und der Oberfläche einer Rohstoffschmelze und Verfahren zum Herstellen eines Silizium-Einkristalls
DE112013001066B4 (de) Verfahren zum Berechnen einer Höhenposition einer Oberfläche einer Siliziumschmelze, Verfahren zum Ziehen eines Silizium-Einkristalls, und Silizium-Einkristall-Ziehvorrichtung
DE3015006C2 (de) Vorrichtung zum Ermitteln der Topographie der Charge in einem Hochofen
DE112009002559B4 (de) Verfahren zum Ermitteln des Durchmessers eines Einkristalls, Einkristall-Herstellungsverfahren und Einkristall-Herstellungsvorrichtung
DE112006003772T5 (de) Positionsmessverfahren
DE2531882A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur bestimmung des zeta-potentials von suspendierten partikeln in einer fluessigkeit
DE19548845B4 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Ziehen von Einkristallen nach dem Czochralski-Verfahren
DE112021002436T5 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von Einkristallen
DE19845867C2 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Bestimmung der Oberflächenspannung von Polymerschmelzen
US4242589A (en) Apparatus for monitoring crystal growth
EP3684967B1 (de) Verfahren zur bestimmung einer oberflächentemperatur
DE19738438B4 (de) Einrichtung und Verfahren für die Bestimmung des Durchmessers eines Kristalls
DE4123336A1 (de) Kristallziehverfahren und vorrichtung zu seiner durchfuehrung
CN217845101U (zh) 一种三维检测仪
DE10042123A1 (de) Vorrichtung zur Durchführung von Messungen im Vakuum
EP2815207B1 (de) Verfahren zum messen des abstands zwischen zwei gegenständen
DE112021005056T5 (de) Verfahren zum messen eines abstandes zwischen einer unteren endfläche eines wärmeabschirmelements und einer oberfläche einer rohstoffschmelze, verfahren zum steuern eines abstandes zwischen einer unteren endfläche eines wärmeabschirmelements und einer oberfläche einer rohstoffschmelze und verfahren zum herstellen eines siliziumeinkristalls
DD273459A1 (de) Verfahren und anordnung zur bestimmung von kristallradius, -querschnittsform und vertikaler kristallkeimposition beim kristallzuechtungsverfahren nach czochralski
RU2227819C1 (ru) Способ регулирования уровня расплава в тигле в процессе выращивания кристаллов методом чохральского
DE102013002471B4 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Bestimmung der Schmelzhöhe und zur Regulation der Erstarrung und Schmelzung einer Schmelze in einem Tiegel
EP0992788B1 (de) Einrichtung zur Einstellung und Steuerung der Beleuchtungsstärke von Kontrolleuchten
DE2454140C3 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Steuern der Breite eines Glasbandes

Legal Events

Date Code Title Description
OM8 Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law
8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: UNAXIS DEUTSCHLAND HOLDING GMBH, 63450 HANAU, DE

8110 Request for examination paragraph 44
8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: CRYSTAL GROWING SYSTEMS GMBH, 63450 HANAU, DE

8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: CRYSTAL GROWING SYSTEMS GMBH, 35614 ASSLAR, DE

8364 No opposition during term of opposition
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee

Effective date: 20110701